JP4786723B2

JP4786723B2 - Plasma CVD apparatus and electrode for plasma CVD apparatus

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Publication number: JP4786723B2
Application number: JP2009013520A
Authority: JP
Inventors: 英四郎笹川; 栄一郎大坪; 雅之深川; 啓介川村; 匡史森
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 2009-01-23
Filing date: 2009-01-23
Publication date: 2011-10-05
Anticipated expiration: 2023-10-15
Also published as: JP2009102744A

Description

本発明は、プラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置と、その電極、特に冷却ジャケット付き電極構造に関する。 The present invention relates to a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus and an electrode thereof, particularly an electrode structure with a cooling jacket.

太陽電池などの製造工程における半導体層の製膜時に使用される装置としてプラズマＣＶＤ装置が知られている。プラズマＣＶＤ装置は、放電電極と、その放電電極に対向するように配置される接地電極を、反応容器内に備える。接地電極は、ヒータなどによる基板温度調節機構を備える。半導体膜が蒸着される被処理体としての基板は、その接地電極としてのヒータカバー上に保持される。放電電極には高周波電源により高周波電圧が印加される。反応容器を真空排気ポンプなどを使用して減圧雰囲気として、所望の半導体膜の材料を含む材料ガスを反応容器に導入し、放電電極に高周波電圧を印加すると、放電電極と基板との間の領域の材料ガスがプラズマ状態（あるいはラジカル状態）になる。気相の材料ガスが活性化されることにより、基板表面に所望の半導体膜、例えばアモルファスシリコン膜が蒸着する。所望の半導体膜の製膜条件は、主に反応容器の圧力雰囲気、材料ガスの流量、高周波電力量、および基板温度を調整することにより達成される。 A plasma CVD apparatus is known as an apparatus used when forming a semiconductor layer in a manufacturing process of a solar cell or the like. The plasma CVD apparatus includes a discharge electrode and a ground electrode disposed so as to face the discharge electrode in the reaction vessel. The ground electrode includes a substrate temperature adjusting mechanism such as a heater. A substrate as an object to be processed on which a semiconductor film is deposited is held on a heater cover as a ground electrode. A high frequency voltage is applied to the discharge electrode by a high frequency power source. When the reaction vessel is set to a reduced-pressure atmosphere using a vacuum pump or the like, a material gas containing a desired semiconductor film material is introduced into the reaction vessel, and a high-frequency voltage is applied to the discharge electrode, a region between the discharge electrode and the substrate The material gas becomes a plasma state (or radical state). By activating the gas-phase material gas, a desired semiconductor film such as an amorphous silicon film is deposited on the substrate surface. Desired semiconductor film formation conditions are achieved mainly by adjusting the pressure atmosphere of the reaction vessel, the flow rate of the material gas, the high-frequency power amount, and the substrate temperature.

プラズマＣＶＤ装置内の放電電極として、ラダー電極が知られている。ラダー電極は複数の電極棒を有し、その複数の電極棒が梯子状に組み立てられている。ラダー電極は、高周波電圧の制御、また電界分布の均一化において優れた特性を有する。 A ladder electrode is known as a discharge electrode in a plasma CVD apparatus. The ladder electrode has a plurality of electrode bars, and the plurality of electrode bars are assembled in a ladder shape. The ladder electrode has excellent characteristics in controlling the high-frequency voltage and making the electric field distribution uniform.

例えば、特許文献１に開示されたプラズマＣＶＤ装置は、ガス吹き出し型ラダー電極を備える。図１は、そのガス吹き出し型ラダー電極の構造を示す。ガス吹き出し型ラダー電極１は、パイプ状の枠体１ａと、この枠体１ａに梯子状に多数並列され、複数のガス吹き出し孔２を有するパイプ１ｂを有する。ガス吹き出し孔２は、被処理体である基板に向いており、パイプ１ｂを流れてきた材料ガスは、その基板に向けて放出される。また、吹き出し型ラダー電極１は、基板方向を除いてユニットカバー（防着板）３で囲まれている。このようなガス吹き出し型ラダー電極は、基板とそのラダー電極との間の領域に均一に材料ガスを供給できる点で優れている。 For example, the plasma CVD apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a gas blowing type ladder electrode. FIG. 1 shows the structure of the gas blowing type ladder electrode. The gas blowing type ladder electrode 1 includes a pipe-shaped frame 1a and a pipe 1b having a plurality of gas blowing holes 2 arranged in parallel in a ladder shape on the frame 1a. The gas blowing hole 2 faces the substrate that is the object to be processed, and the material gas that has flowed through the pipe 1b is released toward the substrate. Further, the blowout-type ladder electrode 1 is surrounded by a unit cover (protection plate) 3 except for the substrate direction. Such a gas blowing type ladder electrode is excellent in that a material gas can be uniformly supplied to a region between the substrate and the ladder electrode.

特許文献２によるプラズマＣＶＤ装置のラダー電極は、複数の電極棒に直交し、これらを電気的に接続する横グリッドを備える。特許文献３によるプラズマＣＶＤ装置は、複数に分割され同一平面に並べて設置される放電電極を備える。 The ladder electrode of the plasma CVD apparatus according to Patent Document 2 includes a horizontal grid that is orthogonal to the plurality of electrode bars and electrically connects them. The plasma CVD apparatus according to Patent Document 3 includes a plurality of discharge electrodes that are divided into a plurality of pieces and arranged side by side on the same plane.

微結晶シリコン膜などを基板に製膜する場合、放電電極には概０．３〜０．４Ｗ／ｃｍ^２を超える大電力が投入される。この場合、放電電極が発熱（ジュール熱）することによる放電電極から基板表面への熱流束（輻射熱）、及び発生したプラズマから基板表面への熱流束（輻射熱、伝導熱、反応熱）が非常に大きくなる。すると、基板表面の温度が基板裏面（ヒータ側）の温度より高くなり、基板表裏温度差により基板が放電電極側へ凸変形する。ここで、熱流束による温度差：△Ｔ（Ｋ）は、熱流束:Ｑ（Ｗ／ｍ^２）、基板板厚：ｔ（ｍ）、基板熱伝導率：λ（Ｗ／ｍＫ）とすると、△Ｔ＝Ｑ×ｔ／λで算出することができる。また、基板の凸変形量は、基板表裏の温度差に基板線膨張率を積算して算出される基板表裏の熱膨張量の差に基づき、基板の変形形状を円弧などに仮定することにより算出することができる。このような凸変形は、１ｍ角を超える大面積基板を処理する場合に特に顕著になる。基板が凸変形すると、放電電極と基板との間の距離が不均一になり、更には基板とヒータカバーの密着が悪い領域での基板表面電位の分布が不均一となり、発生するプラズマの分布が不均一になる。また、ヒータから伝わる熱が不均一になり、基板の温度分布も不均一になる。これらのことは、蒸着させる半導体膜分布の不均一や膜質の悪化の原因となる。 When a microcrystalline silicon film or the like is formed on a substrate, large electric power exceeding approximately 0.3 to 0.4 W / cm ² is applied to the discharge electrode. In this case, the heat flux (radiant heat) from the discharge electrode to the substrate surface due to heat generation (Joule heat) of the discharge electrode and the heat flux (radiant heat, conduction heat, reaction heat) from the generated plasma to the substrate surface are very high. growing. Then, the temperature of the substrate surface becomes higher than the temperature of the substrate back surface (heater side), and the substrate is convexly deformed toward the discharge electrode due to the temperature difference between the substrate front and back surfaces. Here, the temperature difference due to heat flux: ΔT (K) is as follows: heat flux: Q (W / m ² ), substrate thickness: t (m), substrate thermal conductivity: λ (W / mK) ΔT = Q × t / λ can be calculated. The convex deformation amount of the substrate is calculated by assuming the deformation shape of the substrate as an arc based on the difference between the thermal expansion amounts of the substrate front and back calculated by adding the substrate linear expansion coefficient to the temperature difference between the substrate front and back surfaces. can do. Such convex deformation becomes particularly prominent when processing a large area substrate exceeding 1 m square. When the substrate is convexly deformed, the distance between the discharge electrode and the substrate becomes non-uniform, and further, the distribution of the substrate surface potential becomes non-uniform in the region where the adhesion between the substrate and the heater cover is poor, and the generated plasma distribution It becomes uneven. Further, the heat transmitted from the heater becomes non-uniform, and the temperature distribution of the substrate becomes non-uniform. These cause non-uniform distribution of the semiconductor film to be deposited and deterioration of the film quality.

図２は、特許文献４に開示されたプラズマＣＶＤ装置を示す。このプラズマＣＶＤ装置によると、基板が少し凸状態となっても、基板とヒータカバーとの密着性が確保される。すなわち、基板１８を支持すると共に加熱するためのプレート１４の支持面１５は、円柱の外面の一部を形成するように、凸状に湾曲している。フレーム１６も、支持面１５と実質的に同じ曲率半径を有するように湾曲している。基板１８が支持面１５とフレーム１６とに挟み込まれた状態において、基板１８は支持面１５に沿って湾曲する。これにより、基板１８は支持面１５に対して隙間なく密着して設置され、均一なプラズマ処理が可能となる。このようなプラズマＣＶＤ装置において数ｍｍ以上に大きく凸変形する大型基板を処理する場合、ヒータカバーを凸形状に加工すること、またその凸形状を維持することは困難である。 FIG. 2 shows a plasma CVD apparatus disclosed in Patent Document 4. According to this plasma CVD apparatus, even if the substrate is slightly convex, the adhesion between the substrate and the heater cover is ensured. That is, the support surface 15 of the plate 14 for supporting and heating the substrate 18 is curved in a convex shape so as to form a part of the outer surface of the cylinder. The frame 16 is also curved to have substantially the same radius of curvature as the support surface 15. In a state where the substrate 18 is sandwiched between the support surface 15 and the frame 16, the substrate 18 is curved along the support surface 15. As a result, the substrate 18 is placed in close contact with the support surface 15 without any gap, and uniform plasma processing is possible. In the case of processing a large substrate that deforms to a large extent of several mm or more in such a plasma CVD apparatus, it is difficult to process the heater cover into a convex shape and maintain the convex shape.

１ｍ角を超える大型基板の場合、その大型基板の表裏温度差による凸変形の大きさは数ミリ以上になり得る。大型基板に半導体膜を蒸着させる際に、その大型基板が放電電極側へ凸変形しない技術が望まれている。 In the case of a large substrate exceeding 1 m square, the size of the convex deformation due to the temperature difference between the front and back surfaces of the large substrate can be several millimeters or more. When a semiconductor film is deposited on a large substrate, a technique is desired in which the large substrate does not deform convexly toward the discharge electrode.

特開２００１―１２０９８５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-120985 特開２００３−０７３８３７号公報JP 2003-073837 A 特開２０００−０５８４６５号公報JP 2000-058465 A 特開２０００−２２３４２６号公報JP 2000-223426 A

本発明の課題は、製膜処理時に大面積の基板の変形を抑制することができるプラズマＣＶＤ装置、およびそのプラズマＣＶＤ装置用の電極を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a plasma CVD apparatus capable of suppressing deformation of a large-area substrate during a film forming process, and an electrode for the plasma CVD apparatus.

本発明の他の課題は、電極を均一に冷却することができるプラズマＣＶＤ装置、およびそのようなプラズマＣＶＤ装置用の電極を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a plasma CVD apparatus capable of uniformly cooling an electrode, and an electrode for such a plasma CVD apparatus.

本発明の更に他の課題は、材料ガスを製膜室内で、特に基板と電極付近において、良好に循環させることができるプラズマＣＶＤ装置、およびそのプラズマＣＶＤ装置用の電極を提供することにある。 Still another object of the present invention is to provide a plasma CVD apparatus capable of satisfactorily circulating a material gas in a film forming chamber, particularly in the vicinity of a substrate and an electrode, and an electrode for the plasma CVD apparatus.

本発明の更に他の課題は、均一で良質な半導体膜を製膜することができるプラズマＣＶＤ装置、およびそのプラズマＣＶＤ装置用の電極を提供することにある。 Still another object of the present invention is to provide a plasma CVD apparatus capable of forming a uniform and high-quality semiconductor film, and an electrode for the plasma CVD apparatus.

以下に、発明を実施するための最良の形態で使用される番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。 Hereinafter, means for solving the problem will be described using the numbers and symbols used in the best mode for carrying out the invention. These numbers and symbols are added in parentheses in order to clarify the correspondence between the description of the claims and the best mode for carrying out the invention. However, these numbers and symbols should not be used for interpreting the technical scope of the invention described in the claims.

本発明の参考例によるプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）は、電極部（５０）と、電極部（５０）に熱的に接続された冷却部（５４、５５）とを備える。電極部（５０）は複数の電極棒（５０ａ、５０ｂ）を備える。冷却部（５４、５５）はその複数の電極棒（５０ａ、５０ｂ）のそれぞれに対応して形成される。 An electrode (100) for a plasma CVD apparatus according to a reference example of the present invention includes an electrode part (50) and cooling parts (54, 55) thermally connected to the electrode part (50). The electrode part (50) includes a plurality of electrode bars (50a, 50b). The cooling part (54, 55) is formed corresponding to each of the plurality of electrode bars (50a, 50b).

本発明の参考例によるプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）は、電極部（５０）と冷却部（５４、５５）を接続する絶縁部（７４）を更に備える。電極部（５０）は、互いに略平行に配置された複数の第１電極棒（５０ａ）と、互いに略平行に配置された一対の第２電極棒（５０ｂ）とを備える。複数の第１電極棒（５０ａ）の長手方向は第１方向であり、一対の第２電極棒（５０ｂ）の長手方向は第１方向と交差する第２方向である。複数の第１電極棒（５０ａ）と一対の第２電極棒（５０ｂ）は梯子状に組み合わされる。冷却部（５４、５５）は、互いに略平行に配置された複数の第１冷却棒（５４）と、互いに略平行に配置された一対の第２冷却棒（５５）とを備える。複数の第１冷却棒（５４）の長手方向は第１方向であり、一対の第２冷却棒（５５）の長手方向は第２方向である。複数の第１冷却棒（５４）と一対の第２冷却棒（５５）は梯子状に組み合わされる。絶縁部（７４）は、互いに略平行に配置された複数の絶縁棒（７４）を備える。複数の絶縁棒（７４）の長手方向は第１方向である。複数の第１電極棒（５０ａ）のそれぞれは、複数の絶縁棒（７４）のそれぞれを介して、複数の第１冷却棒（５４）のそれぞれに接続される。第１方向と第２方向のなす角として、略直角が好適である。 The plasma CVD apparatus electrode (100) according to the reference example of the present invention further includes an insulating part (74) for connecting the electrode part (50) and the cooling parts (54, 55). The electrode part (50) includes a plurality of first electrode bars (50a) arranged substantially parallel to each other and a pair of second electrode bars (50b) arranged substantially parallel to each other. The longitudinal direction of the plurality of first electrode bars (50a) is the first direction, and the longitudinal direction of the pair of second electrode bars (50b) is the second direction intersecting the first direction. The plurality of first electrode bars (50a) and the pair of second electrode bars (50b) are combined in a ladder shape. The cooling unit (54, 55) includes a plurality of first cooling rods (54) arranged substantially parallel to each other and a pair of second cooling rods (55) arranged substantially parallel to each other. The longitudinal direction of the plurality of first cooling rods (54) is the first direction, and the longitudinal direction of the pair of second cooling rods (55) is the second direction. The plurality of first cooling rods (54) and the pair of second cooling rods (55) are combined in a ladder shape. The insulating part (74) includes a plurality of insulating rods (74) arranged substantially parallel to each other. The longitudinal direction of the plurality of insulating rods (74) is the first direction. Each of the plurality of first electrode rods (50a) is connected to each of the plurality of first cooling rods (54) via each of the plurality of insulating rods (74). As the angle formed by the first direction and the second direction, a substantially right angle is preferable.

本発明の参考例によるプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）において、複数の第１電極棒（５０ａ）のそれぞれは、複数の絶縁棒（７４）のそれぞれと第１面で接触してもよい。複数の第１冷却棒（５４）のそれぞれは、複数の絶縁棒（７４）のそれぞれと第２面で接触してもよい。第１面と第２面は平面であってもよい。複数の絶縁棒（７４）の各々は、第１面及び第２面以外の面に、第１方向に延びる複数の溝（７８）を備えてもよい。 In the electrode for plasma CVD apparatus (100) according to the reference example of the present invention, each of the plurality of first electrode bars (50a) may be in contact with each of the plurality of insulating bars (74) on the first surface. Each of the plurality of first cooling rods (54) may contact each of the plurality of insulating rods (74) on the second surface. The first surface and the second surface may be flat. Each of the plurality of insulating bars (74) may include a plurality of grooves (78) extending in the first direction on a surface other than the first surface and the second surface.

本発明の参考例によるプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）において、複数の第１電極棒（５０ａ）の各々の第２方向に沿った幅（ｗ）と、複数の第１冷却棒（５４）の各々の第２方向に沿った幅（ｗ）と、複数の絶縁棒（７４）の各々の第２方向に沿った幅（ｗ）は略等しくてもよい。また、電極部（５０）と冷却部（５４、５５）は、絶縁物により支持されてもよい。 In the plasma CVD apparatus electrode (100) according to the reference example of the present invention, the width (w) of each of the plurality of first electrode bars (50a) along the second direction and the plurality of first cooling bars (54) The width (w) along each second direction may be substantially equal to the width (w) along each second direction of each of the plurality of insulating rods (74). The electrode part (50) and the cooling parts (54, 55) may be supported by an insulator.

本発明の参考例によるプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）において、冷却部（５４、５５）の内部に、冷却媒体（５７）が流れる冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）が形成されてもよい。冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）は、複数の第１冷却棒（５４）のそれぞれの内部に形成された複数の第１冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）と、一対の第２冷却棒（５５）のそれぞれの内部に形成された一対の第２冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）とを備える。冷却媒体（５７）は、一対の第２冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）の一方から、複数の第１冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）のそれぞれへ分配され、一対の第２冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）で合流する。 In the plasma CVD apparatus electrode (100) according to the reference example of the present invention, cooling medium tubes (56a, 56b) through which the cooling medium (57) flows may be formed inside the cooling units (54, 55). The cooling medium tubes (56a, 56b) include a plurality of first cooling medium tubes (56a, 56b) formed inside each of the plurality of first cooling rods (54) and a pair of second cooling rods (55). And a pair of second cooling medium pipes (56a, 56b) formed inside each. The cooling medium (57) is distributed from one of the pair of second cooling medium pipes (56a, 56b) to each of the plurality of first cooling medium pipes (56a, 56b), and the pair of second cooling medium pipes (56a). , 56b).

本発明によるプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）は、互いに略平行に配置された複数の第１電極棒（５０ａ、９０）と、互いに略平行に配置された一対の第２電極棒（５０ｂ）と、互いに略平行に配置された一対の冷却媒体供給棒（５５）とを備える。複数の第１電極棒（５０ａ、９０）の長手方向は第１方向であり、一対の第２電極棒（５０ｂ）の長手方向は第１方向と交差する第２方向である。一対の冷却媒体供給棒（５５）の長手方向は第２方向である。一対の第２電極棒（５０ｂ）は複数の第１電極棒（５０ａ、９０）を挟むように配置される。一対の冷却媒体供給棒（５５）は複数の第１電極棒（５０ａ、９０）を挟むように配置される。複数の第１電極棒（５０ａ、９０）と一対の冷却媒体供給棒（５５）の内部に、冷却媒体（５７）が流れる冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）が形成される。また、第２電極棒（５０ｂ）と冷却媒体供給棒（５５）は、絶縁物により支持されてもよい。 The plasma CVD apparatus electrode (100) according to the present invention includes a plurality of first electrode bars (50a, 90) arranged substantially parallel to each other and a pair of second electrode bars (50b) arranged substantially parallel to each other. And a pair of cooling medium supply rods (55) arranged substantially parallel to each other. The longitudinal direction of the plurality of first electrode bars (50a, 90) is the first direction, and the longitudinal direction of the pair of second electrode bars (50b) is the second direction intersecting the first direction. The longitudinal direction of the pair of cooling medium supply rods (55) is the second direction. The pair of second electrode bars (50b) are arranged so as to sandwich the plurality of first electrode bars (50a, 90). The pair of cooling medium supply rods (55) are arranged so as to sandwich the plurality of first electrode rods (50a, 90). Cooling medium tubes (56a, 56b) through which the cooling medium (57) flows are formed inside the plurality of first electrode bars (50a, 90) and the pair of cooling medium supply bars (55). The second electrode rod (50b) and the cooling medium supply rod (55) may be supported by an insulator.

本発明によるプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）において、冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）は、複数の第１電極棒（５０ａ、９０）のそれぞれの内部に形成された複数の第１冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）と、一対の冷却媒体供給棒（５５）のそれぞれの内部に形成された一対の第２冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）とを備える。冷却媒体（５７）は、一対の第２冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）の一方から、複数の第１冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）のそれぞれへ分配され、一対の第２冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）で合流する。 In the electrode for a plasma CVD apparatus according to the present invention (100), the cooling medium tubes (56a, 56b) are formed by a plurality of first cooling medium tubes (56a, 90b) formed inside the respective first electrode rods (50a, 90). 56a, 56b) and a pair of second cooling medium tubes (56a, 56b) formed inside each of the pair of cooling medium supply rods (55). The cooling medium (57) is distributed from one of the pair of second cooling medium pipes (56a, 56b) to each of the plurality of first cooling medium pipes (56a, 56b), and the pair of second cooling medium pipes (56a). , 56b).

本発明によるプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）において、冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）は絶縁体により形成されてもよい。冷却媒体（５７）は非導電性もしくは高抵抗のために非導電性とみなせる流体（液体、気体）である。 In the plasma CVD apparatus electrode (100) according to the present invention, the cooling medium tubes (56a, 56b) may be formed of an insulator. The cooling medium (57) is a fluid (liquid, gas) that can be regarded as non-conductive or non-conductive due to high resistance.

本発明によるプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）において、複数の第１電極棒（５０ａ）と一対の第２電極棒（５０ｂ）の内部にガス管（５２）が形成される。複数の第１電極棒（５０ａ）の各々はガス管（５２）と繋がる複数のガス孔（５１）を備える。ガス管（５２）に供給されたガス（５３）は複数のガス孔（５１）から放出される。 In the plasma CVD apparatus electrode (100) according to the present invention, a gas pipe (52) is formed inside a plurality of first electrode bars (50a) and a pair of second electrode bars (50b). Each of the plurality of first electrode bars (50a) includes a plurality of gas holes (51) connected to the gas pipe (52). The gas (53) supplied to the gas pipe (52) is released from the plurality of gas holes (51).

本発明によるプラズマＣＶＤ装置は、上記のプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）を備える。 A plasma CVD apparatus according to the present invention includes the plasma CVD apparatus electrode (100).

本発明によるプラズマＣＶＤ装置は、上記のプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）と、冷却媒体管（５６ａ、５６ｂ）を介してプラズマＣＶＤ装置用電極（１００）と接続される循環器（１０１）とを備える。冷却媒体（５７）は、循環器（１０１）により、プラズマＣＶＤ装置用電極（１００）を循環する。循環器（１０１）は熱交換器（１０２）を備えてもよい。 The plasma CVD apparatus according to the present invention includes the plasma CVD apparatus electrode (100) and a circulator (101) connected to the plasma CVD apparatus electrode (100) via the cooling medium pipes (56a, 56b). Prepare. The cooling medium (57) circulates through the plasma CVD apparatus electrode (100) by the circulator (101). The circulator (101) may comprise a heat exchanger (102).

本発明によるプラズマＣＶＤ装置は、ラダー電極（１３０）と、ラダー電極（１３０）に対向するように配置された接地電極（１１５）と、ラダー電極（１３０）の接地電極（１１５）と反対側に配置された防着板（１１８）と、防着板（１１８）に支持された冷却装置（１３１）とを備える。冷却媒体（５７）は、冷却装置（１３１）の内部を均一に循環する。基板（１１４）はラダー電極（１３０）に対向するように接地電極（１１５）により保持される。冷却装置（１３１）とラダー電極（１３０）との距離は、ラダー電極（１３０）と基板（１１４）との距離の５倍以内である。 The plasma CVD apparatus according to the present invention includes a ladder electrode (130), a ground electrode (115) arranged so as to face the ladder electrode (130), and a ladder electrode (130) opposite to the ground electrode (115). It has an adhesion prevention plate (118) arranged and a cooling device (131) supported by the adhesion prevention plate (118). The cooling medium (57) circulates uniformly inside the cooling device (131). The substrate (114) is held by the ground electrode (115) so as to face the ladder electrode (130). The distance between the cooling device (131) and the ladder electrode (130) is within five times the distance between the ladder electrode (130) and the substrate (114).

本発明のプラズマＣＶＤ装置、およびプラズマＣＶＤ装置用の電極によれば、製膜処理時に大面積の基板の変形を抑制することができる。 According to the plasma CVD apparatus and the electrode for the plasma CVD apparatus of the present invention, deformation of a large-area substrate can be suppressed during the film forming process.

本発明のプラズマＣＶＤ装置、およびプラズマＣＶＤ装置用の電極によれば、そのプラズマＣＶＤ装置用電極は均一に冷却される。 According to the plasma CVD apparatus and the electrode for the plasma CVD apparatus of the present invention, the electrode for the plasma CVD apparatus is uniformly cooled.

本発明のプラズマＣＶＤ装置、およびプラズマＣＶＤ装置用の電極によれば、材料ガスを製膜室内で、特に基板と電極付近において、良好に循環させることができる。 According to the plasma CVD apparatus and the electrode for the plasma CVD apparatus of the present invention, the material gas can be circulated well in the film forming chamber, particularly in the vicinity of the substrate and the electrode.

本発明のプラズマＣＶＤ装置、およびプラズマＣＶＤ装置用の電極によれば、均一で良質な半導体膜を製膜することができる。 According to the plasma CVD apparatus and the electrode for the plasma CVD apparatus of the present invention, a uniform and high-quality semiconductor film can be formed.

図１は、従来のラダー電極の構成を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a conventional ladder electrode. 図２は、従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of a conventional plasma CVD apparatus. 図３は、本発明の参考例に係るプラズマＣＶＤ装置用電極の構成を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing the configuration of an electrode for a plasma CVD apparatus according to a reference example of the present invention. 図４は、本発明の参考例に係るプラズマＣＶＤ装置用電極の構造を示す詳細図である。FIG. 4 is a detailed view showing the structure of an electrode for a plasma CVD apparatus according to a reference example of the present invention. 図５Ａは、図４中の線Ａ−Ａに沿ったプラズマＣＶＤ装置用電極の断面図である。FIG. 5A is a cross-sectional view of the electrode for the plasma CVD apparatus taken along line AA in FIG. 図５Ｂは、図４中の線Ｂ−Ｂに沿ったプラズマＣＶＤ装置用電極の断面図である。5B is a cross-sectional view of the electrode for the plasma CVD apparatus along the line BB in FIG. 図６は、本発明の参考例に係るプラズマＣＶＤ装置用電極による効果を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the effect of the electrode for the plasma CVD apparatus according to the reference example of the present invention. 図７は、本発明の第一の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置用電極の構造を示す詳細図である。FIG. 7 is a detailed view showing the structure of the electrode for the plasma CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図８Ａは、図７中の線Ｂ−Ｂに沿ったプラズマＣＶＤ装置用電極の断面図である。FIG. 8A is a cross-sectional view of the electrode for the plasma CVD apparatus taken along line BB in FIG. 図８Ｂは、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置用電極の変形例の断面図である。FIG. 8B is a cross-sectional view of a modification of the electrode for a plasma CVD apparatus according to the present invention. 図９は、本発明の第二の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成を示す全体図である。FIG. 9 is an overall view showing the configuration of the plasma CVD apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図１０は、本発明の第二の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成を示す詳細図である。FIG. 10 is a detailed view showing the configuration of the plasma CVD apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図１１は、本発明の第二の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の側面断面図である。FIG. 11 is a side sectional view of a plasma CVD apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図１２は、本発明の第二の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成の他の例を示す概略図である。FIG. 12 is a schematic view showing another example of the configuration of the plasma CVD apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図１３は、本発明の第三の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成を示す概略図である。FIG. 13 is a schematic diagram showing the configuration of a plasma CVD apparatus according to the third embodiment of the present invention.

添付図面を参照して、本発明によるプラズマＣＶＤ装置用電極、およびプラズマＣＶＤ装置について説明する。 An electrode for a plasma CVD apparatus and a plasma CVD apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

（参考例）
図３は、本発明の参考例に係るプラズマＣＶＤ装置用電極の構造を示す概略図である。ラダー型電極５０は、複数の縦方向電極棒５０ａと一対の横方向電極棒５０ｂを有する。複数の縦方向電極棒５０ａは、互いに略平行に均等な間隔をおいて配置される。一対の横方向電極棒５０ｂは、複数の縦方向電極棒５０ａを挟み込むように配置される。すなわち、複数の縦方向電極棒５０ａと一対の横方向電極棒５０ｂは、梯子状に組み合される。縦方向電極棒５０ａと横方向電極棒５０ｂのなす角として９０°が例示される。被処理体である基板に対向するように、複数のガス吹き出し孔５１が複数の縦方向電極棒５０ａの各々に形成されている。ラダー型電極５０の内部には、ガスが通ることができるガス管５２が形成されている。ガス管５２は絶縁物で形成されている。材料ガス５３は、図示されない材料ガス供給部により、ガス管５２を通してラダー型電極５０内部に導入される。導入された材料ガス５３は、複数のガス吹き出し孔５１から、基板の方向（図３中の矢印Ｓ方向）へ放出される。 (Reference example)
FIG. 3 is a schematic view showing the structure of an electrode for a plasma CVD apparatus according to a reference example of the present invention. The ladder-type electrode 50 has a plurality of vertical electrode bars 50a and a pair of horizontal electrode bars 50b. The plurality of vertical electrode rods 50a are arranged substantially equally in parallel with each other at an equal interval. The pair of horizontal electrode bars 50b are arranged so as to sandwich the plurality of vertical electrode bars 50a. That is, the plurality of vertical electrode bars 50a and the pair of horizontal electrode bars 50b are combined in a ladder shape. The angle formed by the vertical electrode bar 50a and the horizontal electrode bar 50b is exemplified by 90 °. A plurality of gas blowing holes 51 are formed in each of the plurality of vertical electrode bars 50a so as to face the substrate that is the object to be processed. Inside the ladder-type electrode 50, a gas pipe 52 through which gas can pass is formed. The gas pipe 52 is formed of an insulator. The material gas 53 is introduced into the ladder electrode 50 through the gas pipe 52 by a material gas supply unit (not shown). The introduced material gas 53 is discharged from the plurality of gas blowing holes 51 in the direction of the substrate (the direction of arrow S in FIG. 3).

ラダー型電極５０の被処理基板と反対側（図３中の矢印Ｓと反対方向）には、複数の冷却ジャケット５４が配置される。後述されるように、複数の冷却ジャケット５４は、複数の縦方向電極棒５０ａと対応するように、互いに略平行に均等な間隔をおいて配置される。また、その複数の冷却ジャケット５４と、その複数の縦方向電極棒５０ａとは熱的に接続される。一対の冷却媒体ヘッダー（冷却媒体供給棒）５５は、複数の冷却ジャケット５４を挟み込むように配置される。すなわち、複数の冷却ジャケット５４と一対の冷却媒体ヘッダー５５は、梯子状に組み合わされ、冷却部を構成する。複数の冷却ジャケット５４と一対の冷却ヘッダー５５の内部には、気体や流体が通ることができる冷却媒体管５６ａ、５６ｂが形成されている。冷却媒体管５６ａ、５６ｂは、絶縁物で形成されている。冷却媒体５７は、図示されない冷却媒体循環器により、冷却媒体管５６ａを通して冷却ヘッダー５５内部に導入される。導入された冷却媒体５７は、複数の冷却ジャケット５４のそれぞれへ分配され、図３中の下側の冷却ヘッダー５５で合流し、冷却媒体管５６ｂを通して排出される。なお、冷却媒体５７の流れの方向は、図３に示した方向と逆であってもよい。 A plurality of cooling jackets 54 are arranged on the opposite side of the ladder-type electrode 50 from the substrate to be processed (the direction opposite to the arrow S in FIG. 3). As will be described later, the plurality of cooling jackets 54 are arranged substantially parallel to each other at equal intervals so as to correspond to the plurality of vertical electrode bars 50a. The plurality of cooling jackets 54 and the plurality of longitudinal electrode bars 50a are thermally connected. The pair of cooling medium headers (cooling medium supply rods) 55 are arranged so as to sandwich the plurality of cooling jackets 54. That is, the plurality of cooling jackets 54 and the pair of cooling medium headers 55 are combined in a ladder shape to constitute a cooling unit. Inside the plurality of cooling jackets 54 and the pair of cooling headers 55, cooling medium pipes 56a and 56b through which gas and fluid can pass are formed. The cooling medium tubes 56a and 56b are formed of an insulator. The cooling medium 57 is introduced into the cooling header 55 through the cooling medium pipe 56a by a cooling medium circulator (not shown). The introduced cooling medium 57 is distributed to each of the plurality of cooling jackets 54, merges at the lower cooling header 55 in FIG. 3, and is discharged through the cooling medium pipe 56b. The direction of the flow of the cooling medium 57 may be opposite to the direction shown in FIG.

ラダー型電極５０および冷却部（冷却ジャケット５４、冷却媒体ヘッダー５５）は、それぞれ電極支持部材５８および冷却ジャケット支持部材５９により支持される。電極支持部材５８および冷却ジャケット支持部材５９は、後述されるプラズマＣＶＤ装置中の所定の部材と繋がっている（図１２参照）。電極支持部材５８および冷却ジャケット支持部材５９は、共に絶縁物で形成されている。 The ladder-type electrode 50 and the cooling unit (the cooling jacket 54 and the cooling medium header 55) are supported by an electrode support member 58 and a cooling jacket support member 59, respectively. The electrode support member 58 and the cooling jacket support member 59 are connected to predetermined members in a plasma CVD apparatus described later (see FIG. 12). Both the electrode support member 58 and the cooling jacket support member 59 are formed of an insulator.

本発明の参考例に係るプラズマＣＶＤ装置用電極の構造をさらに詳細に説明する。図４は、図３中の破線円６５の部分を拡大して詳細に示した図である。以下、ラダー型電極構造と冷却ジャケット構造をまとめて冷却ジャケット付き電極１００と参照される。なお、図４において、電極支持部材５８および冷却ジャケット支持部材５９の描写は省かれている。 The structure of the electrode for a plasma CVD apparatus according to a reference example of the present invention will be described in more detail. FIG. 4 is an enlarged view showing a portion of a broken-line circle 65 in FIG. 3 in detail. Hereinafter, the ladder-type electrode structure and the cooling jacket structure are collectively referred to as an electrode 100 with a cooling jacket. In FIG. 4, depiction of the electrode support member 58 and the cooling jacket support member 59 is omitted.

図４において、ガス管５２が、ラダー型電極５０（縦方向電極棒５０ａおよび横方向電極棒５０ｂ）の内部を通じて形成されている。ガス管５２の材料の絶縁物として、安易に入手可能であるアルミナ（Ａｌ_２０_３）やポリイミド材などが例示される。非磁性材料から選出されるラダー型電極５０の材料として、ＳＵＳ３０４、インコネル６００などが使用可能であるが、温度のより良い均一性の観点から、アルミニウムやアルミニウム合金などが例示される。材料ガス５３は、ガス管５２によってラダー型電極５０内部に形成されたガス通路７１を流れる。その材料ガス５３は、複数の縦方向電極棒５０ａの各々に形成された複数のガス吹き出し孔５１から基板方向（図４中の矢印Ｓ方向）に均一に放出される。そのために、ガス吹出し孔５１は、圧力損失を大きく取れるように工夫してあり、その孔径として概φ０．３ｍｍ〜φ０．５ｍｍの孔径が選定される。 In FIG. 4, a gas pipe 52 is formed through the inside of a ladder-type electrode 50 (vertical electrode bar 50a and horizontal electrode bar 50b). Examples of the insulator for the material of the gas pipe 52 include easily available alumina (Al ₂ O ₃ ) and a polyimide material. As a material of the ladder-type electrode 50 selected from nonmagnetic materials, SUS304, Inconel 600, and the like can be used, and aluminum and aluminum alloys are exemplified from the viewpoint of better uniformity of temperature. The material gas 53 flows through a gas passage 71 formed inside the ladder electrode 50 by the gas pipe 52. The material gas 53 is uniformly discharged in the substrate direction (in the direction of arrow S in FIG. 4) from the plurality of gas blowing holes 51 formed in each of the plurality of vertical electrode bars 50a. Therefore, the gas blowing hole 51 is devised so as to obtain a large pressure loss, and a hole diameter of approximately φ0.3 mm to φ0.5 mm is selected as the hole diameter.

ラダー型電極５０の被処理基板と反対側（図４中の矢印Ｓと反対方向）には、複数の冷却ジャケット５４が配置される。複数の冷却ジャケット５４は、複数の縦方向電極棒５０ａと対応するように、互いに略平行に均等な間隔をおいて配置される。複数の冷却ジャケット５４は、複数の絶縁部材７４を介して、複数の縦方向電極棒５０ａにそれぞれ熱的に接続されている。つまり、複数の絶縁部材７４も、複数の縦方向電極棒５０ａと対応するように、互いに略平行に均等な間隔をおいて配置される。ここで、縦方向電極棒５０ａと冷却ジャケット５４と絶縁部材７４の長手方向は同じである。 A plurality of cooling jackets 54 are disposed on the opposite side of the ladder-type electrode 50 from the substrate to be processed (the direction opposite to the arrow S in FIG. 4). The plurality of cooling jackets 54 are arranged substantially parallel to each other and at equal intervals so as to correspond to the plurality of vertical electrode bars 50a. The plurality of cooling jackets 54 are thermally connected to the plurality of vertical electrode bars 50a through the plurality of insulating members 74, respectively. That is, the plurality of insulating members 74 are also arranged substantially parallel to each other at equal intervals so as to correspond to the plurality of vertical electrode bars 50a. Here, the longitudinal directions of the longitudinal electrode rod 50a, the cooling jacket 54, and the insulating member 74 are the same.

また、冷却媒体管５６ａが、冷却媒体ヘッダー５５に接続され、冷却媒体ヘッダー５５および冷却ジャケット５４の内部には冷却媒体管５６ａに通じる冷却媒体通路７２が形成されている。冷却媒体管５６ａ（５６ｂ）の材料の絶縁物として安易に入手できるアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などのセラミックスやフッ素樹脂などが例示される。非磁性材料から選出される冷却ジャケット５４および冷却媒体ヘッダー５５の材料として、ＳＵＳ３０４、インコネル６００などが使用可能であるが、温度のより良い均一性の観点から、アルミニウムやアルミニウム合金などが例示される。冷却媒体５７は、冷却媒体管５６ａに通じる冷却媒体通路７２を流れ、冷却媒体ヘッダー５５から複数の冷却ジャケット５４のそれぞれへ供給される。複数の冷却ジャケット５４の各々と冷却媒体ヘッダー５５が接続する部分の冷却媒体通路７２には、冷却媒体を均一に分配するために分配オリフィス７３が設けられている。この冷却媒体分配オリフィス７３は、絞りの役割を果たし、これにより冷却媒体通路７２を流れる冷却媒体５７の流量を制御することができる。冷却媒体５７として、水およびフッ素系不活性液体（商品名：フロリナートなど）や不活性オイルなどの熱媒が例示される。熱媒の種類は、実際にはラダー型電極５０の設定温度や取扱い性により選定されることになる。 The cooling medium pipe 56 a is connected to the cooling medium header 55, and a cooling medium passage 72 communicating with the cooling medium pipe 56 a is formed inside the cooling medium header 55 and the cooling jacket 54. Examples of the material for the cooling medium pipe 56a (56b) include ceramics such as alumina (Al ₂ O ₃ ) and fluororesin that can be easily obtained. As materials for the cooling jacket 54 and the cooling medium header 55 selected from non-magnetic materials, SUS304, Inconel 600, and the like can be used, but aluminum and aluminum alloys are exemplified from the viewpoint of better temperature uniformity. . The cooling medium 57 flows through the cooling medium passage 72 communicating with the cooling medium pipe 56 a and is supplied from the cooling medium header 55 to each of the plurality of cooling jackets 54. A distribution orifice 73 is provided in the cooling medium passage 72 where each of the plurality of cooling jackets 54 is connected to the cooling medium header 55 in order to uniformly distribute the cooling medium. The cooling medium distribution orifice 73 serves as a throttle, and thereby the flow rate of the cooling medium 57 flowing through the cooling medium passage 72 can be controlled. Examples of the cooling medium 57 include water and a heat medium such as a fluorine-based inert liquid (trade name: Fluorinert, etc.) or an inert oil. The type of the heat medium is actually selected according to the set temperature and handling property of the ladder-type electrode 50.

図５Ａおよび図５Ｂは、それぞれ図４中の線Ａ−Ａおよび線Ｂ−Ｂにおける冷却ジャケット付き電極１００の断面図を示す。図５Ａおよび図５Ｂ中の矢印Ｓは、被処理体である基板の方向を示す。図５Ａに示されるように、縦方向電極棒５０ａの所定の位置において、縦方向電極棒５０ａ、絶縁部材７４および冷却ジャケット５４は、ボルト７５とスプリングワッシャ７６によって物理的に弾性力で締め付けた状態で固定される。ボルト７５の材料として、絶縁特性が必要なことからセラミックスや表面を絶縁処理した金属材が例示される。また、図５Ａおよび図５Ｂに示されるように、縦方向電極棒５０ａ、絶縁部材７４および冷却ジャケット５４は略等しい幅ｗを有しており、それらの側面はほぼ一列に並ぶ。 5A and 5B show sectional views of the electrode 100 with the cooling jacket taken along lines AA and BB in FIG. 4, respectively. An arrow S in FIGS. 5A and 5B indicates the direction of the substrate that is the object to be processed. As shown in FIG. 5A, in a predetermined position of the vertical electrode rod 50a, the vertical electrode rod 50a, the insulating member 74, and the cooling jacket 54 are physically tightened by a bolt 75 and a spring washer 76 with an elastic force. It is fixed with. Examples of the material of the bolt 75 include ceramics and metal materials having an insulating surface because of the necessity of insulating characteristics. As shown in FIGS. 5A and 5B, the vertical electrode rod 50a, the insulating member 74, and the cooling jacket 54 have substantially the same width w, and their side surfaces are arranged in a line.

図４、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、冷却ジャケット付き電極１００において、複数の冷却ジャケット５４と複数の縦方向電極棒５０ａがそれぞれ複数の絶縁部材７４を介して熱的に接続されている。従って、ラダー型電極５０は間接的に冷却される。縦方向電極棒５０ａと冷却ジャケット５４と絶縁部材７４の長手方向は同じである。また、縦方向電極棒５０ａと絶縁部材７４、絶縁部材７４と冷却ジャケット５４は平面的に接している。従って、部材同士の接触面積は大きく、高い接触熱伝達率が維持される。更に、複数の冷却ジャケット５４は、複数の縦方向電極棒５０ａに対してそれぞれ設けられている。従って、複数の縦方向電極棒５０ａを均一に冷却することが可能である。 As shown in FIGS. 4, 5A and 5B, in the electrode 100 with the cooling jacket, the plurality of cooling jackets 54 and the plurality of longitudinal electrode bars 50a are thermally connected through the plurality of insulating members 74, respectively. . Therefore, the ladder-type electrode 50 is indirectly cooled. The longitudinal directions of the vertical electrode rod 50a, the cooling jacket 54, and the insulating member 74 are the same. Further, the vertical electrode rod 50a and the insulating member 74, and the insulating member 74 and the cooling jacket 54 are in planar contact. Therefore, the contact area between members is large, and a high contact heat transfer coefficient is maintained. Further, the plurality of cooling jackets 54 are respectively provided for the plurality of vertical electrode bars 50a. Therefore, it is possible to cool the plurality of vertical electrode bars 50a uniformly.

また、縦方向電極棒５０ａと冷却ジャケット５４の間に挟み込まれている物質は、絶縁部材７４である。従って、ラダー型電極５０の電位や発生するプラズマの状態は、冷却ジャケット５４の電位の影響を受けにくくなる。絶縁部材７４の材料として、高い絶縁特性と高い熱伝導率を有する材料が望ましく、絶縁耐圧が高い９９％以上の高純度アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）セラミックスが例示される。また、その材料として、熱伝導率の高い窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックスは更に好適である。 The material sandwiched between the vertical electrode rod 50 a and the cooling jacket 54 is an insulating member 74. Therefore, the potential of the ladder-type electrode 50 and the state of the generated plasma are not easily affected by the potential of the cooling jacket 54. The material of the insulating member 74 is preferably a material having high insulation characteristics and high thermal conductivity, and is exemplified by high-purity alumina (Al ₂ O ₃ ) ceramics having a high withstand voltage of 99% or more. As the material, aluminum nitride (AlN) ceramics having high thermal conductivity is more preferable.

更に、図５Ａおよび図５Ｂに示されるように、絶縁部材７４の四隅、つまり図中の円で指示される領域に、段差７７が設けられてもよい。このとき、冷却ジャケット５４と絶縁部材７４、また絶縁部材７４と縦方向電極棒５０ａは、互いにかみ合うように接合される。これにより、冷却ジャケット５４、絶縁部材７４、縦方向電極棒５０ａは、各々の材質や温度の違いによる熱膨張量に差が存在しても、熱的接触状態を保ったまま長手方向に熱伸縮しやすくなる。また、絶縁部材７４の表面には、長手方向に延びる複数の細溝（膜切り溝）７８が設けられてもよい。これにより、製膜処理中に絶縁部材７４の外壁面に膜が付着堆積しても、この細溝７８部分で膜の付着を抑制できるので、付着膜による絶縁不良が発生することが防止される。更に、発生するプラズマが不安定になることが防止される。溝７８の幅として０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ、深さとして１ｍｍ以上が例示される。 Further, as shown in FIG. 5A and FIG. 5B, steps 77 may be provided at the four corners of the insulating member 74, that is, the regions indicated by the circles in the drawing. At this time, the cooling jacket 54 and the insulating member 74, and the insulating member 74 and the longitudinal electrode rod 50a are joined so as to engage with each other. As a result, the cooling jacket 54, the insulating member 74, and the vertical electrode rod 50a are thermally expanded and contracted in the longitudinal direction while maintaining a thermal contact state even if there is a difference in thermal expansion due to the difference in material and temperature. It becomes easy to do. In addition, a plurality of fine grooves (film cutting grooves) 78 extending in the longitudinal direction may be provided on the surface of the insulating member 74. As a result, even if a film adheres and accumulates on the outer wall surface of the insulating member 74 during the film forming process, the adhesion of the film can be suppressed at the narrow groove 78 portion, so that it is possible to prevent insulation failure due to the adhered film. . Further, the generated plasma is prevented from becoming unstable. Examples of the width of the groove 78 include 0.5 mm to 1.5 mm and a depth of 1 mm or more.

このような冷却ジャケット付き電極１００を製膜処理において使用した場合に発生する効果について、図６を参照して説明する。図６は、冷却ジャケット付き電極１００と基板やヒータとの位置関係を示し、図３における線Ｘ−Ｘに沿った断面図に対応する。図６において、冷却ジャケット付き電極１００に対向するようにヒータ８１が配置される。ヒータカバー８２は、ヒータ８１付近に配置される。被処理体である基板８３は、ヒータカバー８２に接し、冷却ジャケット付き電極１００に対向するように配置される。基板支持部材８４は、ヒータカバー８２の周縁の所定の場所に密着している。また、基板支持部材８４は、基板８３を支持する。基板８３は、斜めに保持されたヒータカバー８２に立てかけるように保持され（図１０、図１１参照）、その自重によりヒータカバー８２に密着している。さらに基板支持部材８４から延びる基板押さえ部材８５は、基板８３の外縁を押さえることによって、基板８３をヒータカバー８２に密着させる。材料ガス５３は、ガス吹き出し孔５１から基板８３に向けて放出される。ラダー型電極５０に、図示されない高周波電源により高周波電圧が印加されると、冷却ジャケット付き電極１００と基板８３の間の領域にプラズマが発生する。 The effect that occurs when the electrode 100 with the cooling jacket is used in the film forming process will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows the positional relationship between the cooling jacket-equipped electrode 100 and the substrate or heater, and corresponds to a cross-sectional view taken along line XX in FIG. In FIG. 6, a heater 81 is disposed so as to face the electrode 100 with the cooling jacket. The heater cover 82 is disposed near the heater 81. The substrate 83 as the object to be processed is disposed so as to contact the heater cover 82 and to face the electrode 100 with the cooling jacket. The substrate support member 84 is in close contact with a predetermined place on the periphery of the heater cover 82. The substrate support member 84 supports the substrate 83. The substrate 83 is held so as to lean against the heater cover 82 held obliquely (see FIGS. 10 and 11), and is in close contact with the heater cover 82 by its own weight. Further, the substrate pressing member 85 extending from the substrate support member 84 presses the outer edge of the substrate 83 to bring the substrate 83 into close contact with the heater cover 82. The material gas 53 is discharged from the gas blowing hole 51 toward the substrate 83. When a high-frequency voltage is applied to the ladder-type electrode 50 by a high-frequency power source (not shown), plasma is generated in a region between the electrode 100 with the cooling jacket and the substrate 83.

この時の基板８３の表面（冷却ジャケット付き電極１００に対向する面）に対する熱収支は以下の通りである。ヒータ８１からヒータカバー８２を経由して基板８３の表面へ向かう熱流束（伝導熱）をＱｈとする。ラダー型電極５０に高周波電力が印加されると、ラダー型電極５０はジュール熱により発熱する。ラダー型電極５０から基板８３の表面へ向かう熱流束（輻射熱）をＱｅとする。また、発生したプラズマから基板８３の表面へ向かう熱流束（伝導熱、輻射熱、反応熱）をＱｐとする。この時、基板８３の表面へ向かう熱流束の総和Ｑｉｎは、Ｑｉｎ＝Ｑｈ＋Ｑｅ＋Ｑｐとして与えられる。一方、基板８３の表面から冷却ジャケット付き電極１００へ向かう熱流束（輻射熱）をＱｏｕｔとする。 The heat balance with respect to the surface of the substrate 83 at this time (the surface facing the electrode 100 with the cooling jacket) is as follows. A heat flux (conduction heat) from the heater 81 to the surface of the substrate 83 via the heater cover 82 is defined as Qh. When high frequency power is applied to the ladder-type electrode 50, the ladder-type electrode 50 generates heat due to Joule heat. A heat flux (radiant heat) from the ladder-type electrode 50 toward the surface of the substrate 83 is defined as Qe. Further, the heat flux (conduction heat, radiation heat, reaction heat) from the generated plasma toward the surface of the substrate 83 is defined as Qp. At this time, the sum Qin of the heat flux toward the surface of the substrate 83 is given as Qin = Qh + Qe + Qp. On the other hand, the heat flux (radiant heat) from the surface of the substrate 83 toward the electrode 100 with the cooling jacket is defined as Qout.

冷却ジャケット５４を使用しラダー型電極５０を冷却することによって、Ｑｅを小さくすることができる。同時に、冷却されたラダー型電極５０および冷却ジャケット５４自体へ向かう熱流束Ｑｏｕｔを大きくすることができる。そして、ＱｏｕｔがＱｉｎよりも大きければ、すなわちＱｏｕｔ＞Ｑｉｎ＝Ｑｈ＋Ｑｅ＋Ｑｐであれば、基板８３の表面の温度は下がる。基板８３の裏面（ヒータカバー８２に接する面）の温度はほぼ一定であるから、基板８３を通過する熱流束は基板８３の裏面から表面に向かい、基板８３の表面温度はその裏面温度よりも低くなる。このような状況において、基板８３は、冷却ジャケット付き電極１００に対して、少なくとも凸型には変形しない。基板８３の裏面温度が表面温度より高く、その温度差によって熱膨張量に差が生じ、基板８３が凹型に変形したとしても、基板８３の外縁は基板押さえ部材８５で押さえられているので、基板８３はヒータカバー８２に密着する。このように、冷却ジャケット付き電極１００を使用することによって、製膜処理時に大面積の基板の変形を抑制することが可能になる。すなわち、冷却ジャケット付き電極１００を使用することによって、均一で良質な半導体膜を生成することが可能になる。 By cooling the ladder-type electrode 50 using the cooling jacket 54, Qe can be reduced. At the same time, it is possible to increase the heat flux Qout toward the cooled ladder electrode 50 and the cooling jacket 54 itself. If Qout is larger than Qin, that is, if Qout> Qin = Qh + Qe + Qp, the temperature of the surface of the substrate 83 is lowered. Since the temperature of the back surface of the substrate 83 (the surface in contact with the heater cover 82) is substantially constant, the heat flux passing through the substrate 83 is directed from the back surface to the front surface of the substrate 83, and the surface temperature of the substrate 83 is lower than the back surface temperature. Become. In such a situation, the substrate 83 is not deformed to at least a convex shape with respect to the electrode 100 with the cooling jacket. Even if the back surface temperature of the substrate 83 is higher than the surface temperature and a difference in thermal expansion occurs due to the temperature difference and the substrate 83 is deformed into a concave shape, the outer edge of the substrate 83 is pressed by the substrate pressing member 85. 83 is in close contact with the heater cover 82. As described above, by using the electrode 100 with the cooling jacket, it is possible to suppress the deformation of the large-area substrate during the film forming process. That is, by using the electrode 100 with the cooling jacket, a uniform and high-quality semiconductor film can be generated.

また、前述したように、複数の絶縁部材７４および複数の冷却ジャケット５４は、複数の縦方向電極棒５０ａと同様な構成を有し、また複数の縦方向電極棒５０ａに対応するように配置される。つまり、縦方向電極棒５０ａ、絶縁部材７４および冷却ジャケット５４は略等しい幅ｗを有しており、それらの側面はほぼ一列に並ぶ（図５Ａ、図５Ｂ参照）。言いかえれば、冷却ジャケット付き電極１００は、ラダー型電極５０が有する梯子型形状を保っている。このような形状の冷却ジャケット付き電極１００により、複数の縦方向電極棒５０ａのそれぞれを均一に冷却することができる。よって、ラダー型電極５０の熱変形が抑制され、また、基板８３は均一に冷却される。これにより、基板温度分布を均一に保ちながら基板表裏温度差による基板８３の凸変形を抑制することができる。また、冷却ジャケット付き電極１００は、高周波電圧の制御性に優れるなど、ラダー型電極が有するものと同様の特性を有する。 Further, as described above, the plurality of insulating members 74 and the plurality of cooling jackets 54 have the same configuration as the plurality of vertical electrode bars 50a, and are disposed so as to correspond to the plurality of vertical electrode bars 50a. The That is, the vertical electrode rod 50a, the insulating member 74, and the cooling jacket 54 have substantially the same width w, and their side surfaces are arranged in a line (see FIGS. 5A and 5B). In other words, the cooling jacketed electrode 100 maintains the ladder shape of the ladder electrode 50. Each of the plurality of longitudinal electrode bars 50a can be uniformly cooled by the electrode 100 with the cooling jacket having such a shape. Therefore, thermal deformation of the ladder-type electrode 50 is suppressed, and the substrate 83 is uniformly cooled. Thereby, it is possible to suppress the convex deformation of the substrate 83 due to the substrate front and back temperature difference while keeping the substrate temperature distribution uniform. Further, the electrode 100 with the cooling jacket has the same characteristics as those of the ladder type electrode, such as excellent controllability of the high frequency voltage.

また、通常のアモルファスシリコン膜より結晶化率の高い微結晶シリコン膜を製膜するにあたり、放電電極と被処理体である基板との間の距離（ギャップ）を小さく設定して高品質製膜を行う場合がある。例えば、ギャップは５ｍｍ〜１５ｍｍに設定される。基板の面積が大きく（例えば１ｍ角の基板）、且つ基板と放電電極とのギャップが小さい（例えば５ｍｍ）場合においては、放電電極周辺への反応ガスの供給が不均一になる傾向にある。このような条件においては、ギャップの均一性がより一層重要視され、電極自体の変形と基板の変形を抑制することが重要となる。本発明による冷却ジャケット付き電極１００によれば、材料ガス５３は、複数のガス吹き出し孔５１から基板８３へ向けて均一に供給される。供給された材料ガス５３は、プラズマで反応したラジカルなどのガス類となる。図６に示されるように、冷却ジャケット付き電極１００は梯子型形状を保っているため、製膜で余剰となったガス類は、隣接する冷却ジャケット付き電極１００の間を通り抜けて基板８３から離れる方向へ流出することができる。つまり、材料ガス５３は、製膜室内を、特に基板８３と冷却ジャケット付き電極１００付近を良好に循環することができる。これらのことにより、ガス類の流れの均一性が増す効果が得られる。更に、余剰となったガス類が気相で反応して形成されるナノクラスターなどの膜性能の低下要因となる微粒子の排気が促進され、膜性能が低下することを抑制する効果が得られる。すなわち、冷却ジャケット付き電極１００を使用することによって、均一で良質な半導体膜を生成することが可能になる。 In addition, when forming a microcrystalline silicon film having a higher crystallization rate than a normal amorphous silicon film, the distance (gap) between the discharge electrode and the substrate that is the object to be processed is set to be small, and a high quality film is formed. May be done. For example, the gap is set to 5 mm to 15 mm. When the area of the substrate is large (for example, a 1 m square substrate) and the gap between the substrate and the discharge electrode is small (for example, 5 mm), the reaction gas supply to the periphery of the discharge electrode tends to be uneven. Under such conditions, the uniformity of the gap is more important, and it is important to suppress the deformation of the electrode itself and the deformation of the substrate. According to the cooling jacketed electrode 100 of the present invention, the material gas 53 is uniformly supplied from the plurality of gas blowing holes 51 toward the substrate 83. The supplied material gas 53 becomes gases such as radicals reacted by plasma. As shown in FIG. 6, since the cooling jacketed electrode 100 maintains a ladder shape, excess gas in the film formation passes between adjacent cooling jacketed electrodes 100 and leaves the substrate 83. Can flow out in the direction. That is, the material gas 53 can circulate well in the film forming chamber, particularly in the vicinity of the substrate 83 and the electrode 100 with the cooling jacket. By these things, the effect which the uniformity of the flow of gas increases is acquired. Further, the exhaust of fine particles that cause a decrease in film performance such as nanoclusters formed by reacting surplus gases in the gas phase is promoted, and an effect of suppressing the decrease in film performance is obtained. That is, by using the electrode 100 with the cooling jacket, a uniform and high-quality semiconductor film can be generated.

なお、本参考例において、例として長方形の断面を有する冷却ジャケット付き電極１００を用いて説明をした。しかし、冷却ジャケット付き電極１００の断面は、長方形に限られるものではない。その断面は、電極棒のサイズやピッチを適性化することにより、正方形や円形や楕円形、角が丸くなった長方形や多角形などになり得る。 In addition, in this reference example, it demonstrated using the electrode 100 with a cooling jacket which has a rectangular cross section as an example. However, the cross section of the cooling jacketed electrode 100 is not limited to a rectangle. The cross section can be a square, a circle, an ellipse, a rectangle or a polygon with rounded corners, etc., by optimizing the size and pitch of the electrode rod.

（第一の実施の形態）
図７は、第一の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置用電極の構造を示す概略図である。図７は、参考例における図４に対応する。第一の実施の形態において、冷却ジャケット付き電極１００は、参考例における絶縁部材７４を備えない。つまり、ラダー型電極５０と冷却ジャケット９０は一体となり、ラダー型電極５０は、冷却ジャケット９０により直接的に冷却される。材料ガス５３および冷却媒体５７が流れる配管の構造は、参考例における構造と同様である。冷却媒体５７としては、イオン交換樹脂などを経由した純水や熱媒（フッ素系不活性液体、不活性オイル）などが好適である。実際には、冷却媒体５７は、ラダー型電極５０の設定温度や取扱い性などから選定される。なお、本実施の形態において、ラダー型電極５０と冷却ジャケット付き電極１００が指し示す構造は本質的にほぼ同一になるが、参考例との対比のため、その２つの呼称は適宜分けて用いられる。 (First embodiment)
FIG. 7 is a schematic view showing the structure of the electrode for the plasma CVD apparatus according to the first embodiment. FIG. 7 corresponds to FIG. 4 in the reference example. In the first embodiment, the electrode 100 with the cooling jacket does not include the insulating member 74 in the reference example. That is, the ladder-type electrode 50 and the cooling jacket 90 are integrated, and the ladder-type electrode 50 is directly cooled by the cooling jacket 90. The structure of the piping through which the material gas 53 and the cooling medium 57 flow is the same as the structure in the reference example. As the cooling medium 57, pure water or a heat medium (fluorine-based inert liquid or inert oil) via an ion exchange resin or the like is suitable. Actually, the cooling medium 57 is selected based on the set temperature of the ladder-type electrode 50, the handleability, and the like. In the present embodiment, the structures indicated by the ladder-type electrode 50 and the cooling jacket-equipped electrode 100 are substantially the same, but the two names are used separately for comparison with the reference example.

図８Ａは、図７中の線Ｂ−Ｂにおける冷却ジャケット付き電極１００の断面図を示す。図８Ａに示されるように、縦方向電極棒５０ａ（ラダー型電極５０）と冷却ジャケット９０は一体に構成されている。冷却ジャケット付き電極１００の材料としては、冷却ジャケット付き電極１００の温度分布が極力均一になるような材料が望ましい。その材料として、ＳＵＳ３０４、インコネル６００が使用可能であるが、さらに熱伝導性に優れたアルミニウムやアルミニウム合金などが好適に使用される。なお、図８Ａにおいて、長方形の断面を有する冷却ジャケット付き電極１００が示されている。しかし、冷却ジャケット付き電極１００の断面は、長方形に限られるものではない。その断面は、正方形や円形や楕円形、角が丸くなった長方形や多角形などであってもよい。 FIG. 8A shows a cross-sectional view of electrode 100 with a cooling jacket taken along line BB in FIG. As shown in FIG. 8A, the vertical electrode rod 50a (ladder type electrode 50) and the cooling jacket 90 are integrally formed. The material of the electrode 100 with the cooling jacket is preferably a material that makes the temperature distribution of the electrode 100 with the cooling jacket as uniform as possible. As the material, SUS304 and Inconel 600 can be used, and aluminum or aluminum alloy having excellent thermal conductivity is preferably used. In FIG. 8A, an electrode 100 with a cooling jacket having a rectangular cross section is shown. However, the cross section of the cooling jacketed electrode 100 is not limited to a rectangle. The cross section may be a square, a circle, an ellipse, a rectangle with rounded corners, a polygon, or the like.

本実施の形態においても、図６に示したような参考例における効果と同じ効果が得られる。すなわち、冷却ジャケット付き電極１００を使用することによって、製膜処理時に大面積の基板の変形を抑制することが可能になる。また、ラダー型電極５０（冷却ジャケット付き電極１００）を均一に冷却することができる。また、ガス類の流れの均一性が増す効果、および、膜質が向上する効果が得られる。更に、ラダー型電極５０は冷却ジャケット９０により直接的に冷却されるので、冷却の効果が更に向上する。よって、ラダー型電極５０に更に大きな高周波電力を印加して膜質を改善したり製膜速度を向上することが可能になる。また、ラダー型電極５０の温度分布は均一になり、ラダー型電極５０自体の熱変形が抑制されるとともに、基板８３は均一に冷却される。すなわち、基板温度分布を均一に保ちながら、基板表裏温度差による基板８３の凸変形を抑制することが可能となる。これらのことにより、冷却ジャケット付き電極１００を使用することによって、均一で良質な半導体膜を高速に生成することが可能になる。 Also in this embodiment, the same effect as the effect in the reference example as shown in FIG. 6 can be obtained. That is, by using the electrode 100 with the cooling jacket, it is possible to suppress the deformation of the substrate having a large area during the film forming process. Moreover, the ladder-type electrode 50 (electrode 100 with a cooling jacket) can be cooled uniformly. Moreover, the effect of increasing the uniformity of the gas flow and the effect of improving the film quality can be obtained. Furthermore, since the ladder-type electrode 50 is directly cooled by the cooling jacket 90, the cooling effect is further improved. Therefore, it is possible to improve the film quality or increase the film forming speed by applying a larger high frequency power to the ladder-type electrode 50. Further, the temperature distribution of the ladder-type electrode 50 becomes uniform, the thermal deformation of the ladder-type electrode 50 itself is suppressed, and the substrate 83 is uniformly cooled. That is, it is possible to suppress the convex deformation of the substrate 83 due to the substrate front and back temperature difference while keeping the substrate temperature distribution uniform. For these reasons, by using the electrode 100 with the cooling jacket, a uniform and high-quality semiconductor film can be generated at high speed.

参考例、および第一の実施の形態において、電極電位やプラズマの状態に影響を与えないように、冷却媒体５７として非導電性媒体が使用される。その冷却媒体５７として、上述したような液体ではなく熱伝導性の良い気体を使用してもよい。その気体として、ヘリウムガスや水素ガスが例示される。この場合、冷却媒体管５６ａ、５６ｂの腐食が防げる効果が得られる。また、万一の冷却媒体５７が反応容器内部でわずかに漏洩した場合でも、反応容器内部の汚染を最小限に抑えることが出来るなどの効果が得られる。 In the reference example and the first embodiment, a non-conductive medium is used as the cooling medium 57 so as not to affect the electrode potential and the plasma state. As the cooling medium 57, a gas having good thermal conductivity may be used instead of the liquid as described above. Examples of the gas include helium gas and hydrogen gas. In this case, the effect of preventing the corrosion of the cooling medium pipes 56a and 56b can be obtained. Moreover, even if the cooling medium 57 is slightly leaked inside the reaction vessel, the effect that the contamination inside the reaction vessel can be minimized can be obtained.

また、参考例、および第一の実施の形態において、冷却媒体５７が流れる冷却媒体通路７２の位置や数は、図５Ａや図８Ａに示されたものに限られない。冷却ジャケット付き電極１００の温度分布が極力均一になるように、冷却媒体通路７２の位置や数は適宜変更され得る。例えば、図８Ｂは、冷却ジャケット電極１００の変形例の断面図を示す。この図８Ｂにおいて、冷却ジャケット付き電極１００は、複数の冷却媒体通路７２を備える。いくつかの冷却媒体通路７２は、円形断面以外の、電極内部を冷却するに適した断面を有してもよい。また、いくつかの冷却媒体通路７２は、ガス通路７１よりも基板側（矢印Ｓの方向）にあってもよい。 Further, in the reference example and the first embodiment, the position and number of the cooling medium passages 72 through which the cooling medium 57 flows are not limited to those shown in FIGS. 5A and 8A. The position and number of the cooling medium passages 72 can be appropriately changed so that the temperature distribution of the electrode 100 with the cooling jacket is as uniform as possible. For example, FIG. 8B shows a cross-sectional view of a variation of the cooling jacket electrode 100. In FIG. 8B, the electrode 100 with the cooling jacket includes a plurality of cooling medium passages 72. Some cooling medium passages 72 may have a cross section suitable for cooling the interior of the electrode other than a circular cross section. Further, some of the cooling medium passages 72 may be closer to the substrate side (in the direction of the arrow S) than the gas passages 71.

（第二の実施の形態）
参考例あるいは第一の実施の形態におけるプラズマＣＶＤ装置用電極（冷却ジャケット付き電極１００）を備えるプラズマＣＶＤ装置の構成例について説明する。 (Second embodiment)
A configuration example of a plasma CVD apparatus provided with the electrode for plasma CVD apparatus (electrode 100 with a cooling jacket) in the reference example or the first embodiment will be described.

図９は、本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の全体図を示す。そのプラズマＣＶＤ装置は、製膜室１１１と、その製膜室１１１内に配置された製膜ユニット１１２と、製膜ユニット１１２の両側に配置されたヒータ１１３およびヒータカバー１１５を備える。製膜ユニット１１２とヒータ１１３の間の領域にはヒータカバー１１５が配置される。ヒータカバー１１５は接地され、接地電極の役割を果たす。製膜ユニット１１２は、冷却ジャケット付き電極１００を備える。ヒータカバー１１５は矢印Ａ方向に移動できるようになっており、図示しない基板搬送台車により基板１１４はヒーターカバー１１５上の所定位置にセットされる。基板搬送台車が搬出された後、ヒータカバー１１５は、冷却ジャケット付き電極１００に対向するように所定の製膜処理位置に移動する。 FIG. 9 shows an overall view of the plasma CVD apparatus according to the present embodiment. The plasma CVD apparatus includes a film forming chamber 111, a film forming unit 112 disposed in the film forming chamber 111, a heater 113 and a heater cover 115 disposed on both sides of the film forming unit 112. A heater cover 115 is disposed in a region between the film forming unit 112 and the heater 113. The heater cover 115 is grounded and serves as a ground electrode. The film forming unit 112 includes an electrode 100 with a cooling jacket. The heater cover 115 can move in the direction of arrow A, and the substrate 114 is set at a predetermined position on the heater cover 115 by a substrate transport carriage (not shown). After the substrate transport carriage is carried out, the heater cover 115 moves to a predetermined film forming position so as to face the electrode 100 with the cooling jacket.

冷却ジャケット付き電極１００は、冷却媒体管５６ａ、５６ｂを介して、冷却媒体循環器１０１と接続される。冷却媒体循環器１０１は、冷却媒体管５６ａ、５６ｂを通して冷却媒体５７を冷却ジャケット付き電極１００に供給し、循環させる。冷却媒体循環器１０１は、製膜室１１１の内部にあってもよいし、外部にあってもよい。冷却媒体５７としては、イオン交換樹脂などを経由した純水や熱媒（フッ素系不活性液体、不活性オイル）などが好適である。実際には、冷却媒体５７は冷却ジャケット付き電極１００の設定温度や取扱い性により選定される。また、冷却媒体５７として、ヘリウムガスや水素ガスなどの熱伝導性の良い気体を使用してもよい。 The electrode 100 with the cooling jacket is connected to the cooling medium circulator 101 via the cooling medium pipes 56a and 56b. The cooling medium circulator 101 supplies the cooling medium 57 to the electrode 100 with the cooling jacket through the cooling medium pipes 56a and 56b and circulates it. The cooling medium circulator 101 may be inside the film forming chamber 111 or outside. As the cooling medium 57, pure water or a heat medium (fluorine-based inert liquid or inert oil) via an ion exchange resin or the like is suitable. Actually, the cooling medium 57 is selected according to the set temperature and handling property of the electrode 100 with the cooling jacket. Further, as the cooling medium 57, a gas having good thermal conductivity such as helium gas or hydrogen gas may be used.

図１０は、上記製膜ユニット１１２の構成を詳細に示す図である。製膜ユニット１１２は、中央部１１７と、中央部１１７の両側に防着板１１８を介して配置された冷却ジャケット付き電極１００を備える。中央部１１７、防着板１１８、冷却ジャケット付き電極１００は、排気ガスカバー１２０により囲まれる。排気ガスカバー１２０は、基板１１４への方向（材料ガスが放出される方向）において開口している。排気ガスカバー１２０の所定の位置に、排気管１２１が設けられる。基板１１４は、ヒータカバー１１５により支持される。製膜時、基板１１４は、排気ガスカバー１２０の基板支持部材１１９に密着するようになっている。また、ヒータカバー１１５は、図９中の矢印Ａのように移動するようになっている。 FIG. 10 is a diagram showing the configuration of the film forming unit 112 in detail. The film forming unit 112 includes a central part 117 and an electrode 100 with a cooling jacket disposed on both sides of the central part 117 via an adhesion preventing plate 118. The central portion 117, the deposition preventing plate 118, and the electrode 100 with the cooling jacket are surrounded by the exhaust gas cover 120. The exhaust gas cover 120 is open in the direction toward the substrate 114 (the direction in which the material gas is released). An exhaust pipe 121 is provided at a predetermined position of the exhaust gas cover 120. The substrate 114 is supported by the heater cover 115. At the time of film formation, the substrate 114 is brought into close contact with the substrate support member 119 of the exhaust gas cover 120. Further, the heater cover 115 is moved as indicated by an arrow A in FIG.

図１１は、プラズマＣＶＤ装置の主要部（製膜ユニット１１２、ヒータ１１３等）の側面断面図を示す。図３において、中心線Ｌより左側は、基板１１４が基板搬送台車１２５により搬入された状態を示す。中心線Ｌより右側は、基板１１４がヒータカバー１１５に設置された後の状態を示す。この状態の後、ヒータカバー１１５は前進させられ、基板１１４は基板支持部材１１９に密着させられる。それから、製膜処理が開始する。 FIG. 11 shows a side cross-sectional view of the main part (film forming unit 112, heater 113, etc.) of the plasma CVD apparatus. In FIG. 3, the left side of the center line L shows a state where the substrate 114 is carried in by the substrate transport carriage 125. The right side of the center line L shows a state after the substrate 114 is installed on the heater cover 115. After this state, the heater cover 115 is advanced, and the substrate 114 is brought into close contact with the substrate support member 119. Then, the film forming process starts.

このような構成のプラズマＣＶＤ装置において、材料ガス５３は、冷却ジャケット付き電極１００から基板１１４に向けて均一に放出される（図１１中の矢印参照）。製膜時、排気ガスカバー１２０の開口部は基板１１４により覆われており、材料ガス５３が製膜室１１１全体に広がることはない。つまり、図１１に示されるように、ガス領域Ａは基板搬送領域Ｂから独立して存在することができる。これにより、製膜中に発生する粉等が搬送系に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。また、上述の実施の形態で説明した通り、冷却ジャケット付き電極１００は梯子状の形状を有するため、ガス類は、隣接する冷却ジャケット付き電極１００の間を通って防着板１１８の方へ流れていくことができる。そのガス類は、防着板１１８の端部周辺を経て中央部１１７の方へ流れていき、排気管１２１から外部に排出される。このように、ガス類は、製膜ユニット１１２内で良好に循環することができる。このことにより、ガス類の流れの均一性が増す効果、および、膜質が向上する効果が得られる。従って、本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置により、均一で良質な半導体膜を生成することが可能になる。 In the plasma CVD apparatus having such a configuration, the material gas 53 is uniformly emitted from the electrode 100 with the cooling jacket toward the substrate 114 (see the arrow in FIG. 11). During film formation, the opening of the exhaust gas cover 120 is covered with the substrate 114, and the material gas 53 does not spread throughout the film formation chamber 111. That is, as shown in FIG. 11, the gas region A can exist independently of the substrate transfer region B. Thereby, it can prevent that the powder etc. which generate | occur | produce during film forming have a bad influence on a conveyance system. In addition, as described in the above-described embodiment, the cooling jacketed electrode 100 has a ladder shape, so that gas flows between the adjacent cooling jacketed electrodes 100 toward the deposition preventing plate 118. Can continue. The gases flow toward the central portion 117 through the periphery of the end portion of the deposition preventing plate 118 and are discharged from the exhaust pipe 121 to the outside. In this way, the gases can be circulated well in the film forming unit 112. As a result, the effect of increasing the uniformity of the gas flow and the effect of improving the film quality can be obtained. Therefore, a uniform and high-quality semiconductor film can be generated by the plasma CVD apparatus of this embodiment.

本実施の形態において、冷却媒体５７を外部の熱交換器により冷却してもよい。図１２は、そのような冷却媒体循環器１０１と冷却ジャケット付き電極１００の構成を示す概略図である。なお、図１２において、冷却ジャケット付き電極１００の構成は、図３で説明された構成に対応する。図１２において、冷却媒体循環器１０１は、熱交換器１０２を備える。熱交換器１０２には、冷却水１０３が導入される。冷却媒体５７は、冷却媒体循環器１０１により、冷却媒体管５６ａ、冷却ジャケット付き電極１００、冷却媒体管５６ｂを循環する。冷却媒体循環器１０１に戻ってきた冷却媒体５７は、熱交換器１０２により冷却され、再び冷却ジャケット付き電極１００に供給される。この熱交換器１０２により、気温などによる冷却媒体５７の温度の変化を抑制することができる。このことにより、冷却機能が安定して維持される。また、冷却ジャケット付き電極１００の温度を、製膜プロセスに適した温度に制御することが可能になる。さらに、冷却媒体５７は再循環して使用され、冷却媒体５７の使用コストが大きく低減される。 In the present embodiment, the cooling medium 57 may be cooled by an external heat exchanger. FIG. 12 is a schematic diagram showing the configuration of such a cooling medium circulator 101 and the electrode 100 with the cooling jacket. In FIG. 12, the configuration of the electrode 100 with the cooling jacket corresponds to the configuration described in FIG. 3. In FIG. 12, the cooling medium circulator 101 includes a heat exchanger 102. Cooling water 103 is introduced into the heat exchanger 102. The cooling medium 57 circulates through the cooling medium pipe 56a, the electrode 100 with the cooling jacket, and the cooling medium pipe 56b by the cooling medium circulator 101. The cooling medium 57 returned to the cooling medium circulator 101 is cooled by the heat exchanger 102 and supplied again to the electrode 100 with the cooling jacket. The heat exchanger 102 can suppress a change in the temperature of the cooling medium 57 due to air temperature or the like. As a result, the cooling function is stably maintained. In addition, the temperature of the electrode 100 with the cooling jacket can be controlled to a temperature suitable for the film forming process. Furthermore, the cooling medium 57 is recirculated and used, and the usage cost of the cooling medium 57 is greatly reduced.

本実施の形態において、図１２に示されるように、冷却ジャケット付き電極１００は、電極支持部材５８および冷却ジャケット支持部材５９を介して防着板１１８により支持されてもよい。また、電極支持部材５８および冷却ジャケット支持部材５９は、製膜室１１１の内壁などに繋がっていてもよい。電極支持部材５８および冷却ジャケット支持部材５９は、共に絶縁物で形成される。つまり、冷却ジャケット付き電極１００は、絶縁状態に浮遊されて製膜室１１１の内部に設置される。これにより、冷却ジャケット付き電極１００に対する周囲からの影響が抑制され、電極電位を更に安定化することができる。よって、プラズマの生成が安定化される。 In the present embodiment, as shown in FIG. 12, the electrode 100 with the cooling jacket may be supported by the deposition preventing plate 118 through the electrode support member 58 and the cooling jacket support member 59. The electrode support member 58 and the cooling jacket support member 59 may be connected to the inner wall of the film forming chamber 111 and the like. The electrode support member 58 and the cooling jacket support member 59 are both formed of an insulator. That is, the cooling jacketed electrode 100 is floated in an insulated state and installed inside the film forming chamber 111. Thereby, the influence from the circumference | surroundings with respect to the electrode 100 with a cooling jacket is suppressed, and an electrode potential can be stabilized further. Therefore, plasma generation is stabilized.

（第三の実施の形態）
図１３は、本発明の第三の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成の主要部を示す概略図である。この主要部は、第二の実施の形態におけるガス領域Ａ（図１１参照）の周辺にほぼ対応する。この主要部以外の説明は省かれる。 (Third embodiment)
FIG. 13 is a schematic diagram showing the main part of the configuration of the plasma CVD apparatus according to the third embodiment of the present invention. This main part substantially corresponds to the periphery of the gas region A (see FIG. 11) in the second embodiment. Explanations other than this main part are omitted.

ヒータカバー（あるいは接地電極）１１５に対向して、ラダー型電極１３０が設置される。被処理体である基板１１４は、ヒータカバー１１５に接し、ラダー型電極１３０に対向するように配置される。基板支持部材８４は、ヒータカバー１１５の所定の場所に密着している。また、基板支持部材８４は、基板１１４を支持する。基板支持部材８４から延びる基板押さえ部材８５は、基板１１４の外縁を押さえることによって、基板１１４をヒータカバー１１５に密着させる。防着板１１８が、ラダー型電極１３０を囲むように、ヒータカバー１１５の反対側に設置される。 A ladder-type electrode 130 is installed facing the heater cover (or ground electrode) 115. The substrate 114 as the object to be processed is disposed so as to be in contact with the heater cover 115 and to face the ladder-type electrode 130. The substrate support member 84 is in close contact with a predetermined location of the heater cover 115. The substrate support member 84 supports the substrate 114. The substrate pressing member 85 extending from the substrate support member 84 presses the outer edge of the substrate 114 to bring the substrate 114 into close contact with the heater cover 115. The deposition preventing plate 118 is installed on the opposite side of the heater cover 115 so as to surround the ladder-type electrode 130.

本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置において、冷却ジャケット構造は、ラダー型電極１３０から分離されて設置される。具体的には、冷却ジャケット構造は、基板１１４とその冷却ジャケット構造の間にラダー型電極１３０が位置するように配置される。例えば、図１３において、防着板１１８の面のうち基板１１４へ向く面を前面とし、もう一方の面を背面とする時、冷却ジャケット１３１は、防着板１１８の背面に接して設置されている。冷却ジャケット１３１は、防着板１１８の前面に接して設置されてもよい。 In the plasma CVD apparatus according to the present embodiment, the cooling jacket structure is installed separately from the ladder-type electrode 130. Specifically, the cooling jacket structure is disposed such that the ladder-type electrode 130 is positioned between the substrate 114 and the cooling jacket structure. For example, in FIG. 13, when the surface facing the substrate 114 among the surfaces of the deposition preventing plate 118 is the front surface and the other surface is the rear surface, the cooling jacket 131 is installed in contact with the rear surface of the deposition preventing plate 118. Yes. The cooling jacket 131 may be installed in contact with the front surface of the deposition preventing plate 118.

冷却ジャケット１３１内には、図示されない冷却媒体循環器により冷却媒体５７が導入される。冷却ジャケット１３１の構造は、参考例で示した冷却ジャケット５４と同様の構造であってもよい。また、冷却ジャケット１３１の構造は、平板状であってもよい。その時、冷却媒体５７が流れる配管は、冷却ジャケット１３１の内部を均一に通り、冷却ジャケットの温度を均一にするように設計される。ラダー型電極１３０の構造は、参考例で示したラダー型電極５０と同様の構成であってもよい。また、ラダー型電極１３０の断面は、正方形や円形や楕円形、角が丸くなった長方形や多角形などであってもよい。このラダー型電極１３０により、ガス類は製膜室内を良好に循環することができる。 A cooling medium 57 is introduced into the cooling jacket 131 by a cooling medium circulator (not shown). The structure of the cooling jacket 131 may be the same structure as the cooling jacket 54 shown in the reference example. Further, the cooling jacket 131 may have a flat plate shape. At that time, the piping through which the cooling medium 57 flows is designed to pass uniformly through the inside of the cooling jacket 131 and to make the temperature of the cooling jacket uniform. The structure of the ladder-type electrode 130 may be the same as that of the ladder-type electrode 50 shown in the reference example. The cross section of the ladder electrode 130 may be a square, a circle, an ellipse, a rectangle with a rounded corner, a polygon, or the like. The ladder electrode 130 allows gas to circulate well in the film forming chamber.

このような構成のプラズマＣＶＤ装置においても、基板１１４からの輻射熱Ｑｏｕｔは、ラダー型電極１３０の電極棒間の空間を通して、冷却ジャケット１３１により有効に吸収される。これにより、上述の実施の形態の場合と同じ効果が得られる。すなわち、製膜処理時に大面積の基板の変形を抑制することが可能になる（図６参照）。よって、均一で良質な半導体膜を高速に生成することが可能になる。 Also in the plasma CVD apparatus having such a configuration, the radiant heat Qout from the substrate 114 is effectively absorbed by the cooling jacket 131 through the space between the electrode rods of the ladder-type electrode 130. Thereby, the same effect as the case of the above-mentioned embodiment is acquired. That is, it becomes possible to suppress deformation of the substrate having a large area during the film forming process (see FIG. 6). Therefore, a uniform and high-quality semiconductor film can be generated at high speed.

このような構成のプラズマＣＶＤ装置は、ラダー型電極１３０へ投入される高周波電力が比較的少ない場合（概０．３〜０．４Ｗ／ｃｍ^２以下）、つまりラダー型電極１３０自体の発熱量が少ない場合に特に有効である。なお、冷却性能を確保するため、冷却ジャケット１３１と基板１１４との距離は近い方が望ましい。具体的には、冷却ジャケット１３１とラダー型電極１３０との距離は、ラダー型電極１３０と基板１１４との距離の５倍以内であることが好適である。ここで、ラダー型電極１３０と基板１１４との距離として、５ｍｍ〜４０ｍｍが例示される。 In the plasma CVD apparatus having such a configuration, when the high-frequency power input to the ladder-type electrode 130 is relatively small (approximately 0.3 to 0.4 W / cm ² or less), that is, the heat generated by the ladder-type electrode 130 itself This is particularly effective when there are few. In order to secure the cooling performance, it is desirable that the distance between the cooling jacket 131 and the substrate 114 is short. Specifically, the distance between the cooling jacket 131 and the ladder-type electrode 130 is preferably within five times the distance between the ladder-type electrode 130 and the substrate 114. Here, examples of the distance between the ladder-type electrode 130 and the substrate 114 include 5 mm to 40 mm.

参考例および第一から第三の実施の形態において、梯子状の冷却ジャケット付き電極１００およびラダー型電極１３０を説明しているが、プラズマの均一性を向上せせるために、冷却ジャケット付き電極１００およびラダー型電極１３０にはその周囲のガス流れを妨げない範囲で、第２電極棒５０ｂ方向に横グリッドが設けられてもよい。さらには、参考例および第一から第三の実施の形態において、梯子状の冷却ジャケット付き電極１００およびラダー型電極１３０は基板１１４にたいして１個の一体型電極構造をもつものについて説明しているが、プラズマ分布の均一化のために、その電極は、複数に分割され同一平面内に並べて設置されるように構成されてもよい。 In the reference example and the first to third embodiments, the ladder-like electrode 100 with the cooling jacket and the ladder-type electrode 130 are described. In order to improve the uniformity of the plasma, the electrode 100 with the cooling jacket and The ladder-type electrode 130 may be provided with a horizontal grid in the direction of the second electrode rod 50b as long as the surrounding gas flow is not hindered. Furthermore, in the reference example and the first to third embodiments, the ladder-like electrode 100 with the cooling jacket and the ladder-type electrode 130 have been described as having one integrated electrode structure with respect to the substrate 114. In order to make the plasma distribution uniform, the electrodes may be divided into a plurality of electrodes and arranged side by side in the same plane.

５０ラダー型電極
５０ａ縦方向電極棒
５０ｂ横方向電極棒
５１ガス吹き出し孔
５２ガス管
５３材料ガス
５４冷却ジャケット
５５冷却媒体ヘッダー
５６ａ、５６ｂ冷却媒体管
５７冷却媒体
７１ガス通路
７２冷却媒体通路
７３冷却媒体分配オリフィス
７４絶縁材
７５ボルト
７６スプリングワッシャ
１００冷却ジャケット付き電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 50 Ladder type electrode 50a Longitudinal electrode rod 50b Lateral electrode rod 51 Gas blowing hole 52 Gas pipe 53 Material gas 54 Cooling jacket 55 Cooling medium header 56a, 56b Cooling medium pipe 57 Cooling medium 71 Gas path 72 Cooling medium path 73 Cooling medium Distributing orifice 74 Insulating material 75 Bolt 76 Spring washer 100 Electrode with cooling jacket

Claims

A plurality of first electrode rods arranged substantially parallel to each other;
A pair of second electrode rods arranged substantially parallel to each other;
A pair of cooling medium supply rods arranged substantially parallel to each other, and a longitudinal direction of the plurality of first electrode rods is a first direction,
The longitudinal direction of the pair of second electrode rods is a second direction intersecting the first direction,
The longitudinal direction of the pair of cooling medium supply rods is the second direction,
The pair of second electrode bars are arranged so as to sandwich the plurality of first electrode bars,
The pair of cooling medium supply rods are arranged so as to sandwich the plurality of first electrode rods,
A cooling medium passage through which a cooling medium flows is formed inside the plurality of first electrode bars and the pair of cooling medium supply bars ,
Gas passages are formed inside the plurality of first electrode bars and the pair of second electrode bars,
Each of the plurality of first electrode rods includes a plurality of gas holes connected to the gas passage,
An electrode for a plasma CVD apparatus, wherein the gas supplied to the gas passage is released from the plurality of gas holes .

In claim 1,
The cooling medium passage is
A plurality of first cooling medium passages formed inside each of the plurality of first electrode rods;
A pair of second cooling medium passages formed inside each of the pair of cooling medium supply rods,
The cooling medium from one of the pair of second cooling medium passages are distributed to each of the plurality of first cooling medium passage, a plasma CVD apparatus for electrode meet at the pair of second cooling medium passages.

In claim 1 or 2,
The second electrode bar and the cooling medium supply bar are electrodes for a plasma CVD apparatus supported by an insulator.

In any one of Claims 1 thru | or 3,
An electrode for a plasma CVD apparatus , wherein a cooling medium pipe is connected to the cooling medium passage formed in the pair of cooling medium supply rods, and the cooling medium pipe is formed of an insulator.

In any one of Claims 1 thru | or 4,
The plasma CVD apparatus electrode, wherein the cooling medium is a non-conductive fluid.

Plasma CVD apparatus comprising a plasma CVD apparatus for electrode according to any of claims 1 to 5.

An electrode for a plasma CVD apparatus according to any one of claims 1 to 5 ,
A circulator connected to the plasma CVD apparatus electrode via the cooling medium pipe,
The plasma CVD apparatus in which the cooling medium circulates through the electrode for the plasma CVD apparatus by the circulator.

In claim 7 ,
The circulator is a plasma CVD apparatus provided with a heat exchanger.

A ladder electrode;
A ground electrode arranged to face the ladder electrode;
An adhesion preventing plate disposed on the opposite side of the ladder electrode from the ground electrode;
Rutotomoni supported by the deposition preventing plate, comprising a cooling device for cooling medium is uniformly circulating inside,
The ladder electrode is
A plurality of first electrode rods arranged substantially parallel to each other;
A pair of second electrode rods arranged substantially parallel to each other,
The plurality of first electrode bars and the pair of second electrode bars are combined in a ladder shape ,
Gas passages are formed inside the plurality of first electrode bars and the pair of second electrode bars,
Each of the plurality of first electrode rods includes a plurality of gas holes connected to the gas passage,
A plasma CVD apparatus in which the gas supplied to the gas passage is discharged from the plurality of gas holes .

In claim 9 ,
The substrate is held by the ground electrode so as to face the ladder electrode,
The plasma CVD apparatus, wherein a distance between the cooling device and the ladder electrode is within five times a distance between the ladder electrode and the substrate.