JP5045100B2 - Organic electroluminescence element material and organic electroluminescence element - Google Patents

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Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element material and organic electroluminescence element.

従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、ELDという)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という)が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。有機EL素子は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、さらに、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。   Conventionally, as a light-emitting electronic display device, there is an electroluminescence display (hereinafter referred to as ELD). Examples of constituent elements of ELD include inorganic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements (hereinafter referred to as organic EL elements). Inorganic electroluminescent elements have been used as planar light sources, but an alternating high voltage is required to drive the light emitting elements. An organic EL device has a structure in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode, and injects electrons and holes into the light emitting layer and recombines them to generate excitons. An element that emits light by using light emission (fluorescence / phosphorescence) when this exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several V to several tens V, and is self-luminous. Therefore, it has a wide viewing angle, high visibility, and since it is a thin-film type complete solid-state device, it has attracted attention from the viewpoints of space saving and portability.

しかしながら、今後の実用化に向けた有機EL素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機EL素子の開発が望まれている。   However, in organic EL elements for practical use in the future, development of organic EL elements that emit light efficiently and with high luminance with lower power consumption is desired.

特許第3093796号明細書では、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。   In Japanese Patent No. 3093796, a small amount of phosphor is doped into a stilbene derivative, a distyrylarylene derivative or a tristyrylarylene derivative to achieve an improvement in light emission luminance and a longer device lifetime.

また、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子(例えば、特開昭63−264692号公報)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子(例えば、特開平3−255190号公報)等が知られている。   Further, an element having an organic light-emitting layer in which an 8-hydroxyquinoline aluminum complex is used as a host compound and a small amount of phosphor is doped thereto (for example, JP-A 63-264692), and an 8-hydroxyquinoline aluminum complex is used as a host compound. For example, an element having an organic light emitting layer doped with a quinacridone dye (for example, JP-A-3-255190) is known.

以上のように、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:3であるため発光性励起種の生成確率が25%であり、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取り出し量子効率(ηext)の限界は5%とされている。   As described above, when light emission from excited singlet is used, the generation ratio of singlet excitons and triplet excitons is 1: 3, and thus the generation probability of luminescent excited species is 25%. Since the efficiency is about 20%, the limit of the external extraction quantum efficiency (ηext) is set to 5%.

ところが、プリンストン大より励起三重項からの燐光発光を用いる有機EL素子の報告(M.A.Baldo et al.,nature、395巻、151−154ページ(1998年))がされて以来、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている。   However, since Princeton University reported on organic EL devices using phosphorescence emission from excited triplets (MA Baldo et al., Nature, 395, 151-154 (1998)), at room temperature. Research on materials that exhibit phosphorescence has become active.

例えばM.A.Baldo et al.,nature、403巻、17号、750−753ページ(2000年)、また米国特許第6,097,147号明細書等にも開示されている。   For example, M.M. A. Baldo et al. , Nature, 403, 17, 750-753 (2000), US Pat. No. 6,097,147, and the like.

励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が100%となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られる可能性があることから照明用途としても注目されている。   When excited triplets are used, the upper limit of internal quantum efficiency is 100%, so that in principle the luminous efficiency is four times that of excited singlets, and there is a possibility that almost the same performance as cold cathode tubes can be obtained. Therefore, it is attracting attention as a lighting application.

例えば、S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻,4304ページ(2001年)等においては、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討されている。   For example, S.M. Lamansky et al. , J .; Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), etc., many compounds have been studied for synthesis centering on heavy metal complexes such as iridium complexes.

また、前述のM.A.Baldo et al.,nature,403巻,17号,750−753ページ(2000年)においては、ドーパントとして、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウムを用いた検討がされている。   In addition, the aforementioned M.I. A. Baldo et al. , Nature, Vol. 403, No. 17, pages 750-753 (2000), studies have been made using tris (2-phenylpyridine) iridium as a dopant.

その他、M.E.Tompson等は、The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)において、ドーパントとしてLIr(acac)例えば(ppy)Ir(acac)を、また、Moon−Jae Youn.0g、Tetsuo Tsutsui等は、やはり、The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)において、ドーパントとして、トリス(2−(p−トリル)ピリジン)イリジウム(Ir(ptpy)),トリス(ベンゾ[h]キノリン)イリジウム(Ir(bzq))等を用いた検討を行っている(なおこれらの金属錯体は一般にオルトメタル化イリジウム錯体と呼ばれている。)。In addition, M.M. E. Thompson et al., In The 10th International Works on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu), used L 2 Ir (acac), for example (ppy) 2 Ir (acac) as a dopant, 0 g, Tetsuo Tsutsui, etc., again, The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu) in, as a dopant tris (2-(p-tolyl) pyridine) iridium (Ir (ptpy) 3), Studies using tris (benzo [h] quinoline) iridium (Ir (bzq) 3 ) or the like are being conducted (note that these metal complexes are generally called ortho-metalated iridium complexes).

また、前記、S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻,4304ページ(2001年)等においても、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされている。   In addition, S. Lamansky et al. , J .; Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), etc., attempts have been made to form devices using various iridium complexes.

また、高い発光効率を得るために、The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)では、Ikai等はホール輸送性の化合物を燐光性化合物のホストとして用いている。また、M.E.Tompson等は、各種電子輸送性材料を燐光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている。   In order to obtain high luminous efficiency, in the 10th International Works on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu), Ikai et al. Uses a hole transporting compound as a host of a phosphorescent compound. In addition, M.M. E. Thompson et al. Use various electron transporting materials as a host of a phosphorescent compound, doped with a novel iridium complex.

中心金属をイリジウムの代わりに白金としたオルトメタル化錯体も注目されている。この種の錯体に関しては、配位子に特徴を持たせた例が多数知られている(例えば、特許文献1〜5及び非特許文献1参照。)。   Orthometalated complexes in which the central metal is platinum instead of iridium are also attracting attention. With regard to this type of complex, there are many known examples in which a ligand is characterized (see, for example, Patent Documents 1 to 5 and Non-Patent Document 1).

何れの場合も発光素子とした場合の発光輝度や発光効率は、その発光する光が燐光に由来することから、従来の素子に比べ大幅に改良されるものであるが、素子の発光寿命については従来の素子よりも低いという問題点があった。   In any case, the light emission luminance and light emission efficiency of the light emitting device are greatly improved compared to conventional devices because the emitted light is derived from phosphorescence. There was a problem that it was lower than the conventional element.

また、りん光性の高効率の発光材料としては色純度のよい青色発光材料が求められているにも関わらず、発光波長の短波化が難しく実用に耐えうる性能を十分に達成できていないのが現状である。波長の短波化に関しては、これまでフェニルピリジンにフッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基等の電子吸引基を置換基として導入すること、配位子としてピコリン酸やピラザボール系の配位子を導入することが知られている(例えば、特許文献6〜10及び非特許文献1〜4参照。)が、これらの配位子では発光材料の発光波長が短波化して青色を達成し、高効率の素子を達成できる一方、素子の発光寿命は大幅に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められていた。
特開2002−332291号公報 特開2002−332292号公報 特開2002−338588号公報 特開2002−226495号公報 特開2002−234894号公報 国際公開第02/15645号パンフレット 特開2003−123982号公報 特開2002−117978号公報 特開2003−146996号公報 国際公開第04/016711号パンフレット Inorganic Chemistry,第41巻,第12号,3055〜3066ページ(2002年) Aplied Physics Letters,第79巻,2082ページ(2001年) Aplied Physics Letters,第83巻,3818ページ(2003年) New Journal of Chemistry,第26巻,1171ページ(2002年)
In addition, as a phosphorescent high-efficiency light-emitting material, a blue light-emitting material with good color purity is required, but it is difficult to shorten the emission wavelength, and performance sufficient for practical use has not been achieved. Is the current situation. Regarding wavelength shortening, introduction of electron-withdrawing groups such as fluorine atoms, trifluoromethyl groups, and cyano groups into phenylpyridine as substituents, and introduction of picolinic acid and pyrazabole-based ligands as ligands (For example, refer to Patent Documents 6 to 10 and Non-Patent Documents 1 to 4.) With these ligands, the emission wavelength of the light-emitting material is shortened to achieve blue, and high efficiency. While the device can be achieved, the light emission lifetime of the device is greatly deteriorated, and thus improvement of the trade-off has been demanded.
JP 2002-332291 A JP 2002-332292 A JP 2002-338588 A JP 2002-226495 A JP 2002-234894 A International Publication No. 02/15645 Pamphlet JP 2003-123982 A JP 2002-117978 A JP 2003-146996 A International Publication No. 04/016711 Pamphlet Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, pp. 3055-3066 (2002) Applied Physics Letters, Volume 79, 2082 (2001) Applied Physics Letters, 83, 3818 (2003) New Journal of Chemistry, 26, 1171 (2002)

本発明の目的は、発光波長が制御され、高い発光効率を示し、かつ、発光寿命の長い有機EL素子を提供することにある。 An object of the present invention, the emission wavelength is controlled, it showed high luminous efficiency, and is to provide a long organic EL device emission lifetime.

上記目的を達成するための、本発明の一つの態様は、下記一般式(3′′)で表される金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料である
To achieve the above object, one aspect of the present invention is an organic electroluminescence device material characterized by containing a metal complex represented by the following general formula (3 '').

図1は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a display device composed of organic EL elements. 図2は表示部Aの模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A. 図3は画素を構成する駆動回路の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a drive circuit constituting a pixel. 図4はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram of a passive matrix display device. 図5は有機EL素子OLED1−1の封止構造の概略模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram of a sealing structure of the organic EL element OLED1-1. 図6は有機EL素子を具備してなる照明装置の模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram of a lighting device including an organic EL element.

本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。
構成1.下記一般式(3′′)で表される金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(式中、Rb、Rc、Rdはアルキル基またはアリール基を表し、Xb、Xc、Xdは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。nb、nc、ndは1または2を表す。R、R、R、R、R10は水素原子を表す。Mはイリジウムまたは白金を表し、nは1または2を表す。
構成.構成1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
以下の構成は、好ましい態様である。
(1)下記一般式(1)で表される部分構造を有する金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
The above object of the present invention is achieved by the following configurations.
Configuration 1. An organic electroluminescence device material comprising a metal complex represented by the following general formula (3 ″) .
(In the formula, Rb, Rc, and Rd represent an alkyl group or an aryl group, Xb, Xc, and Xd represent an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Nb, nc, and nd represent 1 or 2. R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 represent a hydrogen atom, M represents iridium or platinum, and n represents 1 or 2.
Configuration 2 . An organic electroluminescence element comprising the organic electroluminescence element material according to Configuration 1 .
The following configuration is a preferred embodiment.
(1) An organic electroluminescence element material comprising a metal complex having a partial structure represented by the following general formula (1).

(式中、A、B、Cは水素原子または置換基を表し、その少なくとも二つは下記一般式(2)で表され、互いに異なっていてもよい。R、R、R、R、Rは水素原子または置換基を表す。Mは元素周期表における第8族、第9族または第10族の元素を表す。)
一般式(2) −Xa−(Ra)na
(式中、Raは置換基を表す。Xaは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。naは1または2を表す。)
(2) 前記一般式(2)において、Raがアルキル基であることを特徴とする前記(1)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(3) 一般式(3)で表される部分構造を有する金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(In the formula, A, B and C represent a hydrogen atom or a substituent, at least two of which are represented by the following general formula (2) and may be different from each other. R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 represent a hydrogen atom or a substituent, and M 1 represents an element of Group 8, 9 or 10 in the periodic table.
Formula (2) -Xa- (Ra) na
(In the formula, Ra represents a substituent. Xa represents an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom. Na represents 1 or 2.)
(2) In the said General formula (2), Ra is an alkyl group, The organic electroluminescent element material as described in said (1) characterized by the above-mentioned.
(3) An organic electroluminescence element material comprising a metal complex having a partial structure represented by the general formula (3).

(式中、Rb、Rc、Rdは置換基を表し、Xb、Xc、Xdは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。nb、nc、ndは1または2を表す。R、R、R、R、R10は水素原子または置換基を表す。Mは元素周期表における第8族、第9族または第10族の元素を表す。)
(4) 前記一般式(3)において、Rb、Rc、Rdがアルキル基であることを特徴とする前記(3)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(5) 前記一般式(3)において、Xdが窒素原子で、Xb、Xcが酸素原子であることを特徴とする前記(3)または(4)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(6) 前記一般式(3)において、Xdが硫黄原子であり、Xb、Xcが酸素原子であることを特徴とする前記(3)または(4)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(7) 前記一般式(3)において、Xb、Xc、Xdが酸素原子であることを特徴とする前記(3)または(4)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(8) Mがイリジウムまたは白金であることを特徴とする前記
(1)または(2)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(9) Mがイリジウムまたは白金であることを特徴とする前記
(3)〜(7)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(10) 前記(1)〜(9)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(11) 構成層として発光層を有し、該発光層が前記(1)〜(9)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(12) 構成層として正孔阻止層を有し、該正孔阻止層が前記(1)〜(9)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(13) 前記(10)〜(12)のいずれか1項に記載の有機エレクトルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
(14) 前記(10)〜(12)のいずれか1項に記載の有機エレクトルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
(In the formula, Rb, Rc and Rd represent a substituent, Xb, Xc and Xd represent an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom. Nb, nc and nd represent 1 or 2. R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 represent a hydrogen atom or a substituent, and M 2 represents an element of Group 8, 9 or 10 in the periodic table.
(4) The organic electroluminescent element material as described in (3) above, wherein in the general formula (3), Rb, Rc and Rd are alkyl groups.
(5) The organic electroluminescent element material as described in (3) or (4) above, wherein in the general formula (3), Xd is a nitrogen atom, and Xb and Xc are oxygen atoms.
(6) The organic electroluminescent element material as described in (3) or (4) above, wherein, in the general formula (3), Xd is a sulfur atom, and Xb and Xc are oxygen atoms.
(7) The organic electroluminescent element material as described in (3) or (4) above, wherein in the general formula (3), Xb, Xc and Xd are oxygen atoms.
(8) The organic electroluminescent device material according to (1) or (2) where M 1 is characterized in that iridium or platinum.
(9) The electrolyte M 2 is characterized in that iridium or platinum (3) The organic electroluminescence device material according to any one of (1) to (7).
(10) An organic electroluminescent element comprising the organic electroluminescent element material according to any one of (1) to (9).
(11) An organic electroluminescent device comprising a light emitting layer as a constituent layer, wherein the light emitting layer contains the organic electroluminescent device material according to any one of (1) to (9).
(12) An organic material having a hole blocking layer as a constituent layer, wherein the hole blocking layer contains the organic electroluminescence element material according to any one of (1) to (9). Electroluminescence element.
(13) A display device comprising the organic electroluminescent element according to any one of (10) to (12).
(14) An illuminating device comprising the organic electroluminescent element according to any one of (10) to (12).

以下、本発明について詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

フェニルピリジンの特定の箇所にある電子的性質をもった置換基を導入した、前記一般式(3′′)で表される金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含む有機EL素子により、従来の青色用の金属錯体、特に電子吸引基によってのみ発光波長を短波側に制御してきた有機EL素子材料を用いて作製された有機EL素子の問題点であった発光寿命が大幅に改善されることが見出された。 An organic EL device including an organic electroluminescence device material containing a metal complex represented by the general formula (3 ″), in which a substituent having an electronic property at a specific position of phenylpyridine is introduced, The light emission lifetime, which was a problem of organic EL devices manufactured using organic EL device materials whose emission wavelength is controlled to the short wavelength side only by electron-withdrawing groups, is greatly improved. Was found.

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。   Hereinafter, details of each component according to the present invention will be sequentially described.

この検討にあたっては、下記の構造を例にして分子軌道計算による発光波長のシミュレーションにより、フェニルピリジンへの置換基効果と発光波長の変動を詳細に検討した。
In this examination, the effect of the substituent on phenylpyridine and the fluctuation of the emission wavelength were examined in detail by simulating the emission wavelength by molecular orbital calculation using the following structure as an example.

その結果、波長の短波化,長波化に有効な置換位置は、4位と3p〜6p位であることが見出された。特に、短波化に関しては、置換基が電子供与性基の場合、4位、4p位、6p位への置換基導入が有効である一方、置換基が電子吸引性基の場合、3p位、5p位への置換基導入が有効であることが分かった。また、3、5、6位は置換基の電子的性質によらず長波化することが分かった。さらに、置換基の電子的性質に関して相補的であった。   As a result, it has been found that substitution positions effective for shortening the wavelength and increasing the wavelength are the 4th and 3p-6p positions. In particular, regarding the shortening of the wave length, when the substituent is an electron-donating group, introduction of the substituent at the 4-position, 4p-position, and 6p-position is effective, while when the substituent is an electron-withdrawing group, the 3p-position, 5p position is effective. It was found that introduction of a substituent at the position was effective. Moreover, it turned out that the 3, 5, 6 position becomes long wave regardless of the electronic property of a substituent. Furthermore, it was complementary with respect to the electronic properties of the substituents.

この結果を受けて、本発明者等は発光波長を青色まで短波化するための手段として、上記指針に基づき検討を進め合成検討したところ、シミュレーション結果をほぼ満足する発光波長の制御ができることを見出した。   In response to this result, the present inventors have investigated and synthesized based on the above guidelines as a means for shortening the emission wavelength to blue, and found that the emission wavelength can be controlled almost satisfying the simulation result. It was.

しかしながら、電子吸引性基を3p位、5p位へ導入した場合、青色の色純度改良に有効である一方、素子の寿命が著しく劣化する傾向があることが分かった。一方、電子供与性基を4位、4p位、6p位へ導入した場合、高効率化は実現されたが、置換基の電子供与性がσ性に由来するかπ性に由来するかで異なること分かった。   However, it has been found that when electron withdrawing groups are introduced at the 3p-position and the 5p-position, it is effective for improving the blue color purity, but the lifetime of the device tends to be remarkably deteriorated. On the other hand, when an electron donating group is introduced at the 4-position, 4p-position or 6p-position, high efficiency is realized, but it differs depending on whether the electron-donating property of the substituent is derived from σ or π. I understood that.

メチル基のようなσ性の強い電子供与性基が置換基である場合、寿命の改善効果は小さい一方、アルコキシ基、アリールオキシ基のようなπ性の強い電子供与性基が置換基である場合、寿命の改善効果が著しく大きくなった。さらに、アルキルチオ基、アリールチオ基のような置換基は電子供与性は小さいが、寿命の改善効果が著しく大きくなった。これは、アルキルチオ基、アリールチオ基の置換基に存在するローンペアのために、これらの置換基の電子的性質がπ性の電子供与基と同等の機能を有するためと推定している。このようにπ性の強い電子供与基が置換基として分子内に少なくとも二つ存在することにより、3p位、5p位に電子吸引基を導入した場合でも,発光素子の寿命が改善できることがわかった。   When an electron donating group having a strong σ property such as a methyl group is a substituent, the effect of improving the lifetime is small, whereas an electron donating group having a strong π property such as an alkoxy group or an aryloxy group is a substituent. In this case, the effect of improving the lifetime was remarkably increased. Furthermore, substituents such as alkylthio groups and arylthio groups have a small electron donating property, but the effect of improving the lifetime is significantly increased. This is presumed to be due to the loan pair present in the substituents of the alkylthio group and the arylthio group, the electronic properties of these substituents have a function equivalent to that of a π-type electron donor group. Thus, it was found that the lifetime of the light emitting device can be improved even when an electron withdrawing group is introduced at the 3p-position and the 5p-position by having at least two electron donating groups having a strong π property in the molecule as substituents. .

このような知見に基づき、本発明の請求項で表される分子構造にたどり着き、本発明を完成するに至った。 Based on such knowledge, the molecular structure represented by claim 1 of the present invention has been reached and the present invention has been completed.

発光波長の計算には、Gaussian 98(Revision A.11.4,M.J.Frisch,G.W.Trucks,H.B.Schlegel,G.E.Scuseria,M.A.Robb,J.R.Cheeseman,V.G.Zakrzewski,J.A.Montgomery,Jr.,R.E.Stratmann,J.C.Burant,S.Dapprich,J.M.Millam,A.D.Daniels,K.N.Kudin,M.C.Strain,O.Farkas,J.Tomasi,V.Barone,M.Cossi,R.Cammi,B.Mennucci,C.Pomelli,C.Adamo,S.Clifford,J.Ochterski,G.A.Petersson,P.Y.Ayala,Q.Cui,K.Morokuma,N.Rega,P.Salvador,J.J.Dannenberg,D.K.Malick,A.D.Rabuck,K.Raghavachari,J.B.Foresman,J.Cioslowski,J.V.Ortiz,A.G.Baboul,B.B.Stefanov,G.Liu,A.Liashenko,P.Piskorz,I.Komaromi,R.Gomperts,R.L.Martin,D.J.Fox,T.Keith,M.A.Al−Laham,C.Y.Peng,A.Nanayakkara,M.Challacombe,P.M.W.Gill,B.Johnson,W.Chen,M.W.Wong,J.L.Andres,C.Gonzalez,M.Head−Gordon,E.S.Replogle,and J.A.Pople,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用いた。   For the calculation of the emission wavelength, Gaussian 98 (Revision A.11.4, MJ Frisch, GW Trucks, H.B. Schlegel, G.E. Scuseria, M.A. Robb, J.R. Cheeseman, V. G. Zakrzewski, JA Montgomery, Jr., RE Stratmann, J. C. Burrant, S. Daprich, J. M. Millam, AD Daniels, K.N. Kudin, M. C. Strain, O. Farkas, J. Tomasi, V. Barone, M. Cossi, R. Cammi, B. Mennucci, C. Pomeri, C. Adamo, S. Clifford, J. Ochterski, G. A. Petersson, P.A. Y. Ayala, Q. Cui, K. Morokuma, N. Rega, P. Salvador, J. J. Dannenberg, D. K. Malick, A. D. Rabuck, K. Ragavachari, J. B. Forsman, J. Y. Cioslowski, JV Ortiz, AG Baboul, BB Stefanov, G. Liu, A. Liashenko, P. Piskorz, I. Komaromi, R. Gomperts, R. L. Martin, D. J. Fox, T. Keith, MA Al-Laham, CY Peng, A. Nanayakara, M. Challacombe, PM GW Gill, B. Johnson, W. Chen, MW Wong, JL Andres, C.G. nzalez, M.Head-Gordon, E.S.Replogle, and J.A.Pople, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.) was used.

計算はB3LYP法を用いて構造最適化したのち、TD−DFT計算によりりん光波長計算を行ない発光波長を求めた。   The calculation was performed using the B3LYP method to optimize the structure, and then the phosphorescence wavelength was calculated by TD-DFT calculation to obtain the emission wavelength.

また、前記金属錯体の含有層としては、発光層及び/または正孔阻止層が好ましく、また、発光層に含有する場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の目的である、有機EL素子の発光寿命の長寿命化を達成することができる。   The metal complex-containing layer is preferably a light-emitting layer and / or a hole blocking layer, and when contained in the light-emitting layer, it is an object of the present invention to be used as a light-emitting dopant in the light-emitting layer. In addition, it is possible to achieve a long emission life of the organic EL element.

《金属錯体》
本発明の有機EL素子材料に係る金属錯体について説明する。
《一般式(3′′)で表される金属錯体》
本発明に係る、一般式(3′′)で表される金属錯体について説明する。
一般式(3′′)において、Rb、Rc、Rdはアルキル基またはアリール基を表す。Rb、Rc、Rdの置換基としてはアルキル基であることが好ましい。アルキル基としては例えば、メチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基等、アリール基としては例えば、フェニル基、2−ナフチル基、9−フェナンスリル基、2−ピリジル基、2−チエニル基、3−フリル基、メシチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基等が挙げられる。
一般式(3′′)において、Xb、Xc、Xdは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。Xb、Xc、Xdの原子の組み合わせとしては、(1)Xdが窒素原子で、Xb、Xcが酸素原子、(2)Xdが硫黄原子であり、Xb、Xcが酸素原子、または(3)Xb、Xc、Xdが酸素原子であることが好ましい。
一般式(3′′)において、nb、nc、ndは1または2を表す。
一般式(3′′)において、R6、R7、R8、R9、R10は水素原子を表す。
一般式(3′′)において、はイリジウムまたは白金を表し、nは1または2を表す。
"Metal complexes"
The organic EL device material of the present invention for engaging Rukin metal complex will be described.
"General formula (3 '') is represented by Rukin metal complex"
According to the present invention, represented by general formula (3 '') will be described Rukin metal complex.
In the general formula (3 ″) , Rb, Rc, and Rd represent an alkyl group or an aryl group. The substituent for Rb, Rc and Rd is preferably an alkyl group. Examples of the alkyl group include a methyl group, isopropyl group, and tert-butyl group. Examples of the aryl group include a phenyl group, 2-naphthyl group, 9-phenanthryl group, 2-pyridyl group, 2-thienyl group, and 3-furyl group. Group, mesityl group, carbazolyl group, fluorenyl group and the like.
In the general formula (3 ″) , Xb, Xc and Xd represent an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom. The combination of Xb, Xc, and Xd atoms includes (1) Xd is a nitrogen atom, Xb and Xc are oxygen atoms, (2) Xd is a sulfur atom, Xb and Xc are oxygen atoms, or (3) Xb Xc and Xd are preferably oxygen atoms.
In the general formula (3 ″) , nb, nc, and nd represent 1 or 2.
In the general formula (3 ″) , R6, R7, R8, R9, and R10 represent a hydrogen atom.
In the general formula (3 ″) , M represents iridium or platinum , and n represents 1 or 2.

《一般式(1)で表される金属錯体》
本発明に好ましい態様である、前記一般式(1)で表される金属錯体について説明する。
<< Metal Complex Represented by General Formula (1) >>
The metal complex represented by the general formula (1), which is a preferred embodiment of the present invention, will be described.

一般式(1)において、A、B、Cは水素原子または置換基で表されるが、その少なくとも二つは前記一般式(2)で表され、互いに異なっていてもよい。A、B、Cで表される置換基としては特に制限はないが、好ましくはアルキル基(例えば、メチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基、2−ブテニル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロピニル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、2−ナフチル基、9−フェナンスリル基、2−ピリジル基、2−チエニル基、3−フリル基、メシチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基等)、ヘテロ環基(N−モルホリル基、2−テトラヒドロフラニル基等)、アミノ基(例えば、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、パーフルオロフェノキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、シアノ基、フッ化炭化水素基(例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シリル基(例えば、トリフェニルシリル基、トリメチルシリル基等)が挙げられる。この中で特に好ましいものは、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリール基である。最も好ましくは、アミノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基である。   In the general formula (1), A, B and C are represented by hydrogen atoms or substituents, but at least two of them are represented by the general formula (2) and may be different from each other. The substituent represented by A, B, or C is not particularly limited, but is preferably an alkyl group (for example, a methyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group), a cycloalkyl group (for example, a cyclohexyl group, a cyclopentyl group). , Cyclopropyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, 2-butenyl group, etc.), alkynyl group (eg, ethynyl group, propynyl group, etc.), aryl group (eg, phenyl group, 2-naphthyl group, etc.) 9-phenanthryl group, 2-pyridyl group, 2-thienyl group, 3-furyl group, mesityl group, carbazolyl group, fluorenyl group, etc.), heterocyclic group (N-morpholyl group, 2-tetrahydrofuranyl group, etc.), amino Group (eg, dimethylamino group, diphenylamino group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom) , Iodine atom, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, perfluorophenoxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, Propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), cyano group, fluorinated hydrocarbon group (eg, trifluoromethyl group, pentafluorophenyl group) Etc.) and silyl groups (for example, triphenylsilyl group, trimethylsilyl group, etc.). Of these, amino groups, alkoxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, and aryl groups are particularly preferred. Most preferably, they are an amino group, an alkoxy group, and an alkylthio group.

一般式(1)において、R、R、R、R、Rは水素原子または置換基を表す。R、R、R、R、Rで表される置換基としては、前記A、B、Cで表される置換基として説明したものと同義である。R、Rで表される置換基としては、電子吸引基(本発明では、σpが0を超える基を表す)でもよい。In the general formula (1), R 1, R 2, R 3, R 4, R 5 represents a hydrogen atom or a substituent. The substituents represented by R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , and R 5 have the same meanings as those described as the substituents represented by A, B, and C. The substituent represented by R 1 or R 2 may be an electron-withdrawing group (in the present invention, σp represents a group exceeding 0).

《ハメットのσp値》
本発明に係るハメットのσp値とは、ハメットの置換基定数σpを指す。ハメットのσpの値は、Hammett等によって安息香酸エチルの加水分解に及ぼす置換基の電子的効果から求められた置換基定数であり、『薬物の構造活性相関』(南江堂:1979年)、『Substituent Constants for Correlation Analysis in chemistry and biology』(C.Hansch and A.Leo,John Wiley&Sons,New York,1979年)等に記載の基を引用することが出来る。以下にσpが0.10以上の電子吸引基の例を示す。
《σpが0.10以上の電子吸引性基》
ここで、σpが0.10以上の電子吸引性基としては、例えば、−B(OH)(0.12)、臭素原子(0.23)、塩素原子(0.23)、沃素原子(0.18)、−CBr(−0.29))、−CCl(0.33)、−CF(0.54)、−CN(0.66)、−CHO(0.42)、−COOH(0.45)、CONH(0.36)、−CHSOCF(0.31)、−COCH(0.45)、3−バレニル基(0.19)、−CF(CF(0.53)、−CO(0.45)、−CFCFCFCF(0.52)、−C(0.41)、2−ベンゾオキサゾリル基(0.33)、2−ベンゾチアサゾリル基(0.29)、−C=O(C)(0.43)、−OCF(0.35)、−OSOCH(0.36)、−SO(NH)(0.57)、−SOCH(0.72)、−COCHCH(0.48)、−COCH(CH(0.47)、−COC(CH(0.32)等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
Hammett's σp value
The Hammett σp value according to the present invention refers to Hammett's substituent constant σp. Hammett's σp value is a substituent constant determined by Hammett et al. From the electronic effect of the substituent on the hydrolysis of ethyl benzoate. “Structure-activity relationship of drugs” (Nanedo: 1979), “Substituent” The groups described in “Constants for Correlation Analysis in Chemistry and Biology” (C. Hansch and A. Leo, John Wiley & Sons, New York, 1979) can be cited. Examples of electron withdrawing groups having σp of 0.10 or more are shown below.
<< Electron withdrawing group with σp of 0.10 or more >>
Here, as an electron withdrawing group having σp of 0.10 or more, for example, —B (OH) 2 (0.12), bromine atom (0.23), chlorine atom (0.23), iodine atom ( 0.18), - CBr 3 (-0.29 )), - CCl 3 (0.33), - CF 3 (0.54), - CN (0.66), - CHO (0.42), -COOH (0.45), CONH 2 ( 0.36), - CH 2 SO 2 CF 3 (0.31), - COCH 3 (0.45), 3- Bareniru group (0.19), - CF (CF 3 ) 2 (0.53), —CO 2 C 2 H 5 (0.45), —CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 (0.52), —C 6 F 5 (0.41), 2-benzoxazolyl group (0.33), 2-benzothiadiazolyl no doubt Lil group (0.29), - C = O (C 6 H 5) (0.43) , -OCF 3 (0.35), - OSO 2 CH 3 (0.36), - SO 2 (NH 2) (0.57), - SO 2 CH 3 (0.72), - COCH 2 CH 3 (0.48), —COCH (CH 3 ) 2 (0.47), —COC (CH 3 ) 3 (0.32) and the like can be mentioned, but the present invention is not limited thereto.

一般式(1)において、Mは元素周期表における第8族、第9族または第10族の元素を表す。第8族、第9族または第10族の元素としては、好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金であり、最も好ましくはイリジウム、白金である。In the general formula (1), M 1 represents an element of Group 8, Group 9, or Group 10 in the periodic table. The element of Group 8, 9 or 10 is preferably ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium or platinum, and most preferably iridium or platinum.

一般式(2)において、Raは置換基を表す。Raで表される置換基としては、前記A、B、Cで表される置換基として説明したものと同義である。この中で特に好ましいものは、アルキル基である。   In general formula (2), Ra represents a substituent. As a substituent represented by Ra, it is synonymous with what was demonstrated as a substituent represented by said A, B, and C. Of these, an alkyl group is particularly preferred.

一般式(1)において、Xaは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。naは1または2を表す。   In the general formula (1), Xa represents an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom. na represents 1 or 2.

一般式(1)において、A、B、Cの三つが一般式(2)で表される場合が最も好ましい。   In the general formula (1), it is most preferable that three of A, B, and C are represented by the general formula (2).

一般式(1)において、A、B、Cの二つが一般式(2)で表される場合、最も好ましくは一般式(2)が4位と6p位に置換される場合、好ましくは一般式(2)が4位と4p位に置換される場合である。   In the general formula (1), when two of A, B and C are represented by the general formula (2), most preferably, when the general formula (2) is substituted at the 4-position and the 6p-position, preferably the general formula This is a case where (2) is substituted at positions 4 and 4p.

《一般式(3)で表される金属錯体》
本発明に好ましい態様である、前記一般式(3)で表される金属錯体について説明する。
<< Metal Complex Represented by General Formula (3) >>
The metal complex represented by the general formula (3), which is a preferred embodiment of the present invention, will be described.

一般式(3)において、Rb、Rc、Rdは置換基を表し、Rb、Rc、Rdで表される置換基としては、前記一般式(1)のA、B、Cで表される置換基として説明したものと同義である。Rb、Rc、Rdの置換基としてはアルキル基であることが好ましい。   In the general formula (3), Rb, Rc and Rd represent substituents, and the substituents represented by Rb, Rc and Rd include the substituents represented by A, B and C in the general formula (1). It is synonymous with what was demonstrated as. The substituent for Rb, Rc and Rd is preferably an alkyl group.

一般式(3)において、Xb、Xc、Xdは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。Xb、Xc、Xdの原子の組み合わせとしては、(1)Xdが窒素原子で、Xb、Xcが酸素原子、(2)Xdが硫黄原子であり、Xb、Xcが酸素原子、または(3)Xb、Xc、Xdが酸素原子であることが好ましい。   In the general formula (3), Xb, Xc and Xd represent an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom. The combination of Xb, Xc, and Xd atoms includes (1) Xd is a nitrogen atom, Xb and Xc are oxygen atoms, (2) Xd is a sulfur atom, Xb and Xc are oxygen atoms, or (3) Xb Xc and Xd are preferably oxygen atoms.

一般式(3)において、nb、nc、ndは1または2を表す。   In the general formula (3), nb, nc, and nd represent 1 or 2.

一般式(3)において、R、R、R、R、R10は水素原子または置換基を表す。R、R、R、R、R10で表される置換基としては、前記一般式(1)のA、B、Cで表される置換基として説明したものと同義である。In General formula (3), R < 6 >, R < 7 >, R < 8 >, R <9> , R < 10 > represents a hydrogen atom or a substituent. The substituents represented by R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 have the same meanings as those described as the substituents represented by A, B and C in the general formula (1).

一般式(3)において、Mは元素周期表における第8族、第9族または第10族の元素を表す。第8族、第9族または第10族の元素としては、好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金であり、最も好ましくはイリジウム、白金である。In the general formula (3), M 2 represents an element of Group 8, 9 or 10 in the periodic table. The element of Group 8, 9 or 10 is preferably ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium or platinum, and most preferably iridium or platinum.

以下に、一般式(3′′)で表される金属錯体、一般式(1)、一般式(3)で表される金属錯体の具体的化合物例を挙げるが、本発明は、これらに限定されない。 Below, it is represented by the general formula (3 '') Rukin metal complex of the general formula (1), the specific compound examples of the metal complex represented by the general formula (3), the present invention is, these It is not limited.



これらの化合物は、例えば、Organic Leter,vol13,No.16,p2579〜2581(2001)、Inorganic Chemistry,vol30,No.8,p1685〜1687(1991)、J.Am.Chem.Soc.,vol123,p4304(2001)、Inorganic Chemistry,vol41,No.12,p13056〜3066(2002)、New Jounal of Chemistry,vol26,p1171(2002)、国際公開第04/045001号パンフレット、Journal of the Organic Chemistry,第67巻、第1号、238から241ページ(2002年)さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。   These compounds are disclosed in, for example, Organic Letter, vol13, No. 16, p2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, vol. 8, p 1685-1687 (1991), J. MoI. Am. Chem. Soc. , Vol123, p4304 (2001), Inorganic Chemistry, vol41, No. 12, p13056-3066 (2002), New Journal of Chemistry, vol26, p1171 (2002), International Publication No. 04/045001 pamphlet, Journal of the Organic Chemistry, Vol. 67, No. 1, pages 238-241 (2002) Furthermore, it can be synthesized by applying methods such as references described in these documents.

本発明において、上記有機EL素子材料を含有する有機EL素子とは、有機EL素子材料が有機EL素子を構成するいずれかの有機層を形成するか、または有機層に含有された有機EL素子を表す。有機EL素子材料は、好ましくは発光層または正孔阻止層に含有される。   In the present invention, the organic EL element containing the organic EL element material means that an organic EL element material forms any organic layer constituting the organic EL element or an organic EL element contained in the organic layer. To express. The organic EL element material is preferably contained in the light emitting layer or the hole blocking layer.

(発光ドーパント)
次に発光ドーパント(単にドーパントともいう)と発光ホスト(単にホストともいう)について説明する。
有機EL素子を構成する層において、その層が2種以上の有機化合物で構成されるとき、主成分をホスト、その他の成分をドーパントといい、本発明に係る、一般式(3′′)で表される金属錯体は、発光ドーパントとして用いられる。
(Luminescent dopant)
Next, a light-emitting dopant (also simply referred to as a dopant) and a light-emitting host (also simply referred to as a host) will be described.
In a layer constituting an organic EL element, when the layer is composed of two or more organic compounds, the main component is called a host, and the other components are called dopants, and the general formula (3 ″) according to the present invention is used. represented Rukin metal complex is used as a light emitting dopant.

その場合、主成分であるホスト化合物に対するドーパントの混合比は、好ましくは0.1〜30質量%未満である。   In that case, the mixing ratio of the dopant to the host compound as the main component is preferably less than 0.1 to 30% by mass.

ただし、発光ドーパントは複数種の化合物を混合して用いてもよく、混合する相手は構造を異にする第8族、第9族または第10族金属錯体でも、その他のリン光性ドーパントでも、蛍光性ドーパントでもよい。   However, the light emitting dopant may be used by mixing a plurality of types of compounds, and the mixing partner may be a Group 8, 9 or 10 metal complex having a different structure, or other phosphorescent dopant, It may be a fluorescent dopant.

これら本発明の化合物と併用してもよいドーパントについて述べる。   The dopant that may be used in combination with the compounds of the present invention will be described.

発光ドーパントは、大きく分けて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光するリン光性ドーパントの2種類がある。   The light-emitting dopant is roughly classified into two types: a fluorescent dopant that emits fluorescence and a phosphorescent dopant that emits phosphorescence.

前者(蛍光性ドーパント)の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体、その他公知の蛍光性化合物等が挙げられる。   Typical examples of the former (fluorescent dopant) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, Examples include perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, rare earth complex phosphors, and other known fluorescent compounds.

後者(リン光性ドーパント)の代表例としては、好ましくは元素周期表で第8族、第9族または第10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、パラジウム化合物または白金化合物(白金錯体系化合物)であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   A typical example of the latter (phosphorescent dopant) is preferably a complex compound containing a Group 8, 9 or 10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound or an osmium compound. Palladium compounds or platinum compounds (platinum complex compounds), and most preferred are iridium compounds.

具体的には以下の特許公報に記載されている化合物である。
WO00/70655号、特開2002−280178号、同2001−181616号、同2002−280179号、同2001−181617号、同2002−280180号、同2001−247859号、同2002−299060号、同2001−313178号、同2002−302671号、同2001−345183号、同2002−324679、WO02/15645号、同2002−332291号、同2002−50484号、同2002−332292号、同2002−83684、特表2002−540572号、同2002−117978号、同2002−338588号、同2002−170684号、同2002−352960号、同WO01/93642号、同2002−50483号、同2002−100476号、同2002−173674号、同2002−359082号、同2002−175884号、同2002−363552号、同2002−184582号、同2003−7469号、特表2002−525808号、特開2003−7471号、特表2002−525833号、特開2003−31366号、同2002−226495号、同2002−234894号、同2002−235076号、同2002−241751号、同2001−319779号、同2001−319780号、同2002−62824号、同2002−100474号、同2002−203679号、同2002−343572号、同2002−203678等。
Specifically, it is a compound described in the following patent publications.
WO00 / 70655, JP 2002-280178, 2001-181616, 2002-280179, 2001-181617, 2002-280180, 2001-247859, 2002-299060, 2001 No. 313178, No. 2002-302671, No. 2001-345183, No. 2002-324679, WO02 / 15645, No. 2002-332291, No. 2002-50484, No. 2002-332292, No. 2002-83684, Special Table 2002-540572, 2002-117978, 2002-338588, 2002-170684, 2002-352960, WO01 / 93642, 2002-50483, 2002 No. 100476, No. 2002-173684, No. 2002-359082, No. 2002-175848, No. 2002-363552, No. 2002-184582, No. 2003-7469, No. 2002-525808, JP-A No. 2003 7471, Japanese translations of PCT publication No. 2002-525833, JP-A-2003-31366, 2002-226495, 2002-234894, 2002-2335076, 2002-241751, 2001-319779, 2001- 319780, 2002-62824, 2002-100474, 2002-203679, 2002-343572, 2002-203678, and the like.

その具体例の一部を下記に示す。
Some examples are shown below.

(発光ホスト)
発光ホスト(単にホストともいう)とは、2種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比(質量)の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については「ドーパント化合物(単に、ドーパントともいう)」という。例えば、発光層を化合物A、化合物Bという2種で構成し、その混合比がA:B=10:90であれば化合物Aがドーパント化合物であり、化合物Bがホスト化合物である。さらに、発光層を化合物A、化合物B、化合物Cの3種から構成し、その混合比がA:B:C=5:10:85であれば、化合物A、化合物Bがドーパント化合物であり、化合物Cがホスト化合物である。
(Light emitting host)
A light-emitting host (also simply referred to as a host) means a compound having the largest mixing ratio (mass) in a light-emitting layer composed of two or more compounds. For other compounds, “dopant compound ( Simply referred to as a dopant). " For example, if the light emitting layer is composed of two types of compound A and compound B and the mixing ratio is A: B = 10: 90, compound A is a dopant compound and compound B is a host compound. Furthermore, if a light emitting layer is comprised from 3 types of compound A, compound B, and compound C, and the mixing ratio is A: B: C = 5: 10: 85, compound A and compound B are dopant compounds, Compound C is a host compound.

本発明に用いられる発光ホストとしては、併用される発光ドーパントのリン光0−0バンドよりも短波長なそれをもつ化合物が好ましく、発光ドーパントにそのリン光0−0バンドが480nm以下である青色の発光成分を含む化合物を用いる場合には、発光ホストとしてはリン光0−0バンドが450nm以下であることが好ましい。   The light emitting host used in the present invention is preferably a compound having a wavelength shorter than the phosphorescence 0-0 band of the light emitting dopant used together, and the light emitting dopant has a blue light whose phosphorescence 0-0 band is 480 nm or less. In the case of using a compound containing the above light emitting component, the phosphorescent 0-0 band is preferably 450 nm or less as the light emitting host.

本発明に用いられる発光ホストとしては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有し、かつ前記0−0バンドが450nm以下の化合物が好ましい化合物として挙げられる。   The light-emitting host used in the present invention is not particularly limited in terms of structure, but is typically a carbazole derivative, a triarylamine derivative, an aromatic borane derivative, a nitrogen-containing heterocyclic compound, a thiophene derivative, a furan derivative, an oligo A preferable compound is a compound having a basic skeleton such as an arylene compound and having the 0-0 band of 450 nm or less.

また、本発明に用いられる発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよい。   The light emitting host used in the present invention may be a low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). .

発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。   As the light-emitting host, a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability, preventing emission light from being increased in wavelength, and having a high Tg (glass transition temperature) is preferable.

発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が好適である。
特開2001−257076号、同2002−308855号、同2001−313179号、同2002−319491号、同2001−357977号、同2002−334786号、同2002−8860号、同2002−334787号、同2002−15871号、同2002−334788号、同2002−43056号、同2002−334789号、同2002−75645号、同2002−338579号、同2002−105445号、同2002−343568号、同2002−141173号、同2002−352957号、同2002−203683号、同2002−363227号、同2002−231453号、同2003−3165号、同2002−234888号、同2003−27048号、同2002−255934号、同2002−260861号、同2002−280183号、同2002−299060号、同2002−302516号、同2002−305083号、同2002−305084号、同2002−308837号等。
As specific examples of the light-emitting host, compounds described in the following documents are suitable.
JP-A Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445, 2002-343568, 2002 No. 141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453, No. 2003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 200 No. -255 934, the same 2002-260861 JP, same 2002-280183 JP, same 2002-299060 JP, same 2002-302516 JP, same 2002-305083 JP, same 2002-305084 JP, same 2002-308837 Patent, and the like.

本発明のホスト化合物として好ましいものの具体例を挙げる。
Specific examples of preferred host compounds of the present invention will be given.

次に、代表的な有機EL素子の構成について述べる。   Next, a configuration of a typical organic EL element will be described.

《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。
<< Constituent layers of organic EL elements >>
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described.

本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode << Anode >>
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such an electrode substance include conductive transparent materials such as metals such as Au, CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, a thin film may be formed by depositing these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not required (100 μm or more) Degree), a pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance is greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.

《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1000nm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
"cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, such as a magnesium / silver mixture, magnesium, from the viewpoint of electron injectability and durability against oxidation, etc. / Aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.

次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、正孔輸送層、電子輸送層等について説明する。   Next, an injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, etc. used as a constituent layer of the organic EL element of the present invention will be described.

《注入層》:電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
<< Injection layer >>: Electron injection layer, hole injection layer The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and You may exist between a cathode, a light emitting layer, or an electron carrying layer.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。   An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to lower drive voltage or improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued on November 30, 1998 by NTS Corporation) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. .

上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1nm〜100nmの範囲が好ましい。   The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and although it depends on the material, the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 100 nm.

阻止層は、上記のごとく、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば特開平11−204258号、同11−204359号、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。   As described above, the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film. For example, JP-A-11-204258, JP-A-11-204359, and “Organic EL devices and their forefront of industrialization” (issued on November 30, 1998 by NTS, Inc.), page 237, etc. There is a hole blocking layer.

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。   The hole blocking layer is an electron transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting electrons and has a very small ability to transport holes. By blocking holes while transporting electrons, And the recombination probability of holes can be improved.

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。   On the other hand, the electron blocking layer is a hole transport layer in a broad sense, made of a material that has a function of transporting holes and has a very small ability to transport electrons, and blocks electrons while transporting holes. Thus, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.

正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。   The hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.

この注入層は、上記材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この注入層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。   This injection layer can be formed by thinning the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an injection | pouring layer, Usually, it is about 5-5000 nm. This injection layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

《発光層》
本発明においては、前記本発明のVIII族金属錯体を発光ドーパントに用いることが好ましいが、これら以外にも公知の発光ホストや発光ドーパントを併用してもよい。
<Light emitting layer>
In the present invention, the group VIII metal complex of the present invention is preferably used as a light emitting dopant, but other known light emitting hosts and light emitting dopants may be used in combination.

併用してもよい公知の発光ホストとしては、後述の電子輸送材料及び正孔輸送材料もその好ましい一例として挙げられ、青色または白色の発光素子、表示装置及び照明装置に適用する場合には、蛍光極大波長が415nm以下であることが好ましく、リン光の0−0バンドが450nm以下であることがさらに好ましい。   Examples of known light-emitting hosts that may be used in combination include an electron transport material and a hole transport material, which will be described later, as a preferred example. When applied to blue or white light-emitting elements, display devices, and illumination devices, fluorescent materials are used. The maximum wavelength is preferably 415 nm or less, and the 0-0 band of phosphorescence is more preferably 450 nm or less.

この発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。この発光層は、これらの発光材料一種または二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。   The light emitting layer can be formed by forming the above compound by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. Although the film thickness as a light emitting layer does not have a restriction | limiting in particular, Usually, it selects in the range of 5 nm-5 micrometers. This light emitting layer may have a single layer structure composed of one or two or more of these light emitting materials, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

また、この発光層は、特開昭57−51781号公報に記載されているように、樹脂等の結着材と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法等により薄膜化して形成することができる。このようにして形成された発光層の膜厚については、前記の通り通常は5nm〜5μmの範囲である。   Further, as described in JP-A-57-51781, this light emitting layer is prepared by dissolving the above light emitting material in a solvent together with a binder such as a resin, and then using a spin coat method or the like. It can be formed as a thin film. The film thickness of the light emitting layer thus formed is usually in the range of 5 nm to 5 μm as described above.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。   The hole transport material is not particularly limited, and is conventionally used as a hole charge injection / transport material in an optical transmission material or a well-known material used for a hole injection layer or a hole transport layer of an EL element. Any one can be selected and used.

正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbenes Derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers, and the like can be given.

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。   As the hole transport material, those described above can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and two more described in US Pat. No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring of, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、本発明においては正孔輸送層の正孔輸送材料は、青色または白色の発光素子、表示装置及び照明装置に適用する場合には、415nm以下に蛍光極大波長を有することが好ましく、リン光の0−0バンドが450nm以下であることがさらに好ましい。   In the present invention, the hole transport material of the hole transport layer preferably has a fluorescence maximum wavelength of 415 nm or less when applied to a blue or white light emitting element, a display device, and a lighting device. More preferably, the 0-0 band is 450 nm or less.

正孔輸送材料は、高Tgである化合物が好ましい。   The hole transport material is preferably a compound having a high Tg.

この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, it is about 5-5000 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

本発明においては、前記本発明のVIII族金属錯体を正孔阻止層に用いることが好ましいが、これら以外にも公知の電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)を併用してもよい。   In the present invention, the group VIII metal complex of the present invention is preferably used for the hole blocking layer, but other than these, a known electron transporting material (also serving as a hole blocking material) may be used in combination.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、下記の材料が知られている。   Conventionally, in the case of a single-layer electron transport layer and a plurality of layers, the following materials are used as the electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for the electron transport layer adjacent to the cathode side with respect to the light emitting layer. Are known.

さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。   Further, the electron transport layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and any material can be selected from conventionally known compounds. .

この電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。   Examples of materials used for this electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport materials) include heterocyclic tetracarboxylic acid anhydrides such as nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, naphthalene perylene, carbodiimides, Examples include fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum. Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and similarly to the hole injection layer and the hole transport layer, inorganic such as n-type-Si and n-type-SiC can be used. A semiconductor can also be used as an electron transport material.

電子輸送層に用いられる好ましい化合物は、青色または白色の発光素子、表示装置及び照明装置に適用する場合には、蛍光極大波長が415nm以下であることが好ましく、リン光の0−0バンドが450nm以下であることがさらに好ましい。   The preferred compound used for the electron transport layer is preferably a fluorescent maximum wavelength of 415 nm or less and a phosphorescence 0-0 band of 450 nm when applied to a blue or white light emitting element, a display device and a lighting device. More preferably, it is as follows.

電子輸送層に用いられる化合物は、高Tgである化合物が好ましい。   The compound used for the electron transport layer is preferably a compound having a high Tg.

この電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この電子輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, it is about 5-5000 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

《基体(基板、基材、支持体等ともいう)》
本発明の有機EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
<< Substrate (also referred to as substrate, substrate, support, etc.) >>
The substrate of the organic EL device of the present invention is not particularly limited to the type of glass, plastic, etc., and is not particularly limited as long as it is transparent. Examples of substrates that are preferably used include glass, quartz, A light transmissive resin film can be mentioned. A particularly preferable substrate is a resin film that can give flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、特に限定はなく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン類、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルまたはポリアリレート類、アートン(商品名:JSR(株)製)またはアペル(商品名:三井化学(株)製)といったノルボルネン系(またはシクロオレフィン系)樹脂、有機無機ハイブリッド樹脂等を挙げることができる。有機無機ハイブリッド樹脂としては、有機樹脂とゾルゲル反応によって得られる無機高分子(例えばシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア等)を組み合わせて得られるものが挙げられる。   The resin film is not particularly limited, and specifically, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate, and cellulose. Cellulose esters such as acetate phthalate and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyetherketone, polyimide, polyethersulfone , Polysulfones, Polyetherketoneimide, Polyamide, Fluororesin, Nai , Polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylates, norbornene (or cycloolefin) resins such as Arton (trade name: manufactured by JSR) or Apel (trade name: manufactured by Mitsui Chemicals), organic-inorganic hybrid Examples thereof include resins. Examples of the organic-inorganic hybrid resin include those obtained by combining an organic resin and an inorganic polymer (for example, silica, alumina, titania, zirconia, etc.) obtained by a sol-gel reaction.

樹脂フィルムの表面には無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよい。   An inorganic or organic film or a hybrid film of both may be formed on the surface of the resin film.

被膜の具体例としてはゾル−ゲル法により形成されたシリカ層、ポリマーの塗布等により形成された有機層(例えば重合性基を有する有機材料膜に紫外線照射や加熱等の手段で後処理を施した膜を含む)、DLC膜、金属酸化物膜または金属窒化物膜等が挙げられる。金属酸化物膜、金属窒化物膜を構成する金属酸化物、金属窒化物としては、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム等の金属酸化物、窒化珪素等の金属窒化物、酸窒化珪素、酸窒化チタン等の金属酸窒化物が挙げられる。   Specific examples of the coating include a silica layer formed by a sol-gel method, an organic layer formed by application of a polymer, etc. (for example, an organic material film having a polymerizable group is subjected to post-treatment by means such as ultraviolet irradiation or heating). A DLC film, a metal oxide film, a metal nitride film, or the like. Metal oxide film, metal oxide constituting the metal nitride film, and metal nitride include metal oxides such as silicon oxide, titanium oxide, and aluminum oxide, metal nitrides such as silicon nitride, silicon oxynitride, and oxynitride Examples thereof include metal oxynitrides such as titanium.

前記、表面に無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成された樹脂フィルムの水蒸気透過率は、0.01g/m・day・atm以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。The water vapor permeability of the resin film having an inorganic or organic coating or a hybrid coating of both on the surface is preferably a high barrier film of 0.01 g / m 2 · day · atm or less.

本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は1%以上であることが好ましく、より好ましくは2%以上である。ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。   The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 2% or more. Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用してもよい。   Further, a hue improving filter such as a color filter may be used in combination.

照明用途で用いる場合には、発光ムラを低減させるために粗面加工したフィルム(アンチグレアフィルム等)を併用することもできる。   When used in lighting applications, a film (such as an antiglare film) that has been roughened to reduce unevenness in light emission can be used in combination.

表示装置として用いる場合は少なくとも2種類の異なる発光極大波長を有する有機EL素子からなるが、有機EL素子を作製する好適な例を説明する。   When used as a display device, it is composed of at least two types of organic EL elements having different light emission maximum wavelengths. A suitable example for producing an organic EL element will be described.

《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
<< Method for producing organic EL element >>
As an example of the method for producing the organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described.

まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。   First, a thin film made of a desired electrode material, for example, an anode material is formed on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm, thereby producing an anode. To do. Next, an organic compound thin film of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole blocking layer, which are element materials, is formed thereon.

この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10−6Pa〜10−2Pa、蒸着速度0.01nm〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚0.1nm〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。As described above, there are spin coating methods, casting methods, ink jet methods, vapor deposition methods, printing methods, and the like as methods for thinning the organic compound thin films, but it is easy to obtain a uniform film and pinholes are not easily generated. In view of the above, the vacuum deposition method or the spin coating method is particularly preferable. Further, different film forming methods may be applied for each layer. When a vapor deposition method is employed for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C., a vacuum degree of 10 −6 Pa to 10 −2 Pa, a vapor deposition rate of 0. It is desirable to select appropriately within the range of 01 nm to 50 nm / second, substrate temperature of −50 ° C. to 300 ° C., and film thickness of 0.1 nm to 5 μm.

これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   After forming these layers, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 nm to 200 nm, and a cathode is provided. Thus, a desired organic EL element can be obtained. The organic EL element is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

本発明の表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。   In the display device of the present invention, a shadow mask is provided only when a light emitting layer is formed, and a film can be formed on one surface by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, or the like.

発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。   When patterning is performed only on the light-emitting layer, the method is not limited, but a vapor deposition method, an inkjet method, and a printing method are preferable. In the case of using a vapor deposition method, patterning using a shadow mask is preferable.

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。   In addition, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order.

このようにして得られた表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。   When a DC voltage is applied to the display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Further, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

本発明の表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。   The display device of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. In a display device or a display, full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission.

表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス(パッシブマトリックス)方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。   Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in an automobile. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images, and the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.

発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等の照明装置が挙げられるがこれに限定するものではない。   Light emitting sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. Although a lighting apparatus is mentioned, it is not limited to this.

また、本発明に係る有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよい。   Further, the organic EL element according to the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure.

このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。   Examples of the purpose of use of the organic EL element having such a resonator structure include a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processor, and a light source of an optical sensor. Not. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.

《表示装置》
本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
<Display device>
The organic EL device of the present invention may be used as a kind of lamp such as an illumination or exposure light source, a projection device that projects an image, or a display device that directly recognizes a still image or a moving image. (Display) may be used. When used as a display device for reproducing moving images, the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.

(発明の実施の態様)
本発明の有機EL素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて以下に説明する。
(Aspect of the Invention)
An example of a display device composed of the organic EL element of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.

ディスプレイ1は、複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。   The display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.

制御部Bは、表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。   The control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of the plurality of pixels based on image information from the outside. The pixels for each scanning line are converted into image data signals by the scanning signal. In response to this, light is sequentially emitted and image scanning is performed to display image information on the display unit A.

図2は、表示部Aの模式図である。   FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.

表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。   The display unit A includes a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3 and the like on a substrate. The main members of the display unit A will be described below.

図においては、画素3の発光した光が、白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。   In the figure, the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).

配線部の走査線5及び複数のデータ線6は、それぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。   The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a lattice shape and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are shown in FIG. Not shown).

画素3は、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。   When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data. Full color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region that emit light on the same substrate.

次に、画素の発光プロセスを説明する。   Next, the light emission process of the pixel will be described.

図3は、画素の模式図である。   FIG. 3 is a schematic diagram of a pixel.

画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。   The pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like. A full color display can be performed by using red, green, and blue light emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels, and juxtaposing them on the same substrate.

図3において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。   In FIG. 3, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 through the data line 6. When a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5, the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is supplied to the capacitor 13 and the driving transistor 12. Is transmitted to the gate.

画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。   By transmitting the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive of the drive transistor 12 is turned on. The drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the power supply line 7 connects to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.

制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。   When the scanning signal is moved to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 maintains the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. Until then, the light emission of the organic EL element 10 continues. When the scanning signal is next applied by sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.

すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。   That is, the organic EL element 10 emits light by the switching transistor 11 and the drive transistor 12 that are active elements for the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels, and the light emission of the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3. It is carried out. Such a light emitting method is called an active matrix method.

ここで、有機EL素子10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。   Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or on / off of a predetermined light emission amount by a binary image data signal. But you can.

また、コンデンサ13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。   The potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.

本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。   In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.

図4は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図4において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。   FIG. 4 is a schematic view of a passive matrix display device. In FIG. 4, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.

順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。   When the scanning signal of the scanning line 5 is applied by sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.

パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。   In the passive matrix system, the pixel 3 has no active element, and the manufacturing cost can be reduced.

本発明に係わる有機EL材料は、また、照明装置として実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでもよい。   The organic EL material according to the present invention can also be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device. A plurality of light emitting colors are simultaneously emitted by a plurality of light emitting materials to obtain white light emission by color mixing. The combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of the three primary colors of blue, green, and blue, or two using the relationship of complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange, etc. The thing containing the light emission maximum wavelength may be used.

また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係わる白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。発光層もしくは正孔輸送層或いは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分けるなど単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。   In addition, a combination of light emitting materials for obtaining a plurality of light emission colors is a combination of a plurality of phosphorescent or fluorescent light emitting materials, a light emitting material that emits fluorescent light or phosphorescent light, and light from the light emitting material as excitation light. Any of those in combination with a dye material that emits light as described above may be used, but in the white organic EL device according to the present invention, it is only necessary to mix and mix a plurality of light emitting dopants. It is only necessary to provide a mask only when forming a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, or the like, and simply arrange them separately by the mask. Since other layers are common, patterning of the mask or the like is not necessary. In addition, for example, an electrode film can be formed by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, or the like, and productivity is also improved. According to this method, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array, the elements themselves are luminescent white.

発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば液晶表示素子におけるバックライトであれば、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係わる白金錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。   The light emitting material used for the light emitting layer is not particularly limited. For example, in the case of a backlight in a liquid crystal display element, the platinum complex according to the present invention is known so as to be suitable for the wavelength range corresponding to the CF (color filter) characteristics. Any one of the light emitting materials may be selected and combined to be whitened.

このように、本発明の白色発光有機EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレーに加えて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また露光光源のような一種のランプとして、また液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用に用いられる。   As described above, the white light-emitting organic EL device of the present invention can be used as a light-emitting light source and a lighting device in addition to the display device and the display, as a kind of lamp such as home lighting, interior lighting, and exposure light source. It is also useful for display devices such as backlights for liquid crystal display devices.

その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。   Others such as backlights for watches, signboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. There are a wide range of uses such as household appliances.

実施例1
《有機EL素子OLED1−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 1
<< Production of Organic EL Element OLED1-1 >>
After patterning on a substrate (made by NH Techno Glass Co., Ltd .: NA-45) having a 150 nm ITO film formed on glass as an anode, the transparent support substrate provided with this ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with iso-propyl alcohol. Then, it was dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaning was performed for 5 minutes.

この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、CBP、Ir−12、BCP、Alqをそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。
The transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, while α-NPD, CBP, Ir-12, BCP, and Alq 3 are placed in five tantalum resistance heating boats, respectively. It was attached to the (first vacuum chamber).

さらに、タンタル製抵抗加熱ボートにフッ化リチウムを、タングステン製抵抗加熱ボートにアルミニウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。   Further, lithium fluoride was placed in a resistance heating boat made of tantalum, and aluminum was placed in a resistance heating boat made of tungsten, and attached to the second vacuum tank of the vacuum evaporation apparatus.

まず、第1の真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒で透明支持基板に膜厚25nmの厚さになるように蒸着し、正孔注入/輸送層を設けた。First, after reducing the pressure of the first vacuum tank to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing α-NPD was energized and heated, and the transparent support substrate was deposited at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec. The film was deposited to a thickness of 25 nm to provide a hole injection / transport layer.

さらに、CBPの入った前記加熱ボートとIr−12の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるCBPと発光ドーパントであるIr−10の蒸着速度が100:7になるように調節し膜厚30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。   Further, the heating boat containing CBP and the boat containing Ir-12 are energized independently to adjust the deposition rate of CBP as a light emitting host and Ir-10 as a light emitting dopant to 100: 7. A light emitting layer was provided by vapor deposition so as to have a thickness of 30 nm.

ついで、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒で厚さ10nmの正孔阻止層を設けた。さらに、Alqの入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒で膜厚40nmの電子輸送層を設けた。Subsequently, the heating boat containing BCP was energized and heated to provide a hole blocking layer having a thickness of 10 nm at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / second. Further, the heating boat containing Alq 3 was energized and heated to provide an electron transport layer having a film thickness of 40 nm at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / second.

次に、前記の如く電子輸送層まで製膜した素子を真空のまま第2真空槽に移した後、電子輸送層の上にステンレス鋼製の長方形穴あきマスクが配置されるように装置外部からリモートコントロールして設置した。   Next, after the element formed up to the electron transport layer as described above is transferred to the second vacuum chamber in a vacuum state, a stainless steel rectangular perforated mask is disposed on the electron transport layer from the outside of the apparatus. Installed with remote control.

第2真空槽を2×10−4Paまで減圧した後、フッ化リチウム入りのボートに通電して蒸着速度0.01〜0.02nm/秒で膜厚0.5nmの陰極バッファー層を設け、次いでアルミニウムの入ったボートに通電して蒸着速度1〜2nm/秒で膜厚150nmの陰極をつけた。さらにこの有機EL素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスで置換したグローブボックス)へ移し、図5に示したような内部を窒素で置換した封止構造にして、有機EL素子OLED1−1を作製した。なお、捕水剤である酸化バリウム105は、アルドリッチ社製の高純度酸化バリウム粉末を、粘着剤付きのフッ素樹脂系半透過膜(ミクロテックス S−NTF8031Q 日東電工製)でガラス製封止缶104に貼り付けたものを予め準備して使用した。封止缶と有機EL素子の接着には紫外線硬化型接着剤107を用い、紫外線ランプを照射することで両者を接着し封止素子を作製した。図5において101は透明電極を設けたガラス基板、102が前記正孔注入/輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等からなる有機EL層、103は陰極を示す。After depressurizing the second vacuum tank to 2 × 10 −4 Pa, a cathode buffer layer having a film thickness of 0.5 nm was provided at a deposition rate of 0.01 to 0.02 nm / second by energizing a boat containing lithium fluoride. Next, a boat containing aluminum was energized, and a cathode having a film thickness of 150 nm was attached at a deposition rate of 1 to 2 nm / second. Further, the organic EL element was transferred to a glove box under nitrogen atmosphere (a glove box substituted with high-purity nitrogen gas with a purity of 99.999% or more) without being brought into contact with the atmosphere, and the interior as shown in FIG. An organic EL element OLED1-1 was produced with a substituted sealing structure. In addition, barium oxide 105 which is a water trapping agent is a glass-sealed can 104 made of high-purity barium oxide powder manufactured by Aldrich with a fluororesin-based semipermeable membrane (Microtex S-NTF8031Q made by Nitto Denko) with an adhesive. The material pasted on was prepared and used in advance. An ultraviolet curable adhesive 107 was used for bonding the sealing can and the organic EL element, and both were bonded to each other by irradiation with an ultraviolet lamp to produce a sealing element. In FIG. 5, 101 is a glass substrate provided with a transparent electrode, 102 is an organic EL layer composed of the hole injection / transport layer, light emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, and the like, and 103 is a cathode.

《有機EL素子OLED1−2〜1−41の作製》
上記の有機EL素子OLED1−1の作製において、表1に記載のように、発光ドーパントを変更した以外は同様にして、有機EL素子OLED1−2〜1−41を作製した。
(OLED1−42、43の作製方法)
OLED1−1の作製において、発光ホストをCBPからAZ1に変更し、発光ドーパントを本発明の金属錯体(表中に化合物Noで示した)を使用した以外は、OLED1−1と同様にして、有機EL素子1−42、43を作製した。
(OLED1−44〜1−47の作製方法)
OLED1−1の作製において、発光ホストをCBPからCDBPに変更し、発光ドーパントを本発明の金属錯体(表中に化合物Noで示した)を使用した以外は、OLED1−1と同様にして、有機EL素子1−44から47を作製した。
<< Production of Organic EL Elements OLED1-2 to 1-41 >>
In preparation of said organic EL element OLED1-1, as described in Table 1, except having changed the light emission dopant, organic EL element OLED1-2 to 1-41 was produced similarly.
(Manufacturing method of OLED1-42, 43)
In the production of OLED1-1, the organic light-emitting host was changed from CBP to AZ1, and the light-emitting dopant was used in the same manner as in OLED1-1 except that the metal complex of the present invention (shown as compound No. in the table) was used. EL elements 1-42 and 43 were produced.
(Method for producing OLED1-44 to 1-47)
In the production of OLED1-1, the organic light-emitting host was changed from CBP to CDBP, and the organic dopant was used in the same manner as in OLED1-1 except that the metal complex of the present invention (shown as compound No. in the table) was used. EL elements 1-44 to 47 were produced.

得られた有機EL素子OLED1−1〜1−47について下記のような評価を行った。   The following evaluation was performed about obtained organic EL element OLED1-1 to 1-47.

《外部取り出し量子効率》
有機EL素子OLED1−1〜1−47を室温(約23〜25℃)、2.5mA/cmの定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m]を測定することにより、外部取り出し量子効率(η)を算出した。ここで、発光輝度の測定は、CS−1000(ミノルタ製)を用いた。
<< External quantum efficiency >>
The organic EL elements OLED1-1 to 1-47 are turned on at room temperature (about 23 to 25 ° C.) under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 , and light emission luminance (L) [cd / m 2 immediately after the start of lighting] The external extraction quantum efficiency (η) was calculated. Here, CS-1000 (manufactured by Minolta) was used for measurement of light emission luminance.

また、外部取り出し量子効率は、有機EL素子OLED1−1を100とした時の相対値で表した。   The external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value when the organic EL element OLED1-1 was set to 100.

《発光寿命》
有機EL素子OLED1−1〜1−47を室温下、2.5mA/cmの定電流条件下による連続点灯を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。また、発光寿命は、有機EL素子OLED1−1を100とした時の相対値で表した。
<Luminescent life>
The organic EL elements OLED1-1 to 1-47 are continuously lit under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature, and the time (τ 1/2 ) required to obtain half the initial luminance is obtained. It was measured. Moreover, the light emission lifetime was represented by the relative value when the organic EL element OLED1-1 was set to 100.

《色度差》
有機EL素子OLED1−1〜1−47を室温(約23〜25℃)、2.5mA/cmの定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の素子の発光色のCIE色度((x,y)=(a,b))を測定し、NTSC(modern)の青((x,y)=(0.155,0.07))との差をΔとして算出した。CIE色度の測定は、CS−1000(ミノルタ製)を用いた。Δは、以下の式に従って求めた。
《Chromaticity difference》
The organic EL elements OLED1-1 to 1-47 are turned on at room temperature (about 23 to 25 ° C.) under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 , and the CIE chromaticity (( x, y) = (a, b)) was measured, and the difference between NTSC (modern) and blue ((x, y) = (0.155, 0.07)) was calculated as Δ. CIE chromaticity was measured using CS-1000 (Minolta). Δ was determined according to the following equation.

Δ=((0.155−a)+(0.07−b)1/2
また、外部取り出し量子効率は、有機EL素子OLED1−1を100とした時の相対値で表した。
Δ = ((0.155−a) 2 + (0.07−b) 2 ) 1/2
The external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value when the organic EL element OLED1-1 was set to 100.

得られた結果を表1に示す。   The obtained results are shown in Table 1.

表1から、本発明に係る金属錯体を用いて作製した有機EL素子は比較有機EL素子に比べ、高い発光効率と、発光寿命の長寿命化が達成できることが明らかである。また、色純度も従来の素子に比べて向上していることが分かった。   From Table 1, it is clear that the organic EL device produced using the metal complex according to the present invention can achieve higher luminous efficiency and longer emission lifetime than the comparative organic EL device. Moreover, it turned out that color purity is also improved compared with the conventional element.

実施例2
《有機EL素子OLED2−1〜2−22の作製》
実施例1の有機EL素子OLED1−1の作製において、発光ドーパントをIr−12からIr−1に変更し、正孔阻止材料を表2に記載のように変更した以外は同様にして、有機EL素子OLED2−1〜2−22を作製した。
Example 2
<< Production of Organic EL Elements OLED2-1 to 2-22 >>
In the production of the organic EL element OLED1-1 of Example 1, the organic EL element was similarly changed except that the emission dopant was changed from Ir-12 to Ir-1 and the hole blocking material was changed as shown in Table 2. Elements OLED2-1 to 2-22 were produced.

得られた有機EL素子OLED2−1〜2−22について、外部取り出し量子効率、発光寿命の測定を実施例1に記載の方法を用いて行った。評価は、有機EL素子OLED2−1の値を100としたときの有機EL素子各試料の各々の相対値で表した。得られた結果を表2に示す。   The obtained organic EL elements OLED2-1 to 2-22 were measured for the external extraction quantum efficiency and the light emission lifetime using the method described in Example 1. Evaluation was represented by the relative value of each sample of the organic EL element when the value of the organic EL element OLED2-1 was 100. The obtained results are shown in Table 2.

表2より、比較の有機EL素子に比べて、本発明の有機EL素子は高い発光効率と、発光寿命が得られることが分かった。なお、本発明の有機EL素子の発光色は全て緑色だった。   From Table 2, it was found that the organic EL device of the present invention has higher light emission efficiency and light emission lifetime than the comparative organic EL device. The emission color of the organic EL element of the present invention was all green.

実施例3
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光素子の作製)
実施例1の有機EL素子OLED1−11を青色発光素子として用いた。
Example 3
<Production of full-color display device>
(Production of blue light emitting element)
The organic EL element OLED1-11 of Example 1 was used as a blue light emitting element.

(緑色発光素子の作製)
実施例2の有機EL素子OLED2−7を緑色発光素子として用いた。
(Production of green light emitting element)
The organic EL element OLED2-7 of Example 2 was used as a green light emitting element.

(赤色発光素子の作製)
実施例1の有機EL素子OLED1−11の作製において、発光ドーパントをI−1からIr−9に変更した以外は同様にして作製した有機EL素子を赤色発光素子として用いた。
(Production of red light emitting element)
In the production of the organic EL element OLED1-11 of Example 1, an organic EL element produced in the same manner except that the light emitting dopant was changed from I-1 to Ir-9 was used as a red light emitting element.

上記赤色、緑色、青色各発光有機EL素子を同一基板上に並置し、図1に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図2には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。前記複数画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。   The red, green, and blue light-emitting organic EL elements are juxtaposed on the same substrate to produce an active matrix type full-color display device having a configuration as shown in FIG. 1, and FIG. Only a schematic diagram of the display unit A is shown. That is, a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 on the same substrate, and a plurality of juxtaposed pixels 3 (light emission color is a red region pixel, a green region pixel, a blue region pixel, etc.) The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a lattice shape and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions ( Details are not shown). The plurality of pixels 3 are driven by an active matrix system provided with an organic EL element corresponding to each emission color, a switching transistor as an active element, and a driving transistor, and a scanning signal is applied from a scanning line 5. Then, an image data signal is received from the data line 6 and light is emitted according to the received image data. In this way, a full color display device was produced by appropriately juxtaposing the red, green, and blue pixels.

フルカラー表示装置を駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、かつ、鮮明なフルカラー動画表示が得られることが分かった。   It has been found that by driving a full-color display device, a clear full-color moving image display having high luminance, high durability, and clearness can be obtained.

実施例4
《白色発光素子及び白色照明装置の作製》
実施例1の透明電極基板の電極を20mm×20mmにパターニングし、その上に実施例1と同様に正孔注入/輸送層としてα−NPDを25nmの厚さで製膜し、さらに、CBPの入った前記加熱ボートと本発明化合物P−9の入ったボート及びIr−9の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるCBPと発光ドーパントである本発明化合物P−9及びIr−9の蒸着速度が100:5:0.6になるように調節し膜厚30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
Example 4
<< Preparation of white light emitting element and white lighting device >>
The electrode of the transparent electrode substrate of Example 1 was patterned to 20 mm × 20 mm, and α-NPD was formed as a hole injection / transport layer with a thickness of 25 nm thereon as in Example 1, and further, CBP The heated boat containing, the boat containing the compound P-9 of the present invention, and the boat containing Ir-9 are energized independently, respectively, CBP as the luminescent host and compounds P-9 and Ir- of the present invention as the luminescent dopant. The vapor deposition rate of 9 was adjusted to be 100: 5: 0.6, and vapor deposition was performed so as to have a thickness of 30 nm to provide a light emitting layer.

ついで、BCPを10nm製膜して正孔阻止層を設けた。さらに、Alqを40nmで製膜し電子輸送層を設けた。Next, a hole blocking layer was provided by depositing BCP to a thickness of 10 nm. Furthermore, providing the film with an electron transporting layer Alq 3 in 40 nm.

次に、実施例1と同様に、電子輸送層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム150nmを蒸着製膜した。   Next, as in Example 1, a square perforated mask having the same shape as the transparent electrode made of stainless steel was placed on the electron transport layer, lithium fluoride 0.5 nm as the cathode buffer layer, and aluminum 150 nm as the cathode. Was deposited.

この素子を実施例1と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ平面ランプを作製した。図6に平面ランプの模式図を示した。図6(a)に平面模式を図6(b)に断面模式図を示す。   This element was provided with a sealing can having the same method and the same structure as in Example 1 to produce a flat lamp. FIG. 6 shows a schematic diagram of a flat lamp. FIG. 6A shows a schematic plan view, and FIG. 6B shows a schematic cross-sectional view.

この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。   When this flat lamp was energized, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device.

本発明により、発光波長が制御され、高い発光効率を示し、かつ、発光寿命の長い有機EL素子、照明装置及び表示装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an organic EL element, a lighting device, and a display device that have a light emission wavelength controlled, exhibit high light emission efficiency, and have a long light emission lifetime.

Claims (2)

下記一般式(3′′)で表される金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
(式中、Rb、Rc、Rdはアルキル基またはアリール基を表し、Xb、Xc、Xdは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。nb、nc、ndは1または2を表す。R、R、R、R、R10は水素原子を表す。Mはイリジウムまたは白金を表し、nは1または2を表す。
An organic electroluminescence device material comprising a metal complex represented by the following general formula (3 ″) .
(In the formula, Rb, Rc, and Rd represent an alkyl group or an aryl group, Xb, Xc, and Xd represent an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Nb, nc, and nd represent 1 or 2. R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 represent a hydrogen atom, M represents iridium or platinum, and n represents 1 or 2.
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。An organic electroluminescent element comprising the organic electroluminescent element material according to claim 1 .
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