JP4770655B2 - Wireless IC device - Google Patents

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Description

本発明は、無線ICデバイス、特に、RFID(Radio Frequency Identification)システムに用いられる無線ICデバイスに関する。   The present invention relates to a wireless IC device, and more particularly to a wireless IC device used in an RFID (Radio Frequency Identification) system.
近年、物品の管理システムとして、誘導電磁界を発生するリーダライタと物品に付された所定の情報を記憶した無線タグ(以下、無線ICデバイスと称する)とを無接触方式で通信し、情報を伝達するRFIDシステムが開発されている。RFIDシステムに使用される無線ICデバイスとしては、例えば、特許文献1,2に記載のものが知られている。   In recent years, as an article management system, a reader / writer that generates an induction electromagnetic field and a wireless tag (hereinafter referred to as a wireless IC device) that stores predetermined information attached to the article are communicated in a contactless manner, and the information is transmitted. A communicating RFID system has been developed. As wireless IC devices used in the RFID system, for example, those described in Patent Documents 1 and 2 are known.
複数の周波数に対応するために、特許文献1には、誘電体シート上に導電性パターンで形成された900MHz帯で共振する折り返しダイポールアンテナに、誘電体シートを挟んだ折り返しダイポールアンテナの反対側に導電性パターンにより形成された2.4GHz帯に共振する半波長の無給電素子を配置し、二つの周波数帯に対しインピーダンス整合を果たすことにより、二つの周波数帯で動作する無線ICデバイスが記載されている。   In order to cope with a plurality of frequencies, Patent Document 1 discloses that a folded dipole antenna that resonates in a 900 MHz band formed with a conductive pattern on a dielectric sheet is disposed on the opposite side of the folded dipole antenna with the dielectric sheet interposed therebetween. A wireless IC device that operates in two frequency bands is described by arranging a half-wavelength parasitic element that resonates in the 2.4 GHz band formed by a conductive pattern and performing impedance matching for the two frequency bands. ing.
また、特許文献2には、基板に形成されたアンテナとICチップで構成される無線ICデバイスにおいて、アンテナを、ほぼ1/2波長の長さのライン形状で、その中央部にて給電を受ける第1の導体部と、該第1の導体部の間にて、ほぼ直角方向に出た第2の導体と第3の導体とで形成することで、2.4GHz帯と5.8GHz帯に対応できる無線ICデバイスが記載されている。   Further, in Patent Document 2, in a wireless IC device composed of an antenna formed on a substrate and an IC chip, the antenna has a line shape with a length of approximately ½ wavelength and is fed at the center thereof. By forming the first conductor portion and the second conductor and the third conductor that are substantially perpendicular to each other between the first conductor portion, the 2.4 GHz band and the 5.8 GHz band can be obtained. A wireless IC device that can be used is described.
しかしながら、前記いずれの無線ICデバイスにおいても、二つの周波数帯で動作するためにアンテナが複雑な構造になり、生産コストが上昇するとともに、アンテナの形状が大きくなるので、無線ICデバイス自体が大型化するという問題点を有していた。さらに、三つ以上の周波数帯を共用できるアンテナを形成することは、形状的にさらに複雑になって大型化し、フィルム形状の無線ICデバイスを実現することは困難であった。
特開2005−236468号公報 特開2004−295297号公報
However, in any of the above-described wireless IC devices, the antenna has a complicated structure because it operates in two frequency bands, the production cost increases, and the shape of the antenna increases, so that the wireless IC device itself increases in size. Had the problem of doing. Furthermore, forming an antenna that can share three or more frequency bands is more complicated in shape and larger in size, and it has been difficult to realize a film-shaped wireless IC device.
JP 2005-236468 A JP 2004-295297 A
そこで、本発明の目的は、小型かつフィルム形状でありながら複数の周波数帯に対応することができる無線ICデバイスを提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wireless IC device capable of supporting a plurality of frequency bands while being small and having a film shape.
前記目的を達成するため、本発明は、
複数の電磁結合モジュールと、該複数の電磁結合モジュールが搭載されている放射板と、を備え、
前記電磁結合モジュールは、無線ICチップと該無線ICチップに接続され、所定の共振周波数を有する共振回路を含む給電回路を有する給電回路基板とで構成されており
前記各給電回路基板に設けたそれぞれの共振回路は、共振周波数が互いに異なっていること、
を特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
A plurality of electromagnetic coupling modules; and a radiation plate on which the plurality of electromagnetic coupling modules are mounted.
The electromagnetic coupling module is connected to the wireless IC chip and the wireless IC chip, which is composed of a feed circuit board having a feed circuit including a resonant circuit having a predetermined resonant frequency,
Resonance circuits provided on the power supply circuit boards have different resonance frequencies,
It is characterized by.
本発明に係る無線ICデバイスにおいて、無線ICチップと給電回路基板とで構成された複数の電磁結合モジュールはそれぞれ放射板と電磁結合されている。放射板から放射する送信信号の周波数及び無線ICチップに供給する受信信号の周波数は、それぞれの電磁結合モジュールを構成する給電回路基板の共振周波数で実質的に決まる。実質的に決まるとは、給電回路基板と放射板との位置関係などで周波数が微少にずれることがあることによる。つまり、それぞれの電磁結合モジュールにおける送受信信号の周波数は、放射板の形状やサイズ、配置関係などによらず、各給電回路基板の共振周波数で決まるため、放射板を任意の形状、サイズに設定することができ、複数の周波数帯に対応しつつ小型でフィルム形状を保持することが可能である。   In the wireless IC device according to the present invention, the plurality of electromagnetic coupling modules configured by the wireless IC chip and the power feeding circuit board are electromagnetically coupled to the radiation plate, respectively. The frequency of the transmission signal radiated from the radiation plate and the frequency of the reception signal supplied to the wireless IC chip are substantially determined by the resonance frequency of the power supply circuit board constituting each electromagnetic coupling module. The fact that it is substantially determined is that the frequency may be slightly shifted due to the positional relationship between the feeder circuit board and the radiation plate. In other words, since the frequency of the transmission / reception signal in each electromagnetic coupling module is determined by the resonance frequency of each power supply circuit board, regardless of the shape, size, arrangement relationship, etc. of the radiation plate, the radiation plate is set to an arbitrary shape and size. The film shape can be maintained in a small size while supporting a plurality of frequency bands.
本発明に係る無線ICデバイスにおいて、放射板は金属材(非磁性の導電体、誘電体を含む)であってもよく、あるいは、非磁性体層と磁性体層とで構成されていてもよい。非磁性金属材からなる放射板は給電回路基板と電磁結合し、無線ICチップと送受信信号を交換する。放射板が非磁性体層と磁性体層とで構成されていれば、磁性体層で高周波信号の放射が遮られ、信号の放射範囲が限定され、効率的な放射が可能となる。非磁性体層を電磁結合モジュールを搭載する側に配置すれば、電磁結合モジュールと放射板との電磁結合が向上する。   In the wireless IC device according to the present invention, the radiation plate may be a metal material (including a nonmagnetic conductor and a dielectric), or may be composed of a nonmagnetic layer and a magnetic layer. . The radiation plate made of a non-magnetic metal material is electromagnetically coupled to the power supply circuit board and exchanges transmission / reception signals with the wireless IC chip. If the radiation plate is composed of a non-magnetic material layer and a magnetic material layer, radiation of high-frequency signals is blocked by the magnetic material layer, the radiation range of signals is limited, and efficient radiation becomes possible. If the nonmagnetic layer is disposed on the side where the electromagnetic coupling module is mounted, the electromagnetic coupling between the electromagnetic coupling module and the radiation plate is improved.
また、放射板は複数の電磁結合モジュールのうち少なくとも一つと接しないように電磁結合モジュールの周囲に環状の空隙を有していてもよい。   The radiation plate may have an annular gap around the electromagnetic coupling module so as not to contact at least one of the plurality of electromagnetic coupling modules.
また、給電回路基板はインダクタンス素子を含む給電回路を備えていてもよく、この給電回路はインダクタンス素子を含む複数の共振回路を備えていてもよい。給電回路を複数の共振回路で構成すれば、無線ICチップと給電回路とのインピーダンスマッチングと、給電回路と放射板とのインピーダンスマッチングとを広い周波数帯域で良好にとることができる。また、複数の共振回路はインダクタンス素子とキャパシタンス素子とで構成することができる。   Further, the power supply circuit board may include a power supply circuit including an inductance element, and the power supply circuit may include a plurality of resonance circuits including the inductance element. If the power feeding circuit is constituted by a plurality of resonance circuits, impedance matching between the wireless IC chip and the power feeding circuit and impedance matching between the power feeding circuit and the radiation plate can be satisfactorily performed in a wide frequency band. The plurality of resonance circuits can be composed of an inductance element and a capacitance element.
また、給電回路基板は複数の非磁性体層又は磁性体層を積層してなる多層基板であり、キャパシタンス素子とインダクタンス素子は多層基板の表面及び/又は内部に形成されていてもよい。さらに、共振回路はコイル状電極で形成されたインダクタンス素子を含んでいてもよい。インダクタンス素子をコイル状電極で形成することで、放射板との電磁結合が向上する。   The feeder circuit board may be a multilayer board formed by laminating a plurality of nonmagnetic layers or magnetic layers, and the capacitance element and the inductance element may be formed on the surface and / or inside the multilayer board. Furthermore, the resonance circuit may include an inductance element formed of a coiled electrode. By forming the inductance element with a coiled electrode, electromagnetic coupling with the radiation plate is improved.
本発明によれば、共振周波数の異なる複数の電磁結合モジュールを放射板に電磁結合させたため、一つの放射板を共用して複数の周波数帯での信号を送受信することができ、小型かつフィルム形状の無線ICデバイスを得ることができる。   According to the present invention, since a plurality of electromagnetic coupling modules having different resonance frequencies are electromagnetically coupled to the radiation plate, signals in a plurality of frequency bands can be transmitted and received using a single radiation plate, and are small and have a film shape. Wireless IC devices can be obtained.
以下、本発明に係る無線ICデバイスの実施例について添付図面を参照して説明する。   Embodiments of a wireless IC device according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
(無線ICデバイスの第1及び第2実施例、図1〜図5参照)
本発明に係る無線ICデバイスの第1実施例を図1及び図2に、第1実施例の変形例を図3に、第2実施例を図4及び図5示す。図1及び図4は無線ICデバイスの平面状態を示し、図2は図1のA−A断面を示し、図5は図4のB−B断面を示している。
(Refer to FIGS. 1 to 5 of the first and second embodiments of the wireless IC device)
1 and 2 show a wireless IC device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 shows a modification of the first embodiment, and FIGS. 4 and 5 show a second embodiment. 1 and 4 show the planar state of the wireless IC device, FIG. 2 shows the AA cross section of FIG. 1, and FIG. 5 shows the BB cross section of FIG.
これらの無線ICデバイスは、共振周波数の異なる複数の電磁結合モジュール1A,1Bを放射板51上に接着して搭載したものである。電磁結合モジュール1Aは例えば13.5MHz帯の周波数で動作するものであり、電磁結合モジュール1Bは例えば900MHz帯の周波数で動作するものである。   In these wireless IC devices, a plurality of electromagnetic coupling modules 1A and 1B having different resonance frequencies are mounted on the radiation plate 51 by bonding. The electromagnetic coupling module 1A operates at a frequency of 13.5 MHz band, for example, and the electromagnetic coupling module 1B operates at a frequency of 900 MHz band, for example.
放射板51は、図1と図2に示す第1実施例では、アルミ箔や銅箔などの非磁性体金属材からなる長尺体、即ち、両端開放型のフィルム状の金属板であり、PETなどの絶縁性のフレキシブルな樹脂フィルム50上に設けられている。また、放射板51は、図3に示す第1実施例の変形例や図4及び図5に示す第2実施例では、アルミ箔や銅箔などからなる非磁性体層51aとNiなどの磁性金属材からなる磁性体層51bとを積層した両端開放型として構成されている。   In the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the radiation plate 51 is a long body made of a non-magnetic metal material such as an aluminum foil or a copper foil, that is, a film-like metal plate with open ends. It is provided on an insulating flexible resin film 50 such as PET. Further, in the modification of the first embodiment shown in FIG. 3 and the second embodiment shown in FIGS. 4 and 5, the radiation plate 51 is made of a nonmagnetic material layer 51a made of aluminum foil or copper foil and a magnetic material such as Ni. It is configured as an open both ends type in which a magnetic layer 51b made of a metal material is laminated.
電磁結合モジュール1A,1Bは、概略、RFIDシステムに用いられる周知の無線ICチップ5と、所定の共振周波数を有する共振回路を含む給電回路を設けた給電回路基板10(詳細は以下に説明する)とで構成されている。無線ICチップ5は給電回路基板10の表面に接着して搭載されており、給電回路基板10の裏面(無線ICチップ5が実装されていない面)が放射板51に対向している。   The electromagnetic coupling modules 1A and 1B generally include a power supply circuit board 10 provided with a known wireless IC chip 5 used in an RFID system and a power supply circuit including a resonance circuit having a predetermined resonance frequency (details will be described below). It consists of and. The wireless IC chip 5 is mounted by being adhered to the front surface of the power supply circuit board 10, and the rear surface (the surface on which the wireless IC chip 5 is not mounted) of the power supply circuit board 10 faces the radiation plate 51.
無線ICチップ5は、クロック回路、ロジック回路、メモリ回路を含み、必要な情報がメモリされており、給電回路基板10に内蔵された給電回路と直接的に接続されている。   The wireless IC chip 5 includes a clock circuit, a logic circuit, and a memory circuit, stores necessary information, and is directly connected to a power supply circuit built in the power supply circuit board 10.
給電回路は、所定の周波数を有する送信信号を放射板51に供給するための回路であるとともに、放射板51で受けた信号から所定の周波数を有する受信信号を選択し、無線ICチップ5に供給するための回路であり、送受信信号の周波数で共振する共振回路を備えている。   The power feeding circuit is a circuit for supplying a transmission signal having a predetermined frequency to the radiation plate 51, selects a reception signal having a predetermined frequency from the signal received by the radiation plate 51, and supplies it to the wireless IC chip 5. And a resonance circuit that resonates at the frequency of the transmission / reception signal.
前記無線ICデバイスの動作の概略を説明すると、13.5MHz帯の高周波信号で電磁結合モジュール1Aの給電回路基板10内の給電回路が動作し、無線ICチップ5とで信号を交換する。また、900MHz帯の高周波信号で電磁結合モジュール1Bの給電回路基板10内の給電回路が動作し、無線ICチップ5とで信号を交換する。第1実施例においては、放射板51が非磁性体であるため、全ての方向に高周波信号が放射される。一方、第1実施例の変形例及び第2実施例においては、放射板51に磁性体層51bを備えているため、高周波信号は磁性体層51bで遮られ、高周波信号は電磁結合モジュール1A,1Bを搭載した面側のみに放射され、放射効率が向上する。   The outline of the operation of the wireless IC device will be described. The power supply circuit in the power supply circuit board 10 of the electromagnetic coupling module 1A operates with a high frequency signal of 13.5 MHz band, and signals are exchanged with the wireless IC chip 5. In addition, the power supply circuit in the power supply circuit board 10 of the electromagnetic coupling module 1 </ b> B operates by a high-frequency signal in the 900 MHz band, and exchanges signals with the wireless IC chip 5. In the first embodiment, since the radiation plate 51 is a non-magnetic material, high-frequency signals are radiated in all directions. On the other hand, in the modification of the first embodiment and the second embodiment, since the radiation plate 51 includes the magnetic layer 51b, the high-frequency signal is blocked by the magnetic layer 51b, and the high-frequency signal is electromagnetically coupled to the electromagnetic coupling module 1A, Radiation is performed only on the surface side where 1B is mounted, and radiation efficiency is improved.
また、第1実施例の変形例において、13.5MHz帯で動作する電磁結合モジュール1Aは、給電回路基板10で発生した磁界により非磁性体層51aと磁性体層51bにも磁界が発生し、その磁界に伴う高周波信号が放射される。本変形例のように磁性体層51bを備えることにより、第1実施例よりも強い磁界を発生させることができ、その磁界に伴う高周波信号の放射量を増加させることができる。これにより、無線ICデバイスの通信距離を長くすることができる。900MHz帯で動作する電磁結合モジュール1Bは、表皮効果により給電回路基板10から非磁性体層51aに主たる磁界が発生し、その磁界により非磁性体層51aに高周波信号が発生し、放射される。   In the modification of the first embodiment, the electromagnetic coupling module 1A operating in the 13.5 MHz band generates a magnetic field also in the nonmagnetic layer 51a and the magnetic layer 51b due to the magnetic field generated in the feeder circuit board 10, A high frequency signal accompanying the magnetic field is emitted. By providing the magnetic layer 51b as in this modification, it is possible to generate a stronger magnetic field than in the first embodiment, and to increase the amount of high-frequency signal radiation accompanying the magnetic field. Thereby, the communication distance of a wireless IC device can be lengthened. In the electromagnetic coupling module 1B operating in the 900 MHz band, a main magnetic field is generated from the feeder circuit board 10 to the nonmagnetic layer 51a by the skin effect, and a high frequency signal is generated and radiated by the magnetic field to the nonmagnetic layer 51a.
また、第2実施例において、図4及び図5に示すように13.5MHz帯で動作する電磁結合モジュール1Aは、放射板51に設けた空隙52内に配置され、樹脂フィルム50上に接着されている。このように電磁結合モジュール1Aを放射板51と接しないように環状の空隙52を有するように配置しても、給電回路基板10で発生した磁界により電磁結合モジュール1Aの周囲の磁性体層51bに磁界が発生し、磁性体層51bにモジュール1Aを周回する電流が流れて第1実施例よりも強い磁界が発生する。900MHz帯で動作する電磁結合モジュール1Bは、第1実施例の変形例と同様に給電回路基板10から非磁性体層51aに主たる磁界が発生し、その磁界により非磁性体層51aに高周波信号が発生し、放射される。   In the second embodiment, as shown in FIGS. 4 and 5, the electromagnetic coupling module 1 </ b> A operating in the 13.5 MHz band is disposed in the gap 52 provided in the radiation plate 51 and bonded onto the resin film 50. ing. Even when the electromagnetic coupling module 1A is arranged so as to have the annular gap 52 so as not to contact the radiation plate 51, the magnetic layer 51b around the electromagnetic coupling module 1A is caused by the magnetic field generated in the power supply circuit board 10. A magnetic field is generated, and a current flowing around the module 1A flows through the magnetic layer 51b, generating a stronger magnetic field than in the first embodiment. In the electromagnetic coupling module 1B operating in the 900 MHz band, a main magnetic field is generated from the power supply circuit board 10 to the nonmagnetic layer 51a as in the modification of the first embodiment, and a high frequency signal is generated in the nonmagnetic layer 51a by the magnetic field. Generated and emitted.
なお、図4及び図5においては、13.5MHz帯で動作する電磁結合モジュール1Aのみを放射板51を部分的に除去した樹脂フィルム50上に直接接着して搭載しているが、900MHz帯で動作する電磁結合モジュール1Bのみを放射板51を部分的に除去した樹脂フィルム50上に直接接着して搭載してもよい。さらに、電磁結合モジュール1A,1Bの両方を樹脂フィルム50上に直接接着して搭載してもよい。   4 and 5, only the electromagnetic coupling module 1A operating in the 13.5 MHz band is directly bonded and mounted on the resin film 50 from which the radiation plate 51 is partially removed, but in the 900 MHz band. Only the electromagnetic coupling module 1 </ b> B that operates may be mounted by directly adhering onto the resin film 50 from which the radiation plate 51 is partially removed. Furthermore, both electromagnetic coupling modules 1 </ b> A and 1 </ b> B may be mounted directly on the resin film 50.
(電磁結合モジュールの接続形態、図6参照)
図6の斜視図に、電磁結合モジュール1A,1Bにおける無線ICチップ5と給電回路基板10との接続形態を示す。図6(A)は無線ICチップ5の裏面及び給電回路基板10の表面に、それぞれ、入出力端子7a,17aを設けたものである。図6(B)は他の接続形態を示し、無線ICチップ5の裏面及び給電回路基板10の表面に、それぞれ、入出力端子7a,17aに加えて、グランド端子7b,17bを設けたものである。但し、給電回路基板10のグランド端子17bは終端しており、給電回路基板10の他の素子に接続されているわけではない。
(Refer to Fig. 6 for connection form of electromagnetic coupling module)
The perspective view of FIG. 6 shows a connection form between the wireless IC chip 5 and the power supply circuit board 10 in the electromagnetic coupling modules 1A and 1B. In FIG. 6A, input / output terminals 7a and 17a are provided on the back surface of the wireless IC chip 5 and the front surface of the power supply circuit board 10, respectively. FIG. 6B shows another connection mode, in which ground terminals 7b and 17b are provided in addition to the input / output terminals 7a and 17a on the back surface of the wireless IC chip 5 and the front surface of the feeder circuit board 10, respectively. is there. However, the ground terminal 17b of the power feeding circuit board 10 is terminated and is not connected to other elements of the power feeding circuit board 10.
(給電回路基板の第1例、図7〜図10参照)
ここで、900MHz帯の高周波信号で動作する電磁結合モジュール1Bの給電回路基板10の詳細な構成を説明する。この給電回路基板10において、図7に等価回路として示すように、給電回路16は互いに磁界結合するインダクタンス素子L1,L2を備え、インダクタンス素子L1はキャパシタンス素子C1a,C1bを介して無線ICチップ5と接続する給電端子19a,19b(図6(A)の入出力端子17a,17aに相当する)に接続され、かつ、インダクタンス素子L1はインダクタンス素子L2とキャパシタンス素子C2a,C2bを介して並列に接続されている。換言すれば、給電回路16は、インダクタンス素子L1とキャパシタンス素子C1a,C1bとからなるLC直列共振回路と、インダクタンス素子L2とキャパシタンス素子C2a,C2bとからなるLC直列共振回路を含んで構成されており、各共振回路は図7のMで示される相互インダクタンスによって結合されている。そして、インダクタンス素子L1,L2の双方が前記放射板51と磁気的に結合している。
(Refer to the first example of the power supply circuit board, FIGS. 7 to 10)
Here, a detailed configuration of the power supply circuit board 10 of the electromagnetic coupling module 1B that operates with a high-frequency signal in the 900 MHz band will be described. In the feeder circuit board 10, as shown as an equivalent circuit in FIG. 7, the feeder circuit 16 includes inductance elements L1 and L2 that are magnetically coupled to each other. The inductance element L1 is connected to the wireless IC chip 5 via the capacitance elements C1a and C1b. The power supply terminals 19a and 19b to be connected (corresponding to the input / output terminals 17a and 17a in FIG. 6A) are connected, and the inductance element L1 is connected in parallel via the inductance element L2 and the capacitance elements C2a and C2b. ing. In other words, the power feeding circuit 16 includes an LC series resonance circuit including an inductance element L1 and capacitance elements C1a and C1b, and an LC series resonance circuit including an inductance element L2 and capacitance elements C2a and C2b. Each resonance circuit is coupled by a mutual inductance indicated by M in FIG. Both the inductance elements L1 and L2 are magnetically coupled to the radiation plate 51.
給電回路基板10は、詳しくは、図8に一例として示すように、誘電体からなるセラミックシート41a〜41iを積層、圧着、焼成したものである。即ち、シート41aには給電端子19a,19bとビアホール導体49a,49bが形成され、シート41bにはキャパシタ電極42a,42bが形成され、シート41cにはキャパシタ電極43a,43bとビアホール導体49c,49dが形成され、シート41dにはキャパシタ電極44a,44bとビアホール導体49c,49d,49e,49fが形成されている。   Specifically, as shown in FIG. 8 as an example, the feeder circuit board 10 is obtained by laminating, pressing, and firing ceramic sheets 41a to 41i made of a dielectric. In other words, the power supply terminals 19a and 19b and the via-hole conductors 49a and 49b are formed on the sheet 41a, the capacitor electrodes 42a and 42b are formed on the sheet 41b, and the capacitor electrodes 43a and 43b and the via-hole conductors 49c and 49d are formed on the sheet 41c. The capacitor electrode 44a, 44b and the via-hole conductors 49c, 49d, 49e, 49f are formed on the sheet 41d.
さらに、シート41eには接続用導体パターン45a,45b,45cとビアホール導体49d,49g,49h,49iが形成されている。シート41fには導体パターン46a,47aとビアホール導体49g,49i,49j,49kが形成されている。シート41gには導体パターン46b,47bとビアホール導体49g,49i,49j,49kが形成されている。シート41hには導体パターン46c,47cとビアホール導体49g,49i,49j,49kが形成されている。さらに、シート41iには導体パターン46d,47dが形成されている。   Further, the conductor pattern 45a, 45b, 45c for connection and via hole conductors 49d, 49g, 49h, 49i are formed on the sheet 41e. Conductive patterns 46a and 47a and via-hole conductors 49g, 49i, 49j and 49k are formed on the sheet 41f. Conductive patterns 46b and 47b and via-hole conductors 49g, 49i, 49j and 49k are formed on the sheet 41g. Conductive patterns 46c and 47c and via-hole conductors 49g, 49i, 49j and 49k are formed on the sheet 41h. Furthermore, conductor patterns 46d and 47d are formed on the sheet 41i.
以上のシート41a〜41iを積層することにより、導体パターン46a〜46dがビアホール導体49jを介して接続されてインダクタンス素子L1が形成され、導体パターン47a〜47dがビアホール導体49kを介して接続されてインダクタンス素子L2が形成される。キャパシタンス素子C1aは電極42a,43aで構成され、キャパシタンス素子C1bは電極42b,43bで構成される。また、キャパシタンス素子C2aは電極43a,44aで構成され、キャパシタンス素子C2bは電極43b,44bで構成される。   By laminating the above sheets 41a to 41i, the conductor patterns 46a to 46d are connected via the via-hole conductor 49j to form the inductance element L1, and the conductor patterns 47a to 47d are connected via the via-hole conductor 49k to generate an inductance. Element L2 is formed. The capacitance element C1a is composed of electrodes 42a and 43a, and the capacitance element C1b is composed of electrodes 42b and 43b. The capacitance element C2a is composed of electrodes 43a and 44a, and the capacitance element C2b is composed of electrodes 43b and 44b.
そして、インダクタンス素子L1はその一端がビアホール導体49g、接続用導体パターン45c、ビアホール導体49cを介してキャパシタ電極43aに接続され、その他端がビアホール導体49dを介してキャパシタ電極43bに接続される。インダクタンス素子L2はその一端がビアホール導体49i、接続用導体パターン45a、ビアホール導体49eを介してキャパシタ電極44aに接続され、その他端がビアホール導体49h、接続用導体パターン45b、ビアホール導体49fを介してキャパシタ電極44bに接続される。   One end of the inductance element L1 is connected to the capacitor electrode 43a via the via-hole conductor 49g, the connecting conductor pattern 45c, and the via-hole conductor 49c, and the other end is connected to the capacitor electrode 43b via the via-hole conductor 49d. One end of the inductance element L2 is connected to the capacitor electrode 44a via the via-hole conductor 49i, the connecting conductor pattern 45a, and the via-hole conductor 49e, and the other end is connected to the capacitor via the via-hole conductor 49h, the connecting conductor pattern 45b, and the via-hole conductor 49f. Connected to the electrode 44b.
また、給電端子19aはビアホール導体49aを介してキャパシタ電極42aと接続され、給電端子19bはビアホール導体49bを介してキャパシタ電極42bと接続される。   The power supply terminal 19a is connected to the capacitor electrode 42a via the via-hole conductor 49a, and the power supply terminal 19b is connected to the capacitor electrode 42b via the via-hole conductor 49b.
以上の構成からなる給電回路基板10においては、互いに磁気的に結合しているインダクタンス素子L1,L2を含むLC直列共振回路が共振し、インダクタンス素子L1,L2が放射素子として機能する。また、インダクタンス素子L2がキャパシタンス素子C2a,C2bを介してインダクタンス素子L1に電磁的に結合することで、給電端子19a,19bに接続される無線ICチップ5のインピーダンス(通常50Ω)と空間のインピーダンス(377Ω)とのマッチング回路として機能する。   In the power supply circuit board 10 having the above configuration, the LC series resonance circuit including the inductance elements L1 and L2 magnetically coupled to each other resonates, and the inductance elements L1 and L2 function as radiation elements. In addition, the inductance element L2 is electromagnetically coupled to the inductance element L1 via the capacitance elements C2a and C2b, so that the impedance (usually 50Ω) of the wireless IC chip 5 connected to the power supply terminals 19a and 19b and the spatial impedance ( 377Ω) as a matching circuit.
隣接するインダクタンス素子L1,L2の結合係数kは、k2=M2/(L1×L2)で表され、0.1以上が好ましく、この給電回路16においては、約0.8975である。また、キャパシタンス素子C1a,C1b,C2a,C2bとインダクタンス素子L1,L2とからなるLC共振回路を集中定数型共振回路として構成しているため、積層タイプとして小型化することができる。さらに、給電端子19a,19bには、キャパシタンス素子C1a,C1bが介在されているため、低周波数のサージをカットすることができ、無線ICチップ5をサージから保護することができる。 The coupling coefficient k of the adjacent inductance elements L1 and L2 is represented by k 2 = M 2 / (L1 × L2), and is preferably 0.1 or more. In the power feeding circuit 16, it is about 0.8975. Further, since the LC resonance circuit composed of the capacitance elements C1a, C1b, C2a, C2b and the inductance elements L1, L2 is configured as a lumped constant type resonance circuit, it can be miniaturized as a stacked type. Furthermore, since the capacitance elements C1a and C1b are interposed in the power supply terminals 19a and 19b, a low-frequency surge can be cut and the wireless IC chip 5 can be protected from the surge.
図7に示した等価回路に基づいて本発明者がシミュレーションした結果、給電回路基板10の給電端子19a−19b間においては、図9に示す反射特性を得ることができた。図9から明らかなように、中心周波数は915MHzであり、850〜970MHzの広帯域で−10dB以上の反射特性が得られた。   As a result of simulation by the present inventor based on the equivalent circuit shown in FIG. 7, the reflection characteristics shown in FIG. 9 can be obtained between the power supply terminals 19 a to 19 b of the power supply circuit board 10. As is clear from FIG. 9, the center frequency is 915 MHz, and a reflection characteristic of −10 dB or more is obtained in a wide band of 850 to 970 MHz.
また、図10に給電回路基板10のX−Y平面での指向性(磁界強度)について示す。X軸、Y軸、Z軸は図8に示す矢印X,Y,Zに対応する。   FIG. 10 shows the directivity (magnetic field strength) in the XY plane of the feeder circuit board 10. The X axis, Y axis, and Z axis correspond to the arrows X, Y, and Z shown in FIG.
以上の構成からなる給電回路基板10を備えた電磁結合モジュール1Bは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号(例えば、900MHz帯)を放射板51で受信し、放射板51と主として磁気的に結合している給電回路16(インダクタンス素子L1とキャパシタンス素子C1a,C1bからなるLC直列共振回路及びインダクタンス素子L2とキャパシタンス素子C2a,C2bからなるLC直列共振回路)を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ICチップ5に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ICチップ5にメモリされている情報を入力信号に反射変調を与え、給電回路16にて所定の周波数に整合した後、給電回路16のインダクタンス素子L1,L2から、磁界結合を介して放射板51に送信信号を伝え、放射板51からリーダライタに送信する。   The electromagnetic coupling module 1B including the power supply circuit board 10 having the above configuration receives a high-frequency signal (for example, 900 MHz band) radiated from a reader / writer (not shown) by the radiation plate 51 and mainly magnetically with the radiation plate 51. Receiving a predetermined frequency band by resonating the coupled feeding circuit 16 (an LC series resonance circuit including an inductance element L1 and capacitance elements C1a and C1b and an LC series resonance circuit including an inductance element L2 and capacitance elements C2a and C2b). Only the signal is supplied to the wireless IC chip 5. On the other hand, after taking out predetermined energy from this received signal, applying information reflected in the radio IC chip 5 with this energy as a driving source, and applying reflection modulation to the input signal, and matching it to a predetermined frequency by the power feeding circuit 16, A transmission signal is transmitted from the inductance elements L1 and L2 of the power feeding circuit 16 to the radiation plate 51 through magnetic field coupling, and is transmitted from the radiation plate 51 to the reader / writer.
特に、本第1例では、反射特性が図9に示すように周波数帯域が広くなる。これは、給電回路16を互いに高い結合度をもって磁気結合するインダクタンス素子L1,L2を含む複数のLC共振回路にて構成したことに起因する。   In particular, in the first example, the reflection characteristic has a wide frequency band as shown in FIG. This is because the power feeding circuit 16 is configured by a plurality of LC resonance circuits including inductance elements L1 and L2 that are magnetically coupled with each other with a high degree of coupling.
また、電磁結合モジュール1Bにおいて、無線ICチップ5は給電回路16を内蔵した給電回路基板10上に直接的に接続されており、給電回路基板10はリジッドであるため、無線ICチップ5を極めて精度よく位置決めして給電回路基板10上に搭載することが可能である。しかも、給電回路基板10はセラミック材料からなり、耐熱性を有するため、無線ICチップ5を給電回路基板10に半田付けすることができる。つまり、超音波接合法を用いないため、安価に実装でき、かつ、超音波接合時に加わる圧力で無線ICチップ5が破損するおそれはなく、半田リフローによるセルフアライメント作用を利用することもできる。   In the electromagnetic coupling module 1B, the wireless IC chip 5 is directly connected to the power supply circuit board 10 including the power supply circuit 16, and the power supply circuit board 10 is rigid. It can be well positioned and mounted on the feeder circuit board 10. In addition, since the power supply circuit board 10 is made of a ceramic material and has heat resistance, the wireless IC chip 5 can be soldered to the power supply circuit board 10. That is, since the ultrasonic bonding method is not used, the wireless IC chip 5 can be mounted at low cost, and there is no possibility that the wireless IC chip 5 is damaged by the pressure applied during the ultrasonic bonding, and the self-alignment action by solder reflow can be used.
また、給電回路16においては、インダクタンス素子L1,L2とキャパシタンス素子C1a,C1b,C2a,C2bで構成された共振回路にて共振周波数特性が決定される。放射板51から放射される信号の共振周波数は、給電回路16の自己共振周波数に実質的に相当し、信号の最大利得は、給電回路16のサイズ、形状、給電回路16と放射板51との距離及び媒質の少なくともいずれか一つで実質的に決定される。即ち、給電回路基板10において、放射板51から放射される信号の周波数は、共振回路(給電回路16)の共振周波数によって実質的に決まるので、周波数特性に関しては、放射板51の電気長などに実質的に依存しない。   In the power feeding circuit 16, the resonance frequency characteristic is determined by a resonance circuit including inductance elements L1 and L2 and capacitance elements C1a, C1b, C2a, and C2b. The resonance frequency of the signal radiated from the radiation plate 51 substantially corresponds to the self-resonance frequency of the power feeding circuit 16, and the maximum gain of the signal depends on the size and shape of the power feeding circuit 16, and between the power feeding circuit 16 and the radiation plate 51. It is substantially determined by at least one of the distance and the medium. That is, in the power supply circuit board 10, the frequency of the signal radiated from the radiation plate 51 is substantially determined by the resonance frequency of the resonance circuit (feed circuit 16). Virtually independent.
なお、共振回路は無線ICチップ5のインピーダンスと放射板51のインピーダンスを整合させるためのマッチング回路を兼ねていてもよい。あるいは、給電回路基板10は、インダクタンス素子やキャパシタンス素子で構成された、共振回路とは別に設けられたマッチング回路をさらに備えていてもよい。共振回路にマッチング回路の機能をも付加しようとすると、共振回路の設計が複雑になる傾向がある。共振回路とは別にマッチング回路を設ければ、共振回路、マッチング回路をそれぞれ独立して設計できる。   The resonant circuit may also serve as a matching circuit for matching the impedance of the wireless IC chip 5 and the impedance of the radiation plate 51. Alternatively, the power feeding circuit board 10 may further include a matching circuit that is configured by an inductance element and a capacitance element and is provided separately from the resonance circuit. If an attempt is made to add a function of a matching circuit to the resonance circuit, the design of the resonance circuit tends to be complicated. If a matching circuit is provided separately from the resonance circuit, the resonance circuit and the matching circuit can be designed independently.
(給電回路基板の第2例、図11及び図12参照)
次に、13.5MHz帯の高周波信号で動作する電磁結合モジュール1Aの給電回路基板10の詳細な構成を説明する。この給電回路基板10において、図11に等価回路として示すように、給電回路16は互いに磁界結合(符号Mで示す)するインダクタンス素子L1,L2を備え、インダクタンス素子L1は一端がキャパシタンス素子C1及び接続用電極131aを介して無線ICチップ5と接続されるとともに、キャパシタンス素子C2を介してインダクタンス素子L2の一端と接続されている。また、インダクタンス素子L1,L2の他端はそれぞれ接続用電極131bを介して無線ICチップ5と接続されている。換言すれば、給電回路16は、インダクタンス素子L1とキャパシタンス素子C1とからなるLC直列共振回路と、インダクタンス素子L2とキャパシタンス素子C2とからなるLC直列共振回路を含んで構成されており、インダクタンス素子L1,L2の双方が前記放射板51と磁気的に結合している。
(Refer to the second example of the power supply circuit board, FIG. 11 and FIG. 12)
Next, a detailed configuration of the power supply circuit board 10 of the electromagnetic coupling module 1A that operates with a high frequency signal in the 13.5 MHz band will be described. In the power supply circuit board 10, as shown as an equivalent circuit in FIG. 11, the power supply circuit 16 includes inductance elements L1 and L2 that are magnetically coupled to each other (indicated by a symbol M), and one end of the inductance element L1 is connected to the capacitance element C1. It is connected to the wireless IC chip 5 via the electrode 131a, and is connected to one end of the inductance element L2 via the capacitance element C2. The other ends of the inductance elements L1 and L2 are connected to the wireless IC chip 5 via connection electrodes 131b, respectively. In other words, the power feeding circuit 16 includes an LC series resonance circuit composed of an inductance element L1 and a capacitance element C1, and an LC series resonance circuit composed of an inductance element L2 and a capacitance element C2, and the inductance element L1. , L2 are magnetically coupled to the radiation plate 51.
給電回路基板10は、詳しくは、図12に一例として示すように、誘電体からなるセラミックシート141a〜141eを積層、圧着、焼成したものである。即ち、接続用電極131aはビアホール導体132aを介してキャパシタ電極133と接続され、キャパシタ電極133はキャパシタ電極134と対向してキャパシタンス素子C1を形成している。さらに、キャパシタ電極134はキャパシタ電極135と対向してキャパシタンス素子C2を形成している。接続用電極131bはビアホール導体132bを介して二股状に分岐した導体パターン136a,137aと接続され、導体パターン136aはビアホール導体132cを介して導体パターン136bと接続され、さらに、ビアホール導体132dを介して導体パターン136cと接続され、さらに、ビアホール導体132eを介して導体パターン136dと接続され、この導体パターン136dはビアホール導体132fを介してキャパシタ電極134と接続されている。   Specifically, as shown in FIG. 12 as an example, the power supply circuit board 10 is obtained by laminating, pressing, and firing ceramic sheets 141a to 141e made of a dielectric. That is, the connection electrode 131a is connected to the capacitor electrode 133 through the via-hole conductor 132a, and the capacitor electrode 133 is opposed to the capacitor electrode 134 to form a capacitance element C1. Further, the capacitor electrode 134 is opposed to the capacitor electrode 135 to form a capacitance element C2. The connection electrode 131b is connected to the conductor patterns 136a and 137a branched in a bifurcated manner via the via-hole conductor 132b, the conductor pattern 136a is connected to the conductor pattern 136b via the via-hole conductor 132c, and further via the via-hole conductor 132d. The conductor pattern 136c is connected to the conductor pattern 136d through a via-hole conductor 132e. The conductor pattern 136d is connected to the capacitor electrode 134 through a via-hole conductor 132f.
一方、導体パターン137aはビアホール導体132gを介して導体パターン137bと接続され、さらに、ビアホール導体132hを介して導体パターン137cと接続され、さらに、ビアホール導体132iを介してキャパシタ電極135と接続されている。導体パターン136a,136b,136cはインダクタンス素子L1を構成し、導体パターン137a,137b,137cはインダクタンス素子L2を構成している。   On the other hand, the conductor pattern 137a is connected to the conductor pattern 137b via the via-hole conductor 132g, further connected to the conductor pattern 137c via the via-hole conductor 132h, and further connected to the capacitor electrode 135 via the via-hole conductor 132i. . The conductor patterns 136a, 136b, and 136c constitute an inductance element L1, and the conductor patterns 137a, 137b, and 137c constitute an inductance element L2.
なお、図12において、簡略化のため、インダクタンス素子L1,L2を構成する導体パターン136a〜136c、137a〜137cは3層構成として図示しているが、実際にはそれ以上の多層にて構成されている。   In FIG. 12, the conductor patterns 136a to 136c and 137a to 137c constituting the inductance elements L1 and L2 are illustrated as a three-layer structure for simplification, but actually, the conductor patterns 136a to 136c and 137a to 137c are configured with more layers. ing.
以上の構成からなる給電回路基板10の作用効果は、基本的に前記第1例と同様である。そして、この無線ICデバイス1Aは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号(例えば、13.5MHz帯)を放射板51で受信し、放射板51と主として磁気的に結合している給電回路16(インダクタンス素子L1とキャパシタンス素子C1からなるLC直列共振回路及びインダクタンス素子L2とキャパシタンス素子C2からなるLC直列共振回路)を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ICチップ5に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ICチップ5にメモリされている情報を入力信号に反射変調を与え、給電回路16にて所定の周波数に整合させた後、給電回路16のインダクタンス素子L1,L2から、磁界結合を介して放射板51に送信信号を伝え、放射板51からリーダライタに送信する。   The operational effects of the feeder circuit board 10 having the above configuration are basically the same as those in the first example. The wireless IC device 1A receives a high-frequency signal (for example, 13.5 MHz band) radiated from a reader / writer (not shown) by the radiation plate 51 and is mainly magnetically coupled to the radiation plate 51. (LC series resonance circuit consisting of inductance element L1 and capacitance element C1 and LC series resonance circuit consisting of inductance element L2 and capacitance element C2) are resonated, and only a received signal in a predetermined frequency band is supplied to the wireless IC chip 5. On the other hand, a predetermined energy is extracted from the received signal, information stored in the wireless IC chip 5 is subjected to reflection modulation on the input signal using this energy as a driving source, and matched to a predetermined frequency by the power feeding circuit 16. The transmission signal is transmitted from the inductance elements L1 and L2 of the power feeding circuit 16 to the radiation plate 51 through magnetic field coupling, and transmitted from the radiation plate 51 to the reader / writer.
特に、本第2例では、キャパシタ電極133,134,135及びインダクタ導体パターン136a〜136c,137a〜137cは放射板51に対して平行に隣接配置されている。それゆえ、インダクタ導体パターン136a〜136c,137a〜137cによって形成される磁界がキャパシタ電極133,134,135によって遮られることがなく、インダクタ導体パターン136a〜136c,137a〜137cからの放射特性が向上する。   In particular, in the second example, the capacitor electrodes 133, 134, 135 and the inductor conductor patterns 136 a to 136 c and 137 a to 137 c are arranged adjacent to each other in parallel to the radiation plate 51. Therefore, the magnetic field formed by the inductor conductor patterns 136a to 136c and 137a to 137c is not blocked by the capacitor electrodes 133, 134, and 135, and the radiation characteristics from the inductor conductor patterns 136a to 136c and 137a to 137c are improved. .
(他の実施例)
なお、本発明に係る無線ICデバイスは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
(Other examples)
The wireless IC device according to the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist thereof.
例えば、給電回路を構成する共振回路は、LC直列共振回路、LC並列共振回路など種々の回路構成を採用することができ、集中定数型であっても分布定数型であってもよい。また、一つの放射板と結合される電磁結合モジュールは3以上であってもよい。さらに、無線ICチップに格納する情報やリーダライタを使用してその情報を利用する形態は任意である。   For example, various circuit configurations such as an LC series resonance circuit and an LC parallel resonance circuit can be adopted as the resonance circuit constituting the power supply circuit, and may be a lumped constant type or a distributed constant type. Further, the number of electromagnetic coupling modules coupled to one radiation plate may be three or more. Furthermore, the information stored in the wireless IC chip and the form using the information using a reader / writer are arbitrary.
本発明に係る無線ICデバイスの第1実施例を示す平面図である。1 is a plan view showing a first embodiment of a wireless IC device according to the present invention. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 第1実施例の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of 1st Example. 本発明に係る無線ICデバイスの第2実施例を示す平面図である。It is a top view which shows 2nd Example of the radio | wireless IC device which concerns on this invention. 図4のB−B断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 無線ICチップと給電回路基板との接続状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the connection state of a radio | wireless IC chip and a electric power feeding circuit board. 給電回路基板の第1例を示す等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating a first example of a feeder circuit board. 前記第1例である給電回路基板を分解して示す平面図である。It is a top view which decomposes | disassembles and shows the electric power feeding circuit board which is the said 1st example. 前記第1例を備えた電磁結合モジュールの反射特性を示すグラフである。It is a graph which shows the reflective characteristic of the electromagnetic coupling module provided with the said 1st example. 前記第1例を備えた電磁結合モジュールの指向性を示すX−Y平面のチャート図である。It is a chart figure of the XY plane which shows the directivity of the electromagnetic coupling module provided with the said 1st example. 給電回路基板の第2例を示す等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram illustrating a second example of a power feeding circuit board. 前記第2例である給電回路基板を分解して示す斜視図である。It is a perspective view which decomposes | disassembles and shows the electric power feeding circuit board which is the said 2nd example.
符号の説明Explanation of symbols
1A,1B…電磁結合モジュール
5…無線ICチップ
10…給電回路基板
16…給電回路
L1,L2…インダクタンス素子
C1a,C1b,C2a,C2b,C1,C2…キャパシタンス素子
51…放射板
51a…非磁性体層
51b…磁性体層
52…空隙
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1A, 1B ... Electromagnetic coupling module 5 ... Wireless IC chip 10 ... Feeding circuit board 16 ... Feeding circuit L1, L2 ... Inductance element C1a, C1b, C2a, C2b, C1, C2 ... Capacitance element 51 ... Radiation plate 51a ... Nonmagnetic material Layer 51b ... Magnetic layer 52 ... Air gap

Claims (10)

  1. 複数の電磁結合モジュールと、該複数の電磁結合モジュールが搭載されている放射板と、を備え、
    前記電磁結合モジュールは、無線ICチップと該無線ICチップに接続され、所定の共振周波数を有する共振回路を含む給電回路を有する給電回路基板とで構成されており
    前記各給電回路基板に設けたそれぞれの共振回路は、共振周波数が互いに異なっていること、
    を特徴とする無線ICデバイス。
    A plurality of electromagnetic coupling modules; and a radiation plate on which the plurality of electromagnetic coupling modules are mounted.
    The electromagnetic coupling module is connected to the wireless IC chip and the wireless IC chip, which is composed of a feed circuit board having a feed circuit including a resonant circuit having a predetermined resonant frequency,
    Resonance circuits provided on the power supply circuit boards have different resonance frequencies,
    A wireless IC device characterized by the above.
  2. 前記放射板が金属材からなることを特徴とする請求項1に記載の無線ICデバイス。   The wireless IC device according to claim 1, wherein the radiation plate is made of a metal material.
  3. 前記放射板が非磁性体層と磁性体層とからなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の無線ICデバイス。   The wireless IC device according to claim 1, wherein the radiation plate includes a nonmagnetic material layer and a magnetic material layer.
  4. 前記非磁性体層は前記電磁結合モジュールを搭載する側に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の無線ICデバイス。   4. The wireless IC device according to claim 3, wherein the non-magnetic layer is disposed on a side on which the electromagnetic coupling module is mounted.
  5. 前記放射板は前記複数の電磁結合モジュールのうち少なくとも一つと接しないように前記電磁結合モジュールの周囲に環状の空隙を有することを特徴とする請求項4に記載の無線ICデバイス。   The wireless IC device according to claim 4, wherein the radiation plate has an annular gap around the electromagnetic coupling module so as not to contact at least one of the plurality of electromagnetic coupling modules.
  6. 前記給電回路基板はインダクタンス素子を含む給電回路を備えていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の無線ICデバイス。   6. The wireless IC device according to claim 1, wherein the power supply circuit board includes a power supply circuit including an inductance element.
  7. 前記給電回路は前記インダクタンス素子を含む複数の共振回路を備えていることを特徴とする請求項6に記載の無線ICデバイス。   The wireless IC device according to claim 6, wherein the power feeding circuit includes a plurality of resonance circuits including the inductance element.
  8. 前記複数の共振回路はインダクタンス素子とキャパシタンス素子とで構成されていることを特徴とする請求項7に記載の無線ICデバイス。   The wireless IC device according to claim 7, wherein the plurality of resonance circuits include an inductance element and a capacitance element.
  9. 前記給電回路基板は複数の非磁性体層又は磁性体層を積層してなる多層基板であり、
    前記キャパシタンス素子と前記インダクタンス素子は前記多層基板の表面及び/又は内部に形成されていること、
    を特徴とする請求項6ないし請求項8のいずれかに記載の無線ICデバイス。
    The feeder circuit board is a multilayer board formed by laminating a plurality of nonmagnetic layers or magnetic layers,
    The capacitance element and the inductance element are formed on a surface and / or inside of the multilayer substrate;
    The wireless IC device according to claim 6, wherein:
  10. 前記共振回路はコイル状電極で形成されたインダクタンス素子を含むことを特徴とする請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の無線ICデバイス。   The wireless IC device according to claim 7, wherein the resonance circuit includes an inductance element formed of a coiled electrode.
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9064198B2 (en) 2006-04-26 2015-06-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electromagnetic-coupling-module-attached article
CN102915462B (en) 2007-07-18 2017-03-01 株式会社村田制作所 Wireless IC device
WO2009081683A1 (en) 2007-12-26 2009-07-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Antenna apparatus and wireless ic device
JP2009260758A (en) * 2008-04-18 2009-11-05 Murata Mfg Co Ltd Radio ic device
EP2284949B1 (en) 2008-05-21 2016-08-03 Murata Manufacturing Co. Ltd. Wireless ic device
WO2009142068A1 (en) * 2008-05-22 2009-11-26 株式会社村田製作所 Wireless ic device and method for manufacturing the same
EP2290586B1 (en) 2008-05-26 2014-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless ic device system and method for authenticating wireless ic device
EP2306586B1 (en) 2008-07-04 2014-04-02 Murata Manufacturing Co. Ltd. Wireless ic device
WO2010021217A1 (en) 2008-08-19 2010-02-25 株式会社村田製作所 Wireless ic device and method for manufacturing same
JP5429182B2 (en) 2008-10-24 2014-02-26 株式会社村田製作所 Wireless IC device
CN102187518B (en) 2008-11-17 2014-12-10 株式会社村田制作所 Antenna and wireless ic device
WO2010087429A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 株式会社村田製作所 Antenna and wireless ic device
JP5510450B2 (en) 2009-04-14 2014-06-04 株式会社村田製作所 Wireless IC device
CN102916248B (en) 2009-04-21 2015-12-09 株式会社村田制作所 Antenna assembly and resonance frequency establishing method thereof
US9004360B2 (en) 2009-06-10 2015-04-14 Infineon Technologies Ag Contactless communication via a plurality of interfaces
KR101052115B1 (en) 2009-06-10 2011-07-26 엘지이노텍 주식회사 NFC Antenna Using Double Resonance
JP4788850B2 (en) 2009-07-03 2011-10-05 株式会社村田製作所 Antenna module
JP5487818B2 (en) * 2009-09-04 2014-05-14 株式会社村田製作所 Antenna device
JP5201270B2 (en) 2009-09-30 2013-06-05 株式会社村田製作所 Circuit board and manufacturing method thereof
JP5304580B2 (en) 2009-10-02 2013-10-02 株式会社村田製作所 Wireless IC device
JP5522177B2 (en) 2009-10-16 2014-06-18 株式会社村田製作所 Antenna and wireless IC device
WO2011052310A1 (en) 2009-10-27 2011-05-05 株式会社村田製作所 Transmitting/receiving apparatus and wireless tag reader
WO2011055702A1 (en) 2009-11-04 2011-05-12 株式会社村田製作所 Wireless ic tag, reader/writer, and information processing system
CN108063314A (en) 2009-11-04 2018-05-22 株式会社村田制作所 Communication terminal and information processing system
WO2011055703A1 (en) 2009-11-04 2011-05-12 株式会社村田製作所 Communication terminal and information processing system
CN102792520B (en) 2010-03-03 2017-08-25 株式会社村田制作所 Wireless communication module and Wireless Telecom Equipment
CN102668241B (en) 2010-03-24 2015-01-28 株式会社村田制作所 Rfid system
WO2011122163A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 株式会社村田製作所 Antenna and wireless communication device
JP5170156B2 (en) 2010-05-14 2013-03-27 株式会社村田製作所 Wireless IC device
JP5299351B2 (en) 2010-05-14 2013-09-25 株式会社村田製作所 Wireless IC device
JP5630503B2 (en) 2010-07-28 2014-11-26 株式会社村田製作所 Antenna device and communication terminal device
WO2012020748A1 (en) 2010-08-10 2012-02-16 株式会社村田製作所 Printed wire board and wireless communication system
CN103038939B (en) 2010-09-30 2015-11-25 株式会社村田制作所 Wireless IC device
CN105226382B (en) 2010-10-12 2019-06-11 株式会社村田制作所 Antenna assembly and terminal installation
JP5527422B2 (en) 2010-10-21 2014-06-18 株式会社村田製作所 Communication terminal device
WO2012093541A1 (en) 2011-01-05 2012-07-12 株式会社村田製作所 Wireless communication device
CN103299325B (en) 2011-01-14 2016-03-02 株式会社村田制作所 RFID chip package and RFID label tag
CN104899639B (en) 2011-02-28 2018-08-07 株式会社村田制作所 Wireless communication devices
CN103081221B (en) 2011-04-05 2016-06-08 株式会社村田制作所 Wireless communication devices
JP5569648B2 (en) 2011-05-16 2014-08-13 株式会社村田製作所 Wireless IC device
JP5648587B2 (en) * 2011-05-31 2015-01-07 株式会社村田製作所 RFID tag and communication device using the same
KR101338173B1 (en) 2011-07-14 2013-12-06 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Wireless communication device
CN203553354U (en) 2011-09-09 2014-04-16 株式会社村田制作所 Antenna device and wireless device
CN103380432B (en) 2011-12-01 2016-10-19 株式会社村田制作所 Wireless IC device and manufacture method thereof
JP5464307B2 (en) 2012-02-24 2014-04-09 株式会社村田製作所 ANTENNA DEVICE AND WIRELESS COMMUNICATION DEVICE
CN104487985B (en) 2012-04-13 2020-06-26 株式会社村田制作所 Method and device for inspecting RFID tag
KR102152694B1 (en) 2014-04-29 2020-09-07 엘지이노텍 주식회사 Case apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10293828A (en) * 1997-04-18 1998-11-04 Omron Corp Data carrier, coil module, reader-writer, and clothing data acquiring method
JP2002032731A (en) * 2000-07-14 2002-01-31 Sony Corp Non-contact information exchange card
JP2004096168A (en) * 2002-08-29 2004-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Antenna system
JP2004213582A (en) * 2003-01-09 2004-07-29 Mitsubishi Materials Corp Rfid tag, reader/writer and rfid system with tag
JP4541246B2 (en) * 2004-12-24 2010-09-08 トッパン・フォームズ株式会社 Non-contact IC module

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JP2008072243A (en) 2008-03-27

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