JP5001310B2 - Light modulator - Google Patents
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Description
本発明は、光変調器に関する。より詳細には、本発明は、マッハツェンダ型の光変調器に関する。 The present invention relates to an optical modulator. More particularly, the present invention relates to a Mach-Zehnder type optical modulator.
光通信技術の発展に伴って、高速で安定性の高い光変調器が必要とされている。高速の光変調器としては、マッハツェンダ型のものが知られている。マッハツェンダ型の光変調器では、入力光を分岐し、分岐した光に位相差を与えて合波することにより、変調された出力光を得る。 With the development of optical communication technology, a high-speed and highly stable optical modulator is required. A Mach-Zehnder type is known as a high-speed optical modulator. In the Mach-Zehnder type optical modulator, the input light is branched, and a phase difference is given to the branched light to combine them, thereby obtaining modulated output light.
図1に、従来のマッハツェンダ型の光変調器を示す(特許文献1)。このマッハツェンダ型光変調器100は、電気光学効果を有する光学基板(ニオブ酸リチウム結晶(LiNbO3:LN)など)110上に、入力光が入射される入力導波路112と、入力導波路からの光を分岐するY分岐部114と、分岐した光を導波する2つのアーム導波路116a,116bと、これら2つのアーム導波路からの光を合波するY合波部118と、合波した光を出力する出力導波路120とを備えている。これら導波路は、光学基板にTiなどの金属を選択的に拡散させて形成することができる。その後、基板表面全体にSiO2などのバッファ層を設け、アーム導波路上にAuなどの金属電極122a,122bが形成される。電極122a,122bには、光変調器を変調する高周波信号源124a,124bが接続され、これら電極出力端には、終端抵抗が接続されている。
FIG. 1 shows a conventional Mach-Zehnder type optical modulator (Patent Document 1). The Mach-Zehnder type
入力導波路112に入射した入力光は、Y分岐部114で2つに分岐される。分岐した光は、アーム導波路116a,116bを伝搬する間、電極122a,122bに印加した変調信号により電気光学効果の影響を受けて、位相が変化する。すなわち、電極に印加した信号によって、アーム導波路間の位相差を変えることができる。アーム導波路116a,116bからの光をY合波部118で合波すると、これら2つの光の位相差に応じて、強度が変調された光が出力導波路120から出射される。このマッハツェンダ変調器は、アーム導波路116aと116bの位相を各信号電極によって独立に制御する構成であり、2電極駆動型またはデュアルドライブ型などと呼ばれる。この構成では通常、位相補償回路を簡素化するため、電極122aおよび122bの電気配線のそれぞれの入力部を可能な限り近接させ、かつ各アーム導波路に入力する電気配線の等長化を行う。すなわち、電極122aの入力部からアーム導波路116aと重なるまでの電気配線の電気的位相長と、電極122bの入力部からアーム導波路116bと重なるまでの電気配線の電気的位相長を同じとする。そのため、図1では、電極122bの電気配線にコの字型の部分を設けて、位相長の調整を行っている。
The input light incident on the
一方、特許文献2の図4に見られるように、コの字型の部分を設けずに、電気配線のレイアウトを工夫して、電気配線の位相長を調整することもできる。
On the other hand, as shown in FIG. 4 of
しかしながら、従来のマッハツェンダ型の光変調器では、一方の電極(図1の電極122a)の配線が他方のアーム導波路(図1の導波路116b)を跨ぐため、その部分でクロストークを生じるという問題があった。これは、高速で安定性の高い光変調器には望ましくない。また、光単側波帯(SSB:Single Sideband)変調器などのように、複数のマッハツェンダ干渉計を含む変調器では、電極の配線がアーム導波路と交差する箇所が増えるため、この問題が顕著になる(特許文献3)。特に、電気配線のレイアウトを工夫して、電気配線の位相長を調整しようとすると、アーム導波路を複数回跨ぐ構成になり(特許文献2)、クロストークにより信号の劣化が増大することになる。他方、図1に示すように、電気配線にコの字型の部分を設けて、位相長の調整を行うと、基板のサイズが大きくなるという問題がある(特許文献1)。
However, in the conventional Mach-Zehnder type optical modulator, the wiring of one electrode (
また、マッハツェンダ型の光変調器の2つのアーム導波路に均等に変調信号を印加するために、アーム導波路上の電極の長さ(作用長)は等しくなるように設計することが望ましい。 In addition, in order to apply the modulation signal equally to the two arm waveguides of the Mach-Zehnder type optical modulator, it is desirable to design the lengths (action lengths) of the electrodes on the arm waveguides to be equal.
このように、電極および電極の配線の等長化の要請を満たしつつ、電極の配線がアーム導波路に及ぼす影響を最小化することが望まれる。 As described above, it is desired to minimize the influence of the electrode wiring on the arm waveguide while satisfying the demand for the equal length of the electrode and the electrode wiring.
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、電極の配線によるクロストークの影響を低減することができる光変調器を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an optical modulator capable of reducing the influence of crosstalk due to electrode wiring.
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、マッハツェンダ型の光変調器であって、アーム導波路が形成された強誘電体の基板と、前記アーム導波路に結合したY分岐部およびY合波部の少なくとも一方が形成された非強誘電体の基板とを備え、前記強誘電体の基板は、前記アーム導波路上に形成された変調用の電極を備え、前記非強誘電体の基板は、前記電極の配線を備え、前記非強誘電体の基板の入力側の配線は、それぞれ等しい長さを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention provides a Mach-Zehnder type optical modulator comprising a ferroelectric substrate on which an arm waveguide is formed, and the arm conductor. A non-ferroelectric substrate on which at least one of a Y branching portion and a Y multiplexing portion coupled to the waveguide is formed, and the ferroelectric substrate is a modulation electrode formed on the arm waveguide The non-ferroelectric substrate includes the electrode wiring, and the input-side wiring of the non-ferroelectric substrate has an equal length.
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の光変調器であって、前記強誘電体の基板に形成されたアーム導波路は、等しい長さを有し、前記電極は、前記アーム導波路の端から端まで形成されたことを特徴とする。
The invention according to
また、請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の光変調器であって、複数のマッハツェンダ干渉計を備えたことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided the optical modulator according to the first or second aspect, comprising a plurality of Mach-Zehnder interferometers.
また、請求項4に記載の発明は、請求項1から3のいずれかに記載の光変調器であって、前記電極および前記配線は、導電性の接着剤で接合されたことを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the optical modulator according to any one of the first to third aspects, wherein the electrode and the wiring are joined with a conductive adhesive. .
また、請求項5に記載の発明は、請求項1から4のいずれかに記載の光変調器であって、前記非強誘電体の基板は、石英系の基板であることを特徴とする。 The invention according to claim 5 is the optical modulator according to any one of claims 1 to 4, wherein the non-ferroelectric substrate is a quartz-based substrate.
また、請求項6に記載の発明は、請求項1から5のいずれかに記載の光変調器であって、前記強誘電体の基板は、ニオブ酸リチウム結晶からなる光学基板であることを特徴とする。 The invention according to claim 6 is the optical modulator according to any one of claims 1 to 5, wherein the ferroelectric substrate is an optical substrate made of a lithium niobate crystal. And
本発明による光変調器においては、ニオブ酸リチウム結晶(LN)などの強誘電体の基板と、石英やシリコンなどの常誘電体の基板とを組み合わせ、強誘電体の基板のアーム導波路上に電極を配置し、常誘電体の基板に電極の配線を配置することによって電極の配線がアーム導波路に及ぼす影響を低減することができる。常誘電体の基板は、強誘電体の基板に比べて電気光学効果による影響が小さい。そのため、電極の配線が常誘電体の基板の導波路と交差しても、クロストークの影響が小さい。 In the optical modulator according to the present invention, a ferroelectric substrate such as lithium niobate crystal (LN) is combined with a paraelectric substrate such as quartz or silicon, and the ferroelectric substrate is placed on the arm waveguide of the ferroelectric substrate. By arranging the electrode and arranging the electrode wiring on the paraelectric substrate, the influence of the electrode wiring on the arm waveguide can be reduced. The paraelectric substrate is less affected by the electro-optic effect than the ferroelectric substrate. Therefore, even if the electrode wiring intersects the waveguide of the paraelectric substrate, the influence of crosstalk is small.
また、本発明による光変調器においては、強誘電体の基板のアーム導波路を等長化し、この導波路の端から端まで電極を形成することで、電極による導波路の作用長を等長化することができる。さらに、電極の配線を常誘電体の基板に配置すれば、配線が導波路と交差しても影響が小さいので、配線の等長化のための設計がし易いという利点がある。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。 Moreover, in the optical modulator according to the present invention, the arm waveguide of the ferroelectric substrate is made equal in length, and an electrode is formed from end to end of the waveguide so that the working length of the waveguide by the electrode is equal. Can be Further, if the electrode wiring is arranged on the paraelectric substrate, the influence of the wiring even if it intersects the waveguide is small, so that there is an advantage that the design for equalizing the wiring is easy. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図2に、本発明の第1の実施形態による光変調器を示す。このマッハツェンダ型光変調器200は、強誘電体のLN基板210と、2つの石英基板230,260とから構成されている。前段の石英基板230には、入力光が入射される入力導波路232と、入力導波路からの光を分岐するY分岐部234と、分岐した光を導波する2つのアーム導波路236a,236bとが形成されている。LN基板210には、前段の石英基板の2つのアーム導波路236a,236bと光学的に結合される2つのアーム導波路212a,212bが形成され、LN基板のアーム導波路には、変調用の電極214a,214bが設けられている。後段の石英基板260には、LN基板の2つのアーム導波路212a,212bと光学的に結合される2つのアーム導波路262a,262bと、これら2つのアーム導波路からの光を合波するY合波部264と、合波した光を出力する出力導波路266とが形成されている。
FIG. 2 shows an optical modulator according to the first embodiment of the present invention. The Mach-Zehnder type
また、前段の石英基板上には、電極212a,212bに接続された配線238a,238bが設けられ、外部の高周波信号源に接続されている。同様に、後段の石英基板上には、電極212a,212bに接続された配線268a,268bが設けられ、外部の終端抵抗に接続されている。
In addition,
入力導波路232に入射した入力光は、Y分岐部234で2つに分岐される。分岐した光は、アーム導波路236a,236bを介して、LN基板210のアーム導波路212a,212bに伝搬する。石英基板230の導波路では、伝搬光は配線238a,238bと交差する部分において変調信号の影響を受けるが、石英基板の電気光学効果は小さく、その影響は無視できるほど小さい。したがって、図に示すように、石英基板230上での配線を自由に配置することができ、それぞれの配線238a,238bの長さが等しくなるように設計することができる。これによって、両配線を伝搬する変調信号の伝搬遅延が等しくなり、良好な変調特性を達成することができる。さらに、導波路との交差を許容した柔軟なレイアウトが可能となるので、波形劣化がなく、かつ光学基板のチップサイズを小さくすることができる。
The input light incident on the
一方、LN基板の導波路212a,212bを伝搬する光は、電極214a,214bに印加された変調信号により、その位相が変調される。その位相変調量は、変調信号の印加電圧および作用長によって決定される。ここで、変調信号の作用長は、実質的には導波路上の電極214a,214bの長さによって決定することができる。光変調器200の各アーム導波路間で対称の位相変調を得るためには、電極214a,214bの長さを等しく(等長化)する必要がある。本発明においては、図に示すように、LN基板の導波路の端から端まで電極214a,214bを設ければ、LN基板の導波路の等長化の精度と同程度の精度で電極を等長化することができる。
On the other hand, the phase of light propagating through the
次に、LN基板の導波路212a,212bを伝搬した光は、石英基板260のアーム導波路262a,262bに結合し、Y合波部264で合波され、出力導波路266から出力光が出射される。石英基板260の導波路では、上記と同様に、伝搬光は配線268a,268bと交差する部分において変調信号の影響を受けるが、石英基板の電気光学効果は小さく、その影響は無視できるほど小さい。したがって、上記と同様に、石英基板260上での配線を自由に配置することができ、それぞれの配線268a,268bの長さが等しくなるように設計することができる。これによって、両配線を伝搬する変調信号の伝搬遅延が等しくなり、良好な変調特性を達成することができる。さらに、導波路との交差を許容した柔軟なレイアウトが可能となるので、波形劣化がなく、かつ光学基板のチップサイズを小さくすることができる。
Next, the light propagated through the
このように、強誘電体のLN基板と、常誘電体の石英基板とを組み合わせることによって、マッハツェンダ型の光変調器において、配線と導波路との交差部分におけるクロストークを低減することができるだけなく、電極の等長化および配線の等長化が容易になる。さらに、光学基板のサイズが大きくならない。なお、電極および配線は、石英基板とLN基板を組み合わせた後、一括して基板上に形成することができる。また、電極および配線をそれぞれの基板上に形成した後、基板を組み合わせ、電極と配線を導電性の接着剤で接合することもできる。この場合、接着剤は、基板同士の接合を補強する役割も担う。 Thus, by combining the ferroelectric LN substrate and the paraelectric quartz substrate, in the Mach-Zehnder type optical modulator, it is possible to reduce the crosstalk at the intersection between the wiring and the waveguide. In addition, the length of the electrodes and the length of the wirings are facilitated. Furthermore, the size of the optical substrate does not increase. The electrodes and wirings can be formed on the substrate in a lump after combining the quartz substrate and the LN substrate. Moreover, after forming an electrode and wiring on each board | substrate, a board | substrate can be combined and an electrode and wiring can also be joined with a conductive adhesive. In this case, the adhesive also serves to reinforce the bonding between the substrates.
図3に、本発明の第2の実施形態による光変調器を示す。このマッハツェンダ型光変調器300は、強誘電体のLN基板310と、2つの石英基板330,360とから構成されている。前段の石英基板330には、入力光が入射される入力導波路332と、入力導波路からの光を分岐するY分岐部334と、分岐した光をさらに分岐するY分岐部334−1,334−2とが形成されている。LN基板310には、前段の石英基板のY分岐部334−1,334−2からの光が結合する4つのアーム導波路312−1a,312−1b,312−2a,312−2bが形成され、LN基板のアーム導波路にはそれぞれ、変調用の電極314−1a,314−1b,314−2a,314−2bが設けられている。後段の石英基板360には、LN基板の2つのアーム導波路314−1a,314−1bと光学的に結合されるY合波部364−1と、LN基板の2つのアーム導波路314−2a,314−2bと光学的に結合されるY合波部364−2と、2つの合波部からの光をさらに合波するY合波部364と、合波した光を出力する出力導波路366とが形成されている。
FIG. 3 shows an optical modulator according to the second embodiment of the present invention. The Mach-Zehnder
また、前段の石英基板上には、電極314−1a,314−1b,314−2a,314−2bに接続された配線338−1a,338−1b,338−2a,338−2bが設けられ、外部の高周波信号源に接続されている。同様に、後段の石英基板上には、電極314−1a,314−1b,314−2a,314−2bに接続された配線368−1a,368−1b,368−2a,368−2bが設けられ、外部の終端抵抗に接続されている。 In addition, wirings 338-1a, 338-1b, 338-2a, and 338-2b connected to the electrodes 314-1a, 314-1b, 314-2a, and 314-2b are provided on the previous stage quartz substrate, It is connected to an external high frequency signal source. Similarly, wirings 368-1a, 368-1b, 368-2a, and 368-2b connected to the electrodes 314-1a, 314-1b, 314-2a, and 314-2b are provided on the subsequent quartz substrate. Connected to an external termination resistor.
入力導波路332に入射した入力光は、Y分岐部334で2つに分岐される。分岐した光は、それぞれY分岐部334−1,334−2でさらに2つに分岐され、それぞれLN基板310のアーム導波路312−1a,312−1b,312−2a,312−2bに伝搬する。石英基板330の導波路では、伝搬光は配線338−1a,338−1b,338−2a,338−2bと交差する部分において変調信号の影響を受けるが、石英基板の電気光学効果は小さく、その影響は無視できるほど小さい。したがって、図に示すように、石英基板330上での配線を自由に配置することができ、それぞれの配線338−1a,338−1b,338−2a,338−2bの長さが等しくなるように設計することができる。これによって、これら配線を伝搬する変調信号の伝搬遅延が等しくなり、良好な変調特性を達成することができる。さらに、導波路との交差を許容した柔軟なレイアウトが可能となるので、波形劣化がなく、かつ光学基板のチップサイズを小さくすることができる。
The input light incident on the
一方、LN基板の導波路312−1a,312−1b,312−2a,312−2bを伝搬する光は、電極314−1a,314−1b,314−2a,314−2bに印加された変調信号により、その位相が変調される。その位相変調量は、変調信号の印加電圧および作用長によって決定される。ここで、変調信号の作用長は、実質的には導波路上の電極314−1a,314−1b,314−2a,314−2bの長さによって決定することができる。光変調器300の各アーム導波路間で対称の位相変調を得るためには、電極314−1a,314−1b,314−2a,314−2bの長さを等しく(等長化)する必要がある。本発明においては、図に示すように、LN基板の導波路の端から端まで電極314−1a,314−1b,314−2a,314−2bを設ければ、LN基板の導波路の等長化の精度と同程度の精度で電極を等長化することができる。
On the other hand, the light propagating through the waveguides 312-1a, 312-1b, 312-2a, 312-2b of the LN substrate is modulated signals applied to the electrodes 314-1a, 314-1b, 314-2a, 314-2b. Thus, the phase is modulated. The amount of phase modulation is determined by the applied voltage and action length of the modulation signal. Here, the working length of the modulation signal can be substantially determined by the lengths of the electrodes 314-1a, 314-1b, 314-2a, and 314-2b on the waveguide. In order to obtain symmetrical phase modulation between the arm waveguides of the
次に、LN基板の導波路312−1a,312−1bを伝搬した光は、石英基板360のY合波部364−1で合波され、LN基板の導波路312−2a,312−2bを伝搬した光は、石英基板360のY合波部364−2で合波される。Y合波部364−1,364−2からの光は、さらにY合波部364でさらに合波され、出力導波路366から出力光が出射される。石英基板360の導波路では、上記と同様に、伝搬光は配線368−1a,368−1b,368−2a,368−2bと交差する部分において変調信号の影響を受けるが、石英基板の電気光学効果は小さく、その影響は無視できるほど小さい。したがって、上記と同様に、石英基板360上での配線を自由に配置することができ、それぞれの配線368−1a,368−1b,368−2a,368−2bの長さが等しくなるように設計することができる。これによって、これら配線を伝搬する変調信号の伝搬遅延が等しくなり、良好な変調特性を達成することができる。さらに、導波路との交差を許容した柔軟なレイアウトが可能となるので、波形劣化がなく、かつ光学基板のチップサイズを小さくすることができる。
Next, the light propagating through the waveguides 312-1a and 312-1b of the LN substrate is multiplexed by the Y multiplexing unit 364-1 of the
このように、強誘電体のLN基板と、常誘電体の石英基板とを組み合わせることによって、マッハツェンダ型の光変調器において、配線と導波路との交差部分におけるクロストークを低減することができるだけなく、電極の等長化および配線の等長化が容易になる。さらに、光学基板のサイズが大きくならない。なお、電極および配線は、石英基板とLN基板を組み合わせた後、一括して基板上に形成することができる。また、電極および配線をそれぞれの基板上に形成した後、基板を組み合わせ、電極と配線を導電性の接着剤で接合することもできる。この場合、接着剤は、基板同士の接合を補強する役割も担う。 Thus, by combining the ferroelectric LN substrate and the paraelectric quartz substrate, in the Mach-Zehnder type optical modulator, it is possible to reduce the crosstalk at the intersection between the wiring and the waveguide. In addition, the length of the electrodes and the length of the wirings are facilitated. Furthermore, the size of the optical substrate does not increase. The electrodes and wirings can be formed on the substrate in a lump after combining the quartz substrate and the LN substrate. Moreover, after forming an electrode and wiring on each board | substrate, a board | substrate can be combined and an electrode and wiring can also be joined with a conductive adhesive. In this case, the adhesive also serves to reinforce the bonding between the substrates.
以上、本発明について、具体的にいくつかの実施形態について説明したが、本発明の原理を適用できる多くの実施可能な形態に鑑みて、ここに記載した実施形態は、単に例示に過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。例えば、上記の実施形態では、強誘電体の基板として、LN基板を例に説明したが、本発明の原理は、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、KTN(KTa1−xNbxO3)、KTP(KTiOPO4)、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などを用いることができる。また、常誘電体の石英基板を、光変調器の入力側および出力側の両方に用いたが、いずれか一方に用いてもその部分において本発明の効果を得ることができる。さらに、上記の実施形態では、Y分岐に代えて、方向性結合器やカプラ、多モード干渉カプラ(MMI:multimode interferometer)などの回路を用いてもよい。このように、ここに例示した実施形態は、本発明の趣旨から逸脱することなくその構成と詳細を変更することができる。さらに、説明のための構成要素および手順は、本発明の趣旨から逸脱することなく変更、補足、またはその順序を変えてもよい。 While the present invention has been described with respect to several specific embodiments, the embodiments described herein are merely illustrative in view of the many possible embodiments to which the principles of the present invention can be applied. It is not intended to limit the scope of the invention. For example, in the above embodiment, an LN substrate has been described as an example of a ferroelectric substrate. However, the principle of the present invention is that lithium tantalate (LiTaO 3 ), KTN (KTa 1-x Nb x O 3 ), KTP (KTiOPO 4 ), PZT (lead zirconate titanate), or the like can be used. Further, although the paraelectric quartz substrate is used for both the input side and the output side of the optical modulator, the effect of the present invention can be obtained in that portion even if it is used for either one. Furthermore, in the above embodiment, a circuit such as a directional coupler, a coupler, or a multimode interference coupler (MMI) may be used instead of the Y branch. As described above, the configuration and details of the embodiment exemplified here can be changed without departing from the gist of the present invention. Further, the illustrative components and procedures may be changed, supplemented, or changed in order without departing from the spirit of the invention.
100,200,300 マッハツェンダ型光変調器
110 電気光学効果を有する光学基板
112,232,332 入力導波路
114,234,334,334−1,334−2 Y分岐部
116a,116b,212a,212b,236a,236b,262a,262b,312−1a、312−1b,312−2a,312−2b アーム導波路
118,264,364,364−1,364−2 Y合波部
120,266,366 出力導波路
122a,122b 金属電極
124a,124b 高周波信号源
210,310 LN基板
214a,214b、314−1a,314−1b,314−2a,314−2b 変調用の電極
230,260,330,360 石英基板
238a,238b,268a,268b、338−1a,338−1b,338−2a,338−2b,368−1a,368−1b,368−2a,368−2b 配線
100, 200, 300 Mach-Zehnder type
Claims (6)
アーム導波路が形成された強誘電体の基板と、
前記アーム導波路に結合したY分岐部およびY合波部の少なくとも一方が形成された非強誘電体の基板と
を備え、
前記アーム導波路は前記強誘電体の基板の端から端まで形成され等しい長さを有し、前記強誘電体の基板は、前記アーム導波路上にかつ当該強誘電体の基板の端から端まで形成された変調用の電極を備え、前記電極に接続される配線が前記非強誘電体の基板上に形成されており、前記非強誘電体の基板の入力側の配線は、それぞれ等しい長さを有することを特徴とする光変調器。 A Mach-Zehnder type optical modulator,
A ferroelectric substrate on which an arm waveguide is formed;
A non-ferroelectric substrate on which at least one of a Y branch portion and a Y multiplexing portion coupled to the arm waveguide is formed, and
The arm waveguide is formed from end to end of the ferroelectric substrate and has an equal length, and the ferroelectric substrate is on the arm waveguide and from end to end of the ferroelectric substrate. And the wiring connected to the electrode is formed on the non-ferroelectric substrate, and the wiring on the input side of the non-ferroelectric substrate is equal in length. An optical modulator characterized by having a thickness.
複数のマッハツェンダ干渉計を備えたことを特徴とする光変調器。 The optical modulator according to claim 1 , comprising:
An optical modulator comprising a plurality of Mach-Zehnder interferometers.
前記電極および前記配線は、導電性の接着剤で接合されたことを特徴とする光変調器。 The optical modulator according to claim 1 or 2 ,
The optical modulator, wherein the electrode and the wiring are joined with a conductive adhesive.
前記電極および前記配線は、前記強誘電体の基板と前記非強誘電体の基板とを組み合わせた後に一括して形成されたことを特徴とする光変調器。The optical modulator, wherein the electrodes and the wirings are formed in a lump after combining the ferroelectric substrate and the non-ferroelectric substrate.
前記非強誘電体の基板は、石英系の基板であることを特徴とする光変調器。 An optical modulator according to any one of claims 1 to 4,
The light modulator according to claim 1, wherein the non-ferroelectric substrate is a quartz substrate.
前記強誘電体の基板は、ニオブ酸リチウム結晶からなる光学基板であることを特徴とする光変調器。 An optical modulator according to any one of claims 1 to 5,
The optical modulator, wherein the ferroelectric substrate is an optical substrate made of lithium niobate crystal.
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