JP4800749B2 - Infrared microscope with calibration function and infrared microscope calibration method - Google Patents

Infrared microscope with calibration function and infrared microscope calibration method Download PDF

Info

Publication number
JP4800749B2
JP4800749B2 JP2005324948A JP2005324948A JP4800749B2 JP 4800749 B2 JP4800749 B2 JP 4800749B2 JP 2005324948 A JP2005324948 A JP 2005324948A JP 2005324948 A JP2005324948 A JP 2005324948A JP 4800749 B2 JP4800749 B2 JP 4800749B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
calibration
objective lens
infrared
silicon
microscope
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005324948A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007132743A (en
Inventor
章広 北原
琢磨 鋤柄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp filed Critical Olympus Corp
Priority to JP2005324948A priority Critical patent/JP4800749B2/en
Publication of JP2007132743A publication Critical patent/JP2007132743A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4800749B2 publication Critical patent/JP4800749B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Description

本発明は、シリコン等の半導体基板を透過する赤外光を照明光として用いる校正機能を有する赤外顕微鏡及び赤外顕微鏡の校正方法に関するものである。   The present invention relates to an infrared microscope having a calibration function that uses infrared light transmitted through a semiconductor substrate such as silicon as illumination light, and a calibration method for the infrared microscope.

従来、赤外顕微鏡として、特許文献1に開示されるように半導体チップの位置決めを行うものが知られている。図13は、かかる赤外顕微鏡の概略構成を示すもので、試料として半導体チップ101を搭載する試料台102の下方に透過照明光源としての赤外光源103を配置するとともに、試料台102の上方にCCDカメラ104を有する赤外顕微鏡部105を配置し、赤外光源103から半導体チップ101を透過した赤外光を赤外顕微鏡部105を介してCCDカメラ104で撮像し、画像情報としてモニタ106に表示するようにしている。   Conventionally, as an infrared microscope, one that positions a semiconductor chip as disclosed in Patent Document 1 is known. FIG. 13 shows a schematic configuration of such an infrared microscope. An infrared light source 103 as a transmission illumination light source is disposed below a sample stage 102 on which a semiconductor chip 101 is mounted as a sample, and above the sample stage 102. An infrared microscope unit 105 having a CCD camera 104 is arranged, and infrared light transmitted through the semiconductor chip 101 from the infrared light source 103 is picked up by the CCD camera 104 via the infrared microscope unit 105, and is displayed on the monitor 106 as image information. It is trying to display.

この場合、モニタ106に表示される半導体チップ101の画像は、半導体チップ101の赤外光を透過しない例えばパターン部分が影となって表示されており、この画像情報を用いて半導体チップの位置決めが行われる。   In this case, the image of the semiconductor chip 101 displayed on the monitor 106 is displayed with, for example, a pattern portion that does not transmit infrared light of the semiconductor chip 101 as a shadow, and the positioning of the semiconductor chip is performed using this image information. Done.

一方、赤外光源103を落射照明光源として用いたものでは、半導体チップ101の赤外光を透過しないパターン部分で反射された赤外光をCCDカメラ104で撮像し、この画像情報を用いるようにしている。   On the other hand, when the infrared light source 103 is used as an epi-illumination light source, the infrared light reflected by the pattern portion of the semiconductor chip 101 that does not transmit infrared light is imaged by the CCD camera 104, and this image information is used. ing.

さらに、このような赤外顕微鏡において、例えば半導体チップの裏面からの位置決め用途やチップの接合後の内部観察等に用いられるものとして、特許文献2や特許文献3に開示されるものも知られている。   Further, in such an infrared microscope, for example, those disclosed in Patent Document 2 and Patent Document 3 are also known as those used for positioning from the back surface of a semiconductor chip or for internal observation after chip bonding. Yes.

ところで、これら特許文献1〜3に開示されるものは、半導体チップ101のようなシリコン基板を有するものが観察対象となっており、このためシリコン基板を透過する赤外光を観察する場合、対物レンズの開口数NAが大きく、またシリコンの厚さ寸法が大きくなると、球面収差が発生することがある。   By the way, what is disclosed in these Patent Documents 1 to 3 is an object to be observed having a silicon substrate such as the semiconductor chip 101. Therefore, when observing infrared light transmitted through the silicon substrate, an objective is used. When the numerical aperture NA of the lens is large and the thickness dimension of silicon is large, spherical aberration may occur.

このため、従来、特許文献4に開示されるように、球面収差を補正、もしくは調整可能に設計された対物レンズを使用したものが提案されている。
特開平8-247744号公報 特開平5−152401号公報 特開2000−276233号公報 特開2005-049363号公報
For this reason, as disclosed in Patent Document 4, a lens that uses an objective lens designed to correct or adjust spherical aberration has been proposed.
JP-A-8-247744 JP-A-5-152401 JP 2000-276233 A JP 2005-049363 A

ところが、球面収差を補正、もしくは調整可能に設計された対物レンズは、シリコンを介さず観察すると、十分なレンズ性能を発揮できないという問題がある。また、このような赤外顕微鏡は、特に工業分野の測定用途等で用いられる場合、定期的な校正を行う必要がある。この場合も、対物レンズは、シリコン等の試料に合わせて球面収差補正もしくは調整可能とされているため、校正用基準サンプルをシリコンを介さず観察すると校正に必要な良好な画像を得ることができない。このため、シリコン基板上にパターンを形成して、校正用基準サンプルとして用いることが考えられるが、この場合、新規に校正用基準サンプルを製作する必要があり、さらに、トレーサビリティーを確保することが難しいという問題もある。   However, an objective lens designed to be able to correct or adjust spherical aberration has a problem that it cannot exhibit sufficient lens performance when observed through silicon. In addition, such an infrared microscope needs to be periodically calibrated particularly when used for measurement applications in the industrial field. Also in this case, since the objective lens can correct or adjust the spherical aberration according to the sample such as silicon, it is not possible to obtain a good image necessary for calibration if the reference sample for calibration is observed without passing through the silicon. . For this reason, it is conceivable to form a pattern on a silicon substrate and use it as a calibration reference sample. In this case, however, it is necessary to manufacture a new calibration reference sample, and to ensure traceability. There is also the problem that it is difficult.

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、信頼性の高い校正を実現可能にした校正機能を有する赤外顕微鏡及び赤外顕微鏡の校正方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an infrared microscope having a calibration function and a calibration method for an infrared microscope that can realize highly reliable calibration.

請求項1記載の発明によれば、赤外光を照明光として用い、シリコン部材を透過して観察を行なう赤外顕微鏡において、入射した前記赤外光が校正用基準サンプルに向けて出射し、この校正用基準サンプルで反射された前記赤外光が入射するように設けられ、前記赤外光が前記シリコン部材を透過する際に発生する収差を補正した対物レンズと、記シリコン部材と等価な特性を有する光透過部材と、前記対物レンズに対し着脱可能に設けられ、前記対物レンズと前記校正用基準サンプルとの間の光路上で前記光透過部材を保持する保持手段と、前記保持手段で保持された前記光透過部材を透過し、前記対物レンズに入射することで取得される前記校正用基準サンプルの観察像に基づいて校正情報を求める制御部と、前記校正情報を記憶する記憶手段と、を具備したことを特徴としている。 According to the first aspect of the present invention, in the infrared microscope in which infrared light is used as illumination light and observed through the silicon member, the incident infrared light is emitted toward the calibration reference sample, the said infrared light reflected by the calibration reference sample is provided so as to enter an objective lens in which the infrared light is corrected aberration generated when it passes through the silicon member, before Symbol silicon member equivalent A light transmission member having various characteristics, a holding unit that is detachably attached to the objective lens, and holds the light transmission member on an optical path between the objective lens and the calibration reference sample, and the holding unit in transmitted through the light transmitting member held, and the control unit asking you to calibration information based on the observation image of the calibration reference samples taken by incident on the objective lens, and stores the calibration information And 憶 means is characterized by comprising a.

請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記対物レンズは、前記シリコン部材を透過した際に発生する収差の補正量を調整可能にしたものであることを特徴としている。   A second aspect of the invention is characterized in that, in the first aspect of the invention, the objective lens is capable of adjusting a correction amount of aberration generated when the objective lens is transmitted through the silicon member.

請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記光透過部材は、前記対物レンズの設計時に想定された厚さ寸法のシリコンチップ又は前記収差に対して同等な影響を有するとともに、屈折率に応じて厚さを調整された光学部材からなることを特徴としている。   The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1, wherein the light transmission member has an equivalent influence on a silicon chip having a thickness dimension assumed at the time of designing the objective lens or the aberration, It consists of an optical member whose thickness is adjusted according to the refractive index.

請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明において、前記シリコンチップ又は前記光学部材は、少なくとも一方の面に前記赤外光の反射防止処理が施されることを特徴としている。   A fourth aspect of the invention is characterized in that, in the third aspect of the invention, the silicon chip or the optical member is subjected to an antireflection treatment of the infrared light on at least one surface.

請求項5記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記シリコンチップ又は前記光学部材は、前記保持手段に固定されることを特徴としている。 The invention according to claim 5 is the invention according to claim 1, wherein the silicon chip or the optical member is fixed to the holding means.

請求項6記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記光透過部材は、前記保持手段に対して着脱可能であることを特徴としている。   According to a sixth aspect of the invention, in the first aspect of the invention, the light transmitting member is detachable from the holding means.

請求項7記載の発明は、請求項1乃至6のいずれかに記載の発明において、前記赤外顕微鏡は、赤外共焦点顕微鏡であることを特徴としている。 The invention according to claim 7 is the invention according to any one of claims 1 to 6 , wherein the infrared microscope is an infrared confocal microscope .

請求項8記載の発明は、赤外光を照明光として用い、シリコン部材を透過した観察を行なう赤外顕微鏡の校正方法であって、入射した前記赤外光が校正用基準サンプルに向けて出射し、この校正用基準サンプルで反射された前記赤外光が入射するように設けられ、前記赤外光が前記シリコン部材を透過する際に発生する収差を補正した対物レンズの光軸上に、前記シリコン部材と等価な特性を有する光透過部材を保持して前記対物レンズに対し着脱可能に設けられた保持手段により前記光透過部材を配置させるステップと、前記光透過部材を介した光路上に、前記校正用基準サンプルを配置するステップと、前記光透過部材を透過し前記対物レンズに入射することで取得される前記校正用基準サンプルの観察像に基づいて前記赤外顕微鏡の校正情報を求め、該校正情報を記憶するステップとを具備したことを特徴としている。 The invention according to claim 8 is a method for calibrating an infrared microscope in which infrared light is used as illumination light and observation is performed through a silicon member, and the incident infrared light is emitted toward a calibration reference sample. In addition, on the optical axis of the objective lens, which is provided so that the infrared light reflected by the reference sample for calibration is incident, and which corrects the aberration generated when the infrared light passes through the silicon member, A step of holding a light transmissive member having characteristics equivalent to the silicon member and placing the light transmissive member by a holding means detachably provided on the objective lens; and on a light path through the light transmissive member. Arranging the calibration reference sample; and calibrating the infrared microscope based on an observation image of the calibration reference sample obtained by passing through the light transmitting member and entering the objective lens. For information, it is characterized by comprising the step of storing calibration information.

請求項9記載の発明は、請求項8記載の発明において、前記光透過部材は、前記対物レンズの設計時に想定された厚さ寸法のシリコンチップ又は前記収差に対して同等な影響を有するとともに、屈折率に応じて厚さを調整された光学部材からなることを特徴としている。
請求項10記載の発明は、請求項9記載の発明において、前記シリコンチップ又は前記光学部材は、前記保持手段に固定されることを特徴としている。
請求項11記載の発明は、請求項8記載の発明において、前記光透過部材は、前記保持手段に対して着脱可能であることを特徴としている。
The invention according to claim 9 is the invention according to claim 8, wherein the light transmitting member has an equivalent influence on a silicon chip having a thickness dimension assumed at the time of designing the objective lens or the aberration, It consists of an optical member whose thickness is adjusted according to the refractive index .
According to a tenth aspect of the present invention, in the ninth aspect of the invention, the silicon chip or the optical member is fixed to the holding means.
The invention according to claim 11 is the invention according to claim 8, wherein the light transmitting member is detachable from the holding means.

本発明によれば、特別な校正用基準サンプルを用意することなく、信頼性の高い校正を実現可能にした校正機能を有する赤外顕微鏡及び赤外顕微鏡の校正方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the infrared microscope which has the calibration function which enabled realization of reliable calibration, and the calibration method of an infrared microscope can be provided, without preparing the special reference sample for calibration.

以下、本発明の実施の形態を図面に従い説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態が適用される反射タイプの赤外顕微鏡の概略構成を示している。図1において、1は赤外顕微鏡部で、この赤外顕微鏡部1は、対物レンズ2を有している。対物レンズ2先端に対応させて試料台3が配置されている。この試料台3は、例えば半導体チップのようなシリコン基板を有する試料4(又は校正用基準サンプル11)が載置されるもので、図示上下方向、つまりZ軸方向に移動可能になっている。
(First embodiment)
FIG. 1 shows a schematic configuration of a reflection type infrared microscope to which the first embodiment of the present invention is applied. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an infrared microscope section, which has an objective lens 2. A sample table 3 is arranged corresponding to the tip of the objective lens 2. The sample stage 3 is for mounting a sample 4 (or a calibration reference sample 11) having a silicon substrate such as a semiconductor chip, and is movable in the vertical direction in the figure, that is, in the Z-axis direction.

赤外顕微鏡部1には、落射照明光源としての赤外光源5とCCDカメラ6が設けられている。赤外光源5は、所定波長域の赤外光を発するもので、この赤外光は、対物レンズ2を介して試料4(又は校正用基準サンプル11)に集光される。CCDカメラ6は、試料4(又は校正用基準サンプル11)から反射した赤外光を対物レンズ2及び赤外顕微鏡部1を介して撮像するものである。CCDカメラ6には、制御部7が接続されている。   The infrared microscope unit 1 is provided with an infrared light source 5 as an epi-illumination light source and a CCD camera 6. The infrared light source 5 emits infrared light in a predetermined wavelength region, and this infrared light is condensed on the sample 4 (or the calibration reference sample 11) through the objective lens 2. The CCD camera 6 images the infrared light reflected from the sample 4 (or the calibration reference sample 11) via the objective lens 2 and the infrared microscope unit 1. A control unit 7 is connected to the CCD camera 6.

制御部7は、CCDカメラ6で撮像された画像から2次元情報を取得しモニタ71に表示させる。また、制御部7は、校正用基準サンプル11より取得される2次元情報について解析ソフト等を用いて予め用意された基準値(基準サンプルの公称値)と比較し、これらの比較結果から校正情報を求め、これを不図示の記憶手段に記憶する。この校正情報は、その後、試料4の撮像画像から取得される2次元情報を補正する際に用いられる。   The control unit 7 acquires two-dimensional information from the image captured by the CCD camera 6 and displays it on the monitor 71. Further, the control unit 7 compares the two-dimensional information acquired from the calibration reference sample 11 with a reference value (nominal value of the reference sample) prepared in advance using analysis software or the like, and calculates calibration information from these comparison results. Is stored in a storage means (not shown). This calibration information is then used when correcting the two-dimensional information acquired from the captured image of the sample 4.

図2は、対物レンズ2について、さらに説明するためのものである。この場合、対物レンズ2は、試料4内のシリコンを透過した際に発生する収差(特に球面収差)を補正可能にしたもので、シリコンを透過可能な赤外波長に合わせて設計され、また、シリコンを透過した際に、レンズ性能が最も発揮されるようなシリコン厚補正が施されている。このとき、設計に用いられるシリコン(Si)の屈折率は、赤外光の波長が1300nmの場合、3.5程度となっている。また、一般的な半導体チップなどに用いられるシリコン基板の厚さは、100〜700μm程度であることから、この範囲の中心の値である、例えば400μm程度の厚さを設計の基準厚としている。ただし、用途に応じて、100μmや700μmを設計の基準厚としても構わない。また、対物レンズ2は、特にNAが大きなものでは、シリコン厚により球面収差量が大きくなることから、例えば、赤外共焦点顕微鏡のように、より高精度な性能が要求されるものでは、設計厚に対して±100μm程度に使用可能な範囲が限定される場合がある。   FIG. 2 is for further explaining the objective lens 2. In this case, the objective lens 2 can correct aberrations (especially spherical aberration) generated when passing through the silicon in the sample 4 and is designed in accordance with an infrared wavelength capable of transmitting silicon. Silicon thickness correction is performed so that the lens performance is most exhibited when passing through the silicon. At this time, the refractive index of silicon (Si) used for the design is about 3.5 when the wavelength of infrared light is 1300 nm. In addition, since the thickness of a silicon substrate used for a general semiconductor chip or the like is about 100 to 700 μm, a thickness of about 400 μm, for example, a central value in this range is set as a reference thickness for design. However, 100 μm or 700 μm may be used as a design reference thickness depending on the application. In addition, the objective lens 2 has a large NA, and the amount of spherical aberration increases due to the silicon thickness. For example, the objective lens 2 is designed for a lens that requires higher precision performance such as an infrared confocal microscope. The usable range may be limited to about ± 100 μm with respect to the thickness.

このような対物レンズ2は、先端部に保持手段としてのシリコン保持具8が設けられる。このシリコン保持具8は、底部8bを有する円筒状本体8aからなり、さらに底部8bの中心部に透孔8cが形成されている。そして、このようなシリコン保持具8は、円筒状本体8aの中空部に対物レンズ2の先端部を嵌合した状態で、底部8bの面が対物レンズ2の光軸aに垂直な面に沿った方向にあって、さらに透孔8cに対物レンズ2の光軸aが通過するように配置される。   Such an objective lens 2 is provided with a silicon holder 8 as a holding means at the tip. The silicon holder 8 includes a cylindrical main body 8a having a bottom 8b, and a through hole 8c is formed at the center of the bottom 8b. In such a silicon holder 8, the surface of the bottom 8 b is along a surface perpendicular to the optical axis a of the objective lens 2 in a state where the tip of the objective lens 2 is fitted in the hollow portion of the cylindrical main body 8 a. Further, the optical axis a of the objective lens 2 is disposed so as to pass through the through hole 8c.

シリコン保持具8内の底部8bの面上には、光透過部材として、前記試料4の有するシリコン基板と等価な特性を有するシリコンチップ9が載置されている。この場合、シリコンチップ9が載置される底部8b面は、シリコンチップ9が歪まないように平滑に加工されており、この平滑加工された面上にシリコンチップ9が着脱可能に載置される。また、シリコンチップ9は、両面研磨されるとともに、対物レンズ2の設計時に想定された厚さ寸法でダイシングされたものが用いられる。さらに、シリコンチップ9は、図3に示すように、両面に、赤外光の波長域に合わせて反射防止処理として反射防止コート9aが施されている。この反射防止コート9aは、一方の面のみでもよい。こうすることで、研磨されたシリコンチップ9の表面及び裏面での赤外光の反射による、光量ロスや干渉等を防止する。   On the surface of the bottom 8b in the silicon holder 8, a silicon chip 9 having a characteristic equivalent to that of the silicon substrate of the sample 4 is placed as a light transmitting member. In this case, the surface of the bottom 8b on which the silicon chip 9 is placed is processed so that the silicon chip 9 is not distorted, and the silicon chip 9 is detachably mounted on the smoothed surface. . The silicon chip 9 is polished on both sides and diced with a thickness dimension assumed when the objective lens 2 is designed. Furthermore, as shown in FIG. 3, the silicon chip 9 is provided with an antireflection coating 9a on both sides as an antireflection treatment in accordance with the wavelength range of infrared light. This antireflection coat 9a may be only on one side. By doing so, loss of light quantity, interference, and the like due to reflection of infrared light on the front and back surfaces of the polished silicon chip 9 are prevented.

次に、対物レンズ2先端部へのシリコン保持具8の具体的な固定方法を説明する。   Next, a specific method for fixing the silicon holder 8 to the tip of the objective lens 2 will be described.

図4では、シリコン保持具8の円筒状本体8aの底部8bに、透孔8cに連通した大径の透孔8dをさらに形成し、この透孔8dの開口周縁部に当て付け部8eを形成している。この当て付け部8eは、円筒状本体8aの中空部に対物レンズ2の先端部を嵌合した状態で、対物レンズ2の先端部端面2aが当接されるもので、この状態で、シリコン保持具8の取り付け位置決めを行なう。この場合、シリコンチップ9は、透孔8cと8dとの間に形成される段部8fに載置される。   In FIG. 4, a large-diameter through-hole 8d communicating with the through-hole 8c is further formed in the bottom 8b of the cylindrical main body 8a of the silicon holder 8, and an abutting portion 8e is formed at the opening peripheral edge of the through-hole 8d. is doing. The abutting portion 8e is a member in which the tip end surface 2a of the objective lens 2 is brought into contact with the hollow portion of the cylindrical main body 8a and the tip end portion 2a of the objective lens 2 is in contact. The mounting positioning of the tool 8 is performed. In this case, the silicon chip 9 is placed on the step portion 8f formed between the through holes 8c and 8d.

このようにすれば、対物レンズ2をシリコン保持具8の中空部に挿入し、先端部端面2aを円筒状本体8aの底部8bに形成された当て付け部8eに当接させることにより、シリコン保持具8の位置決めを行なうことができるので、シリコン保持具8を対物レンズ2に取付る際の傾きなどを防止し、安定した状態で固定することができる。   In this way, the objective lens 2 is inserted into the hollow portion of the silicon holder 8, and the tip end surface 2a is brought into contact with the abutting portion 8e formed on the bottom portion 8b of the cylindrical main body 8a, thereby holding the silicon. Since the tool 8 can be positioned, tilting when the silicon holder 8 is attached to the objective lens 2 can be prevented and fixed in a stable state.

図5は、シリコン保持具8の対物レンズ2への他の固定方法を示すもので、この場合、シリコン保持具8は、円筒状本体8aの側面にネジ穴8gが形成されている。ネジ穴8gには、固定ネジ10が設けられている。この固定ネジ10は、ネジ穴8gに螺装されるネジ本体10aと、このネジ本体10aの基端部に設けられたツマミ10bを有するもので、ツマミ10bを回し、ネジ本体10aのネジ穴8gへのねじ込み量を調整してネジ本体10a先端により対物レンズ2側面を押圧することによりシリコン保持具8を対物レンズ2に固定可能にしている。   FIG. 5 shows another method of fixing the silicon holder 8 to the objective lens 2. In this case, the silicon holder 8 has a screw hole 8g formed on the side surface of the cylindrical body 8a. A fixing screw 10 is provided in the screw hole 8g. The fixing screw 10 has a screw main body 10a to be screwed into the screw hole 8g and a knob 10b provided at a base end portion of the screw main body 10a. The silicon holder 8 can be fixed to the objective lens 2 by adjusting the screwing amount to the screw body and pressing the side surface of the objective lens 2 with the tip of the screw body 10a.

この場合、ネジ本体10aは、対物レンズ2側面に傷を付けないように、例えば樹脂などの比較的柔らかな部材により形成するようにしてもよい。   In this case, the screw body 10a may be formed of a relatively soft member such as a resin so as not to damage the side surface of the objective lens 2.

このようにすれば、対物レンズ2の先端部をシリコン保持具8の中空部に挿入し、固定ネジ10のツマミ10bを回し、ネジ本体10aをネジ穴8gにねじ込むとともに、ネジ本体10a先端で対物レンズ2側面を押圧することによりシリコン保持具8を対物レンズ2に固定することができる。この場合、ツマミ10bを上述と反対方向に回し、ネジ本体10aのねじ込みを緩めることで、シリコン保持具8を対物レンズ2から簡単に取外すこともできる。   In this way, the tip of the objective lens 2 is inserted into the hollow portion of the silicon holder 8, the knob 10b of the fixing screw 10 is turned, the screw body 10a is screwed into the screw hole 8g, and the objective is made at the tip of the screw body 10a. The silicon holder 8 can be fixed to the objective lens 2 by pressing the side surface of the lens 2. In this case, the silicon holder 8 can be easily removed from the objective lens 2 by turning the knob 10b in the opposite direction to loosen the screw body 10a.

図6は、シリコン保持具8の対物レンズ2へのさらに異なる固定方法を示すもので、この場合、対物レンズ2は、先端部周面にネジ部2bが形成されている。また、シリコン保持具8の円筒状本体8aの開口部内周面には、対物レンズ2側のネジ部2bに対応するネジ部8hが形成され、このネジ部8hを対物レンズ2側のネジ部2bにねじ込むことにより、シリコン保持具8を対物レンズ2先端部に固定可能にしている。   FIG. 6 shows a further different fixing method of the silicon holder 8 to the objective lens 2. In this case, the objective lens 2 has a screw portion 2b on the peripheral surface of the tip portion. Further, a screw portion 8h corresponding to the screw portion 2b on the objective lens 2 side is formed on the inner peripheral surface of the opening of the cylindrical main body 8a of the silicon holder 8, and this screw portion 8h is connected to the screw portion 2b on the objective lens 2 side. The silicon holder 8 can be fixed to the distal end portion of the objective lens 2 by screwing into the objective lens 2.

このようにすれば、シリコン保持具8の円筒状本体8aの開口部内周面のネジ部8hを対物レンズ2の先端部周面にネジ部2bにねじ込むことにより対物レンズ2の先端部をシリコン保持具8の中空部に挿入した状態で固定することができる。この場合も、シリコン保持具8のねじ込みを緩めることで、シリコン保持具8を対物レンズ2から簡単に取外すこともできる。
なお、シリコン保持具8の対物レンズ2への固定は、上述した固定方法以外でもクリックを用いたり、保持具にすり割りを設け、締ヤトイ構造により固定する等の方法も可能である。
In this way, the screw portion 8 h on the inner peripheral surface of the opening of the cylindrical body 8 a of the silicon holder 8 is screwed into the screw portion 2 b on the peripheral surface of the tip portion of the objective lens 2, thereby holding the tip portion of the objective lens 2 in silicon. It can be fixed in a state of being inserted into the hollow portion of the tool 8. Also in this case, the silicon holder 8 can be easily detached from the objective lens 2 by loosening the screwing of the silicon holder 8.
Note that the silicon holder 8 can be fixed to the objective lens 2 by using a click, or by providing a slit in the holder and fixing it with a tightening toy structure, in addition to the fixing method described above.

次に、このように構成した対物レンズ2を用いて、実際の校正作業の手順を図7に示すフローチャートにしたがい説明する。   Next, an actual calibration procedure using the objective lens 2 configured as described above will be described with reference to a flowchart shown in FIG.

まず、ステップ701で、シリコン保持具8の円筒状本体8aの底部8bにシリコンチップ9を搭載し、このようなシリコン保持具8を対物レンズ2に固定する。この場合、シリコン保持具8の固定方法は、上述した各種の方法がある。   First, in step 701, the silicon chip 9 is mounted on the bottom 8 b of the cylindrical body 8 a of the silicon holder 8, and the silicon holder 8 is fixed to the objective lens 2. In this case, there are various methods for fixing the silicon holder 8 as described above.

次に、ステップ702で、試料台3上に校正用基準サンプル11を載置する。この場合、校正用基準サンプル11は、校正用基準サンプル11の表面に例えば線状のCrパターン等が形成されたものが用いられる。また、校正用基準サンプル11は、赤外光を反射するものであれば、特に赤外顕微鏡用として用意したものでなく、一般の顕微鏡などの校正用基準サンプルも使用可能である。   Next, in step 702, the calibration reference sample 11 is placed on the sample stage 3. In this case, the calibration reference sample 11 is formed by forming a linear Cr pattern or the like on the surface of the calibration reference sample 11. The calibration reference sample 11 is not particularly prepared for an infrared microscope as long as it reflects infrared light, and a calibration reference sample such as a general microscope can also be used.

この場合、ステップ701とステップ702の順序は逆になっても問題ない。   In this case, there is no problem even if the order of step 701 and step 702 is reversed.

次に、ステップ703で、試料台3をZ軸方向に移動して校正用基準サンプル11の表面に焦点を合わせる。そして、ステップ704に進み、校正する項目に合わせる。例えば、倍率を校正する場合は、校正用基準サンプル11の2次元情報を取得する。この場合、赤外光源5からの赤外光が、赤外顕微鏡部1より対物レンズ2及びシリコンチップ9を透過して校正用基準サンプル11上に照射する。また、校正用基準サンプル11で反射した赤外光を、対物レンズ2及び赤外顕微鏡部1を介してCCDカメラ6により撮像する。   Next, in step 703, the sample stage 3 is moved in the Z-axis direction to focus on the surface of the calibration reference sample 11. Then, the process proceeds to step 704 and is adjusted to the item to be calibrated. For example, when the magnification is calibrated, the two-dimensional information of the calibration reference sample 11 is acquired. In this case, infrared light from the infrared light source 5 passes through the objective lens 2 and the silicon chip 9 from the infrared microscope unit 1 and irradiates the reference sample 11 for calibration. Further, the infrared light reflected by the calibration reference sample 11 is imaged by the CCD camera 6 via the objective lens 2 and the infrared microscope unit 1.

この場合、対物レンズ2を透過した赤外光は、シリコンチップ9を透過して校正用基準サンプル11上に照射されるが、この状態で、対物レンズ2は、球面収差が設計上最も小さい値になっているので、CCDカメラ6より収差のない校正に必要な良好な画像を取得できる。   In this case, the infrared light transmitted through the objective lens 2 passes through the silicon chip 9 and is irradiated onto the calibration reference sample 11. In this state, the objective lens 2 has the smallest spherical aberration in terms of design. Therefore, a good image necessary for calibration without aberration can be acquired from the CCD camera 6.

次に、ステップ705で、制御部7によりCCDカメラ6で撮像された画像から校正用基準サンプル11上の線状パターンの線幅などの2次元情報を取得する。制御部7は、取得された2次元情報について解析ソフト等を用いて予め用意された基準値(基準サンプルの公称値)と比較し、これらの比較結果から赤外顕微鏡の校正情報を求め、この校正情報を不図示の記憶手段に記憶する。   Next, in step 705, two-dimensional information such as the line width of the linear pattern on the calibration reference sample 11 is acquired from the image captured by the control unit 7 with the CCD camera 6. The control unit 7 compares the acquired two-dimensional information with a reference value (nominal value of the reference sample) prepared in advance using analysis software or the like, and obtains calibration information of the infrared microscope from these comparison results. The calibration information is stored in a storage means (not shown).

したがって、このようにすれば、シリコンを透過した際に発生する収差(球面収差)を補正するように設計された対物レンズ2に対し、シリコンチップ9を保持したシリコン保持具8を取付け、対物レンズ2よりシリコンチップ9を介して校正用基準サンプル11に赤外光を照射し、その反射光をCCDカメラ6により撮像するようにしたので、CCDカメラ6より収差のない校正に必要な良好な画像を取得でき、この画像に基づいた2次元情報から信頼性の高い校正情報を得ることができる。この場合、シリコンチップ9を保持したシリコン保持具8は、対物レンズ2に対して着脱可能とし、この着脱を容易にできるので、校正作業を簡単に行なうこともできる。また、校正作業に使用される校正用基準サンプル11として、特別なものを用意する必要がなく、一般に顕微鏡などの校正用基準サンプルを使用できるので、経済的にも有利にできる。さらに、シリコンチップ9は、少なくとも一方の面に反射防止コート9aが施されているので、シリコンチップ9面での反射による光量ロス、干渉を低減することができ、より精度の高い校正を実現可能となる。   Therefore, in this way, the silicon holder 8 holding the silicon chip 9 is attached to the objective lens 2 designed to correct the aberration (spherical aberration) generated when passing through the silicon. Since the calibration reference sample 11 is irradiated with infrared light through the silicon chip 9 from 2 and the reflected light is imaged by the CCD camera 6, a good image necessary for calibration without aberration from the CCD camera 6. And calibration information with high reliability can be obtained from the two-dimensional information based on this image. In this case, since the silicon holder 8 holding the silicon chip 9 can be attached to and detached from the objective lens 2 and can be easily attached and detached, the calibration work can be easily performed. Further, it is not necessary to prepare a special reference sample 11 for calibration used for calibration work, and a calibration reference sample such as a microscope can be generally used, which can be economically advantageous. Furthermore, since the silicon chip 9 is provided with an anti-reflection coating 9a on at least one surface, it is possible to reduce light amount loss and interference due to reflection on the surface of the silicon chip 9, and to realize more accurate calibration. It becomes.

(変形例1)
上述した実施の形態では、倍率を校正する場合を述べたが、例えば、高さ測定値の校正をする場合にも適用できる。この場合、校正を行なう赤外顕微鏡として、赤外共焦点顕微鏡が対象となる。また、校正用基準サンプルとしは、3次元情報を取得するため図8に示すように表面に凹凸部19aを形成した基準段差サンプル19が使用される。この基準段差サンプル19には、例えばブロックゲージ段差サンプル等が用いられる。また、この基準段差サンプル19は、赤外光を反射するものであれば、特に赤外顕微鏡用に用意したものはなく、一般の顕微鏡用等の校正用基準サンプルが使用可能である。
(Modification 1)
In the above-described embodiment, the case where the magnification is calibrated has been described. In this case, an infrared confocal microscope is an object as an infrared microscope for calibration. Further, as the calibration reference sample, reference step samples 19 forming the uneven portion 19a on the surface as shown in FIG. 8 for acquiring three-dimensional information is used. As this reference step sample 19, for example, a block gauge step sample or the like is used. The reference step sample 19 is not particularly prepared for an infrared microscope as long as it reflects infrared light, and a standard reference sample for calibration such as a general microscope can be used.

(変形例2)
上述した実施の形態では、シリコン保持具8内の底部8bの面上にシリコンチップ9を載せただけの構成としたが、例えば、図9に示すようにシリコン保持具8内の底部8bの面上にシリコンチップ9を接着時の応力変化が非常に小さいシリコン系接着剤20により固定することも可能である。このようにすると、シリコンチップ9がシリコン保持具8内に安定して保持されるので、シリコン保持具8の取り扱いがより容易となる。特に、シリコンチップ9が厚さが極めて薄いような場合に有効である。
(Modification 2)
In the embodiment described above, the silicon chip 9 is simply placed on the surface of the bottom 8b in the silicon holder 8. For example, as shown in FIG. 9, the surface of the bottom 8b in the silicon holder 8 is used. It is also possible to fix the silicon chip 9 with a silicon-based adhesive 20 that has a very small stress change during bonding. In this way, since the silicon chip 9 is stably held in the silicon holder 8, the silicon holder 8 can be handled more easily. This is particularly effective when the silicon chip 9 is extremely thin.

(変形例3)
上述した実施の形態では、シリコン保持具8を対物レンズ2の先端部に取付けるようにしたが、例えば、図10に示すようにシリコンチップ9を載置したシリコン保持具21を校正用基準サンプル11に固定できるようにしてもよい。この場合、シリコン保持具21は、開口部21aを有するシリコンチップ載置面21bの周縁に沿って突壁21cを有し、この突壁21c内に校正用基準サンプル11を固定し、対物レンズ2より照射される赤外光をシリコンチップ9及び開口部21aを介して校正用基準サンプル11に集光し、その反射光を開口部21a、シリコンチップ9を介して対物レンズ2に入射させるようにしている。
(Modification 3)
In the embodiment described above, the silicon holder 8 is attached to the tip of the objective lens 2. For example, as shown in FIG. 10, the silicon holder 21 on which the silicon chip 9 is placed is used as the reference sample 11 for calibration. It may be possible to fix to. In this case, the silicon holder 21 has a protruding wall 21c along the periphery of the silicon chip mounting surface 21b having the opening 21a. The calibration reference sample 11 is fixed in the protruding wall 21c, and the objective lens 2 is fixed. Infrared light to be irradiated is condensed on the calibration reference sample 11 through the silicon chip 9 and the opening 21a, and the reflected light is incident on the objective lens 2 through the opening 21a and the silicon chip 9. ing.

また、例えば、図11に示すようにシリコンチップ9を載置したシリコン保持具22を校正用基準サンプル11を載置する試料台3上に配置するようにしてもよい。この場合、シリコン保持具22は、開口部22aを有するシリコンチップ載置面22bの周縁に沿って突壁22cを有し、この突壁22cの先端部を試料台3上に載置するとともに、突壁22c内に校正用基準サンプル11を配置させ、対物レンズ2より照射される赤外光をシリコンチップ9及び開口部22aを介して校正用基準サンプル11に集光し、その反射光を開口部22a、シリコンチップ9を介して対物レンズ2に入射させるようにしている。   Further, for example, as shown in FIG. 11, the silicon holder 22 on which the silicon chip 9 is placed may be arranged on the sample table 3 on which the calibration reference sample 11 is placed. In this case, the silicon holder 22 has a protruding wall 22c along the periphery of the silicon chip mounting surface 22b having the opening 22a, and the tip of the protruding wall 22c is mounted on the sample table 3, The calibration reference sample 11 is arranged in the projecting wall 22c, the infrared light irradiated from the objective lens 2 is condensed on the calibration reference sample 11 through the silicon chip 9 and the opening 22a, and the reflected light is opened. The light is incident on the objective lens 2 through the part 22a and the silicon chip 9.

これらの構成とすれば、校正用基準サンプル11の装着が更に簡単にできるので、特に複数の対物レンズに対する校正を行うような場合に、作業が容易となる。   With these configurations, the calibration reference sample 11 can be mounted more easily, so that the work is facilitated particularly when calibration is performed on a plurality of objective lenses.

(変形例4)
上述した実施の形態では、シリコンチップ9を使用したが、これに代わってガラス等の光学部材を用いてもよい。この時、ガラスの厚さは、単に屈折率の比率で簡易的に設定することも可能であるが、正確には、光学シミュレーション等により精密に設計される。このようなガラス等の光学部材を用いると、加工が容易なため、特に高精度な平面度などが必要な場合に有利であり、また、入手性にも優れている。
(Modification 4)
In the above-described embodiment, the silicon chip 9 is used, but an optical member such as glass may be used instead. At this time, the thickness of the glass can be simply set simply by the ratio of the refractive index, but is precisely designed by optical simulation or the like. When such an optical member such as glass is used, it is easy to process. Therefore, it is advantageous particularly when high-precision flatness is required, and it is excellent in availability.

なお、このようなガラス等の光学部材についても、シリコンチップ9と同様に赤外光の反射防止処理を施したり、シリコン保持具22に相当する保持具に接着固定したりすることができる。   Note that such an optical member such as glass can also be subjected to an antireflection treatment of infrared light, similarly to the silicon chip 9, or can be bonded and fixed to a holder corresponding to the silicon holder 22.

(変形例5)
上述した実施の形態では、予め球面収差の補正した対物レンズ2を使用した例を述べたが、例えば図12で示すように球面収差の補正量を調整可能とした対物レンズ23を使用することも可能である。この対物レンズ23は、補正環24を有していて、この補正環24を回すことにより対物レンズ23内部の不図示のレンズ群の間隔を調整し、球面収差の補正量を調整可能としたものである。この時、調整可能な範囲は、少なくともシリコン基板厚100〜700μmをカバーするように設計されており、調整量は対物レンズ23及び補正環24に付された目盛(不図示)にしたがって操作することで適正な位置に設定可能となっている。また、対物レンズ23は、特にNAが大きいものでは、シリコン厚により球面収差量が大きくなることから、例えば、前記赤外共焦点顕微鏡のように、より高精度な性能が要求されるものでは、設計厚に対して±100μm程度に使用可能な範囲が制限される場合がある。
(Modification 5)
In the above-described embodiment, the example in which the objective lens 2 whose spherical aberration is corrected in advance is used. However, for example, as shown in FIG. 12, the objective lens 23 whose spherical aberration correction amount can be adjusted may be used. Is possible. The objective lens 23 has a correction ring 24. By rotating the correction ring 24, the distance between lens groups (not shown) inside the objective lens 23 is adjusted, and the correction amount of spherical aberration can be adjusted. It is. At this time, the adjustable range is designed to cover at least a silicon substrate thickness of 100 to 700 μm, and the adjustment amount is operated according to a scale (not shown) attached to the objective lens 23 and the correction ring 24. Can be set to an appropriate position. In addition, the objective lens 23 has a particularly large NA, and the amount of spherical aberration increases due to the silicon thickness. For example, the objective lens 23 is required to have high-precision performance such as the infrared confocal microscope. The usable range may be limited to about ± 100 μm with respect to the design thickness.

(変形例6)
上述した実施の形態では、赤外顕微鏡として、落射照明用の赤外光源5を使用した反射タイプのものを説明したが、透過照明用の赤外光源を使用した透過タイプのものであっても構わない。その場合、透過照明用の赤外光源からシリコンチップ9を透過して対物レンズ2に入射される赤外光の経路は片道となるため、対物レンズ2の設計及びシリコンチップ9の厚さなどを透過観察用に設計したものを使用する必要がある。また、校正用基準サンプル11は、透過観察に適したものが使用される。
(Modification 6)
In the embodiment described above, a reflection type using an infrared light source 5 for epi-illumination has been described as an infrared microscope, but a transmission type using an infrared light source for transmission illumination may be used. I do not care. In that case, since the path of infrared light transmitted through the silicon chip 9 from the infrared light source for transmitted illumination and incident on the objective lens 2 is one way, the design of the objective lens 2 and the thickness of the silicon chip 9 are determined. It is necessary to use one designed for transmission observation. Further, the calibration reference sample 11 is suitable for transmission observation.

その他、本発明は、上記実施の形態に限定されるものでなく、実施段階では、その要旨を変更しない範囲で種々変形することが可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, In the implementation stage, it can change variously in the range which does not change the summary.

さらに、上記実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示されている複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出できる。例えば、実施の形態に示されている全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出できる。   Furthermore, the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, the problem described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved, and is described in the column of the effect of the invention. If the above effect is obtained, a configuration from which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.

本発明の第1の実施の形態が適用される赤外顕微鏡の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the infrared microscope to which the 1st Embodiment of this invention is applied. 第1の実施の形態に用いられる対物レンズの概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the objective lens used for 1st Embodiment. 第1の実施の形態に用いられるシリコンチップの概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the silicon chip used for 1st Embodiment. 第1の実施の形態に用いられるシリコン保持具の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the silicon | silicone holder used for 1st Embodiment. 第1の実施の形態に用いられる異なるシリコン保持具の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the different silicon | silicone holder used for 1st Embodiment. 第1の実施の形態に用いられるさらに異なるシリコン保持具の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the further different silicon | silicone holder used for 1st Embodiment. 第1の実施の形態の動作を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating operation | movement of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の変形例1に用いられる基準段差サンプルの概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the reference | standard level | step difference sample used for the modification 1 of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の変形例2の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the modification 2 of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の変形例3の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the modification 3 of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の変形例3の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the modification 3 of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の変形例5の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the modification 5 of 1st Embodiment. 従来の赤外顕微鏡の一例の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of an example of the conventional infrared microscope.

符号の説明Explanation of symbols

1…赤外顕微鏡部、2…対物レンズ
2a…先端部端面、2b…ネジ部
3…試料台、4…試料、5…赤外光源
6…CCDカメラ、7…制御部
71…モニタ、8…シリコン保持具
8a…円筒状本体、8b…底部
8c、8d…透孔、8f…段部、8g…ネジ穴
8h…ネジ部、9…シリコンチップ
9a…反射防止コート、10…固定ネジ
10a…ネジ本体、10b…ツマミ
11…校正用基準サンプル、11a…ガラス基板
19…基準段差サンプル、19a…凹凸部
20…シリコン系接着剤、21…シリコン保持具
21a…開口部、21b…シリコンチップ載置面
21c…突壁、22…シリコン保持具
22a…開口部、22b…シリコンチップ載置面
22c…突壁、23…対物レンズ、24…補正環
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Infrared microscope part, 2 ... Objective lens 2a ... End part end surface, 2b ... Screw part 3 ... Sample stand, 4 ... Sample, 5 ... Infrared light source 6 ... CCD camera, 7 ... Control part 71 ... Monitor, 8 ... Silicon holder 8a ... Cylindrical body, 8b ... Bottom part 8c, 8d ... Through hole, 8f ... Step part, 8g ... Screw hole 8h ... Screw part, 9 ... Silicon chip 9a ... Anti-reflection coating, 10 ... Fixing screw 10a ... Screw Main body, 10b ... Knob 11 ... Reference sample for calibration, 11a ... Glass substrate 19 ... Reference step sample, 19a ... Uneven portion 20 ... Silicone adhesive, 21 ... Silicon holder 21a ... Opening, 21b ... Silicon chip mounting surface 21c ... Projection wall, 22 ... Silicon holder 22a ... Opening, 22b ... Silicon chip mounting surface 22c ... Projection wall, 23 ... Objective lens, 24 ... Correction ring

Claims (11)

赤外光を照明光として用い、シリコン部材を透過して観察を行なう赤外顕微鏡において、
入射した前記赤外光が校正用基準サンプルに向けて出射し、この校正用基準サンプルで反射された前記赤外光が入射するように設けられ、前記赤外光が前記シリコン部材を透過する際に発生する収差を補正した対物レンズと、
記シリコン部材と等価な特性を有する光透過部材と、
前記対物レンズに対し着脱可能に設けられ、前記対物レンズと前記校正用基準サンプルとの間の光路上で前記光透過部材を保持する保持手段と、
前記保持手段で保持された前記光透過部材を透過し、前記対物レンズに入射することで取得される前記校正用基準サンプルの観察像に基づいて校正情報を求める制御部と、
前記校正情報を記憶する記憶手段と、
を具備したことを特徴とする校正機能を有する赤外顕微鏡。
In an infrared microscope that uses infrared light as illumination light and transmits through a silicon member for observation,
When the incident infrared light is emitted toward the calibration reference sample and the infrared light reflected by the calibration reference sample is incident, and the infrared light passes through the silicon member An objective lens that corrects the aberration generated in the
A light transmitting member having a front Symbol silicon member equivalent characteristics,
A holding means that is detachably attached to the objective lens and holds the light transmitting member on an optical path between the objective lens and the calibration reference sample;
Said transmitted through the light transmitting member held by the holding means, the control unit asking you to calibration information based on the observation image of the calibration reference samples taken by entering the objective lens,
Storage means for storing the calibration information,
An infrared microscope having a calibration function.
前記対物レンズは、前記シリコン部材を透過した際に発生する収差の補正量を調整可能にしたものであることを特徴とする請求項1記載の校正機能を有する赤外顕微鏡。   2. The infrared microscope having a calibration function according to claim 1, wherein the objective lens is capable of adjusting a correction amount of an aberration generated when the objective lens is transmitted through the silicon member. 前記光透過部材は、前記対物レンズの設計時に想定された厚さ寸法のシリコンチップ又は前記収差に対して同等な影響を有するとともに、屈折率に応じて厚さを調整された光学部材からなることを特徴とする請求項1記載の校正機能を有する赤外顕微鏡。   The light transmitting member is made of a silicon chip having a thickness dimension assumed at the time of designing the objective lens or an optical member having an equivalent influence on the aberration and having a thickness adjusted according to a refractive index. An infrared microscope having a calibration function according to claim 1. 前記シリコンチップ又は前記光学部材は、少なくとも一方の面に前記赤外光の反射防止処理が施されることを特徴とする請求項3記載の校正機能を有する赤外顕微鏡。   The infrared microscope having a calibration function according to claim 3, wherein the silicon chip or the optical member is subjected to an antireflection treatment of the infrared light on at least one surface. 前記シリコンチップ又は前記光学部材は、前記保持手段に固定されることを特徴とする請求項3記載の校正機能を有する赤外顕微鏡。 The infrared microscope having a calibration function according to claim 3, wherein the silicon chip or the optical member is fixed to the holding unit. 前記光透過部材は、前記保持手段に対して着脱可能であることを特徴とする請求項1記載の校正機能を有する赤外顕微鏡。   2. The infrared microscope having a calibration function according to claim 1, wherein the light transmitting member is detachable from the holding means. 前記赤外顕微鏡は、赤外共焦点顕微鏡であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の校正機能を有する赤外顕微鏡。 The infrared microscope having a calibration function according to any one of claims 1 to 6, wherein the infrared microscope is an infrared confocal microscope. 赤外光を照明光として用い、シリコン部材を透過した観察を行なう赤外顕微鏡の校正方法であって、An infrared microscope calibration method that uses infrared light as illumination light and performs observation through a silicon member,
入射した前記赤外光が校正用基準サンプルに向けて出射し、この校正用基準サンプルで反射された前記赤外光が入射するように設けられ、前記赤外光が前記シリコン部材を透過する際に発生する収差を補正した対物レンズの光軸上に、前記シリコン部材と等価な特性を有する光透過部材を保持して前記対物レンズに対し着脱可能に設けられた保持手段により前記光透過部材を配置させるステップと、When the incident infrared light is emitted toward the calibration reference sample and the infrared light reflected by the calibration reference sample is incident, and the infrared light passes through the silicon member The light transmission member is held by a holding means that is detachably attached to the objective lens while holding a light transmission member having a characteristic equivalent to that of the silicon member on the optical axis of the objective lens in which the aberration generated in the lens is corrected. A step of arranging,
前記光透過部材を介した光路上に、前記校正用基準サンプルを配置するステップと、Placing the calibration reference sample on the optical path through the light transmitting member;
前記光透過部材を透過し前記対物レンズに入射することで取得される前記校正用基準サンプルの観察像に基づいて前記赤外顕微鏡の校正情報を求め、該校正情報を記憶するステップとObtaining calibration information of the infrared microscope based on an observation image of the calibration reference sample obtained by passing through the light transmitting member and entering the objective lens, and storing the calibration information;
を具備したことを特徴とする赤外顕微鏡の校正方法。A calibration method for an infrared microscope, comprising:
前記光透過部材は、前記対物レンズの設計時に想定された厚さ寸法のシリコンチップ又は前記収差に対して同等な影響を有するとともに、屈折率に応じて厚さを調整された光学部材からなることを特徴とする請求項8記載の赤外顕微鏡の校正方法。The light transmitting member is made of a silicon chip having a thickness dimension assumed at the time of designing the objective lens or an optical member having an equivalent influence on the aberration and having a thickness adjusted according to a refractive index. The infrared microscope calibration method according to claim 8. 前記シリコンチップ又は前記光学部材は、前記保持手段に固定されることを特徴とする請求項9記載の赤外顕微鏡の校正方法。The infrared microscope calibration method according to claim 9, wherein the silicon chip or the optical member is fixed to the holding unit. 前記光透過部材は、前記保持手段に対して着脱可能であることを特徴とする請求項8記載の赤外顕微鏡の校正方法。9. The infrared microscope calibration method according to claim 8, wherein the light transmitting member is detachable from the holding means.
JP2005324948A 2005-11-09 2005-11-09 Infrared microscope with calibration function and infrared microscope calibration method Expired - Fee Related JP4800749B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005324948A JP4800749B2 (en) 2005-11-09 2005-11-09 Infrared microscope with calibration function and infrared microscope calibration method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005324948A JP4800749B2 (en) 2005-11-09 2005-11-09 Infrared microscope with calibration function and infrared microscope calibration method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007132743A JP2007132743A (en) 2007-05-31
JP4800749B2 true JP4800749B2 (en) 2011-10-26

Family

ID=38154538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005324948A Expired - Fee Related JP4800749B2 (en) 2005-11-09 2005-11-09 Infrared microscope with calibration function and infrared microscope calibration method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4800749B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6257269B2 (en) * 2013-10-30 2018-01-10 オリンパス株式会社 Autofocus device for microscope
CN112762820A (en) * 2020-12-11 2021-05-07 深圳市菲森科技有限公司 Calibration device and calibration method of confocal three-dimensional measurement system

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2547028B2 (en) * 1987-07-07 1996-10-23 京セラ株式会社 Reference disc
JPH0445552A (en) * 1990-05-09 1992-02-14 Toshiba Corp Surface analyzer
JPH07181015A (en) * 1993-12-22 1995-07-18 Mitsumi Electric Co Ltd Method for calibrating optical pattern measuring machine
JP2546533B2 (en) * 1994-04-21 1996-10-23 日本電気株式会社 Film thickness measuring device
JPH08247744A (en) * 1995-03-08 1996-09-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Accurate laminating device of optical component and its calibration method
JPH1047930A (en) * 1996-08-05 1998-02-20 Nikon Corp Shape measuring method using interferometer
JP3625761B2 (en) * 2000-11-06 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 Film thickness measuring apparatus and method
JP2002181725A (en) * 2000-12-11 2002-06-26 Mitsubishi Electric Corp Method for analyzing minute foreign matter, analysis apparatus, method for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device
JP2002206915A (en) * 2001-01-09 2002-07-26 Nikon Corp Abscissa calibration method for facial shape measuring device and facial shape measuring device
JP4417041B2 (en) * 2003-06-25 2010-02-17 浜松ホトニクス株式会社 Objective lens and optical device
JP2005189142A (en) * 2003-12-26 2005-07-14 Shimadzu Corp Infrared microscopic measuring method and device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007132743A (en) 2007-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101184771B1 (en) Microscope and sample observation method
JP4544904B2 (en) Optical system
US7365295B2 (en) Image inspection system for correcting focal position in autofocusing
US7199360B1 (en) System and method for calibrating a fluorescence microscope
JP6634024B2 (en) Light sheet microscope and microscope objective
US20080204551A1 (en) Miniature microscope camera
US20060291039A1 (en) Laser condensing optical system
WO2007140623A1 (en) Method and apparatus for auto-focussing infinity corrected microscopes
CN107314978B (en) Micro-region visible spectrometer and spectrum measurement method
TW201816505A (en) Optical system and method for correcting mask defects using the system
JP2019200847A (en) Observation method, sample support, sample holding tool set, and transmission electron microscope
JP4800749B2 (en) Infrared microscope with calibration function and infrared microscope calibration method
JP2007163461A (en) Lens evaluation system
WO2014014805A1 (en) Solid immersion microscopy system with deformable mirror for correction of aberrations
US20180024335A1 (en) Observation device
JP4812443B2 (en) Scanning confocal laser microscope
JP4686135B2 (en) Laser processing equipment
WO2013065418A1 (en) Light source unit adjustment device calibration method and standard
JP4681821B2 (en) Laser focusing optical system and laser processing apparatus
JP2017090395A (en) Interference objective lens and reference surface unit set
Kuhn Design and performance of a new compact adaptable autostigmatic alignment tool
US6831792B2 (en) Objective lens, combination of objective lenses, and method for adjusting optical system using objective lens
WO2013051147A1 (en) Image acquisition apparatus adjustment method, image acquisition apparatus, and image acquisition apparatus manufacturing method
JP4528023B2 (en) Laser focusing optical system
NL2028376B1 (en) Method of and arrangement for verifying an alignment of an infinity-corrected objective.

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101130

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110531

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110706

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110726

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110804

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees