JP4816379B2 - Organic electroluminescence device - Google Patents

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Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL:electroluminescence)装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) device.

有機EL装置は、発光層とその発光層を挟む陽極及び陰極とを含む発光素子を有しており、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とを発光層内で再結合し、励起状態から失括する際に発光する現象を利用して、所望の光を射出する。発光素子は、例えば経時的に劣化する。発光素子が劣化すると、有機EL装置の表示性能も劣化する。そのため、有機EL装置の表示性能を良好に維持するために、発光素子の発光状態を光センサを用いて検出し、その検出結果に基づいて、発光素子の発光状態を制御する技術が案出されている。
特開2002−278504号公報 特開2006−098638号公報
The organic EL device has a light emitting element including a light emitting layer and an anode and a cathode sandwiching the light emitting layer, and holes injected from the anode side and electrons injected from the cathode side are contained in the light emitting layer. Utilizing the phenomenon of light emission when recombining and leaving the excited state, desired light is emitted. The light emitting element deteriorates with time, for example. When the light emitting element deteriorates, the display performance of the organic EL device also deteriorates. Therefore, in order to maintain the display performance of the organic EL device satisfactorily, a technology has been devised that detects the light emitting state of the light emitting element using an optical sensor and controls the light emitting state of the light emitting element based on the detection result. ing.
JP 2002-278504 A JP 2006-098638 A

有機EL装置において、発光素子の光をカラーフィルタを介して装置の外部に射出する技術が知られている。このような構成の装置の場合、光センサを配置する位置によっては、その光センサの検出結果に基づいて、有機EL装置の表示性能を維持するための制御を良好に行うことができなくなる可能性がある。   In an organic EL device, a technique for emitting light from a light emitting element to the outside of the device through a color filter is known. In the case of a device having such a configuration, depending on the position where the photosensor is arranged, there is a possibility that control for maintaining the display performance of the organic EL device cannot be performed satisfactorily based on the detection result of the photosensor. There is.

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、表示性能を良好に維持できる有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the said situation, and it aims at providing the organic electroluminescent apparatus which can maintain display performance favorably.

上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
本発明の第1の態様によると、複数の発光素子が設けられた第1基板と、前記第1基板と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第2基板と、前記第2基板に設けられ、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を透過可能な複数の着色部と、前記第2基板に設けられ、前記着色部を透過した前記発光素子の光を検出する光センサと、複数の前記着色部の境界に配置された遮光部と、を備え、前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている有機エレクトロルミネッセンス装置が提供される。
本発明の第1の態様によると、複数の発光素子が設けられた第1基板と、前記第1基板と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第2基板と、前記第2基板に設けられ、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を透過可能な複数の着色部と、前記第2基板に設けられ、前記着色部を透過した前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置が提供される。
In order to solve the above problems, the present invention adopts the following configuration.
According to the first aspect of the present invention, the first substrate provided with a plurality of light emitting elements and the first substrate are arranged so as to face the first substrate. A second substrate having an exit surface that emits light to the outside; a plurality of colored portions that are provided on the second substrate and receive light from the light-emitting element and are capable of transmitting the incident light; and the second substrate. An optical sensor that detects light of the light emitting element that has been transmitted through the coloring portion, and a light shielding portion that is disposed at a boundary between the plurality of coloring portions, and the optical sensor is configured to be connected to the outside by the light shielding portion. An organic electroluminescent device is provided that is disposed at a position where irradiation of light from is suppressed.
According to the first aspect of the present invention, the first substrate provided with a plurality of light emitting elements and the first substrate are arranged so as to face the first substrate. A second substrate having an exit surface that emits light to the outside; a plurality of colored portions that are provided on the second substrate and receive light from the light-emitting element and are capable of transmitting the incident light; and the second substrate. There is provided an organic electroluminescence device provided with an optical sensor that is provided and detects light of the light emitting element that has passed through the colored portion.

本発明の第1の態様によれば、カラーフィルタの着色部を透過した発光素子の光を光センサで検出するようにしたので、光センサは、有機EL装置の外部に実際に射出される光、すなわち、実際に観察者の目に入射する光と等価な光を検出できる。したがって、その検出結果に基づいて、表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。   According to the first aspect of the present invention, since the light of the light emitting element that has passed through the colored portion of the color filter is detected by the optical sensor, the optical sensor is the light that is actually emitted outside the organic EL device. That is, it is possible to detect light equivalent to light that actually enters the eyes of the observer. Therefore, it is possible to take appropriate measures for maintaining good display performance based on the detection result.

上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記複数の発光素子に対応する画素を複数有し、前記着色部及び前記光センサは、前記画素毎に設けられている構成を採用できる。   In the organic electroluminescence device of the above aspect, a configuration in which a plurality of pixels corresponding to the plurality of light emitting elements is provided, and the coloring portion and the photosensor are provided for each pixel can be adopted.

これによれば、画素毎の光を光センサで検出でき、その検出結果に基づいて、表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。   According to this, the light for every pixel can be detected by the optical sensor, and appropriate measures for maintaining good display performance can be taken based on the detection result.

上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている構成を採用できる。   In the organic electroluminescence device according to the aspect described above, the light sensor has a light shielding portion arranged at a boundary between a plurality of colored portions, and the light sensor is arranged at a position where irradiation of light from the outside is suppressed by the light shielding portion. Can be adopted.

これによれば、光センサは、外部からの光の影響をほぼ受けることなく、カラーフィルタの着色部を透過した光を良好に検出できる。   According to this, the optical sensor can satisfactorily detect the light transmitted through the colored portion of the color filter without being substantially affected by light from the outside.

上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置され、前記遮光部は、該光センサに接続される配線の少なくとも一部を含む構成を採用できる。   In the organic electroluminescence device of the above aspect, the light sensor has a light shielding portion arranged at a boundary between a plurality of coloring portions, and the light sensor is arranged at a position where irradiation of light from the outside is suppressed by the light shielding portion, The light shielding part may employ a configuration including at least a part of wiring connected to the optical sensor.

これによれば、光センサは、外部からの光の影響をほぼ受けることなく、カラーフィルタの着色部を透過した光を良好に検出できる。   According to this, the optical sensor can satisfactorily detect the light transmitted through the colored portion of the color filter without being substantially affected by light from the outside.

上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記光センサの検出結果に基づいて、前記発光素子に与える電力を調整する制御装置を備えた構成を採用できる。   In the organic electroluminescence device of the above aspect, a configuration including a control device that adjusts electric power applied to the light emitting element based on a detection result of the optical sensor can be adopted.

これによれば、光センサの検出結果に基づいて、有機EL装置の表示性能を良好に維持することができる。   According to this, the display performance of the organic EL device can be favorably maintained based on the detection result of the optical sensor.

本発明の第2の態様によると、第1基板と、前記第1基板上に設けられ、前記第1基板と対向する第1電極及び該第1電極と反対側の第2電極を含む発光素子と、前記発光素子の光射出側で前記第2電極と接続するように配置され、前記発光素子の光の一部を透過するとともに別の一部を反射し、前記第1電極と前記第2電極との間で光共振器を形成する半透明反射膜と、前記第1基板上の発光素子と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第2基板と、前記第2基板に設けられ、前記光共振器を含む前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置が提供される。   According to the second aspect of the present invention, a light emitting device including a first substrate, a first electrode provided on the first substrate and facing the first substrate, and a second electrode opposite to the first electrode. And arranged so as to be connected to the second electrode on the light emitting side of the light emitting element, and transmits a part of the light of the light emitting element and reflects another part, and the first electrode and the second electrode A translucent reflective film that forms an optical resonator with the electrode and a light-emitting element on the first substrate are disposed so as to face the light, and the light from the light-emitting element is incident and the incident light is exposed to the outside. There is provided an organic electroluminescence device comprising: a second substrate having an emission surface to be emitted; and an optical sensor provided on the second substrate and detecting light of the light emitting element including the optical resonator.

本発明の第2の態様によれば、微小な光共振器構造、所謂マイクロキャビティ構造を含む発光素子の光を光センサで検出するようにしたので、光センサは、有機EL装置の外部に実際に射出される光、すなわち、実際に観察者の目に入射する光と等価な光を検出できる。したがって、その検出結果に基づいて、表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。   According to the second aspect of the present invention, the light of the light emitting element including the minute optical resonator structure, that is, the so-called microcavity structure is detected by the optical sensor, so that the optical sensor is actually provided outside the organic EL device. Can be detected, that is, light equivalent to light that is actually incident on the eyes of the observer. Therefore, it is possible to take appropriate measures for maintaining good display performance based on the detection result.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The predetermined direction in the horizontal plane is the X-axis direction, the direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is the Y-axis direction, and the direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, the vertical direction) is the Z-axis direction. To do. Further, the rotation directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る有機EL装置Sの一例を模式的に示す側断面図である。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a side sectional view schematically showing an example of the organic EL device S according to the first embodiment.

図1において、有機EL装置Sは、複数の発光素子1が設けられたTFTアレイ基板2と、TFTアレイ基板2と対向するように配置され、発光素子1の光が入射するとともに、その入射した光を外部に射出する射出面3を有するカラーフィルタ4を備えたカラーフィルタ基板(封止基板)5とを備えている。TFTアレイ基板2は、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)等の回路素子を含む。カラーフィルタ4は、TFTアレイ基板2に設けられた発光素子1の光が入射するとともに、その入射した光を透過可能な複数の着色部4R、4G、4Bと、複数の着色部4R、4G、4Bの境界に配置された遮光部BMとを有する。   In FIG. 1, an organic EL device S is disposed so as to face the TFT array substrate 2 provided with a plurality of light emitting elements 1 and the TFT array substrate 2, and the light from the light emitting elements 1 is incident thereon. And a color filter substrate (sealing substrate) 5 including a color filter 4 having an emission surface 3 for emitting light to the outside. The TFT array substrate 2 includes circuit elements such as thin film transistors (TFTs). The color filter 4 receives light from the light emitting element 1 provided on the TFT array substrate 2 and transmits a plurality of colored portions 4R, 4G, and 4B that can transmit the incident light, and a plurality of colored portions 4R, 4G, And a light shielding part BM arranged at the boundary of 4B.

着色部は、赤色着色部(R着色部)4R、緑色着色部(G着色部)4G、及び青色着色部(B着色部)4Bを含む。遮光部BMは、R着色部4R、G着色部4G、及びB着色部4Bの境界に配置されており、画素間の光の漏れを抑制する機能、コントラストを向上する機能等を有する、所謂ブラックマトリクスである。   The colored part includes a red colored part (R colored part) 4R, a green colored part (G colored part) 4G, and a blue colored part (B colored part) 4B. The light-shielding part BM is arranged at the boundary of the R coloring part 4R, the G coloring part 4G, and the B coloring part 4B, and has a function of suppressing light leakage between pixels, a function of improving contrast, and the like. Matrix.

本実施形態においては、発光素子1は、白色光を発光する。発光素子1の白色光がカラーフィルタ4を透過することによって、射出面3からは、赤色、緑色、及び青色に着色された光が射出される。これにより、有機EL装置Sは、フルカラー表示できる。   In the present embodiment, the light emitting element 1 emits white light. When the white light of the light emitting element 1 passes through the color filter 4, light colored in red, green, and blue is emitted from the emission surface 3. Thereby, the organic EL device S can perform full color display.

そして、本実施形態の有機EL装置Sは、カラーフィルタ基板5に設けられ、カラーフィルタ4の着色部4R、4G、4Bを透過した発光素子1の光を検出する光センサ6を備えている。   The organic EL device S according to the present embodiment includes an optical sensor 6 that is provided on the color filter substrate 5 and detects the light of the light emitting element 1 that has passed through the colored portions 4R, 4G, and 4B of the color filter 4.

有機EL装置Sは、複数の発光素子1に対応する画素(サブ画素を含む)を複数有し、着色部4R、4G、4B及び光センサ6は、画素毎に設けられている。また、光センサ6は、遮光部BMによって外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている。本実施形態においては、光センサ6は、遮光部BMと着色部4R、4G、4Bとの間に配置されている。   The organic EL device S includes a plurality of pixels (including sub-pixels) corresponding to the plurality of light emitting elements 1, and the coloring portions 4R, 4G, and 4B and the optical sensor 6 are provided for each pixel. Moreover, the optical sensor 6 is arrange | positioned in the position where irradiation of the light from the outside was suppressed by the light-shielding part BM. In the present embodiment, the optical sensor 6 is disposed between the light shielding part BM and the coloring parts 4R, 4G, 4B.

また、有機EL装置Sは、各光センサ6の検出結果に基づいて、各発光素子1に与える電力を調整する制御装置7を備えている。   In addition, the organic EL device S includes a control device 7 that adjusts the power applied to each light emitting element 1 based on the detection result of each photosensor 6.

本実施形態の有機EL装置Sは、発光素子1の光を、カラーフィルタ基板5側から取り出す方式、所謂トップエミッション型である。   The organic EL device S of the present embodiment is a so-called top emission type in which light from the light emitting element 1 is extracted from the color filter substrate 5 side.

図2は、本実施形態に係る有機EL装置Sの配線構造を示す模式図である。本実施形態の有機EL装置Sは、アクティブマトリクス方式の駆動方式を採用し、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を有する。   FIG. 2 is a schematic diagram showing a wiring structure of the organic EL device S according to the present embodiment. The organic EL device S of the present embodiment employs an active matrix driving method and includes a thin film transistor (TFT) as a switching element.

図2において、有機EL装置Sは、X軸方向に延び、Y軸方向に並ぶようにTFTアレイ基板2に形成された複数の走査線(ゲート線)101と、Y軸方向に延び、X軸方向に並ぶようにTFTアレイ基板2に形成された複数の信号線(ソース線、データ線)102と、各信号線102と並列となるようにTFTアレイ基板2に形成された複数の電源線103とを有する。画素が形成される画素領域GAは、複数の走査線101と複数の信号線102との各交点付近に設けられる。   In FIG. 2, the organic EL device S extends in the X-axis direction and extends in the Y-axis direction with a plurality of scanning lines (gate lines) 101 formed on the TFT array substrate 2 so as to be aligned in the Y-axis direction. A plurality of signal lines (source lines, data lines) 102 formed on the TFT array substrate 2 so as to be aligned in the direction, and a plurality of power supply lines 103 formed on the TFT array substrate 2 so as to be parallel to each signal line 102. And have. A pixel area GA in which pixels are formed is provided in the vicinity of each intersection of the plurality of scanning lines 101 and the plurality of signal lines 102.

走査線101のそれぞれは、走査線駆動回路80と接続されている。走査線駆動回路80は、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を含む。信号線102のそれぞれは、信号線駆動回路81と接続されている。信号線駆動回路81は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を含む。   Each of the scanning lines 101 is connected to the scanning line driving circuit 80. The scanning line driving circuit 80 includes a shift register, a level shifter, and the like. Each of the signal lines 102 is connected to a signal line driving circuit 81. The signal line driver circuit 81 includes a shift register, a level shifter, a video line, an analog switch, and the like.

有機EL装置Sは、画素領域GAのそれぞれに配置され、走査線101より印加される走査信号(電圧)に基づいてON状態(導通状態)又はOFF状態(非導通状態)に切り替わるスイッチング用TFT31と、スイッチング用TFT31がON状態のときに、そのスイッチング用TFT31を介して信号線102より画像信号(電圧)が印加され、その画像信号(電圧)を保持可能な保持容量32と、保持容量32より印加される画像信号(電圧)に基づいてON状態(導通状態)又はOFF状態(非導通状態)に切り替わる駆動用TFT33と、駆動用TFT33がON状態のときに、その駆動用TFT33を介して電源線103より駆動電流が供給され、その駆動電流に基づいて発光する発光素子1とを備えている。発光素子1は、画素電極23と、共通電極25と、画素電極23と共通電極25とに挟まれた発光層24とを備えている。     The organic EL device S is disposed in each of the pixel areas GA, and is a switching TFT 31 that switches to an ON state (conductive state) or an OFF state (non-conductive state) based on a scanning signal (voltage) applied from the scanning line 101. When the switching TFT 31 is in the ON state, an image signal (voltage) is applied from the signal line 102 via the switching TFT 31, and the holding capacitor 32 that can hold the image signal (voltage) and the holding capacitor 32 A driving TFT 33 that switches to an ON state (conducting state) or an OFF state (non-conducting state) based on an applied image signal (voltage), and a power source via the driving TFT 33 when the driving TFT 33 is in an ON state. A driving current is supplied from the line 103, and the light emitting element 1 emits light based on the driving current. The light emitting element 1 includes a pixel electrode 23, a common electrode 25, and a light emitting layer 24 sandwiched between the pixel electrode 23 and the common electrode 25.

スイッチング用TFT31のゲート電極は、走査線101に接続されている。走査線101よりスイッチング用TFT31のゲート電極に走査信号が供給されると、その走査信号に基づいて、スイッチング用TFT31は、ON状態となる。走査線駆動回路80は、複数の走査線101のそれぞれに、パルス状の走査信号を順次印加する。これにより、複数のスイッチング用TFT31のゲート電極のそれぞれに走査信号が順次印加され、複数のスイッチング用TFT31は、順次ON状態となる。   The gate electrode of the switching TFT 31 is connected to the scanning line 101. When a scanning signal is supplied from the scanning line 101 to the gate electrode of the switching TFT 31, the switching TFT 31 is turned on based on the scanning signal. The scanning line driving circuit 80 sequentially applies a pulsed scanning signal to each of the plurality of scanning lines 101. As a result, a scanning signal is sequentially applied to each of the gate electrodes of the plurality of switching TFTs 31, and the plurality of switching TFTs 31 are sequentially turned on.

スイッチング用TFT31のソース電極は、信号線102に接続されており、スイッチング用TFT31のドレイン電極は、保持容量32に接続されている。スイッチング用TFT31がON状態のときに、信号線102よりスイッチング用TFT31のソース電極に画像信号(電圧)が印加されると、スイッチング用TFT31(スイッチング用TFT31のドレイン電極)を介して、保持容量32が充電される。保持容量32には、そのときの信号線102の画像信号(電位)が保持され、保持容量32は、印加された画像信号(電圧)を保持する。   The source electrode of the switching TFT 31 is connected to the signal line 102, and the drain electrode of the switching TFT 31 is connected to the storage capacitor 32. When an image signal (voltage) is applied from the signal line 102 to the source electrode of the switching TFT 31 when the switching TFT 31 is in the ON state, the storage capacitor 32 is passed through the switching TFT 31 (the drain electrode of the switching TFT 31). Is charged. The holding capacitor 32 holds the image signal (potential) of the signal line 102 at that time, and the holding capacitor 32 holds the applied image signal (voltage).

駆動用TFT33のゲート電極は、保持容量32に接続されている。駆動用TFT33の状態(ON状態、OFF状態のいずれか)は、保持容量32の状態に応じて決定される。保持容量32より、駆動用TFT33のゲート電極に、その保持容量32に保持されていた画像信号(電圧)が印加されると、その画像信号に基づいて、駆動用TFT33は、ON状態となる。   The gate electrode of the driving TFT 33 is connected to the storage capacitor 32. The state of the driving TFT 33 (either the ON state or the OFF state) is determined according to the state of the storage capacitor 32. When the image signal (voltage) held in the holding capacitor 32 is applied from the holding capacitor 32 to the gate electrode of the driving TFT 33, the driving TFT 33 is turned on based on the image signal.

駆動用TFT33のソース電極は、電源線103に接続されており、駆動用TFT33のドレイン電極は、発光素子1の画素電極23に接続されている。駆動用TFT33がON状態のときに、電源線103より駆動用TFT33のソース電極に駆動電流が供給されると、その駆動電流が、駆動用TFT33(駆動用TFT33のドレイン電極)を介して、発光素子1の画素電極23に供給される。発光素子1の画素電極23に供給された電流は、発光層24を介して、共通電極25に流れる。発光層24は、流れる電流量に応じて発光する。このように、発光素子1は、供給される電流に応じて発光し、発光素子1から射出される光の光量(輝度)は、供給される電流値に応じて変化する。制御装置7は、発光素子1に供給する電流値を調整することによって、発光素子1から射出される光の光量(輝度)を調整可能である。   The source electrode of the driving TFT 33 is connected to the power supply line 103, and the drain electrode of the driving TFT 33 is connected to the pixel electrode 23 of the light emitting element 1. When a driving current is supplied from the power supply line 103 to the source electrode of the driving TFT 33 when the driving TFT 33 is in the ON state, the driving current is emitted through the driving TFT 33 (the drain electrode of the driving TFT 33). It is supplied to the pixel electrode 23 of the element 1. The current supplied to the pixel electrode 23 of the light emitting element 1 flows to the common electrode 25 through the light emitting layer 24. The light emitting layer 24 emits light according to the amount of current flowing. Thus, the light emitting element 1 emits light according to the supplied current, and the light amount (luminance) of the light emitted from the light emitting element 1 changes according to the supplied current value. The control device 7 can adjust the light amount (luminance) of the light emitted from the light emitting element 1 by adjusting the current value supplied to the light emitting element 1.

発光素子1に供給する電流値(発光素子1から射出される光の光量)は、保持容量32から駆動用TFT33(駆動用TFT33のゲート電極)に印加される電圧値によって制御可能である。また、保持容量32は、画像信号(電圧)を保持可能(維持可能)なので、走査線101からのスイッチング用TFT31(スイッチング用TFT31のゲート電極)に対する走査信号(電圧)の印加が停止し、スイッチング用TFT31がOFF状態になっても、駆動用TFT33(駆動用TFT33のゲート電極)の電圧(電位)は、保持容量32によって維持され、発光素子1は、発光し続けることができる。   The current value supplied to the light emitting element 1 (the amount of light emitted from the light emitting element 1) can be controlled by the voltage value applied from the storage capacitor 32 to the driving TFT 33 (the gate electrode of the driving TFT 33). Further, since the holding capacitor 32 can hold (maintain) the image signal (voltage), the application of the scanning signal (voltage) from the scanning line 101 to the switching TFT 31 (gate electrode of the switching TFT 31) is stopped, and switching is performed. Even when the TFT 31 is turned off, the voltage (potential) of the driving TFT 33 (the gate electrode of the driving TFT 33) is maintained by the storage capacitor 32, and the light emitting element 1 can continue to emit light.

図3は、有機EL装置Sを模式的に示す平面図である。図3に示すように、本実施形態に係る有機EL装置Sは、各種配線、TFT等を含む回路素子が設けられたTFTアレイ基板2と、カラーフィルタ4を含むカラーフィルタ基板5とを備えている。本実施形態においては、有機EL装置Sは、カラーフィルタ基板5の射出面3側に配置された表示領域50を有する。本実施形態においては、表示領域50は、実表示領域51と、実表示領域51の周囲に配置されたダミー領域52とを含む。   FIG. 3 is a plan view schematically showing the organic EL device S. As shown in FIG. 3, the organic EL device S according to the present embodiment includes a TFT array substrate 2 provided with circuit elements including various wirings, TFTs, and the like, and a color filter substrate 5 including a color filter 4. Yes. In the present embodiment, the organic EL device S has a display area 50 disposed on the emission surface 3 side of the color filter substrate 5. In the present embodiment, the display area 50 includes an actual display area 51 and a dummy area 52 arranged around the actual display area 51.

実表示領域51には、画素電極23、及び各画素領域GAの発光素子1の光が透過する着色部4R、4G、4Bがマトリクス状に配置されている。発光素子1の白色の光は、各着色部4R、4G、4Bを透過して、射出面3より、赤色、緑色、及び青色の光として射出される。また、ダミー領域52には、走査線駆動回路80、80と、検査回路82とが配置されている。検査回路82は、有機EL装置Sの動作状況を検査するための回路であり、例えば、検査結果を外部に出力する検査情報出力装置(図示せず)を備え、製造途中、出荷時における有機EL装置Sの品質、欠陥の検査を行うことができる。   In the actual display area 51, colored portions 4R, 4G, and 4B through which light from the light emitting elements 1 in the pixel electrodes 23 and the respective pixel areas GA are transmitted are arranged in a matrix. The white light of the light emitting element 1 passes through the colored portions 4R, 4G, and 4B, and is emitted from the emission surface 3 as red, green, and blue light. Further, scanning line drive circuits 80 and 80 and an inspection circuit 82 are arranged in the dummy region 52. The inspection circuit 82 is a circuit for inspecting the operation state of the organic EL device S. For example, the inspection circuit 82 includes an inspection information output device (not shown) that outputs the inspection result to the outside, and is an organic EL device during manufacture or at the time of shipment. The quality and defect inspection of the device S can be performed.

図4は、本実施形態に係る有機EL装置Sの断面図である。図4において、有機EL装置Sは、薄膜トランジスタ(TFT)を備えたTFTアレイ基板2と、TFTアレイ基板2上に設けられた発光素子1とを備えている。   FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic EL device S according to the present embodiment. In FIG. 4, the organic EL device S includes a TFT array substrate 2 provided with a thin film transistor (TFT), and a light emitting element 1 provided on the TFT array substrate 2.

TFTアレイ基板2は、基板20と、その基板20上に設けられた走査線101、信号線102、電源線103、スイッチング用TFT31、及び駆動用TFT33等を含む回路素子と、層間絶縁膜21とを有する。基板20は、ガラス、透明な樹脂等で形成されており、透明な基板である。   The TFT array substrate 2 includes a substrate 20, circuit elements including a scanning line 101, a signal line 102, a power supply line 103, a switching TFT 31, a driving TFT 33, and the like provided on the substrate 20, an interlayer insulating film 21, and the like. Have The substrate 20 is made of glass, transparent resin, or the like, and is a transparent substrate.

なお、上述のように、本実施形態の有機EL装置Sは、トップエミッション型であるため、基板20は、金属、不透明な樹脂等で形成された不透明な基板でもよい。   As described above, since the organic EL device S of the present embodiment is a top emission type, the substrate 20 may be an opaque substrate formed of metal, opaque resin, or the like.

層間絶縁膜21は、例えば酸化シリコン(SiO)で形成されており、基板20上に設けられた走査線101、信号線102、電源線103、スイッチング用TFT31、及び駆動用TFT33等の回路素子を覆っている。なお、層間絶縁膜21は、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン膜(SiON)等で形成されてもよい。 The interlayer insulating film 21 is formed of, for example, silicon oxide (SiO 2 ), and circuit elements such as a scanning line 101, a signal line 102, a power supply line 103, a switching TFT 31, and a driving TFT 33 provided on the substrate 20. Covering. The interlayer insulating film 21 may be formed of silicon nitride (SiN), silicon oxynitride film (SiON), or the like.

発光素子1は、層間絶縁膜21上に形成された画素電極23と、画素電極23上に配置された発光層24と、発光層24上に配置された共通電極25とを有する。   The light emitting element 1 includes a pixel electrode 23 formed on the interlayer insulating film 21, a light emitting layer 24 disposed on the pixel electrode 23, and a common electrode 25 disposed on the light emitting layer 24.

画素電極23は、駆動用TFT33のそれぞれに対応するように形成されている。本実施形態においては、画素電極23は、アルミニウムの膜等、光を反射する機能を有する反射膜23Aと、反射膜23A上に形成され、インジウム錫酸化物(ITO)の膜等、光を透過する機能を有する透明膜23Bとを含む。なお、画素電極23は、反射膜23A及び透明膜23Bのいずれか一方のみで形成されていてもよい。画素電極23は、層間絶縁膜21に形成されたコンタクトホール内のプラグ(図示せず)を介して、駆動用TFT33と電気的に接続されている。     The pixel electrode 23 is formed so as to correspond to each of the driving TFTs 33. In the present embodiment, the pixel electrode 23 is formed on the reflective film 23A having a function of reflecting light, such as an aluminum film, and on the reflective film 23A, and transmits light such as an indium tin oxide (ITO) film. And a transparent film 23B having the function of The pixel electrode 23 may be formed of only one of the reflective film 23A and the transparent film 23B. The pixel electrode 23 is electrically connected to the driving TFT 33 via a plug (not shown) in a contact hole formed in the interlayer insulating film 21.

層間絶縁膜21上には、画素領域GAを区画する隔壁22が形成されている。隔壁22は、互いに隣り合う画素電極23、23の間の層間絶縁膜21の上面を覆うとともに、各画素電極23の上面の周縁領域を覆うように形成されている。画素電極23の上面の中央領域は、隔壁22の開口22Aより露出する。隔壁22は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性を有する有機材料で形成されている。     On the interlayer insulating film 21, a partition wall 22 that partitions the pixel region GA is formed. The partition wall 22 is formed to cover the upper surface of the interlayer insulating film 21 between the pixel electrodes 23 and 23 adjacent to each other and to cover the peripheral region of the upper surface of each pixel electrode 23. A central region on the upper surface of the pixel electrode 23 is exposed from the opening 22 </ b> A of the partition wall 22. The partition wall 22 is formed of an insulating organic material such as an acrylic resin or a polyimide resin.

発光層24は、開口22Aより露出した画素電極23の上面の中央領域、及び隔壁22の上面を覆うように形成されている。発光層24は、画素電極23の上面に接続するように形成された正孔輸送層と、正孔輸送層上に形成された正孔注入層と、正孔注入層上に形成された有機EL層と、有機EL層上に形成された電子注入層と、電子注入層上に形成された電子輸送層とを含む。これら各層は、例えば蒸着法等の気相成膜法によって形成可能である。なお、この発光層24の層構成は、必要に応じて適宜に変更可能である。例えば、有機EL層が複数の層で形成されていてもよい。     The light emitting layer 24 is formed so as to cover the central region of the upper surface of the pixel electrode 23 exposed from the opening 22 </ b> A and the upper surface of the partition wall 22. The light emitting layer 24 includes a hole transport layer formed so as to be connected to the upper surface of the pixel electrode 23, a hole injection layer formed on the hole transport layer, and an organic EL formed on the hole injection layer. A layer, an electron injection layer formed on the organic EL layer, and an electron transport layer formed on the electron injection layer. Each of these layers can be formed by a vapor deposition method such as a vapor deposition method. Note that the layer configuration of the light emitting layer 24 can be appropriately changed as necessary. For example, the organic EL layer may be formed of a plurality of layers.

なお、正孔輸送層、正孔注入層は、例えば、特開昭63−70257号公報、特開昭63−175860号公報、特開平2−135359号公報、特開平2−135361号公報、特開平2−209988号公報、特開平3−37992号公報、及び特開平3−152184号公報等に記載されているような、トリフェニルアミン誘導体(TPD)、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、4,4’−ビス(N(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル等で形成可能である。     The hole transport layer and the hole injection layer are, for example, disclosed in JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, Triphenylamine derivatives (TPD), pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, as described in Kaihei 2-20988, JP-A-3-37992, JP-A-3-152184, etc. It can be formed with a triphenyldiamine derivative, a triphenyldiamine derivative, 4,4′-bis (N (3-methylphenyl) -N-phenylamino) biphenyl, or the like.

有機EL層は、低分子の有機発光色素、高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質、燐光物質などの発光物質、Alq3(アルミキレート錯体)等の有機エレクトロルミネッセンス材料で形成可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭57−51781号公報、特開昭59−194393号公報等に開示されている材料が挙げられる。     The organic EL layer can be formed of a low molecular weight organic light emitting dye, a polymer light emitter, that is, a light emitting material such as various fluorescent materials or phosphorescent materials, or an organic electroluminescent material such as Alq3 (aluminum chelate complex). Among the conjugated polymers that serve as the light-emitting substance, those containing an arylene vinylene or polyfluorene structure are particularly preferable. Examples of the low-molecular light emitters include naphthalene derivatives, anthracene derivatives, perylene derivatives, polymethine-based, xanthene-based, coumarin-based, cyanine-based pigments, 8-hydroquinoline and its metal complexes, aromatic amines, tetraphenylcyclo Examples thereof include pentadiene derivatives and the like, or materials disclosed in JP-A-57-51781 and JP-A-59-194393.

上述のように、本実施形態においては、有機EL層を含む発光層24は白色光を発光する。したがって、有機EL層を形成する材料としては、有機EL層から発光される光が白色となるように適宜選択される。白色光は、互いに異なるピーク波長を有する複数の光を合成した光であるため、例えば、赤色の光を発光できる材料、緑色の光を発光できる材料、及び青色の光を発光できる材料を合成することによって、白色の光を発光できる有機EL層を形成する材料を形成できる。     As described above, in the present embodiment, the light emitting layer 24 including the organic EL layer emits white light. Therefore, a material for forming the organic EL layer is appropriately selected so that light emitted from the organic EL layer becomes white. Since white light is light obtained by combining a plurality of lights having different peak wavelengths, for example, a material capable of emitting red light, a material capable of emitting green light, and a material capable of emitting blue light are synthesized. Thus, a material for forming an organic EL layer capable of emitting white light can be formed.

電子注入層、電子輸送層は、例えば、特開昭63−70257号公報、特開昭63−175860号公報、特開平2−135359号公報、特開平2−135361号公報、特開平2−209988号公報、特開平3−37992号公報、及び特開平3−152184号公報等に開示されているような、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム等で形成可能である。     The electron injection layer and the electron transport layer are, for example, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-209998. Oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and derivatives thereof, benzoquinone and derivatives thereof, naphthoquinone and derivatives thereof, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-37992 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-152184 , Anthraquinone and derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane and derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof, 2- (4-biphenylyl) -5 (4-t-butylphenyl -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, can be formed with tris (8-quinolinol) aluminum and the like.

共通電極25は、発光層24を覆うように形成されている。共通電極25は、例えばMgAg、ITOの膜等、光を透過する機能を有する透明膜で形成されている。共通電極25は、例えば蒸着法等によって形成可能である。上述のように、本実施形態の有機EL装置Sは、トップエミッション型であるため、共通電極25は、十分な透明性を有する膜で形成される。     The common electrode 25 is formed so as to cover the light emitting layer 24. The common electrode 25 is formed of a transparent film having a function of transmitting light, such as a MgAg or ITO film. The common electrode 25 can be formed by, for example, vapor deposition. As described above, since the organic EL device S of the present embodiment is a top emission type, the common electrode 25 is formed of a film having sufficient transparency.

共通陰極25上には、SiON等の膜等、光を透過する機能を有するパッシベーション膜26が形成されている。パッシベーション膜26は、共通電極25を覆うように形成されている。パッシベーション膜26は、水分、酸素等が外部から発光層24に浸入することを抑制する機能を有する。     On the common cathode 25, a passivation film 26 having a function of transmitting light, such as a film of SiON or the like, is formed. The passivation film 26 is formed so as to cover the common electrode 25. The passivation film 26 has a function of suppressing moisture, oxygen, and the like from entering the light emitting layer 24 from the outside.

カラーフィルタ基板5は、基板30と、その基板30に設けられたカラーフィルタ4とを有する。基板30は、ガラス、透明な樹脂等で形成されており、透明な基板である。カラーフィルタ基板5は、透明な接着層27を介して、パッシベーション膜26上に接続されている。接着層27は、熱硬化型樹脂、または紫外線照射硬化型樹脂で形成されており、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等で形成可能である。   The color filter substrate 5 includes a substrate 30 and a color filter 4 provided on the substrate 30. The substrate 30 is made of glass, transparent resin, or the like, and is a transparent substrate. The color filter substrate 5 is connected to the passivation film 26 via a transparent adhesive layer 27. The adhesive layer 27 is formed of a thermosetting resin or an ultraviolet irradiation curable resin, and can be formed of, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.

カラーフィルタ4は、接着層27と対向するように配置された着色部4R、4G、4Bと、各着色部4R、4G、4Bの境界に配置された遮光部(ブラックマトリクス)BMとを有する。   The color filter 4 includes colored portions 4R, 4G, and 4B disposed so as to face the adhesive layer 27, and a light-shielding portion (black matrix) BM disposed at the boundary between the colored portions 4R, 4G, and 4B.

遮光部BMは、基板30の表面(射出面3を含む)と平行な平面内(XY平面内)において、画素領域GAの間に配置されている。図4においては、遮光部BMは、隔壁22の直上に配置されている。遮光部BMは、クロム(Cr)の膜等、光を遮る機能を有する膜で形成されている。遮光部BMは、格子状に形成されている。遮光部BMに囲まれた領域は、画素領域GAのそれぞれと対応する。   The light shielding portion BM is disposed between the pixel areas GA in a plane (in the XY plane) parallel to the surface of the substrate 30 (including the emission surface 3). In FIG. 4, the light shielding part BM is arranged immediately above the partition wall 22. The light shielding portion BM is formed of a film having a function of shielding light, such as a chromium (Cr) film. The light shielding part BM is formed in a lattice shape. A region surrounded by the light shielding unit BM corresponds to each of the pixel regions GA.

カラーフィルタ4は、画素領域GAのそれぞれと対応する位置、すなわち、図4において、画素領域GA(画素電極23)のほぼ直上に配置されている。発光層24から発光された白色の光はカラーフィルタ4の各着色部4R、4G、4Bを透過することによって着色され、赤(R)、緑(G)、青(B)のいずれかの波長域にピークを有する光として射出面3より射出する。   The color filter 4 is disposed at a position corresponding to each of the pixel areas GA, that is, almost immediately above the pixel area GA (pixel electrode 23) in FIG. White light emitted from the light emitting layer 24 is colored by passing through the colored portions 4R, 4G, and 4B of the color filter 4, and has a wavelength of red (R), green (G), or blue (B). The light exits from the exit surface 3 as light having a peak in the region.

着色部4R、4G、4Bは、発光素子1と対向するように配置されている。すなわち、発光素子1と対向するカラーフィルタ4の面(下面)は、着色部4R、4G、4Bの下面で形成されている。一方、遮光部BMは、発光素子1とは反対側の基板30と対向するように配置されている。すなわち、基板30と対向するカラーフィルタ4の面(上面)の一部は、遮光部BMの上面で形成されている。   The colored portions 4R, 4G, and 4B are disposed so as to face the light emitting element 1. That is, the surface (lower surface) of the color filter 4 facing the light emitting element 1 is formed by the lower surfaces of the colored portions 4R, 4G, and 4B. On the other hand, the light shielding part BM is arranged so as to face the substrate 30 on the opposite side to the light emitting element 1. That is, a part of the surface (upper surface) of the color filter 4 facing the substrate 30 is formed on the upper surface of the light shielding portion BM.

そして、光センサ6は、遮光部BMによって、装置の外部からの光(射出面3からの光)の照射が抑制された位置に配置されている。具体的には、光センサ6は、カラーフィルタ4の上面側に配置されている遮光部BMと下面側に配置されている着色部4R、4G、4Bとの間に配置されている。これにより、光センサ6は、遮光部BMによって外部からの光の照射を抑制されつつ、着色部4R、4G、4Bを透過した発光素子1の光のみを検出可能である。光センサ6は、各画素領域GA毎に設けられている。   And the optical sensor 6 is arrange | positioned in the position where irradiation of the light (light from the output surface 3) from the exterior of the apparatus was suppressed by the light-shielding part BM. Specifically, the optical sensor 6 is disposed between the light shielding portion BM disposed on the upper surface side of the color filter 4 and the coloring portions 4R, 4G, and 4B disposed on the lower surface side. Thereby, the optical sensor 6 can detect only the light of the light emitting element 1 that has passed through the colored portions 4R, 4G, and 4B while being suppressed from being irradiated with light from the outside by the light shielding portion BM. The optical sensor 6 is provided for each pixel area GA.

図5は、光センサ6の一例を示す模式図である。光センサ6は、カラーフィルタ基板5に設けられており、着色部4R、4G、4Bを透過した発光素子1の光を検出する。光センサ6は、フォトダイオード、フォトトランジスタ等、光を受光することによって、電気信号(電流)を出力可能な受光素子を含む。   FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of the optical sensor 6. The optical sensor 6 is provided on the color filter substrate 5 and detects the light of the light emitting element 1 that has passed through the colored portions 4R, 4G, and 4B. The optical sensor 6 includes a light receiving element that can output an electrical signal (current) by receiving light, such as a photodiode or a phototransistor.

本実施形態においては、光センサ6は、TFTと同等の構成を有する。図5において、光センサ6は、遮光部BMの一部に形成された絶縁性の基材61と、絶縁性の基材61上(図5においては、基材61の下面)に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62を覆うゲート絶縁膜63と、ゲート絶縁膜63を介してゲート電極62と対向するように配置されたアモルファスシリコン膜64と、アモルファスシリコン膜64上に形成されたn型アモルファスシリコン膜65と、ソース電極66と、ドレイン電極67と、アモルファスシリコン膜64、65、ソース電極66、及びドレイン電極67を覆う絶縁膜68とを備えている。   In the present embodiment, the optical sensor 6 has a configuration equivalent to a TFT. In FIG. 5, the optical sensor 6 is formed on the insulating base 61 formed on a part of the light shielding portion BM and on the insulating base 61 (the lower surface of the base 61 in FIG. 5). A gate electrode 62; a gate insulating film 63 covering the gate electrode 62; an amorphous silicon film 64 arranged to face the gate electrode 62 with the gate insulating film 63 interposed therebetween; and an n formed on the amorphous silicon film 64 A type amorphous silicon film 65, a source electrode 66, a drain electrode 67, and amorphous silicon films 64 and 65, a source electrode 66, and an insulating film 68 covering the drain electrode 67.

本実施形態においては、ゲート電極62は、モリブデン(Mo)等、光を遮る機能を有する材料で形成されている。ゲート絶縁膜63は、例えばSiOで形成されている。ソース電極66及びドレイン電極67は、例えばアルミニウム(Al)で形成されている。絶縁膜68は、例えばシリコン窒化膜(SiNx)で形成されている。 In the present embodiment, the gate electrode 62 is formed of a material having a function of blocking light, such as molybdenum (Mo). The gate insulating film 63 is made of, for example, SiO 2 . The source electrode 66 and the drain electrode 67 are made of, for example, aluminum (Al). The insulating film 68 is made of, for example, a silicon nitride film (SiNx).

上述のように、本実施形態においては、光センサ6には、発光素子1から射出され、カラーフィルタ4の着色部4R、4G、4Bを透過した光が入射する。光センサ6は、受光した光の光量(受光量)に応じた電気信号(電流)を出力する。   As described above, in the present embodiment, light emitted from the light emitting element 1 and transmitted through the colored portions 4R, 4G, and 4B of the color filter 4 is incident on the optical sensor 6. The optical sensor 6 outputs an electrical signal (current) corresponding to the amount of received light (amount of received light).

本実施形態においては、アモルファスシリコン膜64、65と対向する位置に、光を遮る機能を有するゲート電極62が配置されている。したがって、遮光部BM及びゲート電極62によって、外部からの光が光センサ6(アモルファスシリコン膜)に照射されることが抑制されている。特に、基板30の表面(射出面3)と平行なXY平面内におけるゲート電極62の大きさを、アモルファスシリコン膜64、65より大きくすることによって、外部からの光がアモルファスシリコン膜に照射されることを抑制できる。   In the present embodiment, a gate electrode 62 having a function of blocking light is disposed at a position facing the amorphous silicon films 64 and 65. Therefore, the light sensor 6 (amorphous silicon film) is suppressed from being irradiated with light from the outside by the light shielding portion BM and the gate electrode 62. In particular, by making the size of the gate electrode 62 in the XY plane parallel to the surface (emission surface 3) of the substrate 30 larger than that of the amorphous silicon films 64 and 65, light from the outside is irradiated onto the amorphous silicon film. This can be suppressed.

このように、光センサ6に接続される配線の一部を形成するゲート電極62によって、光センサ6に外部からの光が照射されることを抑制することができる。あるいは、バイアス線73の一部、走査線71の一部等を用いて、光センサ6に外部からの光が照射されることを抑制することもできる。   Thus, the gate electrode 62 that forms part of the wiring connected to the optical sensor 6 can prevent the optical sensor 6 from being irradiated with light from the outside. Alternatively, by using a part of the bias line 73, a part of the scanning line 71, and the like, it is possible to suppress the external light from being applied to the optical sensor 6.

図6は、複数の光センサ6の出力を読み出すための配線構造の一例を示す模式図である。図6においては、一例として、各着色部4R、4G、4Bを透過した発光素子1の光のそれぞれを検出する複数(3つ)の光センサ6が示されている。   FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of a wiring structure for reading the outputs of the plurality of optical sensors 6. In FIG. 6, as an example, a plurality (three) of optical sensors 6 that detect the light of the light emitting element 1 that has passed through the colored portions 4R, 4G, and 4B are shown.

本実施形態において、有機EL装置Sは、各光センサ6に接続されるスイッチング用TFT70を備えている。光センサ6は、スイッチング用TFT70のソース電極と接続されている。スイッチング用TFT70のゲート電極は、カラーフィルタ基板2上に形成された走査線71に接続されており、スイッチング用TFT70のドレイン電極は、カラーフィルタ基板2上に形成された読み出し線72に接続されている。   In the present embodiment, the organic EL device S includes a switching TFT 70 connected to each photosensor 6. The optical sensor 6 is connected to the source electrode of the switching TFT 70. The gate electrode of the switching TFT 70 is connected to the scanning line 71 formed on the color filter substrate 2, and the drain electrode of the switching TFT 70 is connected to the readout line 72 formed on the color filter substrate 2. Yes.

光センサ6に光が照射されている状態で、走査線71によりスイッチング用TFT70のゲート電極に走査信号(電圧)が印加され、そのスイッチング用TFT70がON状態となると、光センサ6は、スイッチング用TFT70を介して、電気信号を読み出し線72に出力する。読み出し線72は、制御装置7に接続されており、光センサ6の電気信号は、制御装置7に出力される。光センサ6は、受光量に応じた電気信号を出力するので、制御装置7は、光センサ6から出力された電気信号に基づいて、光センサ6で受光した受光量を求めることができる。また、発光素子1より射出され、着色部4R、4G、4Bを透過した光の光量と、光センサ6の受光量とは対応関係にあるため、制御装置7は、光瀬名6から出力された電気信号に基づいて、着色部4R、4G、4Bを透過した発光素子1の光の光量を求めることができる。また、光センサ6は、画素毎に設けられており、制御装置7は、画素毎の光センサ6の電気信号(画素毎の着色部を透過した光の光量)を検出できる。   When the light is applied to the optical sensor 6, a scanning signal (voltage) is applied to the gate electrode of the switching TFT 70 by the scanning line 71, and the switching TFT 70 is turned on. An electrical signal is output to the readout line 72 via the TFT 70. The readout line 72 is connected to the control device 7, and the electrical signal of the optical sensor 6 is output to the control device 7. Since the optical sensor 6 outputs an electrical signal corresponding to the amount of received light, the control device 7 can determine the amount of received light received by the optical sensor 6 based on the electrical signal output from the optical sensor 6. Further, since the amount of light emitted from the light emitting element 1 and transmitted through the colored portions 4R, 4G, and 4B and the amount of light received by the optical sensor 6 are in a correspondence relationship, the control device 7 is output from Mitsuna 6 Based on the electrical signal, the amount of light of the light emitting element 1 that has passed through the colored portions 4R, 4G, and 4B can be obtained. Moreover, the optical sensor 6 is provided for every pixel, and the control apparatus 7 can detect the electric signal (the light quantity of the light which permeate | transmitted the coloring part for every pixel) of the optical sensor 6 for every pixel.

図7は、本実施形態に係る光センサ6に接続された配線構造を示す模式図、図8は、本実施形態に係る有機EL装置Sの電気的構成を示すブロック図である。   FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a wiring structure connected to the optical sensor 6 according to the present embodiment, and FIG. 8 is a block diagram illustrating an electrical configuration of the organic EL device S according to the present embodiment.

図7及び図8において、有機EL装置Sは、X軸方向に延び、Y軸方向に並ぶようにカラーフィルタ基板5に形成された複数の走査線(ゲート線)71と、各走査線71と並列となるようにカラーフィルタ基板5に形成された複数のバイアス線73と、Y軸方向に延び、X軸方向に並ぶようにカラーフィルタ基板5に形成された複数の読み出し線72とを備えている。カラーフィルタ基板5の走査線71は、TFTアレイ基板2の走査線101と対応するように形成されている。同様に、カラーフィルタ基板5の読み出し線72は、TFTアレイ基板2の信号線102と対応するように形成されている。   7 and 8, the organic EL device S includes a plurality of scanning lines (gate lines) 71 formed on the color filter substrate 5 so as to extend in the X-axis direction and line up in the Y-axis direction, and each scanning line 71. A plurality of bias lines 73 formed on the color filter substrate 5 so as to be parallel to each other and a plurality of readout lines 72 formed on the color filter substrate 5 so as to extend in the Y-axis direction and line up in the X-axis direction. Yes. The scanning line 71 of the color filter substrate 5 is formed so as to correspond to the scanning line 101 of the TFT array substrate 2. Similarly, the readout line 72 of the color filter substrate 5 is formed so as to correspond to the signal line 102 of the TFT array substrate 2.

図8に示すように、走査線71のそれぞれは、走査線駆動回路83と接続されている。読み出し線72のそれぞれは、読み出し線駆動回路84と接続されている。TFTを含む光センサ6は、複数の走査線71と複数の読み出し線72との各交点付近に設けられる。なお、図8においては、バイアス線73の図示を省略してある。   As shown in FIG. 8, each scanning line 71 is connected to a scanning line driving circuit 83. Each of the read lines 72 is connected to a read line drive circuit 84. The optical sensor 6 including the TFT is provided in the vicinity of each intersection of the plurality of scanning lines 71 and the plurality of readout lines 72. In FIG. 8, the illustration of the bias line 73 is omitted.

図7に示すように、有機EL装置Sは、TFTからなる光センサ6と、走査線71より印加される走査信号(電圧)に基づいてON状態(導通状態)又はOFF状態(非導通状態)に切り替わるスイッチング用TFT70とを備えている。     As shown in FIG. 7, the organic EL device S is in an ON state (conducting state) or an OFF state (non-conducting state) based on the optical sensor 6 made of TFT and a scanning signal (voltage) applied from the scanning line 71. And a switching TFT 70 that switches to.

光センサ6のゲート電極は、そのゲート電極に負バイアスを印加可能なバイアス線73と接続されている。光センサ6のドレイン電極は、スイッチング用TFT70のソース電極と接続されている。光センサ6のソース電極は、バイアス線73に隣接する走査線71と接続されている。     The gate electrode of the optical sensor 6 is connected to a bias line 73 that can apply a negative bias to the gate electrode. The drain electrode of the optical sensor 6 is connected to the source electrode of the switching TFT 70. The source electrode of the optical sensor 6 is connected to the scanning line 71 adjacent to the bias line 73.

TFTからなる光センサ6は、バイアス線73の状態に基づいて、具体的にはバイアス線73より印加される負バイアス(負の電圧)に基づいて、ON状態又はOFF状態に切り替わる。バイアス線73より光センサ6のゲート電極に負バイアス(負の電圧)が印加されると、その負バイアスに基づいて、光センサ6は、ON状態となる。   The photosensor 6 made of TFT is switched to an ON state or an OFF state based on the state of the bias line 73, specifically, based on a negative bias (negative voltage) applied from the bias line 73. When a negative bias (negative voltage) is applied to the gate electrode of the optical sensor 6 from the bias line 73, the optical sensor 6 is turned on based on the negative bias.

光センサ6に光が照射されている状態で、バイアス線73の状態に基づいて、光センサ6(TFT)がON状態となると、光センサ6は、電気信号をスイッチング用TFT70に出力する。走査線71の状態に基づいて、走査線71よりスイッチング用TFT70のゲート電極に走査信号(電圧)が印加され、そのスイッチング用TFT70がON状態となると、光センサ6からスイッチング用TFT70のソース電極に供給された電気信号は、スイッチング用TFT70のドレイン電極に供給される。スイッチング用TFT70のドレイン電極は、読み出し線72に接続されており、光センサ6の電気信号は、読み出し線72に出力される。すなわち、光センサ6からスイッチング用TFT70に供給された電気信号は、ON状態のスイッチング用TFT70を介して、読み出し線72に出力される。読み出し線72に出力された光センサ6の電気信号は、読み出し線駆動回路84を介して、制御装置7に出力される。     When the optical sensor 6 (TFT) is turned on based on the state of the bias line 73 while the optical sensor 6 is irradiated with light, the optical sensor 6 outputs an electrical signal to the switching TFT 70. When a scanning signal (voltage) is applied from the scanning line 71 to the gate electrode of the switching TFT 70 based on the state of the scanning line 71 and the switching TFT 70 is turned on, the optical sensor 6 supplies the source electrode of the switching TFT 70. The supplied electric signal is supplied to the drain electrode of the switching TFT 70. The drain electrode of the switching TFT 70 is connected to the readout line 72, and the electrical signal of the optical sensor 6 is output to the readout line 72. That is, the electric signal supplied from the optical sensor 6 to the switching TFT 70 is output to the readout line 72 via the switching TFT 70 in the ON state. The electrical signal of the optical sensor 6 output to the readout line 72 is output to the control device 7 via the readout line drive circuit 84.

光センサ6は、受光量に応じた電気信号を出力する。制御装置7は、光センサ6から出力された電気信号に基づいて、光センサ6の受光量、すなわち、発光素子1より射出され、着色部4R、4G、4Bを透過した光の光量を求めることができる。また、光センサ6は、画素毎に設けられており、制御装置7は、画素毎の光センサ6の電気信号(画素毎の着色部を透過した光の光量)を検出できる。   The optical sensor 6 outputs an electrical signal corresponding to the amount of received light. Based on the electrical signal output from the optical sensor 6, the control device 7 obtains the amount of light received by the optical sensor 6, that is, the amount of light emitted from the light emitting element 1 and transmitted through the colored portions 4R, 4G, and 4B. Can do. Moreover, the optical sensor 6 is provided for every pixel, and the control apparatus 7 can detect the electric signal (the light quantity of the light which permeate | transmitted the coloring part for every pixel) of the optical sensor 6 for every pixel.

本実施形態においては、TFTアレイ基板2の走査線101の走査と、カラーフィルタ基板5の走査線71の走査とが同期して実行される。換言すれば、TFTアレイ基板2の複数の走査線101のそれぞれにパルス状の走査信号が印加されるタイミングと同期して、その走査線101に対応するカラーフィルタ基板5の複数の走査線71のそれぞれにパルス状の走査信号が印加される。これにより、TFTアレイ基板2の発光素子1の発光動作に同期して、その発光素子1に対応するように配置されている光センサ6の受光動作が実行される。   In the present embodiment, scanning of the scanning line 101 of the TFT array substrate 2 and scanning of the scanning line 71 of the color filter substrate 5 are executed in synchronization. In other words, in synchronization with the timing at which a pulsed scanning signal is applied to each of the plurality of scanning lines 101 of the TFT array substrate 2, the plurality of scanning lines 71 of the color filter substrate 5 corresponding to the scanning line 101 is detected. A pulsed scanning signal is applied to each. Thereby, in synchronization with the light emitting operation of the light emitting element 1 on the TFT array substrate 2, the light receiving operation of the photosensor 6 arranged so as to correspond to the light emitting element 1 is executed.

図8に示すように、本実施形態の制御装置7は、TFTアレイ基板2の駆動回路80、81を制御するとともに、カラーフィルタ基板5の駆動回路83、84を制御する制御部91と、有機EL装置Sで画像を表示するための画像信号をTFTアレイ基板2の駆動回路81に出力する画像処理部92と、画像表示に関する各種情報を記憶した記憶部93と、カラーフィルタ基板5の光センサ6からの電気信号が読み出し線駆動回路84を介して出力される信号処理部94とを含む。   As shown in FIG. 8, the control device 7 of this embodiment controls the drive circuits 80 and 81 of the TFT array substrate 2 and also controls the drive circuit 83 and 84 of the color filter substrate 5, An image processing unit 92 that outputs an image signal for displaying an image in the EL device S to the drive circuit 81 of the TFT array substrate 2, a storage unit 93 that stores various information related to image display, and an optical sensor of the color filter substrate 5 6, and a signal processing unit 94 that outputs an electrical signal from the read line drive circuit 84.

制御部91は、TFTアレイ基板2の各駆動回路80、81を制御するための制御信号を、各駆動回路80、81に出力する。制御部91は、タイミング信号生成装置として機能し、外部装置から供給される垂直走査信号、水平走査信号、ドットクロック信号、及びクロック信号等の制御信号に従って、各種タイミング信号、クロック信号等を生成し、TFTアレイ基板2の駆動回路80、81に出力する。   The control unit 91 outputs a control signal for controlling the drive circuits 80 and 81 of the TFT array substrate 2 to the drive circuits 80 and 81. The control unit 91 functions as a timing signal generation device, and generates various timing signals, clock signals, and the like according to control signals such as a vertical scanning signal, a horizontal scanning signal, a dot clock signal, and a clock signal supplied from an external device. And output to the drive circuits 80 and 81 of the TFT array substrate 2.

また、制御部91は、カラーフィルタアレイ基板2の各駆動回路83、84を制御するための制御信号を、各駆動回路83、84に出力する。本実施形態においては、制御部91は、TFTアレイ基板2の走査線101の走査と、カラーフィルタ基板5の走査線71の走査とが同期して実行されるように、各駆動回路80、83を制御する。   Further, the control unit 91 outputs a control signal for controlling the drive circuits 83 and 84 of the color filter array substrate 2 to the drive circuits 83 and 84. In the present embodiment, the control unit 91 performs driving circuits 80 and 83 so that the scanning of the scanning line 101 of the TFT array substrate 2 and the scanning of the scanning line 71 of the color filter substrate 5 are executed in synchronization. To control.

画像処理部92は、有機EL装置Sが所望の画像を表示できるように、外部装置から入力される画像信号を補正して、その補正後の画像信号をTFTアレイ基板2の駆動回路81に出力する。本実施形態においては、記憶部93には、光センサ6に入射する光の波長と、その光の波長に対応する光センサ6の感度との関係が記憶されている。画像処理部92は、記憶部93の記憶情報を参照して、外部装置から入力される画像信号を、所望の画像が得られる画像信号に補正する。   The image processing unit 92 corrects the image signal input from the external device so that the organic EL device S can display a desired image, and outputs the corrected image signal to the drive circuit 81 of the TFT array substrate 2. To do. In the present embodiment, the storage unit 93 stores the relationship between the wavelength of light incident on the optical sensor 6 and the sensitivity of the optical sensor 6 corresponding to the wavelength of the light. The image processing unit 92 refers to the storage information in the storage unit 93 and corrects the image signal input from the external device to an image signal from which a desired image is obtained.

次に、本実施形態に係る有機EL装置Sの動作の一例について説明する。制御装置7は、TFTアレイ基板2の駆動回路80、81のそれぞれに、制御部91より、制御信号を出力させるとともに、TFTアレイ基板2の駆動回路81に、画像処理部92より、画像信号を出力させる。駆動回路80、81は、制御部91及び画像処理部92のそれぞれから供給された制御信号及び画像信号に基づいて、各走査線101、信号線102等を介して、TFT31、33に、走査信号、画像信号を供給する。各画素の発光素子1には、供給された画像信号に基づく電流が流れ、各画素の発光素子1は、その電流値に応じた光量(輝度)の光を射出する。   Next, an example of the operation of the organic EL device S according to this embodiment will be described. The control device 7 causes each of the drive circuits 80 and 81 of the TFT array substrate 2 to output a control signal from the control unit 91, and outputs an image signal to the drive circuit 81 of the TFT array substrate 2 from the image processing unit 92. Output. The drive circuits 80 and 81 send scanning signals to the TFTs 31 and 33 via the scanning lines 101 and signal lines 102 based on the control signals and image signals supplied from the control unit 91 and the image processing unit 92, respectively. Supply image signals. A current based on the supplied image signal flows through the light emitting element 1 of each pixel, and the light emitting element 1 of each pixel emits light of a light amount (luminance) corresponding to the current value.

本実施形態においては、制御装置7は、TFTアレイ基板2の複数の走査線101のそれぞれにパルス状の走査信号を印加するタイミングと同期して、カラーフィルタ基板5の複数の走査線71のそれぞれにパルス状の走査信号を印加する。これにより、各画素の発光素子1に対応するようにカラーフィルタ基板5に配置されている複数の光センサ6は、TFTアレイ基板2の発光素子1の発光動作に同期して、その発光素子1からの光を受光する。各光センサ6は、受光量に応じた電気信号を、スイッチング用TFT70を介して、読み出し線72に出力する。読み出し線72に出力された光センサ6の電気信号は、駆動回路84を介して、信号処理部94に出力される。   In the present embodiment, the control device 7 synchronizes with each of the plurality of scanning lines 71 of the color filter substrate 5 in synchronization with the timing of applying a pulsed scanning signal to each of the plurality of scanning lines 101 of the TFT array substrate 2. A pulsed scanning signal is applied to the. Thereby, the plurality of photosensors 6 arranged on the color filter substrate 5 so as to correspond to the light emitting element 1 of each pixel are synchronized with the light emitting operation of the light emitting element 1 on the TFT array substrate 2. Receives light from. Each optical sensor 6 outputs an electrical signal corresponding to the amount of received light to the readout line 72 via the switching TFT 70. The electrical signal of the optical sensor 6 output to the readout line 72 is output to the signal processing unit 94 via the drive circuit 84.

本実施形態においては、信号処理部94は、1フレーム毎、すなわち、複数の走査線71の1回の走査毎の光センサ6の電気信号を保持する。信号処理部94は、光センサ6の電気信号を処理した後、画像処理部92に出力する。   In the present embodiment, the signal processing unit 94 holds an electrical signal of the optical sensor 6 for each frame, that is, for each scanning of the plurality of scanning lines 71. The signal processing unit 94 processes the electrical signal of the optical sensor 6 and then outputs it to the image processing unit 92.

画像処理部92は、信号処理部94から供給される各光センサ6の検出結果に基づいて、各画素の着色部4R、4B、4Gを透過した発光素子1の光が、所望の光量(輝度)を有しているかどうかを判断する。そして、画像処理部92は、各光センサ6の検出結果に基づいて、各画素の着色部4R、4B、4Gを透過した発光素子1の光が、所望の光量(輝度)を有するように、外部装置から入力される画像信号を必要に応じて補正して、その補正後の画像信号を出力する。例えば、ある画素の着色部4Rを透過した発光素子1の光が、所望の光量(輝度)を有していない場合、所望の光量(輝度)を有するように、その画素の発光素子1に流れる電流値が最適値となるように、画像信号に補正する。例えば、ある画素の着色部4Rを透過した発光素子1の光が、目標光量よりも低い光量である場合、所望の光量となるように、その画素の発光素子1に流れる電流値が高くなるように、画像信号を補正する。   Based on the detection result of each optical sensor 6 supplied from the signal processing unit 94, the image processing unit 92 converts the light of the light emitting element 1 that has passed through the coloring units 4R, 4B, and 4G of each pixel to a desired light amount (luminance). ). Then, based on the detection result of each optical sensor 6, the image processing unit 92 causes the light of the light emitting element 1 that has passed through the coloring portions 4R, 4B, and 4G of each pixel to have a desired light amount (luminance). The image signal input from the external device is corrected as necessary, and the corrected image signal is output. For example, when the light of the light emitting element 1 that has passed through the coloring portion 4R of a certain pixel does not have a desired light amount (luminance), the light flows to the light emitting element 1 of the pixel so as to have a desired light amount (luminance). The image signal is corrected so that the current value becomes the optimum value. For example, when the light of the light emitting element 1 that has passed through the coloring portion 4R of a certain pixel has a light amount lower than the target light amount, the value of the current flowing through the light emitting element 1 of the pixel is increased so that the desired light amount is obtained. Then, the image signal is corrected.

記憶部93には、発光素子1に流す電流値(ひいてはその電流値を得るための画像信号の補正量)と、着色部を介して得られる発光素子1から射出された光の光量との関係が予め記憶されている。また、記憶部93には、光センサ6に入射する光の波長と、その光の波長に対応する光センサ6の感度との関係が記憶されている。制御装置7の画像処理部92は、光センサ6の検出結果と、記憶部93の記憶情報とに基づいて、所望の光量を得るための発光素子1に流す電流値(画像信号)を決定する。   In the storage unit 93, the relationship between the current value that flows through the light emitting element 1 (and thus the correction amount of the image signal for obtaining the current value) and the amount of light emitted from the light emitting element 1 obtained through the coloring unit. Is stored in advance. The storage unit 93 stores a relationship between the wavelength of light incident on the optical sensor 6 and the sensitivity of the optical sensor 6 corresponding to the wavelength of the light. The image processing unit 92 of the control device 7 determines a current value (image signal) to be passed through the light emitting element 1 for obtaining a desired light amount based on the detection result of the optical sensor 6 and the stored information of the storage unit 93. .

そして、制御装置7の画像処理部92は、その決定した補正後の画像信号を、TFTアレイ基板2の駆動回路80、81に出力する。   Then, the image processing unit 92 of the control device 7 outputs the determined corrected image signal to the drive circuits 80 and 81 of the TFT array substrate 2.

以上説明したように、本実施形態によれば、カラーフィルタ4の複数の着色部4R、4G、4Bを透過した発光素子1の光を光センサ6で検出するようにしたので、光センサ6は、有機EL装置Sの外部に実際に射出される光、すなわち、実際に観察者の目に入射する光と等価な光を検出できる。したがって、その検出結果に基づいて、有機EL装置Sの表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。   As described above, according to the present embodiment, the light sensor 6 detects the light of the light emitting element 1 that has passed through the plurality of colored portions 4R, 4G, and 4B of the color filter 4. The light actually emitted to the outside of the organic EL device S, that is, the light equivalent to the light that actually enters the eyes of the observer can be detected. Therefore, it is possible to take an appropriate measure for maintaining the display performance of the organic EL device S satisfactorily based on the detection result.

そして、制御装置7は、光センサ6の検出結果に基づいて、発光素子1に与える電力(発光素子1に流す電流)を調整できるので、有機EL装置Sの表示性能を良好に維持することができる。発光素子1が経時的に劣化し、例えば光量が低下する場合であっても、光センサ6の検出結果に基づいて、発光素子1に流す電流を調整することによって、発光素子1を所望の発光状態にすることができ、有機EL装置Sは、その発光素子1を用いて所望の光量で画像を表示できる。また、有機EL装置Sは、発光素子1から発光される光量の経時的な変化を補正できるので、入力画像を忠実に再現でき、その再現性を長期間に亘って維持できる。   And since the control apparatus 7 can adjust the electric power (current which flows into the light emitting element 1) given to the light emitting element 1 based on the detection result of the optical sensor 6, it can maintain the display performance of the organic EL apparatus S favorably. it can. Even when the light-emitting element 1 deteriorates with time, for example, when the amount of light decreases, the light-emitting element 1 emits a desired light by adjusting the current flowing through the light-emitting element 1 based on the detection result of the optical sensor 6. The organic EL device S can display an image with a desired light amount by using the light emitting element 1. Further, since the organic EL device S can correct the change with time of the amount of light emitted from the light emitting element 1, it can faithfully reproduce the input image and maintain the reproducibility for a long period of time.

また、光センサ6は、画素毎に設けられているので、制御装置7は、画素毎の光量を調整でき、例えば光量むら、色むらなどを補正することもできる。   In addition, since the optical sensor 6 is provided for each pixel, the control device 7 can adjust the amount of light for each pixel, and can correct unevenness in light amount, uneven color, and the like, for example.

そして、光センサ6(アモルファスシリコン膜64、65)は、遮光部BM、ゲート電極62等によって、外部からの光の照射が抑制された位置に配置されているので、外部からの光の影響をほぼ受けることなく、発光素子1より射出され、カラーフィルタ4の着色部4R、4G、4Bを透過した光を良好に検出できる。したがって、制御装置7は、その光センサ6の検出結果に基づいて、発光素子1に流す電流を制御して、ほぼ目標値どおりの光量を有する着色部4R、4G、4Bを介した発光素子1の光を得ることができる。   Since the optical sensor 6 (amorphous silicon films 64 and 65) is disposed at a position where the light irradiation from the outside is suppressed by the light shielding portion BM, the gate electrode 62, and the like, the influence of the light from the outside is affected. The light emitted from the light emitting element 1 and transmitted through the colored portions 4R, 4G, 4B of the color filter 4 can be detected satisfactorily without being received. Therefore, the control device 7 controls the current flowing through the light emitting element 1 based on the detection result of the optical sensor 6, and the light emitting element 1 through the coloring portions 4R, 4G, and 4B having a light amount substantially equal to the target value. Can get the light.

また、本実施形態においては、TFTアレイ基板2の各TFT31、33と、カラーフィルタ基板5の各TFT6、70とを別々に形成することができる。したがって、カラーフィルタ基板5の各TFT6、70を、アモルファスシリコンを含むものとし、TFTアレイ基板2の各TFT31、33を、ポリシリコンを含むものとすることができるなど、各TFTを所望の形態に製造できる。   In the present embodiment, the TFTs 31 and 33 of the TFT array substrate 2 and the TFTs 6 and 70 of the color filter substrate 5 can be formed separately. Therefore, the TFTs 6 and 70 of the color filter substrate 5 can include amorphous silicon, and the TFTs 31 and 33 of the TFT array substrate 2 can include polysilicon, so that each TFT can be manufactured in a desired form.

<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図9は、第2実施形態に係る有機EL装置Sの一例を模式的に示す側断面図である。本実施形態においては、有機EL装置Sは、互いに異なる色の光を射出する発光素子1を複数備える。本実施形態においては、有機EL装置Sは、赤色の光を射出する発光素子1R、緑色の光を射出する発光素子1G、及び青色の光を射出する発光素子1Bを有する。また、発光素子1R、1G、1Bのそれぞれに対応するように、各着色部4R、4G、4Bが配置されている。すなわち、発光素子1Rから射出された赤色の光は、R着色部4Rを透過した後、射出面3より射出され、発光素子1Gから射出された赤色の光は、G着色部4Gを透過した後、射出面3より射出され、発光素子1Bから射出された赤色の光は、B着色部4Bを透過した後、射出面3より射出される。こうすることにより、射出面3から射出される色純度を向上することができ、有機EL装置Sは、高いコントラストを有する画像を表示できる。   FIG. 9 is a side sectional view schematically showing an example of the organic EL device S according to the second embodiment. In the present embodiment, the organic EL device S includes a plurality of light emitting elements 1 that emit light of different colors. In the present embodiment, the organic EL device S includes a light emitting element 1R that emits red light, a light emitting element 1G that emits green light, and a light emitting element 1B that emits blue light. Further, the colored portions 4R, 4G, and 4B are arranged so as to correspond to the light emitting elements 1R, 1G, and 1B, respectively. That is, after the red light emitted from the light emitting element 1R is transmitted through the R colored portion 4R, the red light is emitted from the emission surface 3, and the red light emitted from the light emitting element 1G is transmitted through the G colored portion 4G. The red light emitted from the emission surface 3 and emitted from the light emitting element 1B is emitted from the emission surface 3 after passing through the B coloring portion 4B. By doing so, the color purity emitted from the emission surface 3 can be improved, and the organic EL device S can display an image having a high contrast.

本実施形態においても、各画素毎に、光センサ6が設けられており、制御装置7は、光センサ6の検出結果に基づいて、所望の光量を有する光を射出面3より射出できる。   Also in the present embodiment, the optical sensor 6 is provided for each pixel, and the control device 7 can emit light having a desired light amount from the emission surface 3 based on the detection result of the optical sensor 6.

<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図10は、第3実施形態に係る有機EL装置Sの一例を模式的に示す側断面図である。第3実施形態の有機EL装置Sは、TFTアレイ基板2と、TFTアレイ基板2上に設けられ、TFTアレイ基板2と対向する画素電極23及びその画素電極23と反対側の共通電極25を含む発光素子1R、1G、1Bと、発光素子1R、1G、1Bの光射出側で共通電極25と接続するように配置され、発光素子1R、1G、1Bの光の一部を透過するとともに別の一部を反射し、画素電極23と共通電極25との間で光共振器を形成する半透明反射膜29と、TFTアレイ基板2上の発光素子1R、1G、1Bと対向するように配置され、発光素子1R、1G、1Bの光が入射するとともに、その入射した光を外部に射出する射出面3を有する第2基板5と、第2基板5に設けられ、光共振器を含む発光素子1R、1G、1Bの光を検出する光センサ6とを備えている。   FIG. 10 is a side sectional view schematically showing an example of the organic EL device S according to the third embodiment. The organic EL device S of the third embodiment includes a TFT array substrate 2, a pixel electrode 23 provided on the TFT array substrate 2 and facing the TFT array substrate 2, and a common electrode 25 opposite to the pixel electrode 23. The light-emitting elements 1R, 1G, and 1B are arranged so as to be connected to the common electrode 25 on the light emission side of the light-emitting elements 1R, 1G, and 1B. A translucent reflective film 29 that partially reflects and forms an optical resonator between the pixel electrode 23 and the common electrode 25, and the light emitting elements 1R, 1G, and 1B on the TFT array substrate 2 are arranged to face each other. The light emitting elements 1R, 1G, and 1B are incident, the second substrate 5 having an emission surface 3 that emits the incident light to the outside, and the light emitting element that is provided on the second substrate 5 and includes an optical resonator Detect 1R, 1G, 1B light And an optical sensor 6.

すなわち、本実施形態の有機EL装置Sは、例えば特開平7−282981号公報に開示されているような、微小な光共振器構造、いわゆるマイクロキャビティ構造を含む発光素子1R、1G、1Bを有する。本実施形態においては、半透明反射膜29は、例えば、TiOの膜とSiOの膜とを積層したものである。また、画素電極23は、例えばアルミニウム等、光を反射可能な材料で形成された膜を含む。共通電極25は、MgAg、ITO等、透明な材料で形成されている。 That is, the organic EL device S of the present embodiment includes light emitting elements 1R, 1G, and 1B including a minute optical resonator structure, a so-called microcavity structure as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 7-282981. . In the present embodiment, the translucent reflective film 29 is, for example, a laminate of a TiO 2 film and a SiO 2 film. The pixel electrode 23 includes a film formed of a material that can reflect light, such as aluminum. The common electrode 25 is made of a transparent material such as MgAg or ITO.

本実施形態においては、各発光素子1R、1G、1Bの発光スペクトルのピーク波長と、各発光素子1R、1G、1Bの画素電極23と共通電極25との間の発光層(有機層)24R、24G、24Bにおける光路長とが合致するように、各発光層24R、24G、24Bの膜厚が設定されている。したがって、図10に示すように、各発光素子1R、1G、1Bの発光層24R、24G、24Bの膜厚が互いに異なる。マイクロキャビティ構造を有する発光素子1R、1B、1Gのそれぞれは、所望の発光スペクトルを有する光を射出できる。   In the present embodiment, the peak wavelength of the emission spectrum of each light emitting element 1R, 1G, 1B and the light emitting layer (organic layer) 24R between the pixel electrode 23 and the common electrode 25 of each light emitting element 1R, 1G, 1B, The film thicknesses of the light emitting layers 24R, 24G, and 24B are set so that the optical path lengths in 24G and 24B match. Therefore, as shown in FIG. 10, the film thicknesses of the light emitting layers 24R, 24G, and 24B of the light emitting elements 1R, 1G, and 1B are different from each other. Each of the light emitting elements 1R, 1B, and 1G having a microcavity structure can emit light having a desired emission spectrum.

そして、第3実施形態においては、上述の第2実施形態と同様、各発光素子1R、1G、1Bのそれぞれに対応するように、各着色部4R、4G、4Bが配置されている。これにより、射出面3からは、高い色純度の光が射出される。   In the third embodiment, as in the second embodiment described above, the colored portions 4R, 4G, and 4B are arranged so as to correspond to the light emitting elements 1R, 1G, and 1B, respectively. Thereby, light of high color purity is emitted from the emission surface 3.

本実施形態においても、各画素毎に、光センサ6が設けられており、制御装置7は、光センサ6の検出結果に基づいて、所望の光量を有する光を射出面3より射出できる。   Also in the present embodiment, the optical sensor 6 is provided for each pixel, and the control device 7 can emit light having a desired light amount from the emission surface 3 based on the detection result of the optical sensor 6.

なお、第3実施形態において、カラーフィルタ4(着色部4R、4G、4B)を省略してもよい。マイクロキャビティ構造を有する発光素子1R、1B、1Gのそれぞれは、所望の発光スペクトルを有する光を射出できるので、カラーフィルタ4(着色部4R、4G、4B)を省略しても、射出面3から、高い色純度の光を射出できる。   In the third embodiment, the color filter 4 (colored portions 4R, 4G, 4B) may be omitted. Since each of the light emitting elements 1R, 1B, and 1G having the microcavity structure can emit light having a desired emission spectrum, even if the color filter 4 (colored portions 4R, 4G, and 4B) is omitted, the light emitting elements 1R, 1B, and 1G can emit light from the emission surface 3. Can emit light with high color purity.

<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。図11(A)〜(C)は、上述の第1〜第3実施形態で説明した有機EL装置Sを搭載した電子機器の一例を示す図である。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. FIGS. 11A to 11C are diagrams illustrating an example of an electronic device on which the organic EL device S described in the first to third embodiments is mounted.

図11(A)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図11(A)において、符号500は携帯電話本体を示し、符号501は有機EL装置を備えた表示部を示している。   FIG. 11A is a perspective view illustrating an example of a mobile phone. In FIG. 11A, reference numeral 500 denotes a mobile phone body, and reference numeral 501 denotes a display portion provided with an organic EL device.

図11(B)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図11(B)において、符号600は情報処理装置、符号601はキーボードなどの入力部、符号603は情報処理本体、符号602は有機EL装置を備えた表示部を示している。   FIG. 11B is a perspective view illustrating an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. In FIG. 11B, reference numeral 600 denotes an information processing apparatus, reference numeral 601 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 603 denotes an information processing body, and reference numeral 602 denotes a display unit including an organic EL device.

図11(C)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図11(C)において、符号700は時計本体を示し、符号701は有機EL装置を備えた表示部を示している。   FIG. 11C is a perspective view illustrating an example of a wristwatch-type electronic device. In FIG. 11C, reference numeral 700 denotes a watch body, and reference numeral 701 denotes a display portion provided with an organic EL device.

図11(A)〜(A)に示す電子機器は、上述の実施形態に示したように、所望の光を射出できる有機EL装置Sを有するので、高い表示特性を有する。   Since the electronic apparatus shown in FIGS. 11A to 11A includes the organic EL device S that can emit desired light as described in the above-described embodiment, it has high display characteristics.

なお、電子機器としては、図11に示したような電子機器に限られず、種々の電子機器に本発明を適用できる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)及びエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。   Note that the electronic device is not limited to the electronic device as shown in FIG. 11, and the present invention can be applied to various electronic devices. For example, a desktop computer, a liquid crystal projector, a multimedia personal computer (PC) and an engineering workstation (EWS), a pager, a word processor, a television, a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, an electronic notebook, an electronic The present invention can be applied to electronic devices such as a desktop computer, a car navigation device, a POS terminal, and a device having a touch panel.

第1実施形態に係る有機EL装置の一例を模式的に示す側断面図である。1 is a side sectional view schematically showing an example of an organic EL device according to a first embodiment. 第1実施形態に係る有機EL装置の配線構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the wiring structure of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る有機EL装置を模式的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing an organic EL device according to a first embodiment. 第1実施形態に係る有機EL装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of an organic EL device according to a first embodiment. 第1実施形態に係る光センサの一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the optical sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る光センサの出力を読み出すための配線構造の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the wiring structure for reading the output of the optical sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る光センサに接続された配線構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the wiring structure connected to the optical sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る有機EL装置の電気的構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing an electrical configuration of an organic EL device according to a first embodiment. 第2実施形態に係る有機EL装置の一例を模式的に示す側断面図である。It is a sectional side view which shows typically an example of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る有機EL装置の一例を模式的に示す側断面図である。It is a sectional side view which shows typically an example of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the electronic device which concerns on this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1(1R、1G、1G)…発光素子、2…TFTアレイ基板、3…射出面、4…カラーフィルタ、4R、4G、4B…着色部、5…カラーフィルタ基板、6…光センサ、7…制御装置、BM…遮光部、S…有機EL装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 (1R, 1G, 1G) ... Light emitting element, 2 ... TFT array substrate, 3 ... Ejection surface, 4 ... Color filter, 4R, 4G, 4B ... Colored part, 5 ... Color filter substrate, 6 ... Optical sensor, 7 ... Control device, BM ... light shielding unit, S ... organic EL device

Claims (4)

複数の発光素子が設けられた第1基板と、
前記第1基板と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第2基板と、
前記第2基板に設けられ、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を透過可能な複数の着色部と、
前記第2基板に設けられ、前記着色部を透過した前記発光素子の光を検出する光センサと、
複数の前記着色部の境界に配置された遮光部と、を備え、
前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている有機エレクトロルミネッセンス装置。
A first substrate provided with a plurality of light emitting elements;
A second substrate that is disposed so as to face the first substrate and has an emission surface on which the light from the light emitting element is incident and that emits the incident light to the outside;
A plurality of colored portions provided on the second substrate, on which light from the light emitting element is incident, and capable of transmitting the incident light;
An optical sensor that is provided on the second substrate and detects light of the light emitting element that has passed through the colored portion;
A light-shielding portion disposed at a boundary between the plurality of the colored portions,
The said optical sensor is an organic electroluminescent apparatus arrange | positioned in the position where irradiation of the light from the said outside was suppressed by the said light-shielding part .
前記遮光部は、該光センサに接続される配線の少なくとも一部を含む請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the light shielding portion includes at least a part of a wiring connected to the photosensor. 前記複数の発光素子に対応する画素を複数有し、
前記着色部及び前記光センサは、前記画素毎に設けられている請求項1又は2記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
A plurality of pixels corresponding to the plurality of light emitting elements;
The colored portion and the light sensor to an organic electroluminescent device according to claim 1 or 2 wherein is provided in each pixel.
前記光センサの検出結果に基づいて、前記発光素子に与える電力を調整する制御装置を備えた請求項1〜のいずれか一項記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 3 , further comprising a control device that adjusts electric power applied to the light emitting element based on a detection result of the optical sensor.
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