JP4812014B2 - Piezoelectric vibrating piece, method for manufacturing piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, oscillator including piezoelectric vibrator, electronic device, and radio timepiece - Google Patents

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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
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Description

本発明は、圧電振動片及び圧電振動片の製造方法、圧電振動子、並びに、圧電振動子を備えた発振器、電子機器、及び電波時計に関するものである。   The present invention relates to a piezoelectric vibrating piece, a manufacturing method of the piezoelectric vibrating piece, a piezoelectric vibrator, an oscillator including the piezoelectric vibrator, an electronic device, and a radio timepiece.

圧電振動子は、情報通信装置、家電、携帯機器などにおいて、時計機能や周波数制御機能として広く用いられている。このような圧電振動子は、水晶振動片の表面に、外部電極と接続する外部電極接続部と、外部電極接続部を介して外部電極から電圧を印加可能な励振電極とを備えていて、特に温度特性が良い水晶振動子が好適に用いられている（例えば、特許文献１参照）。励振電極としては、例えば、安価で導通性が良好なＣｒ（クロム）膜などが用いられている。そして、外部電極接続部を介して外部電極から励振電極に電圧を印加することで、圧電効果によって水晶振動片を振動させて、発振することが可能である。   Piezoelectric vibrators are widely used as clock functions and frequency control functions in information communication devices, home appliances, portable devices, and the like. Such a piezoelectric vibrator includes, on the surface of a crystal vibrating piece, an external electrode connection portion that is connected to an external electrode, and an excitation electrode that can apply a voltage from the external electrode via the external electrode connection portion. A crystal resonator having good temperature characteristics is suitably used (see, for example, Patent Document 1). As the excitation electrode, for example, an inexpensive and good conductivity Cr (chromium) film is used. Then, by applying a voltage from the external electrode to the excitation electrode via the external electrode connection portion, it is possible to oscillate by vibrating the quartz crystal resonator element by the piezoelectric effect.

ところで、このような圧電振動子においては、励振電極によって圧電振動片を正確に振動させる必要があるため、圧電振動片の共振周波数を所定の値に調整しておく必要がある。このため、圧電振動片の励振電極にレーザー光を照射することによって励振電極の一部を除去し、圧電振動片の重量を変化させて周波数調整する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。また、他の方法として、圧電振動片の表面に微調整用の金属膜を設け、これをイオンエッチングすることで周波数調整する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。   By the way, in such a piezoelectric vibrator, since it is necessary to vibrate the piezoelectric vibrating piece accurately by the excitation electrode, it is necessary to adjust the resonance frequency of the piezoelectric vibrating piece to a predetermined value. For this reason, a method has been proposed in which a part of the excitation electrode is removed by irradiating the excitation electrode of the piezoelectric vibrating piece with laser light, and the frequency is adjusted by changing the weight of the piezoelectric vibrating piece (for example, Patent Document 2). reference). As another method, a method of adjusting the frequency by providing a metal film for fine adjustment on the surface of the piezoelectric vibrating piece and performing ion etching on the metal film has been proposed (see, for example, Patent Document 3).

また、圧電振動片の表面に、圧電体薄膜と、圧電体薄膜を挟み込む一対の励振電極とが設けられているとともに、最上層部には窒化アルミニウムや酸化シリコンなどで形成された調整層を備えたものが提案されている（例えば、特許文献４参照）。この圧電振動片では、調整層にレーザー光を照射して除去することで、周波数調整することが可能であるとともに、調整層が窒化アルミニウムや酸化シリコンなどで形成されていて保護層として機能することで、励振電極が酸化の影響を受けず、共振特性が変化してしまうことがないとされている。
特開２０００−２２３９９４号公報 特開２００３−３３２８７３号公報 特開２００３−３１８６８５号公報 特開２００３−３７４６９号公報 In addition, a piezoelectric thin film and a pair of excitation electrodes sandwiching the piezoelectric thin film are provided on the surface of the piezoelectric vibrating piece, and an adjustment layer formed of aluminum nitride, silicon oxide, or the like is provided on the uppermost layer. Have been proposed (see, for example, Patent Document 4). In this piezoelectric vibrating piece, it is possible to adjust the frequency by irradiating and removing the adjustment layer with laser light, and the adjustment layer is made of aluminum nitride, silicon oxide or the like and functions as a protective layer Thus, the excitation electrode is not affected by oxidation and the resonance characteristics are not changed.
JP 2000-223994 A JP 2003-332873 A Japanese Patent Laid-Open No. 2003-318685 JP 2003-37469 A

しかしながら、特許文献１の圧電振動片において周波数調整を行う場合、特許文献２に示すように、励振電極であるＣｒ膜にレーザー光を照射して除去することとなるが、この場合、調整後に大気中に取り出すと、レーザー光を照射した部分のＣｒ膜が酸化などの作用を受けてしまい、共振周波数が変化してしまう問題があった。また、特許文献３に示すようなイオンエッチングによって周波数調整をする方法としても、同様にエッチングされた金属膜は、大気中において酸化などの影響を受けてしまい、共振周波数が変化してしまう。   However, when the frequency adjustment is performed in the piezoelectric vibrating piece of Patent Document 1, as shown in Patent Document 2, the Cr film that is the excitation electrode is irradiated with laser light to be removed. When taken out, there was a problem that the portion of the Cr film irradiated with the laser beam was subjected to an action such as oxidation, and the resonance frequency was changed. Also, as a method of adjusting the frequency by ion etching as shown in Patent Document 3, a similarly etched metal film is affected by oxidation or the like in the atmosphere, and the resonance frequency changes.

また、特許文献４の圧電振動片においては、調整層に照射されたレーザー光は、調整層を透過して、その下層の励振電極にも作用してしまう。このため、励振電極がレーザー光によって蒸発してしまい、これにより外側に位置する調整層が剥離してしまうおそれがあり、信頼性の面で問題があった。   In the piezoelectric vibrating piece of Patent Document 4, the laser light applied to the adjustment layer is transmitted through the adjustment layer and acts on the excitation electrode below the adjustment layer. For this reason, the excitation electrode is evaporated by the laser beam, and there is a possibility that the adjustment layer located on the outside may be peeled off, which causes a problem in terms of reliability.

この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、効果的な周波数調整を行うことができるとともに、調整後に、酸化などの影響を受けて共振周波数が変動してしまうこと、及び、調整した部分が剥離してしまうことを防いで、周波数精度及び信頼性を向上させた圧電振動片及びその製造方法、圧電振動片を備えた圧電振動子、並びに、圧電振動子を備えた発振器、電子機器、及び電波時計を提供するものである。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and can perform effective frequency adjustment, and after adjustment, the resonance frequency fluctuates due to the influence of oxidation and the like, and A piezoelectric vibrating piece and a method for manufacturing the same that prevent the adjusted portion from peeling off and improve frequency accuracy and reliability, a piezoelectric vibrator including the piezoelectric vibrating piece, and an oscillator including the piezoelectric vibrator, An electronic device and a radio timepiece are provided.

上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明は、所定の形状に形成された圧電材片上に、外部電極と接続される外部電極接続部と、前記圧電材片を所定の周波数で振動させる励振電極と、前記圧電材片を所定の共振周波数に設定するための微調部とが設けられた圧電振動片の製造方法であって、前記圧電材片の外形を形成する外形形成工程と、外形形成された該圧電材片の表面に導電性膜を成膜する導電性膜形成工程と、前記励振電極となる位置で前記導電性膜をパターニングするとともに、前記微調部となる位置で前記導電性膜を除去して、前記圧電材片の表面の一部分を露出させる導電性膜パターン形成工程と、該圧電材片の表面が露出して構成された前記微調部にイオンビームを照射して削り取ることで、該微調部の重量を調整して、前記圧電材片を所定の共振周波数に設定する周波数微調整工程とを備えることを特徴としている。 In order to solve the above problems, the present invention proposes the following means.
The present invention provides an external electrode connecting portion connected to an external electrode on a piezoelectric material piece formed in a predetermined shape, an excitation electrode for vibrating the piezoelectric material piece at a predetermined frequency, and the piezoelectric material piece in a predetermined shape. A method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece provided with a fine tuning portion for setting a resonance frequency, wherein an outer shape forming step for forming an outer shape of the piezoelectric material piece, and a conductive surface on the surface of the formed piezoelectric material piece. Forming a conductive film, patterning the conductive film at a position to be the excitation electrode, removing the conductive film at a position to be the fine adjustment portion, and The conductive film pattern forming step for exposing a part of the surface, and the fine adjustment portion formed by exposing the surface of the piezoelectric material piece to the fine adjustment portion is irradiated with an ion beam and scraped off to adjust the weight of the fine adjustment portion. The piezoelectric material piece is set at a predetermined resonance frequency. It is characterized by comprising a frequency fine adjustment step of.

また、本発明の圧電振動片は、所定の形状に形成された圧電材片と、該圧電材片の表面に所定のパターンで形成された導電性膜の少なくとも一部分によって形成され、前記圧電材片を所定の周波数で振動させる励振電極と、外部電極と接続される外部電極接続部と、イオンビームを照射可能に表面を露出させた前記圧電材片の一部分であり、前記イオンビームを照射して削り取ることで重量の調整が行われる微調部とを備えることを特徴としている。   The piezoelectric vibrating piece of the present invention is formed by a piezoelectric material piece formed in a predetermined shape and at least a part of a conductive film formed in a predetermined pattern on the surface of the piezoelectric material piece, and the piezoelectric material piece An excitation electrode that vibrates at a predetermined frequency, an external electrode connection portion connected to an external electrode, and a part of the piezoelectric material piece whose surface is exposed so that an ion beam can be irradiated. And a fine adjustment unit that adjusts the weight by shaving.

この発明に係る圧電振動片の製造方法及び圧電振動片によれば、微調部は、導電性膜パターン形成工程として導電性膜を除去することで表面が露出した圧電材片の一部分である。そして、周波数微調整工程として、微調部、すなわち圧電材片にイオンビームを照射して圧電材片の一部が削り取られることで、重量の調整を行って所定の共振周波数に設定することができる。この際、イオンビームによって削り取られる対象が圧電材であることで、安定性を有し、イオンビームの照射によって表面が活性化してしまうことが無い。このため、周波数微調整工程を行った後にイオンビームを照射した部分が酸化等の影響を受けて共振周波数が変化してしまうことを防ぐことができる。また、イオンビームは照射した圧電材片の表面のみに作用し、圧電材片を透過することが無い。このため、イオンビームを照射した部分以外に作用して、酸化等の影響を発生させてしまう、また、剥離を生じさせてしまうことなどが無い。   According to the method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece and the piezoelectric vibrating piece according to the present invention, the fine adjustment portion is a part of the piezoelectric material piece whose surface is exposed by removing the conductive film as a conductive film pattern forming step. Then, as the frequency fine adjustment step, the fine adjustment portion, that is, the piezoelectric material piece is irradiated with an ion beam and a part of the piezoelectric material piece is scraped off, whereby the weight can be adjusted and set to a predetermined resonance frequency. . At this time, since the object to be scraped off by the ion beam is a piezoelectric material, it has stability, and the surface is not activated by irradiation of the ion beam. For this reason, it is possible to prevent the portion irradiated with the ion beam after performing the frequency fine adjustment process from being affected by oxidation or the like to change the resonance frequency. Further, the ion beam acts only on the surface of the irradiated piezoelectric material piece and does not pass through the piezoelectric material piece. For this reason, it does not act on portions other than the portion irradiated with the ion beam to cause the influence of oxidation or the like, and does not cause peeling.

また、本発明は、所定の形状に形成された圧電材片上に、外部電極と接続される外部電極接続部と、前記圧電材片を所定の周波数で振動させる励振電極と、前記圧電材片を所定の共振周波数に設定するための微調部とが設けられた圧電振動片の製造方法であって、前記圧電材片の外形を形成する外形形成工程と、外形形成された該圧電材片の表面に導電性膜を成膜する導電性膜形成工程と、前記励振電極となる位置で、前記導電性膜をパターニングする導電性膜パターン形成工程と、前記微調部となる位置に、酸化物または窒化物からなる調整膜を成膜する調整膜形成工程と、前記微調部の前記調整膜にイオンビームを照射して削り取ることで、該微調部の重量を調整して、前記圧電材片を所定の共振周波数に設定する周波数微調整工程とを備えることを特徴としている。   The present invention also provides an external electrode connecting portion connected to an external electrode on a piezoelectric material piece formed in a predetermined shape, an excitation electrode for vibrating the piezoelectric material piece at a predetermined frequency, and the piezoelectric material piece. A method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece provided with a fine tuning unit for setting to a predetermined resonance frequency, the outer shape forming step for forming the outer shape of the piezoelectric material piece, and the surface of the formed piezoelectric material piece A conductive film forming step of forming a conductive film on the substrate, a conductive film pattern forming step of patterning the conductive film at a position to be the excitation electrode, and an oxide or nitride at a position to be the fine adjustment portion. An adjustment film forming step of forming an adjustment film made of a material, and by adjusting the weight of the fine adjustment portion by irradiating the adjustment film of the fine adjustment portion with an ion beam, The frequency fine adjustment process to set the resonance frequency It is characterized in that to obtain.

また、本発明の圧電振動片は、所定の形状に形成された圧電材片と、該圧電材片の表面に所定のパターンで形成された導電性膜の少なくとも一部分によって形成され、前記圧電材片を所定の周波数で振動させる励振電極と、外部電極と接続される外部電極接続部と、酸化物または窒化物からなる調整膜で形成され、該調整膜にイオンビームを照射して削り取ることで重量の調整が行われる微調部とを備えることを特徴としている。   The piezoelectric vibrating piece of the present invention is formed by a piezoelectric material piece formed in a predetermined shape and at least a part of a conductive film formed in a predetermined pattern on the surface of the piezoelectric material piece, and the piezoelectric material piece Is formed by an excitation electrode that vibrates at a predetermined frequency, an external electrode connection portion connected to the external electrode, and an adjustment film made of oxide or nitride, and the adjustment film is irradiated with an ion beam and scraped off. And a fine adjustment unit for performing the adjustment.

この発明に係る圧電振動片の製造方法及び圧電振動片によれば、微調部は、調整膜形成工程として成膜された酸化物または窒化物からなる調整膜で形成されている。そして、周波数微調整工程として、微調部の調整膜にイオンビームを照射して調整膜が削り取られることで、重量の調整を行って所定の共振周波数に設定することができる。この際、イオンビームによって削り取られる対象が調整膜、すなわち酸化物または窒化物であることで、安定性を有し、イオンビームの照射によって表面が活性化してしまうことが無い。このため、周波数微調整工程を行った後に、イオンビームを照射した部分を酸化等の影響を受けて共振周波数が変化してしまうことを防ぐことができる。また、イオンビームは照射した調整膜のみに作用し、調整膜を透過することが無い。このため、イオンビームを照射した部分以外に作用して、酸化等の影響を発生させてしまう、また、剥離を生じさせてしまうことなどが無い。   According to the method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece and the piezoelectric vibrating piece according to the present invention, the fine adjustment portion is formed of an adjustment film made of oxide or nitride formed as the adjustment film forming step. Then, as the frequency fine adjustment step, the adjustment film of the fine adjustment portion is irradiated with an ion beam and the adjustment film is scraped off, so that the weight can be adjusted and set to a predetermined resonance frequency. At this time, the object to be scraped off by the ion beam is an adjustment film, that is, an oxide or a nitride, so that it has stability and the surface is not activated by the ion beam irradiation. For this reason, after performing the frequency fine adjustment process, it is possible to prevent the resonance frequency from changing due to the influence of oxidation or the like on the portion irradiated with the ion beam. Further, the ion beam acts only on the irradiated adjustment film and does not pass through the adjustment film. For this reason, it does not act on portions other than the portion irradiated with the ion beam to cause the influence of oxidation or the like, and does not cause peeling.

また、上記の圧電振動片の製造方法において、前記導電性膜パターン形成工程は、さらに前記微調部となる位置に前記導電性膜をパターニングするとともに、前記調整膜形成工程は、前記微調部となる位置に形成された前記導電性膜上に前記調整膜を成膜することがより好ましいとされている。   In the method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, the conductive film pattern forming step further patterns the conductive film at a position to be the fine adjustment portion, and the adjustment film formation step is the fine adjustment portion. It is more preferable to form the adjustment film on the conductive film formed at the position.

また、上記の圧電振動片において、前記微調部は、前記導電性膜の内の前記励振電極と異なる他の部分と、該導電性膜上に形成された前記調整膜とで構成されていることがより好ましいとされている。   Further, in the above-described piezoelectric vibrating piece, the fine adjustment portion is constituted by another portion of the conductive film different from the excitation electrode and the adjustment film formed on the conductive film. Is more preferable.

この発明に係る圧電振動片の製造方法及び圧電振動片によれば、微調部の調整膜は、導電性膜上に形成されることで、付着性を良好なものとすることができる。なお、周波数微調整工程において、イオンビームを調整膜に照射したとしても、イオンビームが透過して導電性膜に作用してしまうことが無い。このため、導電性膜が酸化などの影響を受けてしまう、あるいは、導電性膜がイオンビームの作用を受けることで調整膜が剥離してしまうおそれが無い。   According to the method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece and the piezoelectric vibrating piece according to the present invention, the adjustment film of the fine adjustment portion is formed on the conductive film, whereby the adhesion can be improved. In the fine frequency adjustment process, even if the adjustment film is irradiated with the ion beam, the ion beam is not transmitted and does not act on the conductive film. Therefore, there is no possibility that the conductive film is affected by oxidation or the like, or that the adjustment film is peeled off due to the action of the ion beam on the conductive film.

さらに、上記の圧電振動片の製造方法において、前記励振電極となる位置に形成された前記導電性膜上に、前記調整膜と同一膜材の電極保護膜を成膜する電極保護膜形成工程を備え、前記調整膜形成工程は、前記電極保護膜形成工程と同時に、前記微調部となる位置で前記電極保護膜を前記調整膜として成膜することがより好ましいとされている。
さらに、上記の圧電振動片において、前記励振電極に形成された前記導電性膜上には、前記調整膜と同一膜材の電極保護膜が形成されていることがより好ましいとされている。 Furthermore, in the method for manufacturing the piezoelectric vibrating piece, an electrode protective film forming step of forming an electrode protective film of the same film material as the adjustment film on the conductive film formed at a position to be the excitation electrode. In addition, the adjustment film forming step preferably forms the electrode protection film as the adjustment film at a position to be the fine adjustment portion simultaneously with the electrode protection film formation step.
Further, in the above-described piezoelectric vibrating piece, it is more preferable that an electrode protective film made of the same film material as the adjustment film is formed on the conductive film formed on the excitation electrode.

この発明に係る圧電振動片の製造方法及び圧電振動片によれば、電極保護膜形成工程として、励振電極に調整膜と同一膜材、すなわち酸化物または窒化物からなる電極保護膜が形成されることで、励振電極同士の短絡を防ぐことができる。また、電極保護膜形成工程と調整膜形成工程を同時に行うことができるので、工程数を削減して、生産効率を向上させることができる。   According to the method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece and the piezoelectric vibrating piece according to the present invention, as the electrode protective film forming step, an electrode protective film made of the same film material as the adjustment film, that is, an oxide or nitride is formed on the excitation electrode Thus, a short circuit between the excitation electrodes can be prevented. In addition, since the electrode protective film forming step and the adjustment film forming step can be performed simultaneously, the number of steps can be reduced and the production efficiency can be improved.

さらに、上記の圧電振動片の製造方法において、前記微調部は前記圧電材片の両面に設けられ、前記周波数微調整工程は、少なくとも一方の前記微調部に前記イオンビームを照射して行い、所定の共振周波数に設定されなかった場合には、さらに他方の前記微調部に前記イオンビームを照射して行うことがより好ましいとされている。
また、上記の圧電振動片の製造方法において、前記微調部は前記圧電材片の両面に設けられ、 前記周波数微調整工程は、前記圧電材片の両面の前記微調部に同時に前記イオンビームを照射して行うものとしても良い。
さらに、上記の圧電振動片において、前記微調部は、前記圧電材片の両面に設けられていることがより好ましいとされている。 Further, in the above-described method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, the fine adjustment portion is provided on both surfaces of the piezoelectric material piece, and the frequency fine adjustment step is performed by irradiating at least one of the fine adjustment portions with the ion beam. In the case where the resonance frequency is not set, it is more preferable to irradiate the ion beam to the other fine adjustment portion.
In the method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece, the fine tuning unit is provided on both surfaces of the piezoelectric material piece, and the fine frequency adjusting step irradiates the ion beam simultaneously on the fine tuning unit on both surfaces of the piezoelectric material piece. It can also be done.
Furthermore, in the above-described piezoelectric vibrating piece, it is more preferable that the fine adjustment portion is provided on both surfaces of the piezoelectric material piece.

この発明に係る圧電振動片の製造方法及び圧電振動片によれば、微調部を圧電材片の両面に設けることで、周波数微調整工程として、圧電振動片の両面で周波数の微調を行うことができる。このため、調整可能な周波数の幅が増大し、より好適に共振周波数の設定を行うことが可能となる。また、両面の微調部で同時に調整することで、サイクルタイムの向上を図ることができる。   According to the method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece and the piezoelectric vibrating piece according to the present invention, by providing fine adjustment portions on both surfaces of the piezoelectric material piece, the frequency can be finely adjusted on both surfaces of the piezoelectric vibrating piece as a frequency fine adjustment step. it can. For this reason, the range of the adjustable frequency is increased, and the resonance frequency can be set more suitably. Further, the cycle time can be improved by simultaneously adjusting the fine adjustment portions on both sides.

また、本発明の圧電振動子は、上記の圧電振動片の製造方法により製造された圧電振動片を備えることを特徴としている。
また、本発明の圧電振動子は、上記の圧電振動片を備えることを特徴としている。 According to another aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric vibrator including the piezoelectric vibrating piece manufactured by the above-described method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece.
In addition, a piezoelectric vibrator of the present invention includes the above-described piezoelectric vibrating piece.

この発明に係る圧電振動子によれば、圧電振動片の共振周波数の酸化等による変化、微調部の剥離を防ぐことができ、周波数精度及び信頼性の向上を図ることができる。   According to the piezoelectric vibrator according to the present invention, it is possible to prevent a change in the resonance frequency of the piezoelectric vibrating piece due to oxidation or the like and peeling of the fine adjustment portion, thereby improving frequency accuracy and reliability.

また、本発明の発振器は、上記の圧電振動子が発振子として集積回路に接続されていることを特徴としている。
また、本発明の電子機器は、上記の圧電振動子を備えることを特徴としている。
また、本発明の電波時計は、上記の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。 The oscillator according to the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator is connected to an integrated circuit as an oscillator.
Moreover, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described piezoelectric vibrator.
The radio timepiece of the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator is electrically connected to a filter portion.

この発明に係る発振器、電子機器、電波時計によれば、周波数精度及び信頼性をより向上した圧電振動子を備えているので、精度及び信頼性を向上させたそれぞれ発振器、電子機器、電波時計を提供することができる。   According to the oscillator, the electronic device, and the radio timepiece according to the present invention, since the piezoelectric vibrator having improved frequency accuracy and reliability is provided, the oscillator, the electronic device, and the radio timepiece having improved accuracy and reliability are provided. Can be provided.

本発明の圧電振動片の製造方法によれば、周波数微調整工程を備えることで、効果的な周波数調整を行うことができるとともに、調整後に、酸化などの影響を受けて共振周波数が変動してしまうこと、及び、調整した部分が剥離してしまうことを防ぐことができ、周波数精度及び信頼性を向上させた圧電振動片を提供することができる。
また、本発明の圧電振動片によれば、イオンビームを照射可能な微調部を備えることで、効果的な周波数調整を行うことができるとともに、調整後の状態でも、酸化などの影響を受けて共振周波数が変動してしまうこと、及び、調整した部分が剥離してしまうことを防ぐことができ、周波数精度及び信頼性を向上させることができる。 According to the method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece of the present invention, the frequency fine adjustment step can be provided, so that effective frequency adjustment can be performed, and after the adjustment, the resonance frequency fluctuates due to the influence of oxidation or the like. In addition, it is possible to prevent the adjusted portion from being peeled off, and to provide a piezoelectric vibrating piece with improved frequency accuracy and reliability.
In addition, according to the piezoelectric vibrating piece of the present invention, it is possible to perform an effective frequency adjustment by including a fine adjustment unit that can irradiate an ion beam, and even after the adjustment, it is affected by oxidation and the like. The resonance frequency can be prevented from fluctuating and the adjusted portion can be prevented from peeling off, and the frequency accuracy and reliability can be improved.

また、本発明の圧電振動子によれば、上記の圧電振動片を備えることで、周波数精度及び信頼性の向上を図ることができる。
また、本発明の発振器、電子機器、及び、電波時計によれば、上記の圧電振動子を備えることで、精度及び信頼性の向上を図ることができる。 In addition, according to the piezoelectric vibrator of the present invention, it is possible to improve frequency accuracy and reliability by including the above-described piezoelectric vibrating piece.
In addition, according to the oscillator, the electronic device, and the radio timepiece of the invention, it is possible to improve accuracy and reliability by including the above-described piezoelectric vibrator.

（第１の実施形態）
図１及び図８は、この発明に係る第１の実施形態を示している。図１は、本実施形態の圧電振動片の斜視図を示している。また、図２は、図１に示す切断線Ａ−Ａにおける断面図を、図３は、切断線Ｂ−Ｂにおける断面図を示している。 (First embodiment)
1 and 8 show a first embodiment according to the present invention. FIG. 1 shows a perspective view of the piezoelectric vibrating piece of the present embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along a cutting line AA shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a cutting line BB.

図１及び図２に示すように、本実施形態の圧電振動片１は、音叉型の振動片であり、隣接した状態で互いに平行に配設された一対の振動腕部２、３と、振動腕部２、３の基端側を一体的に固定する基部４とを備えた圧電材片である水晶片１ａで形成されている。水晶片１ａの表面には、所定のパターンに形成された導電性膜２０が形成されている。導電性膜２０の膜材としては、導電性を有するとともに、水晶片１ａとの付着性が良好な材質が好適に選択され、例えば本実施形態においてはＣｒ（クロム）が選択される。そして、振動腕部２、３の表面には、この導電性膜２０の内の第１の部分２０ａによって形成された励振電極５が設けられている。励振電極５は、振動腕部２、３の上側主面２ａ、３ａ及び下側主面２ｂ、３ｂに形成された平面電極５ａと、振動腕部２、３の各側面２ｃ、３ｃに形成された側面電極５ｂとで構成されている。これら平面電極５ａと側面電極５ｂとは電気的に切り離されてパターニングされている。そして、これらの励振電極５に電圧を印加させることによって、振動腕部２、３を互いに接近または離間する方向に所定の共振周波数で振動させることが可能である。   As shown in FIGS. 1 and 2, the piezoelectric vibrating reed 1 according to the present embodiment is a tuning fork type vibrating reed, and includes a pair of vibrating arm portions 2 and 3 arranged in parallel with each other, and vibrations. It is formed of a crystal piece 1a which is a piezoelectric material piece provided with a base portion 4 that integrally fixes the base end sides of the arm portions 2 and 3 together. A conductive film 20 having a predetermined pattern is formed on the surface of the crystal piece 1a. As the film material of the conductive film 20, a material having conductivity and good adhesion to the crystal piece 1a is preferably selected. For example, Cr (chrome) is selected in this embodiment. An excitation electrode 5 formed by the first portion 20 a of the conductive film 20 is provided on the surfaces of the vibrating arms 2 and 3. The excitation electrode 5 is formed on the planar electrodes 5 a formed on the upper main surfaces 2 a and 3 a and the lower main surfaces 2 b and 3 b of the vibrating arm portions 2 and 3 and on the side surfaces 2 c and 3 c of the vibrating arm portions 2 and 3. Side electrode 5b. The planar electrode 5a and the side electrode 5b are electrically separated and patterned. Then, by applying a voltage to these excitation electrodes 5, the vibrating arm portions 2 and 3 can be vibrated at a predetermined resonance frequency in a direction approaching or separating from each other.

また、図２及び図３に示すように、振動腕部２、３において、励振電極５上にはさらに絶縁性の電極保護膜６が覆われていて、平面電極５ａと側面電極５ｂとの短絡を防止している。電極保護膜６は、本実施形態においてはＳｉＯ2で形成されているが、これに限らず絶縁性を有し、導電性膜２０に密着を図れる組成であれば良く、酸化物及び窒化物が好適に選択される。 Further, as shown in FIGS. 2 and 3, in the vibrating arms 2 and 3, an insulating electrode protective film 6 is further covered on the excitation electrode 5, and a short circuit between the planar electrode 5a and the side electrode 5b is performed. Is preventing. The electrode protective film 6 is formed of SiO 2 in the present embodiment, but is not limited thereto, and may be any composition that has an insulating property and can be in close contact with the conductive film 20. It is preferably selected.

また、基部４において、下側主面４ｂには、後述する外部電極１０４ａ（以下、インナーリードと称す）と接続可能な外部電極接続部７（以下、マウントパッドと称す）が設けられている。図２に示すように、マウントパッド７は、所定のパターンで形成された導電性膜２０の内の第２の部分２０ｂと、第２の部分２０ｂの表面に成膜された金属膜８とで構成されている。金属膜８は、本実施形態においては２層で形成されていて、導電性膜２０の第２の部分２０ｂの表面に成膜されたＮｉＣｒ（ニッケルクロム合金）膜８ａと、ＮｉＣｒ膜８ａ上に成膜されたＡｕ（金）膜８ｂとで構成される。ここで、ＮｉＣｒ膜８ａ中のＮｉ（ニッケル）は、後述するインナーリード１０４ａとのハンダ接合に際し、ハンダとの合金層を形成してインナーリード１０４ａとの接続強度を向上させることができる。また、Ａｕ膜８ｂは、同様にハンダとの合金層を形成するほか、ＮｉＣｒ膜８ａの表面の酸化を防いで、ハンダの濡れ性を向上させることができる。また、最下層の導電性膜２０の第２の部分２０ｂは、上側主面４ａまでパターニングされていて、それぞれ、振動腕部２、３の上側主面２ａ、３ａ及び下側主面２ｂ、３ｂにおいて、励振電極５の平面電極５ａ及び側面電極５ｂを形成する第１の部分２０ａと連続して形成されている。   In the base portion 4, an external electrode connection portion 7 (hereinafter referred to as a mount pad) that can be connected to an external electrode 104 a (hereinafter referred to as an inner lead) to be described later is provided on the lower main surface 4 b. As shown in FIG. 2, the mount pad 7 includes a second portion 20b in the conductive film 20 formed in a predetermined pattern and a metal film 8 formed on the surface of the second portion 20b. It is configured. The metal film 8 is formed in two layers in this embodiment, and is formed on the NiCr (nickel chromium alloy) film 8a formed on the surface of the second portion 20b of the conductive film 20 and the NiCr film 8a. The Au (gold) film 8b is formed. Here, Ni (nickel) in the NiCr film 8a can improve the connection strength with the inner lead 104a by forming an alloy layer with the solder when soldering with the inner lead 104a described later. Similarly, the Au film 8b forms an alloy layer with the solder, and also prevents the surface of the NiCr film 8a from being oxidized, thereby improving the wettability of the solder. The second portion 20b of the lowermost conductive film 20 is patterned up to the upper main surface 4a, and the upper main surfaces 2a and 3a and the lower main surfaces 2b and 3b of the vibrating arm portions 2 and 3, respectively. The first electrode 20a is formed continuously with the first portion 20a that forms the planar electrode 5a and the side electrode 5b of the excitation electrode 5.

また、振動腕部２、３の励振電極５が設けられた位置よりも先端側には、水晶片１ａの共振周波数を微調整するための微調部９が設けられているとともに、さらに先端側には、粗調整するための粗調部１０が設けられている。本実施形態において微調部９は、振動腕部２、３の各上側主面２ａ、３ａにのみ設けられている。微調部９は、対応する位置で各上側主面２ａ、３ａを露出させた水晶片１ａの一部分である。   Further, a fine adjustment portion 9 for finely adjusting the resonance frequency of the crystal piece 1a is provided on the tip side of the position where the excitation electrode 5 of the vibrating arms 2 and 3 is provided, and further on the tip side. Is provided with a coarse adjustment unit 10 for coarse adjustment. In the present embodiment, the fine adjustment portion 9 is provided only on the upper main surfaces 2 a and 3 a of the vibrating arm portions 2 and 3. The fine adjustment portion 9 is a part of the crystal piece 1a in which the upper main surfaces 2a and 3a are exposed at the corresponding positions.

粗調部１０は、上側主面２ａ、３ａにのみ設けられていて、所定のパターンで形成された導電性膜２０の内の第３の部分２０ｃと、第３の部分２０ｃの表面に成膜されたＣｒ膜１０ａと、このＣｒ膜１０ａ上に成膜されたＡｇ（銀）膜１０ｂと、Ａｇ膜１０ｂ上に成膜されたＣｒ膜１０ｃとで構成されている。なお、微調部９及び粗調部１０によって水晶片１ａの共振周波数を調整する詳細については後述する。   The coarse adjustment portion 10 is provided only on the upper main surfaces 2a and 3a, and is formed on the surfaces of the third portion 20c and the third portion 20c of the conductive film 20 formed in a predetermined pattern. The formed Cr film 10a, the Ag (silver) film 10b formed on the Cr film 10a, and the Cr film 10c formed on the Ag film 10b. Details of adjusting the resonance frequency of the crystal piece 1a by the fine tuning unit 9 and the coarse tuning unit 10 will be described later.

図４は、この圧電振動片を備えた圧電振動子の斜視図を示している。本実施形態においては、圧電振動片１を備えた圧電振動子として、シリンダーパッケージタイプの圧電振動子を例にして説明する。図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１００は、圧電振動片１と、圧電振動片１を内部に収納する有底円筒状のケース１０１と、圧電振動片１をケース１０１内に密閉させる気密端子１０２とを備える。   FIG. 4 is a perspective view of a piezoelectric vibrator provided with this piezoelectric vibrating piece. In the present embodiment, a cylinder package type piezoelectric vibrator will be described as an example of the piezoelectric vibrator including the piezoelectric vibrating piece 1. As shown in FIG. 4, the piezoelectric vibrator 100 of this embodiment includes a piezoelectric vibrating piece 1, a bottomed cylindrical case 101 that houses the piezoelectric vibrating piece 1, and the piezoelectric vibrating piece 1 in the case 101. And an airtight terminal 102 to be hermetically sealed.

気密端子１０２は、金属性材料で形成された環状のステム１０３と、ステム１０３を貫くように配設され、圧電振動片１のマウントパッド７に電気的及び物理的にそれぞれ接続された２本の外部電極であるリード１０４と、リード１０４とステム１０３とを絶縁状態で一体的に固定すると共にケース１０１内を密封させる充填剤１０５とで構成されている。充填剤１０５の材料は、例えばホウケイ酸ガラスなどである。なお、２本のリード１０４は、ケース１０１内に突出している部分がインナーリード１０４ａとなり、ケース１０１外に突出している部分がアウターリード１０４ｂとなっている。そして、このアウターリード１０４ｂが、外部接続端子として機能するようになっている。ケース１０１は、気密端子１０２のステム１０３の外周に対して圧入されて、嵌合固定されている。このケース１０１の圧入は、真空雰囲気下で行われているため、ケース１０１内の圧電振動片１を囲む空間は、真空に保たれた状態で密閉されている。   The hermetic terminal 102 includes an annular stem 103 formed of a metallic material and two stems disposed so as to penetrate the stem 103 and electrically and physically connected to the mount pad 7 of the piezoelectric vibrating piece 1. The lead 104, which is an external electrode, and a filler 105 that integrally fixes the lead 104 and the stem 103 in an insulated state and seals the inside of the case 101 are configured. The material of the filler 105 is, for example, borosilicate glass. Note that, in the two leads 104, a portion protruding into the case 101 is an inner lead 104a, and a portion protruding outside the case 101 is an outer lead 104b. The outer lead 104b functions as an external connection terminal. The case 101 is press-fitted into the outer periphery of the stem 103 of the airtight terminal 102 and is fixedly fitted. Since the case 101 is press-fitted in a vacuum atmosphere, the space surrounding the piezoelectric vibrating reed 1 in the case 101 is hermetically sealed in a vacuum state.

次に、圧電振動片１及び圧電振動片１を備えた圧電振動子１００の製造方法について説明する。図５に圧電振動片の製造工程のフロー図を、また、図６に工程図を示す。また、図７に製作した圧電振動片から圧電振動子を組立てる工程のフロー図を示す。   Next, a manufacturing method of the piezoelectric vibrator 100 including the piezoelectric vibrating piece 1 and the piezoelectric vibrating piece 1 will be described. FIG. 5 is a flowchart of the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece, and FIG. 6 is a process diagram. FIG. 7 is a flowchart showing a process of assembling a piezoelectric vibrator from the manufactured piezoelectric vibrating piece.

図５に示すように、まず、水晶のランバード原石をワークテーブルに配置し、Ｘ線回折法を援用して、ランバード原石の向きを所定の切断角度になるように設定する。次に、例えば、ワイヤソーなどの切断装置によってランバード原石をスライスして、略２００μｍの厚みのウエハに切断する（ステップＳ１０）。通常、切断には遊離砥粒が慣用される。また、切断用のワイヤーには、線径が例えば１６０μｍ程度の高炭素鋼線が用いられる。   As shown in FIG. 5, first, a quartz lumbard rough is placed on a work table, and an X-ray diffraction method is used to set the direction of the lumbard rough to a predetermined cutting angle. Next, for example, the lumbar raw stone is sliced by a cutting device such as a wire saw and cut into a wafer having a thickness of about 200 μm (step S10). Usually, loose abrasive grains are commonly used for cutting. Further, a high carbon steel wire having a wire diameter of, for example, about 160 μm is used for the cutting wire.

次に、ウエハが一定の厚みになるまで研磨を行う（ステップＳ２０）。通常、研磨は、粒径の粗い遊離砥粒で粗ラッピングを行い、さらに、粒径の細かい遊離砥粒による仕上げのラッピングを行う。この後、表面をエッチングして加工変質層を除去した後に、ポリッシュ加工を行って所定の厚さ及び平面度を有する鏡面に仕上げる。ウエハの厚さは、振動片の小型化とともに薄くなり、略５０μｍから１３０μｍに仕上げられる。   Next, polishing is performed until the wafer has a certain thickness (step S20). Usually, the polishing is performed by rough lapping with loose abrasive grains having a coarse particle diameter, and further by lapping of finishing with loose abrasive grains having a fine particle diameter. Thereafter, the surface is etched to remove the work-affected layer, and then polished to finish a mirror surface having a predetermined thickness and flatness. The thickness of the wafer is reduced with the size reduction of the resonator element, and is finished from about 50 μm to 130 μm.

次に、外形形成工程Ｓ３０を行う。まず、ウエハを純粋または超純粋で洗浄し乾燥した後、スパッタリングなどの成膜手段によって、ウエハの両面にマスク用の金属薄膜を所定の膜厚で成膜する。続いて、フォトリソグラフィー技術によって水晶片１ａの外形を形成する。図６（ａ）、（ｂ）は、本工程において形成される水晶片１ａを示していて、（ａ）が平面図を、（ｂ）が側面図を示している。具体的には、レジストを両面に塗布した後に、外形用マスクで両面を露光し、現像を行うことで、レジストによる外形のマスクパターンを得ることができる。この後、エッチング液で不要な金属パターンを除去することで、金属膜のマスクパターンを得ることができる。そして、レジストを除去した後、フッ酸系の水溶液でウエハをエッチングすることで、ウエハ上に水晶片１ａとなる複数の外形を形成することができる。そして、外形形成完了後に、エッチング用マスクとして用いた金属膜をすべて剥離することで、図６（ａ）、（ｂ）に示す水晶片１ａが形成される。なお、図６（ａ）、（ｂ）において、水晶片１ａは個片化されているが、実際には図示しない連結部によって多数の水晶片１ａが連結された状態で以下の工程を行っている。   Next, an outer shape forming step S30 is performed. First, the wafer is washed with pure or ultrapure and dried, and then a metal thin film for masking is formed on both surfaces of the wafer with a predetermined film thickness by film forming means such as sputtering. Subsequently, the outer shape of the crystal piece 1a is formed by photolithography. 6A and 6B show the crystal piece 1a formed in this step, where FIG. 6A shows a plan view and FIG. 6B shows a side view. Specifically, after applying a resist on both sides, both sides are exposed with an outer shape mask and developed, whereby a mask pattern of the outer shape can be obtained. Thereafter, an unnecessary metal pattern is removed with an etching solution, whereby a mask pattern of the metal film can be obtained. Then, after removing the resist, the wafer is etched with a hydrofluoric acid-based aqueous solution, whereby a plurality of outer shapes to be crystal pieces 1a can be formed on the wafer. Then, after completion of the outer shape formation, all the metal film used as the etching mask is peeled to form the crystal piece 1a shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b). 6 (a) and 6 (b), the crystal piece 1a is singulated, but in practice, the following steps are performed in a state where a large number of crystal pieces 1a are connected by a connecting portion (not shown). Yes.

次に、導電性膜形成工程Ｓ４０を行う。具体的には、水晶片１ａにおいて、振動腕部２、３及び基部４の各上側主面２ａ、３ａ、４ａ、各下側主面２ｂ、３ｂ、４ｂ、及び、側面２ｃ、３ｃ、４ｃに、スパッタリングなどの成膜手段によって、Ｃｒを膜材とする導電性膜２０を成膜する。図６（ｃ）は、成膜完了後の水晶片１ａの側面図を示している。なお、導電性膜２０の厚みは、誇張して描いている。また、導電性膜２０として選択したＣｒは、水晶との密着性が良好であるため、水晶片１ａの表面に、導電性及び密着性が良好な膜を成膜することができる。   Next, a conductive film forming step S40 is performed. Specifically, in the crystal piece 1a, the upper main surfaces 2a, 3a and 4a, the lower main surfaces 2b, 3b and 4b, and the side surfaces 2c, 3c and 4c of the vibrating arms 2 and 3 and the base 4 are formed. The conductive film 20 using Cr as a film material is formed by a film forming means such as sputtering. FIG. 6C shows a side view of the crystal piece 1a after completion of film formation. Note that the thickness of the conductive film 20 is exaggerated. Moreover, since Cr selected as the conductive film 20 has good adhesion to the crystal, a film having good conductivity and adhesion can be formed on the surface of the crystal piece 1a.

次に、導電性膜パターン形成工程Ｓ５０として、フォトリソグラフィー技術を用いて、マウントパッド７、励振電極５、及び粗調部１０と対応する各位置で導電性膜２０のパターニングを行う。具体的には、導電性膜２０が成膜された水晶片１ａに、静電塗布技術や回転スプレーなどを用いてレジスト膜を形成し、加熱処理後、露光機を用いて、マウントパッド７、励振電極５、及び粗調部１０と対応する導電性膜２０のパターンに露光する。続いて現像を行い、レジスト膜にマスクとなるパターンを形成する。その後、水晶片１ａをＣｒのエッチング液に浸漬することで導電性膜２０はパターニングされる。Ｃｒのエッチング液としては、過塩素酸と硫酸セリウムアンモンの混合水溶液が慣用される。これによって、図６（ｄ）に示すように、励振電極５、マウントパッド７、及び粗調部１０と対応する導電性膜２０の第１の部分２０ａ、第２の部分２０ｂ、及び第３の部分２０ｃがそれぞれ形成されるとともに、微調部９となる位置の導電性膜２０は除去されて水晶片１ａの上側主面２ａ、３ａが露出することとなる。最後に、マスクであるレジストを剥離し、洗浄と乾燥を行う。   Next, as the conductive film pattern forming step S50, the conductive film 20 is patterned at each position corresponding to the mount pad 7, the excitation electrode 5, and the coarse adjustment portion 10 by using a photolithography technique. Specifically, a resist film is formed on the crystal piece 1a on which the conductive film 20 is formed using an electrostatic coating technique or rotary spraying, and after the heat treatment, the exposure pad is used to mount the mount pad 7; The pattern of the conductive film 20 corresponding to the excitation electrode 5 and the coarse adjustment portion 10 is exposed. Subsequently, development is performed to form a pattern serving as a mask on the resist film. Thereafter, the conductive film 20 is patterned by immersing the crystal piece 1a in an etching solution of Cr. As the Cr etching solution, a mixed aqueous solution of perchloric acid and cerium ammonium sulfate is commonly used. Thereby, as shown in FIG. 6D, the first portion 20a, the second portion 20b, and the third portion of the conductive film 20 corresponding to the excitation electrode 5, the mount pad 7, and the coarse adjustment portion 10 are obtained. Each of the portions 20c is formed, and the conductive film 20 at the position that becomes the fine adjustment portion 9 is removed to expose the upper main surfaces 2a and 3a of the crystal piece 1a. Finally, the resist that is the mask is removed, and cleaning and drying are performed.

次に、粗調部追加成膜工程Ｓ６０として、粗調部１０を形成する導電性膜２０の第３の部分２０ｃ上にさらに追加成膜することで、粗調部１０を形成する。図６（ｆ）に示すように、まず、導電性膜２０の第３の部分２０ｃの表面に、さらにＣｒ膜１０ａを成膜する。次に、Ｃｒ膜１０ａ上に、重りとなるＡｇ膜１０ｂを成膜する。なお、重りとして作用するこの層は、Ａｇ膜に限らず他の組成によるものとしても良い。そして、図６（ｆ）に示すように、Ａｇ膜１０ｂ上にさらにＣｒ膜１０ｃを成膜することで、粗調部１０が形成される。ここで、粗調部１０は、まず、Ｃｒを膜材とする導電性膜２０を水晶片１ａの表面に成膜することによって水晶片１ａとの密着性を図ることができる。さらに、重りとなるＡｇ膜１０ｂを成膜するにあたってＣｒ膜１０ａを成膜することで、下地となる導電性膜２０との密着性を向上させることができる。また、Ａｇ膜１０ｂ上にＣｒ膜１０ｃを成膜することで、Ａｇ膜１０ｂ表面の安定化を図り、酸化などによって変化してしまうことを抑制することができる。また、このようなＣｒ膜１０ａ、Ａｇ膜１０ｂ、及びＣｒ膜１０ｃの３層構造の成膜手法としては、蒸着法が好適であり、容易に実施することができる。   Next, as the coarse adjustment portion additional film forming step S60, the coarse adjustment portion 10 is formed by further forming an additional film on the third portion 20c of the conductive film 20 forming the coarse adjustment portion 10. As shown in FIG. 6 (f), first, a Cr film 10 a is further formed on the surface of the third portion 20 c of the conductive film 20. Next, an Ag film 10b serving as a weight is formed on the Cr film 10a. Note that this layer acting as a weight is not limited to the Ag film, but may be of another composition. Then, as shown in FIG. 6 (f), the coarse adjustment portion 10 is formed by further forming a Cr film 10c on the Ag film 10b. Here, the coarse adjustment part 10 can aim at adhesiveness with the crystal piece 1a by forming the conductive film 20 which uses Cr as a film material first on the surface of the crystal piece 1a. Further, when the Ag film 10b to be weighted is formed, the adhesion with the conductive film 20 to be the base can be improved by forming the Cr film 10a. Further, by forming the Cr film 10c on the Ag film 10b, the surface of the Ag film 10b can be stabilized and can be prevented from changing due to oxidation or the like. Moreover, as a film forming method of such a three-layer structure of the Cr film 10a, the Ag film 10b, and the Cr film 10c, a vapor deposition method is suitable and can be easily performed.

次に、電極保護膜形成工程Ｓ７０として、振動腕部２、３において、励振電極５として導電性膜２０の第１の部分２０ａを形成した領域に、ＳｉＯ2膜からなる電極保護膜６を成膜する。具体的には、第１の部分２０ａが形成された領域と対向した位置に貫通穴を配置した金属製マスクを２枚準備し、水晶片１ａをこの金属マスクで挟み込む。この状態で、スパッタ装置などで水晶片１ａの対象となる範囲にＳｉＯ2膜を成膜して行うことで、図６（ｇ）に示すように、電極保護膜６が形成されることとなる。なお、電極保護膜形成工程Ｓ７０は、粗調部追加成膜工程Ｓ６０より先に行うものとしても良い。特に、粗調部１０の最表層がＡｇ膜など非常に酸化しやすい膜である場合で、電極保護膜６を形成する際に脱落するおそれがある場合には有効である。なお、上述のように電極保護膜６はＳｉＯ2膜であるとしたが、他の酸化物からなる膜としても良いし、窒化物からなる膜としても良い。窒化物からなる膜の場合には、スパッタリング法やＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ法において成膜を低温で行うことが可能となる点で有利な効果を有する。 Next, as an electrode protective film forming step S70, an electrode protective film 6 made of a SiO 2 film is formed in the region where the first portion 20a of the conductive film 20 is formed as the excitation electrode 5 in the vibrating arms 2 and 3. Film. Specifically, two metal masks having through holes arranged at positions facing the region where the first portion 20a is formed are prepared, and the crystal piece 1a is sandwiched between the metal masks. In this state, an electrode protective film 6 is formed as shown in FIG. 6G by forming a SiO 2 film in a target area of the crystal piece 1a with a sputtering apparatus or the like. . The electrode protective film forming step S70 may be performed before the coarse adjustment portion additional film forming step S60. In particular, it is effective when the outermost layer of the coarse adjustment portion 10 is a film that is very easily oxidized, such as an Ag film, and may fall off when the electrode protective film 6 is formed. Although the electrode protection film 6 is an SiO 2 film as described above, it may be a film made of another oxide or a film made of nitride. In the case of a film made of nitride, there is an advantageous effect in that film formation can be performed at a low temperature by a sputtering method or an ECR (electron cyclotron resonance) plasma method.

次に、外部電極接続部追加成膜工程Ｓ８０として、導電性膜２０の第２の部分２０ｂにさらに金属膜８を追加成膜することで、マウントパッド７を形成する。具体的には、金属製マスクを準備し、スパッタリングなどの成膜手段によって導電性膜２０上に順次ＮｉＣｒ膜８ａと、Ａｕ膜８ｂを成膜する。   Next, as an external electrode connection portion additional film formation step S80, the metal pad 8 is additionally formed on the second portion 20b of the conductive film 20, thereby forming the mount pad 7. Specifically, a metal mask is prepared, and a NiCr film 8a and an Au film 8b are sequentially formed on the conductive film 20 by film forming means such as sputtering.

次に、周波数粗調整工程Ｓ９０として、水晶片１ａの共振周波数の調整を行う。水晶片１ａの共振周波数の調整は、目標とする共振周波数を基準とする広いレンジの中に追い込むことを目的とする粗調と、最終的に要求される周波数精度まで追い込む微調とがあるが、Ｓ９０では粗調を行う。   Next, as the frequency rough adjustment step S90, the resonance frequency of the crystal piece 1a is adjusted. The adjustment of the resonance frequency of the crystal piece 1a includes a rough adjustment for the purpose of driving into a wide range based on the target resonance frequency and a fine adjustment for driving to the finally required frequency accuracy. In S90, rough adjustment is performed.

まず、図６（ｈ）に示すように、粗調部１０にレーザー光Ｌを瞬間的に照射して、粗調部１０を構成する各層を部分的に蒸発させる。この際、下側主面２ｂ、３ｂ側から水晶片１ａを透過させてレーザー光Ｌを粗調部１０に照射するとともに、蒸発した粗調部１０の金属蒸気を、上側主面２ａ、３ａ側から吸引することで、この金属蒸気が他の部分に再付着することを防ぐことができる。そして、粗調部１０の重量を低減させることで、これに相当する分だけ周波数が高くなっていく。そして、周波数を確認しながら、目標とする共振周波数を基準とするレンジの中に周波数が入るまでレーザー光Ｌのスポットを粗調部１０内で走査する。ここで、レーザー光Ｌを照射した際に、各層の温度が急上昇して、振動腕部２、３の稜線部分の膜（図示せず）が部分的に剥がれてしまう現象が発生する場合がある。これは、下地の導電性膜２０の第３の部分２０ｃと新たに成膜した膜との密着性が劣る場合に発生する現象であり、圧電振動子の共振周波数の変動の要因になる。しかしながら、下地層である導電性膜２０の第３の部分２０ｃとＡｇ膜１０ｂとの間には、下地層との密着性を考慮してＣｒ膜１０ａを設けていることで、このような現象の発生を防ぐことができる。そして、周波数調整後に、水晶片１ａを超音波洗浄して工程中で表面に付着した微粒子等を除去し乾燥させることで、圧電振動片１が完成する。   First, as shown in FIG. 6 (h), the laser light L is instantaneously applied to the coarse adjustment unit 10 to partially evaporate each layer constituting the coarse adjustment unit 10. At this time, the crystal piece 1a is transmitted from the lower main surface 2b, 3b side to irradiate the rough tuning unit 10 with the laser light L, and the evaporated metal vapor of the rough tuning unit 10 is supplied to the upper main surface 2a, 3a side. It is possible to prevent the metal vapor from re-adhering to other parts. Then, by reducing the weight of the coarse adjustment unit 10, the frequency is increased by an amount corresponding to this. Then, while checking the frequency, the spot of the laser light L is scanned in the coarse adjustment unit 10 until the frequency falls within the range based on the target resonance frequency. Here, when the laser beam L is irradiated, the temperature of each layer rises rapidly, and a phenomenon may occur in which a film (not shown) on the ridge line portion of the vibrating arms 2 and 3 is partially peeled off. . This is a phenomenon that occurs when the adhesion between the third portion 20c of the underlying conductive film 20 and the newly formed film is poor, and causes fluctuations in the resonance frequency of the piezoelectric vibrator. However, since the Cr film 10a is provided between the third portion 20c of the conductive film 20 as the underlayer and the Ag film 10b in consideration of the adhesion with the underlayer, such a phenomenon is caused. Can be prevented. Then, after the frequency adjustment, the crystal piece 1a is ultrasonically cleaned to remove fine particles and the like adhering to the surface in the process and dry, thereby completing the piezoelectric vibrating piece 1.

なお、この段階での周波数調整は粗調のみで、さらに微調を行うことではじめて要求される周波数精度を有する圧電振動片１となるが、本実施形態においては、微調については圧電振動片１を気密端子１０２に搭載して圧電振動子１００を組立てる工程内において実施し、その詳細は後述する。また、本工程においてレーザー光Ｌが照射された導電性膜２０の第３の部分２０ｃ及びＣｒ膜１０ａ、１０ｃは、活性化され、大気中に曝されることで酸化等して重量がごく微小量変化してしまうこととなるが、本工程は粗調整のみを目的とするので、この段階でわずかな重量変化が問題となることは無い。   Note that the frequency adjustment at this stage is only coarse adjustment, and the piezoelectric vibrating reed 1 having the required frequency accuracy is obtained only by performing fine adjustment. In this embodiment, the piezoelectric vibrating reed 1 is used for fine adjustment. This is carried out in the process of assembling the piezoelectric vibrator 100 by being mounted on the hermetic terminal 102, details of which will be described later. In addition, the third portion 20c of the conductive film 20 and the Cr films 10a and 10c irradiated with the laser light L in this process are activated and exposed to the atmosphere, and thus oxidize or the like to have a very small weight. Although the amount will change, this step is intended only for coarse adjustment, so a slight change in weight will not be a problem at this stage.

次に、この圧電振動子１００を組立てる工程について、図７及び図４を参照して説明する。図７に、圧電振動子１００を組立てる工程のフロー図を示す。図７に示すように、まず、上述のように製造された圧電振動片１を簡易な冶具やレーザーを用いて図示しない連結部から切断して個々の圧電振動片にした後に、所定の冶具に整列させる（ステップＳ１００）。   Next, the process of assembling the piezoelectric vibrator 100 will be described with reference to FIGS. FIG. 7 shows a flowchart of a process for assembling the piezoelectric vibrator 100. As shown in FIG. 7, first, the piezoelectric vibrating reed 1 manufactured as described above is cut from a connecting portion (not shown) using a simple jig or laser to form individual piezoelectric vibrating reeds. Align (step S100).

次に、図４に示すように、気密端子１０２のインナーリード１０４ａと圧電振動片１の位置合わせを行い、インナーリード１０４ａの表面に形成されたＳｎＣｕ（錫銅合金）やＳｎＰｂ（錫鉛合金）のメッキ膜を熱風、光、放電熱等のエネルギーにより溶融させ、圧電振動片１の基部４に設けられたマウントパッド７に接続（マウント）する（ステップＳ１１０）。これにより、圧電振動片１は、インナーリード１０４ａと機械的かつ電気的に接続される。本工程では、メッキの濡れ性及び接続強度の管理が重要である。次に、圧電振動片１を接続した気密端子１０２を、真空中において所定の温度をかけてアニールを行い、接合で発生した歪を緩和させる（ステップ１２０）。   Next, as shown in FIG. 4, the inner lead 104a of the airtight terminal 102 and the piezoelectric vibrating piece 1 are aligned, and SnCu (tin copper alloy) or SnPb (tin lead alloy) formed on the surface of the inner lead 104a. The plated film is melted by energy such as hot air, light, or discharge heat, and connected (mounted) to the mount pad 7 provided on the base portion 4 of the piezoelectric vibrating piece 1 (step S110). Thereby, the piezoelectric vibrating piece 1 is mechanically and electrically connected to the inner lead 104a. In this step, it is important to manage the wettability and the connection strength of the plating. Next, the airtight terminal 102 to which the piezoelectric vibrating reed 1 is connected is annealed by applying a predetermined temperature in a vacuum to relieve the distortion generated in the bonding (step 120).

次に、周波数微調整工程Ｓ１３０として、圧電振動片１の共振周波数の微調を行う。微調は、圧電振動片１を最終的に封止する環境と同一のもので行う最後の微小量の調整であり、デバイスの公称周波数の所定の範囲内に調整する。図８及び図９にその概要図を示す。図８及び図９に示すように、真空雰囲気下に圧電振動片１を配置し、微調部９と対応する位置に窓１１ａが形成されたマスク１１を配置する。この状態で、イオンガン１２によって例えばアルゴンイオンのプラズマを発生させて、イオンビームＩを照射させる。イオンビームＩはマスク１１の窓１１ａから露出する微調部９である水晶片１ａの表面に照射され、照射部９ａで示す部分が削り取られる。このイオンビームＩの照射を、発振周波数を計測しながら行って、共振振動数の微調を行う。図１０は、周波数微調整工程Ｓ１３０におけるイオンビームＩの照射時間と圧電振動片１の周波数との関係を示している。図１０に示すように、イオンビームＩを微調部９に照射することによって、その経過時間に従って照射部９ａが削り取られて、圧電振動片１の重量が振動腕部２、３の先端側で軽くなる。このため、計測される発振周波数は経過時間に伴って高い値を示すこととなる。そして、この発振周波数が、目標とする共振周波目標値Ｆ１に対して設定される下限値Ｆ２と上限値Ｆ３との間に位置するところ（符号Ｆ４）でイオンビームＩの照射を停止させることで、所定の共振周波数に調整することができる。   Next, as a frequency fine adjustment step S130, the resonance frequency of the piezoelectric vibrating piece 1 is finely adjusted. The fine adjustment is a final minute adjustment performed in the same environment as that in which the piezoelectric vibrating reed 1 is finally sealed, and is adjusted within a predetermined range of the nominal frequency of the device. The schematic diagram is shown in FIGS. As shown in FIGS. 8 and 9, the piezoelectric vibrating reed 1 is disposed in a vacuum atmosphere, and a mask 11 having a window 11 a formed at a position corresponding to the fine adjustment portion 9 is disposed. In this state, for example, argon ion plasma is generated by the ion gun 12 and the ion beam I is irradiated. The ion beam I is applied to the surface of the crystal piece 1a, which is the fine adjustment portion 9 exposed from the window 11a of the mask 11, and the portion indicated by the irradiation portion 9a is scraped off. Irradiation of the ion beam I is performed while measuring the oscillation frequency to finely adjust the resonance frequency. FIG. 10 shows the relationship between the irradiation time of the ion beam I and the frequency of the piezoelectric vibrating piece 1 in the fine frequency adjustment step S130. As shown in FIG. 10, by irradiating the fine adjustment unit 9 with the ion beam I, the irradiation unit 9 a is scraped off according to the elapsed time, and the weight of the piezoelectric vibrating reed 1 is lightened on the tip side of the vibrating arms 2 and 3. Become. For this reason, the measured oscillation frequency shows a high value with the elapsed time. The irradiation of the ion beam I is stopped when the oscillation frequency is located between the lower limit value F2 and the upper limit value F3 set for the target resonance frequency target value F1 (reference numeral F4). , And can be adjusted to a predetermined resonance frequency.

ここで、周波数微調整工程Ｓ１３０においては、微調部９として削り取る対象が圧電材である水晶であるため、安定性を有し、表面が活性化されてしまうことが無い。このため、周波数微調整工程Ｓ１３０を行った後にイオンビームＩを照射した部分が酸化等の影響を受けてしまうことが無く、微調後の重量変動、すなわち周波数の変動を防ぐことができる。また、イオンビームＩは照射した水晶片１ａの表面のみに作用し、水晶片１ａを透過することが無い。このため、微調部９の表面の剥離を生じさせてしまうことなどが無い。また、図８に示すように微調部９が設けられた上側主面２ａ、３ａと反対側の下側主面２ｂ、３ｂに対応する位置に、例えば導電性膜２０ｄが形成されていたとしても、イオンビームＩが。このような照射した部分以外に作用して、酸化等の影響を発生させてしまうことも無い。   Here, in the frequency fine adjustment step S130, since the object to be scraped off as the fine adjustment portion 9 is a quartz crystal that is a piezoelectric material, the surface is stable and the surface is not activated. For this reason, the portion irradiated with the ion beam I after performing the frequency fine adjustment step S130 is not affected by oxidation or the like, and weight fluctuation after fine adjustment, that is, fluctuation in frequency can be prevented. Further, the ion beam I acts only on the surface of the irradiated crystal piece 1a and does not pass through the crystal piece 1a. For this reason, the surface of the fine adjustment portion 9 is not peeled off. Moreover, as shown in FIG. 8, even if the conductive film 20d is formed at a position corresponding to the lower main surfaces 2b and 3b opposite to the upper main surfaces 2a and 3a provided with the fine adjustment portion 9, for example. Ion beam I. It does not act on the part other than the irradiated part to cause the influence of oxidation or the like.

次に、図４及び図７に示すように、各気密端子１０２に対向する位置にケース１０１を配置し、真空中でケース１０１を、圧電振動片１を覆うように圧入して気密封止する（ステップＳ１４０）。気密端子１０２のステム１０３の外環には、図示しないメッキ層が形成されており、しまりばめに設計されたケース１０１の内面とメッキ層が密着し気密封止を実現している。なお、ステム１０３の外環に形成されるメッキ層は、気密端子１０２のインナーリード１０４ａの表面に形成されるメッキ層と同一の材料であり、１０から１５μｍの厚みを有する。メッキの形成は、バレルメッキ法が慣用されている。そして、気密封止の後に、周波数の安定化のために、真空中または大気中で所定の温度でスクリーニングを行う（ステップＳ１５０）。その後、共振周波数及び共振抵抗値等の電気特性を検査する（ステップＳ１６０）。上述の工程を実施して圧電振動子１００が完成する。   Next, as shown in FIGS. 4 and 7, the case 101 is arranged at a position facing each airtight terminal 102, and the case 101 is press-fitted in a vacuum so as to cover the piezoelectric vibrating reed 1 and hermetically sealed. (Step S140). A plating layer (not shown) is formed on the outer ring of the stem 103 of the hermetic terminal 102, and the inner surface of the case 101 designed for tight fit and the plating layer are in close contact to realize hermetic sealing. The plating layer formed on the outer ring of the stem 103 is the same material as the plating layer formed on the surface of the inner lead 104a of the hermetic terminal 102, and has a thickness of 10 to 15 μm. Barrel plating is commonly used to form the plating. After the hermetic sealing, screening is performed at a predetermined temperature in a vacuum or in the atmosphere to stabilize the frequency (step S150). Thereafter, electrical characteristics such as resonance frequency and resonance resistance value are inspected (step S160). The piezoelectric vibrator 100 is completed by performing the above-described steps.

以上のように、本実施形態の圧電振動片１においては、微調部９によって効果的に周波数調整することができるとともに、微調後に酸化等の影響を受けて共振周波数が変化してしまうことを防ぐことができる。このため、微調を行った後の工程を、その環境下のまま行う必要が無く、必要に応じて大気中に取り出すことが可能となり、所望の周波数精度を実現可能なだけでなく、微調後の工程を容易なものとすることができる。また、微調部９として水晶片１ａそのものを削り取る構成とすることで、成膜する工程を必要せず、工程数の削減を図って生産効率を向上させることができる。   As described above, in the piezoelectric vibrating reed 1 according to the present embodiment, the frequency can be effectively adjusted by the fine tuning unit 9, and the resonance frequency is prevented from changing due to the influence of oxidation or the like after the fine tuning. be able to. For this reason, it is not necessary to carry out the process after fine adjustment in the environment, and it can be taken out into the atmosphere as needed, and not only can the desired frequency accuracy be realized, but also after fine adjustment. The process can be made easy. Further, by adopting a configuration in which the crystal piece 1a itself is scraped off as the fine tuning unit 9, a process for forming a film is not required, and the number of processes can be reduced to improve production efficiency.

また、本実施形態の圧電振動子１００においては、上述のように共振周波数が酸化等によって変化してしまうことを防ぐことが可能な圧電振動片１を備えることで、周波数精度及び信頼性の向上を図ることができる。また、圧電振動片１の生産効率の向上によって、製造コストの低減を図ることができる。   Further, the piezoelectric vibrator 100 according to the present embodiment includes the piezoelectric vibrating reed 1 capable of preventing the resonance frequency from being changed by oxidation or the like as described above, thereby improving frequency accuracy and reliability. Can be achieved. Further, the production cost can be reduced by improving the production efficiency of the piezoelectric vibrating piece 1.

（第２の実施形態）
図１１から図１５は、この発明に係る第２の実施形態を示している。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。 (Second Embodiment)
11 to 15 show a second embodiment according to the present invention. In this embodiment, members that are the same as those used in the above-described embodiment are assigned the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

図１１は、この実施形態の圧電振動片の断面図を示している。図１１に示すように、圧電振動片３０は、水晶片１ａにおいて、振動腕部２、３の両面、すなわち上側主面２ａ、３ａ及び下側主面２ｂ、３ｂにそれぞれ微調部３１が設けられている。本実施形態においては、微調部３１が設けられる位置にも導電性膜２０の内の一部分である第４の部分２０ｅが水晶片１ａに形成されている。さらに、微調部３１が設けられる位置で、この導電性膜２０の第４の部分２０ｅ上には調整膜３２が形成されている。調整膜３２は、電極保護膜６の膜材と同一材質、すなわち酸化物あるいは窒化物で形成されていて、両者は連続して形成されている。本実施形態においては、電極保護膜６及び調整膜３２は、ともにＳｉＯ2膜から形成されている。このため、調整膜３２及び電極保護膜６を形成する一連のＳｉＯ2膜は、導電性膜２０の第１の部分２０ａ上と、第４の部分２０ｅ上とに成膜されているとともに、その間の隙間２ｄ、３ｄにおいては、調整膜３２と電極保護膜６との接続部３２ａとして水晶片１ａに直接成膜されている。そして、調整膜３２と導電性膜２０の第４の部分２０ｅによって微調部３１が構成されている。 FIG. 11 shows a cross-sectional view of the piezoelectric vibrating piece of this embodiment. As shown in FIG. 11, the piezoelectric vibrating piece 30 is provided with fine adjustment portions 31 on both surfaces of the vibrating arm portions 2 and 3, that is, the upper main surfaces 2 a and 3 a and the lower main surfaces 2 b and 3 b in the crystal piece 1 a. ing. In the present embodiment, a fourth portion 20e, which is a part of the conductive film 20, is also formed in the crystal piece 1a at a position where the fine adjustment portion 31 is provided. Further, an adjustment film 32 is formed on the fourth portion 20 e of the conductive film 20 at a position where the fine adjustment portion 31 is provided. The adjustment film 32 is formed of the same material as the film material of the electrode protection film 6, that is, an oxide or a nitride, and both are formed continuously. In the present embodiment, both the electrode protective film 6 and the adjustment film 32 are formed of SiO 2 films. For this reason, a series of SiO 2 films forming the adjustment film 32 and the electrode protection film 6 are formed on the first portion 20a and the fourth portion 20e of the conductive film 20, and in between In the gaps 2d and 3d, the crystal film 1a is directly formed as a connection portion 32a between the adjustment film 32 and the electrode protection film 6. The fine adjustment portion 31 is configured by the adjustment film 32 and the fourth portion 20 e of the conductive film 20.

次に、圧電振動片３０及び圧電振動片３０を備えた圧電振動子の製造方法について説明する。図１２に圧電振動片の製造工程のフロー図を、また、図１３に説明図を示す。図１２に示すように、まず、第１の実施形態同様に、ウエハの切断Ｓ１０、研磨Ｓ２０、外形形成工程Ｓ３０、及び導電性膜形成工程Ｓ４０を行う。   Next, a method for manufacturing the piezoelectric vibrator 30 and the piezoelectric vibrator including the piezoelectric vibrator 30 will be described. FIG. 12 is a flowchart of the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece, and FIG. 13 is an explanatory diagram. As shown in FIG. 12, first, similarly to the first embodiment, a wafer cutting S10, a polishing S20, an outer shape forming step S30, and a conductive film forming step S40 are performed.

次に、図１３（ａ）に示すように、第１の実施形態同様に導電性膜パターン形成工程Ｓ２００を行うが、本実施形態では、さらに微調部３１となる位置に、第４の部分２０ｅをパターニングする。そして、粗調部追加成膜工程Ｓ６０を行った後に、図１３（ｂ）に示すように、電極保護膜形成工程Ｓ７０及び調整膜形成工程Ｓ２１０として、電極保護膜６を成膜するとともに、微調部３１となる位置において導電性膜２０の第４の部分２０ｅ上に調整膜３２を成膜する。ここで、電極保護膜６と調整膜３２とは同一の膜材で形成されていることから、これらの工程を同時に行うことができる。また、本実施形態において、調整膜３２は導電性膜２０を介して水晶片１ａ上に成膜されているので、水晶片１ａとの密着性をより良好なものとすることができる。なお、隙間２ｄ、３ｄにも同時に、接続部３２ａを成膜するものとする。そして、第１の実施形態同様に、外部電極部追加成膜工程Ｓ８０及び周波数粗調工程Ｓ９０を行うことで、図１３（ｃ）に示すように、周波数調整として粗調までを完了した圧電振動片３０が完成する。微調については、第１の実施形態同様に、圧電振動子を組立てる工程内において気密端子１０２にマウントされた状態で行われるものとして、その詳細について以下に示す。なお、圧電振動子を組立てるための他の工程については、第１の実施形態同様であるので、その説明を省略する。   Next, as shown in FIG. 13A, the conductive film pattern forming step S200 is performed in the same manner as in the first embodiment. In the present embodiment, the fourth portion 20e is further positioned at the position of the fine adjustment portion 31. Is patterned. And after performing rough adjustment part additional film-forming process S60, as shown in FIG.13 (b), while forming electrode protective film 6 as electrode protective film formation process S70 and adjustment film formation process S210, it is fine adjustment. An adjustment film 32 is formed on the fourth portion 20 e of the conductive film 20 at a position to be the portion 31. Here, since the electrode protective film 6 and the adjustment film 32 are formed of the same film material, these steps can be performed simultaneously. Moreover, in this embodiment, since the adjustment film | membrane 32 is formed into a film on the crystal piece 1a through the electroconductive film 20, it can make adhesiveness with the crystal piece 1a more favorable. It is assumed that the connection portion 32a is formed in the gaps 2d and 3d at the same time. Then, similarly to the first embodiment, by performing the external electrode portion additional film formation step S80 and the frequency rough adjustment step S90, as shown in FIG. The piece 30 is completed. As in the first embodiment, the fine adjustment is performed in a state where it is mounted on the airtight terminal 102 in the process of assembling the piezoelectric vibrator, and details thereof will be described below. Since other steps for assembling the piezoelectric vibrator are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.

図１４は、周波数微調整工程Ｓ２２０の模式図を示している。図１４に示すように、インナーリード１０４ａにマウントされた状態の圧電振動片３０は、図示しない搬送手段によって第１のイオンガン３５の直下まで搬送される。第１のイオンガン３５と圧電振動片３０との間には、圧電振動片３０の微調部３１の位置と対応する位置に窓３６ａが形成されたマスク３６が設けられている。この状態で第１のイオンガン３５からイオンビームＩを照射すれば、イオンビームＩによって窓３６ａから露出する微調部３１の調整膜３２は削り取られる。この際、イオンビームＩの照射を発振周波数を計測しながら行い、所定の共振周波数に調整されたらイオンビームＩの照射を終了する。また、所定の共振周波数に調整されなかった場合でも、調整膜３２の厚さが１００Å程度となった場合には、導電性膜２０の第４の部分２０ｅにイオンビームＩが作用しないようにするためにイオンビームＩの照射を終了させる。この場合には、圧電振動片３０は、図示しない搬送手段によってさらに第２のイオンガン３７の直上まで搬送される。第２のイオンガン３７と圧電振動片３０との間には、圧電振動片３０の微調部３１の位置と対応する位置に窓３８ａが形成されたマスク３８が設けられている。この状態で第２のイオンガン３７からイオンビームＩを照射すれば、第１のイオンガン３５によって削り取られた微調部３１と反対側の微調部３１の調整膜３２が削り取られる。そして、所定の共振周波数に調整されたらイオンビームＩの照射を終了する。なお、ここでも所定の厚さまで削り取って所定の共振周波数に調整できなかった場合には、さらに接続部３２ａにイオンビームＩを照射して微調を行っても良い。図１５は、圧電振動片３０の両面の調整膜３２及び接続部３２ａを削り取って、周波数微調整工程Ｓ２２０が完了した状態を示している。   FIG. 14 is a schematic diagram of the frequency fine adjustment step S220. As shown in FIG. 14, the piezoelectric vibrating reed 30 mounted on the inner lead 104a is transported to a position directly below the first ion gun 35 by a transport means (not shown). Between the first ion gun 35 and the piezoelectric vibrating piece 30, a mask 36 having a window 36 a formed at a position corresponding to the position of the fine adjustment portion 31 of the piezoelectric vibrating piece 30 is provided. When the ion beam I is irradiated from the first ion gun 35 in this state, the adjustment film 32 of the fine adjustment portion 31 exposed from the window 36a is scraped off by the ion beam I. At this time, the irradiation of the ion beam I is performed while measuring the oscillation frequency. When the ion beam I is adjusted to a predetermined resonance frequency, the irradiation of the ion beam I is terminated. Even when the resonance frequency is not adjusted to a predetermined resonance frequency, the ion beam I is prevented from acting on the fourth portion 20 e of the conductive film 20 when the thickness of the adjustment film 32 becomes about 100 mm. Therefore, the irradiation of the ion beam I is terminated. In this case, the piezoelectric vibrating piece 30 is further transported to a position directly above the second ion gun 37 by a transport means (not shown). Between the second ion gun 37 and the piezoelectric vibrating piece 30, a mask 38 having a window 38 a formed at a position corresponding to the position of the fine adjustment portion 31 of the piezoelectric vibrating piece 30 is provided. When the ion beam I is irradiated from the second ion gun 37 in this state, the adjustment film 32 of the fine adjustment portion 31 opposite to the fine adjustment portion 31 cut away by the first ion gun 35 is removed. When the resonance frequency is adjusted to a predetermined resonance frequency, the ion beam I irradiation is terminated. In this case, too, fine adjustment may be performed by irradiating the connection portion 32a with the ion beam I when the predetermined resonance frequency cannot be obtained by scraping to a predetermined thickness. FIG. 15 shows a state where the adjustment film 32 and the connection portion 32a on both surfaces of the piezoelectric vibrating piece 30 are scraped, and the frequency fine adjustment step S220 is completed.

ここで、本実施形態の周波数微調整工程Ｓ２２０においては、微調部９として削り取る対象である調整膜３２が酸化物あるいは窒化物であるため、安定性を有し、表面が活性化されてしまうことが無い。さらに、上記のように調整膜３２は、所定厚さ残った状態で、導電性膜２０が露出しない程度までの削り込みとする。このため、周波数微調整工程Ｓ２２０を行った後にイオンビームＩを照射した部分が酸化等の影響を受けてしまうことが無く、微調後の重量変動、すなわち周波数の変動を防ぐことができる。   Here, in the frequency fine adjustment step S220 of the present embodiment, the adjustment film 32 to be scraped off as the fine adjustment portion 9 is an oxide or a nitride, so that it has stability and the surface is activated. There is no. Further, as described above, the adjustment film 32 is etched to the extent that the conductive film 20 is not exposed with a predetermined thickness remaining. For this reason, the portion irradiated with the ion beam I after performing the fine frequency adjustment step S220 is not affected by oxidation or the like, and weight fluctuation after fine tuning, that is, fluctuation in frequency can be prevented.

また、イオンビームＩは照射した調整膜３２の表面のみに作用し、調整膜３２を透過することが無く、このため、下層に位置する導電性膜２０の第４の部分２０ｅにイオンビームＩが作用して蒸発することで、調整膜３２の剥離を生じさせてしまうことなどが無い。また、イオンビームＩが、透過することで調整膜３２以外に作用して、酸化等の影響を発生させてしまうことも無い。また、調整膜３２を形成する調整膜形成工程Ｓ２１０は、電極保護膜形成工程Ｓ７０と同時に行うことができることで、工程数を削減して、生産効率を向上させることができる。さらに、微調部３１を圧電振動片３０の両面に設けることで、周波数微調整工程Ｓ２２０として、圧電振動片３０の両面で周波数の微調を行うことができる。このため、調整可能な周波数の幅が増大し、より好適に共振周波数の設定を行うことが可能となる。   Further, the ion beam I acts only on the surface of the irradiated adjustment film 32 and does not pass through the adjustment film 32. Therefore, the ion beam I is applied to the fourth portion 20e of the conductive film 20 located in the lower layer. By acting and evaporating, the adjustment film 32 is not peeled off. In addition, the ion beam I does not cause an effect of oxidation or the like due to transmission other than the adjustment film 32. Further, the adjustment film forming step S210 for forming the adjustment film 32 can be performed simultaneously with the electrode protective film formation step S70, thereby reducing the number of steps and improving the production efficiency. Furthermore, by providing the fine tuning unit 31 on both surfaces of the piezoelectric vibrating piece 30, the frequency can be finely adjusted on both surfaces of the piezoelectric vibrating piece 30 as the frequency fine adjusting step S220. For this reason, the range of the adjustable frequency is increased, and the resonance frequency can be set more suitably.

図１６は、この実施形態の変形例における周波数微調整工程Ｓ２３０を示している。この変形例の周波数微調整工程Ｓ２３０では、第１のイオンガン３５と第２のイオンガン３７、及び、マスク３６及びマスク３８とがそれぞれ対向して設けられていて、圧電振動片３０は図示しない搬送手段によってマスク３６、３８の間に搬送される。そして、第１のイオンガン３５と第２のイオンガン３７によって同時に、圧電振動片３０の両面に設けられた微調部３１の両方にイオンビームＩを照射して周波数調整を行う。なお、第１のイオンガン３５と第２のイオンガン３７とは、各マスク３６、３８、若しくは圧電振動片３０に照射されるため互いに干渉すること無く使用することが可能である。   FIG. 16 shows a fine frequency adjustment step S230 in a modification of this embodiment. In the frequency fine adjustment step S230 of this modification, the first ion gun 35 and the second ion gun 37, and the mask 36 and the mask 38 are provided to face each other, and the piezoelectric vibrating piece 30 is not shown. Is transferred between the masks 36 and 38. The first ion gun 35 and the second ion gun 37 simultaneously irradiate both the fine adjustment portions 31 provided on both surfaces of the piezoelectric vibrating piece 30 with the ion beam I to adjust the frequency. The first ion gun 35 and the second ion gun 37 are irradiated on the masks 36 and 38 or the piezoelectric vibrating piece 30 and can be used without interfering with each other.

この変形例の圧電振動片の製造方法によれば、微調部３１が圧電振動片３０の両面に設けられて、かつ、同時にイオンビームＩを照射することで、周波数微調整工程Ｓ２３０におけるサイクルタイムを向上させることができる。また、図示しない搬送手段によって搬送する延長を短くすることができ、搬送手段の簡略化や装置スペースの削減が可能となる。   According to the piezoelectric vibrating piece manufacturing method of this modified example, the fine tuning sections 31 are provided on both surfaces of the piezoelectric vibrating piece 30 and the ion beam I is irradiated at the same time, thereby reducing the cycle time in the frequency fine adjusting step S230. Can be improved. In addition, the extension of conveyance by a conveyance unit (not shown) can be shortened, and the conveyance unit can be simplified and the apparatus space can be reduced.

なお、第１及び第２の実施形態においては、微調部９、３１を削り取る手段としてアルゴンイオンビームを使用するものとしたが、他のイオン源によるものを選択しても良い。また、第１の実施形態において、微調部９は、上側主面２ａ、３ａのみに形成されるものとしたが、第２の実施形態同様に、下側主面２ｂ、３ｂにも形成して両面で行うものとしても良い。また、圧電振動子について、圧電振動片１、３０を備えたシリンダーパッケージタイプの圧電振動子について説明したが、これに限るものでは無く、セラミックパッケージタイプの圧電振動子としても良い。セラミックパッケージタイプの場合は、圧電振動片を、固定手段を用いてベースに接続するために、一方の主面はベースに対向してしまう。そのために、イオンビームによる加工は圧電振動片の片面に制限される場合が一般的であるが、本発明の第１及び第２の実施形態を適宜変更して適用することは、極めて容易である。   In the first and second embodiments, an argon ion beam is used as a means for scraping the fine tuning units 9 and 31, but a device using another ion source may be selected. In the first embodiment, the fine adjustment portion 9 is formed only on the upper main surfaces 2a and 3a. However, as in the second embodiment, the fine adjustment portion 9 is also formed on the lower main surfaces 2b and 3b. It may be performed on both sides. In addition, as for the piezoelectric vibrator, the cylinder package type piezoelectric vibrator including the piezoelectric vibrating pieces 1 and 30 has been described. However, the piezoelectric vibrator is not limited to this and may be a ceramic package type piezoelectric vibrator. In the case of the ceramic package type, since the piezoelectric vibrating piece is connected to the base using the fixing means, one main surface faces the base. For this reason, the processing by the ion beam is generally limited to one surface of the piezoelectric vibrating piece, but it is extremely easy to apply the first and second embodiments of the present invention by appropriately changing them. .

（第３の実施形態）
図１７は、この発明に係る第３の実施形態を示している。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。 (Third embodiment)
FIG. 17 shows a third embodiment according to the present invention. In this embodiment, members that are the same as those used in the above-described embodiment are assigned the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

図１７は、本発明に係る音叉型水晶発振器の構成を示す概略図であり、上述した圧電振動子を利用した表面実装型圧電発振器の平面図を示している。 図１７に示すように、この実施形態の発振器１２０は、シリンダーパッケージタイプの圧電振動子１００を、集積回路１２１に電気的に接続された発振子として構成したものである。なお、圧電振動子１００については、第１の実施形態のものと同様であるので、その説明を省略する。この発振器１２０は、コンデンサ等の電子部品１２２が実装された基板１２３を備えている。基板１２３には、発振器用の集積回路１２１が実装されていて、この集積回路１２１の近傍に、圧電振動片１が実装されている。これら電子部品１２２、集積回路１２１及び圧電振動子１００は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。   FIG. 17 is a schematic view showing a configuration of a tuning fork type crystal oscillator according to the present invention, and shows a plan view of a surface mount type piezoelectric oscillator using the above-described piezoelectric vibrator. As shown in FIG. 17, the oscillator 120 of this embodiment is configured by configuring a cylinder package type piezoelectric vibrator 100 as an oscillator electrically connected to an integrated circuit 121. Since the piezoelectric vibrator 100 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted. The oscillator 120 includes a substrate 123 on which an electronic component 122 such as a capacitor is mounted. An integrated circuit 121 for an oscillator is mounted on the substrate 123, and the piezoelectric vibrating reed 1 is mounted in the vicinity of the integrated circuit 121. The electronic component 122, the integrated circuit 121, and the piezoelectric vibrator 100 are electrically connected by a wiring pattern (not shown). Each component is molded with a resin (not shown).

このように構成された発振器１２０において、圧電振動子１００に電圧を印加すると、圧電振動子１００内の圧電振動片１が振動し、この振動が水晶の圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１２１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１２１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１００が発振子として機能する。また、集積回路１２１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。   In the oscillator 120 configured as described above, when a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 100, the piezoelectric vibrating reed 1 in the piezoelectric vibrator 100 vibrates, and this vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the crystal, and integrated. An electric signal is input to the circuit 121. The input electrical signal is subjected to various processes by the integrated circuit 121 and output as a frequency signal. Thereby, the piezoelectric vibrator 100 functions as an oscillator. Further, by selectively setting the configuration of the integrated circuit 121, for example, an RTC (real-time clock) module or the like as required, the operation date and time of the device and the external device in addition to a single-function oscillator for a clock, etc. A function for controlling the time, providing a time, a calendar, and the like can be added.

上述したように、本実施形態の発振器１２０によれば、上述の圧電振動子１００を備えることで、圧電振動子１００から出力される周波数信号をより高精度なものとすることができ、発振器１２０としての精度及び信頼性を向上させることができる。なお、上記の発振器１２０は、シリンダーパッケージタイプの圧電振動子１００を備えるものとして説明したが、少なくとも本発明の圧電振動片を備える圧電振動子であれば良い。例えば、表面実装型パッケージタイプの圧電振動子としても良いし、セラミックパッケージタイプの圧電振動子としても良い。   As described above, according to the oscillator 120 of the present embodiment, by providing the piezoelectric vibrator 100 described above, the frequency signal output from the piezoelectric vibrator 100 can be made more accurate. Accuracy and reliability can be improved. Although the above-described oscillator 120 has been described as including the cylinder package type piezoelectric vibrator 100, it may be any piezoelectric vibrator including at least the piezoelectric vibrating piece of the present invention. For example, a surface mount package type piezoelectric vibrator or a ceramic package type piezoelectric vibrator may be used.

（第４の実施形態）
図１８は、この発明に係る第４の実施形態を示している。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。 (Fourth embodiment)
FIG. 18 shows a fourth embodiment according to the present invention. In this embodiment, members that are the same as those used in the above-described embodiment are assigned the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

この実施形態においては、電子機器として、上述した圧電振動子１００を有する携帯情報機器を例にして説明する。図１８は、この電子機器の構成を示すブロック図である。図１８に示すように、この実施形態の携帯情報機器１３０は、圧電振動子１００と、電力を供給するための電源部１３１とを備えている。電源部１３１は、例えば、リチウム二次電池で構成されている。この電源部１３１には、各種制御を行う制御部１３２と、時刻等のカウントを行う計時部１３３と、外部との通信を行う通信部１３４と、各種情報を表示する表示部１３５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１３６とが並列に接続されている。そして、電源部１３１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。   In this embodiment, a portable information device having the above-described piezoelectric vibrator 100 will be described as an example of an electronic device. FIG. 18 is a block diagram showing the configuration of this electronic device. As shown in FIG. 18, the portable information device 130 of this embodiment includes a piezoelectric vibrator 100 and a power supply unit 131 for supplying power. The power supply part 131 is comprised with the lithium secondary battery, for example. The power supply unit 131 includes a control unit 132 that performs various controls, a clock unit 133 that counts time, a communication unit 134 that communicates with the outside, a display unit 135 that displays various information, and the like. A voltage detection unit 136 that detects the voltage of the functional unit is connected in parallel. The power supply unit 131 supplies power to each functional unit.

制御部１３２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１３２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。   The control unit 132 controls each function unit to perform operation control of the entire system such as transmission and reception of audio data, measurement and display of the current time, and the like. The control unit 132 includes a ROM in which a program is written in advance, a CPU that reads and executes the program written in the ROM, and a RAM that is used as a work area of the CPU.

計時部１３３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１００とを備えている。圧電振動子１００に電圧を印加すると圧電振動片１が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１３２と信号の送受信が行われ、表示部１３５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。   The time measuring unit 133 includes an integrated circuit including an oscillation circuit, a register circuit, a counter circuit, an interface circuit, and the like, and the piezoelectric vibrator 100. When a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 100, the piezoelectric vibrating piece 1 vibrates, and this vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the crystal and is input to the oscillation circuit as an electric signal. The output of the oscillation circuit is binarized and counted by a register circuit and a counter circuit. Then, signals are transmitted to and received from the control unit 132 via the interface circuit, and the current time, current date, calendar information, and the like are displayed on the display unit 135.

通信部１３４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１３７、音声処理部１３８、切替部１３９、増幅部１４０、音声入出力部１４１、電話番号入力部１４２、着信音発生部１４３及び呼制御メモリ部１４４を備えている。無線部１３７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１４５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１３８は、無線部１３７又は増幅部１４０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１４０は、音声処理部１３８又は音声入出力部１４１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１４１は、スピーカやマイクロフォン等から構成され、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。   The communication unit 134 has functions similar to those of a conventional mobile phone, and includes a wireless unit 137, a voice processing unit 138, a switching unit 139, an amplification unit 140, a voice input / output unit 141, a telephone number input unit 142, and a ring tone generation unit. 143 and a call control memory unit 144. The radio unit 137 exchanges various data such as audio data with the base station via the antenna 145. The audio processing unit 138 encodes and decodes the audio signal input from the radio unit 137 or the amplification unit 140. The amplifying unit 140 amplifies the signal input from the audio processing unit 138 or the audio input / output unit 141 to a predetermined level. The voice input / output unit 141 includes a speaker, a microphone, and the like, and amplifies a ringtone and a received voice or collects a voice.

また、着信音発生部１４３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１３９は、着信時に限って、音声処理部１３８に接続されている増幅部１４０を着信音発生部１４３に切り替えることによって、着信音発生部１４３において生成された着信音が増幅部１４０を介して音声入出力部１４１に出力される。なお、呼制御メモリ部１４４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１４２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えていて、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。   Also, the ring tone generator 143 generates a ring tone in response to a call from the base station. The switching unit 139 switches the amplifying unit 140 connected to the voice processing unit 138 to the ringing tone generating unit 143 only when receiving a call, so that the ringing tone generated in the ringing tone generating unit 143 passes through the amplifying unit 140. To the audio input / output unit 141. Note that the call control memory unit 144 stores a program related to incoming / outgoing call control of communication. The telephone number input unit 142 includes, for example, number keys 0 to 9 and other keys, and the telephone number of the call destination is input by pressing these number keys.

電圧検出部１３６は、電源部１３１によって制御部１３２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１３２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１３４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１３６から電圧降下の通知を受けた制御部１３２は、無線部１３７、音声処理部１３８、切替部１３９及び着信音発生部１４３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１３７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１３５に、通信部１３４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。   When the voltage applied to each functional unit such as the control unit 132 by the power supply unit 131 falls below a predetermined value, the voltage detection unit 136 detects the voltage drop and notifies the control unit 132 of the voltage drop. . The predetermined voltage value at this time is a value set in advance as a minimum voltage necessary for stably operating the communication unit 134, and is, for example, about 3V. Upon receiving the voltage drop notification from the voltage detection unit 136, the control unit 132 prohibits the operations of the wireless unit 137, the voice processing unit 138, the switching unit 139, and the ring tone generation unit 143. In particular, it is essential to stop the operation of the wireless unit 137 with high power consumption. Further, the display unit 135 displays that the communication unit 134 has become unusable due to insufficient battery power.

すなわち、電圧検出部１３６と制御部１３２とによって、通信部１３４の動作を禁止し、その旨を表示部１３５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１３５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。なお、携帯情報機器１３０は、通信部１３４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１４６を備えており、この電源遮断部１４６によって、通信部１３４の機能が確実に停止される。   That is, the operation of the communication unit 134 can be prohibited by the voltage detection unit 136 and the control unit 132, and that effect can be displayed on the display unit 135. This display may be a text message, but as a more intuitive display, a x (X) mark may be attached to the telephone icon displayed at the top of the display surface of the display unit 135. Note that the portable information device 130 includes a power cutoff unit 146 that can selectively shut off the power supply of the portion related to the function of the communication unit 134, and the function of the communication unit 134 is controlled by the power cutoff unit 146. Stop surely.

この実施形態の携帯情報機器１３０によれば、上述の圧電振動子１００を備えることで、圧電振動子１００から出力される周波数信号をより高精度なものとすることができ、携帯情報機器１３０としての精度及び信頼性を向上させることができる。なお、上記の携帯情報機器１３０は、シリンダーパッケージタイプの圧電振動子１００を備えるものとして説明したが、少なくとも本発明の圧電振動片を備える圧電振動子であれば良い。例えば、表面実装型パッケージタイプの圧電振動子としても良いし、セラミックパッケージタイプの圧電振動子としても良い。また、上述の圧電振動子１００を実装する場合において、予め円筒状のケース１０１の周囲を覆うように樹脂モールドしてある表面実装型タイプとすれば、他の電子部品と同時にプリント基板上にリフロー半田にて接続できるためより好適である。   According to the portable information device 130 of this embodiment, by providing the above-described piezoelectric vibrator 100, the frequency signal output from the piezoelectric vibrator 100 can be made with higher accuracy. Accuracy and reliability can be improved. The portable information device 130 has been described as including the cylinder package type piezoelectric vibrator 100, but may be any piezoelectric vibrator including at least the piezoelectric vibrating piece of the present invention. For example, a surface mount package type piezoelectric vibrator or a ceramic package type piezoelectric vibrator may be used. Further, when mounting the above-described piezoelectric vibrator 100, if it is a surface mount type that is resin-molded so as to cover the circumference of the cylindrical case 101 in advance, it can be reflowed on the printed circuit board simultaneously with other electronic components. Since it can connect with solder, it is more suitable.

（第５の実施形態）
図１９は、この発明に係る第５の実施形態を示している。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。 (Fifth embodiment)
FIG. 19 shows a fifth embodiment according to the present invention. In this embodiment, members that are the same as those used in the above-described embodiment are assigned the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

この実施形態においては、電波時計の一実施形態として、上述した圧電振動子１００を有する電波時計について説明する。図１９は、この電波時計の構成を示すブロック図である。図１９に示すように、この実施形態の電波時計１５０は、フィルタ部１５１に電気的に接続された圧電振動子１００を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。   In this embodiment, a radio timepiece having the above-described piezoelectric vibrator 100 will be described as an embodiment of the radio timepiece. FIG. 19 is a block diagram showing the configuration of this radio timepiece. As shown in FIG. 19, a radio timepiece 150 of this embodiment includes a piezoelectric vibrator 100 electrically connected to a filter unit 151, receives a standard radio wave including timepiece information, and is accurate. It is a clock with a function of automatically correcting and displaying the correct time. In Japan, there are transmitting stations (transmitting stations) that transmit standard radio waves in Fukushima Prefecture (40 kHz) and Saga Prefecture (60 kHz), each transmitting standard radio waves. Long waves such as 40 kHz or 60 kHz have the property of propagating the surface of the earth and the property of propagating while reflecting the ionosphere and the surface of the earth, so the propagation range is wide, and the above two transmitting stations cover all of Japan. is doing.

アンテナ１５２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１５３によって増幅され、複数の圧電振動子１００を有するフィルタ部１５１によって濾波、同調される。なお、圧電振動子１００として、上記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する圧電振動子部１５４、１５５をそれぞれ備えている。   The antenna 152 receives a long standard wave of 40 kHz or 60 kHz. The long-wave standard radio wave is obtained by subjecting time information called a time code to AM modulation on a 40 kHz or 60 kHz carrier wave. The received long standard wave is amplified by the amplifier 153 and filtered and tuned by the filter unit 151 having the plurality of piezoelectric vibrators 100. The piezoelectric vibrator 100 includes piezoelectric vibrator portions 154 and 155 having resonance frequencies of 40 kHz and 60 kHz that are the same as the carrier frequency.

さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１５６により検波復調される。そして、波形整形回路１５７を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１５８でカウントされる。ＣＰＵ１５８では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１５９に反映され、正確な時刻情報が表示される。搬送波は４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、圧電振動子部１５４、１５５は、上述した音叉型の構造を持つ圧電振動子が好適である。６０ｋＨｚを例にとれば、音叉型振動子片の寸法例として、全長が約２．８ｍｍ、基部の幅寸法が約０．５ｍｍの寸法で構成することが可能である。   Further, the filtered signal having a predetermined frequency is detected and demodulated by the detection and rectification circuit 156. Then, the time code is taken out via the waveform shaping circuit 157 and counted by the CPU 158. The CPU 158 reads information such as the current year, accumulated date, day of the week, and time. The read information is reflected in the RTC 159, and accurate time information is displayed. Since the carrier wave is 40 kHz or 60 kHz, the piezoelectric vibrators 154 and 155 are preferably piezoelectric vibrators having the tuning fork type structure described above. Taking 60 kHz as an example, as a dimension example of the tuning fork type vibrator piece, it is possible to configure the tuning fork vibrator piece with a length of about 2.8 mm and a width of the base portion of about 0.5 mm.

この実施形態の電波時計１５０によれば、上述の圧電振動子１００を備えることで、圧電振動子１００によってより高精度に時刻をカウントすることができる。このため、電波時計１５０としての精度及び信頼性を向上させることができる。なお、上記の電波時計１５０は、シリンダーパッケージタイプの圧電振動子１００を備えるものとして説明したが、少なくとも本発明の圧電振動片を備える圧電振動子であれば良い。例えば、セラミックパッケージタイプの圧電振動子としても良い。   According to the radio timepiece 150 of this embodiment, the time can be counted with higher accuracy by the piezoelectric vibrator 100 by including the piezoelectric vibrator 100 described above. For this reason, the accuracy and reliability of the radio timepiece 150 can be improved. Although the above-described radio timepiece 150 has been described as including the cylinder package type piezoelectric vibrator 100, any piezoelectric vibrator including at least the piezoelectric vibrating piece of the present invention may be used. For example, a ceramic package type piezoelectric vibrator may be used.

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.

この発明の第１の実施形態の圧電振動片の斜視図である。1 is a perspective view of a piezoelectric vibrating piece according to a first embodiment of the present invention. この発明の第１の実施形態の圧電振動片の図１に示す切断線Ａ−Ａにおける断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the piezoelectric vibrating piece according to the first embodiment of the present invention taken along a cutting line AA shown in FIG. 1. この発明の第１の実施形態の圧電振動片の図１に示す切断線Ｂ−Ｂにおける断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the piezoelectric vibrating piece according to the first embodiment of the present invention taken along a cutting line BB shown in FIG. 1. この発明の第１の実施形態の圧電振動子の斜視図である。1 is a perspective view of a piezoelectric vibrator according to a first embodiment of the present invention. この発明の第１の実施形態の圧電振動片の製造工程を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece of 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態の圧電振動片の製造工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece of 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態の圧電振動子の製造工程を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the piezoelectric vibrator of 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態の圧電振動片の周波数微調整工程における説明図 である。It is explanatory drawing in the frequency fine adjustment process of the piezoelectric vibrating piece of 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態の圧電振動片の周波数微調整工程における説明図 である。It is explanatory drawing in the frequency fine adjustment process of the piezoelectric vibrating piece of 1st Embodiment of this invention. この発明の第１の実施形態の圧電振動片の周波数微調整工程におけるイオンビーム照射時間と周波数との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the ion beam irradiation time and frequency in the frequency fine adjustment process of the piezoelectric vibrating piece of 1st Embodiment of this invention. この発明の第２の実施形態の圧電振動片の断面図である。It is sectional drawing of the piezoelectric vibrating piece of 2nd Embodiment of this invention. この発明の第２の実施形態の圧電振動片の製造工程を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece of 2nd Embodiment of this invention. この発明の第２の実施形態の圧電振動片の製造工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece of 2nd Embodiment of this invention. この発明の第２の実施形態の圧電振動片の周波数微調整工程における説明図である。It is explanatory drawing in the frequency fine adjustment process of the piezoelectric vibrating piece of 2nd Embodiment of this invention. この発明の第２の実施形態の圧電振動片の周波数微調整工程完了後の断面図である。It is sectional drawing after the frequency fine adjustment process of the piezoelectric vibrating piece of 2nd Embodiment of this invention is completed. この発明の第２の実施形態の変形例の圧電振動片の周波数微調整工程における説明図である。It is explanatory drawing in the frequency fine adjustment process of the piezoelectric vibrating piece of the modification of the 2nd Embodiment of this invention. この発明の第３の実施形態の発振器の概要図である。It is a schematic diagram of the oscillator of 3rd Embodiment of this invention. この発明の第４の実施形態の電子機器のブロック図である。It is a block diagram of the electronic device of 4th Embodiment of this invention. この発明の第５の実施形態の電波時計のブロック図である。It is a block diagram of the radio timepiece of a 5th embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１、３０ 圧電振動片
１ａ 水晶片（圧電材片）
２ａ、３ａ、４ａ 上側主面
２ｂ、３ｂ、４ｂ 下側主面
５ 励振電極
６ 電極保護膜
７ マウントパッド（外部電極接続部）
８、３４ 金属膜
９、３１ 微調部
２０ 導電性膜
３２ 調整膜
１００ 圧電振動子
１２０ 発振器
１３０ 携帯情報機器（電子機器）
１５０ 電波時計
Ｓ３０ 外形形成工程
Ｓ４０ 導電性膜形成工程
Ｓ５０ 導電性膜パターン形成工程
Ｓ７０ 電極保護膜形成工程
Ｓ１３０ 周波数微調整工程
Ｓ２１０ 調整膜形成工程
Ｉ イオンビーム 1, 30 Piezoelectric vibrating piece 1a Crystal piece (piezoelectric piece)
2a, 3a, 4a Upper main surface 2b, 3b, 4b Lower main surface 5 Excitation electrode 6 Electrode protective film 7 Mount pad (external electrode connection part)
8, 34 Metal film 9, 31 Fine adjustment part 20 Conductive film 32 Adjustment film 100 Piezoelectric vibrator 120 Oscillator 130 Portable information device (electronic device)
150 Radio Clock S30 Outline Forming Process S40 Conductive Film Forming Process S50 Conductive Film Pattern Forming Process S70 Electrode Protective Film Forming Process S130 Frequency Fine Tuning Process S210 Adjusting Film Forming Process I Ion Beam

Claims (11)

所定の形状に形成された圧電材片上に、外部電極と接続される外部電極接続部と、前記圧電材片を所定の周波数で振動させる励振電極と、前記圧電材片を所定の共振周波数に設定するための微調部とが設けられた圧電振動片の製造方法であって、
前記圧電材片の外形を形成する外形形成工程と、
外形形成された該圧電材片の表面に導電性膜を成膜する導電性膜形成工程と、
前記励振電極となる位置に前記導電性膜をパターニングするとともに、前記微調部となる位置に前記導電性膜をパターニングする導電性膜パターン形成工程と、
前記微調部となる位置に形成された前記導電性膜上に、酸化物または窒化物からなる調整膜を成膜する調整膜形成工程と、
前記微調部の前記調整膜にイオンビームを照射して削り取ることで、該微調部の重量を調整して、前記圧電材片を所定の共振周波数に設定する周波数微調整工程とを備えることを特徴とする圧電振動片の製造方法。 On the piezoelectric material piece formed in a predetermined shape, an external electrode connecting portion connected to an external electrode, an excitation electrode for vibrating the piezoelectric material piece at a predetermined frequency, and the piezoelectric material piece set at a predetermined resonance frequency A method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece provided with a fine adjustment portion for
An outer shape forming step of forming an outer shape of the piezoelectric material piece;
A conductive film forming step of forming a conductive film on the surface of the piezoelectric material piece that has been externally formed; and
A conductive film pattern forming step of patterning the conductive film at a position to be the excitation electrode and patterning the conductive film at a position to be the fine adjustment part ;
An adjustment film forming step of forming an adjustment film made of an oxide or a nitride on the conductive film formed at a position to be the fine adjustment portion;
And a fine frequency adjusting step of adjusting the weight of the fine tuning portion by irradiating the adjustment film of the fine tuning portion with an ion beam and setting the piezoelectric material piece to a predetermined resonance frequency. A method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece. 請求項１に記載の圧電振動片の製造方法において、
前記励振電極となる位置に形成された前記導電性膜上に、前記調整膜と同一膜材の電極保護膜を成膜する電極保護膜形成工程を備え、
前記調整膜形成工程は、前記電極保護膜形成工程と同時に、前記微調部となる位置で前記電極保護膜を前記調整膜として成膜することを特徴とする圧電振動片の製造方法。 In the manufacturing method of the piezoelectric vibrating piece according to claim 1 ,
An electrode protection film forming step of forming an electrode protection film of the same film material as the adjustment film on the conductive film formed at a position to be the excitation electrode;
The adjustment film forming step forms the electrode protection film as the adjustment film at a position to be the fine adjustment portion simultaneously with the electrode protection film formation step. 請求項１または請求項２に記載の圧電振動片の製造方法において、
前記微調部は前記圧電材片の両面に設けられ、
前記周波数微調整工程は、少なくとも一方の前記微調部に前記イオンビームを照射して行い、所定の共振周波数に設定されなかった場合には、さらに他方の前記微調部に前記イオンビームを照射して行うことを特徴とする圧電振動片の製造方法。 In the manufacturing method of the piezoelectric vibrating piece according to claim 1 or 2 ,
The fine adjustment portion is provided on both surfaces of the piezoelectric material piece,
The frequency fine adjustment step is performed by irradiating at least one of the fine adjustment portions with the ion beam. When the frequency is not set to a predetermined resonance frequency, the other fine adjustment portion is further irradiated with the ion beam. A method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, comprising: 請求項１または請求項２に記載の圧電振動片の製造方法において、
前記微調部は前記圧電材片の両面に設けられ、
前記周波数微調整工程は、前記圧電材片の両面の前記微調部に同時に前記イオンビームを照射して行うことを特徴とする圧電振動片の製造方法。 In the manufacturing method of the piezoelectric vibrating piece according to claim 1 or 2 ,
The fine adjustment portion is provided on both surfaces of the piezoelectric material piece,
The method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece, wherein the fine frequency adjustment step is performed by simultaneously irradiating the fine beam on both surfaces of the piezoelectric material piece with the ion beam. 所定の形状に形成された圧電材片と、
該圧電材片の表面に所定のパターンで形成された導電性膜の少なくとも一部分によって形成され、前記圧電材片を所定の周波数で振動させる励振電極と、
外部電極と接続される外部電極接続部と、
前記導電性膜の内の前記励振電極と異なる他の部分と、該導電性膜上に形成され、酸化物または窒化物からなる調整膜とで形成され、該調整膜にイオンビームを照射して削り取ることで重量の調整が行われる微調部とを備えることを特徴とする圧電振動片。 A piezoelectric material piece formed in a predetermined shape;
An excitation electrode formed by at least a part of a conductive film formed in a predetermined pattern on the surface of the piezoelectric material piece, and vibrating the piezoelectric material piece at a predetermined frequency;
An external electrode connection portion connected to the external electrode;
And the excitation electrode different from other portions of said conductive film is formed over the conductive film, it is formed by the adjustment film made of oxide or nitride, by irradiating an ion beam to the adjustment film A piezoelectric vibrating piece, comprising: a fine adjustment unit that adjusts the weight by shaving. 請求項５に記載の圧電振動片において、
前記励振電極に形成された前記導電性膜上には、前記調整膜と同一膜材の電極保護膜が形成されていることを特徴とする圧電振動片。 The piezoelectric vibrating piece according to claim 5 ,
The piezoelectric vibrating piece, wherein an electrode protective film made of the same film material as the adjustment film is formed on the conductive film formed on the excitation electrode. 請求項５または請求項６に記載の圧電振動片において、
前記微調部は、前記圧電材片の両面に設けられていることを特徴とする圧電振動片。 The piezoelectric vibrating piece according to claim 5 or 6 ,
The piezoelectric vibration piece, wherein the fine adjustment portion is provided on both surfaces of the piezoelectric material piece. 請求項５から請求項７のいずれかに記載の圧電振動片を備えることを特徴とする圧電振動子。 The piezoelectric vibrator, characterized in that it comprises a piezoelectric vibrating piece according to claims 5 to claim 7. 請求項８に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に接続されていることを特徴とする発振器。 9. An oscillator comprising the piezoelectric vibrator according to claim 8 connected to an integrated circuit as an oscillator. 請求項８に記載の圧電振動子を備えることを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the piezoelectric vibrator according to claim 8 . 請求項８に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。 A radio-controlled timepiece, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 8 is electrically connected to a filter portion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009182873A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Daishinku Corp Method for manufacturing piezoelectric oscillation device, and piezoelectric oscillation device
JP5138407B2 (en) * 2008-02-14 2013-02-06 セイコーインスツル株式会社 Wafer and wafer polishing method
JP5125590B2 (en) * 2008-02-19 2013-01-23 株式会社大真空 Method for adjusting frequency of piezoelectric vibration device
JP5170405B2 (en) * 2008-03-25 2013-03-27 セイコーエプソン株式会社 Method for manufacturing piezoelectric vibrator
JP5171551B2 (en) * 2008-10-31 2013-03-27 京セラクリスタルデバイス株式会社 Tuning fork type crystal resonator element frequency adjustment method
JP2011049665A (en) * 2009-08-25 2011-03-10 Seiko Instruments Inc Piezoelectric vibrator, method of manufacturing the same, oscillator, electronic apparatus, and radio-controlled timepiece
JP5494994B2 (en) * 2012-12-27 2014-05-21 セイコーエプソン株式会社 Method for manufacturing vibrator
JP6362315B2 (en) * 2013-10-09 2018-07-25 エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 Piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, and method of manufacturing piezoelectric vibrating piece
JP6618758B2 (en) * 2015-10-15 2019-12-11 エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 Method for manufacturing piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrating piece
JP2020043484A (en) * 2018-09-11 2020-03-19 京セラ株式会社 Tuning fork-type crystal element and crystal device
CN109995341B (en) * 2019-03-13 2021-11-02 电子科技大学 Cavity type bulk acoustic wave resonator with lower electrode protection layer and preparation method thereof

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1168501A (en) * 1997-08-22 1999-03-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Crystal oscillator and its production
JP2000223993A (en) * 1999-01-29 2000-08-11 Seiko Instruments Inc Piezoelectric vibrator
JP2001217677A (en) * 2000-01-31 2001-08-10 Seiko Epson Corp Tuning-fork type piezoelectric vibrating piece and its manufacturing method, its frequency adjusting process device, and tuning-fork type piezoelectric vibrator
JP3843779B2 (en) * 2001-08-14 2006-11-08 セイコーエプソン株式会社 Piezoelectric device, mobile phone device using piezoelectric device, and electronic apparatus using piezoelectric device
JP2003258589A (en) * 2002-02-26 2003-09-12 Seiko Epson Corp Piezoelectric device, radio watch utilizing the piezoelectric device, mobile phone utilizing the piezoelectric device, and electronic device utilizing the piezoelectric device
JP2003298386A (en) * 2002-03-29 2003-10-17 Seiko Instruments Inc Piezoelectric resonator and manufacturing method thereof
JP2006157872A (en) * 2004-10-28 2006-06-15 Seiko Instruments Inc Piezoelectric vibrator, manufacturing method thereof, oscillator, electronic apparatus, and radio clock

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