JP4753966B2 - Power conversion device and temperature correction method for current sensor device - Google Patents
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Description
本発明は、電力変換装置並びに電流センサ装置の温度補正方法に関する。 The present invention relates to a temperature compensation method of the power converter and current sensor device.
電力変換装置では、モータ等の負荷を最適に駆動するために負荷電流を逐次測定及び制御する必要があり、従来、非接触型の電流センサであるホール素子が多く用いられている。ホール素子は、素子に直交する磁界に比例した電圧を発生する磁界-電圧変換素子であり、ホール素子により得られるセンサ信号値は、下記の式1により補正される。なお、式1においてV0’は補正済信号値、Voutはセンサ信号値、Voffは無磁界時のセンサ信号値、Gは物理量変換係数である。
V0’=G×(Vout−Voff) (1)
In a power conversion device, it is necessary to sequentially measure and control a load current in order to optimally drive a load such as a motor. Conventionally, a Hall element that is a non-contact type current sensor is often used. The Hall element is a magnetic field-voltage conversion element that generates a voltage proportional to a magnetic field orthogonal to the element, and a sensor signal value obtained by the Hall element is corrected by the following
V 0 ′ = G × (Vout−Voff) (1)
従来の電流センサは、物理量変換後の電流値を高精度とするために、センサ信号値Voutに対して個体及び温度変動を抑制する必要があった。従来、ホール素子を利用した一般的な電流センサ回路(図3参照)において個体差を抑制するための手法として、抵抗R2をトリミングにより調整し、磁界印加時のセンサ信号値Voutを所望の値としていた。また、温度変動を抑制する手法として、特許文献1では、抵抗R2に感温素子であるサーミスタを配置することで、周囲温度の影響によるセンサ出力電圧の変動を抑制した電流センサ装置が示されている。
このように、ホール素子は同一磁界に対して個体差及び温度変動が大きく、センサ出力信号の個体差及び温度変動を抑制する必要があった。しかし、上述のトリミングによる手法では、高価なトリミング装置が必要であるため加工費が高くなり、また、所望のセンサ信号値が得られるまで調整作業を繰り返すため長時間を要し、さらにトリミングに失敗した場合、再調整はできないため歩留まりが低下するという問題があった。また、上記特許文献1による温度変動を抑制する手法では、サーミスタの温度特性にも個体差があるため、ホール素子の温度特性と一致性が高くなければ所望の精度が得られないという課題がある。
As described above, the Hall elements have large individual differences and temperature fluctuations with respect to the same magnetic field, and it is necessary to suppress individual differences and temperature fluctuations of the sensor output signal. However, the above-described trimming method requires an expensive trimming device, which increases the processing cost, and requires a long time to repeat adjustment work until a desired sensor signal value is obtained, and further trimming fails. In such a case, since readjustment cannot be performed, there is a problem that the yield decreases. In addition, the technique for suppressing temperature fluctuation according to
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、出力信号の個体差及び温度変動を抑制するための調整作業にかかる加工費を低減し、調整時間を短縮し、さらに歩留まり向上を図ることが可能な電流センサ装置を備えることにより、モータ駆動の制御が高精度で行える電力変換装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and reduces processing costs for adjustment work for suppressing individual differences in output signals and temperature fluctuations, shortening adjustment time, and It is an object of the present invention to provide a power conversion device capable of controlling motor drive with high accuracy by providing a current sensor device capable of improving yield .
さらに、加工費の低減及び調整時間の短縮を図ることが可能な電流センサ装置の温度補正方法を提供することを目的とする。 Furthermore, it aims at providing the temperature correction method of the current sensor apparatus which can aim at reduction of processing cost and shortening of adjustment time.
本発明に係る電力変換装置は、モータ駆動時の電流を電流センサ装置により測定しモータ制御を行う電力変換装置であって、電流センサ装置は、被測定電流により発生する磁界の値に応じて変化する信号を出力し、この出力信号を出力電圧に変換する電流センサ回路と、電流センサ回路の出力電圧を補正するための検出値補正情報を記憶する記憶手段と、電流センサ回路の周囲温度を測定する感温素子を備え、検出値補正情報は、電流センサ回路からの出力電圧情報と、感温素子からの周囲温度情報と、電流センサ回路の調整時において磁気回路が無い状態で基準磁界発生装置により求めたゲインとその時の周囲温度情報から得られるゲインの温度特性情報と、電流センサ回路の調整時において磁気回路を付属した状態で求めた基準温度ゲイン情報と、基準温度ゲイン情報から求められる基板基準温度ゲイン情報と、ゲインの温度特性情報に基づき求められる基板に磁気回路を付属した状態におけるゲインの温度特性情報αを含み、基準温度ゲイン情報とゲインの温度特性情報αから得られるグラフより出力ゲインを算出し、下式により電流センサ回路の出力電圧を温度補正した補正済電流値を得るものである。
I’=Gct(T)×(Vout−Voff)
I’は補正済電流値、Gct(T)は出力ゲイン、Voutはセンサ信号値、Voffは無磁界時のセンサ信号値。
A power conversion device according to the present invention is a power conversion device that controls a motor by measuring a current when a motor is driven by a current sensor device, and the current sensor device changes according to a value of a magnetic field generated by a current to be measured. A current sensor circuit for converting the output signal into an output voltage, storage means for storing detection value correction information for correcting the output voltage of the current sensor circuit, and measuring the ambient temperature of the current sensor circuit The detection value correction information includes output voltage information from the current sensor circuit, ambient temperature information from the temperature sensor, and a reference magnetic field generator in the absence of a magnetic circuit when adjusting the current sensor circuit. the gain temperature characteristic information of the gain obtained from the ambient temperature information at that time was determined, the reference temperature determined by the state that came magnetic circuit at the time of adjustment of the current sensor circuit Gay Wherein the information, and a substrate reference temperature gain information obtained from the reference temperature gain information, a temperature characteristic information of the gain α in a state that came the magnetic circuit substrate obtained based on the temperature characteristic information of the gain, the reference temperature gain information and gain The output gain is calculated from the graph obtained from the temperature characteristic information α, and a corrected current value obtained by temperature-correcting the output voltage of the current sensor circuit is obtained by the following equation .
I ′ = Gct (T) × (Vout−Voff)
I ′ is the corrected current value, Gct (T) is the output gain, Vout is the sensor signal value, and Voff is the sensor signal value when there is no magnetic field.
また、本発明に係る電流センサ装置の温度補正方法は、被測定電流により発生する磁界の値に応じて変化する信号を検出し、この出力信号を出力電圧に変換する電流センサ回路と、電流センサ回路の出力電圧を補正するための検出値補正情報を記憶する記憶手段と、電流センサ回路の周囲温度を測定する感温素子を有する電流センサ装置の温度補正方法であって、電流センサ回路の調整時において、電流センサ回路が搭載された基板単体にて、磁気回路が無い状態で基準磁界発生装置より求めたゲインとその時の周囲温度からゲインの温度特性情報を求め、続いて基板に磁気回路を付属した状態にて通電を行うことにより基準温度ゲイン情報を求め、これらを検出値補正情報として前記記憶手段に書き込む第1のステップと、第1のステップで求めた基準温度ゲイン情報のグラフを直線補間することにより基板基準温度ゲイン情報を求め、検出値補正情報として記憶手段に書き込む第2のステップと、第1のステップで求めたゲインの温度特性情報に基づき基板に磁気回路を付属した状態におけるゲインの温度特性情報αを求め、検出値補正情報として記憶手段に書き込む第3のステップと、記憶手段に書き込まれた基準温度ゲイン情報とゲインの温度特性情報αから得られるグラフより出力ゲインを算出し、下式により電流センサ回路の出力電圧を温度補正した補正済電流値を得る第4のステップを含むものである。
I’=Gct(T)×(Vout−Voff)
I’は補正済電流値、Gct(T)は出力ゲイン、Voutはセンサ信号値、Voffは無磁界時のセンサ信号値。
A temperature correction method for a current sensor device according to the present invention detects a signal that changes in accordance with the value of a magnetic field generated by a current to be measured, and converts the output signal into an output voltage, and a current sensor A temperature correction method for a current sensor device having storage means for storing detection value correction information for correcting the output voltage of the circuit and a temperature sensing element for measuring the ambient temperature of the current sensor circuit, the adjustment of the current sensor circuit during at substrate alone by the current sensor circuit is mounted, determine the gain temperature characteristic information from the ambient temperature at that time and gain determined from the reference magnetic field generator in a state the magnetic circuit is not, a magnetic circuit on the substrate followed by determined reference temperature gain information by performing energization with accessory state, a first step of writing in the storage means them as detection values correction information, a first step Seeking substrate reference temperature gain information by linearly interpolating the graph of the reference temperature gain information calculated, a second step of writing into the storage means as a detected value correction information, the temperature characteristic information of the gain obtained in the first step Based on the third step of obtaining the gain temperature characteristic information α in the state where the magnetic circuit is attached to the substrate and writing the detected value correction information in the storage means, the reference temperature gain information written in the storage means and the gain temperature characteristic information This includes a fourth step of calculating an output gain from a graph obtained from α and obtaining a corrected current value obtained by temperature-correcting the output voltage of the current sensor circuit by the following equation .
I ′ = Gct (T) × (Vout−Voff)
I ′ is the corrected current value, Gct (T) is the output gain, Vout is the sensor signal value, and Voff is the sensor signal value when there is no magnetic field.
本発明によれば、電流センサ回路により検出された出力電圧を記憶手段に記憶させた検出値補正情報により補正し、出力電圧の個体差を抑制した電流センサ装置を備えることにより、モータ制御を高精度で行える電力変換装置を得ることができる。 According to the present invention, by providing a current sensor apparatus which suppresses individual difference of the corrected output voltage value detected by the correction information stored the detected output voltage in the storage means by the current sensor circuit, the motor control A power converter that can be performed with high accuracy can be obtained.
また、本発明に係る電流センサ装置の温度補正方法によれば、記憶手段に書き込まれた検出値補正情報により個々の電流センサ回路の温度特性に応じた温度補正が行えるため、電流センサ装置の出力電圧の温度変動を高精度で抑制することができ、加工費の低減及び調整時間の短縮を図ることができる。 Further, according to the temperature correction method of the current sensor device according to the present invention, since the temperature correction according to the temperature characteristics of each current sensor circuit can be performed by the detection value correction information written in the storage means, the output of the current sensor device The temperature fluctuation of the voltage can be suppressed with high accuracy, and the processing cost can be reduced and the adjustment time can be shortened.
参考例1.
図1は、本発明の参考例1に係る電流センサ装置の構成を示す概略図である。本参考例1における電流センサ装置1は、モータ制御系の電力変換装置においてモータの負荷電流を測定するものであり、電流センサ回路2と、この電流センサ回路2の出力電圧を補正するための検出値補正情報を記憶する記憶手段である記憶装置3とを、同一のプリント基板上に配置したものである。
Reference Example 1
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a current sensor device according to Reference Example 1 of the present invention. The
電流センサ回路2は、例えばホール素子であり、素子に直交する磁界に比例した電圧を発生する。すなわち、被測定電流により発生する磁界の値に応じて変化する信号を出力する磁気センサ部と、この出力信号を出力電圧に変換する変換手段を備えている。ただし、電流センサ回路2は、ホール素子のような磁界-電圧変換素子に限定されるものではなく
、MR素子やGMR素子等の磁気電圧変換素子を用いてもよい。
The
また、記憶装置3としては、主に半導体メモリが用いられるが、電流センサ回路2の出力電圧を補正するための検出値補正情報を記憶することができる手段であれば特に限定するものではない。記憶装置3に記憶される検出値補正情報としては、電流センサ装置1の調整時において、電流センサ回路2に流した負荷電流に対するセンサ出力電圧から求めた物理量変換係数Gが少なくとも含まれる。物理量変換係数Gの求め方については参考例2で説明する。
As the
さらに、本参考例1における電流センサ装置1は、図2に示すように、記憶装置3に記憶された検出値補正情報を、外部(図2では電力変換装置の駆動用回路4)に伝達する伝達手段5を有している。伝達手段5は、例えば記憶装置3に記憶された電流センサ回路2周辺の温度情報等を駆動用回路4に伝達することができる。
Furthermore, as shown in FIG. 2, the
本参考例1の比較例として、ホール素子を利用した一般的な電流センサ回路の調整方法を図3及び図4を用いて説明する。図3は、ホール素子を利用した一般的な電流センサ回路を示しており、バッファ回路であるOPアンプ11とホール素子12及び抵抗R1、R2を有している。また、図4は、図3に示す電流センサ回路のトリミングによる調整
方法を示している。図4に示すように、トリミングによる調整方法では、抵抗R2をトリミングにより所望のセンサ信号値(Vout)が得られるまで調整する作業を繰り返すため
、長時間を要していた。また、トリミング装置は高価であるため加工費が高くなり、さらにトリミングに失敗した場合、再調整はできないため歩留まり低下の原因となっていた。
As a comparative example of the reference example 1 , a general method of adjusting a current sensor circuit using a Hall element will be described with reference to FIGS. FIG. 3 shows a general current sensor circuit using a Hall element, which includes an
本参考例1における電流センサ装置1によれば、電流センサ回路2により検出された出力電圧を、電流センサ回路2と同一のプリント基板上に配置された記憶装置3に記憶させた検出値補正情報により補正することにより、センサ出力信号の個体差を抑制することが可能である。また、トリミング装置を必要としないため、電流センサ装置1の個体差を抑制するための調整作業における加工費を低減でき、調整時間の短縮及び歩留まりの向上が図られる。
According to the
参考例2.
図5は、本発明の参考例2に係る電力変換装置の構成を示す概略図である。なお、図5中、図2と同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。本参考例2における電力変換装置6は、上記参考例1における電流センサ装置1と、電力変換装置6を駆動するための駆動用回路4を、同一ユニットに配置することにより一体化したものである。
Reference Example 2
FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a power conversion device according to Reference Example 2 of the present invention. 5 that are the same as or equivalent to those in FIG. 2 are assigned the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted. The
本参考例2における電力変換装置6は、モータ7を駆動時の負荷電流を電流センサ装置1により測定し、モータ制御を行うものであり、図6に示すように、モータ7を駆動するために必要な情報を電流センサ装置1から駆動用回路4に伝達する伝達手段5を有している。なお、電流センサ装置1を構成する電流センサ回路2及び記憶装置3は各々、駆動用回路4が実装された駆動用基板に搭載することもできるし、別のプリント基板に搭載しても良い。
The
次に、本参考例2における電力変換装置6の動作について、図7のフローチャートを用いて説明する。まず、ステップ1(S1)において、電力変換装置6の出力電圧値Voを、電流センサ装置1の電流センサ回路2により測定する。次に、ステップ2(S2)では、記憶装置3に記憶された物理量変換係数Gを呼び出し、ステップ1で測定した出力電圧値Voに対して出力値の補正を行う。
Next, operation | movement of the
物理量変換係数Gは、予め電流センサ回路2の調整時(初期特性測定時)において、所望の信号値Vo’、センサ信号値Vout、無磁界時のセンサ信号値Voffから、以下の2式
によって求められる。
G=Vo’/(Vout−Voff) (2) ステップ3(S3)において、ステップ2で求められた物理量変換係数Gにより補正された補正済出力電圧V0’を出力する。
The physical quantity conversion coefficient G is obtained in advance by the following two formulas from the desired signal value Vo ′, sensor signal value Vout, and sensor signal value Voff when there is no magnetic field when the
G = Vo ′ / (Vout−Voff) (2) In step 3 (S3), the corrected output voltage V 0 ′ corrected by the physical quantity conversion coefficient G obtained in
本参考例2によれば、電流センサ回路2により検出された出力電圧を、電流センサ回路2と同一のプリント基板上に配置された記憶装置3に記憶させた検出値補正情報により補正し、センサ出力信号の個体差を抑制することが可能な電流センサ装置1を備えることにより、低価格で精度の高い電力変換装置6が得られる。また、電流センサ装置1と電力変換装置6の駆動用回路4を一体化することにより、部品点数の低減及び装置の小型化が図られる。
According to this reference example 2 , the output voltage detected by the
実施の形態1.
図8は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置の構成を示す概略図である。なお、図8中、図5と同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態1における電力変換装置9は、上記参考例1における電流センサ装置1と電力変換装置9を駆動するための駆動用回路4を、同一ユニットに配置することにより一体化し、さらに電流センサ回路2の周囲温度を測定する感温素子8を備えたものである。
FIG. 8 is a schematic diagram showing the configuration of the power conversion device according to
本実施の形態1における電力変換装置9は、モータ7を駆動時の負荷電流を電流センサ装置1により測定し、モータ制御を行うものであり、図9に示すように、モータ7を駆動するために必要な情報を、電流センサ装置1から駆動用回路4に伝達する伝達手段5を有している。なお、電流センサ装置1を構成する電流センサ回路2及び記憶装置3は各々、駆動用回路4が実装された駆動用回路基板に搭載することもできるし、別のプリント基板に搭載しても良い。
The power conversion device 9 according to the first embodiment measures the load current when the motor 7 is driven by the
さらに、駆動用回路4が搭載された駆動用回路基板に感温素子8を配置し、物理量変換係数Gの温度特性を設定し、記憶装置3に記憶する。具体的には、周囲温度T1時のセン
サ信号値Vout1及び感温素子8の出力温度T11、周囲温度T2時のセンサ信号値Vout2及
び感温素子8の出力温度T22から、物理量変換係数Gの温度特性を設定する。また、感温素子8による出力温度を逐次観測することにより、物理量変換係数Gに逐次温度補正を行い、センサ出力信号の温度変動を抑制する。なお、感温素子8を搭載する位置は特に限定するものではなく、駆動用回路基板でなくてもよい。
Further, the temperature sensing element 8 is arranged on the driving circuit board on which the
次に、本実施の形態1における電力変換装置9の動作について、図10のフローチャートを用いて説明する。まず、ステップ1(S1)において、電力変換装置9の出力電圧値Voを、電流センサ装置1の電流センサ回路2により測定する。次に、ステップ2(S2
)では、電流センサ回路2の周囲温度Tを感温素子8により測定する。
Next, operation | movement of the power converter device 9 in this
), The ambient temperature T of the
続いてステップ3(S3)において、ステップ1で測定した出力電圧値Voとステップ2で測定した周囲温度Tから、記憶装置3により温度補正された物理量変換係数Gを求める。物理量変換係数Gの求め方は上記参考例2と同様であり、本実施の形態1ではさらに、物理量変換係数Gに温度補正を行うものである。温度補正方法については後述する。さらに、ステップ4(S4)において、温度補正された物理量変換係数により補正された補正済出力電圧V0’を出力する。
Subsequently, in step 3 (S3), the physical quantity conversion coefficient G corrected in temperature by the
本実施の形態1における電力変換装置9の温度補正方法について、図11〜図13を用いて説明する。まず、図11のフローチャートのステップ1(S1)において、電流センサ装置1が搭載されたプリント基板単体にて、磁気回路が無い状態で基準磁界発生装置によりゲインGctmの温度特性αMを求め、これを検出値補正情報として記憶装置3に書き
込む。ここでゲインとは、図12に示すように、出力電圧Vout1、Vout2と電流値I1、I2から定義されるもので、単位はA/Vである。本実施の形態1では、ゲインGct(A/V)の温度特性αを求め、これにより温度補正を行うものである。
A temperature correction method for power conversion device 9 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. First, in step 1 (S1) of the flow chart of FIG. 11, the temperature characteristic αM of the gain Gctm is obtained by the reference magnetic field generator in the absence of a magnetic circuit on a single printed circuit board on which the
ステップ1におけるゲインGctmの温度特性αMの求め方について、図13を用いて説
明する。図13中、点線は、電流センサ回路2が搭載されたプリント基板単体にて磁気回路無しの状態で基準磁界発生装置より求めたゲインGctmの温度特性αMであり、感温素
子8により測定された周囲温度T1時のセンサ信号値Vout1及び電流値I1から算出された
ゲインGctm(T1)と、周囲温度T2時のセンサ信号値Vout2及び電流値I2から算出されたゲインGctm(T2)から、ゲインGctmの温度特性αMが得られる。
A method for obtaining the temperature characteristic αM of the gain Gctm in
次に、同プリント基板に電流センサ用磁気回路を付属した状態、すなわち総ASSY状態にて実通電を行い、基準温度ゲインGct(T0)を求め、これを検出値補正情報として記
憶装置3に書き込む。なお、ここまでの動作は調整時に行われるもので、初期特性として必要であるが、通常動作時には不要である。
Next, actual energization is performed in the state where the magnetic circuit for the current sensor is attached to the same printed circuit board, that is, the total ASSY state, the reference temperature gain Gct (T0) is obtained, and this is written in the
次に、ステップ2(S2)では、上記ステップ1で求めた初期特性をもとに、基板基準
温度ゲインGctm(T0)を求め、検出値補正情報として記憶装置3に書き込む。基板基準
温度ゲインGctm(T0)は、基準温度ゲインのグラフ(図13中点線で示す)を直線補間す
ることにより求められる。さらに、ステップ3(S3)において、同プリント基板に電流センサ用磁気回路を付属した状態におけるゲインGctの温度特性αを求め、検出値補正情報として記憶装置3に書き込む。
Next, in step 2 (S2), the substrate reference temperature gain Gctm (T0) is obtained based on the initial characteristics obtained in
以上のステップ1〜ステップ3において記憶装置3に書き込まれた検出値補正情報により、ステップ4(S4)において出力ゲインGct(T)が算出される。ここで得られた出力
ゲインGct(T)とは、各電流センサ回路2の個体差を含めた温度補正を行うものであり、
上記参考例2で求めた物理量変換係数Gの温度特性を含めたものと言える。
The output gain Gct (T) is calculated in step 4 (S4) based on the detection value correction information written in the
It can be said that the temperature characteristic of the physical quantity conversion coefficient G obtained in Reference Example 2 is included.
例えばホール素子のような磁界-電圧変換素子の電流センサ回路2により得られるセン
サ信号値は、一般に下記の式1により補正される。式1においてV0’は補正済信号値、Voutはセンサ信号値、Voffは無磁界時のセンサ信号値、Gは物理量変換係数である。
V0’=G×(Vout−Voff) (1)
For example, a sensor signal value obtained by a
V 0 ′ = G × (Vout−Voff) (1)
ここで、本実施の形態1における温度補正方法により求めた出力ゲインGct(T)を用い
、モータ制御を行うために電流センサ回路2からの電圧信号を電流値に変換すると、式1は式3のようになる。式3においてI’は補正済電流値である。
I’=Gct(T)×(Vout−Voff) (3)
Here, when the output gain Gct (T) obtained by the temperature correction method in the first embodiment is used and the voltage signal from the
I ′ = Gct (T) × (Vout−Voff) (3)
なお、本実施の形態1による温度補正方法は、ホール素子に限らず、温度依存性に直線性がある素子であれば適用でき、温度補正による精度が補償される。例えばMR素子やGMR素子等の磁気電圧変換素子を用いた場合にも適用可能である。 Note that the temperature correction method according to the first embodiment is not limited to the Hall element, but can be applied to any element having linearity in temperature dependence, and accuracy by temperature correction is compensated. For example, the present invention can be applied to a case where a magnetic voltage conversion element such as an MR element or a GMR element is used.
本実施の形態1に係る電力変換装置によれば、上記参考例2と同様の効果に加え、さらに、電流センサ回路2の周囲温度を測定する感温素子8を備えることにより、物理量変換係数Gの温度特性を設定するようにしたので、電流センサ回路2の温度特性に応じた温度補正を逐次行うことができ、電流センサ回路2の出力電圧の温度変動を抑制することができる。
According to the power conversion device according to the first embodiment, in addition to the same effects as those of the reference example 2, the physical quantity conversion coefficient G is further provided by including the temperature sensing element 8 that measures the ambient temperature of the
また、一般に、電力変換装置においては複数の電流センサ装置1が配置されるため、個々の電流センサ回路2に対する検出値補正情報を記憶した記憶装置3をそれぞれ配置することにより、複数の電流センサ装置1の個体差及び温度変動を抑制でき、高精度でモータ制御を行える電力変換装置が得られる。
In general, since a plurality of
本発明に係る電力変換装置は、例えばモータ駆動装置のモータ制御に利用することができる。 Engaging Ru power converting apparatus according to the present invention can be used, for example, the motor control of the motor driving device.
1 電流センサ装置、2 電流センサ回路、3 記憶装置、4 駆動用回路、5 伝達手段、6、9 電力変換装置、7 モータ、8 感温素子、11 OPアンプ、12 ホール素子。
DESCRIPTION OF
Claims (2)
I’=Gct(T)×(Vout−Voff)
I’は補正済電流値、Gct(T)は出力ゲイン、Voutはセンサ信号値、Voffは無磁界時のセンサ信号値。 A power conversion device that controls a motor by measuring a current when a motor is driven by a current sensor device, wherein the current sensor device outputs a signal that changes according to a value of a magnetic field generated by a current to be measured, and outputs the signal. A current sensor circuit for converting the output voltage of the current sensor circuit, storage means for storing detection value correction information for correcting the output voltage of the current sensor circuit, and a temperature sensing element for measuring the ambient temperature of the current sensor circuit, The detected value correction information was obtained by a reference magnetic field generator in the absence of a magnetic circuit during adjustment of the current sensor circuit, output voltage information from the current sensor circuit, ambient temperature information from the temperature sensing element, and adjustment of the current sensor circuit. gain and the temperature characteristic information of the gain obtained from the ambient temperature information at that time, the reference temperature obtained in a state that came magnetic circuit at the time of adjustment of the current sensor circuit Wherein the gain information, and a substrate reference temperature gain information obtained from the reference temperature gain information, a temperature characteristic information of the gain α at the accessory state the magnetic circuit on the substrate to be determined based on the temperature characteristic information of the gain, the Power conversion characterized in that an output gain is calculated from a graph obtained from reference temperature gain information and temperature characteristic information α of the gain, and a corrected current value obtained by temperature-correcting the output voltage of the current sensor circuit is obtained by the following equation: apparatus.
I ′ = Gct (T) × (Vout−Voff)
I ′ is the corrected current value, Gct (T) is the output gain, Vout is the sensor signal value, and Voff is the sensor signal value when there is no magnetic field.
力電圧に変換する電流センサ回路と、前記電流センサ回路の出力電圧を補正するための検
出値補正情報を記憶する記憶手段と、前記電流センサ回路の周囲温度を測定する感温素子を有する電流センサ装置の温度補正方法であって、
前記電流センサ回路の調整時において、前記電流センサ回路が搭載された基板単体にて、磁気回路が無い状態で基準磁界発生装置より求めたゲインとその時の周囲温度からゲインの温度特性情報を求め、続いて前記基板に磁気回路を付属した状態にて通電を行うことにより基準温度ゲイン情報を求め、これらを前記検出値補正情報として前記記憶手段に書き込む第1のステップ、
前記第1のステップで求めた前記基準温度ゲイン情報のグラフを直線補間することにより基板基準温度ゲイン情報を求め、前記検出値補正情報として前記記憶手段に書き込む第2のステップ、
前記第1のステップで求めたゲインの温度特性情報に基づき前記基板に前記磁気回路を付属した状態におけるゲインの温度特性情報αを求め、前記検出値補正情報として前記記憶手段に書き込む第3のステップ、
前記記憶手段に書き込まれた前記基準温度ゲイン情報と前記ゲインの温度特性情報αから得られるグラフより出力ゲインを算出し、下式により前記電流センサ回路の出力電圧を温度補正した補正済電流値を得る第4のステップを含むことを特徴とする電流センサ装置の温度補正方法。
I’=Gct(T)×(Vout−Voff)
I’は補正済電流値、Gct(T)は出力ゲイン、Voutはセンサ信号値、Voffは無磁界時のセンサ信号値。 A current sensor circuit that detects a signal that changes in accordance with the value of the magnetic field generated by the current to be measured, converts the output signal into an output voltage, and detection value correction information for correcting the output voltage of the current sensor circuit. A temperature correction method for a current sensor device having storage means for storing and a temperature sensing element for measuring the ambient temperature of the current sensor circuit ,
When adjusting the current sensor circuit, obtain the temperature characteristic information of the gain from the gain obtained from the reference magnetic field generator and the ambient temperature at that time in a state where there is no magnetic circuit on a single substrate on which the current sensor circuit is mounted , Subsequently, a first step of obtaining reference temperature gain information by energizing the substrate with a magnetic circuit attached thereto, and writing these into the storage means as the detection value correction information,
A second step of obtaining substrate reference temperature gain information by linearly interpolating the graph of the reference temperature gain information obtained in the first step, and writing it into the storage means as the detection value correction information;
A gain temperature characteristic information α in a state where the magnetic circuit is attached to the substrate on the basis of the gain temperature characteristic information obtained in the first step, and writing to the storage means as the detection value correction information. ,
An output gain is calculated from a graph obtained from the reference temperature gain information written in the storage means and the temperature characteristic information α of the gain, and a corrected current value obtained by temperature-correcting the output voltage of the current sensor circuit by the following equation is obtained. A temperature correction method for a current sensor device, comprising: obtaining a fourth step.
I ′ = Gct (T) × (Vout−Voff)
I ′ is the corrected current value, Gct (T) is the output gain, Vout is the sensor signal value, and Voff is the sensor signal value when there is no magnetic field.
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