JP4944507B2 - Etching solution - Google Patents

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本発明は、ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金及び鉄ニッケルクロム合金をエッチングするためのエッチング液であって、ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金及び鉄ニッケルクロム合金を、銅の溶解を最小限に抑えつつ、エッチングすることができるエッチング液に関する。   The present invention is an etching solution for etching nickel, chromium, nickel chromium alloy and iron nickel chromium alloy, and the nickel, chromium, nickel chromium alloy and iron nickel chromium alloy while minimizing the dissolution of copper. The present invention relates to an etchant that can be etched.

現在、携帯電話に代表されるように電子機器の軽薄短小化が加速的に進行しており、それらに用いられる配線板としては、軽い、薄い、折り曲げが可能などの特性を有するポリイミドフィルムをベースとしたフレキシブル配線基板が近年広く用いられている。   At present, electronic devices are becoming lighter, thinner and smaller as represented by mobile phones, and the wiring boards used for them are based on polyimide films with light, thin, and bendable characteristics. In recent years, flexible wiring boards have been widely used.

このようなフレキシブル配線基板としては、銅箔がポリイミドフィルム上に張り合わされたフレキシブル配線板が用いられている。該フレキシブル配線板の母材の製造方法としては、銅箔表面に凹凸をつけ、アンカー効果でポリイミドと銅箔とを張り合わせる方法が提案されていた。   As such a flexible wiring board, a flexible wiring board in which a copper foil is laminated on a polyimide film is used. As a method for producing the base material of the flexible wiring board, a method has been proposed in which the copper foil surface is made uneven and the polyimide and the copper foil are bonded together by an anchor effect.

しかし、この方法では、エッチングにより銅回路を形成する場合、樹脂と銅との接合部分における銅の凹凸、すなわち、銅の厚さが異なることから、不要な部分の銅をエッチングして出来上がった回路の側面がギザギザになり電気特性が悪くなるという問題がある。   However, in this method, when the copper circuit is formed by etching, the copper unevenness at the joint portion between the resin and copper, that is, the copper thickness is different, so the circuit made by etching unnecessary portion of copper. There is a problem that the side surface becomes jagged and the electrical characteristics deteriorate.

そこで、ポリイミドフィルム上にめっき下地としてスパッタリングによりごく薄くニッケルクロム合金層を形成し、その上に銅をメッキする方法が提案されている。   Therefore, a method has been proposed in which a nickel chrome alloy layer is extremely thinly formed on a polyimide film by sputtering as a plating base, and copper is plated thereon.

しかし、この方法では、不要な部分の銅をエッチングして回路を形成した後も、スパッタリングで形成された下地のニッケルクロム層が溶け残り、電気絶縁性を低下させる問題がある。そこで、回路部分の銅はエッチングせず、スパッタリングで形成された下地のニッケルクロム層のみを除去できるエッチング液が提案されている。   However, this method has a problem that, even after forming a circuit by etching unnecessary portions of copper, the underlying nickel chrome layer formed by sputtering remains undissolved, resulting in a decrease in electrical insulation. Therefore, an etching solution that can remove only the underlying nickel chromium layer formed by sputtering without etching the copper in the circuit portion has been proposed.

このようなエッチング液としては、一般的には塩化第二鉄を主成分とする水溶液が用いられている。   As such an etchant, an aqueous solution containing ferric chloride as a main component is generally used.

しかし、塩化第二鉄は銅回路を形成するのに使用される銅エッチング液の成分そのものであるため、銅の溶解性が高く、出来上がった銅回路を腐食してしまうという問題がある。   However, since ferric chloride is a component of a copper etching solution used to form a copper circuit, there is a problem that the solubility of copper is high and the resulting copper circuit is corroded.

そこで、塩化第二鉄を主成分とする水溶液の代替として、銅の溶解性が低い過マンガン酸塩を含む組成のエッチング液、あるいは電解還元に次いで硫酸、塩酸、フッ酸、カルボン酸、リン酸などで酸処理を行う手法が提唱されている。   Therefore, as an alternative to an aqueous solution containing ferric chloride as a main component, an etching solution containing a permanganate with low solubility of copper, or electrolytic reduction followed by sulfuric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, carboxylic acid, phosphoric acid A method of acid treatment is proposed.

しかし、前記過マンガン酸塩はPRTR法対象物質に指定されている有害物質であり、過マンガン酸塩は中枢神経系中毒物質として多くの企業において使用削減物質に指定されており、新規に工業的に採用するのは困難である。また、電解還元に次いで酸処理を行う手法では、電解装置を準備する必要があり、また処理工程が2段であるため運転管理が面倒であるなど工程が煩雑となり工業的に採用し難いという側面がある。   However, the above-mentioned permanganate is a hazardous substance designated as a PRTR-designated substance, and permanganate has been designated as a substance to be reduced by many companies as a central nervous system poisoning substance. It is difficult to adopt. In addition, in the technique of performing acid treatment after electrolytic reduction, it is necessary to prepare an electrolyzer, and since the treatment process is two-stage, the operation management is cumbersome and the industrial process is difficult to employ. There is.

そこで、銅のエッチング工程に過酸化水素を用い、次いで酸処理を行う方法も採用されているが、酸処理工程で硫酸を用いる場合にはニッケルクロム合金層のエッチングが十分ではなく、ニッケルクロム層が残存するという問題がある。また酸処理工程で塩酸を用いると、銅エッチング工程に塩酸が混入して銅回路を過溶解してしまい、この塩酸の混入を制御することが困難であるという問題がある。
特開平7-228984号公報
Therefore, a method of using hydrogen peroxide in the copper etching step and then performing an acid treatment is also employed. However, when sulfuric acid is used in the acid treatment step, the nickel chrome alloy layer is not sufficiently etched, and the nickel chrome layer There is a problem that remains. Further, when hydrochloric acid is used in the acid treatment process, there is a problem that hydrochloric acid is mixed into the copper etching process and the copper circuit is excessively dissolved, and it is difficult to control the mixing of the hydrochloric acid.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-228984

本発明の目的は、前記従来の問題を解決するため、ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金及び鉄ニッケルクロム合金を、銅の溶解を最小限に抑えてエッチングすることができ、環境にやさしく有害性が低いエッチング液を提供することにある。   The object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and can etch nickel, chromium, nickel-chromium alloy and iron-nickel-chromium alloy while minimizing the dissolution of copper, which is environmentally friendly and harmful. It is to provide a low etching solution.

本発明者らは、上記課題を解消すべく鋭意検討した結果、硫酸と特定のカルボン酸とを組み合わせてなるエッチング液が上記目的を達成しうることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found that an etching solution comprising a combination of sulfuric acid and a specific carboxylic acid can achieve the above object, and has completed the present invention.

すなわち、本発明は、ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金及び鉄ニッケルクロム合金をエッチングするためのエッチング液であって、硫酸と、ヒドロキシカルボン酸及び/又はアミノカルボン酸とを含む水溶液からなることを特徴とするエッチング液を提供するものである。   That is, the present invention is an etching solution for etching nickel, chromium, nickel-chromium alloy and iron-nickel-chromium alloy, and comprises an aqueous solution containing sulfuric acid and hydroxycarboxylic acid and / or aminocarboxylic acid. An etching solution is provided.

本発明のエッチング液に用いられるヒドロキシカルボン酸としては、リンゴ酸、酒石酸、乳酸などが挙げられる。   Examples of the hydroxycarboxylic acid used in the etching solution of the present invention include malic acid, tartaric acid, and lactic acid.

本発明のエッチング液に用いられるアミノカルボン酸としては、塩基性アミノカルボン酸及び中性アミノカルボン酸が好ましく、特にグリシン(アミノ酢酸)、アラニン、ヒスチジン、トリプトファンなどが挙げられる。   The aminocarboxylic acid used in the etching solution of the present invention is preferably a basic aminocarboxylic acid or a neutral aminocarboxylic acid, and particularly includes glycine (aminoacetic acid), alanine, histidine, tryptophan and the like.

硫酸濃度は、エッチング速度を適度な範囲とする観点から、好ましくは3.6g/L以上であり、更に好ましくは100〜1100g/Lである。最も好ましくは200〜600g/Lである。3.6g/L未満ではエッチングが不良であり、100g/L未満ではエッチング速度が遅くなる。エッチング性能の点からは硫酸濃度が濃いほど好ましいが、600g/Lを超えると、硫酸の水和熱による発熱量が多くなり調整作業上危険を伴う場合があるので、600g/L以下とするのが最も好ましい。   The sulfuric acid concentration is preferably 3.6 g / L or more, more preferably 100 to 1100 g / L, from the viewpoint of adjusting the etching rate to an appropriate range. Most preferably, it is 200-600 g / L. If it is less than 3.6 g / L, the etching is poor, and if it is less than 100 g / L, the etching rate is slow. From the viewpoint of etching performance, the higher the concentration of sulfuric acid, the better. However, if it exceeds 600 g / L, the calorific value due to the heat of hydration of sulfuric acid increases, which may be dangerous in adjustment work. Is most preferred.

また、ヒドロキシカルボン酸及び/又はアミノカルボン酸の濃度は、エッチング速度を適度な範囲とする観点から、好ましくは0.005mol/L以上であり、更に好ましくは0.03mol/L以上であり、最も好ましくは0.05mol/L以上である。上限は特に制限なく、硫酸に溶解できる量まで用いることができるが、高濃度であってもエッチング効果にあまり影響しないので、経済性の点から1.70mol/Lとするのが好ましい。   The concentration of hydroxycarboxylic acid and / or aminocarboxylic acid is preferably 0.005 mol / L or more, more preferably 0.03 mol / L or more, from the viewpoint of setting the etching rate to an appropriate range. Preferably it is 0.05 mol / L or more. The upper limit is not particularly limited and can be used up to an amount that can be dissolved in sulfuric acid. However, even if the concentration is high, the etching effect is not significantly affected, so that it is preferably 1.70 mol / L from the viewpoint of economy.

本発明のエッチング液において、硫酸濃度が360g/L〜1100g/Lで、ヒドロキシカルボン酸及び/又はアミノカルボン酸濃度が0.005mol/L〜1.70mol/Lとすることが特に好ましい。   In the etching solution of the present invention, it is particularly preferable that the sulfuric acid concentration is 360 g / L to 1100 g / L and the hydroxycarboxylic acid and / or aminocarboxylic acid concentration is 0.005 mol / L to 1.70 mol / L.

本発明のエッチング液において上記硫酸及び上記ヒドロキシカルボン酸及び/又はアミノカルボン酸を溶解させる水としては、不純物を含まない純水、蒸留水あるいはイオン交換水を用いるのが好ましい。   As the water in which the sulfuric acid and the hydroxycarboxylic acid and / or aminocarboxylic acid are dissolved in the etching solution of the present invention, it is preferable to use pure water, distilled water, or ion-exchanged water that does not contain impurities.

次いで、本発明のエッチング液を用いたエッチング方法について説明する。   Next, an etching method using the etching solution of the present invention will be described.

本発明のエッチング液は、浸漬法、スプレー法などの方法により使用することができる。細線パターンの配線版を処理する場合には、配線間の隙間にエッチング液を充分に接触させ且つエッチング時間を短縮するためにスプレー法を用いるのが好ましい。   The etching solution of the present invention can be used by a method such as an immersion method or a spray method. In the case of processing a wiring plate having a thin line pattern, it is preferable to use a spray method in order to bring the etching solution into sufficient contact between the wirings and shorten the etching time.

具体的に説明すると、本発明のエッチング液を用いたエッチング工程は、まず、基板上にNi-Crなどの合金層を形成する合金層形成工程、合金層上に更に銅メッキ層を形成する銅メッキ層形成工程、銅メッキ層上に感光性樹脂を塗布した後所定のパターンにマスキングして露光する露光工程、及び露光後に不要部分の樹脂とともに銅メッキ層を除去する第1のエッチング処理工程の各工程を経た後行うことができる。すなわち、本発明のエッチング液を用いたエッチング工程は、第1のエッチング処理工程で露出した合金層を本発明のエッチング液を用いて除去する第2のエッチング処理工程である。   More specifically, the etching process using the etching solution of the present invention includes an alloy layer forming process for forming an alloy layer such as Ni—Cr on a substrate, and a copper layer for further forming a copper plating layer on the alloy layer. A plating layer forming process, an exposure process in which a photosensitive resin is coated on the copper plating layer and then exposed by masking in a predetermined pattern, and a first etching process process in which the copper plating layer is removed together with unnecessary resin after the exposure. It can be performed after each step. That is, the etching process using the etching solution of the present invention is a second etching process step of removing the alloy layer exposed in the first etching process using the etching solution of the present invention.

上記基板としては、ポリイミド樹脂基板が好ましく用いられる。また、合金層の形成材料としては、ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金及び鉄ニッケルクロム合金であり、使用に際しては、これらの1種以上が用いられるが、ニッケルクロム合金、鉄ニッケルクロム合金が好ましく用いられる。合金層形成工程、銅メッキ層形成工程、露光工程、及び第1のエッチング処理工程の各工程は、通常この種の配線基板の製造に際して用いられる方法を特に制限なく用いて行うことができる。   A polyimide resin substrate is preferably used as the substrate. Further, as the material for forming the alloy layer, nickel, chromium, nickel chromium alloy and iron nickel chromium alloy are used, and at least one of these is used in use, but nickel chromium alloy and iron nickel chromium alloy are preferably used. It is done. Each process of the alloy layer forming process, the copper plating layer forming process, the exposure process, and the first etching process can be performed without particular limitation using a method usually used in manufacturing this type of wiring board.

第2のエッチング処理工程において、本発明のエッチング液を使用する際の温度は、通常、常温〜90℃とするのが好ましいが、温度は高いほうがエッチング速度はより向上するので、40℃〜80℃とするのが好ましい。また、エッチング時間は、30秒〜2分間とするのが好ましい。   In the second etching treatment step, the temperature at which the etching solution of the present invention is used is usually preferably from room temperature to 90 ° C., but the higher the temperature, the better the etching rate, so 40 ° C. to 80 ° C. It is preferable to set it as ° C. The etching time is preferably 30 seconds to 2 minutes.

本発明のエッチング液は、銅回路を過溶解させることなく、下地であるニッケル、クロム、ニッケルクロム合金及び鉄ニッケルクロム合金を良好にエッチングすることができ、しかも環境にやさしく有害性が低いものである。   The etching solution of the present invention can satisfactorily etch the underlying nickel, chromium, nickel-chromium alloy and iron-nickel-chromium alloy without over-dissolving the copper circuit, and is environmentally friendly and less harmful. is there.

本発明のエッチング液は、例えば、プリント配線基板の製造に有用である。   The etching solution of the present invention is useful for the production of a printed wiring board, for example.

以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
[実施例1]
表1に示すように、硫酸濃度を0〜1800g/Lの範囲で、アミノカルボン酸(グリシン)を0.005mol/L〜1.70mol/Lの範囲でそれぞれ変えて、第2エッチング処理工程用のエッチング液を調製し、1Lビーカーに500mLの標線までエッチング液を入れ、高温槽で65℃に維持した。ポリイミドフィルム母材上にニッケルクロム層を形成させた試料片(20mm×50mm)を作成した。試料片をエッチング液に浸漬させて、左右に60往復/分の揺動を1分間行った後、エッチング状態を目視観察した。結果を表1に示す。表1中、網掛け部分はニッケルクロム層の良好な除去が確認できた範囲を示す。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, this invention is not restrict | limited to these.
[Example 1]
As shown in Table 1, the sulfuric acid concentration is changed in the range of 0 to 1800 g / L, and the aminocarboxylic acid (glycine) is changed in the range of 0.005 mol / L to 1.70 mol / L. The etching solution was prepared, and the etching solution was put in a 1 L beaker up to a mark of 500 mL and maintained at 65 ° C. in a high-temperature bath. A sample piece (20 mm × 50 mm) in which a nickel chromium layer was formed on a polyimide film base material was prepared. The sample piece was immersed in an etching solution and oscillated at 60 reciprocations per minute for 1 minute, and then the etching state was visually observed. The results are shown in Table 1. In Table 1, the shaded portion indicates a range where good removal of the nickel chromium layer was confirmed.

Figure 0004944507
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Figure 0004944507
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表1より、硫酸濃度370g/Lでグリシン濃度0.005mol/L以上0.70mol/L以下の場合に良好なエッチング効果が確認できたことがわかる。
[実施例2]
表2に示すように、硫酸360g/Lに対して種々のアミノカルボン酸を0.05mol/Lとなるように添加して、エッチング液を調製し、実施例1と同様に試料片を作成し、エッチング処理して、エッチング状態を目視観察した。結果を表2に示す。なお、アミノカルボン酸として塩基性アミノカルボン酸及び中性アミノカルボン酸であるアラニン、ヒスチジン及びトリプトファンを使用し、酸性アミノカルボン酸であるアルパラギン酸、グルタミン酸及びアルギニンを使用した。
From Table 1, it can be seen that a good etching effect was confirmed when the sulfuric acid concentration was 370 g / L and the glycine concentration was 0.005 mol / L or more and 0.70 mol / L or less.
[Example 2]
As shown in Table 2, various aminocarboxylic acids were added at a concentration of 0.05 mol / L to 360 g / L of sulfuric acid to prepare an etching solution, and sample pieces were prepared in the same manner as in Example 1. Etching was performed, and the etching state was visually observed. The results are shown in Table 2. As aminocarboxylic acids, basic aminocarboxylic acids and neutral aminocarboxylic acids alanine, histidine and tryptophan were used, and acidic aminocarboxylic acids aspartic acid, glutamic acid and arginine were used.

Figure 0004944507
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[実施例3〜5、比較例1〜3]
ポリイミドフィルム基板上にスパッタ法によりニッケルクロム合金層を厚さ10Åで形成した。次いで、ニッケルクロム層上に銅メッキにより厚さ8μmの銅メッキ層を形成し、銅メッキ層上に感光性樹脂を4μm塗布した後、所定のパターンにマスキングして紫外線照射を行うことにより露光を行った。露光後、特開2006-013307号公報(実施例1)に記載の過酸化水素/硫酸系エッチング液を用いて、45℃で3分間エッチングして、不要部分の樹脂とともに銅メッキ層をエッチングした(第1のエッチング工程)。
[Examples 3 to 5, Comparative Examples 1 to 3]
A nickel chromium alloy layer having a thickness of 10 mm was formed on a polyimide film substrate by sputtering. Next, a copper plating layer having a thickness of 8 μm is formed on the nickel chrome layer by copper plating, a photosensitive resin is applied on the copper plating layer by 4 μm, and then exposure is performed by masking in a predetermined pattern and irradiating with ultraviolet rays. went. After the exposure, using a hydrogen peroxide / sulfuric acid-based etching solution described in JP 2006-013307 A (Example 1), etching was performed at 45 ° C. for 3 minutes to etch the copper plating layer together with unnecessary portions of the resin. (First etching step).

次に、表3に示す各エッチング液を調整し、第1のエッチング処理工程により製造されたニッケルクロム合金層の上に銅回路が形成された配線板における露出しているニッケルクロム合金層のエッチングを以下のとおり実施した。その結果を表3に示す。   Next, each etching solution shown in Table 3 is prepared, and the exposed nickel chrome alloy layer in the wiring board in which the copper circuit is formed on the nickel chrome alloy layer manufactured by the first etching process is etched. Was carried out as follows. The results are shown in Table 3.

・評価用基板の作成
銅回路が形成された配線板を幅25mm×長さ50mmに切断し、長さ方向両端を耐薬品性のテープで幅30mm×長さ100mmの耐薬品性のエポキシ樹脂製支持板に貼り付けて、評価用基板を作成した。
・ Creation of evaluation board Cut the wiring board on which the copper circuit is formed to 25mm width x 50mm length, and make both ends in the length direction with chemical-resistant tape with chemical-resistant epoxy resin of width 30mm x length 100mm An evaluation substrate was prepared by pasting on a support plate.

・エッチング液
1Lガラス製トールビーカーに表1の組成を有する各エッチング液を500mlの標線まで注入し、恒温槽で温度を65℃に保ち、処理用エッチング液を調製した。
Etching solution Each etching solution having the composition shown in Table 1 was poured into a 1-L glass tall beaker up to a mark of 500 ml, and the temperature was kept at 65 ° C in a thermostatic bath to prepare a processing etching solution.

・第2のエッチング工程
上記のエッチング液に上記の評価用基板を浸漬し、左右に60往復/分で揺動を行い、ニッケルクロム合金層のエッチング状態を目視で観察した。
-Second etching step The above-described evaluation substrate was immersed in the above-described etching solution, rocked at 60 reciprocations / minute left and right, and the etching state of the nickel chromium alloy layer was visually observed.

本発明のエッチング液を用いる実施例3〜5ではニッケルクロム合金層が短時間(60秒〜180秒)で良好に除去されたが、比較例1〜3では180秒でも充分に除去されなかった。また、銅回路の状態も目視により確認した。その結果を表3に示す。   In Examples 3 to 5 using the etching solution of the present invention, the nickel chromium alloy layer was well removed in a short time (60 seconds to 180 seconds), but in Comparative Examples 1 to 3, it was not sufficiently removed even in 180 seconds. . The state of the copper circuit was also confirmed visually. The results are shown in Table 3.

また、参考として、実施例5のエッチング液でエッチング処理したニッケルクロム合金層及び銅メッキ層の状態を図1(電子顕微鏡写真)に示す。   For reference, FIG. 1 (electron micrograph) shows the state of the nickel chromium alloy layer and the copper plating layer etched with the etching solution of Example 5.

ここで、図1上段は、第2のエッチング処理を行う前の未処理状態の銅メッキ層及びニッケルクロム合金層の状態を示す電子顕微鏡写真であり、図1中段は、同未処理の評価用基板について実施例5のエッチング液で60秒間エッチング処理を行った後の状態を示す電子顕微鏡写真であり、図1下段は、同未処理の評価用基板について従来の過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを用いて60秒間エッチング処理を行った後の状態を示す電子顕微鏡写真である。   Here, the upper part of FIG. 1 is an electron micrograph showing the state of the untreated copper plating layer and nickel chrome alloy layer before the second etching process, and the middle part of FIG. 1 is for the untreated evaluation. It is an electron micrograph which shows the state after performing the etching process for 60 second with the etching liquid of Example 5 about a board | substrate, The lower stage of FIG. 1 is the conventional potassium permanganate and sodium hydroxide about the board | substrate for an unprocessed evaluation. It is an electron micrograph which shows the state after performing etching processing for 60 seconds using.

図1に示す結果から明らかなように、本発明のエッチング液を用いた場合には、銅回路層を侵食することなくニッケルクロム合金層のみを十分に除去できることがわかる。   As is clear from the results shown in FIG. 1, it can be seen that when the etching solution of the present invention is used, only the nickel chromium alloy layer can be sufficiently removed without eroding the copper circuit layer.

Figure 0004944507
Figure 0004944507

表3に示す結果から明らかなように、本発明のエッチング液は、銅回路にダメージ与えることなくニッケルクロム合金層を短時間で除去できるものであった。   As is clear from the results shown in Table 3, the etching solution of the present invention can remove the nickel chromium alloy layer in a short time without damaging the copper circuit.

図1上段は、第2のエッチング処理を行う前の未処理状態の銅メッキ層及びニッケルクロム合金層の状態を示す電子顕微鏡写真であり、図1中段は、未処理の評価用基板について実施例5のエッチング液で60秒間エッチング処理を行った後の状態を示す電子顕微鏡写真であり、図1下段は、未処理の評価用基板について従来の過マンガン酸塩を用いて60秒間エッチング処理を行った後の状態を示す電子顕微鏡写真である。The upper part of FIG. 1 is an electron micrograph showing the state of the untreated copper plating layer and nickel chrome alloy layer before performing the second etching process, and the middle part of FIG. 1 is an example of an untreated evaluation substrate. 5 is an electron micrograph showing a state after etching for 60 seconds with an etching solution of No. 5, and the lower part of FIG. 1 shows an untreated substrate for evaluation that was etched for 60 seconds using a conventional permanganate. It is an electron micrograph which shows the state after a long time.

Claims (5)

硫酸と、ヒドロキシカルボン酸及び/又はアミノカルボン酸のみを含む水溶液からなることを特徴とするニッケルクロム合金用エッチング液。 An etching solution for a nickel chromium alloy comprising an aqueous solution containing only sulfuric acid and hydroxycarboxylic acid and / or aminocarboxylic acid. 前記アミノカルボン酸は、塩基性アミノカルボン酸又は中性アミノカルボン酸であることを特徴とする請求項1に記載のニッケルクロム合金用エッチング液。   2. The etching solution for a nickel chromium alloy according to claim 1, wherein the aminocarboxylic acid is a basic aminocarboxylic acid or a neutral aminocarboxylic acid. 前記ヒドロキシカルボン酸は、酒石酸またはリンゴ酸であることを特徴とする請求項1に記載のニッケルクロム合金用エッチング液。   The nickel chrome alloy etching solution according to claim 1, wherein the hydroxycarboxylic acid is tartaric acid or malic acid. 前記硫酸濃度が100g/L以上1100g/L以下であり、前記ヒドロキシカルボン酸及び/又はアミノカルボン酸濃度が0.005mol/L以上1.70mol/L以下である請求項1〜3の何れか1項に記載のニッケルクロム合金用エッチング液。   The sulfuric acid concentration is 100 g / L or more and 1100 g / L or less, and the hydroxycarboxylic acid and / or aminocarboxylic acid concentration is 0.005 mol / L or more and 1.70 mol / L or less. The etching solution for nickel chromium alloys as described in the item. ニッケルクロム合金層上に銅めっきを施した後、不要な部分の銅をエッチングで除去して回路を形成したフレキシブル配線基板を、請求項1〜4の何れか1項に記載のニッケルクロム合金用エッチング液に浸漬し、回路部分の銅をエッチングすることなくニッケルクロム合金のみを除去するエッチング方法。
The flexible wiring board which formed the circuit by removing copper of the unnecessary part by etching after copper plating on the nickel chromium alloy layer, for the nickel chromium alloy according to any one of claims 1 to 4 An etching method in which only the nickel-chromium alloy is removed without immersing the copper in the circuit portion by dipping in an etching solution.
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