JP4759908B2 - Flat display device - Google Patents
Flat display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP4759908B2 JP4759908B2 JP2003272504A JP2003272504A JP4759908B2 JP 4759908 B2 JP4759908 B2 JP 4759908B2 JP 2003272504 A JP2003272504 A JP 2003272504A JP 2003272504 A JP2003272504 A JP 2003272504A JP 4759908 B2 JP4759908 B2 JP 4759908B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- circuit
- transistor
- gate
- reference current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本発明は、フラットディスプレイ装置に関し、例えば絶縁基板上に駆動回路を一体に形成した液晶表示装置に適用することができる。本発明は、PMOS又はNMOSによるソースフォロワ回路により信号線を駆動し、この信号線の駆動に対応するように、一定周期で、信号線の電位を一定の電位に設定することにより、従来に比して構成を簡略化、小型化することができるようにする。 The present invention relates to a flat display device and can be applied to, for example, a liquid crystal display device in which a drive circuit is integrally formed on an insulating substrate. The present invention drives a signal line by a source follower circuit using PMOS or NMOS and sets the potential of the signal line to a constant potential at a constant period so as to correspond to the driving of the signal line. Thus, the configuration can be simplified and miniaturized.
近年、例えばPDA、携帯電話等の携帯端末装置に適用されるフラットディスプレイ装置である液晶表示装置においては、液晶表示パネルを構成する絶縁基板であるガラス基板上に、液晶表示パネルの駆動回路を一体に集積化して構成するものが提供されるようになされている。 In recent years, in a liquid crystal display device which is a flat display device applied to a portable terminal device such as a PDA or a mobile phone, a driving circuit for the liquid crystal display panel is integrated on a glass substrate which is an insulating substrate constituting the liquid crystal display panel. What is integrated and configured is provided.
すなわちこの種の液晶表示装置は、液晶セル、この液晶セルのスイッチング素子であるポリシリコンTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)、保持容量とによる画素をマトリックス状に配置して表示部が形成され、この表示部の周囲に配置した各種の駆動回路により表示部を駆動して各種の画像を表示するようになされている。液晶表示装置においては、特開平7−295521号公報等に開示されているように、プリチャージの処理により、例えば1ライン毎に、各画素の信号線を所定電位に設定して保持容量を充放電した後、各画素の階調を示す階調データによるアナログ信号により各画素を駆動するようになされ、これにより液晶の劣化を有効に回避して所望する画像を表示するようになされている。 That is, in this type of liquid crystal display device, a display unit is formed by arranging pixels by a liquid crystal cell, a polysilicon TFT (Thin Film Transistor) which is a switching element of the liquid crystal cell, and a storage capacitor in a matrix shape. The display unit is driven by various drive circuits arranged around the display unit to display various images. In a liquid crystal display device, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-295521, etc., a precharge process is performed, for example, for each line, the signal line of each pixel is set to a predetermined potential to fill a storage capacitor. After discharging, each pixel is driven by an analog signal based on gradation data indicating the gradation of each pixel, thereby effectively avoiding deterioration of the liquid crystal and displaying a desired image.
液晶表示装置においては、このようなプリチャージの処理を実行しながら、表示部に形成された各画素を垂直駆動回路によるゲート線の駆動によりライン単位で順次選択するようになされ、また各画素の階調を示す階調データを水平駆動回路により順次循環的にサンプリングすることによりライン単位でまとめてディジタルアナログ変換処理し、このディジタルアナログ変換結果により各信号線を駆動してゲート線により選択された画素を駆動するようになされている。 In the liquid crystal display device, the pixels formed in the display unit are sequentially selected in units of lines by driving the gate lines by the vertical driving circuit while performing the precharge process. Gradation data indicating gradation is sequentially sampled cyclically by a horizontal drive circuit to perform digital-to-analog conversion processing in units of lines, and each signal line is driven by this digital-to-analog conversion result and selected by the gate line The pixel is driven.
このようなディジタルアナログ変換結果による信号線の駆動に供するアナログバッファ回路においては、従来、PチャンネルMOS(以下、PMOSと呼ぶ)によるソースフォロワ回路と、NチャンネルMOS(以下、NMOSと呼ぶ)によるソースフォロワ回路とにより構成され、プリチャージの処理に係る極性の設定に対応してPMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路を用いて信号線を駆動するようになされている。 In an analog buffer circuit used for driving a signal line based on such a digital-analog conversion result, a source follower circuit using a P-channel MOS (hereinafter referred to as PMOS) and a source using an N-channel MOS (hereinafter referred to as NMOS) have been conventionally used. The signal line is driven using a PMOS source follower circuit or an NMOS source follower circuit in accordance with the polarity setting related to the precharge processing.
ところでこのように1つのアナログバッファ回路をPMOSによるソースフォロワ回路とNMOSによるソースフォロワ回路とにより構成する場合、基板上の占有面積が大きくなり、その分、液晶表示装置が大型化する問題がある。特に、低温ポリシリコンTFTを用いる場合にあっては、デザインルールが粗いことにより、占有面積が大きくなり、その分、液晶表示装置においては、いわゆる額縁の幅が広くなる問題がある。 By the way, when one analog buffer circuit is composed of a PMOS source follower circuit and an NMOS source follower circuit as described above, the occupied area on the substrate becomes large, and there is a problem that the size of the liquid crystal display device increases accordingly. In particular, in the case of using a low-temperature polysilicon TFT, the occupied area is increased due to the rough design rule, and in the liquid crystal display device, there is a problem that a so-called frame width is increased.
これに対してこのような液晶表示パネルの絶縁基板上に駆動回路を一体に集積化してなる液晶表示装置においては、携帯電話等に使用され、構成の簡略化、小型化が求められるようになされている。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来に比して構成を簡略化、小型化することができるフラットディスプレイ装置を提案しようとするものである。 The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to propose a flat display device capable of simplifying and downsizing the configuration as compared with the conventional one.
かかる課題を解決するため請求項1の発明においては、フラットディスプレイ装置に適用して、アナログ信号による信号線の駆動が、PMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路による信号線の駆動であり、PMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路による信号線の駆動に対応するように、一定周期で、信号線の電位を一定の電位に設定する。
In order to solve such a problem, in the invention of
請求項1の構成により、アナログ信号による信号線の駆動が、PMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路による信号線の駆動であり、PMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路による信号線の駆動に対応するように、一定周期で、信号線の電位を一定の電位に設定すれば、アナログ信号による信号線の駆動においては、この一定の電位を基準にした所定電位との間で実行し得、これにより信号線の駆動に供するアナログバッファ回路の構成を簡略化することができ、その分、従来に比して構成を簡略化、小型化することができる。 According to the configuration of the first aspect, the driving of the signal line by the analog signal is the driving of the signal line by the source follower circuit by PMOS or the source follower circuit by NMOS, and the signal line by the source follower circuit by PMOS or the source follower circuit by NMOS If the signal line potential is set to a constant potential at a constant cycle so as to correspond to the drive, the signal line drive by the analog signal is executed between a predetermined potential based on the constant potential. As a result, the configuration of the analog buffer circuit used for driving the signal line can be simplified, and the configuration can be simplified and miniaturized as compared with the conventional configuration.
本発明によれば、従来に比して構成を簡略化、小型化することができる。 According to the present invention, the configuration can be simplified and miniaturized as compared with the prior art.
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as appropriate.
(1)実施例1の構成
図2は、本発明の実施例1に係る液晶表示装置を示すブロック図である。この液晶表示装置1においては、液晶セル2、この液晶セル2のスイッチング素子であるポリシリコンTFT3、保持容量4とによる画素が形成され、この画素をマトリックス状に配置して表示部6が形成される。液晶表示装置1は、この表示部6を形成する各画素が、信号線LS及びゲート線LGによりそれぞれ水平駆動回路7及び垂直駆動回路8に接続され、垂直駆動回路8により順次画素を選択して水平駆動回路7からの駆動信号により各画素の階調を設定することにより、所望する画像を表示するようになされている。
(1) Configuration of
このため垂直駆動回路8は、図示しないタイミング発生回路から出力されるタイミング信号により各ゲート線LGを駆動することにより、水平駆動回路7における処理に連動して順次ライン単位で画素を選択する。
For this reason, the
水平駆動回路7は、各画素の階調を示す階調データD1を順次循環的に取り込んで各信号線LSの駆動信号を生成する。すなわち水平駆動回路7において、シフトレジスタ9は、階調データD1を順次循環的にサンプリングすることにより、階調データD1をライン単位でまとめ、1ライン分の階調データD1を水平ブランキング期間の所定のタイミングでディジタルアナログ変換回路(DAC)10に出力する。
The
ディジタルアナログ変換回路10は、シフトレジスタ9から出力される階調データD1をそれぞれディジタルアナログ変換処理して出力する。バッファ回路部11は、このディジタルアナログ変換回路10の出力信号により各信号線LSを駆動し、これにより水平駆動回路7においては、階調データD1に応じた階調により表示部6の各画素を駆動して所望の画像を表示できるようになされている。バッファ回路部11は、このようにしてディジタルアナログ変換回路10の出力信号により各信号線LSを駆動し、またこのときいわゆるプリチャージの処理に供するように各信号線LSを駆動する。
The digital-
図3は、水平駆動回路7のディジタルアナログ変換回路10、バッファ回路部11を詳細に示すブロック図である。ディジタルアナログ変換回路10において、基準電圧発生回路15は、例えば所定の生成基準電圧を抵抗分圧することにより、階調データD1による階調に対応する複数の基準電圧V0〜V63を生成して出力する。基準電圧セレクタ16は、それぞれこれら複数の基準電圧V0〜V63を受け、シフトレジスタ9から出力される階調データD1に応じて、何れかの基準電圧を選択出力する。これによりディジタルアナログ変換回路10は、階調データD1に対応する基準電圧の選択により、階調データD1をディジタルアナログ変換処理するようになされている。
FIG. 3 is a block diagram showing in detail the digital-
バッファ回路部11は、タイミング発生回路17から出力される各種タイミング信号により動作する各バッファ回路18により基準電圧セレクタ16の出力信号を処理し、各信号線LSに出力する。なおこの図3において、それぞれ符号R、G、Bは、赤色、緑色、青色の画素に対応する系であることを示すものである。
The
図1は、このバッファ回路18の構成を詳細に示す接続図である。バッファ回路18は、アナログバッファ回路20に基準電圧セレクタ16の出力信号(符号Vinにより示す)が入力され、この入力信号Vinにより対応する信号線LSを駆動する。また水平ブランキング期間の間で、1ライン毎に、図示しないCS駆動回路と共に信号線LSの電位を切り換えてプリチャージの処理を実行する。このためバッファ回路18においては、入力信号Vinによる画素の階調設定に係る処理を実行するアナログバッファ回路20と、プリチャージの処理に係るプリチャージ回路21とにより構成される。なお、以下の説明において、スイッチ回路は、PMOSトランジスタ又はNMOSトランジスタにより構成され、タイミング発生回路17から出力されるタイミング信号の符号を各スイッチ回路等に付して、各スイッチ回路等の制御に係るタイミング信号を示す。
FIG. 1 is a connection diagram showing the configuration of the
すなわちこの液晶表示装置1では、図4に示すように、いわゆるライン反転により表示部6を駆動して、水平ブランキング期間の間でプリチャージの処理を実行し、このため図示しないCS駆動回路により、保持容量4のトランジスタ3が設けられていない側の端子電圧(図2参照、図4においては、符号CSによるこの端子側の配線であるCS線の電位により示す)が水平走査期間毎に、グランドレベルと正側所定電位との間で切り換える(図4(A))。このためアナログバッファ回路20は、出力段に設けられたスイッチ回路22により、このプリチャージの処理を実行する期間(以下プリチャージ期間と呼ぶ)T1の間、信号線LSより切り離される(図4(F)及び(G))。
That is, in the liquid
プリチャージ回路21は、プリチャージ期間T1のほぼ前半の期間の間、それぞれタイミング発生回路17から出力されるタイミング信号PCG1、PCG2により、信号線LSに接続されたスイッチ回路23及び24がそれぞれオン状態及びオフ状態に設定し(図4(B)〜(E))、これによりCS線CSを信号線LSに接続してCS駆動回路によりCS線CSの電位を切り換える(図4(H))。これによりプリチャージ回路21は、信号線LSと保持容量4とに蓄積された電荷を有効に利用してCS線CSの電位を切り換え、その分、全体の消費電力を少なくするようになされている。
In the
また続いてタイミング信号PCG1、PCG2により、スイッチ回路23及び24がそれぞれオフ状態及びオン状態に設定され(図4(B)〜(E))、これにより信号線LSをCS線CSから切り離して、信号線LSの電位をグランドレベルに設定する(図4(H))。これによりこの実施の形態では、グランドレベルと正側所定電位とでCS線CSの電位を切り換え、また信号制御LSについては、このプリチャージの周期でグランドの電位に設定し、これらによりグランドレベルより正側電源側だけで信号線LSを駆動できるようになされ、その分、後述するように、信号線LSの駆動に係るアナログバッファ回路20の構成を簡略化できるようになされている。
Further, subsequently, the timing signals PCG1 and PCG2 set the
アナログバッファ回路20は、NMOSトランジスタQ11によるソースフォロワにより構成され、このNMOSトランジスタQ11のソースに図5(A)に示す定電流回路26が接続される。ここでこの定電流回路26は、タイミング信号xNcnt1をゲートに入力してなるPMOSトランジスタQ13により基準電流源が形成され、このPMOSトランジスタQ13に直列にNMOSトランジスタQ14が接続されて、このNMOSトランジスタQ14にPMOSトランジスタQ13による基準電流が流入するように形成される。
The
またこの定電流回路26は、NMOSトランジスタQ14のゲート−ソース間に、サンプリング用コンデンサC3が設けられ、PMOSトランジスタQ13による基準電流をこのサンプリング用コンデンサC3に流入させるスイッチ回路27が設けられるようになされている。定電流回路26において、このスイッチ回路27は、所定のタイミング信号Ncnt2によりオン動作し、PMOSトランジスタQ13による基準電流をNMOSトランジスタQ14に流している状態の、NMOSトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリング用コンデンサC3にサンプリングするようになされ、またその後、オフ状態に切り換わって、このサンプリング用コンデンサC3にサンプリングしてなるゲート−ソース間電圧Vgsを保持するようになされている。
Further, the constant
この定電流回路26は、スイッチ回路28を介して、NMOSトランジスタQ14のドレインが、バッファ回路を構成するNMOSトランジスタQ11のソースに接続されている。また、定電流回路26は、所定のタイミング信号Ncnt2によりサンプリング用コンデンサC3でNMOSトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリングし、さらにタイミング信号xNcnt1によりPMOSトランジスタQ13から基準電流が出力されなくなった後、スイッチ回路28がオン状態に切り換わるように設定されている。これにより、定電流回路26は、サンプリング用コンデンサC3でサンプリングしたゲート−ソース間電圧Vgsによる電流をトランジスタQ11より流出させるようになされている。
The constant
しかして図6は、この定電流回路26の制御に係るタイミング信号xNcnt1、Nact、Ncnt2と各スイッチ回路27、28、トランジスタQ13の遷移を示すタイムチャートである。この定電流回路26は、初期状態である動作を開始した直後においては、図5(B)に示すように、タイミング信号xNcnt1がHレベルに保持されてトランジスタQ13がオフ状態に保持され(図6(A)及び(B))、またタイミング信号Nact、Ncnt2がそれぞれHレベル、Lレベルに保持され、これによりスイッチ回路27、28がそれぞれオフ状態、オン状態に保持される(図6(C)〜(F))。これにより定電流回路26は、この場合、何らトランジスタQ11から電流を流出させない状態に保持される。
FIG. 6 is a time chart showing the transition of the timing signals xNcnt1, Nact, Ncnt2, the
定電流回路26は、所定のタイミングでこれらタイミング信号xNcnt1、Nact、Ncnt2の論理値が同時に切り換わり、これにより図5(C)に示すように、スイッチ回路27、28がそれぞれオン状態、オフ状態に動作を切り換え、またトランジスタQ13が動作を開始して基準電流の出力を開始する。これにより定電流回路26は、トランジスタQ13による基準電流I1がサンプリング用コンデンサC3を充電すると共に、トランジスタQ14を介して流出する。このサンプリング用コンデンサC3の充電電流においては、充電によりサンプリング用コンデンサC3の両端電圧が上昇するに従って徐々に減少し、トランジスタQ14から基準電流I1を流出させるに必要な、トランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsとなると、サンプリング用コンデンサC3に充電電流が流入しなくなり、この状態ではトランジスタQ13による基準電流I1のその全てがトランジスタQ14に流入することになる。これにより定電流回路26では、基準電流I1をトランジスタQ14に流入させながら、このトランジスタQ14のゲート−ソース間に接続されたサンプリング用コンデンサC3を基準電流I1により充電することにより、トランジスタQ14に基準電流I1を流入させるに必要なトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリング用コンデンサC3に設定するようになされている。
In the constant
定電流回路26は、このようにタイミング信号xNcnt1、Nact、Ncnt2の論理値を切り換えて、トランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリング用コンデンサC3に保持するに十分な期間が経過すると、タイミング信号xNcnt1、Ncnt2が元の論理値に戻り、これにより基準電流I1の供給が停止され、またサンプリング用コンデンサC3及びトランジスタQ14のゲートがトランジスタQ14のドレインから切り離される。また続いてタイミング信号Nactが元の論理値に戻り、トランジスタQ14のドレインがこの定電流回路26の駆動対象であるトランジスタQ11に接続される。これにより定電流回路26は、図5(D)に示すように、サンプリング用コンデンサC3に設定されてなる基準電流I1によるトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsにより、トランジスタQ11から電流を流出させ、定電流回路として機能するようになされている。
The constant
しかして図4について上述したように、この液晶表示装置1においては、水平ブランキング期間に設けられたプリチャージ期間T1よりプリチャージの処理を実行することにより、定電流回路として機能させるに必要な基準電流I1によるトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリング用コンデンサC3に設定する期間T3をこのプリチャージ期間T1に割り当て、このゲート−ソース間電圧Vgsを設定する期間T3と定電流回路として機能する期間T4との繰り返しにより動作するように各タイミング信号xNcnt1、Nact、Ncnt2が供給されるようになされている。
Therefore, as described above with reference to FIG. 4, the liquid
アナログバッファ回路20は(図1)、トランジスタQ11のゲート−ソース間に、それぞれソース側にスイッチ回路31及び32を設けてなるコンデンサC1、C2が設けられる。またトランジスタQ11のゲート、コンデンサC1、C2の各スイッチ回路31、32側にそれぞれスイッチ回路33、34、35が設けられ、これらスイッチ回路33、34、35の他端に基準電圧セレクタ16からの信号Vinが入力されるようになされている。アナログバッファ回路20は、これらスイッチ回路31〜35の切り換えによりトランジスタQ11のばらつきをキャンセルして入力信号Vinにより信号線LSを駆動するようになされている。
In the analog buffer circuit 20 (FIG. 1), capacitors C1 and C2 each including
すなわち図4、図6について上述したプリチャージに係る処理、定電流回路26に係る処理との対比により図7に示すように、バッファ回路18においては、プリチャージ回路21におけるプリチャージ期間T1の開始に対応して(図7(A)、(J)〜(L))、定電流回路26でトランジスタQ13に係るサンプリング処理が開始する(図7(C)〜(E))。アナログバッファ回路20においては、これらの処理が開始されると、全てのスイッチ回路22、31〜35がオフ状態に設定される。
That is, as shown in FIG. 7 in comparison with the processing related to the precharge described above with reference to FIGS. 4 and 6 and the processing related to the constant
またその後、期間T3だけ経過して定電流回路26が定電流回路としての機能を開始すると、図8に示すように、スイッチ回路31、32、33がオン状態に切り換わる。なお図7においては、各スイッチ回路22、31〜35を制御するタイミング信号N1〜N5の立ち上がりにより、オン状態を示す。これによりアナログバッファ回路20では、この状態でのトランジスタQ11のゲート−ソース間電圧VosAをコンデンサC1、C2でサンプリングし、ソースフォロワによる動作する際のオフセットを検出するようになされている。
Thereafter, when the constant
また続いて図9に示すように、スイッチ回路33がオフ状態に切り換えられ、スイッチ回路35がオン状態に切り換えられる。これによりアナログバッファ回路20では、入力で電圧Vinに対して、コンデンサC1にサンプリングされている電圧VosAの分、トランジスタQ11のゲート電圧をオフセットさせた状態にて定電流回路26による電流でトランジスタQ11が動作し、この状態におけるトランジスタQ11のゲート−ソース間電圧VosBをC2でサンプリングする。これによりトランジスタQ11のソース電圧は、Vin+(VosA−VosB)となる。これによりこのアナログバッファ回路20は、コンデンサC1で先に検出したオフセット電圧をキャンセルするようにした状態で、さらにソースフォロワにより動作する際のオフセットをコンデンサC2により検出するようになされている。
Subsequently, as shown in FIG. 9, the
続いてアナログバッファ回路20は、図10に示すように、全てのスイッチ回路22、31〜35がオフ状態となった後、図11に示すように、スイッチ回路22、34がオン状態に設定される。これによりバッファ回路20は、コンデンサC2で検出したオフセット電圧により入力電圧Vinをオフセットしてソースフォロワにより信号線LSを駆動するようになされ、2回のオフセット検出を繰り返したことにより、その分、高い精度により入力電圧Vinに対するオフセット電圧を小さくして信号線LSを駆動し、トランジスタQ11のばらつきによる影響を十分小さなものとするようになされている。
Subsequently, in the
しかして図11による示す状態において、アナログバッファ回路20は、トランジスタQ11より定電流回路26及び信号線LSにソース電流を出力し、このソース電流の出力により保持容量4を充電する。またこの保持容量4の充電によりソース電位が上昇すると、その分、トランジスタQ11からのソース電流出力を徐々に低下させ、ソース電位が入力電位Vinと等しくなると、ソース電流の信号線LSの出力が停止され、ソース電流を定電流回路26にだけ出力するようになされ、これにより入力信号Vinに応じて対応する信号線LSを駆動するようになされている。
Thus, in the state shown in FIG. 11, the
アナログバッファ回路20においては、この図11に示す状態により信号線LSを駆動する期間が、プリチャージ期間T1以降の期間に設定されるようになされている。
(2)実施例1の動作
以上の構成において、この液晶表示装置1では(図2)、描画に係るコントローラ等から各画素の階調を指示する階調データD1がラスタ走査順に入力され、この階調データD1が水平駆動回路7のシフトレジスタ9により順次サンプリングされてライン単位でまとめられ、ディジタルアナログ変換回路10に転送される。階調データD1は、このディジタルアナログ変換回路10において、アナログ信号に変換され、このアナログ信号により表示部6の各信号線LSが駆動される。これにより液晶表示装置1では、垂直駆動回路8によるゲート線LGの制御により順次選択されてなる表示部6の各画素が、水平駆動回路7により駆動されて階調データD1による画像が表示部6に表示される。
In the
(2) Operation of
このようにして表示部6の信号線LSを駆動する水平駆動回路7においては(図3)、基準電圧発生回路15により階調データD1の各階調に対応する基準信号V0〜V63が生成され、基準電圧セレクタ16において、各階調データD1に応じてこの基準信号V0〜V63が選択されることにより、階調データD1がディジタルアナログ変換処理され、このディジタルアナログ変換処理結果がバッファ回路18に入力されて各信号線LSが駆動される。
In the
このバッファ回路18では(図1、図4)、水平ブランキング期間の間で、アナログバッファ回路20が信号線LSより切り離されて、スイッチ回路23の設定により、保持容量4のトランジスタ3とは逆側のCS線CSが信号線LSに接続された状態で、水平走査周期毎に、このCS線CSが正側所定電位又はグランド電位に設定される。またその後、CS線CSが信号線LSから切り離され、スイッチ回路24の設定により、信号線LSがグランド電位に保持される。
In the buffer circuit 18 (FIGS. 1 and 4), the
すなわち所定のタイミングでゲート線LGにより選択された所定のラインにおいては、CS線CS及び信号線LSが接続されて、このラインに係る保持容量4の両端電極がグランドレベルに設定された後、この信号線LSがグランドレベルに設定されて基準電圧セレクタ16から出力されるアナログ信号により駆動されるのに対し、続くラインにおいては、この保持容量4の両端電位が正側所定電位に設定された後、信号線LSがグランドレベルに設定されて基準電圧セレクタ16から出力されるアナログ信号により駆動され、これらによりこの液晶表示装置1では、いわゆるライン反転に係る駆動によるプリチャージの処理が実行され、液晶セル2の劣化が防止される。
That is, in a predetermined line selected by the gate line LG at a predetermined timing, the CS line CS and the signal line LS are connected, and both end electrodes of the
しかしてこのようにCS線CSを信号線LSに接続して、水平走査周期毎に正側所定電位又はグランド電位に交互に設定した後、信号線LSをグランド電位に設定することにより、信号線LSにおいては、NMOSによるソースフォロワ回路によるアナログバッファ回路20の構成に対応した一定の電位に、ライン反転に係る一定周期で設定され、これにより液晶表示装置1では、グランド電位を基準にした片側電源側だけで各画素を駆動するようになされ、その分、アナログバッファ回路20の構成を簡略化するようになされている。すなわちこのように構成すれば、アナログバッファ回路20においては、グランド電位からこの正側所定電位間で信号線LSを駆動すれば足り、NMOSソースフォロワ回路構成により構成して、グランド電位から負側電源側の駆動に係る構成を省略することができる。
Thus, after the CS line CS is connected to the signal line LS in this way and alternately set to the positive side predetermined potential or the ground potential for each horizontal scanning cycle, the signal line LS is set to the ground potential, whereby the signal line In the LS, a fixed potential corresponding to the configuration of the
従って液晶表示装置1では、その分、表示部6の周辺構成を簡略化して狭額縁化することができ、また消費電力を低減することができる。
Therefore, in the liquid
しかしてこのようにしてプリチャージの処理を完了すると、液晶表示装置1では、アナログバッファ回路20により対応する信号線LSが駆動され、階調データD1に対応する階調に対応する画素の階調が設定される。
When the precharge process is completed in this way, in the liquid
この信号線LSの駆動において、アナログバッファ回路20では(図7〜図11)、プリチャージの処理期間の間でオフセットを補正する処理が実行され、この処理によりオフセットを補正して信号線LSが駆動される。すなわちアナログバッファ回路20では(図7及び図8)、始めに、定電流回路26による定電流によりトランジスタQ11を駆動した状態で、スイッチ回路31、32の設定によりトランジスタQ11のゲート−ソース間に並列にコンデンサC1、C2が配置され、この状態でディジタルアナログ変換回路出力VinがトランジスタQ11に供給され、これによりこの駆動に係るトランジスタQ11のゲート−ソース間電圧がコンデンサC1、C2に設定される。
In driving the signal line LS, the analog buffer circuit 20 (FIGS. 7 to 11) performs a process of correcting the offset during the precharge processing period. By this process, the signal line LS is corrected by correcting the offset. Driven. That is, in the analog buffer circuit 20 (FIGS. 7 and 8), first, the transistor Q11 is driven by a constant current from the constant
またスイッチ回路31、33、35の設定により、このようにしてゲート−ソース間電圧を保持してなるコンデンサC2を介して、トランジスタQ11のゲートにディジタルアナログ変換回路出力Vinが供給され、これによりコンデンサC2に保持した電圧によりオフセットをキャンセルした状態によるトランジスタQ11のゲート−ソース間電圧がコンデンサC1に設定される。
Also, by setting the
アナログバッファ回路20では(図10、図11)、プリチャージの処理が完了すると、このようにしてコンデンサC1に保持されてなる電圧によりディジタルアナログ変換回路出力VinがオフセットされてトランジスタQ11のゲートに供給され、これによりトランジスタQ11のばらつきによる影響を十分に抑圧して、各信号線LSを駆動することができるようになされている。 In the analog buffer circuit 20 (FIGS. 10 and 11), when the precharge process is completed, the digital-analog converter circuit output Vin is offset by the voltage thus held in the capacitor C1 and supplied to the gate of the transistor Q11. Thus, each signal line LS can be driven by sufficiently suppressing the influence due to the variation of the transistor Q11.
これらによりこの液晶表示装置1では、NMOSソースフォロワ回路による簡易な構成によりアナログバッファ回路20を構成して、その分、狭額縁化し、また消費電力を少なくするようになされている。
As a result, in the liquid
このようにして信号線LSを駆動するにつき、アナログバッファ回路20の定電流回路26では(図1)、プリチャージの期間であって、かつアナログバッファ回路20における動作開始の期間で、トランジスタQ14のゲート−ソース間に接続されたサンプリング用コンデンサC3と、このトランジスタQ14のゲートとを基準電流源Q13に接続する。定電流回路26は更に、トランジスタQ14を基準電流I1により駆動した際のゲート−ソース間の電圧にサンプリング用コンデンサC3の両端電圧を設定した後、このサンプリング用コンデンサC3及びトランジスタQ14のゲートと基準電流源Q13との接続を遮断すると共に、トランジスタQ14のドレインを駆動対象に接続する。これにより、定電流回路26は、サンプリング用コンデンサC3に設定されたゲート−ソース間の電圧によるトランジスタQ14の電流で駆動対象を駆動する。
When the signal line LS is driven in this way, the constant
これによりこの定電流回路26では、トランジスタQ14の特性がばらついている場合でも、このばらつきの影響を受けることなく、基準電流I1により駆動対象を駆動することができる。実際上、この定電流回路26では、基準電流源のトランジスタQ13のばらつきだけが出力電流に影響を与える。
As a result, in the constant
またばらつきを少なくするために基準電流値を増大させるような設定を回避し得ることにより、その分、全体の消費電力も少なくすることができる。
(3)実施例1の効果
以上の構成によれば、PMOSによるソースフォロワ回路により信号線を駆動し、この信号線の駆動に対応するように、一定周期で、信号線の電位を一定の電位に設定することにより、アナログバッファ回路の構成を簡略化することができ、その分、従来に比して構成を簡略化、小型化することができ、特にいわゆる狭額縁化することができる。
Further, since it is possible to avoid the setting that increases the reference current value in order to reduce the variation, the entire power consumption can be reduced accordingly.
(3) Effect of
図12は、本発明の実施例2に係る液晶表示装置に適用されるアナログバッファ回路の構成を示すブロック図である。このアナログバッファ回路40は、実施例1に係るNMOSソースフォロワ回路によるアナログバッファに代えて、PMOSソースフォロワ回路により構成される。このためこの実施例2に係る液晶表示装置では、実施例1に係る液晶表示装置1におけるグランド電位と正側所定電位との間の切り換えに係るプリチャージの処理に代えて、グランド電位と負側所定電位との間の切り換えに係るプリチャージの処理を実行する。
FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of an analog buffer circuit applied to the liquid crystal display device according to
アナログバッファ回路40においては、NMOSトランジスタに代えてPMOSトランジスタにより構成する点、この構成に対応して正側電源及び負側電源に対する各部の接続が異なる点を除いて、実施例1のアナログバッファ回路20と同一に構成される。また図13に示すように、定電流回路46においても、NMOSトランジスタに代えてPMOSトランジスタが適用され、これに対応して正側電源及び負側電源に対する各部の接続が異なる点を除いて、実施例1の定電流回路26と同一に構成される。
The
なおこのアナログバッファ回路に係るタイムチャートを図7との対比により図14に示す。また図12においては、プリチャージ回路の記載を省略して保持容量等に係る接続を符号Csig等により示す。 A time chart relating to the analog buffer circuit is shown in FIG. 14 in comparison with FIG. In FIG. 12, the description of the precharge circuit is omitted, and the connection relating to the storage capacitor and the like is indicated by reference numerals Csig and the like.
この実施の形態のようにPMOSによるソースフォロワ回路によりアナログバッファ回路を構成する場合でも、実施例1と同一の構成を得ることができる。 Even when the analog buffer circuit is configured by the source follower circuit using PMOS as in this embodiment, the same configuration as that of the first embodiment can be obtained.
図15は、本発明の実施例3に係る液晶表示装置に適用されるアナログディジタル変換回路及びバッファ回路の構成を示すブロック図である。この実施例に係る液晶表示装置においては、基準電圧発生回路15から出力される基準電圧V0〜V63に関してそれぞれ、実施例1又は実施例2について上述したアナログバッファ回路20と同様の構成のアナログバッファ回路57により処理した後、各基準電圧セレクタ16により選択する。なおプリチャージ回路においては、各基準電圧セレクタ16の出力に設けられる。
FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of an analog-digital conversion circuit and a buffer circuit applied to the liquid crystal display device according to
この実施例のように、基準電圧発生回路15で生成される基準電圧をアナログバッファ回路により処理する場合に適用しても、上述の実施例と同様の効果を得ることができる。
Even if the present invention is applied to the case where the reference voltage generated by the reference
なお上述の実施の形態においては、ゲートソース間電圧のサンプリングに係る定電流回路を用いてアナログバッファ回路を構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、従来構成に係るカレントミラー回路構成による定電流回路を用いてアナログバッファ回路を構成する場合等にも広く適用することができる。 In the above-described embodiment, the case where the analog buffer circuit is configured using the constant current circuit related to the sampling of the gate-source voltage has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the current mirror circuit according to the conventional configuration is used. The present invention can be widely applied to a case where an analog buffer circuit is configured using a constant current circuit having a configuration.
なお上述の実施例においては、ライン反転により表示部を駆動する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フィールド反転等により駆動する場合にも広く適用することができる。 In the above-described embodiments, the case where the display unit is driven by line inversion has been described. However, the present invention is not limited to this and can be widely applied to the case of driving by field inversion.
また上述の実施例においては、保持容量をプリチャージする場合について述べたが、本発明はこれに限らず、プリチャージの処理を省略する構成にあっても広く適用することができる。 In the above-described embodiments, the case where the storage capacitor is precharged has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be widely applied to a configuration in which the precharge process is omitted.
また上述の実施例においては、グランド電位を基準にして信号線を駆動する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば負側電位を基準にして負側電位とグランド電位との間の電位で信号線を駆動する場合等、この基準の電位は必要に応じて種々の電位に設定することができる。 In the above-described embodiments, the case where the signal line is driven with reference to the ground potential has been described. However, the present invention is not limited to this, and for example, between the negative potential and the ground potential with reference to the negative potential. The reference potential can be set to various potentials as required, for example, when the signal line is driven with the potential of.
また上述の実施例においては、ガラス基板上に表示部等を作成してなるTFT液晶によるフラットディスプレイ装置に本発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、CGS(Continuous Grain Silicon)液晶等、各種の液晶表示装置、さらにはEL(Electro Luminescence)表示装置等、種々のフラットディスプレイ装置に広く適用することができる。 In the above-described embodiments, the case where the present invention is applied to a flat display device using a TFT liquid crystal in which a display unit or the like is formed on a glass substrate has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the CGS (Continuous Grain) is used. It can be widely applied to various liquid crystal display devices such as (Silicon) liquid crystal, and various flat display devices such as EL (Electro Luminescence) display devices.
本発明は、TFT、CGS等によるアクティブ素子による液晶表示装置、さらにはEL表示装置等の種々のフラットディスプレイ装置に適用することができる。 The present invention can be applied to various flat display devices such as liquid crystal display devices using active elements such as TFT and CGS, and EL display devices.
1……液晶表示装置、2……液晶セル、3、Q11〜Q14C……トランジスタ、4……保持容量、6……表示部、7……水平駆動回路、8……垂直駆動回路、9……シフトレジスタ、10……ディジタルアナログ変換回路、11……バッファ回路部、15……基準電圧発生回路、16……基準電圧セレクタ、17……タイミング発生回路、18……バッファ回路、20、40、57……アナログバッファ回路、21……プリチャージ回路、22、23、24、31〜35……スイッチ回路、26、46……定電流回路、C1〜C3、C3A〜C3C……コンデンサ
DESCRIPTION OF
Claims (2)
表示部の画素をゲート線により順次選択する垂直駆動回路と、
画素の階調を示す階調データを順次サンプリングしてアナログ信号に変換し、表示部の信号線をアナログ信号により駆動することにより、ゲート線により選択された画素を駆動する水平駆動回路とを一体に基板上に形成して成るフラットディスプレイ装置であって、
水平駆動回路は、MOS型FETから成るソースフォロワ回路、及び、定電流回路を具備したバッファ回路、並びに、信号線に接続されたプリチャージ部を有し、
ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのドレインは交流的に接地されており、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのゲートに供給されたアナログ信号に基づきソースにアナログ信号が出力され、
定電流回路は、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースに接続され、MOS型FETの動作電流を設定し、
プリチャージ期間以降の期間に、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースから出力されたアナログ信号に対応するように信号線が駆動され、
プリチャージ部は、プリチャージ処理を行うための一定周期毎に、予め決められたプリチャージ期間に、信号線の電位を、プリチャージ用の電位に設定した後に基準の電位に設定し、
定電流回路は、
基準電流を出力する基準電流源と、プリチャージ期間の前半に基準電流源から出力された基準電流に基づく電圧をサンプリングするサンプリング用コンデンサと、プリチャージ期間の後半において基準電流源から基準電流が出力されなくなった後に、サンプリング用コンデンサにサンプリングした電圧に基づく電流をソースフォロワ回路を構成するMOS型FETの動作電流として設定するトランジスタとを有し、
サンプリング用コンデンサはトランジスタのゲート−ソース間に接続されており、
トランジスタのドレインは基準電流源と接続されており、
プリチャージの期間であって、かつバッファ回路における動作開始の期間で、サンプリング用コンデンサとトランジスタのゲートとを基準電流源に接続し、
トランジスタを基準電流源からの基準電流により駆動した際のゲート−ソース間の電圧にサンプリング用コンデンサの両端電圧を設定した後、サンプリング用コンデンサ及びトランジスタのゲートと基準電流源との接続を遮断すると共に、トランジスタのドレインを駆動対象に接続することにより、サンプリング用コンデンサに設定されたゲート−ソース間の電圧によるトランジスタの電流でMOS型FETを駆動するフラットディスプレイ装置。 A display unit in which pixels are arranged in a matrix;
A vertical driving circuit for sequentially selecting pixels of the display portion by gate lines;
Gradation data indicating pixel gradation is sequentially sampled and converted into an analog signal, and the signal line of the display unit is driven by the analog signal, thereby integrating the horizontal drive circuit that drives the pixel selected by the gate line. A flat display device formed on a substrate,
The horizontal drive circuit has a source follower circuit made of a MOS FET, a buffer circuit having a constant current circuit, and a precharge unit connected to the signal line,
The drain of the MOS FET constituting the source follower circuit is grounded in an alternating manner, and an analog signal is output to the source based on the analog signal supplied to the gate of the MOS FET constituting the source follower circuit.
The constant current circuit is connected to the source of the MOS type FET constituting the source follower circuit, and sets the operating current of the MOS type FET.
In the period after the precharge period, the signal line is driven so as to correspond to the analog signal output from the source of the MOS type FET constituting the source follower circuit,
The precharge unit sets the potential of the signal line to a reference potential after setting the potential of the signal line to a precharge potential in a predetermined precharge period for every predetermined period for performing the precharge process,
Constant current circuit
A reference current source that outputs a reference current, a sampling capacitor that samples a voltage based on the reference current output from the reference current source in the first half of the precharge period, and a reference current that is output from the reference current source in the second half of the precharge period A transistor that sets a current based on the voltage sampled in the sampling capacitor as the operating current of the MOS type FET that constitutes the source follower circuit,
The sampling capacitor gate of the transistor - which is connected between the source,
The drain of the transistor is connected to a reference current source,
In the precharge period and the operation start period in the buffer circuit, the sampling capacitor and the gate of the transistor are connected to the reference current source,
After setting the voltage across the sampling capacitor to the voltage between the gate and the source when the transistor is driven by the reference current from the reference current source, the connection between the sampling capacitor and the gate of the transistor and the reference current source is cut off. A flat display device for driving a MOS FET by a transistor current by a gate-source voltage set in a sampling capacitor by connecting the drain of the transistor to a driving target.
表示部の画素をゲート線により順次選択する垂直駆動回路と、
画素の階調を示す階調データを順次サンプリングしてアナログ信号に変換し、表示部の信号線をアナログ信号により駆動することにより、ゲート線により選択された画素を駆動する水平駆動回路とを一体に基板上に形成して成るフラットディスプレイ装置であって、
水平駆動回路は、MOS型FETから成るソースフォロワ回路、及び、定電流回路を具備したバッファ回路、並びに、信号線に接続されたプリチャージ部を有し、
ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのドレインは交流的に接地されており、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのゲートに供給されたアナログ信号に基づきソースにアナログ信号が出力され、
定電流回路は、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースに接続され、MOS型FETの動作電流を設定し、
プリチャージ期間以降の期間に、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースから出力されたアナログ信号に対応するように信号線が駆動され、
プリチャージ部は、プリチャージ処理を行うための一定周期毎に、予め決められたプリチャージ期間に、信号線の電位を、プリチャージ用の電位に設定した後に基準の電位に設定し、
定電流回路は、
基準電流を生成する基準電流源と、ゲートが基準電流源の出力側と接続され、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETの動作電流をドレインからの電流で設定する電流供給用のMOS型FETと、電流供給用のMOS型FETのゲートとソースとの間に接続されたサンプリング用コンデンサと、サンプリング用コンデンサ及び電流供給用のMOS型FETのゲートの接続点と基準電流源の出力側との間に設けられた第1のスイッチと、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースと電流供給用のMOS型FETのドレインとの間に設けられた第2のスイッチと、基準電流源による基準電流の出力のタイミング、第1のスイッチのオン/オフのタイミング、第2のスイッチのオン/オフのタイミングを制御する信号を生成するタイミング発生器とを有し、
トランジスタのドレインは基準電流源と接続されており、
プリチャージの期間であって、かつバッファ回路における動作開始の期間で、第1のスイッチをオンして、サンプリング用コンデンサとトランジスタのゲートとを基準電流源に接続し、
トランジスタを基準電流源からの基準電流により駆動した際のゲート−ソース間の電圧にサンプリング用コンデンサの両端電圧を設定した後、第1のスイッチをオフしてサンプリング用コンデンサ及びトランジスタのゲートと基準電流源との接続を遮断すると共に、第2のスイッチをオンしてトランジスタのドレインを駆動対象に接続することにより、サンプリング用コンデンサに設定されたゲート−ソース間の電圧によるトランジスタの電流でMOS型FETを駆動するフラットディスプレイ装置。 A display unit in which pixels are arranged in a matrix;
A vertical driving circuit for sequentially selecting pixels of the display portion by gate lines;
Gradation data indicating pixel gradation is sequentially sampled and converted into an analog signal, and the signal line of the display unit is driven by the analog signal, thereby integrating the horizontal drive circuit that drives the pixel selected by the gate line. A flat display device formed on a substrate,
The horizontal drive circuit has a source follower circuit made of a MOS FET, a buffer circuit having a constant current circuit, and a precharge unit connected to the signal line,
The drain of the MOS FET constituting the source follower circuit is grounded in an alternating manner, and an analog signal is output to the source based on the analog signal supplied to the gate of the MOS FET constituting the source follower circuit.
The constant current circuit is connected to the source of the MOS type FET constituting the source follower circuit, and sets the operating current of the MOS type FET.
In the period after the precharge period, the signal line is driven so as to correspond to the analog signal output from the source of the MOS type FET constituting the source follower circuit,
The precharge unit sets the potential of the signal line to a reference potential after setting the potential of the signal line to a precharge potential in a predetermined precharge period for every predetermined period for performing the precharge process,
Constant current circuit
A reference current source for generating a reference current; a MOS FET for current supply in which the gate is connected to the output side of the reference current source, and the operating current of the MOS FET constituting the source follower circuit is set by the current from the drain; A sampling capacitor connected between the gate and source of the current supply MOS FET, and between the connection point of the sampling capacitor and the gate of the current supply MOS FET and the output side of the reference current source A first switch provided between the source of the MOS FET constituting the source follower circuit and the drain of the current supply MOS FET, and a reference current by the reference current source Generating a signal for controlling the output timing of the first switch, the on / off timing of the first switch, and the on / off timing of the second switch And a timing generator,
The drain of the transistor is connected to a reference current source,
In the precharge period and the operation start period in the buffer circuit, the first switch is turned on, the sampling capacitor and the gate of the transistor are connected to the reference current source,
After setting the voltage across the sampling capacitor to the voltage between the gate and the source when the transistor is driven by the reference current from the reference current source, the first switch is turned off and the sampling capacitor and the gate of the transistor and the reference current By disconnecting the connection with the source and turning on the second switch to connect the drain of the transistor to the drive target, the transistor current is determined by the voltage between the gate and the source set in the sampling capacitor. Flat display device that drives
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003272504A JP4759908B2 (en) | 2003-07-09 | 2003-07-09 | Flat display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003272504A JP4759908B2 (en) | 2003-07-09 | 2003-07-09 | Flat display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005031522A JP2005031522A (en) | 2005-02-03 |
JP4759908B2 true JP4759908B2 (en) | 2011-08-31 |
Family
ID=34210042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003272504A Expired - Fee Related JP4759908B2 (en) | 2003-07-09 | 2003-07-09 | Flat display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4759908B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7158065B2 (en) * | 2005-02-04 | 2007-01-02 | Tpo Displays Corp. | Signal driving circuits |
KR100719665B1 (en) | 2006-03-14 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | Data driver and organic light emitting display using the same |
KR100719667B1 (en) * | 2006-04-04 | 2007-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Data driver and organic light emitting display using the same |
KR100719666B1 (en) | 2006-04-04 | 2007-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Data driver and organic light emitting display using the same |
KR100719670B1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Data driver and organic light emitting display using the same |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07294961A (en) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Drive circuit and design method for active matrix type display device |
JP3683604B2 (en) * | 1994-10-19 | 2005-08-17 | 株式会社 日立ディスプレイズ | LCD drive circuit |
JP3613940B2 (en) * | 1997-08-29 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | Source follower circuit, liquid crystal display device, and output circuit of liquid crystal display device |
JPH11119734A (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | Driving circuit for liquid crystal display device and liquid crystal display device |
JP3024618B2 (en) * | 1997-11-19 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | LCD drive circuit |
JP2000194327A (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Toshiba Corp | Display device |
JP3564347B2 (en) * | 1999-02-19 | 2004-09-08 | 株式会社東芝 | Display device driving circuit and liquid crystal display device |
JP3500353B2 (en) * | 2000-08-25 | 2004-02-23 | 財団法人工業技術研究院 | Unity gain buffer |
JP2003195815A (en) * | 2000-11-07 | 2003-07-09 | Sony Corp | Active matrix type display device and active matrix type organic electroluminescence display device |
JP4785271B2 (en) * | 2001-04-27 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device, electronic equipment |
JP4439761B2 (en) * | 2001-05-11 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device, electronic equipment |
JP4202069B2 (en) * | 2001-08-10 | 2008-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device and display device |
JP2003122303A (en) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | El display panel and display device using the same, and its driving method |
-
2003
- 2003-07-09 JP JP2003272504A patent/JP4759908B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005031522A (en) | 2005-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5052659B2 (en) | Semiconductor display device | |
JP3671973B2 (en) | Display driver, display device, and driving method | |
US8009134B2 (en) | Display device | |
US6977635B2 (en) | Image display device | |
JP2005165102A (en) | Display device, driving circuit therefor, and driving method therefor | |
JP2008116556A (en) | Driving method of liquid crystal display apparatus and data side driving circuit therefor | |
WO1996016347A1 (en) | Liquid crystal driving device, liquid crystal display device, analog buffer, and liquid crystal driving method | |
US6963325B2 (en) | Display driving apparatus with compensating current and liquid crystal display apparatus using the same | |
WO2010150562A1 (en) | Liquid crystal display device and method for driving same | |
JP5415039B2 (en) | Boosting circuit, driver, display device, and boosting method | |
JP2006343563A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2006279452A (en) | Sample holding circuit and semiconductor device | |
KR20020061471A (en) | Image display apparatus and driving method thereof | |
JP4235900B2 (en) | Flat display device | |
JP2013003223A (en) | Liquid crystal display device and method for driving same | |
JP4759908B2 (en) | Flat display device | |
US20080122777A1 (en) | Source driving device | |
JP2005031501A (en) | Flat display device and integrated circuit | |
TWI380271B (en) | Driving circuit and related method of a display apparatus | |
JP4147480B2 (en) | Data transfer circuit and flat display device | |
JP3691034B2 (en) | Signal output device and liquid crystal display device using the same | |
JP2013101285A (en) | Liquid crystal display device | |
JP3968925B2 (en) | Display drive device | |
JP4830367B2 (en) | Driving method of gradation expression device | |
JP4218616B2 (en) | Display device, control circuit thereof, drive circuit, and drive method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090326 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090326 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110523 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4759908 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |