JP4964264B2 - Light modulator - Google Patents

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本発明は、光変調器に関する。より詳細には、本発明は、マッハツェンダ型の光変調器に関する。   The present invention relates to an optical modulator. More particularly, the present invention relates to a Mach-Zehnder type optical modulator.

光通信技術の発展に伴って、高速で安定性の高い光変調器が必要とされている。高速の光変調器として、マッハツェンダ型の光変調器が知られている。マッハツェンダ型の光変調器では、入力光を分岐し、分岐した光に位相差を与えて合波することにより、変調された出力光を得る。   With the development of optical communication technology, a high-speed and highly stable optical modulator is required. A Mach-Zehnder type optical modulator is known as a high-speed optical modulator. In the Mach-Zehnder type optical modulator, the input light is branched, and a phase difference is given to the branched light to combine them, thereby obtaining modulated output light.

図1に、従来のマッハツェンダ型の光変調器を示す。このマッハツェンダ型光変調器100は、電気光学効果を有する光学基板(ニオブ酸リチウム結晶(LiNbO、以下LNと記す)など)110上に、入力光が入射される入力導波路112と、入力導波路からの光を分岐するY分岐部114と、分岐した光を導波する2つのアーム導波路116a,116bと、これら2つのアーム導波路からの光を合波するY合波部118と、合波した光を出力する出力導波路120とを備えている。これら導波路は、光学基板にTiなどの金属を選択的に拡散させて形成することができる。その後、基板表面全体にSiOなどのバッファ層を設け、アーム導波路上にAuなどの金属電極122a,122bが形成される。電極122a,122bには、光変調器を変調する高周波信号源124がDCバイアス回路127を介して接続されている。また、これら電極間には、終端抵抗170とDCブロック用のキャパシタ171が接続されている。また、DCバイアス回路127には、変調器の動作点を設定するためのDC電源128が接続されている。 FIG. 1 shows a conventional Mach-Zehnder type optical modulator. The Mach-Zehnder type optical modulator 100 includes an input waveguide 112 on which input light is incident on an optical substrate 110 having an electro-optic effect (such as lithium niobate crystal (LiNbO 3 , hereinafter referred to as LN)) 110, an input waveguide. A Y branching portion 114 that branches light from the waveguide, two arm waveguides 116a and 116b that guide the branched light, a Y multiplexing portion 118 that combines the light from these two arm waveguides, And an output waveguide 120 that outputs the combined light. These waveguides can be formed by selectively diffusing a metal such as Ti on the optical substrate. Thereafter, a buffer layer such as SiO 2 is provided on the entire substrate surface, and metal electrodes 122a and 122b such as Au are formed on the arm waveguide. A high-frequency signal source 124 that modulates the optical modulator is connected to the electrodes 122a and 122b via a DC bias circuit 127. A termination resistor 170 and a DC block capacitor 171 are connected between these electrodes. The DC bias circuit 127 is connected to a DC power supply 128 for setting the operating point of the modulator.

入力導波路112に入射した入力光は、Y分岐部114で2つに分岐される。分岐した光は、アーム導波路116a,116bを伝搬する間、電極122a,122bに印加された変調信号により電気光学効果の影響を受けて、位相が変化する。すなわち、電極に印加された変調信号によって、アーム導波路間の位相差を変えることができる。アーム導波路116a,116bからの光をY合波部118で合波すると、これら2つの光の位相差に応じて、強度が変調された光が出力導波路120から出射される(特許文献1)。   The input light incident on the input waveguide 112 is branched into two at the Y branching portion 114. While the branched light propagates through the arm waveguides 116a and 116b, the phase changes due to the influence of the electro-optic effect due to the modulation signal applied to the electrodes 122a and 122b. That is, the phase difference between the arm waveguides can be changed by the modulation signal applied to the electrodes. When the light from the arm waveguides 116a and 116b is multiplexed by the Y multiplexing unit 118, the light whose intensity is modulated is emitted from the output waveguide 120 according to the phase difference between these two lights (Patent Document 1). ).

特開2001−154164号公報JP 2001-154164 A 特開平5−100194号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-100194

従来のマッハツェンダ型の光変調器では、DCブロック用のキャパシタ171が電極に接続されている。その理由は、このキャパシタが無いと、DC成分が終端抵抗で熱として消費されるために消費電力が増大し、発生した熱がLNなどの光学基板へと伝わり、動作不良の原因となるからである。もう一つの理由は、このキャパシタが無いと、DCバイアス印加時に終端抵抗で電圧降下が生じ、より高い電圧が必要となるからである。このDCブロック用のキャパシタによって、光変調器のサイズおよびコストが増大する。   In a conventional Mach-Zehnder type optical modulator, a capacitor 171 for DC block is connected to an electrode. The reason for this is that without this capacitor, the DC component is consumed as heat by the termination resistor, so the power consumption increases, and the generated heat is transmitted to the optical substrate such as LN, causing malfunction. is there. Another reason is that without this capacitor, a voltage drop occurs in the termination resistor when a DC bias is applied, and a higher voltage is required. This DC block capacitor increases the size and cost of the optical modulator.

このDCブロック用のキャパシタを削減するために、光変調器の動作点を設定するための電極を別途設け、変調用の電極には、変調信号を直接印加する方法も知られている(特許文献2)。この方法では、DCブロック用のキャパシタは削減することができるものの、動作点設定用の電極が新たに必要になる。この電極のために、光変調器のサイズおよびコストが増大する。なお、サイズを増大せずに、動作点設定用の電極を設けると、変調用の電極の長さが制限され、導波路の相互作用長が短くなり、高周波特性が劣化する。   In order to reduce the capacitor for the DC block, a method of separately providing an electrode for setting the operating point of the optical modulator and directly applying a modulation signal to the modulation electrode is also known (Patent Document). 2). In this method, although the capacitor for the DC block can be reduced, an electrode for setting the operating point is newly required. This electrode increases the size and cost of the light modulator. If the operating point setting electrode is provided without increasing the size, the length of the modulation electrode is limited, the interaction length of the waveguide is shortened, and the high frequency characteristics are deteriorated.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、DCブロック用のキャパシタの数を削減し、小型化が可能な光変調器を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an optical modulator that can be reduced in size by reducing the number of capacitors for DC blocks.

本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、マッハツェンダ型の光変調器であって、アーム導波路が形成された電気光学材料の第1の基板と、前記アーム導波路に結合したY分岐部およびY合波部の少なくとも一方が形成された第2の基板とを備え、前記電気光学材料の第1の基板は、前記アーム導波路上に形成された変調用の第1の電極を備え、前記第2の基板は、前記第1の電極に結合する第2の電極を備え、前記第1および前記第2の電極は、誘電体の接着剤で接合されたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention provides a Mach-Zehnder type optical modulator comprising: a first substrate of an electro-optic material on which an arm waveguide is formed; And a second substrate on which at least one of a Y branch portion and a Y multiplexing portion coupled to the arm waveguide is formed, and the first substrate of the electro-optic material is formed on the arm waveguide A first electrode for modulation is provided, the second substrate is provided with a second electrode coupled to the first electrode, and the first and second electrodes are bonded with a dielectric adhesive. It is characterized by that.

また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の光変調器であって、前記接着剤は、前記第1および第2の基板の接合に使用されることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided the optical modulator according to the first aspect, wherein the adhesive is used for bonding the first and second substrates.

また、請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の光変調器であって、前記第2の電極は、終端抵抗を備えたことを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, there is provided the optical modulator according to the first or second aspect, wherein the second electrode includes a termination resistor.

また、請求項4に記載の発明は、請求項1から3のいずれかに記載の光変調器であって、複数のマッハツェンダ干渉計を備えたことを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the optical modulator according to any one of the first to third aspects, comprising a plurality of Mach-Zehnder interferometers.

また、請求項5に記載の発明は、請求項1から4のいずれかに記載の光変調器であって、前記第2の基板は、石英系の基板であることを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the optical modulator according to any one of the first to fourth aspects, wherein the second substrate is a quartz-based substrate.

また、請求項6に記載の発明は、請求項1から5のいずれかに記載の光変調器であって、前記第1の基板は、ニオブ酸リチウム結晶からなる光学基板であることを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the optical modulator according to any one of claims 1 to 5, wherein the first substrate is an optical substrate made of a lithium niobate crystal. To do.

マッハツェンダ型光変調器の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a Mach-Zehnder type | mold optical modulator. 本発明の第1の実施形態によるマッハツェンダ型光変調器の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the Mach-Zehnder type | mold optical modulator by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態によるマッハツェンダ型光変調器の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the Mach-Zehnder type | mold optical modulator by the 2nd Embodiment of this invention. 本発明のマッハツェンダ型光変調器の電極間に接着剤で形成されるキャパシタンスを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the capacitance formed with an adhesive agent between the electrodes of the Mach-Zehnder type optical modulator of this invention. 本発明の第3の実施形態によるマッハツェンダ型光変調器の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the Mach-Zehnder type | mold optical modulator by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態によるマッハツェンダ型光変調器の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the Mach-Zehnder type | mold optical modulator by the 4th Embodiment of this invention.

本発明による光変調器においては、2つの基板を組み合わせ、一方の基板に配置した電極と、他方の基板に配置した電極との間を誘電体層が形成されるように接着剤で接合することによって、誘電体層をDCブロック用のキャパシタンスとして機能させることができる。これらの基板として、例えば、一方にニオブ酸リチウム結晶(LN)などの電気光学材料の基板を用い、他方に石英やシリコンなどの常誘電体の基板を用いてもよい。この場合、電気光学材料の基板には、マッハツェンダ型光変調器のアーム導波路を形成し、その上に変調用の電極を設けることができる。   In the optical modulator according to the present invention, two substrates are combined and bonded with an adhesive so that a dielectric layer is formed between an electrode disposed on one substrate and an electrode disposed on the other substrate. Thus, the dielectric layer can function as a capacitance for the DC block. As these substrates, for example, a substrate made of an electro-optical material such as lithium niobate crystal (LN) may be used on one side, and a paraelectric substrate such as quartz or silicon may be used on the other side. In this case, an arm waveguide of a Mach-Zehnder type optical modulator can be formed on the substrate of the electro-optic material, and a modulation electrode can be provided thereon.

図2に、本発明の第1の実施形態による光変調器を示す。このマッハツェンダ型光変調器200は、電気光学材料のLN基板210と、石英基板230とから構成されている。LN基板230には、入力光が入射される入力導波路212と、入力導波路からの光を分岐するY分岐部214と、分岐した光を導波する2つのアーム導波路216a,216bとが形成されている。また、LN基板のアーム導波路216a,216bには、変調用の電極222a,222bが設けられている。石英基板230には、LN基板の2つのアーム導波路216a,216bと光学的に結合される2つのアーム導波路232a,232bと、これら2つの分岐導波路からの光を合波するY合波部234と、合波した光を出力する出力導波路236とが形成されている。   FIG. 2 shows an optical modulator according to the first embodiment of the present invention. The Mach-Zehnder type optical modulator 200 includes an LN substrate 210 made of an electro-optic material and a quartz substrate 230. The LN substrate 230 includes an input waveguide 212 into which input light is incident, a Y branch portion 214 that branches light from the input waveguide, and two arm waveguides 216a and 216b that guide the branched light. Is formed. The arm waveguides 216a and 216b of the LN substrate are provided with modulation electrodes 222a and 222b. The quartz substrate 230 has two arm waveguides 232a and 232b that are optically coupled to the two arm waveguides 216a and 216b of the LN substrate, and Y multiplexing that combines light from these two branch waveguides. A portion 234 and an output waveguide 236 that outputs the combined light are formed.

また、LN基板上の電極222a,222bには、DCバイアス回路227と外部の高周波信号源224が接続されている。また、DCバイアス回路227には、変調器の動作点を設定するためのDC電源228が接続されている。また、石英基板上には、電極238a,238bが設けられ、外部の終端抵抗270に接続されている。電極222a,222bは、誘電体の接着剤226a,226bを用いて石英基板上の電極238a,238bに接続されている。後述するように、この接着剤により、これら電極間にDCブロック用のキャパシタンスが形成される。なお、本発明においては、石英基板230は、LN基板210と別の基板であればよく、石英系の基板でなくてもよい。   A DC bias circuit 227 and an external high-frequency signal source 224 are connected to the electrodes 222a and 222b on the LN substrate. The DC bias circuit 227 is connected to a DC power source 228 for setting the operating point of the modulator. On the quartz substrate, electrodes 238a and 238b are provided and connected to an external termination resistor 270. The electrodes 222a and 222b are connected to the electrodes 238a and 238b on the quartz substrate using dielectric adhesives 226a and 226b. As will be described later, this adhesive forms a capacitance for DC block between these electrodes. In the present invention, the quartz substrate 230 may be a substrate different from the LN substrate 210 and may not be a quartz substrate.

入力導波路212に入射した入力光は、Y分岐部214で2つに分岐される。分岐した光は、アーム導波路216a,216bに伝搬する。LN基板の導波路216a,216bを伝搬する光は、電極222a,222bに印加された変調信号により、その位相が変調される。その位相変調量は、変調信号の印加電圧および作用長によって決定される。ここで、この変調信号にDC成分を重畳し、光変調器200の動作点を設定する。本発明においては、LN基板210の電極222a,222bと、石英基板230の電極238a,238bとの間に接着剤226a,226bで形成されたキャパシタンスによってDC成分がブロックされるため、DC電流が抵抗270に流れて熱として消費されることを防ぐことができる。そのため消費電力を小さくすることができる。また、抵抗でDC成分による熱が発生しないため、光変調器の動作が安定する。さらには、抵抗によるDC電圧降下がないため、DCバイアス電圧を小さくすることができる。LN基板と石英基板の微小な接合部によってもDCブロック用のキャパシタンスと同様の機能を実現することから、LN基板のサイズを増加することなくDCブロック用のキャパシタンスを削減できる。そのため装置の小型化が可能となる。   The input light incident on the input waveguide 212 is branched into two at the Y branch portion 214. The branched light propagates to the arm waveguides 216a and 216b. The phase of light propagating through the waveguides 216a and 216b of the LN substrate is modulated by a modulation signal applied to the electrodes 222a and 222b. The amount of phase modulation is determined by the applied voltage and action length of the modulation signal. Here, a DC component is superimposed on this modulation signal to set the operating point of the optical modulator 200. In the present invention, since the DC component is blocked by the capacitance formed by the adhesives 226a and 226b between the electrodes 222a and 222b of the LN substrate 210 and the electrodes 238a and 238b of the quartz substrate 230, the DC current is resisted. It can be prevented that it flows to 270 and is consumed as heat. Therefore, power consumption can be reduced. Further, since heat due to the DC component is not generated by the resistor, the operation of the optical modulator is stabilized. Furthermore, since there is no DC voltage drop due to resistance, the DC bias voltage can be reduced. Since the same function as the DC block capacitance is realized by a minute junction between the LN substrate and the quartz substrate, the capacitance for the DC block can be reduced without increasing the size of the LN substrate. Therefore, the apparatus can be miniaturized.

次に、LN基板の導波路216a,216bを伝搬した光は、石英基板230のアーム導波路232a,232bに結合し、Y合波部234で合波され、出力導波路236から出力光が出射される。   Next, the light propagated through the waveguides 216a and 216b of the LN substrate is coupled to the arm waveguides 232a and 232b of the quartz substrate 230, and is multiplexed by the Y multiplexing unit 234, and the output light is emitted from the output waveguide 236. Is done.

図3に、本発明の第2の実施形態による光変調器を示す。この実施形態では、出力側の基板だけでなく、入力側の基板もLN基板とは異なる基板(例えば、石英基板)で形成している。これにより、より多くの箇所で接着剤を用いたキャパシタンスを形成することができる。   FIG. 3 shows an optical modulator according to the second embodiment of the present invention. In this embodiment, not only the output side substrate but also the input side substrate is formed of a substrate (for example, a quartz substrate) different from the LN substrate. Thereby, the capacitance using an adhesive agent can be formed in more places.

このマッハツェンダ型光変調器300は、電気光学材料のLN基板310と、2つの石英基板330,360とから構成されている。前段の石英基板330には、入力光が入射される入力導波路332と、入力導波路からの光を分岐するY分岐部334と、分岐した光を導波する2つのアーム導波路336a,336bとが形成されている。LN基板310には、前段の石英基板の2つのアーム導波路336a,336bと光学的に結合される2つのアーム導波路312a,312bが形成され、LN基板のアーム導波路には、変調用の電極314a,314bが設けられている。変調用の電極314bには、コイル329を介してDC電源328が接続されており、変調器の動作点を設定することができる。後段の石英基板360には、LN基板の2つのアーム導波路312a,312bと光学的に結合される2つのアーム導波路362a,362bと、これら2つのアーム導波路からの光を合波するY合波部364と、合波した光を出力する出力導波路366とが形成されている。   The Mach-Zehnder type optical modulator 300 includes an LN substrate 310 made of electro-optic material and two quartz substrates 330 and 360. The quartz substrate 330 in the previous stage has an input waveguide 332 into which input light is incident, a Y branching portion 334 that branches light from the input waveguide, and two arm waveguides 336a and 336b that guide the branched light. And are formed. The LN substrate 310 is formed with two arm waveguides 312a and 312b that are optically coupled to the two arm waveguides 336a and 336b of the preceding quartz substrate. Electrodes 314a and 314b are provided. A DC power source 328 is connected to the modulation electrode 314b via a coil 329, and an operating point of the modulator can be set. The quartz substrate 360 at the subsequent stage includes two arm waveguides 362a and 362b that are optically coupled to the two arm waveguides 312a and 312b of the LN substrate, and Y that combines light from these two arm waveguides. A multiplexing unit 364 and an output waveguide 366 that outputs the combined light are formed.

また、前段の石英基板上には、電極338a,338bが設けられ、外部の高周波信号源324に接続されている。電極338a,338bは、誘電体の接着剤326a,326bを用いてLN基板上の電極314a,314bに接続されている。同様に、後段の石英基板上には、電極368a,368bが設けられ、外部の終端抵抗370に接続されている。同様に、電極368a,368bは、誘電体の接着剤328a,328bを用いてLN基板上の電極314a,314bに接続されている。後述するように、この接着剤により、これら電極間にDCブロック用のキャパシタンスが形成される。なお、本発明においては、石英基板330,360は、LN基板310と別の基板であればよく、石英系の基板でなくてもよい。   Further, electrodes 338a and 338b are provided on the previous stage quartz substrate and connected to an external high-frequency signal source 324. The electrodes 338a and 338b are connected to the electrodes 314a and 314b on the LN substrate using dielectric adhesives 326a and 326b. Similarly, electrodes 368a and 368b are provided on the latter-stage quartz substrate and connected to an external termination resistor 370. Similarly, the electrodes 368a and 368b are connected to the electrodes 314a and 314b on the LN substrate using dielectric adhesives 328a and 328b. As will be described later, this adhesive forms a capacitance for DC block between these electrodes. In the present invention, the quartz substrates 330 and 360 may be different from the LN substrate 310 and may not be a quartz-based substrate.

入力導波路332に入射した入力光は、Y分岐部334で2つに分岐される。分岐した光は、アーム導波路336a,336bを介して、LN基板310のアーム導波路312a,312bに伝搬する。LN基板の導波路312a,312bを伝搬する光は、電極314a,314bに印加された変調信号により、その位相が変調される。その位相変調量は、変調信号の印加電圧および作用長によって決定される。ここで、この変調信号にDC成分を重畳し、光変調器300の動作点を設定する。本発明においては、石英基板330の電極338a,338bとLN基板310の電極314a,314bとの間に接着剤326a,326bで形成されたキャパシタンスと、石英基板360の電極368a,368bとLN基板310の電極314a,314bとの間に接着剤328a,328bで形成されたキャパシタンスとによってDC成分がブロックされるため、DC電流が抵抗370に流れて熱として消費されることを防ぐことができる。そのため消費電力を小さくすることができる。また、抵抗でDC成分による熱が発生しないため、光変調器の動作が安定する。さらには、抵抗によるDC電圧降下がないため、DCバイアス電圧を小さくすることができる。LN基板と石英基板の微小な接合部によってもDCブロック用のキャパシタンスと同様の機能を実現することから、LN基板のサイズを増加することなくDCブロック用のキャパシタンスを削減できる。そのため装置の小型化が可能となる。本発明においては、接着剤を用いたこれら4箇所の接続部のすべてにおいて、DCブロック用のキャパシタンスを形成する必要はなく、いずれか1箇所でも効果が得られることはいうまでもない。   The input light incident on the input waveguide 332 is branched into two by the Y branching unit 334. The branched light propagates to the arm waveguides 312a and 312b of the LN substrate 310 via the arm waveguides 336a and 336b. The phase of light propagating through the waveguides 312a and 312b of the LN substrate is modulated by a modulation signal applied to the electrodes 314a and 314b. The amount of phase modulation is determined by the applied voltage and action length of the modulation signal. Here, a DC component is superimposed on this modulation signal to set the operating point of the optical modulator 300. In the present invention, the capacitance formed by the adhesives 326 a and 326 b between the electrodes 338 a and 338 b of the quartz substrate 330 and the electrodes 314 a and 314 b of the LN substrate 310, and the electrodes 368 a and 368 b of the quartz substrate 360 and the LN substrate 310 are formed. Since the DC component is blocked by the capacitance formed by the adhesives 328a and 328b between the electrodes 314a and 314b, the DC current can be prevented from flowing through the resistor 370 and being consumed as heat. Therefore, power consumption can be reduced. Further, since heat due to the DC component is not generated by the resistor, the operation of the optical modulator is stabilized. Furthermore, since there is no DC voltage drop due to resistance, the DC bias voltage can be reduced. Since the same function as the DC block capacitance is realized by a minute junction between the LN substrate and the quartz substrate, the capacitance for the DC block can be reduced without increasing the size of the LN substrate. Therefore, the apparatus can be miniaturized. In the present invention, it is needless to say that it is not necessary to form a DC block capacitance at all of these four connection portions using an adhesive, and the effect can be obtained at any one of the locations.

次に、LN基板の導波路312a,312bを伝搬した光は、石英基板360のアーム導波路362a,362bに結合し、Y合波部364で合波され、出力導波路366から出力光が出射される。   Next, the light propagated through the waveguides 312a and 312b of the LN substrate is coupled to the arm waveguides 362a and 362b of the quartz substrate 360, and is multiplexed by the Y multiplexing unit 364, and the output light is emitted from the output waveguide 366. Is done.

図4は、第1および第2の実施形態における電極間の接着剤による接合部を拡大した図である。この接合部は、第1の電極410と、第2の電極430とが接着剤420で接合されて形成されている。このとき、接合部に形成されるキャパシタンスCは、次式で与えられる。   FIG. 4 is an enlarged view of the joint portion between the electrodes in the first and second embodiments. The joint portion is formed by joining the first electrode 410 and the second electrode 430 with an adhesive 420. At this time, the capacitance C formed at the junction is given by the following equation.

Figure 0004964264
Figure 0004964264

ここで、εは、接着剤の誘電率であり、wは電極の幅、hは電極の高さ、dは電極間の距離を表している。接着剤の誘電率εを2.25、電極の幅wおよび高さhをそれぞれ10μm、電極間の距離dを5μmとすると、キャパシタンスは、およそ45μFとなる。   Here, ε is the dielectric constant of the adhesive, w is the width of the electrode, h is the height of the electrode, and d is the distance between the electrodes. When the dielectric constant ε of the adhesive is 2.25, the width w and height h of the electrode are 10 μm, and the distance d between the electrodes is 5 μm, the capacitance is approximately 45 μF.

このときの接合部でのカットオフ周波数は、終端抵抗を50Ωとすると、次式より、およそ70Hzとなる。   The cut-off frequency at the junction at this time is approximately 70 Hz according to the following equation when the termination resistance is 50Ω.

Figure 0004964264
Figure 0004964264

このように、電極間を誘電体の接着剤で接合することにより、DCブロック用のキャパシタンスを形成することができる。また、この接着剤は、電極間の接合のみならず、基板間の接合にも使用することができる。この場合、この接着剤は、導波路を伝搬する光に対して損失の少ないものが望ましい。接着剤の屈折率を、石英導波路の屈折率n=1.5程度とすると、接着剤の誘電率は、ε≒n=2.25となる。このような接着剤には、アクリレート、エポキシ、シリコーンなどが挙げられる。 Thus, the capacitance for the DC block can be formed by bonding the electrodes with a dielectric adhesive. This adhesive can be used not only for bonding between electrodes but also for bonding between substrates. In this case, it is desirable that the adhesive has little loss with respect to light propagating through the waveguide. When the refractive index of the adhesive is about n = 1.5, the dielectric constant of the adhesive is ε≈n 2 = 2.25. Such adhesives include acrylates, epoxies, silicones, and the like.

図5に、本発明の第3の実施形態による光変調器を示す。この実施形態では、外部の終端抵抗が基板上に集積されている。この終端抵抗は、TaN,NiCr,Wなどを用いて基板上に形成することができる。これにより、基板および周辺の電気回路の小型化が可能になる。また、レイアウトによっては、電極が導波路と交差する箇所が減るので、クロストークの影響が削減でき、良好な変調特性を達成することができる。なお、終端抵抗は、スパッタ、CVD(Chemical Vapor Deposition)、蒸着等により形成することができる。 FIG. 5 shows an optical modulator according to the third embodiment of the present invention. In this embodiment, an external termination resistor is integrated on the substrate. This termination resistor can be formed on the substrate using Ta 2 N, NiCr, W or the like. Thereby, it is possible to reduce the size of the substrate and the surrounding electric circuit. Also, depending on the layout, the number of locations where the electrode intersects the waveguide is reduced, so that the influence of crosstalk can be reduced and good modulation characteristics can be achieved. Note that the termination resistor can be formed by sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition), vapor deposition, or the like.

このマッハツェンダ型光変調器500は、電気光学材料のLN基板510と、2つの石英基板530,560とから構成されている。前段の石英基板530には、入力光が入射される入力導波路532と、入力導波路からの光を分岐するY分岐部534と、分岐した光を導波する2つのアーム導波路536a,536bとが形成されている。LN基板510には、前段の石英基板の2つのアーム導波路536a,536bと光学的に結合される2つのアーム導波路512a,512bが形成され、LN基板のアーム導波路には、変調用の電極514a,514bが設けられている。変調用の電極514bには、コイル529を介してDC電源528が接続されており、変調器の動作点を設定することができる。後段の石英基板560には、LN基板の2つのアーム導波路512a,512bと光学的に結合される2つのアーム導波路562a,562bと、これら2つのアーム導波路からの光を合波するY合波部564と、合波した光を出力する出力導波路566とが形成されている。   The Mach-Zehnder type optical modulator 500 includes an LN substrate 510 made of an electro-optic material and two quartz substrates 530 and 560. The quartz substrate 530 in the previous stage has an input waveguide 532 into which input light is incident, a Y branching portion 534 that branches light from the input waveguide, and two arm waveguides 536a and 536b that guide the branched light. And are formed. The LN substrate 510 is formed with two arm waveguides 512a and 512b that are optically coupled to the two arm waveguides 536a and 536b of the preceding quartz substrate. Electrodes 514a and 514b are provided. A DC power source 528 is connected to the modulation electrode 514b via a coil 529, and an operating point of the modulator can be set. The quartz substrate 560 at the rear stage has two arm waveguides 562a and 562b optically coupled to the two arm waveguides 512a and 512b of the LN substrate, and Y that multiplexes light from these two arm waveguides. A multiplexing unit 564 and an output waveguide 566 that outputs the combined light are formed.

また、前段の石英基板上には、電極538a,538bが設けられ、外部の高周波信号源524に接続されている。電極538a,538bは、誘電体の接着剤526a,526bを用いてLN基板上の電極512a,512bに接続されている。同様に、後段の石英基板上には、電極568a,568bが設けられ、基板上に形成された終端抵抗570に接続されている。同様に、電極568a,568bは、誘電体の接着剤528a,528bを用いてLN基板上の電極514a,514bに接続されている。前述したように、この接着剤により、これら電極間にDCブロック用のキャパシタンスが形成される。なお、本発明においては、石英基板530,560は、LN基板510と別の基板であればよく、石英系の基板でなくてもよい。   Electrodes 538a and 538b are provided on the previous stage quartz substrate and connected to an external high-frequency signal source 524. The electrodes 538a and 538b are connected to the electrodes 512a and 512b on the LN substrate using dielectric adhesives 526a and 526b. Similarly, electrodes 568a and 568b are provided on the subsequent quartz substrate, and are connected to a termination resistor 570 formed on the substrate. Similarly, the electrodes 568a and 568b are connected to the electrodes 514a and 514b on the LN substrate using dielectric adhesives 528a and 528b. As described above, this adhesive forms a DC blocking capacitance between the electrodes. In the present invention, the quartz substrates 530 and 560 may be different from the LN substrate 510 and may not be a quartz substrate.

入力導波路532に入射した入力光は、Y分岐部534で2つに分岐される。分岐した光は、アーム導波路536a,536bを介して、LN基板510のアーム導波路512a,512bに伝搬する。LN基板の導波路512a,512bを伝搬する光は、電極514a,514bに印加された変調信号により、その位相が変調される。その位相変調量は、変調信号の印加電圧および作用長によって決定される。ここで、この変調信号にDC成分を重畳し、光変調器500の動作点を設定する。本発明においては、石英基板530の電極538a,538bとLN基板510の電極514a,514bとの間に接着剤526a,526bで形成されたキャパシタンスと、石英基板560の電極568a,568bとLN基板510の電極514a,514bとの間に接着剤528a,528bで形成されたキャパシタンスとによってDC成分がブロックされるため、DC電流が抵抗570に流れて熱として消費されることを防ぐことができる。そのため消費電力を小さくすることができる。また、抵抗でDC成分による熱が発生しないため、光変調器の動作が安定する。さらには、抵抗によるDC電圧降下がないため、DCバイアス電圧を小さくすることができる。LN基板と石英基板の微小な接合部によってもDCブロック用のキャパシタンスと同様の機能を実現することから、LN基板のサイズを増加することなくDCブロック用のキャパシタンスを削減できる。そのため装置の小型化が可能となる。本発明においては、接着剤を用いたこれら4箇所の接続部のすべてにおいて、DCブロック用のキャパシタンスを形成する必要はなく、いずれか1箇所でも効果が得られることはいうまでもない。   The input light incident on the input waveguide 532 is branched into two by the Y branching unit 534. The branched light propagates to the arm waveguides 512a and 512b of the LN substrate 510 via the arm waveguides 536a and 536b. The phase of light propagating through the waveguides 512a and 512b of the LN substrate is modulated by a modulation signal applied to the electrodes 514a and 514b. The amount of phase modulation is determined by the applied voltage and action length of the modulation signal. Here, a DC component is superimposed on this modulation signal, and an operating point of the optical modulator 500 is set. In the present invention, the capacitance formed by the adhesives 526 a and 526 b between the electrodes 538 a and 538 b of the quartz substrate 530 and the electrodes 514 a and 514 b of the LN substrate 510, and the electrodes 568 a and 568 b of the quartz substrate 560 and the LN substrate 510. Since the DC component is blocked by the capacitance formed by the adhesives 528a and 528b between the electrodes 514a and 514b, it is possible to prevent the DC current from flowing through the resistor 570 and being consumed as heat. Therefore, power consumption can be reduced. Further, since heat due to the DC component is not generated by the resistor, the operation of the optical modulator is stabilized. Furthermore, since there is no DC voltage drop due to resistance, the DC bias voltage can be reduced. Since the same function as the DC block capacitance is realized by a minute junction between the LN substrate and the quartz substrate, the capacitance for the DC block can be reduced without increasing the size of the LN substrate. Therefore, the apparatus can be miniaturized. In the present invention, it is needless to say that it is not necessary to form a DC block capacitance at all of these four connection portions using an adhesive, and the effect can be obtained at any one of the locations.

次に、LN基板の導波路512a,512bを伝搬した光は、石英基板560のアーム導波路562a,562bに結合し、Y合波部564で合波され、出力導波路566から出力光が出射される。   Next, the light propagated through the waveguides 512a and 512b of the LN substrate is coupled to the arm waveguides 562a and 562b of the quartz substrate 560, and is multiplexed by the Y multiplexing unit 564, and the output light is emitted from the output waveguide 566. Is done.

図6に、本発明の第4の実施形態による光変調器を示す。この実施形態では、複数のマッハツェンダ干渉計から光変調器が構成されている。このように、複数のマッハツェンダ干渉計からなる光変調器では、接着剤を用いたキャパシタンスを形成し、終端抵抗を基板上に形成することによる本発明の効果が顕著になる。   FIG. 6 shows an optical modulator according to the fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, an optical modulator is composed of a plurality of Mach-Zehnder interferometers. Thus, in an optical modulator composed of a plurality of Mach-Zehnder interferometers, the effect of the present invention by forming a capacitance using an adhesive and forming a termination resistor on the substrate becomes remarkable.

このマッハツェンダ型光変調器600は、電気光学材料のLN基板610と、2つの石英基板630,660とから構成されている。前段の石英基板630には、入力光が入射される入力導波路632と、入力導波路からの光を分岐するY分岐部634と、分岐した光をさらに分岐するY分岐部634−1,634−2とが形成されている。LN基板610には、前段の石英基板のY分岐部634−1,634−2からの光が結合する4つのアーム導波路612−1a,612−1b,612−2a,612−2bが形成され、LN基板のアーム導波路にはそれぞれ、変調用の電極614−1a,614−1b,614−2a,614−2bが設けられている。変調用の電極614−1a,614−2bには、それぞれコイル629−1,629−2を解してそれぞれDC電源628−1,628−2が接続されており、変調器の動作点を設定することができる。後段の石英基板660には、LN基板の2つのアーム導波路612−1a,612−1bと光学的に結合されるY合波部664−1と、LN基板の2つアーム導波路612−2a,612−2bと光学的に結合されるY合波部664−2と、2つの合波部からの光をさらに合波するY合波部664と、合波した光を出力する出力導波路666とが形成されている。   The Mach-Zehnder type optical modulator 600 includes an LN substrate 610 made of electro-optic material and two quartz substrates 630 and 660. The quartz substrate 630 in the previous stage has an input waveguide 632 into which input light is incident, a Y branch portion 634 that branches light from the input waveguide, and Y branch portions 634-1 and 634 that further branch the branched light. -2 are formed. The LN substrate 610 is formed with four arm waveguides 612-1a, 612-1b, 612-2a, and 612-2b to which light from the Y branch portions 634-1 and 634-2 of the preceding quartz substrate is coupled. The LN substrate arm waveguides are provided with modulation electrodes 614-1a, 614-1b, 614-2a, and 614-2b, respectively. DC power sources 628-1 and 628-2 are connected to the modulation electrodes 614-1a and 614-2b through the coils 629-1 and 629-2, respectively, and the operating point of the modulator is set. can do. The quartz substrate 660 at the rear stage includes a Y multiplexing unit 664-1 that is optically coupled to the two arm waveguides 612-1a and 612-1b of the LN substrate, and a two-arm waveguide 612-2a of the LN substrate. , 612-2b optically coupled to Y-coupling unit 664-2, Y-coupling unit 664 for further multiplexing the light from the two multiplexing units, and an output waveguide for outputting the combined light 666.

また、前段の石英基板上には、電極638−1a,638−1b,638−2a,638−2bが設けられ、外部の高周波信号源624−1,624−2に接続されている。電極638−1a,638−1b,638−2a,638−2bは、誘電体の接着剤626−1a,626−1b,626−2a,626−2bを用いてLN基板上の電極614−1a,614−1b,614−2a,614−2bに接続されている。同様に、後段の石英基板上には、電極668−1a,668−1b,668−2a,668−2bが設けられ、基板上に形成された終端抵抗670−1,670−2に接続されている。同様に、電極668−1a,668−1b,668−2a,668−2bは、誘電体の接着剤628−1a,628−1b,628−2a,628−2bを用いてLN基板上の電極614−1a,614−1b,614−2a,614−2bに接続されている。前述したように、この接着剤により、これら電極間にDCブロック用のキャパシタンスが形成される。なお、本発明においては、石英基板630,660は、LN基板610と別の基板であればよく、石英系の基板でなくてもよい。   Further, electrodes 638-1a, 638-1b, 638-2a, and 638-2b are provided on the previous stage quartz substrate, and are connected to external high-frequency signal sources 624-1 and 624-2. The electrodes 638-1a, 638-1b, 638-2a, and 638-2b are electrodes 614-1a and 616-2a on the LN substrate using dielectric adhesives 626-1a, 626-1b, 626-2a, and 626-2b. It is connected to 614-1b, 614-2a, and 614-2b. Similarly, electrodes 668-1 a, 668-1 b, 668-2 a, and 668-2 b are provided on the subsequent quartz substrate and are connected to termination resistors 670-1 and 670-2 formed on the substrate. Yes. Similarly, electrodes 668-1a, 668-1b, 668-2a, 668-2b are electrodes 614 on the LN substrate using dielectric adhesives 628-1a, 628-1b, 628-2a, 628-2b. -1a, 614-1b, 614-2a, and 614-2b. As described above, this adhesive forms a DC blocking capacitance between the electrodes. In the present invention, the quartz substrates 630 and 660 may be different from the LN substrate 610 and may not be a quartz substrate.

入力導波路632に入射した入力光は、Y分岐部634で2つに分岐される。分岐した光は、それぞれY分岐部634−1,634−2でさらに2つに分岐され、それぞれLN基板610のアーム導波路612−1a,612−1b,612−2a,612−2bに伝搬する。LN基板の導波路612−1a,612−1b,612−2a,612−2bを伝搬する光は、電極614−1a,614−1b,614−2a,614−2bに印加された変調信号により、その位相が変調される。その位相変調量は、変調信号の印加電圧および作用長によって決定される。ここで、この変調信号にDC成分を重畳し、光変調器600の動作点を設定する。本発明においては、石英基板630の電極638−1a,638−1b,638−2a,638−2bとLN基板610の電極614−1a,614−1b,614−2a,614−2bとの間に接着剤626−1a,626−1b,626−2a,626−2bで形成されたキャパシタンスと、石英基板660の電極668−1a,668−1b,668−2a、668−2bとLN基板610の電極614−1a,614−1b,614−2a,614−2bとの間に接着剤628−1a,628−1b,628−2a,628−2bで形成されたキャパシタンスとによってDC成分がブロックされるため、DC電流が抵抗670−1,670−2に流れて熱として消費されることを防ぐことができる。そのため消費電力を小さくすることができる。また、抵抗でDC成分による熱が発生しないため、光変調器の動作が安定する。さらには、抵抗によるDC電圧降下がないため、DCバイアス電圧を小さくすることができる。LN基板と石英基板の微小な接合部によってもDCブロック用のキャパシタンスと同様の機能を実現することから、LN基板のサイズを増加することなくDCブロック用のキャパシタンスを削減できる。そのため装置の小型化が可能となる。本発明においては、接着剤を用いたこれら8箇所の接続部のすべてにおいて、DCブロック用のキャパシタンスを形成する必要はなく、各マッハツェンダ干渉計についていずれか1箇所でも効果が得られることはいうまでもない。   The input light incident on the input waveguide 632 is branched into two by the Y branch portion 634. The branched light is further branched into two at the Y branch portions 634-1 and 634-2, and propagates to the arm waveguides 612-1a, 612-1b, 612-2a, and 612-2b of the LN substrate 610, respectively. . The light propagating through the waveguides 612-1a, 612-1b, 612-2a, and 612-2b of the LN substrate is caused by the modulation signal applied to the electrodes 614-1a, 614-1b, 614-2a, and 614-2b. Its phase is modulated. The amount of phase modulation is determined by the applied voltage and action length of the modulation signal. Here, a DC component is superimposed on this modulation signal, and an operating point of the optical modulator 600 is set. In the present invention, between the electrodes 638-1a, 638-1b, 638-2a, 638-2b of the quartz substrate 630 and the electrodes 614-1a, 614-1b, 614-2a, 614-2b of the LN substrate 610. The capacitance formed by the adhesives 626-1a, 626-1b, 626-2a, and 626-2b, and the electrodes 668-1a, 668-1b, 668-2a, and 666-2b of the quartz substrate 660 and the electrodes of the LN substrate 610 The DC component is blocked by the capacitance formed by the adhesives 628-1a, 628-1b, 628-2a, and 628-2b between 614-1a, 614-1b, 614-2a, and 614-2b. The DC current can be prevented from flowing through the resistors 670-1 and 670-2 and being consumed as heat. Therefore, power consumption can be reduced. Further, since heat due to the DC component is not generated by the resistor, the operation of the optical modulator is stabilized. Furthermore, since there is no DC voltage drop due to resistance, the DC bias voltage can be reduced. Since the same function as the DC block capacitance is realized by a minute junction between the LN substrate and the quartz substrate, the capacitance for the DC block can be reduced without increasing the size of the LN substrate. Therefore, the apparatus can be miniaturized. In the present invention, it is not necessary to form a capacitance for the DC block in all of these eight connection portions using the adhesive, and it goes without saying that the effect can be obtained at any one position for each Mach-Zehnder interferometer. Nor.

次に、LN基板の導波路612−1a,612−1bを伝搬した光は、石英基板660のY合波部664−1で合波され、LN基板の導波路612−2a,612−2bを伝搬した光は、石英基板660のY合波部664−2で合波される。Y合波部664−1,664−2からの光は、さらにY合波部664でさらに合波され、出力導波路666から出力光が出射される。   Next, the light propagated through the waveguides 612-1a and 612-1b of the LN substrate is multiplexed by the Y multiplexing unit 664-1 of the quartz substrate 660, and the waveguides 612-2a and 612-2b of the LN substrate are transmitted. The propagated light is multiplexed by the Y multiplexing unit 664-2 of the quartz substrate 660. The lights from the Y multiplexing units 664-1 and 664-2 are further combined by the Y multiplexing unit 664, and output light is emitted from the output waveguide 666.

以上、本発明について、具体的にいくつかの実施形態について説明したが、本発明の原理を適用できる多くの実施可能な形態に鑑みて、ここに記載した実施形態は、単に例示に過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。例えば、上記の実施形態では、電気光学材料の基板として、LN基板を例に説明したが、本発明の原理は、タンタル酸リチウム(LiTaO)、KTN(KTa1−xNb)、KTP(KTiOPO)、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などを用いることができる。また、常誘電体の石英基板を、光変調器の出力側に用いた場合と、入力側および出力側の両方に用いた場合を説明したが、入力側だけに用いてもその部分において本発明の効果を得ることができる。さらに、上記の実施形態では、Y分岐に代えて、方向性結合器やカプラ、多モード干渉カプラ(MMI:multimode interferometer)などの回路を用いてもよい。このように、ここに例示した実施形態は、本発明の趣旨から逸脱することなくその構成と詳細を変更することができる。さらに、説明のための構成要素および手順は、本発明の趣旨から逸脱することなく変更、補足、またはその順序を変えてもよい。 While the present invention has been described with respect to several specific embodiments, the embodiments described herein are merely illustrative in view of the many possible embodiments to which the principles of the present invention can be applied. It is not intended to limit the scope of the invention. For example, in the above embodiment, the LN substrate is described as an example of the electro-optic material substrate. However, the principle of the present invention is that lithium tantalate (LiTaO 3 ), KTN (KTa 1-x Nb x O 3 ), KTP (KTiOPO 4 ), PZT (lead zirconate titanate), or the like can be used. Further, the case where the paraelectric quartz substrate is used on the output side of the optical modulator and the case where it is used on both the input side and the output side has been described. The effect of can be obtained. Furthermore, in the above embodiment, a circuit such as a directional coupler, a coupler, or a multimode interference coupler (MMI) may be used instead of the Y branch. As described above, the configuration and details of the embodiment exemplified here can be changed without departing from the gist of the present invention. Further, the illustrative components and procedures may be changed, supplemented, or changed in order without departing from the spirit of the invention.

100,200,300,500,600 マッハツェンダ型光変調器
110 光学基板
112,212,332,532,632 入力導波路
114,214,334,534,564,634,634−1,634−2 Y分岐部
116a,116b,216a,216b,232a,232b,312a,312b,336a,336b,362a,362b,512a,512b,536a,536b,562a,562b,612−1a,612−1b,612−2a,612−2b アーム導波路
118,234,364,664,664−1,664−2 Y合波部
120,236,366,566,666 出力導波路
124,224,324,524,624−1,624−2 高周波信号源
127,227 DCバイアス回路
128,228,328,628−1,628−2 DC電源
170,270,370,570,670−1,670−2 終端抵抗
171 DCブロック用のキャパシタ
210,310,510,610 LN基板
222a,222b,238a,238b,314a,314b,338a,338b,368a,368b、410,430,514a,514b,538a,538b,568a,568b,614−1a,614−1b,614−2a,614−2b,638−1a,638−1b,638−2a,638−2b,668−1a,668−1b,668−2a,668−2b 電極
226a,226b,326a,326b,328a,328b,420,526a,526b,528a,528b,626−1a,626−1b,626−2a,626−2b,628−1a,628−1b,628−2a,628−2b 接着剤
230,330,360,530,560,630,660 石英基板
329,529,629−1,629−2 コイル
100, 200, 300, 500, 600 Mach-Zehnder type optical modulator 110 Optical substrate 112, 212, 332, 532, 632 Input waveguide 114, 214, 334, 534, 564, 634, 634-1, 634-2 Y branch 116a, 116b, 216a, 216b, 232a, 232b, 312a, 312b, 336a, 336b, 362a, 362b, 512a, 512b, 536a, 536b, 562a, 562b, 612-1a, 612-1b, 612-2a, 612 -2b Arm waveguide 118, 234, 364, 664, 664-1, 664-2 Y combiner 120, 236, 366, 566, 666 Output waveguide 124, 224, 324, 524, 624-1, 624 2 High-frequency signal source 127, 227 DC bias circuit 28, 228, 328, 628-1, 628-2 DC power supply 170, 270, 370, 570, 670-1, 670-2 Termination resistor 171 DC block capacitor 210, 310, 510, 610 LN substrate 222a, 222b , 238a, 238b, 314a, 314b, 338a, 338b, 368a, 368b, 410, 430, 514a, 514b, 538a, 538b, 568a, 568b, 614-1a, 614-1b, 614-2a, 614-2b, 638 -1a, 638-1b, 638-2a, 638-2b, 668-1a, 668-1b, 668-2a, 668-2b Electrodes 226a, 226b, 326a, 326b, 328a, 328b, 420, 526a, 526b, 528a , 528b, 626-1a, 626 1b, 626-2a, 626-2b, 628-1a, 628-1b, 628-2a, 628-2b Adhesive 230, 330, 360, 530, 560, 630, 660 Quartz substrates 329, 529, 629-1, 629-2 coil

Claims (6)

マッハツェンダ型の光変調器であって、
アーム導波路が形成された電気光学材料の第1の基板と、
前記アーム導波路に結合したY分岐部およびY合波部の少なくとも一方が形成された第2の基板と
を備え、
前記電気光学材料の第1の基板は、前記アーム導波路上に形成された変調用の第1の電極を備え、前記第2の基板は、前記第1の電極に結合する第2の電極を備え、前記第1および前記第2の電極は、誘電体の接着剤で接合されたことを特徴とする光変調器。
A Mach-Zehnder type optical modulator,
A first substrate of electro-optic material on which an arm waveguide is formed;
A second substrate on which at least one of a Y branching portion and a Y multiplexing portion coupled to the arm waveguide is formed, and
The first substrate of the electro-optic material includes a first electrode for modulation formed on the arm waveguide, and the second substrate includes a second electrode coupled to the first electrode. And the first and second electrodes are joined by a dielectric adhesive.
請求項1に記載の光変調器であって、
前記接着剤は、前記第1および第2の基板の接合に使用されることを特徴とする光変調器。
The optical modulator according to claim 1, comprising:
The optical modulator, wherein the adhesive is used for joining the first and second substrates.
請求項1または2に記載の光変調器であって、
前記第2の電極は、終端抵抗を備えたことを特徴とする光変調器。
The optical modulator according to claim 1 or 2,
The optical modulator, wherein the second electrode includes a termination resistor.
請求項1から3のいずれかに記載の光変調器であって、
複数のマッハツェンダ干渉計を備えたことを特徴とする光変調器。
The optical modulator according to any one of claims 1 to 3,
An optical modulator comprising a plurality of Mach-Zehnder interferometers.
請求項1から4のいずれかに記載の光変調器であって、
前記第2の基板は、石英系の基板であることを特徴とする光変調器。
An optical modulator according to any one of claims 1 to 4,
The optical modulator, wherein the second substrate is a quartz-based substrate.
請求項1から5のいずれかに記載の光変調器であって、
前記第1の基板は、ニオブ酸リチウム結晶からなる光学基板であることを特徴とする光変調器。
An optical modulator according to any one of claims 1 to 5,
The optical modulator, wherein the first substrate is an optical substrate made of a lithium niobate crystal.
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