JP4842010B2 - Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic apparatus - Google Patents

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本発明は、被検体との間で超音波を送受する振動子が複数配列された超音波探触子及び超音波診断装置に関する。 The present invention relates to an ultrasonic probe and an ultrasonic diagnostic apparatus in which a plurality of transducers that transmit and receive ultrasonic waves to and from a subject are arranged.

超音波探触子は、超音波診断装置から供給される電気信号を超音波に変換して被検体に送波するとともに、被検体から発生した反射エコーを受波して受信信号に変換する振動子が複数配列されている。この振動子として、半導体製造技術などのマイクロマシン技術を用いた超微細加工により製造されるMUT(Micromachined Ultrasonic Transducers)が知られている。例えば、MUTの1形態であるcMUT(Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducers)は、シリコンなどの半導体で形成される半導体基板上に複数の振動要素を設けて1つの振動子を形成している。この振動要素は、半導体基板上に設けられた振動膜を支持部で支持して、半導体基板と振動膜との間に真空又は空気などの犠牲層を形成した構造とされている。また、半導体基板と振動膜にはそれぞれ電極が設けられており、電極に電気信号を供給することにより振動膜を振動させて超音波を被検体に送波し、被検体から反射してきた超音波が振動膜を振動させることで受信信号を得ている。ここで、振動膜が振動すると、その振動に起因して発生する超音波が支持部を介して半導体基板へ伝播して、半導体基板の背面側に設けられた背面部などの影響で半導体基板内部に多重反射が発生する。これにより、ある特定の周波数が強調された超音波(以下、プレート波という)が発生し、このプレート波が、隣接する振動要素の支持部を介して隣接する振動要素の振動膜に伝播する。そして、隣接する振動要素の振動膜の不必要な振動により、時間的、周波数的、空間的な分解能の劣化が生じる。   The ultrasound probe converts the electrical signal supplied from the ultrasound diagnostic device into ultrasound and transmits it to the subject, and receives the reflected echo generated from the subject and converts it into a received signal. Multiple children are arranged. As this vibrator, MUT (Micromachined Ultrasonic Transducers) manufactured by ultrafine processing using micromachine technology such as semiconductor manufacturing technology is known. For example, cMUT (Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducers), which is one form of MUT, forms a single vibrator by providing a plurality of vibration elements on a semiconductor substrate formed of a semiconductor such as silicon. This vibration element has a structure in which a vibration film provided on a semiconductor substrate is supported by a support portion, and a sacrificial layer such as a vacuum or air is formed between the semiconductor substrate and the vibration film. In addition, electrodes are provided on the semiconductor substrate and the vibration film, respectively, and an ultrasonic signal is transmitted to the subject by vibrating the vibration film by supplying an electric signal to the electrode and reflected from the subject. Receives the received signal by vibrating the vibrating membrane. Here, when the vibrating membrane vibrates, the ultrasonic wave generated due to the vibration propagates to the semiconductor substrate through the support portion, and the inside of the semiconductor substrate is affected by the back surface portion provided on the back surface side of the semiconductor substrate. Multiple reflection occurs. Thereby, an ultrasonic wave (hereinafter referred to as a plate wave) in which a specific frequency is emphasized is generated, and the plate wave propagates to the vibration film of the adjacent vibration element via the support portion of the adjacent vibration element. Then, unnecessary vibrations of the vibrating membranes of the adjacent vibrating elements cause degradation of temporal, frequency, and spatial resolution.

特許文献1には、cMUT振動子の半導体基板の振動要素間部分に、表面から切り込み溝を設けることや、切り込み溝に多孔質部材を設けることが記載されている。これによれば、半導体基板内部に発生したプレート波が隣接する振動要素へ伝播するのを防ぐことができるとしている。   Patent Document 1 describes that a cut groove is provided from the surface in a portion between vibration elements of a semiconductor substrate of a cMUT vibrator, and a porous member is provided in the cut groove. According to this, it is said that the plate wave generated inside the semiconductor substrate can be prevented from propagating to the adjacent vibration element.

また、特許文献2には、cMUT振動子の半導体基板と背面部との間に音響整合層を設けることが記載されており、これにより、半導体基板に伝播した超音波が背面部材で反射するのを抑制できるとしている。
米国特許第6262946号公報 米国特許第6831394号公報
Patent Document 2 describes that an acoustic matching layer is provided between the semiconductor substrate and the back surface portion of the cMUT vibrator, whereby the ultrasonic wave propagated to the semiconductor substrate is reflected by the back surface member. Can be suppressed.
US Pat. No. 6,262,946 US Pat. No. 6,831,394

しかしながら、特許文献1に記載の技術は、半導体基板内部でプレート波の伝播を抑制するものであり、また、特許文献2に記載の技術は、半導体基板へ伝播した超音波が背面部で反射するのを抑制することによりプレート波の発生を抑制するものである。すなわち、いずれの技術も超音波が半導体基板へ伝播した後にのみ対処をしているので、隣接する振動要素の振動膜へ伝播するプレート波を十分に抑制できず、隣接する振動要素の振動膜に不必要な振動が生じる場合がある。   However, the technique described in Patent Document 1 suppresses the propagation of plate waves inside the semiconductor substrate, and the technique described in Patent Document 2 reflects the ultrasonic wave propagated to the semiconductor substrate at the back surface portion. This suppresses the generation of plate waves. That is, since both technologies deal only with the ultrasonic wave after propagating to the semiconductor substrate, the plate wave propagating to the vibration film of the adjacent vibration element cannot be sufficiently suppressed, and the vibration film of the adjacent vibration element cannot be suppressed. Unnecessary vibration may occur.

本発明は、振動膜の振動により隣接する振動要素相互間に生じる干渉を抑制することを課題とする。   It is an object of the present invention to suppress interference generated between adjacent vibration elements due to vibration of a vibration film.

上記課題を解決するため、本発明の超音波探触子の第1態様は、超音波と電気信号を相互に変換する振動子を複数配列してなり、振動子は、基板と、基板上に設けられた複数の振動要素を備え、振動要素は、基板上に設けられた振動膜と、振動膜と基板との間に空間を形成して振動膜を支持する支持部とを備え、支持部の内部に、振動膜と基板との間で伝播する超音波を抑制する遮音部が設けられてなることを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, a first aspect of the ultrasonic probe of the present invention includes a plurality of transducers that mutually convert ultrasonic waves and electrical signals, and the transducers are arranged on a substrate and a substrate. The vibration element includes a plurality of vibration elements provided, and the vibration element includes a vibration film provided on the substrate, and a support unit that supports the vibration film by forming a space between the vibration film and the substrate. Is provided with a sound insulation portion for suppressing ultrasonic waves propagating between the vibration film and the substrate.

すなわち、プレート波は、超音波が振動膜側から支持部を介して基板へ伝播することで発生するので、支持部の内部に遮音部を設けることにより、基板への超音波の伝播を抑制し、プレート波の発生を抑制することができる。また、隣接する振動要素の支持部の内部に設けられた遮音部により、基板から隣接する振動要素の振動膜に伝播するプレート波を抑制することができる。つまり、プレート波の発生を抑制し、かつ発生したプレート波が隣接する振動要素の振動膜に伝播するのを抑制するので、振動膜の振動により隣接する振動要素相互間に生じる干渉を抑制することができる。   In other words, the plate wave is generated when the ultrasonic wave propagates from the vibrating membrane side to the substrate through the support part. Therefore, by providing a sound insulation part inside the support part, the propagation of the ultrasonic wave to the substrate is suppressed. The generation of plate waves can be suppressed. Moreover, the plate wave propagating from the substrate to the vibration film of the adjacent vibration element can be suppressed by the sound insulation portion provided inside the support portion of the adjacent vibration element. In other words, the generation of plate waves is suppressed, and the generated plate waves are suppressed from propagating to the vibration film of the adjacent vibration element, so that interference generated between adjacent vibration elements due to vibration of the vibration film is suppressed. Can do.

この場合において、遮音部は、基板に隣接して設けられてなることが望ましい。すなわち、基板に隣接して遮音部を設けることで、振動膜側から基板へ伝播する超音波と、基板から隣接する振動要素の振動膜へ伝播するプレート波は、確実に遮音部に入射して抑制されることになり、より一層効果的に振動膜の振動により隣接する振動要素相互間に生じる干渉を抑制することができる。   In this case, it is desirable that the sound insulating portion is provided adjacent to the substrate. That is, by providing a sound insulation part adjacent to the substrate, the ultrasonic wave propagating from the vibration film side to the substrate and the plate wave propagating from the substrate to the vibration film of the adjacent vibration element are reliably incident on the sound insulation part. As a result, it is possible to more effectively suppress interference generated between adjacent vibration elements due to vibration of the vibration film.

また、遮音部は、支持部と基板のいずれよりも低い音響インピダンスを有する低音響インピダンス部であることが望ましい。すなわち、振動膜側から基板へ伝播しようとする超音波の一部は、支持部から低音響インピダンス部へ入射する際と、低音響インピダンス部から基板へ入射する際に、音響インピダンスの違いにより反射する。同様に、基板から隣接する振動要素の振動膜へ伝播しようとするプレート波の一部も、音響インピダンスの違いにより反射される。これにより、プレート波の発生を抑制し、かつ発生したプレート波が隣接する振動要素の振動膜に伝播するのを抑制することができる。   Moreover, it is desirable that the sound insulating part is a low acoustic impedance part having an acoustic impedance lower than that of either the support part or the substrate. That is, a part of the ultrasonic wave to be propagated from the vibrating membrane side to the substrate is reflected due to the difference in acoustic impedance when entering the substrate from the low acoustic impedance portion and when entering the substrate from the low acoustic impedance portion. To do. Similarly, part of the plate wave that is about to propagate from the substrate to the vibration film of the adjacent vibration element is also reflected by the difference in acoustic impedance. Thereby, generation | occurrence | production of a plate wave can be suppressed and it can suppress that the generated plate wave propagates to the vibration film of the adjacent vibration element.

さらに、遮音部は、超音波を吸音する吸音部であってもよい。つまり、ベースとなる多孔質部材に音響特性の異なる金属の粉体を混在させることで、吸音部に入射した超音波やプレート波を吸音部内部で散乱させて吸音することができる。これにより、プレート波の発生を抑制し、かつ発生したプレート波が隣接する振動要素の振動膜に伝播するのを抑制することができる。   Furthermore, the sound insulating part may be a sound absorbing part that absorbs ultrasonic waves. That is, by mixing metal powders having different acoustic characteristics with the porous member serving as the base, it is possible to absorb the sound by scattering the ultrasonic waves and plate waves incident on the sound absorbing portion inside the sound absorbing portion. Thereby, generation | occurrence | production of a plate wave can be suppressed and it can suppress that the generated plate wave propagates to the vibration film of the adjacent vibration element.

また、本発明の超音波探触子の第2態様は、超音波と電気信号を相互に変換する振動子を複数配列してなり、振動子は、基板と、基板上に設けられた複数の振動要素を備え、振動要素は、基板上に設けられた振動膜と、振動膜と基板との間に空間を形成して振動膜を支持する支持部とを備え、支持部の内部の基板側に、支持部と、基板のいずれよりも低い音響インピダンスを有する低音響インピダンス部が設けられ、支持部の内部であって低音響インピダンス部の基板に対向する側に、振動膜と基板との間を伝播する超音波を吸音する吸音部が設けられてなることを特徴とする。   The second aspect of the ultrasonic probe according to the present invention includes a plurality of transducers that mutually convert ultrasonic waves and electrical signals. The transducer includes a substrate and a plurality of transducers provided on the substrate. The vibration element includes a vibration film provided on the substrate, and a support part that supports the vibration film by forming a space between the vibration film and the substrate. Are provided with a low acoustic impedance part having a lower acoustic impedance than any of the support part and between the vibrating film and the substrate on the side of the support part that faces the substrate of the low acoustic impedance part. A sound absorbing portion for absorbing the ultrasonic wave propagating through the sound wave is provided.

このように、支持部の内部に、超音波やプレート波の伝播方向に沿って低音響インピダンス部と吸音部を設けることにより、超音波やプレート波の伝播をより効果的に抑制することができ、振動膜の振動により隣接する振動要素相互間に生じる干渉をより効果的に抑制することができる。   Thus, by providing the low acoustic impedance part and the sound absorbing part along the propagation direction of the ultrasonic wave or plate wave inside the support part, the propagation of the ultrasonic wave or plate wave can be more effectively suppressed. Interference generated between adjacent vibration elements due to vibration of the vibration film can be more effectively suppressed.

さらに、本発明の超音波探触子の第3態様は、超音波と電気信号を相互に変換する振動子を複数配列してなり、振動子は、基板と、基板上に設けられたベース膜と、ベース膜上に設けられた複数の振動要素とを備え、振動要素は、ベース膜に対向して設けられた振動膜と、振動膜とベース膜との間に空間を形成して振動膜を支持する支持部とを備え、ベース膜の内部に、振動膜と基板との間を伝播する超音波を抑制する遮音部が設けられてなることを特徴とする。この場合において、遮音部は、ベース膜の支持部と基板に挟まれた部分に設けられ、遮音部の端部は、振動膜とベース膜との間に形成された空間の下部にまで伸長されてなることが望ましい。   Furthermore, in the third aspect of the ultrasonic probe of the present invention, a plurality of transducers that mutually convert ultrasonic waves and electrical signals are arranged, and the transducers include a substrate and a base film provided on the substrate. And a plurality of vibration elements provided on the base film, wherein the vibration element forms a space between the vibration film provided opposite to the base film and the vibration film and the base film. And a sound insulating part that suppresses the ultrasonic wave propagating between the vibration film and the substrate is provided inside the base film. In this case, the sound insulation portion is provided in a portion sandwiched between the support portion of the base film and the substrate, and the end portion of the sound insulation portion is extended to the lower portion of the space formed between the vibration film and the base film. It is desirable that

すなわち、遮音部を、振動膜とベース膜との間に形成された空間と異なる層に設けるので、遮音部の厚み、形状などの設計自由度が増え、遮音部の端部を、振動膜とベース膜との間に形成された空間の下部にまで伸長することができる。これにより、超音波やプレート波は、より確実に遮音部に入射して抑制されることになるので、振動膜の振動により隣接する振動要素相互間に生じる干渉をより効果的に抑制することができる。   That is, since the sound insulating part is provided in a layer different from the space formed between the vibration film and the base film, the degree of freedom in designing the sound insulating part thickness, shape, etc. is increased, and the end of the sound insulating part is connected to the vibration film. It can extend to the lower part of the space formed between the base film. Thereby, since the ultrasonic wave and the plate wave are more reliably incident on the sound insulating portion and are suppressed, it is possible to more effectively suppress the interference generated between the adjacent vibration elements due to the vibration of the vibration film. it can.

本発明によれば、振動膜の振動により隣接する振動要素相互間に生じる干渉を抑制することができる。   According to the present invention, it is possible to suppress interference generated between adjacent vibration elements due to vibration of the vibration film.

以下、本発明を適用してなる超音波探触子及び超音波診断装置の実施例を、図1〜図16を用いて説明する。なお、以下の説明では、同一機能部品については同一符号を付して重複説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of an ultrasonic probe and an ultrasonic diagnostic apparatus to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. In the following description, the same functional parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図1は、実施例1の超音波探触子及び超音波診断装置の構成を示す図である。
図1に示すように、超音波診断装置1は、駆動信号を超音波に変換して被検体に送波すると共に、被検体から発生した超音波を受波して電気信号に変換する振動子が複数配列された超音波探触子2と、超音波探触子2に駆動信号を供給する送信手段3と、超音波探触子2に供給される駆動信号に重畳して直流バイアス電圧を印加するバイアス手段4と、超音波探触子2から出力される電気信号(以下、反射エコー信号という)を処理する受信手段6と、受信手段6から出力される反射エコー信号に対しディジタル整相及び加算処理を施す整相加算手段7と、整相加算手段7から出力される反射エコー信号に基づき超音波像を再構成する画像処理手段8と、画像処理手段8から出力される超音波像を表示する表示手段9などから構成されている。また、送信手段3、バイアス手段4、受信手段6、整相加算手段7、画像処理手段8、表示手段9は、それぞれ制御手段10と接続されており、制御手段10から出力される制御指令に基づいて制御されている。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an ultrasonic probe and an ultrasonic diagnostic apparatus according to the first embodiment.
As shown in FIG. 1, the ultrasonic diagnostic apparatus 1 converts a drive signal into an ultrasonic wave and transmits it to a subject, and also receives an ultrasonic wave generated from the subject and converts it into an electrical signal. Are arranged, a transmitter 3 for supplying a drive signal to the ultrasound probe 2, and a DC bias voltage superimposed on the drive signal supplied to the ultrasound probe 2. Biasing means 4 to be applied, receiving means 6 for processing an electric signal (hereinafter referred to as a reflected echo signal) output from the ultrasound probe 2, and digital phasing with respect to the reflected echo signal output from the receiving means 6 And a phasing addition means 7 for performing addition processing, an image processing means 8 for reconstructing an ultrasonic image based on a reflected echo signal output from the phasing addition means 7, and an ultrasonic image output from the image processing means 8. Display means 9 for displaying The transmission unit 3, the bias unit 4, the reception unit 6, the phasing addition unit 7, the image processing unit 8, and the display unit 9 are connected to the control unit 10 respectively. Is controlled on the basis.

次に、超音波診断装置1の動作を説明する。被検体に接触させた超音波探触子2にバイアス手段4から直流バイアス電圧が供給され、さらに、これに重畳して送信手段3から駆動信号が供給される。供給された駆動信号は、超音波探触子2の各振動子で超音波に変換され、被検体に送波される。被検体で反射した超音波は、超音波探触子2の各振動子により受波され、各振動子によって反射エコー信号に変換される。超音波探触子2から出力される反射エコー信号は、受信手段6により増幅やアナログディジタル変換などの受信処理が施される。受信処理が施された反射エコー信号は、整相加算手段7により整相加算され、整相加算された反射エコー信号は、画像処理手段8により超音波像(例えば、断層像や血流像などの診断画像)に再構成される。再構成された診断画像は、表示手段9に表示される。   Next, the operation of the ultrasonic diagnostic apparatus 1 will be described. A direct current bias voltage is supplied from the bias means 4 to the ultrasonic probe 2 brought into contact with the subject, and a drive signal is supplied from the transmission means 3 in a superimposed manner. The supplied drive signal is converted into an ultrasonic wave by each transducer of the ultrasonic probe 2 and transmitted to the subject. The ultrasonic wave reflected by the subject is received by each transducer of the ultrasound probe 2 and converted into a reflected echo signal by each transducer. The reflected echo signal output from the ultrasound probe 2 is subjected to reception processing such as amplification and analog-digital conversion by the reception means 6. The reflected echo signal subjected to the reception processing is subjected to phasing addition by the phasing addition unit 7, and the reflected echo signal subjected to the phasing addition is subjected to an ultrasonic image (for example, a tomographic image or a blood flow image) by the image processing unit 8. Of the diagnostic image). The reconstructed diagnostic image is displayed on the display means 9.

図2は、実施例1の超音波探触子2の斜視図である。図2に示すように、超音波探触子2は、複数の振動子12a〜12m(m:2以上の自然数)が短冊状に配設された1次元アレイ型に形成されている。ただし、振動子を2次元配列した2次元アレイ型や、振動子を扇型上に配設したコンベックス型など他の形態の超音波探触子にも本発明を適用できる。振動子12a〜12mの背面側にバッキング層13が設けられるとともに、超音波射出側に音響レンズ14が配設されている。なお、振動子を2次元配列することにより、音響レンズ14を用いない構成とすることも可能である。また、振動子12a〜12mと音響レンズ14の間には、必要に応じて音響整合層を設けることも可能である。   FIG. 2 is a perspective view of the ultrasonic probe 2 according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the ultrasonic probe 2 is formed in a one-dimensional array type in which a plurality of transducers 12a to 12m (m: a natural number of 2 or more) are arranged in a strip shape. However, the present invention can also be applied to ultrasonic transducers of other forms such as a two-dimensional array type in which transducers are two-dimensionally arranged or a convex type in which transducers are arranged on a fan shape. A backing layer 13 is provided on the back side of the transducers 12a to 12m, and an acoustic lens 14 is provided on the ultrasonic emission side. It should be noted that a configuration in which the acoustic lens 14 is not used can be made by arranging the vibrators two-dimensionally. Further, an acoustic matching layer can be provided between the transducers 12a to 12m and the acoustic lens 14 as necessary.

振動子12a〜12mは、送信手段3からの駆動信号を超音波に変換して被検体に超音波を送波すると共に、被検体で反射した超音波を受波して電気信号に変換する。バッキング層13は、振動子12a〜12mから背面側に射出される超音波の伝搬を吸収することによって、振動子12a〜12mの余分な振動を抑制する。音響レンズ14は、振動子12a〜12mから射出される超音波ビームを収束する。なお、振動子12a〜12mの配列方向を長軸方向Xとし、長軸方向Xに直交する方向を短軸方向Yとする。   The transducers 12a to 12m convert the drive signal from the transmission unit 3 into an ultrasonic wave and transmit the ultrasonic wave to the subject, and receive the ultrasonic wave reflected by the subject and convert it into an electrical signal. The backing layer 13 suppresses excessive vibration of the transducers 12a to 12m by absorbing the propagation of ultrasonic waves emitted from the transducers 12a to 12m to the back side. The acoustic lens 14 converges the ultrasonic beam emitted from the transducers 12a to 12m. The arrangement direction of the vibrators 12a to 12m is a major axis direction X, and a direction orthogonal to the major axis direction X is a minor axis direction Y.

図3は、図2の複数の振動子12a〜12mにおける一の振動子12の拡大斜視図である。図3に示すように、振動子12は、基板15上に複数の振動要素16a〜16n(n:2以上の自然数)を有して形成されている。振動要素16a〜16nは、印加される直流バイアス電圧の大きさによって電気機械結合係数、つまり送受信感度が変化する電気―音響変換素子である。また、振動要素16a〜16nは、長軸方向X及び短軸方向Yに略均等間隔に配列されており、隣接する振動要素間は電極17aで接続されている。なお、本実施例では短軸方向Yに沿って上、中、下の3区間に別れて電極17aで接続されているが、これに限らず全ての振動要素16a〜16nを1まとまりで接続してもよいし、さらに区間を細分化してもよい。また、振動要素16a〜16nを不均等な間隔で配列することも可能である。   FIG. 3 is an enlarged perspective view of one transducer 12 among the plurality of transducers 12a to 12m in FIG. As shown in FIG. 3, the vibrator 12 is formed on the substrate 15 with a plurality of vibration elements 16 a to 16 n (n: a natural number of 2 or more). The vibration elements 16a to 16n are electro-acoustic conversion elements in which an electromechanical coupling coefficient, that is, transmission / reception sensitivity changes depending on the magnitude of the applied DC bias voltage. The vibration elements 16a to 16n are arranged at substantially equal intervals in the major axis direction X and the minor axis direction Y, and adjacent vibration elements are connected by an electrode 17a. In this embodiment, the electrodes 17a are connected to the upper, middle, and lower sections along the minor axis direction Y. However, the present invention is not limited to this, and all the vibration elements 16a to 16n are connected together. Alternatively, the section may be further subdivided. It is also possible to arrange the vibration elements 16a to 16n at unequal intervals.

図4は、図3の基板15及び基板15上に設けられた複数の振動要素16a〜16nにおける一の振動要素16の縦断面図である。図4に示すように、振動要素16は、基板15に対向して設けられた振動膜20と、振動膜20の内部に埋め込むように設けられた電極17aと、振動膜20と基板15の間に真空又は空気の空間(以下、空間21という)を形成して振動膜20を基板15に支持する支持部22とで構成されている。また、基板15の下部には、電極17bが設けられている。   FIG. 4 is a longitudinal sectional view of one vibration element 16 in the vibration element 16 a to 16 n provided on the substrate 15 and the substrate 15 in FIG. 3. As shown in FIG. 4, the vibration element 16 includes a vibration film 20 provided to face the substrate 15, an electrode 17 a provided so as to be embedded in the vibration film 20, and the vibration film 20 and the substrate 15. And a support portion 22 that forms a vacuum or air space (hereinafter referred to as a space 21) and supports the vibrating membrane 20 on the substrate 15. An electrode 17b is provided below the substrate 15.

電極17aは、送信手段3の駆動信号電源26に接続端子27aを介して接続されており、電極17bは、バイアス手段4の直流バイアス電源25に接続端子27bを介して接続されている。   The electrode 17a is connected to the drive signal power supply 26 of the transmission means 3 via a connection terminal 27a, and the electrode 17b is connected to the DC bias power supply 25 of the bias means 4 via a connection terminal 27b.

ここで、基板15は、セラミックス、ガラス、半導体などで形成するのが好ましい。また、振動膜20は、シリコンナイトライドなどのガラス、又はセラミックなど、絶縁性を有し、かつ繰り返しの振動に対する強度を有する材料で形成するのが好ましく、支持部22は、同様にシリコンナイトライドなどのガラス、又はセラミックなど、絶縁性を有し、かつ振動膜20を基板15に支持する強度を有する材料で形成するのが好ましい。さらに、電極17a及び電極17bは、アルミニウム又はチタンなどの金属で形成するのが好ましい。   Here, the substrate 15 is preferably formed of ceramics, glass, semiconductor, or the like. The vibration film 20 is preferably formed of a material having insulating properties and strength against repeated vibration, such as glass such as silicon nitride or ceramic, and the support portion 22 is similarly formed of silicon nitride. It is preferable that the insulating film is made of a material such as glass or ceramic that has an insulating property and a strength that supports the vibration film 20 on the substrate 15. Further, the electrodes 17a and 17b are preferably formed of a metal such as aluminum or titanium.

次に、振動要素16の動作を説明する。振動要素16に直流バイアス電源25によって直流のバイアス電圧を印加すると、印加されたバイアス電圧の大きさに応じて振動要素16の空間21に電界が発生する。発生した電界により振動膜20が緊張することによって、振動要素16の電気機械結合係数の値が定められる。そして、駆動信号電源26から振動要素16に駆動信号を供給すると、供給された駆動信号は、電気機械結合係数の値に基づいて超音波に変換される。また、被検体で反射した超音波を振動要素16によって受波すると、振動要素16の振動膜20が電気機械結合係数の値に基づいて励起される。振動膜20が励起されることにより空間21の容量が変化し、その容量変化に基づく電気信号が超音波診断装置に取り込まれる。   Next, the operation of the vibration element 16 will be described. When a DC bias voltage is applied to the vibration element 16 by the DC bias power supply 25, an electric field is generated in the space 21 of the vibration element 16 according to the magnitude of the applied bias voltage. When the vibration film 20 is strained by the generated electric field, the value of the electromechanical coupling coefficient of the vibration element 16 is determined. When a drive signal is supplied from the drive signal power supply 26 to the vibration element 16, the supplied drive signal is converted into an ultrasonic wave based on the value of the electromechanical coupling coefficient. Further, when the ultrasonic wave reflected by the subject is received by the vibration element 16, the vibration film 20 of the vibration element 16 is excited based on the value of the electromechanical coupling coefficient. When the vibration film 20 is excited, the capacity of the space 21 is changed, and an electric signal based on the change in the capacity is taken into the ultrasonic diagnostic apparatus.

次に、本発明を適用した超音波探触子2の振動要素について、図5を用いて説明する。図5は、図4における振動要素16の支持部22と、その周辺の断面を拡大した図である。図5に示すように支持部22には、基板15に隣接して振動膜20と基板15との間を伝播する超音波を抑制する遮音部である低音響インピダンス部25が複数設けられている。   Next, the vibration element of the ultrasonic probe 2 to which the present invention is applied will be described with reference to FIG. FIG. 5 is an enlarged view of the support portion 22 of the vibration element 16 in FIG. As shown in FIG. 5, the support portion 22 is provided with a plurality of low acoustic impedance portions 25, which are sound insulation portions that suppress ultrasonic waves that propagate between the vibration film 20 and the substrate 15, adjacent to the substrate 15. .

本実施例において、低音響インピダンス部25は、真空又は空気の空間であるが、これに限らず、金属、ガラス、セラミック、フェライトなどの内部に真空又は空気の空間が形成された多孔質部材であってもよい。   In the present embodiment, the low acoustic impedance portion 25 is a vacuum or air space, but is not limited to this, and is a porous member in which a vacuum or air space is formed inside a metal, glass, ceramic, ferrite, or the like. There may be.

ここで、図6を用いて図5における振動要素16の全体構成を説明する。図6は、図5の振動要素16のVI−VI線での断面図である。このように、振動要素16は、空間21の外周を囲むように3層に渡って低音響インピダンス部25が設けられ、空間21と最内周の低音響インピダンス部25の間、各低音響インピダンス部25間、最外周の低音響インピダンス部25の外周側に支持部22が設けられている。なお、本実施例のように低音響インピダンス部25を環状に配置する例に限らず、超音波の抑制能力及び支持部22の支持強度などを考慮して環状の低音響インピダンス部25を複数に分割して配置することもできる。   Here, the overall configuration of the vibration element 16 in FIG. 5 will be described with reference to FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of the vibration element 16 of FIG. As described above, the vibration element 16 is provided with the low acoustic impedance portion 25 over three layers so as to surround the outer periphery of the space 21, and each low acoustic impedance between the space 21 and the innermost low acoustic impedance portion 25. A support portion 22 is provided between the portions 25 on the outer peripheral side of the outermost low acoustic impedance portion 25. In addition, the low acoustic impedance part 25 is not limited to the example in which the low acoustic impedance part 25 is annularly arranged as in the present embodiment, and the annular low acoustic impedance part 25 is made into a plurality in consideration of the ability to suppress ultrasonic waves and the support strength of the support part 22. It can also be divided and arranged.

次に、本実施例の超音波探触子2の動作と効果を説明する。図7〜図10は、超音波探触子2の振動子12の断面の一部を模式的に示した図である。ここでは、図7〜図10において左側の4個の振動要素をまとめて振動要素群30、右側の2個の振動要素をまとめて振動要素群31とし、振動要素群30を同時に駆動して、振動要素群31を駆動していない場合を例に説明する。   Next, the operation and effect of the ultrasonic probe 2 of the present embodiment will be described. 7 to 10 are diagrams schematically showing a part of the cross section of the transducer 12 of the ultrasonic probe 2. Here, in FIG. 7 to FIG. 10, the four vibration elements on the left side are combined into the vibration element group 30, the two vibration elements on the right side are combined into the vibration element group 31, and the vibration element group 30 is driven simultaneously. A case where the vibration element group 31 is not driven will be described as an example.

超音波診断装置1が振動要素群30の振動膜20及び基板15に設けられている電極17a、17bに駆動信号を供給すると、駆動信号に起因して振動膜20が振動して超音波を被検体(図7において、矢印32方向)に送波する。また、振動膜20は、被検体から反射してきた超音波を受波して振動する。このような送受波の際に発生する振動膜20の振動によって、図7に示すように、超音波は支持部22を介して矢印33方向へ伝播する。   When the ultrasonic diagnostic apparatus 1 supplies a drive signal to the vibration film 20 of the vibration element group 30 and the electrodes 17a and 17b provided on the substrate 15, the vibration film 20 vibrates due to the drive signal and receives ultrasonic waves. A wave is transmitted in the specimen (in the direction of arrow 32 in FIG. 7). In addition, the vibration film 20 receives the ultrasonic wave reflected from the subject and vibrates. As shown in FIG. 7, the ultrasonic wave propagates in the direction of the arrow 33 through the support portion 22 due to the vibration of the vibration film 20 generated during such transmission / reception.

ここで、音響インピダンスがZ(MRayls)である媒質Aから、音響インピダンスがZ(MRayls)である媒質Bへ超音波が進行した場合、両媒質の境界面で超音波が反射する割合R(反射率)は、以下の式で表される。 Here, when the ultrasonic wave travels from the medium A having the acoustic impedance Z 1 (MRayls) to the medium B having the acoustic impedance Z 2 (MRayls), the ratio R of the ultrasonic wave reflected at the boundary surface between the two media R (Reflectance) is expressed by the following equation.

(数1式)
R=│(Z―Z)/(Z+Z)│
つまり、ある媒質から別のある媒質へ超音波が進行した場合の境界面での超音波の反射率は、両媒質の音響インピダンスの比率に依存し、両媒質間の音響インピダンスの比率の違いが大きければ大きい程その両媒質の境界面で超音波は反射する。
(Formula 1)
R = | (Z 1 −Z 2 ) / (Z 1 + Z 2 ) |
In other words, when the ultrasonic wave travels from one medium to another, the reflectivity of the ultrasonic wave at the interface depends on the ratio of the acoustic impedance of both media, and the difference in the ratio of the acoustic impedance between the two media The larger the value, the more the ultrasonic wave is reflected at the interface between the two media.

本実施例では、シリコンナイトライドなどで形成された支持部22の音響インピダンスは、例えば約20(MRayls)であり、シリコンなどで形成された基板15の音響インピダンスも例えば約20(MRayls)である。これに対して低音響インピダンス部25は、真空又は空気なので支持部22や基板15と比べると、音響インピダンスは、例えばほとんど0(MRayls)とみることができる。したがって、図8に示すように、振動膜20から基板15に伝播しようとする超音波の一部は、支持部22と支持部22の下部に設けられた低音響インピダンス部25との音響インピダンスの違い及び低音響インピダンス部25と基板15との音響インピダンスの違いにより矢印34方向へ反射するので、基板15への超音波の伝播は抑制される。これにより、基板15内部での超音波の多重反射によるプレート波の発生が抑制される。   In this embodiment, the acoustic impedance of the support portion 22 formed of silicon nitride or the like is about 20 (MRayls), for example, and the acoustic impedance of the substrate 15 formed of silicon or the like is also about 20 (MRayls), for example. . On the other hand, since the low acoustic impedance unit 25 is vacuum or air, the acoustic impedance can be regarded as almost 0 (MRayls), for example, compared to the support unit 22 and the substrate 15. Therefore, as shown in FIG. 8, a part of the ultrasonic wave to be propagated from the vibration film 20 to the substrate 15 is caused by the acoustic impedance between the support portion 22 and the low acoustic impedance portion 25 provided below the support portion 22. Reflection in the direction of the arrow 34 due to the difference and the difference in acoustic impedance between the low acoustic impedance unit 25 and the substrate 15, the propagation of ultrasonic waves to the substrate 15 is suppressed. Thereby, generation | occurrence | production of the plate wave by the multiple reflection of the ultrasonic wave in the board | substrate 15 is suppressed.

しかしながら、基板15へ伝播する超音波を完全に抑制することはできないので、図9に示すように、基板15内部では矢印35などに示すように超音波が多重反射してプレート波が発生する。このプレート波は、振動要素群30の各振動要素や振動要素群31の各振動要素に伝播しようとする。しかし、上記と同様の理由により、図10に示すように、基板15と各支持部22の下部に設けられた低音響インピダンス部25との音響インピダンスの違い及び低音響インピダンス部25と支持部22との音響インピダンスの違いにより矢印36方向へ反射する。したがって、振動要素郡30を駆動することによって、駆動していない振動要素郡31の振動膜に不要な振動が生じることを抑制することができる。   However, since the ultrasonic wave propagating to the substrate 15 cannot be completely suppressed, as shown in FIG. 9, the ultrasonic wave is multiple-reflected inside the substrate 15 to generate a plate wave as shown by an arrow 35 or the like. This plate wave tends to propagate to each vibration element of the vibration element group 30 and each vibration element of the vibration element group 31. However, for the same reason as described above, as shown in FIG. 10, the difference in acoustic impedance between the substrate 15 and the low acoustic impedance portion 25 provided below each support portion 22, and the low acoustic impedance portion 25 and the support portion 22. Reflected in the direction of arrow 36 due to the difference in acoustic impedance. Therefore, by driving the vibration element group 30, it is possible to suppress unnecessary vibration from being generated in the vibration film of the vibration element group 31 that is not driven.

なお、本実施例では、振動要素郡30を同時に駆動し、振動要素郡31を駆動していない場合を例に説明したが、例えば、振動要素郡30の中で駆動する振動要素と駆動していない振動要素があるような場合は、駆動する振動要素の振動に起因する超音波が、駆動していない振動要素に伝播することを抑制することになる。   In this embodiment, the case where the vibration element group 30 is driven simultaneously and the vibration element group 31 is not driven has been described as an example. However, for example, the vibration element group 30 is driven with the vibration element to be driven. When there is no vibration element, the ultrasonic wave caused by the vibration of the driving vibration element is prevented from propagating to the vibration element that is not driven.

本実施例によれば、プレート波の発生を抑制し、かつ抑制しきれずに発生したプレート波が、隣接する振動要素の振動膜に伝播するのを抑制するので、振動膜の振動により隣接する振動要素相互間に生じる干渉を抑制することができる。   According to the present embodiment, the generation of the plate wave is suppressed, and the plate wave generated without being suppressed is suppressed from propagating to the vibration film of the adjacent vibration element. Interference generated between elements can be suppressed.

また、本実施例の超音波探触子2の振動要素は、空間21と低音響インピダンス部25を同一の層に設けているので、製造工数を低減することができ、開発コストを抑制することができる。   Moreover, since the vibration element of the ultrasonic probe 2 of the present embodiment is provided with the space 21 and the low acoustic impedance portion 25 in the same layer, the manufacturing man-hour can be reduced and the development cost can be suppressed. Can do.

なお、本実施例では、低音響インピダンス部25を複数に分割して基板15に隣接させて設けているが、低音響インピダンス部25は、振動膜20と基板15の間を伝播する超音波を抑制するために設けられるものなので、複数に分割せず一体とすることもできるし、配置位置も限定されるものではない。しかし、低音響インピダンス部25を極端に大きくすると、振動膜20を基板15に支持する支持部22の体積が小さくなり、支持強度が保てなくなる。したがって、低音響インピダンス部25は、超音波伝播の抑制能力及び支持強度などを考慮して適宜大きさや間隔を決定して設ければ良い。例えば、図11に示すように低音響インピダンス部25を多層状に、かつ、下層の低音響インピダンス部25と上層の低音響インピダンス部25を互い違いに設けることも可能である。このような構成によれば、支持部22の支持強度を保ちつつ、超音波伝播の抑制能力を増大することができる。   In this embodiment, the low acoustic impedance unit 25 is divided into a plurality of parts and provided adjacent to the substrate 15. However, the low acoustic impedance unit 25 transmits ultrasonic waves that propagate between the vibration film 20 and the substrate 15. Since it is provided for the purpose of suppression, it can be integrated without being divided into a plurality of parts, and the arrangement position is not limited. However, if the low acoustic impedance portion 25 is extremely large, the volume of the support portion 22 that supports the vibration film 20 on the substrate 15 becomes small, and the support strength cannot be maintained. Therefore, the low acoustic impedance unit 25 may be provided by appropriately determining the size and interval in consideration of the ability to suppress ultrasonic propagation and the support strength. For example, as shown in FIG. 11, it is also possible to provide the low acoustic impedance unit 25 in a multilayer shape, and to provide the lower low acoustic impedance unit 25 and the upper low acoustic impedance unit 25 alternately. According to such a configuration, it is possible to increase the ability to suppress ultrasonic propagation while maintaining the support strength of the support portion 22.

本発明の実施例2を図12、図13を用いて説明する。実施例1の超音波探触子2との違いは、支持部22の内部に設けられた低音響インピダンス部25に替えて吸音部を設けることのみであるので、重複部分の説明は省略する。図12は、図4の振動要素16の支持部22とその周辺部材の断面を拡大した図である。図12に示すように、吸音部39は、基板15に隣接して設けられるのではなく、支持部22の内部に設けられている。   A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The only difference from the ultrasonic probe 2 of the first embodiment is that a sound absorbing portion is provided in place of the low acoustic impedance portion 25 provided in the support portion 22, and the description of the overlapping portion is omitted. FIG. 12 is an enlarged view of the cross section of the support portion 22 of the vibration element 16 of FIG. 4 and its peripheral members. As shown in FIG. 12, the sound absorbing portion 39 is not provided adjacent to the substrate 15 but is provided inside the support portion 22.

吸音部39は、金属、ガラス、セラミック、フェライトなどの部材に複数の空気又は真空などの空間を多層状で、かつ迷路状に混在させた部材、又はこのような部材に、タングステンや白金などの金属粉体など音響特性の異なる物質の粉体を混在させた部材などが好ましい。   The sound absorbing portion 39 is a member in which a plurality of spaces such as air or vacuum are mixed in a multi-layered and labyrinth-like manner in a member such as metal, glass, ceramic, and ferrite, or such a member is made of tungsten or platinum. A member in which powders of substances having different acoustic characteristics such as metal powder are mixed is preferable.

次に、本実施例の超音波探触子1の動作について図13を用いて説明する。ここでは、吸音部39として、シリコンナイトライド40にタングステン粉体41を混在した部材を使用した場合を例に説明する。実施例1と同様に、超音波の送受波の際に振動膜20が振動することにより超音波が支持部22に伝播し、矢印42に示すように吸音部39に入射する。吸音部39に入射した超音波は、吸音部39内部のタングステン粉体41に入射すると、図に示すように四方八方へ反射して散乱する。吸音部39の内部でこのような散乱を繰り返すうちに、超音波の機械的エネルギーは熱エネルギーへと変換され、その結果、超音波は吸音部39の内部で吸音される。つまり、吸音部39に入射した超音波は、実質的に減衰される。   Next, the operation of the ultrasonic probe 1 of the present embodiment will be described with reference to FIG. Here, the case where the member which mixed the tungsten powder 41 in the silicon nitride 40 is used as the sound absorption part 39 is demonstrated to an example. As in the first embodiment, when the vibration film 20 vibrates during transmission / reception of ultrasonic waves, the ultrasonic waves propagate to the support portion 22 and enter the sound absorbing portion 39 as indicated by an arrow 42. When the ultrasonic wave incident on the sound absorbing part 39 is incident on the tungsten powder 41 inside the sound absorbing part 39, it is reflected and scattered in all directions as shown in the figure. While such scattering is repeated inside the sound absorbing portion 39, the mechanical energy of the ultrasonic waves is converted into thermal energy, and as a result, the ultrasonic waves are absorbed inside the sound absorbing portion 39. That is, the ultrasonic wave incident on the sound absorbing portion 39 is substantially attenuated.

これにより、超音波が基板15に伝播するのを抑制することができ、プレート波の発生を抑制することができる。また、実施例1と同様に、抑制しきれずに基板15へ伝播した超音波が多重反射してプレート波が発生し、基板15から隣接する振動要素に伝播しようとするが、吸音部39内部で上記と同様に吸音されるので、隣接する振動要素の振動膜に伝播するプレート波を抑制することができる。   Thereby, it can suppress that an ultrasonic wave propagates to the board | substrate 15, and can suppress generation | occurrence | production of a plate wave. Similarly to the first embodiment, the ultrasonic waves propagated to the substrate 15 without being able to be suppressed are multiple-reflected to generate a plate wave and try to propagate from the substrate 15 to the adjacent vibration element. Since the sound is absorbed in the same manner as described above, it is possible to suppress the plate wave propagating to the vibration film of the adjacent vibration element.

なお、本実施例による超音波の伝播抑制の効果は、吸音部39の厚みが大きければ大きいほど増大する。したがって、本実施例のような吸音部39の配置に限らず、例えば、支持部22全体を吸音部39で形成することもできるし、多層状に形成することもできる。   The effect of suppressing the propagation of ultrasonic waves according to the present embodiment increases as the thickness of the sound absorbing portion 39 increases. Therefore, not only the arrangement of the sound absorbing portion 39 as in the present embodiment, for example, the entire support portion 22 can be formed by the sound absorbing portion 39 or can be formed in a multilayer shape.

本発明の実施例3を、図14を用いて説明する。実施例1の超音波探触子2との違いは、支持部22の内部の低音響インピダンス部25及び吸音部39の構成のみであるので、重複部分の説明は省略する。図14は、図4の振動要素16の支持部22とその周辺部材の断面を拡大した図である。本実施例は、実施例1と実施例2の組み合わせであり、具体的には、図14に示すように、実施例1で説明した低音響インピダンス部25を基板15に隣接して設け、実施例2で説明した吸音部39を支持部22の内部に設けている。つまり、支持部22の内部に、超音波又はプレート波の伝播方向に沿って低音響インピダンス部25及び吸音部39が設けられている。   A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The difference from the ultrasonic probe 2 of the first embodiment is only the configuration of the low acoustic impedance part 25 and the sound absorbing part 39 inside the support part 22, and therefore the description of the overlapping parts is omitted. FIG. 14 is an enlarged view of the cross section of the support portion 22 and its peripheral members of the vibration element 16 of FIG. The present embodiment is a combination of the first embodiment and the second embodiment. Specifically, as shown in FIG. 14, the low acoustic impedance unit 25 described in the first embodiment is provided adjacent to the substrate 15. The sound absorbing portion 39 described in Example 2 is provided inside the support portion 22. That is, the low acoustic impedance unit 25 and the sound absorbing unit 39 are provided inside the support unit 22 along the propagation direction of the ultrasonic wave or the plate wave.

本実施例によれば、支持部22の内部を伝播する超音波又はプレート波をより効果的に抑制することができ、振動膜の振動により隣接する振動要素相互間に生じる干渉をより効果的に抑制することができる。   According to the present embodiment, it is possible to more effectively suppress the ultrasonic wave or the plate wave propagating through the inside of the support portion 22, and it is possible to more effectively prevent the interference generated between the adjacent vibration elements due to the vibration of the vibration film. Can be suppressed.

本発明の実施例4を図15、図16を用いて説明する。実施例1の超音波探触子1との違いは、振動要素16と基板15との間にベース膜45を設ける点と、低音響インピダンス部25の配置位置のみであるので、重複部分の説明は省略する。図15は、本実施例の振動要素16とベース膜45と基板15の断面を拡大した図である。図15に示すように、基板15上にベース膜45が設けられ、ベース膜45上に振動要素16が設けられている。そして、低音響インピダンス部25は、ベース膜45の内部に、支持部22の下部から空間21の下部に渡って設けられている。ここで、ベース膜45は、振動膜20や支持部22と同様に、シリコンナイトライドなどのガラス、又はセラミックなどの部材であるのが好ましい。   A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The difference from the ultrasonic probe 1 of the first embodiment is only that the base film 45 is provided between the vibration element 16 and the substrate 15 and the position where the low acoustic impedance portion 25 is disposed. Is omitted. FIG. 15 is an enlarged view of the cross section of the vibration element 16, the base film 45, and the substrate 15 of the present embodiment. As shown in FIG. 15, the base film 45 is provided on the substrate 15, and the vibration element 16 is provided on the base film 45. The low acoustic impedance part 25 is provided in the base film 45 from the lower part of the support part 22 to the lower part of the space 21. Here, the base film 45 is preferably a member such as a glass such as silicon nitride or a ceramic, like the vibration film 20 and the support portion 22.

本実施例によれば、空間21と低音響インピダンス部25を異なる層に設けているので、空間21の厚みと低音響インピダンス部25の厚みを異ならせたり、形状を異ならせたりすることができ、また、本実施例のように、空間21と低音響インピダンス部25を上下方向に一部重複させて設けることができる。これにより、超音波やプレート波をより確実に低音響インピダンス部25に入射させることができるので、振動膜の振動により隣接する振動要素相互間 に生じる干渉をより効果的に抑制することができる。   According to the present embodiment, since the space 21 and the low acoustic impedance portion 25 are provided in different layers, the thickness of the space 21 and the thickness of the low acoustic impedance portion 25 can be made different or the shapes can be made different. In addition, as in the present embodiment, the space 21 and the low acoustic impedance unit 25 can be provided so as to partially overlap in the vertical direction. Thereby, since an ultrasonic wave and a plate wave can be made to enter into the low acoustic impedance part 25 more reliably, the interference which arises between adjacent vibration elements by the vibration of a vibration film can be suppressed more effectively.

なお、実施例1で説明したのと同様に、本実施例においても、低音響インピダンス部25の形状、大きさ及び配置位置などは、超音波伝播の抑制能力及び支持強度などを考慮して適宜決定すればよい。   As described in the first embodiment, also in this embodiment, the shape, size, and arrangement position of the low acoustic impedance portion 25 are appropriately determined in consideration of the ability to suppress ultrasonic propagation and the support strength. Just decide.

また、図16に示すように、支持部22の下部のベース膜45に低音響インピダンス部25を設けるのみではなく、ベース膜45の振動要素16aが設けられていない箇所にも低音響インピダンス部25を設けることにより、被検体側からみた支持部22及び基板15の音響インピダンスを低くすることができる。これにより、支持部22と基板15の音響インピダンスは、被検体のそれと近づくので、被検体から反射してきた超音波(図16において、矢印48方向)が、支持部22や基板15で反射するのを抑制できる。つまり、被検体の音響インピダンスは、例えば約1.5(MRayls)であるのに対し、支持部22及び基板15の音響インピダンスは、例えば約20(MRayls)であるので、低音響インピダンス部25を設けない場合は、実施例1において説明したように音響インピダンスの比率の違いにより、被検体から反射してきた超音波48が支持部22及び基板15でほとんど反射してしまう。しかし、本実施例のようにベース膜45を設けることで、振動要素16が設けられている場所に限らず、振動要素16が設けられていない場所でも被検体から反射してきた超音波が再度反射することを抑制することができる。   Further, as shown in FIG. 16, not only the low acoustic impedance portion 25 is provided on the base film 45 below the support portion 22 but also the low acoustic impedance portion 25 at a location where the vibration element 16 a of the base film 45 is not provided. By providing this, the acoustic impedance of the support portion 22 and the substrate 15 viewed from the subject side can be lowered. As a result, the acoustic impedance of the support 22 and the substrate 15 approaches that of the subject, so that the ultrasonic wave reflected from the subject (in the direction of arrow 48 in FIG. 16) is reflected by the support 22 and the substrate 15. Can be suppressed. That is, the acoustic impedance of the subject is about 1.5 (MRayls), for example, whereas the acoustic impedance of the support portion 22 and the substrate 15 is about 20 (MRayls). When not provided, as described in the first embodiment, the ultrasonic wave 48 reflected from the subject is almost reflected by the support portion 22 and the substrate 15 due to the difference in the ratio of the acoustic impedance. However, by providing the base film 45 as in the present embodiment, the ultrasonic wave reflected from the subject is reflected again not only at the place where the vibration element 16 is provided but also at the place where the vibration element 16 is not provided. Can be suppressed.

また、実施例1〜実施例3においても、同様に被検体からみた支持部22の音響インピダンスを低くして、被検体から反射してきた超音波が支持部22で反射するのを抑制できる。   Also in the first to third embodiments, similarly, the acoustic impedance of the support portion 22 viewed from the subject can be lowered to suppress the reflection of the ultrasonic wave reflected from the subject on the support portion 22.

実施例1における超音波探触子及び超音波診断装置の構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration of an ultrasound probe and an ultrasound diagnostic apparatus in Embodiment 1. FIG. 実施例1における超音波探触子の斜視図である。1 is a perspective view of an ultrasonic probe in Example 1. FIG. 実施例1における振動子の拡大斜視図である。3 is an enlarged perspective view of a vibrator in Example 1. FIG. 実施例1における振動子の基板及び基板上に設けられた振動要素の縦断面図である。2 is a longitudinal sectional view of a substrate of a vibrator and a vibration element provided on the substrate in Example 1. FIG. 実施例1における振動要素の支持部とその周辺の断面を拡大した図である。FIG. 3 is an enlarged view of a cross section of the supporting portion of the vibration element and the periphery thereof in the first embodiment. 図5における振動要素のVI−VI線での断面図である。It is sectional drawing in the VI-VI line of the vibration element in FIG. 実施例1における超音波探触子の動作例を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation example of the ultrasonic probe in the first embodiment. 実施例1における超音波探触子の動作例を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation example of the ultrasonic probe in the first embodiment. 実施例1における超音波探触子の動作例を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation example of the ultrasonic probe in the first embodiment. 実施例1における超音波探触子の動作例を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation example of the ultrasonic probe in the first embodiment. 実施例1における振動要素の遮音部の配置変形例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an arrangement modification of the sound insulation portion of the vibration element in the first embodiment. 実施例2における振動要素の支持部とその周辺の断面を拡大した図である。FIG. 6 is an enlarged view of a cross section of a supporting portion of a vibration element and its periphery in Example 2. 実施例2における超音波探触子の動作例を説明する図である。FIG. 10 is a diagram for explaining an operation example of an ultrasound probe in the second embodiment. 実施例3における振動要素の支持部とその周辺の断面を拡大した図である。FIG. 10 is an enlarged view of a cross section of a supporting portion of a vibration element and its periphery in Example 3. 実施例4における振動要素とベース膜と基板の断面を拡大した図である。10 is an enlarged view of a cross section of a vibration element, a base film, and a substrate in Example 4. FIG. 実施例4の超音波探触子の動作例を説明する図である。FIG. 10 is a diagram for explaining an operation example of the ultrasonic probe according to the fourth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1 超音波診断装置
2 超音波探触子
12 振動子
15 基板
16 振動要素
20 振動膜
21 空間
22 支持部
25 低音響インピダンス部
39 吸音部
41 タングステン粉体
45 ベース膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ultrasonic diagnostic apparatus 2 Ultrasonic probe 12 Vibrator 15 Substrate 16 Vibrating element 20 Vibrating film 21 Space 22 Support part 25 Low acoustic impedance part 39 Sound absorbing part 41 Tungsten powder 45 Base film

Claims (6)

超音波と電気信号を相互に変換する振動子を複数配列してなり、前記振動子は、基板と、該基板上に設けられた複数の振動要素を備え、前記振動要素は、前記基板上に設けられた振動膜と、該振動膜と前記基板との間に空間を形成して前記振動膜を支持する支持部とを備え、前記支持部の内部に、前記振動膜と前記基板との間を伝播する超音波を抑制する遮音部が設けられ、
前記遮音部は、前記支持部と前記基板のいずれよりも低い音響インピダンスを有する低音響インピダンス部であり、
前記低音響インピダンス部は、空間、又は金属、ガラス、セラミック、フェライトを基材とする多孔質部材であることを特徴とする超音波探触子。
A plurality of transducers that mutually convert ultrasonic waves and electrical signals are arranged, and the transducer includes a substrate and a plurality of vibration elements provided on the substrate, and the vibration elements are disposed on the substrate. A vibration film provided; and a support part that supports the vibration film by forming a space between the vibration film and the substrate, and is provided between the vibration film and the substrate inside the support part. A sound insulation part that suppresses the ultrasonic wave propagating through the
The sound insulation part is a low acoustic impedance part having an acoustic impedance lower than any of the support part and the substrate,
The low acoustic impedance section, space, or metal, glass, ceramics, ultrasonic probe you being a porous member for a base material of ferrite.
超音波と電気信号を相互に変換する振動子を複数配列してなり、前記振動子は、基板と、該基板上に設けられた複数の振動要素を備え、前記振動要素は、前記基板上に設けられた振動膜と、該振動膜と前記基板との間に空間を形成して前記振動膜を支持する支持部とを備え、前記支持部の内部に、前記振動膜と前記基板との間を伝播する超音波を抑制する遮音部が設けられ、
前記遮音部は、前記超音波を吸音する吸音部であり、
前記吸音部は、金属、ガラス、セラミック、フェライトを基材とする多孔質部材、又は前記多孔質部材に金属の粉体を混在させた部材であることを特徴とする超音波探触子。
A plurality of transducers that mutually convert ultrasonic waves and electrical signals are arranged, and the transducer includes a substrate and a plurality of vibration elements provided on the substrate, and the vibration elements are disposed on the substrate. A vibration film provided; and a support part that supports the vibration film by forming a space between the vibration film and the substrate, and is provided between the vibration film and the substrate inside the support part. A sound insulation part that suppresses the ultrasonic wave that propagates is provided,
The sound insulating part is a sound absorbing part that absorbs the ultrasonic waves,
The sound absorbing unit, metal, glass, ceramic, porous member, or the ultrasound probe it characterized in that the porous member is a member obtained by mixing a metal powder as a base material of ferrite.
前記遮音部は、前記基板に隣接して設けられてなることを特徴とする請求項1又は2に記載の超音波探触子。 The sound insulation part, the ultrasonic probe according to claim 1 or 2, characterized in that provided adjacent to the substrate. 超音波と電気信号を相互に変換する振動子を複数配列してなり、前記振動子は、基板と、該基板上に設けられた複数の振動要素を備え、前記振動要素は、前記基板上に設けられた振動膜と、該振動膜と前記基板との間に空間を形成して前記振動膜を支持する支持部とを備え、前記支持部の内部の前記基板側に、前記支持部と、前記基板のいずれよりも低い音響インピダンスを有する低音響インピダンス部が設けられ、前記支持部の内部であって前記低音響インピダンス部の前記基板に対向する側に、前記振動膜と前記基板との間を伝播する超音波を吸音する吸音部が設けられてなることを特徴とする超音波探触子。   A plurality of transducers that mutually convert ultrasonic waves and electrical signals are arranged, and the transducer includes a substrate and a plurality of vibration elements provided on the substrate, and the vibration elements are disposed on the substrate. A vibration film provided, and a support part that supports the vibration film by forming a space between the vibration film and the substrate, the support part on the substrate side inside the support part, A low acoustic impedance part having an acoustic impedance lower than any of the substrates is provided, and the inside of the support part and on the side facing the substrate of the low acoustic impedance part, between the vibration film and the substrate An ultrasonic probe comprising a sound absorbing portion that absorbs an ultrasonic wave propagating through the sound wave. 超音波と電気信号を相互に変換する振動子を複数配列してなり、前記振動子は、基板と、該基板上に設けられたベース膜と、該ベース膜上に設けられた複数の振動要素を備え、前記振動要素は、前記ベース膜上に設けられた振動膜と、該振動膜と前記ベース膜との間に空間を形成して前記振動膜を支持する支持部とを備え、前記ベース膜の内部に、前記振動膜と前記基板との間を伝播する超音波を抑制する遮音部が設けられてなり、
前記遮音部は、前記ベース膜の前記支持部と前記基板に挟まれた部分に設けられ、前記遮音部の端部は、前記振動膜と前記ベース膜との間に形成された空間の下部にまで伸長されてなることを特徴とする超音波探触子。
A plurality of transducers that mutually convert ultrasonic waves and electrical signals are arranged. The transducer includes a substrate, a base film provided on the substrate, and a plurality of vibration elements provided on the base film. And the vibration element includes a vibration film provided on the base film, and a support part that supports the vibration film by forming a space between the vibration film and the base film. Inside the film, a sound insulation part for suppressing ultrasonic waves propagating between the vibration film and the substrate is provided,
The sound insulation portion is provided in a portion sandwiched between the support portion of the base film and the substrate, and an end portion of the sound insulation portion is formed in a lower portion of a space formed between the vibration film and the base film. ultrasonic probe you characterized by comprising been extended to.
請求項1乃至5のいずれか1項の超音波探触子と、該超音波探触子に駆動信号を供給する送信手段と、前記超音波探触子に供給される駆動信号に直流バイアス電圧を重畳するバイアス手段と、前記超音波探触子から出力される反射エコー信号に受信処理を施す受信手段と、該受信手段から出力される反射エコー信号に対し整相及び加算処理を施す整相加算手段と、該整相加算手段から出力される反射エコー信号に基づき超音波像を構成する画像処理手段と、該画像処理手段から出力される超音波像を表示する表示手段とを備えてなる超音波診断装置。 6. The ultrasonic probe according to claim 1, transmission means for supplying a drive signal to the ultrasonic probe, and a DC bias voltage applied to the drive signal supplied to the ultrasonic probe. A biasing means for superimposing, a receiving means for performing a receiving process on the reflected echo signal output from the ultrasonic probe, and a phasing and an adding process for the reflected echo signal output from the receiving means An adding means, an image processing means for forming an ultrasonic image based on a reflected echo signal output from the phasing and adding means, and a display means for displaying the ultrasonic image output from the image processing means. Ultrasound diagnostic device.
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