JP4779519B2 - Epitaxial wafer manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、シリコン基板とそのシリコン基板の表面に成膜されたエピタキシャル層とを備えるエピタキシャルウェーハの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a manufacturing method of an epitaxial-way Ha and a silicon substrate and an epitaxial layer deposited on the surface of the silicon substrate.
従来、CZ(チョクラルスキー)法で引上成長されたシリコン単結晶を加工して作製されたシリコン基板は、酸素不純物を多く含んでおり、この酸素不純物は転位や欠陥等を生じさせる酸素析出物(BMD:Bulk Micro Defect)となる。この酸素析出物がデバイスが形成される表面にある場合、リーク電流増大や酸化膜耐圧低下等の原因になって半導体デバイスの特性に大きな影響を及ぼす。
このため、従来、シリコン基板表面に対し、1250℃以上の高温で短時間の急速加熱・急冷の熱処理(RTA)を所定の雰囲気ガス中で施し、内部に過剰空孔(Vacancy)を埋設するとともに、この後の熱処理で表面において空孔を外方拡散させることによりDZ(Denuded Zone)層(無欠陥層)を均一に形成する方法が用いられている。そして、上記DZ層形成後に、上記温度より低温で熱処理を施すことで、内部の欠陥層として酸素析出核を形成・安定化してゲッタリング効果を有するBMD層を形成する工程が採用されている。
Conventionally, a silicon substrate manufactured by processing a silicon single crystal pulled and grown by the CZ (Czochralski) method contains a large amount of oxygen impurities, which oxygen precipitates cause dislocations and defects. (BMD: Bulk Micro Defect). When this oxygen precipitate is present on the surface where the device is formed, it causes a leakage current increase, an oxide film breakdown voltage decrease, and the like, which greatly affects the characteristics of the semiconductor device.
For this reason, conventionally, a rapid heating / quenching heat treatment (RTA) for a short time at a high temperature of 1250 ° C. or higher is applied to the silicon substrate surface in a predetermined atmosphere gas, and excess vacancies are buried inside. Then, a method of uniformly forming a DZ (Denuded Zone) layer (defect-free layer) by diffusing vacancies on the surface in the subsequent heat treatment is used. Then, after the formation of the DZ layer, a process of forming a BMD layer having a gettering effect by forming and stabilizing an oxygen precipitation nucleus as an internal defect layer by performing heat treatment at a temperature lower than the above temperature is employed.
一方、近年では、シリコン基板の表面にシリコン単結晶のエピタキシャル層をエピタキシャル成長させたエピタキシャルウェーハが知られている。このエピタキシャルウェーハでは、エピタキシャル成長前に水素雰囲気中の熱処理により表面の酸化膜を除去する高温処理を行うと共にエピタキシャルプロセス中も通常は水素雰囲気であるため、空孔欠陥を消滅させる格子間シリコンの注入が生じ、酸素析出核がシリコン基板表面から消滅し、BMDが形成され難い傾向があった。
この点を解消するために、シリコン基板の表面にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させたエピタキシャルウェーハを窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理すること(例えば、特許文献1参照。)が提案されている。この方法では、エピタキシャルウェーハを雰囲気ガス中で熱処理する工程において、雰囲気ガスが窒化ガスを含むので、エピタキシャル成長時の熱処理で酸素析出核がシリコン基板表面から消滅していても、エピタキシャル成長後のエピタキシャル層表面から内部に空孔が注入されて、表面近傍にゲッタリング効果を生じさせるに十分な酸素析出核を得ることが可能になるとしている。
In order to solve this problem, it has been proposed to heat-treat an epitaxial wafer obtained by epitaxially growing a silicon single crystal on the surface of a silicon substrate in an atmosphere gas containing a nitriding gas (see, for example, Patent Document 1). In this method, in the step of heat-treating the epitaxial wafer in the atmospheric gas, the atmospheric gas contains a nitriding gas. It is said that it is possible to obtain oxygen precipitation nuclei sufficient to cause a gettering effect in the vicinity of the surface by injecting vacancies from the inside.
しかし、エピタキシャルウェーハは、シリコン基板の表面にシリコン単結晶からなるエピタキシャル層が既に形成されているため、そのエピタキシャルウェーハを更に熱処理することは作業工数を増加させる不具合があった。
また、そのエピタキシャルウェーハに窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理して、析出を助長する空孔をエピタキシャル層の内部に深く侵入させても、その表面から離れたところにゲッタリング効果を有する酸素析出核を生じさせることは困難であった。
本発明の目的は、作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせ得るエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
However, since an epitaxial layer made of a silicon single crystal has already been formed on the surface of a silicon substrate, there has been a problem that further heat treatment of the epitaxial wafer increases the number of work steps.
Also, even if the epitaxial wafer is heat-treated in an atmospheric gas containing a nitriding gas and the vacancies that promote the precipitation deeply penetrate into the epitaxial layer, the oxygen precipitation having a gettering effect at a position away from the surface. It was difficult to produce nuclei.
An object of the present invention, without increasing the number of operation steps is to provide a method for manufacturing an epitaxial-way Ha therein away from the surface of the epitaxial layer may cause a gettering effect.
請求項1に係る発明は、図2に示すように、原料ガスを反応容器20に流通させることにより反応容器20内に配置されたシリコン基板12の表面にエピタキシャル層13を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法の改良である。
その特徴ある点は、エピタキシャル層13がシリコンエピタキシャル層13であり、原料ガスの流通の初期に窒素含有ガスを流すことによりエピタキシャル層13の表面から1μm以上内部かつシリコン基板12とシリコンエピタキシャル層13の界面までの領域に窒素を含有させ、窒素が含有された領域の窒素濃度を1×10 13 〜1×10 16 atoms/cm 3 とすることを特徴とする。
従来のエピタキシャル成長は、キャリアガスとして水素を用いて、基板上にシリコンを成長するためシリコン系ガスを反応室内に導入しており、その他のエピタキシャル成長中に反応室に導入されるものは、比抵抗をコントロールするためのドーパントのみであった。しかし、この請求項1に記載されたエピタキシャルウェーハの製造方法では、原料ガスの流通の一時期に窒素含有ガスを流すことによりエピタキシャル層13の厚さ方向の一部に窒素を含有させるので、窒素の導入量及びその時期をコントロールしながらエピタキシャル層13の成長中にそのエピタキシャル層13の厚さ方向の任意の一部の領域に窒素を導入させることができる。この結果、シリコン基板12に窒素をドープするより、後工程でかつ比較的手軽に、精度良く、部分的にゲッタリング効果を有する領域をエピタキシャル層13に導入することができる。
そして、原料ガスの流通の初期に窒素含有ガスを流すことにより、シリコン基板12とエピタキシャル層13の界面近傍のエピタキシャル層13に窒素を導入させることができ、作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層13の表面から離れた内部、即ち表面から1μm以上内部かつシリコン基板12とシリコンエピタキシャル層13の界面までの領域にゲッタリング効果を生じさせることができる。この領域に窒素を含有させることで、シリコン基板12からの酸素拡散が期待でき、エピタキシャル層13とシリコン基板12との間における欠陥誘発も促進され、エピタキシャル層13の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせることができる。
また、窒素濃度を上記範囲とすることにより、窒素が含有されたエピタキシャル層13の上記領域に金属不純物表面清浄度が高いゲッタリング効果を有する領域を形成することができる。
According to 請 Motomeko 1 invention, as shown in FIG. 2, an epitaxial wafer for forming the
Its distinctive point, the
Conventional epitaxial growth uses hydrogen as a carrier gas and introduces a silicon-based gas into the reaction chamber to grow silicon on the substrate. Other epitaxial gases that are introduced into the reaction chamber during epitaxial growth have a specific resistance. It was only a dopant for control. However, in the method for manufacturing an epitaxial wafer according to the
Then, by flowing a nitrogen-containing gas to the initial distribution of the raw material gas, it is possible to introduce nitrogen into the
In addition, by setting the nitrogen concentration in the above range, a region having a gettering effect with high metal impurity surface cleanliness can be formed in the region of the
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、原料ガスの流通の一時期に窒素含有ガスを流すことによりエピタキシャル層の厚さ方向の一部に窒素を含有させるので、窒素の導入量及びその時期をコントロールしながらエピタキシャル層の成長中にそのエピタキシャル層の全部の領域又は厚さ方向の任意の一部の領域に窒素を導入させることができる。この結果、シリコン基板に窒素をドープするより、後工程でかつ比較的手軽に、精度良く、部分的にゲッタリング効果を有する層をエピタキシャル層に導入することができる。そして、原料ガスの流通の一時期を流通時の初期とすることにより、シリコン基板とエピタキシャル層の界面近傍のエピタキシャル層に窒素を比較的容易に導入させることができ、作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせることができる。また、エピタキシャル層に含有された窒素濃度を1×10 13 〜1×10 16 atoms/cm 3 とすることにより、窒素が含有されたエピタキシャル層の上記領域に金属不純物表面清浄度が高いゲッタリング効果を有する層を形成することができる。 また、窒素を含有させる領域を上記領域とすることにより、熱処理条件にもよるがシリコン基板からの酸素拡散が期待でき、エピタキシャル層とシリコン基板との間における欠陥誘発も促進され、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせることができる。 The epitaxial wafer manufacturing method of the present invention, since the inclusion of nitrogen in the portion of the thickness direction of the epitaxial layer by flowing a nitrogen-containing gas to one period of flow of the raw material gas, control the introduction amount and timing of nitrogen However, during the growth of the epitaxial layer, nitrogen can be introduced into the entire region of the epitaxial layer or an arbitrary partial region in the thickness direction. As a result, a layer having a partial gettering effect can be introduced into the epitaxial layer with high accuracy and accuracy in a later process and relatively easily, rather than doping the silicon substrate with nitrogen. By the early during distribution the one time of the flow of feed gas, it is possible to relatively easily introduce nitrogen into the epitaxial layer near the interface of the silicon substrate and the epitaxial layer, without increasing the number of operation steps, A gettering effect can be produced in the interior away from the surface of the epitaxial layer . Further, by setting the concentration of nitrogen contained in the epitaxial layer to 1 × 10 13 to 1 × 10 16 atoms / cm 3 , the gettering effect with high metal impurity surface cleanliness in the region of the epitaxial layer containing nitrogen is obtained. A layer having can be formed. In addition, by making the region containing nitrogen the above region, oxygen diffusion from the silicon substrate can be expected although it depends on the heat treatment conditions, and the induction of defects between the epitaxial layer and the silicon substrate is promoted, and the surface of the epitaxial layer is increased. A gettering effect can be produced in the interior away from the center.
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図1に示すように、本発明により製造されるエピタキシャルウェーハ11は、シリコン基板12とそのシリコン基板12の表面に成膜されたエピタキシャル層13とを備える。そして、このエピタキシャルウェーハ11は、図2に示すような反応容器20に、原料ガスを流通させる、反応容器20内に配置されたシリコン基板12の表面にエピタキシャル層13を成膜することにより作られる。
Next, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, an
図2は、枚葉式のエピタキシャルウェーハの製造装置を示す。この装置における反応容器20は上部ドーム21と下部ドーム22により構成され、この反応容器20の内部にはエピタキシャル成長用の単一のシリコン基板12を支持する支持部材24が設けられる。この反応容器20には上部ドーム21の内部に連通するガス供給口26及びガス排出口27が配設される。このガス供給口26には原料ガスやドープガスを供給するガス導入管28の一端が接続され、ガス排出口27にはガス排出管25が接続される。ガス導入管28やガス排出口27はハステロイのような耐塩酸合金から構成される。
FIG. 2 shows an apparatus for manufacturing a single wafer type epitaxial wafer. The
この装置では、図示しないが、ドーム21及び22の外側に設けられた熱源によりシリコン基板12を加熱しながら、ガス導入管28及びガス供給口26を通して反応容器20内に原料ガスをキャリアガスとともに導入する。ここで、原料ガスとしてはSiH2Cl2、SiHCl3、SiH4又はSiCl4等が挙げられ、キャリアガスとしてはH2が主に用いられる。導入された原料ガス等は上部ドーム21とシリコン基板12の間の空間を流れ、シリコン基板12の表面にシリコン単結晶薄膜からなるエピタキシャル層13(図1)を形成した後、ガス排出口27を通ってガス排出管25より排出される。
In this apparatus, although not shown, the source gas is introduced together with the carrier gas into the
そして、本発明の製造方法における特徴ある点は、ガス導入管28及びガス供給口26を通して反応容器20に原料ガスをキャリアガスとともに導入してそれらを反応容器20に流通させる初期に窒素含有ガスを流すところにある。エピタキシャル層13を形成する際に、窒素含有ガスを反応容器20内に流すと、エピタキシャル層13の全部又は厚さ方向の一部に窒素が含有される。即ち、原料ガスを反応容器20に流通させる全期間にわたってにその原料ガスとともに窒素含有ガスを流すと、図4に示すように、エピタキシャル層13の全部の領域に窒素が含有され、原料ガスを反応容器20に流通させる一時期に窒素含有ガスを流すと、図1及び図3に示すように、エピタキシャル層13の厚さ方向の一部の領域に窒素が含有される。ここで、窒素含有ガスとしては、ボンベにてキャリアガス(H2)にて希釈された窒素ガス(N2)が用いられる。
Then, that certain features of the production method of the present invention, the nitrogen contained in the initial to Ru was circulated them to the
このように、エピタキシャル層13の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域に窒素が含有されたことを特徴とするエピタキシャルウェーハ11では、エピタキシャル層13に故意に窒素を含有させられることから、それにより微少欠陥が誘発させ、窒素が含有されたエピタキシャル層13の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域にゲッタリング効果を有する領域を形成することができる。
As described above, in the
ここで、図1は、原料ガスの流通の一時期が流通時の初期であって、エピタキシャル層13の厚さ方向の一部の領域がシリコン基板12とエピタキシャル層13の界面近傍であるエピタキシャルウェーハ11を示す。この場合には、エピタキシャル後の熱処理条件にもよるが、エピタキシャル層13の厚さ方向の一部の領域が、エピタキシャル層13の表面から1μm以上内部かつシリコン基板12とエピタキシャル層13の界面までの領域である。具体的に、エピタキシャル層13の厚さ方向の一部の領域は、シリコン基板12とエピタキシャル層13の界面から0〜20μmの厚さの領域であることが好ましい。
Here, FIG. 1 shows an
一方、一般的なエピタキシャルウェーハ11におけるエピタキシャル層13の標準的な厚さは薄ものにおいては1〜10μmであり、厚ものにおいては100〜150μmである。このことから、エピタキシャル層13の表面から1μm以上内部かつシリコン基板12とエピタキシャル層13の界面までの領域、又はシリコン基板12とエピタキシャル層13の界面からエピタキシャル層13の0〜20μmの厚さの領域に窒素を入れることは、原料ガスを流通させる全期間の初期における9〜1割の間に窒素含有ガスを流すことを意味する。このようにしてエピタキシャル層13とシリコン基板12の界面から0〜20μmの厚さの領域に窒素を入れると、シリコン基板12からの酸素拡散が期待でき、エピタキシャル層13とシリコン基板12との間における欠陥誘発も促進されると考えられる。即ち、シリコン基板12とエピタキシャル層13との間の界面に窒素を導入した場合、シリコン基板12の酸素拡散によるインタースティシャル酸素窒素にて、容易に析出するものと考えられる。この結果、作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層13の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせることができ、シリコン基板12に窒素をドープしたものと同様なゲッタリング効果が得られる。
On the other hand, the standard thickness of the
また、エピタキシャル層13の窒素が含有された領域における窒素濃度は1×1013〜1×1016atoms/cm3であり、1×1015〜1×1016atoms/cm3であることが好ましい。窒素濃度がこの範囲であれば、窒素が含有されたエピタキシャル層13の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域にゲッタリング効果の高い層が形成され、その層により金属不純物表面清浄度が高いエピタキシャルウェーハ11となり得る。窒素濃度が1×1013atoms/cm3未満であるとゲッタリング効果が減少し、窒素濃度が1×1016atoms/cm3を越えても著しいゲッタリング効果の向上を期待できない。
Further, it the nitrogen concentration in the region where the nitrogen of the
また、エピタキシャル層13を育成している間に反応容器20に流す窒素量は、マスフローメータにてコントロールできる範囲、即ち、0.0001リットル/分〜1リットル/分であることが好ましく、更に希釈する配管設備等を所有して薄くて安定な窒素ガス量を作り出すことが好ましい。窒素量を制御することにより、エピタキシャル層13における窒素が含有された領域の窒素濃度を上記範囲内にすることができる。反応容器20に流す窒素量がキャリアガスと同程度の量になるとエピタキシャル層13に必要な濃度を越え、窒化膜形成が起こり正常なエピタキシャル層13が形成できなくなる。
In addition, the amount of nitrogen flowing into the
このため、本発明におけるエピタキシャルウェーハの製造方法では、窒素の導入量及びその時期をコントロールしながらエピタキシャル層13の成長中にそのエピタキシャル層13の厚さ方向の任意の一部の領域に窒素を導入させる。この結果、シリコン基板12に窒素をドープするより、後工程でかつ比較的手軽に、精度良く、部分的にゲッタリング効果を有する領域をエピタキシャル層13に形成でき、安定したデバイスを作成することができる。
For this reason, in the epitaxial wafer manufacturing method of the present invention, nitrogen is introduced into an arbitrary partial region in the thickness direction of the
一方、図3は窒素がエピタキシャル層13の中間に導入されている例を示す。このエピタキシャルウェーハ11は絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)に用いられる場合に好ましいが、その他の用途においてもゲッターを強くする効果がある。IGBTを形成する場合には図2におけるドーム21及び22の外側に設けられた熱源によりシリコン基板12を加熱しながら、ガス導入管28及びガス供給口26を通して反応容器20内に原料ガスとともに比抵抗をコントロールするためのドーパントガスをH2のキャリアガスとともに導入することになる。ドーパントガスとしてはPH3が挙げられ、窒素含有ガスはドーパントガスの切り換え時の一定時期(図3ではn+とn-の間)に導入することが好ましい。このようなIGBT品種においては、欠陥を誘発させなくともエピタキシャル層13に窒素を含有させることにより、従来金拡散、電子線、中性子照射等で、確保していたライフタイムキラーの代替えとして用いることができる。
On the other hand, FIG. 3 shows an example in which nitrogen is introduced in the middle of the
また、図4は、エピタキシャル層13の全部の領域に窒素を含有させた場合を示す。このようにエピタキシャル層13の全部の領域に窒素を含有させたエピタキシャルウェーハ11であっても、エピタキシャル層13にゲッタリング効果が生じて金属不純物表面清浄度が高いエピタキシャルウェーハ11が得られる。一方、エピタキシャル層13を形成させる温度や窒素の導入量にもよるが、エピタキシャル層13の表面近傍に窒素を導入すると、その表面が荒れることになる。このため、原料ガスの流通時の全期間にわたって窒素含有ガスを流してシリコン基板12の表面にエピタキシャル層13を成膜した場合には、その後、エピタキシャル層13表面を鏡面研磨することが好ましい。これにより窒素含有ガスによるエピタキシャル層13表面の荒れを無くすことができる。
FIG. 4 shows a case where nitrogen is contained in the entire region of the
次の本発明の実施例を比較例とともに説明する。
<参考例1>
図2に示す反応容器20を準備し、この反応容器20の内部にエピタキシャル成長用のシリコン基板12を支持させ、これを加熱しながら、ガス導入管28及びガス供給口26を通して反応容器20内に原料ガスであるSiHCl3とドープガスであるPH3をH2からなるキャリアガスとともに導入した。そしてそれらを反応容器20に流通させる全期間に、希釈機構にて薄めた窒素含有ガスを流してエピタキシャルウェーハ11を得た。エピタキシャル成長用のシリコン基板12は7枚準備し、それらシリコン基板12において窒素の導入量をそれぞれ変化させた。即ち、その窒素の導入量を5ミリリットル/分程度ずつ振って徐々に増加させるように変化させ、窒素の導入量のみが異なる7種類のエピタキシャルウェーハ11を得た。そして、それぞれのウェーハ11におけるエピタキシャル層13中に取込まれた窒素をSIMS、ラスターチェンジ法により測定した。この結果を図5に示す。
The following examples of the present invention will be described together with comparative examples.
< Reference Example 1>
A
<参考例2>
エピタキシャル層13に取込まれた窒素の量が異なる5枚のエピタキシャルウェーハ11を準備した。それらのウェーハ11を一定量の金属不純物で汚染させた場合の析出量をICP−MSにより測定した。このエピタキシャル層13に取込まれた窒素の量と金属不純物の析出量との関係を図6に示す。
< Reference Example 2>
Five
<評価1>
図6に示すように、エピタキシャル層13中に窒素を含有させると金属不純物の析出量が増加する傾向にある。これは、エピタキシャル層13に窒素が含有されたことにより微少欠陥が誘発させられたことに起因するものと考えられる。従って、エピタキシャル層13中に窒素を含有させたエピタキシャルウェーハ11では、窒素が含有されたエピタキシャル層13の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域にゲッタリング効果を生じさせることができることが判る。
一方、図5から明らかなように、エピタキシャル層13中の窒素は原料ガスに含ませる窒素の量により変化することが判る。従って、窒素の導入量及びその時期をコントロールしながらエピタキシャル層13の成長中にそのエピタキシャル層13の全部の領域又は厚さ方向の任意の一部の領域に窒素を導入させることができることが判る。そして、窒素の導入量及びその時期をコントロールする本願発明の製造方法では、シリコン基板12に窒素をドープするより、比較的手軽に、精度良く、部分的にゲッタリング効果を有する領域をエピタキシャル層13に導入できることが判る。
そして、図6の結果から、エピタキシャル層13の窒素が含有された領域における窒素濃度は、ゲッタリング効果を生じさせるために1×1013〜1×1016atoms/cm3であることが好ましいことが判る。
<
As shown in FIG. 6, when nitrogen is contained in the
On the other hand, as is apparent from FIG. 5, it can be seen that the nitrogen in the
From the result of FIG. 6, the nitrogen concentration in the region containing nitrogen of the
<実施例1>
図2に示す反応容器20を準備し、この反応容器20の内部に直径が20cmであって厚さが0.725mmのエピタキシャル成長用のシリコン基板12を支持させ、これを加熱しながら、ガス導入管28及びガス供給口26を通して反応容器20内にSiH2Cl2又はSiHCl3のような原料ガスをH2のキャリアガスとともに導入した。そして、原料ガスを反応容器20に流通させる初期に窒素含有ガスを流してエピタキシャルウェーハ11を得た。
得られたエピタキシャルウェーハ11の中央及び外周から10cm内側に入った部分における任意の一点の窒素濃度を二次イオン質量分析計(SIMS)を用いて測定した。それにより得られた、エピタキシャルウェーハ11の中央における窒素濃度を図7に、エピタキシャルウェーハ11の外周から10cm内側に入った部分における任意の一点の窒素濃度を図8にそれぞれ示す。
<Example 1 >
A
The nitrogen concentration at an arbitrary point in the
<評価2>
図7及び図8から明らかなように、シリコン基板12とエピタキシャル層13の界面近傍のエピタキシャル層13の厚さ方向の一部の領域に窒素が含有されていることが判る。これは原料ガスを反応容器20に流通させる初期に窒素含有ガスを流したことに起因するものと考えられる。そして、エピタキシャルウェーハ11の中央及び周囲における任意の一点の窒素濃度はいずれも同等な値を示していることが判る。これにより、シリコン基板12とエピタキシャル層13との間の界面に窒素を導入したエピタキシャルウェーハ11を本発明の方法により得られることが判る。
<Evaluation 2>
As is apparent from FIGS. 7 and 8, it can be seen that nitrogen is contained in a partial region in the thickness direction of the
11 エピタキシャルウェーハ
12 シリコン基板
13 エピタキシャル層
20 反応容器
11
Claims (1)
前記エピタキシャル層がシリコンエピタキシャル層であり、
前記原料ガスの流通の初期に窒素含有ガスを流すことにより前記エピタキシャル層の表面から1μm以上内部かつシリコン基板と前記エピタキシャル層の界面までの領域に窒素を含有させ、
前記窒素が含有された領域の窒素濃度を1×10 13 〜1×10 16 atoms/cm 3 とすること
を特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 In the method for manufacturing an epitaxial wafer for forming the epitaxial layer on the surface of the silicon base plate arranged on the reaction container in by circulating the material gas into the reaction container,
The epitaxial layer is a silicon epitaxial layer;
Wherein the initial distribution of the raw material gas by flowing a nitrogen-containing gas is contained nitrogen in the region to the interface of the from the surface of the epitaxial layer and the inner and the silicon substrate than 1μm said epitaxial layer,
Method for producing an epitaxial wafer, comprising that you the nitrogen concentration of the nitrogen is contained area with 1 × 10 13 ~1 × 10 16 atoms / cm 3.
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