JP5035329B2 - 光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、及び光ディスク記録再生プログラム - Google Patents
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Description
本発明は光ディスク記録再生装置及び光ディスク記録再生方法に係り、特に複数の記録層を持つ書き換え可能型の円盤状光記録媒体（光ディスク）にレーザ光で記録をする際に、テスト記録信号を記録再生して最適記録パワー条件を検出してから、ユーザデータを最適記録パワー条件で記録し再生する光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、及び光ディスク記録再生プログラムに関する。
光ディスク記録再生装置では、ＤＶＤ−Ｒディスク又はＤＶＤ−ＲＷディスク等の光デ
ィスクのデータ領域に対する実際の記録（実記録）の開始より前に、対象となる光ディス
クに対して記録条件を変えながら所定のテスト記録信号を試し書きし、試し書きした領域
を再生することにより、取得される再生テスト記録信号の特性に基づいて最適記録条件を
取得し、この最適記録条件によって実記録を行うようにしている。これにより、良好な記
録品質を得ることができる。試し書きした領域からの再生テスト記録信号に基づいて最適
記録条件を取得することを、最適記録パワー制御（ＯＰＣ：Optimum Power Control）と
呼ぶ。
ィスクのデータ領域に対する実際の記録（実記録）の開始より前に、対象となる光ディス
クに対して記録条件を変えながら所定のテスト記録信号を試し書きし、試し書きした領域
を再生することにより、取得される再生テスト記録信号の特性に基づいて最適記録条件を
取得し、この最適記録条件によって実記録を行うようにしている。これにより、良好な記
録品質を得ることができる。試し書きした領域からの再生テスト記録信号に基づいて最適
記録条件を取得することを、最適記録パワー制御（ＯＰＣ：Optimum Power Control）と
呼ぶ。
ところで、近年、記録容量の増加要求から２層の記録層を持つＤＶＤ−Ｒディスク、Ｄ
ＶＤ−ＲＷディスクの開発が進められている。図２０はこの２層ＤＶＤ−Ｒディスク、２
層ＤＶＤ−ＲＷディスクの一例の概略構造断面図を示す。同図に示すように、片面２層の
ＤＶＤ−Ｒディスク又はＤＶＤ−ＲＷディスクは、一層目記録層３０１と二層目記録層３
０２とが、記録再生時の光ビーム（レーザ光）３５２の光軸方向に積層されており、光ビ
ーム３５２は光ピックアップ内の対物レンズ３５１により一層目記録層３０１に集光され
るか、又は一層目記録層３０１を透過して二層目記録層３０２に集光される。
ＶＤ−ＲＷディスクの開発が進められている。図２０はこの２層ＤＶＤ−Ｒディスク、２
層ＤＶＤ−ＲＷディスクの一例の概略構造断面図を示す。同図に示すように、片面２層の
ＤＶＤ−Ｒディスク又はＤＶＤ−ＲＷディスクは、一層目記録層３０１と二層目記録層３
０２とが、記録再生時の光ビーム（レーザ光）３５２の光軸方向に積層されており、光ビ
ーム３５２は光ピックアップ内の対物レンズ３５１により一層目記録層３０１に集光され
るか、又は一層目記録層３０１を透過して二層目記録層３０２に集光される。
光ピックアップに近い方の上記の一層目記録層３０１の記録領域は、内周から外周へ向
かって、ＰＣＡ領域（Power Calibration Area）３１１、ＲＭＡ領域（Recording Manage
ment Area）３１２、リードイン領域（Ｌｅａｄ−Ｉｎ）３１３、データ領域（Ｄａｔａ
Ａｒｅａ）３１４及び中間領域（Ｍｉｄｄｌｅ Ａｒｅａ）３１５に分割されている。
また、上記の二層目記録層３０２の記録領域は、内周から外周へ向かって、ＰＣＡ領域３
２１、ＲＭＡ領域３２２、リードアウト領域（Ｌｅａｄ−Ｏｕｔ）３２３、データ領域（
Ｄａｔａ Ａｒｅａ）３２４及び中間領域（Ｍｉｄｄｌｅ Ａｒｅａ）３２５に分割され
ている。
かって、ＰＣＡ領域（Power Calibration Area）３１１、ＲＭＡ領域（Recording Manage
ment Area）３１２、リードイン領域（Ｌｅａｄ−Ｉｎ）３１３、データ領域（Ｄａｔａ
Ａｒｅａ）３１４及び中間領域（Ｍｉｄｄｌｅ Ａｒｅａ）３１５に分割されている。
また、上記の二層目記録層３０２の記録領域は、内周から外周へ向かって、ＰＣＡ領域３
２１、ＲＭＡ領域３２２、リードアウト領域（Ｌｅａｄ−Ｏｕｔ）３２３、データ領域（
Ｄａｔａ Ａｒｅａ）３２４及び中間領域（Ｍｉｄｄｌｅ Ａｒｅａ）３２５に分割され
ている。
最適記録条件を取得するＯＰＣ処理は、上記ＰＣＡ領域３１１及びＰＣＡ領域３２１を
用いて行われる。また、ＲＭＡ領域３１２及びＲＭＡ領域３２２は記録管理領域であり、
前記したリードイン領域３１３とデータ領域３１４、３２４とリードアウト領域３２３の
記録状態の変遷やＯＰＣ情報を管理するための情報が記録される。リードイン領域３１３
の一部は、コントロールデータゾーンと呼ばれる領域を持ち、そこにはディスクの大きさ
等のディスク全体の情報及び記録パワーや記録波形パターン、消去パワーの比率等の記録
する際の参考条件が、ディスク製造時にプリピットデータ情報として予め記録されている
。
用いて行われる。また、ＲＭＡ領域３１２及びＲＭＡ領域３２２は記録管理領域であり、
前記したリードイン領域３１３とデータ領域３１４、３２４とリードアウト領域３２３の
記録状態の変遷やＯＰＣ情報を管理するための情報が記録される。リードイン領域３１３
の一部は、コントロールデータゾーンと呼ばれる領域を持ち、そこにはディスクの大きさ
等のディスク全体の情報及び記録パワーや記録波形パターン、消去パワーの比率等の記録
する際の参考条件が、ディスク製造時にプリピットデータ情報として予め記録されている
。
また、ＤＶＤ−ＲディスクやＤＶＤ−ＲＷディスクなどの光ディスクのトラック溝には
、ディスク製造時のプリフォーマットの段階でディスク上のアドレス情報等がトラック溝
情報（ランドプリピット：ＬＰＰ）として記録されている（例えば、特許文献１参照）。
ＤＶＤ−ＲディスクやＤＶＤ−ＲＷディスクへの記録は、このＬＰＰのアドレス情報を基
にして行われる。ＬＰＰには、アドレス情報の他に、記録パワーや記録波形パターン等の
記録する際の参考条件が格納されている。
、ディスク製造時のプリフォーマットの段階でディスク上のアドレス情報等がトラック溝
情報（ランドプリピット：ＬＰＰ）として記録されている（例えば、特許文献１参照）。
ＤＶＤ−ＲディスクやＤＶＤ−ＲＷディスクへの記録は、このＬＰＰのアドレス情報を基
にして行われる。ＬＰＰには、アドレス情報の他に、記録パワーや記録波形パターン等の
記録する際の参考条件が格納されている。
一層目記録層３０１のデータ領域に実記録する前には、一層目記録層３０１のＰＣＡ領
域３１１でＯＰＣを行い、二層目記録層３０２のデータ領域に実記録する前には、二層目
記録層３０２のＰＣＡ領域３２１でＯＰＣを行う。最適記録パワーは一層目記録層３０１
と二層目記録層３０２の厚みが異なると共に、同じ光ディスクでも書込み時のパルススト
ラテジの違いやレーザ波形の違いなどにより最適パワーが異なる場合があり、ＯＰＣによ
って最適記録パワーを取得することが必要となる。
域３１１でＯＰＣを行い、二層目記録層３０２のデータ領域に実記録する前には、二層目
記録層３０２のＰＣＡ領域３２１でＯＰＣを行う。最適記録パワーは一層目記録層３０１
と二層目記録層３０２の厚みが異なると共に、同じ光ディスクでも書込み時のパルススト
ラテジの違いやレーザ波形の違いなどにより最適パワーが異なる場合があり、ＯＰＣによ
って最適記録パワーを取得することが必要となる。
ＤＶＤ−ＲＷディスクは、複数回の書き換えが可能な光ディスクであり、その記録層に
は相変化型の材料が用いられている。ＤＶＤ−ＲＷディスクの一層目記録層への記録には
、記録パワーが例えば図２１（Ａ）に示すように３値Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂに変化するレーザ
光が使用される。Ｐｗは書込パワー（以下、記録パワーともいう）で、このパワーのレー
ザ光によって光ディスクの記録層の状態が結晶状態からアモルファス状態に変化してピッ
トが形成される。Ｐｅは消去パワーで、このパワーＰｅのレーザ光によってアモルファス
状態から結晶状態に戻って古いピットが消去（オーバライト）される。Ｐｂはバイアスパ
ワーで、いわゆるパルス分割記録による分割パルスの底部のパワーに相当し、このパワー
Ｐｂのレーザ光により記録時に光ビーム照射による熱が拡散するのを防ぐ働きをする。図
２１（Ａ）のようにレーザ光のパワーが変化することによって、光ディスク上には同図（
Ｂ）に示すようなピットが形成される。
は相変化型の材料が用いられている。ＤＶＤ−ＲＷディスクの一層目記録層への記録には
、記録パワーが例えば図２１（Ａ）に示すように３値Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂに変化するレーザ
光が使用される。Ｐｗは書込パワー（以下、記録パワーともいう）で、このパワーのレー
ザ光によって光ディスクの記録層の状態が結晶状態からアモルファス状態に変化してピッ
トが形成される。Ｐｅは消去パワーで、このパワーＰｅのレーザ光によってアモルファス
状態から結晶状態に戻って古いピットが消去（オーバライト）される。Ｐｂはバイアスパ
ワーで、いわゆるパルス分割記録による分割パルスの底部のパワーに相当し、このパワー
Ｐｂのレーザ光により記録時に光ビーム照射による熱が拡散するのを防ぐ働きをする。図
２１（Ａ）のようにレーザ光のパワーが変化することによって、光ディスク上には同図（
Ｂ）に示すようなピットが形成される。
相変化型の光ディスクのＯＰＣを行う際の記録状態の良否を判定する特性パラメータと
して、例えば、アシンメトリ値（高周波数信号の非対称性を表すパラメータ）あるいは変
調度から得られる値γが用いられる（例えば、特許文献２参照）。特許文献２では、まず
消去パワー、バイアスパワーを固定して、書込パワー（記録パワー）を変化させてテスト
用記録信号を記録し、テスト用信号記録部分を再生して記録状態の良否を判定する特性パ
ラメータを測定することで、最適な書込パワーを求める。
して、例えば、アシンメトリ値（高周波数信号の非対称性を表すパラメータ）あるいは変
調度から得られる値γが用いられる（例えば、特許文献２参照）。特許文献２では、まず
消去パワー、バイアスパワーを固定して、書込パワー（記録パワー）を変化させてテスト
用記録信号を記録し、テスト用信号記録部分を再生して記録状態の良否を判定する特性パ
ラメータを測定することで、最適な書込パワーを求める。
次に、その書込パワーを用い、バイアスパワーを固定して、消去パワーを変化させてテ
スト用記録信号を記録し、そのテスト用記録信号記録部分を再生して記録状態の良否を判
定する特性パラメータを測定することで、最適な消去パワーを求める。最後に、それらの
書込パワー、消去パワーを用い、バイアスパワーを変化させてテスト用記録信号を書込み
、そのテスト用記録信号記録部分を再生して記録状態の良否を判定する特性パラメータを
測定することで、最適なバイアスパワーを求める。
スト用記録信号を記録し、そのテスト用記録信号記録部分を再生して記録状態の良否を判
定する特性パラメータを測定することで、最適な消去パワーを求める。最後に、それらの
書込パワー、消去パワーを用い、バイアスパワーを変化させてテスト用記録信号を書込み
、そのテスト用記録信号記録部分を再生して記録状態の良否を判定する特性パラメータを
測定することで、最適なバイアスパワーを求める。
以上のようにして求めた書込パワー、消去パワー、バイアスパワーに基づいて、データ
領域に実際のユーザデータの記録（実記録）を行う方法が特許文献２に記載されている。
また、特許文献２には記録状態の良否を判定する特性パラメータとして、アシンメトリ値
βあるいはγ値、あるいはエラーレートを用いることが述べられている。
領域に実際のユーザデータの記録（実記録）を行う方法が特許文献２に記載されている。
また、特許文献２には記録状態の良否を判定する特性パラメータとして、アシンメトリ値
βあるいはγ値、あるいはエラーレートを用いることが述べられている。
しかしながら、２層の記録層をもった書き換え型の光ディスクについて、例えば特許文
献２記載の従来の単層のＤＶＤ−ＲＷの光ディスクと同様な最適記録条件を取得する手法
を試みたところ、特に２層の記録層のうち光ピックアップに近い方の一層目記録層におい
て繰り返し記録の回数によりＲＦ信号の再生特性が記録回数１回目と２回目と３回目で異
なる傾向を示し、このままの方法では検出した結果にバラツキがあるために最適な記録品
質の確保が難しいという問題が生じた。記録回数４〜５回目以降は安定したＲＦ信号の再
生特性が得られている。
献２記載の従来の単層のＤＶＤ−ＲＷの光ディスクと同様な最適記録条件を取得する手法
を試みたところ、特に２層の記録層のうち光ピックアップに近い方の一層目記録層におい
て繰り返し記録の回数によりＲＦ信号の再生特性が記録回数１回目と２回目と３回目で異
なる傾向を示し、このままの方法では検出した結果にバラツキがあるために最適な記録品
質の確保が難しいという問題が生じた。記録回数４〜５回目以降は安定したＲＦ信号の再
生特性が得られている。
図２２は同一の記録条件を用いて記録を行った場合の記録回数と再生ジッタの測定結果
を示す。同図から分かるように、特に２回目の記録時の再生ジッタが比較的悪く、１０回
目以降１０００回以上にわたって比較的良好な再生ジッタとなっている。ここで、再生ジ
ッタとは、一般には再生信号から位相同期ループ（ＰＬＬ）回路で生成したクロックと、
再生信号を２値化した信号の、クロックに対する立ち上がりと立下りの両エッジの差の時
間を積分し平均化した値を、クロック周期で除算した値に１００を乗じた値（単位％）で
あり、再生ジッタの値が小さいほど良好な再生状態であるといえる。
を示す。同図から分かるように、特に２回目の記録時の再生ジッタが比較的悪く、１０回
目以降１０００回以上にわたって比較的良好な再生ジッタとなっている。ここで、再生ジ
ッタとは、一般には再生信号から位相同期ループ（ＰＬＬ）回路で生成したクロックと、
再生信号を２値化した信号の、クロックに対する立ち上がりと立下りの両エッジの差の時
間を積分し平均化した値を、クロック周期で除算した値に１００を乗じた値（単位％）で
あり、再生ジッタの値が小さいほど良好な再生状態であるといえる。
また、図２３（Ａ）、（Ｂ）に、記録パワーＰｗと再生ジッタとの測定結果、及び消去
パワーＰeと再生ジッタとの測定結果を示す。図２３（Ａ）、（Ｂ）から分かるように、
記録パワーＰｗ又は消去パワーＰｅの変化によって、再生ジッタが大きく変化することが
分かる。また、図２３（Ｂ）に示す消去パワーと再生ジッタの特性では、１回目の記録時
（イニシャル時）の再生ジッタが最小となる最適な消去パワーＰｅと、書換え回数（オー
バーライト回数）１回目（ＤＯＷ１）及び１０回目（ＤＯＷ１０）の記録時の再生ジッタ
が最小となる最適な消去パワーＰｅには差があることが分かる。
パワーＰeと再生ジッタとの測定結果を示す。図２３（Ａ）、（Ｂ）から分かるように、
記録パワーＰｗ又は消去パワーＰｅの変化によって、再生ジッタが大きく変化することが
分かる。また、図２３（Ｂ）に示す消去パワーと再生ジッタの特性では、１回目の記録時
（イニシャル時）の再生ジッタが最小となる最適な消去パワーＰｅと、書換え回数（オー
バーライト回数）１回目（ＤＯＷ１）及び１０回目（ＤＯＷ１０）の記録時の再生ジッタ
が最小となる最適な消去パワーＰｅには差があることが分かる。
小なる値の再生ジッタが得られる記録パワーの許容範囲、すなわち、再生ジッタに対す
る記録パワーの余裕度は、図２３（Ａ）から比較的広いことが分かる。これに対して消去
パワーの余裕度は図２３（Ｂ）から書き換え回数により最適消去パワーが変化すると共に
、最適消去パワーの許容範囲が狭いことが分かる。例えば図２３（Ａ）及び（Ｂ）より書
き換え回数１０回目（ＤＯＷ１０）の場合、ジッタ９％以内で許容される記録パワーと消
去パワーの設定誤差の範囲を見ると、記録パワーが約±２.２ｍＷ、消去パワーは約±０.
４ｍＷであり、特に消去パワーのパワー設定の誤差がジッタの悪化に影響し易いことが分
かる。
る記録パワーの余裕度は、図２３（Ａ）から比較的広いことが分かる。これに対して消去
パワーの余裕度は図２３（Ｂ）から書き換え回数により最適消去パワーが変化すると共に
、最適消去パワーの許容範囲が狭いことが分かる。例えば図２３（Ａ）及び（Ｂ）より書
き換え回数１０回目（ＤＯＷ１０）の場合、ジッタ９％以内で許容される記録パワーと消
去パワーの設定誤差の範囲を見ると、記録パワーが約±２.２ｍＷ、消去パワーは約±０.
４ｍＷであり、特に消去パワーのパワー設定の誤差がジッタの悪化に影響し易いことが分
かる。
また、図２４は、記録パワーに対する消去パワーの比率（以下、これをεという）と再
生ジッタとの関係を、単層ＤＶＤ−ＲＷと、Ａ社とＢ社とＣ社の各２層のＤＶＤ−ＲＷの
一層目記録層のそれぞれについて示した特性図である。図２４から分かるように、εは単
層ＤＶＤ−ＲＷの再生ジッタに比べて、２層のＤＶＤ−ＲＷの一層目記録層に対する再生
ジッタの許容範囲の余裕度が極めて狭く、また、２層のＤＶＤ−ＲＷ同士でもメーカー（
Ａ社、Ｂ社、Ｃ社）によって上記の余裕度が若干異なる。
生ジッタとの関係を、単層ＤＶＤ−ＲＷと、Ａ社とＢ社とＣ社の各２層のＤＶＤ−ＲＷの
一層目記録層のそれぞれについて示した特性図である。図２４から分かるように、εは単
層ＤＶＤ−ＲＷの再生ジッタに比べて、２層のＤＶＤ−ＲＷの一層目記録層に対する再生
ジッタの許容範囲の余裕度が極めて狭く、また、２層のＤＶＤ−ＲＷ同士でもメーカー（
Ａ社、Ｂ社、Ｃ社）によって上記の余裕度が若干異なる。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、多層光ディスクの光ピックアップに最も近い一層目記録層に着目して、特に消去パワーの設定誤差を少なくして、記録後の再生ジッタが最良状態となる最適な記録条件を検出できる光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、及び光ディスク記録再生プログラムを提供することを目的とする。
そこで、上記課題を解決するために本発明は、以下の装置、方法、及びプログラムを提供する。
（１） 多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、パワーを設定したレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、
所定の記録条件で、前記記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、前記記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、前記記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した前記記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーの各値を用いて前記レーザ光により前記光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する記録手段と、
前記記録手段により前記テスト記録信号を記録した前記光ディスクの領域を、設定した前記消去パワーに関連したパワー値を複数の段階に変化させたＤＣ消去パワーの前記レーザ光により記録を行うＤＣ消去手段と、
前記ＤＣ消去手段により記録を行った領域を再生して、その再生信号の変調度から正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値を、ＤＣ消去パワーの値をＰｅ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅに対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値をｍ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅと異なる段階のＤＣ消去パワーの値との変化量をｄＰｅ、変調度の値ｍと前記異なる段階のＤＣ消去パワーの値に対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値との変化量をｄｍとしたとき、
γ(Pe)＝（ｄｍ／ｄＰｅ）×(Ｐｅ／ｍ)
なる式に基づいて前記γ値を算出する記録状態検出手段と、
前記式に基づいて前記γ値が最小値となるときのＤＣ消去パワー値を検出値として判定する判定手段と、
前記判定手段で判定した検出値に、前記光ディスクに対応して予め定められた係数を乗算して光ディスク記録時の最適な消去パワーの値を求める演算手段と、
を備えたことを特徴とする光ディスク記録再生装置。
（２） 多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、パワーを設定したレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生方法において、
所定の記録条件で、前記記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、前記記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、前記記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した前記記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーの各値を用いて前記レーザ光により前記光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する第１のステップと、
前記第１のステップにより前記テスト記録信号を記録した前記光ディスクの領域を、設定した前記消去パワーに関連したパワー値を複数の段階に変化させたＤＣ消去パワーの前記レーザ光により記録を行う第２のステップと、
前記第２のステップにより記録を行った領域を再生して、その再生信号の変調度から正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値を、ＤＣ消去パワーの値をＰｅ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅに対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値をｍ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅと異なる段階のＤＣ消去パワーの値との変化量をｄＰｅ、変調度の値ｍと前記異なる段階のＤＣ消去パワーの値に対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値との変化量をｄｍとしたとき、
γ(Pe)＝（ｄｍ／ｄＰｅ）×(Ｐｅ／ｍ)
なる式に基づいて算出する第３のステップと、
前記式に基づいて前記γ値が最小値となるときのＤＣ消去パワー値を検出値として判定する第４のステップと、
前記第４のステップで判定した検出値に、前記光ディスクに対応して予め定められた係数を乗算して光ディスク記録時の最適な消去パワーの値を求める第５のステップと、
を備えたことを特徴とする光ディスク記録再生方法。
（３） 多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、レーザ光による記録／再生を行う記録再生手段をコンピュータにより制御するための光ディスク記録再生プログラムであって、
所定の記録条件で、前記記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、前記記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、前記記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した前記記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーの各値を用いて前記レーザ光により前記光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録するように前記記録再生手段に指示する第１のステップと、
前記第１のステップにより前記テスト記録信号を記録した前記光ディスクの領域を、設定した前記消去パワーに関連したパワー値を複数の段階に変化させたＤＣ消去パワーの前記レーザ光により記録を行うように前記記録再生手段に指示する第２のステップと、
前記第２のステップにより記録を行った領域を再生するように前記記録再生手段に指示して、その再生信号の変調度から正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値を、ＤＣ消去パワーの値をＰｅ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅに対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値をｍ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅと異なる段階のＤＣ消去パワーの値との変化量をｄＰｅ、変調度の値ｍと前記異なる段階のＤＣ消去パワーの値に対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値との変化量をｄｍとしたとき、
γ(Pe)＝（ｄｍ／ｄＰｅ）×(Ｐｅ／ｍ)
なる式に基づいて算出する第３のステップと、
前記式に基づいて前記γ値が最小値となるときのＤＣ消去パワー値を検出値として判定する第４のステップと、
前記第４のステップで判定した検出値に、前記光ディスクに対応して予め定められた係数を乗算して光ディスク記録時の最適な消去パワーの値を求める第５のステップと、
をコンピュータに実行させることを特徴とする光ディスク記録再生プログラム。
（１） 多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、パワーを設定したレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、
所定の記録条件で、前記記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、前記記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、前記記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した前記記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーの各値を用いて前記レーザ光により前記光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する記録手段と、
前記記録手段により前記テスト記録信号を記録した前記光ディスクの領域を、設定した前記消去パワーに関連したパワー値を複数の段階に変化させたＤＣ消去パワーの前記レーザ光により記録を行うＤＣ消去手段と、
前記ＤＣ消去手段により記録を行った領域を再生して、その再生信号の変調度から正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値を、ＤＣ消去パワーの値をＰｅ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅに対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値をｍ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅと異なる段階のＤＣ消去パワーの値との変化量をｄＰｅ、変調度の値ｍと前記異なる段階のＤＣ消去パワーの値に対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値との変化量をｄｍとしたとき、
γ(Pe)＝（ｄｍ／ｄＰｅ）×(Ｐｅ／ｍ)
なる式に基づいて前記γ値を算出する記録状態検出手段と、
前記式に基づいて前記γ値が最小値となるときのＤＣ消去パワー値を検出値として判定する判定手段と、
前記判定手段で判定した検出値に、前記光ディスクに対応して予め定められた係数を乗算して光ディスク記録時の最適な消去パワーの値を求める演算手段と、
を備えたことを特徴とする光ディスク記録再生装置。
（２） 多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、パワーを設定したレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生方法において、
所定の記録条件で、前記記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、前記記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、前記記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した前記記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーの各値を用いて前記レーザ光により前記光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する第１のステップと、
前記第１のステップにより前記テスト記録信号を記録した前記光ディスクの領域を、設定した前記消去パワーに関連したパワー値を複数の段階に変化させたＤＣ消去パワーの前記レーザ光により記録を行う第２のステップと、
前記第２のステップにより記録を行った領域を再生して、その再生信号の変調度から正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値を、ＤＣ消去パワーの値をＰｅ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅに対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値をｍ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅと異なる段階のＤＣ消去パワーの値との変化量をｄＰｅ、変調度の値ｍと前記異なる段階のＤＣ消去パワーの値に対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値との変化量をｄｍとしたとき、
γ(Pe)＝（ｄｍ／ｄＰｅ）×(Ｐｅ／ｍ)
なる式に基づいて算出する第３のステップと、
前記式に基づいて前記γ値が最小値となるときのＤＣ消去パワー値を検出値として判定する第４のステップと、
前記第４のステップで判定した検出値に、前記光ディスクに対応して予め定められた係数を乗算して光ディスク記録時の最適な消去パワーの値を求める第５のステップと、
を備えたことを特徴とする光ディスク記録再生方法。
（３） 多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、レーザ光による記録／再生を行う記録再生手段をコンピュータにより制御するための光ディスク記録再生プログラムであって、
所定の記録条件で、前記記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、前記記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、前記記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した前記記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーの各値を用いて前記レーザ光により前記光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録するように前記記録再生手段に指示する第１のステップと、
前記第１のステップにより前記テスト記録信号を記録した前記光ディスクの領域を、設定した前記消去パワーに関連したパワー値を複数の段階に変化させたＤＣ消去パワーの前記レーザ光により記録を行うように前記記録再生手段に指示する第２のステップと、
前記第２のステップにより記録を行った領域を再生するように前記記録再生手段に指示して、その再生信号の変調度から正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値を、ＤＣ消去パワーの値をＰｅ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅに対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値をｍ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅと異なる段階のＤＣ消去パワーの値との変化量をｄＰｅ、変調度の値ｍと前記異なる段階のＤＣ消去パワーの値に対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値との変化量をｄｍとしたとき、
γ(Pe)＝（ｄｍ／ｄＰｅ）×(Ｐｅ／ｍ)
なる式に基づいて算出する第３のステップと、
前記式に基づいて前記γ値が最小値となるときのＤＣ消去パワー値を検出値として判定する第４のステップと、
前記第４のステップで判定した検出値に、前記光ディスクに対応して予め定められた係数を乗算して光ディスク記録時の最適な消去パワーの値を求める第５のステップと、
をコンピュータに実行させることを特徴とする光ディスク記録再生プログラム。
さらに、以下のような装置及び方法としてもよい。
(a) 上記の目的を達成するため、多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、設定したパワーのレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、所定の記録条件で、記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーを所定の順序で変化させたレーザ光により、光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する第１設定の記録手段と、第１設定の記録手段によりテスト記録信号を記録した光ディスクの領域を、設定した消去パワーに関連したパワーを基準とし、かつ、レベルが段階的に変化する消去パワーであるＤＣ消去パワーのみのレーザ光により記録を行うＤＣ消去手段と、テスト記録信号を記録した光ディスクの領域を再生して、その再生信号の変調度、変調度の正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値、及び再生信号の非対称性を表すパラメータ（β値又はアシンメトリ値）のうちの少なくとも１つを検出する記録状態検出手段と、ＤＣ消去パワー用の判定手段と、消去パワー用の演算手段と、第２設定の記録手段と、記録パワー用の判定手段と、記録パワー用の演算手段とを備え、光ディスク記録時の最適な消去パワーの値と記録パワーの値を導き出すようにしたことを特徴とする。
(b) ここで、上記のＤＣ消去パワー用の判定手段は、ＤＣ消去手段でＤＣ消去パワーで記録を行った、消去パワーが互いに異なる複数の領域を再生して、記録状態検出手段がそれぞれ検出した値の中で、ＤＣ消去パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する検出値を判定する。また、上記の消去パワー用の演算手段は、ＤＣ消去パワー用の判定手段で検出値が一致した領域でのＤＣ消去パワー値に、所定の第１の係数を乗算して最適な消去パワーのレベルを求める。上記の第２設定の記録手段は、第１設定の記録手段の消去パワーの設定値を消去パワー用の演算手段で検出した消去パワーの値に変更し、光ディスクのＤＣ消去手段で記録した領域とは異なる領域に、記録パワーのみを可変したレーザ光により、テスト記録信号を記録する。また、上記の記録パワー用の判定手段は、第２設定の記録手段で記録を行った領域を再生して記録状態検出手段が検出した値が記録パワー用の所定の検出値もしくは検出条件と一致したかを判定する。更に、上記の記録パワー用の演算手段は、記録パワー用の判定手段で検出値が一致した領域での記録パワー値に、所定の第２の係数を乗算して最適な記録パワーのレベルを求める。
(c) また、上記の目的を達成するため、多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、レーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、設定した記録パワーと消去パワーとの比率を一定に固定したまま、記録パワーと消去パワーとを可変し、かつ、固定のバイアスパワーとを組み合わせたレーザ光により、光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する第３設定の記録手段と、テスト記録信号を記録した光ディスクの領域を再生して、その再生信号の変調度、変調度の正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値、及び再生信号の非対称性を表すパラメータ（β値又はアシンメトリ値）のうちの少なくとも１つを検出する記録状態検出手段と、第３設定の記録手段により記録パワーと消去パワーとを可変しながらテスト記録信号を記録した複数の領域から記録状態検出手段がそれぞれ検出した値の中で、記録パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する検出値を判定する記録パワー用の判定手段と、記録パワー用の判定手段で検出値が一致した領域での記録パワー値に、所定の第３の係数を乗算して最適な記録パワーのレベルを求める記録パワー用の演算手段と、光ディスクの第３設定の記録手段でテスト記録信号を記録した領域とは異なる領域に、記録パワーのみを可変したレーザ光により、テスト記録信号を記録する第４設定の記録手段と、第４設定の記録手段によりテスト記録信号を記録した光ディスクの領域を、設定した消去パワーに関連したパワーを基準とし、かつ、レベルが段階的に変化する消去パワーであるＤＣ消去パワーのみのレーザ光により記録を行うＤＣ消去手段と、ＤＣ消去手段で記録した領域を再生して、記録状態検出手段が検出した値が消去パワー用の所定の検出値もしくは検出条件と一致したことを判定する消去パワー用の判定手段と、消去パワー用の判定手段で検出値が一致した領域での消去パワー値に、所定の第４の係数を乗算して最適な消去パワーのレベルを求める消去パワー用の演算手段とを備え、光ディスク記録時の最適な記録パワーの値と消去パワーの値を導き出すようにしたことを特徴とする。
(d) 上記の(a)又は(c)では、多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対してレーザ光の最適な記録パワーを求めるために、特に多層の記録層のうちレーザ光が最初に入射する側の一層目記録層の消去パワーのマージンが少なく、最適な記録を行うためには精度の良い消去パワーの検出が必要であることに着目し、光ディスクのテスト記録信号の一層目記録層の記録領域を、消去パワーのみでレベルを段階的に可変させたレーザ光により記録するＤＣ消去を行うことにより、徐々にテスト記録信号を消去していき、この消去した領域を再生しながら記録状態検出手段で再生信号の変調度、変調度の正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値、及び再生信号の非対称性を表すパラメータ（β値又はアシンメトリ値）のうちの少なくとも１つを検出する。
(e) ここで、上記のＤＣ消去によりテスト記録信号が完全に消去される少し手前で特性が急峻に変化し、消去が急激に行われるポイントがある。また、このポイントはテスト記録信号の繰り返し記録回数に殆ど依存することがない。そこで、以上の点に着目し、上記のポイントを検出し、その検出値が消去パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する領域の消去パワーを求め、その消去パワーを基準にして一定の係数を乗算することで最適であると判断される消去パワーを導き出す。このようにして導き出した消去パワーは精度が高く、本来の最適な消去パワーに対して誤差が２％以内という実験結果が得られている。そこで、この消去パワーを求めてから次のステップでこの消去パワーを固定値として記録パワーを可変して最適な記録パワーを求める。
(f) 又は、レーザ光の記録パワーを可変しながらテスト記録信号を記録した領域を再生し、再生した信号から記録パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する領域の記録パワーを求め、その記録パワーを基準にして一定の係数を乗算することで最適であると判断される記録パワーを導き出す。そして、次のステップで、記録パワーのみを可変してテスト記録信号を記録してその領域をＤＣ消去した後、再生信号から消去が急激に行われるポイントを検出し、その検出値が消去パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する領域の消去パワーを求め、その消去パワーを基準にして一定の係数を乗算することで最適であると判断される消去パワーを導き出す。
(g) また、上記の目的を達成するため、消去パワー用の演算手段により算出した最適な消去パワーのレベルと、記録パワー用の演算手段により算出した最適な記録パワーのレベルとに基づいて、記録パワーと消去パワーとの比率を算出する比率演算手段と、少なくとも比率演算手段により算出された記録パワーと消去パワーとの比率を、光ディスクの種別情報と共に格納する装置メモリとを更に有することを特徴とする。ここで、比率演算手段により算出された記録パワーと消去パワーとの比率を、比率記録手段により光ディスクの所定の領域に記録するようにしてもよい。
(h) また、上記の目的を達成するため、(a)における第２設定の記録手段及び第２設定の記録手段で記録した領域は、第１設定の記録手段及び第１設定の記録手段で記録した領域を代用することを特徴とする。また、(c)における第４設定の記録手段及び第４設定の記録手段で記録した領域は、第３設定の記録手段及び第３設定の記録手段で記録した領域を代用することを特徴とする。第２設定の記録手段及びそれにより記録した領域、又は第４設定の記録手段及びそれにより記録した領域が省略できる。
(i) また、上記の目的を達成するため、記録手段によって光ディスクにテスト記録を行う前に、所定の初期化パワーでＤＣ消去を行う初期化手段を更に有することを特徴とする。ここで、上記の初期化手段は、光ディスクに最適な消去パワー又は推奨の消去パワーの１．５倍から２.５倍の値に設定してＤＣ消去することを特徴とする。また、ＤＣ消去を実行した場合、光ディスクの記録管理エリアに初期化処理の実行済みのフラグを光ディスク情報データとして書き込むようにしてもよい。
(j) また、上記の目的を達成するため、光ディスク記録再生方法は、(a)又は(c)の光ディスク記録再生装置に対応する記録再生を行う。また、上記の目的を達成するため、光記録媒体は、(a)又は(c)の光ディスク記録再生装置により情報が記録又は再生される記録層が、記録又は再生用のレーザ光の光軸方向に複数積層された多層構造の書き換え可能なディスク状光記録媒体であって、複数の記録層の各々は、
レーザ光の最適記録パワーを求めるためのテスト記録信号が記録再生される第１の領域
と、記録管理情報が記録される第２の領域と、ユーザデータが記録再生される第３の領域
とを少なくとも有し、少なくとも第１及び第２の係数、又は第３及び第４の係数が、製造
段階で第１乃至第３の領域のうちの少なくとも一の領域内のプリピットエリア又はトラッ
ク溝に、消去されない形態で予め記録されていることを特徴とする。
(k) また、上記の目的を達成するため、光ディスク記録再生プログラムは、光ディスク記録再生方法の各ステップを、コンピュータに実行させることを特徴とする。
(a) 上記の目的を達成するため、多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、設定したパワーのレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、所定の記録条件で、記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーを所定の順序で変化させたレーザ光により、光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する第１設定の記録手段と、第１設定の記録手段によりテスト記録信号を記録した光ディスクの領域を、設定した消去パワーに関連したパワーを基準とし、かつ、レベルが段階的に変化する消去パワーであるＤＣ消去パワーのみのレーザ光により記録を行うＤＣ消去手段と、テスト記録信号を記録した光ディスクの領域を再生して、その再生信号の変調度、変調度の正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値、及び再生信号の非対称性を表すパラメータ（β値又はアシンメトリ値）のうちの少なくとも１つを検出する記録状態検出手段と、ＤＣ消去パワー用の判定手段と、消去パワー用の演算手段と、第２設定の記録手段と、記録パワー用の判定手段と、記録パワー用の演算手段とを備え、光ディスク記録時の最適な消去パワーの値と記録パワーの値を導き出すようにしたことを特徴とする。
(b) ここで、上記のＤＣ消去パワー用の判定手段は、ＤＣ消去手段でＤＣ消去パワーで記録を行った、消去パワーが互いに異なる複数の領域を再生して、記録状態検出手段がそれぞれ検出した値の中で、ＤＣ消去パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する検出値を判定する。また、上記の消去パワー用の演算手段は、ＤＣ消去パワー用の判定手段で検出値が一致した領域でのＤＣ消去パワー値に、所定の第１の係数を乗算して最適な消去パワーのレベルを求める。上記の第２設定の記録手段は、第１設定の記録手段の消去パワーの設定値を消去パワー用の演算手段で検出した消去パワーの値に変更し、光ディスクのＤＣ消去手段で記録した領域とは異なる領域に、記録パワーのみを可変したレーザ光により、テスト記録信号を記録する。また、上記の記録パワー用の判定手段は、第２設定の記録手段で記録を行った領域を再生して記録状態検出手段が検出した値が記録パワー用の所定の検出値もしくは検出条件と一致したかを判定する。更に、上記の記録パワー用の演算手段は、記録パワー用の判定手段で検出値が一致した領域での記録パワー値に、所定の第２の係数を乗算して最適な記録パワーのレベルを求める。
(c) また、上記の目的を達成するため、多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、レーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、設定した記録パワーと消去パワーとの比率を一定に固定したまま、記録パワーと消去パワーとを可変し、かつ、固定のバイアスパワーとを組み合わせたレーザ光により、光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する第３設定の記録手段と、テスト記録信号を記録した光ディスクの領域を再生して、その再生信号の変調度、変調度の正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値、及び再生信号の非対称性を表すパラメータ（β値又はアシンメトリ値）のうちの少なくとも１つを検出する記録状態検出手段と、第３設定の記録手段により記録パワーと消去パワーとを可変しながらテスト記録信号を記録した複数の領域から記録状態検出手段がそれぞれ検出した値の中で、記録パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する検出値を判定する記録パワー用の判定手段と、記録パワー用の判定手段で検出値が一致した領域での記録パワー値に、所定の第３の係数を乗算して最適な記録パワーのレベルを求める記録パワー用の演算手段と、光ディスクの第３設定の記録手段でテスト記録信号を記録した領域とは異なる領域に、記録パワーのみを可変したレーザ光により、テスト記録信号を記録する第４設定の記録手段と、第４設定の記録手段によりテスト記録信号を記録した光ディスクの領域を、設定した消去パワーに関連したパワーを基準とし、かつ、レベルが段階的に変化する消去パワーであるＤＣ消去パワーのみのレーザ光により記録を行うＤＣ消去手段と、ＤＣ消去手段で記録した領域を再生して、記録状態検出手段が検出した値が消去パワー用の所定の検出値もしくは検出条件と一致したことを判定する消去パワー用の判定手段と、消去パワー用の判定手段で検出値が一致した領域での消去パワー値に、所定の第４の係数を乗算して最適な消去パワーのレベルを求める消去パワー用の演算手段とを備え、光ディスク記録時の最適な記録パワーの値と消去パワーの値を導き出すようにしたことを特徴とする。
(d) 上記の(a)又は(c)では、多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対してレーザ光の最適な記録パワーを求めるために、特に多層の記録層のうちレーザ光が最初に入射する側の一層目記録層の消去パワーのマージンが少なく、最適な記録を行うためには精度の良い消去パワーの検出が必要であることに着目し、光ディスクのテスト記録信号の一層目記録層の記録領域を、消去パワーのみでレベルを段階的に可変させたレーザ光により記録するＤＣ消去を行うことにより、徐々にテスト記録信号を消去していき、この消去した領域を再生しながら記録状態検出手段で再生信号の変調度、変調度の正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値、及び再生信号の非対称性を表すパラメータ（β値又はアシンメトリ値）のうちの少なくとも１つを検出する。
(e) ここで、上記のＤＣ消去によりテスト記録信号が完全に消去される少し手前で特性が急峻に変化し、消去が急激に行われるポイントがある。また、このポイントはテスト記録信号の繰り返し記録回数に殆ど依存することがない。そこで、以上の点に着目し、上記のポイントを検出し、その検出値が消去パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する領域の消去パワーを求め、その消去パワーを基準にして一定の係数を乗算することで最適であると判断される消去パワーを導き出す。このようにして導き出した消去パワーは精度が高く、本来の最適な消去パワーに対して誤差が２％以内という実験結果が得られている。そこで、この消去パワーを求めてから次のステップでこの消去パワーを固定値として記録パワーを可変して最適な記録パワーを求める。
(f) 又は、レーザ光の記録パワーを可変しながらテスト記録信号を記録した領域を再生し、再生した信号から記録パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する領域の記録パワーを求め、その記録パワーを基準にして一定の係数を乗算することで最適であると判断される記録パワーを導き出す。そして、次のステップで、記録パワーのみを可変してテスト記録信号を記録してその領域をＤＣ消去した後、再生信号から消去が急激に行われるポイントを検出し、その検出値が消去パワー用の所定の検出値若しくは検出条件と一致する領域の消去パワーを求め、その消去パワーを基準にして一定の係数を乗算することで最適であると判断される消去パワーを導き出す。
(g) また、上記の目的を達成するため、消去パワー用の演算手段により算出した最適な消去パワーのレベルと、記録パワー用の演算手段により算出した最適な記録パワーのレベルとに基づいて、記録パワーと消去パワーとの比率を算出する比率演算手段と、少なくとも比率演算手段により算出された記録パワーと消去パワーとの比率を、光ディスクの種別情報と共に格納する装置メモリとを更に有することを特徴とする。ここで、比率演算手段により算出された記録パワーと消去パワーとの比率を、比率記録手段により光ディスクの所定の領域に記録するようにしてもよい。
(h) また、上記の目的を達成するため、(a)における第２設定の記録手段及び第２設定の記録手段で記録した領域は、第１設定の記録手段及び第１設定の記録手段で記録した領域を代用することを特徴とする。また、(c)における第４設定の記録手段及び第４設定の記録手段で記録した領域は、第３設定の記録手段及び第３設定の記録手段で記録した領域を代用することを特徴とする。第２設定の記録手段及びそれにより記録した領域、又は第４設定の記録手段及びそれにより記録した領域が省略できる。
(i) また、上記の目的を達成するため、記録手段によって光ディスクにテスト記録を行う前に、所定の初期化パワーでＤＣ消去を行う初期化手段を更に有することを特徴とする。ここで、上記の初期化手段は、光ディスクに最適な消去パワー又は推奨の消去パワーの１．５倍から２.５倍の値に設定してＤＣ消去することを特徴とする。また、ＤＣ消去を実行した場合、光ディスクの記録管理エリアに初期化処理の実行済みのフラグを光ディスク情報データとして書き込むようにしてもよい。
(j) また、上記の目的を達成するため、光ディスク記録再生方法は、(a)又は(c)の光ディスク記録再生装置に対応する記録再生を行う。また、上記の目的を達成するため、光記録媒体は、(a)又は(c)の光ディスク記録再生装置により情報が記録又は再生される記録層が、記録又は再生用のレーザ光の光軸方向に複数積層された多層構造の書き換え可能なディスク状光記録媒体であって、複数の記録層の各々は、
レーザ光の最適記録パワーを求めるためのテスト記録信号が記録再生される第１の領域
と、記録管理情報が記録される第２の領域と、ユーザデータが記録再生される第３の領域
とを少なくとも有し、少なくとも第１及び第２の係数、又は第３及び第４の係数が、製造
段階で第１乃至第３の領域のうちの少なくとも一の領域内のプリピットエリア又はトラッ
ク溝に、消去されない形態で予め記録されていることを特徴とする。
(k) また、上記の目的を達成するため、光ディスク記録再生プログラムは、光ディスク記録再生方法の各ステップを、コンピュータに実行させることを特徴とする。
本発明によれば、消去パワーの設定誤差を少なくして、記録後の再生ジッタが良好状態となる好適な記録条件を検出できる。
次に、本発明の各実施の形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は本発明になる光ディスク記録再生装置の一実施の形態のブロック図を示す。同図
に示す本実施の形態の書き換え可能型光ディスク記録再生装置１５は、この発明に係る部
分の制御ブロック構成を主に示したものである。光ディスク記録再生装置１５は、複数の
記録層が記録再生用レーザ光の光軸方向に積層された書き換え可能型光ディスク１に対し
て、光ピックアップ（ＰＵ）２を用いてＲＦ信号の再生及び記録マークの書き込みを行う
。ここでは、一例として光ディスク１は、図２０に示した断面構造の片面２層光ディスク
であるものとして説明する。光ピックアップ２により光ディスク１から再生されたＲＦ信
号は信号処理回路３に入力され、データ復調（図示せず）されて外部インターフェースを
介してコンピュータ又はＤＶＤレコーダなどのシステム制御装置（図示せず）へ出力され
る。
図１は本発明になる光ディスク記録再生装置の一実施の形態のブロック図を示す。同図
に示す本実施の形態の書き換え可能型光ディスク記録再生装置１５は、この発明に係る部
分の制御ブロック構成を主に示したものである。光ディスク記録再生装置１５は、複数の
記録層が記録再生用レーザ光の光軸方向に積層された書き換え可能型光ディスク１に対し
て、光ピックアップ（ＰＵ）２を用いてＲＦ信号の再生及び記録マークの書き込みを行う
。ここでは、一例として光ディスク１は、図２０に示した断面構造の片面２層光ディスク
であるものとして説明する。光ピックアップ２により光ディスク１から再生されたＲＦ信
号は信号処理回路３に入力され、データ復調（図示せず）されて外部インターフェースを
介してコンピュータ又はＤＶＤレコーダなどのシステム制御装置（図示せず）へ出力され
る。
信号処理回路３は、記録状態検出手段４、ＤＣ消去手段５及び記録手段６などを有して
おり、光ピックアップ２により光ディスク１から再生されたＲＦ信号から内部の復調手段
（図示せず）で復調して光ディスク１の情報（ディスク構造、推奨記録パワー、記録スト
ラテジ、記録パワーと消去パワーの比率εなど）を得て、内部バス１０及び制御回路１１
を介して装置メモリ１４に保存する。データを光ディスク１に記録する際は、制御回路１
１より記録手段６に書き込みアドレスと書き込みパワー（記録パワー、消去パワー、バイ
アスパワー）及び記録ストラテジの設定情報が信号処理回路３内の内部バス１０を介して
記録手段６へ伝送される。記録手段６はこれらの設定情報を基に、光ピックアップ２によ
り光ディスク１の所定のアドレスに書込みを行う。
おり、光ピックアップ２により光ディスク１から再生されたＲＦ信号から内部の復調手段
（図示せず）で復調して光ディスク１の情報（ディスク構造、推奨記録パワー、記録スト
ラテジ、記録パワーと消去パワーの比率εなど）を得て、内部バス１０及び制御回路１１
を介して装置メモリ１４に保存する。データを光ディスク１に記録する際は、制御回路１
１より記録手段６に書き込みアドレスと書き込みパワー（記録パワー、消去パワー、バイ
アスパワー）及び記録ストラテジの設定情報が信号処理回路３内の内部バス１０を介して
記録手段６へ伝送される。記録手段６はこれらの設定情報を基に、光ピックアップ２によ
り光ディスク１の所定のアドレスに書込みを行う。
この第１の実施の形態においては、テスト記録信号として記録波形パターンの記録マー
クの短いマーク（例えば、８／１６変調信号の場合には３Ｔ（Ｔはチャネルクロックの周
期：以下同じ）から７Ｔの任意のマーク信号）と長いマーク（例えば、８／１６変調信号
の場合には８Ｔから１４Ｔの任意のマーク信号）とが混在したテスト記録信号、又は記録
波形パターンのランダムパターン信号を用いて光ディスク１にテスト記録を行う。
クの短いマーク（例えば、８／１６変調信号の場合には３Ｔ（Ｔはチャネルクロックの周
期：以下同じ）から７Ｔの任意のマーク信号）と長いマーク（例えば、８／１６変調信号
の場合には８Ｔから１４Ｔの任意のマーク信号）とが混在したテスト記録信号、又は記録
波形パターンのランダムパターン信号を用いて光ディスク１にテスト記録を行う。
相変化型の光ディスク１に対するレーザパワーの波形は図２１（Ａ）に示すような書き
込み波形（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ及び記録ストラテジ）
を用いて行い、記録マークを形成していく。光ピックアップ２から光ディスク１へ出射さ
れるレーザ光のパワーは、記録手段６の内部のＡＬＰＣ（Automatic Laser Power Contro
l）手段（図示せず）によって設定された書き込みパワー値に高精度に制御される。通常
のＯＰＣ処理は、光ディスク１のＯＰＣ領域の所定ブロックのアドレスに書き込みパワー
を段階的に変化させて記録するが、この動作を記録手段６で行うことができる。また実際
の記録（実記録）を行う場合は、記録手段６に最適な書き込みパワーの設定をすることに
より連続したデータの記録が行える。
込み波形（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂ及び記録ストラテジ）
を用いて行い、記録マークを形成していく。光ピックアップ２から光ディスク１へ出射さ
れるレーザ光のパワーは、記録手段６の内部のＡＬＰＣ（Automatic Laser Power Contro
l）手段（図示せず）によって設定された書き込みパワー値に高精度に制御される。通常
のＯＰＣ処理は、光ディスク１のＯＰＣ領域の所定ブロックのアドレスに書き込みパワー
を段階的に変化させて記録するが、この動作を記録手段６で行うことができる。また実際
の記録（実記録）を行う場合は、記録手段６に最適な書き込みパワーの設定をすることに
より連続したデータの記録が行える。
本実施の形態の最適消去パワーの検出では、まず、所定の記録条件で書込みパワー（記
録パワー、消去パワー、バイアスパワー）と記録ストラテジとを第１設定として記録手段
６に設定して、光ディスク１の一層目記録層のＯＰＣ領域（図２０のＰＣＡ領域３１１に
相当）にテスト記録信号を記録する。記録条件を一定にした書き込みパワーは記録手段６
で設定され、具体的には光ディスク１又は装置メモリ１４から読み出した推奨記録パワー
の値（以下、Ｐｉｎｄという）を記録パワーの固定値として設定し、同じく光ディスク１
又は装置メモリ１４から読み出した記録パワーと消去パワーとの比率（以下、εという）
の値と前記推奨記録パワーの値（Ｐｉｎｄ）とから演算により求めた消去パワーの値（＝
ε・Ｐｉｎｄ）を消去パワーの固定値として設定し、装置メモリ１４から読み出した推奨
バイアスパワーの値をバイアスパワーの固定値として設定して、それらのパワーを所定の
順序で切り替えられたレーザ光によりテスト記録信号を記録する（テスト記録を行う）。
録パワー、消去パワー、バイアスパワー）と記録ストラテジとを第１設定として記録手段
６に設定して、光ディスク１の一層目記録層のＯＰＣ領域（図２０のＰＣＡ領域３１１に
相当）にテスト記録信号を記録する。記録条件を一定にした書き込みパワーは記録手段６
で設定され、具体的には光ディスク１又は装置メモリ１４から読み出した推奨記録パワー
の値（以下、Ｐｉｎｄという）を記録パワーの固定値として設定し、同じく光ディスク１
又は装置メモリ１４から読み出した記録パワーと消去パワーとの比率（以下、εという）
の値と前記推奨記録パワーの値（Ｐｉｎｄ）とから演算により求めた消去パワーの値（＝
ε・Ｐｉｎｄ）を消去パワーの固定値として設定し、装置メモリ１４から読み出した推奨
バイアスパワーの値をバイアスパワーの固定値として設定して、それらのパワーを所定の
順序で切り替えられたレーザ光によりテスト記録信号を記録する（テスト記録を行う）。
本発明の特有の構成としてのＤＣ消去手段５は、記録手段６で所定の記録条件でテスト
記録を行ったＯＰＣ領域に対し、図２に示すように同じ領域に消去パワーのみで段階的に
パワーレベルを可変しながら記録する。この場合ＤＣ消去手段５は、前記推奨記録パワー
の値（Ｐｉｎｄ）と、前記記録パワーと消去パワーとの比率εの値と、同じく光ディスク
１又は装置メモリ１４から読み出した最適な消去パワー算出のために乗算する所定の係数
（以下、係数Ｓという）の値とから、演算により基準に近いＤＣ消去パワーの値（＝ε・
Ｐｉｎｄ／Ｓ）を求め、基準の値の周辺においてＤＣ消去パワーを可変する。
記録を行ったＯＰＣ領域に対し、図２に示すように同じ領域に消去パワーのみで段階的に
パワーレベルを可変しながら記録する。この場合ＤＣ消去手段５は、前記推奨記録パワー
の値（Ｐｉｎｄ）と、前記記録パワーと消去パワーとの比率εの値と、同じく光ディスク
１又は装置メモリ１４から読み出した最適な消去パワー算出のために乗算する所定の係数
（以下、係数Ｓという）の値とから、演算により基準に近いＤＣ消去パワーの値（＝ε・
Ｐｉｎｄ／Ｓ）を求め、基準の値の周辺においてＤＣ消去パワーを可変する。
そして、同じＯＰＣ領域内のテスト記録を行った領域を、ＤＣ消去手段５で段階的にパ
ワーを可変して記録を行い（ＤＣ消去し）、ＤＣ消去した領域毎に光ピックアップ２で再
生し、その再生ＲＦ信号を記録状態検出手段４に供給する。記録状態検出手段４は、再生
ＲＦ信号の変調度又は変調度の特性を微分したパラメータ（以下γ値という）又は再生Ｒ
Ｆ信号の非対称性を表すパラメータのアシンメトリ又はβ値（以下、アシンメトリ用β値
という）を測定する。
ワーを可変して記録を行い（ＤＣ消去し）、ＤＣ消去した領域毎に光ピックアップ２で再
生し、その再生ＲＦ信号を記録状態検出手段４に供給する。記録状態検出手段４は、再生
ＲＦ信号の変調度又は変調度の特性を微分したパラメータ（以下γ値という）又は再生Ｒ
Ｆ信号の非対称性を表すパラメータのアシンメトリ又はβ値（以下、アシンメトリ用β値
という）を測定する。
ＲＦ信号の変調度又はγ値又はアシンメトリ用β値の測定は、図３に示すブロック図の
構成で行う（このブロック図の構成及び動作については後ほど詳細に説明する）。記録状
態検出手段４によって検出された記録状態の測定結果（記録状態の検出値）は、内部バス
１０を介して制御回路１１に転送され、装置メモリ１４に格納された制御プログラムで予
め定めた消去パワー用の所定の値（変調度、γ値の条件、アシンメトリ用β値）と判定手
段１３で比較判定され、この所定の値と一致若しくは一番近い値を示した記録状態の検出
値が得られた領域を確定すると共に、その領域で行った消去パワーの値を求める。
構成で行う（このブロック図の構成及び動作については後ほど詳細に説明する）。記録状
態検出手段４によって検出された記録状態の測定結果（記録状態の検出値）は、内部バス
１０を介して制御回路１１に転送され、装置メモリ１４に格納された制御プログラムで予
め定めた消去パワー用の所定の値（変調度、γ値の条件、アシンメトリ用β値）と判定手
段１３で比較判定され、この所定の値と一致若しくは一番近い値を示した記録状態の検出
値が得られた領域を確定すると共に、その領域で行った消去パワーの値を求める。
この消去パワーの値は基準値として用いられ、制御回路１１内の演算手段１２により、
装置メモリ１４に予め保存してある各種の光ディスクに対応した消去パワー用の係数Ｓを
用いて乗算処理されることにより、最適な消去パワーの値が算出される。
装置メモリ１４に予め保存してある各種の光ディスクに対応した消去パワー用の係数Ｓを
用いて乗算処理されることにより、最適な消去パワーの値が算出される。
本実施の形態では、上記のように最初の段階で最適な消去パワーを求めると、次の段階
で最適な記録パワー値の検出を行う点に特徴がある。この最適な記録パワー値の検出のた
めに、まず、消去パワー用の演算手段１２で算出した最適な消去パワーの値を第２設定と
して記録手段６に設定し、ＤＣ消去を行った領域とは異なる領域に、レーザ光の記録パワ
ーのみを図２のような段階的なレベルで可変しながらテスト記録信号を記録する。すなわ
ち、このときの記録手段６により光ピックアップ２から出力されるレーザ光の波形は図２
１（Ａ）に示すような書き込み波形（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワー
Ｐｂ及び記録ストラテジ）を用いて行い、記録マークを形成するのであるが、上記の第２
設定により、消去パワーＰｅが第１の段階で算出された最適な消去パワーに設定される。
で最適な記録パワー値の検出を行う点に特徴がある。この最適な記録パワー値の検出のた
めに、まず、消去パワー用の演算手段１２で算出した最適な消去パワーの値を第２設定と
して記録手段６に設定し、ＤＣ消去を行った領域とは異なる領域に、レーザ光の記録パワ
ーのみを図２のような段階的なレベルで可変しながらテスト記録信号を記録する。すなわ
ち、このときの記録手段６により光ピックアップ２から出力されるレーザ光の波形は図２
１（Ａ）に示すような書き込み波形（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワー
Ｐｂ及び記録ストラテジ）を用いて行い、記録マークを形成するのであるが、上記の第２
設定により、消去パワーＰｅが第１の段階で算出された最適な消去パワーに設定される。
上記のテスト記録信号として、記録波形パターンの記録マークの短いマーク（例えば、
８／１６変調信号の場合には、３Ｔから７Ｔの任意のマーク信号）と長いマーク（例えば
、８／１６変調信号の場合には、８Ｔから１４Ｔの任意のマーク信号）が混在した信号、
又は記録波形パターンのランダムパターン信号を用いて、光ディスク１にテスト記録を行
う。
８／１６変調信号の場合には、３Ｔから７Ｔの任意のマーク信号）と長いマーク（例えば
、８／１６変調信号の場合には、８Ｔから１４Ｔの任意のマーク信号）が混在した信号、
又は記録波形パターンのランダムパターン信号を用いて、光ディスク１にテスト記録を行
う。
続いて、第２設定とした記録手段６で記録を行った領域を光ピックアップ２で再生し、
得られた再生ＲＦ信号を記録状態検出手段４に供給し、ここで再生ＲＦ信号の変調度、又
は変調度の特性を微分したパラメータであるγ値、又は再生ＲＦ信号の非対称性を表すパ
ラメータのアシンメトリ値、又はアシンメトリ用β値を測定させて測定結果（検出値）を
得る。
得られた再生ＲＦ信号を記録状態検出手段４に供給し、ここで再生ＲＦ信号の変調度、又
は変調度の特性を微分したパラメータであるγ値、又は再生ＲＦ信号の非対称性を表すパ
ラメータのアシンメトリ値、又はアシンメトリ用β値を測定させて測定結果（検出値）を
得る。
この記録状態検出手段４からの検出値は制御回路１１へ伝送され、所定の記録パワー用
の検出条件（又は記録パワー用検出値）と一致したかどうかが判定手段１３によって比較
判定され、検出値が記録パワー用の検出条件（又は記録パワー用検出値）と一致したとき
の、その検出値が得られた領域の記録パワー値が基準値として求められる。この基準値は
、記録パワー用の演算手段１２によって、記録パワー用の一定の係数と乗算されることに
より、最適な記録パワーのレベルとして算出される。以上のようにして、この光ディスク
１に最適な記録パワーと消去パワーを本実施の形態のＯＰＣ処理により求めることができ
る。
の検出条件（又は記録パワー用検出値）と一致したかどうかが判定手段１３によって比較
判定され、検出値が記録パワー用の検出条件（又は記録パワー用検出値）と一致したとき
の、その検出値が得られた領域の記録パワー値が基準値として求められる。この基準値は
、記録パワー用の演算手段１２によって、記録パワー用の一定の係数と乗算されることに
より、最適な記録パワーのレベルとして算出される。以上のようにして、この光ディスク
１に最適な記録パワーと消去パワーを本実施の形態のＯＰＣ処理により求めることができ
る。
次に、本実施の形態による上記の２段階のステップでのＯＰＣ（以下、「２ステップＤ
Ｃ消去」ともいう）を行った場合の優れた特性について、図３と共に説明する。図３は２
層光ディスクの１層目記録層に対するＯＰＣ開始時の記録パワーと消去パワーとの比率（
以下、単に消去パワー比率ともいう）εと、再生ジッタとの関係を、γ法（γ値検出方法
）、アシンメトリ法（アシンメトリを検出する方法）、１段階でＤＣ消去パワーを求める
１ステップＤＣ消去と比較して、本実施の形態の２ステップＤＣ消去の場合について示し
、更に従来の代表的な単層の光ディスクのＯＰＣの場合についても示す。図３に示す特性
図は、光ディスクに予め記載された消去パワーの比率εの情報を初めに設定してＯＰＣを
実行して、各ＯＰＣで求められた書込みパワーで記録後、再生したときのジッタを測定し
た例である。
Ｃ消去」ともいう）を行った場合の優れた特性について、図３と共に説明する。図３は２
層光ディスクの１層目記録層に対するＯＰＣ開始時の記録パワーと消去パワーとの比率（
以下、単に消去パワー比率ともいう）εと、再生ジッタとの関係を、γ法（γ値検出方法
）、アシンメトリ法（アシンメトリを検出する方法）、１段階でＤＣ消去パワーを求める
１ステップＤＣ消去と比較して、本実施の形態の２ステップＤＣ消去の場合について示し
、更に従来の代表的な単層の光ディスクのＯＰＣの場合についても示す。図３に示す特性
図は、光ディスクに予め記載された消去パワーの比率εの情報を初めに設定してＯＰＣを
実行して、各ＯＰＣで求められた書込みパワーで記録後、再生したときのジッタを測定し
た例である。
また、図３にIIで示すＲＷ６Ｘ（単層）は、１層の書き換え可能な光ディスクで後述の
図７（Ａ）に示す従来のγ値のＯＰＣを行った場合を示しており、光ディスク内に記録さ
れた消去パワーの比率εの値にバラツキがあった場合でも、良好な再生ジッタの値が得ら
れていることが分かる。しかし、同じＯＰＣを２層の書き換え可能な光ディスク１の一層
目記録層に行うと、γ値のＯＰＣを行った場合には、図３にIIIで示すように、記録パワ
ーと消去パワーの比率εに対するマージンが非常に狭くなることが分かる。これに対し、
同じＯＰＣを２層の書き換え可能な光ディスク１の一層目記録層に行った場合でも、本実
施の形態のＯＰＣを用いると、図３にIで示すように、上記のγ値のＯＰＣを行った場合
の特性IIIよりも広範囲の比率εに亘って良好な再生ジッタ特性が得られることが図３よ
り分かる。
図７（Ａ）に示す従来のγ値のＯＰＣを行った場合を示しており、光ディスク内に記録さ
れた消去パワーの比率εの値にバラツキがあった場合でも、良好な再生ジッタの値が得ら
れていることが分かる。しかし、同じＯＰＣを２層の書き換え可能な光ディスク１の一層
目記録層に行うと、γ値のＯＰＣを行った場合には、図３にIIIで示すように、記録パワ
ーと消去パワーの比率εに対するマージンが非常に狭くなることが分かる。これに対し、
同じＯＰＣを２層の書き換え可能な光ディスク１の一層目記録層に行った場合でも、本実
施の形態のＯＰＣを用いると、図３にIで示すように、上記のγ値のＯＰＣを行った場合
の特性IIIよりも広範囲の比率εに亘って良好な再生ジッタ特性が得られることが図３よ
り分かる。
また、本実施の形態のＯＰＣ（２ステップＤＣ消去）は、最初に設定した記録パワーと
消去パワーの比率εを用いてテスト記録を行って、本実施の形態による図７（Ｄ）に示す
ＤＣ消去パワー対γ値特性のγ値でのＯＰＣで消去パワーを求め、次にその消去パワーを
固定値として記録パワーを可変して記録後、再生して図７（Ａ）のγ値によるＯＰＣで記
録パワーを検出している。
消去パワーの比率εを用いてテスト記録を行って、本実施の形態による図７（Ｄ）に示す
ＤＣ消去パワー対γ値特性のγ値でのＯＰＣで消去パワーを求め、次にその消去パワーを
固定値として記録パワーを可変して記録後、再生して図７（Ａ）のγ値によるＯＰＣで記
録パワーを検出している。
このようなＯＰＣを実行することにより、記録パワーと消去パワーの比率εの値のバラ
ツキに対して殆ど影響を受けずに最適な書込みパワーを求めることができる。また、図３
中のIVで示すアシンメトリ法の消去パワー比率ε対再生ジッタ特性は、最初の記録パワー
と消去パワーの比率εの値にバラツキがある場合には、そのマージンは前記γ法とほぼ同
じであることが分かる。
ツキに対して殆ど影響を受けずに最適な書込みパワーを求めることができる。また、図３
中のIVで示すアシンメトリ法の消去パワー比率ε対再生ジッタ特性は、最初の記録パワー
と消去パワーの比率εの値にバラツキがある場合には、そのマージンは前記γ法とほぼ同
じであることが分かる。
本実施の形態は２段階のステップでＯＰＣを行ったが、最初のステップで求めた最適な
消去パワーの値に、記録パワーと消去パワーの比率εの値を用いて最適な記録パワーを求
めることもできる（本出願人の提案になる特願２００５−２８４１１９号参照）。このと
きのＯＰＣ開始時の記録パワーと消去パワーの比率ε対再生ジッタ特性を、図３にVで示
す（以下、この方法を「１ステップＤＣ消去」ともいう）。この１ステップＤＣ消去法の
特性Vは、図３に示すように、γ値を求めるγ法の特性IIIや、アシンメトリを求めるアシ
ンメトリ法の特性IVに比べると、再生ジッタの許容範囲が広く、より優れた結果を得るこ
とができる。また、ＯＰＣ時間は、１ステップＤＣ消去の方が２ステップＤＣ消去より短
時間で実行できる。以下に各ＯＰＣで最初に設定した記録パワーと消去パワーの比率εに
対するマージンとＯＰＣ時間の差の関係を示す。
消去パワーの値に、記録パワーと消去パワーの比率εの値を用いて最適な記録パワーを求
めることもできる（本出願人の提案になる特願２００５−２８４１１９号参照）。このと
きのＯＰＣ開始時の記録パワーと消去パワーの比率ε対再生ジッタ特性を、図３にVで示
す（以下、この方法を「１ステップＤＣ消去」ともいう）。この１ステップＤＣ消去法の
特性Vは、図３に示すように、γ値を求めるγ法の特性IIIや、アシンメトリを求めるアシ
ンメトリ法の特性IVに比べると、再生ジッタの許容範囲が広く、より優れた結果を得るこ
とができる。また、ＯＰＣ時間は、１ステップＤＣ消去の方が２ステップＤＣ消去より短
時間で実行できる。以下に各ＯＰＣで最初に設定した記録パワーと消去パワーの比率εに
対するマージンとＯＰＣ時間の差の関係を示す。
（１）最初に設定した記録パワーと消去パワーの比率εに対するマージン
２ステップＤＣ消去＞１ステップＤＣ消去＞γ法（＝アシンメトリ法）
（２）ＯＰＣ時間
２ステップＤＣ消去＞１ステップＤＣ消去＞γ法（＝アシンメトリ法）
すなわち、最初に設定した記録パワーと消去パワーの比率εに対するマージンは、本実施
の形態の２ステップＤＣ消去が最も良く、ＯＰＣ時間は。本実施の形態の２ステップＤＣ
消去が最も長い。
２ステップＤＣ消去＞１ステップＤＣ消去＞γ法（＝アシンメトリ法）
（２）ＯＰＣ時間
２ステップＤＣ消去＞１ステップＤＣ消去＞γ法（＝アシンメトリ法）
すなわち、最初に設定した記録パワーと消去パワーの比率εに対するマージンは、本実施
の形態の２ステップＤＣ消去が最も良く、ＯＰＣ時間は。本実施の形態の２ステップＤＣ
消去が最も長い。
次に、本発明の記録状態検出手段４及び制御回路１１のブロック構成と動作を図４乃至
図７と共に説明する。図４は記録状態検出手段４及び制御回路１１の一部の一実施の形態
のブロック図を示す。この記録状態検出手段４等により、再生ＲＦ信号の変調度又はγ値
又はアシンメトリ用β値を検出・測定することができる。図４において、図１の光ピック
アップ２により光ディスク１のＤＣ消去パワーを段階的に可変して記録した複数のＤＣ消
去領域からの再生ＲＦ信号は、高域フィルタ（ＨＰＦ）１００によりＡＣカップルした状
態で０Ｖを基準に正側（上側）の振幅レベルをピークレベル検出回路１０１で検出され、
次段の低域フィルタ（ＬＰＦ）１０４でピークレベル検出回路１０１のドループ特性によ
る信号の変動が平均化されて信号Ａ１として出力される。
図７と共に説明する。図４は記録状態検出手段４及び制御回路１１の一部の一実施の形態
のブロック図を示す。この記録状態検出手段４等により、再生ＲＦ信号の変調度又はγ値
又はアシンメトリ用β値を検出・測定することができる。図４において、図１の光ピック
アップ２により光ディスク１のＤＣ消去パワーを段階的に可変して記録した複数のＤＣ消
去領域からの再生ＲＦ信号は、高域フィルタ（ＨＰＦ）１００によりＡＣカップルした状
態で０Ｖを基準に正側（上側）の振幅レベルをピークレベル検出回路１０１で検出され、
次段の低域フィルタ（ＬＰＦ）１０４でピークレベル検出回路１０１のドループ特性によ
る信号の変動が平均化されて信号Ａ１として出力される。
一方、ＨＰＦ１００によりＡＣカップルされた再生ＲＦ信号は、０Ｖを基準に負側（下
側）の振幅レベルをボトムレベル検出回路１０２で検出され、次段のＬＰＦ１０５でボト
ムレベル検出回路１０２のドループ特性による信号の変動を平均化されて信号Ａ２として
出力される。ＲＦ信号の非対称性を表すパラメータのアシンメトリ用β値は、上記信号Ａ
１と信号Ａ２から下記のような式で算出される。この演算は演算手段１０７で行われる。
側）の振幅レベルをボトムレベル検出回路１０２で検出され、次段のＬＰＦ１０５でボト
ムレベル検出回路１０２のドループ特性による信号の変動を平均化されて信号Ａ２として
出力される。ＲＦ信号の非対称性を表すパラメータのアシンメトリ用β値は、上記信号Ａ
１と信号Ａ２から下記のような式で算出される。この演算は演算手段１０７で行われる。
β値＝（Ａ１＋Ａ２）/（Ａ１−Ａ２） （１）
演算手段１０７で算出されたアシンメトリ用β値は、比較判定回路１１０で所定のアシン
メトリ用β値と比較される。比較判定回路１１０は判定手段１３の処理内容を示している
。
演算手段１０７で算出されたアシンメトリ用β値は、比較判定回路１１０で所定のアシン
メトリ用β値と比較される。比較判定回路１１０は判定手段１３の処理内容を示している
。
実際のＲＦ信号を図５（Ａ）に示し、信号Ａ１と信号Ａ２のレベルを図中に示す。また
、図５（Ｂ）乃至図５（Ｅ）はＤＶＤ−ＲＷの２層光ディスクの特性を測定したものであ
る。図５（Ｂ）は本実施の形態で使用できる最適な記録パワーを検出するＯＰＣ方法の一
つで、アシンメトリ用β値を用いる例（β法）を示している。図５（Ｂ）に示す特性は、
記録パワーと消去パワーの比率εを一定としたまま、記録パワーと消去パワーを可変して
アシンメトリ用β値を測定したものである。１層目記録層へのテスト記録信号の記録は１
回目（イニシャル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）と繰り返し行った場
合、繰り返し記録の回数の違いによる特性差はあるものの、ピークの位置が同じ付近にあ
る。このことからアシンメトリ用β値検出でも使用できる可能性があることが分かる。す
なわち、図５（Ｂ）の各カーブの振幅最大点を記録後の再生ジッタの最良点として、この
位置を最適な記録パワーの位置とほぼ見做すようにすることにより、繰り返し記録の回数
の違いの影響がない最適な記録パワーとして算出に使用できる。
、図５（Ｂ）乃至図５（Ｅ）はＤＶＤ−ＲＷの２層光ディスクの特性を測定したものであ
る。図５（Ｂ）は本実施の形態で使用できる最適な記録パワーを検出するＯＰＣ方法の一
つで、アシンメトリ用β値を用いる例（β法）を示している。図５（Ｂ）に示す特性は、
記録パワーと消去パワーの比率εを一定としたまま、記録パワーと消去パワーを可変して
アシンメトリ用β値を測定したものである。１層目記録層へのテスト記録信号の記録は１
回目（イニシャル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）と繰り返し行った場
合、繰り返し記録の回数の違いによる特性差はあるものの、ピークの位置が同じ付近にあ
る。このことからアシンメトリ用β値検出でも使用できる可能性があることが分かる。す
なわち、図５（Ｂ）の各カーブの振幅最大点を記録後の再生ジッタの最良点として、この
位置を最適な記録パワーの位置とほぼ見做すようにすることにより、繰り返し記録の回数
の違いの影響がない最適な記録パワーとして算出に使用できる。
図１では判定手段１３（図４では比較判定回路１１０）がこのピーク位置を検出条件と
して、演算回路１０７からの検出したアシンメトリ用β値と一致するかどうか比較判定し
、検出条件と一致したアシンメトリ用β値が得られた領域における記録パワーの値を基準
値として定める。そして、図４の演算手段１２はこの基準値に対して記録パワー用の一定
の係数Ｋｂを乗算することにより、ジッタ最小の最適な記録パワー値を算出する。
して、演算回路１０７からの検出したアシンメトリ用β値と一致するかどうか比較判定し
、検出条件と一致したアシンメトリ用β値が得られた領域における記録パワーの値を基準
値として定める。そして、図４の演算手段１２はこの基準値に対して記録パワー用の一定
の係数Ｋｂを乗算することにより、ジッタ最小の最適な記録パワー値を算出する。
図８に示す直線グラフΔＡｓｙｍは、アシンメトリ用β値のグラフの傾き変化を直線近
似させて表示させたものである。この直線近似のグラフを利用した場合は、グラフの直線
近似の傾きが０％の点と交差したところの記録パワーの値Ｐｅｏｒを基準値として用い、
上記と同様な演算により最適な記録パワーを算出できる。
似させて表示させたものである。この直線近似のグラフを利用した場合は、グラフの直線
近似の傾きが０％の点と交差したところの記録パワーの値Ｐｅｏｒを基準値として用い、
上記と同様な演算により最適な記録パワーを算出できる。
また、図５（Ｃ）は記録パワーを一定にし、かつ、消去パワーを可変してテスト記録信
号を記録後、再生してアシンメトリ用β値を測定したグラフを示す。すなわち、図２１（
Ａ）のパルスのうち、書込パワー（記録パワー）Ｐｗと、バイアスパワーＰｂとをそれぞ
れ一定値で固定し、消去パワーＰｅのみを可変して記録した場合の消去パワーとアシンメ
トリ用β値との特性図を示す。この特性は上記繰り返し記録回数による記録特性の差が大
きく出ており、グラフの位置にバラツキが多い。例えば、β＝０の点の消去パワーＰｅを
求めた場合、約０.８ｍＷの誤差を持つ。図２３（Ｂ）の消去パワー対ジッタのグラフか
らわかるように消去パワーのマージンは非常に少なく、±０.４ｍＷ以内の高い精度で設
定することが必要であり、検出バラツキを考慮すると、このアシンメトリ用β値の検出で
は実用に難点がある。
号を記録後、再生してアシンメトリ用β値を測定したグラフを示す。すなわち、図２１（
Ａ）のパルスのうち、書込パワー（記録パワー）Ｐｗと、バイアスパワーＰｂとをそれぞ
れ一定値で固定し、消去パワーＰｅのみを可変して記録した場合の消去パワーとアシンメ
トリ用β値との特性図を示す。この特性は上記繰り返し記録回数による記録特性の差が大
きく出ており、グラフの位置にバラツキが多い。例えば、β＝０の点の消去パワーＰｅを
求めた場合、約０.８ｍＷの誤差を持つ。図２３（Ｂ）の消去パワー対ジッタのグラフか
らわかるように消去パワーのマージンは非常に少なく、±０.４ｍＷ以内の高い精度で設
定することが必要であり、検出バラツキを考慮すると、このアシンメトリ用β値の検出で
は実用に難点がある。
図５（Ｄ）は本発明のＯＰＣ技術を用いて最適な消去パワーを検出するＯＰＣ方法の一
つで、アシンメトリ用β値を用いるＤＣ消去パワー対β値特性図を示す。この特性図は２
層光ディスクの１層目記録層のＯＰＣ領域内の１回記録（イニシャル）、２回の繰り返し
記録（ＤＯＷ１）、１１回の繰り返し記録（ＤＯＷ１０）の各テスト記録信号記録領域を
、図２に示すようにレベルが可変される消去パワーのみで記録した（ＤＣ消去した）後、
その領域を再生して得た再生ＲＦ信号からアシンメトリ用β値を検出したものであるが、
繰り返し記録回数による記録特性の差が殆どなく、それぞれの特性がほぼ一致しているこ
とが分かる。
つで、アシンメトリ用β値を用いるＤＣ消去パワー対β値特性図を示す。この特性図は２
層光ディスクの１層目記録層のＯＰＣ領域内の１回記録（イニシャル）、２回の繰り返し
記録（ＤＯＷ１）、１１回の繰り返し記録（ＤＯＷ１０）の各テスト記録信号記録領域を
、図２に示すようにレベルが可変される消去パワーのみで記録した（ＤＣ消去した）後、
その領域を再生して得た再生ＲＦ信号からアシンメトリ用β値を検出したものであるが、
繰り返し記録回数による記録特性の差が殆どなく、それぞれの特性がほぼ一致しているこ
とが分かる。
この特性を利用して図４の比較判定回路１１０（図１では判定手段１３の一部に相当）
にて演算手段１０７からのβ値と比較する所定のβ値として、図５（Ｄ）の例えば「−４
０」という値を使用することにより、誤差の少ない消去パワーの基準値の値が検出できる
。そして、演算手段１２でこの基準値の消去パワーに対して消去パワー用の係数Ｓを係数
Ｓｂとして乗算することにより、最適な消去パワーを求めることができる。実験によれば
、最適な消去パワーとの誤差は４％以内であった。
にて演算手段１０７からのβ値と比較する所定のβ値として、図５（Ｄ）の例えば「−４
０」という値を使用することにより、誤差の少ない消去パワーの基準値の値が検出できる
。そして、演算手段１２でこの基準値の消去パワーに対して消去パワー用の係数Ｓを係数
Ｓｂとして乗算することにより、最適な消去パワーを求めることができる。実験によれば
、最適な消去パワーとの誤差は４％以内であった。
図５（Ｅ）は記録パワーと消去パワーの比率εを一定として、テスト記録信号を１回記
録した領域（イニシャル）と２回繰り返して記録した領域（ＤＯＷ１）、１１回繰り返し
て記録した領域（ＤＯＷ１０）のそれぞれにおいて、記録パワーを可変したときのアシン
メトリ値を示す。図５（Ｅ）は光ディスクからの再生ＲＦ信号の非対称性を表すパラメー
タであるアシンメトリ値で書き込みパワーを求めるアシンメトリ法を示しており、図８の
特性図中のアシンメトリに相当し、最初の比率εにバラツキがある場合には、そのマージ
ンは前記γ法とほぼ同じであることが分かる。
録した領域（イニシャル）と２回繰り返して記録した領域（ＤＯＷ１）、１１回繰り返し
て記録した領域（ＤＯＷ１０）のそれぞれにおいて、記録パワーを可変したときのアシン
メトリ値を示す。図５（Ｅ）は光ディスクからの再生ＲＦ信号の非対称性を表すパラメー
タであるアシンメトリ値で書き込みパワーを求めるアシンメトリ法を示しており、図８の
特性図中のアシンメトリに相当し、最初の比率εにバラツキがある場合には、そのマージ
ンは前記γ法とほぼ同じであることが分かる。
次に、変調度（ｍ）の検出について説明する。図４において、再生ＲＦ信号は２分岐さ
れて、一方はＨＰＦ１００に入力され、他方はピークレベル検出回路１０３に入力される
。ピークレベル検出回路１０３は、再生ＲＦ信号の振幅電圧をＤＣレベルの基準電圧から
測定し、その検出電圧を次段のＬＰＦ１０６に供給してピークレベル検出回路１０３のド
ループ特性による信号の変動を平均化して、信号Ａ３を出力させる。
れて、一方はＨＰＦ１００に入力され、他方はピークレベル検出回路１０３に入力される
。ピークレベル検出回路１０３は、再生ＲＦ信号の振幅電圧をＤＣレベルの基準電圧から
測定し、その検出電圧を次段のＬＰＦ１０６に供給してピークレベル検出回路１０３のド
ループ特性による信号の変動を平均化して、信号Ａ３を出力させる。
変調度ｍの値は、ＬＰＦ１０４、１０５から出力される信号Ａ１と信号Ａ２と、上記の
信号Ａ３とから演算手段１０８により次式で算出される。
信号Ａ３とから演算手段１０８により次式で算出される。
変調度 ｍ＝Ｉ１４/Ｉ１４Ｈ
＝（Ａ１−Ａ２）/Ａ３ （２）
上式中、Ｉ１４はＲＦ信号（具体的には８／１６変調方式の１４Ｔ信号）の振幅値であり
、Ｉ１４ＨはＤＣレベルの基準値から上記ＲＦ信号の上側包絡線までの振幅値を意味して
いる。
＝（Ａ１−Ａ２）/Ａ３ （２）
上式中、Ｉ１４はＲＦ信号（具体的には８／１６変調方式の１４Ｔ信号）の振幅値であり
、Ｉ１４ＨはＤＣレベルの基準値から上記ＲＦ信号の上側包絡線までの振幅値を意味して
いる。
演算手段１０８で算出された変調度ｍは、比較判定回路１１１に供給されて所定の変調
度の値と比較判定される。なお、図４中の比較判定回路１１１は図１の判定手段１３の処
理内容を示している。
度の値と比較判定される。なお、図４中の比較判定回路１１１は図１の判定手段１３の処
理内容を示している。
実際のＲＦ信号を図６（Ａ）に示し、上記のＲＦ信号の振幅値Ｉ１４と、ＤＣレベルの
基準値からＲＦ信号の上側の包絡線までの振幅値Ｉ１４Ｈの各レベルを同図中に示す。図
６（Ｂ）は記録パワーを可変して変調度ｍをグラフ化した記録パワー対変調度特性を示す
。図６（Ｂ）に示すように、テスト記録信号の一層目記録層への記録を１回（イニシャル
）、２回（ＤＯＷ１）、１１回（ＤＯＷ１０）と繰り返し行った場合、ＤＶＤ−ＲＷの２
層光ディスクの問題点として挙げた繰り返し記録の回数により記録パワー対変調度特性に
、差が若干ある（０.２ｍＷ程度の差）ものの、最適な消去パワーが仮に±０.４ｍＷ程度
は問題ない範囲とすると、十分使えるレベルであることが分かる。
基準値からＲＦ信号の上側の包絡線までの振幅値Ｉ１４Ｈの各レベルを同図中に示す。図
６（Ｂ）は記録パワーを可変して変調度ｍをグラフ化した記録パワー対変調度特性を示す
。図６（Ｂ）に示すように、テスト記録信号の一層目記録層への記録を１回（イニシャル
）、２回（ＤＯＷ１）、１１回（ＤＯＷ１０）と繰り返し行った場合、ＤＶＤ−ＲＷの２
層光ディスクの問題点として挙げた繰り返し記録の回数により記録パワー対変調度特性に
、差が若干ある（０.２ｍＷ程度の差）ものの、最適な消去パワーが仮に±０.４ｍＷ程度
は問題ない範囲とすると、十分使えるレベルであることが分かる。
図６（Ｃ）は記録パワーを一定にし、かつ、消去パワーを可変して変調度をグラフ化し
た消去パワー対変調度特性を示す。すなわち、図２１（Ａ）のパルスのうち、書込パワー
（記録パワー）Ｐｗと、バイアスパワーＰｂとをそれぞれ一定値で固定し、消去パワーＰ
ｅのみを可変して記録した場合の消去パワーと変調度の特性を示す。図６（Ｃ）に示すよ
うに、記録を１回目（イニシャル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）と繰
り返し行った場合、消去パワーを可変しても変調度がほぼ一定であるため、この方法は最
適な消去パワーの検出には使えないことが分かる。
た消去パワー対変調度特性を示す。すなわち、図２１（Ａ）のパルスのうち、書込パワー
（記録パワー）Ｐｗと、バイアスパワーＰｂとをそれぞれ一定値で固定し、消去パワーＰ
ｅのみを可変して記録した場合の消去パワーと変調度の特性を示す。図６（Ｃ）に示すよ
うに、記録を１回目（イニシャル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）と繰
り返し行った場合、消去パワーを可変しても変調度がほぼ一定であるため、この方法は最
適な消去パワーの検出には使えないことが分かる。
図６（Ｄ）は本発明のＯＰＣ技術を用いて行った、ＤＣ消去パワー対変調度特性を示す
。すなわち、図６（Ｄ）に示す特性は、テスト記録信号の一層目記録層への記録を１回目
（イニシャル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）と繰り返し行ったそれぞ
れの領域を、消去パワーのみで、かつ、そのレベルを可変して記録した（ＤＣ消去した）
場合、繰り返し記録回数による記録特性の差は多少はあるが、それぞれの特性がほぼ一致
していることが分かる。
。すなわち、図６（Ｄ）に示す特性は、テスト記録信号の一層目記録層への記録を１回目
（イニシャル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）と繰り返し行ったそれぞ
れの領域を、消去パワーのみで、かつ、そのレベルを可変して記録した（ＤＣ消去した）
場合、繰り返し記録回数による記録特性の差は多少はあるが、それぞれの特性がほぼ一致
していることが分かる。
この特性を利用して図４の比較判定回路１１１にて比較する所定の変調度の値（ｍ値）
として、図６（Ｄ）の例えば「０.３」という値を使用することにより、比較的誤差の少
ない消去パワーの基準値の値が検出できる。そして、この基準の消去パワーに最適消去パ
ワーを求める係数Ｓを係数Ｓmodとして乗算することにより最適な消去パワーを求めるこ
とができる。実験によれば、最適な消去パワーとの誤差は５％以内であった。
として、図６（Ｄ）の例えば「０.３」という値を使用することにより、比較的誤差の少
ない消去パワーの基準値の値が検出できる。そして、この基準の消去パワーに最適消去パ
ワーを求める係数Ｓを係数Ｓmodとして乗算することにより最適な消去パワーを求めるこ
とができる。実験によれば、最適な消去パワーとの誤差は５％以内であった。
なお、ＲＦ信号の非対称性を表すパラメータのアシンメトリについては、上記β値の説
明をもって省略するが、同様な検出と効果が期待できる。このアシンメトリを検出する構
成は、上記β値の検出構成と変調度の検出構成を用いることができる。つまり、アシンメ
トリの値は上記信号Ａ１と信号Ａ２と信号Ａ３を用いて次式で算出される。この演算は演
算手段１２で行われる（図４には図示せず）。
明をもって省略するが、同様な検出と効果が期待できる。このアシンメトリを検出する構
成は、上記β値の検出構成と変調度の検出構成を用いることができる。つまり、アシンメ
トリの値は上記信号Ａ１と信号Ａ２と信号Ａ３を用いて次式で算出される。この演算は演
算手段１２で行われる（図４には図示せず）。
アシンメトリ＝［（Ｉ１４Ｈ＋Ｉ１４Ｌ）―（Ｉ３Ｈ＋Ｉ３Ｌ）］/
２［（Ｉ１４Ｈ−Ｉ１４Ｌ）］ （３）
上式中、Ｉ１４Ｈ、Ｉ１４Ｌ、Ｉ３Ｈ、Ｉ３Ｌは、図６（Ａ）に示したＲＦ信号の波形中
に示してあり、これらは前記信号Ａ１、Ａ２、Ａ３を用いて下記の式で表される。
２［（Ｉ１４Ｈ−Ｉ１４Ｌ）］ （３）
上式中、Ｉ１４Ｈ、Ｉ１４Ｌ、Ｉ３Ｈ、Ｉ３Ｌは、図６（Ａ）に示したＲＦ信号の波形中
に示してあり、これらは前記信号Ａ１、Ａ２、Ａ３を用いて下記の式で表される。
Ｉ１４Ｈ＝Ａ３ （４）
Ｉ１４Ｌ＝Ａ３−（Ａ１−Ａ２） （５）
Ｉ３Ｈ＝Ａ３ （６）
Ｉ３Ｌ＝Ａ３−（Ａ１−Ａ２） （７）
この検出をする場合、テスト記録信号の記録波形パターンを例えば８／１６変調とした
とき、３Ｔ及び１４Ｔの単一パターンを一組として交互に出力しながら記録をＰＣＡ領域
（図２０のＰＣＡ領域３１１に相当）内の所定のアドレスからの領域に行う。そして、上
記同じアドレスからの領域にＤＣ消去パワーを行うとき上記一組毎に段階的にパワーを変
えながら記録を行う。なお、上記の記録は２層光ディスクに対しては、１層目記録層に対
する記録である。
Ｉ１４Ｌ＝Ａ３−（Ａ１−Ａ２） （５）
Ｉ３Ｈ＝Ａ３ （６）
Ｉ３Ｌ＝Ａ３−（Ａ１−Ａ２） （７）
この検出をする場合、テスト記録信号の記録波形パターンを例えば８／１６変調とした
とき、３Ｔ及び１４Ｔの単一パターンを一組として交互に出力しながら記録をＰＣＡ領域
（図２０のＰＣＡ領域３１１に相当）内の所定のアドレスからの領域に行う。そして、上
記同じアドレスからの領域にＤＣ消去パワーを行うとき上記一組毎に段階的にパワーを変
えながら記録を行う。なお、上記の記録は２層光ディスクに対しては、１層目記録層に対
する記録である。
次に、上記同じアドレスからの領域を再生して記録状態を検出するときには、３Ｔ及び
１４Ｔの書き込み領域に対応したタイミングでそれぞれのＲＦ信号のレベルを再生して信
号Ａ１、信号Ａ２及び信号Ａ３を検出することにより、上記の計算を実現することができ
る。なお、判定手段１３で一致を検出したときのＤＣ消去パワーと演算する係数Ｓは係数
Ｓａとする。
１４Ｔの書き込み領域に対応したタイミングでそれぞれのＲＦ信号のレベルを再生して信
号Ａ１、信号Ａ２及び信号Ａ３を検出することにより、上記の計算を実現することができ
る。なお、判定手段１３で一致を検出したときのＤＣ消去パワーと演算する係数Ｓは係数
Ｓａとする。
次に、パラメータγの検出について説明する。予めテスト記録したＰＣＡ領域を、図２
に示すようなＤＣ消去パワーを段階的に１ステップずつ可変しながら記録し、同じ領域を
再生して記録状態検出手段４より得られる変調度ｍの検出信号を、各ステップ毎にＤＣ消
去パワーに対応した変調度ｍを図１の装置メモリ１４に記憶していく。そして、図４に示
すように、装置メモリ１４よりのデータを基に“変調度ｍの１ステップ先との変化量（ｄ
ｍ）”１１３と、“消去パワーの１ステップ先との変化量（ｄＰe）”１１４と、“現在
のステップでの変調度ｍの値（ｍ）”１１５と、“現在のステップでのＤＣ消去パワーの
値（Ｐｅ）”１１６とを得る。
に示すようなＤＣ消去パワーを段階的に１ステップずつ可変しながら記録し、同じ領域を
再生して記録状態検出手段４より得られる変調度ｍの検出信号を、各ステップ毎にＤＣ消
去パワーに対応した変調度ｍを図１の装置メモリ１４に記憶していく。そして、図４に示
すように、装置メモリ１４よりのデータを基に“変調度ｍの１ステップ先との変化量（ｄ
ｍ）”１１３と、“消去パワーの１ステップ先との変化量（ｄＰe）”１１４と、“現在
のステップでの変調度ｍの値（ｍ）”１１５と、“現在のステップでのＤＣ消去パワーの
値（Ｐｅ）”１１６とを得る。
なお、上記１ステップ毎のメモリの参照内容１１３を“変調度ｍの１ステップ先と１ス
テップ後の変化量（ｄｍ）”と、参照内容１１４を“消去パワーの１ステップ先と１ステ
ップ後の変化量（ｄＰe）”としてもよい。
テップ後の変化量（ｄｍ）”と、参照内容１１４を“消去パワーの１ステップ先と１ステ
ップ後の変化量（ｄＰe）”としてもよい。
これらの値から消去パワーのパラメータγ（Ｐｅ）は、図４に示す演算手段１０９によ
り次式で算出される。
り次式で算出される。
γ（Ｐe）＝（ｄｍ／ｄＰｅ）／（ｍ／Ｐe） （８）
演算手段１０９により算出された消去パワーのパラメータγは、判定回路１１２に供給さ
れてγ値の最小ピーク点が判定される。
演算手段１０９により算出された消去パワーのパラメータγは、判定回路１１２に供給さ
れてγ値の最小ピーク点が判定される。
なお、記録パワーのパラメータγ（Ｐｗ）は図４には図示していないが、上記値１１３
〜１１６を下記のように読み替えることで同様に計算される。
〜１１６を下記のように読み替えることで同様に計算される。
１１３：“変調度ｍの１ステップ先と１ステップ後の変化量（ｄｍ）”
１１４：“記録パワーの１ステップ先と１ステップ後の変化量（ｄＰｗ）”
１１５：“現在のステップでの変調度ｍの値（ｍ）”
１１６：“現在のステップでの記録パワーの値（Ｐｗ）”
これらの値から記録パワーのパラメータγ（Ｐｗ）が次式で算出される。
１１４：“記録パワーの１ステップ先と１ステップ後の変化量（ｄＰｗ）”
１１５：“現在のステップでの変調度ｍの値（ｍ）”
１１６：“現在のステップでの記録パワーの値（Ｐｗ）”
これらの値から記録パワーのパラメータγ（Ｐｗ）が次式で算出される。
γ（Ｐｗ）＝（ｄｍ／ｄＰｗ）／（ｍ／Ｐｗ） （９）
記録パワー（書込パワー）Ｐｗに対する変調度と、上記のパラメータγ（Ｐｗ）との一
般的な特性図を図７（Ａ）に示す。最適な記録パワーＰｏを求めるためには、図７（Ａ）
中のγターゲット（γtarget）を定め、検出したγ特性がこのγターゲットと一致したと
ころの記録パワー（Ｐtarget）を求め、この値を基準値として係数ρを乗算して計算で求
める。なお、係数ρは、前記図２２の特性図に鑑み、ＤＯＷ１のジッタが最小となる記録
パワーと消去パワーに合わせる。記録再生装置の設計では一番不利となる記録条件（ＤＯ
Ｗ１）で最良の記録（再生ジッタ最小）ができるようにするためである。
記録パワー（書込パワー）Ｐｗに対する変調度と、上記のパラメータγ（Ｐｗ）との一
般的な特性図を図７（Ａ）に示す。最適な記録パワーＰｏを求めるためには、図７（Ａ）
中のγターゲット（γtarget）を定め、検出したγ特性がこのγターゲットと一致したと
ころの記録パワー（Ｐtarget）を求め、この値を基準値として係数ρを乗算して計算で求
める。なお、係数ρは、前記図２２の特性図に鑑み、ＤＯＷ１のジッタが最小となる記録
パワーと消去パワーに合わせる。記録再生装置の設計では一番不利となる記録条件（ＤＯ
Ｗ１）で最良の記録（再生ジッタ最小）ができるようにするためである。
この手法を用いて、記録パワーと消去パワーの比率εの値を一定としてＤＶＤ−ＲＷの
２層光ディスクの記録パワーとパラメータγ（Ｐｗ）とを測定した結果を図７（Ｂ）に示
す。図７（Ｂ）は本発明で使用できる最適な記録パワーを検出するＯＰＣ方法の一つで、
γ値を用いる例を示している。この特性図は記録パワーと消去パワーとの比率εを一定と
したまま、記録パワーと消去パワーとを可変して記録後、再生してγ値を測定したもので
ある。特性としては２層光ディスクの１層目記録層への記録を１回目（イニシャル）、２
回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）と繰り返し行っても、ＤＶＤ−ＲＷの２層光
ディスクの問題点として挙げた、繰り返し記録回数により記録特性が変化するという点は
比較的少なく、図７（Ａ）と共に説明した方法（γ法）で十分検出できることが分かる。
２層光ディスクの記録パワーとパラメータγ（Ｐｗ）とを測定した結果を図７（Ｂ）に示
す。図７（Ｂ）は本発明で使用できる最適な記録パワーを検出するＯＰＣ方法の一つで、
γ値を用いる例を示している。この特性図は記録パワーと消去パワーとの比率εを一定と
したまま、記録パワーと消去パワーとを可変して記録後、再生してγ値を測定したもので
ある。特性としては２層光ディスクの１層目記録層への記録を１回目（イニシャル）、２
回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）と繰り返し行っても、ＤＶＤ−ＲＷの２層光
ディスクの問題点として挙げた、繰り返し記録回数により記録特性が変化するという点は
比較的少なく、図７（Ａ）と共に説明した方法（γ法）で十分検出できることが分かる。
図７（Ｃ）は図２１（Ａ）のパルスのうち消去パワーＰｅだけを可変して記録した領域
を再生してパラメータγ（Ｐｅ）を測定した特性図を示す。この特性は、図７（Ｃ）に示
すように、記録を１回目（イニシャル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）
と繰り返し行っても、消去パワーによりγ（Ｐｅ）があまり変化せず、最適な消去パワー
の検出には使えないことが分かる。
を再生してパラメータγ（Ｐｅ）を測定した特性図を示す。この特性は、図７（Ｃ）に示
すように、記録を１回目（イニシャル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）
と繰り返し行っても、消去パワーによりγ（Ｐｅ）があまり変化せず、最適な消去パワー
の検出には使えないことが分かる。
図７（Ｄ）は本発明のＯＰＣ技術を用いてテスト記録信号の記録回数１回目（イニシャ
ル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）でそれぞれ記録した領域から測定し
たＤＣ消去パワーとパラメータγ（Ｐｅ）との測定結果を示す。この特性は変調度の特性
を微分したグラフ（変調度の正規化された傾き特性）である。図７（Ｄ）から特に急激に
ＤＣ消去されて変調度が減衰したところが大きくピーク（ディップ）を持っていることが
分かる。このピークの頂点部分の位置は繰り返し記録回数による記録状態の変化に影響な
くほぼ同じポイントで生じていることが分かる。
ル）、２回目（ＤＯＷ１）、１１回目（ＤＯＷ１０）でそれぞれ記録した領域から測定し
たＤＣ消去パワーとパラメータγ（Ｐｅ）との測定結果を示す。この特性は変調度の特性
を微分したグラフ（変調度の正規化された傾き特性）である。図７（Ｄ）から特に急激に
ＤＣ消去されて変調度が減衰したところが大きくピーク（ディップ）を持っていることが
分かる。このピークの頂点部分の位置は繰り返し記録回数による記録状態の変化に影響な
くほぼ同じポイントで生じていることが分かる。
このような特性からこのピークの頂点に対応するＤＣ消去パワーを基準値として用い、
予め定めた最適な消去パワーを求めるための係数Ｓｇで乗算することにより、最適な消去
パワーを求めることができる。実験によれば、最適な消去パワーとの誤差は３％以内であ
った。
予め定めた最適な消去パワーを求めるための係数Ｓｇで乗算することにより、最適な消去
パワーを求めることができる。実験によれば、最適な消去パワーとの誤差は３％以内であ
った。
本実施の形態で用いた係数Ｓｂ、係数Ｓｍｏｄ、係数Ｓｇ、係数Ｓａはそれぞれ書き換
え回数の２回目のジッタが最良になる消去パワーを求める値に予め決めている。これは、
図２２に示したように、２回目の記録時の再生ジッタが比較的悪いことに鑑みて決められ
たものであり、これにより短時間で最適な消去パワーを設定することができる。なお、上
記の各係数の値は光ディスクの記録層の特性により変わる値である。
え回数の２回目のジッタが最良になる消去パワーを求める値に予め決めている。これは、
図２２に示したように、２回目の記録時の再生ジッタが比較的悪いことに鑑みて決められ
たものであり、これにより短時間で最適な消去パワーを設定することができる。なお、上
記の各係数の値は光ディスクの記録層の特性により変わる値である。
次に、本発明の光ディスク記録再生方法の第１の実施の形態について図９のフローチャ
ートを参照して説明する。ＯＰＣ処理のテスト記録モードが指示されると（ステップ２０
０）、図１の制御回路１１は最適な記録パワーを求めるためのテスト記録の処理に入るが
、その前にＰＣＡ領域を初期化する処理（サブルーチンＡ）を実行してもよい。テスト記
録の処理では、まず、光ディスク１若しくは装置メモリ１４から推奨の記録パワー値を読
み出し固定値とし、また、同じく光ディスク１若しくは装置メモリ１４からε（消去パワ
ーの比率）の値を読み出し、それを基に、上記の記録パワーと乗算して消去パワーを求め
、更に装置メモリ１４からバイアスパワーを読み出し固定値として、それらを記録手段６
に設定する（ステップ２０１）。
ートを参照して説明する。ＯＰＣ処理のテスト記録モードが指示されると（ステップ２０
０）、図１の制御回路１１は最適な記録パワーを求めるためのテスト記録の処理に入るが
、その前にＰＣＡ領域を初期化する処理（サブルーチンＡ）を実行してもよい。テスト記
録の処理では、まず、光ディスク１若しくは装置メモリ１４から推奨の記録パワー値を読
み出し固定値とし、また、同じく光ディスク１若しくは装置メモリ１４からε（消去パワ
ーの比率）の値を読み出し、それを基に、上記の記録パワーと乗算して消去パワーを求め
、更に装置メモリ１４からバイアスパワーを読み出し固定値として、それらを記録手段６
に設定する（ステップ２０１）。
続いて、記録するテスト記録信号を記録波形パターンのランダムパターン信号に設定し
、記録ストラテジ及び書き込みパワー（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワ
ーＰｂ）を一定条件にして、一層目記録層のＯＰＣ領域（図２０のＰＣＡ領域３１１に相
当）にテスト記録を行う（ステップ２０２）。続いて、テスト記録した領域と同じＯＰＣ
領域をＤＣ消去パワーで段階的（例えば１０ステップ）に可変しながら記録する（ＤＣ消
去する）。このときのＤＣ消去パワーの値は、装置メモリ１４に各ステップ毎に記録する
（ステップ２０３）。
、記録ストラテジ及び書き込みパワー（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワ
ーＰｂ）を一定条件にして、一層目記録層のＯＰＣ領域（図２０のＰＣＡ領域３１１に相
当）にテスト記録を行う（ステップ２０２）。続いて、テスト記録した領域と同じＯＰＣ
領域をＤＣ消去パワーで段階的（例えば１０ステップ）に可変しながら記録する（ＤＣ消
去する）。このときのＤＣ消去パワーの値は、装置メモリ１４に各ステップ毎に記録する
（ステップ２０３）。
そして、ＤＣ消去による記録の状態変化を検出するために、ＤＣ消去したＯＰＣ領域を
再生する（ステップ２０４）。再生して得られたＲＦ信号のうち、ＯＰＣ領域をＤＣ消去
パワーのステップ毎にレベルを変えて記録したエリア毎のＲＦ信号から、変調度ｍを算出
し、さらにγ値を算出する。またはアシンメトリ用β値を算出する。求めた値は装置メモ
リ１４に格納する（ステップ２０５）。
再生する（ステップ２０４）。再生して得られたＲＦ信号のうち、ＯＰＣ領域をＤＣ消去
パワーのステップ毎にレベルを変えて記録したエリア毎のＲＦ信号から、変調度ｍを算出
し、さらにγ値を算出する。またはアシンメトリ用β値を算出する。求めた値は装置メモ
リ１４に格納する（ステップ２０５）。
続いて、図４の比較判定回路１１０、１１１、１１２の出力から、算出したアシンメト
リ用β値、変調度ｍ、γ値が所定の値と一致したかを判定する（ステップ２０６）。判定
の結果、一致したステップでのＤＣ消去パワー値を求め、このＤＣ消去パワー値を基準値
として、係数Ｓｂまたは係数Ｓｍｏｄ又は係数Ｓｇを、図１の演算手段１２にて掛けて最
適な消去パワーを算出する（ステップ２０７）。続いて、算出した消去パワーを固定値と
して記録手段６に設定する（ステップ２０８）。
リ用β値、変調度ｍ、γ値が所定の値と一致したかを判定する（ステップ２０６）。判定
の結果、一致したステップでのＤＣ消去パワー値を求め、このＤＣ消去パワー値を基準値
として、係数Ｓｂまたは係数Ｓｍｏｄ又は係数Ｓｇを、図１の演算手段１２にて掛けて最
適な消去パワーを算出する（ステップ２０７）。続いて、算出した消去パワーを固定値と
して記録手段６に設定する（ステップ２０８）。
次に、記録するテスト記録信号を記録波形パターンのランダムパターン信号に設定し、
ＤＣ消去した領域とは異なる例えば次のＯＰＣ領域に記録パワーだけを段階的（例えば１
０ステップ）に可変しながら、テスト記録信号を記録する（ステップ２０９）。続いて、
ステップ２０９でテスト記録信号を記録した領域を再生する（ステップ２１０）。そして
、記録パワーを段階的に可変しながら書き込んだ領域毎に、再生ＲＦ信号の状態を記録状
態検出手段４で検出し、変調度ｍを算出し、更にγ値を算出し、又はアシンメトリ用β値
を算出する（ステップ２１１）。求めた値は装置メモリ１４に格納する。
ＤＣ消去した領域とは異なる例えば次のＯＰＣ領域に記録パワーだけを段階的（例えば１
０ステップ）に可変しながら、テスト記録信号を記録する（ステップ２０９）。続いて、
ステップ２０９でテスト記録信号を記録した領域を再生する（ステップ２１０）。そして
、記録パワーを段階的に可変しながら書き込んだ領域毎に、再生ＲＦ信号の状態を記録状
態検出手段４で検出し、変調度ｍを算出し、更にγ値を算出し、又はアシンメトリ用β値
を算出する（ステップ２１１）。求めた値は装置メモリ１４に格納する。
続いて、判定手段１３が、上記の算出された変調度ｍ又はγ値、又はアシンメトリ用β
値が、記録パワー用の所定の値又は所定の条件と一致したかを判定する（ステップ２１２
）。判定の結果、所定の値又は所定の条件と一致した検出値に対応したステップでの記録
パワー値を求め、演算手段１２はこの記録パワー値を基準値として、係数Ｋｂ又は係数Ｋ
ｍｏｄ又は係数Ｋｇ又は係数Ｋaを掛けて最適な記録パワーを算出する（ステップ２１３
）。そして、制御回路１１は算出した最適な記録パワーを記録手段６に設定する（ステッ
プ２１４）。このようにして最適な書き込みパワー（記録パワーＰo、消去パワーＰｅ、
バイアスパワーＰｂ）すべてが決まり、ＯＰＣ動作を終了する（ステップ２１５）。
値が、記録パワー用の所定の値又は所定の条件と一致したかを判定する（ステップ２１２
）。判定の結果、所定の値又は所定の条件と一致した検出値に対応したステップでの記録
パワー値を求め、演算手段１２はこの記録パワー値を基準値として、係数Ｋｂ又は係数Ｋ
ｍｏｄ又は係数Ｋｇ又は係数Ｋaを掛けて最適な記録パワーを算出する（ステップ２１３
）。そして、制御回路１１は算出した最適な記録パワーを記録手段６に設定する（ステッ
プ２１４）。このようにして最適な書き込みパワー（記録パワーＰo、消去パワーＰｅ、
バイアスパワーＰｂ）すべてが決まり、ＯＰＣ動作を終了する（ステップ２１５）。
このように、本実施の形態によれば、記録パワーの設定許容度が図２３（Ａ）から比較
的広いことと、２層光ディスクの１層目記録層の消去パワーの設定許容度が図２３（Ｂ）
および図２４から極めて狭いことから、まず最適な消去パワーの検出を精密に行い、求め
られた消去パワーからεを用いて記録パワーを求めるようにしたため、光ディスクにＯＰ
Ｃ処理のためにテスト記録する回数を減らし、実質的には記録再生装置（ドライブ装置）
の起動時間の短縮を行うことができる特徴がある。
的広いことと、２層光ディスクの１層目記録層の消去パワーの設定許容度が図２３（Ｂ）
および図２４から極めて狭いことから、まず最適な消去パワーの検出を精密に行い、求め
られた消去パワーからεを用いて記録パワーを求めるようにしたため、光ディスクにＯＰ
Ｃ処理のためにテスト記録する回数を減らし、実質的には記録再生装置（ドライブ装置）
の起動時間の短縮を行うことができる特徴がある。
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、光ディスク記録再生装置の
基本的な構成、及びその記録処理の手順は、図１〜図４、図７に示した構成と同じである
ので省略し、第２の実施の形態特有の構成について説明する。図１０は本発明になる光デ
ィスク記録再生方法の第２の実施の形態のフローチャートを示す。本実施の形態は、最初
に最適な記録パワーを算出し、その後で最適な消去パワーを算出するものであり、第１の
実施の形態と算出順序が異なる。
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、光ディスク記録再生装置の
基本的な構成、及びその記録処理の手順は、図１〜図４、図７に示した構成と同じである
ので省略し、第２の実施の形態特有の構成について説明する。図１０は本発明になる光デ
ィスク記録再生方法の第２の実施の形態のフローチャートを示す。本実施の形態は、最初
に最適な記録パワーを算出し、その後で最適な消去パワーを算出するものであり、第１の
実施の形態と算出順序が異なる。
ＯＰＣ処理のテスト記録モードが指示されると（ステップ４００）、まず、図１の光デ
ィスク１若しくは装置メモリ１４から推奨の記録パワー値（Ｐｉｎｄ）を読み出し、記録
パワーの可変する範囲の中心値として設定し、同じく光ディスク１若しくは装置メモリ１
４からε（記録パワーと消去パワーの比率）の値を読み出して、記録パワーと乗算して、
その値を消去パワーを可変する範囲の中心値（＝ε・Ｐｉｎｄ）とし、更に装置メモリ１
４から読み出したバイアスパワーの値を固定値として求める（ステップ４０１）。
ィスク１若しくは装置メモリ１４から推奨の記録パワー値（Ｐｉｎｄ）を読み出し、記録
パワーの可変する範囲の中心値として設定し、同じく光ディスク１若しくは装置メモリ１
４からε（記録パワーと消去パワーの比率）の値を読み出して、記録パワーと乗算して、
その値を消去パワーを可変する範囲の中心値（＝ε・Ｐｉｎｄ）とし、更に装置メモリ１
４から読み出したバイアスパワーの値を固定値として求める（ステップ４０１）。
続いて、最適な記録パワーを求めるためのテスト記録の処理に入るが、その前にＯＰＣ
を行うＰＣＡ領域を初期化する処理（サブルーチンＡ）を実行してもよい。最適な記録パ
ワーを求めるためのテスト記録の処理では、まず、記録するテスト記録信号を記録波形パ
ターンのランダムパターン信号に設定し、記録パワーと消去パワーの比率εを一定に保持
したまま記録パワーと消去パワーの両方を可変しながら、テスト記録信号を一層目記録層
に記録するか、又は消去パワーの中心値を固定値のまま記録パワーのみを段階的（例えば
１０ステップ）に可変しながらテスト記録信号を記録する（ステップ４０２）。
を行うＰＣＡ領域を初期化する処理（サブルーチンＡ）を実行してもよい。最適な記録パ
ワーを求めるためのテスト記録の処理では、まず、記録するテスト記録信号を記録波形パ
ターンのランダムパターン信号に設定し、記録パワーと消去パワーの比率εを一定に保持
したまま記録パワーと消去パワーの両方を可変しながら、テスト記録信号を一層目記録層
に記録するか、又は消去パワーの中心値を固定値のまま記録パワーのみを段階的（例えば
１０ステップ）に可変しながらテスト記録信号を記録する（ステップ４０２）。
そして、記録パワー可変による記録の状態変化を検出するために、テスト記録信号を記
録したＯＰＣ領域を再生する（ステップ４０３）。続いて、そのＯＰＣ領域を段階的に記
録パワーのレベルを変えて記録したエリア毎に、変調度ｍを算出し、さらにγ値を算出す
る。またはβ値またはアシンメトリ値を算出し、それら算出して求めた値は装置メモリ１
４に格納する（ステップ４０４）。
録したＯＰＣ領域を再生する（ステップ４０３）。続いて、そのＯＰＣ領域を段階的に記
録パワーのレベルを変えて記録したエリア毎に、変調度ｍを算出し、さらにγ値を算出す
る。またはβ値またはアシンメトリ値を算出し、それら算出して求めた値は装置メモリ１
４に格納する（ステップ４０４）。
続いて、図４の比較判定回路１１０、１１１、１１２の出力から、算出したアシンメト
リ用β値、変調度ｍ、γ値が所定の値と一致したかを判定する（ステップ４０５）。判定
の結果、一致したステップでの記録パワー値を求め、この記録パワー値を基準値として、
記録パワー用の係数Ｋｍｏｄ又は係数Ｋｂ又は係数Ｋｇ又は係数Ｋａを、図１の演算手段
１２にて掛けて最適な記録パワーを算出する（ステップ４０６）。続いて、算出した記録
パワーを固定値として記録手段６に設定する（ステップ４０７）。
リ用β値、変調度ｍ、γ値が所定の値と一致したかを判定する（ステップ４０５）。判定
の結果、一致したステップでの記録パワー値を求め、この記録パワー値を基準値として、
記録パワー用の係数Ｋｍｏｄ又は係数Ｋｂ又は係数Ｋｇ又は係数Ｋａを、図１の演算手段
１２にて掛けて最適な記録パワーを算出する（ステップ４０６）。続いて、算出した記録
パワーを固定値として記録手段６に設定する（ステップ４０７）。
続いて、記録するテスト記録信号を記録波形パターンのランダムパターン信号に設定し
、記録パワーを可変して記録した上記の領域とは異なる、例えば次のＯＰＣ領域に上記の
テスト記録信号を記録する（ステップ４０８）。続いて、ステップ４０８でテスト記録し
た領域と同じＯＰＣ領域をＤＣ消去パワーで段階的（例えば１０ステップ）に可変しなが
ら記録する（ＤＣ消去する）。このときのＤＣ消去パワーの値は、装置メモリ１４にＤＣ
消去パワーを可変した各ステップ毎に記録する（ステップ４０９）。
、記録パワーを可変して記録した上記の領域とは異なる、例えば次のＯＰＣ領域に上記の
テスト記録信号を記録する（ステップ４０８）。続いて、ステップ４０８でテスト記録し
た領域と同じＯＰＣ領域をＤＣ消去パワーで段階的（例えば１０ステップ）に可変しなが
ら記録する（ＤＣ消去する）。このときのＤＣ消去パワーの値は、装置メモリ１４にＤＣ
消去パワーを可変した各ステップ毎に記録する（ステップ４０９）。
そして、ＤＣ消去による記録の状態変化を検出するために、ＤＣ消去したＯＰＣ領域を
再生する（ステップ４１０）。その再生ＲＦ信号からＯＰＣ領域をＤＣ消去パワーのステ
ップ毎にレベルを変えて記録したエリア毎に、変調度ｍを算出し、さらにγ値を算出し、
又はアシンメトリ用β値を算出する。求めた値は装置メモリ１４に格納する（ステップ４
１１）。
再生する（ステップ４１０）。その再生ＲＦ信号からＯＰＣ領域をＤＣ消去パワーのステ
ップ毎にレベルを変えて記録したエリア毎に、変調度ｍを算出し、さらにγ値を算出し、
又はアシンメトリ用β値を算出する。求めた値は装置メモリ１４に格納する（ステップ４
１１）。
続いて、判定手段１３が、上記の算出された変調度ｍ又はγ値、又はアシンメトリ用β
値が、消去パワー用の所定の値又は所定の条件と一致したかを判定する（ステップ４１２
）。判定の結果、所定の値又は所定の条件と一致した検出値に対応したステップでのＤＣ
消去パワー値を求め、演算手段１２はこのＤＣ消去パワー値を基準値として、消去パワー
用の係数Ｓｂ又は係数Ｓｍｏｄ又は係数Ｓｇ又は係数Ｓａを掛けて最適な消去パワーを算
出する（ステップ４１３）。そして、制御回路１１は、前記算出した最適な記録パワーに
加えて、今回算出した最適な消去パワーを記録手段６に設定する（ステップ４１４）。こ
のようにして、最適な書き込みパワー（記録パワーＰo、消去パワーＰｅ、バイアスパワ
ーＰｂ）のすべてが決まり、ＯＰＣ動作を終了する（ステップ４１５）。
値が、消去パワー用の所定の値又は所定の条件と一致したかを判定する（ステップ４１２
）。判定の結果、所定の値又は所定の条件と一致した検出値に対応したステップでのＤＣ
消去パワー値を求め、演算手段１２はこのＤＣ消去パワー値を基準値として、消去パワー
用の係数Ｓｂ又は係数Ｓｍｏｄ又は係数Ｓｇ又は係数Ｓａを掛けて最適な消去パワーを算
出する（ステップ４１３）。そして、制御回路１１は、前記算出した最適な記録パワーに
加えて、今回算出した最適な消去パワーを記録手段６に設定する（ステップ４１４）。こ
のようにして、最適な書き込みパワー（記録パワーＰo、消去パワーＰｅ、バイアスパワ
ーＰｂ）のすべてが決まり、ＯＰＣ動作を終了する（ステップ４１５）。
このように、本発明の第２の実施の形態では、２段階のステップのＯＰＣ（２ステップ
ＤＣ消去）を行った場合、記録パワーと消去パワーの比率εに依存するγ法などのＯＰＣ
により、記録パワーと消去パワーの比率εのバラツキの影響を少なくでき、最適な記録パ
ワーと消去パワーの値をそれぞれ求めることができる。記録後のＲＦ信号のアシンメトリ
の状態についても従来のγ法のみより改善することがきる。
ＤＣ消去）を行った場合、記録パワーと消去パワーの比率εに依存するγ法などのＯＰＣ
により、記録パワーと消去パワーの比率εのバラツキの影響を少なくでき、最適な記録パ
ワーと消去パワーの値をそれぞれ求めることができる。記録後のＲＦ信号のアシンメトリ
の状態についても従来のγ法のみより改善することがきる。
また、最初にテスト記録した領域から最適な記録パワーを検出した後、この最適な記録
パワーでテスト記録された領域を用いてＤＣ消去を行い最適な消去パワーの検出を行って
もよい。この場合、ＤＣ消去を行うためのテスト記録が省略できＯＰＣ時間を短くできる
効果がある。具体的には、ＤＶＤ規格の光ディスク１の１ＥＣＣブロック（＝１６セクタ
）を使って、最適記録パワーを求めるためのＯＰＣ処理を行うものとすると、記録パワー
を１セクタずつ段階的に可変して１ＥＣＣブロックでは全部で１６段階に記録パワーを可
変してテスト記録信号を記録し、その再生ＲＦ信号から再生ジッタが最小な最適な記録パ
ワーを求める。このとき、最適な記録パワー値の判定ができると同時に、その最適な記録
パワーで記録されたセクタがどのセクタ位置であるかも分かるので、次の処理である最適
な消去パワーを求める処理のときには、最適な記録パワーで記録された１セクタの２６フ
レームを、２フレームずつＤＣ消去パワーを変化させて記録した後、その２６フレームを
再生することにより、最適な消去パワーを検出することができる。
パワーでテスト記録された領域を用いてＤＣ消去を行い最適な消去パワーの検出を行って
もよい。この場合、ＤＣ消去を行うためのテスト記録が省略できＯＰＣ時間を短くできる
効果がある。具体的には、ＤＶＤ規格の光ディスク１の１ＥＣＣブロック（＝１６セクタ
）を使って、最適記録パワーを求めるためのＯＰＣ処理を行うものとすると、記録パワー
を１セクタずつ段階的に可変して１ＥＣＣブロックでは全部で１６段階に記録パワーを可
変してテスト記録信号を記録し、その再生ＲＦ信号から再生ジッタが最小な最適な記録パ
ワーを求める。このとき、最適な記録パワー値の判定ができると同時に、その最適な記録
パワーで記録されたセクタがどのセクタ位置であるかも分かるので、次の処理である最適
な消去パワーを求める処理のときには、最適な記録パワーで記録された１セクタの２６フ
レームを、２フレームずつＤＣ消去パワーを変化させて記録した後、その２６フレームを
再生することにより、最適な消去パワーを検出することができる。
すなわち、この場合は、記録パワーのみを可変しながらテスト記録を行う記録手段及び
その記録手段で記録した光ディスクのテスト記録領域を、次の消去パワーのみを可変しな
がら記録する記録手段及びその記録手段で記録する領域として代用することができる。こ
れにより、最適消去パワーを求めるために各領域を予め最適記録パワーで記録する手間が
省け、ＯＰＣ時間を短縮できる。
その記録手段で記録した光ディスクのテスト記録領域を、次の消去パワーのみを可変しな
がら記録する記録手段及びその記録手段で記録する領域として代用することができる。こ
れにより、最適消去パワーを求めるために各領域を予め最適記録パワーで記録する手間が
省け、ＯＰＣ時間を短縮できる。
なお、上記の第１の実施の形態では、第２の実施の形態とは異なり、最初に最適な消去
パワーを求め、その後で最適な記録パワーを求めるようにしているが、この場合も、この
第２の実施の形態と同様に、テスト記録された領域を消去パワーのみを可変しながら記録
を行う記録手段及びその記録手段で記録した光ディスクの領域を、次の記録パワーのみを
可変しながら記録する記録手段及びその記録手段で記録する領域として代用することがで
きる。これにより、最適記録パワーを求めるために各領域を予め最適消去パワーで記録す
る手間が省け、ＯＰＣ時間を短縮できる。
パワーを求め、その後で最適な記録パワーを求めるようにしているが、この場合も、この
第２の実施の形態と同様に、テスト記録された領域を消去パワーのみを可変しながら記録
を行う記録手段及びその記録手段で記録した光ディスクの領域を、次の記録パワーのみを
可変しながら記録する記録手段及びその記録手段で記録する領域として代用することがで
きる。これにより、最適記録パワーを求めるために各領域を予め最適消去パワーで記録す
る手間が省け、ＯＰＣ時間を短縮できる。
また、上記の本発明の第１の実施の形態及び第２の実施の形態では、２段階のステップ
で最適な記録パワーと消去パワーの値が検出できるので、光ディスク１に記録されている
記録パワーと消去パワーの比率εにバラツキがある場合や、未知の光ディスクについても
良好に記録ができる。また、検出した最適な記録パワーと消去パワーの各値を用いて正し
い記録パワーと消去パワーの比率εを演算手段１２で更に計算し、装置メモリ１４に保存
する。なお、算出した記録パワーと消去パワーの比率εは、光ディスクのＲＭＡ領域など
に記録してもよい。
で最適な記録パワーと消去パワーの値が検出できるので、光ディスク１に記録されている
記録パワーと消去パワーの比率εにバラツキがある場合や、未知の光ディスクについても
良好に記録ができる。また、検出した最適な記録パワーと消去パワーの各値を用いて正し
い記録パワーと消去パワーの比率εを演算手段１２で更に計算し、装置メモリ１４に保存
する。なお、算出した記録パワーと消去パワーの比率εは、光ディスクのＲＭＡ領域など
に記録してもよい。
そして、次の記録開始時にＯＰＣを実行する場合に、記録パワーと消去パワーの比率ε
に依存するγ値を用いたＯＰＣでも、装置メモリ１４に上記のようにして保存した正確な
記録パワーと消去パワーの比率εを使用してＯＰＣを実行することにより、ＯＰＣ時間を
短くでき、検出も正しく行うことができる。
に依存するγ値を用いたＯＰＣでも、装置メモリ１４に上記のようにして保存した正確な
記録パワーと消去パワーの比率εを使用してＯＰＣを実行することにより、ＯＰＣ時間を
短くでき、検出も正しく行うことができる。
また、算出した記録パワーと消去パワーの比率εを光ディスクの種別情報と共に装置メ
モリ１４に格納させてもよい。この場合、記録再生装置で再度同じ種類の光ディスクを記
録するときに装置メモリ１４に格納した信頼性の高い記録パワーと消去パワーの比率εの
情報を利用することができ、ＯＰＣ時間と正確さを考慮してＯＰＣ法を選択することがで
きる。この場合、第１の実施の形態では、図９のステップ２０９〜ステップ２１３の処理
を、また、第２の実施の形態では図１０のステップ４０８〜ステップ４１３の処理を、装
置メモリ１４から読み出した記録パワーと消去パワーの比率εを利用することで省略でき
る。
モリ１４に格納させてもよい。この場合、記録再生装置で再度同じ種類の光ディスクを記
録するときに装置メモリ１４に格納した信頼性の高い記録パワーと消去パワーの比率εの
情報を利用することができ、ＯＰＣ時間と正確さを考慮してＯＰＣ法を選択することがで
きる。この場合、第１の実施の形態では、図９のステップ２０９〜ステップ２１３の処理
を、また、第２の実施の形態では図１０のステップ４０８〜ステップ４１３の処理を、装
置メモリ１４から読み出した記録パワーと消去パワーの比率εを利用することで省略でき
る。
また、装置メモリ１４に格納した記録パワーと消去パワーの比率εの情報は、適宜更新
するようにし、光ディスクの生産ロットの違いなどで記録の失敗が発生した時や未知の光
ディスクに遭遇した場合は、新しい情報を更新させたり追加させたりする学習機能を持た
せてもよい。
するようにし、光ディスクの生産ロットの違いなどで記録の失敗が発生した時や未知の光
ディスクに遭遇した場合は、新しい情報を更新させたり追加させたりする学習機能を持た
せてもよい。
（第３の実施の形態）
上記の第１の実施の形態においては、テスト記録信号として、記録波形パターンの記録
マークの短いマークと長いマークが混在したテスト記録信号又は記録波形パターンのラン
ダムパターン信号を用いて光ディスクにテスト記録を行ったが、そのテスト記録領域をＤ
Ｃ消去パワーを段階的に上げて消去すると、短いマークから最初に消去され、ＲＦ信号の
振幅が減衰していくことから、消え残りの度合いは長いマークの方が高いことが分かる。
このことはピークレベル検出とボトムレベル検出で検出している記録マークの振幅は長い
マークの消え残り度合いを主に検出しているのではないかと思われる。
上記の第１の実施の形態においては、テスト記録信号として、記録波形パターンの記録
マークの短いマークと長いマークが混在したテスト記録信号又は記録波形パターンのラン
ダムパターン信号を用いて光ディスクにテスト記録を行ったが、そのテスト記録領域をＤ
Ｃ消去パワーを段階的に上げて消去すると、短いマークから最初に消去され、ＲＦ信号の
振幅が減衰していくことから、消え残りの度合いは長いマークの方が高いことが分かる。
このことはピークレベル検出とボトムレベル検出で検出している記録マークの振幅は長い
マークの消え残り度合いを主に検出しているのではないかと思われる。
そこで、この第３の実施の形態では検出精度を高めるために、テスト記録信号として最
長の長いマークのみ（８／１６変調信号の場合には１４Ｔ信号）を用いてテスト記録を行
うものである。なお、光ディスク記録再生装置の基本的な構成、及びその記録処理の手順
は、図１〜図４、図７に示した構成と同じであるので省略し、第３の実施の形態特有の構
成について説明する。
長の長いマークのみ（８／１６変調信号の場合には１４Ｔ信号）を用いてテスト記録を行
うものである。なお、光ディスク記録再生装置の基本的な構成、及びその記録処理の手順
は、図１〜図４、図７に示した構成と同じであるので省略し、第３の実施の形態特有の構
成について説明する。
図１１は、テスト記録信号として１４Ｔ信号を用いてテスト記録を行い、その記録領域
をＤＣ消去パワーを段階的に可変して記録（消去）した後、そのＤＣ消去個所を再生して
得られた消去パワーのパラメータγ（Ｐｅ）値との関係を示す本実施の形態の特性図であ
る。図１１では、１４Ｔ信号を１回記録した個所をＤＣ消去パワーで段階的に可変しなが
らＤＣ消去した場合（イニシャル）、１４Ｔ信号を計２回繰り返して記録した個所をＤＣ
消去パワーで段階的に可変しながらＤＣ消去した場合（ＤＯＷ１）、１４Ｔ信号を計１０
１回繰り返して記録した個所をＤＣ消去パワーで段階的に可変しながらＤＣ消去した場合
（ＤＯＷ１０２）のそれぞれについて、パラメータγ（Ｐｅ）と変調度の正規化された傾
き特性を示すパラメータであるγ値とを測定した実験結果を示す。
をＤＣ消去パワーを段階的に可変して記録（消去）した後、そのＤＣ消去個所を再生して
得られた消去パワーのパラメータγ（Ｐｅ）値との関係を示す本実施の形態の特性図であ
る。図１１では、１４Ｔ信号を１回記録した個所をＤＣ消去パワーで段階的に可変しなが
らＤＣ消去した場合（イニシャル）、１４Ｔ信号を計２回繰り返して記録した個所をＤＣ
消去パワーで段階的に可変しながらＤＣ消去した場合（ＤＯＷ１）、１４Ｔ信号を計１０
１回繰り返して記録した個所をＤＣ消去パワーで段階的に可変しながらＤＣ消去した場合
（ＤＯＷ１０２）のそれぞれについて、パラメータγ（Ｐｅ）と変調度の正規化された傾
き特性を示すパラメータであるγ値とを測定した実験結果を示す。
図１１から分かるように、完全に消去される少し手前でこの検出特性が急峻に変化し消
去が急激に行われるポイントがある。本実施の形態はこのポイントが繰り返し記録特性に
殆ど影響がなく検出できることを利用し、このポイントの消去パワーを基準にして所定の
係数を乗算することにより最適な消去パワーを導き出している。この場合の最適な消去パ
ワーとの誤差は２％以内であった。
去が急激に行われるポイントがある。本実施の形態はこのポイントが繰り返し記録特性に
殆ど影響がなく検出できることを利用し、このポイントの消去パワーを基準にして所定の
係数を乗算することにより最適な消去パワーを導き出している。この場合の最適な消去パ
ワーとの誤差は２％以内であった。
このことからテスト記録信号は、記録波形パターンの記録マークの最長マーク信号又は
最長マーク信号を含む長いマーク（例えば、８／１６変調信号の場合には８Ｔから１４Ｔ
の任意のマーク信号）又は単一の長いマーク（例えば、８／１６変調信号の場合には８Ｔ
から１４Ｔの任意のマーク信号）を用いて光ディスクにテスト記録を行うと良好な結果が
得られることが分かる。
最長マーク信号を含む長いマーク（例えば、８／１６変調信号の場合には８Ｔから１４Ｔ
の任意のマーク信号）又は単一の長いマーク（例えば、８／１６変調信号の場合には８Ｔ
から１４Ｔの任意のマーク信号）を用いて光ディスクにテスト記録を行うと良好な結果が
得られることが分かる。
（第４の実施の形態）
上記の第１の実施の形態及び第２の実施の形態においては、最適な書き込みパワーを求
めるために消去パワー用の判定手段１３で所定値と一致したところの領域のＤＣ消去パワ
ーを基準値として、装置メモリ１４内の消去パワー用の一定の係数Ｓｂ又は係数Ｓｍｏｄ
又は係数Ｓｇ又はＳａと乗算して最適な消去パワーを求めるように構成している。しかし
、この場合、新しく参入した光ディスクメーカーの光ディスクや装置メモリ１４にデータ
が無い光ディスクのＯＰＣ処理をする必要が生じた場合に、ＯＰＣ処理ができないという
不具合が生じてしまう。
上記の第１の実施の形態及び第２の実施の形態においては、最適な書き込みパワーを求
めるために消去パワー用の判定手段１３で所定値と一致したところの領域のＤＣ消去パワ
ーを基準値として、装置メモリ１４内の消去パワー用の一定の係数Ｓｂ又は係数Ｓｍｏｄ
又は係数Ｓｇ又はＳａと乗算して最適な消去パワーを求めるように構成している。しかし
、この場合、新しく参入した光ディスクメーカーの光ディスクや装置メモリ１４にデータ
が無い光ディスクのＯＰＣ処理をする必要が生じた場合に、ＯＰＣ処理ができないという
不具合が生じてしまう。
そこで、この第４の実施の形態ではこの不具合を解消するため、上記消去パワー用の一
定の係数Ｓｂ及び係数Ｓｍｏｄ及び係数Ｓｇ及び係数Ｓａの値を、及び上記記録パワー用
の一定の係数Ｋｂ及び係数Ｋｍｏｄ及び係数Ｋｇ及び係数Ｋａの値を光ディスク内のプリ
ピットエリアもしくはトラック溝情報に予め記録させておくようにしたもので、光ディス
クの構成に特徴がある。この場合、記録状態検出手段４で用いた変調度法またはアシンメ
トリ用β法またはγ法の検出手段の種類に対応させるための区別もできる管理が必要とな
り、光ディスク情報の参照時に予め定義しておく必要がある。
定の係数Ｓｂ及び係数Ｓｍｏｄ及び係数Ｓｇ及び係数Ｓａの値を、及び上記記録パワー用
の一定の係数Ｋｂ及び係数Ｋｍｏｄ及び係数Ｋｇ及び係数Ｋａの値を光ディスク内のプリ
ピットエリアもしくはトラック溝情報に予め記録させておくようにしたもので、光ディス
クの構成に特徴がある。この場合、記録状態検出手段４で用いた変調度法またはアシンメ
トリ用β法またはγ法の検出手段の種類に対応させるための区別もできる管理が必要とな
り、光ディスク情報の参照時に予め定義しておく必要がある。
具体的には、上記の各係数の値はコード化してディスク製造時にＬＰＰやコントロール
データゾーンの所定のアドレスに予め消去されない形態で記録される。ＬＰＰとしての記
録位置はＰＣＡ領域やＲＭＡ領域が考えられるが、これに限らず光ディスク上のどこでも
差し支えない。
データゾーンの所定のアドレスに予め消去されない形態で記録される。ＬＰＰとしての記
録位置はＰＣＡ領域やＲＭＡ領域が考えられるが、これに限らず光ディスク上のどこでも
差し支えない。
消去パワー用の場合は、このコードは図１２（Ｂ）のＤＣ消去パワー係数表に示すよう
に、ＤＣ消去パワー係数コードによってＤＣ消去パワー係数Ｓ（係数Ｓｂおよび係数Ｓｍ
ｏｄおよび係数ＳｇおよびＳａに相当する値）が定められる。ＤＣ消去パワー係数表は装
置メモリ１４にプログラムとして格納される。
に、ＤＣ消去パワー係数コードによってＤＣ消去パワー係数Ｓ（係数Ｓｂおよび係数Ｓｍ
ｏｄおよび係数ＳｇおよびＳａに相当する値）が定められる。ＤＣ消去パワー係数表は装
置メモリ１４にプログラムとして格納される。
また、図１２（Ａ）のアドレス表はＬＰＰやコントロールデータゾーン上のアドレスに
対応しており、ＤＣ消去パワー係数が格納されているアドレス部分を示す。アドレスのバ
イト位置はＮ〜Ｎ＋３で表され、アドレスＮの内容は変調度法用の係数Ｓｍｏｄのコード
、アドレスＮ＋１の内容はβ法用の係数Ｓｂのコード、アドレスＮ＋２はγ法用の係数Ｓ
ｇのコード、アドレスＮ＋３はアシンメトリ法の係数Ｓａのコードを意味している。例え
ば、バイト位置Ｎに０６ｈが格納されているが、これは変調度法用の係数Ｓｍｏｄで、そ
の値が図１２（Ｂ）から「１.３０」であることを示す。
対応しており、ＤＣ消去パワー係数が格納されているアドレス部分を示す。アドレスのバ
イト位置はＮ〜Ｎ＋３で表され、アドレスＮの内容は変調度法用の係数Ｓｍｏｄのコード
、アドレスＮ＋１の内容はβ法用の係数Ｓｂのコード、アドレスＮ＋２はγ法用の係数Ｓ
ｇのコード、アドレスＮ＋３はアシンメトリ法の係数Ｓａのコードを意味している。例え
ば、バイト位置Ｎに０６ｈが格納されているが、これは変調度法用の係数Ｓｍｏｄで、そ
の値が図１２（Ｂ）から「１.３０」であることを示す。
記録パワー用の場合は、このコードは図１３（Ｂ）の記録パワー係数表に示すように、
記録パワー係数コードによって記録パワー係数Ｋ（係数Ｋｂおよび係数Ｋｍｏｄおよび係
数ＫｇおよびＫａに相当する値）が定められる。記録パワー係数表は装置メモリ１４にプ
ログラムとして格納される。
記録パワー係数コードによって記録パワー係数Ｋ（係数Ｋｂおよび係数Ｋｍｏｄおよび係
数ＫｇおよびＫａに相当する値）が定められる。記録パワー係数表は装置メモリ１４にプ
ログラムとして格納される。
また、図１３（Ａ）のアドレス表はＬＰＰやコントロールデータゾーン上のアドレスに
対応しており、記録パワー係数が格納されているアドレス部分を示す。アドレスのバイト
位置はＭ〜Ｍ＋３で表され、アドレスＭの内容は変調度法用の係数Ｋｍｏｄのコード、ア
ドレスＭ＋１の内容はβ法用の係数Ｋｂのコード、アドレスＭ＋２はγ法用の係数Ｋｇの
コード、アドレスＭ＋３はアシンメトリ法の係数Ｋａのコードを意味している。例えば、
バイト位置Ｍに０３ｈが格納されているが、これは変調度法用の係数Ｋｍｏｄで、その値
が図１３（Ｂ）から「１.１５」であることを示す。
対応しており、記録パワー係数が格納されているアドレス部分を示す。アドレスのバイト
位置はＭ〜Ｍ＋３で表され、アドレスＭの内容は変調度法用の係数Ｋｍｏｄのコード、ア
ドレスＭ＋１の内容はβ法用の係数Ｋｂのコード、アドレスＭ＋２はγ法用の係数Ｋｇの
コード、アドレスＭ＋３はアシンメトリ法の係数Ｋａのコードを意味している。例えば、
バイト位置Ｍに０３ｈが格納されているが、これは変調度法用の係数Ｋｍｏｄで、その値
が図１３（Ｂ）から「１.１５」であることを示す。
上記のＤＣ消去パワー係数及び記録パワー係数を予め光ディスク１に持たせる構造とす
ることにより、本発明のＯＰＣ処理を光ディスクからの情報で実行できるようになり、未
知の光ディスクなどに対しても最適な書き込みパワーの設定が行えるようになる。なお、
本実施の形態も光ディスク記録再生装置の基本的な構成、及びその記録処理の手順は、図
１〜図４、図７に示した第１の実施の形態の構成と同じである。
ることにより、本発明のＯＰＣ処理を光ディスクからの情報で実行できるようになり、未
知の光ディスクなどに対しても最適な書き込みパワーの設定が行えるようになる。なお、
本実施の形態も光ディスク記録再生装置の基本的な構成、及びその記録処理の手順は、図
１〜図４、図７に示した第１の実施の形態の構成と同じである。
（第５の実施の形態）
本実施の形態は、最適な記録パワーを検出するためにより、精度の高い検出を行うため
の手段について説明する。この手段はＰＣＡ領域を予めＤＣ消去パワーで初期化させてか
ら最適な消去パワーを検出する処理を行うものである。既にγ値に基づいて最適な記録が
できることを上記の実施の形態で説明したが、特にその他の変調度やβ値のパラメータで
検出性能を向上することができる。なお、光ディスク記録再生装置の基本的な構成、及び
その記録処理の手順は、図１〜図４、図７に示した構成と同じであるので省略し、第５の
実施の形態特有の構成について説明する。
本実施の形態は、最適な記録パワーを検出するためにより、精度の高い検出を行うため
の手段について説明する。この手段はＰＣＡ領域を予めＤＣ消去パワーで初期化させてか
ら最適な消去パワーを検出する処理を行うものである。既にγ値に基づいて最適な記録が
できることを上記の実施の形態で説明したが、特にその他の変調度やβ値のパラメータで
検出性能を向上することができる。なお、光ディスク記録再生装置の基本的な構成、及び
その記録処理の手順は、図１〜図４、図７に示した構成と同じであるので省略し、第５の
実施の形態特有の構成について説明する。
図１４はアシンメトリ用β値と初期化パワーとの一例の特性図を示す。図１４はテスト
記録する１層目記録層のＰＣＡ領域を、記録パワーＰoと消去パワーＰｅとの比率Ｐｏ／
Ｐｅを２２／５ｍＷ固定として、初期化パワーを可変しながら記録する（初期化処理する
）と共に、アシンメトリの繰返し記録特性を測定した例を示す。図１４において、初回記
録（イニシャル）、繰返し記録１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０）
のそれぞれで、初期化パワーが８ｍＷ以上でアシンメトリはほぼ一致していることが分か
る。
記録する１層目記録層のＰＣＡ領域を、記録パワーＰoと消去パワーＰｅとの比率Ｐｏ／
Ｐｅを２２／５ｍＷ固定として、初期化パワーを可変しながら記録する（初期化処理する
）と共に、アシンメトリの繰返し記録特性を測定した例を示す。図１４において、初回記
録（イニシャル）、繰返し記録１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０）
のそれぞれで、初期化パワーが８ｍＷ以上でアシンメトリはほぼ一致していることが分か
る。
よって、この光ディスクの場合、１層目記録層の最適な消去パワー（Ｐｅ）が５ｍＷで
あることから、初期化処理のＤＣ消去パワーとしては、５ｍＷよりもやや高い８.５ｍＷ
から１１ｍＷ程度あれば、繰返し記録の依存性の少ない状態を得られることが分かる。目
安として最適な消去パワーの１.５倍から２．５倍のパワーがあればよい（以下この処理
を高パワー初期化処理という）。
あることから、初期化処理のＤＣ消去パワーとしては、５ｍＷよりもやや高い８.５ｍＷ
から１１ｍＷ程度あれば、繰返し記録の依存性の少ない状態を得られることが分かる。目
安として最適な消去パワーの１.５倍から２．５倍のパワーがあればよい（以下この処理
を高パワー初期化処理という）。
また、上記の実施の形態では、既にγ法で最適な記録が検出できることを説明したが、
その精度の向上とその他のアシンメトリやβ値のパラメータでも検出を可能とすることが
できる。図１５はアシンメトリ対記録パワーＰｗ特性図の各例を示し、同図（Ａ）は初期
化処理は行わず、消去パワーＰｅを５ｍＷ固定値にして記録パワーＰｗを可変しながら、
テスト記録信号を一層目記録層のＰＣＡ領域に記録した特性図を示す。図１５（Ａ）の特
性図の場合、繰り返し記録の特性（初回記録（イニシャル）、繰返し記録１回目（ＤＯＷ
１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０））は、それぞれ一致せず、大きくずれているこ
とが分かる。このように繰り返し記録回数による変化が大きいとこのままではアシンメト
リを指標に最適な記録パワーを検出することは難しい。
その精度の向上とその他のアシンメトリやβ値のパラメータでも検出を可能とすることが
できる。図１５はアシンメトリ対記録パワーＰｗ特性図の各例を示し、同図（Ａ）は初期
化処理は行わず、消去パワーＰｅを５ｍＷ固定値にして記録パワーＰｗを可変しながら、
テスト記録信号を一層目記録層のＰＣＡ領域に記録した特性図を示す。図１５（Ａ）の特
性図の場合、繰り返し記録の特性（初回記録（イニシャル）、繰返し記録１回目（ＤＯＷ
１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０））は、それぞれ一致せず、大きくずれているこ
とが分かる。このように繰り返し記録回数による変化が大きいとこのままではアシンメト
リを指標に最適な記録パワーを検出することは難しい。
これに対し、ＯＰＣを行うＰＣＡ領域を最適な消去パワーの約２倍の１０ｍＷで１回だ
け高パワー初期化処理した後に、消去パワーＰｅを５ｍＷ固定値にして記録パワーＰｗを
可変しながら、テスト記録信号を一層目記録層のＰＣＡ領域に記録した特性図を図１５（
Ｂ）に示す。繰返し記録の間にはＰＣＡ領域を使い果たしたときに行う通常の初期化処理
を想定して１回の繰り返し記録毎に記録時の消去パワーの値でＤＣ消去を行っている。
け高パワー初期化処理した後に、消去パワーＰｅを５ｍＷ固定値にして記録パワーＰｗを
可変しながら、テスト記録信号を一層目記録層のＰＣＡ領域に記録した特性図を図１５（
Ｂ）に示す。繰返し記録の間にはＰＣＡ領域を使い果たしたときに行う通常の初期化処理
を想定して１回の繰り返し記録毎に記録時の消去パワーの値でＤＣ消去を行っている。
図１５（Ｂ）から分かるように、繰り返し記録の特性（初回記録（イニシャル）、繰返
し記録１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０））のそれぞれにおいても
ほぼ一致する。このように、繰り返し記録回数による変化が小さいため、アシンメトリを
指標に最適な記録パワーを検出することができる。この場合、例えば、記録パワー用の検
出値をアシンメトリ＝０とすれば、図１５（Ｂ）に示す基準パワーが求まり、この基準パ
ワーに係数Ｓａを乗算することにより、最適な記録パワーを導き出すことができる。
し記録１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０））のそれぞれにおいても
ほぼ一致する。このように、繰り返し記録回数による変化が小さいため、アシンメトリを
指標に最適な記録パワーを検出することができる。この場合、例えば、記録パワー用の検
出値をアシンメトリ＝０とすれば、図１５（Ｂ）に示す基準パワーが求まり、この基準パ
ワーに係数Ｓａを乗算することにより、最適な記録パワーを導き出すことができる。
また、図１６（Ａ）と図１６（Ｂ）は、いずれも初回記録（イニシャル）、繰返し記録
１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０）のそれぞれにおける記録パワー
Ｐｗとβ値の特性図で、図１６（Ａ）は高パワー初期化処理なし、図１６（Ｂ）は高パワ
ー初期化処理ありの特性をそれぞれ示す。繰返し記録の間にはＰＣＡ領域を使い果たした
ときに行う通常の初期化処理を想定して１回の繰り返し記録毎に記録時の消去パワーの値
でＤＣ消去を行っている。
１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０）のそれぞれにおける記録パワー
Ｐｗとβ値の特性図で、図１６（Ａ）は高パワー初期化処理なし、図１６（Ｂ）は高パワ
ー初期化処理ありの特性をそれぞれ示す。繰返し記録の間にはＰＣＡ領域を使い果たした
ときに行う通常の初期化処理を想定して１回の繰り返し記録毎に記録時の消去パワーの値
でＤＣ消去を行っている。
図１６（Ａ）の特性図の場合、繰り返し記録の特性（初回記録（イニシャル）、繰返し
記録１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０））は、それぞれ一致せず、
大きくずれていることが分かる。これに対し、高パワー初期化処理すると、図１６（Ｂ）
から分かるように、繰り返し記録の特性（初回記録（イニシャル）、繰返し記録１回目（
ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０））のそれぞれにおいて、ほぼ一致する。
このように、繰り返し記録回数による変化が小さいため、β値を指標にしても最適な記録
パワーを検出することができる。この場合、例えば、検出値β＝０とすれば、基準パワー
を求めることができ、この基準パワーに係数Ｓｂを乗算することにより、最適な記録パワ
ーを求めることが可能である。
記録１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０））は、それぞれ一致せず、
大きくずれていることが分かる。これに対し、高パワー初期化処理すると、図１６（Ｂ）
から分かるように、繰り返し記録の特性（初回記録（イニシャル）、繰返し記録１回目（
ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０））のそれぞれにおいて、ほぼ一致する。
このように、繰り返し記録回数による変化が小さいため、β値を指標にしても最適な記録
パワーを検出することができる。この場合、例えば、検出値β＝０とすれば、基準パワー
を求めることができ、この基準パワーに係数Ｓｂを乗算することにより、最適な記録パワ
ーを求めることが可能である。
また、図１７（Ａ）と図１７（Ｂ）は、いずれも初回記録（イニシャル）、繰返し記録
１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０）のそれぞれにおける記録パワー
Ｐｗと変調度の特性図を示しており、図１７（Ａ）は高パワー初期化処理なし、図１７（
Ｂ）は高パワー初期化処理ありの特性をそれぞれ示している。更に、図１８（Ａ）と図１
８（Ｂ）は、いずれも初回記録（イニシャル）、繰返し記録１回目（ＤＯＷ１）、繰返し
記録１０回目（ＤＯＷ１０）のそれぞれにおける記録パワーＰｗとγ値の特性図を示して
いるが、図１８（Ａ）は高パワー初期化処理なし、図１８（Ｂ）は高パワー初期化ありの
特性をそれぞれ示している。この場合、例えば、γ値＝１.５とすれば、図１８（Ｂ）に
示す基準パワーが求まり、この基準パワーに係数Ｓｇを乗算することにより、最適な記録
パワーを導き出すことができる。
１回目（ＤＯＷ１）、繰返し記録１０回目（ＤＯＷ１０）のそれぞれにおける記録パワー
Ｐｗと変調度の特性図を示しており、図１７（Ａ）は高パワー初期化処理なし、図１７（
Ｂ）は高パワー初期化処理ありの特性をそれぞれ示している。更に、図１８（Ａ）と図１
８（Ｂ）は、いずれも初回記録（イニシャル）、繰返し記録１回目（ＤＯＷ１）、繰返し
記録１０回目（ＤＯＷ１０）のそれぞれにおける記録パワーＰｗとγ値の特性図を示して
いるが、図１８（Ａ）は高パワー初期化処理なし、図１８（Ｂ）は高パワー初期化ありの
特性をそれぞれ示している。この場合、例えば、γ値＝１.５とすれば、図１８（Ｂ）に
示す基準パワーが求まり、この基準パワーに係数Ｓｇを乗算することにより、最適な記録
パワーを導き出すことができる。
図１７及び図１８のいずれの場合も、高パワー初期化処理した方の特性（図１７（Ｂ）
及び図１８（Ｂ））はすべて記録回数の相違によらず、ほぼ一致した特性を示し、繰返し
特性の影響が軽減されていることが分かる。これらの特性がほぼ一致することで最適な消
去パワーを求めるための基準値の検出精度が向上する。このような高パワー初期化処理を
ＯＰＣの前に１回行っておけば記録層の特性が均一化される。なお、図１４〜図１８の特
性は２層のＤＶＤ−ＲＷディスクを用い、２倍速のディスクの回転速度で高パワー初期化
処理した場合を示す。
及び図１８（Ｂ））はすべて記録回数の相違によらず、ほぼ一致した特性を示し、繰返し
特性の影響が軽減されていることが分かる。これらの特性がほぼ一致することで最適な消
去パワーを求めるための基準値の検出精度が向上する。このような高パワー初期化処理を
ＯＰＣの前に１回行っておけば記録層の特性が均一化される。なお、図１４〜図１８の特
性は２層のＤＶＤ−ＲＷディスクを用い、２倍速のディスクの回転速度で高パワー初期化
処理した場合を示す。
次に、高パワー初期化処理を行うかどうかを記録管理エリアの判別用フラグで管理する
処理動作について、図１９のフローチャートと共に説明する。この図１９のフローチャー
トは、前述したサブルーチンＡであり、必要な場合に図９のステップ２０１又は図１０の
ステップ４０１の直前で適宜実行されるサブルーチンである。図１９において、ステップ
５００でサブルーチンＡの処理が開始されると、記録管理エリア（図２０のＲＭＡ領域３
１２に相当）から読み出したフラグ情報から一層目記録層のＰＣＡ領域（図２０のＰＣＡ
領域３１１に相当）の高パワー初期化処理がされているかどうかを確認する（ステップ５
０１）。
処理動作について、図１９のフローチャートと共に説明する。この図１９のフローチャー
トは、前述したサブルーチンＡであり、必要な場合に図９のステップ２０１又は図１０の
ステップ４０１の直前で適宜実行されるサブルーチンである。図１９において、ステップ
５００でサブルーチンＡの処理が開始されると、記録管理エリア（図２０のＲＭＡ領域３
１２に相当）から読み出したフラグ情報から一層目記録層のＰＣＡ領域（図２０のＰＣＡ
領域３１１に相当）の高パワー初期化処理がされているかどうかを確認する（ステップ５
０１）。
ＰＣＡ領域の高パワー初期化処理がされている場合（ステップ５０１のＹ）は、ＰＣＡ
領域を使い果たしたかどうかが判断される（ステップ５０２）。ＰＣＡ領域を使い果たし
ていると判断された場合（ステップ５０２のＹ）は、ＰＣＡ領域すべてを推奨の消去パワ
ーの値（＝ε・Ｐｉｎｄ）又は最適な消去パワーＰｅのＤＣ消去パワーで初期化を行い（
ステップ５０３）、サブルーチンＡを終了する（ステップ５０８）。なお、ＰＣＡ領域の
高パワー初期化処理がされているが、ＰＣＡ領域を使い果たしていないと判断された場合
は(ステップ５０２のＮ)、ＰＣＡ領域をまだ使用できるため、サブルーチンＡを終了する
（ステップ５０８）。
領域を使い果たしたかどうかが判断される（ステップ５０２）。ＰＣＡ領域を使い果たし
ていると判断された場合（ステップ５０２のＹ）は、ＰＣＡ領域すべてを推奨の消去パワ
ーの値（＝ε・Ｐｉｎｄ）又は最適な消去パワーＰｅのＤＣ消去パワーで初期化を行い（
ステップ５０３）、サブルーチンＡを終了する（ステップ５０８）。なお、ＰＣＡ領域の
高パワー初期化処理がされているが、ＰＣＡ領域を使い果たしていないと判断された場合
は(ステップ５０２のＮ)、ＰＣＡ領域をまだ使用できるため、サブルーチンＡを終了する
（ステップ５０８）。
一方、読み出したフラグ情報から上記ＰＣＡ領域の高パワー初期化処理がされていない
と判定された場合（ステップ５０１のＮ）、ＰＣＡ領域は使い果たしたか、又はＰＣＡ領
域が最初から使用される状態であるかどうか判別する（ステップ５０４）。ＰＣＡ領域が
使い果たしたか、又は最初から使用される状態であるならば（ステップ５０４のＹ）、算
出した推奨の消去パワーの値（＝ε・Ｐｉｎｄ）又は最適な消去パワーＰｅの約２倍のＤ
Ｃ消去パワーで、そのＰＣＡ領域の初期化を行う（ステップ５０５）。
と判定された場合（ステップ５０１のＮ）、ＰＣＡ領域は使い果たしたか、又はＰＣＡ領
域が最初から使用される状態であるかどうか判別する（ステップ５０４）。ＰＣＡ領域が
使い果たしたか、又は最初から使用される状態であるならば（ステップ５０４のＹ）、算
出した推奨の消去パワーの値（＝ε・Ｐｉｎｄ）又は最適な消去パワーＰｅの約２倍のＤ
Ｃ消去パワーで、そのＰＣＡ領域の初期化を行う（ステップ５０５）。
そして、高パワー初期化処理済みとして前記記録管理エリア（ＲＭＡ領域）に高パワー
初期化処理済みのフラグを記録し（ステップ５０６）、サブルーチンＡを終了する（ステ
ップ５０８）。この場合、一層目記録層のＰＣＡ領域すべてが高パワー初期化処理される
。
初期化処理済みのフラグを記録し（ステップ５０６）、サブルーチンＡを終了する（ステ
ップ５０８）。この場合、一層目記録層のＰＣＡ領域すべてが高パワー初期化処理される
。
他方、上記ＰＣＡ領域の高パワー初期化処理がされていないが、そのＰＣＡ領域を最初
から使用する状態でないと判定された場合（ステップ５０４のＮ）、つまり、ＰＣＡ領域
が高パワー初期化処理せずに使用されている場合、使用するＯＰＣ領域のみを、算出した
推奨の消去パワーの値（＝ε・Ｐｉｎｄ）又は最適な消去パワーＰｅの約２倍のＤＣ消去
パワーで初期化する（ステップ５０７）。ステップ５０７で高パワー初期化処理を行うと
、サブルーチンＡを終了する（ステップ５０８）。この場合でも、すべてＰＣＡ領域が使
い果たされたときに、ステップ５０６でＰＣＡ領域全体を高パワー初期化処理することが
できる。
から使用する状態でないと判定された場合（ステップ５０４のＮ）、つまり、ＰＣＡ領域
が高パワー初期化処理せずに使用されている場合、使用するＯＰＣ領域のみを、算出した
推奨の消去パワーの値（＝ε・Ｐｉｎｄ）又は最適な消去パワーＰｅの約２倍のＤＣ消去
パワーで初期化する（ステップ５０７）。ステップ５０７で高パワー初期化処理を行うと
、サブルーチンＡを終了する（ステップ５０８）。この場合でも、すべてＰＣＡ領域が使
い果たされたときに、ステップ５０６でＰＣＡ領域全体を高パワー初期化処理することが
できる。
なお、本発明は以上の実施の形態に限定されるものではなく、例えば、光ディスク１は
図２０に示した断面構造のような片面２層光ディスクに限定されるものではなく、３層以
上、レーザービームの光軸方向に積層された多層光ディスクの１層目記録層の記録再生に
適用することができる。また、本発明は、図１の構成、図９、図１０、あるいは図１９の
フローチャートをコンピュータにより実行させるコンピュータプログラムも包含するもの
である。この場合、コンピュータプログラムは、記録されている記録媒体からコンピュー
タに取り込まれてもよいし、ネットワークを介して配信されてコンピュータに取り込まれ
てもよい。更に、装置内にファームウェアとして元々組み込まれていてもよい。
図２０に示した断面構造のような片面２層光ディスクに限定されるものではなく、３層以
上、レーザービームの光軸方向に積層された多層光ディスクの１層目記録層の記録再生に
適用することができる。また、本発明は、図１の構成、図９、図１０、あるいは図１９の
フローチャートをコンピュータにより実行させるコンピュータプログラムも包含するもの
である。この場合、コンピュータプログラムは、記録されている記録媒体からコンピュー
タに取り込まれてもよいし、ネットワークを介して配信されてコンピュータに取り込まれ
てもよい。更に、装置内にファームウェアとして元々組み込まれていてもよい。
１ 複数の記録層を持つ書き換え可能型光ディスク
２ 光ピックアップ
３ 信号処理回路
４ 記録状態検出手段
５ ＤＣ消去手段
６ 記録手段
１０ 内部バス
１１ 制御回路
１２ 演算手段
１３ 判定手段
１４ 装置メモリ
１００ 高域フィルタ（ＨＰＦ）
１０１、１０３ ピークレベル検出回路
１０２ ボトムレベル検出回路
１０４、１０５、１０６ 低域フィルタ（ＬＰＦ）
１０７、１０８、１０９ 演算手段
１１０ 所定のβ値との比較判定回路
１１１ 所定のｍ値との比較判定回路
１１２ γ値の最小ピーク点の判定回路
２ 光ピックアップ
３ 信号処理回路
４ 記録状態検出手段
５ ＤＣ消去手段
６ 記録手段
１０ 内部バス
１１ 制御回路
１２ 演算手段
１３ 判定手段
１４ 装置メモリ
１００ 高域フィルタ（ＨＰＦ）
１０１、１０３ ピークレベル検出回路
１０２ ボトムレベル検出回路
１０４、１０５、１０６ 低域フィルタ（ＬＰＦ）
１０７、１０８、１０９ 演算手段
１１０ 所定のβ値との比較判定回路
１１１ 所定のｍ値との比較判定回路
１１２ γ値の最小ピーク点の判定回路
Claims (3)
- 多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、パワーを設定したレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、
所定の記録条件で、前記記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、前記記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、前記記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した前記記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーの各値を用いて前記レーザ光により前記光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する記録手段と、
前記記録手段により前記テスト記録信号を記録した前記光ディスクの領域を、設定した前記消去パワーに関連したパワー値を複数の段階に変化させたＤＣ消去パワーの前記レーザ光により記録を行うＤＣ消去手段と、
前記ＤＣ消去手段により記録を行った領域を再生して、その再生信号の変調度から正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値を、ＤＣ消去パワーの値をＰｅ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅに対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値をｍ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅと異なる段階のＤＣ消去パワーの値との変化量をｄＰｅ、変調度の値ｍと前記異なる段階のＤＣ消去パワーの値に対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値との変化量をｄｍとしたとき、
γ(Pe)＝（ｄｍ／ｄＰｅ）×(Ｐｅ／ｍ)
なる式に基づいて前記γ値を算出する記録状態検出手段と、
前記式に基づいて前記γ値が最小値となるときのＤＣ消去パワー値を検出値として判定する判定手段と、
前記判定手段で判定した検出値に、前記光ディスクに対応して予め定められた係数を乗算して光ディスク記録時の最適な消去パワーの値を求める演算手段と、
を備えたことを特徴とする光ディスク記録再生装置。 - 多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、パワーを設定したレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生方法において、
所定の記録条件で、前記記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、前記記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、前記記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した前記記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーの各値を用いて前記レーザ光により前記光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録する第１のステップと、
前記第１のステップにより前記テスト記録信号を記録した前記光ディスクの領域を、設定した前記消去パワーに関連したパワー値を複数の段階に変化させたＤＣ消去パワーの前記レーザ光により記録を行う第２のステップと、
前記第２のステップにより記録を行った領域を再生して、その再生信号の変調度から正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値を、ＤＣ消去パワーの値をＰｅ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅに対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値をｍ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅと異なる段階のＤＣ消去パワーの値との変化量をｄＰｅ、変調度の値ｍと前記異なる段階のＤＣ消去パワーの値に対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値との変化量をｄｍとしたとき、
γ(Pe)＝（ｄｍ／ｄＰｅ）×(Ｐｅ／ｍ)
なる式に基づいて算出する第３のステップと、
前記式に基づいて前記γ値が最小値となるときのＤＣ消去パワー値を検出値として判定する第４のステップと、
前記第４のステップで判定した検出値に、前記光ディスクに対応して予め定められた係数を乗算して光ディスク記録時の最適な消去パワーの値を求める第５のステップと、
を備えたことを特徴とする光ディスク記録再生方法。 - 多層の記録層を持つ書き換え可能な光ディスクに対して、レーザ光による記録／再生を行う記録再生手段をコンピュータにより制御するための光ディスク記録再生プログラムであって、
所定の記録条件で、前記記録層を結晶状態からアモルファス状態に変化させる記録パワーと、前記記録層をアモルファス状態から結晶状態に変化させる消去パワーと、前記記録層への記録時の熱拡散を防止するためのバイアスパワーとを設定し、設定した前記記録パワー、消去パワー及びバイアスパワーの各値を用いて前記レーザ光により前記光ディスクの所定領域にテスト記録信号を記録するように前記記録再生手段に指示する第１のステップと、
前記第１のステップにより前記テスト記録信号を記録した前記光ディスクの領域を、設定した前記消去パワーに関連したパワー値を複数の段階に変化させたＤＣ消去パワーの前記レーザ光により記録を行うように前記記録再生手段に指示する第２のステップと、
前記第２のステップにより記録を行った領域を再生するように前記記録再生手段に指示して、その再生信号の変調度から正規化された傾き特性を示すパラメータであるγ値を、ＤＣ消去パワーの値をＰｅ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅに対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値をｍ、ＤＣ消去パワーの値Ｐｅと異なる段階のＤＣ消去パワーの値との変化量をｄＰｅ、変調度の値ｍと前記異なる段階のＤＣ消去パワーの値に対応する消し残りの前記再生信号の変調度の値との変化量をｄｍとしたとき、
γ(Pe)＝（ｄｍ／ｄＰｅ）×(Ｐｅ／ｍ)
なる式に基づいて算出する第３のステップと、
前記式に基づいて前記γ値が最小値となるときのＤＣ消去パワー値を検出値として判定する第４のステップと、
前記第４のステップで判定した検出値に、前記光ディスクに対応して予め定められた係数を乗算して光ディスク記録時の最適な消去パワーの値を求める第５のステップと、
をコンピュータに実行させることを特徴とする光ディスク記録再生プログラム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009277884A JP5035329B2 (ja) | 2005-10-31 | 2009-12-07 | 光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、及び光ディスク記録再生プログラム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005316612 | 2005-10-31 | ||
| JP2005316612 | 2005-10-31 | ||
| JP2009277884A JP5035329B2 (ja) | 2005-10-31 | 2009-12-07 | 光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、及び光ディスク記録再生プログラム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006002748A Division JP4492543B2 (ja) | 2005-09-29 | 2006-01-10 | 光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法及び光記録媒体並びに光ディスク記録再生プログラム |
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|---|---|
| JP2010055743A JP2010055743A (ja) | 2010-03-11 |
| JP5035329B2 true JP5035329B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=42071465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009277884A Expired - Fee Related JP5035329B2 (ja) | 2005-10-31 | 2009-12-07 | 光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、及び光ディスク記録再生プログラム |
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|---|---|
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| JP4609771B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-01-12 | 日本ビクター株式会社 | 光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、及び光ディスク記録再生プログラム |
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| JP4609770B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-01-12 | 日本ビクター株式会社 | 光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、光ディスク記録再生プログラム、及び光ディスク |
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2009
- 2009-12-07 JP JP2009277884A patent/JP5035329B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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|---|---|
| JP2010055743A (ja) | 2010-03-11 |
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