JP4924785B2 - MSM type light receiving element and manufacturing method thereof, optical module, and optical transmission device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MSM-type light-receiving element, and to provide a manufacturing method of the element. <P>SOLUTION: The MSM-type light-receiving element 100 has a light-receiving face 40 on the upper face 20a of a light-absorbing layer 20. The element 100 includes a substrate 10, the light-absorbing layer 20 formed on the substrate 10, a first electrode 30 formed on the light-absorbing layer 20, a second electrode 32 formed on the light-absorbing layer 20, and a lens 50 formed on the light-receiving face 40. The lens 50 has a function for collecting light in the light-receiving face 40. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&amp;NCIPI

Description

本発明は、MSM型受光素子およびその製造方法、光モジュール、並びに、光伝達装置に関する。   The present invention relates to an MSM type light receiving element, a method for manufacturing the same, an optical module, and an optical transmission device.

MSM(Metal−Semiconductor−Metal)型受光素子は、プレーナ構造を有する受光素子である(たとえば、特許文献1参照)。具体的には、MSM型受光素子は、光吸収層となる半導体材料をエピタキシャル成長させた基板の上方に、アノード電極およびカソード電極が形成されたものである。MSM型受光素子は、受光面積を大きく取ることができること、寄生容量が小さいために高速応答が可能であること、プレーナ構造であるために製作が容易であること等の特長を有する。
特開平2−45981号公報
An MSM (Metal-Semiconductor-Metal) type light receiving element is a light receiving element having a planar structure (see, for example, Patent Document 1). Specifically, in the MSM type light receiving element, an anode electrode and a cathode electrode are formed above a substrate on which a semiconductor material to be a light absorption layer is epitaxially grown. The MSM type light receiving element has features such as a large light receiving area, a high parasitic response due to a small parasitic capacitance, and easy manufacture due to the planar structure.
Japanese Patent Laid-Open No. 2-45981

本発明の目的は、MSM型受光素子およびその製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an MSM type light receiving element and a method for manufacturing the same.

また、本発明の目的は、前記MSM型受光素子を有する光モジュール、および該光モジュールを有する光伝達装置を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide an optical module having the MSM type light receiving element and an optical transmission device having the optical module.

本発明に係るMSM型受光素子は、
光吸収層の上面に受光面を有するMSM型受光素子であって、
基板と、
前記基板の上方に形成された前記光吸収層と、
前記光吸収層の上方に形成された第1電極と、
前記光吸収層の上方に形成された第2電極と、
前記受光面の上方に形成されたレンズ部と、を含み、
前記レンズ部は、前記受光面に光を集める機能を有する。
The MSM type light receiving element according to the present invention is:
An MSM type light receiving element having a light receiving surface on an upper surface of a light absorbing layer,
A substrate,
The light absorption layer formed above the substrate;
A first electrode formed above the light absorption layer;
A second electrode formed above the light absorption layer;
A lens part formed above the light receiving surface,
The lens unit has a function of collecting light on the light receiving surface.

本発明に係るMSM型受光素子において、特定のもの(以下、「A」という)の「上方」に設けられた他の特定のもの(以下、「B」という)とは、A上に直接設けられたBと、A上に、A上の他のものを介して設けられたBと、を含む。この「上方」の定義については、本発明に係るMSM型受光素子の製造方法においても同様である。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, another specific one (hereinafter referred to as “B”) provided “above” a specific one (hereinafter referred to as “A”) is directly provided on A. And B provided on A via the other on A. The definition of “above” is the same in the method for manufacturing an MSM type light receiving element according to the present invention.

このMSM型受光素子によれば、該MSM型受光素子の前記受光面の上方に前記レンズ部が形成されていることにより、前記基板の上面に対して水平方向の光軸ずれの許容範囲が広がる。すなわち、このMSM型受光素子によれば、前記基板の上面に対して水平方向のトレランスが向上する。   According to this MSM type light receiving element, since the lens portion is formed above the light receiving surface of the MSM type light receiving element, an allowable range of optical axis deviation in the horizontal direction with respect to the upper surface of the substrate is widened. . That is, according to this MSM type light receiving element, the tolerance in the horizontal direction with respect to the upper surface of the substrate is improved.

また、このMSM型受光素子によれば、前記MSM型受光素子の前記受光面の上方に前記レンズ部が形成されていることにより、前記基板の上面に対して垂直方向のトレランスが向上する。   Further, according to this MSM type light receiving element, since the lens portion is formed above the light receiving surface of the MSM type light receiving element, tolerance in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate is improved.

本発明に係るMSM型受光素子において、前記受光面は、平面視において少なくとも前記第1電極と前記第2電極との間に形成されていることができる。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, the light receiving surface may be formed at least between the first electrode and the second electrode in plan view.

本発明に係るMSM型受光素子において、平面視とは、前記基板の上方から本発明に係るMSM型受光素子を平面的に見ることをいう。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, the plan view means that the MSM type light receiving element according to the present invention is seen in plan view from above the substrate.

本発明に係るMSM型受光素子において、
前記第1電極および前記第2電極は、櫛型形状を有し、
前記レンズ部は、前記第1電極および前記第2電極の上方にブロック状に形成されていることができる。
In the MSM type light receiving element according to the present invention,
The first electrode and the second electrode have a comb shape,
The lens unit may be formed in a block shape above the first electrode and the second electrode.

本発明に係るMSM型受光素子において、
前記第1電極および前記第2電極は、櫛型形状を有し、
前記レンズ部は、前記第1電極と前記第2電極との間に線状に形成されていることができる。
In the MSM type light receiving element according to the present invention,
The first electrode and the second electrode have a comb shape,
The lens unit may be formed in a linear shape between the first electrode and the second electrode.

本発明に係るMSM型受光素子において、前記レンズ部の上部の一部は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆っていることができる。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, a part of the upper part of the lens part may cover at least a part of the upper surface of at least one of the first electrode and the second electrode.

このMSM型受光素子によれば、前記レンズ部の上部の一部が、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆っていることができる。これにより、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の垂直上方から入射する光は、前記第1電極と前記第2電極との間に形成された前記受光面に集められる。そして、光は、前記光吸収層へ入射される。したがって、前記レンズ部を有しない場合に比べ、前記光吸収層への入射効率を向上させることができる。   According to this MSM type light receiving element, a part of the upper part of the lens part may cover at least a part of the upper surface of at least one of the first electrode and the second electrode. Thereby, light incident from vertically above at least one of the first electrode and the second electrode is collected on the light receiving surface formed between the first electrode and the second electrode. Then, the light is incident on the light absorption layer. Therefore, the incident efficiency to the light absorption layer can be improved as compared with the case where the lens portion is not provided.

本発明に係るMSM型受光素子において、前記レンズ部は、土台部材の上方に形成されていることができる。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, the lens portion may be formed above the base member.

本発明に係るMSM型受光素子において、前記土台部材は、前記光吸収層からなることができる。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, the base member may be formed of the light absorption layer.

本発明に係るMSM型受光素子において、前記土台部材は、前記光吸収層の上方に形成されていることができる。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, the base member may be formed above the light absorption layer.

本発明に係るMSM型受光素子において、
前記光吸収層の上方に形成された堰き止め部材を有し、
前記レンズ部は、前記堰き止め部材によって堰き止められていることができる。
In the MSM type light receiving element according to the present invention,
A damming member formed above the light absorption layer;
The lens unit may be blocked by the blocking member.

本発明に係るMSM型受光素子において、前記堰き止め部材は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方からなることができる。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, the damming member may be composed of at least one of the first electrode and the second electrode.

本発明に係るMSM型受光素子において、前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に突起部を有することができる。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, the damming member may have a protrusion on the upper surface of the damming member.

本発明に係るMSM型受光素子において、前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に溝部を有することができる。   In the MSM type light receiving element according to the present invention, the damming member may have a groove on the upper surface of the damming member.

本発明に係る光電子集積素子は、MSM型受光素子と、
TIA(Trans−Impedance Amplifier)と、を含むことができる。
An optoelectronic integrated device according to the present invention includes an MSM type light receiving device,
TIA (Trans-Impedance Amplifier).

本発明に係る光モジュールは、上述のMSM型受光素子と、
発光素子と、を含むことができる。
An optical module according to the present invention includes the above-described MSM type light receiving element,
A light emitting device.

本発明に係る光伝達装置は、上述の光モジュールを含むことができる。   The light transmission device according to the present invention can include the above-described optical module.

本発明に係るMSM型受光素子の製造方法は、
光吸収層の上面に受光面を有するMSM型受光素子の製造方法であって、
基板の上方に光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第1電極を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第2電極を形成する工程と、
前記受光面の上方にレンズ部を形成する工程と、を含み、
前記レンズ部は、前記受光面に光を集める機能を有するように形成される。
The manufacturing method of the MSM type light receiving element according to the present invention includes:
A method of manufacturing an MSM type light receiving element having a light receiving surface on an upper surface of a light absorbing layer,
Forming a light absorption layer above the substrate;
Forming a first electrode above the light absorption layer;
Forming a second electrode above the light absorption layer;
Forming a lens portion above the light receiving surface,
The lens portion is formed to have a function of collecting light on the light receiving surface.

本発明に係るMSM型受光素子の製造方法において、前記受光面は、少なくとも前記第1電極と前記第2電極との間に形成されることができる。   In the method of manufacturing an MSM type light receiving element according to the present invention, the light receiving surface may be formed at least between the first electrode and the second electrode.

本発明に係るMSM型受光素子の製造方法において、前記レンズ部は、該レンズ部の材料を含む液滴を、前記受光面に向けて吐出する液滴吐出法によって形成されることができる。   In the method for manufacturing an MSM type light receiving element according to the present invention, the lens portion may be formed by a droplet discharge method for discharging a droplet including the material of the lens portion toward the light receiving surface.

本発明に係るMSM型受光素子の製造方法において、
前記レンズ部を形成する工程の前に、前記光吸収層の上方に堰き止め部材を形成する工程を含み、
前記レンズ部を形成する工程において、前記液滴は、前記堰き止め部材によって堰き止められることができる。
In the manufacturing method of the MSM type light receiving element according to the present invention,
Including a step of forming a damming member above the light absorption layer before the step of forming the lens portion,
In the step of forming the lens portion, the droplets can be blocked by the blocking member.

以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

1.第1の実施の形態
1−1.デバイスの構造
図1は、本発明を適用した第1の実施の形態に係るMSM型受光素子100を模式的に示す平面図である。また、図2および図3は、図1に示すMSM型受光素子100を模式的に示す断面図である。なお、図2は図1のA−A線に沿った断面図であり、図3は図1のB−B線に沿った断面図である。
1. 1. First embodiment 1-1. Device Structure FIG. 1 is a plan view schematically showing an MSM type light receiving element 100 according to a first embodiment to which the present invention is applied. 2 and 3 are cross-sectional views schematically showing the MSM type light receiving element 100 shown in FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.

本実施の形態に係るMSM型受光素子100は、図1〜図3に示すように、基板10と、光吸収層20と、第1電極30と、第2電極32と、レンズ部50と、を含む。MSM型受光素子100は、光吸収層20の上面20aに受光面40を有する。   As shown in FIGS. 1 to 3, the MSM type light receiving element 100 according to the present embodiment includes a substrate 10, a light absorption layer 20, a first electrode 30, a second electrode 32, a lens unit 50, including. The MSM type light receiving element 100 has a light receiving surface 40 on the upper surface 20 a of the light absorption layer 20.

基板10は、たとえば、GaAs基板やシリコン基板等の半導体基板や、ガラス基板あるいはプラスチック基板などを用いることができる。本実施の形態では半絶縁性GaAs基板を用いる例について説明するが、基板10は、特に限定されるわけではない。   As the substrate 10, for example, a semiconductor substrate such as a GaAs substrate or a silicon substrate, a glass substrate, a plastic substrate, or the like can be used. In this embodiment, an example in which a semi-insulating GaAs substrate is used will be described, but the substrate 10 is not particularly limited.

光吸収層20は、基板10上に形成された柱状の半導体堆積体である。すなわち、光吸収層20の立体形状は円柱状である。光吸収層20の立体形状は特に限定されないが、その上面20a上にレンズ部50を設置することができる構造であることができる。光吸収層20は、レンズ部50の土台となることができる。言い換えるならば、レンズ部50の土台部材は、光吸収層20からなることができる。   The light absorption layer 20 is a columnar semiconductor deposited body formed on the substrate 10. That is, the three-dimensional shape of the light absorption layer 20 is a cylindrical shape. Although the three-dimensional shape of the light absorption layer 20 is not particularly limited, the light absorbing layer 20 may have a structure in which the lens unit 50 can be installed on the upper surface 20a. The light absorption layer 20 can be a base of the lens unit 50. In other words, the base member of the lens unit 50 can be composed of the light absorption layer 20.

光吸収層(土台部材)20の上面20aの形状は、光吸収層20の上面20a上に形成されるレンズ部50の機能や用途によって定められる。言い換えれば、光吸収層20の上面20aの形状を制御することによって、レンズ部50の形状を制御することができる。たとえば、図1に示すように、光吸収層20の上面20aの平面形状を円にすることができる。これにより、レンズ部50の立体形状を、球状、または球の一部を切り取った形状(図1〜図3参照)に形成することができる。また、たとえば、光吸収層20の上面20aの平面形状を矩形にすることもできる。光吸収層20は、たとえば、不純物がドーピングされていないGaAs層からなることができる。   The shape of the upper surface 20 a of the light absorption layer (base member) 20 is determined by the function and application of the lens unit 50 formed on the upper surface 20 a of the light absorption layer 20. In other words, by controlling the shape of the upper surface 20a of the light absorption layer 20, the shape of the lens unit 50 can be controlled. For example, as shown in FIG. 1, the planar shape of the upper surface 20a of the light absorption layer 20 can be a circle. Thereby, the three-dimensional shape of the lens unit 50 can be formed into a spherical shape or a shape obtained by cutting out a part of the spherical shape (see FIGS. 1 to 3). Further, for example, the planar shape of the upper surface 20a of the light absorption layer 20 can be rectangular. The light absorption layer 20 can be made of, for example, a GaAs layer not doped with impurities.

図1〜図3に示すように、第1電極30および第2電極32は、光吸収層20上に形成されている。この第1電極30および第2電極32は、MSM型受光素子100に電圧を印加して、MSM型受光素子100を駆動させるために使用される。第1電極30および第2電極32は、それぞれ櫛型に形成されている。第1電極30と第2電極32とは、所定の間隔をあけて噛み合わされるように配置されている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the first electrode 30 and the second electrode 32 are formed on the light absorption layer 20. The first electrode 30 and the second electrode 32 are used to drive the MSM light receiving element 100 by applying a voltage to the MSM light receiving element 100. The first electrode 30 and the second electrode 32 are each formed in a comb shape. The first electrode 30 and the second electrode 32 are arranged so as to be engaged with each other with a predetermined interval.

具体的には、第1電極30は、第1の方向(図1の例ではX方向)に延在する主軸部30aと、第1の方向に直交する第2の方向(図1の例ではY方向)に延在する分岐部30bと、を有する。第2電極32は、第1の方向に延在する主軸部32aと、第1の方向に直交する第2の方向に延在する分岐部32bと、を有する。   Specifically, the first electrode 30 includes a main shaft portion 30a extending in a first direction (X direction in the example of FIG. 1) and a second direction (in the example of FIG. 1) orthogonal to the first direction. Branching portion 30b extending in the (Y direction). The second electrode 32 includes a main shaft portion 32a extending in the first direction and a branching portion 32b extending in a second direction orthogonal to the first direction.

第1電極30における分岐部30bと第2電極32における分岐部32bとは、それぞれが交互に、所定の間隔をあけて配置されている。第1電極30における主軸部30aは、第2電極32における分岐部32bと、所定の間隔をあけて配置されている。第2電極32における主軸部32aは、第1電極30における分岐部30bと、所定の間隔をあけて配置されている。第1電極30の分岐部30bおよび第2電極32の分岐部32bは、図1の例ではそれぞれ3本であるが、それぞれ2本以上ならば所望の櫛型形状を有する電極を構成することができる。なお、第1電極30および第2電極32は、櫛型形状を有する場合に限定されるわけではない。   The branch portions 30b in the first electrode 30 and the branch portions 32b in the second electrode 32 are alternately arranged at a predetermined interval. The main shaft portion 30a in the first electrode 30 is disposed at a predetermined interval from the branch portion 32b in the second electrode 32. The main shaft portion 32a in the second electrode 32 is disposed at a predetermined interval from the branch portion 30b in the first electrode 30. The number of branch portions 30b of the first electrode 30 and the number of branch portions 32b of the second electrode 32 are three in the example of FIG. 1, but an electrode having a desired comb shape can be formed if there are two or more. it can. The first electrode 30 and the second electrode 32 are not limited to having a comb shape.

第1電極30は、第1パッド部30cを有する。第1パッド部30cは、たとえば、第1電極30の主軸部30aの端部に配置されている。第2電極32は、第2パッド部32cを有する。第2パッド部32cは、たとえば、第2電極32の主軸部32aの端部に配置されている。第1パッド部30cおよび第2パッド部32cは、電極パッドとして用いることができる。   The first electrode 30 has a first pad portion 30c. For example, the first pad portion 30 c is disposed at the end of the main shaft portion 30 a of the first electrode 30. The second electrode 32 has a second pad portion 32c. For example, the second pad portion 32 c is disposed at the end of the main shaft portion 32 a of the second electrode 32. The first pad portion 30c and the second pad portion 32c can be used as electrode pads.

第1電極30と第2電極32との間には開口部42が設けられている。少なくともこの開口部42によって露出した光吸収層20の上面20aは、受光面40である。したがって、開口部42の平面形状および大きさを適宜設定することにより、受光面40の形状および大きさを適宜設定することができる。   An opening 42 is provided between the first electrode 30 and the second electrode 32. At least the upper surface 20 a of the light absorption layer 20 exposed through the opening 42 is a light receiving surface 40. Therefore, the shape and size of the light receiving surface 40 can be appropriately set by appropriately setting the planar shape and size of the opening 42.

第1電極30および第2電極32には、光吸収層20とショットキー接触する材料を用いることができる。第1電極30および第2電極32は、たとえば、チタン(Ti)と、白金(Pt)と、金(Au)との積層膜、または、チタンと、パラジウム(Pd)と、金との積層膜などからなることができる。第1電極30と第2電極32とによって光吸収層20に電圧が印加される。なお、第1電極30および第2電極32を形成するための材料は、前述したものに限定されるわけではない。   For the first electrode 30 and the second electrode 32, a material that is in Schottky contact with the light absorption layer 20 can be used. The first electrode 30 and the second electrode 32 are, for example, a laminated film of titanium (Ti), platinum (Pt), and gold (Au), or a laminated film of titanium, palladium (Pd), and gold. It can consist of A voltage is applied to the light absorption layer 20 by the first electrode 30 and the second electrode 32. The materials for forming the first electrode 30 and the second electrode 32 are not limited to those described above.

レンズ部50は、光吸収層20、第1電極30、および第2電極32上にブロック状に形成されている。言い換えるならば、レンズ部50は、光吸収層20、第1電極30、および第2電極32上に一つの塊として形成されている。レンズ部50の形状は、受光面40に光を集める機能を有する形状とすることができる。レンズ部50の形状は、たとえば、凸状の形状であることができる。より具体的には、レンズ部50の形状は、たとえば、図1〜図3に示すように、1つの球の一部を切り取った形状とすることができる。レンズ部50は、受光面40に光を集める機能を有することができる。具体的には、以下の通りである。   The lens unit 50 is formed in a block shape on the light absorption layer 20, the first electrode 30, and the second electrode 32. In other words, the lens unit 50 is formed as one lump on the light absorption layer 20, the first electrode 30, and the second electrode 32. The shape of the lens unit 50 can be a shape having a function of collecting light on the light receiving surface 40. The shape of the lens unit 50 can be, for example, a convex shape. More specifically, the shape of the lens unit 50 can be a shape obtained by cutting a part of one sphere, as shown in FIGS. The lens unit 50 can have a function of collecting light on the light receiving surface 40. Specifically, it is as follows.

図4は、MSM型受光素子100に入射する光のうちの一部の経路を模式的に示す図であり、図2に示す断面図に対応している。まず、図4に示すように、本実施の形態に係るMSM型受光素子100の外部から、光(図4に示す矢印a)がレンズ部50に入射される。ここで、仮にレンズ部50を有しない場合には、光は図4に示す矢印bの方向に進む。そして、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40の存在する領域40aの外側の光(たとえば、図4の矢印aに示される光)は、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40に到達することはない。これに対し、本実施の形態に係るMSM型受光素子100では、レンズ部50により光(図4に示す矢印a)は屈折され、たとえば、図4に示す矢印cの方向に進む。そして、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40の存在する領域40aの外側の光は、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40に到達する。このように、レンズ部50は、受光面40に光を集める機能を有することができる。   FIG. 4 is a view schematically showing a part of the light incident on the MSM type light receiving element 100, and corresponds to the cross-sectional view shown in FIG. First, as shown in FIG. 4, light (arrow a shown in FIG. 4) enters the lens unit 50 from the outside of the MSM type light receiving element 100 according to the present embodiment. Here, if the lens unit 50 is not provided, the light travels in the direction of the arrow b shown in FIG. Then, the light outside the region 40a formed between the first electrode 30 and the second electrode 32 where the light receiving surface 40 exists (for example, the light indicated by the arrow a in FIG. 4) It does not reach the light receiving surface 40 formed between the second electrode 32 and the second electrode 32. On the other hand, in the MSM type light receiving element 100 according to the present embodiment, the light (arrow a shown in FIG. 4) is refracted by the lens unit 50 and proceeds, for example, in the direction of the arrow c shown in FIG. The light outside the region 40 a where the light receiving surface 40 formed between the first electrode 30 and the second electrode 32 is present is the light receiving surface formed between the first electrode 30 and the second electrode 32. 40 is reached. Thus, the lens unit 50 can have a function of collecting light on the light receiving surface 40.

本実施の形態に係るMSM型受光素子100においては、受光面40と平行な面でレンズ部50を切断して得られる断面の面積が最大となる断面の形状は円形である。図4に示すように、受光面40と平行な面でレンズ部50を切断して得られる断面の最大径R(直径)を、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40の存在する領域40aの幅Lよりも大きくすることができる。   In the MSM type light receiving element 100 according to the present embodiment, the shape of the cross section where the area of the cross section obtained by cutting the lens unit 50 along a plane parallel to the light receiving surface 40 is a circle is circular. As shown in FIG. 4, the maximum diameter R (diameter) of the cross section obtained by cutting the lens unit 50 along a plane parallel to the light receiving surface 40 is formed between the first electrode 30 and the second electrode 32. The width L of the region 40a where the light receiving surface 40 exists can be made larger.

レンズ部50は、たとえば熱または光等のエネルギーによって硬化可能な液体材料(たとえば紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂の前駆体)を硬化させることにより形成される。紫外線硬化型樹脂としては、たとえば紫外線硬化型のアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂が挙げられる。また、熱硬化型樹脂としては、熱硬化型のポリイミド系樹脂等が例示できる。   The lens unit 50 is formed by curing a liquid material (for example, an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin precursor) that can be cured by energy such as heat or light. Examples of the ultraviolet curable resin include an ultraviolet curable acrylic resin and an epoxy resin. Examples of the thermosetting resin include thermosetting polyimide resins.

1−2.デバイスの製造方法
次に、図1〜図3に示すMSM型受光素子100の製造方法について、図5〜図8を参照して説明する。図5〜図8はそれぞれ、図1〜図3に示すMSM型受光素子100の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図2に示す断面に対応している。
1-2. Device Manufacturing Method Next, a method for manufacturing the MSM type light receiving element 100 shown in FIGS. 1 to 3 will be described with reference to FIGS. 5 to 8 are cross-sectional views schematically showing one manufacturing process of the MSM type light receiving element 100 shown in FIGS. 1 to 3, and each correspond to the cross section shown in FIG.

(1)まず、図5に示すように、半絶縁性GaAsからなる基板10の表面にエピタキシャル成長させることにより、光吸収層20を形成する。光吸収層20は、たとえば不純物がドーピングされていないGaAs層からなることができる。エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、基板10の種類、あるいは形成する光吸収層20の種類、厚さなどによって適宜決定されるが、一般に、450℃〜800℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長(MOVPE:Metal−Organic Vapor Phase Epitaxy)法や、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法、あるいはLPE(Liquid Phase Epitaxy)法などを用いることができる。   (1) First, as shown in FIG. 5, the light absorption layer 20 is formed by epitaxial growth on the surface of the substrate 10 made of semi-insulating GaAs. The light absorption layer 20 can be made of, for example, a GaAs layer not doped with impurities. The temperature at which the epitaxial growth is performed is appropriately determined depending on the growth method, the raw material, the type of the substrate 10, the type of the light absorption layer 20 to be formed, the thickness, and the like, but is generally preferably 450 ° C. to 800 ° C. . Further, the time required for performing the epitaxial growth is also appropriately determined in the same manner as the temperature. In addition, as a method of epitaxial growth, a metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) method, an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method, an LPE (Liquid Phase Epitaxy) method, or the like can be used.

(2)次に、光吸収層20上に、レジストを塗布した後、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、図6に示すように、所定のパターンのレジスト層R1を形成する。レジスト層R1は、光吸収層20(図1〜図3参照)の形成予定領域の上方に形成する。次に、このレジスト層R1をマスクとして、たとえば、ドライエッチング法またはウェットエッチング法などにより、光吸収層20をパターニングする。その後、レジスト層R1を除去する。   (2) Next, after applying a resist on the light absorption layer 20, the resist is patterned by a lithography method to form a resist layer R1 having a predetermined pattern as shown in FIG. The resist layer R1 is formed above a region where the light absorption layer 20 (see FIGS. 1 to 3) is to be formed. Next, using this resist layer R1 as a mask, the light absorption layer 20 is patterned by, for example, a dry etching method or a wet etching method. Thereafter, the resist layer R1 is removed.

(3)次に、光吸収層20に電圧を印加するための第1電極30、第2電極32および光の受光面40(図1〜図3参照)を形成する工程について述べる。   (3) Next, a process of forming the first electrode 30, the second electrode 32, and the light receiving surface 40 (see FIGS. 1 to 3) for applying a voltage to the light absorption layer 20 will be described.

まず、第1電極30および第2電極32を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、少なくとも光吸収層20の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。次に、図7に示すように、たとえば真空蒸着法により光吸収層20の上面に、たとえばチタンと、白金と、金との積層膜を形成した後、リフトオフ法により、光吸収層20の上面に、前記積層膜が形成されていない部分を形成する。この部分が受光面40となる。すなわち、受光面40は、少なくとも第1電極30と第2電極32との間に形成される。第1電極30および第2電極32は、それぞれ櫛型になるように形成される。第1電極30と第2電極32とは、所定の間隔をあけて噛み合わされるように配置される。   First, before forming the first electrode 30 and the second electrode 32, at least the upper surface of the light absorption layer 20 is cleaned using a plasma treatment method or the like as necessary. Thereby, an element having more stable characteristics can be formed. Next, as shown in FIG. 7, for example, a laminated film of titanium, platinum, and gold is formed on the upper surface of the light absorption layer 20 by, for example, vacuum deposition, and then the upper surface of the light absorption layer 20 by lift-off method. Then, a portion where the laminated film is not formed is formed. This portion becomes the light receiving surface 40. That is, the light receiving surface 40 is formed at least between the first electrode 30 and the second electrode 32. The first electrode 30 and the second electrode 32 are each formed in a comb shape. The first electrode 30 and the second electrode 32 are arranged to be engaged with each other with a predetermined interval.

なお、前記工程において、リフトオフ法のかわりに、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いることもできる。次いで、アニール処理する。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施の形態で用いた電極材料の場合は、通常400℃前後で行う。以上の工程により、第1電極30および第2電極32が形成される。   In the above process, a dry etching method or a wet etching method can be used instead of the lift-off method. Next, annealing is performed. The annealing temperature depends on the electrode material. In the case of the electrode material used in the present embodiment, it is usually performed at around 400 ° C. Through the above steps, the first electrode 30 and the second electrode 32 are formed.

(4)次に、基板10上の全面に撥液処理を行うことができる。撥液処理としては、たとえば、基板10をFAS(フルオロアルキルシラン)ガスの雰囲気中に投入することによって、基板10上の全面にFASの撥液膜を形成することで行うことができる。撥液膜とは、後述するレンズ部50となるレンズ部前駆体50aに対して撥液性を有する膜をいう。撥液処理を行うことにより、より確実に所望の形状を有するレンズ部50を形成することができる。   (4) Next, a liquid repellent treatment can be performed on the entire surface of the substrate 10. The liquid repellent treatment can be performed, for example, by forming an FAS liquid repellent film on the entire surface of the substrate 10 by putting the substrate 10 in an atmosphere of FAS (fluoroalkylsilane) gas. The liquid repellent film refers to a film having liquid repellency with respect to a lens portion precursor 50a to be a lens portion 50 described later. By performing the liquid repellent treatment, the lens portion 50 having a desired shape can be formed more reliably.

(5)次いで、レンズ部前駆体50aを形成する。具体的には、図8に示すように、光吸収層20の上面20aの受光面40に対して、レンズ部50を形成するための液体材料の液滴52を吐出して、レンズ部前駆体50aを形成する。レンズ部前駆体50aは、レンズ部50(図1〜図3参照)が所望の形状となるような形状に形成される。   (5) Next, the lens part precursor 50a is formed. Specifically, as shown in FIG. 8, a droplet 52 of a liquid material for forming the lens unit 50 is ejected onto the light receiving surface 40 of the upper surface 20a of the light absorption layer 20 to form a lens unit precursor. 50a is formed. The lens part precursor 50a is formed in a shape such that the lens part 50 (see FIGS. 1 to 3) has a desired shape.

前記液体材料は、エネルギー(たとえば、紫外線や熱など)を付加することによって硬化可能な性質を有する。液体材料としては、たとえば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂の前駆体が挙げられる。紫外線硬化型樹脂としては、たとえば紫外線硬化型のアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂などが挙げられる。また、熱硬化型樹脂としては、たとえば熱硬化型のポリイミド系樹脂などが挙げられる。   The liquid material has a property of being curable by applying energy (for example, ultraviolet rays or heat). Examples of the liquid material include an ultraviolet curable resin and a thermosetting resin precursor. Examples of the ultraviolet curable resin include an ultraviolet curable acrylic resin and an epoxy resin. Examples of the thermosetting resin include thermosetting polyimide resins.

紫外線硬化型樹脂の前駆体は、短時間の紫外線照射によって硬化する。このため、熱工程など素子に対するダメージを与えやすい工程を経ずに硬化させることができる。このため、紫外線硬化型樹脂の前駆体を用いてレンズ部50を形成することにより、素子に対する影響を少なくすることができる。   The precursor of the ultraviolet curable resin is cured by short-time ultraviolet irradiation. For this reason, it can harden | cure, without passing through the process which is easy to give a damage with respect to elements, such as a thermal process. For this reason, the influence with respect to an element can be decreased by forming the lens part 50 using the precursor of an ultraviolet curable resin.

液滴52を吐出する方法としては、たとえば、ディスペンサ法または液滴吐出法が挙げられる。ディスペンサ法は、液滴を吐出する方法として一般的な方法であり、比較的広い領域に液滴52を吐出する場合に有効である。また、液滴吐出法は、液滴吐出用のヘッドを用いて液滴を吐出する方法であり、液滴を吐出する位置についてμmオーダーの単位で制御が可能である。また、吐出する液滴の量を、ピコリットルオーダーの単位で制御することができるため、微細な構造のレンズ部50を作製することができる。本実施の形態では、液滴吐出法を用いる例について説明する。   Examples of the method for discharging the droplet 52 include a dispenser method and a droplet discharge method. The dispenser method is a general method for discharging droplets, and is effective when the droplets 52 are discharged over a relatively wide area. The droplet discharge method is a method of discharging droplets using a droplet discharge head, and the position at which droplets are discharged can be controlled in units of μm. Further, since the amount of liquid droplets to be discharged can be controlled in units of picoliters, the lens unit 50 having a fine structure can be manufactured. In this embodiment, an example in which a droplet discharge method is used will be described.

液滴吐出法としては、たとえば、(I)熱により液体(ここでは液滴52)中の気泡の大きさを変化させることで圧力を生じさせ、液体をインクジェットヘッド114のノズル112から吐出させる方法や、(II)圧電素子により生じた圧力によって液体をインクジェットヘッド114のノズル112から吐出させる方法などがある。圧力の制御性の観点からは、前記(II)の方法が望ましい。   As the droplet discharge method, for example, (I) a method in which pressure is generated by changing the size of bubbles in the liquid (here, the droplet 52) by heat, and the liquid is discharged from the nozzle 112 of the inkjet head 114. And (II) a method of discharging a liquid from the nozzle 112 of the inkjet head 114 by a pressure generated by the piezoelectric element. From the viewpoint of controllability of pressure, the method (II) is desirable.

インクジェットヘッド114のノズル112の位置と、液滴52の吐出位置とのアライメントは、一般的な半導体集積回路の製造工程における露光工程や検査工程で用いられる公知の画像認識技術を用いて行なわれる。たとえば、インクジェットヘッド114のノズル112の位置と、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40の位置とのアライメントを画像認識により行う。アライメント後、インクジェットヘッド114に印加する電圧を制御した後、液滴52を吐出する。   The alignment between the position of the nozzle 112 of the inkjet head 114 and the discharge position of the droplet 52 is performed using a known image recognition technique used in an exposure process or an inspection process in a general semiconductor integrated circuit manufacturing process. For example, alignment between the position of the nozzle 112 of the inkjet head 114 and the position of the light receiving surface 40 formed between the first electrode 30 and the second electrode 32 is performed by image recognition. After the alignment, the voltage applied to the inkjet head 114 is controlled, and then the droplet 52 is ejected.

(6)次いで、レンズ部前駆体50aを硬化させて、図1〜図3に示すように、レンズ部50を形成する。具体的には、レンズ部前駆体50aに対して、熱または光等のエネルギーを付与する。レンズ部前駆体50aを硬化する際は、液体材料の種類により適切な方法を用いる。具体的には、例えば、熱エネルギーの付加、あるいは紫外線またはレーザ光等の光照射が挙げられる。   (6) Next, the lens part precursor 50a is cured to form the lens part 50 as shown in FIGS. Specifically, energy such as heat or light is applied to the lens portion precursor 50a. When the lens part precursor 50a is cured, an appropriate method is used depending on the type of the liquid material. Specifically, for example, addition of heat energy or light irradiation such as ultraviolet light or laser light can be mentioned.

以上のプロセスにより、図1〜図3に示すMSM型受光素子100が得られる。   Through the above process, the MSM type light receiving element 100 shown in FIGS. 1 to 3 is obtained.

1−3.作用・効果
本実施の形態に係るMSM型受光素子100によれば、MSM型受光素子100の受光面40の全体にレンズ部50が形成されていることにより、基板10の上面に対して水平方向(図1〜図3の例では、X−Y平面方向)の光軸ずれの許容範囲が広がる。すなわち、本実施の形態に係るMSM型受光素子100によれば、基板10の上面に対して水平方向のトレランスが向上する。
1-3. Action / Effect According to the MSM type light receiving element 100 according to the present embodiment, the lens unit 50 is formed on the entire light receiving surface 40 of the MSM type light receiving element 100, and thus the horizontal direction with respect to the upper surface of the substrate 10. The allowable range of the optical axis deviation in the example of FIGS. 1 to 3 is increased. That is, according to the MSM type light receiving element 100 according to the present embodiment, the tolerance in the horizontal direction with respect to the upper surface of the substrate 10 is improved.

また、本実施の形態に係るMSM型受光素子100によれば、MSM型受光素子100の受光面40の全体にレンズ部50が形成されていることにより、基板10の上面に対して垂直方向(図1〜図3の例では、Z方向)のトレランスが向上する。   Further, according to the MSM type light receiving element 100 according to the present embodiment, the lens unit 50 is formed on the entire light receiving surface 40 of the MSM type light receiving element 100, so that the direction perpendicular to the upper surface of the substrate 10 ( In the example of FIGS. 1 to 3, the tolerance in the Z direction) is improved.

また、本実施の形態に係るMSM型受光素子100およびその製造方法によれば、光吸収層20がレンズ部50の土台部材となる。このように土台部材があることにより、レンズ部50を所望の形状に形成することが容易となる。   Further, according to the MSM type light receiving element 100 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, the light absorption layer 20 serves as a base member of the lens unit 50. The presence of the base member makes it easy to form the lens unit 50 in a desired shape.

1−4.変形例
図1〜図3に示すMSM型受光素子100では、レンズ部50の土台である土台部材が光吸収層20からなる場合について示したが、たとえば、図9に示すように、光吸収層20上に光吸収層20とは別の材質からなる土台部材60を形成することもできる。土台部材60は、所定波長の光を通過させる材質からなる。具体的には、土台部材60は、レンズ部50へ入射した光を通過させることができる材質からなる。たとえば、土台部材60は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、あるいはフッ素系樹脂を用いて形成することができる。なお、土台部材60は、所定波長の光を吸収する材質からなることもできる。土台部材60の形成は、土台部材60の材質や形状ならびに大きさに応じて適切な方法(例えば選択成長法、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、リフトオフ法、転写法等)を選択することができる。なお、図9は、この場合のMSM型受光素子100を模式的に示す断面図であり、図2の断面図に対応している。
1-4. Modified Example In the MSM type light receiving element 100 shown in FIG. 1 to FIG. 3, the case where the base member that is the base of the lens unit 50 is made of the light absorbing layer 20 is shown. For example, as shown in FIG. A base member 60 made of a material different from that of the light absorption layer 20 may be formed on the substrate 20. The base member 60 is made of a material that transmits light of a predetermined wavelength. Specifically, the base member 60 is made of a material that can transmit light incident on the lens unit 50. For example, the base member 60 can be formed using a polyimide resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a fluorine resin. The base member 60 can also be made of a material that absorbs light of a predetermined wavelength. For the formation of the base member 60, an appropriate method (for example, a selective growth method, a dry etching method, a wet etching method, a lift-off method, a transfer method, etc.) can be selected according to the material, shape, and size of the base member 60. . FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the MSM type light receiving element 100 in this case, and corresponds to the cross-sectional view of FIG.

また、たとえば、図10に示すように、光吸収層20上であって、第1電極30および第2電極32の周囲に堰き止め部材60を形成することができる。堰き止め部材60の断面形状および平面形状は、上述したレンズ部前駆体50a(図8参照)を形成する工程において、レンズ部前駆体50aが所望の形状になるまでレンズ部前駆体50aの流出を堰き止めることができる形状であることができる。図10に示す例では、堰き止め部材60の断面形状は矩形である。堰き止め部材60の平面形状は、図示しないが、たとえば円形のリング形状などである。   For example, as shown in FIG. 10, a damming member 60 can be formed on the light absorption layer 20 and around the first electrode 30 and the second electrode 32. The cross-sectional shape and planar shape of the damming member 60 are such that the lens part precursor 50a flows out until the lens part precursor 50a has a desired shape in the above-described process of forming the lens part precursor 50a (see FIG. 8). The shape can be dammed. In the example shown in FIG. 10, the cross-sectional shape of the blocking member 60 is a rectangle. Although the planar shape of the damming member 60 is not shown, it is, for example, a circular ring shape.

堰き止め部材60としては、たとえばレジスト層を用いることができる。堰き止め部材60としてレジスト層を用いた場合には、堰き止め部材60のパターニングは、公知のリソグラフィ技術を用いて行うことができる。堰き止め部材60としては、レジスト層に限定されず、たとえば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、あるいはフッ素系樹脂などを用いて形成することができる。なお、図10は、この場合のMSM型受光素子100を模式的に示す断面図であり、図2の断面図に対応している。   As the damming member 60, for example, a resist layer can be used. When a resist layer is used as the damming member 60, patterning of the damming member 60 can be performed using a known lithography technique. The damming member 60 is not limited to a resist layer, and can be formed using, for example, a polyimide resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a fluorine resin. FIG. 10 is a sectional view schematically showing the MSM type light receiving element 100 in this case, and corresponds to the sectional view of FIG.

また、たとえば、図11に示すように、堰き止め部材60は、光吸収層20と一体化して形成されたものであってもよい。すなわち、この場合、堰き止め部材60は光吸収層20と同一の材料から形成される。このような堰き止め部材60は、たとえば、光吸収層20をパターニングすることにより形成できる。なお、図11は、この場合のMSM型受光素子100を模式的に示す断面図であり、図2の断面図に対応している。   For example, as shown in FIG. 11, the damming member 60 may be formed integrally with the light absorption layer 20. That is, in this case, the damming member 60 is formed from the same material as the light absorption layer 20. Such a blocking member 60 can be formed, for example, by patterning the light absorption layer 20. FIG. 11 is a sectional view schematically showing the MSM type light receiving element 100 in this case, and corresponds to the sectional view of FIG.

2.第2の実施の形態
2−1.デバイスの構造
図12は、本発明を適用した第2の実施の形態に係るMSM型受光素子200を模式的に示す平面図である。また、図13は、図12に示すMSM型受光素子200を模式的に示す断面図である。なお、図13は図12のA−A線に沿った断面図である。第1の実施の形態に係るMSM型受光素子100と実質的に同じ構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
2. Second embodiment 2-1. Device Structure FIG. 12 is a plan view schematically showing an MSM type light receiving element 200 according to a second embodiment to which the present invention is applied. FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing the MSM type light receiving element 200 shown in FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. Constituent elements substantially the same as those of the MSM type light receiving element 100 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態に係るMSM型受光素子200は、図12および図13に示すように、基板10と、光吸収層20と、第1電極30と、第2電極32と、レンズ部50と、を含む。光吸収層20は、基板10上の全面に形成されている。   As shown in FIGS. 12 and 13, the MSM type light receiving element 200 according to the present embodiment includes a substrate 10, a light absorption layer 20, a first electrode 30, a second electrode 32, a lens unit 50, including. The light absorption layer 20 is formed on the entire surface of the substrate 10.

第1電極30および第2電極32は、光吸収層20上に形成されている。第1電極30および第2電極32は、第1の実施の形態と同様に、それぞれ櫛型に形成されている。第1電極30と第2電極32とは、所定の間隔をあけて噛み合わされるように配置されている。   The first electrode 30 and the second electrode 32 are formed on the light absorption layer 20. The first electrode 30 and the second electrode 32 are each formed in a comb shape as in the first embodiment. The first electrode 30 and the second electrode 32 are arranged so as to be engaged with each other with a predetermined interval.

第1電極30は、図13に示すように、上面に第1突起部31を有し、かつ、第2電極32は、上面に第2突起部33を有する。このことにより、後述するレンズ部前駆体50a(図18参照)を形成する工程において、第1電極30および第2電極32は、レンズ部前駆体50aが所望の形状になるまでレンズ部前駆体50aの流出を堰き止めることができる。言い換えるならば、レンズ部前駆体50aを形成する工程において、第1電極30および第2電極32は、レンズ部前駆体50aの流出を堰き止める堰き止め部材となることができる。   As shown in FIG. 13, the first electrode 30 has a first protrusion 31 on the upper surface, and the second electrode 32 has a second protrusion 33 on the upper surface. As a result, in the step of forming a lens portion precursor 50a (see FIG. 18) described later, the first electrode 30 and the second electrode 32 have the lens portion precursor 50a until the lens portion precursor 50a has a desired shape. Can be blocked. In other words, in the step of forming the lens portion precursor 50a, the first electrode 30 and the second electrode 32 can serve as a blocking member that blocks outflow of the lens portion precursor 50a.

レンズ部50は、光吸収層20上であって、第1電極30と第2電極32との間に線状に形成されている。言い換えるならば、レンズ部50は、光吸収層20上であって、第1電極30と第2電極32との間を縫って形成されている。レンズ部50は、図13に示すように、上部51と、下部53とから構成されている。レンズ部50の上部51は、凸状の形状を有する。レンズ部50の上部51の一部は、第1電極30および第2電極32の上面の一部を覆っている。具体的には、図13に示すように、レンズ部50の上部51の一部は、第1電極30の突起部31の側方に位置する第1電極30の上面30Aと、第2電極32の突起部33の側方に位置する第2電極32の上面32Aと、を覆っている。   The lens unit 50 is formed on the light absorption layer 20 and linearly between the first electrode 30 and the second electrode 32. In other words, the lens unit 50 is formed on the light absorption layer 20 by sewing between the first electrode 30 and the second electrode 32. The lens part 50 is comprised from the upper part 51 and the lower part 53, as shown in FIG. The upper part 51 of the lens unit 50 has a convex shape. A part of the upper part 51 of the lens unit 50 covers part of the upper surfaces of the first electrode 30 and the second electrode 32. Specifically, as shown in FIG. 13, a part of the upper portion 51 of the lens unit 50 includes an upper surface 30 </ b> A of the first electrode 30 positioned on the side of the protrusion 31 of the first electrode 30 and the second electrode 32. The upper surface 32A of the second electrode 32 located on the side of the protrusion 33 is covered.

レンズ部50は、受光面40に光を集める機能を有することができる。具体的には以下の通りである。   The lens unit 50 can have a function of collecting light on the light receiving surface 40. Specifically, it is as follows.

図14は、入射光のうちの一部の経路を模式的に示す図であり、図13に示す断面図に対応している。まず、図14に示すように、本実施の形態に係るMSM型受光素子200の外部から、光(図14に示す矢印a)がレンズ部50に入射される。ここで、仮にレンズ部50を有しない場合には、光は図4に示す矢印bの方向に進む。そして、第1電極30および第2電極32の垂直上方から入射する光(たとえば、図14の矢印aに示される光)は、第1電極30および第2電極32によって反射され、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40に到達することはない。これに対し、本実施の形態に係るMSM型受光素子200では、レンズ部50により光(図14に示す矢印a)は屈折され、たとえば図14に示す矢印cの方向に進む。そして、第1電極30および第2電極32の垂直上方から入射する光は、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40に到達する。このように、レンズ部50は、受光面40に光を集める機能を有することができる。   FIG. 14 is a diagram schematically showing a part of the incident light, and corresponds to the cross-sectional view shown in FIG. First, as shown in FIG. 14, light (arrow a shown in FIG. 14) enters the lens unit 50 from the outside of the MSM type light receiving element 200 according to the present embodiment. Here, if the lens unit 50 is not provided, the light travels in the direction of the arrow b shown in FIG. Then, light (for example, light indicated by arrow a in FIG. 14) incident from vertically above the first electrode 30 and the second electrode 32 is reflected by the first electrode 30 and the second electrode 32, and the first electrode 30. And the light receiving surface 40 formed between the second electrode 32 and the second electrode 32 is not reached. On the other hand, in the MSM type light receiving element 200 according to the present embodiment, the light (arrow a shown in FIG. 14) is refracted by the lens unit 50 and proceeds, for example, in the direction of the arrow c shown in FIG. Then, light incident from vertically above the first electrode 30 and the second electrode 32 reaches the light receiving surface 40 formed between the first electrode 30 and the second electrode 32. Thus, the lens unit 50 can have a function of collecting light on the light receiving surface 40.

2−2.デバイスの製造方法
次に、図12および図13に示すMSM型受光素子200の製造方法について、図15〜図18を参照して説明する。図15〜図18はそれぞれ、図12および図13に示すMSM型受光素子200の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図13に示す断面に対応している。
2-2. Device Manufacturing Method Next, a method for manufacturing the MSM type light receiving element 200 shown in FIGS. 12 and 13 will be described with reference to FIGS. FIGS. 15 to 18 are cross-sectional views schematically showing one manufacturing process of the MSM type light receiving element 200 shown in FIGS. 12 and 13, respectively, corresponding to the cross sections shown in FIG.

(1)まず、図15に示すように、半絶縁性GaAsからなる基板10の表面にエピタキシャル成長させることにより、光吸収層20を形成する。光吸収層20は、たとえば不純物がドーピングされていないGaAs層からなることができる。エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、基板10の種類、あるいは形成する光吸収層20の種類、厚さなどによって適宜決定されるが、一般に、450℃〜800℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長(MOVPE:Metal−Organic Vapor Phase Epitaxy)法や、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法、あるいはLPE(Liquid Phase Epitaxy)法などを用いることができる。   (1) First, as shown in FIG. 15, the light absorption layer 20 is formed by epitaxial growth on the surface of the substrate 10 made of semi-insulating GaAs. The light absorption layer 20 can be made of, for example, a GaAs layer not doped with impurities. The temperature at which the epitaxial growth is performed is appropriately determined depending on the growth method, the raw material, the type of the substrate 10, the type of the light absorption layer 20 to be formed, the thickness, and the like, but is generally preferably 450 ° C. to 800 ° C. . Further, the time required for performing the epitaxial growth is also appropriately determined in the same manner as the temperature. In addition, as a method of epitaxial growth, a metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) method, an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method, an LPE (Liquid Phase Epitaxy) method, or the like can be used.

(2)次に、光吸収層20に電圧を印加するための第1電極30、第2電極32および光の受光面40(図12および図13参照)を形成する工程について述べる。   (2) Next, a process of forming the first electrode 30, the second electrode 32, and the light receiving surface 40 (see FIGS. 12 and 13) for applying a voltage to the light absorption layer 20 will be described.

まず、第1電極30および第2電極32を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、少なくとも光吸収層20の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。次に、図16に示すように、たとえば真空蒸着法により光吸収層20の上面に、たとえばチタンと、白金と、金との積層膜を形成した後、リフトオフ法により、光吸収層20の上面に、前記積層膜が形成されていない部分を形成する。この部分が受光面40となる。すなわち、受光面40は、少なくとも第1電極30と第2電極32との間に形成される。第1電極30および第2電極32は、それぞれ櫛型になるように形成される。第1電極30と第2電極32とは、所定の間隔をあけて噛み合わされるように配置される。   First, before forming the first electrode 30 and the second electrode 32, at least the upper surface of the light absorption layer 20 is cleaned using a plasma treatment method or the like as necessary. Thereby, an element having more stable characteristics can be formed. Next, as shown in FIG. 16, a laminated film of, for example, titanium, platinum, and gold is formed on the upper surface of the light absorption layer 20 by, for example, vacuum deposition, and then the upper surface of the light absorption layer 20 by lift-off method. Then, a portion where the laminated film is not formed is formed. This portion becomes the light receiving surface 40. That is, the light receiving surface 40 is formed at least between the first electrode 30 and the second electrode 32. The first electrode 30 and the second electrode 32 are each formed in a comb shape. The first electrode 30 and the second electrode 32 are arranged to be engaged with each other with a predetermined interval.

なお、前記工程において、リフトオフ法のかわりに、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いることもできる。   In the above process, a dry etching method or a wet etching method can be used instead of the lift-off method.

(3)次に、図17に示すように、第1電極30に第1突起部31を形成し、第2電極32に第2突起部33を形成する。第1突起部31および第2突起部32は、公知のリソグラフィ技術を用いて第1電極30および第2電極32をパターニングすることにより形成することができる。次いで、アニール処理する。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施の形態で用いた電極材料の場合は、通常400℃前後で行う。以上の工程により、第1突起部31を有する第1電極30および第2突起部32を有する第2電極32が形成される。   (3) Next, as shown in FIG. 17, the first protrusion 31 is formed on the first electrode 30, and the second protrusion 33 is formed on the second electrode 32. The first protrusion 31 and the second protrusion 32 can be formed by patterning the first electrode 30 and the second electrode 32 using a known lithography technique. Next, annealing is performed. The annealing temperature depends on the electrode material. In the case of the electrode material used in the present embodiment, it is usually performed at around 400 ° C. Through the above steps, the first electrode 30 having the first protrusion 31 and the second electrode 32 having the second protrusion 32 are formed.

(4)次に、第1電極30および第2電極32の上面に撥液処理を行うことができる。具体的には、たとえば、まず、公知のリソグラフィ技術を用いて第1電極30および第2電極32の上面以外の領域にマスク層(図示せず)を形成する。マスク層は、たとえば、レジストなどを用いることができる。次に、基板10をたとえばFAS(フルオロアルキルシラン)ガスの雰囲気中に投入することによって、マスク層がマスクとして機能し、第1電極30および第2電極32の上面にFASの撥液膜が形成される。次に、マスク層を除去する。このようにして撥液処理を行うことができる。なお、撥液膜とは、後述するレンズ部50となるレンズ部前駆体50aに対して撥液性を有する膜をいう。このような撥液処理を行うことにより、より確実に所望の形状を有するレンズ部50を形成することができる。   (4) Next, a liquid repellent treatment can be performed on the upper surfaces of the first electrode 30 and the second electrode 32. Specifically, for example, first, a mask layer (not shown) is formed in a region other than the upper surfaces of the first electrode 30 and the second electrode 32 using a known lithography technique. For example, a resist or the like can be used for the mask layer. Next, by throwing the substrate 10 into an atmosphere of FAS (fluoroalkylsilane) gas, for example, the mask layer functions as a mask, and a FAS liquid repellent film is formed on the upper surfaces of the first electrode 30 and the second electrode 32. Is done. Next, the mask layer is removed. In this way, the liquid repellent treatment can be performed. The liquid repellent film refers to a film having liquid repellency with respect to a lens portion precursor 50a that becomes a lens portion 50 described later. By performing such a liquid repellent treatment, the lens part 50 having a desired shape can be formed more reliably.

(5)次いで、レンズ部前駆体50aを形成する。具体的には、図18に示すように、光吸収層20の上面20aの受光面40に対して、レンズ部50を形成するための液体材料の液滴52を吐出して、レンズ部前駆体50aを形成する。レンズ部前駆体50aは、第1電極30と第2電極32との間に線状に形成される。レンズ部前駆体50aは、レンズ部50(図12および図13参照)が所望の形状となるような形状に形成される。   (5) Next, the lens part precursor 50a is formed. Specifically, as shown in FIG. 18, a liquid material droplet 52 for forming the lens unit 50 is ejected onto the light receiving surface 40 of the upper surface 20 a of the light absorption layer 20 to form a lens unit precursor. 50a is formed. The lens part precursor 50 a is formed in a linear shape between the first electrode 30 and the second electrode 32. The lens part precursor 50a is formed in a shape such that the lens part 50 (see FIGS. 12 and 13) has a desired shape.

前記液体材料は、エネルギー(たとえば、紫外線や熱など)を付加することによって硬化可能な性質を有する。液体材料としては、たとえば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂の前駆体が挙げられる。紫外線硬化型樹脂としては、たとえば紫外線硬化型のアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂などが挙げられる。また、熱硬化型樹脂としては、たとえば熱硬化型のポリイミド系樹脂などが挙げられる。   The liquid material has a property of being curable by applying energy (for example, ultraviolet rays or heat). Examples of the liquid material include an ultraviolet curable resin and a thermosetting resin precursor. Examples of the ultraviolet curable resin include an ultraviolet curable acrylic resin and an epoxy resin. Examples of the thermosetting resin include thermosetting polyimide resins.

液滴52を吐出する方法としては、第1の実施の形態と同様に、たとえば、ディスペンサ法または液滴吐出法が挙げられる。本実施の形態では、液滴吐出法を用いる例について説明する。   As a method for discharging the droplets 52, for example, a dispenser method or a droplet discharge method may be used as in the first embodiment. In this embodiment, an example in which a droplet discharge method is used will be described.

図18に示すように、インクジェットヘッド114のノズル112の位置と、液滴52の吐出位置とのアライメントは、一般的な半導体集積回路の製造工程における露光工程や検査工程で用いられる公知の画像認識技術を用いて行なわれる。たとえば、インクジェットヘッド114のノズル112の位置と、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40の位置とのアライメントを画像認識により行う。アライメント後、インクジェットヘッド114に印加する電圧を制御した後、液滴52を吐出する。   As shown in FIG. 18, the alignment between the position of the nozzle 112 of the inkjet head 114 and the discharge position of the droplet 52 is known image recognition used in the exposure process and inspection process in the manufacturing process of a general semiconductor integrated circuit. Done using technology. For example, alignment between the position of the nozzle 112 of the inkjet head 114 and the position of the light receiving surface 40 formed between the first electrode 30 and the second electrode 32 is performed by image recognition. After the alignment, the voltage applied to the inkjet head 114 is controlled, and then the droplet 52 is ejected.

この場合、ノズル112から吐出される液滴52の吐出角度にはある程度のばらつきがあるが、液滴52が着弾した位置が第1電極30と第2電極32との間であれば、第1電極30と第2電極32との間の領域に液滴52が濡れ広がり、自動的に位置の補正がなされる。   In this case, the discharge angle of the droplet 52 discharged from the nozzle 112 varies to some extent, but if the position where the droplet 52 landed is between the first electrode 30 and the second electrode 32, the first The droplet 52 wets and spreads in the region between the electrode 30 and the second electrode 32, and the position is automatically corrected.

液滴52の吐出は、レンズ部前駆体50aが第1電極30と第2電極32との間に線状に形成されるように、インクジェット114のノズル112の位置を移動させて行う。インクジェット114のノズル112の移動距離および移動方向などは、レンズ部前駆体50aが第1電極30と第2電極32との間に線状に形成されるように適宜決定される。なお、必要に応じて、線状に形成されるレンズ部前駆体50aの端部に、第1の実施の形態と同様に、堰き止め部材(図示せず)を形成することができる。この堰き止め部材は、第1電極30および第2電極32によってレンズ部前駆体50aの流出が堰き止められる領域以外の領域に形成することができる。これにより、第1電極30、第2電極32、および前記堰き止め部材は、レンズ部前駆体50aが所望の形状になるまでレンズ部前駆体50aの流出を堰き止めることができる。   The droplets 52 are discharged by moving the position of the nozzle 112 of the inkjet 114 so that the lens portion precursor 50a is formed in a linear shape between the first electrode 30 and the second electrode 32. The moving distance and moving direction of the nozzle 112 of the inkjet 114 are determined as appropriate so that the lens portion precursor 50 a is formed in a linear shape between the first electrode 30 and the second electrode 32. If necessary, a blocking member (not shown) can be formed at the end of the linearly formed lens portion precursor 50a, as in the first embodiment. This blocking member can be formed in a region other than the region where the outflow of the lens portion precursor 50 a is blocked by the first electrode 30 and the second electrode 32. Thereby, the 1st electrode 30, the 2nd electrode 32, and the said damming member can block outflow of the lens part precursor 50a until the lens part precursor 50a becomes a desired shape.

(6)次いで、レンズ部前駆体50aを硬化させて、図12および図13に示すように、レンズ部50を形成する。具体的には、レンズ部前駆体50aに対して、熱または光等のエネルギーを付与する。レンズ部前駆体50aを硬化する際は、液体材料の種類により適切な方法を用いる。具体的には、例えば、熱エネルギーの付加、あるいは紫外線またはレーザ光等の光照射が挙げられる。   (6) Next, the lens part precursor 50a is cured to form the lens part 50 as shown in FIGS. Specifically, energy such as heat or light is applied to the lens portion precursor 50a. When the lens part precursor 50a is cured, an appropriate method is used depending on the type of the liquid material. Specifically, for example, addition of heat energy or light irradiation such as ultraviolet light or laser light can be mentioned.

以上のプロセスにより、図12および図13に示すMSM型受光素子100が得られる。   By the above process, the MSM type light receiving element 100 shown in FIGS. 12 and 13 is obtained.

2−3.作用・効果
本実施の形態に係るMSM型受光素子200によれば、レンズ部50の上部51の一部が、第1電極30の上面30Aおよび第2電極32の上面32Aを覆っている。これにより、第1電極30および第2電極32の垂直上方から入射する光は、第1電極30と第2電極32との間に形成された受光面40に集められる。そして、光は、光吸収層20へ入射される。したがって、レンズ部50を有しない場合に比べ、光吸収層20への入射効率を向上させることができる。
2-3. Action / Effect According to the MSM type light receiving element 200 according to the present embodiment, a part of the upper portion 51 of the lens unit 50 covers the upper surface 30A of the first electrode 30 and the upper surface 32A of the second electrode 32. Thereby, light incident from vertically above the first electrode 30 and the second electrode 32 is collected on the light receiving surface 40 formed between the first electrode 30 and the second electrode 32. Then, the light is incident on the light absorption layer 20. Therefore, the incident efficiency to the light absorption layer 20 can be improved as compared with the case where the lens unit 50 is not provided.

また、本実施の形態に係るMSM型受光素子100およびその製造方法によれば、第1電極30が第1突起部31を有し、第2電極32が第2突起部32を有することにより、レンズ部前駆体50aを形成する工程(図18参照)において、第1電極30および第2電極32は、レンズ部前駆体50aが所望の形状になるまでレンズ部前駆体50aの流出を堰き止めることができる。そして、このような堰き止め部材(第1電極30および第2電極32)があることにより、レンズ部50を所望の形状に形成することが容易となる。   In addition, according to the MSM type light receiving element 100 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, the first electrode 30 has the first protrusion 31 and the second electrode 32 has the second protrusion 32. In the step of forming the lens part precursor 50a (see FIG. 18), the first electrode 30 and the second electrode 32 block the outflow of the lens part precursor 50a until the lens part precursor 50a has a desired shape. Can do. The presence of such damming members (the first electrode 30 and the second electrode 32) makes it easy to form the lens unit 50 in a desired shape.

また、本実施の形態に係るMSM型受光素子100によれば、MSM型受光素子100の受光面40の上方にレンズ部50が形成されていることにより、基板10の上面に対して垂直方向(図12および図13の例では、Z方向)のトレランスが向上する。   Further, according to the MSM type light receiving element 100 according to the present embodiment, the lens unit 50 is formed above the light receiving surface 40 of the MSM type light receiving element 100, so that the direction perpendicular to the upper surface of the substrate 10 ( In the examples of FIGS. 12 and 13, the tolerance in the Z direction) is improved.

2−4.変形例
図12および図13に示すMSM型受光素子200では、第1電極30が第1突起部31を有し、第2電極32が第2突起部33を有する場合について示したが、たとえば、図19に示すように、第1電極30が第1溝部35を有し、第2電極32が第2溝部37を有することができる。この場合においても、レンズ部前駆体50aを形成する工程(図18参照)において、第1電極30および第2電極32は、レンズ部前駆体50aが所望の形状になるまでレンズ部前駆体50aの流出を堰き止めることができる。なお、図19は、この場合のMSM型受光素子100を模式的に示す断面図であり、図13の断面図に対応している。
2-4. Modified Example In the MSM type light receiving element 200 shown in FIGS. 12 and 13, the first electrode 30 has the first protrusion 31 and the second electrode 32 has the second protrusion 33. As shown in FIG. 19, the first electrode 30 may have a first groove portion 35, and the second electrode 32 may have a second groove portion 37. Also in this case, in the step of forming the lens portion precursor 50a (see FIG. 18), the first electrode 30 and the second electrode 32 are formed on the lens portion precursor 50a until the lens portion precursor 50a has a desired shape. Can spill out. FIG. 19 is a cross-sectional view schematically showing the MSM type light receiving element 100 in this case, and corresponds to the cross-sectional view of FIG.

また、図19に示すMSM型受光素子200では、レンズ部50の上部51が第1電極30および第2電極32の上方で接していない場合について示したが、たとえば、図20に示すように、レンズ部50の上部51が第1電極30および第2電極32の上方で接することもできる。なお、図20は、この場合のMSM型受光素子200を模式的に示す断面図であり、図13の断面図に対応している。   Further, in the MSM type light receiving element 200 shown in FIG. 19, the case where the upper part 51 of the lens unit 50 is not in contact with the upper part of the first electrode 30 and the second electrode 32 is shown, but for example, as shown in FIG. The upper portion 51 of the lens unit 50 can be in contact with the first electrode 30 and the second electrode 32. FIG. 20 is a cross-sectional view schematically showing the MSM type light receiving element 200 in this case, and corresponds to the cross-sectional view of FIG.

図12および図13に示すMSM型受光素子200では、レンズ部50の上部51の一部が、第1電極30の上面30Aおよび第2電極32の上面32Aを覆っており、第1電極30が第1突起部31を有し、第2電極32が第2突起部33を有する場合について示したが、たとえば、図21に示すように、第1電極30の上面30Aおよび第2電極32の上面32Aはレンズ部50に覆われておらず、第1電極30および第2電極32の上面30A、32Aは平坦であることができる。なお、図21は、この場合のMSM型受光素子200を模式的に示す断面図であり、図13の断面図に対応している。   In the MSM type light receiving element 200 shown in FIGS. 12 and 13, a part of the upper portion 51 of the lens unit 50 covers the upper surface 30A of the first electrode 30 and the upper surface 32A of the second electrode 32, and the first electrode 30 is Although the case where the first protrusion 31 is included and the second electrode 32 includes the second protrusion 33 is shown, for example, as shown in FIG. 21, the upper surface 30A of the first electrode 30 and the upper surface of the second electrode 32 32A is not covered with the lens part 50, and the upper surfaces 30A and 32A of the first electrode 30 and the second electrode 32 can be flat. FIG. 21 is a sectional view schematically showing the MSM type light receiving element 200 in this case, and corresponds to the sectional view of FIG.

3.第3の実施の形態
次に、図22を用いて、第1の実施の形態に係るMSM型受光素子100を適用した光電子集積素子300および光モジュール700について説明する。図22は、本実施の形態に係る光電子集積素子300および光モジュール700を模式的に示す断面図である。
3. Third Embodiment Next, an optoelectronic integrated device 300 and an optical module 700 to which the MSM type light receiving device 100 according to the first embodiment is applied will be described with reference to FIG. FIG. 22 is a cross-sectional view schematically showing an optoelectronic integrated device 300 and an optical module 700 according to the present embodiment.

光電子集積素子300は、図22に示すように、MSM型受光素子100と、TIA(Trans−Impedance Amplifier)150とを含む。TIA150は、たとえば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタによって構成される。MSM型受光素子100およびTIA150は、サブマウント基板406上に形成されている。   As shown in FIG. 22, the optoelectronic integrated device 300 includes an MSM type light receiving device 100 and a TIA (Trans-Impedance Amplifier) 150. TIA 150 is formed of, for example, a heterojunction bipolar transistor. MSM type light receiving element 100 and TIA 150 are formed on submount substrate 406.

光モジュール700は、受信部400、送信部500、および電子回路部600を含む。電子回路部600は、増幅回路部610および駆動回路部620を含む。   The optical module 700 includes a receiving unit 400, a transmitting unit 500, and an electronic circuit unit 600. The electronic circuit unit 600 includes an amplifier circuit unit 610 and a drive circuit unit 620.

受信部400は、サブマウント基板406と、光電子集積素子300と、筐体部402と、ガラス部404とを含む。   The receiving unit 400 includes a submount substrate 406, an optoelectronic integrated device 300, a housing unit 402, and a glass unit 404.

送信部500は、サブマウント基板508と、発光素子510と、モニタフォトダイオード512と、斜めガラス部504と、筐体部502とを含む。発光素子510およびモニタフォトダイオード512は、サブマウント基板508上に形成されている。   The transmission unit 500 includes a submount substrate 508, a light emitting element 510, a monitor photodiode 512, an oblique glass unit 504, and a housing unit 502. The light emitting element 510 and the monitor photodiode 512 are formed on the submount substrate 508.

筐体部402は、樹脂材料で形成され、後述するスリーブ420と集光部405と一体的に形成される。同様に筐体部502は、樹脂材料で形成され、後述するスリーブ520と一体的に形成される。樹脂材料としては、光を透過可能なものが選択され、たとえば、プラスチック系光ファイバ(POF)に用いられるポリメチルメタクリレート(PMMA)、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ジアリルフタレート、フェニルメタクリレート、フッ素系ポリマー等を採用することができる。   The casing unit 402 is formed of a resin material, and is formed integrally with a sleeve 420 and a condensing unit 405 described later. Similarly, the housing portion 502 is formed of a resin material and is formed integrally with a sleeve 520 described later. As the resin material, a material that can transmit light is selected. For example, polymethyl methacrylate (PMMA), epoxy resin, phenol resin, diallyl phthalate, phenyl methacrylate, fluorine resin used for plastic optical fiber (POF) A polymer or the like can be employed.

スリーブ420、520は、外部から光ファイバなどの導光部材(図示せず)をはめ込み可能な形状に形成されており、収容空間422、522の周壁の一部を構成している。集光部405は、導光部材からの光信号を集光して送り出す。これにより、導光部材からの光の損失を低減して、MSM型受光素子100と導光部材との光の結合効率を良好なものとすることができる。   The sleeves 420 and 520 are formed in a shape in which a light guide member (not shown) such as an optical fiber can be fitted from the outside, and constitute a part of the peripheral wall of the accommodation spaces 422 and 522. The condensing part 405 condenses and sends out the optical signal from the light guide member. Thereby, the loss of light from the light guide member can be reduced, and the light coupling efficiency between the MSM light receiving element 100 and the light guide member can be improved.

斜めガラス部504は、スリーブ520の収容空間522側に設けられ、発光素子510からの光を反射および透過させる。モニタフォトダイオード512は、斜めガラス部504によって反射された光を受け取る。駆動回路部620は、モニタフォトダイオード512が受け取った光の光量に応じて、発光素子510が発光する光量を調節する。斜めガラス部504を透過した光は、送信部500のスリーブ520にはめ込まれる導光部材に送り出される。   The oblique glass portion 504 is provided on the housing space 522 side of the sleeve 520 and reflects and transmits light from the light emitting element 510. The monitor photodiode 512 receives the light reflected by the oblique glass portion 504. The drive circuit unit 620 adjusts the amount of light emitted by the light emitting element 510 in accordance with the amount of light received by the monitor photodiode 512. The light transmitted through the oblique glass portion 504 is sent out to a light guide member fitted in the sleeve 520 of the transmission unit 500.

発光素子510は、外部から入力した電気信号を光信号に変換して、光ファイバ(図示せず)を介して外部に出力する。MSM型受光素子100は、光ファイバを介して光信号を受信し、これを電流に変換し、変換した電流をTIA150に送る。TIA150は、受け取った電流を電圧出力に変換し、増幅して、電子回路部600に送る。増幅回路部610は、電圧出力が一定以上にならないように制御し、外部に出力する。なお、電気信号の出力端子や入力端子などの外部端子の説明は省略する。   The light emitting element 510 converts an electrical signal input from the outside into an optical signal and outputs the optical signal to the outside via an optical fiber (not shown). The MSM type light receiving element 100 receives an optical signal via an optical fiber, converts it into a current, and sends the converted current to the TIA 150. The TIA 150 converts the received current into a voltage output, amplifies it, and sends it to the electronic circuit unit 600. The amplifier circuit unit 610 performs control so that the voltage output does not exceed a certain level, and outputs the voltage output to the outside. In addition, description of external terminals, such as an output terminal and input terminal of an electrical signal, is omitted.

このように、MSM型受光素子100は、光電子集積素子300、および光モジュール700に用いられる。本実施の形態では、MSM型受光素子100を用いて説明したが、これに限定されず、たとえば、第2の実施の形態に係るMSM型受光素子200が、光電子集積素子300、または、光モジュール700に適用されてもよい。   As described above, the MSM type light receiving element 100 is used in the optoelectronic integrated element 300 and the optical module 700. In the present embodiment, the MSM type light receiving element 100 has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the MSM type light receiving element 200 according to the second embodiment is an optoelectronic integrated element 300 or an optical module. 700 may be applied.

4.第4の実施の形態
図23は、本発明を適用した第4の実施の形態にかかる光伝達装置を模式的に示す図である。光伝達装置90は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器92を相互に接続するものである。電子機器92は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置90は、ケーブル94の両端にプラグ96が設けられたものであってもよい。ケーブル94は、導光部材(たとえば光ファイバ)を含むことができる。プラグ96は、第3の実施の形態に係る光モジュール700を内蔵する。なお、導光部材はケーブル94に内蔵され、光モジュール700はプラグ96に内蔵されているため、図23には図示されていない。導光部材と光モジュール700との関係は、第3の実施の形態にて説明した通りである。
4). Fourth Embodiment FIG. 23 is a diagram schematically showing a light transmission device according to a fourth embodiment to which the present invention is applied. The light transmission device 90 connects electronic devices 92 such as a computer, a display, a storage device, and a printer to each other. The electronic device 92 may be an information communication device. The light transmission device 90 may be one in which plugs 96 are provided at both ends of the cable 94. The cable 94 can include a light guide member (eg, an optical fiber). The plug 96 includes the optical module 700 according to the third embodiment. Since the light guide member is built in the cable 94 and the optical module 700 is built in the plug 96, it is not shown in FIG. The relationship between the light guide member and the optical module 700 is as described in the third embodiment.

導光部材の両端部にはそれぞれ、第3の実施の形態に係る光モジュール700が設けられている。図22および図23に示すように、導光部材の一方の端部に設置されたMSM型受光素子100は、光信号を電気信号に変換した後、この電気信号を、TIA150および電子回路部600を介して、電子機器92に入力する。この導光部材の他方の端部には、発光素子510が設置されている。すなわち、この発光素子510において、電子機器92から出力された電気信号が光信号に変換される。この光信号は導光部材を伝わり、MSM型受光素子100に入力される。   Optical modules 700 according to the third embodiment are provided at both ends of the light guide member. As shown in FIGS. 22 and 23, the MSM type light receiving element 100 installed at one end of the light guide member converts an optical signal into an electrical signal, and then converts the electrical signal into a TIA 150 and an electronic circuit unit 600. To the electronic device 92. A light emitting element 510 is installed at the other end of the light guide member. That is, in the light emitting element 510, the electrical signal output from the electronic device 92 is converted into an optical signal. This optical signal travels through the light guide member and is input to the MSM type light receiving element 100.

以上説明したように、本実施の形態の光伝達装置90によれば、光信号によって、電子機器92間の情報伝達を行うことができる。   As described above, according to the light transmission device 90 of the present embodiment, information transmission between the electronic devices 92 can be performed by an optical signal.

5.第5の実施の形態
図24は、本発明を適用した第5の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を模式的に示す図である。光伝達装置90は、電子機器80間に接続されている。電子機器80として、液晶表示モニタまたはディジタル対応のCRT(金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。)、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、ディジタルTV、小売店のレジ(POS(Point of Sale Scanning)用)、ビデオ、チューナー、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
5. Fifth Embodiment FIG. 24 is a diagram schematically showing a usage pattern of a light transmission device according to a fifth embodiment to which the present invention is applied. The light transmission device 90 is connected between the electronic devices 80. As the electronic device 80, a liquid crystal display monitor or a digital CRT (may be used in the fields of finance, mail order, medical care, education), a liquid crystal projector, a plasma display panel (PDP), a digital TV, a retail store A cash register (for POS (Point of Sale Scanning)), a video, a tuner, a game device, a printer, and the like can be given.

以上、本発明の好適な実施の形態について述べたが、本発明はこれらに限定されず、各種の態様を取りうる。たとえば、上述した本発明の実施の形態では、光吸収層20がGaAsからなる場合について説明したが、設計波長に応じてその他の材料、たとえば、InGaAs、AlGaN、GaInNAs、AlGaAsSb、InGaSb、InGaAsP、GaSbなどの半導体材料を用いることも可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these embodiments and can take various forms. For example, in the above-described embodiment of the present invention, the case where the light absorption layer 20 is made of GaAs has been described. It is also possible to use a semiconductor material such as

第1の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the MSM type light receiving element which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the MSM type light receiving element according to the first embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the MSM type light receiving element according to the first embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子に入射する光のうちの一部の経路を模式的に示す図。The figure which shows typically the one part path | route of the light which injects into the MSM type light receiving element which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the MSM type light receiving element which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the MSM type light receiving element which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the MSM type light receiving element which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the MSM type light receiving element which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the MSM type light receiving element according to the first embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the MSM type light receiving element according to the first embodiment. 第1の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the MSM type light receiving element according to the first embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子に入射する光のうちの一部の経路を模式的に示す図。The figure which shows typically the one part path | route of the light which injects into the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子の製造方法を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るMSM型受光素子を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the MSM type light receiving element which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施の形態に係る光電子集積素子および光モジュールを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the optoelectronic integrated device and optical module which concern on 3rd Embodiment. 第4の実施の形態に係る光伝達装置を模式的に示す図。The figure which shows typically the light transmission apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を模式的に示す図。The figure which shows typically the usage type of the optical transmission apparatus which concerns on 5th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 基板、20 光吸収層、30 第1電極、31 第1突起部、32 第2電極、33 第2突起部、35 第1溝部、37 第2溝部、40 受光面、42 開口部、50 レンズ部、51 上部、52 液滴、53 下部、60 土台部材、70 堰き止め部材、80 電子機器、90 光伝達装置、92 電子機器、94 ケーブル、96 プラグ、100 MSM型受光素子、112 ノズル、114 インクジェットヘッド、150 TIA、300 光電子集積素子、400 受信部、402 筐体部、404 ガラス部、405 集光部、406 サブマウント基板、420 スリーブ、422 収容空間、500 送信部、502 筐体部、504 光学部材、506 サブマウント基板、510 発光素子、512 モニタフォトダイオード、520 スリーブ、522 収容空間、600 電子回路部、610 増幅回路部、620 駆動回路部、700 光モジュール DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate, 20 Light absorption layer, 30 1st electrode, 31 1st projection part, 32 2nd electrode, 33 2nd projection part, 35 1st groove part, 37 2nd groove part, 40 Light-receiving surface, 42 Opening part, 50 Lens Part, 51 upper part, 52 droplet, 53 lower part, 60 base member, 70 damming member, 80 electronic device, 90 light transmission device, 92 electronic device, 94 cable, 96 plug, 100 MSM type light receiving element, 112 nozzle, 114 Inkjet head, 150 TIA, 300 optoelectronic integrated device, 400 receiving unit, 402 housing unit, 404 glass unit, 405 condensing unit, 406 submount substrate, 420 sleeve, 422 accommodation space, 500 transmitting unit, 502 housing unit, 504 optical member, 506 submount substrate, 510 light emitting element, 512 monitor photodiode, 20 sleeve 522 accommodating space, 600 electronic circuit unit, 610 amplifier unit, 620 drive circuit section, 700 optical module

Claims (10)

光吸収層の上面に受光面を有するMSM(Metal−Semiconductor−Metal)型受光素子であって、
基板と、
前記基板の上方に形成された前記光吸収層と、
前記光吸収層の上方に形成された第1電極と、
前記光吸収層の上方に形成された第2電極と、
前記受光面の上方に形成され、前記受光面に光を集める機能を有するレンズ部と、
を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、櫛型形状を有し、
前記受光面は、平面視において少なくとも前記第1電極と前記第2電極との間に形成され、
前記レンズ部は、前記第1電極と前記第2電極との間の前記受光面に沿った線状の形状を有し、かつ、前記レンズ部の上部は、前記受光面に沿った凸形状であり、前記上部の一部は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆っている、MSM型受光素子。
An MSM (Metal-Semiconductor-Metal) type light receiving element having a light receiving surface on an upper surface of a light absorption layer,
A substrate,
The light absorption layer formed above the substrate;
A first electrode formed above the light absorption layer;
A second electrode formed above the light absorption layer;
A lens part formed above the light receiving surface and having a function of collecting light on the light receiving surface;
Including
The first electrode and the second electrode have a comb shape,
The light receiving surface is formed at least between the first electrode and the second electrode in plan view,
The lens portion has a linear shape along the light receiving surface between the first electrode and the second electrode, and an upper portion of the lens portion has a convex shape along the light receiving surface. There, a portion of the upper portion covers at least a portion of at least one of an upper surface of the first electrode and the second electrode, MSM type light receiving element.
光吸収層の上面に受光面を有するMSM(Metal−Semiconductor−Metal)型受光素子であって、
基板と、
前記基板の上方に形成された前記光吸収層と、
前記光吸収層の上方に形成された第1電極と、
前記光吸収層の上方に形成された第2電極と、
前記受光面の上方に形成され、前記受光面に光を集める機能を有するレンズ部と、
を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、櫛型形状を有し、
前記受光面は、平面視において少なくとも前記第1電極と前記第2電極との間に形成され、
前記光吸収層の上方に形成された堰き止め部材を有し、
前記堰き止め部材は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方からなり、
前記レンズ部は、前記第1電極と前記第2電極との間に線状に形成され、かつ、前記レンズ部の上部の一部は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆い、前記堰き止め部材によって堰き止められて形成され、
前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に突起部を有する、MSM型受光素子。
An MSM (Metal-Semiconductor-Metal) type light receiving element having a light receiving surface on an upper surface of a light absorption layer,
A substrate,
The light absorption layer formed above the substrate;
A first electrode formed above the light absorption layer;
A second electrode formed above the light absorption layer;
A lens part formed above the light receiving surface and having a function of collecting light on the light receiving surface;
Including
The first electrode and the second electrode have a comb shape,
The light receiving surface is formed at least between the first electrode and the second electrode in plan view,
A damming member formed above the light absorption layer;
The damming member comprises at least one of the first electrode and the second electrode,
The lens portion is linearly formed between the first electrode and the second electrode, and a part of the upper portion of the lens portion is an upper surface of at least one of the first electrode and the second electrode. at least a portion not covered, are formed dammed by the dam member,
The damming member has a protrusion on an upper surface of the damming member .
光吸収層の上面に受光面を有するMSM(Metal−Semiconductor−Metal)型受光素子であって、
基板と、
前記基板の上方に形成された前記光吸収層と、
前記光吸収層の上方に形成された第1電極と、
前記光吸収層の上方に形成された第2電極と、
前記受光面の上方に形成され、前記受光面に光を集める機能を有するレンズ部と、
を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、櫛型形状を有し、
前記受光面は、平面視において少なくとも前記第1電極と前記第2電極との間に形成され、
前記光吸収層の上方に形成された堰き止め部材を有し、
前記堰き止め部材は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方からなり、
前記レンズ部は、前記第1電極と前記第2電極との間に線状に形成され、かつ、前記レンズ部の上部の一部は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆い、前記堰き止め部材によって堰き止められて形成され、
前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に溝部を有する、MSM型受光素子。
An MSM (Metal-Semiconductor-Metal) type light receiving element having a light receiving surface on an upper surface of a light absorption layer,
A substrate,
The light absorption layer formed above the substrate;
A first electrode formed above the light absorption layer;
A second electrode formed above the light absorption layer;
A lens part formed above the light receiving surface and having a function of collecting light on the light receiving surface;
Including
The first electrode and the second electrode have a comb shape,
The light receiving surface is formed at least between the first electrode and the second electrode in plan view,
A damming member formed above the light absorption layer;
The damming member comprises at least one of the first electrode and the second electrode,
The lens portion is linearly formed between the first electrode and the second electrode, and a part of the upper portion of the lens portion is an upper surface of at least one of the first electrode and the second electrode. at least a portion not covered, are formed dammed by the dam member,
The damming member has a groove on the upper surface of the damming member .
請求項1からのいずれか1項に記載のMSM型受光素子と、
TIA(Trans−Impedance Amplifier)と、を含む、光電子集積素子。
The MSM type light receiving element according to any one of claims 1 to 3 ,
An optoelectronic integrated device including TIA (Trans-Impedance Amplifier).
請求項1からのいずれか1項に記載のMSM型受光素子と、
発光素子と、を含む、光モジュール。
The MSM type light receiving element according to any one of claims 1 to 4 ,
An optical module comprising a light emitting element.
請求項に記載の光モジュールを含む、光伝達装置。 An optical transmission device comprising the optical module according to claim 5 . 光吸収層の上面に受光面を有するMSM型受光素子の製造方法であって、
基板の上方に光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第1電極を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第2電極を形成する工程と、
前記受光面の上方にレンズ部を形成する工程と、を含み、
前記受光面は、少なくとも前記第1電極と前記第2電極との間に形成され、
前記第1および第2電極を形成する工程において、前記第1電極および前記第2電極は、櫛型形状に形成され、
前記レンズ部を形成する工程において、前記レンズ部は、前記受光面に光を集める機能を有するように、前記第1電極と前記第2電極との間の前記受光面に沿った線状の形状となるように形成され、かつ、前記レンズ部の上部は、前記受光面に沿った凸形状となるように形成され、前記上部の一部は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆うように形成される、MSM型受光素子の製造方法。
A method of manufacturing an MSM type light receiving element having a light receiving surface on an upper surface of a light absorbing layer,
Forming a light absorption layer above the substrate;
Forming a first electrode above the light absorption layer;
Forming a second electrode above the light absorption layer;
Forming a lens portion above the light receiving surface,
The light receiving surface is formed at least between the first electrode and the second electrode,
In the step of forming the first and second electrodes, the first electrode and the second electrode are formed in a comb shape,
In the step of forming the lens portion, the lens portion has a linear shape along the light receiving surface between the first electrode and the second electrode so as to have a function of collecting light on the light receiving surface. And the upper part of the lens part is formed to have a convex shape along the light receiving surface, and a part of the upper part is at least one of the first electrode and the second electrode The manufacturing method of the MSM type light receiving element formed so that at least one part of the upper surface of may be covered.
光吸収層の上面に受光面を有するMSM型受光素子の製造方法であって、
基板の上方に光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第1電極を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第2電極を形成する工程と、
前記受光面の上方にレンズ部を形成する工程と、
前記レンズ部を形成する工程の前に、前記光吸収層の上方に堰き止め部材を形成する工程と、
を含み、
前記受光面は、少なくとも前記第1電極と前記第2電極との間に形成され、
前記第1および第2電極を形成する工程において、前記第1電極および前記第2電極は、櫛型形状に形成され、
前記レンズ部を形成する工程において、前記レンズ部は、前記受光面に光を集める機能を有するように、前記第1電極と前記第2電極との間に線状に形成され、かつ、前記レンズ部の上部の一部は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆うように形成され、
前記レンズ部を形成する工程において、前記液滴は、前記堰き止め部材によって堰き止められ、
前記堰き止め部材は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方からなり、
前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に突起部を有する、MSM型受光素子の製造方法。
A method of manufacturing an MSM type light receiving element having a light receiving surface on an upper surface of a light absorbing layer,
Forming a light absorption layer above the substrate;
Forming a first electrode above the light absorption layer;
Forming a second electrode above the light absorption layer;
Forming a lens portion above the light receiving surface;
Before the step of forming the lens part, forming a damming member above the light absorption layer;
Including
The light receiving surface is formed at least between the first electrode and the second electrode,
In the step of forming the first and second electrodes, the first electrode and the second electrode are formed in a comb shape,
In the step of forming the lens portion, the lens portion is formed linearly between the first electrode and the second electrode so as to have a function of collecting light on the light receiving surface, and the lens A part of the upper part of the part is formed so as to cover at least a part of the upper surface of at least one of the first electrode and the second electrode;
In the step of forming the lens portion, the droplet is dammed by the damming member,
The damming member comprises at least one of the first electrode and the second electrode,
The method of manufacturing an MSM type light receiving element, wherein the damming member has a protrusion on an upper surface of the damming member.
光吸収層の上面に受光面を有するMSM型受光素子の製造方法であって、
基板の上方に光吸収層を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第1電極を形成する工程と、
前記光吸収層の上方に第2電極を形成する工程と、
前記受光面の上方にレンズ部を形成する工程と、
前記レンズ部を形成する工程の前に、前記光吸収層の上方に堰き止め部材を形成する工程と、
を含み、
前記受光面は、少なくとも前記第1電極と前記第2電極との間に形成され、
前記第1および第2電極を形成する工程において、前記第1電極および前記第2電極は、櫛型形状に形成され、
前記レンズ部を形成する工程において、前記レンズ部は、前記受光面に光を集める機能を有するように、前記第1電極と前記第2電極との間に線状に形成され、かつ、前記レンズ部の上部の一部は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の上面の少なくとも一部を覆うように形成され、
前記レンズ部を形成する工程において、前記液滴は、前記堰き止め部材によって堰き止められ、
前記堰き止め部材は、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方からなり、
前記堰き止め部材は、該堰き止め部材の上面に溝部を有する、MSM型受光素子の製造方法。
A method of manufacturing an MSM type light receiving element having a light receiving surface on an upper surface of a light absorbing layer,
Forming a light absorption layer above the substrate;
Forming a first electrode above the light absorption layer;
Forming a second electrode above the light absorption layer;
Forming a lens portion above the light receiving surface;
Before the step of forming the lens part, forming a damming member above the light absorption layer;
Including
The light receiving surface is formed at least between the first electrode and the second electrode,
In the step of forming the first and second electrodes, the first electrode and the second electrode are formed in a comb shape,
In the step of forming the lens portion, the lens portion is formed linearly between the first electrode and the second electrode so as to have a function of collecting light on the light receiving surface, and the lens A part of the upper part of the part is formed so as to cover at least a part of the upper surface of at least one of the first electrode and the second electrode;
In the step of forming the lens portion, the droplet is dammed by the damming member,
The damming member comprises at least one of the first electrode and the second electrode,
The damming member has a groove on the upper surface of the damming member.
請求項7から9のいずれか1項において、
前記レンズ部を形成する工程において、前記レンズ部は、該レンズ部の材料を含む液滴を、前記受光面に向けて吐出する液滴吐出法によって形成される、MSM型受光素子の製造方法。
In any one of Claims 7 to 9 ,
The method of manufacturing an MSM type light receiving element, wherein in the step of forming the lens portion, the lens portion is formed by a droplet discharge method in which a droplet including the material of the lens portion is discharged toward the light receiving surface.
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JPS6386481A (en) * 1986-09-30 1988-04-16 Agency Of Ind Science & Technol High-sensitivity lateral photodetector
JP2000067449A (en) * 1998-08-18 2000-03-03 Seiko Epson Corp Surface light emission type semiconductor laser and its production
JP4161590B2 (en) * 2002-02-22 2008-10-08 セイコーエプソン株式会社 Microlens manufacturing method, microlens, optical film, projection screen, and projector system

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