JP5044776B2 - 有機半導体電界効果トランジスタの評価装置及び特性測定方法。 - Google Patents
有機半導体電界効果トランジスタの評価装置及び特性測定方法。 Download PDFInfo
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Description
Z.Marka, S.K.Singh, S.C.Lee, J.Kavich, B.Glebov, S.N.Rashkeev, A.P.Karmarkar, R.G.Albridge, S.T.Pantelides, R.D.Schrimpf, D.M.Fleetwood, and N.H.Tolk,"Characterization of X-Ray Radiation Damage in Si/SiO2 Structures Using Second-Harmonic Generation", IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Vol.47, No.6, DECEMBER, 2256-2261(2000)
15 有機半導体層 16 チャネル層 17 チャネル形成領域
31 レーザ 32 IRパスフィルタ 33 ミラー 34 偏光板
35 レンズ 36 ローパスフィルタ 37 IRカットフィルタ
38 サンプル 39 モノクロメータ 40 フォトマル
91 ソース 92 ドレイン 93 ゲート 94 絶縁層
95 チャネル層 96 空乏層 97 C−V測定 98 G−V測定
Claims (7)
- 有機半導体電界効果トランジスタのゲートと、ソース−ドレイン間とに、電圧を印加し、
前記電圧が印加された状態の有機半導体電界効果トランジスタにおいて、前記ソースと前記ドレインの間に位置する有機物層の内にあって、チャネル層が形成される可能性を有するチャネル形成領域に光を入射し、
前記光を入射されたチャネル形成領域から出射される第2次高調波光を検出し、
前記ドレイン−ソース間に電圧を印加したときの前記第2次高調波光の強度と、前記ドレイン−ソース間に電圧を印加し、前記ゲートにも電圧を印加したときの前記第2次高調波光の強度とに基づいて、前記チャネル形成領域におけるコンダクタンス及び/又は電界分布を測定する、
有機半導体電界効果トランジスタの特性測定方法。 - 前記コンダクタンス又は電界分布の測定は、前記入射光を偏光とすることによって行われる空間的に異方性をもつコンダクタンス及び/又は電界分布の測定を含む、請求項1に記載の有機半導体電界効果トランジスタの特性測定方法。
- 前記ドレイン−ソース間に電圧を印加したときの前記第2次高調波光の強度と、前記ドレイン−ソース間に電圧を印加し、前記ゲートにも電圧を印加したときの前記第2次高調波光の強度とに基づいて、前記有機物に前記チャネル層が形成されるか否かを測定する、請求項1又は2に記載の有機半導体電界効果トランジスタの特性測定方法。
- 前記チャネル形成領域に入射される光は、レーザ光である、請求項1乃至請求項3に記載の有機半導体電界効果トランジスタの特性測定方法。
- 前記ソースと前記ドレインの間に位置する前記有機物が、ペンタセン、フタロシアニン、及びC60などの低分子量分子、ポリパラフェニレンビニレン、及びポリチオフェンなどの高分子のうちの一つ又はその組み合わせたものである、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機半導体電界効果トランジスタの特性測定方法。
- 光源と、
有機半導体電界効果トランジスタのゲートと、ソース−ドレイン間とに、電圧を印加する電源と、
前記電源によって電圧が印加された状態の有機半導体電界効果トランジスタにおいて、前記ソースと前記ドレインの間に位置する有機物層の内にあって、チャネル層が形成される可能性を有するチャネル形成領域に前記光源からの光を照射することによって、生成される第2次高調波光を検出する検出器と、を有し、
前記検出器は、
前記ドレイン−ソース間に電圧を印加したときの前記第2次高調波光の強度と、前記ドレイン−ソース間に電圧を印加し、前記ゲートにも電圧を印加したときの前記第2次高調波光の強度とに基づいて、前記チャネル形成領域におけるコンダクタンス及び/又は電界分布を測定する、
有機半導体電界効果トランジスタの評価装置。 - 前記光源は、レーザである、請求項6に記載の有機半導体電界効果トランジスタの評価装置。
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