JP4759908B2 - Flat display device - Google Patents

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本発明は、フラットディスプレイ装置に関し、例えば絶縁基板上に駆動回路を一体に形成した液晶表示装置に適用することができる。本発明は、PMOS又はNMOSによるソースフォロワ回路により信号線を駆動し、この信号線の駆動に対応するように、一定周期で、信号線の電位を一定の電位に設定することにより、従来に比して構成を簡略化、小型化することができるようにする。   The present invention relates to a flat display device and can be applied to, for example, a liquid crystal display device in which a drive circuit is integrally formed on an insulating substrate. The present invention drives a signal line by a source follower circuit using PMOS or NMOS and sets the potential of the signal line to a constant potential at a constant period so as to correspond to the driving of the signal line. Thus, the configuration can be simplified and miniaturized.

近年、例えばPDA、携帯電話等の携帯端末装置に適用されるフラットディスプレイ装置である液晶表示装置においては、液晶表示パネルを構成する絶縁基板であるガラス基板上に、液晶表示パネルの駆動回路を一体に集積化して構成するものが提供されるようになされている。   In recent years, in a liquid crystal display device which is a flat display device applied to a portable terminal device such as a PDA or a mobile phone, a driving circuit for the liquid crystal display panel is integrated on a glass substrate which is an insulating substrate constituting the liquid crystal display panel. What is integrated and configured is provided.

すなわちこの種の液晶表示装置は、液晶セル、この液晶セルのスイッチング素子であるポリシリコンTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)、保持容量とによる画素をマトリックス状に配置して表示部が形成され、この表示部の周囲に配置した各種の駆動回路により表示部を駆動して各種の画像を表示するようになされている。液晶表示装置においては、特開平7−295521号公報等に開示されているように、プリチャージの処理により、例えば1ライン毎に、各画素の信号線を所定電位に設定して保持容量を充放電した後、各画素の階調を示す階調データによるアナログ信号により各画素を駆動するようになされ、これにより液晶の劣化を有効に回避して所望する画像を表示するようになされている。   That is, in this type of liquid crystal display device, a display unit is formed by arranging pixels by a liquid crystal cell, a polysilicon TFT (Thin Film Transistor) which is a switching element of the liquid crystal cell, and a storage capacitor in a matrix shape. The display unit is driven by various drive circuits arranged around the display unit to display various images. In a liquid crystal display device, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-295521, etc., a precharge process is performed, for example, for each line, the signal line of each pixel is set to a predetermined potential to fill a storage capacitor. After discharging, each pixel is driven by an analog signal based on gradation data indicating the gradation of each pixel, thereby effectively avoiding deterioration of the liquid crystal and displaying a desired image.

液晶表示装置においては、このようなプリチャージの処理を実行しながら、表示部に形成された各画素を垂直駆動回路によるゲート線の駆動によりライン単位で順次選択するようになされ、また各画素の階調を示す階調データを水平駆動回路により順次循環的にサンプリングすることによりライン単位でまとめてディジタルアナログ変換処理し、このディジタルアナログ変換結果により各信号線を駆動してゲート線により選択された画素を駆動するようになされている。   In the liquid crystal display device, the pixels formed in the display unit are sequentially selected in units of lines by driving the gate lines by the vertical driving circuit while performing the precharge process. Gradation data indicating gradation is sequentially sampled cyclically by a horizontal drive circuit to perform digital-to-analog conversion processing in units of lines, and each signal line is driven by this digital-to-analog conversion result and selected by the gate line The pixel is driven.

このようなディジタルアナログ変換結果による信号線の駆動に供するアナログバッファ回路においては、従来、PチャンネルMOS(以下、PMOSと呼ぶ)によるソースフォロワ回路と、NチャンネルMOS(以下、NMOSと呼ぶ)によるソースフォロワ回路とにより構成され、プリチャージの処理に係る極性の設定に対応してPMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路を用いて信号線を駆動するようになされている。   In an analog buffer circuit used for driving a signal line based on such a digital-analog conversion result, a source follower circuit using a P-channel MOS (hereinafter referred to as PMOS) and a source using an N-channel MOS (hereinafter referred to as NMOS) have been conventionally used. The signal line is driven using a PMOS source follower circuit or an NMOS source follower circuit in accordance with the polarity setting related to the precharge processing.

ところでこのように1つのアナログバッファ回路をPMOSによるソースフォロワ回路とNMOSによるソースフォロワ回路とにより構成する場合、基板上の占有面積が大きくなり、その分、液晶表示装置が大型化する問題がある。特に、低温ポリシリコンTFTを用いる場合にあっては、デザインルールが粗いことにより、占有面積が大きくなり、その分、液晶表示装置においては、いわゆる額縁の幅が広くなる問題がある。   By the way, when one analog buffer circuit is composed of a PMOS source follower circuit and an NMOS source follower circuit as described above, the occupied area on the substrate becomes large, and there is a problem that the size of the liquid crystal display device increases accordingly. In particular, in the case of using a low-temperature polysilicon TFT, the occupied area is increased due to the rough design rule, and in the liquid crystal display device, there is a problem that a so-called frame width is increased.

これに対してこのような液晶表示パネルの絶縁基板上に駆動回路を一体に集積化してなる液晶表示装置においては、携帯電話等に使用され、構成の簡略化、小型化が求められるようになされている。
特開平7−295521号公報
On the other hand, in a liquid crystal display device in which a drive circuit is integrated on an insulating substrate of such a liquid crystal display panel, it is used for a mobile phone or the like, and a simplified configuration and a reduction in size are required. ing.
Japanese Patent Laid-Open No. 7-295521

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来に比して構成を簡略化、小型化することができるフラットディスプレイ装置を提案しようとするものである。   The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to propose a flat display device capable of simplifying and downsizing the configuration as compared with the conventional one.

かかる課題を解決するため請求項1の発明においては、フラットディスプレイ装置に適用して、アナログ信号による信号線の駆動が、PMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路による信号線の駆動であり、PMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路による信号線の駆動に対応するように、一定周期で、信号線の電位を一定の電位に設定する。   In order to solve such a problem, in the invention of claim 1, when applied to a flat display device, driving of a signal line by an analog signal is driving of a signal line by a source follower circuit by PMOS or a source follower circuit by NMOS, The potential of the signal line is set to a constant potential at a constant period so as to correspond to the driving of the signal line by the source follower circuit by PMOS or the source follower circuit by NMOS.

請求項1の構成により、アナログ信号による信号線の駆動が、PMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路による信号線の駆動であり、PMOSによるソースフォロワ回路又はNMOSによるソースフォロワ回路による信号線の駆動に対応するように、一定周期で、信号線の電位を一定の電位に設定すれば、アナログ信号による信号線の駆動においては、この一定の電位を基準にした所定電位との間で実行し得、これにより信号線の駆動に供するアナログバッファ回路の構成を簡略化することができ、その分、従来に比して構成を簡略化、小型化することができる。   According to the configuration of the first aspect, the driving of the signal line by the analog signal is the driving of the signal line by the source follower circuit by PMOS or the source follower circuit by NMOS, and the signal line by the source follower circuit by PMOS or the source follower circuit by NMOS If the signal line potential is set to a constant potential at a constant cycle so as to correspond to the drive, the signal line drive by the analog signal is executed between a predetermined potential based on the constant potential. As a result, the configuration of the analog buffer circuit used for driving the signal line can be simplified, and the configuration can be simplified and miniaturized as compared with the conventional configuration.

本発明によれば、従来に比して構成を簡略化、小型化することができる。   According to the present invention, the configuration can be simplified and miniaturized as compared with the prior art.

以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as appropriate.

(1)実施例1の構成
図2は、本発明の実施例1に係る液晶表示装置を示すブロック図である。この液晶表示装置1においては、液晶セル2、この液晶セル2のスイッチング素子であるポリシリコンTFT3、保持容量4とによる画素が形成され、この画素をマトリックス状に配置して表示部6が形成される。液晶表示装置1は、この表示部6を形成する各画素が、信号線LS及びゲート線LGによりそれぞれ水平駆動回路7及び垂直駆動回路8に接続され、垂直駆動回路8により順次画素を選択して水平駆動回路7からの駆動信号により各画素の階調を設定することにより、所望する画像を表示するようになされている。
(1) Configuration of Embodiment 1 FIG. 2 is a block diagram showing a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. In this liquid crystal display device 1, pixels are formed by a liquid crystal cell 2, a polysilicon TFT 3 that is a switching element of the liquid crystal cell 2, and a storage capacitor 4, and the display unit 6 is formed by arranging these pixels in a matrix. The In the liquid crystal display device 1, each pixel forming the display unit 6 is connected to a horizontal drive circuit 7 and a vertical drive circuit 8 through a signal line LS and a gate line LG, respectively, and the vertical drive circuit 8 sequentially selects the pixels. A desired image is displayed by setting the gradation of each pixel by a drive signal from the horizontal drive circuit 7.

このため垂直駆動回路8は、図示しないタイミング発生回路から出力されるタイミング信号により各ゲート線LGを駆動することにより、水平駆動回路7における処理に連動して順次ライン単位で画素を選択する。   For this reason, the vertical drive circuit 8 sequentially drives the gate lines LG by timing signals output from a timing generation circuit (not shown), and sequentially selects pixels in line units in conjunction with the processing in the horizontal drive circuit 7.

水平駆動回路7は、各画素の階調を示す階調データD1を順次循環的に取り込んで各信号線LSの駆動信号を生成する。すなわち水平駆動回路7において、シフトレジスタ9は、階調データD1を順次循環的にサンプリングすることにより、階調データD1をライン単位でまとめ、1ライン分の階調データD1を水平ブランキング期間の所定のタイミングでディジタルアナログ変換回路(DAC)10に出力する。   The horizontal driving circuit 7 sequentially and cyclically takes in the gradation data D1 indicating the gradation of each pixel to generate a driving signal for each signal line LS. That is, in the horizontal drive circuit 7, the shift register 9 sequentially samples the gradation data D1 in a circular manner, thereby collecting the gradation data D1 in units of lines and collecting the gradation data D1 for one line in the horizontal blanking period. The data is output to the digital-analog converter circuit (DAC) 10 at a predetermined timing.

ディジタルアナログ変換回路10は、シフトレジスタ9から出力される階調データD1をそれぞれディジタルアナログ変換処理して出力する。バッファ回路部11は、このディジタルアナログ変換回路10の出力信号により各信号線LSを駆動し、これにより水平駆動回路7においては、階調データD1に応じた階調により表示部6の各画素を駆動して所望の画像を表示できるようになされている。バッファ回路部11は、このようにしてディジタルアナログ変換回路10の出力信号により各信号線LSを駆動し、またこのときいわゆるプリチャージの処理に供するように各信号線LSを駆動する。   The digital-analog conversion circuit 10 performs digital-analog conversion processing on the gradation data D1 output from the shift register 9, and outputs the result. The buffer circuit unit 11 drives each signal line LS with the output signal of the digital-analog conversion circuit 10, so that in the horizontal drive circuit 7, each pixel of the display unit 6 is displayed with a gradation corresponding to the gradation data D 1. A desired image can be displayed by driving. In this way, the buffer circuit unit 11 drives each signal line LS with the output signal of the digital-analog conversion circuit 10, and also drives each signal line LS so as to be used for so-called precharge processing.

図3は、水平駆動回路7のディジタルアナログ変換回路10、バッファ回路部11を詳細に示すブロック図である。ディジタルアナログ変換回路10において、基準電圧発生回路15は、例えば所定の生成基準電圧を抵抗分圧することにより、階調データD1による階調に対応する複数の基準電圧V0〜V63を生成して出力する。基準電圧セレクタ16は、それぞれこれら複数の基準電圧V0〜V63を受け、シフトレジスタ9から出力される階調データD1に応じて、何れかの基準電圧を選択出力する。これによりディジタルアナログ変換回路10は、階調データD1に対応する基準電圧の選択により、階調データD1をディジタルアナログ変換処理するようになされている。   FIG. 3 is a block diagram showing in detail the digital-analog conversion circuit 10 and the buffer circuit unit 11 of the horizontal drive circuit 7. In the digital-analog converter circuit 10, the reference voltage generation circuit 15 generates and outputs a plurality of reference voltages V0 to V63 corresponding to gradations based on the gradation data D1, for example, by dividing a predetermined generation reference voltage by resistance. . The reference voltage selector 16 receives each of the plurality of reference voltages V0 to V63, and selectively outputs one of the reference voltages according to the gradation data D1 output from the shift register 9. Thus, the digital / analog conversion circuit 10 performs digital / analog conversion processing on the gradation data D1 by selecting a reference voltage corresponding to the gradation data D1.

バッファ回路部11は、タイミング発生回路17から出力される各種タイミング信号により動作する各バッファ回路18により基準電圧セレクタ16の出力信号を処理し、各信号線LSに出力する。なおこの図3において、それぞれ符号R、G、Bは、赤色、緑色、青色の画素に対応する系であることを示すものである。   The buffer circuit unit 11 processes the output signal of the reference voltage selector 16 by each buffer circuit 18 operated by various timing signals output from the timing generation circuit 17 and outputs the processed signal to each signal line LS. In FIG. 3, symbols R, G, and B respectively indicate systems corresponding to red, green, and blue pixels.

図1は、このバッファ回路18の構成を詳細に示す接続図である。バッファ回路18は、アナログバッファ回路20に基準電圧セレクタ16の出力信号(符号Vinにより示す)が入力され、この入力信号Vinにより対応する信号線LSを駆動する。また水平ブランキング期間の間で、1ライン毎に、図示しないCS駆動回路と共に信号線LSの電位を切り換えてプリチャージの処理を実行する。このためバッファ回路18においては、入力信号Vinによる画素の階調設定に係る処理を実行するアナログバッファ回路20と、プリチャージの処理に係るプリチャージ回路21とにより構成される。なお、以下の説明において、スイッチ回路は、PMOSトランジスタ又はNMOSトランジスタにより構成され、タイミング発生回路17から出力されるタイミング信号の符号を各スイッチ回路等に付して、各スイッチ回路等の制御に係るタイミング信号を示す。   FIG. 1 is a connection diagram showing the configuration of the buffer circuit 18 in detail. In the buffer circuit 18, the output signal (indicated by reference numeral Vin) of the reference voltage selector 16 is input to the analog buffer circuit 20, and the corresponding signal line LS is driven by this input signal Vin. Further, during the horizontal blanking period, the potential of the signal line LS is switched together with the CS drive circuit (not shown) for each line to execute the precharge process. For this reason, the buffer circuit 18 includes an analog buffer circuit 20 that executes processing related to pixel gradation setting based on the input signal Vin, and a precharge circuit 21 that relates to precharging processing. In the following description, the switch circuit is composed of a PMOS transistor or an NMOS transistor, and the timing signal output from the timing generation circuit 17 is given a sign to each switch circuit, etc., to control each switch circuit, etc. A timing signal is shown.

すなわちこの液晶表示装置1では、図4に示すように、いわゆるライン反転により表示部6を駆動して、水平ブランキング期間の間でプリチャージの処理を実行し、このため図示しないCS駆動回路により、保持容量4のトランジスタ3が設けられていない側の端子電圧(図2参照、図4においては、符号CSによるこの端子側の配線であるCS線の電位により示す)が水平走査期間毎に、グランドレベルと正側所定電位との間で切り換える(図4(A))。このためアナログバッファ回路20は、出力段に設けられたスイッチ回路22により、このプリチャージの処理を実行する期間(以下プリチャージ期間と呼ぶ)T1の間、信号線LSより切り離される(図4(F)及び(G))。   That is, in the liquid crystal display device 1, as shown in FIG. 4, the display unit 6 is driven by so-called line inversion, and precharge processing is executed during the horizontal blanking period. The terminal voltage of the storage capacitor 4 on the side where the transistor 3 is not provided (see FIG. 2, shown in FIG. 4 by the potential of the CS line, which is the wiring on the terminal side by the symbol CS), for each horizontal scanning period Switching between the ground level and the predetermined positive potential (FIG. 4A). Therefore, the analog buffer circuit 20 is disconnected from the signal line LS by a switch circuit 22 provided in the output stage during a period (hereinafter referred to as a precharge period) T1 in which the precharge process is executed (FIG. 4 ( F) and (G)).

プリチャージ回路21は、プリチャージ期間T1のほぼ前半の期間の間、それぞれタイミング発生回路17から出力されるタイミング信号PCG1、PCG2により、信号線LSに接続されたスイッチ回路23及び24がそれぞれオン状態及びオフ状態に設定し(図4(B)〜(E))、これによりCS線CSを信号線LSに接続してCS駆動回路によりCS線CSの電位を切り換える(図4(H))。これによりプリチャージ回路21は、信号線LSと保持容量4とに蓄積された電荷を有効に利用してCS線CSの電位を切り換え、その分、全体の消費電力を少なくするようになされている。
In the precharge circuit 21, the switch circuits 23 and 24 connected to the signal line LS are turned on by the timing signals PCG1 and PCG2 output from the timing generation circuit 17, respectively, during substantially the first half of the precharge period T1. and set in the oFF state (FIG. 4 (B) ~ (E) ), thereby switching the potential of the CS line CS by connecting the CS line CS to the signal line LS CS driving circuit (Fig. 4 (H)). As a result, the precharge circuit 21 switches the potential of the CS line CS by effectively using the charges accumulated in the signal line LS and the storage capacitor 4, thereby reducing the overall power consumption. .

また続いてタイミング信号PCG1、PCG2により、スイッチ回路23及び24がそれぞれオフ状態及びオン状態に設定され(図4(B)〜(E))、これにより信号線LSをCS線CSから切り離して、信号線LSの電位をグランドレベルに設定する(図4(H))。これによりこの実施の形態では、グランドレベルと正側所定電位とでCS線CSの電位を切り換え、また信号制御LSについては、このプリチャージの周期でグランドの電位に設定し、これらによりグランドレベルより正側電源側だけで信号線LSを駆動できるようになされ、その分、後述するように、信号線LSの駆動に係るアナログバッファ回路20の構成を簡略化できるようになされている。
Further, subsequently, the timing signals PCG1 and PCG2 set the switch circuits 23 and 24 to the OFF state and the ON state, respectively (FIGS. 4B to 4E), thereby separating the signal line LS from the CS line CS, The potential of the signal line LS is set to the ground level (FIG. 4H). As a result, in this embodiment, the potential of the CS line CS is switched between the ground level and the predetermined positive potential, and the signal control LS is set to the ground potential in this precharge cycle. The signal line LS can be driven only on the positive power supply side, and the configuration of the analog buffer circuit 20 related to driving of the signal line LS can be simplified accordingly, as will be described later.

アナログバッファ回路20は、NMOSトランジスタQ11によるソースフォロワにより構成され、このNMOSトランジスタQ11のソースに図5(A)に示す定電流回路26が接続される。ここでこの定電流回路26は、タイミング信号xNcnt1をゲートに入力してなるPMOSトランジスタQ13により基準電流源が形成され、このPMOSトランジスタQ13に直列にNMOSトランジスタQ14が接続されて、このNMOSトランジスタQ14にPMOSトランジスタQ13による基準電流が流入するように形成される。   The analog buffer circuit 20 includes a source follower including an NMOS transistor Q11, and a constant current circuit 26 shown in FIG. 5A is connected to the source of the NMOS transistor Q11. In this constant current circuit 26, a reference current source is formed by a PMOS transistor Q13 formed by inputting a timing signal xNcnt1 to the gate, and an NMOS transistor Q14 is connected in series to the PMOS transistor Q13. It is formed so that the reference current from the PMOS transistor Q13 flows.

またこの定電流回路26は、NMOSトランジスタQ14のゲート−ソース間に、サンプリング用コンデンサC3が設けられ、PMOSトランジスタQ13による基準電流をこのサンプリング用コンデンサC3に流入させるスイッチ回路27が設けられるようになされている。定電流回路26において、このスイッチ回路27は、所定のタイミング信号Ncnt2によりオン動作し、PMOSトランジスタQ13による基準電流をNMOSトランジスタQ14に流している状態の、NMOSトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリング用コンデンサC3にサンプリングするようになされ、またその後、オフ状態に切り換わって、このサンプリング用コンデンサC3にサンプリングしてなるゲート−ソース間電圧Vgsを保持するようになされている。
Further, the constant current circuit 26 is provided with a sampling capacitor C3 between the gate and source of the NMOS transistor Q14, and a switch circuit 27 is provided for allowing a reference current from the PMOS transistor Q13 to flow into the sampling capacitor C3. ing. In the constant current circuit 26, the switch circuit 27 is turned on by a predetermined timing signal Ncnt 2, and the gate-source voltage Vgs of the NMOS transistor Q 14 in a state where the reference current from the PMOS transistor Q 13 is supplied to the NMOS transistor Q 14. Sampling is performed by the sampling capacitor C3, and thereafter, the sampling capacitor C3 is switched to an OFF state to hold the gate-source voltage Vgs sampled by the sampling capacitor C3.

この定電流回路26は、スイッチ回路28を介して、MOSトランジスタQ14のドレインが、バッファ回路を構成するNMOSトランジスタQ11のソースに接続されている。また、定電流回路26は、所定のタイミング信号Ncnt2によりンプリング用コンデンサC3でNMOSトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリングし、さらにタイミング信号xNcnt1によりPMOSトランジスタQ13から基準電流が出力されなくなった後、スイッチ回路28がオン状態に切り換わるように設定されている。これにより、定電流回路26は、サンプリング用コンデンサC3でサンプリングしたゲート−ソース間電圧Vgsによる電流をトランジスタQ11より流出させるようになされている。
The constant current circuit 26 through the switching circuit 28, the drain of the N MOS transistor Q14 is connected to the source of the NMOS transistor Q11 which constitutes a buffer circuit. The constant current circuit 26, the gate of the NMOS transistor Q14 in the sampling capacitor C3 by a predetermined timing signal Ncnt2 - sampling the voltage Vgs between the source, the reference current from the PMOS transistor Q13 is not output by the further timing signal xNcnt1 Thereafter, the switch circuit 28 is set to be switched on . As a result , the constant current circuit 26 causes the current due to the gate-source voltage Vgs sampled by the sampling capacitor C3 to flow out of the transistor Q11.

しかして図6は、この定電流回路26の制御に係るタイミング信号xNcnt1、Nact、Ncnt2と各スイッチ回路2728、トランジスタQ13の遷移を示すタイムチャートである。この定電流回路26は、初期状態である動作を開始した直後においては、図5(B)に示すように、タイミング信号xNcnt1がレベルに保持されてトランジスタQ13がオフ状態に保持され(図6(A)及び(B))、またタイミング信号Nact、Ncnt2がそれぞれHレベル、Lレベルに保持され、これによりスイッチ回路2728がそれぞれオフ状態、オン状態に保持される(図6(C)〜(F))。これにより定電流回路26は、この場合、何らトランジスタQ11から電流を流出させない状態に保持される。
FIG. 6 is a time chart showing the transition of the timing signals xNcnt1, Nact, Ncnt2, the switch circuits 27 and 28 , and the transistor Q13 related to the control of the constant current circuit 26. Immediately after starting the operation in the initial state, the constant current circuit 26 holds the timing signal xNcnt1 at the H level and the transistor Q13 in the off state as shown in FIG. 5B (FIG. 6). (A) and (B)), and the timing signals Nact and Ncnt2 are held at the H level and the L level, respectively, whereby the switch circuits 27 and 28 are held in the off state and the on state, respectively (FIG. 6C). To (F)). As a result, the constant current circuit 26 is maintained in a state in which no current flows from the transistor Q11 in this case.

定電流回路26は、所定のタイミングでこれらタイミング信号xNcnt1、Nact、Ncnt2の論理値が同時に切り換わり、これにより図5(C)に示すように、スイッチ回路2728がそれぞれオン状態、オフ状態に動作を切り換え、またトランジスタQ13が動作を開始して基準電流の出力を開始する。これにより定電流回路26は、トランジスタQ13による基準電流I1がサンプリング用コンデンサC3を充電すると共に、トランジスタQ14を介して流出する。このサンプリング用コンデンサC3の充電電流においては、充電によりサンプリング用コンデンサC3の両端電圧が上昇するに従って徐々に減少し、トランジスタQ14から基準電流I1を流出させるに必要な、トランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsとなると、サンプリング用コンデンサC3に充電電流が流入しなくなり、この状態ではトランジスタQ13による基準電流I1のその全てがトランジスタQ14に流入することになる。これにより定電流回路26では、基準電流I1をトランジスタQ14に流入させながら、このトランジスタQ14のゲート−ソース間に接続されたサンプリング用コンデンサC3を基準電流I1により充電することにより、トランジスタQ14に基準電流I1を流入させるに必要なトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリング用コンデンサC3に設定するようになされている。
In the constant current circuit 26, the logical values of these timing signals xNcnt1, Nact, and Ncnt2 are simultaneously switched at a predetermined timing, whereby the switch circuits 27 and 28 are turned on and off, respectively, as shown in FIG. 5C. The transistor Q13 starts operating and starts outputting the reference current. Thereby, in the constant current circuit 26, the reference current I1 from the transistor Q13 charges the sampling capacitor C3 and flows out through the transistor Q14. The charging current of the sampling capacitor C3 gradually decreases as the voltage across the sampling capacitor C3 rises as a result of charging, and the gate-source voltage of the transistor Q14 required to cause the reference current I1 to flow out of the transistor Q14. When Vgs, the charging current does not flow into the sampling capacitor C3, and in this state, all of the reference current I1 from the transistor Q13 flows into the transistor Q14. Thus, in the constant current circuit 26, the reference current I1 flows into the transistor Q14, and the sampling capacitor C3 connected between the gate and the source of the transistor Q14 is charged with the reference current I1, whereby the reference current I is supplied to the transistor Q14. The gate-source voltage Vgs of the transistor Q14 required to flow I1 is set in the sampling capacitor C3.

定電流回路26は、このようにタイミング信号xNcnt1、Nact、Ncnt2の論理値を切り換えて、トランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリング用コンデンサC3に保持するに十分な期間が経過すると、タイミング信号xNcnt1、Ncnt2が元の論理値に戻り、これにより基準電流I1の供給が停止され、またサンプリング用コンデンサC3及びトランジスタQ14のゲートがトランジスタQ14のドレインから切り離される。また続いてタイミング信号Nactが元の論理値に戻り、トランジスタQ14のドレインがこの定電流回路26の駆動対象であるトランジスタQ11に接続される。これにより定電流回路26は、図5(D)に示すように、サンプリング用コンデンサC3に設定されてなる基準電流I1によるトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsにより、トランジスタQ11から電流を流出させ、定電流回路として機能するようになされている。
The constant current circuit 26 switches the logic values of the timing signals xNcnt1, Nact, and Ncnt2 in this way, and when the period sufficient to hold the gate-source voltage Vgs of the transistor Q14 in the sampling capacitor C3 has elapsed, xNcnt1 and Ncnt2 return to their original logic values, whereby the supply of the reference current I1 is stopped, and the sampling capacitor C3 and the gate of the transistor Q14 are disconnected from the drain of the transistor Q14. Subsequently, the timing signal Nact returns to the original logical value, and the drain of the transistor Q14 is connected to the transistor Q11 that is the driving target of the constant current circuit 26. As a result, the constant current circuit 26 causes the current to flow out from the transistor Q11 by the gate-source voltage Vgs of the transistor Q14 by the reference current I1 set in the sampling capacitor C3, as shown in FIG. It is designed to function as a constant current circuit.

しかして図4について上述したように、この液晶表示装置1においては、水平ブランキング期間に設けられたプリチャージ期間T1よりプリチャージの処理を実行することにより、定電流回路として機能させるに必要な基準電流I1によるトランジスタQ14のゲート−ソース間電圧Vgsをサンプリング用コンデンサC3に設定する期間T3をこのプリチャージ期間T1に割り当て、このゲート−ソース間電圧Vgsを設定する期間T3と定電流回路として機能する期間T4との繰り返しにより動作するように各タイミング信号xNcnt1、Nact、Ncnt2が供給されるようになされている。   Therefore, as described above with reference to FIG. 4, the liquid crystal display device 1 is required to function as a constant current circuit by executing precharge processing from the precharge period T1 provided in the horizontal blanking period. A period T3 in which the gate-source voltage Vgs of the transistor Q14 by the reference current I1 is set in the sampling capacitor C3 is assigned to the precharge period T1, and functions as a constant current circuit with the period T3 in which the gate-source voltage Vgs is set. The timing signals xNcnt1, Nact, and Ncnt2 are supplied so as to operate by repeating the period T4.

アナログバッファ回路20は(図1)、トランジスタQ11のゲート−ソース間に、それぞれソース側にスイッチ回路31及び32を設けてなるコンデンサC1、C2が設けられる。またトランジスタQ11のゲート、コンデンサC1、C2の各スイッチ回路31、32側にそれぞれスイッチ回路33、34、35が設けられ、これらスイッチ回路33、34、35の他端に基準電圧セレクタ16からの信号Vinが入力されるようになされている。アナログバッファ回路20は、これらスイッチ回路31〜35の切り換えによりトランジスタQ11のばらつきをキャンセルして入力信号Vinにより信号線LSを駆動するようになされている。   In the analog buffer circuit 20 (FIG. 1), capacitors C1 and C2 each including switch circuits 31 and 32 are provided on the source side between the gate and source of the transistor Q11. Further, switch circuits 33, 34, 35 are provided on the side of the switch circuit 31, 32 of the gate of the transistor Q11 and the capacitors C1, C2, respectively, and a signal from the reference voltage selector 16 is connected to the other end of these switch circuits 33, 34, 35. Vin is input. The analog buffer circuit 20 is configured to cancel the variation of the transistor Q11 by switching the switch circuits 31 to 35 and drive the signal line LS by the input signal Vin.

すなわち図4、図6について上述したプリチャージに係る処理、定電流回路26に係る処理との対比により図7に示すように、バッファ回路18においては、プリチャージ回路21におけるプリチャージ期間T1の開始に対応して(図7(A)、(J)〜(L))、定電流回路26でトランジスタQ13に係るサンプリング処理が開始する(図7(C)〜(E))。アナログバッファ回路20においては、これらの処理が開始されると、全てのスイッチ回路22、31〜35がオフ状態に設定される。   That is, as shown in FIG. 7 in comparison with the processing related to the precharge described above with reference to FIGS. 4 and 6 and the processing related to the constant current circuit 26, the buffer circuit 18 starts the precharge period T1 in the precharge circuit 21. Corresponding to (FIGS. 7A, 7J to 7L), the constant current circuit 26 starts the sampling process for the transistor Q13 (FIGS. 7C to 7E). In the analog buffer circuit 20, when these processes are started, all the switch circuits 22, 31 to 35 are set to an off state.

またその後、期間T3だけ経過して定電流回路26が定電流回路としての機能を開始すると、図8に示すように、スイッチ回路31、32、33がオン状態に切り換わる。なお図7においては、各スイッチ回路22、31〜35を制御するタイミング信号N1〜N5の立ち上がりにより、オン状態を示す。これによりアナログバッファ回路20では、この状態でのトランジスタQ11のゲート−ソース間電圧VosAをコンデンサC1、C2でサンプリングし、ソースフォロワによる動作する際のオフセットを検出するようになされている。   Thereafter, when the constant current circuit 26 starts functioning as a constant current circuit after a lapse of the period T3, as shown in FIG. 8, the switch circuits 31, 32, and 33 are turned on. In FIG. 7, the ON state is indicated by the rise of the timing signals N1 to N5 for controlling the switch circuits 22, 31 to 35. As a result, the analog buffer circuit 20 samples the gate-source voltage VosA of the transistor Q11 in this state by the capacitors C1 and C2, and detects an offset when operating by the source follower.

また続いて図9に示すように、スイッチ回路33がオフ状態に切り換えられ、スイッチ回路35がオン状態に切り換えられる。これによりアナログバッファ回路20では、入力で電圧Vinに対して、コンデンサC1にサンプリングされている電圧VosAの分、トランジスタQ11のゲート電圧をオフセットさせた状態にて定電流回路26による電流でトランジスタQ11が動作し、この状態におけるトランジスタQ11のゲート−ソース間電圧VosBをC2でサンプリングする。これによりトランジスタQ11のソース電圧は、Vin+(VosA−VosB)となる。これによりこのアナログバッファ回路20は、コンデンサC1で先に検出したオフセット電圧をキャンセルするようにした状態で、さらにソースフォロワにより動作する際のオフセットをコンデンサC2により検出するようになされている。   Subsequently, as shown in FIG. 9, the switch circuit 33 is switched to the off state, and the switch circuit 35 is switched to the on state. Thus, in the analog buffer circuit 20, the transistor Q11 is driven by the current from the constant current circuit 26 with the gate voltage of the transistor Q11 being offset by the voltage VosA sampled in the capacitor C1 with respect to the input voltage Vin. In operation, the gate-source voltage VosB of the transistor Q11 in this state is sampled by C2. As a result, the source voltage of the transistor Q11 becomes Vin + (VosA−VosB). As a result, the analog buffer circuit 20 detects the offset when operating by the source follower with the capacitor C2 while canceling the offset voltage previously detected by the capacitor C1.

続いてアナログバッファ回路20は、図10に示すように、全てのスイッチ回路22、31〜35がオフ状態となった後、図11に示すように、スイッチ回路22、34がオン状態に設定される。これによりバッファ回路20は、コンデンサC2で検出したオフセット電圧により入力電圧Vinをオフセットしてソースフォロワにより信号線LSを駆動するようになされ、2回のオフセット検出を繰り返したことにより、その分、高い精度により入力電圧Vinに対するオフセット電圧を小さくして信号線LSを駆動し、トランジスタQ11のばらつきによる影響を十分小さなものとするようになされている。   Subsequently, in the analog buffer circuit 20, as shown in FIG. 10, after all the switch circuits 22, 31 to 35 are turned off, the switch circuits 22, 34 are set to the on state as shown in FIG. The As a result, the buffer circuit 20 is configured to offset the input voltage Vin by the offset voltage detected by the capacitor C2 and drive the signal line LS by the source follower. The signal line LS is driven by reducing the offset voltage with respect to the input voltage Vin for accuracy, and the influence of the variation of the transistor Q11 is made sufficiently small.

しかして図11による示す状態において、アナログバッファ回路20は、トランジスタQ11より定電流回路26及び信号線LSにソース電流を出力し、このソース電流の出力により保持容量4を充電する。またこの保持容量4の充電によりソース電位が上昇すると、その分、トランジスタQ11からのソース電流出力を徐々に低下させ、ソース電位が入力電位Vinと等しくなると、ソース電流の信号線LSの出力が停止され、ソース電流を定電流回路26にだけ出力するようになされ、これにより入力信号Vinに応じて対応する信号線LSを駆動するようになされている。   Thus, in the state shown in FIG. 11, the analog buffer circuit 20 outputs a source current from the transistor Q11 to the constant current circuit 26 and the signal line LS, and charges the storage capacitor 4 by the output of the source current. When the source potential rises due to charging of the storage capacitor 4, the source current output from the transistor Q11 is gradually reduced by that amount, and when the source potential becomes equal to the input potential Vin, the output of the source current signal line LS is stopped. Thus, the source current is output only to the constant current circuit 26, whereby the corresponding signal line LS is driven according to the input signal Vin.

アナログバッファ回路20においては、この図11に示す状態により信号線LSを駆動する期間が、プリチャージ期間T1以降の期間に設定されるようになされている。
(2)実施例1の動作
以上の構成において、この液晶表示装置1では(図2)、描画に係るコントローラ等から各画素の階調を指示する階調データD1がラスタ走査順に入力され、この階調データD1が水平駆動回路7のシフトレジスタ9により順次サンプリングされてライン単位でまとめられ、ディジタルアナログ変換回路10に転送される。階調データD1は、このディジタルアナログ変換回路10において、アナログ信号に変換され、このアナログ信号により表示部6の各信号線LSが駆動される。これにより液晶表示装置1では、垂直駆動回路8によるゲート線LGの制御により順次選択されてなる表示部6の各画素が、水平駆動回路7により駆動されて階調データD1による画像が表示部6に表示される。
In the analog buffer circuit 20, the period for driving the signal line LS in the state shown in FIG. 11 is set to a period after the precharge period T1.
(2) Operation of Embodiment 1 In the above configuration, in the liquid crystal display device 1 (FIG. 2), gradation data D1 indicating the gradation of each pixel is input from the controller for drawing or the like in the order of raster scanning. The gradation data D1 is sequentially sampled by the shift register 9 of the horizontal drive circuit 7 and collected in units of lines, and transferred to the digital / analog conversion circuit 10. The gradation data D1 is converted into an analog signal by the digital-analog conversion circuit 10, and each signal line LS of the display unit 6 is driven by the analog signal. Thus, in the liquid crystal display device 1, each pixel of the display unit 6 that is sequentially selected by the control of the gate line LG by the vertical drive circuit 8 is driven by the horizontal drive circuit 7, and an image based on the gradation data D 1 is displayed on the display unit 6. Is displayed.

このようにして表示部6の信号線LSを駆動する水平駆動回路7においては(図3)、基準電圧発生回路15により階調データD1の各階調に対応する基準信号V0〜V63が生成され、基準電圧セレクタ16において、各階調データD1に応じてこの基準信号V0〜V63が選択されることにより、階調データD1がディジタルアナログ変換処理され、このディジタルアナログ変換処理結果がバッファ回路18に入力されて各信号線LSが駆動される。   In the horizontal drive circuit 7 that drives the signal line LS of the display unit 6 in this way (FIG. 3), the reference signals V0 to V63 corresponding to the respective gradations of the gradation data D1 are generated by the reference voltage generation circuit 15, The reference voltage selector 16 selects the reference signals V0 to V63 according to each gradation data D1, whereby the gradation data D1 is subjected to digital-analog conversion processing, and the digital-analog conversion processing result is input to the buffer circuit 18. Thus, each signal line LS is driven.

このバッファ回路18では(図1、図4)、水平ブランキング期間の間で、アナログバッファ回路20が信号線LSより切り離されて、スイッチ回路23の設定により、保持容量4のトランジスタ3とは逆側のCS線CSが信号線LSに接続された状態で、水平走査周期毎に、このCS線CSが正側所定電位又はグランド電位に設定される。またその後、CS線CSが信号線LSから切り離され、スイッチ回路24の設定により、信号線LSがグランド電位に保持される。   In the buffer circuit 18 (FIGS. 1 and 4), the analog buffer circuit 20 is disconnected from the signal line LS during the horizontal blanking period, and is opposite to the transistor 3 of the storage capacitor 4 by the setting of the switch circuit 23. In a state where the CS line CS on the side is connected to the signal line LS, the CS line CS is set to the positive side predetermined potential or the ground potential every horizontal scanning cycle. Thereafter, the CS line CS is disconnected from the signal line LS, and the signal line LS is held at the ground potential by the setting of the switch circuit 24.

すなわち所定のタイミングでゲート線LGにより選択された所定のラインにおいては、CS線CS及び信号線LSが接続されて、このラインに係る保持容量4の両端電極がグランドレベルに設定された後、この信号線LSがグランドレベルに設定されて基準電圧セレクタ16から出力されるアナログ信号により駆動されるのに対し、続くラインにおいては、この保持容量4の両端電位が正側所定電位に設定された後、信号線LSがグランドレベルに設定されて基準電圧セレクタ16から出力されるアナログ信号により駆動され、これらによりこの液晶表示装置1では、いわゆるライン反転に係る駆動によるプリチャージの処理が実行され、液晶セル2の劣化が防止される。   That is, in a predetermined line selected by the gate line LG at a predetermined timing, the CS line CS and the signal line LS are connected, and both end electrodes of the storage capacitor 4 related to this line are set to the ground level. While the signal line LS is set to the ground level and driven by the analog signal output from the reference voltage selector 16, in the subsequent line, the potential on both ends of the storage capacitor 4 is set to the positive predetermined potential. The signal line LS is set to the ground level and is driven by an analog signal output from the reference voltage selector 16, and in this manner, in the liquid crystal display device 1, a precharge process is performed by so-called line inversion driving. The deterioration of the cell 2 is prevented.

しかしてこのようにCS線CSを信号線LSに接続して、水平走査周期毎に正側所定電位又はグランド電位に交互に設定した後、信号線LSをグランド電位に設定することにより、信号線LSにおいては、NMOSによるソースフォロワ回路によるアナログバッファ回路20の構成に対応した一定の電位に、ライン反転に係る一定周期で設定され、これにより液晶表示装置1では、グランド電位を基準にした片側電源側だけで各画素を駆動するようになされ、その分、アナログバッファ回路20の構成を簡略化するようになされている。すなわちこのように構成すれば、アナログバッファ回路20においては、グランド電位からこの正側所定電位間で信号線LSを駆動すれば足り、NMOSソースフォロワ回路構成により構成して、グランド電位から負側電源側の駆動に係る構成を省略することができる。   Thus, after the CS line CS is connected to the signal line LS in this way and alternately set to the positive side predetermined potential or the ground potential for each horizontal scanning cycle, the signal line LS is set to the ground potential, whereby the signal line In the LS, a fixed potential corresponding to the configuration of the analog buffer circuit 20 including an NMOS source follower circuit is set at a fixed period related to the line inversion, whereby the liquid crystal display device 1 has a one-sided power supply based on the ground potential. Each pixel is driven only on the side, and the configuration of the analog buffer circuit 20 is simplified accordingly. That is, with this configuration, in the analog buffer circuit 20, it is sufficient to drive the signal line LS between the ground potential and the positive side predetermined potential. The analog buffer circuit 20 is configured by the NMOS source follower circuit configuration, and the negative side power supply from the ground potential. The configuration relating to the driving on the side can be omitted.

従って液晶表示装置1では、その分、表示部6の周辺構成を簡略化して狭額縁化することができ、また消費電力を低減することができる。   Therefore, in the liquid crystal display device 1, the peripheral configuration of the display unit 6 can be simplified and the frame can be narrowed accordingly, and power consumption can be reduced.

しかしてこのようにしてプリチャージの処理を完了すると、液晶表示装置1では、アナログバッファ回路20により対応する信号線LSが駆動され、階調データD1に対応する階調に対応する画素の階調が設定される。   When the precharge process is completed in this way, in the liquid crystal display device 1, the corresponding signal line LS is driven by the analog buffer circuit 20, and the gray level of the pixel corresponding to the gray level corresponding to the gray level data D1. Is set.

この信号線LSの駆動において、アナログバッファ回路20では(図7〜図11)、プリチャージの処理期間の間でオフセットを補正する処理が実行され、この処理によりオフセットを補正して信号線LSが駆動される。すなわちアナログバッファ回路20では(図7及び図8)、始めに、定電流回路26による定電流によりトランジスタQ11を駆動した状態で、スイッチ回路31、32の設定によりトランジスタQ11のゲート−ソース間に並列にコンデンサC1、C2が配置され、この状態でディジタルアナログ変換回路出力VinがトランジスタQ11に供給され、これによりこの駆動に係るトランジスタQ11のゲート−ソース間電圧がコンデンサC1、C2に設定される。   In driving the signal line LS, the analog buffer circuit 20 (FIGS. 7 to 11) performs a process of correcting the offset during the precharge processing period. By this process, the signal line LS is corrected by correcting the offset. Driven. That is, in the analog buffer circuit 20 (FIGS. 7 and 8), first, the transistor Q11 is driven by a constant current from the constant current circuit 26, and the gates and sources of the transistor Q11 are connected in parallel by setting the switch circuits 31 and 32. In this state, the digital-analog conversion circuit output Vin is supplied to the transistor Q11, whereby the gate-source voltage of the transistor Q11 related to this driving is set in the capacitors C1 and C2.

またスイッチ回路31、33、35の設定により、このようにしてゲート−ソース間電圧を保持してなるコンデンサC2を介して、トランジスタQ11のゲートにディジタルアナログ変換回路出力Vinが供給され、これによりコンデンサC2に保持した電圧によりオフセットをキャンセルした状態によるトランジスタQ11のゲート−ソース間電圧がコンデンサC1に設定される。   Also, by setting the switch circuits 31, 33 and 35, the digital-analog conversion circuit output Vin is supplied to the gate of the transistor Q11 through the capacitor C2 which holds the gate-source voltage in this way, and thereby the capacitor The voltage between the gate and the source of the transistor Q11 in a state where the offset is canceled by the voltage held in C2 is set in the capacitor C1.

アナログバッファ回路20では(図10、図11)、プリチャージの処理が完了すると、このようにしてコンデンサC1に保持されてなる電圧によりディジタルアナログ変換回路出力VinがオフセットされてトランジスタQ11のゲートに供給され、これによりトランジスタQ11のばらつきによる影響を十分に抑圧して、各信号線LSを駆動することができるようになされている。   In the analog buffer circuit 20 (FIGS. 10 and 11), when the precharge process is completed, the digital-analog converter circuit output Vin is offset by the voltage thus held in the capacitor C1 and supplied to the gate of the transistor Q11. Thus, each signal line LS can be driven by sufficiently suppressing the influence due to the variation of the transistor Q11.

これらによりこの液晶表示装置1では、NMOSソースフォロワ回路による簡易な構成によりアナログバッファ回路20を構成して、その分、狭額縁化し、また消費電力を少なくするようになされている。   As a result, in the liquid crystal display device 1, the analog buffer circuit 20 is configured with a simple configuration using an NMOS source follower circuit, and accordingly, the frame is narrowed and power consumption is reduced.

このようにして信号線LSを駆動するにつき、アナログバッファ回路20の定電流回路26では(図1)、プリチャージの期間であって、かつアナログバッファ回路20における動作開始の期間で、トランジスタQ14のゲート−ソース間に接続されたサンプリング用コンデンサC3と、このトランジスタQ14のゲートとを基準電流源Q13に接続する。定電流回路26は更に、トランジスタQ14を基準電流I1により駆動した際のゲート−ソース間の電圧にサンプリング用コンデンサC3の両端電圧を設定した後、このサンプリング用コンデンサC3及びトランジスタQ14のゲートと基準電流源Q13との接続を遮断すると共に、トランジスタQ14のドレインを駆動対象に接続する。これにより、定電流回路26は、サンプリング用コンデンサC3に設定されたゲート−ソース間の電圧によるトランジスタQ14の電流で駆動対象を駆動する。
When the signal line LS is driven in this way, the constant current circuit 26 of the analog buffer circuit 20 (FIG. 1) has a precharge period and an operation start period in the analog buffer circuit 20 of the transistor Q14. The sampling capacitor C3 connected between the gate and the source and the gate of the transistor Q14 are connected to the reference current source Q13 . The constant current circuit 26 further sets the voltage across the sampling capacitor C3 to the voltage between the gate and the source when the transistor Q14 is driven by the reference current I1, and then the sampling capacitor C3 and the gate of the transistor Q14 and the reference current The connection with the source Q13 is cut off, and the drain of the transistor Q14 is connected to the drive target . Thereby, the constant current circuit 26 drives the drive target with the current of the transistor Q14 by the gate-source voltage set in the sampling capacitor C3.

これによりこの定電流回路26では、トランジスタQ14の特性がばらついている場合でも、このばらつきの影響を受けることなく、基準電流I1により駆動対象を駆動することができる。実際上、の定電流回路26では、基準電流源のトランジスタQ13のばらつきだけが出力電流に影響を与える。
As a result, in the constant current circuit 26, even if the characteristics of the transistor Q14 vary, the drive target can be driven by the reference current I1 without being affected by the variation. In practice, the constant current circuit 26 of this, only variations in transistor Q13 of the reference current source Ru affect the output current.

またばらつきを少なくするために基準電流値を増大させるような設定を回避し得ることにより、その分、全体の消費電力も少なくすることができる。
(3)実施例1の効果
以上の構成によれば、PMOSによるソースフォロワ回路により信号線を駆動し、この信号線の駆動に対応するように、一定周期で、信号線の電位を一定の電位に設定することにより、アナログバッファ回路の構成を簡略化することができ、その分、従来に比して構成を簡略化、小型化することができ、特にいわゆる狭額縁化することができる。
Further, since it is possible to avoid the setting that increases the reference current value in order to reduce the variation, the entire power consumption can be reduced accordingly.
(3) Effect of Embodiment 1 According to the above configuration, the signal line is driven by the PMOS source follower circuit, and the potential of the signal line is set to a constant potential at a constant period so as to correspond to the driving of the signal line. Therefore, the configuration of the analog buffer circuit can be simplified, and accordingly, the configuration can be simplified and reduced in size compared to the conventional one, and in particular, a so-called narrow frame can be achieved.

図12は、本発明の実施例2に係る液晶表示装置に適用されるアナログバッファ回路の構成を示すブロック図である。このアナログバッファ回路40は、実施例1に係るNMOSソースフォロワ回路によるアナログバッファに代えて、PMOSソースフォロワ回路により構成される。このためこの実施例2に係る液晶表示装置では、実施例1に係る液晶表示装置1におけるグランド電位と正側所定電位との間の切り換えに係るプリチャージの処理に代えて、グランド電位と負側所定電位との間の切り換えに係るプリチャージの処理を実行する。   FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of an analog buffer circuit applied to the liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention. The analog buffer circuit 40 includes a PMOS source follower circuit instead of the analog buffer formed by the NMOS source follower circuit according to the first embodiment. For this reason, in the liquid crystal display device according to the second embodiment, the ground potential and the negative side are replaced with the precharge processing related to the switching between the ground potential and the predetermined positive potential in the liquid crystal display device 1 according to the first embodiment. Precharge processing related to switching between predetermined potentials is executed.

アナログバッファ回路40においては、NMOSトランジスタに代えてPMOSトランジスタにより構成する点、この構成に対応して正側電源及び負側電源に対する各部の接続が異なる点を除いて、実施例1のアナログバッファ回路20と同一に構成される。また図13に示すように、定電流回路46においても、NMOSトランジスタに代えてPMOSトランジスタが適用され、これに対応して正側電源及び負側電源に対する各部の接続が異なる点を除いて、実施例1の定電流回路26と同一に構成される。   The analog buffer circuit 40 is configured by a PMOS transistor in place of the NMOS transistor, and the analog buffer circuit according to the first embodiment except that the connections of the respective parts to the positive power source and the negative power source are different corresponding to this configuration. 20 and the same configuration. As shown in FIG. 13, the constant current circuit 46 also includes a PMOS transistor in place of the NMOS transistor, and correspondingly, except that the connection of each part to the positive power source and the negative power source is different. The same configuration as the constant current circuit 26 of Example 1 is adopted.

なおこのアナログバッファ回路に係るタイムチャートを図7との対比により図14に示す。また図12においては、プリチャージ回路の記載を省略して保持容量等に係る接続を符号Csig等により示す。   A time chart relating to the analog buffer circuit is shown in FIG. 14 in comparison with FIG. In FIG. 12, the description of the precharge circuit is omitted, and the connection relating to the storage capacitor and the like is indicated by reference numerals Csig and the like.

この実施の形態のようにPMOSによるソースフォロワ回路によりアナログバッファ回路を構成する場合でも、実施例1と同一の構成を得ることができる。   Even when the analog buffer circuit is configured by the source follower circuit using PMOS as in this embodiment, the same configuration as that of the first embodiment can be obtained.

図15は、本発明の実施例3に係る液晶表示装置に適用されるアナログディジタル変換回路及びバッファ回路の構成を示すブロック図である。この実施例に係る液晶表示装置においては、基準電圧発生回路15から出力される基準電圧V0〜V63に関してそれぞれ、実施例1又は実施例2について上述したアナログバッファ回路20と同様の構成のアナログバッファ回路57により処理した後、各基準電圧セレクタ16により選択する。なおプリチャージ回路においては、各基準電圧セレクタ16の出力に設けられる。 FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of an analog-digital conversion circuit and a buffer circuit applied to the liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention. In the liquid crystal display device according to this embodiment, the analog buffer circuit having the same configuration as that of the analog buffer circuit 20 described above with respect to the first or second embodiment with respect to the reference voltages V0 to V63 output from the reference voltage generating circuit 15. After processing by 57, each reference voltage selector 16 makes a selection. In the precharge circuit, it is provided at the output of each reference voltage selector 16.

この実施例のように、基準電圧発生回路15で生成される基準電圧をアナログバッファ回路により処理する場合に適用しても、上述の実施例と同様の効果を得ることができる。   Even if the present invention is applied to the case where the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 15 is processed by the analog buffer circuit as in this embodiment, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained.

なお上述の実施の形態においては、ゲートソース間電圧のサンプリングに係る定電流回路を用いてアナログバッファ回路を構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、従来構成に係るカレントミラー回路構成による定電流回路を用いてアナログバッファ回路を構成する場合等にも広く適用することができる。   In the above-described embodiment, the case where the analog buffer circuit is configured using the constant current circuit related to the sampling of the gate-source voltage has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the current mirror circuit according to the conventional configuration is used. The present invention can be widely applied to a case where an analog buffer circuit is configured using a constant current circuit having a configuration.

なお上述の実施例においては、ライン反転により表示部を駆動する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フィールド反転等により駆動する場合にも広く適用することができる。   In the above-described embodiments, the case where the display unit is driven by line inversion has been described. However, the present invention is not limited to this and can be widely applied to the case of driving by field inversion.

また上述の実施例においては、保持容量をプリチャージする場合について述べたが、本発明はこれに限らず、プリチャージの処理を省略する構成にあっても広く適用することができる。   In the above-described embodiments, the case where the storage capacitor is precharged has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be widely applied to a configuration in which the precharge process is omitted.

また上述の実施例においては、グランド電位を基準にして信号線を駆動する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば負側電位を基準にして負側電位とグランド電位との間の電位で信号線を駆動する場合等、この基準の電位は必要に応じて種々の電位に設定することができる。   In the above-described embodiments, the case where the signal line is driven with reference to the ground potential has been described. However, the present invention is not limited to this, and for example, between the negative potential and the ground potential with reference to the negative potential. The reference potential can be set to various potentials as required, for example, when the signal line is driven with the potential of.

また上述の実施例においては、ガラス基板上に表示部等を作成してなるTFT液晶によるフラットディスプレイ装置に本発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、CGS(Continuous Grain Silicon)液晶等、各種の液晶表示装置、さらにはEL(Electro Luminescence)表示装置等、種々のフラットディスプレイ装置に広く適用することができる。   In the above-described embodiments, the case where the present invention is applied to a flat display device using a TFT liquid crystal in which a display unit or the like is formed on a glass substrate has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the CGS (Continuous Grain) is used. It can be widely applied to various liquid crystal display devices such as (Silicon) liquid crystal, and various flat display devices such as EL (Electro Luminescence) display devices.

本発明は、TFT、CGS等によるアクティブ素子による液晶表示装置、さらにはEL表示装置等の種々のフラットディスプレイ装置に適用することができる。   The present invention can be applied to various flat display devices such as liquid crystal display devices using active elements such as TFT and CGS, and EL display devices.

本発明の実施例1に適用されるバッファ回路を示す接続図である。It is a connection diagram which shows the buffer circuit applied to Example 1 of this invention. 本発明の実施例1に係る液晶表示装置を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the liquid crystal display device which concerns on Example 1 of this invention. 図2の液晶表示装置の水平駆動回路の一部を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a part of a horizontal drive circuit of the liquid crystal display device of FIG. 2. 図4のバッファ回路におけるプリチャージ回路の動作の説明に供するタイムチャートである。5 is a time chart for explaining the operation of a precharge circuit in the buffer circuit of FIG. 図1のバッファ回路に適用される定電流回路を示す接続図である。FIG. 2 is a connection diagram illustrating a constant current circuit applied to the buffer circuit of FIG. 1. 図5の定電流回路の動作の説明に供するタイムチャートである。6 is a time chart for explaining the operation of the constant current circuit of FIG. 5. 図1のバッファ回路におけるアナログバッファ回路の動作の説明に供するタイムチャートである。2 is a time chart for explaining an operation of an analog buffer circuit in the buffer circuit of FIG. 図1のバッファ回路におけるアナログバッファ回路の動作の説明に供する接続図である。FIG. 2 is a connection diagram for explaining an operation of an analog buffer circuit in the buffer circuit of FIG. 1. 図8の続きの説明に供する接続図である。FIG. 9 is a connection diagram for explanation following FIG. 8. 図9の続きの説明に供する接続図である。FIG. 10 is a connection diagram for explanation following FIG. 9. 図10の続きの説明に供する接続図である。FIG. 11 is a connection diagram for explanation following FIG. 10. 本発明の実施例2に適用されるアナログバッファ回路を示す接続図である。It is a connection diagram which shows the analog buffer circuit applied to Example 2 of this invention. 図12のアナログバッファ回路に適用される定電流回路を示す接続図である。FIG. 13 is a connection diagram illustrating a constant current circuit applied to the analog buffer circuit of FIG. 12. 図12のアナログバッファ回路の動作の説明に供するタイムチャートである。13 is a time chart for explaining the operation of the analog buffer circuit of FIG. 本発明の実施例3に適用される水平駆動回路の一部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows a partial structure of the horizontal drive circuit applied to Example 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1……液晶表示装置、2……液晶セル、3、Q11〜Q14C……トランジスタ、4……保持容量、6……表示部、7……水平駆動回路、8……垂直駆動回路、9……シフトレジスタ、10……ディジタルアナログ変換回路、11……バッファ回路部、15……基準電圧発生回路、16……基準電圧セレクタ、17……タイミング発生回路、18……バッファ回路、20、40、57……アナログバッファ回路、21……プリチャージ回路、22、23、24、31〜35……スイッチ回路、26、46……定電流回路、C1〜C3、C3A〜C3C……コンデンサ


DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal display device, 2 ... Liquid crystal cell, 3, Q11-Q14C ... Transistor, 4 ... Holding capacity, 6 ... Display part, 7 ... Horizontal drive circuit, 8 ... Vertical drive circuit, 9 ... ... Shift register, 10... Digital / analog conversion circuit, 11... Buffer circuit section, 15... Reference voltage generation circuit, 16. 57 ... Analog buffer circuit, 21 ... Precharge circuit, 22, 23, 24, 31-35 ... Switch circuit, 26, 46 ... Constant current circuit, C1-C3, C3A-C3C ... Capacitor


Claims (2)

マトリックス状に画素を配置してなる表示部と、
表示部の画素をゲート線により順次選択する垂直駆動回路と、
画素の階調を示す階調データを順次サンプリングしてアナログ信号に変換し、表示部の信号線をアナログ信号により駆動することにより、ゲート線により選択された画素を駆動する水平駆動回路とを一体に基板上に形成して成るフラットディスプレイ装置であって、
水平駆動回路は、MOS型FETから成るソースフォロワ回路、及び、定電流回路を具備したバッファ回路、並びに、信号線に接続されたプリチャージ部を有し、
ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのドレインは交流的に接地されており、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのゲートに供給されたアナログ信号に基づきソースにアナログ信号が出力され、
定電流回路は、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースに接続され、MOS型FETの動作電流を設定し、
プリチャージ期間以降の期間に、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースから出力されたアナログ信号に対応するように信号線が駆動され、
プリチャージ部は、プリチャージ処理を行うための一定周期毎に、予め決められたプリチャージ期間に、信号線の電位を、プリチャージ用の電位に設定した後に基準の電位に設定し、
定電流回路は、
基準電流を出力する基準電流源と、プリチャージ期間の前半に基準電流源から出力された基準電流に基づく電圧をサンプリングするサンプリング用コンデンサと、プリチャージ期間の後半において基準電流源から基準電流が出力されなくなった後に、サンプリング用コンデンサにサンプリングした電圧に基づく電流をソースフォロワ回路を構成するMOS型FETの動作電流として設定するトランジスタとを有し、
ンプリング用コンデンサはトランジスタのゲート−ソース間に接続されており、
トランジスタのドレインは基準電流源と接続されており、
プリチャージの期間であって、かつバッファ回路における動作開始の期間で、サンプリング用コンデンサとトランジスタのゲートとを基準電流源に接続し、
トランジスタを基準電流源からの基準電流により駆動した際のゲート−ソース間の電圧にサンプリング用コンデンサの両端電圧を設定した後、サンプリング用コンデンサ及びトランジスタのゲートと基準電流源との接続を遮断すると共に、トランジスタのドレインを駆動対象に接続することにより、サンプリング用コンデンサに設定されたゲート−ソース間の電圧によるトランジスタの電流でMOS型FETを駆動するフラットディスプレイ装置。
A display unit in which pixels are arranged in a matrix;
A vertical driving circuit for sequentially selecting pixels of the display portion by gate lines;
Gradation data indicating pixel gradation is sequentially sampled and converted into an analog signal, and the signal line of the display unit is driven by the analog signal, thereby integrating the horizontal drive circuit that drives the pixel selected by the gate line. A flat display device formed on a substrate,
The horizontal drive circuit has a source follower circuit made of a MOS FET, a buffer circuit having a constant current circuit, and a precharge unit connected to the signal line,
The drain of the MOS FET constituting the source follower circuit is grounded in an alternating manner, and an analog signal is output to the source based on the analog signal supplied to the gate of the MOS FET constituting the source follower circuit.
The constant current circuit is connected to the source of the MOS type FET constituting the source follower circuit, and sets the operating current of the MOS type FET.
In the period after the precharge period, the signal line is driven so as to correspond to the analog signal output from the source of the MOS type FET constituting the source follower circuit,
The precharge unit sets the potential of the signal line to a reference potential after setting the potential of the signal line to a precharge potential in a predetermined precharge period for every predetermined period for performing the precharge process,
Constant current circuit
A reference current source that outputs a reference current, a sampling capacitor that samples a voltage based on the reference current output from the reference current source in the first half of the precharge period, and a reference current that is output from the reference current source in the second half of the precharge period A transistor that sets a current based on the voltage sampled in the sampling capacitor as the operating current of the MOS type FET that constitutes the source follower circuit,
The sampling capacitor gate of the transistor - which is connected between the source,
The drain of the transistor is connected to a reference current source,
In the precharge period and the operation start period in the buffer circuit, the sampling capacitor and the gate of the transistor are connected to the reference current source,
After setting the voltage across the sampling capacitor to the voltage between the gate and the source when the transistor is driven by the reference current from the reference current source, the connection between the sampling capacitor and the gate of the transistor and the reference current source is cut off. A flat display device for driving a MOS FET by a transistor current by a gate-source voltage set in a sampling capacitor by connecting the drain of the transistor to a driving target.
マトリックス状に画素を配置してなる表示部と、
表示部の画素をゲート線により順次選択する垂直駆動回路と、
画素の階調を示す階調データを順次サンプリングしてアナログ信号に変換し、表示部の信号線をアナログ信号により駆動することにより、ゲート線により選択された画素を駆動する水平駆動回路とを一体に基板上に形成して成るフラットディスプレイ装置であって、
水平駆動回路は、MOS型FETから成るソースフォロワ回路、及び、定電流回路を具備したバッファ回路、並びに、信号線に接続されたプリチャージ部を有し、
ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのドレインは交流的に接地されており、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのゲートに供給されたアナログ信号に基づきソースにアナログ信号が出力され、
定電流回路は、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースに接続され、MOS型FETの動作電流を設定し、
プリチャージ期間以降の期間に、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースから出力されたアナログ信号に対応するように信号線が駆動され、
プリチャージ部は、プリチャージ処理を行うための一定周期毎に、予め決められたプリチャージ期間に、信号線の電位を、プリチャージ用の電位に設定した後に基準の電位に設定し、
定電流回路は、
基準電流を生成する基準電流源と、ゲートが基準電流源の出力側と接続され、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETの動作電流をドレインからの電流で設定する電流供給用のMOS型FETと、電流供給用のMOS型FETのゲートとソースとの間に接続されたサンプリング用コンデンサと、サンプリング用コンデンサ及び電流供給用のMOS型FETのゲートの接続点と基準電流源の出力側との間に設けられた第1のスイッチと、ソースフォロワ回路を構成するMOS型FETのソースと電流供給用のMOS型FETのドレインとの間に設けられた第2のスイッチと、基準電流源による基準電流の出力のタイミング、第1のスイッチのオン/オフのタイミング、第2のスイッチのオン/オフのタイミングを制御する信号を生成するタイミング発生器とを有し、
トランジスタのドレインは基準電流源と接続されており、
プリチャージの期間であって、かつバッファ回路における動作開始の期間で、第1のスイッチをオンして、サンプリング用コンデンサとトランジスタのゲートとを基準電流源に接続し、
トランジスタを基準電流源からの基準電流により駆動した際のゲート−ソース間の電圧にサンプリング用コンデンサの両端電圧を設定した後、第1のスイッチをオフしてサンプリング用コンデンサ及びトランジスタのゲートと基準電流源との接続を遮断すると共に、第2のスイッチをオンしてトランジスタのドレインを駆動対象に接続することにより、サンプリング用コンデンサに設定されたゲート−ソース間の電圧によるトランジスタの電流でMOS型FETを駆動するフラットディスプレイ装置。
A display unit in which pixels are arranged in a matrix;
A vertical driving circuit for sequentially selecting pixels of the display portion by gate lines;
Gradation data indicating pixel gradation is sequentially sampled and converted into an analog signal, and the signal line of the display unit is driven by the analog signal, thereby integrating the horizontal drive circuit that drives the pixel selected by the gate line. A flat display device formed on a substrate,
The horizontal drive circuit has a source follower circuit made of a MOS FET, a buffer circuit having a constant current circuit, and a precharge unit connected to the signal line,
The drain of the MOS FET constituting the source follower circuit is grounded in an alternating manner, and an analog signal is output to the source based on the analog signal supplied to the gate of the MOS FET constituting the source follower circuit.
The constant current circuit is connected to the source of the MOS type FET constituting the source follower circuit, and sets the operating current of the MOS type FET.
In the period after the precharge period, the signal line is driven so as to correspond to the analog signal output from the source of the MOS type FET constituting the source follower circuit,
The precharge unit sets the potential of the signal line to a reference potential after setting the potential of the signal line to a precharge potential in a predetermined precharge period for every predetermined period for performing the precharge process,
Constant current circuit
A reference current source for generating a reference current; a MOS FET for current supply in which the gate is connected to the output side of the reference current source, and the operating current of the MOS FET constituting the source follower circuit is set by the current from the drain; A sampling capacitor connected between the gate and source of the current supply MOS FET, and between the connection point of the sampling capacitor and the gate of the current supply MOS FET and the output side of the reference current source A first switch provided between the source of the MOS FET constituting the source follower circuit and the drain of the current supply MOS FET, and a reference current by the reference current source Generating a signal for controlling the output timing of the first switch, the on / off timing of the first switch, and the on / off timing of the second switch And a timing generator,
The drain of the transistor is connected to a reference current source,
In the precharge period and the operation start period in the buffer circuit, the first switch is turned on, the sampling capacitor and the gate of the transistor are connected to the reference current source,
After setting the voltage across the sampling capacitor to the voltage between the gate and the source when the transistor is driven by the reference current from the reference current source, the first switch is turned off and the sampling capacitor and the gate of the transistor and the reference current By disconnecting the connection with the source and turning on the second switch to connect the drain of the transistor to the drive target, the transistor current is determined by the voltage between the gate and the source set in the sampling capacitor. Flat display device that drives
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