JP5004097B2 - 結晶欠陥の回復方法、結晶体の作製方法、パターン形成方法、x線量の検出体 - Google Patents

結晶欠陥の回復方法、結晶体の作製方法、パターン形成方法、x線量の検出体 Download PDF

Info

Publication number
JP5004097B2
JP5004097B2 JP2008071133A JP2008071133A JP5004097B2 JP 5004097 B2 JP5004097 B2 JP 5004097B2 JP 2008071133 A JP2008071133 A JP 2008071133A JP 2008071133 A JP2008071133 A JP 2008071133A JP 5004097 B2 JP5004097 B2 JP 5004097B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
ray irradiation
colored region
ray
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008071133A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008219022A (ja
Inventor
久人 小木曽
禅 中野
純 明渡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2008071133A priority Critical patent/JP5004097B2/ja
Publication of JP2008219022A publication Critical patent/JP2008219022A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5004097B2 publication Critical patent/JP5004097B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

この発明は、非金属の結晶体の欠陥を回復する方法、欠陥部分と欠陥が回復された部分とを有する結晶体の作製方法、パターン形成方法、およびX線量の検出体に関する。
結晶の欠陥が無機材料の物性(光学特性や電気特性等)に与える影響については、古くから議論されており、結晶欠陥の制御は無機材料の物性を制御するために重要である。特に、人工格子材料やナノ構造材料は、幾何学的構造の僅かな変化によって物性が大きく変化する。例えば、最近、電界放出管等への応用が注目されているカーボンナノチューブ(CNT)の場合も、物性の制御のために結晶欠陥を制御することが求められている。
結晶欠陥の制御方法の従来例としては、加熱処理が挙げられる。例えば、下記の特許文献1には、シリコン基板にイオン注入法で不純物をドーピングしたことにより生じた格子欠陥を、熱処理により回復することが記載されている。
また、下記の非特許文献1には、ドーピングされたGaAsのキャリア移動度がレーザー照射により回復された例について記載されている。
さらに、NECのMiyamotoらのグループは、光や電子励起による結晶欠陥の回復をコンピュータシミュレーションによって実証する研究を進めており(非特許文献2参照)、この研究は世界的に注目を集めている。
特開平5−251378号公報([0008]〜[0009]) D. Loridant-Bernard, S.Meziere, M.Constant, N.Dupuy, B.Sombert, and J.Chevaller, "Appl. Phys. Lett." 1998, Vol.73, p.644 Y. Miyamoto, O.Sugino, and Y. Mochizuki, "Appl. Phys. Lett." 8 Nov. 1999, Vol.75, No.19, p.2915-2917
しかしながら、人工格子材料やナノ構造材料の結晶欠陥を回復するために熱処理法を採用すると、温度上昇に伴って幾何学的構造が大幅に変化して分解する恐れがある。また、光や電子励起による結晶欠陥の回復方法については、未だ研究段階であって、具体的な手法が確立されていない。
本発明の課題は、温度上昇を伴わずに結晶欠陥を回復できる方法と非金属の結晶欠陥を容易に制御できる方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の結晶欠陥の回復方法は、格子欠陥を有する非金属の結晶体に対してX線照射を行うことにより、前記欠陥を回復させることを特徴とする。
従来から知られているように、格子欠陥の無い、ほぼ完全な結晶体にX線照射を行うと、この結晶体に欠陥が導入される。本発明者は、このように欠陥を導入する作用が有るX線照射を、過剰な欠陥を有する非金属の結晶体に対して行うと、欠陥が回復することを見出した。
本発明はまた、非金属の結晶体からなる基材の表面にイオン注入による格子欠陥が導入されている着色領域を有する検出体の該着色領域に対し、部分的にX線を照射し、色の変化によりX線量を検出することを特徴とするX線量の検出方法を提供する。
本発明はまた、非金属である酸化マグネシウムの結晶体からなる基材の表面に形成され、イオン注入による格子欠陥が導入されている着色領域であって、X線照射によりその色が変化する着色領域と、該着色領域内に部分的に設けられ、X線が照射されるX線照射領域とを具備することを特徴とするX線量の検出体を提供する。
本発明はまた、非金属である酸化マグネシウムの結晶体からなる基材の表面に形成され、イオン注入による格子欠陥が導入されている着色領域であって、X線照射によりその色が変化する着色領域と、該着色領域を部分的に覆い、X線の照射領域を規制するマスクとを具備することを特徴とするX線量の検出体を提供する。
本発明の「結晶欠陥の回復方法」によれば、格子欠陥を有する非金属の結晶欠陥の回復を温度上昇を伴わずに行うことができる。
本発明の「結晶体の作製方法」によれば、イオン注入工程とX線照射工程とにより、欠陥部分と欠陥が回復された部分とを有する結晶体を容易に作製することができる。すなわち、非金属の結晶欠陥を容易に制御することができる。
本発明の「結晶体の作製方法」によれば、非金属の結晶体からなる基材の表面の所定領域にイオン注入を行った後に、前記所定領域に部分的にX線を照射して光吸収波長を変化させることにより、前記表面に光吸収波長の違いで識別されるパターンを形成することができる。
熱処理法では、微細な部分のみを温度上昇させることが困難であるが、イオン注入およびX線照射は微細な部分のみに行うことができるため、本発明の「パターン形成方法」によれば、微細なパターンを形成することができる。
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1を用いて、本発明の「パターン形成方法」の一実施形態を説明する。
先ず、図1(a)に示すように、酸化マグネシウム単結晶(非金属の結晶体)からなる基板(基材)1を用意する。この基板1は透明である。この基板1の表面の中央部分(所定領域)12に、イオンビーム走査法によりイオン注入を行った。これにより、この部分が着色領域2となった。図1(b)はこの状態を示す。イオン注入は、金(Au)イオンを用い、加速電圧:3.1MeV、注入量:2×1016 ion/cm2 の条件で行った。
次に、この基板1の着色領域2が形成された面に、中央に円形の孔を開けたマスクを載せた状態で、X線を照射した。X線照射は、30kVで加速した電子ビーム120mAをロジウムターゲットに衝突させることよって発生させたX線を用い、ターゲットから25mm離れた位置に基板1を配置して、15分間行った。その結果、図1(c)に示すように、着色領域2のX線が照射された円形部分の色が薄くなって、円形のパターン3が形成された。
すなわち、この実施形態のパターン形成方法では、基板が透明であり、イオン注入により基板の表面の所定領域が着色領域となっており、この着色領域に部分的にX線を照射することで、その部分の色が着色領域より薄くなっている。
ここで、パターン3の部分と、着色領域2の部分(パターン3から外れる部分)と、基板1の部分(着色領域2から外れる部分)について、光吸収スペクトルを測定した。その結果を図2に示す。図2のチャートから分かるように、波長575nm付近に中心を有するピークがX線照射により小さくなっている。
また、X線照射前の着色領域2の中央部分(X線照射によりパターン3となる部分)と、X線照射後のパターン3の部分について、断面をTEM(透過型電子顕微鏡)で観察した写真を図3および図4に示す。図3がX線照射前の写真であり、図4がX線照射後の写真である。これらの写真は、基板1の表面(パターン3の形成面)から深さ方向の所定位置(2.5mm程度)までの部分の断面写真であり、上側が基板1の表面側である。
図3の写真と図4の写真を比較すると、図3の方は、基板の厚さ方向で複数層に分かれていて、表面側ほど粗い粒子状に写っているのに対して、図4の方は均一であることが分かる。すなわち、X線照射前の着色領域2を示す図3の写真では、格子欠陥が認められ、X線照射後のパターン部3を示す図4の写真では、格子欠陥の回復が認められる。
また、エネルギー分散型蛍光X線分析装置(EDX)により、各断面を深さ方向に元素分析した。その結果を図5および図6に示す。図5が、X線照射前の着色領域2に相当する図3の点A1〜A12での分析結果を示す。図6が、X線照射後のパターン部3に相当する図4の点B1〜B12での分析結果を示す。
この結果から、MgO単結晶からなる基板1に金をイオン注入することにより、表面側に金の微粒子が集中的に形成され、この金の微粒子がX線照射により基板1全体に拡散されたと考えられる。
以上のことから、MgO単結晶からなる透明な基板に金をイオン注入することにより、格子欠陥が形成されて、その部分が吸収波長575nm付近の色に着色され、その部分にX線を照射することにより、格子欠陥の回復と、これに伴う色の変化、イオン注入された原子の拡散が生じることが分かった。
したがって、前述のように、イオン注入された単結晶に対して、形成するパターンに応じた部分にだけX線を照射することにより、光吸収波長の違いで識別される微細なパターンを形成することができる。また、形成されたパターン以外の部分に再度X線を照射すれば、この部分の光吸収波長(色)が形成されたパターンと同じになるため、形成されたパターンを消すことができる。
さらに、非金属の結晶体からなる基材の表面にイオン注入による格子欠陥が導入されていると、この格子欠陥の光吸収波長(基材表面の色)がX線照射によって変化するため、この基材はX線量の検出体として使用することができる。例えば、前記基材の表面にイオン注入を行って着色されたものは色の変化により、前記基材の表面にイオン注入を行っても人間の目で透明に見えるものは色が着くことにより、X線量が検出できる。
なお、この実施形態では、図1(c)に示す状態の基板1が、「欠陥部分と欠陥が回復された部分とを有する結晶体」に相当する。パターン3が「欠陥が回復された部分」に相当し、着色領域2のパターン3以外の部分が「欠陥部分」に相当する。
また、この実施形態ではMgO単結晶からなる基板を「基材」として用いているが、他の非金属の結晶体(多結晶を含む)からなるものであってもよいし、形状も板状に限定されない。
結晶材料の格子欠陥は、電気的特性および光学的特性に大きな影響を及ぼすので、本発明の結晶欠陥の回復方法は、カーボンナノチューブなどを利用したディスプレー装置、高速スイッチィング素子等の電子デバイスの性能向上に役立つ。また、本発明のパターン形成方法は、高密度光メモリー、光ディスク、光学素子への応用等、情報、通信産業での利用が考えられる。
本発明の「パターン形成方法」の一実施形態を説明する平面図である。 パターン3の部分と、着色領域2の部分(パターン3から外れる部分)と、基板1の部分(着色領域2から外れる部分)について測定した、光吸収スペクトルを示すチャートである。 X線照射前の着色領域2の中央部分(X線照射によりパターン3となる部分)の断面を示す透過型電子顕微鏡写真である。 X線照射後の着色領域2の中央部分(パターン3)の断面を示す透過型電子顕微鏡写真である。 エネルギー分散型蛍光X線分析装置(EDX)により、各断面を深さ方向に元素分析した(図3の点A1〜A12での)結果を示すグラフである。 エネルギー分散型蛍光X線分析装置(EDX)により、各断面を深さ方向に元素分析した(図4の点B1〜B12での)結果を示すグラフである。
符号の説明
1 基板(基材)
12 基板の表面の中央部分(所定領域)
2 着色領域
3 パターン

Claims (3)

  1. 非金属の結晶体からなる基材の表面にイオン注入による格子欠陥が導入されている着色領域を有する検出体の該着色領域に対し、部分的にX線を照射し、色の変化によりX線量を検出することを特徴とするX線量の検出方法。
  2. 非金属である酸化マグネシウムの結晶体からなる基材の表面に形成され、イオン注入による格子欠陥が導入されている着色領域であって、X線照射によりその色が変化する着色領域と、該着色領域内に部分的に設けられ、X線が照射されるX線照射領域とを具備することを特徴とするX線量の検出体。
  3. 非金属である酸化マグネシウムの結晶体からなる基材の表面に形成され、イオン注入による格子欠陥が導入されている着色領域であって、X線照射によりその色が変化する着色領域と、該着色領域を部分的に覆い、X線の照射領域を規制するマスクとを具備することを特徴とするX線量の検出体。
JP2008071133A 2008-03-19 2008-03-19 結晶欠陥の回復方法、結晶体の作製方法、パターン形成方法、x線量の検出体 Expired - Fee Related JP5004097B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008071133A JP5004097B2 (ja) 2008-03-19 2008-03-19 結晶欠陥の回復方法、結晶体の作製方法、パターン形成方法、x線量の検出体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008071133A JP5004097B2 (ja) 2008-03-19 2008-03-19 結晶欠陥の回復方法、結晶体の作製方法、パターン形成方法、x線量の検出体

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003328437A Division JP4139894B2 (ja) 2003-09-19 2003-09-19 結晶体の作製方法、パターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008219022A JP2008219022A (ja) 2008-09-18
JP5004097B2 true JP5004097B2 (ja) 2012-08-22

Family

ID=39838615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008071133A Expired - Fee Related JP5004097B2 (ja) 2008-03-19 2008-03-19 結晶欠陥の回復方法、結晶体の作製方法、パターン形成方法、x線量の検出体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5004097B2 (ja)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3539738B2 (ja) * 1991-07-19 2004-07-07 日本放送協会 不純物添加方法
JP3531254B2 (ja) * 1995-01-27 2004-05-24 ソニー株式会社 単結晶の製造方法
JPH11214321A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド材料の改質方法と、その方法により改質されたダイヤモンド材料を用いた半導体装置
DE19808246B4 (de) * 1998-02-27 2004-05-13 Daimlerchrysler Ag Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Halbleiterbauelements mittels Ionenimplatation
JP2001004749A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Japan Atom Energy Res Inst 着色酸化アルミニウム被膜線量計およびこの線量計を用いる放射線集積線量の測定方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008219022A (ja) 2008-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Avasthi et al. Swift heavy ions for materials engineering and nanostructuring
Pezzagna et al. Creation and nature of optical centres in diamond for single-photon emission—overview and critical remarks
Breese et al. Hole transport through proton-irradiated p-type silicon wafers during electrochemical anodization
Archanjo et al. The use of a Ga+ focused ion beam to modify graphene for device applications
CN113035676A (zh) 用于生产晶片的离子注入系统的能量过滤元件
Borschel et al. Alignment of semiconductor nanowires using ion beams
Wang et al. Laser writing of color centers
KR20180036989A (ko) 그래핀계 물질의 천공 시트
Bahrami et al. High yield of self-catalyzed GaAs nanowire growth on silicon (111) substrate templated by focused ion beam patterning
Wang et al. Ordered coalescence of Si nanocrystals in SiO 2
Datta et al. Evolution of porous network in GaSb under normally incident 60 keV Ar+-ion irradiation
JP5004097B2 (ja) 結晶欠陥の回復方法、結晶体の作製方法、パターン形成方法、x線量の検出体
JP5343721B2 (ja) シリコン基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法
JP4139894B2 (ja) 結晶体の作製方法、パターン形成方法
US6344082B1 (en) Fabrication method of Si nanocrystals
Kalish The role of ion-implantation in the realization of spintronic devices in diamond
Pederson et al. Optical tuning of the diamond Fermi level measured by correlated scanning probe microscopy and quantum defect spectroscopy
JP2007165678A (ja) 半導体装置の製造方法および装置
Engel et al. Combining femtosecond laser annealing and shallow ion implantation for local color center creation in diamond
Gaevski et al. Two-dimensional photonic crystal fabrication using fullerene films
Cañas et al. Effect of extended defects on AlGaN QDs for electron-pumped UV-emitters
Herzig et al. Color center formation by deterministic single ion implantation
KR102680664B1 (ko) 포토리소그래피와 이온빔 조사 기술을 이용한 그래핀 양자점 패턴의 제조방법
JP6757953B2 (ja) 表面加工方法、構造体の製造方法
Bischoff et al. Nanostructures by mass-separated FIB

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110913

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120508

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120514

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees