JP4747401B2 - Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 151
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 27
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 18
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 17
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 14
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000002023 wood Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 51
- -1 poly (poly ( 3,4-ethylenedioxy) thiophene Polymers 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-(4-cyanophenyl)phenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1 ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5-tetraphenylcyclopenta-1,4-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOFZZXBUBNFNOC-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-2,3-dinaphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=C(C(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 WOFZZXBUBNFNOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VCVMIAHADDDFPT-UHFFFAOYSA-N O1C(=O)C=CC2=CC=CC=C12.[P] Chemical compound O1C(=O)C=CC2=CC=CC=C12.[P] VCVMIAHADDDFPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- LMNSBGIGCYLELB-UHFFFAOYSA-N [P].C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45 Chemical compound [P].C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45 LMNSBGIGCYLELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPSJTUBQDJEBDZ-UHFFFAOYSA-N [P].O1CC=CC=C1 Chemical compound [P].O1CC=CC=C1 DPSJTUBQDJEBDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940045714 alkyl sulfonate alkylating agent Drugs 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001572 beryllium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001109 fluorescent polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- YPWMFDFZVVRFEG-UHFFFAOYSA-N indium;propan-2-one Chemical compound [In].CC(C)=O YPWMFDFZVVRFEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005621 tetraalkylammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は面発光光源から高情報量のディスプレイまでの広範囲の用途に適した、薄型・軽量で割れることがなく、長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス素子は通常、前面基板、第１電極、有機層、第２電極、背面基板をこの順に形成した構成をとっている。この有機層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの積層構造とすることも可能である。有機エレクトロルミネッセンス素子では、該第１電極、第２電極間に電流を流すことにより、有機層で発光を生じさせ、少なくとも一方の電極を透明にしておくことで、外部に光を取り出すという仕組みで発光させている。
【０００３】
有機層に使用される化合物としては、正孔輸送層にＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンやポリ（３，４−エチレンジオキシ）チオフェン／ポリスチレンスルフォネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、発光層にトリス（８−キノリノール）アルミニウムやポリ（パラ−フェニレンビニレン）などといった、低分子量のものから高分子量のものまで多様な材料が挙げられる。
【０００４】
従来、第１電極を透明電極とすると、前面基板にはガラス基板が使用されることが多いが、衝撃で割れてしまう可能性があること、モジュール重量の大部分をガラス基板が占めているため、さらなる軽量化、薄型化が困難であること等の問題があった。そこでガラス基板の代わりに高分子樹脂基材を使用することが提案されている。これにより、上記の問題が解決できるだけでなく、さらに、巻き取り可能な基材の場合は有機層形成などの各プロセス（ウェットコーティング・巻き取り蒸着）をロール・ツー・ロールで行うことが可能になり、有機エレクトロルミネッセンス素子を安価に提供することが可能となる。
【０００５】
しかしながら、ポリエステルやポリプロピレンといった通常の透明な高分子樹脂基材ではガスバリア性が弱く、素子が水分・酸素、特に水分により劣化してダークスポットの発生・拡大から素子寿命が低下してしまう。これを解決するために、最近では無機酸化物などをガスバリア層として高分子樹脂基材上に設けた透明なバリア性基材を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子が開発されている。
そのためのガスバリア性透明基材としては、上述の金属酸化物などの無機化合物を高分子樹脂基材に積層したもの（特公昭５３−１２９５３号公報、特公昭６２−４９８５６号公報）、密着性の向上や剥離防止等をねらって、ガスバリア層の下あるいは上に樹脂層を形成したもの（特開平２−５０８３７号公報、特開平６−１７５１４３号公報）などが報告されている。
【０００６】
これらのバリア性基材の使用により、高分子樹脂基材を用いた高分子系有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命は改善したものの、ここで使用されたバリア性基材は有機エレクトロルミネッセンス素子用のバリア性基材としては、そのバリア性能が不十分で、さらなるバリア性能の向上による長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子が望まれていた。
【０００７】
バリア性が不十分であることの原因としては、以下のようなものが挙げられる。無機化合物からなるガスバリア層の高分子樹脂基材への製膜は、生産性なども考慮すると、電子線加熱方式の巻き取り式真空蒸着による製膜が適しているとされている。不純物の混入が少なく、高速巻き取り蒸着が可能なためである。しかし、電子線加熱方式では蒸着源やその容器から２次電子が発生し、それが酸化アルミニウムおよび／または酸化ケイ素のような導電性のないガスバリア材に帯電する。これにより、蒸着雰囲気中の塵埃・蒸着物の塊がガスバリア層に付着し、さらに、付着物が巻き取り搬送系でガスバリア層と多数のロールとの間で擦られることにより、重大な損傷がガスバリア層に生じる。また、巻き取り搬送中、ガスバリア層とロールが剥離する際に放電し、ガスバリア層を貫通する損傷を生じるといった問題があり、高いバリア性を得られなかった。
【０００８】
さらに、無機酸化膜を蒸着する際の巻き取り式真空蒸着および、巻き取り印刷、コーティング、ラミネート、ヒートシールなどを行う際の後工程、および素子の完成後に、引っ張りや押圧等の応力が加わったり、バリア層表面が擦れたりすることにより、ガスバリア層に割れ（クラック）や傷などの重大な損傷が発生し、バリア性能低下の原因になっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、これまでバリア性能が不十分で長寿命化が困難であった高分子樹脂基材を用いて、長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とした。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の発明は、透明な基材上に、少なくとも透明な第１電極、有機層、第２電極をこの順に形成する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該基材が、少なくとも高分子樹脂基材層と、該高分子樹脂基材層上に形成されたガスバリア層と、該高分子樹脂基材層及び該ガスバリア層の間に設けられた帯電防止層とを有し、該基材のガスバリア形成側に前記第１電極、有機層、第２電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を形成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００１１】
本発明の第２の発明は、上記帯電防止層及びガスバリア層が無機物であり、該帯電防止層と該ガスバリア層の間に高分子樹脂を含む応力緩衝層を付加したことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００１２】
本発明の第３の発明は、上記基材のガスバリア層側であって、該ガスバリア層と前記有機エレクトロルミネッセンス素子との間に、保護層を付加したことを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００１３】
本発明の第４の発明は、上記帯電防止層が、酸化スズ、酸化インジウム、スズをドープした酸化インジウム、または酸化亜鉛のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１から３のいづれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００１４】
本発明の第５の発明は、上記帯電防止層が、導電性高分子からなることを特徴とする請求項１から３のいづれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００１５】
本発明の第６の発明は、上記ガスバリア層が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１から５のいづれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００１６】
本発明の第７の発明は、上記応力緩衝層が、電子線あるいは紫外線硬化型樹脂からなることを特徴とする請求項２から６のいづれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００１７】
本発明の第８の発明は、請求項１から７のいづれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、 ガスバリア層が無機薄膜であって、巻き取り式蒸着によって成膜することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【００１８】
本発明の第９の発明は、請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、上記帯電防止層及び第１電極がそれぞれスズをドープした酸化インジウムからなり、巻き取り式の真空製膜装置によりスパッタリングして形成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【００１９】
本発明の第１０の発明は、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、上記帯電防止層がＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなり、巻き取り式のグラビア印刷により形成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【００２０】
有機エレクトロルミネッセンス素子の基材を、高分子樹脂基材層／帯電防止層／ガスバリア層を含む構造とすることにより、電子線加熱方式の巻き取り式真空蒸着によってガスバリア層を形成する際に発生するガスバリア層の電荷を帯電防止層が逃がす役割を果たすことになる。これによって、ガスバリア層への塵埃などの付着や、ガスバリア層とロールが剥離する際の放電を防止することができる。
また、応力緩衝層および、または保護層は、ガスバリア層を蒸着する際の巻き取り式真空蒸着および、巻き取り印刷、コーティング、ラミネート、ヒートシールなどを行う際の後工程、および素子の完成後に、引っ張りや押圧等の応力が加わったりした場合のガスバリア層の割れや傷などを防ぐ役割を果たす。
したがって、高いガスバリア性能を発現できる前面基材を、有機エレクトロルミネッセンス素子に応用できることになり、長寿命な素子を安価に得ることが可能になった。
【発明の実施の形態】
【００２１】
以下、図面を利用して本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一実施形態について説明する。図１は本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の一実施例を示す説明図である。
【００２２】
高分子樹脂基材層１としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートなどを好適に用いることができる。
【００２３】
帯電防止層２は、真空蒸着やスパッタリング、塗布法などの従来公知の方法で製膜できる。帯電防止層２を設けることにより、製膜プロセス中での塵埃の付着を防ぎ、巻き取り搬送中での擦れや放電による損傷を低減することができる。
帯電防止層は透明で有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光の取り出しを阻害しない透明な導電性を有する材料からなる必要がある。これには、アルミニウムや金、銀などの金属が半透明状に蒸着されたものや、金属酸化物といった無機物から、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アルキルアミンやグリセリン脂肪酸エステルのような非イオン系帯電防止剤、アルキルスルホン酸塩のようなアニオン系帯電防止剤、テトラアルキルアンモニウム塩のようなカチオン系帯電防止剤、アルキルベタインのような両性帯電防止剤、導電性高分子といった有機物まで、多様な材料から選択することができるが、その中で特に酸化スズ、酸化インジウム、スズをドープした酸化インジウム（以下ＩＴＯという）、酸化亜鉛といった金属酸化物と、ポリアニリン、ポリチオフェンといった導電性高分子が導電性、透明性の面から適している。導電性高分子を使用する場合には、導電性を上げるために、導電性高分子にヨウ素やポリスチレンスルホン酸等をドープしても良い。
【００２４】
前記金属酸化物は真空蒸着・スパッタリング法で製膜することが望ましいが、中でも望ましくは緻密な膜を形成でき、さらなるバリア性能の向上が見られるマグネトロンスパッタリング法により製膜することである。また、材料によっては湿式塗布法も可能であり、この場合はより簡便なプロセスとなり、安価に生産が可能となる。導電性高分子に関しては湿式塗布法が簡便でかつ安価であるため、望ましい。また、帯電防止層の膜厚は、導電性、透明性を考慮し、０．００１μｍ〜１μｍが望ましい。
【００２５】
ガスバリア層４としてはポリ塩化ビニルやポリ塩化ビニリデン、ポリクロロトリフロロエチレンなどの有機薄膜、あるいは酸化アルミニウム、酸化ケイ素などの無機薄膜、および、それらの複合膜・積層膜まで使用することが可能であるが、その中でも特に酸化アルミニウムや酸化ケイ素などの無機酸化物からなる無機薄膜が酸素透過性・水蒸気透過性が低くて望ましい。上述の無機薄膜を形成する場合、生産性なども考慮すると、電子線加熱方式の巻き取り式真空蒸着により製膜することが望ましい。また、ガスバリア層の膜厚は、酸素透過性・水蒸気透過性を考慮し、０．０１μｍ〜１００μｍが望ましい。
【００２６】
帯電防止層とガスバリア層が双方共に無機物で構成されている場合、これらを積層することで、膜厚増加に伴う内部応力増加によってクラックが発生しやすくなるが、両者の間に応力緩衝層を設けると、内部応力を緩和し、引っ張り等の応力に対するガスバリア性の低下を著しく低減できる。応力緩衝層３には高分子樹脂を含む材料が望ましく、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などが挙げられるが、特に紫外線硬化型樹脂および電子線硬化型樹脂は熱硬化型樹脂に比べ、硬化速度が速く生産性に優れより望ましい。特に望ましくは、電子線硬化型樹脂で、溶剤や重合開始材が不要で、コスト・環境問題の点からも好ましい。本発明で使用する具体的な電子線硬化型樹脂としては、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリオールアクリレート、ポリエーテルアクリレート、不飽和ポリエステルのアクリレートやメタクリレートなどが適しているが、これに限定されるものではない。
応力緩衝層の膜厚は、０．０１μｍ〜１００μｍが望ましい。
【００２７】
高分子樹脂基材層上に帯電防止層、応力緩衝層、ガスバリア層を形成した後、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する後工程や、素子の完成後に摩擦などにより表面に損傷を受けてバリア性が低下しないように、あるいは、この後に形成する第１電極が後工程の応力によりクラックなどの損傷を受けてシート抵抗が大きくならないように、ガスバリア層上に保護層を形成するとさらにガスバリア性、可撓性を向上させることが可能である。保護層５としては、応力緩衝層と同じく高分子樹脂を含む材料が望ましく、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などが挙げられる。なお、図１では保護層５の上に電極や有機層を形成しているが、保護層５が完成した素子の最外面、つまり、図２のようになることを考慮して、ハードコート層と兼ねることもできる。
保護層の膜厚は、０．０１μｍ〜１００μｍが望ましい。
【００２８】
透明な第１電極６としては、インジウムとスズあるいはインジウムと亜鉛の複合酸化物を用いることができ、前記多層構造の基材上に蒸着またはスパッタリング法により製膜することができる。また、オクチル酸インジウムやアセトンインジウムなどの前駆体を基材上に塗布後、熱分解により酸化物を形成する塗布熱分解法などにより形成することもできる。あるいは、アルミニウム、金、銀などの金属が半透明状に蒸着されたものを用いることができる。
第１電極の厚さは、０．０１μｍ〜１μｍ程度が望ましい。
【００２９】
有機層は、従来の技術で述べた通り、単層構造でも積層構造でもよく、材料も低分子量のものから高分子量のものまで使用できる。有機層の膜厚は、単層、積層のいずれの場合においても１μｍ以下であり、好ましくは０．０５〜０．１５μｍである。有機層の形成方法は、材料に応じて、真空蒸着法や、スピンコート、スプレーコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法、印刷法を用いることができる。生産性を考慮すると低分子量の場合は巻き取り蒸着、高分子量の場合は湿式塗布が望ましい。
【００３０】
図１の実施例では、有機層は正孔注入層７と発光層８の２層だけとしたが、この場合は正孔注入層７は正孔輸送層としての機能を、発光層８は電子注入層と電子輸送層としての機能をそれぞれ併せ持つ形になっている。
また、有機層を５層構造にする場合は、第１電極６側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層する構造をとる。
ところで、図１では、発光層８の右端を第１電極６に挿入して、第１電極６を分断し絶縁しているが、別途絶縁体を埋め込む構造としても良い。
【００３１】
積層する正孔注入層および正孔輸送層の材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類および無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系材料のような低分子材料や、芳香族アミン系ポリマー、ポリチオフェン、ポリアニリンポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物のような高分子材料や高分子材料とドーパントの混合物、あるいはポリチオフェンオリゴマ
ーのようなオリゴマー材料などが挙げられ、さらにその他既存の正孔注入輸送材料の中から選ぶことができる。
【００３２】
発光層の材料の例としては、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等の低分子材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェンなどの高分子材料、また、ポリビニルカルバゾール等の蛍光性高分子材料やポリメチルメタクリレート等の非蛍光性高分子材料中に蛍光性材料を分散したものなど、その他既存の発光材料を用いることができる。
【００３３】
電子注入層および電子輸送層の材料の例としては、２−（４−ビフィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、およびオキサジアゾール誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等が挙げられる。
【００３４】
陰極としての第２電極９の材料としては、電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはＭｇ、Ａｌ、Ｙｂ等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ、ＬｉＦ等の化合物を０．００１μｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いる。
また、電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系が用いられる。具体的にはＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金が使用できる。
陰極の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。陰極の厚さは、０．０１μｍ〜１μｍ程度が望ましい。
【００３５】
以上のように作製した有機エレクトロルミネッセンス素子の第２電極９側には外部からの水分と酸素による素子劣化を防ぐために、金属やガラスの封止容器を用いることも可能であるが、フレキシブルな前面基材の利点を生かすために、フレキシブルなガスバリア膜を封止フィルム１０として用いて封止を行うのが望ましい。この封止フィルムは不透明で構わない。封止フィルム１０としては、高分子樹脂基材上にアルミニウム箔などのガスバリア性の高い層を積層し、最表面には接着性を有する熱可塑性高分子樹脂のシーラント層を形成したような既存のフィルムを用いることができ、接着法としてはヒートシール等の方法を使用することができる。尚、図１では、第２電極９と封止フィルム１１の間に窒素１０が存在するが、これは水分と酸素による素子劣化を防ぐために、窒素が充填された容器内で封止を行うためであり、真空であっても構わない。
【００３６】
以下、有機エレクトロルミネッセンス素子の実施例を用いて、本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。また、各実施例は保護層の有無以外は図１に示した構造と同じものである。
【００３７】
【実施例】
＜実施例１＞
高分子樹脂基材層１として５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムを真空連続製膜装置の巻きだしロールに装着し、速度０．５ｍ／分でフィルムを搬送しながら、ＩＴＯ（ジャパンエナジー（株）製 酸化スズ含有量１０％）のスパッタリングを行った。これにより高分子樹脂基材層１上に厚み０．０１μｍのＩＴＯ帯電防止層２を形成した。
【００３８】
上記で得られた帯電防止層２の上にアクリレート（共栄社化学（株）製３ＥＧ−Ａ）の樹脂モノマーを蒸着後、電子線を照射して硬化させた。これによりＩＴＯ帯電防止層２上に厚み０．１μｍの応力緩衝層３を形成した。
【００３９】
続いて応力緩衝層３の上に、電子線加熱方式により酸化アルミニウム層を蒸着するために、酸素を酸化剤として供給しながら、蒸着材料であるアルミニウムに電子線を照射して、蒸発したアルミニウムと酸素を反応させながら蒸着した。これにより応力緩衝層３上に厚み０．１μｍのガスバリア層４を形成した。
【００４０】
このようにして作製した基材用フィルムの酸素透過度と水蒸気透過度を測定した。また、後工程である素子作製時の巻き取りなどにより、引っ張りによるある程度の応力がかかるものとして、３％引っ張り後における前面基材用フィルムの酸素透過度と水蒸気透過度を測定した。結果を表１に示す。尚、表中の酸素透過度の単位は、ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ、水蒸気透過度の単位はｇ／ｍ２・ｄａｙである。
【００４１】
上記のように作製された基材用フィルム上に、続けて巻き取り式の真空製膜装置により、第１電極６として再びＩＴＯをスパッタリングした。
【００４２】
その後、第１電極６上に正孔注入層７としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ ＴＰ ＡＩ４０８３）と、発光層８としてポリ（２―メトキシ−５（３’，７’−ジメチルオクチロキシ）−１，４−フェニレンビニレン）をこの順でダイレクトグラビア印刷法にてパターン印刷した。これにより０．０５μｍの正孔注入層７と０．１μｍの発光層８を形成し、積層型の有機層と
することができた。
【００４３】
これを、有機層のパターンに併せて断裁し、真空蒸着法にて第２電極９として厚さ０．１μｍのイッテルビウムをマスク蒸着した後、封止フィルムをヒートシール法にて接着した。封止フィルムはポリエチレンテレフタレート１２μｍ、アルミニウム箔２０μｍ、プロピレンの酸変性物（三井化学 ＱＥ０５０）３０μｍを順にドライラミネート及び押し出しラミネートしたものを使用した。
【００４４】
作製した素子の輝度半減寿命を初期輝度２００ｃｄ／ｍ２から測定した。その結果を表１に示す。尚、寿命の単位はｈｏｕｒである。
【００４５】
＜実施例２＞
実施例１と同様にガスバリア層まで形成した上に、アクリレート（共栄社化学（株）製３ＥＧ−Ａ）の樹脂モノマーを蒸着後、電子線を照射して硬化させた。これによりガスバリア層に厚み１μｍの保護層５が形成された。このように作製した基材用フィルムを実施例１と同様に評価した。
【００４６】
上記のように作製された基材用フィルム上に、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。このように作製した有機エレクトロルミネッセンス素子を実施例１と同様に評価した。
【００４７】
＜実施例３＞
高分子樹脂基材層として５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムをグラビア印刷機の巻きだしロールに取り付け、３０ｍ／分で走行させながら、帯電防止層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ ＴＰ ＡＩ４０８３）をダイレクトグラビア印刷法にて塗布した。これにより、０．０５μｍの厚みの帯電防止層を形成した。
【００４８】
上記で得られた帯電防止層の上に、実施例１と同様にガスバリア層を、さらにその上に実施例２と同様に保護層まで形成して基材用フィルムとした。このように作製した基材用フィルムを実施例１と同様に評価した。
【００４９】
上記のように作製された基材用フィルム上に、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。このように作製した有機エレクトロルミネッセンス素子を実施例１と同様に評価した。
【００５０】
＜比較例１＞
帯電防止層、応力緩衝層を設けない以外は実施例１と同様に、基材用フィルムを作製した。このように作製した基材用フィルムを実施例１と同様に評価した。
【００５１】
上記のように作製された基材用フィルム上に実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。このように作製した有機エレクトロルミネッセンス素子を実施例１と同様に評価した。
【００５２】
【表１】
【発明の効果】
本発明の第１の発明によると、高分子樹脂基材層と帯電防止層とガスバリア層からなる基材を用いているため、ガスバリア層形成時の帯電による塵埃付着の防止が可能となり、本来のガスバリア性能が発揮できるという効果がある。
また、本発明の第２の発明によると、帯電防止層とガスバリア層の間に応力緩衝層を付加することにより、多層構成の基材内部の応力を緩和し、引っ張り等の応力に対するガスバリア性の低下を著しく低減できるという効果がある。
また、本発明の第３の発明によると、基材の最外層のどちらか一方に保護層を付加することにより、より一層のガスバリア性の向上が可能となる。
【００５４】
また、本発明の第４および第５の発明によると、帯電防止層の透明性と導電性が充分に確保できる。
また、本発明の第６の発明によると、ガスバリア層の酸素透過性と水蒸気透過性を薄膜で充分に低くできる。
また、本発明の第７の発明によると、応力緩衝層と保護層を形成する際の硬化速度が早く、生産性に優れ、特に電子線硬化型樹脂を用いれば、溶剤や重合開始材が不要なため、コストを抑えられ、環境問題の発生も少なくできる。
以上のような発明の効果から、薄型・軽量で割れることがないフィルム基材を基材として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の高ガスバリア性基材による長寿命化と、ロール・ツー・ロール生産による安価な素子の提供が可能となった。
【００５５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の一実施例を示す説明図である。
【図２】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の他の実施例を示す説明図である。
【符号の説明】
１：高分子樹脂基材層
２：帯電防止層
３：応力緩衝層
４：ガスバリア層
５：保護層
６：第１電極
７：正孔注入層（有機層）
８：発光層（有機層）
９：第２電極
１０：窒素
１１：封止フィルム[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic electroluminescence device that is suitable for a wide range of applications from a surface-emitting light source to a high-information-content display, is thin and lightweight, does not break, and has a long life.
[0002]
[Prior art]
The organic electroluminescence element usually has a configuration in which a front substrate, a first electrode, an organic layer, a second electrode, and a back substrate are formed in this order. The organic layer may have a laminated structure such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In the organic electroluminescence element, light is emitted from the organic layer by passing a current between the first electrode and the second electrode, and at least one of the electrodes is kept transparent, thereby extracting light to the outside. The light is emitted.
[0003]
Examples of the compound used in the organic layer include N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine and poly (poly ( 3,4-ethylenedioxy) thiophene / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS), tris (8-quinolinol) aluminum and poly (para-phenylene vinylene) in the light emitting layer, etc. Various materials can be mentioned.
[0004]
Conventionally, if the first electrode is a transparent electrode, a glass substrate is often used for the front substrate, but it may be broken by impact, and the glass substrate occupies most of the module weight. There are problems such as difficulty in further weight reduction and thinning. Therefore, it has been proposed to use a polymer resin base material instead of the glass substrate. This not only solves the above problems, but also enables roll-to-roll processes such as organic layer formation (wet coating and roll-up deposition) for rollable substrates. Thus, the organic electroluminescence element can be provided at a low cost.
[0005]
However, a normal transparent polymer resin base material such as polyester or polypropylene has a weak gas barrier property, and the element deteriorates due to moisture / oxygen, particularly moisture, and the lifetime of the element is reduced due to generation / expansion of dark spots. In order to solve this problem, recently, an organic electroluminescence device using a transparent barrier base material provided with an inorganic oxide or the like as a gas barrier layer on a polymer resin base material has been developed.
As the gas barrier transparent base material for that purpose, an inorganic compound such as the above-mentioned metal oxide is laminated on a polymer resin base material (Japanese Examined Patent Publication No. 53-12953, Japanese Examined Patent Publication No. 62-49856), In order to improve, prevent peeling, etc., those in which a resin layer is formed under or on the gas barrier layer (JP-A-2-50837, JP-A-6-175143) have been reported.
[0006]
Although the lifetime of an organic electroluminescent device having a polymer organic layer using a polymer resin substrate is improved by using these barrier substrates, the barrier substrate used here is an organic electroluminescent device. As a barrier substrate for use, an organic electroluminescence element having a long life due to insufficient barrier performance and further improved barrier performance has been desired.
[0007]
The following are mentioned as causes of insufficient barrier properties. In consideration of productivity and the like, the film formation of the gas barrier layer made of an inorganic compound on the polymer resin base material is considered to be suitable by the electron beam heating type winding vacuum deposition. This is because there is little mixing of impurities and high-speed winding vapor deposition is possible. However, in the electron beam heating method, secondary electrons are generated from the vapor deposition source and its container, and are charged to a non-conductive gas barrier material such as aluminum oxide and / or silicon oxide. As a result, dust and deposits in the deposition atmosphere adhere to the gas barrier layer, and the deposits are rubbed between the gas barrier layer and a number of rolls in the take-up conveyance system, causing serious damage to the gas barrier layer. Occurs in the layer. Moreover, there was a problem that during the winding and transporting, the gas barrier layer and the roll were discharged when they were peeled off, causing damage to penetrate the gas barrier layer, and high barrier properties could not be obtained.
[0008]
Furthermore, stress such as pulling or pressing may be applied after completion of the winding vacuum deposition when depositing the inorganic oxide film, post-processing when winding printing, coating, laminating, heat sealing, etc., and completion of the element. When the surface of the barrier layer is rubbed, serious damage such as cracks or scratches occurs in the gas barrier layer, which causes a decrease in barrier performance.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a long-life organic electroluminescence element using a polymer resin base material that has hitherto been insufficient in barrier performance and difficult to extend its life.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem, the first invention of the present invention is an organic electroluminescent device in which at least a transparent first electrode, an organic layer, and a second electrode are formed in this order on a transparent substrate. The substrate is at least a polymer resin substrate layer,Formed on the polymer resin substrate layerA gas barrier layer, the polymer resin substrate layer, and theGas barrierAn antistatic layer provided between the layers, on the gas barrier forming side of the substrate.Consists of the first electrode, the organic layer, and the second electrodeAn organic electroluminescence device characterized by forming an organic electroluminescence device.
[0011]
According to a second aspect of the present invention, the antistatic layer and the gas barrier layer are inorganic materials,The2. The organic electroluminescence device according to
[0012]
3rd invention of this invention is the gas barrier layer side of the said base materialBetween the gas barrier layer and the organic electroluminescence elementThe organic electroluminescence device according to claim 2, further comprising a protective layer.
[0013]
The fourth invention of the present invention is characterized in that the antistatic layer contains at least one of tin oxide, indium oxide, tin-doped indium oxide, or zinc oxide. It is an organic electroluminescent element as described in one.
[0014]
The fifth invention of the present invention is the organic electroluminescence device according to any one of
[0015]
The sixth invention of the present invention is the organic electroluminescence device according to any one of
[0016]
The seventh invention of the present invention is the above stress buffer layer.ButThe organic electroluminescence device according to claim 2, comprising an electron beam or an ultraviolet curable resin.
[0017]
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method for producing an organic electroluminescence device according to any one of the first to seventh aspects, wherein the gas barrier layer is an inorganic thin film, and is formed by roll-up deposition. This is a method for producing an organic electroluminescence element.
[0018]
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the method for producing an organic electroluminescent element according to the fourth aspect, wherein the antistatic layer and the first electrode are each made of indium oxide doped with tin, and a winding type vacuum. It is the manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by forming by sputtering with the film forming apparatus.
[0019]
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the method for producing an organic electroluminescent element according to the fifth aspect, wherein the antistatic layer is made of PEDOT / PSS and is formed by roll-up gravure printing. It is a manufacturing method of the organic electroluminescent element.
[0020]
Occurs when the gas barrier layer is formed by the electron beam heating type wind-up type vacuum deposition by making the base material of the organic electroluminescence element into a structure including a polymer resin base material layer / antistatic layer / gas barrier layer. The antistatic layer releases the charge of the gas barrier layer. This can prevent dust and the like from adhering to the gas barrier layer and discharge when the gas barrier layer and the roll are peeled off.
In addition, the stress buffer layer and / or the protective layer may be wound-up vacuum deposition when vapor-depositing the gas barrier layer and a post-process when performing winding printing, coating, laminating, heat sealing, and the like, and after completion of the device, It plays the role of preventing cracks and scratches of the gas barrier layer when stress such as pulling or pressing is applied.
Therefore, it becomes possible to apply a front substrate that can exhibit high gas barrier performance to an organic electroluminescence element, and it is possible to obtain a long-life element at low cost.
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[0021]
Hereinafter, an embodiment of the organic electroluminescence element of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of the structure of the organic electroluminescence element of the present invention.
[0022]
As the polymer
[0023]
The antistatic layer 2 can be formed by a conventionally known method such as vacuum deposition, sputtering, or a coating method. By providing the antistatic layer 2, it is possible to prevent dust from adhering during the film forming process, and to reduce damage caused by rubbing or discharging during winding and conveyance.
The antistatic layer needs to be made of a transparent material that is transparent and does not hinder the extraction of light emitted from the organic electroluminescence element. For example, N, N-bis (2-hydroxyethyl) alkylamine or glycerin fatty acid ester is used, such as a semi-transparent metal such as aluminum, gold, or silver, or an inorganic material such as a metal oxide. Nonionic antistatic agents, anionic antistatic agents such as alkyl sulfonates, cationic antistatic agents such as tetraalkylammonium salts, amphoteric antistatic agents such as alkylbetaines, and organic substances such as conductive polymers Can be selected from various materials, among which metal oxides such as tin oxide, indium oxide, tin-doped indium oxide (hereinafter referred to as ITO) and zinc oxide, and conductive polymers such as polyaniline and polythiophene. Is suitable in terms of conductivity and transparency. When a conductive polymer is used, iodine, polystyrene sulfonic acid, or the like may be doped into the conductive polymer in order to increase conductivity.
[0024]
The metal oxide is preferably formed by vacuum vapor deposition / sputtering, but it is preferable to form the metal oxide by magnetron sputtering, which can form a dense film and further improve the barrier performance. In addition, depending on the material, a wet coating method is also possible. In this case, the process becomes simpler and can be produced at low cost. Regarding the conductive polymer, the wet coating method is preferable because it is simple and inexpensive. The film thickness of the antistatic layer is preferably 0.001 μm to 1 μm in consideration of conductivity and transparency.
[0025]
The gas barrier layer 4 can be used for organic thin films such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride and polychlorotrifluoroethylene, inorganic thin films such as aluminum oxide and silicon oxide, and composite films and laminated films thereof. Among them, an inorganic thin film made of an inorganic oxide such as aluminum oxide or silicon oxide is particularly preferable because of its low oxygen permeability and water vapor permeability. When forming the above-described inorganic thin film, it is desirable to form the film by the electron beam heating type winding vacuum deposition in consideration of productivity and the like. Further, the film thickness of the gas barrier layer is preferably 0.01 μm to 100 μm in consideration of oxygen permeability and water vapor permeability.
[0026]
When both the antistatic layer and the gas barrier layer are made of an inorganic material, by laminating them, cracks are likely to occur due to an increase in internal stress accompanying an increase in film thickness, but a stress buffer layer is provided between them. And the internal stress can be relaxed, and the deterioration of the gas barrier property against stress such as tension can be remarkably reduced. The stress buffer layer 3 is preferably made of a material containing a polymer resin, and examples thereof include thermosetting resins, ultraviolet curable resins, and electron beam curable resins. In particular, ultraviolet curable resins and electron beam curable resins are thermosetting. Compared with mold resin, it has a faster curing rate and is more desirable for productivity. Particularly desirable is an electron beam curable resin, which does not require a solvent or a polymerization initiator, and is preferable from the viewpoint of cost and environmental problems. Specific examples of the electron beam curable resin used in the present invention include epoxy acrylate, urethane acrylate, polyester acrylate, polyol acrylate, polyether acrylate, and unsaturated polyester acrylate and methacrylate, but are not limited thereto. It is not something.
The thickness of the stress buffer layer is desirably 0.01 μm to 100 μm.
[0027]
After forming an antistatic layer, a stress buffer layer, and a gas barrier layer on the polymer resin base material layer, the post-process for producing the organic electroluminescence device, or the surface is damaged by friction after the device is completed, and the barrier property is If a protective layer is formed on the gas barrier layer so that the sheet resistance does not increase due to damage of cracks or the like due to stress in the subsequent process, so that the first electrode formed after this does not decrease, gas barrier properties and flexibility It is possible to improve the property. The protective layer 5 is preferably made of a material containing a polymer resin, like the stress buffer layer, and examples thereof include thermosetting resins, ultraviolet curable resins, and electron beam curable resins. In FIG. 1, an electrode or an organic layer is formed on the protective layer 5. However, in consideration of the fact that the protective layer 5 is the outermost surface of the completed element, that is, as shown in FIG. It can also serve as.
The thickness of the protective layer is desirably 0.01 μm to 100 μm.
[0028]
As the transparent first electrode 6, a composite oxide of indium and tin or indium and zinc can be used, and can be formed on the multilayer base material by vapor deposition or sputtering. Alternatively, a precursor such as indium octylate or indium acetone can be applied on a substrate and then formed by an application pyrolysis method in which an oxide is formed by thermal decomposition. Alternatively, a material in which a metal such as aluminum, gold, or silver is vapor-deposited in a translucent state can be used.
The thickness of the first electrode is preferably about 0.01 μm to 1 μm.
[0029]
As described in the prior art, the organic layer may have a single-layer structure or a laminated structure, and materials of low molecular weight to high molecular weight can be used. The film thickness of the organic layer is 1 μm or less, preferably 0.05 to 0.15 μm, in both cases of single layer and stacked layers. The organic layer can be formed by a vacuum deposition method, a coating method such as spin coating, spray coating, flexo, gravure, microgravure, or intaglio offset, or a printing method depending on the material. In consideration of productivity, it is preferable to wind-up vapor deposition for low molecular weight and wet coating for high molecular weight.
[0030]
In the embodiment of FIG. 1, the organic layer has only two layers, the
When the organic layer has a five-layer structure, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are stacked in this order from the first electrode 6 side.
In FIG. 1, the right end of the
[0031]
Examples of the material of the hole injection layer and the hole transport layer to be laminated include metal phthalocyanines and metal-free phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, quinacridone compounds, 1,1-bis (4 -Di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, N, N'- Low molecular weight materials such as aromatic amine-based materials such as di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, aromatic amine-based polymers, polythiophene, Polymer materials and polymer materials such as polyaniline polyvinyl carbazole, a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrene sulfonic acid Mixture of dopant, or polythiophene oligomer
Can be selected from other existing hole injecting and transporting materials.
[0032]
Examples of the material of the light emitting layer include 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4- Methyl-8-quinolinolato) aluminum complex, bis (8-quinolinolato) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) ) Aluminum complex, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) [4 -(4-Cyanophenyl) phenolate] aluminum complex , Tris (8-quinolinolato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, poly-2, 5-diheptyloxy-para-phenylene vinylene, coumarin phosphor, perylene phosphor, pyran phosphor, anthrone phosphor, porphyrin phosphor, quinacridone phosphor, N, N'-dialkyl-substituted quinacridone Low molecular materials such as phosphors, naphthalimide phosphors, N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole phosphors, polymer materials such as polyfluorene, polyparaphenylene vinylene, polythiophene, and fluorescence such as polyvinylcarbazole Such as functional polymer materials and polymethyl methacrylate Such as those of the fluorescent material dispersed in a fluorescent polymer material, it is possible to use other existing luminescent materials.
[0033]
Examples of the material for the electron injection layer and the electron transport layer include 2- (4-bifinylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1 -Naphtyl) -1,3,4-oxadiazole, oxadiazole derivatives, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complexes, triazole compounds, and the like.
[0034]
As the material of the
In order to achieve both electron injection efficiency and stability, one or more metals such as Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, and Yb having a low work function, stable Ag, An alloy system with a metal element such as Al or Cu is used. Specifically, alloys such as MgAg, AlLi, and CuLi can be used.
Depending on the material, the cathode can be formed by resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, reactive vapor deposition, ion plating, or sputtering. The thickness of the cathode is preferably about 0.01 μm to 1 μm.
[0035]
In order to prevent device deterioration due to moisture and oxygen from the outside, it is possible to use a metal or glass sealed container on the
[0036]
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely using the Example of an organic electroluminescent element, this invention is not limited to these. Moreover, each Example is the same as the structure shown in FIG. 1 except for the presence or absence of a protective layer.
[0037]
【Example】
<Example 1>
A polyethylene terephthalate film with a thickness of 50 μm is attached as a polymer
[0038]
A resin monomer of acrylate (3EG-A manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) was deposited on the antistatic layer 2 obtained above, and then cured by irradiation with an electron beam. As a result, a stress buffer layer 3 having a thickness of 0.1 μm was formed on the ITO antistatic layer 2.
[0039]
Subsequently, in order to deposit an aluminum oxide layer on the stress buffer layer 3 by an electron beam heating method, while supplying oxygen as an oxidizing agent, the aluminum as a deposition material is irradiated with an electron beam, and evaporated aluminum and Vapor deposition was performed while oxygen was reacted. As a result, a gas barrier layer 4 having a thickness of 0.1 μm was formed on the stress buffer layer 3.
[0040]
The oxygen permeability and water vapor permeability of the substrate film thus prepared were measured. Further, the oxygen transmission rate and water vapor transmission rate of the front substrate film after 3% stretching were measured on the assumption that a certain amount of stress was applied due to winding or the like at the time of device fabrication as a subsequent process. The results are shown in Table 1. The unit of oxygen permeability in the table is cc / m.2・ Day ・ atm, unit of water vapor permeability is g / m2-Day.
[0041]
ITO was sputtered again as the first electrode 6 on the film for base material produced as described above by a take-up vacuum film forming apparatus.
[0042]
Thereafter, PEDOT / PSS (Baytron PTP AI4083 manufactured by Bayer) as the
We were able to.
[0043]
This was cut together with the pattern of the organic layer, and ytterbium with a thickness of 0.1 μm was mask-deposited as the
[0044]
The luminance half life of the fabricated device is the initial luminance of 200 cd / m.2Measured from The results are shown in Table 1. The unit of life is hour.
[0045]
<Example 2>
A gas barrier layer was formed in the same manner as in Example 1, and a resin monomer of acrylate (3EG-A manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) was deposited and then cured by irradiation with an electron beam. Thereby, the protective layer 5 having a thickness of 1 μm was formed on the gas barrier layer. The base film thus produced was evaluated in the same manner as in Example 1.
[0046]
An organic electroluminescence element was produced in the same manner as in Example 1 on the substrate film produced as described above. The organic electroluminescence device thus produced was evaluated in the same manner as in Example 1.
[0047]
<Example 3>
A polyethylene terephthalate film with a thickness of 50 μm is attached to the winding roll of a gravure printing machine as a polymer resin base material layer, and PEDOT / PSS (Baytron PTP AI4083 manufactured by Bayer) is directly used as an antistatic layer while running at 30 m / min It apply | coated by the gravure printing method. Thereby, an antistatic layer having a thickness of 0.05 μm was formed.
[0048]
On the antistatic layer obtained above, a gas barrier layer was formed in the same manner as in Example 1, and a protective layer was further formed thereon in the same manner as in Example 2 to obtain a film for a substrate. The base film thus produced was evaluated in the same manner as in Example 1.
[0049]
An organic electroluminescence element was produced in the same manner as in Example 1 on the substrate film produced as described above. The organic electroluminescence device thus produced was evaluated in the same manner as in Example 1.
[0050]
<Comparative Example 1>
A film for a substrate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the antistatic layer and the stress buffer layer were not provided. The base film thus produced was evaluated in the same manner as in Example 1.
[0051]
An organic electroluminescence element was produced in the same manner as in Example 1 on the substrate film produced as described above. The organic electroluminescence device thus produced was evaluated in the same manner as in Example 1.
[0052]
[Table 1]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, since a base material composed of a polymer resin base material layer, an antistatic layer and a gas barrier layer is used, it is possible to prevent dust adhesion due to charging during the formation of the gas barrier layer. There is an effect that the gas barrier performance can be exhibited.
Further, according to the second invention of the present invention, by adding a stress buffer layer between the antistatic layer and the gas barrier layer, the stress inside the multi-layered substrate is relieved and the gas barrier property against stress such as tension is reduced. There is an effect that the reduction can be remarkably reduced.
Further, according to the third aspect of the present invention, it is possible to further improve the gas barrier property by adding a protective layer to either one of the outermost layers of the substrate.
[0054]
Further, according to the fourth and fifth aspects of the present invention, the transparency and conductivity of the antistatic layer can be sufficiently ensured.
According to the sixth aspect of the present invention, the gas barrier layer can be sufficiently reduced in oxygen permeability and water vapor permeability by the thin film.
Further, according to the seventh aspect of the present invention, when the stress buffer layer and the protective layer are formed, the curing speed is fast and the productivity is excellent. In particular, if an electron beam curable resin is used, no solvent or polymerization initiator is required. Therefore, the cost can be suppressed and the occurrence of environmental problems can be reduced.
Due to the effects of the invention as described above, the organic electroluminescence element using a thin, lightweight, and non-breaking film substrate as a substrate has a longer life due to the high gas barrier substrate and is inexpensive due to roll-to-roll production. New devices can be provided.
[0055]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing an example of the structure of an organic electroluminescence element of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory view showing another embodiment of the structure of the organic electroluminescence element of the present invention.
[Explanation of symbols]
1: Polymer resin base material layer
2: Antistatic layer
3: Stress buffer layer
4: Gas barrier layer
5: Protective layer
6: First electrode
7: Hole injection layer (organic layer)
8: Light emitting layer (organic layer)
9: Second electrode
10: Nitrogen
11: Sealing film
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000238178A JP4747401B2 (en) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000238178A JP4747401B2 (en) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050469A JP2002050469A (en) | 2002-02-15 |
| JP4747401B2 true JP4747401B2 (en) | 2011-08-17 |
Family
ID=18729921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000238178A Expired - Lifetime JP4747401B2 (en) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4747401B2 (en) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282241A (en) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | Organic electroluminescent display panel and its manufacturing method |
| US6891330B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-10 | General Electric Company | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission |
| US7164155B2 (en) | 2002-05-15 | 2007-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2003347063A (en) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Toshiba Corp | Organic electroluminescent display element and manufacturing method therefor |
| JP4611267B2 (en) * | 2002-09-11 | 2011-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing light emitting device |
| US7015640B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
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| JP4564773B2 (en) * | 2004-04-07 | 2010-10-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | LIGHT EMITTING ELEMENT AND DISPLAY DEVICE THEREOF |
| JP4507761B2 (en) | 2004-08-20 | 2010-07-21 | パナソニック株式会社 | Dispersed EL element and illuminated switch unit using the same |
| KR100637189B1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat panel Display device |
| US8167675B2 (en) | 2006-06-26 | 2012-05-01 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd | Dispersion-type electroluminescent element and method for manufacturing the same |
| US7968382B2 (en) * | 2007-02-02 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP4522459B2 (en) * | 2008-03-24 | 2010-08-11 | 三洋電機株式会社 | Organic EL panel |
| EP2178133B1 (en) * | 2008-10-16 | 2019-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device |
| JP2010146924A (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Tohcello Co Ltd | Sealed functional element |
| US9000442B2 (en) | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
| WO2011102465A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 三井化学東セロ株式会社 | Sealed functional element |
| JP5658598B2 (en) * | 2010-03-04 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | Print head |
| US20150034926A1 (en) * | 2012-01-31 | 2015-02-05 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence element |
| JPWO2016136008A1 (en) * | 2015-02-24 | 2017-11-30 | コニカミノルタ株式会社 | Organic light emitting device |
| CN110431008B (en) | 2017-03-27 | 2022-05-06 | 凸版印刷株式会社 | Transparent conductive gas barrier laminate and device having the same |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05205433A (en) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Kao Corp | Optical disk cartridge |
| JPH05259591A (en) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Flexible substrate |
| JPH06167778A (en) * | 1992-12-01 | 1994-06-14 | Konica Corp | Antistatic film |
| JP3499957B2 (en) * | 1995-03-10 | 2004-02-23 | リンテック株式会社 | Antistatic adhesive sheet |
| JP3608012B2 (en) * | 1995-09-12 | 2005-01-05 | 昭和電工株式会社 | Antistatic film forming composition and method for producing antistatic film |
| JPH1024519A (en) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | Transparent conductive laminate and el element using the laminate |
| JP3762032B2 (en) * | 1997-04-07 | 2006-03-29 | キヤノン株式会社 | Method for forming antistatic film and method for manufacturing image display device |
| JPH11327050A (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display device |
-
2000
- 2000-08-07 JP JP2000238178A patent/JP4747401B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002050469A (en) | 2002-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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