JP4936608B2 - Glassy carbon-coated ion implanter components - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン注入装置におけるイオンガイド用のスリット部材等において使用される、ガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体に不純物をイオン状態で注入する技術は、1970年代に工業化された技術であり、現在LSIをはじめとして多くのシリコン半導体製品等に広く用いられている。半導体デバイスにおけるイオン注入は、シリコンウエハに目的とする不純物元素をイオン化し、数十〜数百eVのエネルギーに加速して打ち込む。
【0003】
このとき、目的とする元素以外の成分が介在しているとシリコンウエハに目的以外の不純物が打ち込まれ、初期の性能が得られなくなる危険性がある。
このため、イオン注入装置の構成部品は半導体に対して悪影響を及ぼさない、高純度の材料が要求される。
【0004】
図2は、従来のイオン注入装置の一例を示した説明図である。
図2に示した通り、従来のイオン注入装置20には、目的とする不純物元素を含んだ気体を高密度のプラズマ状態にするとともに、プラズマによりイオンを発生させるイオン発生装置21、発生したイオンをイオン発生装置21より引き出すのに必要なエネルギーを与える引き出し部22、引き出したイオンを目的のイオンに選別するイオン分析部23、及び、イオンを加速しイオンビームを生成する加速部24が配設されている。
【0005】
さらに、イオン注入装置20には、イオンビームを収束する収束部25、イオンビームをシリコンウエハの表面に均一に打ち込むために走査する走査部26、及び、シリコンウエハ19にイオンを打ち込むイオン打ち込み室27が配設されており、このイオン注入装置20を構成する各部材は、その内部にイオンビームを走行させることができるスリット部材28により連結されている。
【0006】
即ち、イオン発生装置21において発生させたイオンは、引き出し部22、イオン分析部23を経て加速部24でイオンビームとなり、このイオンビームは収束部25、及び、走査部26の順にスリット部材28内を走行し、イオン打ち込み室27内に設置したシリコンウエハ19に打ち込まれるのである。
【0007】
このようなイオン注入装置20を構成する各部材におけるイオンビームと接触する部分の材料は、高純度を保持し、かつ、異物の混入を防止するための材料、及び、構造上の配慮がなされているが、中でも、イオン源であるイオン発生装置及び走査部におけるスリット部材28には、高エネルギーのイオンが衝突するため、構成材料からの不純物、異物が混入し易く他部分の材料より配慮が必要である。
【0008】
従来、このような高純度の材料として、シリコンウエハに悪影響を及ぼしにくい材料で、かつ、容易に高純度材質の確保が可能な黒鉛材料が利用されていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、黒鉛材料はコークス等の微粒子の集合体であるため、イオンビームが衝突した場合、微細な異物(黒鉛粒子)が混入する。そのため、シリコンウエハ上に異物が付着して結果的に製品の歩留りを悪くする。
【0010】
さらに、本発明者らは、上記問題点を解決すべく、特開平8−171883号公報に開示されているように、黒鉛基材の表面に20〜50μmの高純度熱分解炭素被膜をコーティングすることにより、カーボン部品を作製することを提案した。しかしながら、このようにして形成した高純度熱分解炭素膜は、イオン注入装置におけるイオンビームによりエッチングされて消耗し、黒鉛基材が露出してしまうことがあり、また、黒鉛基材の露出を防止するために高純度熱分解炭素膜を厚くすると、基材との熱膨張係数のミスマッチにより被膜が剥離してしまうことがあり、未だ改善の余地があった。
【0011】
また、特開平5−246703号公報には、スリット部材としてガラス状カーボンを使用することが提案されているが、このスリット部材は、硬いガラス状カーボンそのものを加工する必要があるため所望の形状のスリット部材を得ることが困難であり、また、その製造工程も複雑なものであった。
【0012】
また、上記ガラス状カーボンからなるスリット部材は、上記黒鉛からなるスリット部材に比べて、イオンビームに晒された際、その表面から飛散する微細な異物(黒鉛粒子)の量が格段に少ないものであったが、イオンビームへ異物が混入し、該異物がシリコンウエハ上に付着すると、このシリコンウエハを用いて製造する半導体チップの不良率が大きく増加するため、イオンビームに混入する異物が、より少ないものが望まれていた。
【0013】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み、イオンビームに異物が混入することがなく、純粋なイオンビームをシリコンウエハに注入することができるため、異物がシリコンウエハ上に付着することがなく、また、基体に被覆されたガラス状炭素膜が容易に剥離することがないため耐久性に優れるガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するために、少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆されたガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材について、ガラス状炭素膜の表面状態と微細な異物発生機構との関係を種々検討した結果、ガラス状炭素膜の表面の滑らかさ及び面粗度と、異物発生量との間に密接な関係があることを見出した。
【0015】
即ち、通常、ガラス状炭素膜は、無定形の均質な連続緻密組織を呈し、このようなガラス状炭素膜は、イオンビームに晒された場合、その表面は均一に消耗が進行し、微細な異物(黒鉛粒子)が離脱することはない。しかしながら、ガラス状炭素膜の表面の滑らかさ及び面粗度とが一定の範囲を外れると、ガラス状炭素膜の表面から飛散する異物の量が多くなったり、ガラス状炭素膜の剥離が発生することを新規に知見し、本発明を完成するに至った。
ここで、上記ガラス状炭素膜の表面の滑らかさは、ガラス状炭素膜の表面に対し30度の角度で入射させた光の正反射率で評価を行い、上記ガラス状炭素膜の表面の面粗度は、JIS B 0601による平均粗さRa及び最大粗さRmaxで評価を行う。
【0016】
本発明は、少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆されたガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材であって、
上記ガラス状炭素膜の表面は、該ガラス状炭素膜の表面に対し30度の角度で入射させた光の正反射率が10%以上であり、JIS B 0601による平均粗さRaが0.03〜3μmであり、かつ、最大粗さRmaxが0.3〜30μmであることを特徴とするガラス状炭素被膜イオン注入装置用部材である。
以下、本発明を実施の形態により、具体的に説明する。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明は、少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆されたガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材であって、
上記ガラス状炭素膜の表面は、該ガラス状炭素膜の表面に対し30度の角度で入射させた光の正反射率が10%以上であり、JIS B 0601による平均粗さRaが0.03〜3μmであり、かつ、最大粗さRmaxが0.3〜30μmであることを特徴とするガラス状炭素被膜イオン注入装置用部材である。
【0018】
図1は、本発明のガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材(以下、ガラス状炭素被覆部材ともいう)の一例を模式的に示した部分断面図である。
図1に示した通り、本発明のガラス状炭素被覆部材10は、その中央付近に貫通孔を有する基体12と、基体12の貫通孔の内壁面に被覆されたガラス状炭素膜11とから構成されている。
【0019】
本発明のガラス状炭素被覆部材10において、基体12の貫通孔の内壁面は、ガラス状炭素膜11により被覆されており、このガラス状炭素膜11の表面(イオン通路壁13)をイオンビームが走行する。即ち、基体12の内壁面から飛散する不純物や異物が存在していたとしても、基体12の内壁面は、ガラス状炭素膜11で完全に被覆されているため、上記不純物や異物がイオン通路壁13から飛散することがなく、イオンビームに混入することがない。
なお、基体12の外周部分もガラス状炭素膜により被覆されていてもよい。基体12の外周部分から飛散する不純物や異物も、間接的にイオンビームに混入することがあり、また、ガラス状炭素膜を被覆形成する方法によっては、基体12の貫通孔の内壁面のみをガラス状炭素膜により被覆することが困難な場合があるからである。
【0020】
本発明のガラス状炭素被覆部材10において、イオン通路壁13に対し30度の角度で入射させた光の正反射率は10%以上であり、JIS B 0601による平均粗さRaは0.03〜3μmであり、かつ、最大粗さRmaxが0.3〜30μmである。このようなイオン通路壁13は、その表面に殆ど凹凸が存在しないため、イオン通路壁13に高エネルギーのイオンビームが接触又は衝突する等の機械的衝撃が加わった場合であっても、イオン通路壁13に欠けが発生することがなく、イオンビームに異物(欠けにより発生した微粒子)が混入することがない。また、ガラス状炭素膜11は基体12との接着強度に優れるため、ガラス状炭素膜11が基体12から剥離することもない。
【0021】
イオン通路壁13の正反射率が10%未満であると、イオン通路壁13の平均粗さRa及び最大粗さRmaxが上述した範囲内であっても、イオン通路壁13に微小な凹凸が多数存在するようになり、高エネルギーのイオンビームが接触又は衝突する等の機械的衝撃が加わった場合、上記微小な凹凸の凸部が欠けることがあり、この欠けた凸部がシリコンウエハの表面に付着して異物となる。
【0022】
また、イオン通路壁13のJIS B 0601による平均粗さRaが0.03μm未満であると、イオン通路壁13をこのように平滑なものとするためには研磨作業等に相当な時間を要するため、生産性の低下及びコストの上昇を招く。一方、イオン通路壁13の平均粗さRaが3μmを超えると、イオン通路壁13の正反射率及び最大粗さRmaxが上述した範囲内であっても、イオン通路壁13に比較的大きな凹凸が存在している箇所が部分的に存在し、高エネルギーのイオンビームが上記凹凸の凸部に接触又は衝突する等の機械的衝撃が加わった場合に欠けが発生し、この欠けた凸部がシリコンウエハ上に付着して異物となる。
【0023】
さらに、イオン通路壁13のJIS B 0601による最大粗さRmaxが0.3μm未満であると、イオン通路壁13の研磨作業に相当の時間を要するため、生産性の低下及びコストの上昇を招く。一方、イオン通路13の最大粗さRmaxが30μmを超えると、イオン通路壁13の正反射率及び平均粗さRaが上述した範囲内であっても、イオン通路壁13に大きな凹凸か存在していることとなり、高エネルギーのイオンビームが上記大きな凹凸の凸部に接触又は衝突する等の機械的衝撃が加わった場合に欠けが発生し、この欠けた凸部がシリコンウエハ上に付着して異物となる。
【0024】
即ち、本発明のガラス状炭素被覆部材10において、イオン通路壁13の正反射率、平均粗さRa及び最大粗さRmaxは、いずれもが上記範囲内である必要があり、いずれか一つでも上記範囲を外れると、本発明の効果を得ることができなくなる。
【0025】
ガラス状炭素膜11の原料としては、例えば、塩化ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、油溶性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、塩素化パラフィン、塩素化ポリプロピレン、酢酸ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機重合体を挙げることができ、これらのなかでは、不純物の含有等を考慮すると、塩化ビニル樹脂であることが望ましい。
【0026】
また、イオン通路壁13の正反射率は、ガラス状炭素膜11により被覆される前の基体12の内壁面の正反射率よりも大きくなり、しかも、イオン通路壁13の正反射率は、ガラス状炭素膜11の厚さに比例して大きくなる傾向を有するため、これらの点を考慮して、ガラス状炭素膜11の厚さを適宜決定することが望ましい。具体的には、ガラス状炭素膜11の厚さとしては0.5〜10μm程度であることが望ましい。ガラス状炭素膜11の厚さが0.5μm未満であると、基体12の表面形状が、ガラス状炭素膜11の表面に大きな影響を及ぼすため、ガラス状炭素膜11の正反射率、平均粗さ及び最大粗さが上述した範囲を外れることがあり、また、このように薄いガラス状炭素膜11を、基体12の内壁面全体に均一に形成すること自体が困難である。一方、ガラス状炭素膜11の厚さが10μmを超えると、ガラス状炭素膜11に微小なクラックが発生しやすく、不純物や異物が飛散し、イオンビームに混入することがある。
【0027】
また、基体12のガラス状炭素膜11との界面には、ガラス状炭素の含浸層が形成されていることが望ましい。ガラス状炭素膜11と基体12との接着強度が極めて高いものとなるからである。
基体12におけるガラス状炭素の含浸層の厚さとしては、基体12とガラス状炭素膜11との界面から500〜6000μm程度であることが望ましい。含浸層の厚さが500μm未満であると、基体12とガラス状炭素膜11との接着強度が余り高いものとならず、一方、上記含浸層の厚さが6000μmを超えると、所定の厚さのガラス状炭素膜11を形成するのに時間がかかり、また、ガラス状炭素膜11の厚さを制御することが困難となる。
【0028】
図1に示した通り、基体12はその中央付近に貫通孔が形成された四角柱であるが、基体12の形状はこれに限定されることはなく、例えば、その中央付近に貫通孔を有する円柱状、楕円柱状、多角柱状等任意の形状であってもよい。
また、上記貫通孔の断面形状も図示したような矩形のものに特に限定されず、例えば、円形、楕円、多角形等任意の形状であってもよい。
【0029】
基体12を構成する材料としては特に限定されず、例えば、黒鉛、C/Cコンポジット等を挙げることができる。
【0030】
また、ガラス状炭素膜13により被覆される前の基体12の内壁面は、該内壁面に対し30度の角度で入射させた光の正反射率が5%以上であることが望ましい。基体12の内壁面の正反射率が5%未満であると、上記内壁面は荒れた状態であり、脱離し易い粒子で覆われているため、ガラス状炭素膜11により被覆されても、このガラス状炭素膜11ごと粒子が脱離して、イオンビームに混入し、シリコンウエハ上に異物が付着することがある。
【0031】
以上説明した通り、本発明のガラス状炭素被覆部材は、少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆され、該ガラス状炭素膜の表面(イオン通路壁)に対し30度の角度で入射させた光の正反射率が10%以上であり、JIS B 0601による平均粗さRaが0.03〜3μmであり、かつ、最大粗さRmaxが0.3〜30μmである。
即ち、本発明のガラス状炭素被覆部材は、イオンビームが走行するイオン通路壁の表面が非常に滑らかであるとともに、大きな凹凸は殆ど存在しないため、イオンビームが上記イオン通路壁に接触又は衝突し、機械的衝撃が加わった場合であっても、該イオン通路壁に欠け(異物)が発生することがない。
従って、本発明のガラス状炭素被覆部材によると、イオンビーム中に異物が混入することは殆どなく、純粋なイオンビームをシリコンウエハに注入することができ、異物がシリコンウエハ上に付着することがない。さらに、ガラス状炭素膜と基体との接着強度に優れるため、ガラス状炭素膜が基体から容易に剥離することがなく、耐久性に優れたガラス状炭素被覆部材となる。
【0032】
次に、本発明のガラス状炭素被覆部材の製造方法について説明する。
本発明のガラス状炭素被覆部材は、基体の表面にガラス状炭素膜を形成することにより製造することができる。
【0033】
初めに、基体を製造する。
なお、上述した通り、上記基体を構成する材料としては種々の材料を挙げることができるが、以下においては、イオン注入装置において、最も一般的に使用されている黒鉛を例に説明することとする。
【0034】
黒鉛からなる基体を製造する方法としては、種々の方法を挙げることができるが、例えば、CIP法、HIP法等により得られた等方性黒鉛ブロックを切り出すことで図1に示した基体12のようなその中央部付近に貫通孔を有する基体を製造することができる。
上記等方性黒鉛ブロックを切り出す方法としては、切削液による汚染を防止するために、乾式による切削加工や研削加工が望ましい。また、超音波や電子ビームにより等方性黒鉛ブロックを切り出してもよい。
このようにして製造した基体に、ハロゲンガス等により純化処理を施すことが望ましい。
【0035】
上記基体の中央部付近に形成した貫通孔の内壁面には、該内壁面に対し30度の角度で入射させた光の正反射率が5%以上となるように研磨処理を施すことが望ましい。また、上記光の正反射率は5〜15%であることがより望ましい。
上記研磨処理としては、例えば、バフ、パッド、ブラシ、紙ヤスリ等の通常の研磨法で充分であるが、特にバフやパッドを使用すると、研磨により離脱した粒子が基体の細孔中に目詰めされるため、ガラス状炭素膜を被覆形成後のガス不透過性効果が大きくなる利点がある。
【0036】
次に、上記基体の貫通孔の内壁面にガラス状炭素膜を被覆形成することで、ガラス状炭素膜の表面(イオン通路壁)に対し30度の角度で入射させた光の正反射率が10%以上であり、JIS B 0601による平均粗さRaが0.03〜3μmであり、かつ、最大粗さRmaxが0.3〜30μmであるガラス状炭素被覆部材を製造する。
【0037】
上記基体表面(貫通孔の内壁面)にガラス状炭素膜を被覆形成する方法としては、例えば、上述した有機重合体の熱分解物を溶媒に溶解させた有機重合体溶液を上記基体の内壁面に塗布し、不活性又は真空中で1000〜1200℃程度で焼成する方法等を挙げることができる。
【0038】
上記基体の貫通孔の内壁面に上記有機重合体溶液を塗布する方法としては、刷毛等により塗布する方法やディッピングにより塗布する方法等を挙げることができる。なお、上記有機重合体溶液は、上記基体の貫通孔の内壁面のほか、上記基体の外周部分にも塗布してもよい。
その後、必要に応じて上記ガラス状炭素膜の表面にエッチング等の研磨処理を施し、ガラス状炭素膜の表面(イオン通路壁)の正反射率、平均粗さRa及び最大粗さRmax等を調整してもよい。
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【0039】
実施例1〜3
図1に示した基体12と略同形状で、嵩比重が1.85の等方性黒鉛の表面(正反射率0.2%)を工業用パッド(スコッチブライト7448)で研磨し、その正反射率を10〜15%とした。
【0040】
次に、ポリ塩化ビニルを窒素中390℃で熱分解しタール状の炭素前駆体を得た。トリクレンにこの炭素前駆体を溶解し、それを上記等方性黒鉛の表面に刷毛により塗布した後、真空雰囲気中1200℃で焼成してガラス状炭素膜とし、その表面(イオン通路壁)の正反射率が15〜20%、平均粗さRaが0.04〜1.0μm、最大粗さRmaxが0.5〜10μm(下記表1参照)のガラス状炭素被覆部材を製造した。
【0041】
なお、上記正反射率は、光沢計(ミノルタカメラ社製)を用いて30度入射光の正反射率(%)を測定し、上記面粗度は、電子式表面粗さ計(三豊社製 サーフテスト タイプ201)を用い、JIS B 0601に従って平均粗さRa(μm)及び最大粗さRmax(μm)を測定した。
【0042】
実施例4、5
図1に示した基体12と略同形状で、嵩比重が1.60の押出材黒鉛の表面(正反射率0.1%)を工業用パッド(スコッチプライト7448)で研磨し、その正反射率を5%とした。
その後、上記押出材黒鉛の表面に、実施例1と同様の方法でガラス状炭素膜の被覆を行って、イオン通路壁の正反射率が10〜12%、平均粗さRaが2.0〜3.0μm、最大粗さRmaxが20〜25μm(下記表1参照)のガラス状炭素被覆部材を製造した。
【0043】
比較例1
等方性黒鉛基体の内壁面にガラス状炭素膜を被覆形成しなかったほかは、実施例1と同様にしてガラス状炭素被覆部材を製造した。
【0044】
比較例2
押出材黒鉛基体の内壁面にガラス状炭素膜を被覆形成しなかったほかは、実施例4と同様にしてガラス状炭素被覆部材を製造した。
【0045】
比較例3
イオン通路壁の正反射率が6%、平均粗さRaが4.2μm、最大粗さRmaxが40μmであるほかは、実施例4と同様にしてガラス状炭素被覆部材を製造した。
【0046】
実施例1〜5、比較例1〜3で製造したガラス状炭素被覆部材のイオン通路壁から発生する異物量を以下の方法で測定し、また、ガラス状炭素膜の被覆状態を観察した。
その結果を表1に示す。
【0047】
(1)異物量の測定
ガラスセル(15φ×301)中に試料(7×7×7、3個)を入れ、振幅0.05mm、周波数60Hzで振動を与え、0.3μm以上の異物(微粒子)数をパーティクルカウンターで測定した。
【0048】
(2)ガラス状炭素膜の状態
製造したガラス状炭素被覆部材のガラス状炭素膜の被覆状態を目視により観察し、剥離の発生の有無を確認した。
【0049】
【表1】

Figure 0004936608
【0050】
表1に示した結果より明らかなように、イオン通路壁の正反射率が10%以上、平均粗さが0.03〜3μm、及び、最大粗さが0.3〜30μmの範囲内である実施例1〜5に係るガラス状炭素被覆部材で測定された異物量は極めて少なく、また、ガラス状炭素膜に剥離は発生していなかった。
一方、比較例1、2に係る部材は、基体がガラス状炭素膜により被覆されていないものであったため、基体から飛散した異物が大量に測定された。
また、比較例3に係るガラス状炭素被覆部材は、イオン通路壁の正反射率が低く、また、イオン通路壁の平均粗さ及び最大粗さともに、大きかったため、ガラス状炭素膜の剥離は発生していなかったが、異物量が多かった。
【0051】
【発明の効果】
以上の説明しように、本発明のガラス状炭素被覆部材によると、イオンビームが照射される基体表面に被覆されたガラス状炭素膜の表面にイオンビームが接触又は衝突しても飛散する異物が殆ど存在しないため、イオンビーム中に不純物や異物が混入することがなく、純粋なイオンビームをシリコンウエハに注入することができ、異物がシリコンウエハ上に付着することもない。また、ガラス状炭素膜の基体に対する接着強度が優れたものであるため、ガラス状炭素膜が容易に剥離することがなく、耐久性に優れたガラス状炭素被覆部材となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のガラス状炭素被覆部材の一例を模式的に示した斜視図である。
【図2】従来のイオン注入装置の一例を模式的に示した説明図である。
【符号の説明】
10 ガラス状炭素被覆部材
11 ガラス状炭素膜
12 基体
13 イオン通路壁
19 シリコンウエハ
20 イオン注入装置
21 イオン発生装置
22 引き出し部
23 イオン分析部
24 加速部
25 収束部
26 走査部
27 イオン打ち込み室
28 スリット部材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a glassy carbon-coated ion implanter member used in an ion guide slit member or the like in an ion implanter.
[0002]
[Prior art]
The technique of implanting impurities in an ion state in a semiconductor is a technique that was industrialized in the 1970s, and is currently widely used in many silicon semiconductor products including LSI. In ion implantation in a semiconductor device, a target impurity element is ionized into a silicon wafer and accelerated to an energy of several tens to several hundreds eV.
[0003]
At this time, if a component other than the target element is present, impurities other than the target are implanted into the silicon wafer, and there is a risk that the initial performance cannot be obtained.
For this reason, the components of the ion implantation apparatus are required to have high-purity materials that do not adversely affect the semiconductor.
[0004]
FIG. 2 is an explanatory view showing an example of a conventional ion implantation apparatus.
As shown in FIG. 2, the conventional ion implantation apparatus 20 includes a gas containing a target impurity element in a high-density plasma state, an ion generation apparatus 21 that generates ions by plasma, and generated ions. An extraction unit 22 that supplies energy necessary for extraction from the ion generator 21, an ion analysis unit 23 that sorts extracted ions into target ions, and an acceleration unit 24 that accelerates ions and generates an ion beam are provided. ing.
[0005]
Further, the ion implantation apparatus 20 includes a converging unit 25 that converges the ion beam, a scanning unit 26 that scans the ion beam uniformly onto the surface of the silicon wafer, and an ion implantation chamber 27 that implants ions into the silicon wafer 19. The members constituting the ion implantation apparatus 20 are connected to each other by a slit member 28 capable of running an ion beam.
[0006]
That is, the ions generated in the ion generator 21 are converted into an ion beam in the acceleration unit 24 through the extraction unit 22 and the ion analysis unit 23, and this ion beam enters the slit member 28 in the order of the convergence unit 25 and the scanning unit 26. The silicon wafer 19 installed in the ion implantation chamber 27 is implanted.
[0007]
The material of the parts that make contact with the ion beam in each member constituting such an ion implantation apparatus 20 has a high purity, and is a material for preventing the introduction of foreign substances, and structural considerations have been made. However, high energy ions collide with the ion generator that is the ion source and the slit member 28 in the scanning unit, so impurities and foreign matters from the constituent materials are likely to be mixed, and consideration should be given to other materials. It is.
[0008]
Conventionally, as such a high-purity material, a graphite material that does not adversely affect a silicon wafer and can easily ensure a high-purity material has been used.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, since the graphite material is an aggregate of fine particles such as coke, when the ion beam collides, fine foreign matters (graphite particles) are mixed. As a result, foreign matter adheres to the silicon wafer, resulting in poor product yield.
[0010]
Furthermore, in order to solve the above problems, the present inventors coat the surface of a graphite substrate with a high-purity pyrolytic carbon film having a thickness of 20 to 50 μm, as disclosed in JP-A-8-171883. Therefore, it was proposed to produce carbon parts. However, the high-purity pyrolytic carbon film formed in this way is etched and consumed by the ion beam in the ion implantation apparatus, and the graphite base material may be exposed, and also prevents the graphite base material from being exposed. Therefore, if the high-purity pyrolytic carbon film is made thick, the coating may be peeled off due to a mismatch in thermal expansion coefficient with the base material, and there is still room for improvement.
[0011]
JP-A-5-246703 proposes the use of glassy carbon as a slit member. However, since this slit member needs to process hard glassy carbon itself, it has a desired shape. It was difficult to obtain a slit member, and the manufacturing process was complicated.
[0012]
Moreover, the slit member made of glassy carbon has a significantly smaller amount of fine foreign matters (graphite particles) scattered from the surface when exposed to an ion beam than the slit member made of graphite. However, when foreign matter is mixed into the ion beam and the foreign matter adheres to the silicon wafer, the defect rate of semiconductor chips manufactured using this silicon wafer greatly increases. Less was desired.
[0013]
In view of such conventional problems, the present invention does not mix foreign matter into the ion beam and can inject a pure ion beam into a silicon wafer, so that foreign matter does not adhere to the silicon wafer, Another object of the present invention is to provide a glassy carbon-coated ion implantation apparatus member having excellent durability because the glassy carbon film coated on the substrate does not easily peel off.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the inventors of the present invention have described the surface state of a glassy carbon film with respect to a glassy carbon-coated ion implantation apparatus member in which at least the surface of a substrate irradiated with an ion beam is coated with a glassy carbon film. As a result of various studies on the relationship between the surface and the fine foreign matter generation mechanism, it has been found that there is a close relationship between the smoothness and surface roughness of the surface of the glassy carbon film and the amount of foreign matter generated.
[0015]
That is, normally, a glassy carbon film exhibits an amorphous, uniform and continuous dense structure, and when such a glassy carbon film is exposed to an ion beam, the surface thereof is uniformly consumed and becomes fine. Foreign matter (graphite particles) never leaves. However, if the smoothness and surface roughness of the surface of the glassy carbon film are out of a certain range, the amount of foreign matter scattered from the surface of the glassy carbon film increases or the glassy carbon film peels off. This has been newly found and the present invention has been completed.
Here, the smoothness of the surface of the glassy carbon film is evaluated by the regular reflectance of light incident at an angle of 30 degrees with respect to the surface of the glassy carbon film, and the surface of the surface of the glassy carbon film is measured. The roughness is evaluated based on the average roughness Ra and the maximum roughness Rmax according to JIS B 0601.
[0016]
The present invention is a glassy carbon-coated ion implantation apparatus member in which at least the surface of a substrate irradiated with an ion beam is coated with a glassy carbon film,
The surface of the glassy carbon film has a regular reflectance of 10% or more of light incident at an angle of 30 degrees with respect to the surface of the glassy carbon film, and an average roughness Ra according to JIS B 0601 is 0.03. It is a member for glass-like carbon film ion implantation apparatus characterized by having a maximum roughness Rmax of 0.3 to 30 μm.
Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of embodiments.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention is a glassy carbon-coated ion implantation apparatus member in which at least the surface of a substrate irradiated with an ion beam is coated with a glassy carbon film,
The surface of the glassy carbon film has a regular reflectance of 10% or more of light incident at an angle of 30 degrees with respect to the surface of the glassy carbon film, and an average roughness Ra according to JIS B 0601 is 0.03. It is a member for glass-like carbon film ion implantation apparatus characterized by having a maximum roughness Rmax of 0.3 to 30 μm.
[0018]
FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically showing an example of a glassy carbon-coated ion implantation apparatus member (hereinafter also referred to as a glassy carbon-coated member) according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the glassy carbon-coated member 10 of the present invention is composed of a base 12 having a through hole near its center and a glassy carbon film 11 coated on the inner wall surface of the through hole of the base 12. Has been.
[0019]
In the glassy carbon-coated member 10 of the present invention, the inner wall surface of the through hole of the substrate 12 is covered with a glassy carbon film 11, and an ion beam is applied to the surface (ion passage wall 13) of the glassy carbon film 11. Run. That is, even if there are impurities and foreign matter scattered from the inner wall surface of the substrate 12, the inner wall surface of the substrate 12 is completely covered with the glassy carbon film 11, so that the impurities and foreign materials are ion passage walls. 13 does not scatter and does not enter the ion beam.
In addition, the outer peripheral part of the base | substrate 12 may be coat | covered with the glassy carbon film. Impurities and foreign matters scattered from the outer peripheral portion of the substrate 12 may also be indirectly mixed into the ion beam. Depending on the method of coating the glassy carbon film, only the inner wall surface of the through hole of the substrate 12 is made of glass. This is because it may be difficult to cover with the carbon film.
[0020]
In the glassy carbon-coated member 10 of the present invention, the regular reflectance of light incident at an angle of 30 degrees with respect to the ion passage wall 13 is 10% or more, and the average roughness Ra according to JIS B 0601 is 0.03 to 0.03. 3 μm and the maximum roughness Rmax is 0.3 to 30 μm. Since such an ion passage wall 13 has almost no unevenness on the surface thereof, the ion passage wall 13 can be used even when a mechanical impact such as contact or collision of a high-energy ion beam is applied to the ion passage wall 13. The wall 13 is not chipped, and foreign particles (fine particles generated by the chipping) are not mixed into the ion beam. Further, since the glassy carbon film 11 is excellent in adhesive strength with the base 12, the glassy carbon film 11 does not peel from the base 12.
[0021]
When the regular reflectance of the ion passage wall 13 is less than 10%, the ion passage wall 13 has many minute irregularities even if the average roughness Ra and the maximum roughness Rmax of the ion passage wall 13 are within the above-described ranges. When a mechanical impact such as contact or collision of a high-energy ion beam is applied, the minute uneven protrusions may be chipped, and the chipped protrusions may be formed on the surface of the silicon wafer. Adheres to foreign matter.
[0022]
Further, if the average roughness Ra of the ion passage wall 13 according to JIS B 0601 is less than 0.03 μm, it takes a considerable time for polishing work or the like to make the ion passage wall 13 smooth as described above. This leads to a decrease in productivity and an increase in cost. On the other hand, if the average roughness Ra of the ion passage wall 13 exceeds 3 μm, even if the regular reflectance and the maximum roughness Rmax of the ion passage wall 13 are within the above-described ranges, relatively large irregularities are formed on the ion passage wall 13. When there is a part where it exists and a mechanical impact is applied, such as when a high-energy ion beam contacts or collides with the convex and concave portions of the concave and convex portions, chipping occurs. It adheres on the wafer and becomes foreign matter.
[0023]
Furthermore, if the maximum roughness Rmax according to JIS B 0601 of the ion passage wall 13 is less than 0.3 μm, it takes a considerable time to polish the ion passage wall 13, which causes a decrease in productivity and an increase in cost. On the other hand, when the maximum roughness Rmax of the ion passage 13 exceeds 30 μm, even if the regular reflectance and the average roughness Ra of the ion passage wall 13 are within the above-described range, there are large irregularities on the ion passage wall 13. As a result, chipping occurs when a mechanical impact is applied, such as when a high-energy ion beam touches or collides with the large concave and convex portion, and the chipped convex portion adheres to the silicon wafer. It becomes.
[0024]
That is, in the glassy carbon-coated member 10 of the present invention, the regular reflectance, the average roughness Ra, and the maximum roughness Rmax of the ion passage wall 13 must all be within the above ranges, and any one of them Outside the above range, the effects of the present invention cannot be obtained.
[0025]
Examples of the raw material for the glassy carbon film 11 include organic polymers such as vinyl chloride resin, polyvinyl alcohol, oil-soluble phenol resin, alkylphenol resin, chlorinated paraffin, chlorinated polypropylene, vinyl acetate resin, and polycarbonate resin. Of these, vinyl chloride resin is desirable in view of the inclusion of impurities and the like.
[0026]
In addition, the regular reflectance of the ion passage wall 13 is larger than the regular reflectance of the inner wall surface of the base 12 before being covered with the glassy carbon film 11, and the regular reflectance of the ion passage wall 13 is glass. In view of these points, it is desirable to appropriately determine the thickness of the glassy carbon film 11 because it tends to increase in proportion to the thickness of the glassy carbon film 11. Specifically, the thickness of the glassy carbon film 11 is desirably about 0.5 to 10 μm. If the thickness of the glassy carbon film 11 is less than 0.5 μm, the surface shape of the substrate 12 has a great influence on the surface of the glassy carbon film 11, so that the regular reflectance and average roughness of the glassy carbon film 11 are increased. The thickness and the maximum roughness may be out of the above-mentioned range, and it is difficult to form such a thin glassy carbon film 11 uniformly on the entire inner wall surface of the substrate 12 itself. On the other hand, if the thickness of the glassy carbon film 11 exceeds 10 μm, minute cracks are likely to occur in the glassy carbon film 11, and impurities and foreign matters may be scattered and mixed into the ion beam.
[0027]
Further, it is desirable that an impregnated layer of glassy carbon is formed at the interface between the base 12 and the glassy carbon film 11. This is because the adhesive strength between the glassy carbon film 11 and the substrate 12 is extremely high.
The thickness of the glassy carbon impregnated layer in the substrate 12 is preferably about 500 to 6000 μm from the interface between the substrate 12 and the glassy carbon film 11. If the thickness of the impregnation layer is less than 500 μm, the adhesive strength between the substrate 12 and the glassy carbon film 11 does not become too high, while if the thickness of the impregnation layer exceeds 6000 μm, the predetermined thickness It takes time to form the glassy carbon film 11 and it becomes difficult to control the thickness of the glassy carbon film 11.
[0028]
As shown in FIG. 1, the base body 12 is a quadrangular prism having a through hole formed in the vicinity of the center thereof. However, the shape of the base body 12 is not limited to this. For example, the base body 12 has a through hole in the vicinity of the center thereof. Any shape such as a columnar shape, an elliptical column shape, or a polygonal column shape may be used.
Further, the cross-sectional shape of the through hole is not particularly limited to a rectangular shape as illustrated, and may be any shape such as a circle, an ellipse, or a polygon.
[0029]
It does not specifically limit as a material which comprises the base | substrate 12, For example, a graphite, C / C composite etc. can be mentioned.
[0030]
Further, the inner wall surface of the substrate 12 before being covered with the glassy carbon film 13 preferably has a regular reflectance of 5% or more of light incident at an angle of 30 degrees with respect to the inner wall surface. When the regular reflectance of the inner wall surface of the substrate 12 is less than 5%, the inner wall surface is in a rough state and is covered with particles that are easily detached. Particles may be detached together with the glassy carbon film 11 and mixed into the ion beam, and foreign matter may adhere to the silicon wafer.
[0031]
As described above, in the glassy carbon-coated member of the present invention, at least the substrate surface irradiated with the ion beam is coated with the glassy carbon film, and the surface of the glassy carbon film (ion passage wall) is 30 degrees. The regular reflectance of light incident at an angle is 10% or more, the average roughness Ra according to JIS B 0601 is 0.03 to 3 μm, and the maximum roughness Rmax is 0.3 to 30 μm.
That is, the glassy carbon-coated member of the present invention has a very smooth surface of the ion passage wall on which the ion beam travels and has no large unevenness, so that the ion beam contacts or collides with the ion passage wall. Even when a mechanical impact is applied, no chipping (foreign matter) is generated on the ion passage wall.
Therefore, according to the glassy carbon-coated member of the present invention, foreign matter is hardly mixed in the ion beam, and a pure ion beam can be injected into the silicon wafer, and the foreign matter can adhere to the silicon wafer. Absent. Furthermore, since the adhesive strength between the glassy carbon film and the substrate is excellent, the glassy carbon film is not easily peeled off from the substrate, and the glassy carbon-coated member is excellent in durability.
[0032]
Next, the manufacturing method of the glassy carbon covering member of this invention is demonstrated.
The glassy carbon-coated member of the present invention can be produced by forming a glassy carbon film on the surface of the substrate.
[0033]
First, a substrate is manufactured.
As described above, various materials can be used as the material constituting the substrate. In the following, graphite that is most commonly used in an ion implantation apparatus will be described as an example. .
[0034]
As a method for producing a base made of graphite, various methods can be mentioned. For example, by cutting out an isotropic graphite block obtained by the CIP method, the HIP method, etc., the base 12 shown in FIG. Such a substrate having a through hole in the vicinity of the central portion can be manufactured.
As a method for cutting out the isotropic graphite block, dry cutting or grinding is desirable in order to prevent contamination by the cutting fluid. Further, the isotropic graphite block may be cut out by ultrasonic waves or electron beams.
It is desirable to subject the substrate thus manufactured to a purification treatment with a halogen gas or the like.
[0035]
The inner wall surface of the through hole formed in the vicinity of the central portion of the substrate is preferably polished so that the regular reflectance of light incident at an angle of 30 degrees with respect to the inner wall surface is 5% or more. . The regular reflectance of the light is more preferably 5 to 15%.
For the polishing treatment, for example, a normal polishing method such as buffing, padding, brushing, and paper sanding is sufficient. Particularly when a buffing or padding is used, particles detached by polishing are plugged into the pores of the substrate. Therefore, there is an advantage that the gas impermeability effect after the coating of the glassy carbon film is increased.
[0036]
Next, by coating a glassy carbon film on the inner wall surface of the through hole of the substrate, the regular reflectance of light incident at an angle of 30 degrees with respect to the surface (ion passage wall) of the glassy carbon film is obtained. A glassy carbon-coated member that is 10% or more, has an average roughness Ra according to JIS B 0601 of 0.03 to 3 μm, and a maximum roughness Rmax of 0.3 to 30 μm is manufactured.
[0037]
Examples of the method for coating the surface of the substrate (the inner wall surface of the through-hole) with a glassy carbon film include, for example, an organic polymer solution obtained by dissolving a thermal decomposition product of the above-described organic polymer in a solvent. And a method of baking at about 1000 to 1200 ° C. in an inert or vacuum.
[0038]
Examples of a method of applying the organic polymer solution to the inner wall surface of the through hole of the substrate include a method of applying with a brush, a method of applying by dipping, and the like. The organic polymer solution may be applied to the outer peripheral portion of the substrate in addition to the inner wall surface of the through hole of the substrate.
Then, if necessary, the surface of the glassy carbon film is subjected to polishing treatment such as etching to adjust the regular reflectance, average roughness Ra, maximum roughness Rmax, etc. of the surface of the glassy carbon film (ion passage wall). May be.
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples.
[0039]
Examples 1-3
The surface of isotropic graphite (regular reflectance 0.2%) having the same shape as the substrate 12 shown in FIG. 1 and having a bulk specific gravity of 1.85 is polished with an industrial pad (Scotch Bright 7448). The reflectance was 10 to 15%.
[0040]
Next, polyvinyl chloride was thermally decomposed at 390 ° C. in nitrogen to obtain a tar-like carbon precursor. This carbon precursor is dissolved in trichlene, applied to the surface of the isotropic graphite with a brush, and then baked at 1200 ° C. in a vacuum atmosphere to form a glassy carbon film. A glassy carbon-coated member having a reflectance of 15 to 20%, an average roughness Ra of 0.04 to 1.0 μm, and a maximum roughness Rmax of 0.5 to 10 μm (see Table 1 below) was produced.
[0041]
The regular reflectance is measured by measuring the regular reflectance (%) of incident light at 30 degrees using a gloss meter (manufactured by Minolta Camera Co., Ltd.). The surface roughness is measured by an electronic surface roughness meter (manufactured by Mitutoyo Corporation). The average roughness Ra (μm) and the maximum roughness Rmax (μm) were measured according to JIS B 0601 using a surf test type 201).
[0042]
Examples 4 and 5
The surface of extruded material graphite (regular reflectance 0.1%) having the same shape as the base 12 shown in FIG. 1 and having a bulk specific gravity of 1.60 is polished with an industrial pad (Scotch Prelite 7448), and its regular reflection is obtained. The rate was 5%.
Thereafter, the surface of the extruded graphite was coated with a glassy carbon film in the same manner as in Example 1, and the regular reflectance of the ion passage wall was 10 to 12%, and the average roughness Ra was 2.0 to 2.0. A glassy carbon-coated member having a thickness of 3.0 μm and a maximum roughness Rmax of 20 to 25 μm (see Table 1 below) was produced.
[0043]
Comparative Example 1
A glassy carbon-coated member was produced in the same manner as in Example 1 except that the glassy carbon film was not coated on the inner wall surface of the isotropic graphite substrate.
[0044]
Comparative Example 2
A glassy carbon-coated member was produced in the same manner as in Example 4 except that the glassy carbon film was not coated on the inner wall surface of the extruded graphite base.
[0045]
Comparative Example 3
A glassy carbon-coated member was produced in the same manner as in Example 4 except that the regular reflectance of the ion passage wall was 6%, the average roughness Ra was 4.2 μm, and the maximum roughness Rmax was 40 μm.
[0046]
The amount of foreign matter generated from the ion passage walls of the glassy carbon-coated members produced in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 was measured by the following method, and the covering state of the glassy carbon film was observed.
The results are shown in Table 1.
[0047]
(1) Measurement of the amount of foreign matter A sample (7 × 7 × 7, 3 pieces) is placed in a glass cell (15φ × 301), vibrated at an amplitude of 0.05 mm and a frequency of 60 Hz, and foreign matter (fine particles of 0.3 μm or more ) The number was measured with a particle counter.
[0048]
(2) State of glassy carbon film The coated state of the glassy carbon film of the produced glassy carbon-coated member was observed visually to confirm the presence or absence of peeling.
[0049]
[Table 1]
Figure 0004936608
[0050]
As is clear from the results shown in Table 1, the regular reflectance of the ion passage wall is 10% or more, the average roughness is in the range of 0.03 to 3 μm, and the maximum roughness is in the range of 0.3 to 30 μm. The amount of foreign matter measured with the glassy carbon-coated members according to Examples 1 to 5 was extremely small, and no peeling occurred on the glassy carbon film.
On the other hand, in the members according to Comparative Examples 1 and 2, since the base was not covered with the glassy carbon film, a large amount of foreign matter scattered from the base was measured.
Further, the glassy carbon-coated member according to Comparative Example 3 had low regular reflectance of the ion passage wall, and both the average roughness and the maximum roughness of the ion passage wall were large, so that peeling of the glassy carbon film occurred. The amount of foreign material was large.
[0051]
【Effect of the invention】
As explained above, according to the glassy carbon-coated member of the present invention, almost no foreign matter is scattered even if the ion beam contacts or collides with the surface of the glassy carbon film coated on the surface of the substrate irradiated with the ion beam. Since it does not exist, impurities and foreign matter are not mixed in the ion beam, a pure ion beam can be injected into the silicon wafer, and the foreign matter does not adhere to the silicon wafer. Moreover, since the adhesive strength of the glassy carbon film to the substrate is excellent, the glassy carbon film is not easily peeled off, and the glassy carbon-coated member is excellent in durability.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of a glassy carbon-coated member of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory view schematically showing an example of a conventional ion implantation apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Glass-like carbon coating member 11 Glass-like carbon film 12 Base | substrate 13 Ion passage wall 19 Silicon wafer 20 Ion implantation apparatus 21 Ion generator 22 Extraction part 23 Ion analysis part 24 Acceleration part 25 Converging part 26 Scan part 27 Ion implantation chamber 28 Slit Element

Claims (2)

少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆されたガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材であって、
前記ガラス状炭素膜の表面は、該ガラス状炭素膜の表面に対し30度の角度で入射させた光の正反射率が10%以上であり、JIS B 0601による平均粗さRaが1.0〜3μmであり、かつ、最大粗さRmaxが20〜30μmであることを特徴とするガラス状炭素被膜イオン注入装置用部材。
A glassy carbon-coated ion implantation apparatus member in which at least the surface of a substrate irradiated with an ion beam is coated with a glassy carbon film,
The surface of the glassy carbon film has a regular reflectance of 10% or more of light incident at an angle of 30 degrees with respect to the surface of the glassy carbon film, and an average roughness Ra according to JIS B 0601 is 1.0. A member for a glassy carbon-coated ion implantation apparatus having a maximum roughness Rmax of 20 to 30 μm and a maximum roughness Rmax of ˜3 μm.
ガラス状炭素膜により被覆される前の基体表面は、該表面に対し30度の角度で入射させた光の正反射率が5%以上である請求項1記載のガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材。  2. The glassy carbon-coated ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface before being coated with the glassy carbon film has a regular reflectance of 5% or more of light incident on the surface at an angle of 30 degrees. Element.
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