JP5044831B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。 The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus.
Kerr効果による電子分極を利用した電気光学装置が知られている。Kerr効果とは、電界を印加したときに当該電界の方向を軸として電界強度の2乗に比例する大きさの光学異方性を示す現象をいう。このようなKerr効果を示す電気光学物質として、例えばブルー相と呼ばれる液晶材料が知られている。液晶層としてブルー相を用いた液晶表示装置は、応答速度が速いことで知られている。ブルー相は、電界が印加されていない状態では光学等方性を呈している。ブルー相が所定範囲内の温度にあるとき、当該ブルー相に電界を印加すると電界強度の2乗に比例する光学異方性を示す。 An electro-optical device using electronic polarization due to the Kerr effect is known. The Kerr effect refers to a phenomenon that exhibits optical anisotropy having a magnitude proportional to the square of the electric field strength with the electric field direction as an axis when an electric field is applied. As an electro-optical substance exhibiting such a Kerr effect, for example, a liquid crystal material called a blue phase is known. A liquid crystal display device using a blue phase as a liquid crystal layer is known for its high response speed. The blue phase exhibits optical isotropy when no electric field is applied. When the blue phase is at a temperature within a predetermined range, an optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength is exhibited when an electric field is applied to the blue phase.
近年では、携帯電話機や携帯情報端末等の携帯用電子機器の表示部として、液晶表示装置などの電気光学装置が用いられていることが多い。一般に、携帯用電子機器に用いられる液晶表示装置としては、反射表示及び透過表示が可能な半透過反射型のものが採用されている。特に、横電界方式の液晶表示装置は視野角が広いことで知られている。しかし、この横電界方式の半透過反射型において、透過、反射の領域のリタデーションを電圧のON、OFFによって同時に0にできないため、反射領域に内面位相差を形成する必要がある。そこで、このような横電界方式の半透過反射型液晶表示装置に液晶層としてブルー相を用いることで、上記のような位相差板を必要とせず、視野角の向上及び高速応答が可能となる(例えば、特許文献1参照。)。また、通常の横電界方式の液晶表示装置において、電圧印加により界面付近の液晶の配向が変化することで、その近傍の液晶分子も弾性的に変化し、その結果、液晶層の厚み方向に配向の変化が伝播していく。一方、ブルー相に代表されるKerr効果を用いた電気光学装置では、電界により界面の液晶分子が変化しても、横電界の印加されない領域において、弾性的な変化はほとんどなく、電界の生じた局所的な領域でしか光学異方性を示さない。
しかしながら、特許文献1に記載の半透過反射型の液晶表示装置においては、反射表示領域の屈折率位相差(リタデーション)と透過表示領域のリタデーションとが一致しないという問題がある。反射表示領域と透過表示領域との間でリタデーションが一致しないと、両領域で光透過率が異なることになる。光透過率が異なることによって、両領域で表示の明るさが異なってしまい、電圧に対する階調特性が変わり、画質の低下やコントラスト差が生じる原因となる。反射表示領域と透過表示領域との間でコントラストに差があると、表示特性が悪くなってしまう。ブルー相を用いた液晶表示装置に限らず、Kerr効果を発現する電気光学物質を用いた電気光学装置において同様の問題がある。
However, the transflective liquid crystal display device described in
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、表示特性の高い電気光学装置及び電子機器を提供することにある。 In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide an electro-optical device and an electronic apparatus having high display characteristics.
上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置は、対向配置された一対の基板と、一対の基板に挟持され、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の2乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層とを具備する電気光学装置であって、反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とを有する複数のサブ画素領域を具備し、反射表示領域における電気光学物質層の層厚が、透過表示領域における電気光学物質層の層厚の3分の1以下であるとする。 To achieve the above object, an electro-optical device according to the present invention includes a pair of substrates facing each other, are clamped to the substrate one pair, and applying an electric field indicates the optically isotropic when no application of an electric field An electro-optical device having an electro-optical material layer having an electro-optical material exhibiting optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength sometimes, a reflective display region for performing reflective display and a transmissive display region for performing transmissive display It comprises a plurality of sub-pixel areas having a preparative layer thickness of put that electric-optical material layer in reflection display region is less than one third of the thickness of the put that electric-optical material layer transparently display area Suppose that
リタデーションの大きさは、電気光学物質層の厚さ(d)と光学異方性の大きさ(Δn)との積(Δnd)で規定される。反射表示領域と透過表示領域とが設けられたいわゆる半透過反射型の電気光学装置において、光は反射表示領域の電気光学物質層を2回通過する。このことは、実質的に反射表示領域の電気光学物質層の厚さが透過表示領域の電気光学物質層の厚さの2倍であることを意味する。したがって、従来の液晶表示装置の場合、反射表示領域の実質的なリタデーションは透過表示領域の実質的なリタデーションの2倍になる。ブルー相の場合、セル厚に対する必要なリタデーションが線形的でないため、反射表示領域のリタデーションを低くすることによって、反射表示領域の実質的なリタデーションを透過表示領域の実質的なリタデーションと同等にすることができる。 The magnitude of retardation is defined by the product (Δnd) of the thickness (d) of the electro-optic material layer and the magnitude of optical anisotropy (Δn). In a so-called transflective electro-optical device provided with a reflective display region and a transmissive display region, light passes through the electro-optical material layer in the reflective display region twice. This means that the thickness of the electro-optic material layer in the reflective display area is substantially twice the thickness of the electro-optic material layer in the transmissive display area. Therefore, in the case of the conventional liquid crystal display device, the substantial retardation of the reflective display region is twice the substantial retardation of the transmissive display region. In the case of the blue phase, the retardation required for the cell thickness is not linear, so by making the retardation of the reflective display area low, make the substantial retardation of the reflective display area equivalent to the substantial retardation of the transmissive display area. Can do.
本発明者は、反射表示領域における電気光学物質層の層厚が、透過表示領域における電気光学物質層の層厚の3分の1以下である場合に、反射表示領域の実質的なリタデーションを透過表示領域の実質的なリタデーションと同等にすることができることを見出した。そこで、本発明では、反射表示領域における電気光学物質層の層厚が、透過表示領域における電気光学物質層の層厚の3分の1以下であることとしたので、反射表示領域の実質的なリタデーションを透過表示領域の実質的なリタデーションと同等にすることができ、反射表示領域と透過表示領域との間の光透過率の差を解消することができる。これにより、反射表示領域と透過表示領域との間のコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。 The inventor transmits the substantial retardation of the reflective display region when the thickness of the electro-optical material layer in the reflective display region is one third or less of the thickness of the electro-optical material layer in the transmissive display region. It has been found that it can be equivalent to the substantial retardation of the display area. Therefore, in the present invention, the layer thickness of the electro-optical material layer in the reflective display region is set to one third or less of the layer thickness of the electro-optical material layer in the transmissive display region. The retardation can be made equivalent to the substantial retardation of the transmissive display area, and the difference in light transmittance between the reflective display area and the transmissive display area can be eliminated. Thereby, the difference in contrast between the reflective display area and the transmissive display area can be eliminated, and an electro-optical device with high display characteristics can be obtained.
上記の電気光学装置は、複数のサブ画素領域が、第1の色光を表示する第1サブ画素領域と、第2の色光を表示する第2サブ画素領域とを含んでおり、第1サブ画素領域における電気光学物質層の層厚が、第2サブ画素領域における電気光学物質層の層厚よりも大きくなっているとしてもよい。
この場合、色光の種類に応じて最適な光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。
The electro-optical device, the sub-pixel region of the double number, a first sub-pixel region for displaying the first color light, includes a second sub-pixel region for displaying the second color light, the first sub thickness of that electric-optical material layer put in the pixel region may be larger than the layer thickness of the second conductive that put the sub-pixel areas optic material layer.
In this case , an optimal light transmittance can be obtained according to the type of color light. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.
上記の電気光学装置は、電気光学物質が、コレステリックブルー相を含んでいるとしてもよい。
コレステリックブルー相は、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の2乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質の一種である。本発明では、電気光学物質がコレステリックブルー相を含んでいるので、反射表示領域及び透過表示領域の間で同等の光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。
The electro-optical device, electrical-optical material may be contain a cholesteric blue phase.
The cholesteric blue phase is a kind of electro-optic material that exhibits optical isotropy when no electric field is applied and exhibits optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when an electric field is applied. In the present invention, since the electro-optical material contains a cholesteric blue phase, an equivalent light transmittance can be obtained between the reflective display region and the transmissive display region. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.
上記の電気光学装置は、電気光学物質が、スメクティックブルー相、キュービック相、スメクティックD相及びミセル相のうちいずれかを含んでいるとしてもよい。
スメクティックブルー相、キュービック相、スメクティックD相及びミセル相は、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の2乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質の一種である。本発明では、電気光学物質がスメクティックブルー相を含んでいるので、反射表示領域及び透過表示領域の間で同等の光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。
The electro-optical device, the gas-optical material conductive, smectic blue phase, a cubic phase may be include any of a smectic D phase and micellar phases.
Smectic blue phase, cubic phase, smectic D phase and micelle phase are optically isotropic when no electric field is applied and exhibit optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when an electric field is applied It is a kind of. In the present invention, since the electro-optical material contains a smectic blue phase, an equivalent light transmittance can be obtained between the reflective display region and the transmissive display region. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.
上記の電気光学装置は、一対の基板のうち少なくとも一方の電気光学物質層との界面に配向膜が設けられているとしてもよい。
この場合、電界を印加したときに電気光学物質の配向を補助的に規制することができる。
The electro-optical device may be an interface to the alignment film is provided with at least one of the electric-optical material layer of the substrate of a pair.
In this case , the orientation of the electro-optic material can be supplementarily regulated when an electric field is applied.
上記の電気光学装置は、配向膜が、電気光学物質層に印加される電界の方向に平行な方向にラビングされているとしてもよい。
この場合、電界を印加したときに電気光学物質の配向を確実に規制することができる。
The electro-optical device, Oriented films may be is rubbed in a direction parallel to the direction of the electric field applied to the electric-optical material layer.
In this case , the orientation of the electro-optic material can be reliably regulated when an electric field is applied.
上記の電気光学装置は、一対の基板における電気光学物質層と反対側の面のそれぞれには、円偏光板が設けられているとしてもよい。
この場合、コントラストの高い表示を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。
The electro-optical device, each of the opposite surface and put that electric-optical material layer on a substrate of a pair may be a circularly polarizing plate is provided.
In this case , a display with high contrast can be obtained. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.
本発明に係る電子機器は、上記の電気光学装置を搭載する。
本発明によれば、透過表示領域及び反射表示領域にて同等の光透過率が得られ、コントラストの高い表示が可能な電気光学装置を搭載したので、表示品位が高く、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
Electronic device according to the present invention, you mounting tower the electro-optical device.
According to the present invention, since an electro-optical device capable of obtaining the same light transmittance in the transmissive display area and the reflective display area and capable of displaying with high contrast is mounted, an electronic apparatus having high display quality and high reliability. Can be obtained.
[第1実施形態]
以下、図面に基づき本発明の第1実施形態を説明する。
(液晶表示装置の構成)
図1は、液晶表示装置1の全体構成を示す図である。本実施形態では、スイッチング素子に薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTという)素子を用いたアクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶表示装置であり、電界(横電界)を基板面方向に印加する横電界方式のうち、IPS(In-Plane Switching)方式と呼ばれる方式を採用した液晶表示装置を例に挙げて説明する。
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Configuration of liquid crystal display device)
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of the liquid
同図に示すように、液晶表示装置1は、液晶パネル2と、バックライト3とを主体として構成されている。液晶パネル2とバックライト3とは平面視で重なるように配置されており、図1では液晶パネル2のみが示されている。この液晶パネル2には図示しないフレキシブル回路基板が接続されている。
As shown in the figure, the liquid
液晶パネル2は、一対の基板、具体的にはTFTアレイ基板4とカラーフィルタ基板5とがシール材7によって貼り合わされると共に、このシール材7によって区画された領域内に液晶層6が封入された構成になっている。シール材7の一部には液晶を注入する注入口7aが設けられている。注入口7aは封止材7bにより封止されている。シール材7の内側の領域には、周辺見切り領域(周辺領域)8が設けられている。周辺見切り領域8の内側の領域は、画像や動画等を表示する表示領域9になっている。表示領域9には、複数のサブ画素領域10がマトリクス状に設けられている。
In the
本実施形態では、図中左右方向に隣接する3つのサブ画素領域10が1組になって1つの画素を構成している。この1画素を構成する3つのサブ画素領域10は、それぞれ赤色を表示する赤色サブ画素領域、緑色を表示する緑色サブ画素領域、青色を表示する青色サブ画素領域である。サブ画素領域10の間の領域は画素間領域11である。
In the present embodiment, three
TFTアレイ基板4の周縁部は、カラーフィルタ基板5から張り出した張出領域になっている。この張出領域のうち図中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動回路12が形成されている。図中下辺側には、データ信号を生成するデータ線駆動回路13と、フレキシブル回路基板に接続するための接続端子15とが形成されている。走査線駆動回路12と接続端子15との間の領域には、両者を接続する配線16が形成されている。
The peripheral edge portion of the
図2は、液晶表示装置1のうち1つのサブ画素領域10及び画素間領域11の構成を示す平面図である。図2においては、説明の便宜上、カラーフィルタ基板5の図示を省略している。
同図に示すように、サブ画素領域10は平面視で矩形状になっており、図中の上下方向(マトリクスの列方向)が長手方向、図中の左右方向(マトリクスの行方向)が短手方向となっている。サブ画素領域10には、光反射層41と、画素電極42と、共通電極43とが配置されている。画素間領域11には、走査線44と、データ線45と、共通電極線46と、半導体薄膜47と、柱状スペーサ48とが配置されている。
FIG. 2 is a plan view showing the configuration of one
As shown in the figure, the
画素間領域11内の構成を説明する。
走査線44は、例えばアルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなり、サブ画素領域10の短手方向(図中左右方向)に延在する配線である。この走査線44は、一端が走査線駆動回路12(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路12で生成された走査信号を供給する。走査線44は、サブ画素領域10の図中下側の画素間領域11に配置されている。
A configuration in the
The
データ線45は、走査線44と同様、例えばアルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなり、サブ画素領域10の長手方向(図中上下方向)に延在する配線である。このデータ線45は、一端がデータ線駆動回路13(図1参照)に接続されており、データ線駆動回路13で生成されたデータ信号を供給する。このデータ線45には、半導体薄膜47に向けて分岐するソース電極45aが設けられている。ソース電極45aは、平面視でL形の電極であり、一部が半導体薄膜47に平面視で重なるように設けられている。
Similarly to the
共通電極線46は、走査線44やデータ線45と同様、例えばアルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなり、サブ画素領域10の短手方向(図中方向)に延在する配線である。この共通電極線46は、各サブ画素領域10に設けられるそれぞれの共通電極43に接続されており、サブ画素領域10の図中上側の画素間領域11に配置されている。
Similar to the
走査線44とデータ線45とは画素間領域11内で交差するように設けられており、平面視で格子状に配列されている。サブ画素領域10は、これら走査線44とデータ線45とで囲まれる領域に位置する構成になっている。
The scanning lines 44 and the data lines 45 are provided so as to intersect within the
半導体薄膜47は、例えばアモルファスシリコンなどからなり、走査線44に平面視で重なる領域内に島状に設けられた薄膜である。半導体薄膜47は、チャネル領域47aと、ソース領域47bと、ドレイン領域47cとを有している。チャネル領域47aは半導体薄膜47の中央に設けられた領域であり、走査線44と対向している。ソース領域47bは半導体薄膜47の一端側(図中左側)に設けられた領域であり、ソース電極45aを介してデータ線45に電気的に接続されている。ドレイン領域47cは半導体薄膜47の他端側(図中右側)に設けられた領域である。ドレイン領域47cに平面視で重なる領域にはドレイン電極47dが設けられている。ドレイン電極47dは、一部が画素電極42のコンタクト部42bに平面視で重なるように設けられている。コンタクト部42bとドレイン電極47dとが平面視で重なる部分には、コンタクトホール47eが設けられている。
The semiconductor
柱状スペーサ48は、TFTアレイ基板4とカラーフィルタ基板5との間を一定の間隔に保つためのスペーサ部材である。この柱状スペーサ48は、画素間領域11のうちサブ画素領域10の図示右下の角部側に設けられている。
The
サブ画素領域10内の構成を説明する。
光反射層41は、例えばアルミニウムや銀などの光反射率の高い金属からなり、サブ画素領域10のほぼ半分の領域を覆うように設けられた薄膜である。サブ画素領域10のうち光反射層41で覆われた領域が反射表示領域10aであり、光反射層で覆われていない領域が透過表示領域10bである。反射表示における視認性を向上させるため、光反射層41の表面に凹凸を設ける構成としても構わない。
A configuration in the
The
画素電極42は、基端部42aと、コンタクト部42bと、枝状部42cとからなる電極部材である。基端部42a、コンタクト部42b及び枝状部42cは、それぞれ例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明な導電材料からなる。
The
基端部42aは、サブ画素領域10内の透過表示領域10b側に設けられており、サブ画素領域10の短手方向に延在するように設けられている。基端部42aの幅(延在方向に直交する方向の寸法)は例えば10μm程度で一定になっている。この基端部42aは、走査線44に近接した位置に配置されている。
The
コンタクト部42bは、基端部42aから走査線44側に突出している部分であり、基端部42aと一体的に設けられている。コンタクト部42bは、その一部が平面視で走査線44に重なるように設けられている。このコンタクト部42bは、コンタクトホール47eを介してドレイン電極47dに電気的に接続されている。
The
枝状部42cは、基端部42aからサブ画素領域10の長手方向に延びている部分であり、基端部42aと一体的に設けられている。枝状部42cの幅(延在方向に直交する方向の寸法)は例えば10μm程度で一定になっている。この枝状部42cは、基端部42aの設けられた透過表示領域10b側から反射表示領域10a側に向けて両方の領域に跨るように延在しており、サブ画素領域10の短手方向に等ピッチで複数配置されている。
The
共通電極43は、基端部43aと、コンタクト部43bと、枝状部43cとからなる電極部材である。画素電極42と同様、基端部43a、コンタクト部43b及び枝状部43cは、それぞれITOなどの透明な導電材料からなる。
The
基端部43aは、サブ画素領域10内の反射表示領域10a側に設けられており、サブ画素領域10の短手方向に延在するように設けられている。基端部43aの幅(延在方向に直交する方向の寸法)は例えば10μm程度で一定になっており、画素電極42の基端部42aの幅とほぼ同一の幅になっている。この基端部43aは、共通電極線46に近接した位置に配置されている。
The
コンタクト部43bは、基端部43aと共通電極線46とを接続する部分であり、基端部43aの短手方向のほぼ中央部に設けられている。コンタクト部43bを介して基端部43aと共通電極線46とが一体的に設けられている。マトリクスの行方向に設けられた各サブ画素領域10内の共通電極43は、それぞれコンタクト部43bを介して1本の共通電極線46に接続されている。
The
枝状部43cは、基端部43aからサブ画素領域10の長手方向に延びている部分であり、基端部43aと一体的に設けられている。枝状部43cの幅(延在方向に直交する方向の寸法)は例えば10μm程度で一定になっており、画素電極42の枝状部42cの幅とほぼ同一の幅になっている。この枝状部43cは、隣接する枝状部42cの間の領域を、基端部43aの設けられた反射表示領域10a側から透過表示領域10b側に向けて、両方の領域に跨るように延在している。
The
共通電極43の枝状部43cは、サブ画素領域10の短手方向に等ピッチで複数配置されており、画素電極42の隣接する枝状部42cのちょうど中間に配置されている。このように、画素電極42の枝状部42cと共通電極43の枝状部43cとが、櫛歯が咬み合うように、サブ画素領域10の短手方向に例えば10μm程度のピッチで交互に配置されている。
A plurality of
図3は、図2におけるA−A断面に沿った構成を示す図である。図中左側が図2における上側の構成(共通電極線の一部の断面構成)に対応しており、図中右側が図2における下側の構成(走査線の断面構成)に対応している。図2には示されていないが、図3にはカラーフィルタ基板5を含めた断面構成を示している。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration along the section AA in FIG. The left side in the drawing corresponds to the upper configuration in FIG. 2 (partial cross-sectional configuration of the common electrode line), and the right side in the drawing corresponds to the lower configuration in FIG. 2 (cross-sectional configuration of the scanning line). . Although not shown in FIG. 2, FIG. 3 shows a cross-sectional configuration including the
同図に示すように、TFTアレイ基板4は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの光透過可能な材料からなる矩形の基材4aを主体として構成されている。基材4a上には図示しない下地層が形成されている。下地層上の一部の領域には上記の走査線44が形成されている。この下地層上には、ゲート絶縁層49が設けられている。ゲート絶縁層49は、例えばSiO2やSiNなどの絶縁材料からなる層間絶縁膜であり、走査線44上を含めた下地層のほぼ全面を覆っている。
As shown in the figure, the
ゲート絶縁層49上には、上記の半導体薄膜47と、ソース電極45aと、ドレイン電極47dとが形成されている。半導体薄膜47は、ゲート絶縁層49を挟んで走査線44に対向するように配置されている。半導体薄膜47、ゲート絶縁層49及び走査線44によって、バックゲート型のTFT(Thin Film Transistor)が構成されている。このTFTにおいて、走査線44のうち半導体薄膜47に平面視で重なる領域は、ゲート電極として機能している。
On the
ソース電極45aは、一部が半導体薄膜47のソース領域47b上を覆うように形成されている。ソース電極45aと同じ層内には上記のデータ線45(図3には示していない)も形成されている。ゲート絶縁層49上には樹脂層50が設けられている。樹脂層50は、半導体薄膜47、ソース電極45a、ドレイン電極47d及びデータ線45を含めたゲート絶縁層49上のほぼ全面を覆っている。
The source electrode 45 a is formed so as to partially cover the
樹脂層50の一部には凹部50bが設けられている。この凹部50b内には、上記の光反射層41が設けられている。光反射層41の上面41aと樹脂層50の上面50aとの間は平坦になっている。この上面41aと上面50aとで一つの基板面を構成している。樹脂層50のうちドレイン電極47dに平面視で重なる領域には、当該樹脂層50を貫通するようにコンタクトホール47eが設けられている。
A
光反射層41の上面41a及び樹脂層50の上面50aには、画素電極42と共通電極43とがそれぞれ設けられている。樹脂層50のうちコンタクトホール47eに平面視で重なる領域には、画素電極42のコンタクト部42bが配置されている。コンタクトホール47eはコンタクト部42bを構成する導電材料によって埋められており、コンタクト部42bとコンタクトホール47e内に埋められた部分とが一体的になっている。コンタクトホール47eに埋められた部分の先端(図中下側)は、ドレイン電極47dに当接している。当該当接部においてコンタクト部42bとドレイン電極47dとが電気的に接続されている。
A
画素電極42及び共通電極43は、ほぼ均一な厚さに形成されており、その値は0.40μm程度になっている。画素電極42各部位(基端部42a、コンタクト部42b、枝状部42c)及び共通電極43の各部位(基端部43a、コンタクト部43b、枝状部43c)は、それぞれ同一の厚さになっている。
The
基材4aの外面上には、位相差板21が設けられている。位相差板21は、透過光に対して略1/4波長の位相差を付与するλ/4位相差板である。位相差板21には所定の方向に遅相軸が形成されている。
A
位相差板21の外面上には偏光板22が設けられている。偏光板22は、位相差板21の遅相軸に対して約45°の角度をなす方向に偏光軸が形成されている。位相差板21及び偏光板22によって円偏光板23が構成されている。円偏光板23としては、位相差板21及び偏光板22を組み合わせる構成の他、偏光板とλ/2位相差板とλ/4位相差板とを組み合わせた広帯域円偏光板であっても構わない。
A
一方、カラーフィルタ基板5は、TFTアレイ基板4と同様、例えばガラスや石英、プラスチックなどの光透過可能な材料からなる矩形の基材5aを主体として構成されている。基材5aの内面(TFTアレイ基板4との対向面)には、カラーフィルタ層51と、ブラックマトリクス52と、ギャップ材53と、配向膜54とが設けられている。
On the other hand, the
カラーフィルタ層51は、平面視でサブ画素領域10に重なる位置に設けられた色層である。カラーフィルタ層51は、例えば有機材料や無機材料など公知の材料からなる赤色層、緑色層、青色層の3色の色層からなる。上記赤色層は、平面視で赤色サブ画素に重なる領域に設けられている。上記緑色層は、平面視で緑色サブ画素に重なる領域に設けられている。上記青色層は、平面視で青色サブ画素に重なる領域に設けられている。
The
ブラックマトリクス52は、画素間領域11に設けられており、光を吸収する例えばクロムなどの材料からなる。ブラックマトリクス52の層厚とカラーフィルタ層51層厚はほぼ等しくなっている。
The
ギャップ材53は、サブ画素領域10のうち反射表示領域10aに平面視で重なる領域に配置されており、例えば樹脂などの光透過可能な材料からなる。ギャップ材53は、反射表示領域10a内の液晶層6の厚さ(セルギャップ)を調節する部材である。反射表示領域10a内のセルギャップd1が透過表示領域10b内のセルギャップd2の3分の1以下となるようにギャップ材の厚さが規定されている。ここでは、例えば反射表示領域10a内のセルギャップd1が2.5μmであり、透過表示領域10b内のセルギャップd2が11μmである。したがって、d1がd2の3分の1以下である。配向膜54は、ギャップ材53、カラーフィルタ層51及びブラックマトリクス52を覆うように設けられており、所定の方向にラビングされている。
The
基材5aの外面上には、位相差板31が設けられている。位相差板31は、位相差板21と同様、透過光に対して略1/4波長の位相差を付与するλ/4位相差板である。位相差板31には所定の方向に遅相軸が形成されている。
A phase difference plate 31 is provided on the outer surface of the substrate 5a. Similar to the
位相差板31の外面上には偏光板32が設けられている。偏光板32は、位相差板31の遅相軸に対して約45°の角度をなす方向に偏光軸が形成されている。位相差板31及び偏光板32によって円偏光板33が構成されている。円偏光板33としては、偏光板とλ/2位相差板とλ/4位相差板とを組み合わせた広帯域円偏光板であっても構わない。
A
液晶層6は、TFTアレイ基板4とカラーフィルタ基板5との双方に接するように挟持されている。この液晶層6は、電界の非印加時に光学的に等方性を示すと共に、電界の印加時には電界強度の2乗に比例する光学異方性を示す(Kerr効果)液晶材料からなる。このような液晶材料として、例えばブルー相の液晶材料が挙げられる。液晶層6の液晶分子の誘電率は正(ε>0)になっている。
The
ブルー相は、キラルネマチック相と等方相の間の狭い温度範囲に現れる、光学的に等方性の液晶相である。ブルー相の液晶材料には、例えばKerr効果の発現温度範囲の狭い(1K程度)液晶分子と少量の高分子とが含まれている(高分子安定化ブルー相)。液晶分子と共に高分子を含ませることにより、当該発現温度範囲が100K程度になっている。 The blue phase is an optically isotropic liquid crystal phase that appears in a narrow temperature range between the chiral nematic phase and the isotropic phase. The liquid crystal material of the blue phase contains, for example, a liquid crystal molecule having a narrow Kerr effect temperature range (about 1K) and a small amount of polymer (polymer-stabilized blue phase). By including a polymer together with liquid crystal molecules, the expression temperature range is about 100K.
高分子安定化ブルー相は、[数1]に示されるように、リタデーションの大きさ(Δn)が電界の2乗に比例する。[数1]において、KはKerr係数、λは光の波長、Eは電極間に生じる電界を示している。高分子安定化ブルー相のKerr係数は3.7×10−10(mV−2)であり、ニトロベンゼンの約170倍の大きさとなっている。 In the polymer-stabilized blue phase, as shown in [Equation 1], the magnitude of retardation (Δn) is proportional to the square of the electric field. In [Equation 1], K is the Kerr coefficient, λ is the wavelength of light, and E is the electric field generated between the electrodes. The Kerr coefficient of the polymer-stabilized blue phase is 3.7 × 10 −10 (mV−2), which is about 170 times that of nitrobenzene.
高分子安定化ブルー相の立ち上り(Kerr効果の発現)の応答時間及び立ち下り(Kerr効果の消滅)の応答時間は、いずれも10〜100μs程度である。一般的なネマチック液晶の応答時間は10ms程度である。高分子安定化ブルー相の応答は、一般的なネマチック液晶の応答に比べて格段に速くなっている。 The response time for the rise (expression of the Kerr effect) and the response time for the fall (disappearance of the Kerr effect) of the polymer-stabilized blue phase are both about 10 to 100 μs. A typical nematic liquid crystal has a response time of about 10 ms. The response of the polymer-stabilized blue phase is much faster than that of a general nematic liquid crystal.
バックライト3は、公知の構成となっている。具体的には、LEDなどの光源部と、アクリル樹脂などの透明な材料からなる導光板と、当該導光板に対して液晶パネル2側に設けられた拡散板と、拡散板の液晶パネル側2に設けられた集光板とを主体として構成されている。
The
(液晶表示装置の動作)
本実施形態の液晶表示装置1の動作について説明する。
まず、透過表示(透過モード)について説明する。
バックライト3から射出された光は、偏光板22および位相差板21を透過する過程で円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、TFTアレイ基板4を透過して液晶層6に入射する。ブルー相が電圧無印加時に光学的に等方性を示すことから、液晶層6に入射した光は、光学異方性の影響を受けることなく円偏光のまま液晶層6を透過する。液晶層6を透過した光は、カラーフィルタ基板5を透過し、位相差板31に入射する。この光は、位相差板31を透過する過程で偏光板32の透過軸と直交する直線偏光に変換される。この直線偏光は偏光板32を透過しないので、電圧無印加時には黒表示となる(ノーマリーブラック表示)。
(Operation of liquid crystal display)
The operation of the liquid
First, transmissive display (transmission mode) will be described.
Light emitted from the
画素電極42と共通電極43との間に電圧を印加すると、液晶層6は光学異方性を呈する。バックライト3から射出された光は、偏光板32及び位相差板31を透過して円偏光に変換される。この光は、液晶層6に入射し、液晶層6を透過する過程で回転方向が反転した楕円偏光に変換される。液晶層6を透過した後、この光は位相差板31に入射し、偏光板32の透過軸と略平行の直線偏光に変換され、位相差板31を透過する。位相差板31を透過した光は、その全部または一部が偏光板32を透過する。このように、電圧印加時には白表示となる。
When a voltage is applied between the
次に、反射表示(反射モード)について説明する。
偏光板32の外面に入射した外光は、当該偏光板32及び位相差板31を透過する過程で円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、カラーフィルタ基板5を透過して液晶層6に入射する。ブルー相が電圧無印加時に光学的に等方性を示すことから、液晶層6に入射した光は、光学異方性の影響を受けることなく円偏光のまま液晶層6を透過する。液晶層6を透過した光は、光反射層41により反射され、反射時に回転方向が反転する。反射光は、回転方向が反転した状態で、光学異方性の影響を受けることなく円偏光のままカラーフィルタ基板5へ向けて液晶層6を透過する。この光はカラーフィルタ基板5を透過して、位相差板31に入射する。位相差板31を透過する際、偏光板32の透過軸と直交する直線偏光に変換される。この直線偏光は偏光板32を透過できないので、電圧無印加時には黒表示となる(ノーマリーブラック表示)。
Next, reflection display (reflection mode) will be described.
External light incident on the outer surface of the
画素電極42と共通電極43との間に電圧を印加すると、液晶層6は光学異方性を呈する。偏光板32の外面に入射した外光は、当該偏光板32及び位相差板31を透過する過程で円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、カラーフィルタ基板5を透過して液晶層6に入射する。この光は、液晶層6を透過する過程で所定の位相差(λ/4)が付与されて光反射層41で反射される。光反射層41で反射された後、液晶層6をカラーフィルタ基板5へ向けて透過する際に、再度所定の位相差(λ/4)が付与される。液晶層6を透過した光は、カラーフィルタ基板5を透過し、位相差板31に入射する。光は位相差板31を透過する過程で、偏光板32の透過軸と平行な直線偏光に変換される。位相差板31を透過した光は、その全部または一部が偏光板32を透過する。このように、電圧印加時には白表示となる。
When a voltage is applied between the
リタデーションの大きさは、液晶層6の厚さ(d)と光学異方性(Δn)との積(Δnd)で規定される。反射表示領域10aと透過表示領域10bとが設けられたいわゆる半透過反射型の液晶表示装置1において、光は反射表示領域10a内の液晶層6を2回通過する。このことは、反射表示領域10aの液晶層6の実質的なリタデーションが透過表示領域10bの液晶層6の実質的なリタデーションの2倍であることを意味する。反射表示領域10aのリタデーションを低くすることによって、反射表示領域10aの実質的なリタデーションを透過表示領域10bの実質的なリタデーションと同等にすることができる。
The magnitude of the retardation is defined by the product (Δnd) of the thickness (d) of the
本発明によれば、反射表示を行う反射表示領域10aと透過表示を行う透過表示領域10bとが設けられたサブ画素領域10内の液晶層6について、反射表示領域10aにおける液晶層6の層厚(セルギャップ)が、透過表示領域10bにおけるセルギャップよりも薄いこととした。このような構成にすることで、セル厚に対する反射領域の実質的なリタデーションを透過の実質的なリタデーションと同じにすることができる。つまりKerr効果を用いる表示装置の場合、セル厚に対して得られる実質的なリタデーションは線形的でなく、曲線的に変化する。。このため、反射表示領域10aの実質的なリタデーションを透過表示領域10bの実質的なリタデーションと同等にすることができ、反射表示領域10aと透過表示領域10bとの間の光透過率の差を解消することができる。これにより、反射表示領域10aと透過表示領域10bとの間の階調差及びコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い液晶表示装置1を得ることができる。
According to the present invention, for the
図4は、本実施形態の液晶表示装置1についてセルギャップとリタデーションとの関係を示すグラフである。グラフの縦軸がリタデーションの大きさを示している。グラフの横軸がセルギャップの大きさを示している。グラフ中のリタデーションの大きさは相対値である。同グラフ中では、Kerr効果を示さない液晶層のリタデーションを実線で示しており(グラフ(1))、本実施形態のようにKerr効果を示す液晶層6の光透過率を破線で示している(グラフ(2))。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the cell gap and retardation for the liquid
グラフ(1)に示すように、Kerr効果を示さない液晶層のリタデーションは、セルギャップが大きくなるにつれて、当該セルギャップに比例して大きくなっている。 As shown in the graph (1), the retardation of the liquid crystal layer that does not exhibit the Kerr effect increases in proportion to the cell gap as the cell gap increases.
一方、グラフ(2)に示すように、Kerr効果を示す液晶層のリタデーションについては、セルギャップが大きくなるにつれてリタデーションの増加傾向が小さくなっている。グラフ(2)において、セルギャップが約4μm以下の範囲では、リタデーションの増加傾向はグラフ(1)の場合よりも大きくなっている。セルギャップが約4μm以上の範囲では、リタデーションの増加傾向がグラフ(1)の場合よりも小さくなっている。特にセルギャップが約8μm以上の範囲では、セルギャップが大きくなるにつれてリタデーションの大きさが飽和しはじめている。セルギャップが11μmを超える範囲では、リタデーションの大きさがほぼ一定になっている。 On the other hand, as shown in the graph (2), regarding the retardation of the liquid crystal layer exhibiting the Kerr effect, the increasing tendency of the retardation decreases as the cell gap increases. In the graph (2), in the range where the cell gap is about 4 μm or less, the increasing tendency of retardation is larger than that in the graph (1). In the range where the cell gap is about 4 μm or more, the increasing tendency of retardation is smaller than that in the graph (1). In particular, in the range where the cell gap is about 8 μm or more, the size of retardation begins to saturate as the cell gap increases. In the range where the cell gap exceeds 11 μm, the size of the retardation is almost constant.
半透過反射型の液晶表示装置において反射表示領域の実質的なリタデーションと透過表示領域の実質的なリタデーションとを同等にするには、反射表示領域のリタデーションの実際の大きさが透過表示領域の実際のリタデーションの実際の大きさのほぼ半分程度になるように設計すれば良い。
本実施形態では、反射表示領域10aのセルギャップd1は2.5μmである。図4のグラフから、このときのリタデーションの相対値は0.55程度になっている。透過表示領域10bのセルギャップd2は11μmである。図4のグラフから、このときのリタデーションの相対値は1.00程度である。このように、反射表示領域10aのリタデーションが透過表示領域10bのリタデーションの約半分程度になっている。したがって、反射表示領域10aの実質的なリタデーションと透過表示領域10bの実質的なリタデーションとがほぼ同等になる。
In order to make the substantial retardation of the reflective display region and the substantial retardation of the transmissive display region equal in a transflective liquid crystal display device, the actual size of the retardation of the reflective display region is the actual size of the transmissive display region. What is necessary is just to design so that it may become about a half of the actual size of retardation.
In the present embodiment, the cell gap d1 of the
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態を説明する。
図5は、本実施形態に係る液晶表示装置101の構成を示す断面図である。本実施形態の液晶表示装置101は、カラーフィルタ基板の構成が第1実施形態とは異なっている。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid
図5に示すように、ギャップ材153は、サブ画素領域の反射表示領域110aに平面視で重なる領域に設けられている。このギャップ材153は、赤色カラーフィルタ層151Rが設けられた赤色サブ画素110Rと、緑色カラーフィルタ層151Gが設けられた緑色サブ画素110Gと、青色カラーフィルタ層151Bが設けられた青色サブ画素110Bとにおいて、それぞれ厚さが異なっている。
As shown in FIG. 5, the
具体的には、赤色サブ画素110Rでの厚さをd3、緑色サブ画素510Gでの厚さをd4、青色サブ画素510Bでの厚さをd5とすると、d3>d4>d5となっており、赤色サブ画素110R、緑色サブ画素110G、青色サブ画素110Bの順にギャップ材153の厚さが小さくなっている。
Specifically, d3> d4> d5, where d3 is the thickness of the
このように、本実施形態によれば、赤色サブ画素110R、緑色サブ画素110G、青色サブ画素110Bの順にセルギャップが小さくなっているので、色光の種類に応じて最適な光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い液晶表示装置101を得ることができる。
As described above, according to the present embodiment, since the cell gap becomes smaller in the order of the
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態を説明する。
図6は、本実施形態に係る電子機器(携帯電話)の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話300は、筺体301、複数の操作ボタンが設けられた操作部302、画像や動画、文字等を表示する表示部303を有する。上記の表示部303には、本実施形態に係る液晶表示装置1、101が搭載されている。
このように、透過表示領域及び反射表示領域にて同等の光透過率が得られ、コントラストの高い表示が可能な液晶表示装置1、101を搭載したので、表示品位が高く、信頼性の高い携帯電話300を得ることができる。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 6 is a perspective view showing the overall configuration of the electronic apparatus (mobile phone) according to the present embodiment.
The
As described above, since the liquid
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態においては、液晶層の構成をコレステリックブルー相を含んだ構成として説明したが、これに限られることは無い。例えば、スメクティックブルー相やキュービック相、スメクティックD相、ミセル相などの材料を含んだ構成としても構わない。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
In the above embodiment, the configuration of the liquid crystal layer has been described as a configuration including a cholesteric blue phase, but the configuration is not limited thereto. For example, it may be configured to include materials such as a smectic blue phase, a cubic phase, a smectic D phase, and a micelle phase.
また、例えばTFTアレイ基板と液晶層との界面に配向膜を形成しても構わない。この場合、電界によって液晶分子の配向が変化する方向にラビング処理を施すのが好ましい。これにより、液晶分子の配向の変化を促進させることができる。 Further, for example, an alignment film may be formed at the interface between the TFT array substrate and the liquid crystal layer. In this case, it is preferable to perform a rubbing process in a direction in which the orientation of liquid crystal molecules changes due to an electric field. Thereby, the change in the alignment of the liquid crystal molecules can be promoted.
上記実施形態においては、液晶層の液晶分子の誘電率が正(ε>0)になっているものを用いたが、この誘電率が負(ε<0)になっているものを用いても構わない。 In the above embodiment, a liquid crystal layer having a positive dielectric constant (ε> 0) is used, but a liquid crystal layer having a negative dielectric constant (ε <0) may be used. I do not care.
また、上記実施形態においては、画素電極及び共通電極としてITOなどの光透過性を有する材料からなる構成であったが、例えばAl/Crなどの金属材料からなる構成にしても良い。 In the above embodiment, the pixel electrode and the common electrode are made of a material having optical transparency such as ITO, but may be made of a metal material such as Al / Cr.
上記の液晶表示装置を搭載する電子機器としては、携帯電話に限られることは無い。例えば、カーナビ、HUDなどの車載用ディスプレイや、モバイルディスプレイなど、種々の電子機器に搭載することができる。 The electronic device equipped with the liquid crystal display device is not limited to a mobile phone. For example, it can be mounted on various electronic devices such as an in-vehicle display such as a car navigation system and a HUD, and a mobile display.
1、101…液晶表示装置 2…液晶パネル 4…TFTアレイ基板 5…カラーフィルタ基板 6…液晶層 10…サブ画素領域 10a…反射表示領域 10b…透過表示領域 11…画素間領域 21、31…位相差板 22、32…偏光板 23、33…円偏光板 41…光反射層 42…画素電極 43…共通電極 53…ギャップ材 600…携帯電話 603…表示部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101 ... Liquid
Claims (8)
前記一対の基板に挟持され、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の2乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層と
を具備する電気光学装置であって、
反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とを有する複数のサブ画素領域を具備し、
前記反射表示領域における前記電気光学物質層の層厚が、前記透過表示領域における前記電気光学物質層の層厚の3分の1以下である、
電気光学装置。 A pair of opposed substrates;
An electro-optic material layer sandwiched between the pair of substrates and having an electro-optic material that is optically isotropic when an electric field is not applied and exhibits an optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when an electric field is applied; An electro-optical device comprising:
A plurality of sub-pixel regions having a reflective display region for performing reflective display and a transmissive display region for performing transmissive display;
A layer thickness of the electro-optical material layer in the reflective display region is equal to or less than one third of a layer thickness of the electro-optical material layer in the transmissive display region ;
Electro-optic device.
前記第1サブ画素領域における前記電気光学物質層の層厚が、前記第2サブ画素領域における前記電気光学物質層の層厚よりも大きくなっている、A layer thickness of the electro-optic material layer in the first sub-pixel region is larger than a layer thickness of the electro-optic material layer in the second sub-pixel region;
請求項1に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1.
請求項1又は請求項2に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1.
請求項1又は請求項2に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1.
請求項1乃至請求項4のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1.
請求項5に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 5.
請求項1乃至請求項6のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1.
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