JP4753028B2 - Inkjet recording head and inkjet printer - Google Patents
Inkjet recording head and inkjet printer Download PDFInfo
- Publication number
- JP4753028B2 JP4753028B2 JP2006110031A JP2006110031A JP4753028B2 JP 4753028 B2 JP4753028 B2 JP 4753028B2 JP 2006110031 A JP2006110031 A JP 2006110031A JP 2006110031 A JP2006110031 A JP 2006110031A JP 4753028 B2 JP4753028 B2 JP 4753028B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- piezoelectric material
- layer
- piezoelectric layer
- recording head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 13
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 12
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 5
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- -1 organic acid salt Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- QAEKNCDIHIGLFI-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);2-ethylhexanoate Chemical compound [Co+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O QAEKNCDIHIGLFI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triacetate Chemical compound [Fe+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- ZTILUDNICMILKJ-UHFFFAOYSA-N niobium(v) ethoxide Chemical compound CCO[Nb](OCC)(OCC)(OCC)OCC ZTILUDNICMILKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- KNPRLIQQQKEOJN-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)bismuthane Chemical compound [Bi+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] KNPRLIQQQKEOJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
本発明は、圧電材料および圧電素子に関する。 The present invention relates to a piezoelectric material and a piezoelectric element.
インクジェットプリンタのヘッド等に用いられる圧電素子は、圧電材料からなる圧電体層を有する。この圧電材料としては、Pb(Zr,Ti)O3(PZT)などが代表的である(例えば特開2001−223404号公報参照)。しかしながら、PZTなどは鉛(Pb)を含むため、環境上、非常に問題となる。
本発明の目的は、環境に優しく、圧電特性に優れた新規な圧電材料、および、該圧電材料からなる圧電体層を有する圧電素子を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a novel piezoelectric material that is environmentally friendly and excellent in piezoelectric characteristics, and a piezoelectric element having a piezoelectric layer made of the piezoelectric material.
本発明に係る圧電材料は、
下記一般式(1)で表される。
(Bi1−xLax)(Fe1−y(Co2/3Nb1/3)y)O3 ・・・(1)
The piezoelectric material according to the present invention is
It is represented by the following general formula (1).
(Bi 1-x La x ) (Fe 1-y (Co 2/3 Nb 1/3 ) y ) O 3 (1)
但し、0<x<1であり、0<y<1である。 However, 0 <x <1 and 0 <y <1.
この圧電材料は、環境上問題となる鉛(Pb)を含まないため、極めて有用である。さらに、この圧電材料は、鉛フリーでありながら、良好な圧電特性、例えば充分な格子のひずみ量を得ることができる。 This piezoelectric material is extremely useful because it does not contain lead (Pb) which causes environmental problems. Furthermore, this piezoelectric material can obtain a good piezoelectric characteristic, for example, a sufficient lattice strain amount, while being lead-free.
本発明に係る圧電材料において、
0<x≦0.20であり、0<y≦0.30であることができる。
In the piezoelectric material according to the present invention,
0 <x ≦ 0.20 and 0 <y ≦ 0.30.
本発明に係る圧電材料において、
擬立方晶の表示で(100)に配向していることができる。
In the piezoelectric material according to the present invention,
It can be oriented to (100) in a pseudo cubic display.
なお、本発明において、例えば、「(100)に配向」とは、(100)にすべての結晶が配向している場合と、(100)にほとんどの結晶(例えば90%以上)が配向しており、(100)に配向していない残りの結晶が(110)等に配向している場合と、を含む。即ち、「(100)に配向」とは、「(100)に優先配向」ということもできる。このことは、本発明において、例えば、「(110)に配向」という場合も同様である。 In the present invention, for example, “oriented to (100)” means that all crystals are oriented to (100) and that most crystals (eg, 90% or more) are oriented to (100). And the case where the remaining crystals not oriented to (100) are oriented to (110) or the like. That is, “orientation at (100)” can also be referred to as “priority orientation at (100)”. This is the same in the present invention when, for example, “oriented to (110)”.
本発明に係る圧電材料において、
擬立方晶の表示で(110)に配向していることができる。
In the piezoelectric material according to the present invention,
It can be oriented to (110) in a pseudo cubic display.
本発明に係る圧電材料において、
分極方向は、擬立方晶の表示で[111]方向であることができる。
In the piezoelectric material according to the present invention,
The polarization direction can be the [111] direction in pseudocubic representation.
なお、本発明において、「分極方向は、擬立方晶の表示で[111]方向である」とは、分極方向が、擬立方晶の表示で、[111]方向に完全に一致している場合と、分極方向が、擬立方晶の表示で、[111]方向から僅かにずれてはいるが、ほぼ[111]方向になっている場合と、を含む。分極方向が、擬立方晶の表示で、ほぼ[111]方向になっている場合とは、例えば、分極方向が、擬立方晶の表示で、<111>方向と、<100>方向との間にあり、分極方向と、<111>方向との成す角が、例えば10°以下である場合などである。 In the present invention, “the polarization direction is the [111] direction in the pseudo-cubic crystal display” means that the polarization direction is completely in the [111] direction in the pseudo-cubic crystal display. And the case in which the polarization direction is slightly deviated from the [111] direction in the pseudo-cubic crystal display but is substantially in the [111] direction. The case where the polarization direction is substantially [111] direction in the pseudo cubic crystal display, for example, the polarization direction is in the pseudo cubic crystal display and is between the <111> direction and the <100> direction. The angle formed between the polarization direction and the <111> direction is, for example, 10 ° or less.
本発明に係る第1の圧電素子は、
基体と、
前記基体の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を含み、
前記圧電体層は、下記一般式(1)で表される圧電材料からなる。
(Bi1−xLax)(Fe1−y(Co2/3Nb1/3)y)O3 ・・・(1)
The first piezoelectric element according to the present invention is:
A substrate;
A lower electrode formed above the substrate;
A piezoelectric layer formed above the lower electrode;
An upper electrode formed above the piezoelectric layer,
The piezoelectric layer is made of a piezoelectric material represented by the following general formula (1).
(Bi 1-x La x ) (Fe 1-y (Co 2/3 Nb 1/3 ) y ) O 3 (1)
但し、0<x<1であり、0<y<1である。 However, 0 <x <1 and 0 <y <1.
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの(以下「A」という)の「上方」に形成された他の特定のもの(以下「B」という)」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、A上に直接Bが形成されているような場合と、A上に他のものを介してBが形成されているような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。 In the description according to the present invention, the word “upward” refers to, for example, “another specific thing (hereinafter referred to as“ B ”) formed“ above ”a specific thing (hereinafter referred to as“ A ”)”. Etc. In the description of the present invention, in the case of this example, there are a case where B is directly formed on A and a case where B is formed on A via another. The word “above” is used as included.
本発明に係る圧電素子において、
前記基体の上方であって、前記下部電極の下方に形成された弾性層を有することができる。
In the piezoelectric element according to the present invention,
An elastic layer may be formed above the base and below the lower electrode.
なお、本発明に係る記載では、「下方」という文言を、例えば、「特定のもの(以下「A」という)の「下方」に形成された他の特定のもの(以下「B」という)」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Aの下に直接Bが形成されているような場合と、Aの下に他のものを介してBが形成されているような場合とが含まれるものとして、「下方」という文言を用いている。 In the description according to the present invention, the term “downward” refers to, for example, “other specific thing (hereinafter referred to as“ B ”) formed in“ downward ”of a specific thing (hereinafter referred to as“ A ”)”. Etc. In the description according to the present invention, in the case of this example, the case where B is formed directly under A and the case where B is formed under other via A The word “downward” is used as an expression including “.”.
本発明に係る第2の圧電素子は、
基体と、
前記基体の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された第1電極と、
前記圧電体層の上方に形成され、前記第1電極と離間している第2電極と、を含み、
前記圧電体層は、下記一般式(1)で表される圧電材料からなる。
(Bi1−xLax)(Fe1−y(Co2/3Nb1/3)y)O3 ・・・(1)
The second piezoelectric element according to the present invention is
A substrate;
A piezoelectric layer formed above the substrate;
A first electrode formed above the piezoelectric layer;
A second electrode formed above the piezoelectric layer and spaced apart from the first electrode,
The piezoelectric layer is made of a piezoelectric material represented by the following general formula (1).
(Bi 1-x La x ) (Fe 1-y (Co 2/3 Nb 1/3 ) y ) O 3 (1)
但し、0<x<1であり、0<y<1である。 However, 0 <x <1 and 0 <y <1.
本発明に係る圧電素子において、
0<x≦0.20であり、0<y≦0.30であることができる。
In the piezoelectric element according to the present invention,
0 <x ≦ 0.20 and 0 <y ≦ 0.30.
本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料は、擬立方晶の表示で(100)に配向していることができる。
In the piezoelectric element according to the present invention,
The piezoelectric material may be oriented to (100) in a pseudo cubic display.
本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料は、擬立方晶の表示で(110)に配向していることができる。
In the piezoelectric element according to the present invention,
The piezoelectric material may be oriented to (110) in a pseudo cubic display.
本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料の分極方向は、擬立方晶の表示で[111]方向であることができる。
In the piezoelectric element according to the present invention,
The polarization direction of the piezoelectric material may be a [111] direction in a pseudo cubic display.
本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料は、ロンボヘドラル構造を有することができる。
In the piezoelectric element according to the present invention,
The piezoelectric material may have a rhombohedral structure.
本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料は、モノクリニック構造を有することができる。
In the piezoelectric element according to the present invention,
The piezoelectric material may have a monoclinic structure.
以下、本発明に好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1.1. まず、本実施形態に係る圧電材料について説明する。本実施形態に係る圧電材料は、下記一般式(1)で表される。
(Bi,La)(Fe,(Co2/3Nb1/3))O3 ・・・(1)
1.1. First, the piezoelectric material according to this embodiment will be described. The piezoelectric material according to the present embodiment is represented by the following general formula (1).
(Bi, La) (Fe, (Co 2/3 Nb 1/3 )) O 3 (1)
本実施形態に係る圧電材料は、ペロブスカイト型構造を有する。該圧電材料は、擬立方晶の表示で(100)または(110)に配向していることが望ましい。該圧電材料の分極方向は、擬立方晶の表示で[111]方向であることが望ましい。擬立方晶の表示で(100)または(110)に配向しており、分極方向が擬立方晶の表示で[111]方向にある圧電材料は、良好な圧電特性を有することができる。本実施形態に係る圧電材料は、ロンボヘドラル構造またはモノクリニック構造を有することが望ましい。また、該圧電材料における各元素の価数は、Biは+3価、Laは+3価、Feは+3価、Coは+2価、Nbは+5価、Oは−2価であることが望ましい。これにより、該圧電材料は、電荷中性であることができる。 The piezoelectric material according to this embodiment has a perovskite structure. The piezoelectric material is preferably oriented in (100) or (110) in pseudocubic display. The polarization direction of the piezoelectric material is desirably a [111] direction in pseudo cubic display. A piezoelectric material that is oriented to (100) or (110) in the pseudo cubic representation and the polarization direction is in the [111] direction in the pseudo cubic representation can have good piezoelectric characteristics. The piezoelectric material according to this embodiment desirably has a rhombohedral structure or a monoclinic structure. In addition, the valence of each element in the piezoelectric material is desirably Bi (+3), La (+3), Fe (+3), Co (+2), Nb (+5), and O (-2). Thereby, the piezoelectric material can be charge neutral.
また、前記一般式(1)は、下記一般式(1’)で表されることもできる。
(Bi1−xLax)(Fe1−y(Co2/3Nb1/3)y)O3 ・・・(1’)
The general formula (1) can also be represented by the following general formula (1 ′).
(Bi 1-x La x ) (Fe 1-y (Co 2/3 Nb 1/3 ) y ) O 3 (1 ′)
但し、0<x<1であり、好ましくは、0<x≦0.20である。また、0<y<1であり、好ましくは、0<y≦0.30である。xは、ペロブスカイト型構造のAサイトにおけるLa組成であり、yは、BサイトにおけるCoおよびNbの組成である。 However, 0 <x <1 and preferably 0 <x ≦ 0.20. Further, 0 <y <1, and preferably 0 <y ≦ 0.30. x is the La composition at the A site of the perovskite structure, and y is the composition of Co and Nb at the B site.
1.2. 本実施形態に係る圧電材料は、環境上問題となる鉛(Pb)を含まないため、極めて有用である。さらに、本実施形態に係る圧電材料は、鉛フリーでありながら、良好な圧電特性、例えば充分な格子のひずみ量を得ることができる。このことは、後述する実験例において確認されている。 1.2. The piezoelectric material according to the present embodiment is extremely useful because it does not contain lead (Pb) that causes environmental problems. Furthermore, the piezoelectric material according to the present embodiment can obtain good piezoelectric characteristics, for example, a sufficient lattice strain amount, while being lead-free. This has been confirmed in experimental examples described later.
2.1. 次に、本実施形態に係る第1の圧電素子100について説明する。図1は、本実施形態に係る圧電材料からなる圧電体層6を有する第1の圧電素子100の一例を模式的に示す断面図である。
2.1. Next, the first
圧電素子100は、基体2と、基体2の上方に形成された下部電極4と、下部電極4上に形成され、上述した圧電材料からなる圧電体層6と、圧電体層6上に形成された上部電極7と、を含む。圧電素子100は、さらに、基体2の上であって下部電極4の下に形成された弾性層3を有することができる。下部電極4は、弾性層3上に形成されていることができる。なお、圧電素子100は、弾性層3を有しないこともできる。
The
基体2としては、例えば、(110)配向の単結晶シリコン基板などを用いることができ、特に限定されない。基体2は、基板単体あるいは基板上に他の層が積層された積層体であってもよい。弾性層3は、例えば、インクジェット式記録ヘッドにおける弾性板として適用されることができる。弾性層3としては、例えば、酸化シリコン、酸化ジルコニウムをこの順に積層した膜などを用いることができ、特に限定されない。弾性層3の膜厚は、例えば1μm程度である。基体2は、例えば、弾性層3の下であって、基体2に開口されたキャビティ20を有することができる。
As the substrate 2, for example, a (110) -oriented single crystal silicon substrate can be used, and is not particularly limited. The substrate 2 may be a single substrate or a laminate in which other layers are laminated on the substrate. The elastic layer 3 can be applied as an elastic plate in an ink jet recording head, for example. As the elastic layer 3, for example, a film in which silicon oxide and zirconium oxide are laminated in this order can be used, and the elastic layer 3 is not particularly limited. The thickness of the elastic layer 3 is, for example, about 1 μm. The substrate 2 can have, for example, a
下部電極4は、圧電体層6に電圧を印加するための一方の電極である。下部電極4の膜厚は、例えば100nm〜300nmである。下部電極4としては、特に限定されないが、例えば、白金(Pt)等の金属膜の上にペロブスカイト型構造の導電性酸化物(例えばLaNiO3、SrRuO3など)を積層した膜などを用いることができる。例えば、この導電性酸化物からなる膜は、上述した圧電材料からなる圧電体層6と同様に、擬立方晶の表示で(100)または(110)に配向していることが望ましい。これにより、該導電性酸化物膜の結晶構造および配向を引き継いで、下部電極4の上に、ペロブスカイト型構造を有し、擬立方晶の表示で(100)または(110)に配向している圧電材料からなる圧電体層6を容易に得ることができる。
The lower electrode 4 is one electrode for applying a voltage to the
圧電体層6は、上述した本実施形態に係る圧電材料からなる。圧電体層6の膜厚は特に限定されないが、例えば200nm〜1.5μmである。
The
上部電極7は、圧電体層6に電圧を印加するための他方の電極である。上部電極7としては、例えば、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、酸化イリジウム(IrOx)、ペロブスカイト型構造の導電性酸化物(例えばLaNiO3、SrRuO3等)などの単層、あるいは、これらの積層体を用いることができ、特に限定されない。上部電極7の膜厚は、例えば100nm〜200nmである。
The upper electrode 7 is the other electrode for applying a voltage to the
下部電極4、圧電体層6、および上部電極7は、例えば図1に示すようにパターニングされて、柱状の堆積体(柱状部)50を構成することができる。
The lower electrode 4, the
2.2. 次に、本実施形態に係る第1の圧電素子100の製造方法について図1を参照しながら説明する。
2.2. Next, a method for manufacturing the first
(A)まず、基体2上に弾性層3を形成する。弾性層3は、例えば、熱酸化法、化学気相成長(CVD)法、スパッタ法、蒸着法などにより形成されることができる。 (A) First, the elastic layer 3 is formed on the substrate 2. The elastic layer 3 can be formed by, for example, a thermal oxidation method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.
(B)次に、弾性層3上に下部電極4を形成する。下部電極4は、例えば、スパッタ法、スピンコート法、CVD法、レーザアブレーション法などにより形成されることができる。 (B) Next, the lower electrode 4 is formed on the elastic layer 3. The lower electrode 4 can be formed, for example, by sputtering, spin coating, CVD, laser ablation, or the like.
(C)次に、下部電極4上に、本実施形態に係る圧電材料からなる圧電体層6を形成する。圧電体層6は、例えば、ゾルゲル法、MOD(Metal Organic Decomposition)法などを用いて形成されることができる。ゾルゲル法やMOD法を用いる場合の圧電体層6の形成方法は、具体的には以下の通りである。
(C) Next, a
まず、例えば、スピンコート法などを用いて、圧電体層6を形成するための前駆体溶液を下部電極4上に塗布する(前駆体溶液塗布工程)。前駆体溶液については、例えば、圧電体層6となる圧電材料の構成金属をそれぞれ含む有機金属化合物を、各構成金属が所望のモル比となるように混合し、該混合物をアルコールなどの有機溶媒を用いて溶解または分散させることにより作製できる。圧電材料の構成金属を含む有機金属化合物としては、例えば、金属アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。圧電材料の構成金属(Bi、La、Fe、Co、Nb)を含む有機金属化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
First, a precursor solution for forming the
ビスマス(Bi)を含む有機金属化合物としては、例えばビスマスイソプロポキシドなどが挙げられる。ランタン(La)を含む有機金属化合物としては、例えばランタンアセチルアセトナート二水和物などが挙げられる。鉄(Fe)を含む有機金属化合物としては、例えば酢酸鉄などが挙げられる。コバルト(Co)を含む有機金属化合物としては、例えば2−エチルヘキサン酸コバルトなどが挙げられる。ニオブ(Nb)を含む有機金属化合物としては、例えばニオブエトキシドなどが挙げられる。なお、圧電材料の構成金属を含む有機金属化合物としては、これらに限定されるわけではない。 Examples of the organometallic compound containing bismuth (Bi) include bismuth isopropoxide. Examples of the organometallic compound containing lanthanum (La) include lanthanum acetylacetonate dihydrate. Examples of the organometallic compound containing iron (Fe) include iron acetate. Examples of the organometallic compound containing cobalt (Co) include cobalt 2-ethylhexanoate. Examples of the organometallic compound containing niobium (Nb) include niobium ethoxide. The organometallic compound containing the constituent metal of the piezoelectric material is not limited to these.
前駆体溶液には、必要に応じて安定化剤等の各種添加剤を添加することができる。前駆体溶液に加水分解・重縮合を起こさせる場合には、前駆体溶液に適当な量の水とともに、触媒として酸または塩基を添加することができる。前駆体溶液への添加剤としては、例えば、ジエタノールアミン、酢酸などを挙げることができる。 Various additives such as a stabilizer can be added to the precursor solution as necessary. In the case where hydrolysis / polycondensation is caused in the precursor solution, an acid or a base can be added as a catalyst together with an appropriate amount of water to the precursor solution. Examples of the additive to the precursor solution include diethanolamine and acetic acid.
スピンコートにおけるスピンの回転数は、例えば、初期では500rpm程度とし、続いて塗布ムラが起こらないように回転数を2000rpm程度に上げることができる。 For example, the spin rotation speed in spin coating is initially set to about 500 rpm, and then the rotation speed can be increased to about 2000 rpm so that coating unevenness does not occur.
次に、大気雰囲気下でホットプレート等を用い、前駆体溶液に用いた溶媒の沸点よりも例えば10℃程度高い温度で熱処理を行う(乾燥熱処理工程)。 Next, heat treatment is performed at a temperature, for example, about 10 ° C. higher than the boiling point of the solvent used in the precursor solution using a hot plate or the like in an air atmosphere (dry heat treatment step).
次に、前駆体溶液に用いた有機金属化合物の配位子を分解、除去すべく、大気雰囲気下でホットプレート等を用い、例えば300℃〜400℃程度で熱処理を行う(脱脂熱処理工程)。 Next, in order to decompose and remove the ligand of the organometallic compound used in the precursor solution, heat treatment is performed, for example, at about 300 ° C. to 400 ° C. using a hot plate or the like in the atmosphere (degreasing heat treatment step).
なお、上述した前駆体溶液塗布工程、乾燥熱処理工程、脱脂熱処理工程の一連の工程を所望の膜厚に応じて適宜回数繰り返すことができる。 In addition, a series of processes of the precursor solution coating process, the drying heat treatment process, and the degreasing heat treatment process described above can be repeated as appropriate according to the desired film thickness.
次に、結晶化アニール、即ち結晶化のための焼成工程を行うことで圧電体層6を得る。結晶化アニールは、例えば、RTA(Rapid Thermal Annealing)等により、酸素雰囲気中にて、550℃〜650℃程度で行われることができる。
Next, the
なお、圧電体層6は、ゾルゲル法やMOD法の液相法のみならず、例えば、レーザアブレーション法やスパッタ法等の気相法などを用いて形成されることもできる。
The
(D)次に、圧電体層6上に上部電極7を形成する。上部電極7は、例えば、スパッタ法、スピンコート法、化学気相成長(CVD)法、レーザアブレーション法などにより形成されることができる。
(D) Next, the upper electrode 7 is formed on the
(E)次に、必要に応じて、ポストアニールを行うことができる。これにより、圧電体層6と上下電極との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層6の結晶性を改善することができる。ポストアニールは、例えば、RTA等により、酸素雰囲気中にて行われることができる。
(E) Next, post-annealing can be performed as necessary. Thereby, a good interface between the
(F)次に、必要に応じて、各部材をエッチングによりパターニングして、例えば、柱状部50やキャビティ20などを形成することができる。
(F) Next, if necessary, each member can be patterned by etching to form, for example, the
以上の工程によって、本実施形態に係る第1の圧電素子100を製造することができる。
Through the above steps, the first
2.3. 本実施形態に係る第1の圧電素子100では、圧電体層6は、上述した圧電材料からなる。この圧電材料は、上述したように、鉛フリーでありながら、良好な圧電特性を有することができる。従って、本実施形態によれば、環境に優しく、圧電特性に優れた圧電素子を提供することができる。
2.3. In the first
2.4. 次に、実験例について説明する。 2.4. Next, experimental examples will be described.
以下の方法によって、本実施形態に係る第1の圧電素子100の実験サンプルを得た。
An experimental sample of the first
まず、(110)配向のシリコン基板(基体2)上に、SiO2膜を500nm、ZrO2膜を500nmの膜厚で積層して弾性層3を得た。SiO2膜を熱酸化法によって形成し、ZrO2膜をスパッタ法によって形成した。次に、スパッタ法によって、ZrO2膜上に、下部電極4として、Pt膜を200nm、LaNiO3膜を100nmの膜厚で順に積層した。Pt膜およびLaNiO3膜のスパッタリングの電力は、200Wとした。得られたLaNiO3膜の配向は、擬立方晶の表示で(100)に配向していることが確認された。 First, an elastic layer 3 was obtained by laminating a SiO 2 film with a thickness of 500 nm and a ZrO 2 film with a thickness of 500 nm on a (110) oriented silicon substrate (base 2). A SiO 2 film was formed by a thermal oxidation method, and a ZrO 2 film was formed by a sputtering method. Next, as a lower electrode 4, a Pt film having a thickness of 200 nm and a LaNiO 3 film having a thickness of 100 nm were sequentially stacked on the ZrO 2 film by sputtering. The power for sputtering the Pt film and the LaNiO 3 film was 200 W. The orientation of the obtained LaNiO 3 film was confirmed to be (100) in the pseudo cubic display.
次に、LaNiO3膜上に、上述した圧電材料からなる圧電体層6を形成した。本実験例では、圧電材料として、上述した一般式(1’):
(Bi1−xLax)(Fe1−y(Co2/3Nb1/3)y)O3 ・・・(1’)
におけるxを、0.10に固定して、yを、0.05から、0.05ずつ、0.35まで変化させたもの、および、yを、0.20に固定して、xを、0.05から、0.05ずつ、0.30まで変化させたものを用いた。
Next, the
(Bi 1-x La x ) (Fe 1-y (Co 2/3 Nb 1/3 ) y ) O 3 (1 ′)
X is fixed at 0.10, y is changed from 0.05 to 0.05 in increments of 0.35, and y is fixed at 0.20, and x is What was changed from 0.05 to 0.05 in increments of 0.05 was used.
圧電体層6は、具体的には、以下のようにして得た。
Specifically, the
まず、圧電材料の構成金属を含む有機金属化合物(ビスマスイソプロポキシド、ランタンアセチルアセトナート二水和物、酢酸鉄、2−エチルヘキサン酸コバルト、ニオブエトキシド)の試薬をそれぞれ用意した。次に、所望の圧電材料の組成に対応したモル比となるようにこれらを混合するとともに、これらをブチルセロソルブに溶解(分散)させた。さらに、この溶液の安定化剤としてジエタノールアミンを添加した。このようにして上述した圧電材料の前駆体溶液を調整した。 First, reagents for organometallic compounds (bismuth isopropoxide, lanthanum acetylacetonate dihydrate, iron acetate, cobalt 2-ethylhexanoate, niobium ethoxide) containing the constituent metals of the piezoelectric material were prepared. Next, they were mixed so as to have a molar ratio corresponding to the composition of the desired piezoelectric material, and dissolved (dispersed) in butyl cellosolve. Furthermore, diethanolamine was added as a stabilizer for this solution. Thus, the precursor solution of the piezoelectric material described above was prepared.
次に、この前駆体溶液をスピンコート法によって下部電極4上に塗布した(前駆体溶液塗布工程)。次に、溶媒の沸点(ブチルセロソルブの場合、170℃程度)より約10℃高い温度で熱処理(乾燥)して溶媒を除去しゲル化させた(乾燥熱処理工程)。次に、さらに400℃程度に加熱することで膜中に残存している溶媒以外の有機成分を分解/除去し(脱脂熱処理工程)、膜厚100nmのアモルファス膜を形成した。以上の工程を5回繰り返して行った。次に、RTAにより酸素雰囲気中にて、600℃で1分間加熱し、結晶化を行うことで、膜厚500nmの圧電体層6を形成した。
Next, this precursor solution was applied onto the lower electrode 4 by a spin coat method (precursor solution application step). Next, it was heat-treated (dried) at a temperature about 10 ° C. higher than the boiling point of the solvent (about 170 ° C. in the case of butyl cellosolve) to remove the solvent and gel (dry heat treatment step). Next, by heating to about 400 ° C., organic components other than the solvent remaining in the film were decomposed / removed (degreasing heat treatment step) to form an amorphous film having a thickness of 100 nm. The above process was repeated 5 times. Next, the
得られた圧電体層6を構成する圧電材料の結晶構造は、ペロブスカイト型構造であって、ロンボヘドラル構造またはモノクリニック構造であることが確認された。該圧電材料の分極方向は、擬立方晶の表示で[111]方向であることが確認された。該圧電材料は、擬立方晶の表示で(100)に配向していることが確認された。該圧電材料の結晶構造、分極方向、および配向の同定には、X線θ−2θ測定およびラマン散乱を用いた。
It was confirmed that the crystal structure of the piezoelectric material constituting the obtained
また、得られた圧電体層6を構成する圧電材料のxおよびyは、各実験サンプルにおいて、所望の値となっていることを、XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)法によって確認した。
In addition, it was confirmed by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) that x and y of the piezoelectric material constituting the obtained
次に、スパッタ法によって、圧電体層6上に、上部電極7として、膜厚200nmのPt膜を形成した。
Next, a 200-nm-thick Pt film was formed as the upper electrode 7 on the
以上のようにして圧電素子100の各実験サンプルを得た。これらの実験サンプルの圧電体層6に対して、上下電極から100kV/cmの電界を印加したときの圧電材料の格子のひずみ量を表1および表2に示す。なお、表1は、xの変化に対する格子のひずみ量を示しており、表2は、yの変化に対する格子のひずみ量を示している。格子のひずみ量は、電界X線によるθ−2θ測定から求めた。
Each experimental sample of the
表1に示すように、La組成xが0.05〜0.20の実験サンプルでは、格子のひずみ量は、0.16%以上であり、良好な圧電特性が確認された。なお、参考例として、xが0(ゼロ)の場合の実験サンプルも作製したが、この場合の格子のひずみ量は、表1に示すように、0.08%であった。 As shown in Table 1, in the experimental sample having an La composition x of 0.05 to 0.20, the strain amount of the lattice was 0.16% or more, and good piezoelectric characteristics were confirmed. As a reference example, an experimental sample in which x is 0 (zero) was also produced. As shown in Table 1, the strain amount of the lattice in this case was 0.08%.
また、表2に示すように、CoおよびNbの組成yが0.05〜0.30の実験サンプルでは、格子のひずみ量は、0.17%以上であり、良好な圧電特性が確認された。なお、参考例として、yが0(ゼロ)の場合の実験サンプルも作製したが、この場合の格子のひずみ量は、表2に示すように、0.15%であった。 Further, as shown in Table 2, in the experimental sample having a Co and Nb composition y of 0.05 to 0.30, the lattice strain was 0.17% or more, and good piezoelectric characteristics were confirmed. . As a reference example, an experimental sample in which y is 0 (zero) was also produced. In this case, the lattice strain was 0.15% as shown in Table 2.
以上の実験結果から、本実施形態に係る圧電材料が良好な圧電特性を有することが確認された。 From the above experimental results, it was confirmed that the piezoelectric material according to the present embodiment has good piezoelectric characteristics.
3.1. 次に、本実施形態に係る第2の圧電素子200について説明する。図2は、本実施形態に係る圧電材料からなる圧電体層6を有する第2の圧電素子200の一例を模式的に示す断面図である。なお、上述した第1の圧電素子100と同一の部材については、同一の符合を付し、その詳細な説明を省略する。
3.1. Next, the second
圧電素子200は、基体2と、基体2の上方に形成され、上述した圧電材料からなる圧電体層6と、圧電体層6上に形成された第1電極40と、圧電体層6上に形成された第2電極70と、を含む。圧電素子200は、基体2上に形成されたバッファ層30を有することができる。圧電体層6は、このバッファ層30上に形成されていることができる。
The
バッファ層30は、圧電体層6の結晶配向性を制御する機能を有することができる。なお、例えば基体2にこの機能がある場合などに、バッファ層30を設けないこともできる。バッファ層30は、例えば、ペロブスカイト型構造を有し、擬立方晶の表示で(100)または(110)に配向している酸化物からなることが望ましい。これにより、バッファ層30の結晶構造および配向を引き継いで、バッファ層30の上に、ペロブスカイト型構造を有し、擬立方晶の表示で(100)または(110)に配向している圧電材料からなる圧電体層6を容易に得ることができる。バッファ層30を構成する酸化物としては、例えば、LaNiO3、SrRuO3などを挙げることができる。
The
第1電極40および第2電極70は、圧電体層6に電圧を印加するための電極である。第1電極40および第2電極70としては、例えば、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、酸化イリジウム(IrOx)、ペロブスカイト型構造の導電性酸化物(例えばLaNiO3、SrRuO3等)などの単層、あるいは、これらの積層体を用いることができ、特に限定されない。第1電極40および第2電極70の膜厚は、例えば100nm〜200nmである。
The
3.2. 次に、本実施形態に係る第2の圧電素子200の製造方法について図2を参照しながら説明する。
3.2. Next, a method for manufacturing the second
(A)まず、基体2上にバッファ層30を形成する。バッファ層30は、例えば、スパッタ法、スピンコート法、CVD法、レーザアブレーション法などにより形成されることができる。
(A) First, the
(B)次に、バッファ層30上に圧電体層6を形成する。本工程は、上述した第1の圧電素子100の一製造工程と同様であるので、詳細な説明を省略する。
(B) Next, the
(C)次に、圧電体層6上に、第1電極40および第2電極70を形成する。第1電極40および第2電極70は、例えば、スパッタ法、スピンコート法、CVD法、レーザアブレーション法などにより形成されることができる。第1電極40および第2電極70は、公知の方法によりパターニングされることができる。
(C) Next, the
(D)次に、必要に応じて、ポストアニールを行うことができる。本工程は、上述した第1の圧電素子100の一製造工程と同様であるので、詳細な説明を省略する。
(D) Next, post-annealing can be performed as necessary. Since this process is the same as the one manufacturing process of the first
以上の工程によって、本実施形態に係る第2の圧電素子200を製造することができる。
Through the above steps, the second
3.3. 本実施形態に係る第2の圧電素子200は、第1の圧電素子100と同様に、環境に優しく、優れた圧電特性を有することができる。
3.3. Like the first
4. 上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。 4). Although the embodiments of the present invention have been described in detail as described above, those skilled in the art will readily understand that many modifications are possible without substantially departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention.
例えば、上述した本発明の実施形態に係る圧電素子は、例えば、インクジェットプリンタ等に用いられるインクジェット式記録ヘッド、アクチュエータ、ジャイロセンサ、FBAR(film bulk acoustic resonator)型やSMR(solid mounted resonator)型等のBAW(bulk acoustic wave)フィルタ、SAW(surface acoustic wave)フィルタ、超音波モータなどに適用されることができる。本発明の実施形態に係る圧電素子は、圧電特性に優れており、各種の用途に好適に適用できる。 For example, the above-described piezoelectric element according to the embodiment of the present invention includes, for example, an ink jet recording head, an actuator, a gyro sensor, an FBAR (film bulk acoustic resonator) type, an SMR (solid mounted resonator) type, and the like used in an ink jet printer. It can be applied to BAW (bulk acoustic wave) filters, SAW (surface acoustic wave) filters, ultrasonic motors and the like. The piezoelectric element according to the embodiment of the present invention has excellent piezoelectric characteristics and can be suitably applied to various applications.
2 基体、3 弾性層、4 下部電極、6 圧電体層、7 上部電極、20 キャビティ、30 バッファ層、40 第1電極、50 柱状部、70 第2電極、100 第1の圧電素子,200 第2の圧電素子 2 Base, 3 Elastic layer, 4 Lower electrode, 6 Piezoelectric layer, 7 Upper electrode, 20 Cavity, 30 Buffer layer, 40 1st electrode, 50 Columnar part, 70 2nd electrode, 100 1st piezoelectric element, 200 1st 2 piezoelectric elements
Claims (7)
前記下部電極の上方に形成され、下記一般式(1)で表される圧電材料からなる圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を有する圧電素子を備えた、インクジェット式記録ヘッド。
(Bi1−xLax)(Fe1−y(Co2/3Nb1/3)y)O3 ・・・(1)
但し、0<x≦0.20であり、0<y≦0.30である。 A lower electrode;
A piezoelectric layer formed above the lower electrode and made of a piezoelectric material represented by the following general formula (1);
An ink jet recording head comprising a piezoelectric element having an upper electrode formed above the piezoelectric layer.
(Bi 1-x La x ) (Fe 1-y (Co 2/3 Nb 1/3 ) y ) O 3 (1)
However, 0 <x ≦ 0.20 and 0 <y ≦ 0.30 .
前記下部電極の上方に形成され、Bi、La、Fe、CoおよびNbを構成金属として含む圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を有する圧電素子を備え、
前記圧電体層のペロブスカイト型構造のAサイトに含まれる前記構成金属におけるLaの含有比が、0より大きく、0.20以下であり、
前記圧電体層のペロブスカイト型構造のBサイトに含まれる前記構成金属におけるCoおよびNbの含有比が、0より大きく、0.30以下である、インクジェット式記録ヘッド。 A lower electrode;
A piezoelectric layer formed above the lower electrode and containing Bi, La, Fe, Co, and Nb as constituent metals;
A piezoelectric element having an upper electrode formed above the piezoelectric layer,
The content ratio of La in the constituent metal contained in the A site of the perovskite structure of the piezoelectric layer is greater than 0 and 0.20 or less ,
An ink jet recording head, wherein a content ratio of Co and Nb in the constituent metal contained in the B site of the perovskite structure of the piezoelectric layer is greater than 0 and equal to or less than 0.30 .
前記圧電体層の膜厚は200nm〜1.5μmである、インクジェット式記録ヘッド。 In claim 1 or 2 ,
An ink jet recording head, wherein the piezoelectric layer has a thickness of 200 nm to 1.5 μm.
前記圧電材料は、擬立方晶の表示で(100)に配向している、インクジェット式記録ヘッド。 In any one of Claims 1 thru | or 3 ,
An ink jet recording head in which the piezoelectric material is oriented to (100) in a pseudo cubic display.
前記圧電材料は、ロンボヘドラル構造を有する、インクジェット式記録ヘッド。 In any one of Claims 1 thru | or 4 ,
The piezoelectric material is an ink jet recording head having a rhombohedral structure.
前記圧電材料は、モノクリニック構造を有する、インクジェット式記録ヘッド。 In any one of Claims 1 thru | or 4 ,
The piezoelectric material is an ink jet recording head having a monoclinic structure.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006110031A JP4753028B2 (en) | 2006-04-12 | 2006-04-12 | Inkjet recording head and inkjet printer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006110031A JP4753028B2 (en) | 2006-04-12 | 2006-04-12 | Inkjet recording head and inkjet printer |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007284262A JP2007284262A (en) | 2007-11-01 |
JP2007284262A5 JP2007284262A5 (en) | 2009-05-14 |
JP4753028B2 true JP4753028B2 (en) | 2011-08-17 |
Family
ID=38756389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006110031A Expired - Fee Related JP4753028B2 (en) | 2006-04-12 | 2006-04-12 | Inkjet recording head and inkjet printer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4753028B2 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5041121B2 (en) * | 2006-04-12 | 2012-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | Inkjet recording head and inkjet printer |
JP5035504B2 (en) * | 2006-04-12 | 2012-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | Inkjet recording head and inkjet printer |
JP5041120B2 (en) * | 2006-04-12 | 2012-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | Inkjet recording head and inkjet printer |
US8114307B2 (en) * | 2006-09-15 | 2012-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric body and liquid discharge head |
JP5267971B2 (en) * | 2008-03-21 | 2013-08-21 | 国立大学法人金沢大学 | Ferroelectric material and piezoelectric material |
JP5394765B2 (en) * | 2008-03-31 | 2014-01-22 | 富士フイルム株式会社 | Perovskite oxide film, ferroelectric, piezoelectric element, liquid ejection device |
JP5110703B2 (en) * | 2008-05-28 | 2012-12-26 | 富士フイルム株式会社 | Perovskite oxide film, ferroelectric, piezoelectric element, liquid ejection device |
JP5313792B2 (en) * | 2008-07-17 | 2013-10-09 | 富士フイルム株式会社 | Perovskite oxide, oxide composition, oxide body, piezoelectric element, and liquid ejection device |
JP5557572B2 (en) * | 2009-03-31 | 2014-07-23 | キヤノン株式会社 | Ceramics, piezoelectric element, and method for manufacturing piezoelectric element |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210794A (en) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Seiko Epson Corp | Ferroelectric memory material |
JP4457587B2 (en) * | 2002-09-05 | 2010-04-28 | セイコーエプソン株式会社 | Method for manufacturing substrate for electronic device and method for manufacturing electronic device |
JP4165347B2 (en) * | 2003-06-25 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | Method for manufacturing piezoelectric element |
JP2005191154A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Seiko Epson Corp | Capacitor and its production process, and semiconductor device |
GB0421120D0 (en) * | 2004-09-22 | 2004-10-27 | Goodrich Control Sys Ltd | Piezoelectric materials |
-
2006
- 2006-04-12 JP JP2006110031A patent/JP4753028B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007284262A (en) | 2007-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5035504B2 (en) | Inkjet recording head and inkjet printer | |
JP2007287745A (en) | Piezoelectric material and piezoelectric element | |
JP4753028B2 (en) | Inkjet recording head and inkjet printer | |
JP5041121B2 (en) | Inkjet recording head and inkjet printer | |
JP5649316B2 (en) | Piezoelectric thin film, piezoelectric element, and method for manufacturing piezoelectric element | |
WO2009157189A1 (en) | Piezoelectric element and method for manufacturing the same | |
JP5599203B2 (en) | Piezoelectric thin film, piezoelectric element, method for manufacturing piezoelectric element, liquid discharge head, and ultrasonic motor | |
JP4553137B2 (en) | Method for producing composite oxide laminate | |
JP5556966B2 (en) | Piezoelectric element | |
KR100932573B1 (en) | Ferroelectric Capacitors, Method of Making Ferroelectric Capacitors, and Ferroelectric Memory | |
JP4753027B2 (en) | Inkjet recording head and inkjet printer | |
JP4905645B2 (en) | Piezoelectric material, manufacturing method thereof, and liquid jet head | |
JP4702552B2 (en) | Piezoelectric element, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus | |
JP5041120B2 (en) | Inkjet recording head and inkjet printer | |
JP4905640B2 (en) | Piezoelectric element, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus | |
JP2012169400A (en) | Manufacturing method of ferroelectric film and ferroelectric element using the same | |
JP2008251916A (en) | Piezoelectric element and manufacturing method thereof | |
JP2012018944A (en) | Method for producing ferroelectric film and ferroelectric element using the same | |
JP2012054560A (en) | Method of manufacturing piezoelectric element, method of manufacturing ink jet recording head, and method of manufacturing ink jet printer | |
JP2010187003A (en) | Precursor composition and method of manufacturing piezoelectric element | |
JP2007204338A (en) | Piezoelectric material | |
JP2007204341A (en) | Piezoelectric material | |
JP4831304B2 (en) | Piezoelectric film, piezoelectric element, piezoelectric actuator, liquid jet head, surface acoustic wave element, and device | |
JP2007204340A (en) | Piezoelectric material | |
JP2007204339A (en) | Piezoelectric material |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090330 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110427 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110510 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4753028 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |