JP5013528B2

JP5013528B2 - 半導体パッケージの含水率管理方法および装置

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Publication number: JP5013528B2
Application number: JP2007285227A
Authority: JP
Inventors: 直人中谷
Original assignee: Nippon Avionics Co Ltd
Current assignee: Nippon Avionics Co Ltd
Priority date: 2007-11-01
Filing date: 2007-11-01
Publication date: 2012-08-29
Anticipated expiration: 2027-11-01
Also published as: JP2009117406A

Description

この発明は、樹脂で気密封止した半導体パッケージの含水率を管理するための方法と、装置とに関するものである。

集積回路（ＩＣ）などの半導体素子を樹脂で気密封止した半導体パッケージが広く使用されている。この半導体パッケージは回路基板に接着剤などで仮止めし、全体を加熱することによりリフロー半田付けしたり接着樹脂が熱硬化型である場合にはこれを硬化させている。しかしこの加熱による熱ストレスがパッケージに加わるため、この時のヒートショックによりパッケージが割れる（クラックの発生）という問題が生じ得る。また、半導体パッケージに加わる熱ストレスは同時に半導体パッケージが実装される回路基板（プリント配線板）にも加わるので、プリント配線板には層間剥離という問題が生じ得る。

特に表面実装型のデバイス（ＳＭＤ：Surface Mount Device）は高密度実装における優位性から広く用いられているが、ＳＭＤのパッケージについてはこの実装時の熱ストレスによるパッケージクラックが大きな問題となる。

このクラック発生の原因として、パッケージの含水率が考えられている。すなわち樹脂パッケージが水分を吸収し、内部に封止された素子（チップ）とモールド樹脂の間やリードフレームのダイパッド（チップ接着部）とモールド樹脂の界面に到達した水分が、はんだ付け時の熱により気化膨張し、チップまたはダイパッドの端面に集中した応力が樹脂強度を超えた場合にパッケージにクラックが発生すると考えるものである。また、プリント配線基板の層間剥離発生原因もプリント配線板の含水率が考えられている。すなわち、プリント配線板の内部にまで水分が吸収されていると、はんだ付け時の加熱によって内蔵された水分は急激に外部に放出されることになるが、樹脂内の深部まで入り込んだ水分はそこで気化しようとする速度が樹脂中を移動する速度を上回り、プリント配線板内部の導体と樹脂間、またはガラスクロスと樹脂間などの比較的密着性の弱い部分の界面が剥離するのである。

特開平８−２５０５３５号

特許文献１には、パッケージが実質的に除湿される加熱処理工程（例えばバーンイン、捺印キュア等）から気密包装までの間大気中で作業・保管されるため、その間に吸湿してしまうのを防ぐ１つの方法が開示されている。この方法は、加熱（バーンイン）終了後の経過時間ｔと、その後の各工程の作業・保管環境条件に対応する係数ａとの積ａｔを求めてこれを実効吸湿時間とし、この実効吸湿時間ａｔを許容吸湿時間ｔ₀と比較してａｔ＞ｔ₀の時にアラームを出力させるものである。

この公知の方法では係数ａの決め方に問題がある。すなわち気密包装までに行う作業・保管等の工程ごとに環境温度や湿度が異なるため係数ａは単純に一定数として設定することは不可能である。このため信頼性が悪いという問題がある。

この発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、半導体パッケージのベーキング後の含水率を高精度に求めることができ、気密包装時の含水率を許容含水率以下にしてパッケージのクラック発生を確実に予防することができる半導体パッケージの含水率管理方法を提供することを第１の目的とする。またこの方法と発明の単一性の要件を満たす含水率管理装置を提供することを第２の目的とする。

この発明によれば第１の目的は、半導体素子を樹脂で気密封止した半導体パッケージを複数の工程を経て防湿包装するための半導体パッケージの含水率管理方法であって、
工程（ｉ）に入る時の前記半導体パッケージの含水率ｍ（ｘ、ｉ−１）を基準にしてこの工程（ｉ）で時間ｔ（ｉ）後に到達する含水率ｍ（ｘ、ｉ）を次式により求め、
ｍ（ｘ、ｉ）＝Ｆ｛ｍ（ｉ）、ｍ（ｘ、ｉ−１）、Ｔ（ｉ）、ｔ（ｉ）｝＋ｍ（ｘ、ｉ−１）
但しＴ（ｉ）は、工程（ｉ）の環境温度Ｔ（ｉ）、
ｔ（ｉ）は、工程（ｉ）の所要時間、
ｍ（ｉ）は、工程（ｉ）の環境湿度ＲＨ（ｉ）に対応する平衡含水率、
ここに前記の式ＦをＦ≡Δｍと定義して次式により求め、
吸湿変化｛ｍ（ｉ）≧ｍ（ｘ、ｉ−１）の時｝においては、

乾燥過程｛ｍ（ｉ）＜ｍ（ｘ、ｉ−１）の時｝においては、同様に

最後の工程（ｎ）で時間ｔ（ｎ）経過後に到達する最終到達含水率ｍ（ｘ、ｎ）を許容含水率ｍ０と比較することによって、防湿包装・出荷の可否を判定することを特徴とする半導体パッケージの含水率管理方法、により達成される。

第２の目的は、半導体素子を樹脂で気密封止した半導体パッケージを防湿包装するための装置であって、
半導体パッケージをベーキング処理するベーキング装置と；
ベーキング処理完了時の半導体パッケージの含水率ｍ（ｘ、０）および許容含水率ｍ０の入力端末装置と、
ベーキング後から保管および検査を含む防湿包装までの複数の工程ｉにおける開始・終了時間ｔ（ｉｓ）、ｔ（ｉｅ）と、環境温度Ｔ（ｉ）と、環境湿度ｍ（ｉ）の入力端末装置と；
前記環境温度Ｔ（ｉ）における前記環境湿度ＲＨ（ｉ）に対応する平衡含水率ｍ（ｉ）を求める平衡含水率演算部と；
各工程（ｉ）の入力端末装置から入力されるデータに基づいて各工程（ｉ）における半導体パッケージの含水率変化Δｍ（ｘ、ｉ）を請求項１に記載した式により算出し、それらの総和を用いて最終到達含水率ｍ＝ｍ（ｘ、０）＋ΣΔｍ（ｉ）を求める含水率演算部と；
ｍ＜ｍ０なら気密包装後出荷を指示し、ｍ≧ｍ０なら再ベーキングを指示する判定部と；
を備えることを特徴とする半導体パッケージの含水率管理装置、により達成される。

この発明によれば、半導体装置の実質的な除湿（ベーキングなど）後において保管や検査などの種々の工程ｉごとに環境温度Ｔ（ｉ）と環境湿度ＲＨ（ｉ）と処理時間ｔ（ｉ）とにより到達含水率ｍ（ｘ、ｉ）を求めているから、各工程ｉ毎の寄与を個別に求めて最終的な到達含水率を求めることができる。このため、工程数ｉが複数であっても精度の高い最終到達含水率を求めることができ、防湿包装時の含水率を許容含水率以下にしてクラック発生を確実に予防することができる。

最終到達含水率ｍ（ｘ、ｎ）を求める計算方法としては種々考えられる。各工程（ｉ）ごとにその直前の工程（ｉ−１）での到達含水率ｍ（ｘ、ｉ−１）を用いる方法では、到達含水率ｍ（ｘ、ｉ−１）を計算するためにはその前の到達含水率ｍ（ｘ、ｉ−２）が必要になるから、結局各工程１〜ｎまで順に計算を行うことになる。この計算は各工程（ｉ）における含水率の増加分Δｍ（ｘ、ｉ）を各工程（ｉ）ごとに計算し、最後にこれらの総和により最終到達含水率ｍ（ｘ、ｎ）を求めてもよい（請求項２）。

本発明の方法は次のように構成してもよい。すなわち、半導体素子を樹脂で気密封止した半導体パッケージを防湿包装するために用いる吸水率管理方法であって、
ａ．パッケージの許容含水率ｍ０と、総工程数ｎ（但しｎ≧２）と、ベーキング後の含水率ｍ（ｂ）とを設定し、ｍ（ｂ）＝ｍ（ｘ、０）と置く、
ｂ．ベーキングする、
ｃ．工程ｉの所要時間ｔ（ｉ）と、環境温度Ｔ（ｉ）と、環境湿度ＲＨ（ｉ）とを設定し、
ｄ．環境温度Ｔ（ｉ）における環境湿度ＲＨ（ｉ）に対応する平衡含水率ｍ（ｉ）を求め、
ｅ．工程ｉにおける含水率の変化分Δｍ（ｉ）を請求項１のΔｍ（ｘ、ｉ）の式により求め、
ｆ．ｉ＝ｎになるまで工程ｃ〜ｅを繰り返し、
ｇ．各工程ｉ〜ｎの含水率変化Δｍ（ｉ）の総和ｍを次式により求め、
ｍ＝ｍ（ｘ、０）＋Δｍ（１）＋Δｍ（２）＋…Δｍ（ｉ）
ｈ．ｍ＜ｍ０ならパッケージの含水率ｍは許容範囲として気密包装後出荷を行い、ｍ≧ｍ０なら警告を発してパッケージは再びベーキングに戻すよう指示する、
以上の各工程ａ〜ｈを順に行う半導体パッケージの含水率管理方法。

この方法は各工程ｉごとの変化分Δｍを求めてこれらの総和を最終到達含水率ｍとするものである。この方法に代えて、各工程ｉごとに到達含水率ｍ（ｘ、ｉ）を求めてもよい（請求項５）。なお請求項３の工程ａとｂとを逆にしてもよいのは勿論である（請求項４）。なおこの演算は数式に基づいて計算してもよいが、数式に代えて数式に対応する関数パターン（グラフ）をテーブル化して記憶しておき、所望の変数値に対応する数値を求めることによって計算と実質的に同じ結果を得てもよい。

請求項６の含水率管理装置において、含水率演算部は各工程（ｉ）ごとの変化量Δｍ（ｘ、ｉ）を計算しておき、最後の全ての変化Δｍ（ｘ、ｉ）の総和を最終到達含水率ｍ（ｘ、ｎ）とするものである。含水率演算部は各工程ｉ毎に到達含水率ｍ（ｘ、ｉ）を演算してもよい（請求項７）。平衡含水率演算部は吸湿状態図のグラフをテーブルとして予めメモリしておき、このテーブルを用いて所望の変数値に対応する数値を読出すことによって平衡含水率ｍ（ｉ）を求めてもよい（請求項８）。以上説明した実施の形態では含水率の管理対象は半導体パッケージに限定して説明しているが、この発明は樹脂の含水率の変化に着目したものであるから、コイル、コンデンサ、および抵抗等の受動部品で樹脂でモールドされている電子部品、例えば表面実装用のチップ型電子部品、ならびに樹脂や導体を積層して構成されるプリント配線板の含水率の管理にも使用できることはいうまでもないことである。

図１は本発明の一実施例の概念図、図２はその動作流れ図、図３は主コンピュータの構成を示す機能のブロック図、図４は平衡含水率の演算方法を説明するための吸湿状態図である。

図１において完成したＩＣパッケージを密封包装して出荷するまでの手順すなわち処理工程を説明する。完成したＩＣパッケージ１０は最初の工程であるベーキング工程（０）において所定時間、所定の温度でベーキングされる。この結果パッケージ１０の含水率はｍ（ｂ）となる。この含水率ｍ（ｂ）は通常０とすることができる。このベーキング工程（０）の終了信号は主コンピュータ１２に送られ、パッケージ１０は次の工程（１）に搬送される。また主コンピュータ１２にはこの時の含水率ｍ（ｂ）と、総工程数ｎと、許容含水率ｍ０が入力される（図２、ステップＳ１００）。ここでは含水率ｍ（ｂ）＝ｍと置く。

パッケージ１０が送られる次の工程（１）は、例えば保管であり、保管場所の環境湿度（相対湿度）ＲＨ（１）、環境温度Ｔ（１）は一定である。これらのデータＲＨ（１）、Ｔ（１）と、この工程（１）に搬入した時刻ｔ（１ｓ）と搬出した時刻ｔ（１ｅ）とは、入力端末装置である端末コンピュータ１４に入力され、これらは主コンピュータ１２に送られる。なお時刻ｔ（１ｓ）、ｔ（１ｅ）に代えて工程（１）の処理時間ｔ（１）＝ｔ（１ｅ）−ｔ（１ｓ）を送ってもよい。

主コンピュータ１２は、図３に示す機能を持つ。すなわち図４に示す吸湿状態図をマップとして記憶するマップ記憶部１２Ａ、平衡含水率演算部１２Ｂ、含水率演算部１２Ｃ、メモリ１２Ｄ、判定部１２Ｅ等を持つ。

主コンピュータ１２では工程数を示す指数ｉをまず１に置いた後（ステップＳ１０２）、これらのデータｔ（１ｓ）、ｔ（１ｅ）、Ｔ（１）、ＲＨ（１）を読込む（ステップＳ１０４）。そして次にこの工程（１）の平衡含水率ｍ（１）を求める（ステップＳ１０６）。この平衡含水率ｍ（１）は、環境温度Ｔ（１）かつ環境湿度ＲＨ（１）の中にパッケージ１０を放置した時に到達し得る含水率であり、単位はパッケージの樹脂重量に対する水分重量であり、％、ｐｐｍである。

図４は、環境湿度ＲＨと平衡含水率ｍとの関係を、環境温度Ｔをパラメータとして示した吸湿状態図（模式図）である。この図４で横軸は環境湿度（相対湿度）ＲＨ（単位は％）、縦軸は平衡含水率ｍ（単位は％）、である。主コンピュータ１２はこの図４の状態図を例えばマップ形式でマップ記憶部１２Ａにメモリしておき、環境湿度ＲＨ（１）、環境温度Ｔ（１）から平衡含水率ｍ（１）を求める。

この演算は平衡含水率演算部１２Ｂで行われる。すなわち、入力端末装置１４Ａから入力される工程（１）の環境温度Ｔ（１）と環境湿度ＲＨ（１）に基づき、図４のグラフから対応する平衡含水率ｍ（１）を求めるものである。この演算部１２Ｂは図４を用いるのに代えて所定の数式を用いて計算してもよい。この計算式については後記する。

主コンピュータ１２はこの求めた平衡含水率ｍ（１）などを用いて含水率の変化Δｍ（１）を次の数式、
Δｍ（ｉ）＝Ｆ｛ｍ（ｉ）、ｍ、Ｔ（ｉ）、ｔ（ｉ）｝
但しｉ＝１
により求める（ステップＳ１０８）。この数式については後記する。

主コンピュータ１２はこの計算結果Δｍ（１）を用いて、この工程（１）における時間ｔ（１）経過後に到達する含水率（到達含水率）ｍ（ｘ、１）を求める（ステップＳ１１０）。この演算は含水率演算部１２Ｃで行い、演算中に用いる工程（ｉ）の結果は適宜にメモリ１２Ｄにメモリしておく。ここに図２のステップ１１０でｍ（ｂ）を加えたのは、この工程（１）に入る時の含水率がベーキング直後の含水率ｍ（ｂ）であることによる。

主コンピュータ１２は全工程ｎまで終わっているか否かを判定し（ステップＳ１１２）、終わっていなければ工程（１）を工程（２）にし（ｉ＝ｉ＋１、ステップＳ１１４）、ステップＳ１０４〜１１２を繰り返す。図１の１４Ｂ、１４Ｃは工程（２）、（３）で用いる入力端末装置としての端末コンピュータである。ｉ＝ｎとなるまで全ての工程を終わると、その時の到達含水率ｍ（ｘ、ｎ）が最終到達含水率ｍとなるから、これを許容含水率ｍ０と比較する（ステップＳ１１６）。この比較は判定部１２Ｅで行う。最終到達含水率ｍ（ｘ、ｎ）が許容含水率ｍ０より小さければ、パッケージ１０は次の包装工程に送られ、密封包装されて（ステップＳ１１８）、出荷される（ステップＳ１２０）。ｍ（ｘ、ｎ）がｍ０より大であればパッケージ１０は含水率が大きすぎるので不良品であるとして除外すると共に警告を発し（ステップＳ１２２）、再ベーキングを指示する（ステップＳ１２４）。

前記実施例１では、含水率演算部１２Ｃは各工程（ｉ）における含水率の変化Δｍ（ｘ、ｉ）を求め（Ｓ１０８）、これを積算することによって（Ｓ１１０）、最終到達含水率ｍ（ｘ、ｎ）＝ｍを求めていた。この計算は他の計算方法で行ってもよい。例えば変化Δｍ（ｘ、ｉ）を用いずに直接各工程（ｉ）ごとに到達含水率ｍ（ｘ、ｉ）を求めてもよい。

図５はその場合の動作流れ図である。この実施例２では、ステップＳ１５０において次式の演算を行う。そしてｉ＝ｎとなるｍ（ｘ、ｎ）を最終到達含水率ｍとする（ステップＳ１５２）。
ｍ（ｘ、ｉ）＝Ｆ｛ｍ（ｉ）、ｍ（ｘ、ｉ−１）、Ｔ（ｉ）、ｔ（ｉ）｝＋ｍ（ｘ、ｉ−１）

この方法によれば図２におけるステップＳ１１０が不用になる。なお図５では図２と同一ステップに同一符号を付したのでその説明は繰り返さない。

次に到達含水率ｍ（ｘ、ｉ）の計算方法について説明する。すなわち図２のステップＳ１０８のΔｍ（ｘ、ｉ）＝Ｆ｛…｝の式や、図５のステップＳ１５０のｍ（ｘ、ｉ）＝Ｆ｛…｝＋ｍ（ｘ、ｉ−１）の式は、後者ｍ（ｘ、ｉ）が前者Δｍ（ｘ、ｉ）の総和であることから、以下Δｍ（ｘ、ｉ）について説明する。この計算は例えば次の式Ｉ、Ｉ′により行うことができる。

ここに、Ｋ、Ｎは有機樹脂材料毎および内部微細組織構造によって決まる材料常数である。この式Ｉは、含水率の変化Δｍ（ｘ、ｉ）を工程（ｉ）の環境中に置いたパッケージの初期含水率ｍ（ｘ、ｉ−１）と平衡含水率ｍ（ｉ）との差（最大の差）｛ｍ（ｉ）−ｍ（ｘ、ｉ−１）｝が、経過時間ｔ（ｉ）と比例定数Ｋの積の１／Ｎ乗の指数関数として近似したものである。この式Ｉ、Ｉ′については同一出願人の出願である特願２００６−２５４１３５に詳細に説明されている。

Δｍ（ｘ、ｉ）は、次の式II、II′により計算してもよい。

ここに、α₀、Ｑ_K、β₀、Ｑ_Nは有機樹脂材料毎および内部微細組織構造によって決まる材料常数、ｋはボルツマン常数とする。

この式IIは前記式Ｉ、Ｉ′おける常数ＫとＮを温度依存性を持つものとし、アレニウス型近似式として次の式III、IVを用いたものである。

α₀、β₀；常数、Ｑ；活性化エネルギーＴ；絶対温度ｋ；ボルツマン常数

次に平衡含水率ｍ（ｉ）の計算方法について説明する。図２、５のステップＳ１０６では図４に示す吸湿状態図をマップとしてメモリしておき、このマップからｍ（ｉ）を読出す方法を用いているが、このｍ（ｉ）は次の式Ｖを用いて計算により求めることもできる。

ここでψは温度Ｔにおける湿度（０＜ψ≦１．０）であり、ＲＨ（ｉ）と同じもの。γ₀、Ｑ_m0、Ｑ_m、ｎは有機樹脂材料毎および内部微細組織構造によって決まる材料常数とする。この式Ｖに代えて次の式VIを用いることもできる。

ここで、Ｖ₀、Ｑ_Vは飽和水蒸気圧を決定する常数、Ｓ₀、Ｑ_S0、ｎは有機樹脂材料毎および内部微細組織構造によって決まる材料常数とする。

前記式IIでは吸湿特性は２次元的な吸着現象を前提にしたものであり、板厚等材料内部構造に関する情報を常数Ｋ、Ｎの中に押し込めている。従って、α₀、β₀は内部構造を代表するパラメータの関数となっている。しかし現実の吸着特性は材料厚により変化する。

水分の移動が分子のランダムウォークによる拡散現象が支配的な場合には、拡散距離は時間の１／２乗に比例する。従って３次元的な材料内部への吸湿を考慮すると、吸湿に要する時間ｔは、材料厚など拡散方向の距離の２乗に反比例するはずである。従ってこの関数をα₀については水分移動方向の厚みＨの−δ乗に比例する次の式VIIで仮定できる。

ここにＨは水分が浸透する方向の厚み、α₁、δは有機樹脂材料毎および内部微細組織構造によって決まる材料常数である。

β₀については関係が明らかでないため便宜的に多項式近似である式IIXと仮定する。

ここにβ₁、β₂、β₃…は有機樹脂材料毎および内部微細組織構造によって決まる材料常数とする。

本発明の一実施例である概念図同じく動作流れ図主コンピュータの機能を示すブロック図平衡含水率ｍと環境湿度ＲＨとの関係を示す吸湿状態図他の実施例の動作説明図

１０半導体パッケージ
１２主コンピュータ
１２Ａマップ記憶部
１２Ｂ平衡含水率演算部
１２Ｃ含水率演算部
１２Ｄメモリ
１２Ｅ判定部
１４Ａ〜Ｃ入力端末装置

Claims

半導体素子を樹脂で気密封止した半導体パッケージを複数の工程を経て防湿包装するための半導体パッケージの含水率管理方法であって、
工程（ｉ）に入る時の前記半導体パッケージの含水率ｍ（ｘ、ｉ−１）を基準にしてこの工程（ｉ）で時間ｔ（ｉ）後に到達する含水率ｍ（ｘ、ｉ）を次式により求め、
ｍ（ｘ、ｉ）＝Ｆ｛ｍ（ｉ）、ｍ（ｘ、ｉ−１）、Ｔ（ｉ）、ｔ（ｉ）｝＋ｍ（ｘ、ｉ−１）
但しＴ（ｉ）は、工程（ｉ）の環境温度Ｔ（ｉ）、
ｔ（ｉ）は、工程（ｉ）の所要時間、
ｍ（ｉ）は、工程（ｉ）の環境湿度ＲＨ（ｉ）に対応する平衡含水率、
ここに前記の式ＦをＦ≡Δｍと定義して次式により求め、

吸湿変化｛ｍ（ｉ）≧ｍ（ｘ、ｉ−１）の時｝においては、

乾燥過程｛ｍ（ｉ）＜ｍ（ｘ、ｉ−１）の時｝においては、同様に

最後の工程（ｎ）で時間ｔ（ｎ）経過後に到達する最終到達含水率ｍ（ｘ、ｎ）を許容含水率ｍ０と比較することによって、防湿包装・出荷の可否を判定することを特徴とする半導体パッケージの含水率管理方法。
最終到達含水率ｍ（ｘ、ｎ）は、各工程（ｉ）における到達含水率ｍ（ｘ、ｉ）の変化Δｍ（ｘ、ｉ）＝ｍ（ｘ、ｉ）−ｍ（ｘ、ｉ−１）の総和により求める請求項１の半導体パッケージの含水率管理方法。
半導体素子を樹脂で気密封止した半導体パッケージを防湿包装するために用いる含水率管理方法であって、
ａ．パッケージの許容含水率ｍ０と、総工程数ｎ（但しｎ≧２）と、ベーキング後の含水率ｍ（ｂ）とを設定し、ｍ（ｂ）＝ｍ（ｘ、０）と置く、
ｂ．ベーキングする、
ｃ．工程ｉの所要時間ｔ（ｉ）と、環境温度Ｔ（ｉ）と、環境湿度ＲＨ（ｉ）とを設定し
ｄ．環境温度Ｔ（ｉ）における環境湿度ＲＨ（ｉ）に対応する平衡含水率ｍ（ｉ）を求め、
ｅ．工程ｉにおける含水率の変化分Δｍ（ｉ）を前記請求項１のΔｍ（ｘ、ｉ）の式により求め、
ｆ．ｉ＝ｎになるまで工程ｃ〜ｅを繰り返し、
ｇ．各工程１〜ｎの含水率変化Δｍ（ｉ）の総和を用いて最終到達含水率ｍを次式により求め、
ｍ＝ｍ（ｘ、０）＋Δｍ（１）＋Δｍ（２）＋…Δｍ（ｎ）
ｈ．ｍ＜ｍ０ならパッケージの含水率ｍは許容範囲として防湿包装後出荷を行い、ｍ≧ｍ０なら警告を発してパッケージは再びベーキングに戻すよう指示する、
以上の各工程ａ〜ｈを順に行う半導体パッケージの含水率管理方法。
工程ａとｂの順を逆にする請求項３の半導体パッケージの含水率管理方法。
請求項３または４において、工程ｅ、ｆ、ｇを以下の工程ｅ′、ｆ′、ｇ′、
ｅ′．工程ｉにおける到達含水率ｍ（ｘ、ｉ）を前記請求項３の工程ｇに示したｍの式により求め、
ｆ′．ｉ＝ｎになるまで工程ｃ、ｄ、ｅ′を繰り返し、
ｇ′．ｍ（ｘ、ｎ）を最終到達含水率ｍとし、
とした請求項３または４に記載の半導体パッケージの含水率管理方法。
半導体素子を樹脂で気密封止した半導体パッケージを防湿包装するための装置であって、
半導体パッケージをベーキング処理するベーキング装置と；
ベーキング処理完了時の半導体パッケージの含水率ｍ（ｘ、０）および許容含水率ｍ０の入力端末装置と、
ベーキング後から保管および検査を含む防湿包装までの複数の工程ｉにおける開始・終了時間ｔ（ｉｓ）、ｔ（ｉｅ）と、環境温度Ｔ（ｉ）と、環境湿度ｍ（ｉ）の入力端末装置と；
前記環境温度Ｔ（ｉ）における前記環境湿度ＲＨ（ｉ）に対応する平衡含水率ｍ（ｉ）を求める平衡含水率演算部と；
各工程（ｉ）の入力端末装置から入力されるデータに基づいて各工程（ｉ）における半導体パッケージの含水率変化Δｍ（ｘ、ｉ）を請求項１に記載した式により算出し、それらの総和を用いて最終到達含水率ｍ＝ｍ（ｘ、０）＋ΣΔｍ（ｉ）を求める含水率演算部と；
ｍ＜ｍ０なら気密包装後出荷を指示し、ｍ≧ｍ０なら再ベーキングを指示する判定部と；
を備えることを特徴とする半導体パッケージの含水率管理装置。
請求項６において、含水率演算部を、
工程ｉにおける到達含水率ｍ（ｘ、ｉ）を請求項１に記載された式により求め、ｍ（ｘ、ｎ）を最終到達含水率ｍとする含水率演算部；
とした請求項６の半導体パッケージの含水率管理装置。
平衡含水率演算部は、環境温度Ｔ（ｉ）をパラメータとして湿度ＲＨ（ｉ）に対する含水率ｍ（ｉ）の変化を示す吸湿状態図をマップあるいはテーブルとして予めメモリしておき、この吸湿状態図を用いて平衡含水率ｍ（ｉ）を求める請求項６または７の半導体パッケージの含水率管理装置。