JP4842381B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
Ids=β(Vgs−Vth)2/2
図1に、本発明の発光装置が有する画素の一実施形態を示す。図1に示す画素は、発光素子104と、ビデオ信号の画素への入力を制御するためのスイッチング素子として用いるトランジスタ(スイッチング用トランジスタ)101と、発光素子104に流れる電流値を制御する駆動用トランジスタ102、発光素子104への電流の供給を制御する電流制御用トランジスタ103とを有している。
さらに本実施の形態のように、ビデオ信号の電位を保持するための容量素子105を画素に設けても良い。
を介して電流が発光素子104に供給される。このとき電流制御用トランジスタ103は線形領域で動作しているため、発光素子104に流れる電流は、飽和領域で動作する駆動用トランジスタ102と発光素子104の電圧電流特性によって決まる。そして発光素子104は、供給される電流に見合った高さの輝度で発光する。
Claims (5)
- 第1乃至第3のトランジスタと、第1の発光素子とを有する第1の画素と、
第4乃至第6のトランジスタと、第2の発光素子とを有する第2の画素と、
第7乃至第9のトランジスタと、第3の発光素子とを有する第3の画素と、
第1乃至第4の走査線と、
第1乃至第3の信号線と、
電源線と、
を有する半導体装置であって、
前記第1の発光素子と、前記第2の発光素子と、前記第3の発光素子はそれぞれ発光の色が異なり、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第1の走査線と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第1の信号線と電気的に接続され、他方は前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記電源線と電気的に接続され、他方は前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは前記第2の走査線と電気的に接続され、前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は前記第1の発光素子と電気的に接続され、
前記第1の発光素子の発光期間において、前記第2のトランジスタは線形領域で動作し、前記第3のトランジスタは飽和領域で動作し、
前記第4のトランジスタのゲートは前記第1の走査線と電気的に接続され、前記第4のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第2の信号線と電気的に接続され、他方は前記第5のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記電源線と電気的に接続され、他方は前記第6のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは前記第3の走査線と電気的に接続され、前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方は前記第2の発光素子と電気的に接続され、
前記第2の発光素子の発光期間において、前記第5のトランジスタは線形領域で動作し、前記第6のトランジスタは飽和領域で動作し、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第1の走査線と電気的に接続され、前記第7のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第3の信号線と電気的に接続され、他方は前記第8のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第8のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記電源線と電気的に接続され、他方は前記第9のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第9のトランジスタのゲートは前記第4の走査線と電気的に接続され、前記第9のトランジスタのソース及びドレインの他方は前記第3の発光素子と接続され、
前記第3の発光素子の発光期間において、前記第8のトランジスタは線形領域で動作し、前記第9のトランジスタは飽和領域で動作することを特徴とする半導体装置。 - 第1乃至第3のトランジスタと、第1の容量素子と、第1の発光素子とを有する第1の画素と、
第4乃至第6のトランジスタと、第2の容量素子と、第2の発光素子とを有する第2の画素と、
第7乃至第9のトランジスタと、第3の容量素子と、第3の発光素子とを有する第3の画素と、
第1乃至第4の走査線と、
第1乃至第3の信号線と、
電源線と、
を有する半導体装置であって、
前記第1の発光素子と、前記第2の発光素子と、前記第3の発光素子はそれぞれ発光の色が異なり、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第1の走査線と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第1の信号線と電気的に接続され、他方は前記第2のトランジスタのゲート及び前記第1の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記電源線と電気的に接続され、他方は前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは前記第2の走査線と電気的に接続され、前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は前記第1の発光素子と電気的に接続され、
前記第1の容量素子の他方の電極は前記電源線と電気的に接続され、
前記第1の発光素子の発光期間において、前記第2のトランジスタは線形領域で動作し、前記第3のトランジスタは飽和領域で動作し、
前記第4のトランジスタのゲートは前記第1の走査線と電気的に接続され、前記第4のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第2の信号線と電気的に接続され、他方は前記第5のトランジスタのゲート及び前記第2の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記電源線と電気的に接続され、他方は前記第6のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは前記第3の走査線と電気的に接続され、前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方は前記第2の発光素子と電気的に接続され、
前記第2の容量素子の他方の電極は前記電源線と電気的に接続され、
前記第2の発光素子の発光期間において、前記第5のトランジスタは線形領域で動作し、前記第6のトランジスタは飽和領域で動作し、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第1の走査線と電気的に接続され、前記第7のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第3の信号線と電気的に接続され、他方は前記第8のトランジスタのゲート及び前記第3の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第8のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記電源線と電気的に接続され、他方は前記第9のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第9のトランジスタのゲートは前記第4の走査線と電気的に接続され、前記第9のトランジスタのソース及びドレインの他方は前記第3の発光素子と接続され、
前記第3の容量素子の他方の電極は前記電源線と電気的に接続され、
前記第3の発光素子の発光期間において、前記第8のトランジスタは線形領域で動作し、前記第9のトランジスタは飽和領域で動作することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記第2、前記第3、前記第5、前記第6、前記第8及び前記第9のトランジスタは同一導電型であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、
前記第3、前記第6及び前記第9のトランジスタはチャネル長がチャネル幅より長く、
前記第2、前記第5及び前記第8のトランジスタはチャネル長がチャネル幅と同じかチャネル幅より短いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、
前記第3、前記第6及び前記第9のトランジスタはチャネル幅に対するチャネル長の比が5以上であることを特徴とする半導体装置。
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