JP4926653B2 - Plasma generator, reaction device, and light source device - Google Patents

Plasma generator, reaction device, and light source device Download PDF

Info

Publication number
JP4926653B2
JP4926653B2 JP2006296752A JP2006296752A JP4926653B2 JP 4926653 B2 JP4926653 B2 JP 4926653B2 JP 2006296752 A JP2006296752 A JP 2006296752A JP 2006296752 A JP2006296752 A JP 2006296752A JP 4926653 B2 JP4926653 B2 JP 4926653B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
dielectric
discharge space
plasma generator
discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006296752A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008117532A (en
Inventor
慎吾 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2006296752A priority Critical patent/JP4926653B2/en
Publication of JP2008117532A publication Critical patent/JP2008117532A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4926653B2 publication Critical patent/JP4926653B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、プラズマを発生させるプラズマ発生体、反応装置及び光源装置に関する。   The present invention relates to a plasma generator for generating plasma, a reaction device, and a light source device.

プラズマは、反応器やランプの技術分野など様々な分野で利用されている。例えば、反応系では、NOx分解装置 / HC分解装置、ダイオキシン分解装置、PFC分解装置、脱臭装置、ウイルス除菌装置、オゾン発生装置、マイナスイオン発生装置においてプラズマが利用されている。また、例えば、光源系では、プラズマランプ(蛍光灯、ネオン管など)、エッチング装置用光源、レジスト露光装置用光源、プラズマディスプレイにおいてプラズマが利用されている。   Plasma is used in various fields such as the technical field of reactors and lamps. For example, in a reaction system, plasma is used in a NOx decomposition device / HC decomposition device, a dioxin decomposition device, a PFC decomposition device, a deodorization device, a virus sterilization device, an ozone generation device, and a negative ion generation device. Further, for example, in a light source system, plasma is used in a plasma lamp (fluorescent lamp, neon tube, etc.), a light source for an etching apparatus, a light source for a resist exposure apparatus, and a plasma display.

プラズマを発生させる方法としては、放電による方法が知られている(例えば特許文献1〜3)。すなわち、気体が存在する放電空間の内部又は放電空間の周囲に配置された電極に電圧を印加して放電空間内で放電を行わせることにより、放電空間内の気体からプラズマを生成する方法が知られている。   As a method for generating plasma, a method using electric discharge is known (for example, Patent Documents 1 to 3). That is, a method for generating plasma from a gas in a discharge space by applying a voltage to an electrode arranged in or around the discharge space where the gas exists to cause discharge in the discharge space is known. It has been.

特許文献1では、基板と、基板に直交する2枚の側板と、基板に対向する前面板とを組み合わせることにより、これらの板状部材に囲まれた放電空間を形成している。特許文献2では、2枚の誘電体の間にスペーサを配置することにより、誘電体間に放電空間を形成している。
特開2006−179202号公報 特開2003−286829号公報 特開2005−220019号公報
In Patent Document 1, a discharge space surrounded by these plate-like members is formed by combining a substrate, two side plates orthogonal to the substrate, and a front plate facing the substrate. In Patent Document 2, a discharge space is formed between the dielectrics by disposing a spacer between the two dielectrics.
JP 2006-179202 A JP 2003-286829 A Japanese Patent Laid-Open No. 2005-220019

引用文献1や2の技術では、複数の部材が組み合わされることにより、放電空間が形成されている。プラズマ放電を行うと、熱が発生するため、各部材は個々の特有の熱膨張に従って膨張する。従って、部材間の界面部分に熱膨張の差による熱応力が集中し、部材の破損を招くおそれがある。放電空間を複数設ける場合には、各放電空間を構成している部材の組み合わせを複数組配置することになり、装置が大型化するとともに、部品点数の増加も招く。   In the techniques of cited references 1 and 2, a discharge space is formed by combining a plurality of members. When plasma discharge is performed, heat is generated, so that each member expands according to its own specific thermal expansion. Therefore, the thermal stress due to the difference in thermal expansion concentrates on the interface portion between the members, which may cause the member to be damaged. In the case where a plurality of discharge spaces are provided, a plurality of combinations of members constituting each discharge space are arranged, which increases the size of the apparatus and increases the number of parts.

本発明の目的は、放電空間を形成する部材の耐久性を向上できるプラズマ発生体、反応装置及び光源装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a plasma generator, a reaction device, and a light source device that can improve the durability of a member that forms a discharge space.

本発明のプラズマ発生体は、放電空間を有し、一体的に形成された誘電体と、前記誘電体に固定され、前記放電空間内でプラズマを発生可能な電極とを備える。   The plasma generator of the present invention includes a dielectric that has a discharge space and is integrally formed, and an electrode that is fixed to the dielectric and can generate plasma in the discharge space.

好適には、前記電極として、前記放電空間を挟んで互いに対向配置され、前記誘電体に埋設された一対の電極を備える。   Preferably, the electrodes include a pair of electrodes that are arranged opposite to each other with the discharge space interposed therebetween and are embedded in the dielectric.

好適には、前記放電空間は、所定方向に沿って複数設けられ、前記電極として、前記所定方向において、前記複数の放電空間と交互に配置された複数の電極を備える。   Preferably, a plurality of the discharge spaces are provided along a predetermined direction, and the electrodes include a plurality of electrodes arranged alternately with the plurality of discharge spaces in the predetermined direction.

好適には、前記複数の電極は、一つ置きに互いに接続されている。   Preferably, every other electrode is connected to each other.

好適には、前記放電空間に露出した表面において、結晶相の面積率がガラス相の面積率よりも高い。   Preferably, on the surface exposed to the discharge space, the area ratio of the crystal phase is higher than the area ratio of the glass phase.

好適には、前記誘電体は、少なくとも前記放電空間に露出した部位の主成分がコージェライトセラミックスである。   Preferably, in the dielectric, at least a main component of a portion exposed to the discharge space is cordierite ceramics.

好適には、前記誘電体にヒータが設けられている。   Preferably, the dielectric is provided with a heater.

好適には、前記誘電体に温度検出素子が設けられている。   Preferably, a temperature detecting element is provided in the dielectric.

好適には、前記誘電体に埋設され、一端が前記電極に接続され、他端が前記誘電体外部に露出又は前記誘電体外部に露出する端子に接続された導電路を備える。   Preferably, a conductive path embedded in the dielectric, having one end connected to the electrode and the other end exposed to the outside of the dielectric or connected to a terminal exposed to the outside of the dielectric.

好適には、前記誘電体は、積層された複数の誘電層が焼成されて形成され、前記放電空間は、前記誘電層に穴部が設けられることにより形成された前記複数の誘電層間の隙間を含んで構成されている。   Preferably, the dielectric is formed by firing a plurality of laminated dielectric layers, and the discharge space includes gaps between the plurality of dielectric layers formed by providing holes in the dielectric layer. It is configured to include.

本発明の反応装置は、上記のいずれか一に記載のプラズマ発生体と、前記放電空間に被処理流体を供給可能な供給部と、前記放電空間でプラズマを発生させて前記被処理流体を化学変化させるように前記電極に電圧を印加可能な電極制御部とを具備する。   The reaction apparatus of the present invention includes a plasma generator according to any one of the above, a supply unit capable of supplying a fluid to be processed to the discharge space, and a plasma generated in the discharge space to chemistry the fluid to be processed. An electrode control unit capable of applying a voltage to the electrode so as to be changed.

本発明の光源装置は、上記のいずれか一に記載のプラズマ発生体と、該プラズマ発生体を収容するとともに、前記放電空間におけるプラズマ発生により発せられる光を放出可能な透光部を有する筐体とを具備する。   A light source device according to the present invention includes a casing that includes the plasma generator according to any one of the above, and a light-transmitting portion that accommodates the plasma generator and can emit light generated by plasma generation in the discharge space. It comprises.

好適には、前記筐体内に前記放電空間におけるプラズマ発生により発せられる光を反射可能な反射部が設けられている。   Preferably, a reflection part capable of reflecting light emitted by plasma generation in the discharge space is provided in the casing.

好適には、前記誘電体は前記放電空間におけるプラズマ発生により発せられる光の反射率が50%以上である。   Preferably, the dielectric has a reflectance of 50% or more of light emitted by plasma generation in the discharge space.

本発明によれば、放電空間を形成する部材の耐久性を向上できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, durability of the member which forms discharge space can be improved.

(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るプラズマ発生体1の外観を示す斜視図であり、図1(a)は、プラズマ発生体1の第1の面S1側から見た図、図1(b)は、第1の面S1の背面となる第2の面S2側から見た図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of the plasma generator 1 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1A is a view as seen from the first surface S1 side of the plasma generator 1. FIG.1 (b) is the figure seen from the 2nd surface S2 side used as the back surface of 1st surface S1.

プラズマ発生体1は、略直方体状に形成された基体3を備えている。基体3は、互いに対向する第1の面S1及び第2の面S2と、第1の面S1及び第2の面S2に直交し、互いに対向する第3の面S3及び第4の面S4と、第1〜第4の面S1〜S4に直交し、互いに対向する第5の面S5及び第6の面S6とを有している。   The plasma generator 1 includes a base 3 formed in a substantially rectangular parallelepiped shape. The base 3 includes a first surface S1 and a second surface S2 that face each other, and a third surface S3 and a fourth surface S4 that are orthogonal to the first surface S1 and the second surface S2 and face each other. The fifth surface S5 and the sixth surface S6 are orthogonal to the first to fourth surfaces S1 to S4 and face each other.

基体3は、一体的に形成されている。すなわち、基体3は全体が同一の材料により形成され、かつ、一部材として形成されており、界面を有しない。換言すれば、基体3は、複数の部材を接着剤、ネジ、係合部により互いに固定したものではない。基体3は、誘電体(不導体)により構成されている。例えば、基体3はセラミックにより構成されている。   The base 3 is integrally formed. That is, the base 3 is entirely formed of the same material and is formed as a single member and has no interface. In other words, the base body 3 is not a plurality of members fixed to each other by an adhesive, a screw, or an engaging portion. The base 3 is made of a dielectric (nonconductor). For example, the base 3 is made of ceramic.

基体3には、プラズマ発生のために放電が行われる第1〜第3放電空間5A〜5C(以下、単に「放電空間5」といい、これらを区別しないことがある。)が形成されている。図1では、放電空間5が3つ設けられている場合を例示している。   The substrate 3 is formed with first to third discharge spaces 5A to 5C (hereinafter simply referred to as “discharge spaces 5”, which are sometimes not distinguished from each other) in which discharge is performed to generate plasma. . FIG. 1 illustrates a case where three discharge spaces 5 are provided.

放電空間5は、第1の面S1及び第2の面S2に開口する抜け穴状に形成されている。換言すれば、放電空間5は、四方(第3〜第6の面S3〜S6の面する方向)が囲まれ、2方向が開放された空間である。放電空間5は、例えば、薄型な直方体状に形成されている。なお、以下では、第1の面S1及び第2の面S2の対向方向を放電空間5の長さ方向又は開口方向、第3の面S3及び第4の面S4の対向方向を放電空間5の幅方向、第5の面S5及び第6の面S6の対向方向を放電空間5の厚み方向ということがある。第1〜第3放電空間5A〜5Cは、互いに同一形状に形成されている。   The discharge space 5 is formed in a hole shape that opens in the first surface S1 and the second surface S2. In other words, the discharge space 5 is a space that is surrounded on all four sides (directions facing the third to sixth surfaces S3 to S6) and is open in two directions. The discharge space 5 is formed in a thin rectangular parallelepiped shape, for example. In the following description, the facing direction of the first surface S1 and the second surface S2 is the length direction or the opening direction of the discharge space 5, and the facing direction of the third surface S3 and the fourth surface S4 is the discharge space 5. The width direction and the opposing direction of the fifth surface S5 and the sixth surface S6 may be referred to as the thickness direction of the discharge space 5. The first to third discharge spaces 5A to 5C are formed in the same shape.

第1〜第3放電空間5A〜5Cは、所定の方向に一列に配列されている。具体的には、第1〜第3放電空間5A〜5Cは、厚さ方向に一列に配置され、開口方向に対して並列に配置されている。第1〜第3放電空間5A〜5Cの互いの間隔は同一である。すなわち、第1放電空間5Aと第2放電空間5Bとの間隔と、第2放電空間5Bと第3放電空間5Cとの間隔とは等しい。   The first to third discharge spaces 5A to 5C are arranged in a line in a predetermined direction. Specifically, the first to third discharge spaces 5A to 5C are arranged in a row in the thickness direction and arranged in parallel to the opening direction. The intervals between the first to third discharge spaces 5A to 5C are the same. That is, the interval between the first discharge space 5A and the second discharge space 5B is equal to the interval between the second discharge space 5B and the third discharge space 5C.

基体3の表面には、端子等の種々の部材が露出している。具体的には以下のとおりである。   Various members such as terminals are exposed on the surface of the base 3. Specifically, it is as follows.

第3の面S3には、後述する電極15(図2参照)に電圧を印加するための第1電極用端子7Aが露出し、第4の面S4には、電極15に電圧を印加するための第2電極用端子7B(以下、単に「電極用端子7」といい、これらを区別しないことがある。)が露出している。電極用端子7は、例えば平板状の金属により構成され、第3の面S3や第4の面S4に沿って配置されている。電極用端子7は、例えば、第3の面S3や第4の面S4の略中央に配置されている。   The third surface S3 exposes a first electrode terminal 7A for applying a voltage to an electrode 15 (see FIG. 2) described later, and the fourth surface S4 is used to apply a voltage to the electrode 15. The second electrode terminal 7B (hereinafter simply referred to as “electrode terminal 7”, which may not be distinguished from each other) is exposed. The electrode terminal 7 is made of, for example, a flat metal and is disposed along the third surface S3 and the fourth surface S4. The electrode terminal 7 is disposed, for example, approximately at the center of the third surface S3 or the fourth surface S4.

第3の面S3からは、基体3内部に冷却媒体を流入させるための流入用接続管9Aが突出し、第4の面S4からは、基体3内部から冷却媒体を流出させるための流出用接続管9B(以下、単に「接続管9」といい、これらを区別しないことがある。)が突出している。接続管9は、基体3と一体的に形成されている。なお、冷却媒体は、例えば水である。   An inflow connection tube 9A for allowing the cooling medium to flow into the base 3 projects from the third surface S3, and an outflow connection tube for causing the cooling medium to flow out from the base 3 from the fourth surface S4. 9B (hereinafter simply referred to as “connection pipe 9”, which may not be distinguished from each other) protrudes. The connecting pipe 9 is formed integrally with the base 3. The cooling medium is water, for example.

流入用接続管9Aは、プラズマ発生体1とは別の装置に設けられた、冷却媒体を供給可能な供給用流動管50Aと接続可能であり、流出用接続管9Bは、プラズマ発生体1とは別の装置に設けられた、冷却媒体を排出可能な排出用流動管50B(以下、単に「流動管50」といい、供給用流動管50Aと排出用流動管50Bとを区別しないことがある。)と接続可能である。接続管9は、例えば、流動管50に嵌合挿入されることにより流動管50と接続される。接続管9の断面形状は適宜な形状でよく、例えば、円形、矩形である。図1では、断面円形の場合を例示している。   The inflow connecting pipe 9A can be connected to a supply flow pipe 50A provided in a device different from the plasma generator 1 and capable of supplying a cooling medium, and the outflow connecting pipe 9B is connected to the plasma generator 1 Is a discharge flow pipe 50B (hereinafter simply referred to as "flow pipe 50") provided in another device and capable of discharging the cooling medium, and the supply flow pipe 50A and the discharge flow pipe 50B may not be distinguished from each other. )). The connecting pipe 9 is connected to the flow pipe 50 by being fitted and inserted into the flow pipe 50, for example. The cross-sectional shape of the connecting tube 9 may be an appropriate shape, for example, a circular shape or a rectangular shape. FIG. 1 illustrates the case of a circular cross section.

第3の面S3には、後述する温度検出素子19(図2参照)からの電気信号を出力するための第1センサ用端子11A及び第2センサ用端子11B(以下、単に「センサ用端子11」といい、これらを区別しないことがある。)が露出している。センサ用端子11は、例えば平板状の金属により構成され、第3の面S3や第4の面S4に沿って配置されている。   On the third surface S3, a first sensor terminal 11A and a second sensor terminal 11B (hereinafter simply referred to as “sensor terminal 11”) for outputting an electrical signal from a temperature detection element 19 (see FIG. 2) described later. "It may not distinguish between these." The sensor terminal 11 is made of, for example, a flat metal, and is disposed along the third surface S3 or the fourth surface S4.

第3の面S3には、後述するヒータ21(図2参照)に電力を供給するための第1ヒータ用端子13A及び第2のヒータ用端子13B(以下、単に「ヒータ用端子13」といい、これらを区別しないことがある。)が露出している。ヒータ用端子13は、例えば平板状の金属により構成され、第3の面S3や第4の面S4に沿って配置されている。   On the third surface S3, a first heater terminal 13A and a second heater terminal 13B (hereinafter simply referred to as “heater terminal 13”) for supplying power to a heater 21 (see FIG. 2) described later. , These may not be distinguished.) Are exposed. The heater terminal 13 is made of, for example, a flat metal and is disposed along the third surface S3 and the fourth surface S4.

図2は、図1(a)のII−II線における断面を示す図である。   FIG. 2 is a view showing a cross section taken along line II-II in FIG.

基体3の内部には、放電空間5において放電を行うための第1電極15A、第2電極15B、第3電極15C及び第4電極15D(以下、単に「電極15」といい、これらを区別しないことがある。)と、基体3内部に冷却媒体を流すための流路17と、基体3内部の温度を検出するための温度検出素子19と、基体3を加熱するためのヒータ21とが設けられている。   Inside the base 3, the first electrode 15 </ b> A, the second electrode 15 </ b> B, the third electrode 15 </ b> C, and the fourth electrode 15 </ b> D (hereinafter simply referred to as “electrode 15”) for performing discharge in the discharge space 5 are not distinguished. ), A flow path 17 for flowing a cooling medium inside the base body 3, a temperature detection element 19 for detecting the temperature inside the base body 3, and a heater 21 for heating the base body 3 are provided. It has been.

電極15は、いわゆるコンデンサ型電極により構成されている。すなわち、電極15は、概ね平板状に形成され、放電空間5を挟んで対向配置される。そして、放電空間5を挟んで対向配置された2つの電極15の電位差により、その挟まれた放電空間5において放電が行われ、プラズマが発生する。放電は、例えば、1対の電極15に比較的周波数の高い交流電圧を印加することにより行われる、いわゆる高周波放電である。印加される交流電圧の周波数は、例えば、10MHz〜100MHzである。電極15は例えば、タングステンやモリブデン、白金、金、パラジウム、銀、銅などの金属により構成されている。   The electrode 15 is constituted by a so-called capacitor-type electrode. That is, the electrode 15 is formed in a substantially flat plate shape and is disposed so as to face the discharge space 5. Then, due to the potential difference between the two electrodes 15 arranged opposite to each other across the discharge space 5, discharge is performed in the sandwiched discharge space 5, and plasma is generated. The discharge is, for example, a so-called high frequency discharge that is performed by applying an AC voltage having a relatively high frequency to the pair of electrodes 15. The frequency of the applied AC voltage is, for example, 10 MHz to 100 MHz. The electrode 15 is made of a metal such as tungsten, molybdenum, platinum, gold, palladium, silver, or copper.

複数の電極15は、複数の放電空間5の配列方向において複数の放電空間5に対して交互に配置されている。従って、2つの放電空間5に挟まれた電極15は、一方の放電空間5において放電を行う電極として機能するとともに、他方の放電空間5において放電を行う電極としても機能する。   The plurality of electrodes 15 are alternately arranged with respect to the plurality of discharge spaces 5 in the arrangement direction of the plurality of discharge spaces 5. Therefore, the electrode 15 sandwiched between the two discharge spaces 5 functions as an electrode that performs discharge in one discharge space 5 and also functions as an electrode that performs discharge in the other discharge space 5.

具体的には、第1電極15A、第1放電空間5A、第2電極15B、第2放電空間5B、第3電極15C、第3放電空間5C、第4電極15Cの順に配置されている。そして、第1放電空間5Aでは、第1電極15A及び第2電極15Bにより放電が行われ、第2放電空間5Bでは、第2電極15B及び第3電極15Cにより放電が行われ、第3放電空間5Cでは、第3電極15C及び第4電極15Dにより放電が行われる。2つの放電空間5に挟まれた電極15は、例えば、2つの放電空間5の中央に配置されている。複数の電極15は、例えば、等間隔で配置されている。   Specifically, the first electrode 15A, the first discharge space 5A, the second electrode 15B, the second discharge space 5B, the third electrode 15C, the third discharge space 5C, and the fourth electrode 15C are arranged in this order. Then, in the first discharge space 5A, discharge is performed by the first electrode 15A and the second electrode 15B, and in the second discharge space 5B, discharge is performed by the second electrode 15B and the third electrode 15C, and the third discharge space. In 5C, discharge is performed by the third electrode 15C and the fourth electrode 15D. The electrode 15 sandwiched between the two discharge spaces 5 is disposed at the center of the two discharge spaces 5, for example. The plurality of electrodes 15 are arranged at regular intervals, for example.

複数の電極15は、その配列方向において一つ置きに互いに接続され、2組の電極グループが構成されている。すなわち、第1電極15Aと第3電極15Cとが互いに接続されて第1電極グループ23Aが構成され、第2電極15Bと第4電極15Dとが互いに接続されて第2電極グループ23B(以下、両者を区別せずに、単に「電極グループ23」ということがある。)が構成されている。第1電極グループ23Aは第1電極用端子7Aに接続され、第2電極グループ23Bは第2電極用端子7Bに接続されている。従って、第1電極用端子7A及び第2電極用端子7Bに交流電圧を印加することにより、互いに対向する一対の電極15間に電圧が印加される。   The plurality of electrodes 15 are connected to each other in the arrangement direction to constitute two sets of electrode groups. That is, the first electrode 15A and the third electrode 15C are connected to each other to form the first electrode group 23A, and the second electrode 15B and the fourth electrode 15D are connected to each other to connect the second electrode group 23B (hereinafter, both Are simply referred to as “electrode group 23”). The first electrode group 23A is connected to the first electrode terminal 7A, and the second electrode group 23B is connected to the second electrode terminal 7B. Therefore, by applying an AC voltage to the first electrode terminal 7A and the second electrode terminal 7B, a voltage is applied between the pair of electrodes 15 facing each other.

各電極グループ23において、電極15同士を接続するとともに、各電極15を電極用端子7に接続する電極用導電路25は、例えば、断面円形に形成され、電極15に直交する方向に延びて電極15同士を接続する直交部25aと、その直交部25aから電極15と平行な方向に延びて電極用端子7に接続される水平部25bとを有している。なお、電極用端子7が省略され、水平部25bが基体3から露出されてもよい。   In each electrode group 23, the electrode conductive path 25 that connects the electrodes 15 and connects each electrode 15 to the electrode terminal 7 is formed, for example, in a circular cross section and extends in a direction orthogonal to the electrode 15. 15 includes an orthogonal portion 25 a that connects the 15 and a horizontal portion 25 b that extends from the orthogonal portion 25 a in a direction parallel to the electrode 15 and is connected to the electrode terminal 7. The electrode terminal 7 may be omitted and the horizontal portion 25b may be exposed from the base body 3.

電極15は、基体3に埋設されている。すなわち、互いに対向する面、その背面及び側面が基体3により被覆されている。なお、高周波放電では、一方の電極15から他方の電極15に向かった電子が、他方の電極15を被覆している誘電体(基体3)に衝突する前に、電界の極性が逆転される。すなわち、電極15が誘電体により被覆された場合でも放電が維持される。   The electrode 15 is embedded in the base 3. That is, the mutually opposing surfaces, the back surface and the side surfaces thereof are covered with the substrate 3. In the high-frequency discharge, the polarity of the electric field is reversed before the electrons from one electrode 15 toward the other electrode 15 collide with the dielectric (substrate 3) covering the other electrode 15. That is, the discharge is maintained even when the electrode 15 is covered with a dielectric.

流路17は、流入用接続管9Aから流出用接続管9Bまで延びている。流路17は、例えば、複数の電極15に対応して、各電極15に沿って延びる電極冷却部17aを複数有している。電極冷却部17aは、例えば、電極15の放電空間5が配置されている側の面に沿って延びている。換言すれば、電極冷却部17aは、電極15と、放電空間5との間において延びている。電極冷却部17aは、例えば、電極15の略全面に亘って蛇行して延びている。複数の電極冷却部17aは、放電空間5や電極15の外周側において電極15に対して直交する方向に延びる連通部17b(図3参照)により、端部同士が互いに連通している。流路17は、例えば、流入用接続管9Aから流出用接続管9Bまで一定の断面積で延びている。   The flow path 17 extends from the inflow connecting pipe 9A to the outflow connecting pipe 9B. The flow path 17 has, for example, a plurality of electrode cooling portions 17 a that extend along the electrodes 15 corresponding to the plurality of electrodes 15. The electrode cooling unit 17a extends, for example, along the surface of the electrode 15 on the side where the discharge space 5 is disposed. In other words, the electrode cooling part 17 a extends between the electrode 15 and the discharge space 5. The electrode cooling part 17a extends meandering over substantially the entire surface of the electrode 15, for example. The plurality of electrode cooling parts 17a are communicated with each other at a discharge part 5 and a communication part 17b (see FIG. 3) extending in a direction orthogonal to the electrode 15 on the outer peripheral side of the electrode 15. The flow path 17 extends, for example, from the inflow connecting pipe 9A to the outflow connecting pipe 9B with a constant cross-sectional area.

流路17は、基体3に形成された溝や穴部に直接流体が流動するような構造に限らず、基体3に管状の部材を埋設することによって形成してもよい。   The flow path 17 is not limited to a structure in which a fluid flows directly into a groove or a hole formed in the base 3, and may be formed by embedding a tubular member in the base 3.

温度検出素子19は、例えば、抵抗体により構成されている。温度検出素子19は、基体3に埋設されたセンサ用導電路27を介してセンサ用端子11に接続されている。センサ用端子11に電圧を印加し、温度検出素子19の温度変化に応じた抵抗値の変化を測定することにより、温度検出素子19の周囲の温度を検出することができる。温度検出素子19は、基体3の適宜な位置、例えば、電極15と放電空間5との間に埋設されている。   The temperature detection element 19 is configured by a resistor, for example. The temperature detection element 19 is connected to the sensor terminal 11 via a sensor conductive path 27 embedded in the base 3. The temperature around the temperature detection element 19 can be detected by applying a voltage to the sensor terminal 11 and measuring the change in resistance value according to the temperature change of the temperature detection element 19. The temperature detection element 19 is embedded in an appropriate position of the base 3, for example, between the electrode 15 and the discharge space 5.

ヒータ21は、例えば、不図示の電熱線21a(図2では一部のみ示す。なお、図2でヒータ21を示す矩形は、電熱線21aの配置範囲を概念的に示すものである。)を含んで構成されている。電熱線21aは、基体3に埋設されたヒータ用導電路29を介してヒータ用端子13に接続されている。従って、ヒータ用端子13に電圧を印加することによりヒータ21の周囲を加熱するこができる。電熱線21aは、基体3の適宜な位置に、適宜な形状で埋設されている。例えば、電熱線21aは、中央寄りの電極15と放電空間5との間に埋設され、蛇行して延びたり、渦巻状に延びるなどして電極15に沿う平面に広がっている。   The heater 21 is, for example, a heating wire 21a (not shown) (not shown in FIG. 2). The rectangle indicating the heater 21 in FIG. 2 conceptually indicates the arrangement range of the heating wire 21a. It is configured to include. The heating wire 21 a is connected to the heater terminal 13 through a heater conductive path 29 embedded in the base 3. Therefore, the periphery of the heater 21 can be heated by applying a voltage to the heater terminal 13. The heating wire 21 a is embedded in an appropriate shape at an appropriate position of the base 3. For example, the heating wire 21a is embedded between the electrode 15 near the center and the discharge space 5, and extends in a plane along the electrode 15 by meandering or spiraling.

以上の構成を有するプラズマ発生体1の基体3は、例えば、セラミックグリーンシート等の誘電層(絶縁層)を積層して焼成することにより形成される。すなわち、誘電層の積層体により形成されている。電極15、温度検出素子19、電熱線21a、電極用導電路25、センサ用導電路27、ヒータ用導電路29等の導電体は、例えば、焼成前の誘電層に導電ペーストが配置され、積層された誘電層と共に焼成されることにより、基体3に埋設、固定されて形成される。放電空間5や流路17は、焼成前の誘電層に穴部が設けられることにより形成される。   The base 3 of the plasma generator 1 having the above configuration is formed, for example, by laminating and firing a dielectric layer (insulating layer) such as a ceramic green sheet. That is, it is formed of a laminate of dielectric layers. For example, the conductive material such as the electrode 15, the temperature detection element 19, the heating wire 21 a, the electrode conductive path 25, the sensor conductive path 27, and the heater conductive path 29 has a conductive paste disposed on a dielectric layer before firing. By being fired together with the dielectric layer formed, it is embedded and fixed in the substrate 3. The discharge space 5 and the flow path 17 are formed by providing a hole in the dielectric layer before firing.

基体3を構成する誘電体は、例えば、アルミナセラミックス、ジルコニアセラミックス、コージェライトセラミックス、窒化ケイ素セラミックス、窒化アルミニウムセラミックス、炭化ケイ素セラミックス、イットリアセラミックス、サファイアセラミックス等が用いられる。   For example, alumina ceramics, zirconia ceramics, cordierite ceramics, silicon nitride ceramics, aluminum nitride ceramics, silicon carbide ceramics, yttria ceramics, sapphire ceramics, etc. are used as the dielectric constituting the substrate 3.

放電により発生した熱を外部に放熱するという観点からは、熱伝導性の高い窒化ケイ素セラミックスや窒化アルミニウムセラミックスを用いるのがよい。また、基体3の破損を防止するという観点からは、高強度の炭化ケイ素セラミックスを用いるのがよい。   From the viewpoint of radiating the heat generated by the discharge to the outside, it is preferable to use silicon nitride ceramics or aluminum nitride ceramics having high thermal conductivity. Further, from the viewpoint of preventing the base 3 from being damaged, it is preferable to use high-strength silicon carbide ceramics.

好適には、基体3を構成する誘電体は、放電空間5に露出した表面において、結晶相の面積率がガラス相の面積率よりも高い方がよい。この構成により、放電空間5内で発生したプラズマによって基体3がエッチングされるのを有効に防止できる。すなわち、放電空間5に露出した誘電体の表面は、非常に結合力の高い共有結合で結合した結晶相の割合を高めることによって、プラズマによるエッチングに対して抵抗力を有することとなる。   Preferably, the dielectric constituting the substrate 3 should have a crystal phase area ratio higher than the glass phase area ratio on the surface exposed to the discharge space 5. With this configuration, the substrate 3 can be effectively prevented from being etched by the plasma generated in the discharge space 5. That is, the surface of the dielectric exposed to the discharge space 5 has resistance to etching by plasma by increasing the ratio of the crystal phase bonded by the covalent bond having a very high bonding force.

より好ましくは、基体3を構成する誘電体の放電空間5に露出した表面において、結晶相の面積率がガラス相の面積率の90〜100%がよい。この構成により、放電空間5に露出した表面のプラズマ対する耐久性を向上できるとともに、基体3の熱膨張率を低減して熱応力が生じるのを有効に防止できる。   More preferably, the area ratio of the crystal phase is 90 to 100% of the area ratio of the glass phase on the surface exposed to the discharge space 5 of the dielectric constituting the substrate 3. With this configuration, it is possible to improve the durability of the surface exposed to the discharge space 5 against plasma, and it is possible to effectively prevent thermal stress from being generated by reducing the coefficient of thermal expansion of the substrate 3.

このような結晶相の割合を高めるためには、誘電体の材料としてコージェライトセラミックスやアルミナセラミックス、ジルコニアセラミックスを用い、原料としての焼結助剤などの添加物の含有量や焼成条件を調整することにより、所望のものとすることができる。   In order to increase the proportion of such a crystal phase, cordierite ceramics, alumina ceramics, and zirconia ceramics are used as dielectric materials, and the content and firing conditions of additives such as sintering aids as raw materials are adjusted. As a result, a desired one can be obtained.

より好適には、上記誘電体は、少なくとも放電空間5に露出した部位の主成分がコージェライトセラミックスであるのがよい。コージェライトセラミックスは結晶性のセラミックスであり、ガラス相をほとんど形成しないので、プラズマによるエッチングに対して非常に抵抗力の高いものとなる。また、コージェライトは線熱膨張係数が約2ppm/℃程度であり、プラズマ発生時の熱による基体3の熱膨張を低減して、応力が生じるのを有効に防止できる。   More preferably, in the dielectric, at least a main component of a portion exposed to the discharge space 5 is cordierite ceramic. Cordierite ceramics are crystalline ceramics and hardly form a glass phase, so that they are very resistant to etching by plasma. Further, cordierite has a linear thermal expansion coefficient of about 2 ppm / ° C., and can reduce the thermal expansion of the substrate 3 due to the heat at the time of plasma generation, thereby effectively preventing the occurrence of stress.

このような結晶相の割合は、SEM等による表面状態観察により面積比率を求めることができる。また、結晶性の判断については、X線回折を用いることにより分析できる。   As for the ratio of such a crystal phase, the area ratio can be obtained by surface state observation by SEM or the like. The crystallinity can be determined by using X-ray diffraction.

なお、本願においては、誘電層の穴部は、誘電層を貫通しないもの(凹部)と、誘電層を貫通するもの(孔部)とを含むものとする。また、穴部は、深さ方向に平面視して縦横比が等しいもの(例えば円形や矩形)と、長尺状のもの(以下、「溝部」ということがある。)とを含むものとする。溝部は、誘電層を貫通しないもの(以下、「凹溝」ということがある。凹部の一種である。)と、貫通するもの(以下、「スリット」ということがある。孔部の一種である。)との双方を含むものとする。   In addition, in this application, the hole part of a dielectric layer shall include what does not penetrate a dielectric layer (recessed part), and what penetrates a dielectric layer (hole part). Further, the hole portion includes a hole portion having an equal aspect ratio (for example, a circle or a rectangle) in a plan view in the depth direction and a long shape (hereinafter also referred to as a “groove portion”). The groove portion does not penetrate the dielectric layer (hereinafter, sometimes referred to as “concave groove”, which is a kind of concave portion), and the groove portion (hereinafter, referred to as “slit”, which is a kind of hole portion). .)) And both.

図3は、上述のようにプラズマ発生体1が形成されることを、プラズマ発生体1の一部を例にとって説明する概念図である。図3では、基体3のうち、第5の面S5側の第1部分3a(図2参照)のみを例示している。また、図3では、図2と同様に、基体3を図1のII−II線において分断して示している。なお、図3は、基体3の構成を分かりやすく示すために、流路17を図2よりも大きく示すなどしている。このため、図2に対して流路17等の形状や位置が若干異なっている。   FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating that the plasma generator 1 is formed as described above, taking a part of the plasma generator 1 as an example. FIG. 3 illustrates only the first portion 3a (see FIG. 2) on the fifth surface S5 side of the base body 3. Further, in FIG. 3, similarly to FIG. 2, the base body 3 is shown cut along the line II-II in FIG. 1. In FIG. 3, the flow path 17 is shown larger than that in FIG. For this reason, the shape and position of the channel 17 and the like are slightly different from those in FIG.

図3に示すように、基体3の第1部分3aは、6枚の第1誘電層31A〜第6誘電層31F(以下、単に「誘電層31」といい、これらを区別しないことがある。)の積層体により構成されている。なお、誘電層31を6枚としたのは例示であり、誘電層31の枚数は適宜に設定してよい。また、本願では、第5誘電層31Eのように、2枚に分かれているものも、積層位置が同一であれば、同一の誘電層として説明する。   As shown in FIG. 3, the first portion 3 a of the base 3 is referred to as six first dielectric layers 31 </ b> A to 31 </ b> F (hereinafter simply referred to as “dielectric layers 31”), which may not be distinguished. ). The number of dielectric layers 31 is six as an example, and the number of dielectric layers 31 may be set as appropriate. Further, in the present application, the two dielectric layers such as the fifth dielectric layer 31E will be described as the same dielectric layer if the stacking positions are the same.

複数の誘電層31は、例えば、互いに同等の広さ、厚さ、形状を有している。なお、複数の誘電層31は、互いに同一の広さ、厚さ、形状でなくてもよい。ただし、複数の誘電層31を互いに同一の広さ、厚さ、形状とすれば、製造コストが縮小される。   The plurality of dielectric layers 31 have, for example, the same width, thickness, and shape as each other. Note that the plurality of dielectric layers 31 may not have the same width, thickness, and shape. However, if the plurality of dielectric layers 31 have the same width, thickness, and shape, the manufacturing cost is reduced.

誘電層31は、例えば、アルミナセラミックスであり、例えば、SiO、Al、MgO、ZnO、Bなどから成るガラス成分とアルミナ粒子とを含んで形成される。積層後の誘電層31は、例えば900°C〜1700°Cの還元雰囲気で焼成される。 The dielectric layer 31 is, for example, alumina ceramics, and is formed including, for example, a glass component made of SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, ZnO, B 2 O 3, and alumina particles. The laminated dielectric layer 31 is baked in a reducing atmosphere of 900 ° C. to 1700 ° C., for example.

放電空間5は、複数の誘電層31のうち少なくとも1枚の誘電層31に穴部が形成されることにより形成される複数の誘電層31間の隙間を含んで構成される。例えば、放電空間5Aは、第4誘電層31Dの第5誘電層31E側の面に設けられた凹部33Dと、第5誘電層31Eに設けられた孔部34と、第6誘電層31Fの第5誘電層31E側の面に設けられた凹部33Fとが互いに連通されて形成された、第4誘電層31Dと第6誘電層31Fとの隙間により構成されている。なお、本願では、孔部34のように、一の誘電層(第5誘電層31E)を構成する2の分割層31E−1、31E−2の間の隙間(孔部34)も、一の誘電層に設けられた孔部に含まれるものとする。   The discharge space 5 includes gaps between the plurality of dielectric layers 31 formed by forming holes in at least one of the plurality of dielectric layers 31. For example, the discharge space 5A includes a recess 33D provided on the surface of the fourth dielectric layer 31D on the fifth dielectric layer 31E side, a hole 34 provided in the fifth dielectric layer 31E, and the sixth dielectric layer 31F. A recess 33F provided on the surface on the fifth dielectric layer 31E side is formed by a gap between the fourth dielectric layer 31D and the sixth dielectric layer 31F formed to communicate with each other. In the present application, like the hole 34, the gap (hole 34) between the two divided layers 31E-1 and 31E-2 constituting one dielectric layer (fifth dielectric layer 31E) is also one. It shall be contained in the hole provided in the dielectric layer.

なお、凹部33Dや凹部33Fを省略して孔部34のみで放電空間5Aを構成するなど、一以上の誘電層に形成された孔部のみで放電空間5を構成してもよいし、第5誘電層31Eを、第4誘電層31D側の面に凹部を有する誘電層とし、当該第5誘電層31Eの凹部と第4誘電層31Dの凹部33Dとを連結して放電空間5を構成するなど、2つの凹部のみで放電空間5を構成してもよいし、第5誘電層31Eを凹部や孔部の無い誘電層とし、第4誘電層31Dの凹部33Dのみで放電空間5を構成するなど、一の凹部のみで放電空間5を構成してもよい。誘電層31間の隙間と、誘電層31の最下層又は最上層に設けられた孔部とを連通するなど、誘電層31間の隙間以外の部分を含んで放電空間5を構成してもよい。   Note that the discharge space 5 may be configured only by the holes formed in one or more dielectric layers, for example, the discharge space 5A may be configured by only the holes 34 without the recess 33D and the recess 33F. The dielectric layer 31E is a dielectric layer having a recess on the surface on the fourth dielectric layer 31D side, and the discharge space 5 is configured by connecting the recess of the fifth dielectric layer 31E and the recess 33D of the fourth dielectric layer 31D. The discharge space 5 may be composed of only two recesses, or the fifth dielectric layer 31E may be a dielectric layer having no recesses or holes, and the discharge space 5 may be composed of only the recesses 33D of the fourth dielectric layer 31D. The discharge space 5 may be constituted by only one concave portion. The discharge space 5 may be configured to include a portion other than the gap between the dielectric layers 31 such as communication between the gap between the dielectric layers 31 and a hole provided in the lowermost layer or the uppermost layer of the dielectric layer 31. .

電極15は、例えば、誘電層31に積層された導電性ペーストが、積層された複数の誘電層31と共に焼成されることにより形成される。例えば、電極15Aは、電極15Aとなる導電ペーストが、第2誘電層31Bと、第3誘電層31Cとの間に配置されて焼成されることにより形成される。電極15Aの厚さが大きいときには、図3において例示するように、電極15Aとなる導電ペーストを配置するための凹部33を、第2誘電層31B及び第3誘電層31Cのうち少なくとも一方の誘電層31の対向面に形成してもよい。あるいは、第2誘電層31Bに電極15Aとなる導電ペーストを配置するための孔部を設け、第1誘電層31Aと第3誘電層31Cとの間に電極15Aとなる導電ペーストを配置するなど、一以上の誘電層31に設けられた孔部に電極15Aとなる導電ペーストを配置してもよい。   The electrode 15 is formed, for example, by firing a conductive paste laminated on the dielectric layer 31 together with the plurality of laminated dielectric layers 31. For example, the electrode 15A is formed by placing and baking a conductive paste to be the electrode 15A between the second dielectric layer 31B and the third dielectric layer 31C. When the thickness of the electrode 15A is large, as illustrated in FIG. 3, the concave portion 33 for arranging the conductive paste to be the electrode 15A is provided with at least one of the second dielectric layer 31B and the third dielectric layer 31C. You may form in the 31 opposing surface. Alternatively, a hole for arranging the conductive paste to be the electrode 15A is provided in the second dielectric layer 31B, and the conductive paste to be the electrode 15A is arranged between the first dielectric layer 31A and the third dielectric layer 31C. A conductive paste to be the electrode 15 </ b> A may be disposed in a hole provided in one or more dielectric layers 31.

電極用導電路25、センサ用導電路27及びヒータ用導電路29は、誘電層31を貫通する部分が、誘電層31に形成された孔部(ビア孔)に導電ペーストが充填され、積層された複数の誘電層31と共に焼成されることにより形成される。すなわち、ビア導体により形成される。また、これら導電路は、誘電層31に沿う部分が、誘電層31に導電ペーストが積層され、積層された複数の誘電層31と共に焼成されることにより形成される。なお、導電ペーストを誘電層31に積層する際には、導電ペーストを配置するための溝部等が誘電層31に設けられてもよい。図3では、導電ペーストの配置位置として、電極用導電路25の直交部25aとなる導電ペーストが充填される、第3誘電層31Cに形成された孔部37C、第4誘電層31Dに形成された孔部37D、第5誘電層31Eに形成された孔部37E、第4誘電層31Fに形成された孔部37Fを例示している。各孔部37C〜37Fに充填されたビア導体は、焼成されて互いに接続され、一本の導電体になる。   The electrode conductive path 25, the sensor conductive path 27, and the heater conductive path 29 are laminated by filling the conductive layer in the hole (via hole) formed in the dielectric layer 31 at a portion that penetrates the dielectric layer 31. It is formed by firing together with a plurality of dielectric layers 31. That is, it is formed by a via conductor. Further, these conductive paths are formed by a portion along the dielectric layer 31 being laminated with a conductive paste on the dielectric layer 31 and firing together with the plurality of laminated dielectric layers 31. When laminating the conductive paste on the dielectric layer 31, a groove or the like for arranging the conductive paste may be provided in the dielectric layer 31. In FIG. 3, the conductive paste is arranged in the hole 37 </ b> C formed in the third dielectric layer 31 </ b> C and the fourth dielectric layer 31 </ b> D filled with the conductive paste that becomes the orthogonal portion 25 a of the electrode conductive path 25. The hole portion 37D, the hole portion 37E formed in the fifth dielectric layer 31E, and the hole portion 37F formed in the fourth dielectric layer 31F are illustrated. The via conductors filled in the hole portions 37C to 37F are baked and connected to each other to form one conductor.

温度検出素子19を構成する抵抗体、ヒータ21を構成する電熱線21aも、電極15、電極用導電路25、センサ用導電路27及びヒータ用導電路29と同様に、焼成前の誘電層31に導電ペーストが配置されることにより形成される。また、これらを構成する導電ペーストを配置するための穴部が必要に応じて適宜に焼成前の誘電層31に設けられる。   Similarly to the electrode 15, the electrode conductive path 25, the sensor conductive path 27, and the heater conductive path 29, the resistor constituting the temperature detection element 19 and the heating wire 21 a constituting the heater 21 are also the dielectric layer 31 before firing. It is formed by disposing a conductive paste on. Moreover, the hole part for arrange | positioning the electrically conductive paste which comprises these is suitably provided in the dielectric layer 31 before baking as needed.

電極用端子7、センサ用端子11、ヒータ用端子13は、焼成された基体3に金属板が取り付けられて構成されてもよいし、上記の電極用導電路25、センサ用導電路27及びヒータ用導電路29等と同様に、焼成前の誘電層31の側面に導電ペーストが配置され、誘電層31が焼成されることにより構成されてもよい。また、これらを構成する導電ペーストを配置するための穴部が必要に応じて適宜に焼成前の誘電層31に設けられてもよい。   The electrode terminal 7, the sensor terminal 11, and the heater terminal 13 may be configured by attaching a metal plate to the fired base 3, or the above-described electrode conductive path 25, sensor conductive path 27, and heater. Similarly to the conductive path 29 and the like, the conductive paste may be disposed on the side surface of the dielectric layer 31 before firing, and the dielectric layer 31 may be fired. Moreover, the hole part for arrange | positioning the electrically conductive paste which comprises these may be suitably provided in the dielectric layer 31 before baking as needed.

流路17は、複数の誘電層31のうち少なくとも1枚の誘電層31に穴部が形成されることにより形成される複数の誘電層31間の隙間を含んで形成される。例えば、電極冷却部17aは、第3誘電層31Cの第4誘電層31D側の面に凹溝39Cが形成されることにより形成された、第3誘電層31Cと第4誘電層31Dとの隙間により構成されている。また、例えば、連通部17bの一部は、第4誘電層31Dに形成された孔部41D、第5誘電層31Eに形成された孔部41E、第6誘電層31Fに形成された孔部41Fが互いに連通することにより形成された、第3誘電層31Cと、第6誘電層31Fよりも下層の誘電層31との隙間により構成されている。   The flow path 17 is formed including gaps between the plurality of dielectric layers 31 formed by forming holes in at least one of the plurality of dielectric layers 31. For example, the electrode cooling unit 17a has a gap between the third dielectric layer 31C and the fourth dielectric layer 31D formed by forming a concave groove 39C on the surface of the third dielectric layer 31C on the fourth dielectric layer 31D side. It is comprised by. In addition, for example, a part of the communication part 17b includes a hole part 41D formed in the fourth dielectric layer 31D, a hole part 41E formed in the fifth dielectric layer 31E, and a hole part 41F formed in the sixth dielectric layer 31F. Are formed by a gap between the third dielectric layer 31C and the dielectric layer 31 below the sixth dielectric layer 31F formed by communicating with each other.

なお、第4誘電層31D側の第3誘電層31C側の面に、凹溝39Cと同一位置に凹溝を形成して、その凹溝と凹溝39Cとで電極冷却部17aを形成するなど、対向する凹溝同士を連結して電極冷却部17aを構成してもよいし、放電空間5Aを形成する第5誘電層31Eのように、一以上の誘電層31にスリットを形成し、その誘電層31を他の誘電層で挟みこむことにより、電極冷却部17aを構成してもよい。誘電層31間の隙間と、誘電層31の最下層又は最上層に設けられた孔部とを連通するなど、誘電層31間の隙間以外の部分を含んで流路17を構成してもよい。   A groove is formed at the same position as the groove 39C on the surface of the third dielectric layer 31C side on the fourth dielectric layer 31D side, and the electrode cooling part 17a is formed by the groove and the groove 39C. The opposing cooling grooves may be connected to form the electrode cooling portion 17a, or a slit may be formed in one or more dielectric layers 31 like the fifth dielectric layer 31E that forms the discharge space 5A. The electrode cooling unit 17a may be configured by sandwiching the dielectric layer 31 with another dielectric layer. The flow path 17 may be configured to include a portion other than the gap between the dielectric layers 31 such as communication between the gap between the dielectric layers 31 and a hole provided in the lowermost layer or the uppermost layer of the dielectric layer 31. .

流入用接続管9Aは、例えば、誘電層31と同一の材質により構成されている。そして、焼成前の積層された誘電層31の側方に所定の圧力で当接された状態で誘電層31と共に焼成されることにより、基体3と一体的に形成される。流出用接続管9Bの形成方法も同様である。   The inflow connecting pipe 9A is made of the same material as that of the dielectric layer 31, for example. Then, it is integrally formed with the substrate 3 by firing together with the dielectric layer 31 in a state of being in contact with the side of the laminated dielectric layer 31 before firing at a predetermined pressure. The method of forming the outflow connection pipe 9B is the same.

以上の第1の実施形態によれば、プラズマ発生体1は、放電空間5を有し、一体的に形成された基体3(誘電体)と、基体3に固定され、放電により放電空間5内でプラズマを発生可能な電極15とを備えていることから、電極15から放電空間5までの電気経路や放電空間5を形成する部分に界面が存在せず、部材間の界面部分に各部材間の熱膨張の差による熱応力の集中が抑制され、耐久性が向上する。   According to the first embodiment described above, the plasma generator 1 has the discharge space 5, and is integrally formed with the base body 3 (dielectric material) and the base body 3, and is discharged into the discharge space 5 by discharge. And the electrode 15 capable of generating plasma in the electrical path from the electrode 15 to the discharge space 5 and there is no interface in the part forming the discharge space 5, and there is no interface between the members at the interface part between the members. Concentration of thermal stress due to the difference in thermal expansion is suppressed, and durability is improved.

特に、プラズマ発生体1が、電極15として、放電空間5を挟んで互いに対向配置され、基体3に埋設された一対の電極を備えたものである場合には、電極間に界面が存在せず、熱応力集中の抑制による耐久性向上の効果が一層期待される。   In particular, when the plasma generator 1 is provided with a pair of electrodes that are opposed to each other across the discharge space 5 as the electrodes 15 and are embedded in the base 3, there is no interface between the electrodes. Further, the effect of improving durability by suppressing thermal stress concentration is further expected.

放電空間5は、所定方向に沿って複数設けられ、プラズマ発生体1は、電極15として、所定方向において、複数の放電空間5と交互に配置された複数の電極15を備えているから、2つの放電空間5に挟まれた一の電極15を、一方の放電空間5において放電を行う電極として機能させるとともに、他方の放電空間5において放電を行う電極としても機能させ、プラズマ発生体1を小型化しつつ、複数の放電空間5で大量にプラズマを発生させることができる。   A plurality of discharge spaces 5 are provided along a predetermined direction, and the plasma generator 1 includes a plurality of electrodes 15 arranged alternately with the plurality of discharge spaces 5 in the predetermined direction as the electrodes 15. One electrode 15 sandwiched between two discharge spaces 5 functions as an electrode that performs discharge in one discharge space 5 and also functions as an electrode that performs discharge in the other discharge space 5, thereby reducing the size of the plasma generator 1. It is possible to generate a large amount of plasma in the plurality of discharge spaces 5 while being converted.

複数の電極15は、一つ置きに互いに接続されていることから、複数の電極15に電圧を印加するための電極用端子7を複数の電極15で共通化することができ、小型化や部品点数の削減が図られる。   Since the plurality of electrodes 15 are alternately connected to each other, the electrode terminals 7 for applying a voltage to the plurality of electrodes 15 can be shared by the plurality of electrodes 15. The number of points can be reduced.

基体3にヒータ21が設けられていることから、放電開始時などにおいて迅速にプラズマ発生体1をプラズマ発生に適した温度に上昇させることができる。しかも、ヒータ21は、放電空間5を形成するとともに電極15を保持している基体3に設けられているから、基体3の高機能化が図られ、プラズマ発生体1全体として小型化が図られる。   Since the substrate 21 is provided with the heater 21, the plasma generator 1 can be quickly raised to a temperature suitable for plasma generation at the start of discharge. In addition, since the heater 21 is provided in the base 3 that forms the discharge space 5 and holds the electrode 15, the base 3 is highly functionalized and the plasma generator 1 as a whole can be miniaturized. .

基体3に温度検出素子19が設けられていることから、プラズマ発生体1の温度を検出し、プラズマ発生体1の温度をプラズマ発生に適した温度に制御したり、プラズマ発生体1の異常を検出することができる。しかも、温度検出素子19は、放電空間5を形成するとともに電極15を保持している基体3に設けられているから、基体3の高機能化が図られ、プラズマ発生体1全体として小型化が図られる。   Since the temperature detection element 19 is provided on the base 3, the temperature of the plasma generator 1 is detected, and the temperature of the plasma generator 1 is controlled to a temperature suitable for plasma generation, or an abnormality of the plasma generator 1 is detected. Can be detected. Moreover, since the temperature detecting element 19 is provided in the base 3 that forms the discharge space 5 and holds the electrode 15, the function of the base 3 is enhanced, and the plasma generator 1 as a whole can be downsized. Figured.

基体3は、積層された複数の誘電層31が焼成されて形成され、放電空間5は、少なくとも一の誘電層31に穴部が設けられることにより形成された前記複数の誘電層31間の隙間を含んで構成されているから、放電空間5を有する基体3の形成が容易である。また、電極15や電極用導電路25等の導電体の配置を積層前の誘電層31に対して行うことにより、これら導電体の基体3への配置、固定の容易化も図られる。   The substrate 3 is formed by firing a plurality of laminated dielectric layers 31, and the discharge space 5 is a gap between the plurality of dielectric layers 31 formed by providing a hole in at least one dielectric layer 31. Therefore, it is easy to form the substrate 3 having the discharge space 5. Further, by arranging the conductors such as the electrodes 15 and the electrode conductive paths 25 on the dielectric layer 31 before lamination, it is possible to facilitate the arrangement and fixing of these conductors to the base 3.

プラズマ発生体1は、放電により放電空間5にプラズマを発生させる電極15と、電極15が固定され、電極15に沿って延びる流路17を有し、一体的に形成された誘電体としての基体3とを備えるから、電極15を保持する基体3に流路17が設けられて基体3の高機能化が図られ、かつ、基体3が一体的に形成されて部品点数が削減され、プラズマ発生体1全体として小型化が図られる。   The plasma generator 1 includes an electrode 15 for generating plasma in the discharge space 5 by discharge, a flow path 17 to which the electrode 15 is fixed, and extending along the electrode 15. 3, the flow path 17 is provided in the base 3 that holds the electrode 15 to enhance the functionality of the base 3, and the base 3 is integrally formed to reduce the number of parts and generate plasma. The entire body 1 can be reduced in size.

放電空間5は、基体3に形成されているから、基体3の一層の高機能化が図られる。しかも、上述のように、電極15から放電空間5までの電気経路や放電空間5を形成する部分に界面が存在せず、熱応力の集中が抑制され、耐久性が向上する。   Since the discharge space 5 is formed in the base 3, further enhancement of the function of the base 3 is achieved. In addition, as described above, there is no interface in the electrical path from the electrode 15 to the discharge space 5 or the portion where the discharge space 5 is formed, the concentration of thermal stress is suppressed, and the durability is improved.

電極15は、基体3に埋設され、流路17は、放電空間5と電極15との間に配置されていることから、電極15の周囲のうち、一般的に高温になり易い放電空間5側を効率的に冷却することが可能である。   Since the electrode 15 is embedded in the base body 3 and the flow path 17 is disposed between the discharge space 5 and the electrode 15, the discharge space 5 side that tends to become a high temperature generally around the electrode 15. Can be efficiently cooled.

電極15として、放電空間5を挟んで互いに対向配置され、基体3に埋設された一対の電極15を備え、流路17は、一対の電極15の双方に沿って設けられている場合には、上述のように電極間に界面が存在せず、熱応力集中の抑制による耐久性向上が期待されるとともに、それぞれの電極15を十分に冷却することができる。   When the electrode 15 includes a pair of electrodes 15 disposed opposite to each other across the discharge space 5 and embedded in the base 3, and the flow path 17 is provided along both the pair of electrodes 15, As described above, there is no interface between the electrodes, and it is expected that durability is improved by suppressing thermal stress concentration, and each electrode 15 can be sufficiently cooled.

放電空間5は、所定方向に沿って複数設けられ、電極15として、所定方向において、複数の放電空間5と交互に配置された複数の電極15を備え、流路17は、複数の電極15それぞれに沿って延びていることから、上述のように、一の電極15を2つの放電空間5の放電に使用でき、プラズマ発生体1を小型化しつつ、複数の放電空間5で大量にプラズマを発生させることができることに加え、電極15の冷却効果は維持されつつ電極15の少数化に伴って流路17も小数化されることになり、プラズマ発生体1の小型化が一層図られる。   A plurality of discharge spaces 5 are provided along a predetermined direction, and the electrodes 15 include a plurality of electrodes 15 arranged alternately with the plurality of discharge spaces 5 in the predetermined direction. As described above, one electrode 15 can be used for the discharge of the two discharge spaces 5, and a large amount of plasma is generated in the plurality of discharge spaces 5 while miniaturizing the plasma generator 1. In addition to the fact that the cooling effect of the electrode 15 can be maintained, the number of the flow paths 17 is reduced as the number of the electrodes 15 is reduced, and the plasma generator 1 can be further reduced in size.

冷却媒体を供給可能な供給用流動管50Aと接続可能な流入用接続管9Aや冷却媒体を排出可能な排出用流動管50Bと接続可能な流出用接続管9Bが基体3に設けられていることから、基体3の高機能化が一層図られ、プラズマ発生体1又はプラズマ発生体1が取り付けられる装置の小型化が図られる。   The base body 3 is provided with an inflow connection tube 9A that can be connected to a supply flow tube 50A that can supply a cooling medium and an outflow connection tube 9B that can be connected to an exhaust flow tube 50B that can discharge a cooling medium. Therefore, the function of the substrate 3 is further enhanced, and the plasma generator 1 or the apparatus to which the plasma generator 1 is attached can be reduced in size.

接続管9は基体3と一体的に形成されていることから、部品点数の増加が抑えられ、プラズマ発生体1全体としての小型化が容易化される。   Since the connecting pipe 9 is formed integrally with the base body 3, an increase in the number of parts is suppressed, and downsizing of the entire plasma generator 1 is facilitated.

基体3は、積層された複数の誘電層31が焼成されて形成され、流路17は、少なくとも一の誘電層31に設けられた穴部により形成された複数の誘電層31間の隙間を含んで形成されているから、各誘電層31に適宜な形状の穴部を設けることにより、簡単に任意の形状の流路を形成することができる。   The base 3 is formed by firing a plurality of laminated dielectric layers 31, and the flow path 17 includes gaps between the plurality of dielectric layers 31 formed by holes provided in at least one dielectric layer 31. Therefore, it is possible to easily form a flow path having an arbitrary shape by providing a hole having an appropriate shape in each dielectric layer 31.

電極15は、積層された誘電層31と共に焼成されることにより基体3に固定された導体により形成されていることから、電極15を基体3の任意の位置に固定することが容易である。例えば、電極15を基体3に埋設することも容易である。   Since the electrode 15 is formed of a conductor fixed to the base 3 by being fired together with the laminated dielectric layer 31, it is easy to fix the electrode 15 at an arbitrary position of the base 3. For example, it is easy to embed the electrode 15 in the base 3.

(第2の実施形態)
図4は、本発明の第2の実施形態に係る反応装置100の構造的な構成を示す概念図である。なお、第1の実施形態と同様の構成については、第1の実施形態と同一符号を付して説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 4 is a conceptual diagram showing a structural configuration of the reaction apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol as 1st Embodiment is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

反応装置100は、第1の実施形態のプラズマ発生体1を備え、プラズマ発生体1により被処理流体を処理して排出する装置として構成されている。被処理流体は、例えば、自動車の内燃機関の排気ガスであり、放電空間5における化学変化によりNOxが分解される。また、例えば、被処理流体は、冷蔵庫やエアコンに冷却媒体として使用されたフロンであり、放電空間5における化学変化によりフロンが分解される。なお、以下では、反応装置100のうち、プラズマ発生体1以外の部分を、反応装置本体部101ということがある。   The reaction apparatus 100 includes the plasma generator 1 of the first embodiment, and is configured as an apparatus that processes and discharges a fluid to be processed by the plasma generator 1. The fluid to be treated is, for example, exhaust gas of an internal combustion engine of an automobile, and NOx is decomposed by a chemical change in the discharge space 5. Further, for example, the fluid to be treated is chlorofluorocarbon used as a cooling medium in a refrigerator or an air conditioner, and chlorofluorocarbon is decomposed by a chemical change in the discharge space 5. In the following description, a portion of the reaction apparatus 100 other than the plasma generator 1 may be referred to as a reaction apparatus main body 101.

反応装置本体部101は、被処理流体を供給する流体源103と、流体源103からプラズマ発生体1に被処理流体を導く供給管105(供給部の一例)と、プラズマ発生体1により処理された被処理流体を排出する排出管107と、被処理流体の流動を制御するための被処理流体用ポンプ109と、冷却媒体を供給する冷媒源111と、冷媒源111からプラズマ発生体1に冷却媒体を導く供給用流動管50A(冷却部の一例)と、プラズマ発生体1から冷媒源111に冷却媒体を導く排出用流動管50Bと、冷却媒体の流動を制御するための冷却媒体用ポンプ113(冷却部の一例)とを備えている。   The reactor main body 101 is processed by a fluid source 103 that supplies a fluid to be processed, a supply pipe 105 (an example of a supply unit) that guides the fluid to be processed from the fluid source 103 to the plasma generator 1, and the plasma generator 1. A discharge pipe 107 for discharging the treated fluid, a treated fluid pump 109 for controlling the flow of the treated fluid, a coolant source 111 for supplying a cooling medium, and cooling from the coolant source 111 to the plasma generator 1 A supply flow pipe 50A (an example of a cooling unit) that guides the medium, a discharge flow pipe 50B that guides the cooling medium from the plasma generator 1 to the refrigerant source 111, and a cooling medium pump 113 that controls the flow of the cooling medium. (An example of a cooling unit).

流体源103は、被処理流体としての排気ガスを排出する自動車の内燃機関等、被処理流体を生成するものである。あるいは、流体源103は、使用済みの冷蔵庫やエアコンの冷却媒体を保持したタンク等、被処理流体を保持するものである。   The fluid source 103 generates a fluid to be processed such as an internal combustion engine of an automobile that discharges exhaust gas as the fluid to be processed. Alternatively, the fluid source 103 holds a fluid to be processed such as a tank that holds a cooling medium of a used refrigerator or an air conditioner.

供給管105は、一端側が、流体源103の被処理流体を生成又は保持する空間に連通し、他端側が、プラズマ発生体1の放電空間5に連通している。供給管105のプラズマ発生体1側は、放電空間5の数に対応して第1分岐部105aA、第2分岐部105aB、第3分岐部105aC(以下、単に「分岐部105a」といい、これらを区別しないことがある。)に分岐し、第1分岐部105aA〜第3分岐部105aCは、それぞれ第1放電空間5A〜第3放電空間5Cに連通している。   One end side of the supply tube 105 communicates with a space for generating or holding the fluid to be processed of the fluid source 103, and the other end side communicates with the discharge space 5 of the plasma generator 1. The plasma generator 1 side of the supply tube 105 corresponds to the number of the discharge spaces 5, and is referred to as a first branch part 105aA, a second branch part 105aB, and a third branch part 105aC (hereinafter simply referred to as “branch part 105a”. The first branch portion 105aA to the third branch portion 105aC communicate with the first discharge space 5A to the third discharge space 5C, respectively.

排出管107は、一端側が、プラズマ発生体1の放電空間5に、供給管105とは反対側から連通し、他端側が、大気に開放され、又は、処理後の被処理流体を保持若しくは処理後の被処理流体に別の処理を施す不図示の空間に連通している。排出管107のプラズマ発生体1側は、放電空間5の数に対応して第1分岐部107aA、第2分岐部107aB、第3分岐部107aC(以下、単に「分岐部107a」といい、これらを区別しないことがある。)に分岐し、第1分岐部107aA〜第3分岐部107aCは、それぞれ第1放電空間5A〜第3放電空間5Cに連通している。なお、排出管107は、省略されてもよい。例えば、処理後の被処理流体が放電空間5から大気へ直接的に排出されてもよい。   One end side of the discharge tube 107 communicates with the discharge space 5 of the plasma generator 1 from the side opposite to the supply tube 105, and the other end side is opened to the atmosphere, or holds or treats the processed fluid after processing. It communicates with a space (not shown) for performing another process on the fluid to be processed later. The plasma generator 1 side of the discharge tube 107 corresponds to the number of discharge spaces 5, and is referred to as a first branch portion 107aA, a second branch portion 107aB, and a third branch portion 107aC (hereinafter simply referred to as “branch portion 107a”. The first branch portion 107aA to the third branch portion 107aC communicate with the first discharge space 5A to the third discharge space 5C, respectively. Note that the discharge pipe 107 may be omitted. For example, the treated fluid after treatment may be directly discharged from the discharge space 5 to the atmosphere.

供給管105及び排出管107は、金属や樹脂などの適宜な材料により形成されている。供給管105及び排出管107は、可撓性を有していてもよいし、有していなくてもよい。分岐部105a及び分岐部107aと、放電空間5との接続は、例えば、分岐部105aや分岐部107aの端部を基体3の第2の面S2や第1の面S1に当接させて、接着剤や螺合部材などの適宜な固定部材により分岐部105aや分岐部107aと基体3とを固定することにより行われる。なお、分岐部105aや分岐部107aを放電空間5に嵌合挿入したり、接続管9のように、突出した環状部分を放電空間5の端部に基体3と一体的に形成し、その突出部分を分岐部105aや分岐部107aに嵌合挿入することにより行われてもよい。   The supply pipe 105 and the discharge pipe 107 are formed of an appropriate material such as metal or resin. The supply pipe 105 and the discharge pipe 107 may or may not have flexibility. The connection between the branch part 105a and the branch part 107a and the discharge space 5 is made, for example, by bringing the end part of the branch part 105a or the branch part 107a into contact with the second surface S2 or the first surface S1 of the base 3. This is performed by fixing the branch portion 105a or the branch portion 107a and the base 3 with an appropriate fixing member such as an adhesive or a screwing member. The branch portion 105a and the branch portion 107a are fitted and inserted into the discharge space 5, or a protruding annular portion is formed integrally with the base 3 at the end of the discharge space 5 as in the connecting tube 9, and the protrusion It may be performed by fitting and inserting the portion into the branching portion 105a or the branching portion 107a.

被処理流体用ポンプ109は、供給管105及び排出管107の少なくともいずれかに設けられている。図4では、供給管105に設けられた場合を例示している。なお、流体源103が内燃機関である場合など、流体源103の動力により被処理流体が流動される場合には、被処理流体用ポンプ109は省略されてもよい。また、被処理流体用ポンプ109は、プラズマ発生体1に設けることも可能である。被処理流体用ポンプ109は、ロータリーポンプや往復ポンプ等の適宜なポンプにより構成されてよい。   The fluid pump 109 to be processed is provided in at least one of the supply pipe 105 and the discharge pipe 107. FIG. 4 illustrates a case where the supply pipe 105 is provided. When the fluid to be processed is caused to flow by the power of the fluid source 103, such as when the fluid source 103 is an internal combustion engine, the pump for fluid to be processed 109 may be omitted. Further, the pump 109 for fluid to be processed can be provided in the plasma generator 1. The fluid pump 109 to be processed may be constituted by an appropriate pump such as a rotary pump or a reciprocating pump.

冷媒源111は、例えば、熱交換器を含んで構成され、排出用流動管50Bからの冷却媒体の温度を熱交換器により降下させて供給用流動管50Aに供給する。なお、冷媒源111は、冷却媒体を供給することができればよく、排出用流動管50Bからの冷却媒体を受け入れて冷却媒体を循環させるものでなくてもよい。すなわち、排出用流動管50Bからの冷却媒体は、冷媒源111とは異なる場所へ排出されてよい。例えば、冷却媒体として水道水が利用されるような場合に、排出用流動管50Bからの水は、冷媒源111としての水源とは異なる場所へ排出されてよい。逆に、冷却媒体が循環される構成である場合には、冷媒源111は省略されてもよい。   The refrigerant source 111 includes, for example, a heat exchanger, and lowers the temperature of the cooling medium from the discharge flow pipe 50B by the heat exchanger and supplies it to the supply flow pipe 50A. Note that the coolant source 111 need only be able to supply a cooling medium, and may not receive the cooling medium from the discharge flow pipe 50B and circulate the cooling medium. That is, the cooling medium from the discharge flow pipe 50 </ b> B may be discharged to a location different from the refrigerant source 111. For example, when tap water is used as the cooling medium, the water from the discharge flow pipe 50 </ b> B may be discharged to a location different from the water source as the refrigerant source 111. Conversely, when the cooling medium is circulated, the refrigerant source 111 may be omitted.

供給用流動管50Aは、一端が冷媒源111に連通するとともに、他端が、上述のように、流入用接続管9Aを介してプラズマ発生体1の流路17に連通している。排出用流動管50Bは、一端が、上述のように、流出用接続管9Bを介してプラズマ発生体1の流路17に連通するとともに、他端が冷媒源111に連通している。流動管50は、金属や樹脂などの適宜な材料により形成されている。流動管50は、可撓性を有していてもよいし、有していなくてもよい。   One end of the supply flow pipe 50A communicates with the refrigerant source 111, and the other end communicates with the flow path 17 of the plasma generator 1 via the inflow connection pipe 9A as described above. As described above, one end of the discharge flow pipe 50B communicates with the flow path 17 of the plasma generator 1 via the outflow connection pipe 9B, and the other end communicates with the refrigerant source 111. The flow tube 50 is formed of an appropriate material such as metal or resin. The flow tube 50 may or may not have flexibility.

冷却媒体用ポンプ113は、供給用流動管50A及び排出用流動管50Bの少なくともいずれかに設けられている。図4では、供給用流動管50Aに設けられた場合を例示している。なお、冷媒源111が高位置にあるタンクであり、重力により冷却媒体を流動させることができるなど、適宜に冷却媒体を流動させる動力が得られる場合には、冷却媒体用ポンプ113は省略されてもよい。また、冷却媒体用ポンプ113は、プラズマ発生体1に設けることも可能である。冷却媒体用ポンプ113は、ロータリーポンプや往復ポンプ等の適宜なポンプにより構成されてよい。   The cooling medium pump 113 is provided in at least one of the supply flow pipe 50A and the discharge flow pipe 50B. FIG. 4 illustrates a case where the supply flow pipe 50A is provided. Note that the cooling medium pump 113 is omitted when the coolant source 111 is a tank in a high position and power for flowing the cooling medium appropriately can be obtained, for example, the cooling medium can flow by gravity. Also good. The cooling medium pump 113 can also be provided in the plasma generator 1. The cooling medium pump 113 may be configured by an appropriate pump such as a rotary pump or a reciprocating pump.

図5は、反応装置100の電気系の構成を示すブロック図である。   FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the electric system of the reaction apparatus 100.

反応装置本体部101は、電極用端子7、センサ用端子11、ヒータ用端子13に接続される装置側電極用端子141、装置側センサ用端子143、装置側ヒータ用端子145を備えている。プラズマ発生体1は、これら端子を介して反応装置本体部101から電力が供給されて駆動制御される。具体的には、以下のとおりである。   The reactor main body 101 includes an electrode terminal 7, a sensor terminal 11, an apparatus-side electrode terminal 141 connected to the heater terminal 13, an apparatus-side sensor terminal 143, and an apparatus-side heater terminal 145. The plasma generator 1 is driven and controlled by power supplied from the reactor main body 101 through these terminals. Specifically, it is as follows.

電源部121は、例えば、バッテリを含んで構成され、バッテリからの直流電力を適宜な電圧の交流電力又は直流電力に変換して供給する。あるいは、商用周波数の交流電力を適宜な電圧の交流電力又は直流電力に変換して供給する。電源部121の電力は、制御部123、放電制御部125、温度検出部127、ヒータ駆動部129、被処理流体用ポンプ109、冷却媒体用ポンプ113に供給される。   The power supply unit 121 is configured to include, for example, a battery, and converts DC power from the battery into AC power or DC power having an appropriate voltage for supply. Alternatively, AC power having a commercial frequency is converted into AC power or DC power having an appropriate voltage and supplied. The power of the power supply unit 121 is supplied to the control unit 123, the discharge control unit 125, the temperature detection unit 127, the heater driving unit 129, the fluid pump 109 to be processed, and the cooling medium pump 113.

放電制御部125は、電源部121から供給される電力を、制御部123からの制御信号に応じた電圧の交流電力に変換し、その変換後の電力を装置側電極用端子141及び電極用端子7を介して電極15に供給する。放電制御部125は、例えば、インバータや変圧器等の電源回路を含んで構成されている。電極15では、放電制御部125により印加された電圧に応じた量の放電が行われる。   The discharge control unit 125 converts the power supplied from the power supply unit 121 into AC power having a voltage corresponding to the control signal from the control unit 123, and converts the converted power into the device-side electrode terminal 141 and the electrode terminal. 7 to the electrode 15. For example, the discharge control unit 125 includes a power supply circuit such as an inverter or a transformer. In the electrode 15, an amount of discharge corresponding to the voltage applied by the discharge control unit 125 is performed.

温度検出部127は、例えば、温度検出素子19が温度変化により抵抗値が変化する抵抗体により構成されている場合、電源部121から供給される電力を適宜な電圧の直流電力又は交流電力に変換し、その変換した電力を装置側センサ用端子143及びセンサ用端子11を介して温度検出素子19に供給する。そして、温度検出素子19は、温度検出素子19の抵抗値を検出し、その検出した抵抗値に応じた信号を制御部123に出力する。温度検出素子19は、検出した抵抗値に基づいて温度検出素子19の温度を算出し、その算出値に応じた信号を制御部123に出力してもよい。   For example, when the temperature detection element 19 is configured by a resistor whose resistance value changes due to a temperature change, the temperature detection unit 127 converts electric power supplied from the power supply unit 121 into DC power or AC power of an appropriate voltage. Then, the converted electric power is supplied to the temperature detection element 19 via the device-side sensor terminal 143 and the sensor terminal 11. The temperature detection element 19 detects the resistance value of the temperature detection element 19 and outputs a signal corresponding to the detected resistance value to the control unit 123. The temperature detection element 19 may calculate the temperature of the temperature detection element 19 based on the detected resistance value and output a signal corresponding to the calculated value to the control unit 123.

ヒータ駆動部129は、電源部121から供給される電力を、制御部123からの制御信号に応じた電圧の直流電力又は交流電力に変換し、その変換した電力を装置側ヒータ用電極145及びヒータ用電極13を介してヒータ21に供給する。ヒータ駆動部129は、例えば、整流回路や変圧器等の電源回路を含んで構成されている。ヒータ21では、ヒータ駆動部129により印加された電圧に応じた量の発熱が行われる。   The heater drive unit 129 converts the power supplied from the power supply unit 121 into DC power or AC power having a voltage corresponding to a control signal from the control unit 123, and converts the converted power into the apparatus-side heater electrode 145 and the heater. It is supplied to the heater 21 through the electrode 13. The heater driving unit 129 includes a power supply circuit such as a rectifier circuit or a transformer, for example. The heater 21 generates heat in an amount corresponding to the voltage applied by the heater driving unit 129.

被処理流体用ポンプ109及び冷却媒体用ポンプ113はそれぞれ、例えば、特に図示しないが、ポンプの駆動源としてのモータと、当該モータを駆動するモータドライバとを含んで構成されており、モータドライバは、電源部121から供給される電力を、制御部123からの制御信号に応じた電圧の交流電力又は直流電力に変換してモータに印加する。モータは、印加された電圧に応じた回転数で回転し、ひいては、印加された電圧に応じた力が被処理流体や冷却媒体に加えられる。   Each of the fluid pump 109 and the cooling medium pump 113 includes, for example, a motor as a pump drive source and a motor driver that drives the motor, although not particularly illustrated. The electric power supplied from the power supply unit 121 is converted into AC power or DC power having a voltage corresponding to a control signal from the control unit 123 and applied to the motor. The motor rotates at the number of rotations corresponding to the applied voltage, and consequently a force corresponding to the applied voltage is applied to the fluid to be processed and the cooling medium.

入力部131は、ユーザの操作を受け付け、ユーザの操作に応じた信号を制御部123に出力する。例えば、入力部131は、反応装置100の駆動開始操作、駆動停止操作、温度設定や流量制御に係る各種のパラメータの設定操作を受け付け、操作に応じた信号を出力する。入力部131は、例えば、各種スイッチを含んだ制御パネルやキーボードにより構成されている。   The input unit 131 receives a user operation and outputs a signal corresponding to the user operation to the control unit 123. For example, the input unit 131 receives a drive start operation, a drive stop operation, various temperature setting operations related to temperature setting and flow rate control of the reaction apparatus 100, and outputs a signal corresponding to the operation. The input unit 131 includes, for example, a control panel including various switches and a keyboard.

制御部123は、例えば、特に図示しないが、CPU、ROM、RAM及び外部記憶装置を備えたコンピュータにより構成されている。制御部123は、温度検出部127や入力部131からの信号に基づいて、放電制御部125、ヒータ駆動部129、被処理流体用ポンプ109及び冷却媒体用ポンプ113に制御信号を出力する。   For example, although not particularly illustrated, the control unit 123 is configured by a computer including a CPU, a ROM, a RAM, and an external storage device. The control unit 123 outputs control signals to the discharge control unit 125, the heater driving unit 129, the fluid to be processed pump 109, and the cooling medium pump 113 based on signals from the temperature detection unit 127 and the input unit 131.

例えば、制御部123は、入力部131から反応装置100の駆動開始操作に応じた信号が入力された場合には、電極15への電力の供給を開始するように放電制御部125に制御信号を出力し、入力部131から反応装置100の駆動停止操作に応じた信号が入力された場合には、電極15への電力の供給を停止するように放電制御部125に制御信号を出力する。   For example, when a signal corresponding to the driving start operation of the reaction apparatus 100 is input from the input unit 131, the control unit 123 sends a control signal to the discharge control unit 125 so as to start supplying power to the electrode 15. When a signal corresponding to a drive stop operation of the reaction apparatus 100 is input from the input unit 131, a control signal is output to the discharge control unit 125 so as to stop the supply of power to the electrode 15.

また、例えば、制御部123は、温度検出部127により検出される温度が、プラズマ発生体1が効率的にプラズマを発生させることができる温度として設定された所定の目標温度に達していないと判定した場合は、電極15へ供給する電力を、通常運転時に供給する電力よりも増加させるように、放電制御部125に制御信号を出力し、プラズマ発生体1が目標温度に到達した場合には、電極15へ供給する電力を通常運転時に供給する電力に維持するように、放電制御部125に制御信号を出力する。   For example, the control unit 123 determines that the temperature detected by the temperature detection unit 127 has not reached a predetermined target temperature set as a temperature at which the plasma generator 1 can efficiently generate plasma. In this case, a control signal is output to the discharge controller 125 so that the power supplied to the electrode 15 is increased from the power supplied during normal operation, and when the plasma generator 1 reaches the target temperature, A control signal is output to the discharge controller 125 so that the power supplied to the electrode 15 is maintained at the power supplied during normal operation.

また、例えば、制御部123は、温度検出部127により検出される温度が、プラズマ発生体1が効率的にプラズマを発生させることができる温度として設定された所定の目標温度に達していないと判定した場合は、ヒータ21へ電力を供給し、又は、ヒータ21へ供給する電力を増加させるように、ヒータ駆動部129に制御信号を出力する。そして、プラズマ発生体1が目標温度に到達した場合には、ヒータ21へ供給する電力を減少させ、又は、ヒータ21への電力の供給を停止するように、ヒータ駆動部129に制御信号を出力する。   For example, the control unit 123 determines that the temperature detected by the temperature detection unit 127 has not reached a predetermined target temperature set as a temperature at which the plasma generator 1 can efficiently generate plasma. In this case, a control signal is output to the heater drive unit 129 so that power is supplied to the heater 21 or power supplied to the heater 21 is increased. When the plasma generator 1 reaches the target temperature, a control signal is output to the heater driving unit 129 so that the power supplied to the heater 21 is reduced or the supply of power to the heater 21 is stopped. To do.

また、例えば、制御部123は、温度検出部127により検出される温度と、プラズマ発生体1が効率的にプラズマを発生させることができる温度、あるいは、プラズマ発生体1や反応装置本体部101が安全に運転される温度として設定された所定の目標温度とを比較し、検出された温度が目標温度よりも高い場合には冷却媒体の流速を高く、低い場合には冷却媒体の流速を低くするように、冷却媒体用ポンプ113へ制御信号を出力する。   In addition, for example, the control unit 123 may detect the temperature detected by the temperature detection unit 127 and the temperature at which the plasma generator 1 can efficiently generate plasma, or the plasma generator 1 and the reaction device main body 101. Compared with a predetermined target temperature set as a safe operating temperature, if the detected temperature is higher than the target temperature, the flow rate of the cooling medium is increased, and if it is lower, the flow rate of the cooling medium is decreased In this manner, a control signal is output to the cooling medium pump 113.

また、例えば、制御部123は、温度検出部127により検出される温度が、プラズマ発生体1が効率的にプラズマを発生させることができる温度として設定された所定の目標温度に達していないと判定した場合は、被処理流体の流速を低く、達したと判定した場合は、被処理流体の流速を高くするように、被処理流体用ポンプ109へ制御信号を出力する。   For example, the control unit 123 determines that the temperature detected by the temperature detection unit 127 has not reached a predetermined target temperature set as a temperature at which the plasma generator 1 can efficiently generate plasma. In this case, when it is determined that the flow rate of the fluid to be processed is low and reached, a control signal is output to the pump 109 for fluid to be processed so as to increase the flow velocity of the fluid to be processed.

また、例えば、制御部123は、温度検出部127により検出される温度と、プラズマ発生体1や反応装置本体部101が安全に運転される温度として設定された所定の温度範囲とを比較し、検出された温度が設定された温度範囲を超えた場合には、不図示の表示装置やスピーカ等の報知部に、異常の発生を報知するように制御信号を出力する。   Further, for example, the control unit 123 compares the temperature detected by the temperature detection unit 127 with a predetermined temperature range set as a temperature at which the plasma generator 1 or the reaction device main body unit 101 is safely operated, When the detected temperature exceeds the set temperature range, a control signal is output so as to notify the occurrence of abnormality to a notifying unit such as a display device or a speaker (not shown).

以上の第2の実施形態によれば、反応装置100は、第1の実施形態のプラズマ発生体1と、放電空間5に被処理流体を供給する供給管105と、放電空間5でプラズマ発生を行なって被処理流体を化学変化させた反応流体を排出するための排出管107とを備えているから、第1の実施形態と同様に、プラズマ発生体1の耐久性の向上やプラズマ発生体1の小型化の効果が得られ、ひいては、反応装置100の耐久性の向上や小型化の効果が得られる。   According to the second embodiment described above, the reactor 100 generates plasma in the plasma generator 1 of the first embodiment, the supply pipe 105 that supplies the fluid to be processed to the discharge space 5, and the discharge space 5. And a discharge pipe 107 for discharging the reaction fluid obtained by chemically changing the fluid to be treated. As in the first embodiment, the durability of the plasma generator 1 can be improved and the plasma generator 1 can be improved. As a result, the durability of the reactor 100 can be improved and the size reduction effect can be obtained.

(第3の実施形態)
図6は、本発明の第3の実施形態に係る光源装置200の構成を示す断面図である。
なお、第1の実施形態と同様の構成については、第1の実施形態と同一符号を付して説明を省略する。
(Third embodiment)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration of a light source device 200 according to the third embodiment of the present invention.
In addition, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol as 1st Embodiment is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

光源装置200は、第1の実施形態と同様の構成のプラズマ発生体1′を備え、プラズマ発生体1′により発生したプラズマを利用して発光する光源装置として構成されている。光源装置200は、例えば、蛍光灯、水銀ランプ、ナトリウムランプとして構成されている。なお、以下では、光源装置200のうち、プラズマ発生体1′以外の部分を、光源装置本体部201ということがある。   The light source device 200 includes a plasma generator 1 ′ having the same configuration as that of the first embodiment, and is configured as a light source device that emits light using plasma generated by the plasma generator 1 ′. The light source device 200 is configured as, for example, a fluorescent lamp, a mercury lamp, or a sodium lamp. In the following, the portion of the light source device 200 other than the plasma generator 1 ′ may be referred to as the light source device main body 201.

第3の実施形態のプラズマ発生体1′は、複数の電極15が、基体3′の外部に設けられた電極用導電路207により互いに接続されている点で、第1の実施形態のプラズマ発生体1と相違する。なお、電極用導電路207は、プラズマ発生体1′に設けられていてもよいし、光源装置本体部201に設けられていてもよい。第1の実施形態のプラズマ発生体1が第3の実施形態に用いられてもよい。   The plasma generator 1 ′ of the third embodiment is the same as that of the first embodiment in that a plurality of electrodes 15 are connected to each other by electrode conductive paths 207 provided outside the base 3 ′. It differs from body 1. The electrode conductive path 207 may be provided in the plasma generator 1 ′ or may be provided in the light source device main body 201. The plasma generator 1 of the first embodiment may be used in the third embodiment.

また、第1の実施形態では、基体3の表面の反射率については特に言及しなかったが、第3の実施形態の基体3′は、放電空間5を形成する面、若しくは、基体3′の外周面(図1の第1〜第6の面S1〜S6)の少なくとも一部、又は、これら双方を含む基体3′の表面全体が鏡面加工されており、反射率が比較的高くされている。例えば、反射率は50%以上が好ましい。このような基体3を構成する誘電体の材料としては、白色系のものがよく、例えば、アルミナセラミックスやジルコニアセラミックス、コージェライトセラミックス、イットリアセラミックスが挙げられる。特に、プラズマ発生体1′が紫外光や近紫外光を発生する場合、アルミナセラミックスやジルコニアセラミックス、コージェライトセラミックス、イットリアセラミックスは、紫外光や近紫外光の反射率が高いとともに、紫外光や近紫外光に対して劣化することも抑制できる。   In the first embodiment, the reflectance of the surface of the substrate 3 is not particularly mentioned. However, the substrate 3 ′ of the third embodiment is a surface that forms the discharge space 5 or the surface of the substrate 3 ′. At least a part of the outer peripheral surface (first to sixth surfaces S1 to S6 in FIG. 1), or the entire surface of the base 3 'including both of them is mirror-finished, and the reflectance is relatively high. . For example, the reflectance is preferably 50% or more. As a dielectric material constituting such a substrate 3, a white material is preferable, and examples thereof include alumina ceramics, zirconia ceramics, cordierite ceramics, and yttria ceramics. In particular, when the plasma generator 1 'generates ultraviolet light or near-ultraviolet light, alumina ceramics, zirconia ceramics, cordierite ceramics, and yttria ceramics have high reflectivity for ultraviolet light and near-ultraviolet light, as well as ultraviolet light and near-ultraviolet light. Deterioration against ultraviolet light can also be suppressed.

好適には、基体3′を構成する誘電体は、放電空間5に露出した表面において、結晶相の面積率がガラス相の面積率よりも高い方がよい。この構成により、放電空間5内で発生したプラズマによって基体3′がエッチングされるのを有効に防止できる。すなわち、放電空間5に露出した誘電体の表面は、非常に結合力の高い共有結合で結合した結晶相の割合を高めることによって、プラズマによるエッチングに対して抵抗力を有することとなる。よって、放電空間にエッチングされたセラミックの微粉が飛散するのを有効に防止でき、その結果、光源の波長が均一な単一光を安定して得ることができる。   Preferably, the dielectric constituting the substrate 3 ′ should have a crystal phase area ratio higher than the glass phase area ratio on the surface exposed to the discharge space 5. With this configuration, the substrate 3 ′ can be effectively prevented from being etched by the plasma generated in the discharge space 5. That is, the surface of the dielectric exposed to the discharge space 5 has resistance to etching by plasma by increasing the ratio of the crystal phase bonded by the covalent bond having a very high bonding force. Therefore, it is possible to effectively prevent the ceramic fine powder etched in the discharge space from being scattered, and as a result, it is possible to stably obtain single light having a uniform wavelength of the light source.

なお、プラズマ発生体1′の他の構成は、プラズマ発生体1と同様である。図1では放電空間5を3層とし、図6では放電空間5を4層としているが、これらは、いずれも説明の便宜上の例示に過ぎない。   The other configuration of the plasma generator 1 ′ is the same as that of the plasma generator 1. Although the discharge space 5 has three layers in FIG. 1 and the discharge space 5 has four layers in FIG. 6, these are merely examples for convenience of explanation.

光源装置本体部201は、プラズマ発生体1′を収容するとともに、プラズマ発生体1′により発せられる光を放出可能な透光部209aを有する筐体209を備えている。透光部109aは、筐体209の一部に設けられ、光源装置200の光は所定方向に放出される。すなわち、光源装置200は、指向性を有する光源として構成されている。ただし、光源装置200は、筐体209の大部分又は全面に亘って透光部209aが設けられ、指向性を有しない光源として構成されてもよい。   The light source device main body 201 includes a casing 209 that houses a plasma generator 1 ′ and has a translucent portion 209 a that can emit light emitted by the plasma generator 1 ′. The translucent part 109a is provided in a part of the housing 209, and light from the light source device 200 is emitted in a predetermined direction. That is, the light source device 200 is configured as a light source having directivity. However, the light source device 200 may be configured as a light source that does not have directivity, with the translucent portion 209a provided over most or the entire surface of the housing 209.

指向性を有するように形成された筐体209は、プラズマ発生体1′を収容し、遮光性を有する気密容器203と、気密容器203の開口部203aを塞ぐ透光部材205とを備えている。すなわち、気密容器203と、透光部材205とにより、筐体209全体が構成され、開口部203aと透光部材205により透光部209aが構成されている。   The casing 209 formed to have directivity includes an airtight container 203 that houses the plasma generator 1 ′ and has a light shielding property, and a translucent member 205 that closes the opening 203 a of the airtight container 203. . That is, the entire casing 209 is configured by the airtight container 203 and the translucent member 205, and the translucent portion 209 a is configured by the opening 203 a and the translucent member 205.

筐体209は、密閉空間SPを形成するように構成されている。密閉空間SPには、プラズマが生成されるガスが封入されている。密閉空間SPに封入されるガスは、例えば、光源装置200が蛍光灯であれば、水銀粒を含む、200〜300Pa程度のアルゴンの希薄ガスであり、光源装置200が水銀ランプであれば、水銀蒸気であり、光源装置200がナトリウムランプであれば、ネオンやアルゴンガスが混入された0.5Pa程度のナトリウム蒸気である。   The casing 209 is configured to form a sealed space SP. A gas for generating plasma is enclosed in the sealed space SP. For example, if the light source device 200 is a fluorescent lamp, the gas enclosed in the sealed space SP is a rare argon gas containing about 200 to 300 Pa containing mercury particles. If the light source device 200 is a mercury lamp, the gas is mercury. If the light source device 200 is a sodium lamp, the vapor is about 0.5 Pa sodium vapor mixed with neon or argon gas.

プラズマ発生体1′は、密閉空間SPに放電空間5の開口方向が透光部209aに向くように配置されている。気密容器203は、例えば、絶縁性の適宜な材料により構成されている。例えば、セラミックにより構成されている。透光部材205は、例えば、透光性及び絶縁性を有する適宜な材料により構成されている。例えばガラスにより構成されている。なお、光源装置200が蛍光灯である場合には、透光部材205には蛍光塗料が塗布されている。   The plasma generator 1 'is arranged in the sealed space SP so that the opening direction of the discharge space 5 faces the light transmitting part 209a. The hermetic container 203 is made of, for example, a suitable insulating material. For example, it is made of ceramic. The translucent member 205 is made of an appropriate material having translucency and insulation, for example. For example, it is made of glass. When the light source device 200 is a fluorescent lamp, a fluorescent paint is applied to the translucent member 205.

筐体209の内部には、光を反射可能な反射部211が設けられている。反射部211は、例えば、セラミックからなる気密容器203の内面を鏡面加工することにより、形成されている。あるいは、気密容器203の内面に鏡を配置するなど、筐体209の内部の適宜な位置に反射部材を設けることにより形成されている。反射部209bの反射率は、例えば50%以上である。   Inside the housing 209, a reflecting portion 211 capable of reflecting light is provided. The reflection part 211 is formed by, for example, mirror-finishing the inner surface of the hermetic container 203 made of ceramic. Alternatively, it is formed by providing a reflecting member at an appropriate position inside the housing 209 such as arranging a mirror on the inner surface of the airtight container 203. The reflectance of the reflection part 209b is, for example, 50% or more.

なお、光源装置本体部201は、第2の実施形態の反応装置本体部101と同様に、図4に示した、プラズマ発生体1′に冷却媒体の供給等を行う冷媒源111、流動管50、冷却媒体用ポンプ113を備えていてもよい。また、光源装置本体部201の電気系の構成は、図5に示した第2の実施形態の反応装置本体部101の電気系の構成に対して、被処理流体用ポンプ109が不要な以外は、同様である。   The light source device main body 201 is similar to the reaction device main body 101 of the second embodiment, as shown in FIG. 4, the refrigerant source 111 for supplying a cooling medium to the plasma generator 1 ′, and the flow tube 50. The cooling medium pump 113 may be provided. Further, the configuration of the electrical system of the light source device main body 201 is different from the configuration of the electrical system of the reaction device main body 101 of the second embodiment shown in FIG. The same.

以上の構成を有する光源装置200では、電極用導電路207に交流電力が供給されてプラズマ発生体1の放電空間5でプラズマが発生すると、励起された原子が光を発生し、その光が透光部209aから出射する。光源装置200は、例えば、一般的な屋内照明あるいは屋外照明として利用されてもよいし、露光装置の光源として利用されてもよい。   In the light source device 200 having the above configuration, when AC power is supplied to the electrode conductive path 207 and plasma is generated in the discharge space 5 of the plasma generator 1, the excited atoms generate light, and the light is transmitted. The light exits from the light section 209a. The light source device 200 may be used as, for example, general indoor lighting or outdoor lighting, or may be used as a light source of an exposure apparatus.

以上の第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様のプラズマ発生体1′と、該プラズマ発生体を収容するとともに、放電空間5におけるプラズマ発生により発せられる光を放出するための透光部209aを有する筐体209とを備えているから、第1の実施形態と同様に、プラズマ発生体1′の耐久性の向上やプラズマ発生体1′の小型化の効果が得られ、ひいては、光源装置200の耐久性の向上や小型化の効果が得られる。   According to the third embodiment described above, the same plasma generator 1 ′ as in the first embodiment and the plasma generator are accommodated, and light emitted by plasma generation in the discharge space 5 is emitted. Since the housing 209 having the light transmitting portion 209a is provided, the effect of improving the durability of the plasma generator 1 'and reducing the size of the plasma generator 1' can be obtained as in the first embodiment. As a result, the effect of the durability improvement and size reduction of the light source device 200 is acquired.

また、基体3′が一部材として形成され、界面がないので、光が界面に進入して光強度が低下することも抑制できる。   In addition, since the base 3 'is formed as one member and has no interface, it is possible to prevent light from entering the interface and reducing the light intensity.

筐体209内に前記放電空間におけるプラズマ発生により発せられる光を反射する反射部211が設けられていることから、筐体209の内側面のうち透光部209a以外の面に入射する光を反射して、透光部209aからより高い光量で光を出射することができる。   Since a reflection part 211 that reflects light emitted by the generation of plasma in the discharge space is provided in the housing 209, light incident on a surface other than the translucent part 209a on the inner surface of the housing 209 is reflected. Thus, light can be emitted from the translucent portion 209a with a higher amount of light.

また、基体3′も反射部として機能していることから、放電空間5において生じた光が放電空間5を形成する面で吸収されることを抑制し、放電空間5から効率よく光を出射することができ、また、筐体209内の光が基体3′の外形を形成する面に吸収されることを抑制し、透光部209aからより高い光量で光を出射することができる。   Further, since the base body 3 ′ also functions as a reflecting portion, light generated in the discharge space 5 is suppressed from being absorbed by the surface forming the discharge space 5, and light is efficiently emitted from the discharge space 5. In addition, it is possible to suppress the light in the housing 209 from being absorbed by the surface forming the outer shape of the base 3 ′, and to emit light with a higher amount of light from the translucent portion 209 a.

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施してよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various aspects.

プラズマ発生体は、電極に電圧を印加して放電空間における放電によりプラズマを発生させるものであればよく、いわゆる高周波放電によりプラズマを発生させるものに限定されない。例えば、対向する電極に直流電圧を印加して放電を行う直流放電によりプラズマを発生させるものであってもよいし、電極に比較的低周波の交流電圧(例えば、50Hz〜100kHzの交流電圧)を印加する低周波放電によりプラズマを発生させるものであってもよいし、周波数が非常に高い交流電圧(例えば、1GHz以上の交流電圧)を電極に印加するマイクロ波放電によりプラズマを発生させるものであってもよい。   The plasma generator is not limited to those that generate plasma by so-called high-frequency discharge, as long as plasma is generated by discharge in the discharge space by applying a voltage to the electrodes. For example, a plasma may be generated by a DC discharge in which a DC voltage is applied to the opposing electrode to discharge, or a relatively low frequency AC voltage (for example, an AC voltage of 50 Hz to 100 kHz) is applied to the electrode. The plasma may be generated by a low frequency discharge to be applied, or the plasma may be generated by a microwave discharge in which an AC voltage having a very high frequency (for example, an AC voltage of 1 GHz or more) is applied to the electrode. May be.

電極は、互いに対向する一対の電極を構成するもの、いわゆるコンデンサ形式のものに限定されず、コイル形式のものであってもよい。電極は、放電空間の外部に配置されるものに限定されず、放電空間の内部に配置されるものであってもよい。電極は基体に埋設されるものに限定されず、基体から露出するものであってもよい。基体が誘電層の積層体により形成される場合、電極は誘電層に平行に設けられるものに限定されず、誘電層に対して適宜な位置に設けられてよい。図7及び図8に変形例を例示する。   The electrodes are not limited to what constitutes a pair of electrodes facing each other, that is, a so-called capacitor type, and may be a coil type. The electrodes are not limited to those disposed outside the discharge space, and may be disposed inside the discharge space. The electrodes are not limited to those embedded in the substrate, and may be exposed from the substrate. When the substrate is formed of a laminate of dielectric layers, the electrodes are not limited to those provided parallel to the dielectric layers, and may be provided at appropriate positions with respect to the dielectric layers. 7 and 8 illustrate a modification.

図7(a)は、基体301に形成された放電空間303の内部に、一対の電極305が設けられたプラズマ発生体300を示す側面図である。基体301は、例えば、第1の実施形態と同様に、複数の誘電層が積層されて構成される。電極305は、例えば、誘電層のうち放電空間303を形成する面(第1の実施形態でいえば、第4誘電層31Dの凹部33Dの底面、第6誘電層31Fの凹部33Fの底面)に導電ペーストが配置され、積層した誘電層が焼成されることにより、形成される。   FIG. 7A is a side view showing a plasma generator 300 in which a pair of electrodes 305 are provided inside a discharge space 303 formed in the base 301. The base 301 is configured by stacking a plurality of dielectric layers, for example, as in the first embodiment. The electrode 305 is, for example, on the surface of the dielectric layer that forms the discharge space 303 (in the first embodiment, the bottom surface of the recess 33D of the fourth dielectric layer 31D and the bottom surface of the recess 33F of the sixth dielectric layer 31F). The conductive paste is disposed, and the laminated dielectric layer is baked to form.

図7(b)は、基体311に形成された放電空間313の外部に、立体的なコイル状の電極315が設けられたプラズマ発生体310を、基体311を透視して示す斜視図である。基体311は、例えば、第1の実施形態と同様に、複数の誘電層が積層されて構成される。電極315のうち、誘電層に平行な平行部315aは、例えば、第1の実施形態の電極15と同様に、誘電層の互いに重ね合わされる面に導電ペーストが配置され、積層した誘電層が焼成されることにより、形成される。電極315のうち、誘電層を貫通する貫通部315bは、例えば、第1の実施形態の電極用導電路25の直交部25aと同様に、誘電層に形成された孔部に導電ペーストが充填され、積層した誘電層が焼成されることにより、形成される。   FIG. 7B is a perspective view showing a plasma generator 310 in which a three-dimensional coiled electrode 315 is provided outside a discharge space 313 formed in the substrate 311, as seen through the substrate 311. The base 311 is configured by stacking a plurality of dielectric layers, for example, as in the first embodiment. In the electrode 315, the parallel portion 315a parallel to the dielectric layer is formed, for example, in the same manner as the electrode 15 of the first embodiment, with the conductive paste disposed on the surfaces of the dielectric layers that are overlapped with each other. Is formed. Of the electrode 315, the through portion 315b penetrating the dielectric layer is filled with a conductive paste in the hole formed in the dielectric layer, for example, like the orthogonal portion 25a of the electrode conductive path 25 of the first embodiment. The stacked dielectric layers are formed by firing.

図7(c)は、基体321に形成された放電空間323の内部に、立体的なコイル状の電極325が設けられたプラズマ発生体320を、基体321を透視して示す斜視図である。基体321は、例えば、第1の実施形態と同様に、複数の誘電層が積層されて構成される。電極325は、例えば、誘電層のうち放電空間325を形成する面(第1の実施形態でいえば、第4誘電層31Dの凹部33Dの底面及び側面、第5絶縁層31Eの分割層31E−1、31E−2の対向面、第6誘電層31Fの凹部33Fの底面及び側面)に導電ペーストが配置され、積層した誘電層が焼成されることにより、形成される。   FIG. 7C is a perspective view showing a plasma generator 320 in which a three-dimensional coiled electrode 325 is provided in a discharge space 323 formed in the base 321, as seen through the base 321. The base 321 is configured by laminating a plurality of dielectric layers, for example, as in the first embodiment. The electrode 325 is, for example, a surface of the dielectric layer on which the discharge space 325 is formed (in the first embodiment, the bottom surface and the side surface of the recess 33D of the fourth dielectric layer 31D, the divided layer 31E- of the fifth insulating layer 31E). 1, the conductive paste is disposed on the opposing surface of 31E-2, the bottom surface and the side surface of the recess 33F of the sixth dielectric layer 31F, and the stacked dielectric layers are baked to form.

図8(a)は、基体331に形成された放電空間333の内部に、平面的なコイル状の電極335が設けられたプラズマ発生体330を、基体331を透視して示す斜視図である。基体331は、例えば、第1の実施形態と同様に、複数の誘電層が積層されて構成される。電極335は、誘電層のうち放電空間335を形成する面(第1の実施形態でいえば、第4誘電層31Dの凹部33Dの底面)に導電ペーストが配置され、積層した誘電層が焼成されることにより、形成される。   FIG. 8A is a perspective view showing a plasma generator 330 in which a planar coil-like electrode 335 is provided in a discharge space 333 formed in the base 331, as seen through the base 331. The base 331 is configured by stacking a plurality of dielectric layers, for example, as in the first embodiment. In the electrode 335, a conductive paste is disposed on the surface of the dielectric layer that forms the discharge space 335 (in the first embodiment, the bottom surface of the recess 33D of the fourth dielectric layer 31D), and the laminated dielectric layer is fired. Is formed.

図8(b)は、図7(a)と同様に、基体341に形成された放電空間343の内部に、対向する一対の電極345が設けられたプラズマ発生体340を示す側面図である。基体331は、例えば、第1の実施形態と同様に、第1誘電層347A、第2誘電層347B(以下、単に「誘電層347」といい、これらを区別しないことがある。)が積層されて構成されている。電極341は、誘電層347に対して直交するように設けられている。すなわち、電極341は、誘電層347に平行に設けられていない。電極341は、例えば、誘電層のうち放電空間335を形成する面に導電ペーストが配置され、積層した誘電層が焼成されることにより、形成される。   FIG. 8B is a side view showing a plasma generator 340 in which a pair of opposing electrodes 345 are provided inside a discharge space 343 formed in the base 341, as in FIG. 7A. As in the first embodiment, for example, the base 331 includes a first dielectric layer 347A and a second dielectric layer 347B (hereinafter simply referred to as “dielectric layer 347”, which may not be distinguished from each other). Configured. The electrode 341 is provided so as to be orthogonal to the dielectric layer 347. That is, the electrode 341 is not provided in parallel with the dielectric layer 347. The electrode 341 is formed, for example, by disposing a conductive paste on the surface of the dielectric layer where the discharge space 335 is formed and firing the laminated dielectric layer.

放電空間の形状、大きさは適宜に設定されてよく、直方体状に限定されない。例えば円柱形状であってもよい。放電空間は一つであってもよい。放電空間が複数の場合、形状、大きさ、間隔は互いに同一でなくてもよい。例えば、放熱が困難な位置側の放電空間同士の間隔を、他の位置の放電空間同士の間隔よりも大きくしてもよい。また、複数の放電空間と交互に電極が設けられる場合、複数の電極間の間隔は均等でなくてよいし、電極と放電空間との間隔も均等でなくてよい。   The shape and size of the discharge space may be set as appropriate and are not limited to a rectangular parallelepiped shape. For example, a cylindrical shape may be sufficient. There may be one discharge space. When there are a plurality of discharge spaces, the shape, size, and interval may not be the same. For example, the interval between the discharge spaces on the position side where heat dissipation is difficult may be made larger than the interval between the discharge spaces at other positions. When electrodes are provided alternately with a plurality of discharge spaces, the intervals between the plurality of electrodes may not be uniform, and the intervals between the electrodes and the discharge spaces may not be uniform.

プラズマ発生体の基体に形成された流路は、適宜な形状としてよい。例えば、流路は、分岐していてもよい。例えば、第1の実施形態において、流入用接続管9Aから延びた流路17が複数の電極冷却部17aに分岐して、その後、電極冷却部17aを通過後に合流して流出用接続管9Bまで延びるようにしてもよい。換言すれば、第1の実施形態においては複数の電極冷却部17aが直列に接続されたのに対し、複数の電極冷却部17aが並列に接続されるように流路17を分岐させてもよい。この場合、複数の電極を均一に冷却できる。   The flow path formed in the base of the plasma generator may have an appropriate shape. For example, the flow path may be branched. For example, in the first embodiment, the flow path 17 extending from the inflow connecting pipe 9A branches into a plurality of electrode cooling parts 17a, and then merges after passing through the electrode cooling part 17a to the outflowing connecting pipe 9B. You may make it extend. In other words, in the first embodiment, the plurality of electrode cooling parts 17a are connected in series, but the flow path 17 may be branched so that the plurality of electrode cooling parts 17a are connected in parallel. . In this case, a plurality of electrodes can be uniformly cooled.

また、流路は、平面的に延びていてもよいし、立体的に延びていてもよい。流路は、蛇行するものに限定されず、渦巻状に延びてもよい。流路は、基体内部で循環していてもよい。換言すれば、基体外部に連通していなくてもよい。流路は、実施形態のように1つに限定されず、適宜な数だけ設けてよい。   Moreover, the flow path may extend planarly or may extend three-dimensionally. The flow path is not limited to meandering but may extend in a spiral shape. The flow path may circulate inside the substrate. In other words, it does not have to communicate with the outside of the substrate. The number of flow paths is not limited to one as in the embodiment, and an appropriate number may be provided.

図9(a)は、流路の変形例を示す平面図である。流路352は、電極351に沿って蛇行して延びている。流路352は、電極351の中央部に位置する流路中央部352aの断面積が、電極351の外周部に位置する流路外周部352bの断面積よりも大きくなるように形成されている。従って、高熱化しやすい電極351の中央部を重点的に冷却し、電極351全体の冷却を効率的に行うことができる。また、電極351は中央に電力が集中し易いところ、冷却媒体の誘電率が基体3の誘電率よりも低く、流路352が放電空間と電極351との間において延びていれば、電極351を被覆している誘電体の中央側の誘電率を外周側よりも低くして、電圧を均一化させ、放電を好適に行うことができる。なお、一例として、冷却媒体として利用可能な水の比誘電率は80程度であり、基体(誘電体)の材料として利用可能なセラミックは、水の比誘電率よりも低い比誘電率のものから比誘電率が1万程度のものまで存在する。   Fig.9 (a) is a top view which shows the modification of a flow path. The flow path 352 extends meandering along the electrode 351. The flow path 352 is formed so that the cross-sectional area of the flow path center part 352a located at the center part of the electrode 351 is larger than the cross-sectional area of the flow path outer periphery part 352b located at the outer periphery part of the electrode 351. Accordingly, the central portion of the electrode 351 that is likely to be highly heated can be intensively cooled, and the entire electrode 351 can be efficiently cooled. The electrode 351 easily concentrates power in the center. If the dielectric constant of the cooling medium is lower than the dielectric constant of the substrate 3 and the flow path 352 extends between the discharge space and the electrode 351, the electrode 351 is provided. The dielectric constant on the center side of the covering dielectric can be made lower than that on the outer peripheral side, the voltage can be made uniform, and discharge can be suitably performed. As an example, the relative dielectric constant of water that can be used as a cooling medium is about 80, and ceramics that can be used as the material of the substrate (dielectric) are those having a relative dielectric constant lower than that of water. There exists a dielectric constant up to about 10,000.

図9(b)は、流路の他の変形例を示す平面図である。流路362は、電極361に沿って蛇行して延びている。流路362の断面積は一定である。流路362は、電極361の中央部に位置する流路中央部362a同士の間隔が、電極361の外周部に位置する流路外周部362b同士の間隔よりも小さくなるように形成されている。従って、図9(a)の変形例と同様の効果が得られる。   FIG.9 (b) is a top view which shows the other modification of a flow path. The channel 362 extends meandering along the electrode 361. The cross-sectional area of the flow path 362 is constant. The channel 362 is formed such that the interval between the channel central portions 362 a located at the center of the electrode 361 is smaller than the interval between the channel outer peripheral portions 362 b located at the outer periphery of the electrode 361. Therefore, the same effect as that of the modified example of FIG.

なお、図9(a)及び図9(b)は組み合わされてもよい。図9(a)及び図9(b)に示した変形例においても、電極は平面状のものに限定されない。例えば、図7(b)に示した立体的なコイル状のものであっても、図7(b)の紙面上方側から平面視したときに、流路のうち電極の中央部に位置する部分と電極の外周部に位置する部分との間で、断面積や流路間隔に上記の関係が成立すればよい。   Note that FIG. 9A and FIG. 9B may be combined. Also in the modification shown in FIGS. 9A and 9B, the electrodes are not limited to planar ones. For example, even if the three-dimensional coil shape shown in FIG. 7B is a plan view from the upper side of the paper surface of FIG. And the portion located on the outer peripheral portion of the electrode may satisfy the above relationship in the cross-sectional area and the flow path interval.

図9(c)は、流路の更に他の変形例、具体的には、蛇行していない流路を示す平面図である。流路372は、電極371を囲むようにコイル状に延びている。このような流路372において、図9(a)や図9(b)に示したように、電極371の中央部に位置する流路中央部362a同士の間隔が、電極371の外周部に位置する流路外周部362b同士の間隔よりも小さくなるように形成されたり、流路中央部372aの断面積が、流路外周部372bの断面積よりも大きくなるように形成されてもよい。   FIG. 9C is a plan view showing still another modified example of the flow channel, specifically, a non-meandering flow channel. The flow path 372 extends in a coil shape so as to surround the electrode 371. In such a channel 372, as shown in FIG. 9A and FIG. 9B, the interval between the channel center portions 362a located at the center portion of the electrode 371 is located at the outer peripheral portion of the electrode 371. The flow path outer peripheral part 362b may be formed to be smaller than the interval between them, or the cross-sectional area of the flow path central part 372a may be formed to be larger than the cross-sectional area of the flow path outer peripheral part 372b.

流路を流れる流体は、冷却媒体に限定されない。例えば、比較的高温の流体を流路に流し、プラズマ発生体を放電に適した温度まで迅速に昇温させてもよい。   The fluid flowing through the flow path is not limited to the cooling medium. For example, a relatively high temperature fluid may be flowed through the flow path to quickly raise the temperature of the plasma generator to a temperature suitable for discharge.

本発明の第1の実施形態に係るプラズマ発生体の外観斜視図。1 is an external perspective view of a plasma generator according to a first embodiment of the present invention. 図1のII−II線における断面を示す図。The figure which shows the cross section in the II-II line | wire of FIG. 図1のプラズマ発生体の形成方法を説明する図。The figure explaining the formation method of the plasma generator of FIG. 本発明の第2の実施形態に係る反応装置の構造的な構成を示す概念図。The conceptual diagram which shows the structural structure of the reaction apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図4の反応装置の電気系の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the electric system of the reaction apparatus of FIG. 本発明の第3の実施形態に係る光源装置の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the light source device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. プラズマ発生体の電極の変形例を示す図。The figure which shows the modification of the electrode of a plasma generator. プラズマ発生体の電極の他の変形例を示す図。The figure which shows the other modification of the electrode of a plasma generator. プラズマ発生体の流路の変形例を示す図。The figure which shows the modification of the flow path of a plasma generator.

符号の説明Explanation of symbols

1…プラズマ発生体、3…基体(誘電体)、5…放電空間、15…電極、17…流路。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plasma generating body, 3 ... Base | substrate (dielectric material), 5 ... Discharge space, 15 ... Electrode, 17 ... Flow path.

Claims (10)

放電空間を有し、前記放電空間を囲むように、一体的に形成された誘電体と、
前記放電空間を挟んで互いに対向して前記誘電体に埋設され、前記放電空間内でプラズマを発生可能な一対の層状の電極と、
前記誘電体に埋設され、前記電極と前記誘電体外部に露出する電極用端子とを接続する電極用導電路と、
前記誘電体に埋設されたヒータと、
前記誘電体に埋設され、前記ヒータと前記誘電体外部に露出するヒータ用端子とを接続するヒータ用導電路と、
前記誘電体に埋設された温度検出素子と、
前記誘電体に埋設され、前記温度検出素子と前記誘電体外部に露出するセンサ用端子とを接続するセンサ用導電路と、
を備え、
前記電極用導電路、前記ヒータ用導電路及び前記センサ用導電路は、一部が前記電極に平行に延び、他の一部が前記電極の対向方向に延び、前記ヒータ用導電路及び前記センサ用導電路が前記電極の対向方向に延びる部分を有する場合においては当該部分は前記電極の外部において前記電極の対向方向に延びる
ことを特徴とするプラズマ発生体。
A dielectric having a discharge space and integrally formed to surround the discharge space;
A pair of layered electrodes which are embedded in the dielectric so as to face each other across the discharge space and can generate plasma in the discharge space;
An electrode conductive path embedded in the dielectric and connecting the electrode and an electrode terminal exposed to the outside of the dielectric;
A heater embedded in the dielectric;
A heater conductive path embedded in the dielectric and connecting the heater and a heater terminal exposed to the outside of the dielectric;
A temperature detecting element embedded in the dielectric;
A sensor conductive path embedded in the dielectric and connecting the temperature detecting element and a sensor terminal exposed to the outside of the dielectric;
With
The conductive path for the electrode, the conductive path for the heater, and the conductive path for the sensor partially extend in parallel to the electrode, and the other part extends in a direction opposite to the electrode, and the conductive path for the heater and the sensor In the case where the conductive path has a portion extending in the facing direction of the electrode, the portion extends in the facing direction of the electrode outside the electrode .
前記放電空間は、所定方向に沿って複数設けられ、
前記所定方向において、前記複数の放電空間と交互に配置された複数の前記電極を備えた
ことを特徴とする請求項1記載のプラズマ発生体。
A plurality of the discharge spaces are provided along a predetermined direction,
The plasma generator according to claim 1, further comprising a plurality of the electrodes arranged alternately with the plurality of discharge spaces in the predetermined direction.
前記複数の電極は、一つ置きに互いに接続されている
請求項2に記載のプラズマ発生体。
The plasma generator according to claim 2, wherein the plurality of electrodes are alternately connected to each other.
前記誘電体は、前記放電空間に露出した表面において、結晶相の面積率がガラス相の面積率よりも高いことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のプラズマ発生体。   4. The plasma generator according to claim 1, wherein the dielectric has an area ratio of a crystal phase higher than an area ratio of a glass phase on a surface exposed to the discharge space. 5. . 前記誘電体は、少なくとも前記放電空間に露出した部位の主成分がコージェライトセラミックスであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のプラズマ発生体。   5. The plasma generator according to claim 1, wherein a main component of at least a portion of the dielectric exposed in the discharge space is cordierite ceramics. 前記誘電体は、積層された複数の誘電層が焼成されて形成され、
前記放電空間は、前記誘電層に穴部が設けられることにより形成された前記複数の誘電層間の隙間を含んで構成されている
請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載のプラズマ発生体。
The dielectric is formed by firing a plurality of laminated dielectric layers,
The plasma generator according to any one of claims 1 to 5, wherein the discharge space includes gaps between the plurality of dielectric layers formed by providing a hole in the dielectric layer. .
請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載のプラズマ発生体と、
前記放電空間に被処理流体を供給可能な供給部と、
前記放電空間でプラズマを発生させて前記被処理流体を化学変化させるように前記電極に電圧を印加可能な電極制御部と
を具備することを特徴とする反応装置。
The plasma generator according to any one of claims 1 to 6,
A supply unit capable of supplying a fluid to be treated to the discharge space;
And an electrode control unit capable of applying a voltage to the electrode so as to chemically change the fluid to be processed by generating plasma in the discharge space.
請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載のプラズマ発生体と、
該プラズマ発生体を収容するとともに、前記放電空間におけるプラズマ発生により発せられる光を放出可能な透光部を有する筐体と
を具備することを特徴とする光源装置。
The plasma generator according to any one of claims 1 to 6,
A light source device comprising: a housing having a light transmitting portion capable of containing the plasma generator and emitting light emitted by plasma generation in the discharge space.
前記筐体内に前記放電空間におけるプラズマ発生により発せられる光を反射可能な反射部が設けられている
ことを特徴とする請求項8記載の光源装置。
The light source device according to claim 8, wherein a reflection portion capable of reflecting light emitted by plasma generation in the discharge space is provided in the housing.
前記誘電体は白色である
ことを特徴とする請求項8または請求項9記載の光源装置。
The light source device according to claim 8, wherein the dielectric is white.
JP2006296752A 2006-10-31 2006-10-31 Plasma generator, reaction device, and light source device Expired - Fee Related JP4926653B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006296752A JP4926653B2 (en) 2006-10-31 2006-10-31 Plasma generator, reaction device, and light source device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006296752A JP4926653B2 (en) 2006-10-31 2006-10-31 Plasma generator, reaction device, and light source device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008117532A JP2008117532A (en) 2008-05-22
JP4926653B2 true JP4926653B2 (en) 2012-05-09

Family

ID=39503308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006296752A Expired - Fee Related JP4926653B2 (en) 2006-10-31 2006-10-31 Plasma generator, reaction device, and light source device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4926653B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014089983A (en) * 2004-06-28 2014-05-15 Sabic Innovative Plastics Ip Bv Expanding thermal plasma device
JP2019017538A (en) * 2017-07-13 2019-02-07 日本特殊陶業株式会社 Plasma reactor, air cleaning machine

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010033914A (en) * 2008-07-29 2010-02-12 Kyocera Corp Dielectric structure, and discharge device and fluid reformer using the same
JP5635759B2 (en) 2009-10-15 2014-12-03 学校法人慶應義塾 Multilayer semiconductor integrated circuit device
JP5774960B2 (en) * 2011-10-20 2015-09-09 京セラ株式会社 Plasma generator and plasma generator
CN105233641B (en) * 2015-10-21 2018-01-02 中国科学院北京综合研究中心 The method and device of bioxin caused by incineration of waste and mercury deep purifying

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3147137B2 (en) * 1993-05-14 2001-03-19 セイコーエプソン株式会社 Surface treatment method and device, semiconductor device manufacturing method and device, and liquid crystal display manufacturing method
JPH0997783A (en) * 1995-09-28 1997-04-08 Nec Corp Plasma processing device
JPH09186089A (en) * 1995-12-28 1997-07-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Observation window for film forming apparatus
JP4754115B2 (en) * 2001-08-03 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
US20050016456A1 (en) * 2002-02-20 2005-01-27 Noriyuki Taguchi Plasma processing device and plasma processing method
US6872909B2 (en) * 2003-04-16 2005-03-29 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel
JP2004031935A (en) * 2003-05-19 2004-01-29 Anelva Corp Method of plasma treatment
JP4226392B2 (en) * 2003-05-27 2009-02-18 俊夫 後藤 Atomic radical density measuring apparatus and atomic radical density method
US7638103B2 (en) * 2003-06-20 2009-12-29 Ngk Insulators, Ltd. Plasma generating electrode, plasma generation device, and exhaust gas purifying device
JP4494955B2 (en) * 2003-12-19 2010-06-30 日本碍子株式会社 Plasma generating electrode and plasma reactor
JP2006100031A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Nittetsu Mining Co Ltd Gas excitation apparatus with insulator coating layer supported electrode and gas excitation method
JP2006228660A (en) * 2005-02-21 2006-08-31 Sekisui Chem Co Ltd Plasma treatment apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014089983A (en) * 2004-06-28 2014-05-15 Sabic Innovative Plastics Ip Bv Expanding thermal plasma device
JP2019017538A (en) * 2017-07-13 2019-02-07 日本特殊陶業株式会社 Plasma reactor, air cleaning machine

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008117532A (en) 2008-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4926653B2 (en) Plasma generator, reaction device, and light source device
JP4721230B2 (en) Plasma generator, reaction device, and light source device
JP5466951B2 (en) Plasma generator, discharge device and reactor using plasma generator
KR101117144B1 (en) Plasma generating body and reaction apparatus
JP2020034435A (en) Sensor element
WO2011136362A1 (en) Heat dissipation device and semiconductor device
JPWO2009078249A1 (en) Discharge lamp
WO2018110117A1 (en) Exhalation sensor
JP2001513949A (en) Flat type electrolytic capacitor
EP1643093B1 (en) Plasma generating electrode and plasma reactor
JP5078792B2 (en) Dielectric structure, electric discharge device, fluid reforming device, and reaction system using dielectric structure
JP2010033914A (en) Dielectric structure, and discharge device and fluid reformer using the same
WO2018198522A1 (en) Electronic component and power conversion device
JP2009032746A (en) Light-emitting device and light-emitting unit
JP2009087699A (en) Plasma generating body and method for manufacturing the same, and reaction device
JP4703765B2 (en) Plasma generator and plasma generator using the same
JP2010538414A (en) Electric lamp
JP2013098015A (en) Ultraviolet irradiation device
JP6233541B1 (en) Power converter
JP2009087701A (en) Plasma generator and manufacturing method of plasma generator, and reactor
JP6233543B1 (en) Electronic component with heat dissipation member
JP2009087700A (en) Plasma generating body and method for manufacturing the same, and reaction device
WO2018175108A1 (en) Gas sensor
JP2009238486A (en) Plasma generator, manufacturing method of plasma generator, and reactor
JP2009238485A (en) Plasma generator, manufacturing method of plasma generator, and reactor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090617

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111018

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120117

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120208

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4926653

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees