JP5034426B2 - Inverter device - Google Patents

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Description

本発明は、誘導加熱調理器や、誘導加熱式の湯沸かし器、加湿器あるいはアイロン、エアコンなどのインバータ装置に関するものである。   The present invention relates to an induction heating cooker, an induction heating type water heater, a humidifier, an iron, an inverter device such as an air conditioner.

従来使用されている誘導加熱調理器のインバータ装置は、そのスイッチング素子を冷却するためにヒートシンクと接続している（例えば、特許文献１参照）。
特開平９−１３５７７２号公報 An inverter device of an induction heating cooker conventionally used is connected to a heat sink in order to cool the switching element (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-9-135772

しかしながら、前記従来の構成では、スイッチング素子の制御方法として、力率改善回路のスイッチング素子はハードスイッチング制御され、インバータ回路のスイッチング素子はソフトスイッチング制御されている。このようにハードスイッチング制御とソフトスイッチング制御が混在している中で、スイッチング素子それぞれにヒートシンクが熱的に接続され、さらに冷却能力を向上させるため、電気的に絶縁することなく接続すると、ヒートシンク自体がスイッチング素子の高電位電圧（コレクタまたはドレイン電圧）と同じ電位となっている。それぞれのスイッチング素子が異なったスイッチング電圧値また周波数で動作することでヒートシンク自体がそれぞれノイズの発振源となってしまい、またスイッチング素子に接続される基板のパターンからのノイズの放射も大きくなってしまうため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、機器から放射される輻射ノイズが増大するという課題を有していた。   However, in the conventional configuration, as a switching element control method, the switching element of the power factor correction circuit is subjected to hard switching control, and the switching element of the inverter circuit is subjected to soft switching control. In such a mixture of hard switching control and soft switching control, a heat sink is thermally connected to each switching element, and in order to further improve the cooling capacity, when connected without electrical insulation, the heat sink itself Is the same potential as the high potential voltage (collector or drain voltage) of the switching element. Since each switching element operates at a different switching voltage value or frequency, the heat sink itself becomes a noise oscillation source, and noise emission from the pattern of the substrate connected to the switching element also increases. Therefore, there has been a problem that noise given to the control circuit section of the substrate and radiation noise radiated from the device increase.

本発明は、前記従来の課題を解決するものであり、ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置を提供することを目的とするものである。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-described conventional problems, and an object thereof is to provide a highly reliable inverter device that can suppress noise emission.

前記従来の課題を解決するために、本発明のインバータ装置は、商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、ソフトスイッチング制御され
それぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路の前記スイッチング素子は、ハードスイッチング制御され前記スイッチング素子に接続される基板のパターンとともにとともに第３のヒートシンクに熱的に結合して前記第３のヒートシンクの下に設置したものである。 In order to solve the above-described conventional problems, the inverter device of the present invention is connected after commercial power rectification, and improves the power factor by at least one switching element and simultaneously boosts the power factor to a voltage higher than the commercial power voltage. Circuit and an inverter circuit connected to the output of the power factor correction circuit and supplying high frequency power to a load, the inverter circuit having a half bridge circuit having a high potential side switching element and a low potential side switching element , the high-potential side switching elements and the low-potential side switching elements, soft switching controlled <br/> first respectively thermally coupled to the second heat sink, the switching elements of the power factor correction circuit, the together with patterns of the substrate to be hard-switching control is connected to the switching element 3 It is bonded to thermally those placed under the third heat sink sink.

これによって、特に、ハードスイッチング制御で動作するスイッチング素子とその基板に接続されるパターンをヒートシンク下に設置したため、ヒートシンクによるシールド効果によってノイズの放射が抑制され、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる信頼性の高いインバータ装置とすることができる。   As a result, the switching element that operates under hard switching control and the pattern connected to the board are installed under the heat sink, so that the radiation of noise is suppressed by the shielding effect of the heat sink, and the noise that is given to the control circuit section of the board Thus, it is possible to provide a highly reliable inverter device that can prevent an increase in radiated radiation noise.

本発明のインバータ装置は、ハードスイッチング制御で動作するスイッチング素子とその基板に接続されるパターンをヒートシンク下に設置したため、ヒートシンクによるシールド効果によってノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置が提供できる。 In the inverter device of the present invention, since the switching element that operates by hard switching control and the pattern connected to the substrate are installed under the heat sink , the highly reliable inverter device that can suppress noise emission by the shielding effect of the heat sink Can be provided.

第１の発明は、商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、ソフトスイッチング制御されそれぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路の前記スイッチング素子は、ハードスイッチング制御され前記スイッチング素子に接続される基板のパターンとともに第３のヒートシンクに熱的に結合して前記第３のヒートシンクの下に設置したことにより、ヒートシンクによるシールド効果によってノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる効果を有している。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a power factor correction circuit which is connected after rectification of a commercial power source and improves the power factor by at least one or more switching elements and simultaneously boosts the voltage to a voltage higher than the commercial power source voltage. And an inverter circuit for supplying high frequency power to a load, the inverter circuit having a half bridge circuit having a high potential side switching element and a low potential side switching element, the high potential side switching element and the low potential side switching element, a first respectively a soft switching control, thermally coupled to the second heat sink, the switching elements of the power factor correction circuit, together with the pattern of the substrate to be hard-switching control is connected to the switching element under the third heat sink thermally coupled to the third heat sink By the location, because the noise emitted by the shielding effect of the heat sink is suppressed, it has an effect of preventing noise and giving the control circuit unit of the substrate, an increase in the radiant noise emitted.

第２の発明は、商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、ソフトスイッチング制御されそれぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路の前記スイッチング素子は、ハードスイッチング制御され前記スイッチング素子に接続される基板のパターンとともに電気的に絶縁された第３のヒートシンクの下に熱的に結合して設置したことにより、より一層、ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置が提供できる。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a power factor correction circuit that is connected after commercial power supply rectification and that improves the power factor by at least one or more switching elements and simultaneously boosts the voltage to a voltage higher than the commercial power supply voltage. And an inverter circuit for supplying high frequency power to a load, the inverter circuit having a half bridge circuit having a high potential side switching element and a low potential side switching element, the high potential side switching element and the low potential side switching element, a first respectively a soft switching control, thermally coupled to the second heat sink, the switching elements of the power factor correction circuit, together with the pattern of the substrate to be hard-switching control is connected to the switching element electrically thermally bonded installed under the third heat sink that is insulated It makes more, reliable inverter device capable of suppressing the radiation of noise can be provided.

第３の発明は、特に、第１または第２の発明において、前記第１のヒートシンクと前記第３のヒートシンクを一体化して同一のヒートシンクとし、このヒートシンクに前記インバータ回路の前記高電位側スイッチング素子と前記力率改善回路の前記スイッチング素子を熱的に結合させ、電気的には前記力率改善回路の前記スイッチング素子だけ絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。 A third invention is, in particular, in the first or second invention, the same heat sink by integrating the third heat sink and the first heat sink, the high-potential side switching elements of the inverter circuit in the heat sink thermally coupled to the switching elements of the power factor correction circuit and, by the electrical connection to insulate only the switching element of the power factor correction circuit, the noise of the radiation by the hard switching control is suppressed Therefore, it is possible to prevent an increase in noise given to the control circuit portion of the substrate and radiation noise radiated.

第４の発明は、特に、第１または第２の発明において、前記第２のヒートシンクと前記第３のヒートシンクを一体化して同一のヒートシンクとし、このヒートシンクに前記インバータ回路の前記低電位側スイッチング素子と前記力率改善回路の前記スイッチング素子
を熱的に結合させ、電気的には前記力率改善回路の前記スイッチング素子だけ絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。 A fourth invention is, in particular, in the first or second invention, the same heat sink by integrating the third heat sink and the second heat sink, the low-potential side switching elements of the inverter circuit in the heat sink the switching element of the power factor correction circuit and
Thermally coupled, by the electrical connection to insulate only the switching element of the power factor correction circuit, since the noise radiation due to hard switching control is suppressed, the control circuit portion of the substrate It is possible to prevent an increase in noise to be given and radiation noise to be radiated.

第５の発明は、特に、第１または第２の発明において、前記第１〜前記第３のヒートシンクを一体化して同一のヒートシンクとし、このヒートシンクに前記インバータ回路の前記高電位側、前記低電位側スイッチング素子と前記力率改善回路の前記スイッチング素子を熱的に結合させ、電気的には前記インバータ回路のどちらか一方のスイッチング素子と前記力率改善回路の前記スイッチング素子を絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。 A fifth invention is, in particular, in the first or second invention, the same heat sink by integrating the first to the third heat sink, the high potential side of the inverter circuit to the heat sink, the low-potential the switching element of the side switching element and the power factor correction circuit thermally coupled, electrically to connect to isolate the switching elements of the power factor correction circuit and either of the switching elements of the inverter circuit By doing so, the emission of noise due to hard switching control is suppressed, so that it is possible to prevent an increase in noise given to the control circuit section of the substrate and radiation noise radiated.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されることはない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment.

（実施の形態）
図１、図２は、本発明の実施の形態におけるインバータ装置を備えた誘導加熱装置の回路構成を示すものである。 (Embodiment)
1 and 2 show a circuit configuration of an induction heating device including an inverter device according to an embodiment of the present invention.

図１において、電源１は２００Ｖ商用電源であり、ダイオードブリッジからなる整流手段２と、第１の平滑コンデンサ３とチョークコイル４とダイオード５とＭＯＳＦＥＴよりなるスイッチング素子６と力率改善制御手段７からなる力率改善回路８によって商用電源を昇圧した直流に変換し、第２の平滑コンデンサ９に蓄電しつつ商用電源の力率を１に近くなるように制御を行う。   In FIG. 1, a power source 1 is a 200 V commercial power source, and includes a rectifying means 2 composed of a diode bridge, a first smoothing capacitor 3, a choke coil 4, a diode 5, a switching element 6 composed of a MOSFET, and a power factor correction control means 7 The power source is converted into a boosted direct current by the power factor improving circuit 8 and stored in the second smoothing capacitor 9, and the power factor of the commercial power source is controlled to be close to unity.

鍋などの負荷に高周波電力を供給するインバータ回路１０は、ハーフブリッジ回路を有し、高電位側スイッチング素子１１と低電位側スイッチング素子１２とを有している。高電位側スイッチング素子１１、低電位側スイッチング素子１２は冷却する目的でそれぞれ第１、第２のヒートシンク１３、１４に熱的に結合されている。また、高電位側スイッチング素子１１と低電位側スイッチング素子１２は制御手段１５で制御され、このインバータ回路１０により高周波に変換され、高周波磁界を加熱コイル１６に発生させる。   The inverter circuit 10 that supplies high-frequency power to a load such as a pan has a half-bridge circuit, and includes a high-potential side switching element 11 and a low-potential side switching element 12. The high potential side switching element 11 and the low potential side switching element 12 are thermally coupled to the first and second heat sinks 13 and 14, respectively, for the purpose of cooling. The high-potential side switching element 11 and the low-potential side switching element 12 are controlled by the control means 15, converted into a high frequency by the inverter circuit 10, and a high frequency magnetic field is generated in the heating coil 16.

共振コンデンサ１７は、加熱コイル１６とともに直列の共振回路を構成している。さらにまた力率改善回路８のダイオード５とスイッチング素子６も冷却する目的で第３のヒートシンク１８に熱的に結合されている。冷却能力を向上させる目的と、スイッチング素子はそれぞれ異なった電位を有しているので、絶縁する目的のため、それぞれ独立してヒートシンクと接続されている。   The resonance capacitor 17 forms a series resonance circuit together with the heating coil 16. Furthermore, the diode 5 and the switching element 6 of the power factor correction circuit 8 are also thermally coupled to the third heat sink 18 for the purpose of cooling. Since the switching elements have different potentials for the purpose of improving the cooling capacity and for the purpose of insulation, they are independently connected to the heat sink.

スイッチング素子の制御方法としては、インバータ回路１０のスイッチング素子１１、１２についてはソフトスイッチング制御であり、力率改善回路８のスイッチング素子６についてはハードスイッチング制御となっている。図２（ａ）に示すように、ソフトスイッチング制御で動作しているスイッチング素子１１、１２については、スイッチング素子１１、１２を立てる構成でヒートシンク１３、１４と接続して基板面積を有効活用し、ハードスイッチング制御で動作しているスイッチング素子６は寝かせて第３のヒートシンク１８と接続している。つまり、図２（ｂ）に示すように、第３のヒートシンク１８の側面形状は逆Ｕ字状であり、その天井内面の下面に、スイッチング素子６とこれに接続されるパターンも設置する構成としている。また、第３のヒートシンク１８は、電気的に絶縁されたものである。   As a control method of the switching element, the switching elements 11 and 12 of the inverter circuit 10 are soft switching control, and the switching element 6 of the power factor correction circuit 8 is hard switching control. As shown in FIG. 2 (a), the switching elements 11 and 12 operating under soft switching control are connected to the heat sinks 13 and 14 in a configuration in which the switching elements 11 and 12 are set up to effectively utilize the board area. The switching element 6 operating in the hard switching control is laid down and connected to the third heat sink 18. That is, as shown in FIG. 2B, the side surface shape of the third heat sink 18 is an inverted U shape, and the switching element 6 and the pattern connected thereto are also installed on the lower surface of the ceiling inner surface. Yes. The third heat sink 18 is electrically insulated.

以上のように、本実施の形態においては、ハードスイッチング制御で動作しているスイ
ッチング素子６は寝かせてヒートシンク１８と接続させる、つまりヒートシンク１８の下面に設置することで、スイッチング素子６に接続される基板のパターンも第３のヒートシンク１８の下に潜り込む構成となることで、スイッチング素子６に接続されるパターンからのノイズの放射を抑制することができ、同基板の制御回路部に与えるノイズや、機器から放射される輻射ノイズを抑制することができる。 As described above, in the present embodiment, the switching element 6 operating in the hard switching control is laid and connected to the heat sink 18, that is, installed on the lower surface of the heat sink 18 to be connected to the switching element 6. Since the board pattern is also configured to sink under the third heat sink 18, noise emission from the pattern connected to the switching element 6 can be suppressed, and noise applied to the control circuit unit of the board, Radiation noise radiated from the device can be suppressed.

また、本実施の形態のハードスイッチング制御で動作するスイッチング素子６を電気的に絶縁させたヒートシンク１８に接続する構成をとることで、スイッチング素子６に接続されるパターンからのノイズの放射を抑制することに加え、ヒートシンク１８から放射されるノイズを抑制することができ、同基板の制御回路部に与えるノイズや、機器から放射される輻射ノイズを抑制することができる。   Further, by adopting a configuration in which the switching element 6 operating in the hard switching control according to the present embodiment is connected to the heat sink 18 that is electrically insulated, noise emission from the pattern connected to the switching element 6 is suppressed. In addition, noise radiated from the heat sink 18 can be suppressed, and noise given to the control circuit portion of the substrate and radiation noise radiated from the device can be suppressed.

また、スイッチング素子６をヒートシンク１８の下面に設置することに加え、スイッチング素子６を電気的に絶縁させたヒートシンク１８に接続する構成をとることで、より一層、ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置が提供できる。   Further, in addition to installing the switching element 6 on the lower surface of the heat sink 18, noise radiation can be further suppressed by adopting a configuration in which the switching element 6 is connected to the heat sink 18 that is electrically insulated. A highly reliable inverter device can be provided.

また、インバータ回路１０の高電位側スイッチング素子１１と力率改善回路８のスイッチング素子６を同一ヒートシンクに熱的に結合させ、電気的には力率改善回路８のスイッチング素子６だけ絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。   Further, the high-potential side switching element 11 of the inverter circuit 10 and the switching element 6 of the power factor improvement circuit 8 are thermally coupled to the same heat sink so that only the switching element 6 of the power factor improvement circuit 8 is electrically insulated. By connecting, noise emission due to hard switching control is suppressed, so that it is possible to prevent an increase in noise given to the control circuit portion of the substrate and radiation noise radiated.

また、インバータ回路１０の低電位側スイッチング素子１２と力率改善回路８のスイッチング素子６を同一ヒートシンクに熱的に結合させ、電気的には力率改善回路８のスイッチング素子６だけ絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。   Further, the low potential side switching element 12 of the inverter circuit 10 and the switching element 6 of the power factor correction circuit 8 are thermally coupled to the same heat sink so that only the switching element 6 of the power factor improvement circuit 8 is electrically insulated. By connecting, noise emission due to hard switching control is suppressed, so that it is possible to prevent an increase in noise given to the control circuit portion of the substrate and radiation noise radiated.

また、インバータ回路１０の高電位側、低電位側スイッチング素子１１、１２と力率改善回路８のスイッチング素子６を同一ヒートシンクに熱的に結合させ、電気的にはインバータ回路１０のどちらか一方のスイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子６を絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。   Further, the high-potential side and low-potential side switching elements 11 and 12 of the inverter circuit 10 and the switching element 6 of the power factor correction circuit 8 are thermally coupled to the same heat sink, and either one of the inverter circuits 10 is electrically connected. By connecting the switching element and the switching element 6 of the power factor correction circuit so as to be insulated, noise emission due to hard switching control is suppressed. Therefore, noise given to the control circuit section of the board and radiation noise radiated Can be prevented.

また、第３のヒートシンク１８を第１、２のヒートシンク１３、１４より投影面積で見て小さくすることにより、第３のヒートシンク１８の投影面積が小さくノイズの放射が抑制されるため、基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。   Further, by making the third heat sink 18 smaller than the first and second heat sinks 13 and 14 in terms of the projected area, the projected area of the third heat sink 18 is small and noise emission is suppressed. It is possible to prevent an increase in noise given to the circuit unit and radiation noise radiated.

また、第３のヒートシンク１８を第１、２のヒートシンク１３、１４より投影面積で見て大きくすることにより、第３のヒートシンク１８の放熱効果が大きく基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。   Also, by making the third heat sink 18 larger than the first and second heat sinks 13 and 14 in terms of the projected area, the heat dissipation effect of the third heat sink 18 is large, and noise and radiation given to the control circuit section of the substrate are radiated. Increase in radiation noise can be prevented.

上記した実施の形態の各構成は、必要に応じて適宜組み合わせて使用することができるものであり、実施の形態そのものの構成に限定されるものではない。   Each structure of embodiment mentioned above can be used in combination as needed suitably, and is not limited to the structure of embodiment itself.

以上のように、本発明にかかるインバータ装置は、ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置が提供できるので、誘導加熱調理器や、誘導加熱式の湯沸
かし器、加湿器あるいはアイロン、エアコンなどのインバータ装置に適用できる。 As described above, since the inverter device according to the present invention can provide a highly reliable inverter device capable of suppressing noise emission, an induction heating cooker, an induction heating type water heater, a humidifier or an iron, It can be applied to inverter devices such as air conditioners.

本発明の実施の形態におけるインバータ装置の回路構成図The circuit block diagram of the inverter apparatus in embodiment of this invention （ａ）同インバータ装置のインバータ回路における高電位側、低電位側のスイッチング素子をヒートシンクに取り付けた状態を示す側面図（ｂ）同インバータ装置の力率改善回路におけるスイッチング素子をヒートシンクに取り付けた状態を一部きり欠いて示す平面図(A) Side view showing a state in which switching elements on the high potential side and low potential side in the inverter circuit of the inverter device are attached to the heat sink. (B) State in which the switching element in the power factor correction circuit of the inverter device is attached to the heat sink. A plan view showing a part cut away

１ 商用電源
５ ダイオード
６ スイッチング素子
８ 力率改善回路
１０ インバータ回路
１１ 高電位側スイッチング素子
１２ 低電位側スイッチング素子
１３ 第１のヒートシンク
１４ 第２のヒートシンク
１８ 第３のヒートシンク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Commercial power supply 5 Diode 6 Switching element 8 Power factor improvement circuit 10 Inverter circuit 11 High potential side switching element 12 Low potential side switching element 13 1st heat sink 14 2nd heat sink 18 3rd heat sink

Claims (5)

商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、ソフトスイッチング制御されそれぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路の前記スイッチング素子は、ハードスイッチング制御され前記スイッチング素子に接続される基板のパターンとともに第３のヒートシンクに熱的に結合して前記第３のヒートシンクの下に設置したインバータ装置。 Connected after rectification of the commercial power supply, improves the power factor by at least one switching element, and simultaneously boosts the power factor to a voltage higher than the commercial power supply voltage. An inverter circuit for supplying power, the inverter circuit having a half-bridge circuit having a high potential side switching element and a low potential side switching element, and the high potential side switching element and the low potential side switching element are soft the first, respectively the switching control, thermally coupled to the second heat sink, the switching elements of the power factor correction circuit, heat in the third heat sink with the pattern of a substrate to be connected to the hard switching controlled the switching element coupled to inverter installed in the bottom of the third heat sink The other apparatus. 商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、ソフトスイッチング制御されそれぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路の前記スイッチング素子は、ハードスイッチング制御され前記スイッチング素子に接続される基板のパターンとともに電気的に絶縁された第３のヒートシンクの下に熱的に結合して設置したインバータ装置。 Connected after rectification of the commercial power supply, improves the power factor by at least one switching element, and simultaneously boosts the power factor to a voltage higher than the commercial power supply voltage. An inverter circuit for supplying power, the inverter circuit having a half-bridge circuit having a high potential side switching element and a low potential side switching element, and the high potential side switching element and the low potential side switching element are soft the first, respectively the switching control, thermally coupled to the second heat sink, the switching elements of the power factor correction circuit, which is electrically insulated with the pattern of the substrate which is connected to the hard switching controlled the switching element third inverter instrumentation which thermally bonded installed under the sink . 前記第１のヒートシンクと前記第３のヒートシンクを一体化して同一のヒートシンクとし、このヒートシンクに前記インバータ回路の前記高電位側スイッチング素子と前記力率改善回路の前記スイッチング素子を熱的に結合させ、電気的には前記力率改善回路の前記スイッチング素子のみを絶縁するように接続した請求項１または２に記載のインバータ装置。 It said first heat sink and by integrating the third heat sink to the same heat sink, the switching element of the power factor correction circuit and the high-potential side switching elements of the inverter circuit to the heat sink is thermally coupled, electrical inverter according to claim 1 or 2 is connected to insulate only the switching elements of the power factor correction circuit is. 前記第２のヒートシンクと前記第３のヒートシンクを一体化して同一のヒートシンクとし、このヒートシンクに前記インバータ回路の前記低電位側スイッチング素子と前記力率改善回路の前記スイッチング素子を熱的に結合させ、電気的には前記力率改善回路の前記ス
イッチング素子のみを絶縁するように接続した請求項１または２に記載のインバータ装置。 Wherein the second heat sink third integrated heat sink to the same heat sink, the switching element of the power factor correction circuit and the low-potential side switching elements of the inverter circuit to the heat sink is thermally coupled, electrical inverter according to claim 1 or 2 only the scan <br/> switching element connected to insulate the power factor correction circuit is in. 前記第１〜前記第３のヒートシンクを一体化して同一のヒートシンクとし、このヒートシンクに前記インバータ回路の前記高電位側、前記低電位側スイッチング素子と前記力率改善回路の前記スイッチング素子を熱的に結合させ、電気的には前記インバータ回路のどちらか一方のスイッチング素子と前記力率改善回路の前記スイッチング素子を絶縁するように接続した請求項１または２に記載のインバータ装置。
The same heat sink by integrating the first to the third heat sink, the high potential side of the inverter circuit to the heat sink, wherein the low-potential side switching elements of the switching elements of the power factor correction circuit thermally bond is, the inverter apparatus according to claim 1 or 2 is connected to insulate the switching elements of the power factor correction circuit and either of the switching elements of the inverter circuit in the electrical.
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