JP4841343B2 - Receiver amplifier circuit - Google Patents
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Description
この発明は、レシーバアンプ回路に関し、特にLVDS(Low Voltage Differential Signaling)またはHDMI(High Definition Multimedia Interface)などの高速シリアルインターフェースに利用されるレシーバアンプ回路に関する。 The present invention relates to a receiver amplifier circuit, and more particularly to a receiver amplifier circuit used for a high-speed serial interface such as LVDS (Low Voltage Differential Signaling) or HDMI (High Definition Multimedia Interface).
LVDSおよびHDMIなどの高速シリアルインタフェースでは、レシーバアンプ回路の性能が問題となる。ここで、LVDSとは、ディスプレイとディスプレイアダプタ間などをデジタルで伝送する方式の1つである。また、HDMIとは、ベースバンドのデジタル映像信号をディスプレイに伝送するためのインタフェース仕様である。 For high-speed serial interfaces such as LVDS and HDMI, the performance of the receiver amplifier circuit becomes a problem. Here, LVDS is one of methods for digitally transmitting between a display and a display adapter. HDMI is an interface specification for transmitting a baseband digital video signal to a display.
レシーバアンプ回路に関連して、たとえば、特許文献1には、次のような回路が記載されている。 In relation to the receiver amplifier circuit, for example, Patent Document 1 describes the following circuit.
論理振幅レベル変換回路10は、出力段バッファ回路のCMOSインバータ15の論理閾値電圧VthL を生成する論理閾値生成回路11と、その論理閾値電圧VthL を直流バイアスとし、低論理振幅の入力信号CLKの高低レベル変化に応じて直流バイアスにオフセット電圧Voffsetを加減して被増幅信号Vinを得る論理閾値シフト回路12と、被増幅信号Vinをパルス増幅して高論理振幅信号Vout を得るパルス増幅回路13と、パルス増幅回路13の負荷を可変制御する負荷値可変制御回路14と、高論理振幅信号Vout の反転信号Vout * を得るインバータ15とを有する。パルス増幅回路13の被増幅信号が予めインバータ15の論理閾値電圧VthL を基準にして振られているため、信号Vout はインバータ15の論理閾値電圧VthL を基準に振られる。入力信号CLKに対して高論理振幅のインバータ出力のデューティー比の歪みを抑制できる。
しかしながら、特許文献1に記載の回路では、動作周波数を上げる高速動作、トランジスタサイズを小さくする低面積化、電源電圧を下げる低電源電圧動作、および電源電圧の範囲を広くする広範囲電源電圧動作、入力電圧の範囲を広くする広範囲入力電圧動作が保証されているとはいえない。これらのどれかの特性を満たそうとすると、他のどれかの特性が満たせないことが多い。特に、いわゆる信号のDuty(=シリアル信号の時間幅)がずれていき、パラレル変換が正しく行なわれなくなるという問題がある。 However, in the circuit described in Patent Document 1, high-speed operation for increasing the operating frequency, area reduction for reducing the transistor size, low power-supply voltage operation for reducing the power-supply voltage, and wide-range power-supply voltage operation for widening the power-supply voltage range, input It cannot be said that wide-range input voltage operation that widens the voltage range is guaranteed. Attempting to satisfy any of these characteristics often fails to satisfy any of the other characteristics. In particular, there is a problem that the so-called signal duty (= time width of the serial signal) shifts and parallel conversion cannot be performed correctly.
それゆえに、本発明の目的は、信号のDutyを一定に保つことができるレシーバアンプ回路を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a receiver amplifier circuit that can keep the duty of a signal constant.
上記課題を解決するために、本発明は、第1のCMOSインバータを含むバッファ回路と、第1のCMOSインバータの閾値電圧を出力する閾値電圧出力回路と、基準電流の大きさを制御する基準電流制御回路と、2つの入力端子から入力される信号を差動増幅する差動増幅回路と、基準電流制御回路に基準電流を供給し、基準電流のミラー電流を差動増幅回路に供給するカレントミラー回路とを備え、第1のCMOSインバータの入力端子と、差動増幅回路の第1の出力端子とが接続され、基準電流制御回路は、閾値電圧出力回路が出力する閾値電圧と第1のCMOSインバータの入力電圧の差分に基づいて基準電流の大きさを制御する。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a buffer circuit including a first CMOS inverter, a threshold voltage output circuit that outputs a threshold voltage of the first CMOS inverter, and a reference current that controls the magnitude of the reference current. A control circuit, a differential amplifier circuit that differentially amplifies signals input from two input terminals, a current mirror that supplies a reference current to the reference current control circuit, and supplies a mirror current of the reference current to the differential amplifier circuit And a reference current control circuit configured to connect a threshold voltage output from the threshold voltage output circuit to the first CMOS, and an input terminal of the first CMOS inverter connected to a first output terminal of the differential amplifier circuit. The magnitude of the reference current is controlled based on the difference in the input voltage of the inverter.
本発明のレシーバアンプ回路によれば、信号のDutyを一定に保つことができる。 According to the receiver amplifier circuit of the present invention, the duty of the signal can be kept constant.
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
(従来の回路例)
図4は、従来のレシーバアンプ回路400を表わす図である。
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
(Conventional circuit example)
FIG. 4 shows a conventional
図4を参照して、まず高速差動小振幅信号Vin+とVin-がInput-stage-amp回路34で受信されて、電流源MOSトランジスタQ4が駆動する定電流と抵抗R1の積で決まる電源電圧VCCIOからのドロップ分の電位が出力ノードAに与えられ、電流源MOSトランジスタQ4が駆動する定電流と抵抗R2の積で決まる電源電圧VCCIOからのドロップ分の電位が出力ノードBに与えられる。
Referring to FIG. 4, first, high-speed differential small amplitude signals Vin + and Vin- are received by input-stage-
次にGain-stage-amp回路38で出力ノードAおよびBの振幅が差動増幅され、バッファ回路135を経由して、レベルダウン回路36に送られる。レベルダウン回路36では、バッファ回路135の出力電位を内部コア回路の電位に変換する。
Next, the gains of the output nodes A and B are differentially amplified by the gain-stage-
ここで、高速シリアルインターフェース回路では、極めて短い時間のシリアル信号(たとえば、1ビットの信号が500ps程度)をパラレル信号に変化する必要があり、このレシーバアンプ回路400は外部から入力された小振幅シリアル信号の時間幅を同一に保ったまま精度よく大振幅に変換することができない。よって、レシーバアンプ回路400により、動作周波数を上げる、電源電圧を下げる、トランジスタサイズを小さくする、または電源電圧の範囲を広くするなどの対応が必要となる。しかしながら、ノードEを入力としノードFを出力とするバッファ回路135では、いわゆる信号のDuty(=シリアル信号の時間幅)がずれていき、パラレル変換が正しく行えなくなるという問題がある。
Here, in a high-speed serial interface circuit, it is necessary to change a serial signal of a very short time (for example, a 1-bit signal of about 500 ps) into a parallel signal, and the
(本発明の実施形態のレシーバ回路)
図1は、第1の実施形態のレシーバアンプ回路100を表わす図である。
(Receiver circuit of embodiment of the present invention)
FIG. 1 is a diagram illustrating a
図1を参照して、このレシーバアンプ回路100は、閾値電圧出力回路10と、基準電流制御回路12と、カレントミラー回路15と、差動増幅回路16と、差動増幅回路のレプリカ回路14と、バッファ回路18とを備える。
Referring to FIG. 1, a
閾値電圧出力回路10は、PチャネルMOSトランジスタQ6”とNチャネルMOSトランジスタQ7”とからなるCMOSインバータIV0で構成されている。このCMOSインバータIV0の入力と出力が短絡されており、CMOSインバータIV0は、CMOSインバータIV0の閾値電圧Vthを出力する。そして、CMOSインバータIV0に含まれるPチャネルMOSトランジスタQ6”、NチャネルMOSトランジスタQ7”と、バッファ回路18に含まれるCMOSインバータIV2に含まれるPチャネルMOSトランジスタQ6’、NチャネルMOSトランジスタQ7’とは、素子サイズが同一または比例関係にあるので、CMOSインバータIV0が出力する閾値電圧Vthは、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthと等しい。それゆえ、閾値電圧出力回路10は、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthを出力する。PチャネルMOSトランジスタQ6”のソースは、コア電源VCCcoreに接続され、NチャネルMOSトランジスタQ7”のソースは、接地電源に接続される。
The threshold
基準電流制御回路12は、基準電流I1の大きさを制御する。基準電流制御回路12は、差動オペアンプOP1と、NチャネルMOSトランジスタQ1と、抵抗R1とを含む。
The reference
差動オペアンプOP1の正の入力端子には、閾値電圧出力回路10の出力ノードXと接続され、差動増幅回路のレプリカ回路14の短絡された出力ノードA、A’と接続される。NチャネルMOSトランジスタQ1は、そのゲートが差動オペアンプOP1の出力と接続され、そのソースが抵抗R1に接続され、そのドレインがカレントミラー回路15に含まれるPチャネルMOSトランジスタQ2のドレインに接続される。抵抗R1は、その一端がNチャネルMOSトランジスタQ1のソースに接続され、その他端が接地電源に接続される。
The positive input terminal of the differential operational amplifier OP1 is connected to the output node X of the threshold
上記の構成により、NチャネルMOSトランジスタQ1を制御する差動オペアンプOP1の出力と、抵抗R1の抵抗値によって基準電流I1の値が制御される。 With the above configuration, the value of the reference current I1 is controlled by the output of the differential operational amplifier OP1 that controls the N-channel MOS transistor Q1 and the resistance value of the resistor R1.
カレントミラー回路15は、PチャネルMOSトランジスタQ2と、PチャネルMOSトランジスタQ3と、PチャネルMOSトランジスタQ3’とを含む。PチャネルMOSトランジスタQ3およびQ3’のサイズは等しく、それらはPチャネルNOSトランジスタQ2のサイズの実数倍である。 Current mirror circuit 15 includes a P channel MOS transistor Q2, a P channel MOS transistor Q3, and a P channel MOS transistor Q3 '. P channel MOS transistors Q3 and Q3 'are equal in size and are real multiples of the size of P channel NOS transistor Q2.
PチャネルMOSトランジスタQ2は、そのゲートおよびそのドレインが接続され、その接続ノードに、PチャネルMOSトランジスタQ3のゲート、PチャネルMOSトランジスタQ3’のゲートおよびNチャネルMOSトランジスタQ1のドレインが接続される。また、PチャネルMOSトランジスタQ2は、そのソースがIO電源VCCIOに接続される。 P-channel MOS transistor Q2 has its gate and drain connected, and the connection node is connected to the gate of P-channel MOS transistor Q3, the gate of P-channel MOS transistor Q3 'and the drain of N-channel MOS transistor Q1. P channel MOS transistor Q2 has its source connected to IO power supply VCCIO.
PチャネルMOSトランジスタQ3’は、そのゲートがPチャネルMOSトランジスタQ2のゲートおよびドレインに接続され、そのドレインが差動増幅回路のレプリカ回路14のPチャネルMOSトランジスタQ4’およびQ5’のソースに接続され、そのソースがIO電源VCCIOに接続される。
P channel MOS transistor Q3 'has its gate connected to the gate and drain of P channel MOS transistor Q2, and its drain connected to the sources of P channel MOS transistors Q4' and Q5 'of
PチャネルMOSトランジスタQ3は、そのゲートがPチャネルMOSトランジスタQ2のゲートおよびドレインに接続され、そのドレインが差動増幅回路16のPチャネルMOSトランジスタQ4およびQ5のソースに接続され、そのソースがIO電源VCCIOに接続される。
P channel MOS transistor Q3 has its gate connected to the gate and drain of P channel MOS transistor Q2, its drain connected to the sources of P channel MOS transistors Q4 and Q5 of
上記の構成によって、PチャネルMOSトランジスタQ2を通って基準電流制御回路12に供給される基準電流I1の大きさの実数倍のミラー電流が、PチャネルMOSトランジスタQ3を通って差動増幅回路16に供給され、PチャネルMOSトランジスタQ3’を通って差動増幅回路のレプリカ回路14に供給される。
With the above configuration, a mirror current that is a real number multiple of the reference current I1 supplied to the reference
差動増幅回路16は、PチャネルMOSトランジスタQ4と、PチャネルMOSトランジスタQ5と、抵抗R2と、抵抗R3とを含む。PチャネルMOSトランジスタQ4とPチャネルMOSトランジスタQ5のサイズは等しい。また、抵抗R2と抵抗R3の抵抗値は等しい。
PチャネルMOSトランジスタQ4のソースと、PチャネルMOSトランジスタQ5のソースとが接続し、その接続ノードがPチャネルMOSトランジスタQ3のドレインに接続され、ミラー電流I2が入力される。 The source of P channel MOS transistor Q4 and the source of P channel MOS transistor Q5 are connected, the connection node is connected to the drain of P channel MOS transistor Q3, and mirror current I2 is input.
PチャネルMOSトランジスタQ4のゲートには、高速差動小振幅信号の一方の信号Vin(+)が入力される。PチャネルMOSトランジスタQ5のゲートには、高速差動小振幅信号の他方の信号Vin(-)が入力される。 One signal Vin (+) of the high-speed differential small-amplitude signal is input to the gate of the P-channel MOS transistor Q4. The other signal Vin (−) of the high-speed differential small amplitude signal is input to the gate of the P-channel MOS transistor Q5.
PチャネルMOSトランジスタQ4のドレインが抵抗R2と接続し、PチャネルMOSトランジスタQ5のドレインが抵抗R3と接続する。 The drain of P channel MOS transistor Q4 is connected to resistor R2, and the drain of P channel MOS transistor Q5 is connected to resistor R3.
抵抗R2は、その一端がPチャネルMOSトランジスタQ4のドレインに接続され、その他端が接地電源に接続される。抵抗R3は、その一端がPチャネルMOSトランジスタQ5のドレインに接続され、その他端が接地電源に接続される。 Resistor R2 has one end connected to the drain of P-channel MOS transistor Q4 and the other end connected to the ground power supply. Resistor R3 has one end connected to the drain of P-channel MOS transistor Q5 and the other end connected to the ground power supply.
差動増幅回路のレプリカ回路14は、差動増幅回路16と全く同じ回路構成で、含まれる素子のサイズおよび特性も同一である。
The
差動増幅回路のレプリカ回路14は、PチャネルMOSトランジスタQ4’と、PチャネルMOSトランジスタQ5’と、抵抗R2’と、抵抗R3’とを含む。PチャネルMOSトランジスタQ4’とPチャネルMOSトランジスタQ5’のサイズは等しい。また、抵抗R2’と抵抗R3’の抵抗値は等しい。
The
PチャネルMOSトランジスタQ4’のソースと、PチャネルMOSトランジスタQ5’のソースとが接続し、その接続ノードがPチャネルMOSトランジスタQ3’のドレインに接続され、ミラー電流I2’が入力される。 The source of P channel MOS transistor Q4 'and the source of P channel MOS transistor Q5' are connected, the connection node is connected to the drain of P channel MOS transistor Q3 ', and mirror current I2' is input.
PチャネルMOSトランジスタQ4’のゲートには、高速差動小振幅信号の一方の信号Vin(-)が入力される。PチャネルMOSトランジスタQ5’のゲートには、高速差動小振幅信号の他方の信号Vin(+)が入力される。 One signal Vin (-) of the high-speed differential small amplitude signal is input to the gate of the P-channel MOS transistor Q4 '. The other signal Vin (+) of the high-speed differential small-amplitude signal is input to the gate of the P-channel MOS transistor Q5 '.
PチャネルMOSトランジスタQ4’のドレインが抵抗R2’と接続し、PチャネルMOSトランジスタQ5’のドレインが抵抗R3’と接続する。 The drain of P channel MOS transistor Q4 'is connected to resistor R2', and the drain of P channel MOS transistor Q5 'is connected to resistor R3'.
抵抗R2’は、その一端がPチャネルMOSトランジスタQ4’のドレインに接続され、その他端が接地電源に接続される。抵抗R3’は、その一端がPチャネルMOSトランジスタQ5’のドレインに接続され、その他端が接地電源に接続される。 Resistor R2 'has one end connected to the drain of P-channel MOS transistor Q4' and the other end connected to the ground power supply. Resistor R3 'has one end connected to the drain of P-channel MOS transistor Q5' and the other end connected to the ground power supply.
差動増幅回路16の第1の出力ノードCは、CMOSインバータIV2の入力ノードC’と接続する。差動増幅回路16の第2の出力ノードBは、CMOSインバータIV1の入力ノードB’と接続する。
The first output node C of the
また、差動増幅回路のレプリカ回路14の第1の出力ノードAと第2の出力ノードA’は短絡され、短絡された出力ノードA、A’は差動オペアンプOP1の負の入力端子と接続する。これにより、出力ノードA、A’の電位が基準電流制御回路12に負帰還されて、差動増幅回路のレプリカ回路14の出力ノードA、A’の電位は、閾値電圧出力回路10の出力ノードXの電圧Vthと等しくなる。
Further, the first output node A and the second output node A ′ of the
バッファ回路18は、CMOSインバータIV1と、CMOSインバータIV2と、CMOSインバータIV3とを含む。
CMOSインバータIV1は、PチャネルMOSトランジスタQ6と、NチャネルMOSトランジスタQ7とを備える。PチャネルMOSトランジスタQ6は、そのソースがコア電源VCCcoreに接続される。NチャネルMOSトランジスタQ7は、そのソースが接地電源に接続される。CMOSインバータIV1の入力ノードB’は、差動増幅回路16の第2の出力ノードBに接続される。
CMOS inverter IV1 includes a P-channel MOS transistor Q6 and an N-channel MOS transistor Q7. P channel MOS transistor Q6 has its source connected to core power supply VCCcore. N channel MOS transistor Q7 has its source connected to the ground power supply. The input node B ′ of the CMOS inverter IV 1 is connected to the second output node B of the
CMOSインバータIV2は、PチャネルMOSトランジスタQ6’と、NチャネルMOSトランジスタQ7’とを備える。PチャネルMOSトランジスタQ6’は、そのソースがコア電源VCCcoreに接続される。NチャネルMOSトランジスタQ7’は、そのソースが接地電源に接続される。CMOSインバータIV2の入力ノードC’は、差動増幅回路16の第1の出力ノードCに接続され、出力ノードDが、CMOSインバータIV3の入力ノードD’に接続される。
The CMOS inverter IV2 includes a P channel MOS transistor Q6 'and an N channel MOS transistor Q7'. P channel MOS transistor Q6 'has its source connected to core power supply VCCcore. N channel MOS transistor Q7 'has its source connected to the ground power supply. The input node C ′ of the CMOS inverter IV2 is connected to the first output node C of the
PチャネルMOSトランジスタQ6とPチャネルMOSトランジスタQ6’のサイズが等しく、NチャネルMOSトランジスタQ7と、NチャネルMOSトランジスタQ7’は等しい。 P channel MOS transistor Q6 and P channel MOS transistor Q6 'are equal in size, and N channel MOS transistor Q7 and N channel MOS transistor Q7' are equal.
以上のような、閾値電圧出力回路10と、基準電流制御回路12と、カレントミラー回路15と、差動増幅回路16と、差動増幅回路のレプリカ回路14と、CMOSインバータIV1と、CMOSインバータIV2の構成によって、Vin(+)とVin(-)が等しいときには、差動増幅回路16の第1の出力ノードCおよび第2の出力ノードBの電位は、差動増幅回路のレプリカ回路14の出力ノードA、A’及び閾値電圧出力回路10の出力ノードXの電位Vthと等しくなる。その結果、第1の出力ノードCと接続されるCMOSインバータIV2の入力ノードC’には、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthが入力される。
As described above, the threshold
CMOSインバータIV3は、PチャネルMOSトランジスタQ8と、NチャネルMOSトランジスタQ9とを備える。PチャネルMOSトランジスタQ8は、そのソースがコア電源VCCcoreに接続される。NチャネルMOSトランジスタQ9は、そのソースが接地電源に接続される。CMOSインバータIV3の入力ノードD’は、CMOSインバータIV2の出力ノードDに接続される。また、CMOSインバータIV3の出力ノードEは、図示しない内部コアと接続し、出力信号Voutを内部コアへ出力する。 CMOS inverter IV3 includes a P-channel MOS transistor Q8 and an N-channel MOS transistor Q9. P channel MOS transistor Q8 has its source connected to core power supply VCCcore. N channel MOS transistor Q9 has its source connected to the ground power supply. The input node D 'of the CMOS inverter IV3 is connected to the output node D of the CMOS inverter IV2. The output node E of the CMOS inverter IV3 is connected to an internal core (not shown) and outputs an output signal Vout to the internal core.
以上のように、本発明の実施形態のレシーバアンプ回路100は、図4に示す従来のレシーバアンプ回路400のようにI0電源からコア電源へ電圧をシフトする、レベルダウン回路36が不要になる。
As described above, the
また、本発明の実施形態のレシーバアンプ回路100は、Vin(+)とVin(-)が等しいときには、CMOSインバータIV2の入力ノードC′の電圧が、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthとなる。このノードCの電位は電源電圧、温度、及びプロセス変動の各種条件に従って、常にCMOSインバータIV2にとって最も増幅に適した電位となるため、いわゆる信号のDuty(=シリアル信号の時間幅)が電源電圧、温度、およびプロセス変動の各種条件によらず一定に保つことができる。電源電圧、温度、およびプロセス変動の各種条件が変動した場合に、従来のレシーバアンプ回路400では、シリアル信号のDutyが変動したが、本発明の実施形態のレシーバアンプ回路400では、シリアル信号のDutyが変動しないので、高速性、低電圧性、広範囲電源電圧動作性および広範囲入力電圧動作性を得ることができる。
In the
また従来のレシーバアンプ回路400では、電源電圧、温度、およびプロセス変動の各種条件が変動した際に電流駆動能力を上げるために素子サイズを大きくしなければならず回路の面積が大きくなっていた。これに対して、本発明の実施形態のレシーバアンプ回路100では、電源電圧、温度、プロセス変動の各種条件が変動したとしてもシリアル信号のDutyが劣化せず、回路の小面積が実現できる。さらに、素子サイズが小さいため内部の寄生容量が極めて小さく、高速動作にさらに寄与する。
Further, in the conventional
以上より、本発明の実施形態のレシーバアンプ回路100によれば、高速動作、低面積、低電源電圧動作、広範囲電源電圧動作および広範囲入力電圧動作を実現することができる。
As described above, according to the
[第2の実施形態]
図2は、第2の実施形態のレシーバアンプ回路200を表わす図である。
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a diagram illustrating a
図2を参照して、このレシーバアンプ回路200は、閾値電圧出力回路20と、基準電流制御回路22と、カレントミラー回路25と、差動増幅回路26と、差動増幅回路のレプリカ回路24と、バッファ回路28とを備える。
Referring to FIG. 2, the
閾値電圧出力回路20は、PチャネルMOSトランジスタQ6”とNチャネルMOSトランジスタQ7”とからなるCMOSインバータIV0で構成されている。このCMOSインバータIV0の入力と出力が短絡されており、CMOSインバータIV0は、CMOSインバータIV0の閾値電圧Vthを出力する。そして、CMOSインバータIV0に含まれるトランジスタQ6”、Q7”と、バッファ回路28に含まれるCMOSインバータIV2に含まれるトランジスタQ6’、Q7’とは、素子サイズが同一または比例関係にあるので、CMOSインバータIV0が出力する閾値電圧Vthは、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthと等しい。それゆえ、閾値電圧出力回路20は、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthを出力する。PチャネルMOSトランジスタQ6”のソースは、IO電源VCCIOに接続され、NチャネルMOSトランジスタQ7”のソースは、接地電源に接続される。
The threshold
基準電流制御回路22は、基準電流I1の大きさを制御する。基準電流制御回路22は、差動オペアンプOP1と、NチャネルMOSトランジスタQ1と、抵抗R1とを含む。
The reference
差動オペアンプOP1の正の入力端子には、閾値電圧出力回路20の出力ノードXと接続され、差動増幅回路のレプリカ回路24の短絡された出力ノードA、A’と接続される。NチャネルMOSトランジスタQ1は、そのゲートが差動オペアンプOP1の出力と接続され、そのドレインが抵抗R1に接続され、そのソースがカレントミラー回路25に含まれるNチャネルMOSトランジスタQ2のドレインに接続される。抵抗R1は、その一端がNチャネルMOSトランジスタQ1のドレインに接続され、その他端がIO電源VCCIOに接続される。
The positive input terminal of the differential operational amplifier OP1 is connected to the output node X of the threshold
上記の構成により、NチャネルMOSトランジスタQ1を制御する差動オペアンプOP1の出力と、抵抗R1の抵抗値によって基準電流I1の値が制御される。 With the above configuration, the value of the reference current I1 is controlled by the output of the differential operational amplifier OP1 that controls the N-channel MOS transistor Q1 and the resistance value of the resistor R1.
カレントミラー回路25は、NチャネルMOSトランジスタQ2と、NチャネルMOSトランジスタQ3と、NチャネルMOSトランジスタQ3’とを含む。NチャネルMOSトランジスタQ3およびQ3’のサイズは等しく、それらはNチャネルNOSトランジスタQ2のサイズの実数倍である。
NチャネルMOSトランジスタQ2は、そのゲートおよびそのドレインが接続され、その接続ノードに、NチャネルMOSトランジスタQ3’のゲート、NチャネルMOSトランジスタQ3のゲートおよびNチャネルMOSトランジスタQ1のソースが接続される。また、NチャネルMOSトランジスタQ2は、そのソースが接地電源に接続される。 N channel MOS transistor Q2 has its gate and drain connected, and its connection node connected to the gate of N channel MOS transistor Q3 ', the gate of N channel MOS transistor Q3 and the source of N channel MOS transistor Q1. N channel MOS transistor Q2 has its source connected to the ground power supply.
NチャネルMOSトランジスタQ3’は、そのゲートがNチャネルMOSトランジスタQ2のゲートおよびドレインに接続され、そのドレインが差動増幅回路のレプリカ回路24のNチャネルMOSトランジスタQ4’およびQ5’のソースに接続され、そのソースが接地電源に接続される。
N channel MOS transistor Q3 ′ has its gate connected to the gate and drain of N channel MOS transistor Q2, and its drain connected to the sources of N channel MOS transistors Q4 ′ and Q5 ′ of
NチャネルMOSトランジスタQ3は、そのゲートがNチャネルMOSトランジスタQ2のゲートおよびドレインに接続され、そのドレインが差動増幅回路26のNチャネルMOSトランジスタQ4およびQ5のソースに接続され、そのソースが接地電源に接続される。
N channel MOS transistor Q3 has its gate connected to the gate and drain of N channel MOS transistor Q2, its drain connected to the sources of N channel MOS transistors Q4 and Q5 of
上記の構成によって、NチャネルMOSトランジスタQ2を通って基準電流制御回路22に供給される基準電流I1の大きさの実数倍のミラー電流が、NチャネルMOSトランジスタQ3を通って差動増幅回路26に供給され、NチャネルMOSトランジスタQ3’を通って差動増幅回路のレプリカ回路24に供給される。
With the above configuration, a mirror current that is a real number multiple of the reference current I1 supplied to the reference
差動増幅回路26は、NチャネルMOSトランジスタQ4と、NチャネルMOSトランジスタQ5と、抵抗R2と、抵抗R3と、抵抗R4とを含む。NチャネルMOSトランジスタQ4とNチャネルMOSトランジスタQ5のサイズは等しい。また、抵抗R3と抵抗R4の抵抗値は等しい。
NチャネルMOSトランジスタQ4のソースと、NチャネルMOSトランジスタQ5のソースとが接続し、その接続ノードがNチャネルMOSトランジスタQ3のドレインに接続され、ミラー電流I2が入力される。 The source of N channel MOS transistor Q4 and the source of N channel MOS transistor Q5 are connected, the connection node is connected to the drain of N channel MOS transistor Q3, and mirror current I2 is input.
NチャネルMOSトランジスタQ4のゲートには、高速差動小振幅信号の一方の信号Vin(+)が入力される。NチャネルMOSトランジスタQ5のゲートには、高速差動小振幅信号の一方の信号Vin(-)が入力される。 One signal Vin (+) of the high-speed differential small-amplitude signal is input to the gate of the N-channel MOS transistor Q4. One signal Vin (−) of the high-speed differential small amplitude signal is input to the gate of the N-channel MOS transistor Q5.
NチャネルMOSトランジスタQ4のドレインが抵抗R3と接続し、NチャネルMOSトランジスタQ5のドレインが抵抗R4と接続する。 N channel MOS transistor Q4 has its drain connected to resistor R3, and N channel MOS transistor Q5 has its drain connected to resistor R4.
抵抗R3は、その一端がNチャネルMOSトランジスタQ4のドレインに接続され、その他端が抵抗R2に接続される。抵抗R4は、その一端がNチャネルMOSトランジスタQ5のドレインに接続され、その他端が抵抗R2に接続される。抵抗R2は、一端が抵抗R3および抵抗R4に接続し、他端がIO電源VCCIOに接続される。 Resistor R3 has one end connected to the drain of N-channel MOS transistor Q4 and the other end connected to resistor R2. Resistor R4 has one end connected to the drain of N channel MOS transistor Q5 and the other end connected to resistor R2. The resistor R2 has one end connected to the resistors R3 and R4, and the other end connected to the IO power supply VCCIO.
差動増幅回路のレプリカ回路24は、差動増幅回路26と全く同じ回路構成で、含まれる素子のサイズおよび特性も同一である。
The
差動増幅回路のレプリカ回路24は、NチャネルMOSトランジスタQ4’と、NチャネルMOSトランジスタQ5’と、抵抗R2’と、抵抗R3’と、抵抗R4’とを含む。NチャネルMOSトランジスタQ4’とNチャネルMOSトランジスタQ5’のサイズは等しい。また、抵抗R3’と抵抗R4’の抵抗値は等しい。
The
NチャネルMOSトランジスタQ4’のソースと、NチャネルMOSトランジスタQ5’のソースとが接続し、その接続ノードがNチャネルMOSトランジスタQ3’のドレインに接続され、ミラー電流I2’が入力される。 The source of N channel MOS transistor Q4 'is connected to the source of N channel MOS transistor Q5', the connection node is connected to the drain of N channel MOS transistor Q3 ', and mirror current I2' is input.
NチャネルMOSトランジスタQ4’のゲートには、高速差動小振幅信号の一方の信号Vin(+)が入力される。NチャネルMOSトランジスタQ5’のゲートには、高速差動小振幅信号の他方の信号Vin(-)が入力される。 One signal Vin (+) of the high-speed differential small-amplitude signal is input to the gate of the N-channel MOS transistor Q4 '. The other signal Vin (−) of the high-speed differential small-amplitude signal is input to the gate of the N-channel MOS transistor Q5 ′.
NチャネルMOSトランジスタQ4’のドレインが抵抗R4’と接続し、NチャネルMOSトランジスタQ5’のドレインが抵抗R3’と接続する。 The drain of N channel MOS transistor Q4 'is connected to resistor R4', and the drain of N channel MOS transistor Q5 'is connected to resistor R3'.
抵抗R4’は、その一端がNチャネルMOSトランジスタQ4’のドレインに接続され、その他端が抵抗R2’に接続される。抵抗R3’は、その一端がNチャネルMOSトランジスタQ5’のドレインに接続され、その他端が抵抗R2’に接続される。抵抗R2’は、一端が抵抗R3’および抵抗R4’に接続し、他端がIO電源VCCIOに接続される。 Resistor R4 'has one end connected to the drain of N-channel MOS transistor Q4' and the other end connected to resistor R2 '. Resistor R3 'has one end connected to the drain of N-channel MOS transistor Q5' and the other end connected to resistor R2 '. The resistor R2 'has one end connected to the resistor R3' and the resistor R4 'and the other end connected to the IO power supply VCCIO.
差動増幅回路26の第1の出力ノードCは、CMOSインバータIV2の入力ノードC’と接続する。差動増幅回路26の第2の出力ノードBは、CMOSインバータIV1の入力ノードB’と接続する。
The first output node C of the
また、差動増幅回路のレプリカ回路24の第1の出力ノードAと第2の出力ノードA’は短絡され、短絡された出力ノードA、A’は、差動オペアンプOP1の負の入力端子と接続する。これにより、出力ノードA、A’の電位が基準電流制御回路22の差動オペアンプOP1に負帰還されて、差動増幅回路のレプリカ回路24の出力ノードA、A’の電位は、閾値電圧出力回路20の出力ノードXの電圧Vthと等しくなる。
The first output node A and the second output node A ′ of the
バッファ回路28は、CMOSインバータIV1と、CMOSインバータIV2と、CMOSインバータIV3とを含む。
CMOSインバータIV1は、PチャネルMOSトランジスタQ6と、NチャネルMOSトランジスタQ7とを備える。PチャネルMOSトランジスタQ6は、そのソースがIO電源VCCIOに接続される。NチャネルMOSトランジスタQ7は、そのソースが接地電源に接続される。CMOSインバータIV1の入力ノードB’は、差動増幅回路26の第2の出力ノードBに接続される。
CMOS inverter IV1 includes a P-channel MOS transistor Q6 and an N-channel MOS transistor Q7. P channel MOS transistor Q6 has its source connected to IO power supply VCCIO. N channel MOS transistor Q7 has its source connected to the ground power supply. The input node B ′ of the CMOS inverter IV 1 is connected to the second output node B of the
CMOSインバータIV2は、PチャネルMOSトランジスタQ6’と、NチャネルMOSトランジスタQ7’とを備える。PチャネルMOSトランジスタQ6’は、そのソースがIO電源VCCIOに接続される。NチャネルMOSトランジスタQ7’は、そのソースが接地電源に接続される。CMOSインバータIV2の入力ノードC’は、差動増幅回路26の第1の出力ノードCに接続され、出力ノードDが、CMOSインバータIV3の入力ノードD’に接続される。
The CMOS inverter IV2 includes a P channel MOS transistor Q6 'and an N channel MOS transistor Q7'. P channel MOS transistor Q6 'has its source connected to IO power supply VCCIO. N channel MOS transistor Q7 'has its source connected to the ground power supply. The input node C ′ of the CMOS inverter IV2 is connected to the first output node C of the
PチャネルMOSトランジスタQ6とPチャネルMOSトランジスタQ6’のサイズが等しく、NチャネルMOSトランジスタQ7と、NチャネルMOSトランジスタQ7’は等しい。 P channel MOS transistor Q6 and P channel MOS transistor Q6 'are equal in size, and N channel MOS transistor Q7 and N channel MOS transistor Q7' are equal.
以上のような、閾値電圧出力回路20と、基準電流制御回路22と、カレントミラー回路25と、差動増幅回路26と、差動増幅回路のレプリカ回路24と、CMOSインバータIV1と、CMOSインバータIV2の構成によって、Vin(+)とVin(-)が等しいときには、差動増幅回路26の第1の出力ノードCおよび第2の出力ノードBの電位は、差動増幅回路のレプリカ回路24の出力ノードA、A’及び閾値電圧出力回路20の出力ノードXの電位Vthと等しくなる。その結果、第1の出力ノードCと接続されるCMOSインバータIV2の入力ノードC’には、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthが入力される。
The threshold
CMOSインバータIV3は、PチャネルMOSトランジスタQ8と、NチャネルMOSトランジスタQ9とを備える。PチャネルMOSトランジスタQ8は、そのソースがIO電源VCCIOに接続される。NチャネルMOSトランジスタQ9は、そのソースが接地電源に接続される。CMOSインバータIV3の入力ノードD’は、CMOSインバータIV2の出力ノードDに接続される。また、CMOSインバータIV3の出力ノードEは、図示しない内部コアと接続し、出力信号Voutを内部コアへ出力する。 CMOS inverter IV3 includes a P-channel MOS transistor Q8 and an N-channel MOS transistor Q9. P channel MOS transistor Q8 has its source connected to IO power supply VCCIO. N channel MOS transistor Q9 has its source connected to the ground power supply. The input node D 'of the CMOS inverter IV3 is connected to the output node D of the CMOS inverter IV2. The output node E of the CMOS inverter IV3 is connected to an internal core (not shown) and outputs an output signal Vout to the internal core.
以上のように、第2の実施形態のレシーバアンプ回路200は、第1の実施形態のレシーバアンプ回路100と同様に、レベルダウン回路が不要になる。また、レシーバアンプ回路200は、そのノードCの電位が電源電圧、温度、及びプロセス変動の各種条件に従って、常にCMOSインバータIV2にとって最も増幅に適した電位となるため、信号のDuty(=シリアル信号の時間幅)を電源電圧、温度、およびプロセス変動の各種条件によらず一定に保つことができ、高速動作、低面積、低電源電圧動作、広範囲電源電圧動作および広範囲入力電圧動作を実現することができる。また、第2の実施の形態のレシーバアンプ回路200は、接地電源とIO電源VCCIOで動作することができる。
As described above, the
[第3の実施形態]
図3は、第3の実施形態のレシーバアンプ回路300を表わす図である。
[Third Embodiment]
FIG. 3 is a diagram illustrating a
図3を参照して、このレシーバアンプ回路300は、閾値電圧出力回路10と、基準電流制御回路12と、カレントミラー回路35と、差動増幅回路16と、バッファ回路18とを備える。
Referring to FIG. 3, the
閾値電圧出力回路10は、PチャネルMOSトランジスタQ6”とNチャネルMOSトランジスタQ7”とからなるCMOSインバータIV0で構成されている。このCMOSインバータIV0の入力と出力が短絡されており、CMOSインバータIV0は、CMOSインバータIV0の閾値電圧Vthを出力する。そして、CMOSインバータIV0に含まれるトランジスタQ6”、Q7”と、バッファ回路18に含まれるCMOSインバータIV2に含まれるトランジスタQ6’、Q7’とは、素子サイズが同一または比例関係にあるので、CMOSインバータIV0が出力する閾値電圧Vthは、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthと等しい。それゆえ、閾値電圧出力回路10は、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthを出力する。PチャネルMOSトランジスタQ6”のソースは、コア電源VCCcoreに接続され、NチャネルMOSトランジスタQ7”のソースは、接地電源に接続される。
The threshold
基準電流制御回路12は、基準電流I1の大きさを制御する。基準電流制御回路12は、差動オペアンプOP1と、NチャネルMOSトランジスタQ1と、抵抗R1とを含む。
The reference
差動オペアンプOP1の正の入力端子には、閾値電圧出力回路10の出力ノードXと接続され、差動増幅回路16の第2の出力ノードBと接続される。NチャネルMOSトランジスタQ1は、そのゲートが差動オペアンプOP1の出力と接続され、そのソースが抵抗R1に接続され、そのドレインがカレントミラー回路35に含まれるPチャネルMOSトランジスタQ2のドレインに接続される。抵抗R1は、その一端がNチャネルMOSトランジスタQ1のソースに接続され、その他端が接地電源に接続される。
The positive input terminal of the differential operational amplifier OP 1 is connected to the output node X of the threshold
上記の構成により、NチャネルMOSトランジスタQ1を制御する差動オペアンプOP1の出力と、抵抗R1の抵抗値によって基準電流I1の値が制御される。 With the above configuration, the value of the reference current I1 is controlled by the output of the differential operational amplifier OP1 that controls the N-channel MOS transistor Q1 and the resistance value of the resistor R1.
カレントミラー回路35は、PチャネルMOSトランジスタQ2と、PチャネルMOSトランジスタQ3とを含み。PチャネルMOSトランジスタQ3のサイズは、PチャネルNOSトランジスタQ2のサイズの実数倍である。
PチャネルMOSトランジスタQ2は、そのゲートおよびそのドレインが接続され、その接続ノードに、PチャネルMOSトランジスタQ3のゲートおよびNチャネルMOSトランジスタQ1のドレインが接続される。また、PチャネルMOSトランジスタQ2は、そのソースがIO電源VCCIOに接続される。 P channel MOS transistor Q2 has its gate and drain connected, and its connection node connected the gate of P channel MOS transistor Q3 and the drain of N channel MOS transistor Q1. P channel MOS transistor Q2 has its source connected to IO power supply VCCIO.
PチャネルMOSトランジスタQ3は、そのゲートがPチャネルMOSトランジスタQ2のゲートおよびドレインに接続され、そのドレインが差動増幅回路16のPチャネルMOSトランジスタQ4およびQ5のソースに接続され、そのソースがIO電源VCCIOに接続される。
P channel MOS transistor Q3 has its gate connected to the gate and drain of P channel MOS transistor Q2, its drain connected to the sources of P channel MOS transistors Q4 and Q5 of
上記の構成によって、PチャネルMOSトランジスタQ2を通って基準電流制御回路12に供給される基準電流I1の大きさの実数倍のミラー電流が、PチャネルMOSトランジスタQ3を通って差動増幅回路16に供給される。
With the above configuration, a mirror current that is a real number multiple of the reference current I1 supplied to the reference
差動増幅回路16は、PチャネルMOSトランジスタQ4と、PチャネルMOSトランジスタQ5と、抵抗R2と、抵抗R3とを含む。PチャネルMOSトランジスタQ4とPチャネルMOSトランジスタQ5のサイズは等しい。また、抵抗R2と抵抗R3の抵抗値は等しい。
PチャネルMOSトランジスタQ4のソースと、PチャネルMOSトランジスタQ5のソースとが接続し、その接続ノードがPチャネルMOSトランジスタQ3のドレインに接続され、ミラー電流I2が入力される。 The source of P channel MOS transistor Q4 and the source of P channel MOS transistor Q5 are connected, the connection node is connected to the drain of P channel MOS transistor Q3, and mirror current I2 is input.
PチャネルMOSトランジスタQ4のゲートには、高速差動小振幅信号の一方の信号Vin(+)が入力される。PチャネルMOSトランジスタQ5のゲートには、高速差動小振幅信号の他方の信号Vin(-)が入力される。 One signal Vin (+) of the high-speed differential small-amplitude signal is input to the gate of the P-channel MOS transistor Q4. The other signal Vin (−) of the high-speed differential small amplitude signal is input to the gate of the P-channel MOS transistor Q5.
PチャネルMOSトランジスタQ4のドレインが抵抗R2と接続し、PチャネルMOSトランジスタQ5のドレインが抵抗R3と接続する。 The drain of P channel MOS transistor Q4 is connected to resistor R2, and the drain of P channel MOS transistor Q5 is connected to resistor R3.
抵抗R2は、その一端がPチャネルMOSトランジスタQ4のドレインに接続され、その他端が接地電源に接続される。抵抗R3は、その一端がPチャネルMOSトランジスタQ5のドレインに接続され、その他端が接地電源に接続される。 Resistor R2 has one end connected to the drain of P-channel MOS transistor Q4 and the other end connected to the ground power supply. Resistor R3 has one end connected to the drain of P-channel MOS transistor Q5 and the other end connected to the ground power supply.
差動増幅回路16の第1の出力ノードCは、CMOSインバータIV2の入力ノードC’と接続する。差動増幅回路16の第2の出力ノードBは、CMOSインバータIV1の入力ノードB’と接続する。また、第2の出力ノードBは、差動オペアンプOP1の負の入力端子と接続する。これにより、第2の出力ノードBの電位が基準電流制御回路12に負帰還されて、第2の出力ノードBの電位は、閾値電圧出力回路10の出力ノードXの電圧Vthと等しくなる。
The first output node C of the
バッファ回路18は、CMOSインバータIV1と、CMOSインバータIV2と、CMOSインバータIV3とを含む。
CMOSインバータIV1は、PチャネルMOSトランジスタQ6と、NチャネルMOSトランジスタQ7とを備える。PチャネルMOSトランジスタQ6は、そのソースがコア電源VCCcoreに接続される。NチャネルMOSトランジスタQ7は、そのソースが接地電源に接続される。CMOSインバータIV1の入力ノードB’は、差動増幅回路16の第2の出力ノードBに接続される。
CMOS inverter IV1 includes a P-channel MOS transistor Q6 and an N-channel MOS transistor Q7. P channel MOS transistor Q6 has its source connected to core power supply VCCcore. N channel MOS transistor Q7 has its source connected to the ground power supply. The input node B ′ of the CMOS inverter IV 1 is connected to the second output node B of the
CMOSインバータIV2は、PチャネルMOSトランジスタQ6’と、NチャネルMOSトランジスタQ7’とを備える。PチャネルMOSトランジスタQ6’は、そのソースがコア電源VCCcoreに接続される。NチャネルMOSトランジスタQ7’は、そのソースが接地電源に接続される。CMOSインバータIV2の入力ノードC’は、差動増幅回路16の第1の出力ノードCに接続され、出力ノードDが、CMOSインバータIV3の入力ノードD’に接続される。
The CMOS inverter IV2 includes a P channel MOS transistor Q6 'and an N channel MOS transistor Q7'. P channel MOS transistor Q6 'has its source connected to core power supply VCCcore. N channel MOS transistor Q7 'has its source connected to the ground power supply. The input node C ′ of the CMOS inverter IV2 is connected to the first output node C of the
PチャネルMOSトランジスタQ6とPチャネルMOSトランジスタQ6’のサイズが等しく、NチャネルMOSトランジスタQ7と、NチャネルMOSトランジスタQ7’は等しい。したがって、Vin(+)とVin(-)が等しいときには、差動増幅回路16の第2の出力ノードBの電位は、差動増幅回路16の第1の出力ノードC及び閾値電圧出力回路10の出力ノードXの電位と等しい。その結果、第1の出力ノードCと接続されるCMOSインバータIV2の入力ノードC’には、CMOSインバータIV2の閾値電圧Vthが入力される。
P channel MOS transistor Q6 and P channel MOS transistor Q6 'are equal in size, and N channel MOS transistor Q7 and N channel MOS transistor Q7' are equal. Therefore, when Vin (+) and Vin (−) are equal, the potential of the second output node B of the
CMOSインバータIV3は、PチャネルMOSトランジスタQ8と、NチャネルMOSトランジスタQ9とを備える。PチャネルMOSトランジスタQ8は、そのソースがコア電源VCCcoreに接続される。NチャネルMOSトランジスタQ9は、そのソースが接地電源に接続される。CMOSインバータIV3の入力ノードD’は、CMOSインバータIV2の出力ノードDに接続される。また、CMOSインバータIV3の出力ノードEは、図示しない内部コアと接続し、出力信号Voutを内部コアへ出力する。 CMOS inverter IV3 includes a P-channel MOS transistor Q8 and an N-channel MOS transistor Q9. P channel MOS transistor Q8 has its source connected to core power supply VCCcore. N channel MOS transistor Q9 has its source connected to the ground power supply. The input node D 'of the CMOS inverter IV3 is connected to the output node D of the CMOS inverter IV2. The output node E of the CMOS inverter IV3 is connected to an internal core (not shown) and outputs an output signal Vout to the internal core.
以上のように第3の実施形態のレシーバアンプ回路300は、第1の実施形態のレシーバアンプ回路100および第2の実施形態のレシーバアンプ回路200と同様に、レベルダウン回路が不要になる。また、レシーバアンプ回路300は、そのノードCの電位が電源電圧、温度、及びプロセス変動の各種条件に従って、常にCMOSインバータIV2にとって最も増幅に適した電位となるため、信号のDuty(=シリアル信号の時間幅)を電源電圧、温度、およびプロセス変動の各種条件によらず一定に保つことができ、高速動作、低面積、低電源電圧動作、広範囲電源電圧動作および広範囲入力電圧動作を実現することができる。特に、レシーバアンプ回路300は、高速動作と、低面積および広範囲入力電圧動作において効果がある。また、第3の実施の形態のレシーバアンプ回路300は、差動増幅回路のレプリカ回路を含まないので、回路の構成を簡易化できる。
As described above, the
(変形例)
第3の実施形態のレシーバアンプ回路300において、差動増幅回路16の第2の出力ノードBが、差動オペアンプOP1の負の入力端子と接続されるものとしたが、これに限定されるものではなく、差動増幅回路16の第1の出力ノードCが、差動オペアンプOP1の負の入力端子と接続されるものとしてもよい。
(Modification)
In the
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
10,20,30 閾値電圧出力回路、12,22 基準電流制御回路、14,24 差動増幅回路のレプリカ回路、15,25,35 カレントミラー回路、16,26 差動増幅回路、18,28,135 バッファ回路、32 定電流回路、34 Input-stage-amp回路、36 レベルダウン回路、38 Gain-stage-amp回路、IV0,IV1,IV2,IV3 CMOSインバータ、R1,R2,R3,R4 抵抗、Q1,Q2,Q3,Q3’,Q4,Q4’,Q5,Q5’,Q6,Q6’,Q6”,Q7,Q7’,Q7”,Q8,Q9,Q10,Q11,Q12,Q13,Q14,Q15 MOSトランジスタ、OP1 差動オペアンプ、100,200,300,400 レシーバアンプ回路。 10, 20, 30 Threshold voltage output circuit, 12, 22 Reference current control circuit, 14, 24 Replica circuit of differential amplifier circuit, 15, 25, 35 Current mirror circuit, 16, 26 Differential amplifier circuit, 18, 28, 135 Buffer circuit, 32 Constant current circuit, 34 Input-stage-amp circuit, 36 Level down circuit, 38 Gain-stage-amp circuit, IV0, IV1, IV2, IV3 CMOS inverter, R1, R2, R3, R4 resistance, Q1 , Q2, Q3, Q3 ', Q4, Q4', Q5, Q5 ', Q6, Q6', Q6 ", Q7, Q7 ', Q7", Q8, Q9, Q10, Q11, Q12, Q13, Q14, Q15 MOS Transistor, OP1 differential operational amplifier, 100, 200, 300, 400 Receiver amplifier circuit.
Claims (5)
前記第1のCMOSインバータの閾値電圧を出力する閾値電圧出力回路と、
基準電流の大きさを制御する基準電流制御回路と、
2つの入力端子から入力される信号を差動増幅する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路のレプリカ回路と、
前記基準電流制御回路に前記基準電流を供給し、前記基準電流のミラー電流を前記差動増幅回路および前記レプリカ回路に供給するカレントミラー回路とを備え、
前記第1のCMOSインバータの入力端子と、前記差動増幅回路の第1の出力端子とが接続され、
前記基準電流制御回路は、前記閾値電圧出力回路が出力する閾値電圧と前記第1のCMOSインバータの入力電圧の差分に基づいて前記基準電流の大きさを制御し、
前記レプリカ回路の2つの出力端子の間は、短絡され、
前記基準電流制御回路は、
正の入力端子が前記閾値電圧出力回路の出力に接続され、負の入力端子が前記レプリカ回路の前記短絡された出力端子に接続される差動アンプと、
前記差動アンプの出力に接続されるトランジスタとを含み、
前記トランジスタは、前記カレントミラー回路に接続される、レシーバアンプ回路。 A buffer circuit including a first CMOS inverter;
A threshold voltage output circuit for outputting a threshold voltage of the first CMOS inverter;
A reference current control circuit for controlling the magnitude of the reference current;
A differential amplifier circuit that differentially amplifies signals input from two input terminals;
A replica circuit of the differential amplifier circuit;
A current mirror circuit that supplies the reference current to the reference current control circuit and supplies a mirror current of the reference current to the differential amplifier circuit and the replica circuit ;
An input terminal of the first CMOS inverter is connected to a first output terminal of the differential amplifier circuit;
The reference current control circuit controls the magnitude of the reference current based on a difference between a threshold voltage output from the threshold voltage output circuit and an input voltage of the first CMOS inverter ,
The two output terminals of the replica circuit are short-circuited,
The reference current control circuit includes:
A differential amplifier having a positive input terminal connected to the output of the threshold voltage output circuit and a negative input terminal connected to the shorted output terminal of the replica circuit;
A transistor connected to the output of the differential amplifier,
The transistor is a receiver amplifier circuit connected to the current mirror circuit.
前記第2のCMOSインバータの入力と出力とが短絡し、
前記第2のCMOSインバータに含まれるトランジスタのサイズは、前記第1のCMOSインバータに含まれるトランジスタのサイズに比例する、請求項1記載のレシーバアンプ回路。 The threshold voltage output circuit includes a second CMOS inverter;
The input and output of the second CMOS inverter are short-circuited;
The receiver amplifier circuit according to claim 1, wherein a size of a transistor included in the second CMOS inverter is proportional to a size of a transistor included in the first CMOS inverter.
前記差動増幅回路の他方の出力端子と接続される第3のCMOSインバータを含み、
前記第3のCMOSインバータに含まれるトランジスタのサイズは、前記第1のCMOSインバータに含まれるトランジスタのサイズと実質的に同じである、請求項1記載のレシーバアンプ回路。 The buffer circuit further includes:
A third CMOS inverter connected to the other output terminal of the differential amplifier circuit;
The receiver amplifier circuit according to claim 1, wherein a size of a transistor included in the third CMOS inverter is substantially the same as a size of a transistor included in the first CMOS inverter.
前記カレントミラー回路は、第3の電源に接続され、
前記差動増幅回路および前記基準電流制御回路は、前記第1の電源に接続される、請求項1記載のレシーバアンプ回路。 Of the two transistors included in each of the first CMOS inverter, the second CMOS inverter, and the third CMOS inverter, one transistor is connected to a first power supply, and the other is connected to a second power supply. Connected,
The current mirror circuit is connected to a third power source;
The receiver amplifier circuit according to claim 1, wherein the differential amplifier circuit and the reference current control circuit are connected to the first power source.
前記カレントミラー回路は、前記第1の電源に接続され、
前記差動増幅回路および前記基準電流制御回路は、前記第2の電源に接続される、請求項1記載のレシーバアンプ回路。 Of the two transistors included in each of the first CMOS inverter, the second CMOS inverter, and the third CMOS inverter, one transistor is connected to a first power supply, and the other is connected to a second power supply. Connected,
The current mirror circuit is connected to the first power source;
The receiver amplifier circuit according to claim 1, wherein the differential amplifier circuit and the reference current control circuit are connected to the second power source.
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