JP4885175B2 - ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置及びその注入方法 - Google Patents
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Description
Sliced Broadband)注入式(Injection Locked)のFP−LDを使用した伝送構造である。この伝送構造中、ダウンストリーム光源はE/Lブロードバンド光源110を選択可能で、アップストリーム光源はC−ブロードバンド光源120とされる。局側140と使用者側150がいずれもFP−LDとホトダイオード(PD)を整合してなる双方向(Bidirectional)送受信器を使用する。そのうち、FP−LDの前端面(Front−End Surface)は低反射率、約0.001であるため、注入光パワー(Optical Power)は低くてすむ。このような伝送構造は、無色光源(Colorless Light Source)のWDM波長を有し且つ低コストの個別のFP−LDを通して、直接変調信号(Modulating Signal)を生成することができる。
並びにそれを注入レーザー光波源350となす。
左辺の上下の図はセルフ注入式のFP−LDの出力光スペクトラムの表示図である。励起された出力波長のサイドモード抑圧比(Side−Mode SuppressionRatio:SMSR)は、図7の点線矢印で示されるようである。図6の右辺の上下に図示されるサイドモード抑圧比から分かるように、本発明のCW WDMレーザー構造によると、OLT中の異なる或いは同じモード間距離(△λ)のFP−LDを選択可能であり、いずれもマルチ波長の連続光の出力を保証できる。
140 局側 150 使用者側
300、310 レーザー装置 301−30n FP−LD
311−31n 偏波コントローラ 320 光フィルタ
330 ファイバミラー 350 注入レーザー光波源
510 セルフ注入式のFP−LDの出力光スペクトラム
520 非セルフ注入式のFP−LDの出力光スペクトラム
610 複数のFP−LDを準備し並びに光フィルタの対応するろ波モードに整合させ、各自に光スペクトラムを出力させる
620 各FP−LDの出力する光スペクトラムをろ波する
630 ろ波した複数の該光スペクトラムを反射して該複数のFP−LDに進入させる
640 各FP−LDに連続光シングル縦モード形式で各自の光スペクトラムを出力させそれを注入レーザー光波源となす
700、710 伝送システム
720 ダウンストリームレーザー光源
750 エルビウムドープファイバ増幅器
760 使用者側のユニット
800、810 WDM−PONの伝送システム
Claims (21)
- ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該レーザー装置は、
指定周波数帯内にある光スペクトラムをそれぞれが出力する、複数のFP−LDと、
可変帯域通過フィルタ或いはアレイ導波路回折格子のいずれかとされて各FP−LDの出力する光スペクトラムをろ波する、光フィルタと、
ろ波された各該光スペクトラムを反射して複数の該FP−LDに進入させる、少なくとも一つのファイバミラーと、
を包含し、該複数のFP−LDが該光フィルタの対応するろ波モードに整合されて各自の該光スペクトラムを出力し、該ファイバミラーからの反射光を受けて、各該FP−LDがそれぞれに連続光波を出力して注入レーザー光波源とすることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。 - 請求項1記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該連続光波はシングル縦モード形式の光波であることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項1記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該レーザー装置はセルフ注入式のレーザー装置であることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項1記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該レーザー装置は波長分割多重パッシブ光ネットワークの伝送システムに応用されることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項1記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、各該FP−LDの前端面の反射率が略45%であることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項1記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該レーザー装置が更に複数の偏波コントローラを具え、各該偏波コントローラが該FP−LDに接続され、各該偏波コントローラがそれに接続された該FP−LDの偏振状態を制御することを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項4記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該波長分割多重パッシブ光ネットワークの伝送システムが該レーザー装置をその注入光源として採用することを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項4記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該波長分割多重パッシブ光ネットワークの伝送システムが該レーザー装置をそのダウンストリーム光信号源として採用することを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項4記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該波長分割多重パッシブ光ネットワークの伝送システムが該レーザー装置をそのアップストリームレーザー源及びダウンストリーム光信号源として採用し、並びにそれぞれ異なる周波数帯域を使用することを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項6記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該偏波コントローラがそれに接続されたFP−LDに整合されたことを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項4記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該波長分割多重パッシブ光ネットワークの伝送システムが無色光源の波長分割多重パッシブ光ネットワークの伝送システムであることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項4記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該波長分割多重パッシブ光ネットワークの伝送システムが反射式半導体光増幅器を基礎とする波長分割多重パッシブ光ネットワークの伝送システムであることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、伝送システム中の局側に応用され、該局側にアップストリームレーザー光源とダウンストリームレーザー光源が設けられ、このレーザー装置は、
光スペクトラムをそれぞれが出力する、複数のFP−LDと、
可変帯域通過フィルタ或いはアレイ導波路回折格子のいずれかとされて各FP−LDの出力する光スペクトラムをろ波する、光フィルタと、
ろ波された各該光スペクトラムを反射して複数の該FP−LDに進入させる、少なくとも一つのファイバミラーと、
を包含し、該複数のFP−LDが該光フィルタの対応するろ波モードに整合されて各自の該光スペクトラムを出力し、該ファイバミラーからの反射光を受けて、各該FP−LDが連続光シングル縦モード形式でそれぞれの対応する光スペクトラムを出力し、並びに該局側が異なる周波数帯域を使用することで該レーザー装置をアップストリーム用及びダウンストリーム用レーザー装置とすることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。 - 請求項13記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該レーザー装置は波長分割多重パッシブ光ネットワークの伝送システムであることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項13記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、各該FP−LDの前端面の反射率が略45%であることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項13記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、各FP−LDが対応する偏波コントローラに接続され、該偏波コントローラにより該FP−LDの偏振状態が制御されることを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- 請求項14記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置において、該局側がWDMカプラーでアップストリームとダウンストリームのレーザー光源を分離することを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置。
- ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置のセルフ注入方法において、この方法は、
複数のFP−LDを準備し並びに可変帯域通過フィルタ或いはアレイ導波路回折格子のいずれかとされる一つの光フィルタの対応するろ波モードに整合させ、各自の光スペクトラムを出力させるステップと、
この複数のFP−LDがそれぞれ出力する光スペクトラムをこの光フィルタによりろ波するステップと、
この複数のろ波された光スペクトラムをこの複数の該FP−LDに反射し進入させるステップと、
各該FP−LDに連続光シングル縦モード形式で光スペクトラムを出力させて、注入レーザー光波源となすステップ、
を包含することを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置のセルフ注入方法。 - 請求項18記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置のセルフ注入方法において、各FP−LDに、偏波コントローラを整合して該FP−LDの偏振状態を制御することを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置のセルフ注入方法。
- 請求項18記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置のセルフ注入方法において、異なる或いは同じモード間距離のFP−LDを選択することで、マルチ波長のCW出力を保証することを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置のセルフ注入方法。
- 請求項18記載のファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置のセルフ注入方法において、該連続光シングル縦モード形式で出力される光スペクトラムを増幅するか否かを判断してから、注入するレーザー光波源となすことを特徴とする、ファブリー・ペロ・レーザーダイオードを基礎とするレーザー装置のセルフ注入方法。
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US20100150560A1 (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Electronics And Communications Research Institute | Apparatus and method for transmitting optical signals with enhanced reflection sensitivity in wavelength division multiplexing passive optical network (wdm-pon) |
US8559821B2 (en) * | 2009-12-02 | 2013-10-15 | Futurewei Technologies, Inc. | Wavelength stabilization and locking for colorless dense wavelength division multiplexing transmitters |
WO2012075434A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Colorless dense wavelength division multiplexing transmitters |
TW201224624A (en) * | 2010-12-06 | 2012-06-16 | Ind Tech Res Inst | Wavelength-tunable laser source apparatus, laser system and method for adjusting laser source wavelength |
KR20120070260A (ko) * | 2010-12-21 | 2012-06-29 | 한국전자통신연구원 | 파장 분할 다중화 기반 수동형 광가입자망용 씨앗 광 모듈 및 그 구동 방법 |
WO2011110126A2 (zh) * | 2011-04-22 | 2011-09-15 | 华为技术有限公司 | 自注入光收发模块和波分复用无源光网络系统 |
US9502858B2 (en) * | 2011-07-14 | 2016-11-22 | Applied Optoelectronics, Inc. | Laser array mux assembly with external reflector for providing a selected wavelength or multiplexed wavelengths |
CN103703710B (zh) | 2011-07-29 | 2017-07-04 | 瑞典爱立信有限公司 | 光接入网络 |
TWI445345B (zh) * | 2011-11-17 | 2014-07-11 | Ind Tech Res Inst | 光分波節點 |
US9287987B2 (en) * | 2011-12-01 | 2016-03-15 | Futurewei Technologies, Inc. | Self-seeded colorless burst-mode transmitter using reflective semiconductor optical amplifier and injection locked Fabry-Perot laser |
EP2613461B1 (en) * | 2012-01-03 | 2018-03-07 | Alcatel Lucent | Optical transmitter for WDM optical network |
US9640943B2 (en) * | 2012-07-30 | 2017-05-02 | Oplink Communications, Llc | External cavity fabry-perot laser |
TWI472171B (zh) * | 2012-09-26 | 2015-02-01 | Chunghwa Telecom Co Ltd | Detection Method and Device for Lightning Mode Modulus FP Laser Spurious Wave Multiplication Passive Optical Network Loop Break |
TWI477096B (zh) * | 2012-10-01 | 2015-03-11 | Chunghwa Telecom Co Ltd | A kind of integrated optometry device with enhanced light ratio |
US9214790B2 (en) * | 2012-10-03 | 2015-12-15 | Applied Optoelectronics, Inc. | Filtered laser array assembly with external optical modulation and WDM optical system including same |
US9444218B1 (en) | 2013-05-10 | 2016-09-13 | Oplink Communications, Inc. | Compact WDM optical modules |
EP3402093B1 (en) * | 2016-01-28 | 2021-09-29 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Light emission device with tunable wavelength |
CN105827320B (zh) * | 2016-05-11 | 2018-07-27 | 中天宽带技术有限公司 | 一种用于wdm-pon中的基于ffp滤波器和ffp-soa的超窄带谱切分非相干光源的传输装置 |
US10965393B2 (en) * | 2018-06-26 | 2021-03-30 | Cable Television Laboratories, Inc. | Systems and methods for dual-band modulation and injection-locking for coherent PON |
JP7302430B2 (ja) * | 2019-10-24 | 2023-07-04 | 富士通株式会社 | 波長可変光源、これを用いた光伝送装置、及び波長可変光源の制御方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5691989A (en) * | 1991-07-26 | 1997-11-25 | Accuwave Corporation | Wavelength stabilized laser sources using feedback from volume holograms |
KR100489922B1 (ko) * | 2002-10-01 | 2005-05-17 | 최준국 | 페브리-페롯 레이저 다이오드의 셀프 인젝션 락킹을이용한 고밀도 파장분할 다중방식 수동형 광가입자망 시스템 |
KR100575983B1 (ko) * | 2003-08-23 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 다파장 광송신기와 이를 이용한 양방향 파장 분할 다중시스템 |
KR100608946B1 (ko) * | 2004-10-20 | 2006-08-03 | 광주과학기술원 | 자체잠김된 페브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 파장분할다중 방식의 수동형 광통신망과, 이에 사용되는 지역 기지국 및 그 제어 방법 |
US7936994B2 (en) * | 2004-12-22 | 2011-05-03 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Broadband light source using fabry perot laser diodes |
KR100698766B1 (ko) * | 2005-09-07 | 2007-03-23 | 한국과학기술원 | 파장분할 다중방식 수동형 광 가입자 망 시스템에 사용되는장애 위치 감시 장치 및 이를 구비한 파장분할 다중방식수동형 광 가입자 망 시스템 |
US7738167B2 (en) * | 2005-12-09 | 2010-06-15 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Reflective semiconductor optical amplifier (RSOA), RSOA module having the same, and passive optical network using the same |
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