JP4773748B2 - Multilayer circuit board - Google Patents
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Description
本発明は、積層回路基板に関し、具体的には半導体メモリ回路基板と制御回路基板とを導電体を介して接合した構造の積層回路基板に関する。 The present invention relates to a laminated circuit board, and more particularly to a laminated circuit board having a structure in which a semiconductor memory circuit board and a control circuit board are joined via a conductor.
積層回路基板で代表的なものとしては、制御回路基板と、半導体メモリチップを実装してある半導体メモリ回路基板とが、導電体を介し接合されているものが挙げられる。こういった構造は半導体メモリーカード内に良く使われ、そのメモリーカードの種類としては、SD(Secure Digital)メモリーカード、メモリースティック、マルチメディアカード、スマートメディア、コンパクトフラッシュ(登録商標)などの商品名で市販されているものがよく知られている。これらのメモリーカードは、軽量、薄型、小型の特徴が市場に認知され、メモリ容量の増大と相俟って用途が拡大している。現在では、電子スチールカメラ、ノートパソコン、携帯電話、ビデオカメラ、電子読書端末などの携帯情報端末機器に用いるメモリ媒体として広く利用されているが、その一方で情報量の多い動画コンテンツなどにも対応できるデータ伝送速度の速い大容量のメモリーカードに対する市場ニーズが年々高まってきている。そこで、半導体メモリの数を増やして大容量化を図る試みがなされている。 A typical example of the laminated circuit board is one in which a control circuit board and a semiconductor memory circuit board on which a semiconductor memory chip is mounted are joined via a conductor. Such a structure is often used in semiconductor memory cards. The types of memory cards include SD (Secure Digital) memory cards, memory sticks, multimedia cards, smart media, and compact flash (registered trademark). Those that are commercially available are well known. These memory cards are recognized for their light weight, thinness, and small size in the market, and their applications are expanding in combination with an increase in memory capacity. Currently, it is widely used as a memory medium for portable information terminal devices such as electronic still cameras, notebook computers, mobile phones, video cameras, and electronic reading terminals, but it also supports video content with a large amount of information. The market needs for high-capacity memory cards with high data transmission speeds are increasing year by year. Thus, attempts have been made to increase the capacity by increasing the number of semiconductor memories.
しかし、市販されているメモリーカードはいずれも筐体の外形寸法および体積が規格で規定されており、半導体メモリの数を増やすと積層回路基板の規模が大きくなって体積が増大するため、筐体の肉厚および基板の板厚を薄くする必要がある。メモリ容量が小さい場合は、外力によって積層回路基板が変形しないように筐体および基板を厚くして機械的強度を確保していたが、筐体および基板を薄くすると機械的強度が弱くなり、積層回路基板の捻れなどにより生じる剪断歪によって半導体回路基板の接続端子(以下、端子と言う)と制御回路基板の端子とを短絡させている半田が剥がれると言う問題が発生する。そこで、剛性の低い構造において、こういったはんだ剥離を解決するための手法として色々な提案がなされている。 However, all of the commercially available memory cards have the casing dimensions and volume defined by the standard, and increasing the number of semiconductor memories increases the size of the laminated circuit board and increases the volume. It is necessary to reduce the thickness of the substrate and the thickness of the substrate. When the memory capacity is small, the mechanical strength is ensured by increasing the thickness of the housing and board so that the laminated circuit board does not deform due to external force. There arises a problem that the solder that short-circuits the connection terminal (hereinafter referred to as a terminal) of the semiconductor circuit board and the terminal of the control circuit board is peeled off due to the shear strain caused by the twist of the circuit board. Therefore, various proposals have been made as methods for solving such solder peeling in a structure having low rigidity.
例えば、制御回路基板の上に実装されている半導体メモリーパッケージにおいて集積回路を備えた半導体本体から羅列状態に複数の平板状の外部接続端子を設け、その端子にスリットを入れることで、端子部の自由度をより大きくし接続される制御回路基板の変形に追従する構造にする処置などがある。
しかし、特許文献1に開示されている手法を半導体メモリ回路基板やそれを具備するメモリーカードの積層回路基板のような小型かつ高密度実装された構造に適用する場合は困難である。理由は、前記手法は端子と端子の間にスリットを設けるため端子間のピッチが小さいものに対しては適用できるスペースを確保できないと言う点が挙げられる。これは特にメモリーカードのような小さい構造になった時はより顕著で、具体的に配線の安全性等も考えた時、現状技術では外縁から端子もしくは配線までの距離を0.3mmから0.5mm程度持たなくてはならず、端子間のピッチで考えるとその倍の0.6mmと加えスリットを入れるスペースを持たなくてはならない。 However, it is difficult to apply the method disclosed in Patent Document 1 to a small and high-density mounted structure such as a semiconductor memory circuit board or a laminated circuit board of a memory card including the semiconductor memory circuit board. The reason is that the above method cannot provide a space that can be applied to a device having a small pitch between terminals because a slit is provided between the terminals. This is particularly noticeable when the memory card is a small structure, and when considering the safety of the wiring, etc., the distance from the outer edge to the terminal or wiring is 0.3 mm to 0. It must have about 5 mm, and when considering the pitch between terminals, it must have a space for slitting in addition to 0.6 mm that is twice that.
またスリットを入れる場合の対象を、強化繊維が含有されている基板とした場合は特に困難である。強化繊維の切断時に繊維の引き抜きが発生したり、繊維に工具があたった時に、連動してその繊維の周辺の樹脂が破損するという現象も起き、前記に示すように1mm以下というオーダーで精度を出すのは非常に困難である。以上の理由より前記特許文献1は端子間が1mm以下のような小ピッチに形成されている構造に対しては不適である。 In addition, it is particularly difficult when the object to be slit is a substrate containing reinforcing fibers. When the fiber is pulled out when the reinforcing fiber is cut, or when the tool hits the fiber, the phenomenon is that the resin around the fiber is damaged and the accuracy is on the order of 1 mm or less as shown above. It is very difficult to put out. For the above reasons, Patent Document 1 is not suitable for a structure in which terminals are formed at a small pitch of 1 mm or less.
そこで本発明は、これらの問題を解決し小ピッチで端子が配設された基板に対しても適用でき、はんだ接合部の機械的強度の確保を実現した積層回路基板を提供する。 Therefore, the present invention provides a multilayer circuit board that solves these problems and can be applied to a board on which terminals are arranged at a small pitch, and realizes the mechanical strength of a solder joint.
本発明の積層回路基板は、半導体メモリと、所定のピッチで配設されている第1の端子と、を有する半導体メモリ基板と、前記第1の端子と対向して設けられ、所定のピッチで配設されている第2の端子を有する制御回路基板と、前記第1の端子と第2の端子を接合する導電体と、を備え、前記半導体メモリ基板は、前記半導体メモリと前記第1の端子との間に前記第1の端子の配設方向に向かって設けられ、かつ、前記半導体メモリ基板の端部から切り込んで形成された少なくとも1つのスリットを有する。 The laminated circuit board of the present invention is provided with a semiconductor memory substrate having a semiconductor memory and first terminals arranged at a predetermined pitch, and opposed to the first terminal, at a predetermined pitch. A control circuit board having a second terminal disposed; and a conductor that joins the first terminal and the second terminal, wherein the semiconductor memory board includes the semiconductor memory and the first terminal. And at least one slit formed by cutting from an end portion of the semiconductor memory substrate .
本発明による積層回路基板の構造を用いることにより、捻れや曲げなどの外力が制御回路基板に加わった時に、その上に積層されている半導体メモリ回路基板の端子部分のみが変形に追従し、制御回路基板と半導体メモリ回路基板を短絡する導電体の剥離を抑制することができ、その結果として積層回路基板の構造信頼性を確保できる。 By using the structure of the laminated circuit board according to the present invention, when an external force such as twisting or bending is applied to the control circuit board, only the terminal portion of the semiconductor memory circuit board laminated thereon follows the deformation, and the control is performed. The peeling of the conductor that short-circuits the circuit board and the semiconductor memory circuit board can be suppressed, and as a result, the structural reliability of the laminated circuit board can be ensured.
本発明は、制御回路基板の端子と半導体メモリ回路基板の端子とが、所定のピッチで設けられた複数の導電体を介し接合された積層回路基板に関し、このうち半導体メモリチップを表面に実装し配線と端子が印刷されている半導体メモリ回路基板において、前記半導体メモリチップと端子との間に端子配列方向と略平行にスリットが設けられており、かつ前記スリットが基板端部から切り込んで入れられている。これにより、外力による制御回路基板の変形に対しメモリ回路基板も端子周辺部のみが追従し、その結果として導電体接合部にかかる応力を低減させる効果を実現できる。 The present invention relates to a laminated circuit board in which a terminal of a control circuit board and a terminal of a semiconductor memory circuit board are joined via a plurality of conductors provided at a predetermined pitch, of which a semiconductor memory chip is mounted on the surface. In a semiconductor memory circuit board on which wiring and terminals are printed, a slit is provided between the semiconductor memory chip and the terminal substantially in parallel with a terminal arrangement direction, and the slit is cut from the end of the substrate. ing. Thereby, only the peripheral portion of the memory circuit board follows the deformation of the control circuit board due to an external force, and as a result, an effect of reducing the stress applied to the conductor joint can be realized.
半導体メモリ回路基板は複数枚、制御回路基板の上に積層されており、前記積層されている半導体メモリ回路基板の少なくともいずれか1枚のメモリ回路基板に、前記のスリットを設けても良い。 A plurality of semiconductor memory circuit boards may be stacked on the control circuit board, and the slit may be provided in at least one of the stacked semiconductor memory circuit boards.
前記積層回路基板における半導体メモリ回路基板上のスリットが、片側の端子と中間部に設けられている半導体メモリを隔てて逆側の端子との間に設けられており、かつ前記スリットが基板端部から切り欠いて入れられていても良い。 A slit on the semiconductor memory circuit board in the multilayer circuit board is provided between a terminal on one side and a terminal on the opposite side across the semiconductor memory provided in the intermediate part, and the slit is an end of the board It may be cut out from.
前記スリットの切り欠き先端部分の角が円弧状に丸くなっていても良い。 The corner of the slit notch tip may be rounded in an arc shape.
また、前記スリット構造に加え、さらに所定のピッチで配設されている端子の配設方向中央部の端子と端子の間に、基板端部から半導体メモリに向かう方向で切り込んでスリットが設けられていても良い。 Further, in addition to the slit structure, a slit is provided by cutting in a direction from the end of the substrate toward the semiconductor memory between the terminals at the center of the terminals arranged in a predetermined pitch. May be.
本発明による実施の形態について図1〜図5を用いて説明する。尚、図の説明で機能が同じ構成要素には同一符号を付与する。 An embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is provided to the component with the same function in description of a figure.
(実施の形態1)
図1Aは本実施の形態の積層回路基板101の模式的平面図、図1Bは同正面図である。積層回路基板101は制御回路基板102と半導体メモリ回路基板103とが導電体105により接合された積層構造を有している。この導電体105としては、通常良く知られている半田合金、Ag又はカーボン物質などの導電性金属粉体を樹脂接着材に分散した導電性ペーストなどいずれでも適用し得る。中でも半田合金は、密着性に優れしかも機械的強度が強い点で好ましい。また半導体メモリ回路基板103の上にはフラッシュメモリ等の半導体メモリ107(電子部品)が実装されており、この半導体メモリチップ105から基板同士を接合する端子104まで半導体メモリ回路基板103の上に回路が形成されている。またこの端子104は1列ピッチに形成されており、半導体メモリ回路基板上に形成されている端子を第1の端子とした時、これと対向して制御回路基板102の上に形成されている第2の端子の間を導電体105で接続する構成とする。また制御回路基板101と半導体メモリ回路基板103としては、一般にガラス繊維を樹脂に充填させたガラス繊維強化プラスチック(GFRP)やその他の繊維強化複合材やセラミック基板等の電気回路パターンを印刷可能な材料が適用できる。以上の構成からなる積層回路基板101において、本実施形態は半導体メモリ回路基板103上の半導体メモリ107と端子104との間に図1A−Bに示すようにスリット106が入っている。
(Embodiment 1)
FIG. 1A is a schematic plan view of the laminated
前記スリット106は半導体メモリ回路基板の端部から端子が配設されている方向と略並行に切り込む形で入れられている。またこのスリット幅とスリット長さともに大きい方が好適であるが、半導体メモリのサイズ端子の数、基盤の大きさ、回路の形成パターンに依存してその大きさは変化させなければならないもので、この大きさを限定するものではない。スリットとして前記形状を成形する場合、長方形基板を成形したあと切込みを入れる工程を必要とするが、これをスリットとせずに基板形状とし、基板成形の段階から前記の形状にして成形した場合も同様の形状となるので本実施の形態に相当する。
The
以上のようにスリットを入れる事で端子が配設されている基板部分のみが、梁に近い状態で自由度をもって変形することができる。また一般に半導体メモリ105をシリコンチップとした場合そのヤング率は160GPa前後となり、半導体メモリ回路基板103をFR-4などよく基板材料に使われるGFRP製の基材とした場合、そのヤング率は30GPa前後となり、この大きくヤング率の異なる2つの材料をベアチップ実装などにより実装することで、シリコンチップが実装されている部分は高い剛性となり、変形しにくく、シリコンチップがない部分は低い剛性となり変形しやすい状態となる。チップが実装されていない部分であっても、チップのごく近傍においては、チップの剛性の影響が支配的で、応力が負荷されても変形しにくい状態となっている。ここで前記切り込む形でスリットが入れられていることが発明のポイントとなり、スリットの形態として孔のように穴状に基板を貫通させる形で設けられている構造(例えばスリットはあるがメモリ回路基板端部のエリア111で端子側とチップ側が繋がった構造)であれば、最端部の端子は結局チップ側から拘束を受けてしまい、前記の梁に近い状態で自由度をもって変形することは困難となる。以上の理由より前記基板端部から切り込む形状でスリットをいれ、特に導電体105の剥離を生じやすい端部の方の端子を、チップから最も離すことにより、端部の方をよりチップの影響を受けにくい剛性の低い状態にするという効果を実現したところに本発明のポイントがある。この剛性の低い状態にすることにより前記記載のように端部の端子付近の基板は、スリットを入れない場合よりもより自由度を持って変形する事が可能となり結果として導電体105に負荷される応力を低減させることができ、導電体の剥離を抑制し、積層回路基板全体としての構造信頼性を確保する効果を得る。また特にこの実施の形態が効果を成す環境としては、制御回路基板側よりも半導体メモリ回路基板側のほうがチップなどのように剛性の高いものを実装し変形しにくい積層回路基板に対して有効である。しかし、前記で説明したスリットを入れた場合問題となるのがエリア108の部分である。このエリアは配線が集中してしまうため重要な部分となるが、同時に前記スリットにより応力集中が発生する危険なエリアとなる。これに起因し前記スリットを入れただけであると応力集中により配線などが破断する可能性がある。よって前記スリットの切り欠き方向の最端部を角のない丸い構造にすることが望ましい。ここで述べる角のない丸い構造とは図1Cに示すスリット先端部109や図1Dに示すスリット先端部110が適用できる。これにより角部の応力集中を回避することができ、破壊の起点をなくすことができ、好適である。
By inserting slits as described above, only the substrate portion on which the terminals are disposed can be deformed with a degree of freedom in a state close to a beam. In general, when the
次に本実施の形態を実現するための成形方法は、従来技術のように端子と端子の間に切り欠きを入れる必要がなく、端子間が小ピッチであっても、これに異存なくスリットを入れることが可能である。 Next, the molding method for realizing the present embodiment does not require a notch between the terminals as in the prior art, and even if the distance between the terminals is a small pitch, the slits are not different from this. It is possible to put.
加え本発明はSDメモリーカードのような半導体部品に適用する場合は特に有効である。SDメモリーカードのような可搬型の記録媒体は、ポケットの中やかばんの中など捻りや曲げ等のような様々な負荷応力が加えられる環境での構造信頼性を確保しなくてはならない。特にSDメモリーカードの場合は曲げやねじりに対して、その薄型構造ゆえに変形量が大きくなってしまい、基板同士を接合するはんだが剥がれるという課題が挙げられる。メモリーカードにねじりを加えた場合は特に構造の中央付近の曲率が大きくなり、中央部分のはんだが剥離しやすいという課題がある。これの解決にも本発明は適用でき、以下に本実施の形態をSDメモリーカードの積層回路基板に適用した場合についての実施例について説明する。 In addition, the present invention is particularly effective when applied to a semiconductor component such as an SD memory card. Portable recording media such as SD memory cards must ensure structural reliability in environments where various load stresses such as twisting and bending are applied, such as in pockets and bags. In particular, in the case of an SD memory card, the amount of deformation increases due to its thin structure with respect to bending and twisting, and the solder that bonds the substrates to each other is peeled off. When the memory card is twisted, the curvature is particularly large near the center of the structure, and there is a problem that the solder at the center is easily peeled off. The present invention can also be applied to solve this, and an example in the case where the present embodiment is applied to a laminated circuit board of an SD memory card will be described below.
(実施の形態2)
図3A−B、図4A−B、図5A−Bは、本発明による実施の形態2の積層回路基板の外形図であり、これらをもちいて本実施の形態2の説明を行う。これらの図において基本的な構成部品は図1A−Bに示すものと同じであるので、同じ部品番号を用いる。
(Embodiment 2)
3A-B, 4A-B, and 5A-B are external views of the laminated circuit board according to the second embodiment of the present invention, and the second embodiment will be described using these figures. In these figures, the basic component parts are the same as those shown in FIGS. 1A-B, so the same part numbers are used.
本実施の形態の積層回路基板の構成は基本的には実施の形態1と同じであるがスリットの設け方が異なっている。本実施の形態は図3A−Bに示すように端子104と半導体メモリ107の間に配線などの都合により十分な長さのスリットがもうけることができない場合に有効であり、図に示すように一方の端子と半導体メモリ107をはさんでもう一方の端子の間にスリット306が設けられていることを特徴としている。本実施の形態は実施の形態1程の効果は得られないが、原理は同じであり、端部付近の基板の変形自由度が上がる点で望ましい。また本実施の形態のスリットは長方形に限定するものではなく、図4A−Bに示すように斜めに切り欠いてある構造であっても同様の効果を得る。また図5A−Bに示すように端子104を片側に集めてしまい、その間を基板端部から端子配設列と端子配設列の間を通り「コ」の字型にスリット501を入れることで、端子部の変形時の自由度をより上げた構造も望ましい。こうした場合半導体メモリ107を支える部分はなくなるが、この半導体メモリを基板の裏側に実装し、かつこの半導体メモリの厚みと同程度の厚みの導電体105を用いることで、制御回路基板102の上に積層されているメモリ回路基板としては安定な状態になる。図5における半導体メモリ107と制御回路基板は、必ずしも樹脂などで接着されている必要はなく、前記に示すような導電体105の厚み調整を行うことで、接着されていない構造であっても良い。この場合も効果としては同じで端子部分は制御回路基板の変形に伴いより自由度を得た変形が可能となり、加えて半導体メモリ105に応力が加わりにくい構造となるので、半導体メモリ107の半導体メモリ回路基板103への実装信頼性という面でも堅牢効果を成す。
The configuration of the laminated circuit board of the present embodiment is basically the same as that of the first embodiment, but the way of providing slits is different. This embodiment is effective when a slit having a sufficient length cannot be formed between the terminal 104 and the
以上に示すような積層回路基板の構造は低ピッチで配設される端子を有する構造に対しても適用することができ、結果として積層同士の接合部分にあたる導電体の剥離を抑制する効果を得、係る課題を解決するという効果を実現した。 The structure of the laminated circuit board as described above can be applied to a structure having terminals arranged at a low pitch, and as a result, an effect of suppressing the peeling of the conductor corresponding to the joint portion between the laminated layers is obtained. The effect of solving such a problem was realized.
(実施の形態3)
本実施の形態の積層回路基板の外形図を図6A−Bに示す。この図においても基本的な構成部品は図1A−Bに示すものと同じであるので、同じ部品番号を用いる。
(Embodiment 3)
External views of the laminated circuit board of this embodiment are shown in FIGS. 6A-B. Also in this figure, the basic component parts are the same as those shown in FIGS. 1A-B, so the same part numbers are used.
本実施の形態の積層回路基板の構成は基本的には実施の形態1と同じであるが、この前記実施の形態1の構造に加え、新たにスリット601が設けられている。前記のように実施の形態1に示す構造にした場合、エリア108付近で応力集中が起き配線の破断などの危険性が発生する。よってこれを解決するためにスリット601を設ける。スリット601は、所定のピッチで配設されている端子の配設方向中央部の端子と端子の間に、基板端部から半導体メモリに向かう方向で切り込んで設けられており、こうすることによってエリア108の変形に対する自由度を広くし、制御回路基板102の変形に対してエリア108の変形も追従できるようになる点で好ましい。以上よりエリア108にあった応力集中は剛性の高い半導体メモリ107の近傍に移動し、エリア108付近の配線の破断や、導電体105の剥離を抑制する効果を実現できる。
The configuration of the laminated circuit board of the present embodiment is basically the same as that of the first embodiment, but in addition to the structure of the first embodiment, a
(実施例1)
本実施例は実施の形態1をメモリーカードの積層回路基板に用いた場合のもので図2A−Cを用いて説明する。
Example 1
In this example, the first embodiment is used for a laminated circuit board of a memory card and will be described with reference to FIGS. 2A to 2C.
図2AはSDメモリーカードの規格で規定されている筐体の外形であり、図2Bはその中に具備されている積層回路基板の平面図、図2Cは同正面図である。図2Aの筐体の外形において、図中に示す数値は各部位の寸法(単位:mm)を示す。筐体201の厚さは2.1mm、体積は1.6ccである。筐体201には、誤消去防止用ロックを装着するための切り欠き部202が形成されている。
FIG. 2A is an outline of a housing defined by the SD memory card standard, FIG. 2B is a plan view of a laminated circuit board provided therein, and FIG. 2C is a front view thereof. In the outer shape of the housing of FIG. 2A, the numerical values shown in the figure indicate the dimensions (unit: mm) of each part. The
前記筐体の中に具備されている図2B−Cに示す積層回路基板は、制御回路基板203(板厚0.35mm:ガラス繊維織物エポキシ樹脂含浸シート)とその上にSn3Ag3In0.5Bi(組成:3Wt%Ag、3Wt%In、3Wt%Bi、残りSn)のはんだ合金206により積層された半導体メモリ回路基板204(板厚0.15mm:ガラスエポキシ)とさらにその上に前記はんだ合金207により同じメモリ回路基板を積層させた構成からなり、このそれぞれの基板が対抗する面にそれぞれ端子を設けてあり、この端子を接合するものが前記はんだ合金207である。このうち半導体メモリ回路基板203の上には半導体メモリチップ205両面にベアチップ実装されており、図面に向かって制御回路基板の上側に2枚(2段)、下側に2枚(2段)で計4枚の半導体メモリ回路基板が積層されており、それぞれに2枚ずつ計8枚のメモリ容量256MBの半導体メモリチップ(フラッシュメモリ:9.8mm×11.28mm)が搭載されており、合計8枚で1GBのメモリ容量とした。また制御回路基板の裏面にはマイクロプロセッサやCSPなどの制御用電子部品211が具備されている。また図に示すように、それぞれのメモリ回路基板には4つのスリット210(幅1mm×長さ4mm)が、長手方向が端子配設方向と平行になるように入っている。以上説明したように積層回路基板をポリカーボネート製の筐体201に具備し、メモリ容量1GBのSDメモリーカードを作成した。
The laminated circuit board shown in FIGS. 2B-C provided in the housing is a control circuit board 203 (plate thickness 0.35 mm: glass fiber woven epoxy resin impregnated sheet) and Sn 3 Ag 3 In 0.5 Bi on the
このSDメモリーカードの堅牢効果を実証するために、従来から一般に使用されている半導体メモリ回路基板にスリットのないSDメモリーカードと比較解析を行った。比較に用いたメモリーカードの外形はスリットがないだけで形状および寸法は図2A−Cに示すSDメモリーカードと全く同じであるので、図は省略する。解析には有限要素法を使用し前記2種のメモリーカードに対してねじり応力6kg・cmを負荷し評価を行った。解析時の拘束条件および加重条件については2種とも同じとし、図2Aにおいてエリア208を固定しエリア9にねじり応力を負荷した。ねじり応力は図中に示すように、X,Y,Z軸を与えた時Y軸周りにトルクを負荷している。その結果、従来のスリットがない積層基板を有するSDメモリーカードに比べ、本実施形態によるスリットを入れたメモリーカードははんだ合金206にかかる最大応力を360MPaから256MPaに約29%低減する効果を得た。
In order to demonstrate the robustness of this SD memory card, we conducted a comparative analysis with an SD memory card that does not have slits in the conventional semiconductor memory circuit board. The outer shape of the memory card used for comparison is not the same as the SD memory card shown in FIGS. The finite element method was used for the analysis, and a torsional stress of 6 kg · cm was applied to the two types of memory cards for evaluation. The constraint conditions and weighting conditions at the time of analysis were the same for both types, and
この結果から、本実施例のメモリチップと端子との間にスリットを設けた構造により、簡単な構成でしかも従来よりも高いはんだ接合信頼性を確保できることが確認できた。 From this result, it was confirmed that the structure in which the slit was provided between the memory chip and the terminal of this example could secure a higher solder joint reliability than the conventional one with a simple configuration.
本発明による積層回路基板はメモリーカードを代表とするモバイル電子機器の積層回路基板に用いることができ、デジタルカメラ、パソコン、携帯電話、ビデオカメラ、電子読書端末、情報携帯端末、カーナビゲーションシステムなど可搬型の蓄積媒体に適用できる。 The multilayer circuit board according to the present invention can be used for a multilayer circuit board of a mobile electronic device represented by a memory card, and can be used for a digital camera, a personal computer, a mobile phone, a video camera, an electronic reading terminal, an information portable terminal, a car navigation system, etc. Applicable to portable storage media.
101 積層回路基板
102,203 制御回路基板
103,204 半導体メモリ回路基板
104,206 端子
105,207 導電体
106,210,306,406,501,601 スリット
107,205 半導体メモリ
108 配線集中エリア
109,110 スリットの先端部
201 筐体
202 誤消去防止ロック
208 エリア1(解析時固定部)
209 エリア2(解析時ねじり応力負荷部)
211 制御部品
101 multilayer circuit board
102,203 Control circuit board
103,204 Semiconductor memory circuit board
104,206 terminals
105,207 Conductor
106,210,306,406,501,601 Slit
107,205 Semiconductor memory
108 Wiring concentration area
109,110 Slit tip
201 case
202 Anti-erase lock
208 Area 1 (Fixed part during analysis)
209 Area 2 (Torsional stress loading part during analysis)
211 Control parts
Claims (4)
前記第1の端子と対向して設けられ、所定のピッチで配設されている第2の端子を有する制御回路基板と、
前記第1の端子と第2の端子を接合する導電体と、を備え、
前記半導体メモリ基板は、前記半導体メモリと前記第1の端子との間に前記第1の端子の配設方向に向かって設けられ、かつ、前記半導体メモリ基板の端部から切り込んで形成された少なくとも1つのスリットを有する、積層回路基板。 A semiconductor memory substrate having a semiconductor memory and first terminals arranged at a predetermined pitch;
A control circuit board having second terminals provided opposite to the first terminals and disposed at a predetermined pitch;
A conductor that joins the first terminal and the second terminal;
The semiconductor memory substrate is provided between the semiconductor memory and the first terminal in a direction in which the first terminal is disposed, and is formed by cutting from an end of the semiconductor memory substrate. A laminated circuit board having one slit.
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