JP4999446B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4999446B2 JP4999446B2 JP2006342923A JP2006342923A JP4999446B2 JP 4999446 B2 JP4999446 B2 JP 4999446B2 JP 2006342923 A JP2006342923 A JP 2006342923A JP 2006342923 A JP2006342923 A JP 2006342923A JP 4999446 B2 JP4999446 B2 JP 4999446B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monitor
- transistor
- circuit
- potential
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 13
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y02B20/345—
-
- Y02B20/347—
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本実施の形態では、モニター素子を有する発光装置の構成について説明する。
本実施の形態では、上記のモニター回路構成において具体的なスイッチング回路としてインバーターを例にして説明する。
本実施の形態では、上記のモニター回路とは異なり、モニター素子がそれぞれ対をなした回路構成について、図4を用いて説明する。対をなしたモニター素子のうちの一方を主モニター素子(第1のモニター素子とも記す)108m、他方を副モニター素子(第2のモニター素子とも記す)108sと記す。
本実施の形態では、モニター素子がショートしたときに制御用トランジスタをオフとする回路構成及びその動作について説明する。
本実施の形態では、モニター素子がショートしたときに制御用トランジスタをオフとする上記とは別の回路構成及びその動作について説明する。実施の形態4で説明した動作と同じ動きをするものに関しては同符号を用いて説明は省略する。
本実施の形態では、画素回路及び構成の一例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した画素回路を有するパネル全体の構成について説明する。
本実施の形態では、上記構成を有する本発明の発光装置の動作について図面を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の駆動方法を適用できる画素構成を例示する。なお、図8(A)で示した構成と重複する説明は省略する。
本発明は、定電流駆動を行う発光装置にも適用することができる。本実施の形態では、モニター素子108を用いて経時変化の度合いを検出する場合であって、この検出結果を基に、ビデオ信号又は電源電位を補正することで、発光素子の経時変化を補償する場合について説明する。
本発明は、パッシブマトリクス型の発光装置に適用することができる。パッシブマトリクス型の発光装置は、基板上に形成された画素部、該画素部の周辺に配置されたカラム信号線駆動回路、ロウ信号線駆動回路、上記の駆動回路を制御するコントローラを有する。画素部は、列方向に配置された各カラム信号線、行方向に配置されたロウ信号線、及びマトリクス状に配置された複数の発光素子を有する。この画素部が形成された基板上には、モニター回路104を設けることができる。
発光素子を含む画素部を備えた電子機器として、テレビジョン装置(単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、携帯電話装置(単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ)、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図14を参照して説明する。
19 画素電極
24 ドレイン電極配線
25 消去用トランジスタ
28 絶縁膜
29 絶縁膜
30 層間絶縁膜
31 絶縁膜
33 電界発光層
35 電極
36 トランジスタ
41 走査線駆動回路
42 走査線駆動回路
43 信号線駆動回路
44 パルス出力回路
45 ラッチ
46 選択回路
47 ラッチ
48 ラッチ
49 TFT
50 アナログスイッチ
51 スイッチング回路
52 選択信号線
53 電源
54 パルス出力回路
55 選択回路
56 パルス出力回路
57 選択回路
58 スイッチング回路
61 電源回路
62 コントローラ
63 電源制御回路
65 制御回路
100 絶縁基板
101 画素部
102 画素
103 モニター用領域
104 モニター回路
105 信号線駆動回路
106 走査線駆動回路
107 発光素子
108 モニター素子
109 モニター線
111 定電流源
112 バッファアンプ回路
113 スイッチング回路
115 制御用トランジスタ
116 駆動用トランジスタ
117 電源
200 膜厚
22a 導電膜
22b 導電膜
301 トランジスタ
302 トランジスタ
430 領域
601 トランジスタ
602 トランジスタ
603 トランジスタ
604 トランジスタ
701 トランジスタ
702 トランジスタ
703 トランジスタ
801 容量素子
802 スイッチング用トランジスタ
108a アノード電極
108c カソード電極
108m モニター素子
108s モニター素子
113m スイッチング回路
113s スイッチング回路
115m 制御用トランジスタ
115s 制御用トランジスタ
9101 本体
9102 表示部
9201 本体
9202 表示部
9301 本体
9302 表示部
9401 本体
9402 表示部
9501 本体
9502 表示部
9701 表示部
9702 表示部
Claims (7)
- モニター素子と、
前記モニター素子の電極と電気的に接続されたモニター線と、
前記モニター素子の電極の電位が変化した際に、前記モニター素子に供給される電流を電気的に遮断する手段と、
発光素子、及び前記発光素子への電流の供給を制御する機能を有するトランジスタを有する画素部と、
第1の端子が前記モニター線と電気的に接続され、第2の端子が前記トランジスタと電気的に接続されたバッファアンプ回路と、を有し、
前記モニター素子の電極の電位の変化に伴い、前記発光素子に印加する電圧を変化させることを特徴とする発光装置。 - 請求項1において、
前記モニター素子に供給される電流を電気的に遮断する手段には、前記モニター素子の電極及び前記トランジスタの電極の電位が入力され、
前記モニター素子に供給される電流を電気的に遮断する手段は、前記トランジスタのゲートに電位を供給する機能を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記モニター素子がショートしていないときに、前記トランジスタはオンであることを特徴とする発光装置。 - モニター素子と、
前記モニター素子の電極と電気的に接続されたモニター線と、
前記モニター線から前記モニター素子の電極への電流の供給を制御する機能を有する第1のトランジスタと、
前記モニター素子の電極の電位が変化した際に、前記第1のトランジスタをオフとする手段と、
発光素子、及び前記発光素子への電流の供給を制御する機能を有する第2のトランジスタを有する画素部と、
第1の端子が前記モニター線と電気的に接続され、第2の端子が前記第2のトランジスタと電気的に接続されたバッファアンプ回路と、を有し、
前記モニター素子の電極の電位の変化に伴い、前記発光素子に印加する電圧を変化させることを特徴とする発光装置。 - 請求項4において、
前記第1のトランジスタをオフとする手段には、前記モニター素子の電極及び前記第1のトランジスタの電極の電位が入力され、
前記第1のトランジスタをオフとする手段は、前記第1のトランジスタのゲートに電位を供給する機能を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項4又は請求項5において、
前記モニター素子がショートしていないときに、前記第1のトランジスタはオンであることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記モニター線に一定電流を供給する手段を有することを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006342923A JP4999446B2 (ja) | 2005-12-27 | 2006-12-20 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005375405 | 2005-12-27 | ||
JP2005375405 | 2005-12-27 | ||
JP2006342923A JP4999446B2 (ja) | 2005-12-27 | 2006-12-20 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011263279A Division JP5520919B2 (ja) | 2005-12-27 | 2011-12-01 | 発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007199693A JP2007199693A (ja) | 2007-08-09 |
JP2007199693A5 JP2007199693A5 (ja) | 2010-01-21 |
JP4999446B2 true JP4999446B2 (ja) | 2012-08-15 |
Family
ID=38454320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006342923A Expired - Fee Related JP4999446B2 (ja) | 2005-12-27 | 2006-12-20 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4999446B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101365836B1 (ko) | 2007-08-13 | 2014-02-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법 |
JP5047850B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2012-10-10 | パイオニア株式会社 | カラー表示パネルおよび表示装置 |
JP5617525B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 照明装置、および電子機器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11272223A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Toyota Motor Corp | 発光ディスプレイ用電源装置 |
JP4884609B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2012-02-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその駆動方法、並びに電子機器 |
JP2004205704A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機elディスプレイ |
JP4836402B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2011-12-14 | 東北パイオニア株式会社 | 自発光型表示装置 |
JP4902194B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-03-21 | 東北パイオニア株式会社 | 表示装置および同装置の検査方法 |
-
2006
- 2006-12-20 JP JP2006342923A patent/JP4999446B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007199693A (ja) | 2007-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5520919B2 (ja) | 発光装置 | |
US8044949B2 (en) | Light emitting device and electronic apparatus for displaying images | |
TWI693721B (zh) | 半導體裝置、顯示裝置、及電子裝置 | |
JP2020014002A (ja) | 発光装置 | |
US8354794B2 (en) | Light emitting device and driving method thereof | |
JP5025242B2 (ja) | 半導体装置、表示装置、モジュール、及び電子機器 | |
US8581805B2 (en) | Display device and driving method thereof | |
US7442950B2 (en) | Light emitting device | |
US7834827B2 (en) | Light emitting device and driving method thereof | |
JP4884701B2 (ja) | 表示装置 | |
TW201239854A (en) | Display device, driving method of display device, and electronic appliance | |
JP4974492B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5238140B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4999446B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5322343B2 (ja) | 発光装置、及びその駆動方法 | |
JP5178005B2 (ja) | 表示装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091202 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150525 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150525 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |