JP4981806B2 - リソグラフィシステム - Google Patents
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Description
図面では、対応する構造特徴、即ち少なくとも機能は同一の参照符合により示されている。
Claims (13)
- 電子画像パターンがターゲット表面に画像を投影するための露光ツールに伝送され、前記露光ツールは露光投影を制御するための制御ユニットを具備し、その制御ユニットは少なくとも部分的に前記露光ツールの投影スペース中に含まれ、光信号により制御データを与えられ、前記光信号は自由スペースの光学相互接続を使用して前記制御ユニットに結合され、前記制御ユニットの感光部分に放出される変調された光ビームを有し、ここで変調された光ビームは前記感光部分上の前記光ビームの軸上入射のための穴のあるミラーを使用して前記感光部に結合され、前記ミラーの穴は前記露光投影の通過のために設けられているリソグラフィシステム。
- 電子画像パターンは露光投影を使用する光投影により、露光表面へのパターンのマスクレス投影のためのマルチビームシステムにより書込みツールによって形成される露光ツールに伝送され、このような書込みツールが内部に含まれている真空ハウジングを具備し、
マルチビーム投影ソースが存在し、前記パターンを書込むための複数の書込みビームを生成し、
書込みビームは受信されたパターン情報にしたがって書込みビームを個々に制御する静電ブランカ偏向装置のような個々の制御装置を有する制御ユニットを具備しているブランカアレイに誘導され、
光の光学システムはパターン情報信号をこのような制御装置へ伝送するために存在する光伝送部を具備しており、
制御装置はこのような変調された光ビームを受信するための感光素子を具備し、
前記光の光学システムは自由スペース光学相互接続を具備し、光のデータキャリアシステムを形成し、変調された光ビームを伝播するパターンデータを前記制御装置へ送信し、
自由スペース光学相互接続は光ビームを伝播する自由空間相互接続パターンデータを前記感光素子へ放出するエミッタ部を具備し、
前記自由スペース光学相互接続は前記複数の書込みビームの投影軌道に組み込まれた有孔ミラーを具備し、
前記ミラーは前記感光素子上の前記光ビームの軸上入射を実現するために前記エミッタ部と前記感光素子に関して配置されており、
前記ミラーには1以上の前記書込みビームの通過を可能にする少なくとも1つの穴が設けられている請求項1記載のリソグラフィシステム。 - 放出部は前記露光投影の方向に関して少なくとも仮想的に垂直に前記光ビームを放出するように構成されている請求項2記載のシステム。
- 前記自由スペース相互接続は制御ユニットのダウンストリーム側に含まれている請求項1乃至3のいずれか1項記載のシステム。
- エミッタと前記有孔ミラーを含んでいる前記自由スペース相互接続は機械的に制御ユニットに接続されているハウジング中に含まれる請求項1乃至4のいずれか1項記載のシステム。
- 集束レンズは前記有孔ミラーの近くに、前記エミッタに対するよりも前記ミラーに対して非常に接近して前記自由スペース光学相互接続中に配置され、前記レンズは前記エミッタにより放出される全ての光ビームに共通である請求項1乃至5のいずれか1項記載のシステム。
- 前記有孔ミラーは集束反射表面を備え、前記反射表面は凹面であり、前記ミラーは前記エミッタにより放出される全ての光ビームに共通である請求項1乃至6のいずれか1項記載のシステム。
- マイクロレンズは、マイクロレンズが設けられている光ファイバ端部のような各光キャリア構成部の非常に近い位置であり、かつ前記有孔ミラーに対するよりも前記キャリア端部に近い位置において前記自由スペース光学相互接続中に配置され、それによって前記エミッタを形成している請求項1乃至7のいずれか1項記載のシステム。
- 自由スペース光学相互接続は、可能な複数のマイクロレンズで完成されたファイバに共通のマイクロレンズと集束レンズを具備し、そのマイクロレンズはファイバの伝送する光を拡大し、集束レンズは前記可能な複数のファイバにより伝送された光信号全体の拡大を消去するように構成されている請求項1乃至8のいずれか1項記載のシステム。
- 前記自由スペース光学相互接続は書込みビームをブランキングするブランカアレイにより形成される制御ユニットと前記ブランカアレイにより偏向された書込みビームを停止するための停止プレートとの間に設けられている請求項1乃至9のいずれか1項記載のシステム。
- 1以上の光信号キャリアは真空に適応する密封材料を使用して露光ツールの真空壁を通って供給され、それに続いて荷電粒子ビームコラムのための真空スペース中に位置される自由スペース光学接続ハウジングに対して機械的に結合される端部を有している請求項1乃至10のいずれか1項記載のシステム。
- 電子画像パターンは変調されたデータ伝播光ビーム(8)の投影により前記書込みツールに伝送され、最終的に前記画像パターンを前記書込みビームへ転送するための自由スペース光学相互接続を具備するリソグラフィシステムにおいて、前記自由スペース光学相互接続の一部として前記書込みツールに含まれる1以上の穴を有する穿孔されたミラーを具備し、それによって前記書込みツールの投影方向に前記光ビームを誘導して、前記1又は複数の穴を通る前記書込みツール投影の通過を可能にしているリソグラフィシステム。
- 前記書込みツールは露光表面へパターンのマスクレス投影を行うためのマルチビームシステムを使用し、内部にこのようなリソグラフィシステムが組み込まれている真空ハウジングを具備している請求項12記載のシステム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US71785605P | 2005-09-16 | 2005-09-16 | |
NL1029973 | 2005-09-16 | ||
US60/717,856 | 2005-09-16 | ||
NL1029973 | 2005-09-16 | ||
PCT/NL2006/000458 WO2007032671A1 (en) | 2005-09-16 | 2006-09-14 | Lithography system and projection method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012008107A Division JP5694207B2 (ja) | 2005-09-16 | 2012-01-18 | リソグラフィシステム及び投影方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009509329A JP2009509329A (ja) | 2009-03-05 |
JP4981806B2 true JP4981806B2 (ja) | 2012-07-25 |
Family
ID=37421100
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008531037A Expired - Fee Related JP4981806B2 (ja) | 2005-09-16 | 2006-09-14 | リソグラフィシステム |
JP2012008107A Active JP5694207B2 (ja) | 2005-09-16 | 2012-01-18 | リソグラフィシステム及び投影方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012008107A Active JP5694207B2 (ja) | 2005-09-16 | 2012-01-18 | リソグラフィシステム及び投影方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1943561A1 (ja) |
JP (2) | JP4981806B2 (ja) |
KR (1) | KR101367499B1 (ja) |
WO (1) | WO2007032671A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090121629A (ko) | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 삼성전자주식회사 | 태양전지 셀 및 이를 이용하는 태양전지 모듈 |
TWI562186B (en) | 2010-11-13 | 2016-12-11 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle lithography system and method for transferring a pattern onto a surface of a target and modulation device for use in a charged particle lithography system |
WO2018063325A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Intel Corporation | Aperture array rotation to enhance ebeam process margin |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910000756B1 (en) * | 1984-11-20 | 1991-02-06 | Fujitsu Ltd | Method for projection photoelectron image |
JPH06124884A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電子線露光装置 |
JP4375826B2 (ja) * | 1998-04-07 | 2009-12-02 | 株式会社ニコン | 直筒型反射屈折光学系、走査型露光装置及び走査露光方法 |
JP2001126972A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画装置および電子ビームを用いた描画方法 |
EP1554634B1 (en) * | 2002-10-25 | 2011-12-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system |
CN101414126B (zh) * | 2002-10-30 | 2012-02-15 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 电子束曝光系统 |
EP1660945B1 (en) * | 2003-07-30 | 2007-12-19 | Mapper Lithography Ip B.V. | Modulator circuitry |
US20070134560A1 (en) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | Koninklijke Philips Electronic, N.V. | Lithography system using a programmable electro-wetting mask |
-
2006
- 2006-09-14 WO PCT/NL2006/000458 patent/WO2007032671A1/en active Application Filing
- 2006-09-14 JP JP2008531037A patent/JP4981806B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-14 EP EP20060783923 patent/EP1943561A1/en not_active Ceased
- 2006-09-14 KR KR1020087009122A patent/KR101367499B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-01-18 JP JP2012008107A patent/JP5694207B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5694207B2 (ja) | 2015-04-01 |
WO2007032671A1 (en) | 2007-03-22 |
JP2009509329A (ja) | 2009-03-05 |
JP2012129532A (ja) | 2012-07-05 |
EP1943561A1 (en) | 2008-07-16 |
KR101367499B1 (ko) | 2014-02-25 |
KR20080047615A (ko) | 2008-05-29 |
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JP2007286243A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111018 |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |