JP5038979B2 - 脳表電極及びその製造方法、使用方法 - Google Patents
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G Schalk, K J Miller, N R Anderson, J A Wilson, M D Smyth, J G Ojemann, D W Moran, J R Wolpaw and E C Leuthardt, "Two-dimensional movement control using electrocorticographic signals in human", Journal of Neural Engineering, vol. 5, 2008, pp. 77-84. M. Schuettler, M. Praetorius, S. Kammer, B. Schick, T. Stieglitz, "Recording of Auditory Evoked Potentials in Rat Using a 60 Channel Polyimide Electrode Array: Preliminary Results", EMBS/BMES Conference, 2002. Proceedings of the Second Joint, 2002, pp. 2109-2110. J.-U. Meyer, M. Schuttler, H. Thielecke, T. Stieglitz,"Biomedical Microdevices for Neural Interfaces", 1st Annual International EMBS-BMES Special Topic Conference On Microtechnologies in Medicine and Biology, 2000, pp. 447 - 453.
(1)脳表電極によって脳活動を計測してマッピング後、脳表電極を脳表から剥離せずに、その計測結果に応じた特定の部位の脳内に針電極などの脳内挿入電極を刺入することができない。
図2に示したように、従来の製造工程では、電極を露出させ脳表電極を所定の形状に形成するために、柔軟絶縁材料をエッチングするステップS8からS19のプラズマエッチングやリアクティブイオンエッチング等のドライエッチング工程が不可欠である。そのため、従来の脳表電極の製造工程は非常に複雑でその作製は容易ではない。
従来の脳表電極の製造工程ではドライエッチング工程が不可欠であるが、このドライエッチングの影響により基板のアライメントマークが変形する。従来の製造工程では、複数工程においてアライメントマークを基準にマスクの位置決めが行われることから、アライメント誤差が生じて安定した微細加工を困難にしていた。
従来のパリレンやポリイミドなどを含む柔軟絶縁材料を所定の形状に加工するためには、プラズマエッチングやリアクティブイオンエッチング等のドライエッチング工程が不可欠である。しかしながら、ドライエッチング工程に必要なプラズマエッチング装置やリアクティブイオンエッチング装置とそれらの維持費は高価であり、脳表電極を廉価に作製することは困難である。
〔第1実施形態〕
まず、本発明の第1実施形態と説明する。
図3は第1実施形態の脳表電極1の全体構成を示す斜視図である。図4(a)は脳表電極1の計測領域110を示す平面図であり、図4(b)は図4(a)の部分拡大図である。図4(c)は脳表電極1のコネクタ電極領域120の部分拡大図である。図5(a)は図4(b)のA−A断面図であり、図5(b)は図4(b)のB−B断面図であり、図5(c)は図4(c)のC−C断面図である。まず、これらの図を用いて、本形態の脳表電極1の構成を説明する。
図6及び図7は第1実施形態の脳表電極1の製造方法を説明するための断面図であり、図8はその製造方法を説明するための流れ図である。なお、図6はネガ型の感光性絶縁材料及びフォトレジストを使用する場合の例を示し、図7はポジ型の感光性絶縁材料及びフォトレジストを使用する場合の例を示す。本形態の脳表電極1の製造工程は以下の通りである。
図9は、以上のように生成された脳表電極1のインピーダンス特性を示したグラフである。図9に示すように、以上のように生成された脳表電極1は電極領域111の直径に相関し、脳表での計測と刺激に適当なインピーダンス特性を有する。
次に、以上のように生成された脳表電極1のコネクタ端子への接続方法を説明する。
前述のように、コネクタ電極領域121は電極領域111と同一面側に露出しているが、本形態ではコネクタ電極領域121に貫通孔126を設けている。これにより、コネクタ端子を電極領域111と同一面又は反対面のどちらにも自由に接続できる。これにより、脳表電極1の脳表への配置の自由度が向上し、利便性が向上する。
次に、本形態の脳表電極1の使用方法を例示する。
図11(a)は、本形態の脳表電極1の使用方法を説明するための斜視図であり、図11(b)は、その部分拡大図である。また、図12は、本形態の脳表電極1が脳表260に配置され、計測が行われる様子を説明するための断面図である。
以上説明した通り、本形態では、脳表電極1の電極領域111ごとに貫通孔114を設けることとしたため、脳表電極1によって脳活動を計測してマッピング後、脳表電極1を脳表260から剥離せずに、その計測結果に応じた特定の部位の脳内270に脳内挿入電極250を刺入し、脳内270の直接的な計測や刺激を行うことができる。
次に、本発明の第2実施形態を説明する。本形態は第1実施形態の変形例であり、計測領域の構成のみが相違する。以下では第1実施形態との相違点のみを説明する。
本形態では、計測領域310を貫通する複数の貫通孔311を網目状に配置することとしたため、凹凸の存在する脳表260に各電極領域111を確実に密着させて配置することが可能となる。その結果、電極領域111が脳表260に接触しない状態で計測や刺激が行われたり、接触が十分でない状態で計測され雑音が混入したりすることを防止でき、安定した計測や刺激が可能となる。また、貫通孔311に脳組織を回復させるための薬剤を固着させておくことで、計測に伴って損傷した脳組織の回復を促進させることができる。
本発明の第3実施形態を説明する。本形態は第1,2実施形態の変形例であり、脳表電極の配線領域を多層化した形態である。これにより、電極チャネル数が増加しても脳表電極を小型に構成できる。以下では、本形態の製造工程を中心に説明する。なお、以下では、配線領域を2層に多層化する例を説明するが、これを3層以上に拡張することは容易である。また、以下では、ネガ型の感光性絶縁材料及びフォトレジストを使用する場合の例を示すが、ポジ型の感光性絶縁材料及びフォトレジストを使用してもよい。
従来の製造工程ではドライエッチング工程が必須であり、従来の製造工程で金属層を多層構造にする場合、層数に応じてドライエッチング工程の数も増加する。この場合、前述したドライエッチング工程に基づく、製造工程の複雑化やアイライメント誤差の増大の問題がより大きくなる。しかし、本形態では、絶縁層に感光性絶縁材料を用い、本発明独自の製造工程に従うことで、従来必要であったドライエッチング工程が不要となるため、脳表電極の金属層を多層に構成する場合でも、ドライエッチング工程に基づく前述の問題は生じない。そして、本形態のように、脳表電極の金属層を多層化することにより、脳表電極の面積を必要以上に大きくすることなく、電極チャネルの数を増加させることができる。これにより脳表電極の面積を縮小することで脳組織への侵襲を小さくすることができる。なお、脳表電極の絶縁層20以外の層は薄膜であり、脳表電極の層数を増やしても、電極領域と計測又は刺激対象との密着性の低下はほとんどない。
111,511 電極領域
113,513 配線領域
121 コネクタ電極領域
114,126,514 貫通孔
Claims (8)
- 平面状の脳表電極であって、
感光性絶縁材料からなる第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に配置された第1金属部と、
前記第1金属部の一部分を覆う感光性絶縁材料からなる第2絶縁層と、を有し、
当該脳表電極の表裏面を貫通した第1貫通孔が設けられ、
前記第1金属部は、外部に露出した第1電極領域と、前記第2絶縁層に覆われた第1配線領域と、を含み、
前記第1貫通孔は、脳内挿入電極を挿入するための貫通孔であり、
前記第1電極領域は、前記第1貫通孔の開口部の外周を環状に囲む領域であり、当該第1電極領域と当該第1貫通孔の開口部のエッジとの間には隙間が存在し、当該第1貫通孔の内壁面には前記第1金属部が露出しない、
ことを特徴とする脳表電極。 - 請求項1の脳表電極であって、
前記第1電極領域は、特定の閉じた領域である計測領域に配置され、
前記計測領域の前記第1電極領域を除く領域には、複数の第2貫通孔が網目状に配置されている、
ことを特徴とする脳表電極。 - 請求項1又は2の脳表電極であって、
当該脳表電極の表裏面を貫通した第3貫通孔がさらに設けられ、
前記第1金属部は、外部に露出したコネクタ電極領域をさらに含み、当該コネクタ電極領域と前記第1電極領域とは、同一面側に露出した領域であり、
少なくとも一部の前記コネクタ電極領域は、前記第3貫通孔の開口部の外周領域に配置される、
ことを特徴とする脳表電極。 - 請求項1から3の何れかの脳表電極であって、
前記第1絶縁層上には、互いに絶縁された複数の前記第1金属部が配置され、
前記複数の第1金属部の前記第1電極領域は、すべて、同一面側に露出した領域である、
ことを特徴とする脳表電極。 - 請求項1から4の何れかの脳表電極であって、
前記第1金属部と絶縁されて前記第2絶縁層上に配置された第2金属部と、前記第2金属部の一部分を覆う感光性絶縁材料からなる第3絶縁層と、をさらに有し、
当該脳表電極の表裏面を貫通した第4貫通孔がさらに設けられ、
前記第2金属部は、外部に露出した第2電極領域と、前記第3絶縁層に覆われた第2配線領域とを含み、
前記第4貫通孔は、脳内挿入電極を挿入するための貫通孔であり、
前記第2電極領域は、前記第4貫通孔の開口部の外周を環状に囲む領域であり、当該第3電極領域と当該第4貫通孔の開口部のエッジとの間には隙間が存在し、当該第4貫通孔の内壁面には前記第2金属部が露出せず、
前記第1金属部の前記第1電極領域と、前記第2金属部の前記第2電極領域とは、同一面側に露出した領域である、
ことを特徴とする脳表電極。 - 請求項1から5の何れかの脳表電極であって、
前記の各絶縁層は、感光性絶縁材料を露光及び現像することによって形状が加工された膜である、
ことを特徴とする脳表電極。 - (a)基板の表面に感光性絶縁材料からなる第1絶縁層を形成する工程と、
(b)脳内挿入電極を挿入するための第1貫通孔を含む形状に前記第1絶縁層を加工するための形状が描画されたマスクを用い、前記第1絶縁層を露光し、露光された前記第1絶縁層を現像して、前記第1貫通孔を含む形状に前記第1絶縁層を加工する工程と、
(c)工程(b)によって加工された前記第1絶縁層側の面全体に第1金属層を形成する工程と、
(d)前記第1金属層が形成された面全体に第1フォトレジスト層を形成する工程と、
(e)前記第1貫通孔の開口部よりも広い領域が除去された形状に前記第1フォトレジスト層を加工するための形状が描画されたマスクを用い、前記第1フォトレジスト層を露光し、露光された前記第1フォトレジスト層を現像し、前記第1フォトレジスト層を前記第1貫通孔の開口部よりも広い領域が除去された形状に加工する工程と、
(f)工程(e)で露光及び現像された前記第1フォトレジスト層が形成された前記金属層をエッチングし、前記第1貫通孔の開口部よりも広い領域が除去された形状に前記第1金属層を加工する工程と、
(g)前記第1フォトレジスト層を除去する工程と、
(h)工程(f)によって加工された前記第1金属層側の面全体に感光性絶縁材料からなる第2絶縁層を形成する工程と、
(i)前記第1金属層の第1配線領域を覆いつつ第1電極領域を露出させる形状に前記第2絶縁層を加工するための形状が描画されたマスクを用い、前記第2絶縁層を露光し、露光された前記第2絶縁層を現像して、前記第1金属層の第1配線領域を覆いつつ第1電極領域を露出させる形状に前記第2絶縁層を加工する工程と、
(j)前記基板を剥離する工程と、
を有する製造方法。 - 請求項1から5の何れかの脳表電極の使用方法であって、
前記脳表電極の第1電極領域を動物(人間を除く)の脳表に向けて配置して脳波を計測し、何れかの前記第1電極領域に外周を環状に囲まれた前記脳表電極の第1貫通孔に脳内挿入電極を挿入し、さらに当該脳内挿入電極を前記動物(人間を除く)の脳内に刺入して脳波の計測又は脳の刺激を行う、
ことを特定する脳表電極の使用方法。
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