JP4941264B2 - Metal shield plate for semiconductor device, sheet for metal shield, semiconductor device, method for producing sheet for metal shield, and method for producing metal shield plate - Google Patents

Metal shield plate for semiconductor device, sheet for metal shield, semiconductor device, method for producing sheet for metal shield, and method for producing metal shield plate Download PDF

Info

Publication number
JP4941264B2
JP4941264B2 JP2007317051A JP2007317051A JP4941264B2 JP 4941264 B2 JP4941264 B2 JP 4941264B2 JP 2007317051 A JP2007317051 A JP 2007317051A JP 2007317051 A JP2007317051 A JP 2007317051A JP 4941264 B2 JP4941264 B2 JP 4941264B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal shield
shield plate
metal
sheet
connecting portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007317051A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009141194A (en
Inventor
永 知加雄 池
田 幸 治 冨
村 早一郎 島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2007317051A priority Critical patent/JP4941264B2/en
Publication of JP2009141194A publication Critical patent/JP2009141194A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4941264B2 publication Critical patent/JP4941264B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description

本発明は半導体装置の半導体チップを磁気から保護する半導体装置用のメタルシールド板、メタルシールド板を含むメタルシールド用シート、メタルシールド板を備えた半導体装置、メタルシールド用シートの製造方法、およびメタルシールド板の製造方法に係り、とりわけ製造コストを削減することができるとともにメタルシールド板のバリが半導体チップを傷付けることがない、メタルシールド板、メタルシールド用シート、半導体装置、メタルシールド用シートの製造方法、およびメタルシールド板の製造方法に関する。   The present invention relates to a metal shield plate for a semiconductor device that protects the semiconductor chip of the semiconductor device from magnetism, a metal shield sheet including the metal shield plate, a semiconductor device including the metal shield plate, a method for manufacturing the metal shield sheet, and a metal The present invention relates to a method of manufacturing a shield plate, and in particular, manufacturing of metal shield plates, metal shield sheets, semiconductor devices, and metal shield sheets, which can reduce the manufacturing cost and the metal shield plate burrs do not damage the semiconductor chip. The present invention relates to a method and a method for manufacturing a metal shield plate.

ＭＲＡＭ等の半導体チップを有する半導体装置は、その内部にメタルシールド板が設けられている。このようなメタルシールド板は、半導体装置の半導体チップを半導体装置外部の磁気（磁場）から保護するため、磁気シールド効果のある金属素材から作製される。   A semiconductor device having a semiconductor chip such as an MRAM is provided with a metal shield plate therein. Such a metal shield plate is made of a metal material having a magnetic shielding effect in order to protect the semiconductor chip of the semiconductor device from magnetism (magnetic field) outside the semiconductor device.

このようなメタルシールド板を作製する場合、金属素材をプレス加工することによりメタルシールド板を作製することも考えられる。しかしながら、この場合完成したメタルシールド板に抜きバリと歪みが発生し、このバリが半導体チップの回路面に接し、半導体チップの回路を傷つける場合があった。このため、プレス加工によりメタルシールド板を作製することは問題があった。   When producing such a metal shield plate, it is also conceivable to produce a metal shield plate by pressing a metal material. However, in this case, the burrs and distortion are generated in the completed metal shield plate, and the burrs may contact the circuit surface of the semiconductor chip and damage the circuit of the semiconductor chip. For this reason, producing a metal shield plate by press working has a problem.

このため、メタルシールド板はエッチング加工法により作製されるのが一般的である。このようなエッチング加工法の一つとして、まず一面にテープ素材を貼着した金属素材を準備し、次にこの金属素材に対して当該一面と反対の面側からエッチング加工を施すことにより個々のメタルシールド板を作製することが考えられる（片面エッチング）。しかしながら、この方法を用いる場合、金属素材両面をエッチングしてメタルシールド板を作製する場合と比較してエッチング加工時間が約２倍となるため、加工時間が長いという問題がある。また、エッチング形状が片側へテーパーした形状となるため、メタルシールド板端部におけるシールド効果が低減するという問題もある。   For this reason, the metal shield plate is generally manufactured by an etching method. As one of such etching processing methods, first, a metal material with a tape material attached to one side is prepared, and then the individual etching process is performed on the metal material from the side opposite to the one side. It is conceivable to produce a metal shield plate (single-sided etching). However, when this method is used, there is a problem that the processing time is long because the etching processing time is about twice as long as the case where the metal shield plate is manufactured by etching both surfaces of the metal material. Further, since the etching shape is tapered to one side, there is a problem that the shielding effect at the end portion of the metal shield plate is reduced.

あるいは、図９に示すように、メタルシールド用シート１００を用いてメタルシールド板１０１を作製する方法も考えられる。すなわち、まず金属素材の両面からエッチング加工を行ない、次に必要によりアニール処理を施すことにより、メタルシールド用シート１００を作製する。このメタルシールド用シート１００は、メタルシールド板１０１と、メタルシールド板１０１に連結されたブリッジ１０２とを有する。次に、ブリッジ１０２を手作業で切断し、各メタルシールド板１０１を単体毎に分離して専用トレー１０３に載置する。その後、メタルシールド板１０１は、専用トレー１０３に載置された状態で半導体装置の組立て工程に搬送され、半導体装置に組込まれる。   Alternatively, as shown in FIG. 9, a method of manufacturing the metal shield plate 101 using the metal shield sheet 100 is also conceivable. That is, the metal shield sheet 100 is manufactured by first performing etching from both surfaces of the metal material and then performing an annealing process as necessary. The metal shield sheet 100 includes a metal shield plate 101 and a bridge 102 connected to the metal shield plate 101. Next, the bridge 102 is manually cut, and each metal shield plate 101 is separated into individual pieces and placed on the dedicated tray 103. Thereafter, the metal shield plate 101 is transferred to the assembly process of the semiconductor device while being placed on the dedicated tray 103, and is incorporated into the semiconductor device.

この場合、メタルシールド用シート１００がブリッジ１０２を有しているため、エッチング加工およびアニール処理を容易に行なうことができるという利点がある。しかしながら、メタルシールド板１０１のサイズが比較的小さく、またメタルシールド板１０１を分離して専用トレー１０３に並べる作業は手作業で行なわれるため、この作業に高いコストがかかっている。今後さらにメタルシールド板１０１のサイズが小さくなることも予想されるため、メタルシールド板１０１を専用トレー１０３に並べる作業はますます困難となると考えられる。   In this case, since the metal shield sheet 100 has the bridge 102, there is an advantage that the etching process and the annealing process can be easily performed. However, since the size of the metal shield plate 101 is relatively small and the work of separating the metal shield plate 101 and arranging it on the dedicated tray 103 is performed manually, this work is expensive. Since the size of the metal shield plate 101 is expected to be further reduced in the future, it is considered that the work of arranging the metal shield plate 101 on the dedicated tray 103 becomes more difficult.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、メタルシールド板を専用トレーへ載置する工程を省くことにより、作業時間を短縮するとともに製造コストを削減することができる、半導体装置用のメタルシールド板、メタルシールド用シート、半導体装置、メタルシールド用シートの製造方法、およびメタルシールド板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and by omitting the step of placing the metal shield plate on the dedicated tray, the semiconductor device can reduce the working time and the manufacturing cost. An object of the present invention is to provide a metal shield plate, a metal shield sheet, a semiconductor device, a metal shield sheet manufacturing method, and a metal shield plate manufacturing method.

本発明は、半導体装置用のメタルシールド板を含むメタルシールド用シートにおいて、複数の開口を有する枠体と、枠体の開口内に配置され、枠体に連結部を介して連結された複数のメタルシールド板とを備え、連結部は、少なくともメタルシールド板に隣接する部分において、その厚みがメタルシールド板の厚さより薄く形成され、一方の面から他方の面に向って形成されたエッチング空間を有することを特徴とするメタルシールド用シートである。   The present invention relates to a metal shield sheet including a metal shield plate for a semiconductor device, a frame having a plurality of openings, and a plurality of frames disposed in the openings of the frame and connected to the frames via a connecting portion. A connecting portion is formed at least in a portion adjacent to the metal shield plate, the thickness of which is thinner than the thickness of the metal shield plate, and an etching space formed from one surface toward the other surface. It is a sheet | seat for metal shields characterized by having.

本発明は、連結部は、その全域にわたりその厚みがメタルシールド板の厚さより薄く形成されていることを特徴とするメタルシールド用シートである。   This invention is a sheet | seat for metal shields characterized by the thickness of the connection part being thinner than the thickness of a metal shield board over the whole region.

本発明は、枠体は隣接する開口間に形成された細長いステー部を更に有し、メタルシールド板は、連結部を介して枠体のステー部に連結されていることを特徴とするメタルシールド用シートである。   In the present invention, the frame further includes an elongated stay portion formed between adjacent openings, and the metal shield plate is connected to the stay portion of the frame body via the connection portion. Sheet.

本発明は、メタルシールド用シートは、Ｆｅ−Ｎｉ合金を含む材料により一体成形されていることを特徴とするメタルシールド用シートである。   The present invention is the metal shield sheet, wherein the metal shield sheet is integrally formed of a material containing an Fe-Ni alloy.

本発明は、半導体装置用のメタルシールド板において、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリ（接続部を切断した残り）とを備え、バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、バリの厚みは、シールド板本体の厚みより薄いことを特徴とするメタルシールド板である。 According to the present invention, in a metal shield plate for a semiconductor device, a shield plate main body including one surface and the other surface, and a burr projecting from the shield plate main body to the side (remaining after cutting the connection portion) are provided. The burr is provided on the other surface side of the shield plate body, and the thickness of the burr is thinner than the thickness of the shield plate body .

本発明は、回路面を有する半導体チップと、半導体チップの少なくとも回路面に設けられたメタルシールド板とを備えた半導体装置において、メタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリ（接続部を切断した残り）とを有し、メタルシールド板は、一方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、バリの厚みは、シールド板本体の厚みより薄いことを特徴とする半導体装置である。 The present invention relates to a semiconductor device including a semiconductor chip having a circuit surface and a metal shield plate provided on at least the circuit surface of the semiconductor chip, wherein the metal shield plate includes one surface and the other surface. The metal shield plate is disposed with one surface facing the circuit surface side of the semiconductor chip, and has a burr projecting sideways from the shield plate main body (the remainder after cutting the connection portion). Is a semiconductor device characterized in that it is located on the other surface side of the shield plate body, and the thickness of the burr is smaller than the thickness of the shield plate body .

本発明は、半導体チップの回路面と反対側の面に、追加のメタルシールド板が設けられていることを特徴とする半導体装置である。   The present invention is a semiconductor device characterized in that an additional metal shield plate is provided on the surface opposite to the circuit surface of the semiconductor chip.

本発明は、半導体装置用のメタルシールド板を含むメタルシールド用シートの製造方法において、メタルシールド用シートを製造するためのメタル基板を準備する工程と、メタル基板の両面からエッチング加工を施すことにより、複数の開口を有する枠体と、枠体の開口内に配置され、枠体に連結部を介して連結された複数のメタルシールド板と有するメタルシールド用シートを作製する工程とを備え、メタルシールド用シートを作製する工程において、メタル基板の一方の面からハーフエッチング加工を施すことにより、メタルシールド用シートの連結部に、一方の面から他方の面に向ってエッチング空間を形成することを特徴とするメタルシールド用シートの製造方法である。   The present invention provides a method for producing a metal shield sheet including a metal shield plate for a semiconductor device, a step of preparing a metal substrate for producing the metal shield sheet, and etching from both sides of the metal substrate. A metal shield sheet having a frame body having a plurality of openings and a plurality of metal shield plates arranged in the opening of the frame body and connected to the frame body via a connecting portion, In the process of producing the shield sheet, by performing half-etching from one surface of the metal substrate, an etching space is formed in the connecting portion of the metal shield sheet from one surface to the other surface. It is the manufacturing method of the sheet | seat for metal shielding characterized.

本発明は、半導体装置用のメタルシールド板の製造方法において、メタルシールド用シートを製造するためのメタル基板を準備する工程と、メタル基板の両面からエッチング加工を施すことにより、複数の開口を有する枠体と、枠体の開口内に配置され、枠体に連結部を介して連結された複数のメタルシールド板と有するメタルシールド用シートを作製する工程とを有し、メタルシールド用シートを作製する工程において、メタル基板の一方の面からハーフエッチング加工を施すことにより、メタルシールド用シートの連結部に、一方の面から他方の面に向ってエッチング空間を形成するメタルシールド用シートの製造方法によりメタルシールド用シートを製造する工程と、ブレードによって他方の面側から連結部を切断することにより、メタルシールド板を枠体から分離する工程とを備え、メタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するとともに、メタルシールド用シートの連結部の一部からなるバリとを有し、バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、バリの厚みは、シールド板本体の厚みより薄いことを特徴とするメタルシールド板の製造方法である。 The present invention provides a method for manufacturing a metal shield plate for a semiconductor device, the step of preparing a metal substrate for manufacturing a metal shield sheet, and etching processing from both sides of the metal substrate, thereby providing a plurality of openings. A metal shield sheet having a frame body and a metal shield sheet disposed in the opening of the frame body and having a plurality of metal shield plates connected to the frame body via a connecting portion. The metal shield sheet manufacturing method for forming an etching space from one surface to the other surface in the connecting portion of the metal shield sheet by performing a half etching process from one surface of the metal substrate in the step of performing The process of manufacturing the sheet for metal shield by cutting and cutting the connecting portion from the other surface side by the blade, And a step of separating the Rushirudo plate from the frame, the metal shield plate, the shield plate body including a one surface and the other surface, with protruding toward the shield plate main body to the side, seat metal shield The burr is located on the other side of the shield plate body, and the thickness of the burr is thinner than the thickness of the shield plate body . It is a manufacturing method.

本発明は、枠体は隣接する開口間に形成された細長いステー部を更に有し、メタルシールド板は、連結部を介して枠体のステー部に連結され、メタルシールド板を枠体から分離する工程において、ステー部より幅広のブレードによってステー部および連結部を切断することにより、メタルシールド板を枠体から分離することを特徴とするメタルシールド板の製造方法である。   In the present invention, the frame further has an elongated stay formed between adjacent openings, and the metal shield plate is connected to the stay of the frame via the connecting portion, and the metal shield plate is separated from the frame. In this step, the metal shield plate is separated from the frame body by cutting the stay portion and the connecting portion with a blade wider than the stay portion.

以上のように本発明によれば、半導体装置を製造する工程の前にメタルシールド板を専用トレーへ載置する作業を行なう必要がないので、作業時間を短縮することができるとともに製造コストを削減することができる。   As described above, according to the present invention, it is not necessary to perform the work of placing the metal shield plate on the dedicated tray before the process of manufacturing the semiconductor device, so that the work time can be shortened and the manufacturing cost can be reduced. can do.

また本発明によれば、メタルシールド板のバリは、シールド板本体の他方の面側に位置するので、メタルシールド板を半導体装置内に組込んだ際バリが半導体チップに接触せず、半導体チップが傷付けられるおそれがない。   Further, according to the present invention, since the burr of the metal shield plate is located on the other surface side of the shield plate body, the burr does not contact the semiconductor chip when the metal shield plate is incorporated in the semiconductor device, and the semiconductor chip There is no risk of damage.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１乃至図８は、本発明の一実施の形態を示す図である。ここで、図１は、本発明によるメタルシールド用シートの一実施の形態を示す平面図であり、図２は、図１のＩ部を拡大して示す斜視図である。また図３（ａ）−（ｄ）は、メタルシールド用シートの連結部の変形例を示す図であり、図４は、本発明によるメタルシールド板の一実施の形態を示す斜視図である。また図５（ａ）（ｂ）は、本発明による半導体装置の一実施の形態を示す概略図であり、図６（ａ）（ｂ）は、半導体装置の変形例を示す概略図である。また図７（ａ）−（ｅ）は、メタルシールド用シートの製造方法を示す平面図であり、図８（ａ）（ｂ）は、メタルシールド板の製造方法を示す断面図である。   1 to 8 are diagrams showing an embodiment of the present invention. Here, FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a metal shielding sheet according to the present invention, and FIG. 2 is an enlarged perspective view showing a portion I of FIG. FIGS. 3A to 3D are views showing modifications of the connecting portion of the metal shield sheet, and FIG. 4 is a perspective view showing an embodiment of the metal shield plate according to the present invention. 5A and 5B are schematic views showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention, and FIGS. 6A and 6B are schematic views showing modifications of the semiconductor device. 7A to 7E are plan views showing a method for manufacturing a metal shield sheet, and FIGS. 8A and 8B are cross-sectional views showing a method for manufacturing a metal shield plate.

まず図１乃至図３により、本発明によるメタルシールド用シートの概略について説明する。
図１に示すように、メタルシールド用シート１０は、複数の矩形状の開口２１を有する枠体２０と、枠体２０の開口２１内に配置され、枠体２０に連結部３０を介して連結された複数のメタルシールド板４０とを備えている。このうち枠体２０は、複数の開口２１全体を取り囲む外枠部２２と、隣接する各開口２１間に形成され、互いに平行に配置された複数の細長いステー部２３とを有している。これら枠体２０の外枠部２２、ステー部２３、およびメタルシールド板４０は、互いに同一の厚さからなっている。 First, the outline of the metal shielding sheet according to the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, the metal shield sheet 10 is arranged in a frame body 20 having a plurality of rectangular openings 21 and the openings 21 of the frame body 20, and is connected to the frame body 20 via a connecting portion 30. The plurality of metal shield plates 40 are provided. Of these, the frame body 20 includes an outer frame portion 22 that surrounds the plurality of openings 21, and a plurality of elongated stay portions 23 that are formed between the adjacent openings 21 and are arranged in parallel to each other. The outer frame portion 22, the stay portion 23, and the metal shield plate 40 of the frame body 20 have the same thickness.

図１に示すように、連結部３０は、各メタルシールド板４０の側部にそれぞれ設けられている。すなわち各連結部３０は、メタルシールド板４０の側部と枠体２０のステー部２３（または外枠部２２）とを連結するものである。   As shown in FIG. 1, the connecting portion 30 is provided on each side of each metal shield plate 40. That is, each connecting portion 30 connects the side portion of the metal shield plate 40 and the stay portion 23 (or the outer frame portion 22) of the frame body 20.

また図２に示すように、連結部３０は、その全域にわたりその厚みがメタルシールド板４０の厚さより薄く形成され、一方の面（図２の下面）３０Ａから他方の面（図２の上面）３０Ｂに向って形成されたエッチング空間３１を有している。   Further, as shown in FIG. 2, the connecting portion 30 is formed to have a thickness thinner than the thickness of the metal shield plate 40 over the entire region, and from one surface (lower surface in FIG. 2) to the other surface (upper surface in FIG. 2). It has an etching space 31 formed toward 30B.

メタルシールド用シート１０は、後述するように一枚の金属板（メタル基板７０）をエッチング加工することにより作製されたものである。すなわちメタルシールド用シート１０の枠体２０、連結部３０、およびメタルシールド板４０は互いに一体に形成されている。このメタルシールド用シート１０は、例えばパーマロイＰＣ材等のＦｅ−Ｎｉ合金を含む材料等、透磁率の高い材料からなることが好ましい。   The metal shield sheet 10 is produced by etching one metal plate (metal substrate 70) as will be described later. That is, the frame body 20, the connecting portion 30, and the metal shield plate 40 of the metal shield sheet 10 are integrally formed with each other. The metal shield sheet 10 is preferably made of a material having a high magnetic permeability such as a material containing an Fe—Ni alloy such as a permalloy PC material.

なお連結部３０の厚みは、メタルシールド板４０の厚みの約１／２程度とすることが好ましい。また、図２において、連結部３０はその全域にわたりその厚みがメタルシールド板４０の厚さより薄く形成されているが、これに限らず、連結部３０のうち少なくともメタルシールド板４０に隣接する部分においてその厚みがメタルシールド板４０の厚さより薄ければ良い。例えば、エッチング空間３１の幅は、連結部３０の幅の約１／２程度であっても良く（図３（ａ）（ｃ））、あるいはエッチング空間３１の幅が連結部３０の幅の約３／４程度であっても良い（図３（ｂ）（ｄ））。   The thickness of the connecting portion 30 is preferably about ½ of the thickness of the metal shield plate 40. Further, in FIG. 2, the connecting portion 30 is formed to have a thickness thinner than the thickness of the metal shield plate 40 over the entire region. However, the present invention is not limited to this, and at least a portion of the connecting portion 30 adjacent to the metal shield plate 40. The thickness may be thinner than the thickness of the metal shield plate 40. For example, the width of the etching space 31 may be about ½ of the width of the connecting portion 30 (FIGS. 3A and 3C), or the width of the etching space 31 is about the width of the connecting portion 30. It may be about 3/4 (FIGS. 3B and 3D).

次に図４により、本発明によるメタルシールド板の概略について説明する。
図４に示す半導体装置用のメタルシールド板４０は、上述したメタルシールド用シート１０に含まれるものである。すなわちメタルシールド板４０は、後述するようにメタルシールド用シート１０の連結部３０を切断して、枠体２０から分離することにより作製されたものである。 Next, the outline of the metal shield plate according to the present invention will be described with reference to FIG.
A metal shield plate 40 for a semiconductor device shown in FIG. 4 is included in the metal shield sheet 10 described above. That is, the metal shield plate 40 is produced by cutting the connecting portion 30 of the metal shield sheet 10 and separating it from the frame body 20 as will be described later.

このような構成からなるメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含む矩形状のシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ、具体的には接続部を切断した残り４２とを備えている。   The metal shield plate 40 having such a configuration includes a rectangular shield plate body 41 including one surface 41A and the other surface 41B, and a burr projecting to the side of the shield plate body 41, specifically, a connection. And a remaining part 42 after cutting the part.

このうちバリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置するとともに、一方の面４２Ａと他方の面４２Ｂとを有している。すなわちバリ４２の他方の面４２Ｂは、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂと同一平面上に設けられている。他方、バリ４２の一方の面４２Ａは、シールド板本体４１の一方の面４１Ａより他方の面４１Ｂ側に位置している。すなわちバリ４２の厚さはシールド板本体４１の厚さより薄い。なおバリ４２は、上述したメタルシールド用シート１０の連結部３０の一部に相当する。   Among these, the burr 42 is located on the other surface 41B side of the shield plate body 41, and has one surface 42A and the other surface 42B. That is, the other surface 42 </ b> B of the burr 42 is provided on the same plane as the other surface 41 </ b> B of the shield plate body 41. On the other hand, one surface 42A of the burr 42 is located closer to the other surface 41B than the one surface 41A of the shield plate body 41. That is, the thickness of the burr 42 is thinner than the thickness of the shield plate body 41. The burr 42 corresponds to a part of the connecting portion 30 of the metal shield sheet 10 described above.

メタルシールド板４０の大きさは問わないが、後述するように半導体装置を製造する工程の前にメタルシールド板４０を手作業で専用トレーへ載置する必要がないので、メタルシールド板４０の一辺を例えば１ｍｍ乃至３ｍｍ程度まで小さくすることもできる。またメタルシールド板４０の厚みは５０μｍ乃至２００μｍとすることが好ましく、１００μｍ乃至１５０μｍとすることが更に好ましい。メタルシールド板４０の厚みが５０μｍ未満となると外部の磁気から半導体チップを十分に保護できない。他方、メタルシールド板４０の厚みが２００μｍ超となると半導体装置全体の厚さが厚くなるので好ましくない。   Although the size of the metal shield plate 40 is not limited, it is not necessary to manually place the metal shield plate 40 on the dedicated tray before the process of manufacturing the semiconductor device as will be described later. Can be reduced to, for example, about 1 mm to 3 mm. The thickness of the metal shield plate 40 is preferably 50 μm to 200 μm, and more preferably 100 μm to 150 μm. If the thickness of the metal shield plate 40 is less than 50 μm, the semiconductor chip cannot be sufficiently protected from external magnetism. On the other hand, if the thickness of the metal shield plate 40 exceeds 200 μm, the thickness of the entire semiconductor device increases, which is not preferable.

次に図５乃至図６により、本発明による半導体装置の概略について説明する。
なお図５（ａ）は、半導体装置がＳＯＰ（Small Outline Packageの略）からなる場合を示す図であり、図５（ｂ）は、半導体装置がＢＧＡ（Ball GridArray Packageの略）からなる場合を示す図である。 Next, an outline of the semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIGS.
5A is a diagram showing a case where the semiconductor device is made of SOP (abbreviation of Small Outline Package), and FIG. 5B is a case where the semiconductor device is made of BGA (abbreviation of Ball Grid Array Package). FIG.

このうち図５（ａ）に示すＳＯＰからなる半導体装置５０は、ダイパッド５２と、ダイパッド５２に載置され、回路面５１Ａを有する半導体チップ５１と、半導体チップ５１の回路面５１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ５１は、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。   Among these, the semiconductor device 50 made of SOP shown in FIG. 5A includes a die pad 52, a semiconductor chip 51 mounted on the die pad 52 and having a circuit surface 51A, and a metal provided on the circuit surface 51A of the semiconductor chip 51. And a shield plate 40. Among these, the semiconductor chip 51 is composed of a semiconductor memory such as an MRAM including a memory element exhibiting a magnetoresistive effect.

メタルシールド板４０は、上述したように、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含むシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ４２とを有している。このうちバリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置している。またメタルシールド板４０は、シールド板本体４１の一方の面４１Ａを半導体チップ５１の回路面５１Ａ側に向けるように配置されている。   As described above, the metal shield plate 40 includes the shield plate main body 41 including the one surface 41A and the other surface 41B, and the burr 42 protruding to the side of the shield plate main body 41. Among these, the burr 42 is located on the other surface 41 </ b> B side of the shield plate main body 41. The metal shield plate 40 is arranged so that one surface 41A of the shield plate body 41 faces the circuit surface 51A side of the semiconductor chip 51.

また半導体チップ５１の回路面５１Ａとリードフレーム５４とは、金製のボンディングワイヤ５５により電気的に接続されている。さらにダイパッド５２、半導体チップ５１、メタルシールド板４０、およびボンディングワイヤ５５は、封止樹脂５６により封止されている。   The circuit surface 51A of the semiconductor chip 51 and the lead frame 54 are electrically connected by a gold bonding wire 55. Further, the die pad 52, the semiconductor chip 51, the metal shield plate 40, and the bonding wire 55 are sealed with a sealing resin 56.

ところで図５（ａ）に示すように、メタルシールド板４０は、バリ４２が半導体チップ５１と反対側の位置となるように半導体チップ５１上に載置されている。したがって、半導体装置５０の製造工程において、メタルシールド板４０のバリ４２によって半導体チップ５１の回路面５１Ａが傷付けられるおそれがない。   Incidentally, as shown in FIG. 5A, the metal shield plate 40 is placed on the semiconductor chip 51 so that the burr 42 is located on the opposite side of the semiconductor chip 51. Therefore, in the manufacturing process of the semiconductor device 50, the circuit surface 51A of the semiconductor chip 51 is not damaged by the burr 42 of the metal shield plate 40.

一方、図５（ｂ）に示すＢＧＡからなる半導体装置６０は、パッケージ基板６７と、パッケージ基板６７上に設けられたダイパッド６２と、ダイパッド６２に載置され、回路面６１Ａを有する半導体チップ６１と、半導体チップ６１の回路面６１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ６１は、上述した半導体チップ５１と同様、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。   On the other hand, a semiconductor device 60 made of BGA shown in FIG. 5B includes a package substrate 67, a die pad 62 provided on the package substrate 67, a semiconductor chip 61 mounted on the die pad 62 and having a circuit surface 61A. And a metal shield plate 40 provided on the circuit surface 61A of the semiconductor chip 61. Among these, the semiconductor chip 61 is composed of a semiconductor memory such as an MRAM including a memory element exhibiting a magnetoresistive effect, like the semiconductor chip 51 described above.

メタルシールド板４０は、上述したように、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含むシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ４２とを有している。このうちバリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置している。またメタルシールド板４０は、シールド板本体４１の一方の面４１Ａを半導体チップ６１の回路面６１Ａ側に向けるように配置されている。   As described above, the metal shield plate 40 includes the shield plate main body 41 including the one surface 41A and the other surface 41B, and the burr 42 protruding to the side of the shield plate main body 41. Among these, the burr 42 is located on the other surface 41 </ b> B side of the shield plate main body 41. The metal shield plate 40 is arranged so that one surface 41A of the shield plate body 41 faces the circuit surface 61A side of the semiconductor chip 61.

またパッケージ基板６７上に端子部６４が設けられ、端子部６４にはんだボール６８が電気的に接続されている。このはんだボール６８は、パッケージ基板６７から外方に突出している。また端子部６４と半導体チップ６１の回路面６１Ａとは、金製のボンディングワイヤ６５により電気的に接続されている。さらにダイパッド６２、半導体チップ６１、メタルシールド板４０、端子部６４、およびボンディングワイヤ６５は、封止樹脂６６により封止されている。   A terminal portion 64 is provided on the package substrate 67, and solder balls 68 are electrically connected to the terminal portion 64. The solder balls 68 protrude outward from the package substrate 67. The terminal portion 64 and the circuit surface 61A of the semiconductor chip 61 are electrically connected by a gold bonding wire 65. Further, the die pad 62, the semiconductor chip 61, the metal shield plate 40, the terminal portion 64, and the bonding wire 65 are sealed with a sealing resin 66.

図５（ｂ）に示すように、メタルシールド板４０は、バリ４２が半導体チップ６１と反対側の位置となるように半導体チップ６１上に載置されている。したがって、半導体装置６０の製造工程において、メタルシールド板４０のバリ４２によって半導体チップ６１の回路面６１Ａが傷付けられるおそれがない。   As shown in FIG. 5B, the metal shield plate 40 is placed on the semiconductor chip 61 so that the burr 42 is positioned on the side opposite to the semiconductor chip 61. Therefore, in the manufacturing process of the semiconductor device 60, there is no possibility that the circuit surface 61A of the semiconductor chip 61 is damaged by the burr 42 of the metal shield plate 40.

図５（ａ）（ｂ）において、メタルシールド板４０は半導体チップ５１、６１の回路面５１Ａ、６１Ａ側に設けられている。しかしながらこれに限らず、図６（ａ）（ｂ）に示すように、メタルシールド板４０に加え、半導体チップ５１、６１の回路面５１Ａ、６１Ａと反対側の面５１Ｂ、６１Ｂに追加のメタルシールド板４０Ａが設けられていても良い。   5A and 5B, the metal shield plate 40 is provided on the circuit surfaces 51A, 61A side of the semiconductor chips 51, 61. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIGS. 6A and 6B, in addition to the metal shield plate 40, additional metal shields are provided on the surfaces 51B and 61B opposite to the circuit surfaces 51A and 61A of the semiconductor chips 51 and 61. A plate 40A may be provided.

図６（ａ）（ｂ）に示す半導体装置５０、６０は、追加のメタルシールド板４０Ａを設けた点が異なるのみであり、他は図５（ａ）（ｂ）に示す半導体装置５０、６０と同一である。図６（ａ）（ｂ）において、図５（ａ）（ｂ）に示す実施の形態と同一部分は同一符号を付しておく。また図６（ａ）（ｂ）に示す追加のメタルシールド板４０Ａの構成は、上述したメタルシールド板４０の構成と略同一である。   The semiconductor devices 50 and 60 shown in FIGS. 6A and 6B differ only in that an additional metal shield plate 40A is provided, and the other semiconductor devices 50 and 60 shown in FIGS. 5A and 5B. Is the same. 6 (a) and 6 (b), the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b) are denoted by the same reference numerals. The configuration of the additional metal shield plate 40A shown in FIGS. 6A and 6B is substantially the same as the configuration of the metal shield plate 40 described above.

すなわち図６（ａ）に示すように、ＳＯＰからなる半導体装置５０において、半導体チップ５１の回路面５１Ａと反対側の面５１Ｂに追加のメタルシールド板４０Ａが設けられている。この場合、追加のメタルシールド板４０Ａは半導体チップ５１とダイパッド５２との間に介在される。   That is, as shown in FIG. 6A, in the semiconductor device 50 made of SOP, an additional metal shield plate 40A is provided on the surface 51B opposite to the circuit surface 51A of the semiconductor chip 51. In this case, the additional metal shield plate 40 </ b> A is interposed between the semiconductor chip 51 and the die pad 52.

一方、図６（ｂ）に示すように、ＢＧＡからなる半導体装置６０において、半導体チップ６１の回路面６１Ａと反対側の面６１Ｂに追加のメタルシールド板４０Ａが設けられている。この場合、追加のメタルシールド板４０Ａは半導体チップ６１とダイパッド６２との間に介在される。   On the other hand, as shown in FIG. 6B, in the semiconductor device 60 made of BGA, an additional metal shield plate 40A is provided on the surface 61B of the semiconductor chip 61 opposite to the circuit surface 61A. In this case, the additional metal shield plate 40 </ b> A is interposed between the semiconductor chip 61 and the die pad 62.

なお図６（ａ）（ｂ）において、追加のメタルシールド板４０Ａは、バリ４２が半導体チップ５１、６１側にくるようにダイパッド５２、６２上に載置されている。しかしながら、追加のメタルシールド板４０Ａの大きさは半導体チップ５１、６１の大きさより大きく構成されているので、追加のメタルシールド板４０Ａのバリ４２によって半導体チップ６１が傷付けられることはない。   6A and 6B, the additional metal shield plate 40A is placed on the die pads 52 and 62 so that the burrs 42 are on the semiconductor chips 51 and 61 side. However, since the size of the additional metal shield plate 40A is larger than the size of the semiconductor chips 51 and 61, the semiconductor chip 61 is not damaged by the burr 42 of the additional metal shield plate 40A.

次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。   Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.

まず、半導体装置用のメタルシールド板を含むメタルシールド用シートを製造する方法について、図７（ａ）−（ｅ）により説明する。なお図７（ａ）−（ｅ）は、メタルシールド用シート１０の連結部３０周辺を拡大して示す図である。   First, a method for manufacturing a metal shield sheet including a metal shield plate for a semiconductor device will be described with reference to FIGS. FIGS. 7A to 7E are enlarged views showing the periphery of the connecting portion 30 of the metal shield sheet 10.

図７（ａ）に示すように、まずメタルシールド用シート１０を製造するためのメタル基板７０を準備する。このメタル基板７０は、上述したように透磁率の高い金属からなることが好ましく、例えばパーマロイＰＣ材等のＦｅ−Ｎｉ合金を含んでいる。   As shown in FIG. 7A, first, a metal substrate 70 for manufacturing the metal shield sheet 10 is prepared. As described above, the metal substrate 70 is preferably made of a metal with high magnetic permeability, and includes, for example, an Fe—Ni alloy such as a permalloy PC material.

次に、メタル基板７０の一方の面７０Ａ全体にレジスト層７１を設けるととともに、他方の面７０Ｂ全体にレジスト層７２を設ける（図７（ｂ））。   Next, the resist layer 71 is provided on the entire one surface 70A of the metal substrate 70, and the resist layer 72 is provided on the entire other surface 70B (FIG. 7B).

次いで、レジスト層７１、７２に各々所定形状からなるパターンを形成する（図７（ｃ））。この場合、例えば露光用マスクを介してレジスト層７１、７２を露光し、硬化させ、次いでレジスト層７１、７２を現像し、その後レジスト層７１、７２の不要部分を除去することにより、各レジスト層７１、７２に所定のパターンを形成することができる。   Next, a pattern having a predetermined shape is formed on each of the resist layers 71 and 72 (FIG. 7C). In this case, for example, the resist layers 71 and 72 are exposed and cured through an exposure mask, then the resist layers 71 and 72 are developed, and then unnecessary portions of the resist layers 71 and 72 are removed, thereby removing each resist layer. A predetermined pattern can be formed on 71 and 72.

この際、メタル基板７０の一方の面７０Ａ側に設けられたレジスト層７１のうち、メタルシールド用シート１０の連結部３０に対応する部分７１Ａのレジスト層７１を除去し、メタル基板７０を露出させる。これに対して、メタル基板７０の他方の面７０Ｂ側に設けられたレジスト層７２のうち、連結部３０に対応する部分７２Ａのレジスト層７２を残存させる。   At this time, of the resist layer 71 provided on the one surface 70A side of the metal substrate 70, the resist layer 71 of the portion 71A corresponding to the connecting portion 30 of the metal shield sheet 10 is removed to expose the metal substrate 70. . On the other hand, among the resist layer 72 provided on the other surface 70B side of the metal substrate 70, the resist layer 72 of the portion 72A corresponding to the connecting portion 30 is left.

次に、メタル基板７０の両面７０Ａ、７０Ｂにエッチング加工を施し、メタル基板７０のうちレジスト層７１、７２が設けられていない部分を除去する（図７（ｄ））。メタル基板７０のうちこのようにして除去された部分は、主にメタルシールド用シート１０の枠体２０の開口２１に対応する。一方、メタル基板７０のうち除去されなかった部分は、メタルシールド用シート１０の枠体２０、連結部３０、およびメタルシールド板４０に対応する。なお、このエッチング加工で用いられるエッチング液としては、塩化第２鉄水溶液、塩化第２銅水溶液、および銅アンモニウム錯イオンを含むアルカリ水溶液などが挙げられる。   Next, both surfaces 70A and 70B of the metal substrate 70 are etched to remove portions of the metal substrate 70 where the resist layers 71 and 72 are not provided (FIG. 7D). The portion of the metal substrate 70 removed in this way mainly corresponds to the opening 21 of the frame 20 of the metal shield sheet 10. On the other hand, portions of the metal substrate 70 that are not removed correspond to the frame 20, the connecting portion 30, and the metal shield plate 40 of the metal shield sheet 10. Examples of the etching solution used in this etching process include a ferric chloride aqueous solution, a cupric chloride aqueous solution, and an alkaline aqueous solution containing a copper ammonium complex ion.

メタル基板７０にエッチング加工を施す際、連結部３０に対応する部分には、メタル基板７０の一方の面７０Ａから他方の面３０Ｂにハーフエッチング加工が施される。このハーフエッチング加工により、メタルシールド用シート１０の連結部３０は、その厚みがメタルシールド板４０の厚さより薄く形成され、一方の面３０Ａから他方の面３０Ｂに向ってエッチング空間３１が形成される。   When etching the metal substrate 70, a half etching process is performed on the portion corresponding to the connecting portion 30 from one surface 70 </ b> A of the metal substrate 70 to the other surface 30 </ b> B. By this half-etching process, the connecting portion 30 of the metal shield sheet 10 is formed to have a thickness smaller than the thickness of the metal shield plate 40, and an etching space 31 is formed from one surface 30A to the other surface 30B. .

その後、レジスト層７１、７２を除去することにより、上述したメタルシールド用シート１０が得られる（図７（ｅ））。   Thereafter, by removing the resist layers 71 and 72, the above-described metal shield sheet 10 is obtained (FIG. 7E).

なお、その後メタルシールド用シート１０を５００℃乃至１１００℃の温度で熱処理し、メタルシールド用シート１０の磁気シールド効果を更に高めても良い。またレジスト層７１、７２を除去した後、洗浄工程、検査工程、およびアニール処理工程が適宜設けられていても良い。   After that, the metal shield sheet 10 may be heat treated at a temperature of 500 ° C. to 1100 ° C. to further enhance the magnetic shield effect of the metal shield sheet 10. Further, after removing the resist layers 71 and 72, a cleaning process, an inspection process, and an annealing process may be provided as appropriate.

次に、メタルシールド用シートを用いてメタルシールド板を製造する方法について説明する。   Next, a method for manufacturing a metal shield plate using a metal shield sheet will be described.

まず上述した工程により、図１に示すメタルシールド用シート１０を作製する（図７（ａ）−（ｅ））。次に、このようにして作製されたメタルシールド用シート１０を半導体装置５０、６０の組立て工程に搬送する。   First, the metal shield sheet 10 shown in FIG. 1 is produced by the above-described steps (FIGS. 7A to 7E). Next, the metal shield sheet 10 manufactured in this way is conveyed to the assembly process of the semiconductor devices 50 and 60.

この半導体装置５０、６０の組立て工程において、まずメタルシールド用シート１０をソーイング用固定テープ８１上に載置して固定する（図８参照）。なお図８は、メタルシールド用シート１０の連結部３０周辺における断面図である。   In the assembly process of the semiconductor devices 50 and 60, the metal shield sheet 10 is first placed and fixed on a sewing fixing tape 81 (see FIG. 8). FIG. 8 is a cross-sectional view around the connecting portion 30 of the metal shield sheet 10.

次に、ダイヤモンド砥石等からなるブレード８０によって、他方の面３０Ｂ側から連結部３０を切断する。これによりメタルシールド板４０が枠体２０から分離される（ソーイング（sawing）工程）。このようにして、メタルシールド用シート１０からメタルシールド板４０（図４参照）を製造することができる。   Next, the connection part 30 is cut | disconnected from the other surface 30B side with the braid | blade 80 which consists of a diamond grindstone. Thus, the metal shield plate 40 is separated from the frame body 20 (a sawing process). In this way, the metal shield plate 40 (see FIG. 4) can be manufactured from the metal shield sheet 10.

この際、連結部３０の一方の面３０Ａから他方の面３０Ｂに向ってエッチング空間３１が形成されているので、連結部３０を切断する際のブレード８０の切断負荷を約半分に減少させることができる。   At this time, since the etching space 31 is formed from one surface 30A of the connecting portion 30 toward the other surface 30B, the cutting load of the blade 80 when cutting the connecting portion 30 can be reduced to about half. it can.

なお、メタルシールド板４０を枠体２０から分離する工程において、図８（ｂ）に示すようにブレード８０により連結部３０を各々切断しても良いが、図８（ａ）に示すように、ステー部２３より幅広のブレード８０を用いて、ステー部２３および連結部３０を一体として切断することが好ましい。すなわちブレード８０をステー部２３の長手方向に沿って移動させることにより（図１の線分Ｌ参照）、ステー部２３と、このステー部２３の両側に位置する連結部３０、３０とを一度に連続して切断することが作業の効率化を図るうえで好ましい。   In addition, in the process of separating the metal shield plate 40 from the frame 20, the connecting portions 30 may be cut by the blades 80 as shown in FIG. 8B, but as shown in FIG. It is preferable to cut the stay part 23 and the connecting part 30 together using a blade 80 wider than the stay part 23. That is, by moving the blade 80 along the longitudinal direction of the stay portion 23 (see line segment L in FIG. 1), the stay portion 23 and the connecting portions 30 and 30 located on both sides of the stay portion 23 are moved at once. It is preferable to cut continuously to improve work efficiency.

その後、半導体装置５０、６０の組立て工程において、このようにして製造されたメタルシールド板４０を用いて、上述した半導体装置５０、６０が製造される。   Thereafter, in the assembly process of the semiconductor devices 50 and 60, the semiconductor devices 50 and 60 described above are manufactured using the metal shield plate 40 manufactured in this manner.

このように本実施の形態によれば、メタルシールド板４０は、半導体装置５０、６０の組立て工程においてブレード８０により枠体２０から分離される。したがって、従来のように半導体装置５０、６０を製造する工程の前にメタルシールド板４０を手作業で専用トレーへ載置する必要がない。これにより、専用トレーが必要なくなるとともに、作業時間を短縮することができ、かつ製造コストを削減することができる。   As described above, according to the present embodiment, the metal shield plate 40 is separated from the frame body 20 by the blade 80 in the assembly process of the semiconductor devices 50 and 60. Therefore, it is not necessary to manually place the metal shield plate 40 on the dedicated tray before the process of manufacturing the semiconductor devices 50 and 60 as in the prior art. This eliminates the need for a dedicated tray, shortens the working time, and reduces the manufacturing cost.

また本実施の形態によれば、メタルシールド板４０を半導体装置５０、６０内に組込んだ際、メタルシールド板４０のバリ４２が半導体チップ５１、６１に接触しないので、半導体チップ５１、６１が傷付けられるおそれがない。   In addition, according to the present embodiment, when the metal shield plate 40 is assembled in the semiconductor devices 50 and 60, the burrs 42 of the metal shield plate 40 do not contact the semiconductor chips 51 and 61. There is no risk of injury.

図１は、本発明によるメタルシールド用シートの一実施の形態を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a metal shield sheet according to the present invention. 図２は、図１のＩ部を拡大して示す斜視図。FIG. 2 is an enlarged perspective view showing a portion I in FIG. 図３（ａ）（ｂ）は、それぞれメタルシールド用シートの連結部の変形例を示す図、図３（ｃ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図３（ｄ）は、図３（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図。3 (a) and 3 (b) are diagrams showing modifications of the connecting portion of the metal shield sheet, respectively, FIG. 3 (c) is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 3 (a), and FIG. 3 (d). FIG. 4 is a sectional view taken along line BB in FIG. 図４は、本発明によるメタルシールド板の一実施の形態を示す斜視図。FIG. 4 is a perspective view showing an embodiment of a metal shield plate according to the present invention. 図５（ａ）（ｂ）は、それぞれ本発明による半導体装置の一実施の形態を示す概略図。5A and 5B are schematic views showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention, respectively. 図６（ａ）（ｂ）は、それぞれ図５（ａ）（ｂ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。6A and 6B are schematic views showing modifications of the semiconductor device shown in FIGS. 5A and 5B, respectively. 図７（ａ）−（ｅ）は、メタルシールド用シートの製造方法を示す図。7A to 7E are views showing a method for manufacturing a metal shield sheet. 図８（ａ）（ｂ）は、メタルシールド板の製造方法を示す断面図。8A and 8B are cross-sectional views showing a method for manufacturing a metal shield plate. 図９は、従来のメタルシールド板の製造方法を示す図。FIG. 9 is a view showing a conventional method for manufacturing a metal shield plate.

符号の説明Explanation of symbols

１０ メタルシールド用シート
２０ 枠体
２１ 開口
２２ 外枠部
２３ ステー部
３０ 連結部
３１ エッチング空間
４０ メタルシールド板
４１ シールド板本体
４２ バリ
５０、６０ 半導体装置
５１、６１ 半導体チップ
５２、６２ ダイパッド
５４ リードフレーム
５５、６５ ボンディングワイヤ
５６、６６ 封止樹脂
６４ 端子部
６７ パッケージ基板
６８ はんだボール
７０ メタル基板
７１、７２ レジスト層
８０ ブレード DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Metal shield sheet 20 Frame 21 Opening 22 Outer frame part 23 Stay part 30 Connection part 31 Etching space 40 Metal shield board 41 Shield board main body 42 Burr 50, 60 Semiconductor device 51, 61 Semiconductor chip 52, 62 Die pad 54 Lead frame 55, 65 Bonding wires 56, 66 Sealing resin 64 Terminal portion 67 Package substrate 68 Solder ball 70 Metal substrate 71, 72 Resist layer 80 Blade

Claims (10)

半導体装置用のメタルシールド板を含むメタルシールド用シートにおいて、
複数の開口を有する枠体と、
枠体の開口内に配置され、枠体に連結部を介して連結された複数のメタルシールド板とを備え、
連結部は、少なくともメタルシールド板に隣接する部分において、その厚みがメタルシールド板の厚さより薄く形成され、一方の面から他方の面に向って形成されたエッチング空間を有することを特徴とするメタルシールド用シート。 In the sheet for metal shield including the metal shield plate for semiconductor devices,
A frame having a plurality of openings;
A plurality of metal shield plates arranged in the opening of the frame body and connected to the frame body via a connecting portion;
The connecting portion is formed at least in a portion adjacent to the metal shield plate, the thickness of which is smaller than that of the metal shield plate, and has an etching space formed from one surface toward the other surface. Shield sheet. 連結部は、その全域にわたりその厚みがメタルシールド板の厚さより薄く形成されていることを特徴とする請求項１記載のメタルシールド用シート。   2. The metal shield sheet according to claim 1, wherein the connecting portion is formed to be thinner than the thickness of the metal shield plate over the entire area. 枠体は隣接する開口間に形成された細長いステー部を更に有し、
メタルシールド板は、連結部を介して枠体のステー部に連結されていることを特徴とする請求項１記載のメタルシールド用シート。 The frame further has an elongated stay formed between adjacent openings,
The metal shield sheet according to claim 1, wherein the metal shield plate is connected to a stay portion of the frame body via a connecting portion. メタルシールド用シートは、Ｆｅ−Ｎｉ合金を含む材料により一体成形されていることを特徴とする請求項１記載のメタルシールド用シート。   The metal shielding sheet according to claim 1, wherein the metal shielding sheet is integrally formed of a material containing an Fe-Ni alloy. 半導体装置用のメタルシールド板において、
一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、
シールド板本体から側方に向って突出するバリとを備え、
バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、
バリの厚みは、シールド板本体の厚みより薄いことを特徴とするメタルシールド板。 In metal shield plates for semiconductor devices,
A shield plate body including one surface and the other surface;
With a burr projecting sideways from the shield plate body,
The burr is located on the other side of the shield plate body ,
A metal shield plate characterized in that the thickness of the burr is thinner than the thickness of the shield plate body . 回路面を有する半導体チップと、半導体チップの少なくとも回路面に設けられたメタルシールド板とを備えた半導体装置において、
メタルシールド板は、
一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、
シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、
メタルシールド板は、一方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、
バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、
バリの厚みは、シールド板本体の厚みより薄いことを特徴とする半導体装置。 In a semiconductor device comprising a semiconductor chip having a circuit surface and a metal shield plate provided on at least the circuit surface of the semiconductor chip,
Metal shield plate
A shield plate body including one surface and the other surface;
Having a burr projecting sideways from the shield plate body,
The metal shield plate is arranged with one side facing the circuit side of the semiconductor chip,
The burr is located on the other side of the shield plate body ,
A semiconductor device characterized in that the burr has a thickness smaller than that of the shield plate body . 半導体チップの回路面と反対側の面に、追加のメタルシールド板が設けられていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。   7. The semiconductor device according to claim 6, wherein an additional metal shield plate is provided on a surface opposite to the circuit surface of the semiconductor chip. 半導体装置用のメタルシールド板を含むメタルシールド用シートの製造方法において、 メタルシールド用シートを製造するためのメタル基板を準備する工程と、
メタル基板の両面からエッチング加工を施すことにより、複数の開口を有する枠体と、枠体の開口内に配置され、枠体に連結部を介して連結された複数のメタルシールド板と有するメタルシールド用シートを作製する工程とを備え、
メタルシールド用シートを作製する工程において、メタル基板の一方の面からハーフエッチング加工を施すことにより、メタルシールド用シートの連結部に、一方の面から他方の面に向ってエッチング空間を形成することを特徴とするメタルシールド用シートの製造方法。 In a method for manufacturing a metal shield sheet including a metal shield plate for a semiconductor device, a step of preparing a metal substrate for manufacturing the metal shield sheet;
A metal shield having a frame body having a plurality of openings and a plurality of metal shield plates arranged in the opening of the frame body and connected to the frame body via a connecting portion by etching from both sides of the metal substrate A step of producing a sheet for use,
In the process of producing the metal shield sheet, an etching space is formed from one surface to the other surface in the connecting portion of the metal shield sheet by performing half-etching from one surface of the metal substrate. The manufacturing method of the sheet | seat for metal shield characterized by these. 半導体装置用のメタルシールド板の製造方法において、
メタルシールド用シートを製造するためのメタル基板を準備する工程と、メタル基板の両面からエッチング加工を施すことにより、複数の開口を有する枠体と、枠体の開口内に配置され、枠体に連結部を介して連結された複数のメタルシールド板と有するメタルシールド用シートを作製する工程とを有し、メタルシールド用シートを作製する工程において、メタル基板の一方の面からハーフエッチング加工を施すことにより、メタルシールド用シートの連結部に、一方の面から他方の面に向ってエッチング空間を形成するメタルシールド用シートの製造方法によりメタルシールド用シートを製造する工程と、
ブレードによって他方の面側から連結部を切断することにより、メタルシールド板を枠体から分離する工程とを備え、
メタルシールド板は、
一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、
シールド板本体から側方に向って突出するとともに、メタルシールド用シートの連結部の一部からなるバリとを有し、
バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、
バリの厚みは、シールド板本体の厚みより薄いことを特徴とするメタルシールド板の製造方法。 In a method for manufacturing a metal shield plate for a semiconductor device,
A step of preparing a metal substrate for manufacturing a sheet for metal shield, and a frame body having a plurality of openings by performing etching from both sides of the metal substrate, and the frame body are arranged in the openings of the frame body. And a step of producing a metal shield sheet having a plurality of metal shield plates connected via a connecting portion, and in the step of producing the metal shield sheet, half etching processing is performed from one surface of the metal substrate. By the process of manufacturing the sheet for metal shield by the method for manufacturing the sheet for metal shield to form the etching space from one surface to the other surface in the connecting portion of the sheet for metal shield,
A step of separating the metal shield plate from the frame by cutting the connecting portion from the other surface side with a blade ,
Metal shield plate
A shield plate body including one surface and the other surface;
And projecting sideways from the shield plate body, and having a burr formed of a part of the connecting portion of the sheet for metal shield,
The burr is located on the other side of the shield plate body,
A method for producing a metal shield plate, characterized in that the thickness of the burr is thinner than the thickness of the shield plate body . 枠体は隣接する開口間に形成された細長いステー部を更に有し、
メタルシールド板は、連結部を介して枠体のステー部に連結され、
メタルシールド板を枠体から分離する工程において、ステー部より幅広のブレードによってステー部および連結部を切断することにより、メタルシールド板を枠体から分離することを特徴とする請求項９記載のメタルシールド板の製造方法。 The frame further has an elongated stay formed between adjacent openings,
The metal shield plate is connected to the stay part of the frame through the connecting part,
10. The metal according to claim 9, wherein in the step of separating the metal shield plate from the frame body, the metal shield plate is separated from the frame body by cutting the stay portion and the connecting portion with a blade wider than the stay portion. Manufacturing method of shield plate.
JP2007317051A 2007-12-07 2007-12-07 Metal shield plate for semiconductor device, sheet for metal shield, semiconductor device, method for producing sheet for metal shield, and method for producing metal shield plate Active JP4941264B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007317051A JP4941264B2 (en) 2007-12-07 2007-12-07 Metal shield plate for semiconductor device, sheet for metal shield, semiconductor device, method for producing sheet for metal shield, and method for producing metal shield plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007317051A JP4941264B2 (en) 2007-12-07 2007-12-07 Metal shield plate for semiconductor device, sheet for metal shield, semiconductor device, method for producing sheet for metal shield, and method for producing metal shield plate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009141194A JP2009141194A (en) 2009-06-25
JP4941264B2 true JP4941264B2 (en) 2012-05-30

Family

ID=40871511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007317051A Active JP4941264B2 (en) 2007-12-07 2007-12-07 Metal shield plate for semiconductor device, sheet for metal shield, semiconductor device, method for producing sheet for metal shield, and method for producing metal shield plate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4941264B2 (en)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5425461B2 (en) * 2008-12-26 2014-02-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5470602B2 (en) * 2009-04-01 2014-04-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Magnetic storage
US8247888B2 (en) * 2009-04-28 2012-08-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing metallic shielding plate
JP5190713B2 (en) * 2009-04-28 2013-04-24 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of metal shield plate
JP5354376B2 (en) * 2009-11-27 2013-11-27 大日本印刷株式会社 Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP5483281B2 (en) * 2010-03-31 2014-05-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and semiconductor device assembly
JP5858335B2 (en) * 2012-01-16 2016-02-10 大日本印刷株式会社 Semiconductor device
JP2013165163A (en) * 2012-02-10 2013-08-22 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of metal shield plate and metal shield plate
JP5626402B2 (en) * 2013-04-24 2014-11-19 大日本印刷株式会社 Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and shield plate
JP6189444B2 (en) * 2013-09-04 2017-08-30 東芝メモリ株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6235598B2 (en) * 2013-09-04 2017-11-22 東芝メモリ株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6353763B2 (en) * 2014-09-30 2018-07-04 新光電気工業株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN114559223B (en) * 2022-03-23 2023-05-30 惠州市国丰达五金制品有限公司 Manufacturing method of metal power supply shell
CN115083928B (en) * 2022-07-20 2022-11-08 威海艾迪科电子科技股份有限公司 Semiconductor packaging component and manufacturing method thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04275957A (en) * 1991-03-01 1992-10-01 Nippon Stainless Steel Co Ltd Perforated metal sheet and laminated glass
JPH08125374A (en) * 1994-10-25 1996-05-17 Hitachi Ltd Case body internally having partition plate
JP3810000B2 (en) * 2001-11-29 2006-08-16 日本フイルコン株式会社 SEALING CAP FOR ELECTRONIC DEVICE PACKAGE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEALING METHOD USING THE CAP
JP2004221463A (en) * 2003-01-17 2004-08-05 Sony Corp Magnetic memory
JP2006156513A (en) * 2004-11-26 2006-06-15 Sohki:Kk Lid for package and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009141194A (en) 2009-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4941264B2 (en) Metal shield plate for semiconductor device, sheet for metal shield, semiconductor device, method for producing sheet for metal shield, and method for producing metal shield plate
US8247888B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing metallic shielding plate
US7488620B2 (en) Method of fabricating leadframe based flash memory cards including singulation by straight line cuts
US6909168B2 (en) Resin encapsulation semiconductor device utilizing grooved leads and die pad
JP5354376B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP5577839B2 (en) Semiconductor device
JP2007293800A (en) Semiconductor device and memory card using the same
KR20160070695A (en) Magnetic shielding package of non-volatile magnetic memory element
US20050051877A1 (en) Semiconductor package having high quantity of I/O connections and method for fabricating the same
US7851902B2 (en) Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device
US20140239475A1 (en) Packaging substrate, semiconductor package and fabrication methods thereof
JP2004349316A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP5626402B2 (en) Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and shield plate
JP2005311137A (en) Semiconductor device, manufacturing method thereof, and lead frame thereof and mounting structure
JP2013149789A (en) Semiconductor device, metal shield plate, and sheet for metal shield
JP6274553B2 (en) Lead frame and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5190713B2 (en) Manufacturing method of metal shield plate
JP2002184795A (en) Manufacturing method for semiconductor device
KR101333001B1 (en) Lead frame and method for manufacturing semiconductor package using the same
JP2008108967A (en) Lead frame and method for manufacturing semiconductor package using it
JP2006179512A (en) Metal substrate apparatus, ic card module apparatus and method of manufacturing the same
JPH0969586A (en) Semiconductor device and its manufacture
JP6421478B2 (en) Lead frame for semiconductor device and resin-encapsulated semiconductor device
JP2013165163A (en) Manufacturing method of metal shield plate and metal shield plate
KR20110002893A (en) Fabricating method for printed circuit board of memory card

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101027

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120131

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4941264

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309

Year of fee payment: 3