JP4912780B2 - Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device - Google Patents

Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device Download PDF

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Description

本発明は、励起三重項状態を発光に変換できる有機金属錯体、その有機金属錯体を用いた発光素子及びその発光素子を用いた発光装置に関する。   The present invention relates to an organometallic complex capable of converting an excited triplet state into light emission, a light-emitting element using the organometallic complex, and a light-emitting device using the light-emitting element.

有機化合物を用いた発光素子は、電界を加えることで有機化合物を含む層または有機化合物膜が発光する素子である。その発光機構は、電極間に有機化合物膜を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子及び陽極から注入された正孔が有機化合物膜中で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光すると言われている。   A light-emitting element using an organic compound is an element in which a layer containing an organic compound or an organic compound film emits light when an electric field is applied. The light emission mechanism is such that by applying a voltage across an organic compound film between electrodes, electrons injected from the cathode and holes injected from the anode recombine in the organic compound film to form molecular excitons. It is said that when the molecular exciton returns to the ground state, it emits energy and emits light.

このような発光素子において、通常、有機化合物膜は1μmを下回るほどの薄膜で形成される。また、有機化合物膜そのものが光を放出する自発光型の素子であるため、従来の液晶ディスプレイに用いられているようなバックライトも必要ない。従って、このような発光素子は極めて薄型、軽量に作製できることが大きな利点である。また、例えば100〜200nm程度の有機化合物膜を有する発光素子において、キャリアを注入してから再結合に至るまでの時間は、有機化合物膜のキャリア移動度を考えると数十ナノ秒程度であり、キャリアの再結合から発光までの過程を含めてもマイクロ秒以内で発光に至る。従って、非常に応答速度が速いことも特長の1つである。さらに、このような発光素子はキャリア注入型の発光素子であるため、直流電圧での駆動が可能であり、ノイズが生じにくい。   In such a light emitting device, the organic compound film is usually formed as a thin film having a thickness of less than 1 μm. Further, since the organic compound film itself is a self-luminous element that emits light, a backlight as used in a conventional liquid crystal display is not necessary. Accordingly, it is a great advantage that such a light-emitting element can be manufactured to be extremely thin and lightweight. For example, in a light-emitting element having an organic compound film of about 100 to 200 nm, the time from injection of carriers to recombination is about several tens of nanoseconds when considering the carrier mobility of the organic compound film, Even including the process from carrier recombination to light emission, light emission occurs within microseconds. Therefore, one of the features is that the response speed is very fast. Further, since such a light-emitting element is a carrier-injection type light-emitting element, it can be driven with a DC voltage, and noise is hardly generated.

有機化合物を用いた発光素子は、上述したように薄型、軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの素子特性に加え、その発光色のバリエーションに富んでいることも大きな利点の1つと言える。その要因は、有機化合物自体の多様性である。すなわち、分子設計(例えば置換基の導入)等により様々な発光色の材料を開発できるという柔軟性が色彩の豊かさを生んでいる。この色彩の豊かさを活かした発光素子の最も大きな応用分野は、フルカラーのフラットパネルディスプレイであると言える。   As described above, a light-emitting element using an organic compound is one of the great advantages that it has a wide variety of emission colors in addition to element characteristics such as thinness, light weight, high-speed response, and direct-current low-voltage driving. The factor is the diversity of the organic compound itself. That is, the flexibility of being able to develop materials of various emission colors by molecular design (for example, introduction of substituents) and the like gives rise to rich colors. It can be said that the largest application field of light-emitting elements utilizing the richness of color is a full-color flat panel display.

上述したような、薄型、軽量、高速応答性、直流低電圧駆動といった素子特性も、フラットパネルディスプレイにふさわしい特性と言える。近年、さらなる発光効率を上げる試みとして、蛍光材料ではなくリン光材料を用いることが挙げられている。有機化合物を用いた発光素子の発光には、励起一重項状態(S)からの発光(蛍光)と励起三重項状態(T)からの発光(リン光)が可能であり、蛍光材料を用いた場合はSからの発光(蛍光)のみが寄与する。 The above-described element characteristics such as thinness, light weight, high-speed response, and direct-current low-voltage driving can be said to be suitable characteristics for a flat panel display. In recent years, as an attempt to further increase luminous efficiency, use of a phosphorescent material instead of a fluorescent material has been cited. Light emission from a light-emitting element using an organic compound can be emitted from an excited singlet state (S * ) (fluorescence) and emitted from an excited triplet state (T * ) (phosphorescence). When used, only light emission (fluorescence) from S * contributes.

しかしながら、発光素子におけるSとTの統計的な生成比率は、S:T=1:3であると考えられている(例えば、非特許文献1参照)。従って、蛍光材料を用いた発光素子における内部量子効率(注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合)の理論的限界は、S:T=1:3であることを根拠に25%とされている。言い換えれば、蛍光材料を用いた発光素子の場合、注入したキャリアのうち少なくとも75%は無駄に浪費されるのである。 However, the statistical generation ratio of S * and T * in the light-emitting element is considered to be S * : T * = 1: 3 (see, for example, Non-Patent Document 1). Therefore, the theoretical limit of the internal quantum efficiency (ratio of photons generated with respect to injected carriers) in a light emitting device using a fluorescent material is 25% on the basis of S * : T * = 1: 3. Has been. In other words, in the case of a light emitting element using a fluorescent material, at least 75% of the injected carriers are wasted.

逆に言えば、Tからの発光、すなわちリン光を利用できれば発光効率は向上する(単純には3〜4倍)と考えられるが、一般的な有機化合物は室温において、Tからの発光(リン光)は観測されず、通常はSからの発光(蛍光)のみが観測される。ところが、近年、Tから基底状態に戻る際に放出されるエネルギー(以下、「三重項励起エネルギー」と言う。)を発光に変換できる発光素子が相次いで発表され、その発光効率の高さが注目されている(例えば、非特許文献2参照)。 In other words, if it is possible to use light emission from T * , that is, phosphorescence, it is considered that the light emission efficiency is improved (simply 3 to 4 times), but general organic compounds emit light from T * at room temperature. (Phosphorescence) is not observed, and usually only emission (fluorescence) from S * is observed. However, in recent years, light-emitting elements that can convert energy emitted when returning from T * to the ground state (hereinafter referred to as “triplet excitation energy”) into light emission have been announced one after another, and the light emission efficiency is high. It is attracting attention (see, for example, Non-Patent Document 2).

上記文献2では、配位子にジベンゾ[f、h]キノキサリン誘導体を用いたイリジウム錯体を合成し、これを発光素子における発光物質として用いている。得られた発光素子は高い発光効率を示すものの、発光色はオレンジレッドであり、色純度の良い赤色発光は実現されていない。   In Document 2, an iridium complex using a dibenzo [f, h] quinoxaline derivative as a ligand is synthesized and used as a light-emitting substance in a light-emitting element. Although the obtained light-emitting element exhibits high luminous efficiency, the emission color is orange red, and red emission with good color purity is not realized.

一方、非特許文献3では、2,3−ジフェニルキノキサリンを配位子としたイリジウム錯体を用いて、CIE色度座標が(x,y)=(0.70,0.28)の深赤色発光を達成している。
筒井哲夫、「応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会・第3回講習会テキスト」、P.31(1993) J.デュアン、他2名、 アドバンス マテリアルズ(2003)、15、No.3、FEB5、p.224−228 ヒロユキ フジイ、他5名、 IEICE TRANS. ELECTRON., vol.E87−C, NO.12 DECEMBER 2004 p.2119−2121
On the other hand, Non-Patent Document 3 uses a iridium complex having 2,3-diphenylquinoxaline as a ligand, and emits deep red light having a CIE chromaticity coordinate of (x, y) = (0.70, 0.28). Has achieved.
Tetsuo Tsutsui, “Applied Physics Society Organic Molecules / Bioelectronics Subcommittee, 3rd Workshop Text”, P.M. 31 (1993) J. et al. Duane, two others, Advanced Materials (2003), 15, No. 3, FEB5, p. 224-228 Hiroyuki Fujii and 5 others, IEICE TRANS. ELECTRON. , Vol. E87-C, NO. 12 DECEMBER 2004 p. 2119-2121

しかしながら、フルカラーディスプレイで標準とされているNTSC(National Television System Committee)規格の赤色の色度座標は(x,y)=(0.67,0.32)であるため、非特許文献3で開示されているイリジウム錯体を表示装置に用いた場合、画像情報を送信する送信側と受信側とでは色度座標が一致しないため色再現性が悪い。また、発光素子より得られた波長は、675nmと標準的な赤色に比べて視感度が低く、高輝度を達成することができない。   However, since the chromaticity coordinates of red in the NTSC (National Television System Committee) standard, which is standard for full-color displays, are (x, y) = (0.67, 0.32), they are disclosed in Non-Patent Document 3. When the iridium complex used is used in a display device, the color reproducibility is poor because the chromaticity coordinates do not match between the transmission side and the reception side that transmit image information. Further, the wavelength obtained from the light emitting element is 675 nm, which is lower in visibility than standard red, and high luminance cannot be achieved.

本発明では、NTSC規格の赤色の色度座標(x,y)=(0.67,0.32)により近い、視感度に優れた赤色を発光することができる物質を提供することを課題とする。   It is an object of the present invention to provide a substance capable of emitting red light with excellent visibility, which is closer to the NTSC red chromaticity coordinate (x, y) = (0.67, 0.32). To do.

本発明者は鋭意研究を重ねた結果、以下に述べる一般式(1)〜(3)のいずれか一で表される有機金属錯体が、NTSC規格の赤色の色度座標により近いリン光を発光できることを見出した。   As a result of extensive research, the inventor of the present invention emits phosphorescence closer to the red chromaticity coordinate of the NTSC standard when the organometallic complex represented by any one of the general formulas (1) to (3) described below. I found out that I can do it.

本発明の一は、一般式(1)で表される有機金属錯体である。
One aspect of the present invention is an organometallic complex represented by the general formula (1).

一般式(1)において、R〜Rは水素、ハロゲン基、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。ただし、R〜Rの少なくとも一つは、電子吸引性置換基を表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を表し、前記Mが第9族元素の場合はn=2、第10族元素の場合はn=1である。 In the general formula (1), R 1 to R 3 represent any one of hydrogen, a halogen group, an acyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an aryl group, a cyano group, and a heterocyclic group. However, at least one of R 1 to R 3 represents an electron-withdrawing substituent. M represents a Group 9 element or a Group 10 element. When M is a Group 9 element, n = 2, and when M is a Group 10 element, n = 1.

本発明の一は、一般式(2)で表される有機金属錯体である。
One aspect of the present invention is an organometallic complex represented by the general formula (2).

一般式(2)において、R及びRは電子吸引性置換基を表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を表し、前記Mが第9族元素の場合はn=2、第10族元素の場合はn=1である。 In the general formula (2), R 1 and R 2 represent an electron-withdrawing substituent. M represents a Group 9 element or a Group 10 element. When M is a Group 9 element, n = 2, and when M is a Group 10 element, n = 1.

本発明の一は、一般式(3)で表される有機金属錯体である。
One aspect of the present invention is an organometallic complex represented by General Formula (3).

一般式(3)において、Rは電子吸引性置換基を表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を表し、前記Mが第9族元素の場合はn=2、第10族元素の場合はn=1とである。   In general formula (3), R represents an electron-withdrawing substituent. M represents a Group 9 element or a Group 10 element. When M is a Group 9 element, n = 2, and when M is a Group 10 element, n = 1.

一般式(1)〜(3)で表される有機金属錯体において、電子吸引性置換基は、ハロゲン基、ハロアルキル基、シアノ基のいずれかであることが好ましい。また、ハロゲン基の中でも特に電子吸引性の強いフルオロ基が好ましく、ハロアルキル基の中では特にトリフルオロメチル基が好ましい。   In the organometallic complex represented by the general formulas (1) to (3), the electron-withdrawing substituent is preferably any one of a halogen group, a haloalkyl group, and a cyano group. Among halogen groups, a fluoro group having a strong electron withdrawing property is particularly preferable, and among haloalkyl groups, a trifluoromethyl group is particularly preferable.

一般式(1)〜(3)で表される有機金属錯体において、中心金属Mは、重い金属が好ましく、特にイリジウム又は白金であることが好ましい。これにより、重原子効果を得ることができる。この重原子効果により、項間交差が促進され、さらに効率よくリン光を発光することができる。   In the organometallic complexes represented by the general formulas (1) to (3), the central metal M is preferably a heavy metal, particularly preferably iridium or platinum. Thereby, the heavy atom effect can be obtained. By this heavy atom effect, intersystem crossing is promoted and phosphorescence can be emitted more efficiently.

本発明の一は、一般式(2)において電子吸引性置換基がフルオロ基、中心金属Mがイリジウム、n=2で表される有機金属錯体である。   One aspect of the present invention is an organometallic complex represented by the general formula (2) in which the electron-withdrawing substituent is a fluoro group, the central metal M is iridium, and n = 2.

本発明の一は、一般式(3)において電子吸引性置換基がフルオロ基、中心金属Mがイリジウム、n=2で表される有機金属錯体である。   One aspect of the present invention is an organometallic complex represented by the general formula (3) in which the electron-withdrawing substituent is a fluoro group, the central metal M is iridium, and n = 2.

本発明の一は、一対の電極間に、一般式(1)〜(3)のいずれか一で表される有機金属錯体を含む発光素子である。   One embodiment of the present invention is a light-emitting element including an organometallic complex represented by any one of the general formulas (1) to (3) between a pair of electrodes.

また、一般式(1)〜(3)のいずれか一で表される有機金属錯体を発光物質として用いる発光素子である。   Further, the light-emitting element uses an organometallic complex represented by any one of the general formulas (1) to (3) as a light-emitting substance.

本発明の一は、一般式(1)〜(3)のいずれか一で表される有機金属錯体を含む発光素子を有する発光装置である。   One embodiment of the present invention is a light-emitting device including a light-emitting element including an organometallic complex represented by any one of the general formulas (1) to (3).

本発明の有機金属錯体または発光素子は、NTSC規格の赤色の色度座標により近い、視感度に優れた赤色のリン光を発光することができる。また、本発明の発光素子は、リン光を発光することができるため発光効率が良い。   The organometallic complex or light-emitting element of the present invention can emit red phosphorescence that is closer to the NTSC red chromaticity coordinates and has excellent visibility. In addition, since the light-emitting element of the present invention can emit phosphorescence, its light emission efficiency is good.

また、本発明の発光装置は、本発明の有機金属錯体を発光物質として用いることにより視感度に優れている。また、NTSC規格の赤色の色度座標により近い赤色のリン光を発光することができるため、駆動回路に入力されるNTSC規格に準拠した信号を送信する送信側と、実際に発光する受信側において、赤の色度座標がほぼ一致している。よって、入力される画像情報に対して忠実な色再現性を示す発光装置を得ることができる。   In addition, the light-emitting device of the present invention has excellent visibility by using the organometallic complex of the present invention as a light-emitting substance. Also, since red phosphorescence closer to the NTSC standard red chromaticity coordinate can be emitted, the transmitter side that transmits the signal compliant with the NTSC standard input to the drive circuit and the receiver side that actually emits light. The chromaticity coordinates of red are almost the same. Therefore, a light emitting device that exhibits color reproducibility faithful to input image information can be obtained.

本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.

(実施の形態1)
本発明の一形態としては、構造式(4)〜構造式(19)で表される有機金属錯体が挙げられる。但し、本発明は、ここに記載したものには限定されない。
(Embodiment 1)
As one embodiment of the present invention, organometallic complexes represented by Structural Formulas (4) to (19) can be given. However, the present invention is not limited to those described here.

以上に述べた本発明の有機金属錯体は、NTSC規格の赤色の色度座標により近い、視感度に優れた赤色のリン光を発光することができる。   The organometallic complex according to the present invention described above can emit red phosphorescence that is closer to the NTSC red chromaticity coordinates and has excellent visibility.

(実施の形態2)
本発明の有機金属錯体は、下記一般式(20)で表される化合物をオルトメタル化反応によって金属原子に配位させることにより得ることができる。以下では、この一般式(20)で表される配位子を用い、前記一般式(1)で表される有機金属錯体を合成する手法を説明する。
(Embodiment 2)
The organometallic complex of the present invention can be obtained by coordinating a compound represented by the following general formula (20) to a metal atom by an ortho metalation reaction. Below, the method of synthesize | combining the organometallic complex represented by the said General formula (1) using the ligand represented by this General formula (20) is demonstrated.

なお、一般式(20)おいて、R〜Rは水素、ハロゲン基、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。ただし、R〜Rの少なくとも一つは、電子吸引性置換基を表す。 In General Formula (20), R 1 to R 3 represent any one of hydrogen, a halogen group, an acyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an aryl group, a cyano group, and a heterocyclic group. However, at least one of R 1 to R 3 represents an electron-withdrawing substituent.

一般式(20)で表される配位子(化合物A)は、例えばベンジルを骨格に含む化合物と、ジアミンを骨格に含む化合物とを合成スキーム(a−1)のように反応させて合成することができる。   The ligand (compound A) represented by the general formula (20) is synthesized by, for example, reacting a compound containing benzyl in the skeleton with a compound containing diamine in the skeleton as shown in the synthesis scheme (a-1). be able to.

このようにして得られた一般式(20)の配位子を用いて、本発明で用いる有機金属錯体を合成する。   Using the ligand of the general formula (20) thus obtained, an organometallic complex used in the present invention is synthesized.

たとえば、イリジウムを中心金属として本発明の有機金属錯体を合成する際には、中心金属の原料として塩化イリジウムの水和物を用い、化合物Aと塩化イリジウムとを合成スキーム(a−2)のように反応させ、化合物Aがイリジウムに配位した構造を有する化合物Bを合成する。なお、塩素架橋された化合物Bは複核錯体とも呼ばれる。また、合成スキーム(a−2)で表される反応は、オルトメタル化反応と言われる。   For example, when synthesizing the organometallic complex of the present invention using iridium as a central metal, a hydrate of iridium chloride is used as a raw material for the central metal, and compound A and iridium chloride are synthesized as shown in the synthesis scheme (a-2). To synthesize Compound B having a structure in which Compound A is coordinated to iridium. The chlorine-crosslinked compound B is also called a binuclear complex. Moreover, the reaction represented by the synthesis scheme (a-2) is referred to as an ortho metalation reaction.

次に、合成スキーム(a−3)で表されるように、得られた複核錯体である化合物Bとトリフルオロメタンスルホン酸銀などの脱塩素剤とを反応させて塩化銀を析出させた後、上澄み液とカリウムテトラピラゾリルボロナート(略称:Kbpz)とを反応させる。以上のようにして、一般式(21)で表される本発明の有機金属錯体が得られる。
Next, as represented by the synthesis scheme (a-3), the resulting binuclear complex compound B was reacted with a dechlorinating agent such as silver trifluoromethanesulfonate to precipitate silver chloride, The supernatant is reacted with potassium tetrapyrazolyl boronate (abbreviation: Kbpz 4 ). As described above, the organometallic complex of the present invention represented by the general formula (21) is obtained.

なお、合成スキーム(a−1)、(a−2)、(a−3)、一般式(21)において、R〜Rは水素、ハロゲン基、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。ただし、R〜Rの少なくとも一つは、電子吸引性置換基を表す。電子吸引性置換基は、ハロゲン基、ハロアルキル基、シアノ基であることが好ましい。 Note that in the synthesis schemes (a-1), (a-2), (a-3), and the general formula (21), R 1 to R 3 are hydrogen, a halogen group, an acyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an aryl Represents any of a group, a cyano group, and a heterocyclic group. However, at least one of R 1 to R 3 represents an electron-withdrawing substituent. The electron-withdrawing substituent is preferably a halogen group, a haloalkyl group, or a cyano group.

また、塩化イリジウムの水和物に換えてテトラクロロ白金酸カリウム等の白金を含む塩を用いて合成することによって、中心金属は白金である有機金属錯体を得ることができる。   Further, by synthesizing using a salt containing platinum such as potassium tetrachloroplatinate instead of hydrated iridium chloride, an organometallic complex whose central metal is platinum can be obtained.

以上のように合成した本発明の有機金属錯体は、NTSC規格の赤色の色度座標により近い、視感度に優れた赤色のリン光を発光することができる。   The organometallic complex of the present invention synthesized as described above can emit red phosphorescence that is closer to the NTSC red chromaticity coordinate and has excellent visibility.

(実施の形態3)
本発明の有機金属錯体を発光物質として用いた発光素子の態様について、図1を用いて説明する。
(Embodiment 3)
An embodiment of a light-emitting element using the organometallic complex of the present invention as a light-emitting substance is described with reference to FIGS.

図1には、第1の電極101と第2の電極102との間に発光層113を有する発光素子が表されている。そして、発光層113には、一般式(1)〜(3)のいずれか一で表される本発明の有機金属錯体が含まれている。   FIG. 1 shows a light-emitting element having a light-emitting layer 113 between the first electrode 101 and the second electrode 102. The light emitting layer 113 contains the organometallic complex of the present invention represented by any one of the general formulas (1) to (3).

第1の電極101と第2の電極102との間には、発光層113の他、正孔注入層111、正孔輸送層112、電子輸送層114、電子注入層115等も設けられている。これらの層は、第1の電極101の電位が第2の電極102の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに、第1の電極101側から正孔が注入され第2の電極102側から電子が注入されるように積層されている。   In addition to the light-emitting layer 113, a hole injection layer 111, a hole transport layer 112, an electron transport layer 114, an electron injection layer 115, and the like are provided between the first electrode 101 and the second electrode 102. . In these layers, when a voltage is applied so that the potential of the first electrode 101 is higher than the potential of the second electrode 102, holes are injected from the first electrode 101 side and the second electrode 102. They are stacked so that electrons are injected from the side.

このような発光素子において、第1の電極101側から注入された正孔と、第2の電極102側から注入された電子とは、発光層113において再結合し、発光層中に含まれる本発明の有機金属錯体を励起状態にする。そして、励起状態の有機金属錯体は基底状態に戻るときに発光する。このように、本発明の有機金属錯体は発光物質として機能する。   In such a light-emitting element, holes injected from the first electrode 101 side and electrons injected from the second electrode 102 side are recombined in the light-emitting layer 113 and are included in the light-emitting layer. The organometallic complex of the invention is brought into an excited state. The excited organometallic complex emits light when returning to the ground state. Thus, the organometallic complex of the present invention functions as a light emitting substance.

発光層113は本発明の有機金属錯体のみから形成された層であってもよいが、濃度消光を生じる場合は、発光物質が有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質(ホスト)からなる層中に、発光物質が分散するように混合された層であることが好ましい。発光層113に本発明の有機金属錯体を分散して含ませることで、濃度消光を防ぐことができる。なお、エネルギーギャップとは最低空分子軌道(LUMO:Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位と最高被占分子軌道(HOMO:Highest Occupied Molecular Orbital)準位とのエネルギー差をいう。   The light emitting layer 113 may be a layer formed only from the organometallic complex of the present invention, but when concentration quenching occurs, it is a layer made of a substance (host) having an energy gap larger than that of the light emitting substance. A layer mixed so that the light-emitting substance is dispersed therein is preferable. Concentration quenching can be prevented by dispersing and including the organometallic complex of the present invention in the light emitting layer 113. Note that the energy gap is an energy difference between the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level and the highest occupied molecular orbital (HOMO) level.

本発明の有機金属錯体を分散状態にするために用いる物質について特に限定はないが、2,3−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)キノキサリン(略称:TPAQn)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)のようなアリールアミン骨格を有する化合物の他、4,4’−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)等のカルバゾール誘導体や、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ピリジナト]亜鉛(略称:Znpp)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:ZnBOX)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)等の金属錯体等が好ましい。これらの物質の中から一または二以上の物質を選択して本発明の有機金属錯体が分散状態となるように混合すればよい。また、特に本発明の有機金属錯体と、後述するTPAQn等のバイポーラ性の物質とを混合することによって、さらに効率良く本発明の有機金属錯体を発光させることができる。このように複数の化合物が混合された層は、共蒸着法により形成することができる。ここで、共蒸着とは、一つの処理室内に設けられた複数の蒸着源からそれぞれの原料を気化させ、気化した原料を気相状態で混合し、被処理物上に混合物を堆積させる蒸着法をいう。 There is no particular limitation on a substance used for bringing the organometallic complex of the present invention into a dispersed state, but 2,3-bis (4-diphenylaminophenyl) quinoxaline (abbreviation: TPAQn), 4,4′-bis [N— In addition to a compound having an arylamine skeleton such as (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB), 4,4′-bis (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 4,4 Carbazole derivatives such as', 4 ''-tris (N-carbazolyl) triphenylamine (abbreviation: TCTA), bis [2- (2-hydroxyphenyl) pyridinato] zinc (abbreviation: Znpp 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzoxazolato] zinc (abbreviation: ZnBOX), tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq 3), such as Metal complex, and the like are preferable. One or two or more substances may be selected from these substances and mixed so that the organometallic complex of the present invention is in a dispersed state. In particular, the organometallic complex of the present invention can emit light more efficiently by mixing the organometallic complex of the present invention with a bipolar substance such as TPAQn described later. Thus, the layer in which a plurality of compounds are mixed can be formed by a co-evaporation method. Here, co-evaporation is a vapor deposition method in which each raw material is vaporized from a plurality of vapor deposition sources provided in one processing chamber, the vaporized raw materials are mixed in a gas phase state, and the mixture is deposited on the object to be processed. Say.

第1の電極101を形成する陽極材料は特に限定はされないが、仕事関数の大きい(仕事関数4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陽極材料の具体例としては、インジウム錫酸化物(略称:ITO)、酸化珪素を含有するITO、酸化インジウムに2〜20[wt%]の酸化亜鉛(ZnO)を混合したターゲットを用いて形成されるインジウム亜鉛酸化物(略称:IZO)の他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物(例えば、TiN)等を挙げることができる。   The anode material for forming the first electrode 101 is not particularly limited, but it is preferable to use a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like having a high work function (work function of 4.0 eV or more). Specific examples of such an anode material include indium tin oxide (abbreviation: ITO), ITO containing silicon oxide, and a target in which 2 to 20 wt% zinc oxide (ZnO) is mixed with indium oxide. In addition to indium zinc oxide (abbreviation: IZO), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe) , Cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd), or a nitride of a metal material (for example, TiN).

一方、第2の電極102を形成する物質としては、仕事関数の小さい(仕事関数3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、周期表の1族または2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属またはマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Li)が挙げられる。しかしながら、第2の電極102と発光層113との間に、後述する電子発生層を、当該第2の電極と積層して設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITOや酸化珪素を含有するITO等の第1の電極101の材料として挙げた材料も含めた様々な導電性材料を第2の電極102として用いることができる。   On the other hand, as a material for forming the second electrode 102, a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like having a low work function (a work function of 3.8 eV or less) can be used. Specific examples of such a cathode material include elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table, that is, alkali metals such as lithium (Li) and cesium (Cs), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium ( Alkaline earth metals such as Sr) and alloys containing them (Mg: Ag, Al: Li). However, an electron generation layer described later is provided between the second electrode 102 and the light-emitting layer 113 so as to be stacked with the second electrode, so that Al, Ag, ITO, Various conductive materials including the materials mentioned as the material of the first electrode 101 such as ITO containing silicon oxide can be used as the second electrode 102.

第1の電極101及び第2の電極102は、それぞれ上述した陽極材料もしくは陰極材料を蒸着法、スパッタリング法等により成膜し形成する。なお、膜厚は、10〜500nmとすることが好ましい。   The first electrode 101 and the second electrode 102 are formed by forming the above-described anode material or cathode material, respectively, by vapor deposition, sputtering, or the like. The film thickness is preferably 10 to 500 nm.

また、第1の電極101と発光層113との間には、図1に示すように、正孔輸送層112を設けてもよい。ここで、正孔輸送層とは、第1の電極101側から注入された正孔を発光層113へ輸送する機能を有する層である。このように、正孔輸送層112を設けることによって、第1の電極101と発光層113との距離を離すことができ、その結果、第1の電極101に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐことができる。正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を用いて形成することが好ましく、特に1×10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質を用いて形成することが好ましい。なお、正孔輸送性の高い物質とは、電子よりも正孔の移動度が高い物質をいう。正孔輸送層112を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス{N−[4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル]−N−フェニルアミノ}ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベンゼン(略称:m−MTDAB)、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、フタロシアニン(略称:HPc)、銅フタロシアニン(略称:CuPc)、バナジルフタロシアニン(略称:VOPc)等が挙げられる。また、正孔輸送層112は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。 Further, a hole transport layer 112 may be provided between the first electrode 101 and the light emitting layer 113 as shown in FIG. Here, the hole transport layer is a layer having a function of transporting holes injected from the first electrode 101 side to the light-emitting layer 113. In this manner, by providing the hole transport layer 112, the distance between the first electrode 101 and the light-emitting layer 113 can be increased. As a result, due to the metal contained in the first electrode 101, It is possible to prevent the light emission from being quenched. The hole transport layer is preferably formed using a substance having a high hole transport property, and particularly preferably formed using a substance having a hole mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that a substance having a high hole-transport property refers to a substance having a higher hole mobility than electrons. Specific examples of a substance that can be used to form the hole-transport layer 112 include 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB), 4, 4′-bis [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: TPD), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4,4′-bis {N- [4- ( N, N-di-m-tolylamino) phenyl] -N-phenylamino} biphenyl (abbreviation: DNTPD), 1,3,5-tris [N, N-di (m-tolyl) amino] benzene (abbreviation: m -MTDAB), 4,4 ', 4''- Squirrel (N- carbazolyl) triphenylamine (abbreviation: TCTA), phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc), copper phthalocyanine (abbreviation: CuPc), or vanadyl phthalocyanine (abbreviation: VOPc), and the like. Further, the hole transport layer 112 may be a layer having a multilayer structure formed by combining two or more layers made of the substances described above.

また、第2の電極102と発光層113との間には、図1に示すように、電子輸送層114を有していてもよい。ここで、電子輸送層とは、第2の電極102から注入された電子を発光層113へ輸送する機能を有する層である。このように、電子輸送層114を設けることによって、第2の電極102と発光層113との距離を離すことができ、その結果、第2の電極102に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐことができる。電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を用いて形成することが好ましく、特に1×10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質を用いて形成することが好ましい。なお、電子輸送性の高い物質とは、正孔よりも電子の移動度が高い物質をいう。電子輸送層114を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))等の金属錯体の他、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、4,4−ビス(5−メチルベンズオキサゾル−2−イル)スチルベン(略称:BzOs)等が挙げられる。また、電子輸送層114は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。 Further, an electron transport layer 114 may be provided between the second electrode 102 and the light emitting layer 113 as shown in FIG. Here, the electron transporting layer is a layer having a function of transporting electrons injected from the second electrode 102 to the light emitting layer 113. In this manner, by providing the electron transport layer 114, the distance between the second electrode 102 and the light-emitting layer 113 can be increased, and as a result, light is emitted due to the metal contained in the second electrode 102. Can be prevented from quenching. The electron transport layer is preferably formed using a substance having a high electron transport property, and particularly preferably formed using a substance having an electron mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that a substance having a high electron-transport property refers to a substance having higher electron mobility than holes. Specific examples of a substance that can be used for forming the electron-transport layer 114 include tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Almq 3). ), Bis (10-hydroxybenzo [h] -quinolinato) beryllium (abbreviation: BeBq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq), bis [2- In addition to metal complexes such as (2-hydroxyphenyl) benzoxazolate] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzothiazolate] zinc (abbreviation: Zn (BTZ) 2 ) 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (approximately) Name: PBD), 1,3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 3- (4- tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 3- (4-tert-butylphenyl) -4- (4-ethylphenyl) -5- (4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: p-EtTAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BPhen), bathocuproin (abbreviation: BCP), 4,4-bis (5-methylbenzoxa) And sol-2-yl) stilbene (abbreviation: BzOs). Further, the electron transport layer 114 may be a multilayer structure formed by combining two or more layers made of the above-described substances.

なお、正孔輸送層112と電子輸送層114とは、それぞれ、先に記載した物質の他、バイポーラ性の物質を用いて形成してもよい。バイポーラ性の物質とは、電子または正孔のいずれか一方のキャリアの移動度と他方のキャリアの移動度とを比較したときに、一方のキャリアの移動度に対する他方のキャリアの移動度の比の値が100以下、好ましくは10以下である物質をいう。バイポーラ性の物質として、例えば、2,3−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)キノキサリン(略称:TPAQn)、2,3−ビス{4−[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:NPADiBzQn)等が挙げられる。バイポーラ性の物質の中でも特に、正孔または電子の移動度が1×10−6cm/Vs以上の物質を用いることが好ましい。また同一のバイポーラ性の物質を用いて、正孔輸送層112と電子輸送層114とを形成しても構わない。 Note that the hole transport layer 112 and the electron transport layer 114 may be formed using a bipolar substance in addition to the substances described above. A bipolar substance is the ratio of the mobility of one carrier to the mobility of the other carrier when the mobility of one of the electrons or holes is compared with the mobility of the other carrier. A substance whose value is 100 or less, preferably 10 or less. As a bipolar substance, for example, 2,3-bis (4-diphenylaminophenyl) quinoxaline (abbreviation: TPAQn), 2,3-bis {4- [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] phenyl } -Dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: NPDiBzQn) and the like. Among bipolar substances, a substance having a hole or electron mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or more is preferably used. Alternatively, the hole transport layer 112 and the electron transport layer 114 may be formed using the same bipolar substance.

さらに、第1の電極101と正孔輸送層112との間には、図1に示すように、正孔注入層111を有していてもよい。正孔注入層111は、第1の電極101から正孔輸送層112へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。正孔注入層111を設けることによって、第1の電極101と正孔輸送層112との間のイオン化ポテンシャルの差が緩和され、正孔が注入され易くなる。正孔注入層111は、正孔輸送層112を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが小さく、第1の電極101を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが大きい物質、または正孔輸送層112と第1の電極101との間に1〜2nmの薄膜として設けたときにエネルギーバンドが曲がるような物質を用いて形成することが好ましい。正孔注入層111を形成するのに用いることのできる物質の具体例として、フタロシアニン(略称:HPc)や銅フタロシアニン(CuPC)等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)水溶液(PEDOT/PSS)等の高分子等が挙げられる。つまり、正孔注入層111におけるイオン化ポテンシャルが正孔輸送層112におけるイオン化ポテンシャルよりも相対的に小さくなるような物質を選択することによって、正孔注入層111を形成することができる。 Further, a hole injection layer 111 may be provided between the first electrode 101 and the hole transport layer 112 as shown in FIG. The hole injection layer 111 is a layer having a function of assisting injection of holes from the first electrode 101 to the hole transport layer 112. By providing the hole injection layer 111, the difference in ionization potential between the first electrode 101 and the hole transport layer 112 is reduced, and holes are easily injected. The hole injection layer 111 has a lower ionization potential than the substance forming the hole transport layer 112 and a higher ionization potential than the substance forming the first electrode 101, or the hole transport layer 112. It is preferable to use a substance whose energy band is bent when it is provided as a 1 to 2 nm thin film between the first electrode 101 and the first electrode 101. Specific examples of a substance that can be used to form the hole-injecting layer 111 include phthalocyanine-based compounds such as phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc) and copper phthalocyanine (CuPC), or poly (ethylenedioxythiophene) / Examples thereof include a polymer such as a poly (styrenesulfonic acid) aqueous solution (PEDOT / PSS). That is, the hole injection layer 111 can be formed by selecting a material whose ionization potential in the hole injection layer 111 is relatively smaller than the ionization potential in the hole transport layer 112.

また、第2の電極102と電子輸送層114との間には、図1に示すように、電子注入層115を有していてもよい。ここで、電子注入層115は、第2の電極102から電子輸送層114へ電子の注入を補助する機能を有する層である。電子注入層115を設けることによって、第2の電極102と電子輸送層114との間の電子親和力の差が緩和され、電子が注入され易くなる。電子注入層115は、電子輸送層114を形成している物質よりも電子親和力が大きく第2の電極102を形成している物質よりも電子親和力が小さい物質、または電子輸送層114と第2の電極102との間に1〜2nmの薄膜として設けたときにエネルギーバンドが曲がるような物質を用いて形成することが好ましい。電子注入層115を形成するのに用いることのできる物質の具体例として、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物等の無機物が挙げられる。また、無機物の他、BPhen、BCP、p−EtTAZ、TAZ、BzOs等の電子輸送層114を形成するのに用いることのできる物質も、適宜選択することによって、電子注入層115を形成する物質として用いることができる。つまり、電子注入層115における電子親和力が電子輸送層114における電子親和力よりも相対的に大きくなるような物質を選択することによって、電子注入層115を形成することができる。   Further, an electron injection layer 115 may be provided between the second electrode 102 and the electron transport layer 114 as shown in FIG. Here, the electron injection layer 115 is a layer having a function of assisting injection of electrons from the second electrode 102 to the electron transport layer 114. By providing the electron injection layer 115, the difference in electron affinity between the second electrode 102 and the electron transport layer 114 is reduced, and electrons are easily injected. The electron injection layer 115 is a substance having a higher electron affinity than the substance forming the electron transport layer 114 and a lower electron affinity than the substance forming the second electrode 102, or the electron transport layer 114 and the second transport layer 114. It is preferable to use a substance whose energy band is bent when it is provided as a 1 to 2 nm thin film between the electrode 102 and the electrode 102. Specific examples of a substance that can be used to form the electron injection layer 115 include alkali metal or alkaline earth metal, alkali metal fluoride, alkaline earth metal fluoride, alkali metal oxide, and alkaline earth. Examples thereof include inorganic substances such as metal oxides. In addition to inorganic materials, materials that can be used to form the electron transport layer 114 such as BPhen, BCP, p-EtTAZ, TAZ, and BzOs are also selected as appropriate to form the electron injection layer 115. Can be used. That is, the electron injecting layer 115 can be formed by selecting a substance whose electron affinity in the electron injecting layer 115 is relatively larger than that in the electron transporting layer 114.

以上に述べた本発明の発光素子において、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115は、それぞれ、蒸着法、またはインクジェット法、または塗布法等、いずれの方法で形成しても構わない。   In the light-emitting element of the present invention described above, the hole injection layer 111, the hole transport layer 112, the light-emitting layer 113, the electron transport layer 114, and the electron injection layer 115 are formed by an evaporation method, an inkjet method, or a coating method, respectively. Or any other method.

また、正孔注入層111に換えて正孔発生層を設けてもよいし、または電子注入層115に換えて電子発生層を設けてもよい。   Further, a hole generation layer may be provided instead of the hole injection layer 111, or an electron generation layer may be provided instead of the electron injection layer 115.

ここで、正孔発生層とは、正孔を発生する層である。電子よりも正孔の移動度が高い物質及びバイポーラ性の物質の中から選ばれた少なくとも一の物質と、これらの物質に対して電子受容性を示す物質とを混合することによって正孔発生層を形成することができる。ここで、電子よりも正孔の移動度が高い物質としては、正孔輸送層112を形成するのに用いることのできる物質と同様の物質を用いることができる。また、バイポーラ性の物質についても、TPAQn等の上述したバイポーラ性の物質を用いることができる。また、電子よりも正孔の移動度が高い物質及びバイポーラ性の物質の中でも、特にトリフェニルアミンを骨格に含む物質を用いることが好ましい。トリフェニルアミンを骨格に含む物質を用いることによって、正孔をより発生し易くなる。また、電子受容性を示す物質としては、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物を用いることが好ましい。このような正孔発生層は、厚膜化しても駆動電圧の上昇を伴わないため、正孔発生層の膜厚を調整することでマイクロキャビティ効果や光の干渉効果を利用した光学設計を行うことができる。そのため、色純度に優れ、視野角に依存する色変化などが小さい高品質な発光素子を作製することができる。また、第1の電極101の表面に成膜時に発生する凹凸や電極表面に残った微小な残渣の影響で第1の電極101と第2の電極102がショートすることを防ぐ膜厚を選ぶことができる。   Here, the hole generation layer is a layer that generates holes. A hole generating layer is prepared by mixing at least one substance selected from substances having a higher mobility of holes than electrons and bipolar substances, and a substance having electron acceptability with respect to these substances. Can be formed. Here, as a substance having a higher mobility of holes than electrons, a substance similar to the substance that can be used to form the hole-transport layer 112 can be used. In addition, the bipolar substance described above such as TPAQn can also be used for the bipolar substance. Further, among substances having a higher mobility of holes than electrons and bipolar substances, it is particularly preferable to use a substance containing triphenylamine in the skeleton. By using a substance containing triphenylamine in the skeleton, holes are more easily generated. As the substance exhibiting electron accepting properties, it is preferable to use a metal oxide such as molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, or rhenium oxide. Since such a hole generation layer does not increase the driving voltage even when it is thickened, an optical design utilizing the microcavity effect or the light interference effect is performed by adjusting the film thickness of the hole generation layer. be able to. Therefore, a high-quality light-emitting element with excellent color purity and a small color change depending on the viewing angle can be manufactured. In addition, a film thickness that prevents the first electrode 101 and the second electrode 102 from being short-circuited due to the unevenness generated during the film formation on the surface of the first electrode 101 and the minute residue remaining on the electrode surface is selected. Can do.

また、電子発生層とは、電子を発生する層である。正孔よりも電子の移動度が高い物質及びバイポーラ性の物質の中から選ばれた少なくとも一の物質と、これらの物質に対して電子供与性を示す物質とを混合することによって電子発生層を形成することができる。ここで、正孔よりも電子の移動度が高い物質としては電子輸送層114を形成するのに用いることのできる物質と同様の物質を用いることができる。また、バイポーラ性の物質についても、TPAQn等の上述したバイポーラ性の物質を用いることができる。また、電子供与性を示す物質としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の中から選ばれた物質、具体的にはリチウム(Li)、カルシウム(Ca)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、マグネシウム(Mg)等を用いることができる。また、アルカリ金属酸化物またはアルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物等、具体的にはリチウム酸化物(LiO)、カルシウム酸化物(CaO)、ナトリウム酸化物(NaO)、カリウム酸化物(KO)、マグネシウム酸化物(MgO)から選ばれる少なくとも一の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。また、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、具体的にはフッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)等のフッ化物を用いることも可能である。 The electron generating layer is a layer that generates electrons. The electron generating layer is formed by mixing at least one substance selected from substances having higher electron mobility than holes and bipolar substances, and a substance exhibiting an electron donating property with respect to these substances. Can be formed. Here, as a substance having higher electron mobility than holes, a substance similar to the substance that can be used to form the electron-transport layer 114 can be used. In addition, the bipolar substance described above such as TPAQn can also be used for the bipolar substance. Moreover, as the substance exhibiting electron donating property, a substance selected from alkali metals and alkaline earth metals, specifically, lithium (Li), calcium (Ca), sodium (Na), potassium (K), Magnesium (Mg) or the like can be used. Further, alkali metal oxides or alkaline earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkaline earth metal nitrides, etc., specifically lithium oxide (Li 2 O), calcium oxide (CaO), sodium oxide At least one substance selected from (Na 2 O), potassium oxide (K 2 O), and magnesium oxide (MgO) can also be used as the substance exhibiting electron donating properties. Moreover, it is also possible to use alkali metal fluorides, alkaline earth metal fluorides, specifically fluorides such as lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), and calcium fluoride (CaF 2 ). .

以上に述べたような本発明の発光素子は本発明の有機金属錯体を用いているため、NTSC規格の赤色の色度座標により近い、視感度に優れた赤色のリン光を発光することができる。また、本発明の発光素子は、リン光を発光することができるため発光効率が良い。   Since the light-emitting element of the present invention as described above uses the organometallic complex of the present invention, it can emit red phosphorescence excellent in luminous sensitivity, which is closer to the NTSC standard red chromaticity coordinate. . In addition, since the light-emitting element of the present invention can emit phosphorescence, its light emission efficiency is good.

(実施の形態4)
本発明の発光素子は、複数の発光層を有するものであってもよい。複数の発光層を設け、それぞれの発光層からの発光を混合することで、例えば白色光の光を得ることができる。本形態では、このような発光素子について図2、3を用いて説明する。
(Embodiment 4)
The light emitting device of the present invention may have a plurality of light emitting layers. For example, white light can be obtained by providing a plurality of light emitting layers and mixing light emitted from the respective light emitting layers. In this embodiment, such a light-emitting element will be described with reference to FIGS.

図2において、第1の電極201と第2の電極202との間には、第1の発光層213と第2の発光層215とを有する。第1の発光層213と第2の発光層215との間には、間隔層214を設けることが好ましい。   In FIG. 2, a first light-emitting layer 213 and a second light-emitting layer 215 are provided between the first electrode 201 and the second electrode 202. A spacing layer 214 is preferably provided between the first light-emitting layer 213 and the second light-emitting layer 215.

第1の電極201の電位よりも第2の電極202の電位が高くなるように電圧を印加すると、第1の電極201と第2の電極202との間に電流が流れ、第1の発光層213、第2の発光層215または間隔層214において正孔と電子とが再結合する。なお、間隔層214での再結合によって生じた励起エネルギーは、間隔層214から第1の発光層213と第2の発光層215のそれぞれに移り、第1の発光層213に含まれた第1の発光物質と第2の発光層215に含まれた第2の発光物質を励起状態にする。そして、励起状態になった第1の発光物質と第2の発光物質とは、それぞれ基底状態に戻るときに発光する。   When a voltage is applied so that the potential of the second electrode 202 is higher than the potential of the first electrode 201, a current flows between the first electrode 201 and the second electrode 202, and the first light emitting layer In 213, the second light emitting layer 215, or the spacing layer 214, holes and electrons are recombined. Note that excitation energy generated by recombination in the spacing layer 214 moves from the spacing layer 214 to each of the first light-emitting layer 213 and the second light-emitting layer 215, and the first energy included in the first light-emitting layer 213. And the second luminescent material contained in the second luminescent layer 215 are brought into an excited state. The first light-emitting substance and the second light-emitting substance that are in the excited state emit light when returning to the ground state.

第1の発光層213には、ペリレン、2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルペリレン(略称:TBP)、4,4’−ビス[2−ジフェニルビニル]ビフェニル(略称:DPVBi)、4,4’−ビス[2−(N−エチルカルバゾール−3−イル)ビニル]ビフェニル(略称:BCzVBi)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−クロロガリウム(略称:GamqCl)などの蛍光物質や、ビス[2−(3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CFppy)(pic))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIr(pic))などのリン光物質に代表される第1の発光物質が含まれており、第1の発光層213から450〜510nmに発光スペクトルのピークを有する発光が得られる。また、第2の発光層215には、一般式(1)〜(3)のいずれか一で表される本発明の有機金属錯体が第2の発光物質として機能するように含まれており、第2の発光層215からは、NTSC規格の赤色の色度座標により近い視感度に優れた赤色のリン光が得られる。そして、第1の発光層213からの発光色と第2の発光層215からの発光色とは、第1の電極201と第2の電極202とのいずれか一もしくは両方を通って外部に射出する。外部に射出したそれぞれの発光は、視覚的に混合され、白色光として視認される。 The first light-emitting layer 213 includes perylene, 2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene (abbreviation: TBP), 4,4′-bis [2-diphenylvinyl] biphenyl (abbreviation: DPVBi), 4,4′-bis [2- (N-ethylcarbazol-3-yl) vinyl] biphenyl (abbreviation: BCzVBi), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq ), Bis (2-methyl-8-quinolinolato) -chlorogallium (abbreviation: Gamq 2 Cl), and bis [2- (3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl) pyridinato-N, C 2 '] iridium (III) picolinate (abbreviation: Ir (CF 3 ppy) 2 (pic)), bis [2- (4,6-difluorophenyl) pyridinato N, C 2 '] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: FIr (acac)), bis [2- (4,6-difluorophenyl) pyridinato -N, C 2'] iridium (III) picolinate (abbreviation: A first light-emitting substance typified by a phosphorescent substance such as FIr (pic)) is included, and light emission having an emission spectrum peak at 450 to 510 nm can be obtained from the first light-emitting layer 213. The second light-emitting layer 215 includes the organometallic complex of the present invention represented by any one of the general formulas (1) to (3) so as to function as a second light-emitting substance. From the second light emitting layer 215, red phosphorescence with excellent visibility close to the NTSC standard red chromaticity coordinate is obtained. Then, the emission color from the first emission layer 213 and the emission color from the second emission layer 215 are emitted to the outside through one or both of the first electrode 201 and the second electrode 202. To do. Each light emitted to the outside is visually mixed and visually recognized as white light.

第1の発光層213は、450〜510nmの発光を呈することのできる発光物質が該発光物質のエネルギーギャップよりも大きなエネルギーギャップを有する物質(第1のホスト)から成る層中に分散した状態で含まれているか、もしくは、450〜510nmの発光を呈することのできる発光物質から成る層であることが好ましい。第1のホストとしては、NPB、CBP、TCTA、Znpp、ZnBOXの他、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジ(2−ナフチル)−2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuDNA)等を用いることができる。また、第2の発光層215は、本発明の有機金属錯体が、本発明の有機金属錯体のエネルギーギャップよりも大きなエネルギーギャップを有する物質(第2のホスト)から成る層中に、分散した状態で含まれた層であることが好ましい。第2のホストとしては、TPAQn、NPB、CBP、TCTA、Znpp、ZnBOX、Alq等を用いることができる。また、間隔層214は、第1の発光層213、第2の発光層215または間隔層214において再結合により発生したエネルギーが第1の発光層213と第2の発光層215の両方に移動できると共に、第1の発光層213と第2の発光層215のいずれか一方のみにエネルギーが移動しないように阻止するための機能を有するように形成されていることが好ましい。具体的には、間隔層214は、TPAQn、NPB、CBP、TCTA、Znpp、ZnBOX等を用いて形成することができる。このように、間隔層214を設けることで、第1の発光層213と第2の発光層215のいずれか一方のみの発光強度が強くなってしまい、白色発光が得られなくなるという不具合を防ぐことができる。 The first light-emitting layer 213 is a state where a light-emitting substance capable of emitting light of 450 to 510 nm is dispersed in a layer made of a substance (first host) having an energy gap larger than that of the light-emitting substance. It is preferably a layer made of a light-emitting substance that is contained or can emit light of 450 to 510 nm. As the first host, NPB, CBP, TCTA, Znpp 2 , ZnBOX, 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 9,10-di (2-naphthyl) -2- Tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuDNA) or the like can be used. In the second light-emitting layer 215, the organometallic complex of the present invention is dispersed in a layer made of a substance (second host) having an energy gap larger than that of the organometallic complex of the present invention. It is preferable that it is the layer contained by. As the second host, TPAQn, NPB, CBP, TCTA, Znpp 2 , ZnBOX, Alq 3 or the like can be used. In the spacing layer 214, energy generated by recombination in the first light-emitting layer 213, the second light-emitting layer 215, or the spacing layer 214 can move to both the first light-emitting layer 213 and the second light-emitting layer 215. In addition, it is preferable that the first light emitting layer 213 and the second light emitting layer 215 are formed so as to have a function for preventing energy from being transferred to only one of the first light emitting layer 213 and the second light emitting layer 215. Specifically, the spacing layer 214 can be formed using TPAQn, NPB, CBP, TCTA, Znpp 2 , ZnBOX, or the like. As described above, the provision of the spacing layer 214 prevents a problem that the light emission intensity of only one of the first light-emitting layer 213 and the second light-emitting layer 215 is increased and white light emission cannot be obtained. Can do.

なお、第1の発光層213に含まれる発光物質について特に限定はない。   Note that there is no particular limitation on the light-emitting substance contained in the first light-emitting layer 213.

また、図2に示すように、第1の発光層213と第1の電極201との間には、電子輸送層212や電子注入層211が設けられていてもよい。また、第2の発光層215と第2の電極202との間には、正孔輸送層216や正孔注入層217が設けられていてもよい。なお、これらの層を形成する物質は、実施の形態3に記載したものを用いることができる。   In addition, as illustrated in FIG. 2, an electron transport layer 212 or an electron injection layer 211 may be provided between the first light-emitting layer 213 and the first electrode 201. In addition, a hole transport layer 216 and a hole injection layer 217 may be provided between the second light-emitting layer 215 and the second electrode 202. Note that those described in Embodiment Mode 3 can be used as a material for forming these layers.

本形態では、図2のように二層の発光層が設けられた発光素子について記載しているが、発光層の層数は二層に限定されるものではなく、例えば三層であってもよい。そして、それぞれの発光層からの発光を組み合わせて、白色として視認されるようにすればよい。   In this embodiment mode, a light-emitting element provided with two light-emitting layers as shown in FIG. 2 is described. However, the number of light-emitting layers is not limited to two. For example, three layers may be used. Good. And what is necessary is just to be visually recognized as white combining the light emission from each light emitting layer.

また、図2を用いて説明したような発光素子の他、図3に表されるような、発光素子であってもよい。図3の発光素子は、第1の電極301と第2の電極302との間には、第1の発光層313と第2の発光層318とを有し、第1の発光層313と第2の発光層318との間には、第1の層315と第2の層316とを有する。   In addition to the light-emitting element described with reference to FIG. 2, a light-emitting element as illustrated in FIG. 3 may be used. The light-emitting element in FIG. 3 includes a first light-emitting layer 313 and a second light-emitting layer 318 between the first electrode 301 and the second electrode 302, and the first light-emitting layer 313 and the second light-emitting layer 318 are provided. Between the second light emitting layer 318, a first layer 315 and a second layer 316 are provided.

第1の層315は正孔を発生する層であり、第2の層316は電子を発生する層である。第1の電極301の電位よりも第2の電極302の電位の方が高くなるように電圧を印加したとき、第1の電極301から注入された電子と、第1の層315から注入された正孔とは、第1の発光層313において再結合し、第1の発光層313に含まれた発光物質が発光する。さらに、第2の電極302から注入された正孔と第2の層316から注入された電子とは第2の発光層318において再結合し、第2の発光層318含まれた発光物質が発光する。   The first layer 315 is a layer that generates holes, and the second layer 316 is a layer that generates electrons. When a voltage was applied so that the potential of the second electrode 302 was higher than the potential of the first electrode 301, electrons injected from the first electrode 301 and injected from the first layer 315 The holes are recombined in the first light-emitting layer 313, and the light-emitting substance contained in the first light-emitting layer 313 emits light. Further, the holes injected from the second electrode 302 and the electrons injected from the second layer 316 are recombined in the second light-emitting layer 318, and the light-emitting substance contained in the second light-emitting layer 318 emits light. To do.

第1の発光層313には、ペリレン、TBP、DPVBi、BCzVBi、BAlq、GamqClなどの蛍光物質や、Ir(CFppy)(pic)、FIr(acac)、FIr(pic)などのリン光物質に代表される発光物質が含まれており、450〜510nmに発光スペクトルのピークを有する発光が得られる。また、第2の発光層318には、本発明の有機金属錯体が発光物質として機能するように含まれており、第2の発光層318からは、NTSC規格の赤色の色度座標により近い視感度に優れた赤色のリン光が得られる。第1の発光層313からの発光と、第2の発光層318からの発光とは、第1の電極301または第2の電極302とのいずれか一若しくは両方から射出する。そして、両発光層からの発光は視覚的に混合され、白色光として視認される。 The first light-emitting layer 313 includes a fluorescent material such as perylene, TBP, DPVBi, BCzVBi, BAlq, and Gamq 2 Cl, Ir (CF 3 ppy) 2 (pic), FIr (acac), FIr (pic), and the like. A light-emitting substance typified by a phosphorescent substance is contained, and light emission having an emission spectrum peak at 450 to 510 nm can be obtained. The second light-emitting layer 318 includes the organometallic complex of the present invention so as to function as a light-emitting substance, and the second light-emitting layer 318 has a view closer to the NTSC standard red chromaticity coordinate. Red phosphorescence with excellent sensitivity can be obtained. Light emission from the first light-emitting layer 313 and light emission from the second light-emitting layer 318 are emitted from one or both of the first electrode 301 and the second electrode 302. And the light emission from both light emitting layers is visually mixed and visually recognized as white light.

第2の発光層318において、本発明の有機金属錯体は、前述のように第2のホストに分散して含まれていることが好ましい。また、第1の発光層313についても、発光物質は上述した第1のホストに分散されていることが好ましい。   In the second light-emitting layer 318, it is preferable that the organometallic complex of the present invention is contained dispersedly in the second host as described above. In the first light-emitting layer 313, the light-emitting substance is preferably dispersed in the first host described above.

第1の層315は、電子よりも正孔の輸送性が高い物質の中に、その物質に対し電子受容性を示す物質とを含む層であることが好ましい。電子よりも正孔の輸送性が高い物質にとしては、上述した正孔輸送層を形成するときに用いる物質と同様のものを用いればよい。また、電子よりも正孔の輸送性が高い物質に対し電子受容性を示す物質としては、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(略称:TCNQ)、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(略称:F−TCNQ)等を用いることができる。 The first layer 315 is preferably a layer including a substance having a property of transporting more holes than electrons and a substance having an electron accepting property with respect to the substance. As the substance having a higher hole-transport property than electrons, the same substance as that used for forming the hole-transport layer described above may be used. In addition, as a substance having an electron accepting property with respect to a substance having a higher hole-transport property than electrons, molybdenum oxide, vanadium oxide, 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (abbreviation: TCNQ) 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (abbreviation: F 4 -TCNQ) or the like can be used.

第2の層316は、正孔よりも電子の輸送性が高い物質の中に、その物質に対し電子供与性を示す物質とを含む層であることが好ましい。正孔よりも電子の輸送性が高い物質にとしては、上述した電子輸送層を形成するときに用いる物質と同様のものを用いればよい。また正孔よりも電子の輸送性が高い物質に対し電子供与性を示す物質としては、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属及びエルビウム、イッテルビウム等の希土類金属等を用いることができる。   The second layer 316 is preferably a layer including a substance having an electron transport property higher than that of holes and a substance that exhibits an electron donating property with respect to the substance. As the substance having a property of transporting electrons higher than that of holes, the same substance as that used for forming the above-described electron transport layer may be used. In addition, as a substance exhibiting an electron donating property with respect to a substance having a higher electron transportability than holes, alkali metals such as lithium and cesium, alkaline earth metals such as magnesium and calcium, and rare earth metals such as erbium and ytterbium, etc. Can be used.

また、図3に示すように、第1の発光層313と第1の電極301との間には、電子輸送層312や電子注入層311が設けられていてもよい。また、第1の発光層313と第1の層315との間には、正孔輸送層314が設けられていてもよい。また、第2の発光層318と第2の電極302との間には、正孔輸送層319や正孔注入層320が設けられていてもよい。また、第2の発光層318と第2の層316との間には電子輸送層317が設けられていてもよい。   In addition, as illustrated in FIG. 3, an electron transport layer 312 or an electron injection layer 311 may be provided between the first light-emitting layer 313 and the first electrode 301. In addition, a hole-transport layer 314 may be provided between the first light-emitting layer 313 and the first layer 315. Further, a hole transport layer 319 or a hole injection layer 320 may be provided between the second light-emitting layer 318 and the second electrode 302. In addition, an electron-transport layer 317 may be provided between the second light-emitting layer 318 and the second layer 316.

また、本形態では、図3のように二層の発光層が設けられた発光素子について記載しているが、発光層の層数は二層に限定されるものでは無く、例えば三層であってもよい。そして、それぞれの発光層からの発光を組み合わせて、白色として視認されるようにすればよい。   Further, in this embodiment mode, a light-emitting element provided with two light-emitting layers as shown in FIG. 3 is described, but the number of light-emitting layers is not limited to two, for example, three layers. May be. And what is necessary is just to be visually recognized as white combining the light emission from each light emitting layer.

(実施の形態5)
本発明の有機金属錯体を増感剤として用いた発光素子の態様について、図4を用いて説明する。
(Embodiment 5)
An embodiment of a light-emitting element using the organometallic complex of the present invention as a sensitizer will be described with reference to FIGS.

図4には、第1の電極401と第2の電極402との間に発光層413を有する発光素子が表されている。発光層413には、一般式(1)〜(3)のいずれか一で表される本発明の有機金属錯体と、本発明の有機金属錯体よりも長波長の発光を呈することのできる蛍光材料とが含まれている。なお、蛍光材料とは、励起状態から基底状態に戻るときに蛍光を発光する物質である。   FIG. 4 illustrates a light-emitting element having a light-emitting layer 413 between the first electrode 401 and the second electrode 402. In the light emitting layer 413, the organometallic complex of the present invention represented by any one of the general formulas (1) to (3) and a fluorescent material capable of emitting light having a longer wavelength than the organometallic complex of the present invention. And are included. Note that a fluorescent material is a substance that emits fluorescence when returning from an excited state to a ground state.

このような発光素子において、第1の電極401から注入された正孔と、第2の電極402から注入された電子とは、発光層413において再結合し、蛍光材料を励起状態にする。そして、励起状態の蛍光材料は基底状態に戻るときに発光する。この時、本発明の有機金属錯体は、蛍光材料に対し増感剤として作用し、蛍光材料の一重項励起状態の数を増幅する。このように、本発明の有機金属錯体を増感剤として用いることによって発光効率の良い発光素子を得ることができる。なお、本形態の発光素子において、第1の電極401は陽極として機能し、第2の電極402は陰極として機能する。   In such a light-emitting element, holes injected from the first electrode 401 and electrons injected from the second electrode 402 are recombined in the light-emitting layer 413 to bring the fluorescent material into an excited state. The excited fluorescent material emits light when returning to the ground state. At this time, the organometallic complex of the present invention acts as a sensitizer for the fluorescent material, and amplifies the number of singlet excited states of the fluorescent material. As described above, a light-emitting element with high emission efficiency can be obtained by using the organometallic complex of the present invention as a sensitizer. Note that in the light-emitting element of this embodiment mode, the first electrode 401 functions as an anode and the second electrode 402 functions as a cathode.

ここで、発光層413について特に限定はないが、本発明の有機金属錯体と蛍光材料とが、本発明の有機金属錯体の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質(ホスト)からなる層中に、分散して含まれた層であることが好ましい。   Here, there is no particular limitation on the light-emitting layer 413, but the organic metal complex and the fluorescent material of the present invention are in a layer formed of a substance (host) having an energy gap larger than the energy gap of the organometallic complex of the present invention. It is preferable that the layer is dispersed and contained.

蛍光材料について特に限定はなく、マグネシウムフタロシアニン、フタロシアニン等の赤色〜赤外の発光を示す化合物が好ましい。また、本発明の有機金属錯体と蛍光材料とを分散状態にするために用いる物質について特に限定はなく、実施の形態3において記載した、本発明の有機金属錯体を分散状態にするために用いることの出来る物質等を用いることができる。   The fluorescent material is not particularly limited, and compounds exhibiting red to infrared light emission such as magnesium phthalocyanine and phthalocyanine are preferable. There is no particular limitation on the substance used for dispersing the organometallic complex and the fluorescent material of the present invention, and the substance described in Embodiment 3 is used for bringing the organometallic complex to a dispersed state. The substance etc. which can be used can be used.

第1の電極401と第2の電極402とについても特に限定はなく、実施の形態3に記載の第1の電極101、第2の電極102と同様のものを用いることがきる。   There is no particular limitation on the first electrode 401 and the second electrode 402, and the same materials as the first electrode 101 and the second electrode 102 described in Embodiment 3 can be used.

また、第1の電極401と発光層413との間には、図4に表されるように、正孔注入層411、正孔輸送層412等を設けてもよい。また、第2の電極402と発光層413との間にも、電子輸送層414、電子注入層415等を設けてもよい。   In addition, a hole injection layer 411, a hole transport layer 412, and the like may be provided between the first electrode 401 and the light-emitting layer 413 as illustrated in FIG. Further, an electron transport layer 414, an electron injection layer 415, or the like may be provided between the second electrode 402 and the light-emitting layer 413.

正孔注入層411、正孔輸送層412、電子輸送層414、電子注入層415は、それぞれ、実施の形態3に記載の正孔注入層111、正孔輸送層112、電子輸送層114、電子注入層115と同様のものを用いることができる。また、本形態の発光素子に正孔注入層411、正孔輸送層412、電子輸送層414、電子注入層415と異なった機能を有する他の機能層等を設けてもよい。   The hole injection layer 411, the hole transport layer 412, the electron transport layer 414, and the electron injection layer 415 are the hole injection layer 111, the hole transport layer 112, the electron transport layer 114, and the electrons described in Embodiment 3, respectively. The same material as the injection layer 115 can be used. The light-emitting element of this embodiment may be provided with a hole injection layer 411, a hole transport layer 412, an electron transport layer 414, another functional layer having a function different from that of the electron injection layer 415, or the like.

以上に述べた発光素子は、本発明の有機金属錯体を増感剤として用いることによって得られるものである。   The light-emitting element described above is obtained by using the organometallic complex of the present invention as a sensitizer.

(実施の形態6)
本実施形態では、本発明を適用した発光装置について図5を用いて説明する。なお、図5(A)は、発光装置を示す上面図、図5(B)は図5(A)中A−A’線断面図(A−A’で切断した断面図)である。図5(A)、(B)のそれぞれにおいて、対応するものは同一の符号を用いて表している。500は基板、点線で示された501は駆動回路部(ソース側駆動回路)、502は画素部、503は駆動回路部(ゲート側駆動回路)である。また、504は封止基板、505はシール材であり、シール材505で囲まれた内側は、空間506になっている。
(Embodiment 6)
In this embodiment, a light-emitting device to which the present invention is applied will be described with reference to FIG. 5A is a top view illustrating the light-emitting device, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 5A (a cross-sectional view cut along AA ′). In each of FIGS. 5A and 5B, the corresponding components are denoted by the same reference numerals. Reference numeral 500 denotes a substrate, reference numeral 501 indicated by a dotted line denotes a driver circuit portion (source side driver circuit), 502 denotes a pixel portion, and 503 denotes a driver circuit portion (gate side driver circuit). Further, reference numeral 504 denotes a sealing substrate, and 505 denotes a sealing material. An inner side surrounded by the sealing material 505 is a space 506.

なお、507は、ソース側駆動回路501またはゲート側駆動回路503に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)508からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示していないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていてもよい。本発明の発光装置には、発光装置本体だけの場合はもちろん、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。   Note that reference numeral 507 denotes wiring for transmitting a signal input to the source side driver circuit 501 or the gate side driver circuit 503, and a video signal, a clock signal, and a start signal from an FPC (flexible printed circuit) 508 serving as an external input terminal. Receive signals, reset signals, etc. Although only the FPC is shown here, a printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC. The light emitting device of the present invention includes not only the light emitting device main body but also a state in which an FPC or PWB is attached thereto.

次に、断面構造について図5(B)を用いて説明する。基板500上には駆動回路部および画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路501と、画素部502が示されている。   Next, a cross-sectional structure is described with reference to FIG. A driver circuit portion and a pixel portion are formed over the substrate 500. Here, a source side driver circuit 501 which is a driver circuit portion and a pixel portion 502 are shown.

なお、ソース側駆動回路501はnチャネル型薄膜トランジスタ521とpチャネル型薄膜トランジスタ522とを組み合わせたCMOS回路で形成されている。また、駆動回路を形成する薄膜トランジスタは、公知のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成してもよい。また、本形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示しているが、必ずしもその必要はなく駆動回路を外部に形成することもできる。   Note that the source side driver circuit 501 is formed of a CMOS circuit in which an n-channel thin film transistor 521 and a p-channel thin film transistor 522 are combined. Further, the thin film transistor that forms the driving circuit may be formed using a known CMOS circuit, PMOS circuit, or NMOS circuit. Further, in this embodiment mode, a driver integrated type in which a drive circuit is formed on a substrate is shown; however, it is not always necessary and the drive circuit can be formed outside.

また、画素部502はスイッチング用薄膜トランジスタ511と、電流制御用薄膜トランジスタ512と、そのドレインに電気的に接続された第1の電極513とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極513の端部を覆って絶縁物514が形成されている。   The pixel portion 502 is formed by a plurality of pixels including a switching thin film transistor 511, a current control thin film transistor 512, and a first electrode 513 electrically connected to a drain thereof. Note that an insulator 514 is formed so as to cover an end portion of the first electrode 513.

また、後に形成される発光物質を含む層515の成膜を良好なものとするため、絶縁物514の上端部または下端部、あるいは上下端部が曲率を有する曲面となるように形成することが好ましい。例えば、絶縁物514の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物514の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物514として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、あるいは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。さらには、絶縁物514の材料として有機物に限らず酸化珪素、酸窒化珪素等の無機物も用いることできる。   In order to improve the formation of the layer 515 containing a light-emitting substance to be formed later, the upper end or the lower end, or the upper and lower ends of the insulator 514 may be formed to have a curved surface having a curvature. preferable. For example, in the case where positive photosensitive acrylic is used as a material for the insulator 514, it is preferable that only the upper end portion of the insulator 514 has a curved surface having a curvature radius (0.2 μm to 3 μm). As the insulator 514, either a negative type that becomes insoluble in an etchant by photosensitive light or a positive type that becomes soluble in an etchant by light can be used. Furthermore, the material of the insulator 514 is not limited to an organic material, and an inorganic material such as silicon oxide or silicon oxynitride can also be used.

また、第1の電極513上には、発光物質を含む層515、および第2の電極516がそれぞれ形成されている。   Further, a layer 515 containing a light-emitting substance and a second electrode 516 are formed over the first electrode 513.

第1の電極513と発光物質を含む層515と第2の電極516とを有する発光素子517は、本発明の有機金属錯体を有する発光素子である。発光物質を含む層515に、一般式(1)〜(3)で表される有機金属錯体のうちの少なくとも1つを有する発光層を有していていれば、その他の層の積層構造については特に限定されない。なお、第1の電極513、発光物質を含む層515、及び第2の電極516は、実施の形態3に記載した各々の材料を適宜選択して用いることができる。   A light-emitting element 517 including the first electrode 513, the layer 515 containing a light-emitting substance, and the second electrode 516 is a light-emitting element including the organometallic complex of the present invention. If the layer 515 containing a light-emitting substance has a light-emitting layer having at least one of the organometallic complexes represented by the general formulas (1) to (3), There is no particular limitation. Note that each of the materials described in Embodiment 3 can be selected as appropriate for the first electrode 513, the layer 515 containing a light-emitting substance, and the second electrode 516.

さらに、シール材505で封止基板504を基板500と貼り合わせることにより、基板500、封止基板504、およびシール材505で囲まれた空間506に発光素子517が備えられた構造になっている。なお、空間506には、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材505で充填される構成も含むものとする。   Further, the sealing substrate 504 is bonded to the substrate 500 with the sealing material 505, whereby the light-emitting element 517 is provided in the space 506 surrounded by the substrate 500, the sealing substrate 504, and the sealing material 505. . Note that the space 506 includes a structure filled with a sealant 505 in addition to a case where the space is filled with an inert gas (nitrogen, argon, or the like).

シール材505にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板504に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のように、発光装置を作製することができる。   An epoxy resin is preferably used for the sealant 505. Moreover, it is desirable that these materials are materials that do not transmit moisture and oxygen as much as possible. In addition to a glass substrate or a quartz substrate, a plastic substrate made of FRP (Fiberglass-Reinforced Plastics), PVF (polyvinyl fluoride), Mylar, polyester, acrylic, or the like can be used as a material for the sealing substrate 504. As described above, a light-emitting device can be manufactured.

なお、第1の電極513および第2の電極516がいずれも透光性を有する物質で構成されている場合、第1の電極513側と第2の電極516側の両方から発光を取り出すことができる。また、第2の電極516のみが透光性を有する物質で構成されている場合、第2の電極516側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第1の電極513は反射率の高い材料で構成されているか、または反射率の高い材料から成る膜(反射膜)が第1の電極513の下方に設けられていることが好ましい。また、第1の電極513のみが透光性を有する物質で構成されている場合、第1の電極513側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第2の電極516は反射率の高い材料で構成されているか、または反射膜が第2の電極516の上方に設けられていることが好ましい。   Note that in the case where each of the first electrode 513 and the second electrode 516 is formed using a light-transmitting substance, light emission can be extracted from both the first electrode 513 side and the second electrode 516 side. it can. In addition, in the case where only the second electrode 516 is formed using a light-transmitting substance, light emission can be extracted only from the second electrode 516 side. In this case, the first electrode 513 is preferably made of a material with high reflectivity, or a film (reflective film) made of a material with high reflectivity is provided below the first electrode 513. Further, in the case where only the first electrode 513 is formed using a light-transmitting substance, light emission can be extracted only from the first electrode 513 side. In this case, it is preferable that the second electrode 516 is made of a material having high reflectivity or a reflective film is provided above the second electrode 516.

また、発光素子517は、第1の電極513の電位よりも第2の電極516の電位が高くなるように電圧を印加したときに動作するように発光物質を含む層515が積層されたものであってもよいし、第1の電極513の電位よりも第2の電極516の電位が低くなるように電圧を印加したときに動作するように発光物質を含む層515が積層されたものであってもよい。   The light-emitting element 517 is formed by stacking a layer 515 containing a light-emitting substance so that the light-emitting element 517 operates when a voltage is applied so that the potential of the second electrode 516 is higher than the potential of the first electrode 513. Alternatively, a layer 515 containing a light-emitting substance may be stacked so as to operate when a voltage is applied so that the potential of the second electrode 516 is lower than the potential of the first electrode 513. May be.

本発明の発光装置は、本発明の有機金属錯体を発光物質として用いることによって、視感度に優れている。また、NTSC規格の赤色の色度座標により近い赤色のリン光を発光することができるため、駆動回路に入力されるNTSC規格に準拠した信号を送信する送信側と、実際に発光する受動側において、赤の色度座標がほぼ一致している。よって、入力される画像情報に対して忠実な色再現性を示す表示装置を得ることができる。   The light-emitting device of the present invention has excellent visibility by using the organometallic complex of the present invention as a light-emitting substance. Moreover, since red phosphorescence closer to the NTSC standard red chromaticity coordinate can be emitted, on the transmitting side for transmitting a signal compliant with the NTSC standard inputted to the drive circuit and on the passive side for actually emitting light. The chromaticity coordinates of red are almost the same. Therefore, a display device that exhibits color reproducibility faithful to input image information can be obtained.

本実施形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブ型の発光装置について説明したが、それぞれの画素に薄膜トランジスタ等の駆動用の素子を特に設けずに発光素子を駆動させる、パッシブ型の発光装置であってもよい。   In this embodiment, an active light-emitting device that controls driving of a light-emitting element using a transistor has been described. However, passive light-emitting that drives a light-emitting element without providing a driving element such as a thin film transistor in each pixel. It may be a device.

なお、本実施形態は、実施形態1〜5および後述する実施例1と自由に組み合わせることができる。   This embodiment can be freely combined with Embodiments 1 to 5 and Example 1 described later.

(実施の形態7)
本実施形態では、本発明を適用したパッシブ型の発光装置について図11(A)、(B)を用いて説明する。図11(A)、(B)は、それぞれ、本発明を適用したパッシブ型の発光装置の斜視図と上面図である。なお、図11(A)は、図11(B)の点線808で囲まれた部分について斜視した図である。図11(A)、(B)のそれぞれにおいて、対応するものは同一の符号を用いて表している。図11(A)において、第1の基板801上には、複数の第1の電極802が並列に設けられている。第1の電極802のそれぞれの端部は、隔壁層803で覆われている。最も手前に位置している第1の電極802においても端部が隔壁層803によって覆われているが、図11(A)では第1の基板801上に設けられた第1の電極802と隔壁層803とが配置されている様子を分かり易くする為に図示していない。第1の電極802の上方には複数の第2の電極805が、第1の電極802と交差するように並列に設けられている。なお、第1の電極802と第2の電極805との間には発光物質を含む層804が設けられている。第1の電極802と第2の電極805とが交差した部分は、電極間に発光物質を含む層804を挟んでなる、本発明の発光素子を構成している。発光物質を含む層804に、一般式(1)〜(3)で表される有機金属錯体のうちの少なくとも1つを有する発光層を有していていれば、その他の層の積層構造については特に限定されない。なお、第1の電極802、発光物質を含む層804、及び第2の電極805は、実施の形態3に記載した各々の材料を適宜選択して用いることができる。第2の電極805の上には第2の基板809が設けられている。
(Embodiment 7)
In this embodiment mode, a passive light-emitting device to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. FIGS. 11A and 11B are a perspective view and a top view, respectively, of a passive light emitting device to which the present invention is applied. Note that FIG. 11A is a perspective view of a portion surrounded by a dotted line 808 in FIG. In each of FIGS. 11A and 11B, the corresponding components are denoted by the same reference numerals. In FIG. 11A, a plurality of first electrodes 802 are provided in parallel over the first substrate 801. Each end portion of the first electrode 802 is covered with a partition wall layer 803. The end portion of the first electrode 802 located closest to the first electrode 802 is covered with the partition wall layer 803. In FIG. 11A, the first electrode 802 provided on the first substrate 801 and the partition wall are provided. In order to make it easy to understand the state in which the layer 803 is arranged, it is not shown. A plurality of second electrodes 805 are provided in parallel above the first electrode 802 so as to intersect the first electrode 802. Note that a layer 804 containing a light-emitting substance is provided between the first electrode 802 and the second electrode 805. A portion where the first electrode 802 and the second electrode 805 intersect constitute a light-emitting element of the present invention in which a layer 804 containing a light-emitting substance is sandwiched between the electrodes. If the layer 804 containing a light-emitting substance has a light-emitting layer having at least one of the organometallic complexes represented by the general formulas (1) to (3), There is no particular limitation. Note that each of the materials described in Embodiment 3 can be selected as appropriate for the first electrode 802, the light-emitting substance layer 804, and the second electrode 805. A second substrate 809 is provided over the second electrode 805.

図11(B)に表されるように、第1の電極802は第1の駆動回路806に接続し、第2の電極805は第2の駆動回路807に接続している。そして、第1の駆動回路806および第2の駆動回路807からの信号によって選択された本発明の発光素子が発光する。発光は、第1の電極802及び/又は第2の電極805を介して外部へ取り出される。そして、複数の発光素子からの発光が組み合わさり映像が映し出される。なお、図11(B)では、第1の電極802及び第2の電極805それぞれの配置を分かり易くする為に隔壁層803及び第2の基板809については図示していない。   As shown in FIG. 11B, the first electrode 802 is connected to the first driver circuit 806, and the second electrode 805 is connected to the second driver circuit 807. Then, the light emitting element of the present invention selected by signals from the first drive circuit 806 and the second drive circuit 807 emits light. Light emission is extracted to the outside through the first electrode 802 and / or the second electrode 805. The light emitted from the plurality of light emitting elements is combined to display an image. Note that in FIG. 11B, the partition layer 803 and the second substrate 809 are not illustrated for easy understanding of the arrangement of the first electrode 802 and the second electrode 805.

第1の電極802および第2の電極805がいずれも透光性を有する物質で構成されている場合、第1の電極802側と第2の電極805側の両方から発光を取り出すことができる。また、第2の電極805のみが透光性を有する物質で構成されている場合、第2の電極805側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第1の電極802は反射率の高い材料で構成されているか、または反射率の高い材料から成る膜(反射膜)が第1の電極802の下方に設けられていることが好ましい。また、第1の電極802のみが透光性を有する物質で構成されている場合、第1の電極802側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第2の電極805は反射率の高い材料で構成されているか、または反射膜が第2の電極805の上方に設けられていることが好ましい。隔壁層803は、実施の形態6に記載されている絶縁物514と同様の材料を用いて形成することができる。   In the case where both the first electrode 802 and the second electrode 805 are formed using a light-transmitting substance, light emission can be extracted from both the first electrode 802 side and the second electrode 805 side. In addition, in the case where only the second electrode 805 is formed using a light-transmitting substance, light emission can be extracted only from the second electrode 805 side. In this case, the first electrode 802 is preferably formed using a material with high reflectivity, or a film (reflective film) made of a material with high reflectivity is provided below the first electrode 802. In addition, in the case where only the first electrode 802 is formed using a light-transmitting substance, light emission can be extracted only from the first electrode 802 side. In this case, it is preferable that the second electrode 805 be made of a material having high reflectance, or a reflective film be provided above the second electrode 805. The partition layer 803 can be formed using a material similar to that of the insulator 514 described in Embodiment 6.

本発明の発光装置は、本発明の有機金属錯体を発光物質として用いることによって、視感度に優れている。また、NTSC規格の赤色の色度座標により近い赤色のリン光を発光することができるため、駆動回路に入力されるNTSC規格に準拠した信号を送信する送信側と、実際に発光する受動側において、赤の色度座標がほぼ一致している。よって、入力される画像情報に対して忠実な色再現性を示す表示装置を得ることができる。   The light-emitting device of the present invention has excellent visibility by using the organometallic complex of the present invention as a light-emitting substance. Moreover, since red phosphorescence closer to the NTSC standard red chromaticity coordinate can be emitted, on the transmitting side for transmitting a signal compliant with the NTSC standard inputted to the drive circuit and on the passive side for actually emitting light. The chromaticity coordinates of red are almost the same. Therefore, a display device that exhibits color reproducibility faithful to input image information can be obtained.

なお、本実施形態は、実施形態1〜5および後述する実施例1と自由に組み合わせることができる。   This embodiment can be freely combined with Embodiments 1 to 5 and Example 1 described later.

(実施の形態8)
本実施形態では、本発明の発光素子を有する発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について説明する。本発明の発光素子が有する有機金属錯体は、NTSC規格の赤色の色度座標により近い、視感度に優れた赤色のリン光を発光することができる。よって、本発明の発光装置は、視感度に優れている。また、駆動回路に入力されるNTSC規格に準拠した信号を送信する送信側と、実際に発光する受動側において、赤の色度座標がほぼ一致しているため、入力される画像情報に対して忠実な色再現性を示す発光装置を得ることができる。
(Embodiment 8)
In this embodiment, various electronic devices completed using a light-emitting device having the light-emitting element of the present invention will be described. The organometallic complex included in the light-emitting element of the present invention can emit red phosphorescence that is closer to the NTSC red chromaticity coordinate and has excellent visibility. Therefore, the light emitting device of the present invention is excellent in visibility. In addition, since the chromaticity coordinates of red are substantially the same on the transmission side that transmits a signal that conforms to the NTSC standard and is input to the drive circuit, and the passive side that actually emits light, A light emitting device exhibiting faithful color reproducibility can be obtained.

本発明の発光装置を用いて作製された電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話器、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはデジタルビデオディスク(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置)などが挙げられる。電子機器のいくつかの具体例を図6を用いて説明する。本発明の発光装置を用いた電子機器はこれら例示の具体例に限定されない。   As an electronic device manufactured using the light emitting device of the present invention, a television, a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, a sound reproduction device (car audio, audio component, etc.), a notebook type Personal computer, game device, portable information terminal (mobile computer, cellular phone, portable game machine, electronic book, etc.), image playback device equipped with a recording medium (specifically, a recording medium such as a digital video disc (DVD)) For example, a device provided with a display device capable of reproducing and displaying the image. Some specific examples of electronic devices will be described with reference to FIGS. The electronic apparatus using the light emitting device of the present invention is not limited to these specific examples.

図6(A)は表示装置であり、筐体600、支持台601、表示部602、スピーカー部603、ビデオ入力端子604等を含む。本発明を用いて形成される発光装置をその表示部602に用いることにより作製される。なお、表示装置は、パーソナルコンピューター用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。   FIG. 6A illustrates a display device, which includes a housing 600, a support base 601, a display portion 602, a speaker portion 603, a video input terminal 604, and the like. The display device 602 is manufactured using a light-emitting device formed using the present invention. The display device includes all information display devices such as a personal computer, a TV broadcast reception, and an advertisement display.

表示部602には本発明の発光素子が設けられている。当該発光素子が有する発光物質を含む層には、前記一般式(1)〜(3)で表される有機金属錯体のうちの少なくとも1つを有する発光層を有している。よって、本発明の発光素子を用いることで、視感度に優れ、入力される画像情報に対して忠実な色再現性を示す表示装置を得ることができる。   The display portion 602 is provided with the light-emitting element of the present invention. The layer containing a light-emitting substance included in the light-emitting element includes a light-emitting layer having at least one of the organometallic complexes represented by the general formulas (1) to (3). Therefore, by using the light-emitting element of the present invention, a display device having excellent visibility and faithful color reproducibility to input image information can be obtained.

図6(B)はノート型パーソナルコンピュータであり、本体610、筐体611、表示部612、キーボード613、外部接続ポート614、ポインティングマウス615等を含む。   FIG. 6B illustrates a laptop personal computer, which includes a main body 610, a housing 611, a display portion 612, a keyboard 613, an external connection port 614, a pointing mouse 615, and the like.

表示部612には本発明の発光素子が設けられている。当該発光素子が有する発光物質を含む層には、前記一般式(1)〜(3)で表される有機金属錯体のうちの少なくとも1つを有する発光層を有している。よって、本発明の発光素子を用いることで、視感度に優れ、入力される画像情報に対して忠実な色再現性を示すノート型パーソナルコンピュータを得ることができる。   The display portion 612 is provided with the light-emitting element of the present invention. The layer containing a light-emitting substance included in the light-emitting element includes a light-emitting layer having at least one of the organometallic complexes represented by the general formulas (1) to (3). Therefore, by using the light-emitting element of the present invention, a notebook personal computer that has excellent visibility and faithful color reproducibility to input image information can be obtained.

図6(C)はビデオカメラであり、本体620、表示部621、筐体622、外部接続ポート623、リモコン受信部624、受像部625、バッテリー626、音声入力部627、操作キー628、接眼部629等を含む。   FIG. 6C illustrates a video camera, which includes a main body 620, a display portion 621, a housing 622, an external connection port 623, a remote control receiving portion 624, an image receiving portion 625, a battery 626, an audio input portion 627, operation keys 628, and an eyepiece. Part 629 and the like.

表示部621には本発明の発光素子が設けられている。当該発光素子が有する発光物質を含む層には、前記一般式(1)〜(3)で表される有機金属錯体のうちの少なくとも1つを有する発光層を有している。よって、本発明の発光素子を用いることで、視感度に優れ、入力される画像情報に対して忠実な色再現性を示すビデオカメラを得ることができる。   The display portion 621 is provided with the light-emitting element of the present invention. The layer containing a light-emitting substance included in the light-emitting element includes a light-emitting layer having at least one of the organometallic complexes represented by the general formulas (1) to (3). Therefore, by using the light-emitting element of the present invention, a video camera having excellent visibility and faithful color reproducibility with respect to input image information can be obtained.

図6(D)は携帯電話機であり、本体630、筐体631、表示部632、音声入力部633、音声出力部634、操作キー635、外部接続ポート636、アンテナ637等を含む。   FIG. 6D illustrates a mobile phone, which includes a main body 630, a housing 631, a display portion 632, an audio input portion 633, an audio output portion 634, operation keys 635, an external connection port 636, an antenna 637, and the like.

表示部632には本発明の発光素子が設けられている。当該発光素子が有する発光物質を含む層には、前記一般式(1)〜(3)で表される有機金属錯体のうちの少なくとも1つを有する発光層を有している。よって、本発明の発光素子を用いることで、視感度に優れ、入力される画像情報に対して忠実な色再現性を示す携帯電話を得ることができる。   The display portion 632 is provided with the light-emitting element of the present invention. The layer containing a light-emitting substance included in the light-emitting element includes a light-emitting layer having at least one of the organometallic complexes represented by the general formulas (1) to (3). Therefore, by using the light-emitting element of the present invention, a mobile phone that has excellent visibility and exhibits color reproducibility faithful to input image information can be obtained.

また、図6(E)はデジタルカメラであり、本体640、表示部641、シャッター642、操作キー643、アンテナ644、撮像部等を含む。なお、図6(E)は表示部641側からの図であり、撮像部は示していない。   FIG. 6E illustrates a digital camera, which includes a main body 640, a display portion 641, a shutter 642, operation keys 643, an antenna 644, an imaging portion, and the like. Note that FIG. 6E is a view from the display portion 641 side, and the imaging portion is not shown.

本発明のデジタルカメラは、アンテナ644から映像信号や音声信号等の信号を受信することにより、テレビ受像器などの表示媒体として表示部641を機能させてもよい。なお、表示媒体として機能させる場合のスピーカー、操作スイッチ等は適宜設ければよい。   The digital camera of the present invention may cause the display unit 641 to function as a display medium such as a television receiver by receiving a signal such as a video signal or an audio signal from the antenna 644. Note that speakers, operation switches, and the like in the case of functioning as a display medium may be provided as appropriate.

なお、表示部641には本発明の発光素子が設けられている。当該発光素子が有する発光物質を含む層には、前記一般式(1)〜(3)で表される有機金属錯体のうちの少なくとも1つを有する発光層を有している。よって、本発明の発光素子を用いることで、視感度に優れ、入力される画像情報に対して忠実な色再現性を示すデジタルカメラを得ることができる。   Note that the display portion 641 is provided with the light-emitting element of the present invention. The layer containing a light-emitting substance included in the light-emitting element includes a light-emitting layer having at least one of the organometallic complexes represented by the general formulas (1) to (3). Therefore, by using the light-emitting element of the present invention, a digital camera having excellent visibility and faithful color reproducibility with respect to input image information can be obtained.

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の表示装置に用いることが可能である。また、本実施形態の電子機器は実施の形態1〜7および後述する実施例1のいずれかの構成と適宜組み合わせることが可能である。   As described above, the applicable range of the present invention is extremely wide and can be used for display devices in various fields. In addition, the electronic device of this embodiment can be appropriately combined with any structure of Embodiments 1 to 7 and Example 1 described later.

本発明の有機金属錯体の合成例について説明する。ただし、本発明は、以下に示す合成例の有機金属錯体に限定されるものではない。   A synthesis example of the organometallic complex of the present invention will be described. However, the present invention is not limited to the organometallic complexes of the synthesis examples shown below.

《合成例1》
本合成例は、構造式(5)で表されるビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト](テトラビラゾリルボロナト)イリジウム(III)(略称:Ir(fdpq)(bpz))の合成例である。
<< Synthesis Example 1 >>
In this synthesis example, bis [2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoxalinato] (tetravirazolylboronate) iridium (III) (abbreviation: Ir (fdpq) 2 (bpz) represented by the structural formula (5) is used. 4 )) Synthesis example.

〈ステップ1:配位子(略称:Hfdpq)の合成〉
まず、4,4’−ジフルオロベンジル3.71gとo−フェニレンジアミン1.71gを、クロロホルム溶媒中にて6時間還流した。室温に冷却した反応溶液を、1mol/Lの塩酸、次いで飽和食塩水にて洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去することにより、配位子2,3−ビス−(4−フルオロフェニル)キノキサリン(略称:Hfdpq)を得た(淡黄色粉末、収率99%)。なお、クロロホルム溶媒を用いて再結晶を行った。ステップ1の合成スキーム(b−1)を以下に示す。
<Step 1: Synthesis of Ligand (abbreviation: Hfdpq)>
First, 3.71 g of 4,4′-difluorobenzyl and 1.71 g of o-phenylenediamine were refluxed in a chloroform solvent for 6 hours. The reaction solution cooled to room temperature was washed with 1 mol / L hydrochloric acid and then with saturated saline, and then dried over magnesium sulfate. By distilling off the solvent, a ligand 2,3-bis- (4-fluorophenyl) quinoxaline (abbreviation: Hfdpq) was obtained (pale yellow powder, yield 99%). Recrystallization was performed using a chloroform solvent. A synthesis scheme (b-1) of Step 1 is shown below.

〈ステップ2:複核錯体(略称:[Ir(fdpq)Cl])の合成〉
まず、2−エトキシエタノール30mlと水10mlとの混合液を溶媒として、配位子Hfdpqを3.61g、塩化イリジウム(IrCl・HCl・HO)を1.35g混合し、窒素雰囲気下で17時間還流することにより、複核錯体(略称:[Ir(fdpq)Cl])を得た(褐色粉末、収率99%)。ステップ2の合成スキーム(b−2)を以下に示す。
<Step 2: Synthesis of binuclear complex (abbreviation: [Ir (fdpq) 2 Cl] 2 )>
First, 3.61 g of ligand Hfdpq and 1.35 g of iridium chloride (IrCl 3 · HCl · H 2 O) were mixed in a mixed atmosphere of 30 ml of 2-ethoxyethanol and 10 ml of water under a nitrogen atmosphere. By refluxing for 17 hours, a binuclear complex (abbreviation: [Ir (fdpq) 2 Cl] 2 ) was obtained (brown powder, yield 99%). A synthesis scheme (b-2) of Step 2 is shown below.

〈ステップ3:本発明の有機金属錯体(略称:Ir(fdpq)(bpz))の合成〉
上記で得られた[Ir(fdpq)Cl]1.08gをジクロロメタン40mlの溶媒中にて撹拌し、メタノール40mlに溶解したトリフルオロメタンスルホン酸銀0.40gを滴下し室温にて2時間撹拌した。得られた懸濁溶液に対し遠心分離を行い、上澄み液をデカンテーションにて取り分け、濃縮乾固した。得られた固体と、カリウムテトラピラゾリルボロナート(略称:Kbpz)0.70gをアセトニトリル30mlの溶媒中にて混合し、窒素雰囲気下で18時間還流することにより本発明の有機金属錯体Ir(fdpq)(bpz)を得た(赤色粉末、収率51%)。ステップ3の合成スキーム(b−3)を以下に示す。
<Step 3: Synthesis of Organometallic Complex of the Present Invention (abbreviation: Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ))>
1.08 g of [Ir (fdpq) 2 Cl] 2 obtained above was stirred in a solvent of 40 ml of dichloromethane, and 0.40 g of silver trifluoromethanesulfonate dissolved in 40 ml of methanol was added dropwise and stirred at room temperature for 2 hours. did. Centrifugation was performed on the obtained suspension solution, and the supernatant was separated by decantation and concentrated to dryness. The obtained solid and 0.70 g of potassium tetrapyrazolyl boronate (abbreviation: Kbpz 4 ) were mixed in a solvent of 30 ml of acetonitrile, and refluxed for 18 hours in a nitrogen atmosphere, whereby the organometallic complex Ir (fdpq) of the present invention was mixed. ) 2 (bpz 4 ) was obtained (red powder, yield 51%). A synthesis scheme (b-3) of Step 3 is shown below.

なお、得られた赤色粉末を核磁気共鳴分光法(H−NMR)によって分析したところ、下記のような結果が得られ、本発明の有機金属錯体のひとつであるIr(fdpq)(bpz)であることが分かった。 When the obtained red powder was analyzed by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR), the following results were obtained, and Ir (fdpq) 2 (bpz), which is one of the organometallic complexes of the present invention. 4 ).

H−NMR.δ(CDCl):7.95(d,2H),7.75(brs,4H),7.55(t,2H),7.23(m,10H),7.09(m,4H),6.82(sd,2H),6.40(td,2H),6.17(m,6H),5.73(s,2H) 1 H-NMR. δ (CDCl 3 ): 7.95 (d, 2H), 7.75 (brs, 4H), 7.55 (t, 2H), 7.23 (m, 10H), 7.09 (m, 4H) 6.82 (sd, 2H), 6.40 (td, 2H), 6.17 (m, 6H), 5.73 (s, 2H)

また、得られたIr(fdpq)(bpz)の分解温度Tを示唆熱熱重量同時測定装置(セイコー電子株式会社製,TG/DTA)により測定したところ、T=334℃であり、良好な耐熱性を示すことがわかった。 Further, when the decomposition temperature T d of the obtained Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) was measured by a suggestive thermothermal gravimetric apparatus (Seiko Denshi Co., Ltd., TG / DTA), T d = 334 ° C. It was found that good heat resistance was exhibited.

また、Ir(fdpq)(bpz)のジクロロメタン中における吸収スペクトルおよび発光スペクトル(Photo Luminescence)を図7に示す。左縦軸はモル吸光係数(M−1cm−1)を表し、右縦軸は発光強度〔任意単位:arbitrary unit(a.u.)〕を表す。なお、発光スペクトルは、ハロゲンランプの光をスリットによって分光して取り出した468nmの波長の光を励起光として用いたときに得られたものである。図7より、本発明の有機金属錯体Ir(fdpq)(bpz)は390nm、465nm(sh)および585nm(sh)に吸収ピークを有している。また、発光スペクトルは634nmに発光ピークを有する赤色発光であった。 In addition, FIG. 7 shows an absorption spectrum and an emission spectrum of Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) in dichloromethane. The left vertical axis represents molar extinction coefficient (M −1 cm −1 ), and the right vertical axis represents luminescence intensity [arbitrary unit (au)]. Note that the emission spectrum is obtained when light having a wavelength of 468 nm extracted by splitting the light of the halogen lamp with a slit is used as excitation light. From FIG. 7, the organometallic complex Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) of the present invention has absorption peaks at 390 nm, 465 nm (sh), and 585 nm (sh). The emission spectrum was red emission having an emission peak at 634 nm.

なお、得られたIr(fdpq)(bpz)は長波長側に複数の吸収ピークが観測される。これは、オルトメタル錯体等によく見られる有機金属錯体特有の吸収であり、一重項MLCT遷移、三重項π−π遷移、三重項MLCT(Metal to ligand charge transfer)遷移などに対応すると類推される。特に、最も長波長側の吸収ピークが可視領域においてブロードな裾を引いており、三重項MLCT遷移特有の吸収スペクトルであると考えられる。これらのことから、Ir(fdpq)(bpz)は三重項励起状態への直接光励起や項間交差が可能な化合物であることが分かった。 In the obtained Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ), a plurality of absorption peaks are observed on the long wavelength side. This is an absorption characteristic of an organometallic complex often found in ortho metal complexes and the like, and is assumed to correspond to a singlet MLCT transition, a triplet π-π * transition, a triplet MLCT (Metal to ligand charge transfer) transition, and the like. The In particular, the absorption peak on the longest wavelength side has a broad tail in the visible region, which is considered to be an absorption spectrum peculiar to the triplet MLCT transition. From these results, it was found that Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) is a compound capable of direct photoexcitation and intersystem crossing to the triplet excited state.

また、得られたIr(fdpq)(bpz)を含むジクロロメタン溶液に酸素を含む気体を注入し、酸素を溶存させた状態でIr(fdpq)(bpz)を発光させたときの発光強度を調べた。また、得られたIr(fdpq)(bpz)を含むジクロロメタン溶液にアルゴンを注入し、アルゴンを溶存させた状態でIr(fdpq)(bpz)を発光させたときの発光強度を調べた。その結果、溶存酸素中においてはIr(fdpq)(bpz)由来の発光がほとんど見られないのに対し、アルゴンを溶存させた状態では発光が見られたことから、Ir(fdpq)(bpz)から観察された発光はリン光であることを確認した。 The obtained Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) injecting a gas containing oxygen to a dichloromethane solution containing, light emission when light is emitted oxygen with dissolved Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) The strength was examined. Also, argon was injected into a dichloromethane solution including the obtained Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) , examine the emission intensity when made to emit light Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) with dissolved argon It was. As a result, light emission derived from Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) was hardly observed in dissolved oxygen, whereas light emission was observed in a state where argon was dissolved, so that Ir (fdpq) 2 ( It was confirmed that the luminescence observed from bpz 4 ) was phosphorescence.

得られたIr(fdpq)(bpz)は、NTSC規格の赤色の色度座標により近い、視感度に優れた赤色のリン光を発光することができる。 The obtained Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) can emit red phosphorescence that is closer to the NTSC red chromaticity coordinates and has excellent visibility.

さらに、得られたIr(fdpq)(bpz)を用いて作製した発光素子について図8を用いて説明する。 Further, a light-emitting element manufactured using the obtained Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) will be described with reference to FIGS.

まず、基板700上に、スパッタ法を用いて酸化珪素を含有するITOを成膜し、第1の電極701とした。   First, an ITO film containing silicon oxide was formed over the substrate 700 by a sputtering method to form a first electrode 701.

次に、第1の電極701が形成された基板700を、真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに、第1の電極701が形成された面を下方となるように固定した。そして、第1の電極701上に、DNTPDと三酸化モリブデンとを共蒸着によって50nmの膜厚となるように成膜し、正孔注入層711を形成した。なお、DNTPDと酸化モリブデンとの質量比は、4:2(=DNTPD:酸化モリブデン)となるようにした。   Next, the substrate 700 on which the first electrode 701 was formed was fixed to a substrate holder provided in the vacuum evaporation apparatus so that the surface on which the first electrode 701 was formed faced down. Then, DNTPD and molybdenum trioxide were formed over the first electrode 701 so as to have a thickness of 50 nm by co-evaporation, so that a hole injection layer 711 was formed. The mass ratio of DNTPD to molybdenum oxide was set to 4: 2 (= DNTPD: molybdenum oxide).

次に、正孔注入層711上に、蒸着法を用いて膜厚10nmとなるようにNPBを成膜し、正孔輸送層712を形成した。   Next, an NPB film was formed over the hole injection layer 711 so as to have a thickness of 10 nm using an evaporation method, whereby a hole transport layer 712 was formed.

正孔輸送層712上に、CBPとIr(fdpq)(bpz)とを共蒸着により、30nmの膜厚となるように成膜し、発光層713を形成した。なお、CBPとIr(fdpq)(bpz)との質量比は、1:0.08(=CBP:Ir(fdpq)(bpz))となるようにした。これによって、Ir(fdpq)(bpz)はCBPから成る層中に分散した状態となる。 On the hole-transport layer 712, CBP and Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) were formed to a thickness of 30 nm by co-evaporation, whereby a light-emitting layer 713 was formed. The mass ratio of CBP to Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) was 1: 0.08 (= CBP: Ir (fdpq) 2 (bpz 4 )). Thus, Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) is dispersed in the layer made of CBP.

発光層713上には、膜厚10nmとなるようにBCPを成膜し、電子輸送層714を形成した。なお、成膜は、蒸着法によって行った。   Over the light-emitting layer 713, BCP was formed to a thickness of 10 nm, whereby an electron-transport layer 714 was formed. The film formation was performed by a vapor deposition method.

次に、電子輸送層714上に、電子注入層715をAlqとLiとを共蒸着することにより、50nmの膜厚となるように成膜した。なお、AlqとLiとの質量比は、1:0.01(=Alq:Li)となるようにした。 Next, an electron injection layer 715 was formed on the electron transport layer 714 by co-evaporation of Alq 3 and Li so as to have a thickness of 50 nm. The mass ratio between Alq 3 and Li was 1: 0.01 (= Alq 3 : Li).

電子注入層715上に、蒸着法を用いてアルミニウムを成膜し、第2の電極702を形成した。   A second electrode 702 was formed over the electron injection layer 715 by depositing aluminum using an evaporation method.

以上のようにして、第1の電極701と第2の電極702の間に、正孔注入層711、正孔輸送層712、発光層713、電子輸送層714、電子注入層715を積層して発光素子を作製した。   As described above, the hole injection layer 711, the hole transport layer 712, the light-emitting layer 713, the electron transport layer 714, and the electron injection layer 715 are stacked between the first electrode 701 and the second electrode 702. A light emitting element was manufactured.

また、得られた発光素子を大気に曝さずにシール材を用いて窒素雰囲気下で封止を行った。本実施例で示した発光素子に対し、第2の電極702の電位よりも第1の電極701の電位の方が高くなるように電圧を印加し、発光素子の動作特性について調べた。なお、測定は室温(25℃)になるように保った状態で行った。結果を図9に示す。図9(a)は電流密度−輝度特性について、図9(b)は電圧−輝度特性について、図9(c)は輝度−電流効率特性について調べた結果である。図9(a)において、横軸は電流密度(mA/cm)を表し、縦軸は輝度(cd/m)を表す。図9(b)において、横軸は電圧(V)を表し、縦軸は輝度(cd/m)を表す。図9(c)において、横軸は輝度(cd/m)を表し、縦軸は電流効率(cd/A)を表す。 Further, the obtained light-emitting element was sealed in a nitrogen atmosphere using a sealing material without being exposed to the air. A voltage was applied to the light-emitting element described in this example so that the potential of the first electrode 701 was higher than the potential of the second electrode 702, and the operating characteristics of the light-emitting element were examined. In addition, the measurement was performed in a state kept at room temperature (25 ° C.). The results are shown in FIG. 9A shows the result of examining the current density-luminance characteristics, FIG. 9B shows the result of examining the voltage-luminance characteristics, and FIG. 9C shows the results of examining the luminance-current efficiency characteristics. In FIG. 9A, the horizontal axis represents current density (mA / cm 2 ), and the vertical axis represents luminance (cd / m 2 ). In FIG. 9B, the horizontal axis represents voltage (V), and the vertical axis represents luminance (cd / m 2 ). In FIG. 9C, the horizontal axis represents luminance (cd / m 2 ), and the vertical axis represents current efficiency (cd / A).

これらの結果から、10.0Vの電圧を印加した時に、1000cd/mの輝度で発光し、その時の電流効率が4.1cd/Aであることが分かった。また、外部量子効率は、6.9%であった。なお、外部量子効率とは、発光素子に注入する電子数に対して素子外部に放射されるフォトンの数を割合で示したものである。算出方法を以下に示す。 From these results, it was found that when a voltage of 10.0 V was applied, light was emitted with a luminance of 1000 cd / m 2 and the current efficiency at that time was 4.1 cd / A. The external quantum efficiency was 6.9%. Note that the external quantum efficiency is a ratio of the number of photons emitted outside the device to the number of electrons injected into the light emitting device. The calculation method is shown below.

外部量子効率φextは、単位面積あたりのフォトンの数をNp、単位面積あたりの電子数をNeとすると、以下の数式(1)で表すことができる。
The external quantum efficiency φ ext can be expressed by the following formula (1), where Np is the number of photons per unit area and Ne is the number of electrons per unit area.

Npは、Lを輝度(cd/m)、I(λ)を各波長における規格化した発光スペクトル(各波長における規格化発光強度)、K(λ)を標準比視感度曲線、cを光速、hをプランク定数とすると、以下の数式(2)で表すことができる。
Np is L (luminance (cd / m 2 )), I (λ) is normalized emission spectrum at each wavelength (normalized emission intensity at each wavelength), K (λ) is a standard relative luminous efficiency curve, and c is the speed of light. , H can be expressed by the following formula (2) where Planck constants are used.

また、Neは、Jは電流密度(A/m)、eは素電荷量(C)とすると、以下の数式(3)で表すことができる。
Further, Ne can be expressed by the following mathematical formula (3), where J is current density (A / m 2 ) and e is elementary charge amount (C).

数式(1)〜(3)より以下の数式(4)を導くことができる。
The following formula (4) can be derived from the formulas (1) to (3).

よって、上記の測定より得られた電流効率及び図10に示す発光スペクトルより、外部量子効率は6.9%と算出した。   Therefore, the external quantum efficiency was calculated to be 6.9% from the current efficiency obtained from the above measurement and the emission spectrum shown in FIG.

なお、図10より発光スペクトルのピーク波長は638nmで、CIE色度座標は(x,y)=(0.69,0.31)であった。   From FIG. 10, the peak wavelength of the emission spectrum was 638 nm, and the CIE chromaticity coordinates were (x, y) = (0.69, 0.31).

以上のことから、発光物質にIr(fdpq)(bpz)を用いることによって、NTSC規格の赤色の色度座標により近い、視感度に優れた赤色のリン光を発光する発光素子を得ることができた。また、発光効率の高い素子を得ることができた。 As described above, by using Ir (fdpq) 2 (bpz 4 ) as a light-emitting substance, a light-emitting element that emits red phosphorescence excellent in luminous sensitivity, which is closer to the NTSC standard red chromaticity coordinate, is obtained. I was able to. In addition, an element with high luminous efficiency could be obtained.

本発明の発光素子の素子構造を説明する図6A and 6B illustrate an element structure of a light-emitting element of the present invention. 本発明の発光素子の素子構造を説明する図6A and 6B illustrate an element structure of a light-emitting element of the present invention. 本発明の発光素子の素子構造を説明する図6A and 6B illustrate an element structure of a light-emitting element of the present invention. 本発明の発光素子の素子構造を説明する図6A and 6B illustrate an element structure of a light-emitting element of the present invention. 本発明の発光素子を用いた発光装置の図The figure of the light-emitting device using the light emitting element of this invention 本発明の発光素子を用いた電子機器の図Illustration of electronic device using light emitting element of the present invention 実施例1の合成例1で得られた有機金属錯体の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを示す図The figure which shows the absorption spectrum and emission spectrum of the organometallic complex obtained by the synthesis example 1 of Example 1 実施例1で作製した発光素子の素子構造を説明する図4A and 4B illustrate an element structure of a light-emitting element manufactured in Example 1. 実施例1で作製した発光素子の動作特性を示す図FIG. 11 shows operating characteristics of the light-emitting element manufactured in Example 1 実施例1で作製した発光素子の発光スペクトルを示す図FIG. 11 shows an emission spectrum of the light-emitting element manufactured in Example 1. 本発明の発光素子を用いた発光装置の図The figure of the light-emitting device using the light emitting element of this invention

符号の説明Explanation of symbols

101 第1の電極
102 第2の電極
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
201 第1の電極
202 第2の電極
211 電子注入層
212 電子輸送層
213 第1の発光層
214 間隔層
215 第2の発光層
216 正孔輸送層
217 正孔注入層
301 第1の電極
302 第2の電極
311 電子注入層
312 電子輸送層
313 第1の発光層
314 正孔輸送層
315 第1の層
316 第2の層
317 電子輸送層
318 第2の発光層
319 正孔輸送層
320 正孔注入層
401 第1の電極
402 第2の電極
411 正孔注入層
412 正孔輸送層
413 発光層
414 電子輸送層
415 電子注入層
500 基板
501 ソース側駆動回路
502 画素部
503 ゲート側駆動回路
504 封止基板
505 シール材
506 空間
507 配線
508 FPC
511 スイッチング用薄膜トランジスタ
512 電流制御用薄膜トランジスタ
513 第1の電極
514 絶縁物
515 発光物質を含む層
516 第2の電極
517 発光素子
521 nチャネル型薄膜トランジスタ
522 pチャネル型薄膜トランジスタ
600 筐体
601 支持台
602 表示部
603 スピーカー部
604 ビデオ入力端子
610 本体
611 筐体
612 表示部
613 キーボード
614 外部接続ポート
615 ポインティングマウス
620 本体
621 表示部
622 筐体
623 外部接続ポート
624 リモコン受信部
625 受像部
626 バッテリー
627 音声入力部
628 操作キー
629 接眼部
630 本体
631 筐体
632 表示部
633 音声入力部
634 音声出力部
635 操作キー
636 外部接続ポート
637 アンテナ
640 本体
641 表示部
642 シャッター
643 操作キー
644 アンテナ
700 基板
701 第1の電極
702 第2の電極
711 正孔注入層
712 正孔輸送層
713 発光層
714 電子輸送層
715 電子注入層
801 第1の基板
802 第1の電極
803 隔壁層
804 発光物質を含む層
805 第2の電極
806 駆動回路
807 駆動回路
808 点線
809 第2の基板
101 first electrode 102 second electrode 111 hole injection layer 112 hole transport layer 113 light emitting layer 114 electron transport layer 115 electron injection layer 201 first electrode 202 second electrode 211 electron injection layer 212 electron transport layer 213 First light emitting layer 214 Spacing layer 215 Second light emitting layer 216 Hole transport layer 217 Hole injection layer 301 First electrode 302 Second electrode 311 Electron injection layer 312 Electron transport layer 313 First light emitting layer 314 Positive Hole transport layer 315 First layer 316 Second layer 317 Electron transport layer 318 Second light emitting layer 319 Hole transport layer 320 Hole injection layer 401 First electrode 402 Second electrode 411 Hole injection layer 412 Positive Hole transport layer 413 Light emitting layer 414 Electron transport layer 415 Electron injection layer 500 Substrate 501 Source side driver circuit 502 Pixel portion 503 Gate side driver circuit 504 Sealing substrate 505 Lumpur material 506 space 507 wiring 508 FPC
511 Thin film transistor for switching 512 Thin film transistor for current control 513 First electrode 514 Insulator 515 Layer containing light emitting material 516 Second electrode 517 Light emitting element 521 n channel type thin film transistor 522 p channel type thin film transistor 600 Housing 601 Support base 602 Display portion 603 Speaker portion 604 Video input terminal 610 Main body 611 Case 612 Display portion 613 Keyboard 614 External connection port 615 Pointing mouse 620 Main body 621 Display portion 622 Case 623 External connection port 624 Remote control receiving portion 625 Image receiving portion 626 Battery 627 Audio input portion 628 Operation key 629 Eyepiece unit 630 Main body 631 Case 632 Display unit 633 Audio input unit 634 Audio output unit 635 Operation key 636 External connection port 637 Antenna 64 Main body 641 Display unit 642 Shutter 643 Operation key 644 Antenna 700 Substrate 701 First electrode 702 Second electrode 711 Hole injection layer 712 Hole transport layer 713 Light emitting layer 714 Electron transport layer 715 Electron injection layer 801 First substrate 802 First electrode 803 Partition layer 804 Layer 805 containing a luminescent substance Second electrode 806 Driver circuit 807 Driver circuit 808 Dotted line 809 Second substrate

Claims (11)

一般式(1)で表される有機金属錯体。
(式中、R〜Rは水素、ハロゲン基、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。ただし、R〜Rの少なくとも一つは、電子吸引性置換基を表し、前記電子吸引性置換基は、ハロゲン基、ハロアルキル基、シアノ基のいずれかである。また、Mはイリジウムを表し、n=2である。)
An organometallic complex represented by the general formula (1).
(Wherein R 1 to R 3 represent any one of hydrogen, a halogen group, an acyl group, an alkyl group, an alkoxyl group, an aryl group, a cyano group, and a heterocyclic group, provided that at least one of R 1 to R 3 is to display the electron-withdrawing substituent, the electron-withdrawing substituents are a halogen group, a haloalkyl group, or a cyano group. Further, M represents iridium, an n = 2.)
一般式(2)で表される有機金属錯体。
(式中、R及びRは電子吸引性置換基を表し、前記電子吸引性置換基は、ハロゲン基、ハロアルキル基、シアノ基のいずれかである。また、Mはイリジウムを表し、n=2である。)
An organometallic complex represented by the general formula (2).
(Wherein, R 1 and R 2 Represents an electron withdrawing group, the electron withdrawing substituent is a halogen group, a haloalkyl group, or a cyano group. Further, M represents iridium, n = 2.)
一般式(3)で表される有機金属錯体。
(式中、Rは電子吸引性置換基を表し、前記電子吸引性置換基は、ハロゲン基、ハロアルキル基、シアノ基のいずれかである。また、Mはイリジウムを表し、n=2である。)
An organometallic complex represented by the general formula (3).
(Wherein, R Represents an electron withdrawing group, the electron withdrawing substituent is a halogen group, a haloalkyl group, or a cyano group. Further, M represents iridium, is n = 2 .)
請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記電子吸引性置換基は、フルオロ基またはトリフルオロメチル基であることを特徴とする有機金属錯体。
In any one of Claims 1 thru | or 3,
The organometallic complex, wherein the electron-withdrawing substituent is a fluoro group or a trifluoromethyl group.
構造式(4)で表される有機金属錯体。
An organometallic complex represented by Structural Formula (4).
構造式(5)で表される有機金属錯体。
An organometallic complex represented by Structural Formula (5).
請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含む層を一対の電極間に有することを特徴とする発光素子。 A light-emitting element including a layer containing the organometallic complex according to any one of claims 1 to 6 between a pair of electrodes. 請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載の有機金属錯体を発光物質として用いることを特徴とする発光素子。 Emitting element characterized by using the organometallic complex according as the light emitting material in any one of claims 1 to 6. 請求項または請求項に記載の発光素子が複数配置されていることを特徴とする発光装置。 Emitting device characterized by light-emitting elements are plural arrangement according to claim 7 or claim 8. 請求項または請求項に記載の発光素子を画素として用いることを特徴とする発光装置。 A light emitting device using the light emitting element according to claim 7 or 8 as a pixel. 請求項または請求項10に記載の発光装置を表示部に用いることを特徴とする電子機器。 Electronic apparatus, characterized by using the display unit the light-emitting device according to claim 9 or claim 10.
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