JP4940157B2 - Driving method of display device - Google Patents

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Description

本発明は表示装置の駆動方法に係り、特に低消費電力用のTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス液晶表示装置ないしはTFTアクティブマトリクス電気泳動表示装置の駆動方法に関する。


The present invention relates to a driving method of the display relates to equipment of the driving method, in particular for low power TFT (Thin Film Transistor) active matrix liquid crystal display device or a TFT active-matrix electrophoretic display device.


書籍や新聞など、従来紙で提供されてきたコンテンツを電子化するためには印刷物並の表示性能を備えた表示装置が望まれるが、現状の表示装置の精細度は最も高いものでも高々200ppi(pixels per inch)程度であり、印刷物の精細度には遙かに及ばない。   In order to digitize content that has been provided in conventional paper, such as books and newspapers, a display device with display performance equivalent to that of printed materials is desired. However, even if the current display device has the highest definition, it is at most 200 ppi ( pixels per inch), far less than the definition of printed matter.

また、従来の表示装置は200ppi程度の精細度においても画素数の大幅な増大による消費電力の増大が問題である。消費電力を低減する最も効果的な方法としてはフレーム周波数の低減が挙げられる。それを実現する方法としては画素にメモリを備える方式が挙げられる。   In addition, the conventional display device has a problem of an increase in power consumption due to a large increase in the number of pixels even at a definition of about 200 ppi. The most effective method for reducing the power consumption is to reduce the frame frequency. As a method for realizing this, there is a method in which a pixel is provided with a memory.

画素にメモリを備える方式の液晶表示装置において、本発明に関連する画素回路構成の従来例としては、例えば、下記特許文献1に開示されている。従来の電気泳動表示装置としては、例えば、下記特許文献2に開示されている。透明な絶縁溶媒を用いた従来の電気泳動表示装置としては、例えば、下記特許文献3に開示されている。アクティブマトリクス駆動の電気泳動表示装置の従来例としては、例えば、下記特許文献4に開示されている。
特開平2−272521号公報 特開平9−185087号公報 特開平11−202804号公報 特開2002−116734号公報
A conventional example of a pixel circuit configuration related to the present invention in a liquid crystal display device having a memory in a pixel is disclosed, for example, in Patent Document 1 below. A conventional electrophoretic display device is disclosed, for example, in Patent Document 2 below. A conventional electrophoretic display device using a transparent insulating solvent is disclosed in Patent Document 3 below, for example. As a conventional example of an electrophoretic display device driven by an active matrix, for example, it is disclosed in Patent Document 4 below.
JP-A-2-272521 JP-A-9-185087 JP-A-11-202804 JP 2002-116734 A

印刷物並超高精細表示を行うためには単位面積当たりの画素数を従来の表示装置に比較して大幅に増大させる必要がある。しかしながら、従来の表示装置の駆動法を用いて超高精細画像表示を行おうとすると基準となるクロックの周波数を大幅に高める必要があり消費電力が大幅に増大し現実的でない。   In order to perform ultra-high definition display equivalent to a printed matter, it is necessary to significantly increase the number of pixels per unit area as compared with a conventional display device. However, if an ultra-high-definition image display is to be performed using the conventional display device driving method, it is necessary to significantly increase the frequency of the reference clock, which greatly increases power consumption and is not practical.

高精細を低消費電力で実現する方法として画素にメモリを内蔵してフレーム周波数を低減する方式が考えられる。ただし、スタティックRAM等の複雑な構成のメモリ回路やCMOSトランジスタ構成のメモリ回路構成とした場合には高精細を実現することが困難である。   As a method of realizing high definition with low power consumption, a method of reducing the frame frequency by incorporating a memory in a pixel can be considered. However, when a memory circuit having a complicated configuration such as a static RAM or a memory circuit configuration having a CMOS transistor is used, it is difficult to achieve high definition.

高精細と低消費電力とを両立させるために、最も単純な構成である単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式を選択する。単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式は1画素当たり2つの単チャネルトランジスタで構成される。   In order to achieve both high definition and low power consumption, a memory built-in pixel method having a single channel transistor configuration, which is the simplest configuration, is selected. The single-channel transistor built-in pixel method is composed of two single-channel transistors per pixel.

CMOSトランジスタ構成の場合には2つの基準電源線の一方を選択する方式をとれるが、
単チャネルトランジスタ構成の場合には基準電源線は1本であるため、画像表示に悪影響を与えずに一方の状態から他方の状態に切り替える方法がこれまでなかった。
In the case of a CMOS transistor configuration, one of two reference power supply lines can be selected.
In the case of a single channel transistor configuration, since there is only one reference power supply line, there has been no method for switching from one state to the other without adversely affecting image display.

本発明の目的は、単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式の液晶表示装置ないし電気泳動表示装置において、フレーム周波数を低減しても表示に悪影響を及ぼさずに画像信号メモリのリフレッシュと、画像の更新を行い、単チャネルトランジスタ構成による印刷物並超高精細表示性能とフレーム周波数の低減による低消費電力性を兼ね備えた表示装置を実現することにある。   An object of the present invention is to refresh an image signal memory and update an image without adversely affecting the display even if the frame frequency is reduced in a liquid crystal display device or electrophoretic display device having a single-channel transistor structure and a built-in memory. In order to achieve a display device that has both high-definition display performance equivalent to a printed material with a single-channel transistor structure and low power consumption by reducing the frame frequency.

なお、電気泳動の材料の比抵抗は、液晶に比べて低いため従来のアクティブマトリクス駆動では、画素に書き込まれた電気信号の更新頻度であるフレーム周波数として一般的な60Hz程度では必要な駆動電圧を画素に書き込むことができない。   Note that the specific resistance of the electrophoresis material is lower than that of the liquid crystal, so in the conventional active matrix drive, the necessary drive voltage is set at a typical frame frequency of about 60 Hz, which is the update frequency of the electrical signal written to the pixel. Cannot write to the pixel.

必要な駆動電圧を画素に書き込むためにはフレーム周波数を増大させたり、あるいは駆動電圧を高く設定する方法が考えられるが、消費電力の上昇につながり現実的ではない。   In order to write the necessary drive voltage to the pixel, a method of increasing the frame frequency or setting the drive voltage high can be considered, but this leads to an increase in power consumption and is not realistic.

また、電気泳動表示方式は液晶表示方式と異なり、基本的に2階調表示でかつ、直流電圧で駆動する表示方式である。   In addition, the electrophoretic display method is a display method that is basically two-tone display and driven by a DC voltage, unlike the liquid crystal display method.

多階調表示を行うためには面積階調表示を行う必要があるが、これは実質的に画素数の増加を招く。画素数の増加が消費電力の増加につながらないように配慮する必要がある。   In order to perform multi-gradation display, it is necessary to perform area gradation display, which substantially increases the number of pixels. It is necessary to consider that an increase in the number of pixels does not lead to an increase in power consumption.

本発明が解決しようとする他の1つの課題は、電気泳動表示装置において多階調表示を低消費電力で実現することにある。   Another problem to be solved by the present invention is to realize multi-gradation display with low power consumption in an electrophoretic display device.

マトリクス状に配置された複数の画素を備え、前記画素には少なくとも、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、画像信号メモリと、電気光学媒体と、共通電極とを備え、前記画素は少なくとも信号線と走査線と基準電圧線とに接続され、前記第1のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記信号線に接続され、前記第1のトランジスタのドレインないしソースの他方は第2のトランジスタのゲートに接続され、前記第1のトランジスタのゲートは前記走査線に接続され、前記第2のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記電気光学媒体に接続され、前記第2のトランジスタのドレインないしソースの他方は前記基準電圧線に接続され、前記画像信号メモリは前記第2のトランジスタのゲートと前記基準電圧線に接続され、前記電気光学媒体は前記第2のトランジスタのドレインないしソースの一方と前記共通電極とに接続されており、前記基準電圧線を前記走査線に同期して走査する駆動方法により、上記の課題を解決する。   A plurality of pixels arranged in a matrix, the pixels including at least a first transistor, a second transistor, an image signal memory, an electro-optic medium, and a common electrode; Connected to a signal line, a scanning line, and a reference voltage line, one of the drain and source of the first transistor is connected to the signal line, and the other of the drain and source of the first transistor is connected to the second transistor. Connected to the gate, the gate of the first transistor is connected to the scanning line, one of the drain or source of the second transistor is connected to the electro-optic medium, and the drain or source of the second transistor The other is connected to the reference voltage line, and the image signal memory is connected to the gate of the second transistor and the reference voltage line. The electro-optic medium is connected to one of the drain and source of the second transistor and the common electrode, and the driving method of scanning the reference voltage line in synchronization with the scanning line is as described above. Solve the problem.

さらに、上記駆動方法において、走査線に同期して基準電圧線の電位を共通電位(コモン電位)にし、画像信号メモリと第2のトランジスタとの間のノードの電位を第2のトランジスタをオフ状態とする電位にする画素においては、基準電圧線が共通電位である間に第2のトランジスタをオフ状態とし、画像信号メモリと第2のトランジスタとの間のノードの電位を第2のトランジスタをオン状態とする電位にする画素においては、少なくとも走査線の電位がハイレベルからローレベルに切り替わる時点では信号線の電位をハイレベルにしておくことにより上記課題を解決する。   Further, in the above driving method, the potential of the reference voltage line is set to a common potential (common potential) in synchronization with the scanning line, and the potential of the node between the image signal memory and the second transistor is turned off. In the pixel to be set to the potential, the second transistor is turned off while the reference voltage line is at the common potential, and the potential of the node between the image signal memory and the second transistor is turned on. In the pixel to be brought into a state, the above problem is solved by keeping the potential of the signal line at high level at least when the potential of the scanning line is switched from high level to low level.

あるいはまた、走査線を走査する走査期間と、走査線の走査を休止して画像表示状態を保持する画像保持期間とが設けられ、前記画像保持期間において信号線の電位を第2のトランジスタをオフ状態とする電位にすることにより、上記課題を解決する。   Alternatively, a scanning period for scanning the scanning line and an image holding period for stopping the scanning line and holding the image display state are provided, and the potential of the signal line is turned off in the image holding period. The above problem is solved by setting the potential to be in a state.

以上、本発明によれば、単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式の表示装置において、表示に悪影響を及ぼさずに画像信号メモリのリフレッシュと、画像の更新を行うことができ、印刷物並超高精細表示性能と低消費電力性を兼ね備えた表示装置を実現することが可能となる。   As described above, according to the present invention, in a pixel-type display device with a single-channel transistor structure, the image signal memory can be refreshed and the image can be updated without adversely affecting the display. A display device having both display performance and low power consumption can be realized.

また、本発明によれば、表示のメモリ性を備えた表示方式を用いかつ高精細な表示を行う表示装置において画像の更新を速やかに行うことがでる。   Further, according to the present invention, it is possible to quickly update an image in a display device that uses a display method having a display memory property and performs high-definition display.

以下、本発明の実施例を詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

図1に本発明の表示装置のブロック図を示す。本発明の表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素102からなる表示部107を備えた、いわゆるアクティブマトリクス基板であるパネル部101と、走査線109を駆動する走査線駆動回路103と、前記走査回路103に同期して基準電圧線108を駆動する基準電圧線駆動回路104と、タイミングコントローラ105と、信号線110とセレクタスイッチ106と信号線駆動回路111とからなる。パネル部101は電気光学媒体123を備え、各画素102を電気的に独立に制御して、各画素の輝度を制御することにより、任意の画像を表示することができる。   FIG. 1 is a block diagram of a display device of the present invention. The display device of the present invention includes a panel unit 101 which is a so-called active matrix substrate, which includes a display unit 107 including a plurality of pixels 102 arranged in a matrix, a scanning line driving circuit 103 which drives a scanning line 109, A reference voltage line driving circuit 104 that drives the reference voltage line 108 in synchronization with the scanning circuit 103, a timing controller 105, a signal line 110, a selector switch 106, and a signal line driving circuit 111 are included. The panel unit 101 includes an electro-optic medium 123. An arbitrary image can be displayed by controlling each pixel 102 electrically independently and controlling the luminance of each pixel.

本発明の表示装置を備えた機器からのタイミング信号と画像信号はタイミングコントローラ105に入力される。タイミングコントローラ105は、信号線駆動回路111、走査線駆動回路103、基準電圧線駆動回路104を制御する。   A timing signal and an image signal from a device including the display device of the present invention are input to the timing controller 105. The timing controller 105 controls the signal line driving circuit 111, the scanning line driving circuit 103, and the reference voltage line driving circuit 104.

図1は走査線駆動回路103と基準電圧線駆動回路104とを独立に設ける構成を示しているが、かならずしもこの構成にこだわる必要はない。走査線駆動回路103と基準電圧線駆動回路104とは両方の機能を併せ持つ回路構成としてもよい。また、図1はパネル部101の左側に走査線駆動回路103、右側に基準電圧線駆動回路104を設けたが、これも一例であって、他の構成例としては走査線駆動回路103及び基準電圧線駆動回路104の一方ないしは両方を分割してパネル部101の両側に設ける構成としてもよい。   Although FIG. 1 shows a configuration in which the scanning line driving circuit 103 and the reference voltage line driving circuit 104 are provided independently, it is not always necessary to stick to this configuration. The scanning line driving circuit 103 and the reference voltage line driving circuit 104 may have a circuit configuration having both functions. In FIG. 1, the scanning line driving circuit 103 is provided on the left side of the panel unit 101 and the reference voltage line driving circuit 104 is provided on the right side. However, this is also an example, and other configuration examples include the scanning line driving circuit 103 and the reference line. One or both of the voltage line driver circuits 104 may be divided and provided on both sides of the panel portion 101.

セレクタスイッチ106は、隣接する信号線110同士の間隔が狭く、信号線駆動回路111との1対1の接続が困難である場合に設けられる。セレクタスイッチ106は、信号線駆動回路111と信号線110との間に備えられ、時分割で信号線駆動回路111からの信号を信号線110に分配する機能を備える。ただし、信号線駆動回路111と信号線110とを1対1に接続可能であるのなら必ずしも設ける必要は無い。信号線駆動回路111やタイミングコントローラ105等の制御回路は図1ではパネル部とは別に設けたが、パネル部101に直接形成してもよい。   The selector switch 106 is provided when the interval between the adjacent signal lines 110 is narrow and the one-to-one connection with the signal line driver circuit 111 is difficult. The selector switch 106 is provided between the signal line driver circuit 111 and the signal line 110 and has a function of distributing a signal from the signal line driver circuit 111 to the signal line 110 in a time division manner. Note that the signal line driver circuit 111 and the signal line 110 are not necessarily provided as long as the signal line driver circuit 111 and the signal line 110 can be connected on a one-to-one basis. Control circuits such as the signal line driver circuit 111 and the timing controller 105 are provided separately from the panel portion in FIG. 1, but may be formed directly on the panel portion 101.

図2に画素102の回路構成を示す。第1のトランジスタ121は、ゲートが走査線109に接続されドレインないしソースの一方が信号線110に接続され、ドレインないしソースの他方が画像信号メモリ124及び第2のトランジスタ122のゲートに接続されている。第2のトランジスタ122のドレインないしソースの一方は基準電圧線108に接続され、ドレインないしソースの他方は電気光学媒体123に接続される。電気光学媒体123の第2のトランジスタ122と反対側は共通電極120に接続される。電気光学媒体123の種類に応じて共通電極120はTFTと同一基板上ないしは対向基板上のいずれか一方あるいは双方に設ける。   FIG. 2 shows a circuit configuration of the pixel 102. In the first transistor 121, the gate is connected to the scanning line 109, one of the drain and the source is connected to the signal line 110, and the other of the drain and the source is connected to the gate of the image signal memory 124 and the second transistor 122. Yes. One of the drain and the source of the second transistor 122 is connected to the reference voltage line 108, and the other of the drain and the source is connected to the electro-optic medium 123. The opposite side of the electro-optic medium 123 from the second transistor 122 is connected to the common electrode 120. Depending on the type of the electro-optic medium 123, the common electrode 120 is provided on one or both of the same substrate and the opposite substrate as the TFT.

本実施例におけるトランジスタは薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)である。TFTとしては、アモルファスシリコンTFTや、ポリシリコンTFTを用いることができる。また、有機半導体を用いた有機TFTを用いてもよい。   The transistor in this embodiment is a thin film transistor (TFT). As the TFT, an amorphous silicon TFT or a polysilicon TFT can be used. Alternatively, an organic TFT using an organic semiconductor may be used.

本実施例においては、電気光学媒体123として液晶を用いた液晶表示方式を適用した場合について述べる。具体的な液晶表示方式の例としては、反射型ツイストネマティック方式や、コレステリック液晶表示方式、ゲストホスト液晶方式、反射型ホメオトロピックECB(Electrically Controlled Birefringence)方式等が挙げられる。あるいはまた、反射型インプレーンスイッチング方式も可能である。その場合には、共通電極120はTFT
と同一基板上に設ける。
In this embodiment, a case where a liquid crystal display method using liquid crystal is applied as the electro-optic medium 123 will be described. Specific examples of the liquid crystal display method include a reflective twisted nematic method, a cholesteric liquid crystal display method, a guest-host liquid crystal method, a reflective homeotropic ECB (Electrically Controlled Birefringence) method, and the like. Alternatively, a reflective in-plane switching method is also possible. In that case, the common electrode 120 is a TFT.
On the same substrate.

本発明の駆動方法について図3から図7を用いて説明する。図3から図5はi行目の基準電圧線108の駆動波形(電位)136の例を示している。   The driving method of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5 show examples of the drive waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 in the i-th row.

基準電圧線108の駆動波形(電位)136は、走査期間126と画像保持期間127とに分けられる。走査期間126は画像信号メモリ124のリフレッシュ及び電気光学媒体123に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新を行う期間である。一方、画像保持期間127は、画面の走査を休止して、画像信号メモリ124の状態に応じて決まる各画素の表示状態を保持する期間である。   The drive waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 is divided into a scanning period 126 and an image holding period 127. The scanning period 126 is a period for refreshing the image signal memory 124 and updating the state of the voltage applied to the electro-optic medium 123, that is, updating the display image. On the other hand, the image holding period 127 is a period in which scanning of the screen is paused and the display state of each pixel determined according to the state of the image signal memory 124 is held.

基準電圧線108の駆動波形(電位)136は、基本的には共通電位(コモン電位)137に対し一定期間毎に極性を反転する交流矩形波であるが、走査期間126においてのみ対応する走査線を走査するタイミングにおいて共通電位137にする駆動を行う。基準電圧線108の駆動波形(電位)136の交流周期と、走査期間126の長さとの関係は任意である。   The driving waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 is basically an AC rectangular wave whose polarity is inverted every certain period with respect to the common potential (common potential) 137, but the scanning line corresponding only in the scanning period 126. Is driven to the common potential 137 at the timing of scanning. The relationship between the AC cycle of the drive waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 and the length of the scanning period 126 is arbitrary.

図4のように基準電圧線108の駆動波形(電位)136の交流周期を走査期間126に設ける周期と同一としてもよいし、あるいは図示してはいないが走査期間126を設ける周期よりも交流周期を長くしてもよい。また、図3では極性切り替えのタイミングと走査期間126を同期させているが、必ずしも同期させる必要はない。図5がこれに相当する。あるいはまた、対応する走査線109を走査するタイミングにおいて基準電圧線108の電位を共通電位137に一定期間設定する前後で極性を切り替えてもよい。   As shown in FIG. 4, the AC cycle of the drive waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 may be the same as the cycle in which the scan period 126 is provided, or although not shown, the AC cycle is longer than the cycle in which the scan period 126 is provided. May be lengthened. In FIG. 3, the polarity switching timing and the scanning period 126 are synchronized, but it is not always necessary to synchronize. FIG. 5 corresponds to this. Alternatively, the polarity may be switched before and after setting the potential of the reference voltage line 108 to the common potential 137 for a certain period at the timing of scanning the corresponding scanning line 109.

図6は、画像信号メモリ124のリフレッシュ及び電気光学媒体123に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新を行う各走査期間126の駆動シーケンスを示しており、各走査期間126に対応するi-1、i、i+1行目の各走査線109を選択するゲートパルス信号131と信号線110の駆動波形132と、i-1、i、i+1行目の各基準電圧線108の駆動波形(電位)136の例を示している。   FIG. 6 shows a driving sequence of each scanning period 126 for refreshing the image signal memory 124 and updating the state of the voltage applied to the electro-optic medium 123, that is, updating the display image. The gate pulse signal 131 for selecting each scanning line 109 in the (i-1, i, i + 1) th row, the drive waveform 132 of the signal line 110, and each reference voltage line in the (i-1, i, i + 1) th row. An example of 108 drive waveforms (potentials) 136 is shown.

各ゲートパルス信号131に対応して信号線の電圧制御がなされるが、i走査線の選択期間133は2つのステージに分かれる。まず、最初のステージとしてリセット期間134があり、次のステージとして画像信号書き込み期間135が続く。   The voltage control of the signal line is performed corresponding to each gate pulse signal 131, but the i scanning line selection period 133 is divided into two stages. First, there is a reset period 134 as the first stage, and an image signal writing period 135 as the next stage.

リセット期間134の信号線110の電位132は、第2のトランジスタ122をオン状態にする電位(ON)である。画像信号書き込み期間135の信号線110の電位132は、書き込む画像信号がオンかオフかによって2状態の電位(ON,OFF)のうちいずれかが、ゲートパルス信号131の立下りの時点で選択され、画像信号メモリ124に書き込まれる。   The potential 132 of the signal line 110 in the reset period 134 is a potential (ON) that turns on the second transistor 122. As the potential 132 of the signal line 110 in the image signal writing period 135, one of two potentials (ON, OFF) is selected at the time of the fall of the gate pulse signal 131 depending on whether the image signal to be written is on or off. Are written in the image signal memory 124.

各走査線109に対応する基準電圧線108の駆動波形(電位)136は走査線毎に極性を共通電位137に対して反転しており、いわゆる行毎反転駆動となっている。各走査線109に対応する基準電圧線108の駆動波形(電位)136は、ゲートパルス信号131に同期して共通電位137に設定する。   The drive waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 corresponding to each scanning line 109 has the polarity inverted with respect to the common potential 137 for each scanning line, and is so-called inversion driving for each row. The drive waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 corresponding to each scanning line 109 is set to the common potential 137 in synchronization with the gate pulse signal 131.

ゲートパルス信号131により対応する走査線に接続された第1のトランジスタ121がオン状態となり、リセット期間134においては信号線110の電位が第2のトランジスタ122をオン状態にする電位にあるので、それまでの画像信号メモリ124の状態によらず第2のトランジスタ122がオン状態となり、基準電圧線108と電気光学媒体123との間が低抵抗状態となる。   The first transistor 121 connected to the corresponding scanning line is turned on by the gate pulse signal 131, and the potential of the signal line 110 is at a potential for turning on the second transistor 122 in the reset period 134. The second transistor 122 is turned on regardless of the state of the image signal memory 124 until the reference voltage line 108 and the electro-optic medium 123 are in a low resistance state.

そのとき基準電圧線108の電位は共通電位137にあるので、電気光学媒体123の両端は概ね同電位となる。すなわち、リセット期間134において、電気光学媒体123の両端の電位差は概ね0Vにリセットされる。   At that time, since the potential of the reference voltage line 108 is at the common potential 137, both ends of the electro-optic medium 123 are substantially at the same potential. That is, in the reset period 134, the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 is reset to approximately 0V.

その後の画像信号書き込み期間135において、信号線110の駆動波形132における画像信号電圧が画像信号メモリ124に書き込まれる。画像信号メモリ124の状態に応じて第2のトランジスタ122のオン状態ないしオフ状態が制御される。   In the subsequent image signal writing period 135, the image signal voltage in the drive waveform 132 of the signal line 110 is written into the image signal memory 124. The on state or the off state of the second transistor 122 is controlled in accordance with the state of the image signal memory 124.

画像信号書き込み期間135において、画像信号メモリ124のノード125の電位が第2のトランジスタ122をオン状態にする電位にある場合には、すなわち、信号線110の駆動波形132がONの場合には、基準電圧線108と電気光学媒体123との間が低抵抗状態となり、該走査線に対応する画像信号書き込み期間の後、第1のトランジスタ121がオフ状態になった後にも、基準電圧線108と共通電極120との間の電位差が電気光学媒体123に印加される状態が保持される。   In the image signal writing period 135, when the potential of the node 125 of the image signal memory 124 is at a potential for turning on the second transistor 122, that is, when the drive waveform 132 of the signal line 110 is ON, Even after the first transistor 121 is turned off after the image signal writing period corresponding to the scanning line between the reference voltage line 108 and the electro-optic medium 123, the reference voltage line 108 and The state in which the potential difference with respect to the common electrode 120 is applied to the electro-optic medium 123 is maintained.

一方、画像信号書き込み期間135において、画像信号メモリ124のノード125の電位が第2のトランジスタ122をオフ状態にする電位にある場合には、すなわち、信号線110の駆動波形132がOFFの場合には、基準電圧線108と電気光学媒体123との間が高抵抗状態となり、実質的に電気光学媒体123はフローティング状態となる。基準電圧線108の電位が共通電位137にあるうちに第2のトランジスタ122がオフ状態となるために電気光学媒体123の両端の電位差が概ね0Vの状態で保持される。   On the other hand, in the image signal writing period 135, when the potential of the node 125 of the image signal memory 124 is at a potential for turning off the second transistor 122, that is, when the drive waveform 132 of the signal line 110 is OFF. The reference voltage line 108 and the electro-optic medium 123 are in a high resistance state, and the electro-optic medium 123 is substantially in a floating state. Since the second transistor 122 is turned off while the potential of the reference voltage line 108 is at the common potential 137, the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 is held in a state of approximately 0V.

以上の駆動シーケンスによって、画像信号メモリ124のリフレッシュと、電気光学媒体123に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新が行われる。   With the above drive sequence, the image signal memory 124 is refreshed and the state of the voltage applied to the electro-optic medium 123, that is, the display image is updated.

図7は、画像信号メモリ124のリフレッシュ及び電気光学媒体123に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新を行う各走査期間126における駆動シーケンスの第2の実施例を示しており、i-1、i、i+1行目の各走査線109を選択するゲートパルス信号131と信号線110の駆動波形132と、i-1、i、i+1行目の各基準電圧線108の駆動波形(電位)136の例を示している。   FIG. 7 shows a second embodiment of the drive sequence in each scanning period 126 for refreshing the image signal memory 124 and updating the state of the voltage applied to the electro-optic medium 123, that is, updating the display image. A gate pulse signal 131 for selecting each scanning line 109 in the (i-1, i, i + 1) th row, a drive waveform 132 of the signal line 110, and each reference voltage line 108 in the (i-1, i, i + 1) th row. An example of the drive waveform (potential) 136 is shown.

信号線110の駆動波形132は、電気光学媒体123の両端の電位差を概ね0Vとする場合と、基準電圧線108の電位136と共通電位137との差分の電位差とする場合とで異なった波形とする。   The drive waveform 132 of the signal line 110 differs depending on whether the potential difference between both ends of the electro-optical medium 123 is approximately 0 V or the difference between the potential 136 of the reference voltage line 108 and the common potential 137. To do.

図7の信号線の駆動波形132(OFF)は電気光学媒体123の両端の電位差を概ね0Vとする場合の信号線の駆動波形を示しており、信号線の駆動波形132(ON)は電気光学媒体123の両端の電位差を基準電圧線108の電位136と共通電位137との差分の電位差とする場合の信号線の駆動波形を示している。信号線110の駆動波形132は、ゲートパルス信号131の立下りの時点でサンプリングされて、画像信号メモリ124に書き込まれる。すなわち、駆動波形132(OFF)は低レベルが、駆動波形132(ON)は高レベルがサンプリングされ、書き込まれる。   The signal line drive waveform 132 (OFF) in FIG. 7 shows the signal line drive waveform when the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 is approximately 0 V. The signal line drive waveform 132 (ON) is the electro-optic drive waveform 132 (ON). The drive waveform of the signal line in the case where the potential difference between both ends of the medium 123 is the potential difference of the difference between the potential 136 of the reference voltage line 108 and the common potential 137 is shown. The drive waveform 132 of the signal line 110 is sampled at the time of falling of the gate pulse signal 131 and written to the image signal memory 124. That is, the drive waveform 132 (OFF) is sampled and written at a low level, and the drive waveform 132 (ON) is sampled and written at a high level.

図7の信号線の駆動波形132は列方向に連続した数画素を全てOFF状態ないしON状態とする波形を示しているが、実際の駆動波形は画像信号に応じて両者が時間的に入り混じった波形となる。   The drive waveform 132 of the signal line in FIG. 7 shows a waveform in which several consecutive pixels in the column direction are all in the OFF state or the ON state, but the actual drive waveform is mixed in time according to the image signal. Waveform.

前記図6の駆動シーケンスにおいては、前走査期間において画像信号メモリ124のノード125の電位が第2のトランジスタ122をオン状態にする電位で、かつ現走査期間においても同様の電位とする場合においても、リセット期間134において、電気光学媒体123の両端の電位差が概ね0Vとなっていた。そのため、電気光学媒体123の応答時間がリセット期間134に比べて十分長い場合には、たかだかリセット期間134の間だけ電気光学媒体123の両端の電位差を概ね0Vとしても電気光学媒体123が応答しないので表示に影響は与えないが、応答時間がリセット期間134と同等な気光学媒体123を用いた場合、応答して表示に影響、たとえばフリッカとして、表示に悪影響を与える可能性がある。   In the driving sequence shown in FIG. 6, even when the potential of the node 125 of the image signal memory 124 is the potential for turning on the second transistor 122 in the previous scanning period, and is the same potential in the current scanning period. In the reset period 134, the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 was approximately 0V. Therefore, when the response time of the electro-optic medium 123 is sufficiently longer than the reset period 134, the electro-optic medium 123 does not respond even if the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 is set to approximately 0 V only during the reset period 134. Although the display is not affected, when the gas optical medium 123 having a response time equivalent to that of the reset period 134 is used, there is a possibility that the display is affected in response, for example, flickering, and the display is adversely affected.

一方、図7に示した駆動シーケンスにおいては、第1のトランジスタ121が選択され、かつ基準電圧線108の駆動波形136が共通電位137電位に制御される期間内において、第2のトランジスタ122をオン状態にするのは、電気光学媒体123の両端の電位差を概ね0Vとしようとしている画素のみとすることができる。   On the other hand, in the driving sequence shown in FIG. 7, the second transistor 122 is turned on in a period in which the first transistor 121 is selected and the driving waveform 136 of the reference voltage line 108 is controlled to the common potential 137 potential. Only a pixel whose potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 is set to approximately 0 V can be set in the state.

図7の駆動シーケンスによれば、応答時間がリセット期間134と同等な気光学媒体123を用いた場合でも表示に悪影響を与えずに、画像信号メモリ124のリフレッシュと、フローティング状態の画素の電気光学媒体123の両端の電位を概ね0Vにリセットする動作と、画像表示の更新とを同時に行うことができる。   According to the driving sequence of FIG. 7, even when the optical optical medium 123 whose response time is equivalent to that of the reset period 134 is used, refreshing of the image signal memory 124 and electro-optics of the pixels in the floating state are performed without adversely affecting the display. The operation of resetting the potential at both ends of the medium 123 to approximately 0 V and the updating of the image display can be performed simultaneously.

図8を用いて画像保持期間127における信号線110の駆動シーケンスについて説明する。同図は、基準電圧線108、走査線109、信号線110の駆動シーケンスを示す図である。   A driving sequence of the signal line 110 in the image holding period 127 will be described with reference to FIG. The figure shows a driving sequence of the reference voltage line 108, the scanning line 109, and the signal line 110.

低周波駆動のためには、第1のトランジスタ121及び第2のトランジスタ122のオフ抵抗に配慮する必要がある。オフ抵抗とは、トランジスタのゲート電圧を制御してソース-ドレイン間を高抵抗状態に保ったときの電気抵抗を指す。第1のトランジスタ121のオフ抵抗は、画像信号メモリ124の状態を維持するために重要である。   In order to drive at a low frequency, it is necessary to consider the off resistance of the first transistor 121 and the second transistor 122. The off-resistance refers to electric resistance when the gate voltage of a transistor is controlled to maintain a high resistance state between the source and the drain. The off resistance of the first transistor 121 is important for maintaining the state of the image signal memory 124.

第1のトランジスタ121のオフ抵抗が低い場合には、信号線110の電位の影響を受け画像信号メモリ124の状態が変化する。画像信号メモリ124の状態が変化して、第2のトランジスタ122のソース-ドレイン間の電気抵抗が変化すると、電気光学媒体123の両端の電位差が変動して輝度変動を生じる恐れがある。   When the off resistance of the first transistor 121 is low, the state of the image signal memory 124 changes due to the influence of the potential of the signal line 110. When the state of the image signal memory 124 changes and the electric resistance between the source and drain of the second transistor 122 changes, the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 may fluctuate, resulting in luminance fluctuation.

オフ状態にある画像信号メモリ124の電位状態が保たれないと、第2のトランジスタ122の抵抗が変動しフローティング状態が保たれず、基準電圧線108の電位変動により電気光学媒体123の第2のトランジスタ122側の電位が変動し、電気光学媒体123の両端の電位差を0Vに維持できなくなる。その結果、表示状態が意図しない輝度に変化し、画質劣化が生じる。輝度状態の変化は、時間的に進行し、画像信号メモリのリフレッシュ時に望ましい輝度状態にリセットされる。したがって、画像信号メモリのリフレッシュ周期に同期したフリッカが生じてしまう。   If the potential state of the image signal memory 124 in the off state is not maintained, the resistance of the second transistor 122 fluctuates and the floating state is not maintained, and the second potential of the electro-optic medium 123 due to the potential fluctuation of the reference voltage line 108 The potential on the transistor 122 side fluctuates, and the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 cannot be maintained at 0V. As a result, the display state changes to an unintended luminance and image quality deterioration occurs. The change in the luminance state proceeds with time, and is reset to a desirable luminance state when the image signal memory is refreshed. Therefore, flicker is generated in synchronization with the refresh cycle of the image signal memory.

保持期間127の信号線110の電位132を一定電位に設定することにより画像信号メモリ124の電位状態を制御できる。前記一定電位を第2のトランジスタ122をオフにする信号電位(オフ電位)とほぼ同等の電位にすると、オフ電位状態にある画像信号メモリ124のノード125の電位は変動せず、第2のトランジスタ122のオフ状態が保たれる。   The potential state of the image signal memory 124 can be controlled by setting the potential 132 of the signal line 110 in the holding period 127 to a constant potential. When the constant potential is set to a potential substantially equal to a signal potential (off potential) for turning off the second transistor 122, the potential of the node 125 of the image signal memory 124 in the off potential state does not vary, and the second transistor The off state of 122 is maintained.

あるいは、保持期間127において信号線110の電位をフローティングとする場合においても、前記一定電位を一度第2のトランジスタ122をオフにする信号電位(オフ電位)とほぼ同等の電位にしてからフローティングとする駆動シーケンスをとることが望ましい。   Alternatively, even when the potential of the signal line 110 is set to be floating in the holding period 127, the fixed potential is set to a potential substantially equal to the signal potential (off potential) for turning off the second transistor 122 once, and then the floating is set. It is desirable to take a drive sequence.

第2のトランジスタ122のオフ抵抗は、電気光学媒体123の両端の電位差を維持するために重要である。第2のトランジスタ122のオフ抵抗が低い場合には、電気光学媒体123と第2のトランジスタ122との間の点における電位が基準電圧線108の電位の影響を受けて時間とともに変動する。これにより電気光学媒体123の両端の電位差が変動するため、意図しない輝度変動が生じ、フリッカとして視認される。   The off-resistance of the second transistor 122 is important for maintaining the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123. When the off-resistance of the second transistor 122 is low, the potential at a point between the electro-optic medium 123 and the second transistor 122 varies with time due to the influence of the potential of the reference voltage line 108. As a result, the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 fluctuates, so that an unintended luminance variation occurs and is visually recognized as flicker.

第2のトランジスタ122がオフ状態にある場合の、電気光学媒体123の第2のトランジスタ122側の電位は、基準電圧線108の電位と共通電極120の電位との電位差を第2のトランジスタ122のオフ抵抗と電気光学媒体123の抵抗との分圧で決定される。したがって、電気光学媒体123の第2のトランジスタ122側の電位変動を抑制するためには、第2のトランジスタ122に接続された画素電極(反射電極)と共通電極120との間の電気光学媒体123の抵抗が、第2のトランジスタ122のオフ抵抗よりも低い方が望ましい。   When the second transistor 122 is off, the potential of the electro-optic medium 123 on the second transistor 122 side is the difference between the potential of the reference voltage line 108 and the potential of the common electrode 120. It is determined by the partial pressure between the off-resistance and the resistance of the electro-optic medium 123. Therefore, in order to suppress the potential fluctuation on the second transistor 122 side of the electro-optic medium 123, the electro-optic medium 123 between the pixel electrode (reflection electrode) connected to the second transistor 122 and the common electrode 120 is used. Is preferably lower than the off-resistance of the second transistor 122.

一方、画像信号メモリ124のノード125の電位が第2のトランジスタ122をオンにする電位(オン電位)にある場合について説明する。   On the other hand, a case where the potential of the node 125 of the image signal memory 124 is at a potential (on potential) for turning on the second transistor 122 will be described.

保持期間127の間、オン電位にある画像信号メモリ124のノード125の電位は、時間とともに、ほぼオフ電位と同等の電位に設定された信号線110の電位に漸近していく。基準電圧線108と共通電極120との間の電圧は第2のトランジスタ122と電気光学媒体123とで分圧されるが、第2のトランジスタ122の抵抗が電気光学媒体123の抵抗に比べて十分に低いうちには、基準電圧線108と共通電極120との間の電圧のうち第2のトランジスタ122への分圧は無視できる程度である。   During the holding period 127, the potential of the node 125 of the image signal memory 124 at the on potential gradually approaches the potential of the signal line 110 set to a potential substantially equal to the off potential with time. Although the voltage between the reference voltage line 108 and the common electrode 120 is divided by the second transistor 122 and the electro-optic medium 123, the resistance of the second transistor 122 is sufficiently higher than the resistance of the electro-optic medium 123. While the voltage is low, the divided voltage to the second transistor 122 in the voltage between the reference voltage line 108 and the common electrode 120 is negligible.

さらに、電気光学媒体123を用いた表示方式として、上記の第2のトランジスタ122への分圧分の電圧低下では輝度変動がほとんどない方式を適用すれば、1Hzないしはそれ以下の超低周波駆動も可能となる。   Further, as a display method using the electro-optic medium 123, if a method in which there is almost no luminance fluctuation when the voltage is reduced by the divided voltage to the second transistor 122 is applied, ultra-low frequency driving of 1 Hz or less is also possible. It becomes possible.

図9に駆動シーケンスの第3の実施例を示す。図9の図7との相違点は、信号線110の駆動波形132(ON)のパルスの立下りを対応する走査線109のゲートパルス131の立下りよりも前に変更したことである。本駆動法において、信号線110の駆動波形132(OFF)の駆動シーケンスは図7と同様である。   FIG. 9 shows a third embodiment of the drive sequence. The difference between FIG. 9 and FIG. 7 is that the falling of the pulse of the drive waveform 132 (ON) of the signal line 110 is changed before the falling of the gate pulse 131 of the corresponding scanning line 109. In this driving method, the driving sequence of the driving waveform 132 (OFF) of the signal line 110 is the same as that in FIG.

一方、信号線110の駆動波形132(ON)の駆動シーケンスは次のようになる。ある走査線109のゲートパルス131が立ち上がった状態では第1のトランジスタ121がオン状態にあり、さらに信号線110の駆動波形132(ON)が立ち上がると第2のトランジスタ122がオン状態となる。このとき基準電圧線108の電位136は正極性電位又は負極性電位にあり、電気光学媒体123には前記正極性電位又は負極性電位と共通電位137との間の電圧が印加される。   On the other hand, the drive sequence of the drive waveform 132 (ON) of the signal line 110 is as follows. When the gate pulse 131 of a certain scanning line 109 rises, the first transistor 121 is on, and when the driving waveform 132 (ON) of the signal line 110 rises, the second transistor 122 is turned on. At this time, the potential 136 of the reference voltage line 108 is at a positive potential or a negative potential, and a voltage between the positive potential or the negative potential and the common potential 137 is applied to the electro-optic medium 123.

その後、信号線110の駆動波形132(ON)が立下り第2のトランジスタ122はオフ状態となるが、このとき電気光学媒体123には、基準電圧線108の正極性電位又は負極性電位136が保持され、この保持された電位が印加される。さらにその後走査線109のゲートパルス131が立下り画像信号メモリ124のノード125の電位は第2のトランジスタ122をオフ状態に保持する電位がサンプリングされる。   Thereafter, the drive waveform 132 (ON) of the signal line 110 falls and the second transistor 122 is turned off. At this time, the electro-optical medium 123 has the positive potential 136 or the negative potential 136 of the reference voltage line 108. Is held, and this held potential is applied. Thereafter, the gate pulse 131 of the scanning line 109 falls and the potential of the node 125 of the image signal memory 124 is sampled to hold the second transistor 122 in the OFF state.

本駆動法を適用することにより、第2のトランジスタ122として特にアモルファスシリコンTFTを適用した場合に生じる可能性のあるしきい値電圧の変動を抑制することができる。   By applying this driving method, a variation in threshold voltage that may occur when an amorphous silicon TFT is applied as the second transistor 122 can be suppressed.

図9では、基準電圧線108の電位136を共通電位137とするタイミングをゲートパルス131に対して前よりにしているが、信号線110の駆動波形132(OFF)と132(ON)のタイミングを入れ替えて、後よりにしてもよい。   In FIG. 9, the timing at which the potential 136 of the reference voltage line 108 is set to the common potential 137 is set before the gate pulse 131, but the timings of the drive waveforms 132 (OFF) and 132 (ON) of the signal line 110 are changed. It may be replaced later.

また、本駆動法においてはゲートパルス131が立ち上がった状態にあるとき以外の基準電圧線108の電位136は基本的には任意であり、例えば画像保持期間127中はフローティング状態としてもよい。   In the present driving method, the potential 136 of the reference voltage line 108 other than when the gate pulse 131 is in a rising state is basically arbitrary, and may be in a floating state, for example, during the image holding period 127.

本駆動法を適用する場合には、画素回路において図10のように、共通線129を設け、共通線と電気光学媒体123の第2のトランジスタ122側との間に保持容量128を設けると、第2のトランジスタ122と電気光学媒体123との間の電位が安定してよい。   When this driving method is applied, a common line 129 is provided in the pixel circuit as shown in FIG. 10, and a storage capacitor 128 is provided between the common line and the second transistor 122 side of the electro-optic medium 123. The potential between the second transistor 122 and the electro-optic medium 123 may be stable.

画像信号メモリ124のノード125の電位は本駆動法においては常に第2のトランジスタ122をオフ状態に保持する電位である。画像信号メモリ124は第2のトランジスタ122のゲートと共通線129との間に形成すると、ノード125の電位が安定してなおよい。   In the present driving method, the potential of the node 125 of the image signal memory 124 is always a potential that keeps the second transistor 122 in an off state. When the image signal memory 124 is formed between the gate of the second transistor 122 and the common line 129, the potential of the node 125 may be stable.

図11及び図12に本発明のアクティブマトリクスにおける画素102のレイアウト例を示す。画素102は信号線110と走査線109との交差部にアモルファスシリコン層145を有する第1のトランジスタ121を備え、さらに前記第1のトランジスタ121の信号線110とは反対側のソース電極に画像信号メモリ124及びスルーホールコンタクト142を介してゲートが接続された第2のトランジスタ122を備える。   11 and 12 show layout examples of the pixel 102 in the active matrix of the present invention. The pixel 102 includes a first transistor 121 having an amorphous silicon layer 145 at the intersection of the signal line 110 and the scanning line 109, and an image signal is applied to the source electrode on the opposite side of the signal line 110 of the first transistor 121. A second transistor 122 having a gate connected via a memory 124 and a through-hole contact 142 is provided.

本実施例における第1のトランジスタ121及び第2のトランジスタ122は、半導体層としてアモルファスシリコン層145を用いたアモルファスシリコンTFTである。前記第1のトランジスタ121のソース電極は、基準電圧線108及び第2のトランジスタ122のソースないしドレインとスルーホールコンタクト143を介して接続された電極144との間で容量を形成し、画像信号メモリ124として機能する。前記第2のトランジスタ122のソースないしドレインの一方は基準電圧線108にスルーホールコンタクト143を介して接続され、他の一方はスルーホールコンタクト141を介して図12に示す反射電極(画素電極)146に接続される。   The first transistor 121 and the second transistor 122 in this embodiment are amorphous silicon TFTs using an amorphous silicon layer 145 as a semiconductor layer. The source electrode of the first transistor 121 forms a capacitance between the reference voltage line 108 and the source or drain of the second transistor 122 and the electrode 144 connected through the through-hole contact 143, and the image signal memory It functions as 124. One of the source and drain of the second transistor 122 is connected to the reference voltage line 108 via a through-hole contact 143, and the other one is connected to the reflective electrode (pixel electrode) 146 shown in FIG. Connected to.

図11及び図12における断面A-A'、断面B-B'、断面C-C'、断面D-D'、断面E-E'を夫々図13、図14、図15、図16、図17に示す。図17だけは、液晶層166及び基板163も含んだ断面図であり、他はアクティブマトリクス側の基板150の断面図である。図14ないし図16において、4層の金属配線151、152、144、146が、その層間に絶縁膜147、148、149を介して積層されている。   11, FIG. 15, FIG. 16, FIG. 16, the cross section AA ′, the cross section BB ′, the cross section CC ′, the cross section DD ′, and the cross section EE ′ in FIG. 11 and FIG. 17 shows. 17 is a cross-sectional view including the liquid crystal layer 166 and the substrate 163, and the other is a cross-sectional view of the substrate 150 on the active matrix side. 14 to 16, four layers of metal wiring 151, 152, 144, and 146 are stacked between the layers via insulating films 147, 148, and 149.

図13において、スルーホールコンタクト141は、第2のトランジスタ122のソースないしドレインに相当する金属配線151と反射電極146とを接続している。   In FIG. 13, the through-hole contact 141 connects the metal wiring 151 corresponding to the source or drain of the second transistor 122 and the reflective electrode 146.

図14において、スルーホールコンタクト142は、第2のトランジスタ122のゲートに相当する金属配線152と第1のトランジスタ121のソースないしドレインに相当する金属配線151とを接続している。   In FIG. 14, the through-hole contact 142 connects the metal wiring 152 corresponding to the gate of the second transistor 122 and the metal wiring 151 corresponding to the source or drain of the first transistor 121.

図15において、スルーホールコンタクト143は、基準電圧線108に相当する金属配線152と第2のトランジスタ122のソースないしドレインに相当する金属配線151と画像信号メモリ124を形成する電極144とを接続している。   In FIG. 15, the through-hole contact 143 connects the metal wiring 152 corresponding to the reference voltage line 108, the metal wiring 151 corresponding to the source or drain of the second transistor 122, and the electrode 144 forming the image signal memory 124. ing.

図16において、画像信号メモリ124を形成する電極144は、基準電圧線108に相当する金属配線152に、前記図15に示すスルーホールコンタクト143を介して接続されて、画像信号メモリ124の一方の電極を形成し、電極144と金属配線152との間に、第1のトランジスタ121のソースないしドレインに相当する金属配線151が形成されて、画像信号メモリ124の他方の電極を形成する。このように、画像信号メモリ124は、2層以上の配線層と1層以上の絶縁層から形成されている。   In FIG. 16, an electrode 144 forming the image signal memory 124 is connected to a metal wiring 152 corresponding to the reference voltage line 108 via the through-hole contact 143 shown in FIG. An electrode is formed, and a metal wiring 151 corresponding to the source or drain of the first transistor 121 is formed between the electrode 144 and the metal wiring 152, and the other electrode of the image signal memory 124 is formed. As described above, the image signal memory 124 is formed of two or more wiring layers and one or more insulating layers.

図13ないし図16において、絶縁膜147及び絶縁膜148はCVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成したシリコンナイトライド膜を用いた。絶縁膜149としては光
可塑性の樹脂を用いた。反射電極146としては光の反射率を高めるためにアルミニウムを用いた。電極144としては、図示されていない基板外部との電気的接続のための端子部の最上層の電極層と兼用してITO(Indium Tin Oxide)を用いた。金属配線層151及び金属配線層152としてはモリブデンとクロムの合金を用いた。
13 to 16, the insulating film 147 and the insulating film 148 are silicon nitride films formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. As the insulating film 149, a thermoplastic resin was used. As the reflective electrode 146, aluminum was used in order to increase the reflectance of light. As the electrode 144, ITO (Indium Tin Oxide) was used also as the uppermost electrode layer of the terminal portion for electrical connection with the outside of the substrate (not shown). As the metal wiring layer 151 and the metal wiring layer 152, an alloy of molybdenum and chromium was used.

図17は、アクティブマトリクス側の基板150と対向させた基板163との間に配向膜165及び167と、液晶層166と、透明電極164と、遮光層(ブラックマトリクス)168と、保護層169とを備え、前記基板163の前記液晶層166とは反対側の側面に位相差フィルム161及び162と、偏光板160とを備える。図17はモノクローム表示の例を示しており、カラー表示を行うためにはさらにカラーフィルタ層が追加される。   FIG. 17 shows alignment films 165 and 167, a liquid crystal layer 166, a transparent electrode 164, a light shielding layer (black matrix) 168, a protective layer 169, and a substrate 163 facing the active matrix substrate 150. And retardation films 161 and 162 and a polarizing plate 160 on the side surface of the substrate 163 opposite to the liquid crystal layer 166. FIG. 17 shows an example of monochrome display, and a color filter layer is further added to perform color display.

また、図17中には示していないが、散乱フィルムを貼付することにより適度な散乱性が得られ、視野角が広くなり、より紙に近い表示が可能となる。また、偏光板160に散乱性を付与してもよい。あるいはまた、絶縁層149を凹凸加工するか、絶縁層149と反射電極146との間に凹凸加工を施した絶縁層を新たに追加するなどして、その上に形成する反射電極146を凹凸加工することにより、反射光に適度な散乱性を付与することができ、視野角が広くなり、より紙に近い表示が可能となる。解像度の観点からも反射電極146に散乱性を付与することはより望ましい。   Although not shown in FIG. 17, by attaching a scattering film, appropriate scattering properties can be obtained, the viewing angle is widened, and a display closer to paper is possible. Further, the polarizing plate 160 may be provided with scattering properties. Alternatively, the insulating layer 149 is processed to be uneven, or the insulating layer 149 and the reflective electrode 146 are newly provided with an insulating layer, and the reflective electrode 146 formed thereon is processed to be uneven. By doing so, moderate scattering property can be imparted to the reflected light, the viewing angle is widened, and a display closer to paper becomes possible. It is more desirable to impart scattering to the reflective electrode 146 also from the viewpoint of resolution.

本実施例においては第1のトランジスタ121及び第2のトランジスタ122としてアモルファスシリコンTFTを用いた例について述べたが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、ポリシリコンTFTを用いてもよい。   In this embodiment, an example in which amorphous silicon TFTs are used as the first transistor 121 and the second transistor 122 has been described. However, the present invention is not necessarily limited to this, and polysilicon TFTs may be used.

本発明の表示装置における電気光学媒体123として電気泳動表示媒体を用いた実施例について説明する。図18は、本発明の電気泳動表示装置の断面図である。電気泳動表示媒体は帯電粒子171と絶縁性溶媒181とからなる。   An example in which an electrophoretic display medium is used as the electro-optical medium 123 in the display device of the present invention will be described. FIG. 18 is a cross-sectional view of the electrophoretic display device of the present invention. The electrophoretic display medium includes charged particles 171 and an insulating solvent 181.

帯電粒子171としては各種有機顔料、無機顔料を用いることができ、その材質により様々な色を選択できる。黒色では例えばカーボンブラック、グラファイト、黒色酸化鉄、アイボリーブラック、二酸化クロム等がいずれも利用可能であり単体またはこれらを調合して用いれば良い。さらにこれら顔料をアクリル系ポリマー等の分散剤でコーティングすることで分散性を向上し、界面活性剤で粒子のゼータ電位を高めたものを用いると帯電粒子の安定性、応答速度が向上し好適である。   As the charged particles 171, various organic pigments and inorganic pigments can be used, and various colors can be selected depending on the material. For black, for example, carbon black, graphite, black iron oxide, ivory black, chromium dioxide and the like can be used, and these may be used alone or in combination. Furthermore, these pigments are coated with a dispersing agent such as an acrylic polymer to improve dispersibility, and using a surfactant that increases the zeta potential of particles is preferable because the stability and response speed of charged particles are improved. is there.

絶縁性溶媒181としては、キシレン、トルエン、シリコンオイル、流動パラフィン、塩化有機物、各種炭化水素、各種芳香族炭化水素等がいずれも利用可能であり単体またはこれらを調合して用いればよい。光利用効率の面からは透過率が高く、寿命の面からは電圧印加時のイオンを生じない高い絶縁性を持ち、移動速度の面からは粘度が低いものが好ましい。シリコンオイルを絶縁性溶媒181として、これに樹脂でコーティングした直径0.2μmのカーボンブラック粒子を4wt%の濃度で分散させ、これを両基板間に封入、封止した。   As the insulating solvent 181, any of xylene, toluene, silicon oil, liquid paraffin, chlorinated organic substances, various hydrocarbons, various aromatic hydrocarbons, and the like can be used. From the viewpoint of light utilization efficiency, it is preferable to have a high transmittance, from the viewpoint of life, to have a high insulating property that does not generate ions when voltage is applied, and from the aspect of movement speed, a low viscosity is preferable. Silicon oil was used as an insulating solvent 181 and carbon black particles having a diameter of 0.2 μm coated with a resin were dispersed at a concentration of 4 wt%, and this was sealed between both substrates and sealed.

アクティブマトリクス側の基板150は概ね実施例1と同様である。基板163にはパターニングされた共通電極177が形成されている。共通電極177の一部は隔壁170と重畳して形成されており、隣接する画素間で共有されている。これは、開口部の画素に占める割合である開口率を最大化するための重要な構成である。共通電極177は透明導電膜ないし金属薄膜で形成するとよい。   The substrate 150 on the active matrix side is substantially the same as that of the first embodiment. A patterned common electrode 177 is formed on the substrate 163. A part of the common electrode 177 is formed so as to overlap with the partition wall 170 and is shared between adjacent pixels. This is an important configuration for maximizing the aperture ratio, which is the ratio of the aperture to the pixels. The common electrode 177 may be formed of a transparent conductive film or a metal thin film.

カーボンブラック粒子171はプラスに帯電し、反射電極146と共通電極177を同電位にするとカーボンブラック粒子171は反射電極146上に分散し、基板163側から黒表示が確認できた。一方反射電極146の電位が共通電極177の電位より10V高くなるように電圧を印加するとカーボンブラック粒子171は共通電極177に集まり、基板163側から白表示が確認できた。   The carbon black particles 171 were positively charged, and when the reflective electrode 146 and the common electrode 177 were set to the same potential, the carbon black particles 171 were dispersed on the reflective electrode 146, and black display was confirmed from the substrate 163 side. On the other hand, when a voltage was applied so that the potential of the reflective electrode 146 was 10 V higher than the potential of the common electrode 177, the carbon black particles 171 gathered on the common electrode 177, and white display was confirmed from the substrate 163 side.

隣り合う画素において、互いに異なる表示状態の時には隣接画素間に横電界が発生する。隣接画素間に隔壁170がないと帯電粒子171が画素の境界をまたいで移動する可能性がある。この現象が極端に進行すると図1に示す表示部107の場所毎の帯電粒子濃度が変化して表示むらが発生してしまう。この現象を防止するためには、ある範囲以上に帯電粒子が拡散しないように隔壁170を設けて空間的に領域を分離する必要がある。前記領域とは少なくとも一つの副画素(図37に示す)ないし画素を含む領域である。本実施例においては、画素毎に電気泳動表示媒体を空間的に分離するための隔壁170を設けた。
隔壁170は光可塑性の樹脂を用いて形成した。
When adjacent pixels are in different display states, a horizontal electric field is generated between adjacent pixels. If there is no partition 170 between adjacent pixels, the charged particles 171 may move across the pixel boundary. When this phenomenon progresses extremely, the charged particle concentration at each location of the display unit 107 shown in FIG. 1 changes and display unevenness occurs. In order to prevent this phenomenon, it is necessary to separate the regions spatially by providing partition walls 170 so that charged particles do not diffuse beyond a certain range. The region is a region including at least one sub-pixel (shown in FIG. 37) or pixel. In this embodiment, a partition 170 for spatially separating the electrophoretic display medium is provided for each pixel.
The partition 170 was formed using a thermoplastic resin.

図19から図21を用いて、本発明の表示装置に用いた電気泳動表示媒体の電気光学特性について説明する。図19から図21の各図面の上図は反射電極146の共通電極177に対する電位、すなわち画素電圧であり、駆動波形に相当する。一方図19から図21の各図面の下図は輝度の応答波形である。横軸は何れの図面も時間である。   The electro-optical characteristics of the electrophoretic display medium used in the display device of the present invention will be described with reference to FIGS. 19 to FIG. 21 shows the potential of the reflective electrode 146 with respect to the common electrode 177, that is, the pixel voltage, and corresponds to the drive waveform. On the other hand, the lower part of each drawing in FIGS. 19 to 21 shows the response waveform of the luminance. The horizontal axis is time in all drawings.

図19の駆動波形は、500msから2500ms及び4500msから5000msにかけて反射電極146の電位を8Vとし、他の期間においては共通電極177と同電位としている。500ms及び450
0ms近傍で反射電極146の電位が0Vから8Vに切り替わった直後に輝度が急激に増加し明状態となり、2500ms近傍で反射電極146の電位が8Vから0Vに切り替わった直後からゆっくりと輝度が低下して暗状態になっている。しかしながら、明状態から暗状態への変化は遅く、たとえば新聞並みのコントラスト比である5:1のコントラスト比を得るまでには1秒以上の応答時間を要している。明状態から暗状態への移行は、共通電極177に引き寄せられた帯電粒子171が画素全体に自然に拡散することにより実現されるが、応答時間が遅い。
In the drive waveform of FIG. 19, the potential of the reflective electrode 146 is 8 V from 500 ms to 2500 ms and from 4500 ms to 5000 ms, and is the same potential as the common electrode 177 in other periods. 500ms and 450
In the vicinity of 0 ms, immediately after the potential of the reflective electrode 146 is switched from 0 V to 8 V, the brightness rapidly increases and becomes bright, and in the vicinity of 2500 ms, the brightness gradually decreases immediately after the potential of the reflective electrode 146 is switched from 8 V to 0 V. It is dark. However, the change from the bright state to the dark state is slow, and for example, a response time of 1 second or more is required to obtain a contrast ratio of 5: 1 which is a contrast ratio similar to that of a newspaper. The transition from the bright state to the dark state is realized by the natural diffusion of the charged particles 171 attracted to the common electrode 177 throughout the pixel, but the response time is slow.

図20の駆動波形は、500msから2500ms及び4500msから5000msにかけて反射電極146の電位を8Vとして、他の期間においては-5Vとしている。500ms及び4500ms近傍で反射電極146の電位が-5Vから8Vに切り替わった直後に輝度が急激に増加し明状態となり、2500ms近傍で反射電極146の電位が8Vから-5Vに切り替わった直後に急激に輝度が低下して暗状態になっている。しかしながら、コントラスト比は3以下と低い。これは、反射電極146の電位を-5Vとしたことにより、共通電極177に引き寄せられていた帯電粒子171を効果的に引き剥がしているが、帯電粒子171は共通電極177と概ね対向する反射電極146に引き寄せられてそこに留まり、画素全体への拡散が抑制されてしまうため暗状態の輝度が低くならず到達コントラスト比が低い。   The drive waveform in FIG. 20 is such that the potential of the reflective electrode 146 is 8 V from 500 ms to 2500 ms and 4500 ms to 5000 ms, and is −5 V in other periods. In the vicinity of 500 ms and 4500 ms, the brightness sharply increases immediately after the potential of the reflective electrode 146 switches from -5 V to 8 V, and becomes bright. The brightness is low and the screen is dark. However, the contrast ratio is as low as 3 or less. This is because the charged particles 171 attracted to the common electrode 177 are effectively peeled off by setting the potential of the reflective electrode 146 to −5 V, but the charged particles 171 are substantially opposite to the common electrode 177. Since it is attracted to 146 and stays there and the diffusion to the whole pixel is suppressed, the luminance in the dark state is not lowered and the reaching contrast ratio is low.

図19及び図20に示した駆動方法の問題点を解決する駆動方法を図21に示す。図21の駆動波形は、500msから2500ms及び4500msから5000msにかけて反射電極146の電位を8Vとして、2500msで短期間反射電極146の電位を-5Vとした後共通電極177と同電位としている。500ms及び4500ms近傍で反射電極146の電位が0Vから8Vに切り替わった直後に輝度が急激に増加し明状態となり、2500ms近傍で反射電極146の電位が8Vから-5Vに切り替わりさらに0Vになる過程で急激に輝度が低下して暗状態になっている。
暗状態の到達輝度も図19及び図20よりも低くなっており、コントラスト比の高い表示が得られている。
FIG. 21 shows a driving method for solving the problems of the driving methods shown in FIGS. The drive waveform in FIG. 21 is set to the same potential as the common electrode 177 after the potential of the reflective electrode 146 is set to 8V from 500 ms to 2500 ms and from 4500 ms to 5000 ms, and the potential of the reflective electrode 146 is set to −5 V for a short period of 2500 ms. In the process where the brightness of the reflective electrode 146 suddenly increases and becomes bright immediately after the potential of the reflective electrode 146 is switched from 0V to 8V in the vicinity of 500 ms and 4500 ms, and the potential of the reflective electrode 146 is switched from 8V to -5V and further becomes 0V in the vicinity of 2500 ms. The brightness suddenly decreases and the screen is dark.
The reached brightness in the dark state is also lower than in FIGS. 19 and 20, and a display with a high contrast ratio is obtained.

図22に基準電圧線108、走査線109、信号線110の駆動シーケンスを示す。駆動シーケンスは大まかに走査期間126(126Aと126B)と画像保持期間127の2つのステージに分けられる。走査期間126は画像信号メモリ124のリフレッシュ及び電気光学媒体123に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新を行う期間である。一方、画像保持期間127は、画面の走査を休止して、画像信号メモリ124の状態に応じて決まる各画素の表示状態を保持する期間である。走査期間126はさらに第一の走査期間126Aと第二の走査期間126Bとに分けられる。   FIG. 22 shows a driving sequence of the reference voltage line 108, the scanning line 109, and the signal line 110. The driving sequence is roughly divided into two stages: a scanning period 126 (126A and 126B) and an image holding period 127. The scanning period 126 is a period for refreshing the image signal memory 124 and updating the state of the voltage applied to the electro-optic medium 123, that is, updating the display image. On the other hand, the image holding period 127 is a period in which scanning of the screen is paused and the display state of each pixel determined according to the state of the image signal memory 124 is held. The scanning period 126 is further divided into a first scanning period 126A and a second scanning period 126B.

基準電圧線108の駆動波形136は、第一の走査期間126Aにおいて対応する走査線を走査するタイミングにおいてリセット電位173に一定期間設定され、第二の走査期間126Bにおいて対応する走査線を走査するタイミングにおいて共通電位137に一定期間設定され、他の期間は共通電極177に対して正極性の電位に設定される。   The drive waveform 136 of the reference voltage line 108 is set to a reset potential 173 for a certain period at the timing of scanning the corresponding scanning line in the first scanning period 126A, and the timing of scanning the corresponding scanning line in the second scanning period 126B. The common potential 137 is set for a certain period, and the other period is set to a positive potential with respect to the common electrode 177.

各走査線109は、第一の走査期間126A及び第二の走査期間126Bの夫々において走査が行われる。信号線110は、第一の走査期間126A及び第二の走査期間126Bの夫々において、画像データに応じた駆動波形を供給し、画像保持期間127においては、第2のトランジスタ122をオフ状態にする電位132を設定する。これは、画像保持期間127において、特に第2のトランジスタ122をオフ状態に保つ画像信号メモリ124のノード125の電位が、第1のトランジスタのオフ抵抗を通じて変動するのを防止するためである。   Each scanning line 109 is scanned in each of the first scanning period 126A and the second scanning period 126B. The signal line 110 supplies a driving waveform corresponding to the image data in each of the first scanning period 126A and the second scanning period 126B, and the second transistor 122 is turned off in the image holding period 127. A potential 132 is set. This is to prevent the potential of the node 125 of the image signal memory 124 that keeps the second transistor 122 off in the image holding period 127 from fluctuating through the off resistance of the first transistor.

図23及び図24を用いて本駆動方法をより詳細に説明する。図23は第一の走査期間126Aのうちの任意の3本の走査線を走査する期間のタイミングチャートである。図24は第二の走査期間126Bのうちの任意の3本の走査線を走査する期間のタイミングチャートである。   The driving method will be described in more detail with reference to FIGS. FIG. 23 is a timing chart of a period for scanning arbitrary three scanning lines in the first scanning period 126A. FIG. 24 is a timing chart of a period during which any three scanning lines in the second scanning period 126B are scanned.

信号線110の駆動波形132は、電気光学媒体123の両端の電位差を概ね0Vとする場合と、基準電圧線108の電位136と共通電位137との差分の電位差とする場合とで異なった波形とする。信号線110の駆動波形132(OFF)は電気光学媒体123の両端の電位差を概ね0Vとする場合の信号線の駆動波形を示しており、信号線110の駆動波形132(ON)は電気光学媒体123の両端の電位差を基準電圧線108の電位136と共通電位137との差分の電位差とする場合の信号線の駆動波形を示している。   The drive waveform 132 of the signal line 110 differs depending on whether the potential difference between both ends of the electro-optical medium 123 is approximately 0 V or the difference between the potential 136 of the reference voltage line 108 and the common potential 137. To do. A driving waveform 132 (OFF) of the signal line 110 indicates a driving waveform of the signal line when the potential difference between both ends of the electro-optic medium 123 is approximately 0 V, and a driving waveform 132 (ON) of the signal line 110 indicates the electro-optic medium. A signal line drive waveform in a case where the potential difference between both ends of 123 is the potential difference of the difference between the potential 136 of the reference voltage line 108 and the common potential 137 is shown.

図23及び図24の信号線110の駆動波形132は列方向に連続した数画素を全てOFF状態ないしON状態とする波形を示しているが、実際の駆動波形は画像信号に応じて両者が時間的に入り混じった波形となる。   The drive waveform 132 of the signal line 110 in FIGS. 23 and 24 shows a waveform in which several consecutive pixels in the column direction are all in an OFF state or an ON state. However, the actual drive waveform is time-dependent depending on the image signal. It becomes a mixed waveform.

図23において、信号線110に駆動波形132(OFF)が印加されている場合について、例えばi番目の走査線109について説明する。i番目の走査線109に対応するゲートパルス131が立ち上がり、第1のトランジスタ121がオン状態になるのに同期して、対応する基準電圧線108の駆動波形136を正極性電位からリセット電位173とする。その直後に信号線110の駆動波形132(OFF)が立ち上がり、第1のトランジスタ121がオン状態であるので第2のトランジスタ122もオン状態となる。   In FIG. 23, the case where the drive waveform 132 (OFF) is applied to the signal line 110, for example, the i-th scanning line 109 will be described. In synchronization with the rise of the gate pulse 131 corresponding to the i-th scanning line 109 and the turning on of the first transistor 121, the driving waveform 136 of the corresponding reference voltage line 108 is changed from the positive potential to the reset potential 173. To do. Immediately thereafter, the drive waveform 132 (OFF) of the signal line 110 rises, and the first transistor 121 is in an on state, so that the second transistor 122 is also in an on state.

基準電圧線108の駆動波形136の電位はリセット電位173にあるので、電気光学媒体123には共通電極120に対して負極性の電圧が印加される。続いて信号線110の駆動波形132(OFF)が立下り、第1のトランジスタ121がオン状態であるので、電気光学媒体123には共通電極120に対して負極性の電圧が印加された状態を維持したまま第2のトランジスタ122がオフ状態となる。続いて基準電圧線108の駆動波形136の電位をリセット電位173から正極性電位に戻し、信号線110の駆動波形132(OFF)の電位がローレベルの状態でゲートパルス131を立ち下げる。したがって、画像信号メモリ124のノード125の電位が第2のトランジスタ122をオフ状態に保持する電位となった状態で、第1のトランジスタ121がオフ状態となる。   Since the potential of the drive waveform 136 of the reference voltage line 108 is at the reset potential 173, a negative voltage is applied to the electro-optical medium 123 with respect to the common electrode 120. Subsequently, since the drive waveform 132 (OFF) of the signal line 110 falls and the first transistor 121 is on, the electro-optic medium 123 is in a state where a negative voltage is applied to the common electrode 120. The second transistor 122 is turned off while being maintained. Subsequently, the potential of the drive waveform 136 of the reference voltage line 108 is returned from the reset potential 173 to the positive potential, and the gate pulse 131 is lowered while the potential of the drive waveform 132 (OFF) of the signal line 110 is at a low level. Therefore, the first transistor 121 is turned off in a state where the potential of the node 125 of the image signal memory 124 is a potential that holds the second transistor 122 in an off state.

次に、図23において、信号線110に駆動波形132(ON)が印加されている場合について、例えばi番目の走査線109について説明する。i番目の走査線109に対応するゲートパルス131が立ち上がり、第1のトランジスタ121がオン状態になるのに同期して、対応する基準電圧線108の駆動波形136を正極性電位からリセット電位173として再び正極性電位とする。その後信号線110の駆動波形132(ON)が立ち上がり、第1のトランジスタ121がオン状態であるので第2のトランジスタ122もオン状態となる。基準電圧線108の駆動波形136の電位は正極性電位にあるので、電気光学媒体123には共通電極120に対して正極性の電圧が印加される。   Next, in FIG. 23, for example, the i-th scanning line 109 will be described in the case where the drive waveform 132 (ON) is applied to the signal line 110. The driving waveform 136 of the corresponding reference voltage line 108 is changed from the positive potential to the reset potential 173 in synchronization with the rise of the gate pulse 131 corresponding to the i-th scanning line 109 and the first transistor 121 being turned on. The potential is positive again. Thereafter, the drive waveform 132 (ON) of the signal line 110 rises, and the first transistor 121 is in an on state, so that the second transistor 122 is also in an on state. Since the potential of the drive waveform 136 of the reference voltage line 108 is at a positive potential, a positive voltage is applied to the common electrode 120 in the electro-optic medium 123.

続いてゲートパルス131が立下り、画像信号メモリ124のノード125の電位が第2のトランジスタ122をオン状態に保持する電位の状態で第1のトランジスタ121がオフ状態となる。さらに、信号線110の駆動波形132(ON)を立ち下げる。この場合、第2のトランジスタ122は次の走査期間126を迎えるまで画像信号メモリ124のノード125の電位によりオン状態を保持される。したがって、画像保持期間127の間、電気光学媒体123には第2のトランジスタ122を介して基準電圧線108と共通電極120との間の電圧が印加される。   Subsequently, the gate pulse 131 falls, and the first transistor 121 is turned off in a state where the potential of the node 125 of the image signal memory 124 holds the second transistor 122 in the on state. Further, the drive waveform 132 (ON) of the signal line 110 is lowered. In this case, the second transistor 122 is kept on by the potential of the node 125 of the image signal memory 124 until the next scanning period 126 is reached. Therefore, during the image holding period 127, a voltage between the reference voltage line 108 and the common electrode 120 is applied to the electro-optic medium 123 via the second transistor 122.

図24は、図23における基準電圧線108の駆動波形136のゲートパルス131に同期したパルスの設定電位をリセット電位173から共通電位137に変更した駆動シーケンスである。   FIG. 24 shows a drive sequence in which the set potential of the pulse synchronized with the gate pulse 131 of the drive waveform 136 of the reference voltage line 108 in FIG. 23 is changed from the reset potential 173 to the common potential 137.

本発明の回路構成並びに駆動方法を適用すれば、高速応答性とコントラスト比とを両立させることが可能となる。なぜならば、第二の電極146への黒電圧書き込みにより、インク粒子171が第二の電極146に引き寄せられるが、第2のトランジスタ122がオフでかつインクの比抵抗が低いことにより、第一の電極177と第二の電極146との間の電位差が時間とともに小さくなる。第一の電極177と第二の電極146との間の電位差が小さくなるにつれてインク粒子171は電極上から拡散していき均一に分散する。このため所望の黒輝度が得られ、高コントラスト比を実現することができる。   By applying the circuit configuration and driving method of the present invention, both high-speed response and contrast ratio can be achieved. This is because ink particles 171 are attracted to the second electrode 146 by black voltage writing to the second electrode 146, but the first transistor 122 is off and the specific resistance of the ink is low. The potential difference between the electrode 177 and the second electrode 146 decreases with time. As the potential difference between the first electrode 177 and the second electrode 146 decreases, the ink particles 171 diffuse from the electrode and are uniformly dispersed. Therefore, a desired black luminance can be obtained and a high contrast ratio can be realized.

図23や図24の駆動シーケンスを変更して、実施例1における図9のように、信号線110の駆動波形132(ON)のパルスの立下りを対応する走査線109のゲートパルス131の立下りよりも前に変更することも可能である。   23 and FIG. 24 is changed, and the rising edge of the gate pulse 131 of the scanning line 109 corresponding to the falling edge of the driving waveform 132 (ON) of the signal line 110 is changed as shown in FIG. 9 in the first embodiment. It is also possible to change before going down.

図25を用いて本駆動法の変形を説明する。図23との相違点は基準電圧線108の駆動波形136にある。図25では走査線109のゲートパルス131に同期してリセット電位173にした後、画像信号メモリ124のノード125の電位を第2のトランジスタ122をオフ状態にする電位にするための信号線110の駆動波形132(OFF)がハイレベルにあるうちに共通電位137にする。本駆動法により、1回の走査でリセット及び帯電粒子の拡散を行うことができる。   A modification of this driving method will be described with reference to FIG. The difference from FIG. 23 is the drive waveform 136 of the reference voltage line 108. In FIG. 25, after the reset potential 173 is set in synchronization with the gate pulse 131 of the scanning line 109, the potential of the node 125 of the image signal memory 124 is changed to the potential for turning off the second transistor 122. While the drive waveform 132 (OFF) is at the high level, the common potential 137 is set. With this driving method, reset and diffusion of charged particles can be performed in one scan.

図26から図34は隔壁170及び共通電極177の構成の実施例である。図26は図18の隔壁170の部分の拡大図である。アクティブマトリクス基板において反射電極146間に隔壁170を設け、他方の基板163上に設けた共通電極177と重ね合わせて張り合わされる。共通電極177は隣接する画素の双方にとって共通電極として寄与するので全面積に占める表示に寄与する面積の比である開口率を高めることができる。隔壁170として光吸収性の材料を適用すると、共通電極177が透明電極であっても、外光が反射電極146間の隙間からTFT領域に侵入するのを防止することができる。   26 to 34 show examples of the configuration of the partition wall 170 and the common electrode 177. FIG. FIG. 26 is an enlarged view of the partition 170 shown in FIG. A partition 170 is provided between the reflective electrodes 146 in the active matrix substrate, and the common electrode 177 provided on the other substrate 163 is overlapped and attached. Since the common electrode 177 contributes to both adjacent pixels as a common electrode, it is possible to increase the aperture ratio, which is the ratio of the area contributing to display in the entire area. When a light-absorbing material is used for the partition wall 170, even when the common electrode 177 is a transparent electrode, external light can be prevented from entering the TFT region from the gap between the reflective electrodes 146.

図27と図26との相違点は遮光層168を基板163と共通電極177との間に設けたことである。遮光層168は共通電極177を透明導電膜で形成した場合には隣接する画素の間隙から光が侵入するのを防止する機能を備える。一方、共通電極177を金属薄膜で形成した場合には共通電極177の不要反射を防止する機能を備える。   The difference between FIG. 27 and FIG. 26 is that a light shielding layer 168 is provided between the substrate 163 and the common electrode 177. The light shielding layer 168 has a function of preventing light from entering from a gap between adjacent pixels when the common electrode 177 is formed of a transparent conductive film. On the other hand, when the common electrode 177 is formed of a metal thin film, the common electrode 177 has a function of preventing unnecessary reflection.

図28では共通電極177上に密着層174を形成している。密着層174は例えば有機透明絶縁膜で形成され、2つの基板150、163間の密着性を増す効果がある。   In FIG. 28, an adhesion layer 174 is formed on the common electrode 177. The adhesion layer 174 is formed of, for example, an organic transparent insulating film, and has an effect of increasing the adhesion between the two substrates 150 and 163.

図29では反射電極146上に保護層175を設けている。これは反射電極146の腐食防止のためである。   In FIG. 29, a protective layer 175 is provided over the reflective electrode 146. This is for preventing corrosion of the reflective electrode 146.

図30では反射電極146上の保護層176を塗布により隔壁170まで形成した実施
例を示している。
FIG. 30 shows an embodiment in which the protective layer 176 on the reflective electrode 146 is formed up to the partition wall 170 by coating.

図31は隔壁178を共通電極177上に形成した実施例を示している。   FIG. 31 shows an embodiment in which the partition 178 is formed on the common electrode 177.

図32は隔壁178を基板163上に形成した後、共通電極177が前記隔壁178を覆うように形成した実施例を示している。反射電極146上には共通電極177との絶縁性を保つために保護層179が設けられている。本構成によれば、共通電極177は壁電極となり帯電粒子171を吸着する面積が増大する一方、表示装置の観測者からは帯電粒子171が集められたときの面積が縮小するため、開口率を高めることができる。   FIG. 32 shows an embodiment in which the partition 178 is formed on the substrate 163 and then the common electrode 177 is formed so as to cover the partition 178. A protective layer 179 is provided on the reflective electrode 146 in order to maintain insulation from the common electrode 177. According to this configuration, the common electrode 177 becomes a wall electrode and the area for adsorbing the charged particles 171 increases. On the other hand, the area of the display device when the charged particles 171 are collected is reduced from the observer of the display device. Can be increased.

図33は図32の共通電極177を透明導電膜で形成した場合に必要となる遮光層168を設けた実施例である。   FIG. 33 shows an example in which a light shielding layer 168 required when the common electrode 177 of FIG. 32 is formed of a transparent conductive film is provided.

図34は、共通電極177と反射電極146との絶縁性を保つための保護層180を共通電極177に積層して設けた実施例である。もちろん共通電極177と反射電極146との絶縁性を保つための保護層は両方の基板150、163に設けてもよい。   FIG. 34 shows an embodiment in which a protective layer 180 for maintaining the insulation between the common electrode 177 and the reflective electrode 146 is provided on the common electrode 177. Of course, a protective layer for maintaining insulation between the common electrode 177 and the reflective electrode 146 may be provided on both the substrates 150 and 163.

図35は画素102と共通電極177のレイアウト例を示し、共通電極177を外部に引き出すための電極がその側面に形成されている。   FIG. 35 shows a layout example of the pixel 102 and the common electrode 177, and an electrode for drawing the common electrode 177 to the outside is formed on the side surface.

図36は、帯電粒子171及び絶縁性溶媒181の印刷形成の実施例を示している。本発明の電気泳動表示装置は画素単位で隔壁が設けられているため、液晶表示装置のように2枚の基板を張り合わせて空のセルを作製してから液晶材料を封入するような工程でのパネル形成は困難である。各画素に均一に帯電粒子171及び絶縁性溶媒181を分散する方法としてはインクジェット印刷が好適である。表示領域の周辺に設けた隔壁192内をプリンタヘッド190で走査することにより、表示領域前面に渡って帯電粒子171及び絶縁性溶媒181からなるインク191が均一に分散される。   FIG. 36 shows an example of print formation of the charged particles 171 and the insulating solvent 181. Since the electrophoretic display device of the present invention is provided with partition walls in units of pixels, the liquid crystal material is sealed in a process in which an empty cell is formed by bonding two substrates together like a liquid crystal display device. Panel formation is difficult. As a method for uniformly dispersing the charged particles 171 and the insulating solvent 181 in each pixel, inkjet printing is suitable. By scanning the inside of the partition wall 192 provided around the display area with the printer head 190, the ink 191 composed of the charged particles 171 and the insulating solvent 181 is uniformly dispersed over the front surface of the display area.

本発明の表示装置は1画素単位では2値表示であるので、階調はディザ階調表示を行う必要がある。すべて正方形の画素でモノクローム表示の表示装置を構成した場合には、2×2画素単位で5階調、3×3画素単位で10階調、4×4画素単位で17階調、5×5画素単位で26階調というように、n×n画素単位で(n2+1)階調の階調表示が可能である。ただし、階調表示時の精細度はn分の1に低下する。また、カラー表示を行う場合にはさらに精細度が3分の1に低下する。   Since the display device of the present invention performs binary display in units of one pixel, it is necessary to perform dither gradation display for gradation. When a display device for monochrome display is configured with all square pixels, 5 gradations in 2 × 2 pixel units, 10 gradations in 3 × 3 pixel units, 17 gradations in 4 × 4 pixel units, 5 × 5 A gradation display of (n2 + 1) gradations can be made in n × n pixel units, such as 26 gradations in pixel units. However, the definition at the time of gradation display is reduced to 1 / n. Further, when performing color display, the definition is further reduced to one third.

図37に示すように、副画素を用いることにより階調表示時の精細度の低下を抑制することができる。図37を用いて、副画素を用いた場合の階調表示方法を説明する。一つの画素201は2つの副画素201A、201Bとから構成される。R画素の場合副画素は例えば201RA、201RBのように記載する。m×m個の画素201により階調表示を行う。副画素の面積比はn:1であり、このときn=m2+1の関係にある。いくつかのmについての階調数について下記表1に示す。   As shown in FIG. 37, the use of sub-pixels can suppress a reduction in definition during gradation display. A gradation display method using subpixels will be described with reference to FIG. One pixel 201 includes two sub-pixels 201A and 201B. In the case of the R pixel, the subpixel is described as 201RA, 201RB, for example. Gray scale display is performed by m × m pixels 201. The area ratio of the subpixels is n: 1, and at this time, there is a relationship of n = m2 + 1. Table 1 below shows the number of gradations for several m.

Figure 0004940157
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例えば、m=1の場合には、n=2で画素201が2:1の面積比となる副画素に分割する。階調1としては、面積比1の副画素のみをONとし、階調2としては、面積比2の副画素のみをONとし、階調3としては、両副画素をONとする。このようにして、階調0を含めて4階調を表示することができる。また、m=2の場合には、n=5で画素201が5:1の面積比となる副画素に分割する。階調1としては、面積比1の副画素の1つのみをONとし、階調2としては、面積比1の副画素の2つのみをONとし、階調3としては、面積比1の副画素の3つのみをONとし、階調4としては、面積比1の副画素全てをONとする。次に、階調5としては、面積比5の副画素の1つのみをONとし、階調6としては、面積比5の副画素の1つと面積比1の副画素の1つのみをONとする。このようにして、階調0を含めて25階調を表示することができる。   For example, when m = 1, the pixel 201 is divided into sub-pixels having an area ratio of 2: 1 when n = 2. For gradation 1, only the sub-pixel with area ratio 1 is turned on, for gradation 2, only the sub-pixel with area ratio 2 is turned on, and for gradation 3, both sub-pixels are turned on. In this way, four gradations including gradation 0 can be displayed. When m = 2, the pixel 201 is divided into sub-pixels having an area ratio of 5: 1 when n = 5. For gradation 1, only one of the sub-pixels with an area ratio of 1 is turned on, for gradation 2, only two of the sub-pixels with an area ratio of 1 are turned on, and for gradation 3, the area ratio of 1 Only three of the sub-pixels are turned ON, and for gradation 4, all of the sub-pixels having an area ratio of 1 are turned ON. Next, for gradation 5, only one of the sub-pixels with an area ratio of 5 is turned on, and for gradation 6, only one of the sub-pixels with an area ratio of 5 and one of the sub-pixels with an area ratio of 1 are turned on. And In this way, 25 gradations including gradation 0 can be displayed.

このように、例えば3×3画素の場合において正方画素と比較すると、正方画素の場合階調数は10階調であるのに対し、本階調表示方式では100階調が表示できる。   Thus, for example, in the case of 3 × 3 pixels, compared to square pixels, the number of gradations is 10 in the case of square pixels, whereas this gradation display method can display 100 gradations.

次にアクティブマトリクス基板150側に、隔壁170、共通電極177及び遮光層168を印刷により形成した場合について述べる。   Next, the case where the partition 170, the common electrode 177, and the light shielding layer 168 are formed on the active matrix substrate 150 side by printing will be described.

図38は、反転印刷法により形成した隔壁構造を適用したパネル断面図である。反転印刷法により、隔壁170のパターンを版として使うことにより、隔壁170上に共通電極層177とブラックマトリクス168が順次積層形成されている。   FIG. 38 is a cross-sectional view of a panel to which a partition wall structure formed by a reverse printing method is applied. The common electrode layer 177 and the black matrix 168 are sequentially stacked on the partition wall 170 by using the pattern of the partition wall 170 as a plate by reverse printing.

図39は、反転印刷法により隔壁170を形成する工程の模式図である。反転印刷法とは撥インク性を主体とした印刷法であり、印刷工程は次の工程(1)(2)(3)からなる。   FIG. 39 is a schematic diagram of a process of forming the partition 170 by the reverse printing method. The reverse printing method is a printing method mainly having ink repellency, and the printing process includes the following steps (1), (2), and (3).

(1)インク塗布装置223によりインク転写胴221の撥インク性ブランケット220上にインクを塗布してインク塗布面222を形成する工程   (1) A step of forming an ink application surface 222 by applying ink onto the ink repellent blanket 220 of the ink transfer cylinder 221 by the ink application device 223.

(2)所望の印刷パターンの反転パターンが凸部になる画像形成版224により前記転写胴221のインク塗布面222よりインクを転写除去する工程   (2) A step of transferring and removing ink from the ink application surface 222 of the transfer cylinder 221 with the image forming plate 224 in which a reverse pattern of a desired printing pattern is a convex portion.

(3)前記転写胴221に残ったインクを基板150上に転写する転写工程   (3) Transfer process for transferring the ink remaining on the transfer cylinder 221 onto the substrate 150

図40は、反転印刷法の応用により、隔壁170上に共通電極177を形成する工程の模式図である。下層構造である隔壁170を画像形成版として用いているため、各層を下層構造に対してセルフアラインでインク塗布面225からのインクを転写・積層することができ、かつ共通電極177を形成するための画像形成版224(図39)は不要である。また、セルフアラインで積層されるため共通電極層177を厚く形成することも可能である。金属層177を厚く形成することのメリットは帯電粒子171を共通電極層177に集めたときのディスプレイ面内方向への粒子の広がりが抑えられ、高開口率を確保できることである。   FIG. 40 is a schematic diagram of a process of forming the common electrode 177 on the partition wall 170 by application of the reverse printing method. In order to form the common electrode 177, the partition 170, which is the lower layer structure, is used as an image forming plate, so that each layer can be transferred and laminated with the ink from the ink application surface 225 by self-alignment with the lower layer structure. The image forming plate 224 (FIG. 39) is unnecessary. In addition, since the layers are stacked by self-alignment, the common electrode layer 177 can be formed thick. The advantage of forming the metal layer 177 thick is that when the charged particles 171 are collected on the common electrode layer 177, the spread of the particles in the display surface direction is suppressed, and a high aperture ratio can be secured.

あるいはまた、隔壁170の材料として有機材料を用いた場合、熱処理によって形状を制御可能である。基板150に接する下面の寸法に比べ上面の寸法を細くすることができる。積層する共通電極層177並びに遮光層(ブラックマトリクス)168の寸法は、隔壁170の上面の寸法を基準に形成されるので、隔壁170下面寸法に比べて小さくすることができる。この構造により画素内に生成されるスペースは、共通電極177に帯電粒子171を引き寄せたときのバッファ領域となり、開口率を高める効果が得られる。   Alternatively, when an organic material is used as the material of the partition wall 170, the shape can be controlled by heat treatment. The upper surface can be made thinner than the lower surface in contact with the substrate 150. Since the common electrode layer 177 and the light shielding layer (black matrix) 168 to be stacked are formed on the basis of the size of the upper surface of the partition wall 170, the size can be made smaller than the size of the lower surface of the partition wall 170. A space generated in the pixel by this structure becomes a buffer region when the charged particles 171 are attracted to the common electrode 177, and an effect of increasing the aperture ratio is obtained.

また、図38に示した構成においては、反射電極146の下層には凹凸構造240及びレベリング層149からなる凹凸層が形成されている。したがって、反射電極146の形状は下層の凹凸層の形状に倣って凹凸面となっており、表示装置への入射光を散乱する機能を有する。凹凸構造240は、パターニング形成された樹脂層を加熱処理により凸面形状加工して形成されている。   In the configuration shown in FIG. 38, an uneven layer composed of the uneven structure 240 and the leveling layer 149 is formed below the reflective electrode 146. Therefore, the shape of the reflective electrode 146 is an uneven surface following the shape of the underlying uneven layer, and has a function of scattering incident light to the display device. The concavo-convex structure 240 is formed by processing a convex surface shape of a resin layer formed by patterning by heat treatment.

レベリング層149は、塗布形成され、かつ反射電極146と下層電極との接続部が除去加工されている。レベリング層149は、一層の膜により形成してもよいが、二層以上の膜により形成してもよい。また、レベリング層149を構成する膜の少なくとも一層は黒色樹脂を用いて形成することが望ましい。   The leveling layer 149 is formed by coating, and the connection portion between the reflective electrode 146 and the lower layer electrode is removed. The leveling layer 149 may be formed of a single layer film, or may be formed of two or more layers. Further, it is desirable that at least one of the films constituting the leveling layer 149 is formed using a black resin.

図38は、透明樹脂からなる第一のレベリング層149Aと黒色樹脂からなる第二のレベリング層149Bの積層構成例を示している。レベリング層として黒色樹脂を用いる理由は、表示装置への入射光が反射電極146の隙間を通って第1のトランジスタ121や第2のトランジスタ122に入射することを防止するためである。すなわち黒色樹脂からなるレベリング層149Bは遮光層としての働きを有する。   FIG. 38 shows a laminated configuration example of the first leveling layer 149A made of a transparent resin and the second leveling layer 149B made of a black resin. The reason for using the black resin as the leveling layer is to prevent incident light on the display device from entering the first transistor 121 and the second transistor 122 through the gap between the reflective electrodes 146. That is, the leveling layer 149B made of a black resin functions as a light shielding layer.

第1のトランジスタ121や第2のトランジスタ122における半導体層に光が照射されると光誘起電気伝導が生じ意図しない動作を生じてしまう。しかも、本発明の表示装置は従来の表示装置と異なりフレーム周波数60Hz以下の低周波駆動を行うことを特徴としているので、光誘起電気伝導による動作異常の影響が従来の表示装置よりも大きい。   When light is applied to the semiconductor layers of the first transistor 121 and the second transistor 122, light-induced electrical conduction occurs and an unintended operation occurs. In addition, unlike the conventional display device, the display device of the present invention is characterized by performing low-frequency driving with a frame frequency of 60 Hz or less, so that the influence of abnormal operation due to light-induced electrical conduction is greater than that of the conventional display device.

対向基板163上ないしは共通電極層177上に形成した遮光層168も表示装置外部からの入射光を遮光する機能を備えるが、斜め方向から表示装置に入射した光が反射電極146の隙間を通過することを防止することはできない。   The light-blocking layer 168 formed on the counter substrate 163 or the common electrode layer 177 also has a function of blocking incident light from the outside of the display device. However, light incident on the display device from an oblique direction passes through the gap between the reflective electrodes 146. It cannot be prevented.

一方、黒色樹脂からなるレベリング層149Bは、反射電極146の隙間を全て覆うように形成されているので、反射電極146の隙間から入射する光を全て遮光することが可能である。凹凸層を形成する他の方法としては、塗布形成した黒色樹脂層を加熱処理により相分離させて形成する方法もある。あるいはまた、凹凸構造を備えた感光性フィルムを用いてもよい。   On the other hand, the leveling layer 149 </ b> B made of black resin is formed so as to cover all the gaps between the reflective electrodes 146, and thus can block all the light incident from the gaps between the reflective electrodes 146. As another method for forming the concavo-convex layer, there is a method in which the black resin layer formed by coating is phase-separated by heat treatment. Alternatively, a photosensitive film having a concavo-convex structure may be used.

本実施例と実施例1、実施例2との相違点は、表示のメモリ性を備えた表示方式を採用している点である。ここでいう「表示のメモリ性を備えた」とは、電源を切っても表示された状態が維持されるという意味である。   The difference between the present embodiment and the first and second embodiments is that a display method having a display memory property is employed. Here, “having display memory” means that the displayed state is maintained even when the power is turned off.

メモリ性を備えた表示方式の例としては、電気泳動表示方式、エレクトロクロミック表示方式、コレステリック液晶表示方式、液体移動表示方式、バイステーブルツイストネマティック液晶表示方式、強誘電性液晶表示方式、反強誘電性液晶表示方式等が挙げられる。本実施例に好適な表示方式はここに挙げた表示方式のみに限られるわけではなく、表示のメモリ性を備えた表示方式であれば適用可能である。   Examples of display methods with memory characteristics include electrophoretic display method, electrochromic display method, cholesteric liquid crystal display method, liquid movement display method, bistable twisted nematic liquid crystal display method, ferroelectric liquid crystal display method, and antiferroelectric Liquid crystal display system and the like. A display method suitable for the present embodiment is not limited to the display methods listed here, and any display method having a display memory property can be applied.

メモリ性表示方式の第1の問題点は、画像の書き換え時に応答が完了するまで継続して電圧ないし電流を供給することが必要な点である。従来の1トランジスタ1キャパシタ構成のアクティブマトリクスでメモリ性表示方式を駆動する場合、電気光学媒体の応答時間が画面を走査する1フレーム期間よりも長いと画面走査を何度も繰り返して所望の電圧を電気光学媒体123に印加しつづける必要がある。   The first problem of the memory display method is that it is necessary to continuously supply voltage or current until the response is completed when rewriting an image. When driving a memory-type display system with a conventional active matrix having a one-transistor one-capacitor configuration, if the response time of the electro-optic medium is longer than one frame period for scanning the screen, the screen scanning is repeated many times to obtain a desired voltage. It is necessary to continue to apply to the electro-optic medium 123.

また、メモリ性表示方式の第2の問題点は、電気光学媒体の比抵抗が通常の液晶に比べて低い点である。従来の1トランジスタ1キャパシタ構成のアクティブマトリクスでメモリ性表示方式を駆動すると、電気光学媒体の比抵抗が低いことが原因でリークが生じ、キャパシタに書き込まれた電圧を1フレーム期間保持することができない。このため電気光学媒体への実効的な印加電圧は低下するため、画像書き換えの際の画面走査回数はさらに増加し、また画像書き換えに要する時間は、電気光学媒体に連続して同じ電位の駆動電圧を印加しつづけた場合の応答時間よりも長くなってしまう。   A second problem of the memory display method is that the specific resistance of the electro-optic medium is lower than that of a normal liquid crystal. When a memory-type display method is driven by a conventional active matrix having a one-transistor one-capacitor configuration, leakage occurs due to the low specific resistance of the electro-optic medium, and the voltage written in the capacitor cannot be held for one frame period. . As a result, the effective applied voltage to the electro-optic medium decreases, so the number of screen scans during image rewriting further increases, and the time required for image rewriting is the same potential drive voltage continuously from the electro-optic medium. It becomes longer than the response time when the voltage is continuously applied.

これらの問題点は、ディスプレイのライン数が、ごく少ないうちには大きくはないが、ディスプレイが高精細化し、ライン総数が大幅に増加した場合には、深刻な問題となる。   These problems are not so great as the number of lines of the display is very small, but become a serious problem when the display becomes high definition and the total number of lines greatly increases.

トランジスタのオン抵抗の制限から取り得る1ライン選択期間には下限があるので、大幅なライン総数の増加は1フレーム分の走査期間の増加に繋がる。また、1フレーム分の走査期間の増加により、電気光学媒体への実効的な印加電圧はさらに低下するため必要な走査回数も増加する。したがって、従来の1トランジスタ1キャパシタ構成のアクティブマトリクスでメモリ性表示方式を駆動するディスプレイにおいては、ディスプレイの高精細化に伴い、画像書き換えに要する時間が大幅に増加してしまう。このような画面の切り換えに長い期間を要するディスプレイを備えた装置の操作性は著しく悪い。   Since there is a lower limit for one line selection period that can be taken from the limitation of the on-resistance of the transistor, a large increase in the total number of lines leads to an increase in the scanning period for one frame. Further, as the scanning period for one frame is increased, the effective applied voltage to the electro-optic medium is further lowered, so that the necessary number of scans is also increased. Therefore, in a conventional display that drives a memory display method with an active matrix having a one-transistor one-capacitor configuration, the time required for image rewriting increases significantly as the display becomes higher in definition. The operability of an apparatus having a display that requires a long period for switching the screen is remarkably poor.

この問題を解決するための画素回路構成並びにその駆動方法について以下に述べる。画素回路構成は実施例1と同じく図2に示す回路構成である。すなわち、第1のトランジスタ121は、そのゲートが走査線109に接続され、そのドレインないしソースの一方が信号線110に接続され、ドレインないしソースの他方が画像信号メモリ124及び第2のトランジスタ122のゲートに接続されている。   A pixel circuit configuration and a driving method for solving this problem will be described below. The pixel circuit configuration is the circuit configuration shown in FIG. In other words, the gate of the first transistor 121 is connected to the scanning line 109, one of the drain and the source is connected to the signal line 110, and the other of the drain and the source is the image signal memory 124 and the second transistor 122. Connected to the gate.

第2のトランジスタ122のドレインないしソースの一方は基準電圧線108に接続され、ドレインないしソースの他方は電気光学媒体123に接続される。電気光学媒体123の第2のトランジスタ122と反対側は共通電極120に接続される。電気光学媒体123の種類に応じて共通電極120はTFTと同一基板上ないしは対向基板上のいずれか一方あるいは双方に設ける。   One of the drain and the source of the second transistor 122 is connected to the reference voltage line 108, and the other of the drain and the source is connected to the electro-optic medium 123. The opposite side of the electro-optic medium 123 from the second transistor 122 is connected to the common electrode 120. Depending on the type of the electro-optic medium 123, the common electrode 120 is provided on one or both of the same substrate and the opposite substrate as the TFT.

図41は、本実施例の駆動波形の模式図である。横軸は時間を示しており、画像書き換え期問218と画像保持期間217とに大きく分けられる。画像書換期間218は、さらに細かく走査期間(a)210から走査期間(d)215及び保持期間(A)211及び保持期間(B)214に分けられる。   FIG. 41 is a schematic diagram of drive waveforms in this embodiment. The horizontal axis indicates time, and is broadly divided into an image rewriting period 218 and an image holding period 217. The image rewriting period 218 is further divided into a scanning period (a) 210, a scanning period (d) 215, a holding period (A) 211, and a holding period (B) 214.

基準電圧線の電位136は、走査期間(a)から保持期間(A)にかけてはVRHとし、走査期間(b)においては原則共通電位(コモン電位(Vcom))とし、走査期間(c)から保持期間(B)にかけてはVRLとし、走査期間(d)及び保持期間(C)217にかけてはコモン電位とする。   The potential 136 of the reference voltage line is set to VRH from the scanning period (a) to the holding period (A), is set to the common potential (common potential (Vcom)) in principle during the scanning period (b), and is held from the scanning period (c). VRL is applied over the period (B), and common potential is applied over the scanning period (d) and the holding period (C) 217.

走査期間(a)においては、画像信号が黒から白に変化する画素のみ走査線を選択するタイミングで信号線電位132をHレベル(VDH)にする。Hレベル(VDH)にされた画素における第2トランジスタ122はオン状態となり、基準電圧線の電位136(VRH)が電気光学媒体123に印加される。ここで、走査期間(a)における走査回数は1回としているが、複数回走査してもよい。   In the scanning period (a), the signal line potential 132 is set to the H level (VDH) at the timing when the scanning line is selected only for the pixels in which the image signal changes from black to white. The second transistor 122 in the pixel set to the H level (VDH) is turned on, and the potential 136 (VRH) of the reference voltage line is applied to the electro-optic medium 123. Here, the number of scans in the scan period (a) is one, but a plurality of scans may be performed.

保持期間(A)においては、信号線電位132はLレベル(VDL)とし、走査は休止する。保持期間(A)では、Hレベル(VDH)にされた画素における第2トランジスタ122はオン状態で、電気光学媒体123には、基準電圧線の電位136(VRH)が印加・保持される。なお、保持期間(A)は、黒から白に変化する画素における光学応答が十分に飽和する時間を確保するとよい。   In the holding period (A), the signal line potential 132 is at the L level (VDL), and scanning is paused. In the holding period (A), the second transistor 122 in the pixel set to the H level (VDH) is in an on state, and the potential 136 (VRH) of the reference voltage line is applied to and held in the electro-optic medium 123. Note that the holding period (A) is preferably secured so that the optical response in the pixel changing from black to white is sufficiently saturated.

走査期間(b)212においては、信号線電位132をLレベル(VDL)として走査線を走査することにより全ての第2のトランジスタ122をオフ状態にする。走査期間(b)においては、基準電圧線の電位136をコモン電位にしておくとなおよい。   In the scanning period (b) 212, all the second transistors 122 are turned off by scanning the scanning line with the signal line potential 132 set to the L level (VDL). In the scanning period (b), the potential 136 of the reference voltage line is preferably set to a common potential.

走査期間(c)213においては、画像信号が白から黒に変化する画素のみ走査線を選択するタイミングで信号線電位132をHレベル(VDH)にする。Hレベル(VDH)にされた画素における第2トランジスタ122はオン状態となり、基準電圧線の電位136(VRL)が電気光学媒体123に印加される。ここで、走査期間(c)における走査回数は1回としているが、複数回走査してもよい。   In the scanning period (c) 213, the signal line potential 132 is set to the H level (VDH) at the timing when the scanning line is selected only for the pixels in which the image signal changes from white to black. The second transistor 122 in the pixel set to the H level (VDH) is turned on, and the potential 136 (VRL) of the reference voltage line is applied to the electro-optic medium 123. Here, the number of scans in the scan period (c) is one, but a plurality of scans may be performed.

保持期間(B)においては、信号線電位132はLレベル(VDL)とし、走査は休止する。保持期間(B)では、Hレベル(VDH)にされた画素における第2トランジスタ122はオン状態で、電気光学媒体123には、基準電圧線の電位136(VRL)が印加・保持される。なお、保持期間(B)は白から黒に変化する画素における光学応答が十分に飽和する時間を確保するとよい。   In the holding period (B), the signal line potential 132 is at the L level (VDL), and scanning is paused. In the holding period (B), the second transistor 122 in the pixel set to the H level (VDH) is in an on state, and the potential 136 (VRL) of the reference voltage line is applied to and held in the electro-optic medium 123. Note that the holding period (B) is preferably secured so that the optical response in a pixel that changes from white to black is sufficiently saturated.

走査期間(d)においては、信号線電位132をLレベル(VDL)として走査線を走査することにより、前記走査期間(b)と同様に、全ての画素電位をコモン電位とする。   In the scanning period (d), the scanning line is scanned with the signal line potential 132 at the L level (VDL), so that all the pixel potentials are set to the common potential as in the scanning period (b).

保持期問(C)においては、信号線電位132はLレベル(VDL)とし、走査線の走査は休止する。   In the holding period (C), the signal line potential 132 is set to L level (VDL), and scanning of the scanning line is paused.

先にも述べたように、メモリ性を備えた表示方式の電気光学媒体123は、一般に比抵抗が低く、従来方式では電気光学媒体123への駆動電圧印加を1フレーム期間維持できない。このため、画像書き換え期間に電気光学媒体123の本来の応答時間よりも大幅に長い期間を要してしまう。   As described above, the display type electro-optical medium 123 having a memory property generally has a low specific resistance, and the conventional method cannot maintain the driving voltage applied to the electro-optical medium 123 for one frame period. For this reason, the image rewriting period requires a period significantly longer than the original response time of the electro-optic medium 123.

一方、表示のメモリ性を備えた表示方式を、本実施例の画素回路構成並びに駆動方法によって駆動することにより、前記保持期間(A)(B)で説明したように、画像書き換え時において、電気光学媒体123が十分に応答するまで第2のトランジスタ122を介して基準電圧線108の駆動電圧136を電気光学媒体123に印加し続けることができる。したがって、画像書き換え期間は電気光学媒体123の応答時間と同程度である。   On the other hand, by driving a display method having a display memory property by the pixel circuit configuration and the driving method of this embodiment, as described in the holding periods (A) and (B), an electric rewriting is performed at the time of image rewriting. The driving voltage 136 of the reference voltage line 108 can be continuously applied to the electro-optic medium 123 through the second transistor 122 until the optical medium 123 responds sufficiently. Therefore, the image rewriting period is about the same as the response time of the electro-optic medium 123.

本実施例は、2値表示の場合について述べた。一方、電圧変調による多値表示が可能な表示媒体を適用し、基準電圧線の電位をVRH、VRL以外の電位にした状態で走査・保持する期間を追加すれば、アナログ階調による多値表示も可能であることはいうまでもない。   In this embodiment, the case of binary display has been described. On the other hand, if a display medium capable of multi-value display by voltage modulation is applied and a scanning and holding period is added with the potential of the reference voltage line set to a potential other than VRH and VRL, multi-value display by analog gradation Needless to say, it is possible.

図42は、本実施例における他の駆動波形の模式図である。図41と異なっている点は、走査期間(d')216を追加したことにある。走査期間(a)〜(d)、保持期間(A)〜(C)の動作については図41と同じである。   FIG. 42 is a schematic diagram of another drive waveform in the present embodiment. A difference from FIG. 41 is that a scanning period (d ′) 216 is added. The operations in the scanning periods (a) to (d) and the holding periods (A) to (C) are the same as those in FIG.

走査期間(d')においては、信号線電位132をHレベル(VDH)として走査線を走査することにより全ての画素電位をコモン電位とする。走査期間(d')の追加により、電気光学媒体123の両端の電位が等しくなり、残留電荷が表示に悪影響を及ぼすことを防止する。   In the scanning period (d ′), the signal line potential 132 is set to the H level (VDH), and the scanning lines are scanned to set all the pixel potentials to the common potential. By adding the scanning period (d ′), the potentials at both ends of the electro-optic medium 123 become equal, and the residual charge is prevented from adversely affecting the display.

本実施例においては、基準電圧線の電位136を切り換えるタイミングを全ラインで共通としたが、走査線の走査に同期して基準電圧線の電位を切り換えるタイミングを走査すると、各ラインを選択するタイミングと基準電圧線の電位の切り換えのタイミングとの相対関係が全てのラインで同等となり、画像表示の走査方向依存性が軽減されるのでなおよい。   In this embodiment, the timing for switching the potential 136 of the reference voltage line is common to all the lines. However, when the timing for switching the potential of the reference voltage line is scanned in synchronization with the scanning of the scanning line, the timing for selecting each line is selected. It is further preferable that the relative relationship between the reference voltage line and the timing of switching the potential of the reference voltage line is the same for all the lines, and the dependency of the image display on the scanning direction is reduced.

また、本実施例においては、書換え前後の画像データを比較し、黒から白ないし白から黒に変化する画素のみ書き換える構成例について述べたが、黒から白への書換え時に、同時に書換え前後の画像データが両方とも白である画素についてもリフレッシュする意味で当該画素を選択する際に信号線電位132をHレベル(VDH)としてもよい。白から黒への書き換えについても同様である。すなわち、前記保持期間(A)においては、全ての白を書換え、前記保持期間(B)においては、全ての黒を書き換える。この場合には、書換え前後の画像データを比較して差分を抽出する駆動シーケンス及びそのための回路構成を省略することができる。   In this embodiment, image data before and after rewriting is compared, and a configuration example is described in which only pixels that change from black to white or white to black are rewritten. However, when rewriting from black to white, images before and after rewriting are simultaneously written. The signal line potential 132 may be set to the H level (VDH) when selecting a pixel whose data is both white for refreshing. The same applies to rewriting from white to black. That is, all white is rewritten in the holding period (A), and all black is rewritten in the holding period (B). In this case, it is possible to omit a drive sequence for extracting a difference by comparing image data before and after rewriting and a circuit configuration therefor.

図43は、本実施例における駆動波形の模式図である。図41と異なっている点は、走査期間(b)及び走査期間(c)を組み合わせて走査期間(c')219とした点と、走査期間(a)及び走査期間(c')において基準電圧線の電位136をコモン電位とした点である。   FIG. 43 is a schematic diagram of drive waveforms in the present embodiment. 41 differs from FIG. 41 in that the scanning period (b) and the scanning period (c) are combined to form a scanning period (c ′) 219, and the reference voltage in the scanning period (a) and the scanning period (c ′). This is a point where the potential 136 of the line is a common potential.

走査期間(c')においては、走査期間(a)において黒から白に画像を書き換えた画素(第2のトランジスタ122をオンにした画素)の走査線を選択するタイミングで信号線電位132をLレベル(VDL)にする一方、画像信号が白から黒に変化する画素の走査線を選択するタイミングで信号線電位をHレベル(VDH)にする。   In the scanning period (c ′), the signal line potential 132 is set to L at the timing of selecting the scanning line of the pixel (the pixel in which the second transistor 122 is turned on) whose image is rewritten from black to white in the scanning period (a). While the level (VDL) is set, the signal line potential is set to the H level (VDH) at the timing of selecting the scanning line of the pixel whose image signal changes from white to black.

この動作により、黒から白に画像が書き換えられた画素における電気光学媒体123の両端の電位が等しくなる。また当該画素における第2のトランジスタがオフ状態となり、その後の基準電圧線の電位変動の影響を受けなくなる。   By this operation, the potentials at both ends of the electro-optic medium 123 in the pixel in which the image is rewritten from black to white become equal. In addition, the second transistor in the pixel is turned off and is not affected by the potential fluctuation of the reference voltage line thereafter.

走査期間(a)及び走査期間(c')において、基準電圧線の電位136をコモン電位とし、走査期間の終了後に基準電圧線の電位136を変化させているのは、画面の上下で黒から白ないし白から黒に変化するタイミングを等しくするためである。   In the scanning period (a) and the scanning period (c ′), the potential 136 of the reference voltage line is set to the common potential, and the potential 136 of the reference voltage line is changed after the scanning period ends from black on the upper and lower sides of the screen. This is to make the timing of changing from white to white to black equal.

図44は本発明に係る表示装置を文庫リーダーに適用したものであって、本体230の表示枠231内に表示部232が備えられ、この表示部232に本発明に係る表示装置を採用する。図44(a)はこの文庫リーダーを開いた場合を示し、その寸法は、例えば、幅が204mm程度で、長さが151mm程度である。図44(b)は図44(a)の底面図で、その厚さは、例えば、3mm程度である。図44(c)はこの文庫リーダーを閉じた場合を示し、その寸法は、例えば、幅が105mm程度で、長さが151mm程度である。図44(d)は図44(c)の底面図で、その厚さは、例えば、6mm程度である。なお、本体230は開閉軸233によって開閉され、指で左右に操作して頁の送り戻しを行う頁操作ボタン234と機能操作のためのファンクションボタン235及び電源をオンオフするパワーボタン236を備えている。   FIG. 44 shows a case where the display device according to the present invention is applied to a library reader. A display unit 232 is provided in the display frame 231 of the main body 230, and the display device according to the present invention is adopted as the display unit 232. FIG. 44 (a) shows a case where the library reader is opened, and the dimensions are, for example, a width of about 204 mm and a length of about 151 mm. FIG. 44 (b) is a bottom view of FIG. 44 (a), and its thickness is, for example, about 3 mm. FIG. 44 (c) shows a case where the library reader is closed, and the dimensions are, for example, a width of about 105 mm and a length of about 151 mm. FIG. 44 (d) is a bottom view of FIG. 44 (c), and its thickness is, for example, about 6 mm. The main body 230 is opened and closed by an opening / closing shaft 233, and includes a page operation button 234 for moving the page back and forth with a finger, a function button 235 for function operation, and a power button 236 for turning on / off the power. .

本発明の表示装置のブロック図Block diagram of display device of the present invention 画素102の回路構成例を示す図FIG. 10 is a diagram illustrating a circuit configuration example of the pixel 102. i行目の基準電圧線108の駆動波形(電位)136の例1を示す図The figure which shows Example 1 of the drive waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 of i row i行目の基準電圧線108の駆動波形(電位)136の例2を示す図The figure which shows Example 2 of the drive waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 of i row i行目の基準電圧線108の駆動波形(電位)136の例3を示す図The figure which shows Example 3 of the drive waveform (potential) 136 of the reference voltage line 108 of i row 走査期間126の駆動シーケンスの例1を示す図The figure which shows the example 1 of the drive sequence of the scanning period 126 走査期間126の駆動シーケンスの例2を示す図The figure which shows the example 2 of the drive sequence of the scanning period 126 基準電圧線108、走査線109、信号線110の駆動シーケンスを示す図The figure which shows the drive sequence of the reference voltage line 108, the scanning line 109, and the signal line 110 走査期間126の駆動シーケンスの例3を示す図The figure which shows the example 3 of the drive sequence of the scanning period 126 画素102の回路構成例を示す図FIG. 10 is a diagram illustrating a circuit configuration example of the pixel 102. 反射電極146より下層の画素部のレイアウト例を示す図The figure which shows the example of a layout of the pixel part lower than the reflective electrode 146 反射電極146を含む画素部のレイアウト例を示す図The figure which shows the example of a layout of the pixel part containing the reflective electrode 146 図11及び図12のA−A'部の断面図Sectional view of the AA 'part of FIG.11 and FIG.12. 図11及び図12のB−B'部の断面図Sectional drawing of the BB 'part of FIG.11 and FIG.12. 図11及び図12のC−C'部の断面図Sectional drawing of CC 'part of FIG.11 and FIG.12. 図11及び図12のD−D'部の断面図Sectional drawing of the DD 'part of FIG.11 and FIG.12. 図11及び図12のE−E'部の断面図Sectional view taken along the line EE ′ of FIGS. 11 and 12 第二の実施例の表示装置の断面図Sectional drawing of the display apparatus of 2nd Example 電気泳動表示媒体の電気光学特性の例を示す図The figure which shows the example of the electro-optical characteristic of an electrophoretic display medium 電気泳動表示媒体の電気光学特性の例を示す図The figure which shows the example of the electro-optical characteristic of an electrophoretic display medium 電気泳動表示媒体の電気光学特性の例を示す図The figure which shows the example of the electro-optical characteristic of an electrophoretic display medium 基準電圧線108、走査線109、信号線110の駆動シーケンスを示す 図FIG. 6 shows a driving sequence of a reference voltage line 108, a scanning line 109, and a signal line 110. 走査期間126Aの駆動方法の説明図Explanatory drawing of the drive method of the scanning period 126A 走査期間126Bの駆動方法の説明図Explanatory drawing of the drive method of the scanning period 126B 走査期間126A及びBの駆動方法の変形の説明図Explanatory drawing of the deformation | transformation of the drive method of scanning period 126A and B 隔壁170及び共通電極177の構成の実施例を示す図The figure which shows the Example of a structure of the partition 170 and the common electrode 177. 隔壁170及び共通電極177の構成の実施例を示す図The figure which shows the Example of a structure of the partition 170 and the common electrode 177. 隔壁170及び共通電極177の構成の実施例を示す図The figure which shows the Example of a structure of the partition 170 and the common electrode 177. 隔壁170及び共通電極177の構成の実施例を示す図The figure which shows the Example of a structure of the partition 170 and the common electrode 177. 隔壁170及び共通電極177の構成の実施例を示す図The figure which shows the Example of a structure of the partition 170 and the common electrode 177. 隔壁178及び共通電極177の構成の実施例を示す図The figure which shows the Example of a structure of the partition 178 and the common electrode 177. 隔壁178及び共通電極177の構成の実施例を示す図The figure which shows the Example of a structure of the partition 178 and the common electrode 177. 隔壁178及び共通電極177の構成の実施例を示す図The figure which shows the Example of a structure of the partition 178 and the common electrode 177. 隔壁178及び共通電極177の構成の実施例を示す図The figure which shows the Example of a structure of the partition 178 and the common electrode 177. 画素102及び共通電極177のレイアウトを示す図The figure which shows the layout of the pixel 102 and the common electrode 177. 帯電粒子171及び絶縁性溶媒181を印刷形成する実施例を示す図The figure which shows the Example which print-forms the charged particle 171 and the insulating solvent 181. 階調表示方法の説明図Illustration of gradation display method 反転印刷法により形成した隔壁構造を適用したパネル断面図Panel cross-sectional view using partition structure formed by reverse printing 反転印刷法による隔壁構造の形成プロセスの模式図Schematic diagram of partition structure formation process by reversal printing 反転印刷法による共通電極の形成プロセスの模式図Schematic diagram of the process of forming common electrodes by reverse printing 第三の実施例の駆動波形の模式図Schematic diagram of the drive waveform of the third embodiment 第三の実施例の駆動波形の模式図Schematic diagram of the drive waveform of the third embodiment 第四の実施例の駆動波形の模式図Schematic diagram of the drive waveform of the fourth embodiment 本発明の表示装置を適用した文庫リーダーの概略図Schematic diagram of a library reader to which the display device of the present invention is applied

符号の説明Explanation of symbols

101…パネル部、102…画素、103…走査線駆動回路(走査回路)、104…基準
電圧線駆動回路、105…タイミングコントローラ、106…セレクタスイッチ、107
…表示部、108…基準電圧線、109…走査線、110…信号線、111…信号線駆動
回路、120…共通電極、121…第1のトランジスタ、122…第2のトランジスタ、
123…電気光学媒体、124…画像信号メモリ、125…ノード、126…走査期間、
127…画像保持期間、128…保持容量、131…ゲートパルス信号、132…信号線
の駆動波形、133…i走査線の選択期間、134…リセット期間、135…画像信号書
き込み期間、136…基準電圧線の駆動波形、137…共通電位(コモン電位)、141、
142、143…スルーホールコンタクト、144…電極、145…アモルファスシリコ
ン層、146…反射電極(画素電極)、147、148、149…絶縁層、149A…透明
樹脂層、149B…黒色樹脂層、150…基板、151、152…金属配線、160…偏
光板、161、162…位相差フィルム、163…基板、164…透明電極、165…配
向膜、166…液晶層、167…配向膜、168…遮光層(ブラックマトリクス)、169
…保護膜、170…隔壁、171…帯電粒子、173…リセット電位、174…密着層、
175、176…保護層、177…共通電極、178…隔壁、179、180…保護層、
181…絶縁性溶媒、201…画素、217…画像保持期間、218…画像書き換え期問
、220…撥インク性ブランケット、221…インク転写胴、222…インク塗布面、2
23…インク塗布装置、224…画像形成版、225…インク塗布面、230…文庫リー
ダー本体、232…表示部、240…凹凸構造
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Panel part, 102 ... Pixel, 103 ... Scanning line drive circuit (scanning circuit), 104 ... Reference voltage line drive circuit, 105 ... Timing controller, 106 ... Selector switch, 107
DESCRIPTION OF SYMBOLS Display part 108 ... Reference voltage line 109 ... Scan line 110 ... Signal line 111 ... Signal line driving circuit 120 ... Common electrode 121 ... First transistor 122 ... Second transistor
123: Electro-optical medium, 124: Image signal memory, 125 ... Node, 126 ... Scanning period,
127: Image holding period, 128: Holding capacitor, 131: Gate pulse signal, 132: Signal line driving waveform, 133: i-scan line selection period, 134: Reset period, 135: Image signal writing period, 136: Reference voltage Line drive waveform, 137 ... common potential (common potential), 141,
142, 143 ... through-hole contact, 144 ... electrode, 145 ... amorphous silicon layer, 146 ... reflective electrode (pixel electrode), 147, 148, 149 ... insulating layer, 149A ... transparent resin layer, 149B ... black resin layer, 150 ... Substrate, 151, 152 ... Metal wiring, 160 ... Polarizing plate, 161, 162 ... Retardation film, 163 ... Substrate, 164 ... Transparent electrode, 165 ... Alignment film, 166 ... Liquid crystal layer, 167 ... Alignment film, 168 ... Light shielding layer (Black matrix), 169
... protective film, 170 ... partition wall, 171 ... charged particle, 173 ... reset potential, 174 ... adhesion layer,
175, 176 ... protective layer, 177 ... common electrode, 178 ... partition, 179, 180 ... protective layer,
181 ... Insulating solvent, 201 ... Pixel, 217 ... Image retention period, 218 ... Image rewriting period, 220 ... Ink-repellent blanket, 221 ... Ink transfer cylinder, 222 ... Ink application surface, 2
DESCRIPTION OF SYMBOLS 23 ... Ink application apparatus, 224 ... Image forming plate, 225 ... Ink application surface, 230 ... Library reader main body, 232 ... Display part, 240 ... Uneven structure

Claims (6)

マトリクス状に配置された複数の画素を備え、
前記画素は少なくとも、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、画像信号メモリと、電源を切っても表示された状態が維持される表示のメモリ性を有する電気光学媒体と、共通電極とを備え、
前記画素は少なくとも信号線と走査線と基準電圧線とに接続され、
前記第1のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記信号線に接続され、
前記第1のトランジスタのドレインないしソースの他方は第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは前記走査線に接続され、
前記第2のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記電気光学媒体に接続され、
前記第2のトランジスタのドレインないしソースの他方は前記基準電圧線に接続され、
前記画像信号メモリは前記第2のトランジスタのゲートと前記基準電圧線に接続され、
前記電気光学媒体は前記第2のトランジスタのドレインないしソースの一方と前記共通電極とに接続されており、
前記電気光学媒体の表示状態を書き換え、
前記電気光学媒体は少なくとも2つの表示状態を備え、
各々の表示状態に書き換えるための走査期間を夫々設け、
画像書き換え期間は、走査期間(a)、保持期間(A)、走査期間(b)、走査期間(c)保持期間(B)、走査期間(d)に分けられ、
前記基準電圧線の電位は、前記走査期間(a)から前記保持期間(A)にかけてはHレベルとし前記走査期間(b)においては前記共通電極の電位と同等の電位とし、前記走査期間(c)から前記保持期間(B)にかけてはLレベルとし、
前記走査期間(d)においては前記共通電極の電位と同等の電位とし、
前記走査期間(a)においては、画像信号が黒から白に変化する画素のみ前記走査線を選択するタイミングで信号線電位をHレベルにし、
前記保持期間(A)においては、前記信号線の電位をLレベルとし、
前記走査期間(b)、においては、前記信号線の電位をLレベルとして前記走査線を走査し、
前記走査期間(c)においては、画像信号が白から黒に変化する画素のみ前記走査線を選択するタイミングで前記信号線の電位をHレベルとし、
前記保持期間(B)においては、前記信号線の電位をLレベルとし、
前記走査期間(d)においては前記信号線の電位をLレベルとして前記走査線を走査することを特徴とする表示装置の駆動方法。
Comprising a plurality of pixels arranged in a matrix;
The pixel includes at least a first transistor, a second transistor, an image signal memory, an electro-optic medium having a display memory property that maintains a displayed state even when the power is turned off, and a common electrode. Prepared,
The pixel is connected to at least a signal line, a scanning line, and a reference voltage line,
One of a drain and a source of the first transistor is connected to the signal line;
The other of the drain and the source of the first transistor is connected to the gate of the second transistor;
A gate of the first transistor is connected to the scan line;
One of a drain and a source of the second transistor is connected to the electro-optic medium;
The other of the drain and the source of the second transistor is connected to the reference voltage line;
The image signal memory is connected to a gate of the second transistor and the reference voltage line;
The electro-optic medium is connected to one of a drain or a source of the second transistor and the common electrode;
Rewriting the display state of the electro-optic medium,
The electro-optic medium has at least two display states;
Provide a scanning period for rewriting to each display state,
The image rewriting period is divided into a scanning period (a), a holding period (A), a scanning period (b), a scanning period (c) a holding period (B), and a scanning period (d).
The potential of the reference voltage line is set to the H level during the scanning period (a) to the holding period (A), and is set to the same potential as the potential of the common electrode during the scanning period (b). ) To the retention period (B), the L level,
In the scanning period (d), the potential is equivalent to the potential of the common electrode,
In the scanning period (a), the signal line potential is set to the H level at the timing of selecting the scanning line only for the pixels in which the image signal changes from black to white.
In the holding period (A), the potential of the signal line is set to L level,
In the scanning period (b), the scanning line is scanned with the potential of the signal line set to L level,
In the scanning period (c), the potential of the signal line is set to the H level at the timing of selecting the scanning line only for the pixel in which the image signal changes from white to black,
In the holding period (B), the potential of the signal line is set to L level,
In the scanning period (d), the scanning line is scanned by setting the potential of the signal line to an L level.
マトリクス状に配置された複数の画素を備え、
前記画素は少なくとも、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、画像信号メモリと、電源を切っても表示された状態が維持される表示のメモリ性を有する電気光学媒体と、共通電極とを備え、
前記画素は少なくとも信号線と走査線と基準電圧線とに接続され、
前記第1のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記信号線に接続され、
前記第1のトランジスタのドレインないしソースの他方は第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは前記走査線に接続され、
前記第2のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記電気光学媒体に接続され、
前記第2のトランジスタのドレインないしソースの他方は前記基準電圧線に接続され、
前記画像信号メモリは前記第2のトランジスタのゲートと前記基準電圧線に接続され、
前記電気光学媒体は前記第2のトランジスタのドレインないしソースの一方と前記共通電極とに接続されており、
前記電気光学媒体の表示状態を書き換え、
前記電気光学媒体は少なくとも2つの表示状態を備え、
各々の表示状態に書き換えるための走査期間を夫々設け、
像書き換え期間は、走査期間(a)、保持期間(A)、走査期間(c’)、保持期間(B)、走査期間(d)に分けられ、
前記基準電圧線の電位は、前記走査期間(a)においては前記共通電極の電位と同等の電位とし、
前記保持期間(A)においてはHレベルとし、
前記走査期間(c’)おいては前記共通電極の電位と同等の電位とし、
前記保持期間(B)においてはLレベルとし、
前記走査間(d)においては前記共通電極の電位と同等の電位とし、
前記走査期間(a)においては、画像信号が黒から白に変化する画素のみ前記走査線を選択するタイミングで前記信号線の電位をHレベルにし、
前記保持期間(A)においては、前記信号線の電位をLレベルとし、
前記走査期間(c’)においては前記走査期間(a)において黒から白に画像を書き換えた画素の前記走査線を選択するタイミングで前記信号線の電位をLレベルにする一方、画像信号が白から黒に変化する画素の前記走査線を選択するタイミングで前記信号線の電位Hレベルとし、
前記保持期間(B)においては、前記信号線の電位をLレベルとし、
前記走査期間(d)においては、前記信号線の電位をLレベルとして前記走査線を走査することを特徴とする表示装置の駆動方法。
Comprising a plurality of pixels arranged in a matrix;
The pixel includes at least a first transistor, a second transistor, an image signal memory, an electro-optic medium having a display memory property that maintains a displayed state even when the power is turned off, and a common electrode. Prepared,
The pixel is connected to at least a signal line, a scanning line, and a reference voltage line,
One of a drain and a source of the first transistor is connected to the signal line;
The other of the drain and the source of the first transistor is connected to the gate of the second transistor;
A gate of the first transistor is connected to the scan line;
One of a drain and a source of the second transistor is connected to the electro-optic medium;
The other of the drain and the source of the second transistor is connected to the reference voltage line;
The image signal memory is connected to a gate of the second transistor and the reference voltage line;
The electro-optic medium is connected to one of a drain or a source of the second transistor and the common electrode;
Rewriting the display state of the electro-optic medium,
The electro-optic medium has at least two display states;
Provide a scanning period for rewriting to each display state,
Images rewriting period, the scan period (a), retention period (A), scanning period (c '), the holding period (B), is divided into scanning period (d),
The potential of the reference voltage line is set to the same potential as the potential of the common electrode in the scanning period (a),
In the holding period (A), it is set to H level,
In the scanning period (c ′), the potential is equal to the potential of the common electrode,
In the holding period (B), the L level is set.
During the scanning (d), the potential is equivalent to the potential of the common electrode,
In the scanning period (a), the potential of the signal line is set to H level at the timing when the scanning line is selected only for pixels in which the image signal changes from black to white.
In the holding period (A), the potential of the signal line is set to L level,
In the scanning period (c ′), the potential of the signal line is set to L level at the timing of selecting the scanning line of the pixel whose image has been rewritten from black to white in the scanning period (a), while the image signal is white. The potential of the signal line is set to H level at the timing of selecting the scanning line of the pixel that changes from black to black,
In the holding period (B), the potential of the signal line is set to L level,
In the scanning period (d), the scanning line is scanned by setting the potential of the signal line to an L level.
請求項1又は2の表示装置の駆動方法において、
前記電気光学媒体は少なくとも絶縁性溶媒と前記絶縁性溶媒中に分散された帯電粒子とからなることを特徴とする表示装置の駆動方法。
In the driving method of the display device according to claim 1 or 2,
The method for driving a display device, wherein the electro-optic medium includes at least an insulating solvent and charged particles dispersed in the insulating solvent.
請求項1又は2の表示装置の駆動方法において、
前記電気光学媒体は少なくとも電圧印加により可逆的に着色、消色を示す材料からなることを特徴とする表示装置の駆動方法。
In the driving method of the display device according to claim 1 or 2,
The display device driving method, wherein the electro-optic medium is made of a material that reversibly colors and disappears at least by applying a voltage.
請求項1又は2の表示装置の駆動方法において、
前記電気光学媒体は少なくともコレステリック液晶材料からなることを特徴とする表示装置の駆動方法。
In the driving method of the display device according to claim 1 or 2,
The display device driving method, wherein the electro-optic medium is made of at least a cholesteric liquid crystal material.
請求項1の表示装置の駆動方法において、
前記保持期間(B)および前記走査期間(d)の間に走査期間(d’)が設けられ、
前記走査期間(d’)においては、前記信号線の電位をHレベルとして、前記基準電圧線の電位をコモン電位として前記走査線を走査することを特徴とする表示装置の駆動方法。


The method for driving a display device according to claim 1,
A scanning period (d ′) is provided between the holding period (B) and the scanning period (d),
In the scanning period (d ′), the scanning line is scanned using the potential of the signal line as an H level and the potential of the reference voltage line as a common potential.


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