JP4966908B2 - Plasma display panel and manufacturing method thereof - Google Patents

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本発明は、プラズマディスプレイパネルおよびその製造技術に関し、特に、プラズマディスプレイパネルの放電遅れの改善に適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a plasma display panel and a manufacturing technique thereof, and more particularly to a technique effective when applied to improvement of discharge delay of a plasma display panel.

プラズマディスプレイパネル(PDP;Plasma Display Panel)は、例えば希ガスなどの放電ガスを封入したセルと呼ばれる放電空間内で、気体放電を発生させ、この際に発生する真空紫外線で蛍光体を励起して、画像を表示する表示パネルである。   A plasma display panel (PDP), for example, generates a gas discharge in a discharge space called a cell in which a discharge gas such as a rare gas is enclosed, and excites a phosphor with vacuum ultraviolet rays generated at this time. This is a display panel for displaying images.

現在、一般に商品化されているAC(交流)駆動方式のPDPは面放電型である。面放電型PDPでは、カラー表示のための蛍光体を表示電極対からパネルの厚さ方向に遠ざけて配置することができ、それによって放電時のイオン衝撃(スパッタ)による蛍光体の特性劣化を低減することができる。したがって、面放電型PDPは、対を成す表示電極(X電極およびY電極と呼ばれる)を前面基板と背面基板とに振り分けて配置する対向放電型に比べて、長寿命化に適している。   Currently, AC (alternating current) driving PDPs that are generally commercialized are of the surface discharge type. In the surface discharge type PDP, the phosphor for color display can be arranged away from the display electrode pair in the thickness direction of the panel, thereby reducing deterioration of the phosphor characteristics due to ion bombardment (sputtering) during discharge. can do. Therefore, the surface discharge type PDP is suitable for extending the life as compared with the counter discharge type in which the paired display electrodes (referred to as X electrodes and Y electrodes) are arranged on the front substrate and the rear substrate.

上記一般の面放電型AC型PDPの前面基板では、XおよびYの表示電極対を覆う誘電体層が放電時のイオンの衝撃により劣化することを防ぐために保護膜を設ける。この保護膜は、誘電体層が放電時のイオンの衝撃により劣化するのを防ぐだけでなく、該保護膜にイオンが衝突することにより、二次電子を放出し、放電を成長させる機能も有する。   In the front substrate of the general surface discharge AC type PDP, a protective film is provided to prevent the dielectric layer covering the X and Y display electrode pairs from being deteriorated by the impact of ions during discharge. This protective film not only prevents the dielectric layer from deteriorating due to the impact of ions during discharge, but also has a function of emitting secondary electrons and causing the discharge to grow when ions collide with the protective film. .

上記保護膜として、耐イオン衝撃性や二次電子の放出のしやすさから、酸化マグネシウム(MgO)の薄膜が一般に用いられる(特許文献1参照)。
特開2006−147417号公報
As the protective film, a magnesium oxide (MgO) thin film is generally used because of its ion bombardment resistance and ease of secondary electron emission (see Patent Document 1).
JP 2006-147417 A

<放電遅れについての検討>
上記MgOの保護膜は二次電子放射係数が高く、放電開始電圧を低減するには有効である。しかし近年、PDPの高精細化の要求に伴って更にアドレス速度を向上させる必要が生じ、この結果、放電遅れの改善が新たに重要な課題となっている。
<Examination of discharge delay>
The protective film of MgO has a high secondary electron emission coefficient and is effective in reducing the discharge start voltage. However, in recent years, it has become necessary to further increase the address speed in accordance with the demand for higher definition of the PDP. As a result, improvement of the discharge delay has become a new important issue.

すなわち、PDPの高精細化をすすめると、表示ライン数が増加する。例えば、いわゆるフルハイビジョン規格では1080本の表示ラインを有することとなる。PDPでは所定のフレーム時間(フィールド)を、複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドで行う維持放電(表示放電)の回数の組み合わせにより階調表示を行う。また、画像を形成するために、サブフィールド毎に、点灯するセルを選択する動作(アドレス(書き込み)動作)を行う。具体的には、選択するセルの走査電極とアドレス電極へパルスを印加して放電(アドレス放電)を発生させて壁電荷を形成する。その後、セル群に対して駆動波形の印加により選択セルで維持放電(表示放電)を発生させる動作(維持動作)を行う。したがって、例えば1080本分の走査(表示ライン毎の放電/非放電の選択)を、所定のフレーム時間の中で階調表示に必要なサブフィールド分行うためには、アドレス動作時間(すなわち電極への電圧(パルス)の印加によりアドレス放電を発生させ壁電荷を形成するのにかかる時間)を短縮することが必要となる。つまり、PDPを高精細化するほど、アドレス動作等における放電遅れを如何に短縮するかが大きな課題となる。   That is, as the resolution of the PDP increases, the number of display lines increases. For example, the so-called full high-definition standard has 1080 display lines. In the PDP, a predetermined frame time (field) is divided into a plurality of subfields, and gradation display is performed by a combination of the number of sustain discharges (display discharges) performed in each subfield. In order to form an image, an operation (address (writing) operation) for selecting a cell to be lit is performed for each subfield. Specifically, a wall charge is formed by applying a pulse to the scan electrode and the address electrode of the selected cell to generate a discharge (address discharge). Thereafter, an operation (sustain operation) for generating a sustain discharge (display discharge) in the selected cell by applying a drive waveform to the cell group is performed. Therefore, for example, in order to perform scanning for 1080 lines (selection of discharge / non-discharge for each display line) for a subfield necessary for gradation display within a predetermined frame time, address operation time (that is, to the electrode) It is necessary to shorten the time required for generating the address discharge and forming the wall charges by applying the voltage (pulse). In other words, the higher the definition of the PDP, the greater the problem of how to reduce the discharge delay in the address operation or the like.

ここで、放電遅れとは、一般に形成遅れと統計遅れの和として考えられる。形成遅れは、電極間に生成した初電子が発生してから明確な放電が形成されるまでの時間であり、多数回放電を実施したときの略最小放電時間と見なされている。一方、統計遅れは、電圧印加から電離が始まって放電が開始するまでの時間であり、多数回放電を繰り返した際の放電遅れのばらつきは、この時間によりほぼ支配されるため、一般に統計遅れと呼ばれている。これらの放電遅れが長いと、表示ミス防止のためにアドレス時間を長くせざるを得ず、画像形成に寄与する表示期間が短くなるなどの悪影響を与える。したがって、PDPにとって、放電遅れが短いことが望ましい。   Here, discharge delay is generally considered as the sum of formation delay and statistical delay. The formation delay is the time from the generation of the initial electrons generated between the electrodes to the formation of a clear discharge, and is regarded as the substantially minimum discharge time when many discharges are performed. On the other hand, the statistical delay is the time from the start of voltage application until the start of ionization until the discharge starts, and the variation in the discharge delay when the discharge is repeated many times is generally governed by this time. being called. If these discharge delays are long, the address time must be lengthened to prevent display mistakes, and the display period contributing to image formation is shortened. Therefore, it is desirable for the PDP to have a short discharge delay.

ガス放電では、空間(放電空間)中の荷電粒子が外部電界によって加速され、他のガス分子に衝突し、該ガス分子が電離することで電離粒子の数を増やし成長するが、最初に荷電粒子が供給されないと放電は始まらず、荷電粒子が供給されるまで放電開始が遅れる。したがって放電の種火となるプライミング電子(初期荷電粒子)を放電空間内により多く供給する程、放電遅れを短くすることができる。   In gas discharge, charged particles in a space (discharge space) are accelerated by an external electric field, collide with other gas molecules, and the gas molecules ionize to grow to increase the number of ionized particles. If no is supplied, the discharge does not start, and the start of discharge is delayed until charged particles are supplied. Accordingly, the discharge delay can be shortened as more priming electrons (initially charged particles) serving as discharge seeds are supplied into the discharge space.

上記した特許文献1では、放電遅れを短くするための一つの解決手段としてMgO膜の上に結晶体粉末を含む結晶酸化マグネシウム層を設ける技術が提案されている。上記特許文献1によれば、200ないし300nm内(特に235nm付近)にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体の粉末を設けることにより、そのピーク波長に対応したエネルギ準位によって電子を長時間トラップできるので、該電子が放電開始に必要な初期電子として取り出され、放電遅れが減少すると推測している。なお、上記特許文献1には、所定波長にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行うMgO結晶体の粉末を得るために、該粉末の分級を行って所定の粒径以上のMgO結晶体の頻度分布が多くなるようにする旨が記載されている。   In Patent Document 1 described above, a technique for providing a crystalline magnesium oxide layer containing crystalline powder on an MgO film is proposed as one solution for shortening the discharge delay. According to the above-mentioned Patent Document 1, by providing a powder of magnesium oxide crystal that emits cathode luminescence light having a peak within 200 to 300 nm (especially around 235 nm), electrons are emitted by energy levels corresponding to the peak wavelength. Since it can be trapped for a long time, it is assumed that the electrons are taken out as initial electrons necessary for the start of discharge and the discharge delay is reduced. In addition, in Patent Document 1, in order to obtain a powder of MgO crystal that performs cathodoluminescence emission having a peak at a predetermined wavelength, the powder is classified and the frequency distribution of MgO crystals having a predetermined particle diameter or more is obtained. It is described that the amount of the increase is increased.

<MgO膜の表面に複数のMgO結晶体粉末を配置する技術の検討>
しかしながら、本発明者が上記特許文献1に記載される構成について検討した所、上記構成ではPDP内での特性の分布あるいはPDP個々の特性を一様にそろえることが難しいという課題があることを見出した。
<Examination of technology for arranging a plurality of MgO crystal powders on the surface of MgO film>
However, when the present inventor has examined the configuration described in Patent Document 1, it has been found that there is a problem that it is difficult to uniformly distribute the distribution of characteristics within the PDP or the characteristics of each PDP. It was.

すなわち、PDPの面内において一様に放電遅れを短くするためには、MgO結晶体を配置する量を多くする必要があり、MgO膜の表面がMgO結晶体で覆われることとなる。しかしこの場合、MgO結晶体を形成しない場合と比較して、MgO結晶体が放電空間に露出する表面積が大きくなる。MgOはCOやHOなどの不純物を吸着し易い性質を有しており、表面積の増大に伴って増加した不純物により蛍光体(特に緑色の発光特性を有する蛍光体)が劣化して緑色の発光が弱くなり、表示色に赤みが増す色ムラ(いわゆる画面内における赤ムラ)が顕著になる。 That is, in order to uniformly shorten the discharge delay in the plane of the PDP, it is necessary to increase the amount of the MgO crystal disposed, and the surface of the MgO film is covered with the MgO crystal. However, in this case, the surface area at which the MgO crystal is exposed to the discharge space is larger than when no MgO crystal is formed. MgO has the property of easily adsorbing impurities such as CO 2 and H 2 O, and the phosphor (especially a phosphor having a green emission characteristic) deteriorates due to the increased impurity as the surface area increases, resulting in a green color. Light emission becomes weak, and color unevenness (so-called red unevenness in the screen) in which the display color is increased in red becomes noticeable.

<MgO結晶体の配置量を少なくする技術の検討>
そこで、本発明者は、MgO結晶体を付着させる量を少なくしてMgO膜の露出面積を向上させる技術について検討を行った結果、例えば、上記特許文献1に記載されるMgO結晶体を配置する量を単に少なくした場合に生じる新たな課題を見出した。
<Study of technology to reduce the amount of MgO crystal>
Therefore, as a result of studying a technique for improving the exposed area of the MgO film by reducing the amount of the MgO crystal to be deposited, the present inventor arranges the MgO crystal described in Patent Document 1, for example. We found a new problem that arises when the amount is simply reduced.

すなわち、第1にMgO膜上に配置するMgOの結晶粒子の大きさおよび個数にばらつきがある場合、表示の最小発光単位である放電セルの面積当たりに付着するMgO結晶粒子がばらつく。この結果、表示放電におけるプライミング電子の供給量がセル毎に異なることとなり、放電セル毎の発光輝度がばらつくことになる。この現象は、PDPの点灯時にあたかも細かい粒子状の明暗ムラが視認されるため、粒状ムラと呼ばれ、PDPの表示不良を発生させる原因となる。   That is, first, when there are variations in the size and number of MgO crystal particles arranged on the MgO film, MgO crystal particles adhering to the area of the discharge cell, which is the minimum light emission unit of display, vary. As a result, the amount of priming electrons supplied in the display discharge varies from cell to cell, and the light emission luminance varies from discharge cell to discharge cell. This phenomenon is referred to as granular unevenness because fine particle-like light and dark unevenness is visually recognized when the PDP is turned on, and causes a display failure of the PDP.

また、第2に放電遅れについて、MgO結晶体の配置量を単に少なくするのみでは、プライミング電子の供給量が少なくなるため、結果として放電遅れを短くすることができない。なお、上記特許文献1では、分級によりMgO結晶体における粒径の大きい結晶体の粒度分布(頻度分布)の割合を大きくすることで、MgO結晶体の粉末の量が少なくて済む旨が記載されている。しかし、単に分級を行っただけでは、上記特許文献1の図6あるいは図7に記載されるように各MgO結晶体に付着している微細なMgO結晶粒子を取り除くことができない。また、分級時の衝撃等によりMgO結晶体の一部(特に立方体の頂部)が損傷する場合がある。また、損傷片がMgO結晶体を配置した後にMgO膜に付着する場合もある。このため、MgO結晶体の放電空間に対向する面の配向が揃わず、少ない配置量では、十分にプライミング電子を供給することができなくなるため、放電遅れを短くすることができない。   Second, regarding the discharge delay, simply reducing the amount of MgO crystal disposed reduces the amount of priming electrons supplied, and as a result, the discharge delay cannot be shortened. Note that the above-mentioned Patent Document 1 describes that the amount of MgO crystal powder can be reduced by increasing the particle size distribution (frequency distribution) ratio of a crystal having a large particle size in the MgO crystal by classification. ing. However, simply performing classification cannot remove fine MgO crystal particles adhering to each MgO crystal as described in FIG. 6 or FIG. In addition, a part of the MgO crystal (particularly the top of the cube) may be damaged due to impact during classification or the like. Further, the damaged piece may adhere to the MgO film after the MgO crystal is disposed. For this reason, the orientation of the surface facing the discharge space of the MgO crystal is not uniform, and with a small amount of arrangement, priming electrons cannot be supplied sufficiently, so that the discharge delay cannot be shortened.

また、第3に所定波長にピークを有するカソード・ルミネセンス発光を行うMgO結晶体の粉末を集めるために分級工程を必要とするため、製造工程が煩雑になり、製造効率が低下するという課題がある。   Third, since a classification process is required to collect the powder of the MgO crystal that performs cathodoluminescence emission having a peak at a predetermined wavelength, the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing efficiency decreases. is there.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、PDPの放電遅れを改善しつつ、かつ、PDPの表示不良の発生を防止することができる技術を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of improving the discharge delay of the PDP and preventing the display failure of the PDP.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

上記課題を解決するため、本発明者が検討および実験を行った結果、MgO膜上にMgO結晶粒子を配置し、MgO膜の被覆率を10%以下とすることにより、前記した画面内における赤ムラの発生、あるいは放電電圧の上昇を抑制できることが判明した。また、MgO結晶粒子の累積粒度分布を所定の値以下とすることによりMgO結晶粒子を付着させる量を少なくしても、粒状ムラの発生を防止できることを実験的に見出した。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted examinations and experiments. As a result, by arranging MgO crystal particles on the MgO film and setting the coverage of the MgO film to 10% or less, the red in the above-described screen is obtained. It has been found that occurrence of unevenness or increase in discharge voltage can be suppressed. Further, it has been experimentally found that the occurrence of granular unevenness can be prevented even if the amount of MgO crystal particles attached is reduced by setting the cumulative particle size distribution of MgO crystal particles to a predetermined value or less.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

すなわち、本発明の一つの実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルは、放電ガスを封入して形成された放電空間を介して対向する一対の基板構造体を備え、前記一対の基板構造体の一方は、基板上に配置された複数の表示電極対と、前記複数の表示電極対を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆する保護層とを有している。ここで、前記保護層は前記誘電体層の表面に積層されるMgO膜と、前記MgO膜上に付着する複数のMgO結晶粒子とを備えている。また、前記MgO膜の表面の被覆率は10%以下である。また、前記複数のMgO結晶粒子の累積粒度分布の累積90%値を3.98μm以下とするものである。   That is, the plasma display panel in one embodiment of the present invention includes a pair of substrate structures facing each other through a discharge space formed by enclosing a discharge gas, and one of the pair of substrate structures is A plurality of display electrode pairs disposed on the substrate, a dielectric layer covering the plurality of display electrode pairs, and a protective layer covering the dielectric layer. Here, the protective layer includes an MgO film stacked on the surface of the dielectric layer and a plurality of MgO crystal particles attached on the MgO film. The coverage of the surface of the MgO film is 10% or less. The cumulative 90% value of the cumulative particle size distribution of the plurality of MgO crystal particles is set to 3.98 μm or less.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。   Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

すなわち、PDPの放電遅れを改善しつつ、かつ、PDPの表示不良の発生を防止することができる。   That is, it is possible to improve the discharge delay of the PDP and prevent the display failure of the PDP.

本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。   Before describing the present invention in detail, the meaning of terms in the present application will be described as follows.

「MgO結晶単粒子」とは、MgOで構成される結晶体の一次粒子(単粒子)をいう。したがって、「MgO結晶単粒子」には複数の単粒子が凝集した凝集体や塊体などの二次粒子は含まれない。一方、「MgO結晶粒子」は、MgO結晶単粒子の他、複数のMgO結晶単粒子が凝集した凝集体や塊体などの二次粒子を含めた総称として用いる。   “MgO crystal single particle” means a primary particle (single particle) of a crystal composed of MgO. Accordingly, the “MgO crystal single particle” does not include secondary particles such as aggregates or aggregates in which a plurality of single particles are aggregated. On the other hand, “MgO crystal particles” are used as a general term including secondary particles such as aggregates and aggregates in which a plurality of MgO crystal single particles are aggregated in addition to MgO crystal single particles.

「累積粒度分布」とは、特定の粒子径以下の粒子が全体に占める割合を示したものである。つまり、累積50%値とは、その粒子径以下の粒子が全体の50%を占めることを意味する。例えば、図8の(B)を用いて説明すると、累積50%値は1.27μmであり、1.27μm以下の粒子が全体の50%を占めることを示している。   The “cumulative particle size distribution” indicates a ratio of particles having a specific particle size or less to the whole. In other words, the cumulative 50% value means that particles having a particle size equal to or less than 50% occupy the whole. For example, referring to FIG. 8B, the cumulative 50% value is 1.27 μm, indicating that particles of 1.27 μm or less occupy 50% of the total.

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。   In the following embodiments, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments. However, unless otherwise specified, they are not irrelevant to each other. There are some or all of the modifications, details, supplementary explanations, and the like.

また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は原則として省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。   Also, components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof is omitted in principle. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<1.PDPの基本構造>
まず、図1および図2を用いて本実施の形態のPDPの構造の一例についてカラー表示用のAC駆動型の3電極面放電型PDPを例に説明する。図1は本実施の形態のPDPの要部を拡大して示す要部拡大組み立て斜視図、図2は図1に示す前面基板構造体の上下を反転させて保護層の表面状態を示す要部拡大斜視図である。
<1. Basic structure of PDP>
First, an example of the structure of the PDP of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2 by taking an AC drive type three-electrode surface discharge type PDP for color display as an example. FIG. 1 is an enlarged perspective view of an essential part of an enlarged PDP according to the present embodiment, and FIG. 2 is an essential part showing the surface state of a protective layer by inverting the front substrate structure shown in FIG. It is an expansion perspective view.

図1において、PDP1は放電ガスを封入して形成された放電空間24を介して対向する一対の基板構造体である前面基板構造体11と背面基板構造体12とを有している。   In FIG. 1, the PDP 1 has a front substrate structure 11 and a rear substrate structure 12 which are a pair of substrate structures facing each other via a discharge space 24 formed by enclosing a discharge gas.

前面基板構造体11は、前面基板(第1基板)13上に配置された複数の表示電極対であるX電極14およびY電極15と、これらの表示電極対を被覆する誘電体層17と、この誘電体層を被覆する保護層18とを有している。また、保護層18は、図2に示すように誘電体層17の表面に積層されるMgO(酸化マグネシウム)膜18aと、MgO膜18a上に付着する複数のMgO結晶粒子18bとを備えている。   The front substrate structure 11 includes a plurality of display electrode pairs X and Y electrodes 15 disposed on a front substrate (first substrate) 13, a dielectric layer 17 covering these display electrode pairs, And a protective layer 18 covering the dielectric layer. Further, as shown in FIG. 2, the protective layer 18 includes a MgO (magnesium oxide) film 18a stacked on the surface of the dielectric layer 17, and a plurality of MgO crystal particles 18b attached on the MgO film 18a. .

前面基板構造体11と背面基板構造体12とは対向配置された状態で重ね合わされ、その間に放電空間24を有している。つまり、前面基板構造体11と背面基板構造体12とは放電空間24を介して対向配置されている。   The front substrate structure 11 and the back substrate structure 12 are overlapped with each other so as to face each other, and have a discharge space 24 therebetween. That is, the front substrate structure 11 and the back substrate structure 12 are disposed to face each other with the discharge space 24 interposed therebetween.

前面基板構造体11はPDP1の表示面となる第1の面13aを有し、例えばガラス基板である前面基板13を有している。前面基板13の第1の面13aの反対側の面(内面)にはPDP1の表示電極であるX電極(表示電極)14と、Y電極(表示電極、走査電極)15とがそれぞれ複数形成されている。   The front substrate structure 11 has a first surface 13a serving as a display surface of the PDP 1, and includes a front substrate 13 which is a glass substrate, for example. A plurality of X electrodes (display electrodes) 14 and display electrodes (scanning electrodes) 15 that are display electrodes of the PDP 1 are formed on the surface (inner surface) opposite to the first surface 13 a of the front substrate 13. ing.

X電極14およびY電極15は維持放電(表示放電)を行うための一対の表示電極対を構成し、例えば、行方向DXに沿って帯状に延在するようにそれぞれ交互に配置されている。この一対のX電極14とY電極15とがPDP1における行方向DXの表示ラインを構成する。なお、図1では、二対のX電極14およびY電極15を拡大して示しているが、PDP1は、この表示ラインの行数に応じて複数のX電極14およびY電極15を有している。   The X electrode 14 and the Y electrode 15 constitute a pair of display electrodes for performing a sustain discharge (display discharge), and are alternately arranged so as to extend in a strip shape along the row direction DX, for example. The pair of X electrode 14 and Y electrode 15 form a display line in the row direction DX in the PDP 1. In FIG. 1, two pairs of the X electrode 14 and the Y electrode 15 are shown in an enlarged manner. However, the PDP 1 has a plurality of X electrodes 14 and Y electrodes 15 according to the number of display lines. Yes.

このX電極14およびY電極15は一般に例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やSnOなどの透明な電極材料で構成されるX透明電極14a、Y透明電極15aと、例えば、Ag、Au、Al、Cu、Cr、あるいはこれらの積層体(例えばCr/Cu/Crの積層体)などからなるXバス電極14b、Yバス電極15bとで構成される。 The X electrode 14 and the Y electrode 15 are generally composed of, for example, an X transparent electrode 14a and a Y transparent electrode 15a made of a transparent electrode material such as ITO (Indium Tin Oxide) or SnO 2 , for example, Ag, Au, Al, An X bus electrode 14b and a Y bus electrode 15b made of Cu, Cr, or a stacked body thereof (for example, a stacked body of Cr / Cu / Cr) are formed.

X透明電極14a、Y透明電極15aは主に維持放電に寄与し、蛍光体の発光を前面基板13側から観察することができるように光透過性がXバス電極14b、Yバス電極15bよりも高い。一方Xバス電極14b、Yバス電極15bは駆動用の電流を低抵抗で流すため、X透明電極14a、Y透明電極15aよりも抵抗の低い金属材料を用いる。   The X transparent electrode 14a and the Y transparent electrode 15a mainly contribute to the sustain discharge, and the light transmittance is higher than that of the X bus electrode 14b and the Y bus electrode 15b so that the light emission of the phosphor can be observed from the front substrate 13 side. high. On the other hand, the X bus electrode 14b and the Y bus electrode 15b use a metal material having a lower resistance than the X transparent electrode 14a and the Y transparent electrode 15a in order to pass a driving current with a low resistance.

前面基板(第1基板)13の一方の面(第1の面13aの反対側に位置する面)に表示電極対(X電極14およびY電極15)を形成する工程は例えば以下のように行う。すなわち、透明な電極材料やAg、Auについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用いて、またその他の金属については蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術とを用いることにより、所定の本数、厚さ、幅および間隔で形成することができる。   The step of forming the display electrode pair (X electrode 14 and Y electrode 15) on one surface of the front substrate (first substrate) 13 (the surface located on the opposite side of the first surface 13a) is performed as follows, for example. . That is, by using a thick film forming technique such as screen printing for transparent electrode materials, Ag, and Au, and by using a thin film forming technique such as a vapor deposition method and a sputtering method and an etching technique for other metals, It can be formed with a predetermined number, thickness, width and interval.

図1では、X透明電極14a、Y透明電極15aが帯状に延びる形状を示しているが、X透明電極14a、Y透明電極15aの電極構造はこれに限定されない。例えば、維持放電の安定化や放電効率の向上のため、一対の電極対間の最短距離(放電ギャップと呼ばれる)がセルに対応して近づくようにXバス電極14b、Yバス電極15bと重なる位置からそれぞれ対向する方向に突出部を形成する構造としても良い。また、突出部の形状もストレート形、T字形又は梯子形等種々の変形例を用いることができる。また、X電極14とY電極15の電極構造も図1に示す形状には限定されず、例えば、これらの表示電極対を等間隔に配置して、隣接するX電極14とY電極15との間がすべて表示ラインになる、いわゆるALIS(Alternate Lighting of Surface Method)と呼ばれる構造としても良い。   In FIG. 1, the X transparent electrode 14a and the Y transparent electrode 15a extend in a strip shape, but the electrode structures of the X transparent electrode 14a and the Y transparent electrode 15a are not limited thereto. For example, in order to stabilize sustain discharge and improve discharge efficiency, the position where the shortest distance between the pair of electrodes (referred to as a discharge gap) overlaps with the X bus electrode 14b and the Y bus electrode 15b so as to approach the cell. It is good also as a structure which forms a protrusion part in the direction which respectively opposes. Also, various modifications such as a straight shape, a T-shape or a ladder shape can be used for the shape of the protruding portion. Further, the electrode structure of the X electrode 14 and the Y electrode 15 is not limited to the shape shown in FIG. 1. For example, these display electrode pairs are arranged at equal intervals, and the adjacent X electrode 14 and Y electrode 15 are arranged. A structure called a so-called ALIS (Alternate Lighting of Surface Method) in which all the gaps become display lines may be adopted.

これらの電極群(X電極14、Y電極15)は、主にSiOなどのガラス材料で構成される誘電体層17で被覆されている。表示電極対を被覆するように誘電体層17を形成する工程は例えば以下のように行う。すなわち、誘電体層17は、例えば低融点ガラス粉末を主成分とするフリットペーストを、前面基板13上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。他に、いわゆるグリーンシートと呼ばれるシート状の誘電体シートを貼り付けて焼成する方法で形成することもできる。あるいは、プラズマCVD法でSiO膜を成膜することにより形成してもよい。 These electrodes (X electrodes 14, Y electrodes 15) is mainly covered by the configured dielectric layers 17 of a glass material such as SiO 2. The step of forming the dielectric layer 17 so as to cover the display electrode pair is performed as follows, for example. That is, the dielectric layer 17 is formed by, for example, applying a frit paste mainly composed of a low melting point glass powder on the front substrate 13 by a screen printing method and baking it. In addition, a sheet-like dielectric sheet called a so-called green sheet can be attached and fired. Alternatively, it may be formed by depositing SiO 2 film by a plasma CVD method.

誘電体層17の内面側には、表示の際の放電(主に維持放電)により生じるイオンの衝突による衝撃から誘電体層17を保護するための保護層18が形成されている。このため保護層18は誘電体層17の表面を被覆するように形成されている。この保護層18の詳細な構造、機能、および誘電体層17の表面に保護層18を形成する工程の詳細については後述する。   A protective layer 18 is formed on the inner surface side of the dielectric layer 17 to protect the dielectric layer 17 from impact caused by ion collision caused by discharge (mainly sustain discharge) during display. Therefore, the protective layer 18 is formed so as to cover the surface of the dielectric layer 17. The detailed structure and function of the protective layer 18 and details of the process of forming the protective layer 18 on the surface of the dielectric layer 17 will be described later.

一方、背面基板構造体12は、例えばガラス基板である背面基板19を有している。背面基板19の前面基板構造体11と対向する面(内側面)上には、複数のアドレス電極20が形成されている。各アドレス電極20は、X電極14およびY電極15が延在する方向と交差する(略直交する)列方向DYに沿って延在するように形成されている。また、各アドレス電極20は、互いに略平行となるように所定の配置間隔を持って配置されている。   On the other hand, the back substrate structure 12 has a back substrate 19 which is, for example, a glass substrate. A plurality of address electrodes 20 are formed on the surface (inner surface) of the back substrate 19 facing the front substrate structure 11. Each address electrode 20 is formed so as to extend along a column direction DY intersecting (substantially orthogonal to) the direction in which the X electrode 14 and the Y electrode 15 extend. The address electrodes 20 are arranged with a predetermined arrangement interval so as to be substantially parallel to each other.

アドレス電極20を構成する材料としては、Xバス電極14b、Yバス電極15bと同様に例えば、Ag、Au、Al、Cu、Cr、あるいはこれらの積層体(例えばCr/Cu/Crの積層体)などを用いることができる。また、アドレス電極20に用いる材料に応じて厚膜形成技術あるいは蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術とを用いることにより、所定の本数、厚さ、幅および間隔で形成することができる。   The material constituting the address electrode 20 is, for example, Ag, Au, Al, Cu, Cr, or a laminated body thereof (for example, a laminated body of Cr / Cu / Cr), similar to the X bus electrode 14b and the Y bus electrode 15b. Etc. can be used. Further, by using a thick film forming technique or a thin film forming technique such as a vapor deposition method or a sputtering method and an etching technique according to the material used for the address electrode 20, it can be formed with a predetermined number, thickness, width and interval. it can.

このアドレス電極20と、前面基板構造体11に形成されたY電極15とは、セル25の点灯/非点灯を選択するための放電であるアドレス放電を行うための電極対を構成する。つまり、Y電極15は維持放電用の電極としての機能とアドレス放電用の電極(走査電極)としての機能とを併せ持っている。   The address electrode 20 and the Y electrode 15 formed on the front substrate structure 11 constitute an electrode pair for performing address discharge, which is discharge for selecting lighting / non-lighting of the cell 25. That is, the Y electrode 15 has both a function as a sustain discharge electrode and a function as an address discharge electrode (scanning electrode).

アドレス電極20は、誘電体層21で被覆されている。誘電体層21は前面基板13上の誘電体層17と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。誘電体層21上には背面基板構造体12の厚さ方向に伸びる複数の隔壁22が形成されている。隔壁22はアドレス電極20が延在する列方向DYに沿ってライン状に延在するように形成されている。前面基板構造体11と背面基板構造体12とは、保護層18が形成された面と隔壁22が形成された面とが対向した状態で固定されている。隔壁22の平面上の位置は、隣り合うアドレス電極20の間に配置されている。隔壁22を隣り合うアドレス電極20の間に配置することにより、各アドレス電極の位置に対応して誘電体層21の表面を列方向DYに区分けする放電空間24が形成される。なお、隔壁22の形状は、図1に示すライン状の他、ミアンダ形、格子形又は梯子形など種々の変形例を適用することができる。   The address electrode 20 is covered with a dielectric layer 21. The dielectric layer 21 can be formed using the same material and the same method as the dielectric layer 17 on the front substrate 13. A plurality of partition walls 22 extending in the thickness direction of the back substrate structure 12 are formed on the dielectric layer 21. The barrier ribs 22 are formed to extend in a line along the column direction DY in which the address electrodes 20 extend. The front substrate structure 11 and the rear substrate structure 12 are fixed in a state where the surface on which the protective layer 18 is formed and the surface on which the partition wall 22 is formed are opposed to each other. A position on the plane of the partition wall 22 is disposed between the adjacent address electrodes 20. By disposing the barrier ribs 22 between the adjacent address electrodes 20, a discharge space 24 for dividing the surface of the dielectric layer 21 in the column direction DY corresponding to the position of each address electrode is formed. In addition to the line shape shown in FIG. 1, various modifications such as a meander shape, a lattice shape, or a ladder shape can be applied to the shape of the partition wall 22.

隔壁22を形成する工程は、サンドブラスト法、フォトエッチング法などにより形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒などからなるフリットペーストを誘電体層21上に塗布して乾燥させた後、そのフリットペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹き付けて、マスクの開口部に露出したフリットペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光および現像の後、焼成することにより形成する。   The step of forming the partition wall 22 can be formed by a sand blast method, a photo etching method, or the like. For example, in the sandblasting method, a frit paste made of a low melting glass frit, a binder resin, a solvent or the like is applied on the dielectric layer 21 and dried, and then a cutting mask having an opening of a partition pattern is formed on the frit paste layer. It is formed by spraying cutting particles in the provided state, cutting the frit paste layer exposed at the opening of the mask, and further firing. In the photo-etching method, instead of cutting with cutting particles, a photosensitive resin is used as the binder resin, and it is formed by baking after exposure and development using a mask.

アドレス電極20上の誘電体層21の上面、および隔壁22の側面には、真空紫外線により励起されて赤(R)、緑(G)、青(B)の各色の可視光を発生する蛍光体23r、23g、23bがそれぞれ所定の位置に形成されている。隔壁22で区画された領域に蛍光体23r、23g、23bを形成する工程は例えば以下のように行う。まず、各色の発光特性を有する蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストをそれぞれ準備する。この蛍光体ペーストを隔壁で区切られた放電空間内にスクリーン印刷またはディスペンサを用いた方法などで塗布し、これを各色ごとに繰り返した後、焼成することにより形成している。   Phosphors that generate red (R), green (G), and blue (B) visible light on the upper surface of the dielectric layer 21 on the address electrodes 20 and the side surfaces of the barrier ribs 22 when excited by vacuum ultraviolet rays. 23r, 23g, and 23b are formed at predetermined positions, respectively. The step of forming the phosphors 23r, 23g, and 23b in the region partitioned by the barrier ribs 22 is performed as follows, for example. First, phosphor pastes containing phosphor powders having emission characteristics of respective colors, a binder resin, and a solvent are prepared. This phosphor paste is formed by applying the phosphor paste in a discharge space partitioned by barrier ribs by a method using screen printing or a dispenser, and repeating this for each color, followed by firing.

また、蛍光体23r、23g、23bは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料(いわゆるグリーンシート)を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所定の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色ごとに繰り返すことで、対応する隔壁22間に各色の蛍光体23を形成することができる。   The phosphors 23r, 23g, and 23b can also be formed by a photolithography technique using a sheet-like phosphor layer material (so-called green sheet) containing phosphor powder, a photosensitive material, and a binder resin. In this case, a phosphor sheet of each color is formed between the corresponding barrier ribs 22 by applying a sheet of a predetermined color to the entire display area on the substrate, performing exposure and development, and repeating this for each color. Can do.

また、各放電空間24には、放電ガスと呼ばれる希ガスなどのガスが所定の圧力で封入されている。放電ガスとしては、例えばXeの分圧比が数%〜数十%に調整されたXe−Neなどの混合ガスを用いることができる。   Each discharge space 24 is filled with a gas such as a rare gas called a discharge gas at a predetermined pressure. As the discharge gas, for example, a mixed gas such as Xe-Ne whose Xe partial pressure ratio is adjusted to several percent to several tens percent can be used.

PDP1は、上記した前面基板13の表示電極対を形成した面と、背面基板19とを放電空間24を介して対向配置して組み立てることにより得られる。この組み立てる工程には、前面基板13と背面基板19との位置合わせ工程、各基板(前面基板13および背面基板19)の間の外周部を例えばシールフリットと呼ばれる低融点ガラス材料を用いて封止する封止工程、PDP1の内部空間に残るガスを排気して、放電ガスを充填する工程などが含まれる。   The PDP 1 can be obtained by assembling the surface of the front substrate 13 on which the display electrode pair is formed and the rear substrate 19 so as to face each other with the discharge space 24 therebetween. In this assembling process, the alignment process between the front substrate 13 and the back substrate 19 is performed, and the outer peripheral portion between each substrate (the front substrate 13 and the back substrate 19) is sealed using, for example, a low melting glass material called a seal frit. A sealing process, a process of exhausting the gas remaining in the internal space of the PDP 1 and filling a discharge gas, and the like.

PDP1では、一対のX電極14、Y電極15とアドレス電極20との交差に対応して1個のセル25が構成される。つまり、セル25は表示電極対(X電極14とY電極15の対)とアドレス電極20の交差毎に形成される。セル25の平面積は一対のX電極14とY電極15の配置間隔と、隔壁22の配置間隔により規定される。また、各セル25には、赤用の蛍光体23r、緑用の蛍光体23g、または青用の蛍光体23bのいずれかがそれぞれ形成されている。   In the PDP 1, one cell 25 is configured corresponding to the intersection of the pair of X electrode 14, Y electrode 15, and address electrode 20. That is, the cell 25 is formed at each intersection of the display electrode pair (a pair of the X electrode 14 and the Y electrode 15) and the address electrode 20. The plane area of the cell 25 is defined by the arrangement interval of the pair of X electrodes 14 and Y electrodes 15 and the arrangement interval of the partition walls 22. Each cell 25 is formed with one of a red phosphor 23r, a green phosphor 23g, and a blue phosphor 23b.

このR、G、Bの各セル25のセットにより画素(ピクセル)が構成される。つまり、各蛍光体23r、23g、23bはPDP1の発光素子であり維持放電によって発生する所定波長の真空紫外線に励起されて赤(R)、緑(G)、青(B)の各色の可視光を発光する。   A set of R, G, and B cells 25 constitutes a pixel. That is, each of the phosphors 23r, 23g, and 23b is a light emitting element of the PDP 1, and is excited by vacuum ultraviolet rays having a predetermined wavelength generated by the sustain discharge, and visible light of each color of red (R), green (G), and blue (B). Is emitted.

なお、図1ではアドレス電極20を背面基板構造体12に形成する例について示したが、アドレス電極20を前面基板構造体11に形成することもできる。この場合、図1に示す誘電体層17を複数層構造として、第1層目の誘電体層で表示電極対を被覆し、この第1層目と第2層目の誘電体層の間にアドレス電極20を形成することができる。   Although FIG. 1 shows an example in which the address electrode 20 is formed on the back substrate structure 12, the address electrode 20 can also be formed on the front substrate structure 11. In this case, the dielectric layer 17 shown in FIG. 1 has a multi-layer structure, and the display electrode pair is covered with the first dielectric layer, and between the first dielectric layer and the second dielectric layer. The address electrode 20 can be formed.

<2.保護層の詳細構造および機能>
次に図1および図2に示す保護層18の詳細な構造および機能について図1〜図11を用いて説明する。図3は、MgO結晶粒子の粒度分布モデルを説明するための説明図である。また、図4および図5は図2に示すMgO結晶粒子の一例を示す図であって、図4はMgO結晶単粒子を示す斜視図、図5は3個のMgO結晶単粒子の側面が密着して凝集した凝集体を示す説明図である。また、図6は図2に示すMgO膜とMgO結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。また、図7は図2〜図6に示すMgO結晶粒子を調製するための解砕工程における特に好ましい解砕方法の実施態様を説明するための説明図である。また、図8は図2〜図6に示すMgO結晶粒子を調製するための解砕工程における解砕方法毎のMgO結晶粒子の累積粒度分布を示す説明図である。また図10および図11はそれぞれ本実施の形態に対する比較例であるMgO膜とMgO結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。
<2. Detailed structure and function of protective layer>
Next, the detailed structure and function of the protective layer 18 shown in FIGS. 1 and 2 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining a particle size distribution model of MgO crystal particles. 4 and 5 are diagrams showing an example of the MgO crystal particles shown in FIG. 2. FIG. 4 is a perspective view showing the MgO crystal single particles, and FIG. 5 shows the side surfaces of the three MgO crystal single particles in close contact. It is explanatory drawing which shows the aggregate which aggregated. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the microscopic relationship between the MgO film and MgO crystal particles shown in FIG. Moreover, FIG. 7 is explanatory drawing for demonstrating the embodiment of the especially preferable crushing method in the crushing process for preparing the MgO crystal particle shown in FIGS. Moreover, FIG. 8 is explanatory drawing which shows the cumulative particle size distribution of the MgO crystal particle for every crushing method in the crushing process for preparing the MgO crystal particle shown in FIGS. 10 and 11 are enlarged cross-sectional views showing the microscopic relationship between an MgO film and MgO crystal particles, which are comparative examples for the present embodiment.

図2において、保護層18は誘電体層17の表面に積層されるMgO膜18aと、MgO膜18a上に付着する複数のMgO結晶粒子18bとを備えている。   In FIG. 2, the protective layer 18 includes an MgO film 18a stacked on the surface of the dielectric layer 17, and a plurality of MgO crystal particles 18b attached on the MgO film 18a.

<2−1.MgO膜>
MgO膜18aは放電空間24(図1参照)との対向面に(111)面の配向面を有している。保護層18には、誘電体層17が放電時のイオンの衝撃により劣化することを防ぐ機能とともに、二次電子を放出して放電の成長、維持を促進する機能が要求される。このため、保護層18には二次電子放出係数の高いMgOが用いられるが、特に放電空間24との対向面を(111)面とすることにより(100)面とした場合よりも高い二次電子放出係数が得られる。PDP1はMgO膜18aの放電空間24との対向面を(111)面とすることにより、二次電子放出係数を向上させることができるので、放電電圧を低減することができる。すなわち、PDP1は消費電力を低減することができる。なお、MgO膜18aの表面の配向は主として(111)面を有しているが、MgO膜18aの表面が(111)面以外の配向面を含んだ実施態様を排除するものではない。
<2-1. MgO film>
The MgO film 18a has a (111) oriented surface on the surface facing the discharge space 24 (see FIG. 1). The protective layer 18 is required to have a function of preventing the dielectric layer 17 from being deteriorated by the impact of ions during discharge and a function of promoting the growth and maintenance of the discharge by emitting secondary electrons. For this reason, MgO having a high secondary electron emission coefficient is used for the protective layer 18, and in particular, a secondary surface that is higher than when the (100) surface is used by setting the surface facing the discharge space 24 as the (111) surface. An electron emission coefficient is obtained. The PDP 1 can improve the secondary electron emission coefficient by setting the surface of the MgO film 18a facing the discharge space 24 as the (111) plane, so that the discharge voltage can be reduced. That is, the PDP 1 can reduce power consumption. Although the orientation of the surface of the MgO film 18a mainly has the (111) plane, the embodiment in which the surface of the MgO film 18a includes an orientation plane other than the (111) plane is not excluded.

また、MgO膜18aをMgOを主成分として構成されているが、これに耐スパッタ特性や二次電子放出係数を向上させるための添加物(例えばCaOなど)を添加することもできる。この場合、保護層18の耐スパッタ特性あるいは二次電子放出係数をさらに向上させることができる。   Further, although the MgO film 18a is composed of MgO as a main component, an additive (for example, CaO or the like) for improving the spatter resistance and the secondary electron emission coefficient can be added thereto. In this case, the spatter resistance or secondary electron emission coefficient of the protective layer 18 can be further improved.

MgO膜18aを形成する工程は、例えば電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような当該分野で公知な薄膜プロセスで形成することができる。   The step of forming the MgO film 18a can be formed by a thin film process known in the art such as an electron beam evaporation method or a sputtering method.

<2−2.MgO結晶粒子>
<2−2−1.放電遅れについて>
次に、MgO結晶粒子18bは、MgOのみからなってもよいが、結晶構造に影響を与えない程度に少量の別の成分(例えば、フラックスの残渣)を含んでいてもよい。
<2-2. MgO crystal particles>
<2-2-1. About discharge delay >
Next, the MgO crystal particles 18b may be made of only MgO, but may contain a small amount of another component (for example, flux residue) to the extent that the crystal structure is not affected.

このMgO結晶粒子18bは、アドレス放電あるいは表示放電などを行う際に放電の種火となるプライミング電子(初期荷電粒子)を放電空間24により多く供給する機能を有している。つまり、複数のMgO結晶粒子18bをMgO膜18a上に付着させることにより、放電空間24内のプライミング電子を増加させることができる。放電空間24内のプライミング電子が増加すると、放電のための電圧を印加してから放電が開始されるまでの時間を短縮することができる。例えば、アドレス放電の場合であれば、図1に示すアドレス電極20とY電極15との間に電圧が印加してからアドレス放電が開始されるまでの時間を短縮することができるので、アドレス放電における放電遅れを短くすることができる。   The MgO crystal particles 18b have a function of supplying more priming electrons (initially charged particles), which become a seed of discharge when performing address discharge or display discharge, to the discharge space 24. That is, the priming electrons in the discharge space 24 can be increased by attaching the plurality of MgO crystal particles 18b on the MgO film 18a. When the priming electrons in the discharge space 24 increase, it is possible to shorten the time from when the voltage for discharge is applied until the discharge is started. For example, in the case of address discharge, it is possible to shorten the time from when a voltage is applied between the address electrode 20 and the Y electrode 15 shown in FIG. The discharge delay in can be shortened.

MgO結晶粒子18bの配置量、すなわちMgO膜18aの表面におけるMgO結晶粒子18bの付着量を多くすると、放電空間24内のプライミング電子の供給量が増加する。   When the arrangement amount of the MgO crystal particles 18b, that is, the adhesion amount of the MgO crystal particles 18b on the surface of the MgO film 18a is increased, the supply amount of priming electrons in the discharge space 24 increases.

<2−2−2.MgO結晶粒子を付着させることによる課題と解決手段>
しかし、本発明者の検討によれば、MgO結晶粒子18bの付着量を過剰に多くしすぎるとPDP1の表示色に異常が生じる。すなわち、MgO結晶粒子18bを付着させると、MgO結晶粒子18bを付着させない場合と比較して、MgO結晶粒子18bが放電空間に露出する表面積が大きくなる。MgOはCOやHOなどの不純物を吸着し易い性質を有しており、表面積の増大に伴って増加した不純物により蛍光体(特に緑色の発光特性を有する蛍光体)が劣化して緑色の発光が弱くなり、表示色に赤みが増す色ムラ(いわゆる画面内における赤ムラ)が発生する場合がある。MgO結晶粒子18bの付着量が少ない場合、この現象は実効上無視できる程小さいが、付着量が増加するにしたがってこの現象が増大する。本発明者がこの臨界点について実験的に検討を行った結果、MgO膜18aの被覆率が10%を超えると、この現象が特に顕著になる。
<2-2-2. Problems and solutions by attaching MgO crystal particles>
However, according to the study of the present inventor, if the amount of MgO crystal particles 18b is excessively increased, the display color of the PDP 1 becomes abnormal. That is, when the MgO crystal particles 18b are attached, the surface area at which the MgO crystal particles 18b are exposed to the discharge space is larger than when the MgO crystal particles 18b are not attached. MgO has the property of easily adsorbing impurities such as CO 2 and H 2 O, and the phosphor (especially a phosphor having a green emission characteristic) deteriorates due to the increased impurity as the surface area increases, resulting in a green color. Light emission becomes weak, and color unevenness (so-called red unevenness in the screen) that increases redness in the display color may occur. When the adhesion amount of the MgO crystal particles 18b is small, this phenomenon is so small that it can be ignored effectively, but this phenomenon increases as the adhesion amount increases. As a result of the present inventors experimentally examining this critical point, this phenomenon becomes particularly significant when the coverage of the MgO film 18a exceeds 10%.

また、MgO結晶粒子18bの付着量を過剰に多くしすぎると、放電電圧が上昇することも判った。これは、MgO膜18aの表面がMgO結晶粒子18bで覆われることにより二次電子放出量が低下するためと推察される。   It has also been found that the discharge voltage increases when the amount of MgO crystal particles 18b attached is excessively large. This is presumably because the amount of secondary electron emission decreases when the surface of the MgO film 18a is covered with the MgO crystal particles 18b.

そこで、本実施の形態ではMgO結晶粒子18bの付着量を低減し、MgO膜18aの被覆率を10%以下とした。ここで、「被覆率」とは、MgO結晶粒子18bを分散配置したMgO膜18aの面に対して垂直方向に観察した際の、下地となるMgO膜18aの面積に対するMgO結晶粒子18bの面積の割合である。本実施の形態では、0.6mm×0.6mmの正方形の視野範囲について複数の測定点毎に被覆率を測定し、例えば直線的に10mm間隔で10点の測定点について測定した。視野範囲を0.6mm×0.6mmの正方形としたのは、MgO結晶粒子の累積粒度分布と被覆率の測定精度の関係から特に好ましい範囲を設定した。また、測定点の数および測定間隔については、特に限定されるものではないが、精度を向上させるため、測定点は少なくとも10点以上は測定することが好ましい。   Therefore, in the present embodiment, the adhesion amount of the MgO crystal particles 18b is reduced, and the coverage of the MgO film 18a is set to 10% or less. Here, the “coverage” means the area of the MgO crystal particles 18b relative to the area of the underlying MgO film 18a when observed in a direction perpendicular to the surface of the MgO film 18a in which the MgO crystal particles 18b are dispersed. It is a ratio. In the present embodiment, the coverage was measured for each of a plurality of measurement points in a square field of view of 0.6 mm × 0.6 mm, for example, 10 measurement points were measured linearly at 10 mm intervals. The reason why the visual field range was a 0.6 mm × 0.6 mm square was set to be a particularly preferable range from the relationship between the cumulative particle size distribution of MgO crystal particles and the measurement accuracy of the coverage. Further, the number of measurement points and the measurement interval are not particularly limited, but it is preferable to measure at least 10 measurement points in order to improve accuracy.

本実施の形態のPDP1は上記した全ての視野範囲において、被覆率が10%以下となっている。また、PDP1が有する全てのセル25において被覆率が10%以下となっている。したがって、本実施の形態におけるPDP1は、MgO結晶粒子18bが略均一に分散配置されている。   The PDP 1 according to the present embodiment has a coverage of 10% or less in all the visual field ranges described above. Further, the coverage is 10% or less in all the cells 25 of the PDP 1. Therefore, in the PDP 1 according to the present embodiment, the MgO crystal particles 18b are substantially uniformly distributed.

このようにPDP1が有する全てのセル25において被覆率が10%以下となるようにMgO結晶粒子18bの付着量を低減することにより、PDP1の表示色の異常(赤ムラ)を抑制することができることを実験的に確認した(詳細は後述する)。   Thus, by reducing the adhesion amount of the MgO crystal particles 18b so that the coverage is 10% or less in all the cells 25 of the PDP 1, the display color abnormality (red unevenness) of the PDP 1 can be suppressed. Was confirmed experimentally (details will be described later).

また、MgO結晶粒子18bを付着させない場合と比較して、放電電圧の上昇を抑制することができることを確認した。これは、被覆率を10%以下としたことによりMgO膜18aからの二次電子放出量を確保することが出来るためと推察される。   In addition, it was confirmed that an increase in discharge voltage can be suppressed as compared with the case where the MgO crystal particles 18b are not attached. This is presumably because the secondary electron emission amount from the MgO film 18a can be secured by setting the coverage to 10% or less.

<2−2−3.付着量を少なくすることによる新たな課題と解決手段−1>
ところで、MgO結晶粒子18bの付着量を低減するとMgO膜18aの表面におけるMgO結晶粒子18bの分散状態の均一性が問題となる。MgO結晶粒子18bの大きさおよび個数にばらつきがある場合、表示の最小発光単位であるセル25(図1参照)の面積当たりに付着するMgO結晶粒子18bの量がばらつく。このため、PDP1の表示信頼性の観点からは以下の課題が発生する。すなわち、表示放電におけるプライミング電子の供給量がセル25毎に異なることとなり、セル25毎の発光がばらつくことになる。すなわち、PDP1を点灯した際に細かい粒子状の明暗ムラ(粒状ムラ)が視認される。特に粒径の大きいMgO結晶粒子18bは粒子1個当りのプライミング粒子の供給量が多いため、セル25毎の発光のばらつきに与える影響が大きい。
<2-2-3. New problems and solutions by reducing the amount of adhesion-1>
By the way, when the adhesion amount of the MgO crystal particles 18b is reduced, the uniformity of the dispersed state of the MgO crystal particles 18b on the surface of the MgO film 18a becomes a problem. When the size and number of the MgO crystal particles 18b vary, the amount of the MgO crystal particles 18b adhering per area of the cell 25 (see FIG. 1), which is the minimum light emission unit of display, varies. For this reason, the following problems occur from the viewpoint of display reliability of the PDP 1. That is, the supply amount of the priming electrons in the display discharge differs for each cell 25, and the light emission for each cell 25 varies. That is, when the PDP 1 is turned on, fine particulate light-dark unevenness (granular unevenness) is visually recognized. In particular, the MgO crystal particle 18b having a large particle size has a large influence on the variation in light emission of each cell 25 because the supply amount of the priming particle per particle is large.

また、セル25の面積当たりに付着するMgO結晶粒子18bの量がばらつくと、MgO膜18aの被覆率(上述した視野範囲内の被覆率)もばらつくこととなる。この結果、放電電圧の分布がセル25毎に一様とならず、局所的に必要な放電電圧が高いセル25が発生する原因となる。これについても粒径の大きいMgO結晶粒子18bは、MgO膜18aの被覆率を大きく上昇させる要因となるので放電電圧の上昇に与える影響が大きい。   Further, when the amount of the MgO crystal particles 18b adhering per area of the cell 25 varies, the coverage of the MgO film 18a (the coverage within the visual field range described above) also varies. As a result, the distribution of the discharge voltage is not uniform for each cell 25, which causes the generation of the cell 25 having a locally high required discharge voltage. Also in this regard, the MgO crystal particles 18b having a large particle size cause a large increase in the coverage of the MgO film 18a, and thus have a great influence on the increase in discharge voltage.

そこで、本発明者がMgO結晶粒子18bの分散状態の均一性について実験および検討を行った結果、複数のMgO結晶粒子の累積粒度分布の累積90%値を3.98μm以下とすることにより、粒状ムラの顕在化を防止できることが判明した。   Therefore, as a result of experiments and studies on the uniformity of the dispersed state of the MgO crystal particles 18b by the present inventor, the cumulative 90% value of the cumulative particle size distribution of the plurality of MgO crystal particles is set to 3.98 μm or less. It has been found that the occurrence of unevenness can be prevented.

ここで、MgO結晶粒子18bの累積流度分布を累積90%値で規定する理由について説明する。粒状ムラを防止するためには前述の通り粒径の大きいMgO結晶粒子18bをいかに排除するかが重要となる。MgO結晶粒子18bの粒度分布を示す指標として累積粒度分布としては他に累積50%値、累積10%値などがある。また、頻度分布のモード径(存在比率が最も高い粒径の範囲)や平均粒径などもある。しかし、例えば図3に示すような粒度分布であった場合、累積50%値やモード径、あるいは平均粒径は粒度分布曲線(a)、(b)でそれぞれ同じ値となるが、粒状ムラを防止する上で特に排除する必要のある粒径の大きいMgO結晶粒子18bの量は大きく異なる。一方、MgO結晶粒子18bの累積流度分布を累積90%値で規定すれば、粒径の大きいMgO結晶粒子18bの量を一定割合以下とすることができる。   Here, the reason why the cumulative flow rate distribution of the MgO crystal particles 18b is defined by the cumulative 90% value will be described. In order to prevent granular unevenness, it is important how to eliminate the MgO crystal particles 18b having a large particle diameter as described above. As an index indicating the particle size distribution of the MgO crystal particles 18b, the cumulative particle size distribution includes a cumulative 50% value, a cumulative 10% value, and the like. There are also the mode diameter of the frequency distribution (the range of the particle diameter having the highest abundance ratio) and the average particle diameter. However, in the case of the particle size distribution as shown in FIG. 3, for example, the cumulative 50% value, mode diameter, or average particle size is the same in the particle size distribution curves (a) and (b), but the granular unevenness is The amount of the MgO crystal particles 18b having a large particle size that needs to be specifically excluded for prevention is greatly different. On the other hand, if the cumulative flow rate distribution of the MgO crystal particles 18b is defined by a cumulative 90% value, the amount of the MgO crystal particles 18b having a large particle size can be made a certain ratio or less.

このように累積90%値の上限を規制することにより、粒状ムラの原因となる極端に大きい粒径のMgO結晶粒子18bを排除することができるため、粒状ムラを防止ないしは抑制することができる。また、放電電圧についても被覆率を上昇させる要因となる粒径が大きい粒子を排除することにより、放電電圧の上昇を抑制することができる。   By regulating the upper limit of the cumulative 90% value in this way, it is possible to eliminate MgO crystal particles 18b having an extremely large particle diameter that causes granular unevenness, and thus it is possible to prevent or suppress granular unevenness. Further, the discharge voltage can be prevented from increasing by eliminating particles having a large particle size that cause the coverage rate to increase.

また例えば、MgO結晶粒子18bをスプレー法により分散配布する場合、過剰に粒径が大きいMgO結晶粒子18bあるいは凝集体18cは、他の粒子と比較して自重が重くなるため、飛散しにくくなる。このため、MgO結晶粒子18bの分散状態の均一性が低下する。つまり、本実施の形態では累積90%値を3.98μm以下とすることにより、粒径が過剰に大きいMgO結晶粒子18bあるいは凝集体18cを排除することができる。このため、MgO結晶粒子18bの分散状態の均一性が向上するので、粒状ムラの顕在化を防止することができる。   Further, for example, when the MgO crystal particles 18b are dispersed and distributed by the spray method, the MgO crystal particles 18b or aggregates 18c having excessively large particle diameters are heavier than other particles, and thus are difficult to scatter. For this reason, the uniformity of the dispersed state of the MgO crystal particles 18b decreases. That is, in this embodiment, by setting the cumulative 90% value to 3.98 μm or less, MgO crystal particles 18b or aggregates 18c having excessively large particle diameters can be excluded. For this reason, since the uniformity of the dispersed state of the MgO crystal particles 18b is improved, it is possible to prevent the appearance of granular unevenness.

ところで、MgO膜18aに付着する各MgO結晶粒子18bを構成するMgO結晶単粒子18b1は図4に示すようにそれぞれ立方体の形状であるが、例えば図5に示すように複数個(図5では3個)の立方体のMgO結晶単粒子18b1の側面が密着して凝集した凝集体18cが含まれていても良い。なお、図2では凝集体18cを含んだ状態を示しているが、凝集体18cを含まず、MgO膜18aに付着する全てが単粒子のMgO結晶単粒子18b1であっても良い。   Incidentally, the MgO crystal single particles 18b1 constituting the MgO crystal particles 18b adhering to the MgO film 18a have a cubic shape as shown in FIG. 4, but for example, as shown in FIG. ) Cubic MgO crystal single particles 18b1 may be included. Although FIG. 2 shows a state in which the aggregate 18c is included, the aggregate 18c may not be included, and all of the particles adhering to the MgO film 18a may be single-particle MgO crystal single particles 18b1.

MgO膜18aに付着されるMgO結晶粒子18bが凝集体18cを含まない単粒子(MgO結晶単粒子18b1)である場合には、MgO結晶単粒子18b1の累積90%値が3.98μm以下であることが粒状ムラを防止するための必要条件となるが、凝集体18cを含む場合には凝集体18cを構成する各MgO結晶単粒子18b1の粒径はこれよりさらに小さくなる。各MgO結晶単粒子18b1の単粒子としての粒径が大きくなると、各MgO結晶粒子18bの粒径にばらつきが生じやすくなるが、凝集体18cを含んだ構造とすることにより、凝集体18cの凝集の程度を制御することで、累積粒度分布を所定の範囲内に収めることができる。したがって、例えば図5に示すようにMgO結晶単粒子18b1が凝集した凝集体18cが含まれる構造とすることがより好ましい。上記した累積90%値が3.98μm以上という条件は、凝集体18cが含まれる場合には、該凝集体18cを一つの粒子とみなした場合の累積粒度分布の値となる。   When the MgO crystal particles 18b attached to the MgO film 18a are single particles (MgO crystal single particles 18b1) that do not include the aggregate 18c, the cumulative 90% value of the MgO crystal single particles 18b1 is 3.98 μm or less. This is a necessary condition for preventing the granular unevenness, but when the aggregate 18c is included, the particle diameter of each MgO crystal single particle 18b1 constituting the aggregate 18c is further reduced. When the particle diameter of each MgO crystal single particle 18b1 as a single particle increases, the particle diameter of each MgO crystal particle 18b tends to vary. However, by forming the structure including the aggregate 18c, the aggregate 18c is aggregated. By controlling the degree, the accumulated particle size distribution can be kept within a predetermined range. Therefore, for example, as shown in FIG. 5, it is more preferable to have a structure including an aggregate 18c in which MgO crystal single particles 18b1 are aggregated. The condition that the cumulative 90% value is 3.98 μm or more is the value of the cumulative particle size distribution when the aggregate 18c is regarded as one particle when the aggregate 18c is included.

MgO結晶粒子18bの累積粒度分布は、レーザー回折式の粒度分布計を用いて求めることができる。このレーザー回折式の粒度分布形では、各MgO結晶粒子18b(凝集体18cが含まれる場合には凝集体18cを1個の粒子とする)を球体とみなし各球体粒子の粒径を計測することができる。   The cumulative particle size distribution of the MgO crystal particles 18b can be obtained using a laser diffraction particle size distribution meter. In this laser diffraction type particle size distribution form, each MgO crystal particle 18b (when the aggregate 18c is included, the aggregate 18c is regarded as one particle) is regarded as a sphere, and the particle size of each sphere particle is measured. Can do.

<2−2−4.付着量を少なくすることによる新たな課題と解決手段−2>
また、本実施の形態ではMgO結晶粒子18bの付着量が少なくなるので、単にMgO結晶粒子18bの付着量を低減するのみではプライミング電子を十分に供給することができず、結果として放電遅れを短くすることができない場合がある。つまり、MgO結晶粒子18bは粒状ムラを防止するために累積度数分布の累積90%値を3.98μm以下とする必要があるが、一方で、放電遅れを改善するためには別の解決手段が必要であることが判明した。
<2-2-4. New problem and solution 2 by reducing the amount of adhesion-2>
In the present embodiment, since the amount of MgO crystal particles 18b is reduced, it is not possible to sufficiently supply priming electrons simply by reducing the amount of MgO crystal particles 18b, resulting in a short discharge delay. You may not be able to. That is, the MgO crystal particle 18b needs to have a cumulative 90% cumulative value of 3.98 μm or less in order to prevent granular unevenness. It turned out to be necessary.

本発明者が検討した結果、各MgO結晶粒子18bの放電空間24と対向する面の配向を(100)面で揃えて配置することにより、MgO結晶粒子18bの付着量を低減しても放電遅れを短くすることができることが判明した。ここで、「配向が揃う」とは、各MgO結晶粒子18bの結晶面の法線方向が互いに一致していることを意味し、この方向が一致していれば、各MgO結晶粒子18bがその法線周りに回転していても構わない。また、「放電空間24と対向する面の配向が(100)面で揃う」とは、各MgO結晶粒子18bが有する面のうち、放電空間24と対向する面、すなわち、MgO膜18aとの対向面と反対側に位置する面の配向が(100)面で揃うことを意味する。   As a result of investigation by the present inventor, by arranging the orientation of the surface of each MgO crystal particle 18b facing the discharge space 24 so as to be aligned with the (100) plane, the discharge delay is reduced even if the amount of MgO crystal particle 18b is reduced. It was found that can be shortened. Here, “alignment is aligned” means that the normal directions of the crystal planes of the MgO crystal particles 18b are coincident with each other. If the directions are coincident, the MgO crystal particles 18b are You may rotate around the normal. Further, “the orientation of the surface facing the discharge space 24 is aligned in the (100) plane” means that the surface facing each discharge space 24 among the surfaces of each MgO crystal particle 18b, that is, facing the MgO film 18a. It means that the orientation of the surface located on the opposite side of the surface is aligned in the (100) plane.

複数のMgO結晶粒子18bの配向が揃っているかどうか(すなわち、配向の均一性の程度)は、X線回折(XRD;X-Ray Diffract meter)での(200)面の信号強度と(111)面の信号強度との比に基づいて判断することができる。(200)面は、(100)面と等価であり、(200)面の信号は、複数のMgO結晶粒子18bの配向が揃っている場合に強く、複数のMgO結晶粒子18bの配向が揃っていない場合には非常に弱くなる。一方、(111)面の信号は、主にMgO膜18aからの信号であり、複数のMgO結晶粒子18bの配向が揃っているかどうかにはほとんど依存しない。したがって、{(200)面の信号強度/(111)面の信号強度}の値は、複数のMgO結晶粒子18bの放電空間24に対向する面の配向が揃っているかどうかを示す指標となる。具体的にはMgO膜の厚さ1μm当りの(200)面のX線回折信号強度測定を行い、(111)面と(200)面との信号強度比に応じて規格化した後の値と、(111)面のX線回折信号強度の値との比で評価を行い、規格化後の(200)面の値が(111)面の値の等倍以上であれば、放電遅れを短くすることができる。なお、規格化とは、(111)面と(200)面の存在比が1/1の時、実測の信号強度比は11.6/100となるのを勘案し、(111)面を基準として、(200)面の実測の信号強度に0.116を乗じることである。   Whether or not the orientations of the plurality of MgO crystal particles 18b are aligned (that is, the degree of orientation uniformity) depends on the signal intensity of the (200) plane in X-ray diffraction (XRD) and (111). Judgment can be made based on the ratio to the signal strength of the surface. The (200) plane is equivalent to the (100) plane, and the signal on the (200) plane is strong when the orientations of the plurality of MgO crystal particles 18b are aligned, and the orientations of the plurality of MgO crystal particles 18b are aligned. If not, it becomes very weak. On the other hand, the signal on the (111) plane is mainly a signal from the MgO film 18a, and hardly depends on whether the orientations of the plurality of MgO crystal particles 18b are aligned. Therefore, the value of {(200) plane signal intensity / (111) plane signal intensity} is an index indicating whether or not the orientations of the faces of the plurality of MgO crystal particles 18b facing the discharge space 24 are aligned. Specifically, the X-ray diffraction signal intensity measurement of the (200) plane per 1 μm thickness of the MgO film is performed, and the value after normalization according to the signal intensity ratio between the (111) plane and the (200) plane , And the (111) plane X-ray diffraction signal intensity value, and if the normalized (200) plane value is equal to or greater than the (111) plane value, the discharge delay is shortened. can do. Note that normalization is based on the (111) plane, taking into account that when the abundance ratio between the (111) plane and the (200) plane is 1/1, the measured signal intensity ratio is 11.6 / 100. Is obtained by multiplying the actually measured signal intensity of the (200) plane by 0.116.

次に、本実施の形態において、各MgO結晶粒子18bの配向を揃えるための具体的手段について説明する。まず、本実施の形態のMgO結晶粒子18bを構成する単粒子であるMgO結晶単粒子18b1は図4に示すように立方体の形状を成している。また、MgO結晶単粒子18b1は、(100)面の結晶面に囲まれた立方晶であり、全ての結晶面は、物理的及び化学的性質において等価である。したがって、立方体であるMgO結晶単粒子18b1の各表面はそれぞれ(100)面となっている。また、MgO結晶単粒子18b1の一つの面はMgO膜18aの表面と対向接触している。立方体であるMgO結晶単粒子18b1の一つの面をMgO膜18aの表面と対向接触させることにより、その反対側の面の法線方向は一様に揃えることができる。つまり、複数のMgO結晶粒子18bにおける放電空間24との対向面の配向を(100)面でそれぞれ揃えることができる。また、各MgO結晶単粒子18b1はそれぞれ立方体の形状であるが、例えば図5に示すように複数個(図5では3個)の立方体のMgO結晶単粒子18b1の側面が密着して凝集した凝集体18cが含まれていても良い。この場合、凝集体18cの一つの面がMgO膜18aの表面と対向接触することとなるが、凝集体18cを構成する各MgO結晶単粒子18b1は立方体なので、反対面(すなわち放電空間24に対向する面)の配向は(100)面が揃うこととなる。このようにMgO結晶粒子18bの放電空間24と対向する面の配向を揃えることにより、MgO結晶粒子18bの付着量を低減した(MgO膜18aの被覆率が10%以下とした)場合であっても放電遅れを短くすることができることが実験的に判明した(詳細は後述する)。なお、図2では凝集体18cを含んだ状態を示しているが、凝集体18cを含まず、MgO膜18aに付着する全てが単粒子のMgO結晶単粒子18b1であっても良い。   Next, specific means for aligning the orientations of the MgO crystal particles 18b in the present embodiment will be described. First, the MgO crystal single particle 18b1 which is a single particle constituting the MgO crystal particle 18b of the present embodiment has a cubic shape as shown in FIG. The MgO crystal single particle 18b1 is a cubic crystal surrounded by a (100) crystal plane, and all the crystal planes are equivalent in physical and chemical properties. Accordingly, each surface of the cubic MgO crystal single particle 18b1 is a (100) plane. One surface of the MgO crystal single particle 18b1 is in opposed contact with the surface of the MgO film 18a. By making one surface of the cubic MgO crystal single particle 18b1 in contact with the surface of the MgO film 18a, the normal direction of the opposite surface can be made uniform. That is, the orientation of the surface facing the discharge space 24 in the plurality of MgO crystal particles 18b can be made uniform in the (100) plane. Each MgO crystal single particle 18b1 has a cubic shape. For example, as shown in FIG. 5, a plurality of (three in FIG. 5) cubic MgO crystal single particles 18b1 are closely aggregated and aggregated. A collection 18c may be included. In this case, one surface of the aggregate 18c is opposed to the surface of the MgO film 18a. However, since each MgO crystal single particle 18b1 constituting the aggregate 18c is a cube, it faces the opposite surface (that is, the discharge space 24). The (100) plane is aligned. In this way, the amount of adhesion of the MgO crystal particles 18b is reduced by aligning the orientation of the surface of the MgO crystal particles 18b facing the discharge space 24 (the coverage of the MgO film 18a is 10% or less). It has also been experimentally found that the discharge delay can be shortened (details will be described later). Although FIG. 2 shows a state in which the aggregate 18c is included, the aggregate 18c may not be included, and all of the particles adhering to the MgO film 18a may be single-particle MgO crystal single particles 18b1.

また、MgO結晶単粒子18b1が有する立方体の一つの面をMgO膜18aの表面と対向接触させることにより、MgO膜18aの表面とMgO単結晶との接触が安定した面接触となるため、MgO結晶粒子18bの剥離や飛散による部分的特性変化の問題を抑制することができる。   Further, by bringing one surface of the cube of the MgO crystal single particle 18b1 into contact with the surface of the MgO film 18a, the contact between the surface of the MgO film 18a and the MgO single crystal becomes stable surface contact. It is possible to suppress the problem of partial characteristic change due to separation or scattering of the particles 18b.

次に、各MgO結晶粒子18bの粒径については以下に示す粒径とすることが好ましい。MgO結晶粒子18bの下地である例えば電子ビーム蒸着法で成膜したMgO膜18aの表面は図6に示すように微視的には頭頂部を有する柱状結晶構造の凹凸を持ち、柱状結晶の頭頂間に微細な隙間26がある。柱状結晶の頭頂間隔W1は例えば0.05μm程度である。したがって、図10に示す本実施の形態に対する比較例であるMgO結晶粒子30のように粒径が柱状結晶の頭頂間隔W1の2倍よりも小さい(0.1μm未満の)場合、頭頂間の隙間26に挟まってMgO膜18aと対向接触させられない場合がある。この場合、MgO結晶粒子30が立方体の形状を有している場合でもMgO膜18aと対向接触しないため、放電空間24と対向する面の配向は(100)面ではなくなり配向が揃わない。また、図11に示すように柱状結晶の頭頂間隔W1の2倍以上の粒径を有するMgO結晶粒子31を有していても、頭頂間隔W1の2倍よりも小さい(0.1μm未満の)粒径であるMgO結晶粒子30が含まれていると、隙間26に挟まったMgO結晶粒子30がMgO結晶粒子31とMgO膜18aとの対向接触を阻害する要因となるため、配向が揃わない。   Next, the particle diameter of each MgO crystal particle 18b is preferably set to the following particle diameter. The surface of the MgO film 18a formed by, for example, electron beam evaporation, which is the base of the MgO crystal particle 18b, has microscopic irregularities of a columnar crystal structure having a top as shown in FIG. There is a fine gap 26 between them. The head-to-top interval W1 of the columnar crystals is, for example, about 0.05 μm. Therefore, when the particle size is smaller than twice the parietal interval W1 of the columnar crystals (less than 0.1 μm) as in the MgO crystal particle 30 which is a comparative example to the present embodiment shown in FIG. 26, the MgO film 18a may not be opposed to each other. In this case, even when the MgO crystal particle 30 has a cubic shape, the MgO film 18a is not opposed to the MgO film 18a. Therefore, the orientation of the surface facing the discharge space 24 is not the (100) plane and the orientation is not uniform. Moreover, as shown in FIG. 11, even if it has MgO crystal particles 31 having a grain size that is twice or more the columnar interval W1 of the columnar crystals, it is smaller than twice the interval (1 to less than 0.1 μm). If the MgO crystal particles 30 having a particle size are included, the MgO crystal particles 30 sandwiched between the gaps 26 become a factor that inhibits the opposing contact between the MgO crystal particles 31 and the MgO film 18a.

一方、本実施の形態のMgO結晶粒子18bは頭頂間隔W1の2倍よりも小さい(0.1μm未満の)粒径の粒子を含まない、あるいは含んでいても僅かである。したがって図6に示すように下地であるMgO膜18aの表面は実質的に平坦と見なすことができ、配向を揃えるのに都合が良い。なお、配向を揃えるためには、頭頂間隔W1の2倍よりも小さい粒径(0.1μm以下)の粒子を全く含まない態様がより好ましいが、上述したようにX線回折を行った後規格化した後の(200)面の値が(111)面の値の等倍以上であれば、放電遅れを短くすることができるので、この範囲に収まる程度であれば頭頂間隔W1の2倍よりも小さい粒径(0.1μm以下)の粒子が含まれていても放電遅れを改善することはできる。   On the other hand, the MgO crystal particles 18b of the present embodiment do not include or have a small amount of particles having a particle diameter smaller than twice the parietal interval W1 (less than 0.1 μm). Therefore, as shown in FIG. 6, the surface of the underlying MgO film 18a can be regarded as substantially flat, which is convenient for aligning the orientation. In order to align the orientation, it is more preferable that no particle having a particle size (0.1 μm or less) smaller than twice the parietal interval W1 is included. However, after X-ray diffraction is performed as described above, If the value of the (200) plane after conversion is equal to or greater than the value of the (111) plane, the discharge delay can be shortened. Therefore, if it falls within this range, it is more than twice the parietal interval W1. Even if particles having a small particle size (0.1 μm or less) are contained, the discharge delay can be improved.

かかる観点から本発明者がMgO結晶粒子18bの好ましい粒径について実験したところ、累積粒度分布により表せることが判った。すなわち、複数のMgO結晶粒子18bの累積粒度分布における累積10%値を0.77μm以上とした場合には、特に各MgO結晶粒子18bの配向を(100)面で揃え易く、MgO結晶粒子18bの累積粒度分布は、レーザー回折式の粒度分布計を用いて求めることができる。このレーザー回折式の粒度分布形では、各MgO結晶粒子18b(凝集体18cが含まれる場合には凝集体18cを1個の粒子とする)を球体とみなし各球体粒子の粒径を計測することができる。   From this point of view, when the present inventor conducted an experiment on a preferable particle diameter of the MgO crystal particles 18b, it was found that it can be expressed by a cumulative particle size distribution. That is, when the cumulative 10% value in the cumulative particle size distribution of the plurality of MgO crystal particles 18b is 0.77 μm or more, the orientation of each MgO crystal particle 18b is particularly easy to align on the (100) plane, and the MgO crystal particles 18b The cumulative particle size distribution can be determined using a laser diffraction particle size distribution meter. In this laser diffraction type particle size distribution form, each MgO crystal particle 18b (when the aggregate 18c is included, the aggregate 18c is regarded as one particle) is regarded as a sphere, and the particle size of each sphere particle is measured. Can do.

MgO膜18aに付着されるMgO結晶粒子18bが凝集体18cを含まないMgO結晶単粒子18b1である場合には、MgO結晶単粒子18b1の累積10%値が0.77μm以上であることが配向を揃えるために特に好ましいが、凝集体18cを含む場合には凝集体18cを構成する各MgO結晶単粒子18b1の粒径はこれより小さくても良い。上記<2−2−3>項で説明したように凝集体18cを含んだ構造とすることにより、各MgO結晶粒子18bの粒径が所定の粒径よりも小さい場合であっても凝集体18cの凝集の程度を制御することで、累積粒度分布を所定の範囲内に収めることができる。したがって、配向を揃える観点からも例えば図5に示すようにMgO結晶粒子18bが凝集した凝集体18cが含まれる構造とすることがより好ましい。上記した累積10%値が0.77μm以上という条件は、凝集体18cが含まれる場合には、該凝集体18cを一つの粒子とみなした場合の累積粒度分布の値となる。ただし、凝集体18cを含む場合であっても凝集体18cを構成する各MgO結晶粒子18bの粒径が過剰に小さい場合、上述したように配向を揃えるための阻害要因となる。したがって、図6に示す頭頂間隔W1の2倍よりも小さい粒径(0.1μm以下)の粒子は極力少なくすることが好ましい。この観点から本発明者が検討した所、凝集体18cに含まれる各MgO結晶単粒子18b1の単粒子での累積粒度分布が、累積10%値で0.59μm以上とすれば、0.1μm以下の粒径のMgO結晶粒子18bは殆ど存在しない状態となり、特に配向を揃え易いことができることが判った。   When the MgO crystal particle 18b attached to the MgO film 18a is the MgO crystal single particle 18b1 that does not include the aggregate 18c, the cumulative 10% value of the MgO crystal single particle 18b1 is 0.77 μm or more. Although it is particularly preferable for the purpose of alignment, when the aggregate 18c is included, the particle diameter of each MgO crystal single particle 18b1 constituting the aggregate 18c may be smaller. As described in the section <2-2-3> above, by adopting a structure including the aggregate 18c, the aggregate 18c can be obtained even when the particle diameter of each MgO crystal particle 18b is smaller than a predetermined particle diameter. By controlling the degree of aggregation, the cumulative particle size distribution can be kept within a predetermined range. Therefore, from the viewpoint of aligning the orientation, for example, as shown in FIG. 5, a structure including an aggregate 18c in which MgO crystal particles 18b are aggregated is more preferable. The condition that the cumulative 10% value is 0.77 μm or more is the value of the cumulative particle size distribution when the aggregate 18c is regarded as one particle when the aggregate 18c is included. However, even when the aggregate 18c is included, if the particle diameter of each MgO crystal particle 18b constituting the aggregate 18c is excessively small, it becomes an inhibiting factor for aligning the orientation as described above. Therefore, it is preferable to reduce the number of particles having a particle size (0.1 μm or less) smaller than twice the vertex distance W1 shown in FIG. From this point of view, when the present inventor examined, if the cumulative particle size distribution of the single particles of each MgO crystal single particle 18b1 contained in the aggregate 18c is 0.59 μm or more in terms of a cumulative 10% value, 0.1 μm or less. It was found that MgO crystal particles 18b having a particle size of almost no exist, and the alignment can be made particularly easy.

ここで、MgO結晶粒子18bの累積流度分布を累積10%値で規定する理由は以下である。すなわち、配向を(100)面で揃えるためには、いかに粒径の小さいMgO結晶粒子18bを排除するかが重要となる。この粒径が小さいMgO結晶粒子18bを効果的に排除するためには累積10%値で規定することが特に有効だからである。   Here, the reason why the cumulative flow rate distribution of the MgO crystal particles 18b is defined by the cumulative 10% value is as follows. That is, in order to align the orientation in the (100) plane, it is important to eliminate the MgO crystal particles 18b having a small particle diameter. This is because, in order to effectively eliminate the MgO crystal particles 18b having a small particle diameter, it is particularly effective to define the cumulative 10% value.

<2−3.保護層を形成する工程>
図1および図2に示す誘電体層17の表面に保護層18を形成する工程には、MgO結晶粒子18bを調製する工程と、誘電体層17の表面にMgO膜18aを形成する工程と、MgO膜18aの表面にMgO膜18aの被覆率が10%以下となるように複数のMgO結晶粒子18bを付着させる工程とが含まれる。以下各工程を詳細に説明するが、誘電体層17の表面にMgO膜18aを形成する工程については、前述のように電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような当該分野で公知な薄膜プロセスで形成することができるので詳細な説明は省略する。
<2-3. Step of forming protective layer>
The step of forming the protective layer 18 on the surface of the dielectric layer 17 shown in FIGS. 1 and 2 includes the step of preparing MgO crystal particles 18b, the step of forming the MgO film 18a on the surface of the dielectric layer 17, A step of attaching a plurality of MgO crystal particles 18b to the surface of the MgO film 18a so that the coverage of the MgO film 18a is 10% or less. Each step will be described in detail below. The step of forming the MgO film 18a on the surface of the dielectric layer 17 is formed by a thin film process known in the art such as an electron beam evaporation method or a sputtering method as described above. Detailed description will be omitted.

<2−3−1.MgO結晶粒子を調製する工程>
MgO膜18aの表面に付着させるMgO結晶粒子の調製方法として、気相法により作製する方法が知られている。しかし、本実施の形態のMgO結晶粒子18bは、以下の方法で調製することが特に好ましい。
<2-3-1. Step of preparing MgO crystal particles>
As a method for preparing MgO crystal particles to be attached to the surface of the MgO film 18a, a method of manufacturing by a vapor phase method is known. However, the MgO crystal particles 18b of the present embodiment are particularly preferably prepared by the following method.

すなわち、気相法により得られるMgO種結晶とフラックス(MgO種結晶の溶融を促進させる融剤)とを混合した後焼成し、得られた焼成物を解砕することにより調製する。気相法により得られるMgO種結晶は、粒径が小さく、また、粒径のばらつきが大きいので、MgO種結晶自体をMgO膜18a上に散布してもその配向を揃えるのは困難である。一方、上記方法で調製したMgO結晶粒子18bは、粒径が比較的(MgO種結晶と比較して)大きく、また、粒径のばらつきを抑制することができる。したがって、このMgO結晶粒子18bをMgO膜18a上に散布するとMgO結晶粒子18bの累積粒度分布を上記した所定の範囲内に収めやすくなるので、配向を揃えやすくなる。   That is, it is prepared by mixing the MgO seed crystal obtained by the vapor phase method and the flux (flux that promotes melting of the MgO seed crystal) and then firing, and crushing the obtained fired product. Since the MgO seed crystal obtained by the vapor phase method has a small particle size and a large variation in particle size, it is difficult to align the orientation even if the MgO seed crystal itself is scattered on the MgO film 18a. On the other hand, the MgO crystal particles 18b prepared by the above method have a relatively large particle size (compared to the MgO seed crystal) and can suppress variations in particle size. Accordingly, when the MgO crystal particles 18b are dispersed on the MgO film 18a, the cumulative particle size distribution of the MgO crystal particles 18b is easily kept within the above-described predetermined range, so that the orientation is easily aligned.

気相法によるMgO種結晶の作製は、例えば、特開2004−182521号公報に記載された方法や、『材料』昭和62年11月号、第36巻第410号の第1157〜1161頁の『気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質』に記載された方法で行うことができる。また、気相法で作製したMgO種結晶は、宇部マテリアルズ株式会社から購入してもよい。   Preparation of MgO seed crystals by the vapor phase method is, for example, the method described in JP-A No. 2004-182521, “Materials” November 1987, Vol. 36, No. 410, pages 1157 to 1161. It can be carried out by the method described in “Synthesis and Properties of Magnesia Powder by Gas Phase Method”. Moreover, you may purchase the MgO seed crystal produced by the vapor phase method from Ube Materials Corporation.

また、フラックスはMgO種結晶の溶融を促進する反応促進剤であって、例えば、マグネシウムのハロゲン化物(フッ化マグネシウム等)を用いることができる。フラックスの添加量は、例えば、0.001〜0.1wt%とすることができる。   The flux is a reaction accelerator that promotes melting of the MgO seed crystal. For example, a magnesium halide (magnesium fluoride or the like) can be used. The amount of flux added can be, for example, 0.001 to 0.1 wt%.

また、MgO種結晶とフラックス(融剤)との混合物の焼成は、例えば、1000〜1700℃で、1〜5時間行う。得られるMgO結晶粒子18bの粒径は、焼成温度、焼成時間、あるいはフラックスの添加量に比例して大きくなる。また、MgO種結晶の粒径が小さなものほど焼成時の結晶成長の速度が速い。このため、焼成温度、焼成時間、フラックスの添加量に比例して得られるMgO結晶粒子18bの粒径のばらつきが小さくなる。したがって、MgO結晶粒子18bの累積粒度分布が上記した所定の範囲内に収まるように焼成温度、時間及びフラックスの添加量を適宜設定する。また、MgO種結晶の表面には例えば図11に示すような微細なMgO結晶粒子30が付着している場合があるが、上記のようにMgO種結晶を溶融させる方法であれば、MgO種結晶とともに微細なMgO結晶粒子30も溶融するので、得られるMgO結晶粒子18bへの微細なMgO結晶粒子30の付着を防止ないしは抑制することができる。したがって、この方法により得られるMgO結晶粒子18bは、極端に小さい粒子の付着が少なく、各単粒子の粒径がMgO種結晶と比較して大きくなる。詳しくは、この方法でMgO結晶粒子18bを調製すれば、得られる各MgO結晶単粒子18b1の単粒子での累積粒度分布は、累積10%値で0.59μm以上となる。   Further, the firing of the mixture of the MgO seed crystal and the flux (flux) is performed at 1000 to 1700 ° C. for 1 to 5 hours, for example. The particle diameter of the obtained MgO crystal particles 18b increases in proportion to the firing temperature, firing time, or amount of flux added. Further, the smaller the particle size of the MgO seed crystal, the faster the crystal growth rate during firing. For this reason, the dispersion | variation in the particle size of the MgO crystal particle 18b obtained in proportion to baking temperature, baking time, and the addition amount of a flux becomes small. Accordingly, the firing temperature, time, and flux addition amount are appropriately set so that the cumulative particle size distribution of the MgO crystal particles 18b is within the above-described predetermined range. Further, for example, fine MgO crystal particles 30 as shown in FIG. 11 may adhere to the surface of the MgO seed crystal. If the MgO seed crystal is melted as described above, the MgO seed crystal may be used. At the same time, since the fine MgO crystal particles 30 are also melted, the fine MgO crystal particles 30 can be prevented or suppressed from adhering to the resulting MgO crystal particles 18b. Therefore, the MgO crystal particles 18b obtained by this method have extremely small particle adhesion, and the particle size of each single particle is larger than that of the MgO seed crystal. Specifically, if the MgO crystal particles 18b are prepared by this method, the cumulative particle size distribution of the obtained single particles of each MgO crystal single particle 18b1 is 0.59 μm or more with a cumulative 10% value.

焼成物は多数のMgO結晶単粒子18b1が凝集した塊体18dとして得られるので、MgO膜18aに付着させる前に予め該塊体18dを解砕する。また、上記のようにフラックスと混合して焼成しない場合であってもMgO結晶粒子18bは水分などの吸着により凝集し易いため、これを解砕する必要がある。MgO結晶粒子18bの形状および累積粒度分布が上記した所定の範囲内に収まるものであれば解砕方法は特に限定されないが、以下の方法で解砕することが特に好ましい。   Since the fired product is obtained as a lump 18d in which a large number of MgO crystal single particles 18b1 are aggregated, the lump 18d is crushed in advance before adhering to the MgO film 18a. Further, even when not mixed and fired with the flux as described above, the MgO crystal particles 18b are likely to agglomerate due to adsorption of moisture or the like, so that it is necessary to disintegrate them. The crushing method is not particularly limited as long as the shape and the cumulative particle size distribution of the MgO crystal particles 18b are within the predetermined range described above, but crushing by the following method is particularly preferable.

すなわち、例えば図7に示すように、焼成物などの塊体18dを溶媒中(分散媒)に分散させて第1のスラリ18eを形成し、第1のスラリ18eを加圧しながらオリフィス(絞り孔)27を通過させることにより解砕する。焼成物などの塊体18dが非常に大きい塊で有る場合、溶媒中に分散させる前に予め小塊としておく。この小塊は、例えば、焼成物を乳鉢に入れて、それを乳棒ですり潰してにすることにより得られる。しかし、上記した所定の累積粒度分布になるまで乳鉢ですり潰すと立方体であるMgO結晶単粒子18b1の一部が欠損し易くなる。したがって、この段階では以下に述べる解砕工程の前処理として、立方体であるMgO結晶単粒子18b1に欠損が生じない程度に小塊化する。   That is, for example, as shown in FIG. 7, a lump 18d such as a fired product is dispersed in a solvent (dispersion medium) to form a first slurry 18e, and an orifice (restriction hole) is applied while pressurizing the first slurry 18e. ) Crush by passing 27. When the lump 18d such as a baked product is a very large lump, it is previously made a small lump before being dispersed in a solvent. This small lump is obtained, for example, by putting the fired product in a mortar and grinding it with a pestle. However, when the mortar is ground until the above-described predetermined cumulative particle size distribution is reached, a part of the cubic MgO crystal single particle 18b1 is easily lost. Therefore, at this stage, as a pretreatment of the crushing step described below, the cubic MgO crystal single particles 18b1 are agglomerated to such an extent that no defects are generated.

次に、焼成物などの塊体18dを溶媒中に分散させて第1のスラリ18eを形成する。第1のスラリ18eの分散媒(溶媒)は特に限定されないが、水酸基やカルボニル基やニトリル基のような極性の高い分子構造を持ち、MgO結晶粒子18bの結晶構造をおかさない化合物が好ましく、2−プロパノール(イソプロピルアルコール、IPA)のようなアルコールが特に好ましい。スラリ中におけるMgO結晶粒子18bの濃度は、例えば0.01〜2wt%とする。この濃度の範囲内であれば、MgO結晶粒子18bをMgO膜18a上に分散配布する際にスプレー法を用いる場合に、解砕後の第2のスラリ18fをそのまま(例えば連続的に)用いることができる。   Next, a lump 18d such as a fired product is dispersed in a solvent to form a first slurry 18e. The dispersion medium (solvent) of the first slurry 18e is not particularly limited, but a compound having a highly polar molecular structure such as a hydroxyl group, a carbonyl group, or a nitrile group and not changing the crystal structure of the MgO crystal particle 18b is preferable. Alcohols such as propanol (isopropyl alcohol, IPA) are particularly preferred. The concentration of the MgO crystal particles 18b in the slurry is, for example, 0.01-2 wt%. If it is within this concentration range, the second slurry 18f after pulverization should be used as it is (for example, continuously) when the spray method is used to disperse and distribute the MgO crystal particles 18b on the MgO film 18a. Can do.

次に解砕工程として、塊体18dが溶媒中に分散された第1のスラリ18eを解砕装置のポンプ(高圧ポンプ)Pの送液圧力により図の矢印28に示す方向に送り込み、第1のスラリ18eを加圧しながらオリフィス27を通過させることにより解砕する。第1のスラリ18e中のMgO結晶粒子18bの凝集体である塊体18dは、加圧しながらオリフィス27を通過する際に発生する剪断力により解砕され、第2のスラリ18fを得る。ポンプPには、例えばプランジャポンプなどを用いることができる。また、オリフィス27は第1のスラリ18eが通過する際に発生させる必要のある剪断力に応じて、孔径や孔形状を適宜調整することができる。なお、図7では解砕装置の例として、流体である第1のスラリ18eの流路を複数(図7では2つ)に分流し、各流路がオリフィス27に接続される手前で合流させる方法を示している。この場合、第1のスラリ18eに含まれる塊体18d同士がオリフィス27に流入する際に衝突し、この衝撃により解砕される場合もある。   Next, as the crushing step, the first slurry 18e in which the lump 18d is dispersed in the solvent is sent in the direction indicated by the arrow 28 in the drawing by the liquid feeding pressure of the pump (high pressure pump) P of the crushing device, and the first The slurry 18e is crushed by passing through the orifice 27 while being pressurized. The lump 18d, which is an aggregate of MgO crystal particles 18b in the first slurry 18e, is crushed by the shearing force generated when passing through the orifice 27 while being pressurized to obtain the second slurry 18f. As the pump P, for example, a plunger pump or the like can be used. In addition, the hole diameter and the hole shape of the orifice 27 can be appropriately adjusted according to the shearing force that needs to be generated when the first slurry 18e passes. In FIG. 7, as an example of the crushing device, the flow path of the first slurry 18 e that is a fluid is divided into a plurality (two in FIG. 7), and the flow paths are joined before being connected to the orifice 27. Shows how. In this case, the lump 18d included in the first slurry 18e may collide when flowing into the orifice 27, and may be crushed by this impact.

このような解砕装置としては、例えば、吉田機械興業(株)製の微粒化装置「ナノマイザー(登録商標)」を用いることができる。この方法によれば、凝集体をすり潰すメディアを用いずに解砕するので、解砕工程での異物の混入を防止することができる。また、オリフィス27を通過させる回数あるいは送液圧力などを調整することにより、凝集の程度(凝集度)を制御することができる。また、凝集体に加わる負荷(剪断力)も制御することができるので、MgO結晶粒子18bの立方体形状の欠損を防止ないしは抑制することができる。   As such a crushing device, for example, a atomizer “Nanomizer (registered trademark)” manufactured by Yoshida Kikai Kogyo Co., Ltd. can be used. According to this method, since it crushes without using the media which grinds an aggregate, it can prevent mixing of the foreign material in a crushing process. In addition, the degree of aggregation (aggregation degree) can be controlled by adjusting the number of times of passage through the orifice 27 or the liquid feeding pressure. Moreover, since the load (shearing force) applied to the aggregate can also be controlled, it is possible to prevent or suppress the cubic-shaped defects of the MgO crystal particles 18b.

解砕後の第2のスラリ18f中におけるMgO結晶粒子18bの累積粒度分布は、累積10%値が0.77μm以上とすることが好ましい。また、累積90%値が3.98μm以下とすることが好ましい。MgO膜18aの表面にMgO結晶粒子18bを付着した複数のMgO結晶粒子18bの累積粒度分布を上記した所定の範囲内に収めるためである。   The cumulative particle size distribution of the MgO crystal particles 18b in the second slurry 18f after pulverization preferably has a cumulative 10% value of 0.77 μm or more. The cumulative 90% value is preferably 3.98 μm or less. This is because the cumulative particle size distribution of the plurality of MgO crystal particles 18b with the MgO crystal particles 18b attached to the surface of the MgO film 18a falls within the predetermined range.

なお、MgO結晶単粒子18b1の立方体形状の保形性の観点からは上記の方法が最も好ましいが、焼成物を解砕する別の方法としてはボールミルを用いる方法もある。ボールミルを用いて解砕する場合には、一例として球石にジルコニアを用いて解砕することができる。この場合、球石の量や処理時間を変える事で凝集度を制御することができる。ただし、ボールミルで解砕する場合、メディア(球石)を用いた解砕方法となるので、過度に解砕を行うと、2次粒子(すなわち塊体18d)の凝集を解くだけにとどまらず、1次粒子(MgO結晶単粒子18b1)にもダメージを与えるおそれがある。例えば、立方体形状とならない懸念がある。なお、ボールミルで解砕を行う場合にも上記で説明した第1のスラリ18eを用意して、この第1のスラリ18e中に含まれるMgO結晶粒子18bの塊体18dを解砕する点は同様である。   The above method is most preferable from the viewpoint of the shape retention of the cubic shape of the MgO crystal single particles 18b1, but there is also a method using a ball mill as another method for crushing the fired product. When crushing using a ball mill, as an example, crushing can be done using zirconia. In this case, the degree of aggregation can be controlled by changing the amount of boulder and the processing time. However, when pulverizing with a ball mill, it becomes a pulverization method using media (spheroids). Therefore, when excessively pulverized, not only the aggregation of secondary particles (that is, lump 18d) is unraveled, The primary particles (MgO crystal single particles 18b1) may be damaged. For example, there is a concern that it does not become a cubic shape. In addition, even when pulverizing with a ball mill, the first slurry 18e described above is prepared, and the mass 18d of MgO crystal particles 18b contained in the first slurry 18e is crushed similarly. It is.

図8に上記した第1のスラリ18eをボールミルあるいは微粒化装置で処理した時の累積粒度分布を示す。図8に示す(A)、(B)、(C)の粒度分布曲線は(A)はボールミルで処理を行った場合、(B)は微粒化装置で3回解砕処理を行った場合、(C)は微粒化装置で1回解砕処理を行った場合について示している。ボールミルで処理したものは微粒化装置で処理したものよりも累積流度分布が小さくなる傾向がある。(A)では、凝集体18cを含まない状態(すなわち単粒子のMgO結晶粒子18bとなる状態)まで解砕されており、(B)および(C)では凝集体18cを含んだ状態となっている。これらを比較すると(A)、(B)、(C)の順で累積流度分布の値が累積10%値、累積50%値、累積90%値の全てが高い。   FIG. 8 shows a cumulative particle size distribution when the first slurry 18e described above is processed by a ball mill or an atomizer. The particle size distribution curves of (A), (B), and (C) shown in FIG. 8 are obtained when (A) is processed with a ball mill, (B) is when crushing is performed three times with a atomizer, (C) has shown about the case where a crushing process is performed once with the atomization apparatus. Those treated with the ball mill tend to have a smaller cumulative flow rate distribution than those treated with the atomizer. In (A), it has been crushed to a state that does not include the aggregate 18c (that is, a state that becomes single-particle MgO crystal particles 18b), and in (B) and (C), the state includes the aggregate 18c. Yes. When these are compared, the cumulative flow rate distribution values in the order of (A), (B), and (C) are all high in the cumulative 10% value, the cumulative 50% value, and the cumulative 90% value.

また、累積10%値についてみると、(A)では0.60μmであるのに対し、(B)では0.77μm、(C)では0.94μmとなっていた。つまり、(A)の結果は、本実施の形態ではMgO種結晶をそのままMgO結晶粒子18bとするのではなく、フラックスを添加して焼成することにより、MgO結晶粒子18bの単粒子での累積粒度分布を、累積10%値で0.59μm以上とすることができることを示している。また累積90%値についてみると、(A)では1.68μmであるのに対し、(B)では2.93μm、(C)では3.84μmとなっていた。つまり、(B)、(C)では少なくとも一部のMgO結晶粒子18bが凝集して凝集体18cを構成していることが判る。また、(B)および(C)の結果は、微粒化装置のようにメディアを用いずに、第1のスラリ18eを加圧しながらオリフィス27を通過させることにより塊体18dを解砕する方法により複数のMgO結晶単粒子18b1の凝集状態を制御して所定の累積粒度分布の範囲内に収めることができることを示している。   Further, regarding the cumulative 10% value, it was 0.60 μm in (A), 0.77 μm in (B), and 0.94 μm in (C). That is, in the present embodiment, the result of (A) is that the MgO seed crystal is not used as it is as the MgO crystal particle 18b, but by adding a flux and firing, the cumulative particle size of the MgO crystal particle 18b as a single particle is obtained. This shows that the distribution can be 0.59 μm or more with a cumulative 10% value. The cumulative 90% value was 1.68 μm in (A), 2.93 μm in (B), and 3.84 μm in (C). That is, in (B) and (C), it can be seen that at least some of the MgO crystal particles 18b aggregate to form an aggregate 18c. The results of (B) and (C) are obtained by a method of crushing the mass 18d by passing the orifice 27 while pressurizing the first slurry 18e without using a medium as in the case of the atomizer. It shows that the aggregation state of the plurality of MgO crystal single particles 18b1 can be controlled to fall within a predetermined cumulative particle size distribution.

<2−3−2.MgO膜の表面に複数のMgO結晶粒子を付着させる工程>
MgO膜18aの表面に複数のMgO結晶粒子18bを付着させる方法は、(凝集体18cを含む;以下本項において同じ)MgO結晶粒子18bを均一に分散させることができれば、特に限定されないが、以下に説明するスプレー法はMgO結晶粒子18bを均一に分散させられる点で特に好ましい。
<2-3-2. Step of attaching a plurality of MgO crystal particles to the surface of the MgO film>
The method of attaching the plurality of MgO crystal particles 18b to the surface of the MgO film 18a is not particularly limited as long as the MgO crystal particles 18b can be uniformly dispersed (including the aggregate 18c; hereinafter the same in this section). The spray method described below is particularly preferable in that the MgO crystal particles 18b can be uniformly dispersed.

スプレー法では、MgO結晶粒子18bが分散されたスラリ(例えば、<2−3−1>で説明した解砕後の第2のスラリ18f)をスプレーガンと呼ばれる噴霧装置から吐出して付着させる。スプレーガンとしては、第2のスラリ18fと空気とを2液化状態に霧化して吐出するいわゆる2流体エア霧化方式のものを用いることができる。   In the spray method, a slurry in which MgO crystal particles 18b are dispersed (for example, the second slurry 18f after pulverization described in <2-3-1>) is discharged from a spray device called a spray gun and attached. As the spray gun, a so-called two-fluid air atomizing system that atomizes and discharges the second slurry 18f and air into a two-liquefied state can be used.

スラリ中のMgO結晶粒子18bの濃度は、0.01〜2wt%である。またこの時、第2のスラリ18fを霧化するための空気の圧力(霧化圧)を調整することにより、霧化された第2のスラリ18fの液滴の大きさを調整することができるので液滴中でのMgO結晶粒子18bの再凝集、あるいはMgO膜18aへの付着不良を防止することができる。また、MgO結晶粒子18bは、MgO膜18a上の全面または一部に付着させることができる。   The concentration of the MgO crystal particles 18b in the slurry is 0.01 to 2 wt%. At this time, the size of the droplets of the atomized second slurry 18f can be adjusted by adjusting the pressure of the air (atomization pressure) for atomizing the second slurry 18f. Therefore, reaggregation of the MgO crystal particles 18b in the droplets or adhesion failure to the MgO film 18a can be prevented. The MgO crystal particles 18b can be attached to the entire surface or a part of the MgO film 18a.

また、本実施の形態では、MgO結晶粒子18bの累積粒度分布を<2−2−3>項、<2−2−4>項で説明したように所定の範囲内に調整しているので、各液滴はMgO結晶粒子18bを伴って、一様に分散する。この結果、MgO膜18aの表面上の全ての視野範囲において10%以下の被覆率で均一に付着させることができる。   In the present embodiment, the cumulative particle size distribution of the MgO crystal particles 18b is adjusted within a predetermined range as described in the section <2-2-3> and <2-2-4>. Each droplet is uniformly dispersed with the MgO crystal particles 18b. As a result, it is possible to deposit uniformly with a coverage of 10% or less over the entire visual field range on the surface of the MgO film 18a.

<3.効果検証実験>
次に、以上に説明した本実施の形態のPDP1における各構成についての効果を検証するため、本発明者が行った検証実験の結果について説明する。図9は本実施の形態の効果検証実験の結果を示す説明図である。
<3. Effect verification experiment>
Next, in order to verify the effect of each configuration in the PDP 1 of the present embodiment described above, the result of a verification experiment performed by the present inventor will be described. FIG. 9 is an explanatory diagram showing the results of the effect verification experiment of the present embodiment.

図9に示す効果実証実験では、MgO結晶粒子18bの累積粒度分布累積90%値が1.67μm(サンプル1)から6.14μm(サンプル10)までの累積粒度分布を有するPDPを作製し、放電遅れおよび点灯時の画面内における明暗のムラ(粒状ムラ)を比較することにより、本実施の形態で説明した構成による効果を実証した。なお、図9において「D90」とは、各サンプルにおける累積90%値を表し、単位はμmである。また、「D50」、「D10」はそれぞれ各サンプルにおける累積50%値、および累積10%値を表し、単位はμmである。以下サンプル1〜10の調製条件などについて順に説明する。   In the effect verification experiment shown in FIG. 9, a PDP having a cumulative particle size distribution in which the cumulative particle size distribution 90% value of the MgO crystal particles 18b is 1.67 μm (sample 1) to 6.14 μm (sample 10) is produced. The effect of the configuration described in the present embodiment was verified by comparing the delay and uneven brightness (granular unevenness) in the screen at the time of lighting. In FIG. 9, “D90” represents a cumulative 90% value in each sample, and its unit is μm. “D50” and “D10” respectively represent a cumulative 50% value and a cumulative 10% value in each sample, and the unit is μm. Hereinafter, conditions for preparing Samples 1 to 10 will be described in order.

<3−1.MgO結晶粒子の調製条件>
MgO結晶粒子18bの調製方法は以下である。まず、MgO種結晶(宇部マテリアルズ株式会社製、商品名:気相法高純度超微粉マグネシア(2000A))にフラックスとしてMgF2(フルウチ化学株式会社製、純度:99.99%)を48ppm添加した。これを乳鉢と乳棒ですり潰すことによって混合及び粉砕を実施した。次に、混合及び粉砕後の上記原料を大気中で、焼成時間を1時間、温度を1450℃で焼成を行い、MgO結晶粒子18bの焼成物を得た。次に乳鉢と乳棒を用いて得られた焼成物を塊体18dに解砕した。
<3-1. Preparation conditions of MgO crystal particles>
The method for preparing the MgO crystal particles 18b is as follows. First, 48 ppm of MgF2 (manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd., purity: 99.99%) was added as a flux to an MgO seed crystal (trade name: vapor phase high purity ultrafine magnesia (2000A), manufactured by Ube Materials Corporation). . This was mixed and ground by grinding with a mortar and pestle. Next, the raw material after mixing and pulverization was fired in the air at a firing time of 1 hour and a temperature of 1450 ° C. to obtain a fired product of MgO crystal particles 18b. Next, the fired product obtained using a mortar and pestle was crushed into a lump 18d.

得られた塊体18dの一部をIPA(関東化学株式会社製、電子工業用)に混合し、球石にジルコニアを用いてボールミルで凝集体18cがなくなる状態まで解砕処理を行い凝集のないスラリ(凝集体18cが含まれていない点で第2のスラリ18fとは異なる)を得た。図9に示すサンプル1ではこのボールミルで処理したスラリをMgO膜18aに分散配布してPDPを作製した。   Part of the obtained mass 18d is mixed with IPA (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd., for electronic industry), and pulverized using a zirconia ball ball mill until the aggregate 18c is eliminated, and there is no aggregation. A slurry (different from the second slurry 18f in that the aggregate 18c is not included) was obtained. In Sample 1 shown in FIG. 9, the slurry processed by this ball mill was distributed and distributed to the MgO film 18a to produce a PDP.

また、得られた塊体18dの別の一部はIPAに混合した後、微粒化装置を用い、処理回数を変える事で凝集が制御された(すなわち、凝集体がない状態に対する累積90%値が制御された)第2のスラリ18fを得た。   Moreover, after another part of the obtained lump 18d was mixed with IPA, the agglomeration was controlled by changing the number of treatments using a pulverizer (that is, the cumulative 90% value with respect to the state where no agglomerate was present). To obtain a second slurry 18f.

ここで得られたMgO結晶粒子18bについて、レーザー回折式の粒度分布計(型式:LA−300、(株)堀場製作所製)を用いて累積粒度分布を求めた。求めた結果は図9に示している。   With respect to the obtained MgO crystal particles 18b, a cumulative particle size distribution was determined using a laser diffraction particle size distribution meter (model: LA-300, manufactured by Horiba, Ltd.). The obtained results are shown in FIG.

<3−2.MgO膜への分散配布条件>
次に、MgO膜18aの表面に塗装用スプレーガンを用いて凝集が制御された第2のスラリ18fをスプレー塗布し、MgO結晶粒子18bをMgO膜18aの表面に付着させた。スプレーガンは、2流体エア霧化方式のものを用いた。第2のスラリ18f中のMgO結晶粒子18bの濃度は0.6wt%、スプレーガンにかかる霧化圧は、180kPaに設定した。MgO結晶粒子18bは、MgO結晶粒子18bの密度が1m当り0.1gとなるように付着させた。
<3-2. Conditions for dispersion distribution to MgO film>
Next, the surface of the MgO film 18a was spray-coated with a second slurry 18f whose aggregation was controlled using a coating spray gun, and the MgO crystal particles 18b were adhered to the surface of the MgO film 18a. The spray gun used was a two-fluid air atomization system. The concentration of MgO crystal particles 18b in the second slurry 18f was set to 0.6 wt%, and the atomization pressure applied to the spray gun was set to 180 kPa. The MgO crystal particles 18b were attached so that the density of the MgO crystal particles 18b was 0.1 g per m 2 .

<3−3.PDPのその他の製造条件>
図9に示すサンプル1〜10の各PDPのその他の製造条件は、以下の通りである。図1に示すようにガラスからなる前面基板13上に表示電極対(X電極14、Y電極15)、誘電体層17、保護層18(MgO膜18aおよびその上に付着した配向の揃った複数のMgO結晶粒子18b)を形成することによって前面側基板構造体11を作製した。また、ガラスからなる背面基板19上にアドレス電極20、誘電体層21、隔壁22及び蛍光体23を形成することによって背面側基板構造体12を作製した。次に、前面側基板構造体11と背面側基板構造体12とを重ね合わせて周縁部を封着材で封止することによって内部に気密な放電空間を有するパネルを作製した。次に、放電空間24内を排気後、放電ガスを封入し、PDPを完成させた。
<3-3. Other manufacturing conditions for PDP>
Other manufacturing conditions of the PDPs of Samples 1 to 10 shown in FIG. 9 are as follows. As shown in FIG. 1, a display electrode pair (X electrode 14 and Y electrode 15), a dielectric layer 17, and a protective layer 18 (MgO film 18a and a plurality of aligned alignments deposited thereon are formed on a front substrate 13 made of glass. The front-side substrate structure 11 was produced by forming the MgO crystal particles 18b). In addition, the back-side substrate structure 12 was fabricated by forming the address electrodes 20, the dielectric layers 21, the barrier ribs 22, and the phosphors 23 on the back substrate 19 made of glass. Next, the front side substrate structure 11 and the back side substrate structure 12 were overlapped and the peripheral edge portion was sealed with a sealing material to produce a panel having an airtight discharge space inside. Next, after the discharge space 24 was evacuated, a discharge gas was enclosed to complete the PDP.

各基板構造体の条件は以下である。
(前面側基板構造体11)
X、Y透明電極14a、15aの幅:270μm
X、Yバス電極14b、15bの幅:95μm
放電ギャップの幅:100μm
誘電体層17:低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成、厚さ:30μm
MgO膜18a:電子ビーム蒸着によるMgO膜、厚さ:1.1μm
(背面側基板構造体12)
アドレス電極20の幅:70μm
誘電体層21:低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成、厚さ:10μm
アドレス電極20の真上での各蛍光体23の厚さ:20μm
隔壁22の高さ:140μm 頂部での幅:50μm
隔壁22のピッチ:360μm
放電ガス:Ne96%−Xe4%、500Torr。
The conditions of each substrate structure are as follows.
(Front side substrate structure 11)
Width of X and Y transparent electrodes 14a and 15a: 270 μm
Width of X and Y bus electrodes 14b and 15b: 95 μm
Discharge gap width: 100 μm
Dielectric layer 17: formed by coating and firing a low-melting glass paste, thickness: 30 μm
MgO film 18a: MgO film by electron beam evaporation, thickness: 1.1 μm
(Back side substrate structure 12)
Address electrode 20 width: 70 μm
Dielectric layer 21: formed by applying and baking a low-melting glass paste, thickness: 10 μm
The thickness of each phosphor 23 just above the address electrode 20: 20 μm
Partition 22 height: 140 μm Top width: 50 μm
Partition pitch 22: 360 μm
Discharge gas: Ne96% -Xe4%, 500 Torr.

<3−4.点灯試験および評価>
次に、製造した各PDPについて点灯試験を行いMgO膜18aの被覆率、赤ムラの有無、放電電圧、粒状ムラ、放電遅れおよびX線回折信号強度測定を評価した。点灯試験の結果は図9に合わせて示している。
<3-4. Lighting test and evaluation>
Next, a lighting test was performed on each manufactured PDP, and the coverage of the MgO film 18a, presence or absence of red unevenness, discharge voltage, granular unevenness, discharge delay, and X-ray diffraction signal intensity measurement were evaluated. The results of the lighting test are shown in FIG.

まず、被覆率、赤ムラの有無、放電電圧の評価結果について説明する。被覆率の測定では視野範囲を分割して10点の測定点について被覆率を測定したが、サンプル1〜10は全ての測定点でMgO膜18aの被覆率が10%以下であった。また、各PDPについて8時間のいわゆるエージング処理を施し、目視にて前述した赤ムラの確認を行ったが、サンプル1〜10の全てについて赤ムラは確認出来なかった。不純物により蛍光体23が劣化する場合、8時間程度のエージング処理を施せば、赤ムラが顕在化することから、図9に示すサンプル1〜10はMgO膜18aの被覆率を10%以下とすることにより、赤ムラの顕在化を防止することができたと考えられる。また、図9には示していないが、MgO膜18aの表面にMgO結晶粒子18bを付着させないPDPも作成し、このPDPとサンプル1〜10の各PDPの放電電圧を測定したが、放電電圧の上昇も認められなかった。したがって図9に示すサンプル1〜10はMgO膜18aの被覆率を10%以下とすることにより、放電電圧の上昇を防止することができたと考えられる。   First, the coverage, the presence / absence of red unevenness, and the evaluation results of the discharge voltage will be described. In the measurement of the coverage, the visual field range was divided and the coverage was measured at 10 measurement points. In Samples 1 to 10, the coverage of the MgO film 18a was 10% or less at all the measurement points. Moreover, what was called an aging process for 8 hours was performed about each PDP, and the red nonuniformity mentioned above was confirmed visually, but the red nonuniformity was not able to be confirmed about all the samples 1-10. In the case where the phosphor 23 is deteriorated due to the impurities, if the aging process is performed for about 8 hours, the unevenness of red becomes obvious. Therefore, in the samples 1 to 10 shown in FIG. 9, the coverage of the MgO film 18a is 10% or less. Thus, it is considered that the appearance of red unevenness could be prevented. Although not shown in FIG. 9, a PDP in which the MgO crystal particles 18b are not attached to the surface of the MgO film 18a was also prepared, and the discharge voltage of this PDP and each PDP of Samples 1 to 10 was measured. There was no increase. Therefore, it is considered that samples 1 to 10 shown in FIG. 9 were able to prevent the discharge voltage from increasing by setting the coverage of the MgO film 18a to 10% or less.

次に、明暗のムラ(粒状ムラ)の評価結果について説明する。粒状ムラの試験は、目視によって行い、ムラが視認できない(すなわち顕在化していない)サンプルには○を、視認できた(顕在化した)サンプルには×をそれぞれ付している。粒状ムラの評価結果は、図9に示すようにMgO結晶粒子18bの累積90%値が4.04μm以上であるサンプル8〜10はいずれも粒状ムラが視認された。一方、3.98μm以下であるサンプル1〜7ではいずれもいずれも粒状ムラが視認されなかった。この結果からMgO結晶粒子18bの累積90%値を3.98μm以下とすることにより、粒状ムラの顕在化を防止することができることが実験的に検証された。   Next, the evaluation result of light and dark unevenness (granular unevenness) will be described. The test for granular unevenness is performed by visual observation, and a sample in which the unevenness is not visually recognized (that is, not manifested) is marked with ◯, and a sample that has been visually recognized (realized) is marked with ×. As shown in FIG. 9, the granular unevenness was visually recognized in the samples 8 to 10 in which the cumulative 90% value of the MgO crystal particles 18b was 4.04 μm or more as shown in FIG. 9. On the other hand, no granular unevenness was observed in any of Samples 1 to 7 having a size of 3.98 μm or less. From this result, it was experimentally verified that it is possible to prevent the appearance of granular unevenness by setting the cumulative 90% value of the MgO crystal particles 18b to 3.98 μm or less.

また、本実施の形態によれば、MgO結晶粒子18bを分級するなどの新たな工程を追加することなく、MgO結晶粒子18bの累積粒度分布を所定の範囲内に収めることができるので、製造効率の低下を抑制することができる。なお、本実施の形態では、第1のスラリ18e中の塊体18dを解砕する工程が含まれているが、MgOの単結晶体は凝集性が高く、例えば上述したMgO種結晶をMgO結晶粒子としてそのまま用いる場合であっても何らかの方法で凝集体を解砕する必要があるので、本工程をおこなっても製造工程は特に増加しない。   In addition, according to the present embodiment, the cumulative particle size distribution of the MgO crystal particles 18b can be kept within a predetermined range without adding a new process such as classification of the MgO crystal particles 18b. Can be suppressed. In the present embodiment, the step of crushing the lump 18d in the first slurry 18e is included, but the single crystal of MgO has high cohesiveness. For example, the MgO seed crystal described above is converted into the MgO crystal. Even if it is used as particles as it is, it is necessary to crush the aggregates by some method, so even if this step is carried out, the production steps are not particularly increased.

次に、放電遅れの評価結果について説明する。放電遅れ試験では、アドレス電極20に電圧を印加し、この電圧印加時から実際に放電が開始されるまでの時間を測定した。放電開始までの時間は1000回測定し、評価方法は1000回の測定データのうち、95%以上が放電を開始するまでの時間(累積放電成功確率が95%の値)を評価した。放電遅れが改善されているかどうかの判定については、上記累積放電成功確率が95%の値が1.1μm未満のサンプルには○を、上記累積放電成功確率が95%の値が1.1μm以上のサンプルには×をそれぞれ付している。放電遅れの改善効果を判定する閾値を1.1μmとした理由は以下である。すなわち、PDP1をフルハイビジョンの規格に適合させる場合を勘案して決定した。詳しくは、フルハイビジョン規格に適合するPDP1において、1フィールド(16.7m秒)を10のサブフィールドに分割しプログレッシブ方式で駆動させる場合を考えると、1サブフィールドあたりの時間は約1.7m秒である。この時間内に1080回のアドレス放電のスキャンを行うので、アドレス放電における放電遅れは少なくとも1.6μ秒(1.7m秒/1080回)未満である必要がある。また、1サブフィールド内で維持放電と初期化放電(いわゆるリセット放電とも呼ばれる放電)も行う必要があるため、これらに要する時間を鑑みて1.1μ秒を閾値とした。   Next, the evaluation result of the discharge delay will be described. In the discharge delay test, a voltage was applied to the address electrode 20, and the time from when the voltage was applied until when the discharge was actually started was measured. The time until the start of discharge was measured 1000 times, and the evaluation method evaluated the time required for 95% or more of the 1000 measured data to start discharging (the value of the cumulative discharge success probability being 95%). Regarding the determination of whether or not the discharge delay has been improved, the sample with the cumulative discharge success probability of 95% is less than 1.1 μm, and the value with the cumulative discharge success probability of 95% is 1.1 μm or more. Each sample is marked with a cross. The reason why the threshold for determining the improvement effect of the discharge delay is 1.1 μm is as follows. That is, it was determined in consideration of the case where the PDP 1 is adapted to the full high-definition standard. Specifically, in a PDP 1 conforming to the full high-definition standard, when considering a case where one field (16.7 milliseconds) is divided into 10 subfields and driven in a progressive manner, the time per subfield is about 1.7 milliseconds. It is. Since 1080 address discharge scans are performed within this time, the discharge delay in the address discharge needs to be at least 1.6 μsec (1.7 msec / 1080 times). In addition, since it is necessary to perform a sustain discharge and an initializing discharge (so-called reset discharge) within one subfield, 1.1 μsec is set as a threshold in consideration of the time required for these.

図9において、MgO結晶粒子18bの累積10%値が0.69μm以下であるサンプル1および2はいずれも放電遅れの改善効果が確認できなかった。一方、0.77μm以上であるサンプル3〜10ではいずれも放電遅れを改善することができた。   In FIG. 9, neither Sample 1 nor Sample 2 in which the cumulative 10% value of MgO crystal particles 18b was 0.69 μm or less confirmed the effect of improving the discharge delay. On the other hand, all of Samples 3 to 10 having a thickness of 0.77 μm or more could improve the discharge delay.

各サンプルについてX線回折信号強度測定を行い、上述した規格化を行った結果、サンプル1および2についてはいずれもMgO膜18aの厚さ1μm当りの(111)面のX線回折信号強度に対して等倍未満であった。一方サンプル3〜10ではいずれも等倍以上であった。この結果から、MgO結晶粒子18bの累積10%値を0.77μm以上とすることにより、各MgO結晶粒子18bの配向を(100)面で揃えることができ、この結果放電遅れを改善できることが判った。また、配向を揃える程度は、X線回折信号強度を測定することにより判断することができ、上述した規格化を行った後の{(200)面の信号強度/(111)面の信号強度}の値を等倍以上となる時に、放電遅れが改善されることが判った。   As a result of measuring the X-ray diffraction signal intensity for each sample and performing the above-described normalization, the samples 1 and 2 both have an X-ray diffraction signal intensity on the (111) plane per 1 μm thickness of the MgO film 18a. It was less than 1 times. On the other hand, in Samples 3 to 10, all were equal to or greater than the same size. From this result, it can be seen that by setting the cumulative 10% value of MgO crystal particles 18b to 0.77 μm or more, the orientation of each MgO crystal particle 18b can be aligned in the (100) plane, and as a result, the discharge delay can be improved. It was. In addition, the degree of alignment can be determined by measuring the X-ray diffraction signal intensity, and {(200) plane signal intensity / (111) plane signal intensity} after the above-described normalization is performed. It has been found that the discharge delay is improved when the value of is equal to or greater than 1.

また、サンプル2〜10ではそれぞれ、サンプル1に示したMgO結晶単粒子18b1の凝集体18cが含まれたものを用い、それぞれ凝集の程度を変化させたものを用いている。したがって、サンプル2〜10における凝集体18cに含まれる各MgO結晶単粒子18b1の単粒子での累積粒度分布が、累積10%値で0.59μm以上とすれば、凝集の程度を制御して凝集体18cを含むMgO結晶粒子18bの累積10%値を0.77μm以上とすることにより放電遅れを改善できることが実験的に検証された。   Samples 2 to 10 each include the aggregate 18c of the MgO crystal single particles 18b1 shown in the sample 1, and the ones with varying degrees of aggregation are used. Therefore, if the cumulative particle size distribution of each MgO crystal single particle 18b1 contained in the aggregate 18c in Samples 2 to 10 is 0.59 μm or more in terms of a cumulative 10% value, the degree of aggregation is controlled to control the aggregation. It has been experimentally verified that the discharge delay can be improved by setting the cumulative 10% value of the MgO crystal particles 18b including the aggregates 18c to 0.77 μm or more.

また、凝集体18cを含む構成においては、凝集体18cを構成する各MgO結晶単粒子18b1の単粒子での累積粒度分布はこれよりもさらに小さく、累積10%値で0.59μm以上とすれば、放電空間24に対向する面の配向を(100)面で揃えることができるので放電遅れを改善することができることが判った。   In the configuration including the aggregate 18c, the cumulative particle size distribution of the single particles of the MgO crystal single particles 18b1 constituting the aggregate 18c is even smaller than this, and the cumulative 10% value is 0.59 μm or more. It has been found that the discharge delay can be improved because the orientation of the surface facing the discharge space 24 can be made uniform in the (100) plane.

<3−5.関連実験>
次に、関連実験としてMgO結晶粒子18bの分散状態の均一性を確認するための試験を行った。MgO結晶粒子18bの分散状態の均一性を示す指標としてはMgO膜18aの被覆率の標準偏差の3倍を被覆率の平均値で除した値を用いた。この値が20%を超えると、被覆率のばらつきにより、粒状ムラが顕在化することが判っている。ここで、「標準偏差」とは各測定視野毎の被覆率の標本に基づいて予測した被覆率の標準偏差を意味する。このように「MgO膜18aの被覆率の標準偏差の3倍を被覆率の平均値で除した値」を指標として用いた理由は、以下である。すなわち、被覆率の分布が正規分布であると仮定して標準偏差をσとすると、平均値+/−3σの中に全データの99.73%が含まれるため測定値のばらつきの広さを3σで表した。また、相対的に比較するために平均値に対するばらつきの広さを表す目的で3σを平均値で除した。
<3-5. Related Experiments>
Next, as a related experiment, a test for confirming the uniformity of the dispersed state of the MgO crystal particles 18b was performed. As an index indicating the uniformity of the dispersed state of the MgO crystal particles 18b, a value obtained by dividing three times the standard deviation of the coverage of the MgO film 18a by the average value of the coverage is used. It has been found that when this value exceeds 20%, granular unevenness becomes obvious due to variation in coverage. Here, the “standard deviation” means the standard deviation of the coverage estimated based on the sample of the coverage for each measurement visual field. The reason why “a value obtained by dividing three times the standard deviation of the coverage ratio of the MgO film 18a by the average value of the coverage ratio” as an index is as follows. That is, assuming that the distribution of the coverage is a normal distribution and assuming that the standard deviation is σ, the average value +/− 3σ includes 99.73% of all data, and thus the variation in the measured value is increased. It was expressed as 3σ. For comparison, 3σ was divided by the average value for the purpose of expressing the extent of variation with respect to the average value.

MgO膜18aの被覆率の標準偏差の3倍を被覆率の平均値で除した値を測定したところ、サンプル3〜7については全て20%以下となっていることを確認した。つまり、本実施の形態によれば、MgO結晶粒子18bの累積10%値を0.77μm以上とし、かつ、累積90%値を3.98μm以下とすることにより、セル25(図1参照)毎の累積粒度分布のばらつきが小さくすることができる。   When a value obtained by dividing three times the standard deviation of the coverage of the MgO film 18a by the average value of the coverage was measured, it was confirmed that all the samples 3 to 7 were 20% or less. That is, according to the present embodiment, by setting the cumulative 10% value of the MgO crystal particles 18b to 0.77 μm or more and the cumulative 90% value to 3.98 μm or less, each cell 25 (see FIG. 1). The variation in the cumulative particle size distribution of can be reduced.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

本発明は、例えば、パーソナルコンピュータやワークステーション等のディスプレイ装置、平面型のテレビ受像器、あるいは、広告や情報等を表示するための装置として利用されるプラズマディスプレイ装置に用いるプラズマディスプレイパネルに対して幅広く適用することができる。   The present invention relates to a plasma display panel used in, for example, a display device such as a personal computer or a workstation, a flat-screen television receiver, or a plasma display device used as a device for displaying advertisements or information. Can be widely applied.

本発明の一実施の形態であるPDPの要部を拡大して示す要部拡大組み立て斜視図である。It is a principal part expansion assembly perspective view which expands and shows the principal part of PDP which is one embodiment of this invention. 図1に示す前面基板構造体の上下を反転させて保護層の表面状態を示す要部拡大斜視図である。It is a principal part expansion perspective view which reverses the upper and lower sides of the front substrate structure shown in FIG. 1, and shows the surface state of a protective layer. MgO結晶粒子の粒度分布モデルを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the particle size distribution model of MgO crystal particle. 図2に示すMgO結晶粒子の一例を示す図であって、MgO結晶単粒子を示す斜視図である。It is a figure which shows an example of the MgO crystal particle shown in FIG. 2, Comprising: It is a perspective view which shows a MgO crystal single particle. 図2に示すMgO結晶粒子の一例を示す図であって、3個のMgO結晶単粒子の側面が密着して凝集した凝集体を示す説明図である。It is a figure which shows an example of the MgO crystal particle shown in FIG. 2, Comprising: It is explanatory drawing which shows the aggregate which the side surface of three MgO crystal single particles adhered and aggregated. 図2に示すMgO膜とMgO結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a microscopic relationship between the MgO film and MgO crystal particles shown in FIG. 2. 図2〜図6に示すMgO結晶粒子を調製するための解砕工程における解砕方法の実施態様の一例を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating an example of the embodiment of the crushing method in the crushing process for preparing the MgO crystal particle shown in FIGS. 図2〜図6に示すMgO結晶粒子を調製するための解砕工程における解砕方法毎のMgO結晶粒子の累積粒度分布を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the cumulative particle size distribution of the MgO crystal particle for every crushing method in the crushing process for preparing the MgO crystal particle shown in FIGS. 本発明の一実施の形態の効果検証実験の結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the result of the effect verification experiment of one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に対する比較例であるMgO膜とMgO結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the microscopic relationship of the MgO film | membrane and MgO crystal particle which is a comparative example with respect to one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に対する他の比較例であるMgO膜とMgO結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the microscopic relationship of the MgO film | membrane and MgO crystal particle which is another comparative example with respect to one embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 PDP(プラズマディスプレイパネル)
11 前面基板構造体(第1基板構造体)
12 背面基板構造体(第2基板構造体)
13 前面基板(第1基板)
13a 第1の面(表面)
14 X電極(表示電極)
14a X透明電極
14b Xバス電極
15 Y電極(表示電極)
15a Y透明電極
15b Yバス電極
17 誘電体層
18 保護層
18a MgO膜
18b、30、31 MgO結晶粒子
18b1 MgO結晶単粒子
18c 凝集体
18d 塊体
18e 第1のスラリ
18f 第2のスラリ
19 背面基板(第2基板)
20 アドレス電極
21 誘電体層
22 隔壁
23、23r、23g、23b 蛍光体
24 放電空間
25 セル
26 隙間
27 オリフィス(絞り孔)
28 矢印
W1 頭頂間隔
1 PDP (Plasma Display Panel)
11 Front substrate structure (first substrate structure)
12 Back substrate structure (second substrate structure)
13 Front substrate (first substrate)
13a First surface (surface)
14 X electrode (display electrode)
14a X transparent electrode 14b X bus electrode 15 Y electrode (display electrode)
15a Y transparent electrode 15b Y bus electrode 17 Dielectric layer 18 Protective layer 18a MgO films 18b, 30, 31 MgO crystal particles 18b1 MgO crystal single particles 18c Aggregates 18d Agglomerates 18e First slurry 18f Second slurry 19 Back substrate (Second board)
20 address electrode 21 dielectric layer 22 partition walls 23, 23r, 23g, 23b phosphor 24 discharge space 25 cell 26 gap 27 orifice (throttle hole)
28 Arrow W1 Vertical distance

Claims (9)

放電ガスを封入して形成された放電空間を介して対向する一対の基板構造体を備え、前記一対の基板構造体の一方は、基板上に配置された複数の表示電極対と、前記複数の表示電極対を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆する保護層とを有するプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層は、前記誘電体層の表面に積層されるMgO(酸化マグネシウム)膜と、前記プラズマディスプレイパネルの全てのセルに対応する領域の前記MgO膜上に分散配置された複数のMgO結晶粒子とを備え、
前記MgO膜の表面の前記複数のMgO結晶粒子による被覆率は10%以下であり、
前記複数のMgO結晶粒子の累積粒度分布の累積90%値3.98μm以下とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
A pair of substrate structures facing each other via a discharge space formed by enclosing a discharge gas, wherein one of the pair of substrate structures includes a plurality of display electrode pairs disposed on a substrate; a dielectric layer covering the display electrode pairs, a plasma display panel which have a protective layer covering the dielectric layer,
The protective layer includes a MgO (magnesium oxide) film laminated on the surface of the dielectric layer, and a plurality of MgO crystal particles dispersedly arranged on the MgO film in a region corresponding to all cells of the plasma display panel And
The coverage of the surface of the MgO film with the plurality of MgO crystal particles is 10% or less,
A plasma display panel, which comprises a cumulative 90% value of the cumulative particle size distribution of the plurality of MgO crystal particles less 3.98Myuemu.
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記複数のMgO結晶粒子の累積粒度分布の累積10%値を0.77μm以上とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
The plasma display panel according to claim 1, wherein
A plasma display panel, wherein a cumulative 10% value of a cumulative particle size distribution of the plurality of MgO crystal particles is 0.77 μm or more .
請求項1または請求項2に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記複数のMgO結晶粒子には複数のMgO結晶単粒子が凝集した凝集体が含まれていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
The plasma display panel according to claim 1 or 2,
The plasma display panel, wherein the plurality of MgO crystal particles include an aggregate obtained by aggregating a plurality of MgO crystal single particles.
請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記複数のMgO結晶粒子は、気相法により得られるMgO種結晶と前記MgO種結晶の溶融を促進させる融剤とを混合した後焼成し、得られた焼成物を解砕することにより得られることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
In the plasma display panel according to any one of claims 1 to 3,
The plurality of MgO crystal particles are obtained by mixing a MgO seed crystal obtained by a vapor phase method and a flux that promotes melting of the MgO seed crystal, firing the mixture, and crushing the obtained fired product. A plasma display panel characterized by that.
請求項4に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記焼成物の解砕は、前記焼成物を溶媒中に分散させてスラリを形成し、前記スラリを加圧しながらオリフィスを通過させることにより解砕することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
The plasma display panel according to claim 4, wherein
The baked product is crushed by dispersing the baked product in a solvent to form a slurry, and crushing the baked product by passing through an orifice while pressing the slurry.
第1基板の一方の面に表示電極対を形成する工程と、
前記表示電極対を被覆するように誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の表面に保護層を形成する工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層を形成する工程には、
複数のMgO結晶粒子を調製する工程と、
前記誘電体層の表面にMgO(酸化マグネシウム)膜を形成する工程と、
前記プラズマディスプレイパネルの全てのセルに対応する領域の前記MgO膜の表面に前記MgO膜の前記複数のMgO結晶粒子による被覆率が10%以下となるように前記複数のMgO結晶粒子を分散配置させる工程とが含まれ
記複数のMgO結晶粒子の累積粒度分布の累積10%値を0.77μm以上、累積90%値3.98μm以下とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
Forming a display electrode pair on one surface of the first substrate;
Forming a dielectric layer so as to cover the display electrode pair;
A method of manufacturing a PDP of the chromatic and forming a protective layer on the surface of the dielectric layer,
In the step of forming the protective layer,
Preparing a plurality of MgO crystal particles;
Forming a MgO (magnesium oxide) film on the surface of the dielectric layer;
The plurality of MgO crystal particles are dispersedly arranged on the surface of the MgO film in a region corresponding to all cells of the plasma display panel so that the coverage of the MgO film with the plurality of MgO crystal particles is 10% or less. It contains a step,
Before SL more of MgO crystal grains cumulative particle size distribution 10% accumulated value of 0.77μm or more, a manufacturing method of a plasma display panel, characterized by the following 3.98μm cumulative 90% value.
請求項6に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記複数のMgO結晶粒子には複数のMgO結晶単粒子が凝集した凝集体が含まれていることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 6,
The method for manufacturing a plasma display panel, wherein the plurality of MgO crystal particles include an aggregate in which a plurality of MgO crystal single particles are aggregated.
請求項6または請求項7に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記複数のMgO結晶粒子を調製する工程には、
気相法により得られるMgO種結晶と前記MgO種結晶の溶融を促進させる融剤とを混合した後焼成し、得られた焼成物を解砕する工程が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 6 or Claim 7,
In the step of preparing the plurality of MgO crystal particles,
A plasma display panel comprising a step of mixing an MgO seed crystal obtained by a vapor phase method and a flux that promotes melting of the MgO seed crystal, followed by firing and crushing the obtained fired product. Manufacturing method.
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記焼成物の解砕は、前記焼成物を溶媒中に分散させてスラリを形成し、前記スラリを加圧しながらオリフィスを通過させることにより解砕することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
The method for producing a plasma display panel is characterized in that the baked product is crushed by dispersing the baked product in a solvent to form a slurry and passing the orifice through the slurry while pressurizing the slurry.
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