JP4740233B2 - 不揮発性記憶装置、不揮発性メモリのコントローラ、及び不揮発性記憶システム - Google Patents
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Description
1.メモリカードの構成
図1は、本発明の不揮発性記憶装置の一実施形態であるメモリカードの構成を示したブロック図である。
図2は、本実施形態のメモリカード(不揮発性記憶装置)の初期化動作時におけるコントローラとフラッシュメモリ間の動作シーケンスを説明した図である。
図3は、実施の形態1のメモリカードにおける、不揮発性メモリに応じた制御プログラムをIRAM112にロードする処理を示したフローチャートである。本処理はMPU110により実行される。
本実施形態のメモリカードによれば、コントローラが不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)の制御に必要な情報(制御プログラム)を、不揮発性メモリに応じた方法で、不揮発性メモリから読み出して使用する。つまり、不揮発性記憶装置に搭載された不揮発性メモリの種類が異なっても、同一のコントローラで不揮発性メモリの制御を行うことができるため、不揮発性メモリ毎に異なる仕様を有するコントローラを開発する必要がなく、不揮発性記憶装置の設計、製造時のコストを低減できる。
本発明の別の実施の形態を説明する。本実施形態のメモリカードは、図1に示す構成を有し、その動作シーケンスも図2に示すものと同様である。
本発明のさらに別の実施の形態を説明する。図6は、本発明の不揮発性記憶装置のさらに別の実施の形態であるメモリカードの構成を示したブロック図である。
本発明のさらに別の実施の形態を説明する。本実施形態では、プログラムの実行に不可欠な複数のパラメータをプログラムと別に管理する。そして、複数のパラメータから、フラッシュメモリの種類に応じた1つを選択し、その選択したパラメータを用いてプログラムを実行することで、フラッシュメモリに対応した制御を可能とする。
102 ホスト
103、103b、103c コントローラ
104 フラッシュメモリ
105 ホストI/F
106 フラッシュI/F
107、120、121 ROM
108 ページバッファ
109 ECC回路
110 MPU
111 フラッシュ制御DSP
112 IRAM
Claims (13)
- 不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに対するデータの書き込み、及び、読み出しの制御を行なうコントローラとを備えた不揮発性記憶装置であり、
前記不揮発性メモリは、
固有の識別情報と、
前記コントローラが前記不揮発性メモリへのデータの書き込み、及び、読み出しを制御するための制御情報と、を有し、
前記コントローラは、
複数の種類の不揮発性メモリのそれぞれから前記制御情報を読み出すために用いられる、複数の読み出し情報と、
前記識別情報を前記不揮発性メモリから読み出して前記不揮発性メモリの種類を判別する判別部と、
前記不揮発性メモリの種類に対応する前記読み出し情報の内の一つを選択する選択部と、
前記選択された読み出し情報に基づいて、前記不揮発性メモリからの前記制御情報を取得し、前記不揮発性メモリへのデータの書き込み、及び、読み出しを制御する制御部と、を有し、
前記読み出し情報は、前記制御情報を読み出すために用いられ、不揮発性メモリの1ページ分のデータを前記コントローラに転送する機能及び不揮発性メモリに書き込まれるデータに付加されるECCの訂正機能に関する情報を含む
ことを特徴とした不揮発性記憶装置。 - 前記識別情報は、少なくとも前記不揮発性メモリの容量を示す情報、前記不揮発性メモリの製造メーカを特定する情報、及び前記不揮発性メモリのメモリセル構成を示す情報のいずれかを含む、ことを特徴とした請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 前記読み出し情報は、不揮発性メモリに書き込まれるECC符号の配置を含むデータのフォーマットにより決定される、ことを特徴とした請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 前記制御情報は、前記不揮発性メモリに対するアクセスを制御するプログラムあるいはパラメータである、ことを特徴とした請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 前記読み出し情報に応じて、前記不揮発性メモリから読み出した制御情報に対するECC訂正能力が異なる、ことを特徴とした請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 不揮発性メモリに対してデータの書き込み、及び、読み出しの制御を行うコントローラであり、
前記不揮発性メモリは、
固有の識別情報と、
前記コントローラが前記不揮発性メモリへのデータの書き込み、及び、読み出しを制御するための制御情報と、を有し、
前記コントローラは、
複数の種類の不揮発性メモリのそれぞれから前記制御情報を読み出すために使用される複数の読み出し情報と、
前記識別情報を前記不揮発性メモリから読み出して前記不揮発性メモリの種類を判別する判別部と、
前記不揮発性メモリの種類に対応する前記読み出し情報の内の一つを選択する選択部と、
前記選択された読み出し情報に基づいて、前記不揮発性メモリからの前記制御情報を取得し、前記不揮発性メモリへのデータの読み込み、及び、読み出しを制御する制御部と、を有し、
前記読み出し情報は、前記制御情報を読み出すために用いられ、不揮発性メモリの1ページ分のデータを前記コントローラに転送する機能、及び不揮発性メモリに書き込まれるデータに付加されるECCの訂正機能に関する情報を含む
ことを特徴とした不揮発性メモリのコントローラ。 - 前記読み出し情報は、前記不揮発性メモリに書き込まれるECC符号の配置を含むデータのフォーマットにより決定される、ことを特徴とした請求項6記載のコントローラ。
- 前記読み出し情報に応じて、前記不揮発性メモリから読み出した制御情報に対するECC訂正能力が異なる、ことを特徴とした請求項6記載のコントローラ。
- 不揮発性メモリに対するデータの書き込み、及び、読み出しをコントローラにより制御する不揮発性記憶システムであり、
前記不揮発性メモリは、
固有の識別情報と、
前記コントローラが前記不揮発性メモリへのデータの書き込み、及び、読み出しを制御するための制御情報と、を有し、
前記コントローラは、
複数の種類の不揮発性メモリのそれぞれから前記制御情報を読み出すために使用される複数の読み出し情報を有し、
前記識別情報を前記不揮発性メモリから読み出して前記不揮発性メモリの種類を判別し、
前記不揮発性メモリの種類に対応する前記読み出し情報の内の一つを選択し、
前記選択された読み出し情報に基づいて、前記不揮発性メモリからの前記制御情報を取得し、前記不揮発性メモリへのデータの書き込み、及び、読み出しを制御し
前記読み出し情報は、前記制御情報を読み出すために用いられ、不揮発性メモリの1ページ分のデータを前記コントローラに転送する機能及び不揮発性メモリに書き込まれるデータに付加されるECCの訂正機能に関する情報を含む
ことを特徴とした不揮発性記憶システム。 - 前記識別情報は、少なくとも前記不揮発性メモリの容量を示す情報、前記不揮発性メモリの製造メーカを特定する情報、及び前記不揮発性メモリのメモリセル構成を示す情報のいずれかを含む、ことを特徴とした請求項9記載の不揮発性記憶システム。
- 前記読み出し情報は、不揮発性メモリに書き込まれるECC符号の配置を含むデータのフォーマットにより決定される、ことを特徴とした請求項9記載の不揮発性記憶システム。
- 前記制御情報は、前記不揮発性メモリに対するアクセスを制御するプログラムあるいはパラメータである、ことを特徴とした請求項9記載の不揮発性記憶システム。
- 前記読み出し情報に応じて、前記不揮発性メモリから読み出した制御情報に対するECC訂正能力が異なる、ことを特徴とした請求項9記載の不揮発性記憶システム。
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