JP4809822B2

JP4809822B2 - Catalytic chemical vapor deposition equipment

Info

Publication number: JP4809822B2
Application number: JP2007299648A
Authority: JP
Inventors: 英樹松村; 武広桜井; 正一青島; 和雄櫻井
Original assignee: Canon Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 2007-11-19
Filing date: 2007-11-19
Publication date: 2011-11-09
Anticipated expiration: 2018-08-27
Also published as: JP2008103748A

Description

本願の発明は、触媒を用いた化学蒸着法によって基板に対して所定の薄膜を作成する触媒化学蒸着装置に関する。 The present invention relates to a catalytic chemical vapor deposition apparatus for producing a predetermined thin film on a substrate by a chemical vapor deposition method using a catalyst.

ＬＳＩ（大規模集積回路）を始めとする各種半導体デバイスやＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の製作においては、基板上に所定の薄膜を作成するプロセスが存在する。このうち所定の組成の薄膜を比較的容易に作成できることから、従来から化学蒸着（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）法による成膜が多く用いられている。ＣＶＤ法には、プラズマを生じさせて気体の化学反応を行うプラズマＣＶＤ法や、基板を加熱することにより気体の化学反応を行う熱ＣＶＤ法などの他に、熱触媒体を使用した触媒化学蒸着（ＣａｔａｌｙｔｉｃＣＶＤ、ＣＡＴ−ＣＶＤ）法と呼ばれる方法がある。 In the manufacture of various semiconductor devices such as LSI (Large Scale Integrated Circuit) and LCD (Liquid Crystal Display), there is a process of creating a predetermined thin film on a substrate. Among these, since a thin film having a predetermined composition can be formed relatively easily, film formation by a chemical vapor deposition (CVD) method has been widely used. The CVD method includes a plasma CVD method in which a chemical reaction of gas is generated by generating plasma, a thermal CVD method in which a chemical reaction of gas is performed by heating the substrate, and a catalytic chemical vapor deposition using a thermal catalyst. There is a method called (Catalytic CVD, CAT-CVD) method.

図８は、ＣＡＴ−ＣＶＤ法を行う従来の触媒化学蒸着装置の概略構成を示す正面図である。図８に示す触媒化学蒸着装置は、内部で基板９に対して所定の処理がなされる処理容器１と、処理容器１内に所定の蒸着用ガスを供給するガス供給系２と、供給された蒸着用ガスが表面付近を通過するように処理容器１内に設けられた熱触媒体３と、熱触媒体３が関与した蒸着用ガスの反応により所定の薄膜が作成される処理容器１内の位置に基板９を保持する基板ホルダー４とを備えている。 FIG. 8 is a front view showing a schematic configuration of a conventional catalytic chemical vapor deposition apparatus that performs a CAT-CVD method. The catalytic chemical vapor deposition apparatus shown in FIG. 8 is supplied with a processing container 1 in which predetermined processing is performed on the substrate 9 inside, a gas supply system 2 for supplying a predetermined vapor deposition gas into the processing container 1, and In the processing container 1 in which a predetermined thin film is formed by the reaction of the thermal catalyst 3 provided in the processing container 1 so that the gas for vapor deposition passes near the surface and the gas for deposition involving the thermal catalyst 3. And a substrate holder 4 for holding the substrate 9 at a position.

図８に示す触媒化学蒸着装置では、熱触媒体３を所定温度に加熱した状態で、処理容器１内に所定の反応性ガスを蒸着用ガスとして供給し、熱触媒体３の表面を通過させながら蒸着用ガスを基板９の表面に到達させる。熱触媒体３の表面反応等を触媒として利用しながら、蒸着用ガスの反応により基板９に所定の薄膜が作成される。図９は、図８の装置に使用された熱触媒体３の構成を説明する平面概略図である。熱触媒体３は、タングステン等の金属で形成されたワイヤー状の部材である。ワイヤー状の部材からなる熱触媒体３は、基板９に平行な面に沿って鋸波状に折り曲げられ、枠体３１に保持されている。
実願平０４−０１０１８４号（実開平０５−０９６１６５号）のＣＤ−ＲＯＭ特開平０２−０２５５７５号公報 In the catalytic chemical vapor deposition apparatus shown in FIG. 8, with the thermal catalyst body 3 heated to a predetermined temperature, a predetermined reactive gas is supplied as a vapor deposition gas into the processing vessel 1 and allowed to pass through the surface of the thermal catalyst body 3. The vapor deposition gas is allowed to reach the surface of the substrate 9. A predetermined thin film is formed on the substrate 9 by the reaction of the vapor deposition gas while utilizing the surface reaction of the thermal catalyst 3 as a catalyst. FIG. 9 is a schematic plan view illustrating the configuration of the thermal catalyst 3 used in the apparatus of FIG. The thermal catalyst 3 is a wire-like member formed of a metal such as tungsten. The thermal catalyst 3 made of a wire-like member is bent in a sawtooth shape along a plane parallel to the substrate 9 and is held by a frame 31.
CD-ROM of the actual application No. 04-010184 (No. 05-096165) Japanese Patent Laid-Open No. 02-025575

上記ＣＡＴ−ＣＶＤ法は、熱触媒体の触媒作用を利用するため、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法に比べて比較的低温で成膜できる長所がある。プラズマＣＶＤ法では、プラズマからの熱によって基板の温度が高くなり易いし、熱ＣＶＤ法では、熱のみによって反応を起こさせるため、どうしても基板の温度が高くなり易い。高集積度化や高機能化が益々進む半導体デバイスの製作においては、プロセスの低温化（基板温度の低減）が求められており、この点でＣＡＴ−ＣＶＤ法は特に優れている。 The CAT-CVD method has an advantage that a film can be formed at a relatively low temperature as compared with the plasma CVD method and the thermal CVD method because the catalytic action of the thermal catalyst is used. In the plasma CVD method, the temperature of the substrate tends to increase due to heat from the plasma, and in the thermal CVD method, the reaction is caused only by heat, so the temperature of the substrate tends to increase. In the manufacture of semiconductor devices with higher integration and higher functionality, process temperature reduction (reduction in substrate temperature) is required, and the CAT-CVD method is particularly excellent in this respect.

しかしながら、ＣＡＴ−ＣＶＤ法においても、熱触媒体がかなり高温に加熱され、この熱触媒体が基板の付近に設けられるため、熱触媒体からの基板に与えられる熱の問題がある。熱触媒体は基板から離して配置され、また処理容器内は１〜数十Ｐａ程度の真空に維持されるため、伝導伝達や対流による熱熱触媒体から基板への熱の伝達は殆どない。熱の伝達で問題となるのは、熱触媒体からの輻射による基板への熱伝達である。このような問題にもかかわらず、従来の触媒化学蒸着装置では、この熱触媒体からの熱輻射を低減させるような試みはなされていなかった。本願の発明は、この熱触媒体から基板への熱輻射という点を解決課題とするものであり、基板への熱輻射を低減することでさらなるプロセスの低温化を可能にするものである。 However, even in the CAT-CVD method, the thermal catalyst is heated to a considerably high temperature, and this thermal catalyst is provided in the vicinity of the substrate, so that there is a problem of heat applied to the substrate from the thermal catalyst. The thermal catalyst is disposed away from the substrate, and the inside of the processing container is maintained at a vacuum of about 1 to several tens of Pa. Therefore, there is almost no heat transfer from the thermothermal catalyst to the substrate by conduction or convection. A problem in heat transfer is heat transfer to the substrate due to radiation from the thermal catalyst. Despite such problems, the conventional catalytic chemical vapor deposition apparatus has not attempted to reduce the heat radiation from the thermal catalyst. The invention of the present application aims to solve the problem of thermal radiation from the thermal catalyst to the substrate, and enables further reduction in the process temperature by reducing thermal radiation to the substrate.

上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、内部で基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、処理容器内に所定の蒸着用ガスを供給するガス供給系と、供給された蒸着用ガスが表面付近を通過するように処理容器内に設けられた熱触媒体と、熱触媒体が関与した蒸着用ガスの反応により所定の薄膜が作成される処理容器内の位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えた触媒化学蒸着装置であって、前記熱触媒体はコイル状であり、このコイルの軸方向が前記基板の表面に対して平行になるよう設けられており、前記熱触媒体は、前記基板に対向する面の熱輻射率が他の面に比べて低くなっているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、上記請求項１の構成において、前記コイル状の熱触媒体は、そのコイルが成す仮想円筒面の直径をＲ、隣り合う線の幅をｐとしたとき、ｐ／Ｒが５以下であるという構成を有する。 In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 of the present application includes a processing container in which a predetermined processing is performed on a substrate, a gas supply system for supplying a predetermined vapor deposition gas into the processing container, A position in the processing vessel where a predetermined thin film is created by the reaction of the thermal catalyst provided in the processing vessel so that the supplied vapor for vapor deposition passes near the surface and the vaporizing gas involving the thermal catalyst. a catalytic chemical vapor deposition apparatus that includes a substrate holder for holding a substrate, said thermal catalyst is coiled, is provided so as to be parallel to the axial direction surface of the substrate of the coil The thermal catalyst has a configuration in which the thermal emissivity of the surface facing the substrate is lower than that of other surfaces .
In order to solve the above problem, the invention according to claim 2 is the configuration according to claim 1, wherein the coil-shaped thermal catalyst body has a diameter of an imaginary cylindrical surface formed by the coil as R, When the width is p, p / R is 5 or less.

以上説明した通り、本願の請求項１の発明によれば、基板への熱輻射が低減するのでさらなる低温プロセスが可能になる。また、基板の加熱を安定して行えるので、プロセスの信頼性が高くなる。
また、請求項２の発明によれば、上記効果に加え、コイルに通電して加熱する際の電力効率が向上するという効果が得られる。 As described above, according to the invention of claim 1 of the present application, thermal radiation to the substrate is reduced, so that a further low temperature process is possible. Further, since the substrate can be stably heated, the process reliability is increased.
According to the invention of claim 2, in addition to the above effect, there is an effect that the power efficiency when the coil is energized and heated is improved.

以下、本願の発明の実施の形態について説明する。
まず、参考例の触媒化学蒸着装置について説明する。図１は、第一の参考例の触媒化学蒸着装置の構成を説明する正面概略図である。図１に示す触媒化学蒸着装置は、内部で基板９に対して所定の処理がなされる処理容器１と、処理容器１内に反応性ガスよりなる所定の蒸着用ガスを供給するガス供給系２と、供給された蒸着用ガスが表面付近を通過するように処理容器１内に設けられた熱触媒体３と、熱触媒体３が関与した蒸着用ガスの反応により所定の薄膜が作成される処理容器１内の位置に基板９を保持する基板ホルダー４とを備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
First, a catalytic chemical vapor deposition apparatus of a reference example will be described. FIG. 1 is a schematic front view illustrating the configuration of the catalytic chemical vapor deposition apparatus of the first reference example. A catalytic chemical vapor deposition apparatus shown in FIG. 1 includes a processing container 1 in which a predetermined process is performed on a substrate 9 inside, and a gas supply system 2 that supplies a predetermined deposition gas made of a reactive gas into the processing container 1. Then, a predetermined thin film is formed by a reaction between the thermal catalyst 3 provided in the processing container 1 so that the supplied vapor deposition gas passes near the surface and the vapor deposition gas involving the thermal catalyst 3. A substrate holder 4 for holding the substrate 9 is provided at a position in the processing container 1.

処理容器１は、排気系１１を備えた気密な容器であり、基板９の出し入れを行うための不図示のゲートバルブを備えている。処理容器１は、ステンレス又はアルミニウム等の材質で形成されており、電気的には接地されている。排気系１１は、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプを備えており、処理容器１内を１０^−８Ｔｏｒｒ程度に排気可能に構成されている。尚、排気系１１は、不図示の排気速度調整器を備えている。 The processing container 1 is an airtight container including an exhaust system 11 and includes a gate valve (not shown) for taking in and out the substrate 9. The processing container 1 is made of a material such as stainless steel or aluminum and is electrically grounded. The exhaust system 11 includes a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and is configured to be able to exhaust the inside of the processing vessel 1 to about 10 ⁻⁸ Torr. The exhaust system 11 includes an exhaust speed adjuster (not shown).

ガス供給系２は、所定の蒸着用ガスを溜めたガスボンベ２１と、処理容器１内に設けられたガス供給器２２と、ガスボンベ２１とガス供給器２２とを繋ぐ配管２３と、配管２３上に設けられたバルブ２４や流量調整器２５とから構成されている。
ガス供給器２２は中空の部材であり、基板ホルダー４に対向した前面を有している。この前面には、小さなガス吹き出し孔２２０が多数形成されている。ガスボンベ２１から配管２３を通してガス供給器２２にガスが導入され、このガスがガス吹き出し孔２２０から吹き出して処理容器１内に供給されるようになっている。 The gas supply system 2 includes a gas cylinder 21 in which a predetermined vapor deposition gas is stored, a gas supply device 22 provided in the processing container 1, a pipe 23 connecting the gas cylinder 21 and the gas supply apparatus 22, and a pipe 23. The valve 24 and the flow rate regulator 25 are provided.
The gas supply unit 22 is a hollow member and has a front surface facing the substrate holder 4. A large number of small gas blowing holes 220 are formed on the front surface. A gas is introduced from the gas cylinder 21 through the pipe 23 into the gas supply device 22, and this gas is blown out from the gas blowing hole 220 and supplied into the processing container 1.

基板ホルダー４は、処理容器１の上壁部から内部に突出する設けられた部材であり、下面に基板９を保持するようになっている。基板９は、基板ホルダー４に設けられた不図示の爪によりその縁が掛けられて保持されるか、又は、下面に静電吸着されて保持されるようになっている。また、この基板ホルダー４は、基板９の表面で最終的な反応を生じさせて蒸着を行うために基板９を加熱する加熱機構としても機能している。即ち、基板ホルダー４内には、基板９を所定温度に加熱するヒータ４１が設けられている。ヒータ４１は、カートリッジヒータ等の抵抗発熱方式のものである。基板９はヒータ４１により室温〜３００又は６００℃程度に加熱されるようになっている。 The substrate holder 4 is a member provided to protrude from the upper wall portion of the processing container 1 and holds the substrate 9 on the lower surface. The substrate 9 is held by being hooked by a claw (not shown) provided in the substrate holder 4 or electrostatically attracted to the lower surface. The substrate holder 4 also functions as a heating mechanism for heating the substrate 9 in order to cause a final reaction on the surface of the substrate 9 to perform vapor deposition. That is, a heater 41 for heating the substrate 9 to a predetermined temperature is provided in the substrate holder 4. The heater 41 is of a resistance heating type such as a cartridge heater. The substrate 9 is heated to about room temperature to 300 or 600 ° C. by the heater 41.

熱触媒体３の構成は、第一の参考例の装置の大きな特徴点を成している。熱触媒体３の構成について、図１及び図２を使用して説明する。図２は、図１の装置に使用された熱触媒体の構成を説明する斜視概略図である。図１及び図２から分かるように、第一の参考例における熱触媒体３は、一つの帯板状の部材を複雑に屈曲させた形状である。より具体的に言えば、大きなコ状の形状の内部で矩形波状に屈曲させた形状である。そして、熱触媒体３は、断面形状において長尺な面が基板９に垂直になるように、つまり帯板の幅方向が基板９に垂直になるように配置されている。 The configuration of the thermal catalyst 3 is a major feature of the apparatus of the first reference example. The configuration of the thermal catalyst 3 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 2 is a schematic perspective view illustrating the configuration of the thermal catalyst used in the apparatus of FIG. As can be seen from FIGS. 1 and 2, the thermal catalyst body 3 in the first reference example has a shape in which one strip-shaped member is bent in a complicated manner. More specifically, it is a shape bent in a rectangular wave shape inside a large U-shaped shape. The thermal catalyst 3 is arranged so that the long surface in the cross-sectional shape is perpendicular to the substrate 9, that is, the width direction of the strip is perpendicular to the substrate 9.

熱触媒体３には、加熱機構３０が設けられている。加熱機構３０は熱触媒体３を通電してジュール熱を発生させることで熱触媒体３を加熱するよう構成されている。具体的には、加熱機構３０は熱触媒体３に所定の交流電流を流す交流電源である。一方、熱触媒体３はタングステン、タンタル、モリブデン等の金属製であり、図２に示すように、この帯板状の部材からなる熱触媒体３の長さ方向の端面には電極が設けられている。電極には、加熱機構３０からの通電線が接続されている。加熱機構３０には、例えば１０００Ｗ程度の電源が用いられ、熱触媒体３を１９００℃程度まで加熱できるよう構成される。 The thermal catalyst body 3 is provided with a heating mechanism 30. The heating mechanism 30 is configured to heat the thermal catalyst 3 by energizing the thermal catalyst 3 to generate Joule heat. Specifically, the heating mechanism 30 is an AC power source that allows a predetermined AC current to flow through the thermal catalyst 3. On the other hand, the thermal catalyst 3 is made of a metal such as tungsten, tantalum, or molybdenum. As shown in FIG. 2, an electrode is provided on the end surface in the length direction of the thermal catalyst 3 made of a strip-like member. ing. A conductive wire from the heating mechanism 30 is connected to the electrode. For the heating mechanism 30, for example, a power source of about 1000 W is used, and the thermal catalyst 3 can be heated to about 1900 ° C.

さて、第一の参考例の装置の大きな特徴点は、図１及び図２に示すような構成及び配置の熱触媒体３を使用することによって、基板９への熱輻射を低減させている点である。この点を、図３を使用して説明する。図３は、図１及び図２に示す熱触媒体３の長所を説明する模式図である。上述したように、第一の参考例の特徴点は、熱触媒体３に帯板状の部材を使用し、その断面形状において長尺な面（以下、長尺面）が基板と垂直になるように配置する点である。従って、断面形状において短尺な面（端面）は、基板に対して平行となる。このような構成及び配置の熱触媒体３を使用すると、従来のようなワイヤー状の熱触媒体を使用する場合に比べ、基板９を加熱する度合いが小さくなる。 The major feature of the apparatus of the first reference example is that the thermal radiation to the substrate 9 is reduced by using the thermal catalyst 3 having the configuration and arrangement as shown in FIGS. It is. This point will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the advantages of the thermal catalyst 3 shown in FIGS. 1 and 2. As described above, the feature of the first reference example is that a strip-like member is used for the thermal catalyst 3 and a long surface (hereinafter referred to as a long surface) is perpendicular to the substrate in its cross-sectional shape. It is a point to arrange so. Accordingly, a short surface (end surface) in the cross-sectional shape is parallel to the substrate. When the thermal catalyst body 3 having such a configuration and arrangement is used, the degree of heating the substrate 9 is reduced as compared with the case where a wire-like thermal catalyst body is used.

説明を簡単にするために、熱触媒体３が単純な直線状の帯板とワイヤーである場合を想定する。図３中（１）が帯板状の熱触媒体３を使用する場合であり、（２）がワイヤー状の熱触媒体３を使用する場合である。後述するように、熱触媒体３は、表面反応によって触媒作用をもたらすから、表面積はできるだけ大きい方がよい。図３に示す例では、両者とも同じ表面積であるとする。つまり、図３の（１）（２）とも、熱触媒作用としては同様である。例えば、（１）の熱触媒体３の断面が１×５ｍｍであるとすると、（２）の熱触媒体は、２πｒ＝（１＋５）×２＝１２ｍｍ^２で、ｒ＝２．４ｍｍ程度になる。 In order to simplify the description, it is assumed that the thermal catalyst 3 is a simple linear strip and wire. In FIG. 3, (1) is the case where the strip-shaped thermal catalyst 3 is used, and (2) is the case where the wire-shaped thermal catalyst 3 is used. As will be described later, since the thermal catalyst 3 brings about a catalytic action by surface reaction, the surface area should be as large as possible. In the example shown in FIG. 3, it is assumed that both have the same surface area. That is, (1) and (2) in FIG. 3 are the same as the thermal catalytic action. For example, if the cross section of the thermal catalyst body 3 of (1) is 1 × 5 mm, the thermal catalyst body of (2) is 2πr = (1 + 5) × 2 = 12 mm ² and r = about 2.4 mm. .

熱輻射は輻射線による加熱であるから、その加熱の方向性は、発光体の配光特性と同様に考えて良い。図３の（１）と（２）とを比べると分かるように、基板９の一点から帯板状の熱触媒体３を見込む角度θ_１は、同じ点からワイヤー状の熱触媒体３を見込む角度θ_２に比べて常に小さい。従って、熱触媒体３が同一温度である場合、熱触媒体３から基板９に到達する輻射線の量は、帯板状の方がワイヤー状に比べて常に小さくなる。 Since heat radiation is heating by radiation, the direction of the heating may be considered in the same manner as the light distribution characteristics of the light emitter. As can be seen by comparing (1) and (2) in FIG. 3, the angle θ _{1 at} which the strip-shaped thermal catalyst 3 is viewed from one point of the substrate 9 is viewed from the same point as the wire-shaped thermal catalyst 3. always smaller than the angle θ _2. Therefore, when the thermal catalyst 3 is at the same temperature, the amount of radiation reaching the substrate 9 from the thermal catalyst 3 is always smaller in the band plate shape than in the wire shape.

図２や図８に示すように屈曲させた場合にも基本的には同じであって、同一表面積である場合、基板９に平行に延びるワイヤー状の熱触媒体３に比べて、長尺面が基板９に垂直になるように配置した板状の熱触媒体３の方が基板９に到達する熱輻射の量が少なくなる。
尚、「熱輻射の量」とは、厳密には熱輻射のエネルギーを全波長域にわたって積分したものである。但し、特定の波長域の輻射線が基板９に到達することが問題となる場合などには、その波長域で積分したエネルギーの量を「熱輻射の量」とする場合がある。 Even when bent as shown in FIGS. 2 and 8, the surface is basically the same, and in the case of the same surface area, the long surface is longer than the wire-shaped thermal catalyst 3 extending parallel to the substrate 9. The amount of heat radiation reaching the substrate 9 is smaller in the plate-like thermal catalyst body 3 arranged so as to be perpendicular to the substrate 9.
In addition, strictly speaking, the “amount of heat radiation” is obtained by integrating the energy of heat radiation over the entire wavelength range. However, when there is a problem that radiation in a specific wavelength range reaches the substrate 9, the amount of energy integrated in the wavelength range may be referred to as “amount of heat radiation”.

また、図２に示すように、第一の参考例では、帯板状の部材をその幅方向を折れ線にして折り曲げたものを熱触媒体３として使用している。このため、ある程度小さな占有空間で大きな表面積を得ることができ、熱触媒作用をより多く得ることができる。また、隣り合う各板部分が互いに対向しているので、お互いに熱輻射で加熱し合うことになる。このため、一定温度に加熱する際の加熱効率が向上するメリットもある。 As shown in FIG. 2, in the first reference example, a member obtained by bending a band plate-like member with its width direction as a broken line is used as the thermal catalyst 3. For this reason, a large surface area can be obtained in a somewhat small occupied space, and more thermal catalysis can be obtained. In addition, since the adjacent plate portions face each other, they are heated by heat radiation. For this reason, there is a merit that heating efficiency at the time of heating to a constant temperature is improved.

より具体的な寸法例を挙げると、先ほどと異なるが、熱触媒体３は、幅１．０ｃｍで厚さ７０μｍ程度のタングステン製の帯板を使用する。この帯板を長さ１００〜２００ｃｍ程度使用し、図２に示すように屈曲させる。隣り合う部分の間隔は、３ｍｍ程度である。 To give a more specific example of dimensions, although different from the previous example, the thermal catalyst 3 uses a strip made of tungsten having a width of 1.0 cm and a thickness of about 70 μm. This strip is used with a length of about 100 to 200 cm and bent as shown in FIG. The interval between adjacent portions is about 3 mm.

第一の参考例の装置は、このように熱触媒体３から基板９への熱輻射が低減されているので、基板９の温度をさらに低くして蒸着を行うことができる。この点は、より低温のプロセスが要求されているガリウム砒素系半導体デバイスの製作に大きな威力を発揮する。 In the apparatus of the first reference example, since the heat radiation from the thermal catalyst 3 to the substrate 9 is reduced as described above, the temperature of the substrate 9 can be further lowered to perform the vapor deposition. This point demonstrates great power in the manufacture of gallium arsenide-based semiconductor devices that require lower temperature processes.

また、熱触媒体３は、板材でなくとも、箔よりなる部材即ち箔材を使用して構成することができる。熱触媒体３は、前述した通り加熱機構３０により通電加熱される。この際、体積の小さい熱触媒体３の方が小さな電力で所定温度に加熱することができる。この点を考慮すると、熱触媒体３が板材よりなる場合でも、その厚さは薄い方が良い。従って、板材に代えて箔材を熱触媒体３として用いる場合がある。板材と箔材との概念の相違は微妙であるが、箔材の場合、「断面形状において短尺な面」というのが存在しないことがあるので、その表面が基板９に対して垂直になるようにする。 Moreover, the thermal catalyst 3 can be configured using a member made of foil, that is, a foil material, instead of a plate material. The thermal catalyst 3 is energized and heated by the heating mechanism 30 as described above. At this time, the thermal catalyst body 3 having a smaller volume can be heated to a predetermined temperature with a smaller electric power. Considering this point, even when the thermal catalyst 3 is made of a plate material, the thickness is preferably small. Therefore, a foil material may be used as the thermal catalyst 3 in place of the plate material. The difference in concept between the plate material and the foil material is subtle, but in the case of the foil material, there may not be a “short surface in cross-sectional shape”, so that the surface is perpendicular to the substrate 9. To.

熱触媒体３を箔材で構成する場合、図１及び図２と同様に帯状のものを使用することが好ましい。帯状の箔材は、その幅方向を折れ線にして例えば鋸波状に折り曲げられる。このままでは箔材がその形状を保持するのが難しいので、垂直なピンを設け、折れ線の部分でピンに箔材をひっかけて保持させる。尚、ピンは、例えば方形の枠上に固定する。このような構成の熱触媒体３であっても、前述したのと同様の効果が得られる。 When the thermal catalyst body 3 is formed of a foil material, it is preferable to use a belt-like member as in FIGS. 1 and 2. The strip-shaped foil material is bent in a sawtooth shape, for example, with its width direction as a broken line. Since it is difficult to keep the shape of the foil material as it is, a vertical pin is provided to hold the foil material on the pin at the portion of the broken line. The pin is fixed on, for example, a rectangular frame. Even with the thermal catalyst 3 having such a configuration, the same effect as described above can be obtained.

また、基板９は上述した通り基板ホルダー４内のヒータ４１によって加熱されている。そして、基板ホルダー４は基板９の温度を測定する熱電対等の不図示の温度センサを備えており、基板９の温度はフィードバック制御される。しかしながら、基板９は熱触媒体３からの熱輻射によっても加熱されており、この熱輻射による加熱分が多いと、基板９の温度制御の制御性が低下する問題がある。逆に言えば、基板９への熱輻射が低減された参考例の構成は、基板９の温度制御の制御性が向上し、基板９の温度を安定して一定に保つことができる。 The substrate 9 is heated by the heater 41 in the substrate holder 4 as described above. The substrate holder 4 is provided with a temperature sensor (not shown) such as a thermocouple for measuring the temperature of the substrate 9, and the temperature of the substrate 9 is feedback-controlled. However, the substrate 9 is also heated by heat radiation from the thermal catalyst 3, and there is a problem that the controllability of the temperature control of the substrate 9 is lowered when there is a large amount of heating by this heat radiation. In other words, the configuration of the reference example in which the heat radiation to the substrate 9 is reduced improves the controllability of the temperature control of the substrate 9 and can keep the temperature of the substrate 9 stable and constant.

さらに、上述した熱触媒体３の形状は、加熱効率という点も優れている。即ち、図２に示すように屈曲した熱触媒体３の形状では、矩形波状の部分等で帯板の表面が向かい合っている。この向かい合う部分では互いに熱輻射によって加熱しあうことになる。このため、熱触媒体３を所定の温度に加熱する際に要する電力が小さくできる。つまり、熱触媒体３から外部に放出される熱輻射を少なくし熱触媒体３内で互いに加熱する熱輻射を多くすることで、加熱の電力効率を高めた構成となっている。 Furthermore, the shape of the thermal catalyst body 3 described above is also excellent in terms of heating efficiency. That is, in the shape of the bent thermal catalyst body 3 as shown in FIG. 2, the surfaces of the strips face each other at rectangular wave portions or the like. In this facing portion, they are heated by heat radiation. For this reason, the electric power required when heating the thermal catalyst body 3 to predetermined | prescribed temperature can be made small. In other words, the power efficiency of heating is increased by reducing the heat radiation released from the thermal catalyst body 3 to the outside and increasing the heat radiations that heat each other in the thermal catalyst body 3.

次に、第一の参考例の触媒化学蒸着装置の動作について説明する。まず、処理容器１に隣接した不図示のロードロック室に基板９を配置するとともにロードロック室及び処理容器１内を所定の圧力まで排気し、その後、不図示のゲートバルブを開けて基板９を処理容器１内に搬入する。基板９は、基板ホルダー４に保持される。基板ホルダー４内のヒータ４１が予め動作しており、基板ホルダー４に保持された基板９は、ヒータ４１からの熱によって所定温度に加熱される。 Next, the operation of the catalytic chemical vapor deposition apparatus of the first reference example will be described. First, the substrate 9 is placed in a load lock chamber (not shown) adjacent to the processing container 1 and the inside of the load lock chamber and the processing container 1 is exhausted to a predetermined pressure. Thereafter, a gate valve (not shown) is opened to remove the substrate 9. It is carried into the processing container 1. The substrate 9 is held by the substrate holder 4. The heater 41 in the substrate holder 4 operates in advance, and the substrate 9 held by the substrate holder 4 is heated to a predetermined temperature by the heat from the heater 41.

この状態で、ガス供給系２が動作する。即ち、バルブ２４が開きガス供給器２２を通して蒸着用ガスが処理容器１内に供給される。供給された蒸着用ガスは、熱触媒体３の表面を通過して基板９に達する。この際、熱触媒体３が触媒として関与した反応が生じ、基板９の表面に所定の薄膜が堆積する。薄膜が所定の厚さに達したら、バルブ２４を閉じて蒸着用ガスの供給を停止し、処理容器１内を再度排気する。その後、基板９を処理容器１から取り出す。 In this state, the gas supply system 2 operates. That is, the valve 24 is opened and the vapor deposition gas is supplied into the processing container 1 through the gas supplier 22. The supplied deposition gas passes through the surface of the thermal catalyst 3 and reaches the substrate 9. At this time, a reaction involving the thermal catalyst 3 as a catalyst occurs, and a predetermined thin film is deposited on the surface of the substrate 9. When the thin film reaches a predetermined thickness, the valve 24 is closed to stop supplying the vapor deposition gas, and the inside of the processing container 1 is evacuated again. Thereafter, the substrate 9 is taken out from the processing container 1.

蒸着の具体例について、前述と同様に窒化シリコン膜を作成する場合を例にして説明すると、蒸着用ガスとして、モンシランを０．５ｃｃ／分、アンモニアを５０ｃｃ／分の割合で混合して導入する。熱触媒体３の温度を１７００℃、基板９の温度を３００℃、処理容器１内の圧力を１．３Ｐａに維持して蒸着を行うと、１２０オングスローム／分程度の成膜速度で窒化シリコン膜の作成が行える。尚、このような窒化シリコン膜は、パッシベーション膜として効果的に利用できる。 A specific example of vapor deposition will be described by taking as an example the case of forming a silicon nitride film in the same manner as described above. As a vapor deposition gas, monsilane is mixed and introduced at a rate of 0.5 cc / min and ammonia at a rate of 50 cc / min. . When deposition is performed while maintaining the temperature of the thermal catalyst 3 at 1700 ° C., the temperature of the substrate 9 at 300 ° C., and the pressure in the processing vessel 1 at 1.3 Pa, a silicon nitride film is formed at a deposition rate of about 120 Å / min. Can be created. Such a silicon nitride film can be effectively used as a passivation film.

次に、上記蒸着に利用されている触媒反応について、補足して説明を行う。図３は、ＣＡＴ−ＣＶＤ法の蒸着メカニズムを説明する概略図である。上記窒化シリコン膜を作成する場合を例にとると、導入されたモノシランガスが、所定温度に加熱された熱触媒体３の表面（タングステン表面）を通過する際、水素分子の吸着解離反応に類似したシランの接触分解反応が生じ、ＳｉＨ_３ ^＊及びＨ^＊という分解活性種が生成される。詳細なメカニズムは明かではないが、モノシランを構成する一つの水素がタングステン表面に吸着することで、その水素とシリコンの結合が弱まってモノシランが分解し、タングステン表面への吸着が熱によって解かれてＳｉＨ_３ ^＊及びＨ^＊という分解活性種が生成されると考えられる。アンモニアガスにも同様な接触分解反応が生じ、ＮＨ_２ ^＊及びＨ^＊という分解活性種が生成される。そして、これらの分解活性種が基板９に到達してシリコン窒化膜の堆積に寄与する。即ち、反応式で示すと、
ＳｉＨ_４（ｇ）→ＳｉＨ_３ ^＊ _（ｇ）＋Ｈ^＊ _（ｇ）
ＮＨ_３（ｇ）→ＮＨ_２ ^＊ _（ｇ）＋Ｈ^＊ _（ｇ）
ａＳｉＨ_３ ^＊ _（ｇ）＋ｂＮＨ_２ ^＊ _（ｇ）→ｃＳｉＮ_Ｘ（ｓ）
となる。尚、ｇの添え字はガス状態、ｓの添え字は固体状態であることを意味する。 Next, a supplementary description will be given of the catalytic reaction used for the vapor deposition. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the vapor deposition mechanism of the CAT-CVD method. Taking the case of forming the silicon nitride film as an example, when the introduced monosilane gas passes through the surface (tungsten surface) of the thermal catalyst 3 heated to a predetermined temperature, it is similar to the adsorption dissociation reaction of hydrogen molecules. A catalytic decomposition reaction of silane occurs, and decomposition active species of SiH ₃ ^* and H ^* are generated. Although the detailed mechanism is not clear, when one hydrogen constituting monosilane adsorbs on the tungsten surface, the bond between the hydrogen and silicon weakens and monosilane decomposes, and the adsorption on the tungsten surface is dissolved by heat. It is considered that decomposition active species of SiH ₃ ^* and H ^* are generated. A similar catalytic decomposition reaction occurs in ammonia gas, and decomposition active species of NH ₂ ^* and H ^* are generated. These decomposition active species reach the substrate 9 and contribute to the deposition of the silicon nitride film. In other words, the reaction formula shows
SiH _{4 (g)} → SiH ₃ ^* _(g) + H ^* _(g)
NH _{3 (g)} → NH ₂ ^* _(g) + H ^* _(g)
aSiH ₃ ^* _(g) + bNH ₂ ^* _(g) → cSiN _{X (s)}
It becomes. The subscript “g” means a gas state, and the subscript “s” means a solid state.

次に、第二の参考例について説明する。図５は、第二の参考例の要部を説明する斜視概略図である。この第二の参考例は、熱触媒体３の構成が第一の参考例の構成と異なるのみである。第二の参考例では、熱触媒体３から基板９への熱輻射をさらに低減させるため、熱触媒体３の基板９側の端面は、熱触媒体３の他の表面に比べて熱輻射率が低くなっている。 Next, a second reference example will be described. FIG. 5 is a schematic perspective view for explaining a main part of the second reference example. This second reference example is different only in the configuration of the thermal catalyst body 3 from the configuration of the first reference example. In the second reference example, in order to further reduce the thermal radiation from the thermal catalyst 3 to the substrate 9, the end surface of the thermal catalyst 3 on the substrate 9 side has a thermal radiation rate as compared with the other surface of the thermal catalyst 3. Is low.

具体的に説明すると、熱触媒体３の基板９側の端面は、被覆材３２で被覆されている。熱触媒体３は前述と同様にタングステン製であり、被覆材３２は高融点でタングステンよりも熱輻射率が低い材料である。このような材料としては例えば白金が挙げられる。また、チタン等の白金より高融点の金属も考えられる。被覆材３２は被覆膜であり、溶射、スパッタ又は蒸着等の方法により基板３１の端面に形成される。被覆材３２の厚さは、例えば１μｍ程度である。尚、被覆材３２は熱触媒作用があっても良いし無くてもよい。熱触媒作用があるとより好適であるが、無くてもその表面積は小さいので問題とならない。 More specifically, the end surface of the thermal catalyst 3 on the substrate 9 side is covered with a covering material 32. The thermal catalyst 3 is made of tungsten as described above, and the covering material 32 is a material having a high melting point and a lower thermal emissivity than tungsten. An example of such a material is platinum. A metal having a melting point higher than that of platinum such as titanium is also conceivable. The coating material 32 is a coating film, and is formed on the end surface of the substrate 31 by a method such as thermal spraying, sputtering, or vapor deposition. The thickness of the covering material 32 is, for example, about 1 μm. The covering material 32 may or may not have a thermal catalytic action. It is more preferable that there is a thermal catalytic action, but even if it does not, there is no problem because its surface area is small.

この第二の参考例の装置では、第一の参考例と同様に熱触媒体３が板材であってその端面が基板９に平行に配置されている上、熱輻射率の小さな材料の被覆材３２で基板９側の端面が被覆されているため、熱触媒体３から基板９への熱輻射の量がさらに少なくなっている。従って、基板９の温度上昇をさらに抑制することができる。尚、上記構成では、熱輻射率の小さな材料で被覆することで基板９に向かっての熱輻射の量を少なくしたが、熱触媒体の表面状態を変えることによって熱輻射の量を少なくすることは可能である。例えば、第一の参考例における熱触媒体３の基板９側の端面を鏡面加工処理すると、その端面から放出される熱輻射の量を低減させることができる。 In the apparatus of the second reference example, as in the first reference example, the thermal catalyst 3 is a plate and its end face is arranged in parallel to the substrate 9, and the covering material is made of a material having a low thermal emissivity. Since the end face on the substrate 9 side is covered with 32, the amount of heat radiation from the thermal catalyst 3 to the substrate 9 is further reduced. Therefore, the temperature rise of the substrate 9 can be further suppressed. In the above configuration, the amount of heat radiation toward the substrate 9 is reduced by coating with a material having a low heat radiation rate, but the amount of heat radiation is reduced by changing the surface state of the thermal catalyst. Is possible. For example, when the end surface on the substrate 9 side of the thermal catalyst body 3 in the first reference example is mirror-finished, the amount of heat radiation emitted from the end surface can be reduced.

次に、第三の参考例について説明する。図６は、第三の参考例の要部を説明する斜視概略図である。この第三の参考例は、第二の参考例と同様、熱触媒体３の構成が第一の参考例の構成と異なるのみである。この第三の参考例では、熱触媒体３の基板９側の端面は、別の部材３３で覆われている。そして、この別の部材３３の基板９に対向する面の温度が熱触媒体３の表面の温度よりも低くなるよう構成されている。別の部材３３は、第二の参考例における被覆材３２と同様に、熱触媒体３の基板９側の端面を覆うものであるが、被覆膜として形成される被覆材３２とは異なり、ある程度の厚みを持って熱触媒体３の端面を覆っている。 Next, a third reference example will be described. FIG. 6 is a schematic perspective view illustrating the main part of the third reference example. As in the second reference example, the third reference example is different from the first reference example only in the configuration of the thermal catalyst 3. In the third reference example, the end surface of the thermal catalyst 3 on the substrate 9 side is covered with another member 33. The temperature of the surface of the other member 33 facing the substrate 9 is configured to be lower than the temperature of the surface of the thermal catalyst 3. Another member 33 covers the end surface of the thermal catalyst 3 on the substrate 9 side, similarly to the coating material 32 in the second reference example, but unlike the coating material 32 formed as a coating film, The end surface of the thermal catalyst 3 is covered with a certain thickness.

この第三の参考例は、別の部材３３の特にその基板９に対向した面（以下、基板対向面）の温度が熱触媒体３の表面の温度より低くなるようにすることで基板９への熱輻射を少なくするものである。基板対向面の温度を低くする構成は、二通り考えられる。その一つは、熱触媒体３と別の部材３３との間の熱伝達率が低くして熱触媒体３の熱が別の部材３３に伝わらないようにする構成である。別の一つは、別の部材３３自体に熱伝導率の低い材料を使用して別の部材３３内に温度差を設けるようにする構成である。 This third reference example is directed to the substrate 9 by making the temperature of the surface of the other member 33 facing the substrate 9 (hereinafter referred to as the substrate facing surface) lower than the temperature of the surface of the thermal catalyst 3. This reduces heat radiation. There are two possible configurations for lowering the temperature of the substrate facing surface. One of them is a configuration in which the heat transfer rate between the thermal catalyst 3 and the other member 33 is lowered so that the heat of the thermal catalyst 3 is not transmitted to the other member 33. Another is a configuration in which a temperature difference is provided in another member 33 by using a material having low thermal conductivity for the other member 33 itself.

前者の構成としては、例えば別の部材３３も熱触媒体３と同じタングステン製とし、別の部材３３と熱触媒体３との間に熱遮蔽性の部材を介在させる構成が挙げられる。また、別の部材３３と熱触媒体３を少し離間させるようにしても、それらの周囲の雰囲気は真空であるので、同様の効果が得られる。また、後者の構成としては、別の部材３３に耐熱性で熱伝導率の小さな材料例えばタンタルやマグネシウム等を使用するようにする。尚、いずれの場合においても、別の部材３３の厚みは１〜３ｍｍ程度でよい。 As the former configuration, for example, another member 33 is also made of the same tungsten as the thermal catalyst 3, and a thermal shielding member is interposed between the other member 33 and the thermal catalyst 3. Further, even if the other member 33 and the thermal catalyst 3 are slightly separated from each other, a similar effect can be obtained because the surrounding atmosphere is a vacuum. As the latter configuration, a heat resistant and low thermal conductivity material such as tantalum or magnesium is used for the other member 33. In any case, the thickness of another member 33 may be about 1 to 3 mm.

上記説明では、別の部材３３の基板対向面の温度を低くするよう構成したが、別の部材３３の基板対向面を熱輻射率を小さくするよう構成してもよい。例えば、第二の参考例のように、基板対向面の表面を熱輻射率の小さな材料で被覆したり、熱輻射率が小さくなるような処理を表面に施すようにしてもよい。尚、この第三の参考例においても、別の部材３３は熱触媒作用のあっても無くてもよい。熱触媒作用がある場合は、熱触媒体３の一部として捉えることができる。 In the above description, the temperature of the substrate facing surface of another member 33 is configured to be low, but the substrate facing surface of another member 33 may be configured to reduce the thermal radiation rate. For example, as in the second reference example, the surface of the substrate facing surface may be coated with a material having a low thermal radiation rate, or the surface may be subjected to a treatment that reduces the thermal radiation rate. In this third reference example, the other member 33 may or may not have a thermal catalytic action. When there is a thermal catalytic action, it can be regarded as a part of the thermal catalyst body 3.

次に、本願発明の実施形態について説明する。図７は、本願発明の実施形態の要部を説明する斜視概略図である。この実施形態は、第一の参考例の装置において、熱触媒体３の構成を変更したものである。本実施形態では、図７に示すように、熱触媒体３はコイル状であって、このコイルの軸方向が基板９の表面に対して平行になるよう設けられている。熱触媒体３は、例えば直径０．５ｍｍ程度のタングステン線をコイル状にしたものである。コイルの直径即ちコイルが成す仮想円筒面の直径（図７中にＲで示す）は例えば７ｍｍ、コイルのピッチ即ち隣り合う線の幅（図７中にｐで示す）は例えば１．５ｍｍである。 Next, an embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a schematic perspective view for explaining a main part of the embodiment of the present invention. In this embodiment, the configuration of the thermal catalyst 3 is changed in the apparatus of the first reference example. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the thermal catalyst 3 is coiled, and is provided so that the axial direction of the coil is parallel to the surface of the substrate 9. The thermal catalyst 3 is, for example, a coil of tungsten wire having a diameter of about 0.5 mm. The diameter of the coil, that is, the diameter of the virtual cylindrical surface formed by the coil (indicated by R in FIG. 7) is, for example, 7 mm, and the coil pitch, that is, the width of adjacent lines (indicated by p in FIG. 7) is, for example, 1.5 mm. .

このように熱触媒体３をコイル状にしてその軸が基板９の表面に平行に配置すると、図９に示すような鋸波状のワイヤーよりなる場合に比べ、同一表面積及び同一温度で条件下で、やはり基板９への熱輻射を少なくできる効果がある。即ち、同一径及び同一長さのワイヤーを鋸波状にする場合と、コイル状にする場合とを比べると、コイル状にした方が隣り合う線同士が熱輻射で互いに加熱し合う量が多くなる。そして、相対的に基板９に向かって放出される熱輻射の量が少なくなる。また、隣り合う線同士で加熱する割合が高くなるため、一定温度に加熱する際の電力効率が向上する。 In this way, when the thermal catalyst body 3 is coiled and its axis is arranged parallel to the surface of the substrate 9, compared with the case of the sawtooth wire as shown in FIG. Also, there is an effect that heat radiation to the substrate 9 can be reduced. That is, when the wire having the same diameter and the same length is made into a saw-tooth shape and the case where it is made into a coil shape, the amount of the adjacent wires that are coiled increases with each other by heat radiation. . Further, the amount of heat radiation emitted toward the substrate 9 is relatively reduced. Moreover, since the ratio which heats between adjacent lines becomes high, the power efficiency at the time of heating to fixed temperature improves.

尚、基板９への熱輻射の低減や電力効率の向上のためには、コイルの隣り合う線同士がある程度接近している必要がある。つまり、コイルの巻き方がある程度密になっている必要がある。コイルの隣り合う線同士が離れていると、線の一点が隣りの線を見込む角度が小さくなり、到達する輻射線の量が低下する。このため、熱輻射による相互加熱の量が低下してしまう。図７に示すように、コイルが成す仮想円筒面の直径をＲ、コイルのピッチをｐとしたとき、十分な電力効率の向上のためにはｐ／Ｒが５以下であることが必要である。尚、この仮想円筒面の直径は、コイルの線の中心で取っても良いし、コイルの線の外縁又は内縁で取ってもよい。 In order to reduce thermal radiation to the substrate 9 and improve power efficiency, adjacent wires of the coil need to be close to each other to some extent. That is, the coil winding method needs to be dense to some extent. When the adjacent lines of the coil are separated from each other, the angle at which one point of the line looks at the adjacent line becomes small, and the amount of the radiating rays that reach the point decreases. For this reason, the amount of mutual heating due to heat radiation decreases. As shown in FIG. 7, when the diameter of the virtual cylindrical surface formed by the coil is R and the pitch of the coil is p, p / R needs to be 5 or less in order to sufficiently improve the power efficiency. . The diameter of the virtual cylindrical surface may be taken at the center of the coil wire, or may be taken at the outer edge or inner edge of the coil wire.

第一の参考例の触媒化学蒸着装置の構成を説明する正面概略図である。It is the front schematic diagram explaining the structure of the catalytic chemical vapor deposition apparatus of a 1st reference example. 図１の装置に使用された熱触媒体の構成を説明する斜視概略図である。It is a perspective schematic diagram explaining the structure of the thermal catalyst used for the apparatus of FIG. 図１及び図２に示す熱触媒体の長所を説明する模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the advantages of the thermal catalyst shown in FIGS. 1 and 2. ＣＡＴ−ＣＶＤ法の蒸着メカニズムを説明する概略図である。It is the schematic explaining the vapor deposition mechanism of CAT-CVD method. 第二の参考例の要部を説明する斜視概略図である。It is a perspective schematic diagram explaining the principal part of the 2nd reference example. 第三の参考例の要部を説明する斜視概略図である。It is a perspective schematic diagram explaining the principal part of the 3rd reference example. 本願発明の実施形態の要部を説明する斜視概略図である。It is a perspective schematic diagram explaining the principal part of embodiment of this invention. 図８は、ＣＡＴ−ＣＶＤ法を行う従来の触媒化学蒸着装置の概略構成を示す正面図である。FIG. 8 is a front view showing a schematic configuration of a conventional catalytic chemical vapor deposition apparatus that performs a CAT-CVD method. 図８の装置に使用された熱触媒体３の構成を説明する平面概略図である。FIG. 9 is a schematic plan view illustrating a configuration of a thermal catalyst body 3 used in the apparatus of FIG. 8.

Explanation of symbols

１処理容器
１１排気系
２ガス供給系
３熱触媒体
３０加熱機構
３２被覆材
３３別の部材
４基板ホルダー
４１ヒータ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing container 11 Exhaust system 2 Gas supply system 3 Thermal catalyst body 30 Heating mechanism 32 Coating material 33 Another member 4 Substrate holder 41 Heater

Claims

A processing container that performs predetermined processing on the substrate therein, a gas supply system that supplies a predetermined vapor deposition gas into the processing container, and a processing container so that the supplied vapor deposition gas passes near the surface. And a substrate holder for holding the substrate at a position in the processing vessel where a predetermined thin film is formed by the reaction of the vapor deposition gas involving the thermal catalyst. And
The thermal catalyst body is coiled, and is provided so that the axial direction of the coil is parallel to the surface of the substrate ,
The thermal catalytic vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the thermal emissivity of the surface facing the substrate is lower than that of the other surface .

2. The coil-shaped thermal catalyst body according to claim 1, wherein p / R is 5 or less, where R is a diameter of a virtual cylindrical surface formed by the coil and p is a width of an adjacent line. Catalytic chemical vapor deposition equipment.