JP4695360B2 - Manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Description
本発明は、TFT(薄膜トランジスタ:Thin Film Transistor)等の電子素子、その製造方法、このような電子素子を備える表示装置及び演算装置に関する。 The present invention relates to an electronic element such as a TFT (Thin Film Transistor), a manufacturing method thereof, a display device including such an electronic element, and an arithmetic device.
液晶表示装置、PDP(プラズマディスプレイパネル)、有機EL(Electro-luminescence)ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(表示装置)は、MIM(Metal-Insulator-Metal)素子やTFT等の能動素子、或いは発光素子など薄膜層をパターニングして構成される部位を具備している。これらの能動素子、発光素子は電極材料、絶縁材料、半導体材料の少なくとも一つからなる。 Flat panel displays (display devices) such as liquid crystal display devices, PDPs (plasma display panels), and organic EL (electroluminescence) displays are active elements such as MIM (metal-insulator-metal) elements, TFTs, or light-emitting elements. A portion configured by patterning the thin film layer is provided. These active elements and light emitting elements are made of at least one of an electrode material, an insulating material, and a semiconductor material.
特に、近年その一部若しくは全部に有機材料を用いた素子が、低コスト化や大面積化容易性等の製造上のメリットや無機材料にない機能発現の可能性から注目されている。例えば、特許文献1では光や熱などの物理的外部刺激によりキャリア移動度が変化する有機半導体材料を用いた電界効果型トランジスタが提案されている。 Particularly, in recent years, an element using an organic material for a part or all of it has been attracting attention because of its merit in manufacturing such as cost reduction and easy area enlargement, and the possibility of function not found in inorganic materials. For example, Patent Document 1 proposes a field effect transistor using an organic semiconductor material whose carrier mobility is changed by a physical external stimulus such as light or heat.
ところで、薄膜層をパターニングする方法としては、フォトリソグラフィー法が一般に使用される。その工程は以下の通りである。
(1) 薄膜層を有する基板上にフォトレジスト層を塗布する(レジスト塗布)。
(2) 加熱により溶剤を除去する(プリベーク)。
(3) パターンデータに従ってレーザ或いは電子線を用いて描画されたハードマスクを
通して紫外光を照射する(露光)。
(4) アルカリ溶液で露光部のレジストを除去する(現像)。
(5) 加熱により未露光部(パターン部)のレジストを硬化する(ポストベーク)。
(6) エッチング液に浸漬又はエッチングガスに暴露し、レジストのない部分の薄膜層を除去する(エッチング)。
(7) アルカリ溶液又は酸素ラジカルでレジストを除去する(レジスト剥離)。
By the way, as a method for patterning the thin film layer, a photolithography method is generally used. The process is as follows.
(1) A photoresist layer is applied on a substrate having a thin film layer (resist application).
(2) The solvent is removed by heating (pre-baking).
(3) Irradiate ultraviolet light through a hard mask drawn using a laser or an electron beam in accordance with pattern data (exposure).
(4) The exposed portion of the resist is removed with an alkaline solution (development).
(5) The unexposed portion (pattern portion) resist is cured by heating (post-bake).
(6) Immersion in an etching solution or exposure to an etching gas to remove the thin film layer where there is no resist (etching).
(7) The resist is removed with an alkali solution or oxygen radical (resist stripping).
各薄膜層を形成後、上記の工程を繰返すことによって能動素子が完成するが、高価な設備と工程の長さがコストを上昇させる原因となっている。 The active element is completed by repeating the above steps after forming each thin film layer. However, the expensive equipment and the length of the steps increase the cost.
近年、製造コストを低減するために印刷法によるパターン形成が試みられている。特許文献2では、TFTを構成する薄膜層のパターニング工程の一部を、フォトリソグラフィー法の代わりに例えば凹版オフセット印刷法で行う方法が開示されている。この方法を示す図14を参照すれば、凹部にレジスト102が入った印刷版101の上を転写体103が回転することによってレジスト102を転写体103に転写し、これを被転写層(薄膜層)105が形成された基板104上に印刷することによって被転写層(薄膜層)105上にレジストパターンが形成されるようにしたものである。
In recent years, pattern formation by a printing method has been attempted in order to reduce manufacturing costs.
また、非特許文献1によれば、ナノパーティクルインクを使ったインクジェット法で幅50μm、ピッチ400μm程度の金属配線を形成する方法が記載されている。 Non-Patent Document 1 describes a method of forming a metal wiring having a width of about 50 μm and a pitch of about 400 μm by an inkjet method using nanoparticle ink.
非特許文献2によれば、図15に示すように、全ての層が有機材料で構成されるTFTの電極層(110はゲート電極層、111はソース電極層、112はドレイン電極層)をインクジェット法でパターン形成する方法が記載されている。ここでは、疎水性の材料(ポリイミド)からなるリブ113をガラス基板114上に設けて、電極間ギャップ(チャネル長)が5〜10μmのソース・ドレイン電極層111,112を形成している。なお、115は半導体層、116はポリマー絶縁体層である。
According to
特許文献3によれば、図16に示すように、基板121上の有機分子膜122を用いて紫外線等によりその一部を分解、除去することにより親液部121aと撥液部121bとからなるパターンを形成し、導電性微粒子を含有した液体123を親液部121aに選択的に塗布した後、熱処理することによって導電膜パターンを形成する方法が開示されている。
According to
この方法によれば、有機分子膜122にフォトマスクを介して紫外光を照射するだけで親液部121aと撥液部121bとからなるパターンを形成することができるため大幅に工程を短縮することができる。
According to this method, the pattern consisting of the lyophilic portion 121a and the lyophobic portion 121b can be formed simply by irradiating the organic
ところが、特許文献1のようなオフセット印刷法では、極めて高精度なものを用いてもパターン寸法精度及び位置合わせ精度を合わせたパターン誤差は±10μmで、汎用的なものでは±50μmにも及ぶため、微細なパターン形成には適さない。 However, in the offset printing method as disclosed in Patent Document 1, even if an extremely accurate method is used, the pattern error including the pattern dimension accuracy and the alignment accuracy is ± 10 μm, and the general-purpose one can reach ± 50 μm. It is not suitable for forming a fine pattern.
また、非特許文献1では、プリンタに使用されるレベルの通常のインクジェットヘッドを用いた場合、解像度30μm、位置合わせ精度±15μm程度であるため、やはり微細なパターン形成は困難である。 Further, in Non-Patent Document 1, when a normal inkjet head of a level used in a printer is used, it is difficult to form a fine pattern because the resolution is about 30 μm and the alignment accuracy is about ± 15 μm.
非特許文献2では、表面エネルギーを制御することによってインクに対する濡れ性をコントロールして、インクジェット法の解像度を超えたパターン形成を可能にしている点で優れているが、ポリイミドからなるリブを作製するために以下のような長い工程
(1)ポリイミドプリカーサーを塗布し焼成する(ポリイミド膜形成)
(2)フォトレジスト層を塗布する(レジスト塗布)
(3)加熱により溶剤を除去する(プリベーク)
(4)マスクを通して紫外光を照射する(露光)
(5)アルカリ溶液で露光部のレジストを除去する(現像)
(6)加熱により未露光部(パターン部)のレジストを硬化する(ポストベーク)
(7)酸素プラズマによりレジストのない部分のポリイミド膜を除去する(エッチング)
(8)溶剤でレジストを除去する(レジスト剥離)
を必要とするためインクジェット法の利点を損なっている。
Non-Patent
(2) Apply a photoresist layer (resist coating)
(3) Remove the solvent by heating (pre-bake)
(4) Irradiate ultraviolet light through a mask (exposure)
(5) Remove resist in exposed area with alkaline solution (development)
(6) Curing the resist of the unexposed part (pattern part) by heating (post-baking)
(7) The polyimide film is removed from the resist-free portion by oxygen plasma (etching).
(8) Remove resist with solvent (resist stripping)
The advantages of the ink jet method are impaired.
また、一般に電子素子の製造には高いクリーン度のクリーンルームで行われる。これは、例えば図9に示すようなTFTのチャネル部の場合、原子レベルの導電性不純物であっても素子の特性に悪影響を及ぼすからであり、これはTFT以外の電子素子であっても同様である。しかしながら、特許文献3に開示されている方法では、電極材料をパターニングする際、濡れ性が制御されているためパターニングの最終段階においては成膜部に電極材料が形成されるが、塗工途中で一旦非成膜部に電極材料が付着する場合があり、その殆どは成膜部へと移行するが、極微量の電極材料が非成膜部に残存する場合がある。この非成膜部が例えばTFTのチャネル部であった場合、その特性は劣化する可能性が非常に高いものとなってしまう。
In general, electronic devices are manufactured in a clean room with a high degree of cleanliness. This is because, for example, in the case of a TFT channel part as shown in FIG. 9, even if it is a conductive impurity at the atomic level, it adversely affects the characteristics of the element. It is. However, in the method disclosed in
一方、他のパターニング手段として孔版印刷法も広く検討されている。孔版の場合、成膜部のみが開口部となっているため、基板全面に塗工液を塗布しても、非成膜部に塗工液が付着しないため、電子素子の特性を劣化させることなく高精細なパターニングを短時間で完了させることを可能にするという大きな長所を持つ。図17に一般的な孔版印刷のプロセスを示す。即ち、図17(a)に示すように基板131上に孔版132を密着させてインク供給ローラ133によりインク134を全面に塗布し、この後、図17(b)に示すように孔版132を剥がすことにより孔版132の孔に従ってインク134が基板131上に残存するようにしたものである。
On the other hand, stencil printing is widely studied as another patterning means. In the case of a stencil, since only the film forming part is an opening, even if the coating liquid is applied to the entire surface of the substrate, the coating liquid does not adhere to the non-film forming part, thus degrading the characteristics of the electronic device. It has the great advantage of enabling high-definition patterning to be completed in a short time. FIG. 17 shows a general stencil printing process. That is, as shown in FIG. 17A, the
しかし、例えば孔版印刷として一般的に行われているスクリーン印刷法は、数μm以上の厚膜を形成する技術である。従って、塗工液の固形分濃度は、前述のインクジェットによる塗工と比較すると非常に高く、粘性の大きな塗工液を用いるのが一般的である。しかし、薄膜形成においては塗工液を希釈し固形分濃度を下げる必要があるが、塗工液を希釈すると、一般に粘性が小さくなるため基板と孔版との界面に塗工液が流出しやすくなり、この場合、高精細なパターニングができなくなるといった不具合が生じてしまう。 However, for example, a screen printing method generally performed as stencil printing is a technique for forming a thick film of several μm or more. Therefore, the solid content concentration of the coating liquid is very high compared to the above-described inkjet coating, and a coating liquid having a large viscosity is generally used. However, in thin film formation, it is necessary to dilute the coating solution to reduce the solid content concentration. However, when the coating solution is diluted, the viscosity generally decreases and the coating solution tends to flow out to the interface between the substrate and the stencil. In this case, there arises a problem that high-definition patterning cannot be performed.
これに対し、特許文献4にはスクリーン印刷法による薄膜のパターニング方法が開示されている。これは、基板上の成膜しようとする部位に予め隔壁層を形成し、そこに塗工液をスクリーン印刷版を通して流す方法である。この場合は、隔壁層形成工程が必要となるため、成膜プロセス全体の所要時間が大きくかかってしまう問題がある。
On the other hand,
さらに、例えばエネルギー付与手段として紫外光を用い、フォトマスク又はレーザにて露光を行い基板表面の濡れ性の制御を行った場合、露光プロセス後の塗工液塗布は、インクジェット法で塗布を行う場合、塗工液吐出位置と濡れ性の変化した部位とを位置合わせする必要が生ずる。また、インクジェット法に代えて孔版を基板に密着させ塗工液を付与する場合も、孔版のパターンと濡れ性の変化した部位とを位置合わせする必要が生ずる。濡れ性が変化した部位は、一般的に、顕微鏡等で観察することが困難であり、インクジェット・印刷版の何れを用いる場合も位置合わせ工程によってパターニング時間のロスが生じてしまう。 Furthermore, for example, when ultraviolet light is used as an energy applying means and exposure is performed with a photomask or laser to control the wettability of the substrate surface, the coating liquid application after the exposure process is applied by an inkjet method. Therefore, it is necessary to align the coating liquid discharge position with the portion where the wettability has changed. Further, when the stencil is brought into close contact with the substrate and the coating liquid is applied instead of the ink jet method, it is necessary to align the stencil pattern with the portion having changed wettability. The site where the wettability has changed is generally difficult to observe with a microscope or the like, and a patterning time loss is caused by the alignment process when using either an inkjet or a printing plate.
また、以上のような薄膜形成に関する従来技術が共通に有している大きな欠点として、パターニングしようとする材料が限定されるという点が挙げられる。これは、パターニングしようとする材料の塗工液が一般的な有機溶剤の様に表面張力の小さい溶媒であった場合、濡れ性の異なる部位を設けたとしても、塗工液はその部位にほとんど沿うことなく基板表面を流れるため、溶媒は表面張力の大きな水をベースとする必要があるためである。一つのデバイスは複数の材料から構成されるのが一般的であり、その中に低表面張力の溶媒を使用せざるを得ない材料がある場合は、スピンコート等の方法で基板全面に塗布した後、フォトリソ等他のパターニング手段を用いる必要があり、この場合、製造コストの増加といった問題を有している。特に、有機TFT等に用いられる有機半導体材料は、有機溶剤に溶解し塗布する材料が多く、かつ、電子素子を構成する主要な材料であるため、その低コストパターニング技術の開発が急務となっている。 In addition, a major drawback shared by the conventional techniques related to thin film formation as described above is that the material to be patterned is limited. This is because when the coating liquid of the material to be patterned is a solvent having a low surface tension like a general organic solvent, the coating liquid is hardly applied to that part even if a part with different wettability is provided. This is because the solvent needs to be based on water having a large surface tension in order to flow on the substrate surface without being along. One device is generally composed of a plurality of materials. If there is a material that must use a low surface tension solvent, it is applied to the entire surface of the substrate by a method such as spin coating. After that, it is necessary to use other patterning means such as photolithography, and in this case, there is a problem that the manufacturing cost increases. In particular, organic semiconductor materials used for organic TFTs, etc., are many materials that are dissolved and applied in organic solvents, and are the main materials constituting electronic devices, so the development of low-cost patterning technology is an urgent task. Yes.
本発明の目的は、印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する電子素子及びその製造方法、このような電子素子を備える表示装置、演算装置を提供することである。 An object of the present invention is to apply a low-cost and high-material-use method such as a printing method, easily form a fine pattern, and have an electronic function with high added value in addition to pattern formation. It is providing a device, a manufacturing method thereof, a display device including such an electronic device, and an arithmetic device.
請求項1記載の発明は、基板上にエネルギー付与により臨界表面張力、若しくは、臨界表面張力及び表面形状が変化する絶縁材料からなる表面性変化層を形成し、この表面性変化層上に電子素子を微細パターニングする電子素子の製造方法であって、電子素子構成材料の形成に先立ち、所望のパターン形状の孔版を前記基板に形成された前記表面性変化層上に密着させる工程と、前記孔版が密着された前記表面性変化層に対するエネルギー付与により当該表面性変化層の濡れ性を変化させる工程と、濡れ性を変化させた前記表面性変化層に対して前記孔版を密着させたまま前記電子素子構成材料の少なくとも一つの塗工液を前記基板上に付与してパターニングを行う工程と、を備える。 The invention of claim 1 wherein the critical surface tension by applying energy onto the substrate, or to form a surface-variable layer made of an insulating material whose critical surface tension and the surface shape changes, the electronic device to the surface property change layer A method of manufacturing an electronic device for finely patterning a substrate, wherein a stencil having a desired pattern shape is brought into close contact with the surface property change layer formed on the substrate prior to the formation of an electronic device component material, A step of changing the wettability of the surface property change layer by applying energy to the surface property change layer that is in close contact; and the electronic device while the stencil is kept in close contact with the surface property change layer having changed wettability Applying at least one coating liquid of a constituent material on the substrate and performing patterning.
本発明及び以下の各発明において、「電子素子」としては、例えば、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子、導線、抵抗器、コンデンサ、コイル等の電気回路構成素子、光電変換素子、熱電変換素子等のエネルギー変換素子、EL、液晶、FED等の表示素子を指す。また、本発明及び以下の各発明において、「電子素子構成材料」とは、導電性材料、半導体材料、絶縁性材料、磁性材料、誘電体材料等、対象となる電子素子の製造に必要な材料を指す。 In the present invention and each of the following inventions, examples of the “electronic element” include semiconductor elements such as transistors and diodes, electric circuit constituent elements such as conductors, resistors, capacitors, and coils, photoelectric conversion elements, thermoelectric conversion elements, and the like. It refers to a display element such as an energy conversion element, EL, liquid crystal, or FED. In the present invention and each of the following inventions, the “electronic element constituent material” refers to a material necessary for manufacturing a target electronic element, such as a conductive material, a semiconductor material, an insulating material, a magnetic material, and a dielectric material. Point to.
請求項2記載の発明は、請求項1記載の電子素子の製造方法において、前記表面性変化層は、側鎖に疎水性基を有する高分子材料からなる。 According to a second aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electronic device according to the first aspect, the surface property changing layer is made of a polymer material having a hydrophobic group in a side chain.
請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載の電子素子の製造方法において、前記孔版として、略同一パターンを有する複数枚の孔版を前記基板に形成された前記表面性変化層上に密着させて積層させる。 According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic device according to the first or second aspect, as the stencil, a plurality of stencils having substantially the same pattern are adhered to the surface property change layer formed on the substrate. And stack.
請求項4記載の発明は、請求項3記載の電子素子の製造方法において、前記表面性変化層と前記孔版との界面距離よりも前記孔版同士の界面距離を大きくした。 According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electronic device according to the third aspect, the interfacial distance between the stencil plates is made larger than the interfacial distance between the surface property change layer and the stencil plate.
請求項5記載の発明は、請求項4記載の電子素子の製造方法において、前記孔版の前記表面性変化層に接触する面の表面粗さに対して、前記孔版同士が接触する面の表面粗さを大きくした。 According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electronic device according to the fourth aspect, the surface roughness of the surface where the stencils contact each other with respect to the surface roughness of the surface of the stencil that contacts the surface property changing layer. Increased the size.
請求項6記載の発明は、請求項4記載の電子素子の製造方法において、前記孔版同士が接触する界面にギャップ材を介在させた。 According to a sixth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic device according to the fourth aspect, a gap material is interposed at an interface between the stencil plates.
請求項7記載の発明は、請求項1ないし6の何れか一記載の電子素子の製造方法において、前記孔版は、磁力で吸着される材料からなり、基板密着手段として磁石又は電磁石を用いて前記孔版を前記基板上に密着させる。 According to a seventh aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic device according to any one of the first to sixth aspects, the stencil is made of a material that is adsorbed by magnetic force, and the magnet is used as a substrate contact means using a magnet or an electromagnet. A stencil is brought into close contact with the substrate.
請求項8記載の発明は、請求項7記載の電子素子の製造方法において、前記表面性変化層の濡れ性を変化させるためにエネルギーを付与した後の前記孔版上に、形成しようとする電子素子の微細パターンよりも微細な連続パターンを有して磁力で吸着されるメッシュ版を積層させて前記基板上に配置させる工程を含む。 According to an eighth aspect of the present invention, in the electronic device manufacturing method according to the seventh aspect, the electronic device to be formed on the stencil after energy is applied to change the wettability of the surface property change layer. A step of laminating a mesh plate having a continuous pattern finer than the fine pattern and adsorbed by a magnetic force and placing the mesh plate on the substrate.
請求項9記載の発明は、請求項8記載の電子素子の製造方法において、前記孔版に対する前記基板密着手段の磁気的吸引力よりも前記メッシュ版に対する前記基板密着手段の磁気的吸引力の方が大きい。 According to a ninth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electronic device according to the eighth aspect, the magnetic attraction force of the substrate contact means on the mesh plate is greater than the magnetic attraction force of the substrate contact means on the stencil. large.
請求項10記載の発明は、請求項1ないし6の何れか一記載の電子素子の製造方法において、前記孔版は、静電気で吸着される材料からなり、基板密着手段として静電気を用いて前記孔版を前記基板上に密着させる。 According to a tenth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electronic device according to any one of the first to sixth aspects, the stencil is made of a material that is adsorbed by static electricity, and the stencil is formed by using static electricity as a substrate adhesion means. Adhere to the substrate.
請求項11記載の発明は、請求項10記載の電子素子の製造方法において、前記表面性変化層の濡れ性を変化させるためにエネルギーを付与した後の前記孔版上に、形成しようとする電子素子の微細パターンよりも微細な連続パターンを有して静電気吸着されるメッシュ版を積層させて前記基板上に配置させる工程を含む。 An eleventh aspect of the present invention is the electronic device manufacturing method according to the tenth aspect, wherein the electronic device to be formed on the stencil after energy is applied to change the wettability of the surface property changing layer. A step of laminating mesh plates that have a continuous pattern finer than the fine pattern and are electrostatically adsorbed and arranged on the substrate.
請求項12記載の発明は、請求項11記載の電子素子の製造方法において、前記孔版に対する前記基板密着手段の静電気吸着力よりも前記メッシュ版に対する前記基板密着手段の静電気吸着力の方が大きい。 According to a twelfth aspect of the present invention, in the electronic device manufacturing method according to the eleventh aspect, the electrostatic chucking force of the substrate contact means on the mesh plate is greater than the electrostatic chucking force of the substrate contact device on the stencil.
請求項13記載の発明は、請求項1ないし12の何れか一記載の電子素子製造方法において、前記孔版表面に、塗工液と前記孔版との静的接触角が、基板表面のエネルギー付与部と塗工液との接触角と比較して大きくなるように表面処理を行う工程を含む。 A thirteenth aspect of the present invention is the electronic device manufacturing method according to any one of the first to twelfth aspects, wherein a static contact angle between the coating liquid and the stencil plate on the surface of the stencil surface is an energy applying portion on the substrate surface. And a step of performing a surface treatment so as to be larger than the contact angle between the coating liquid and the coating liquid.
請求項14記載の発明は、請求項13記載の電子素子の製造方法において、前記表面処理に、フッ素若しくはシリコーン化合物を用いる。 A fourteenth aspect of the present invention is the method for manufacturing an electronic device according to the thirteenth aspect, wherein fluorine or a silicone compound is used for the surface treatment.
請求項15記載の発明は、請求項1ないし14の何れか一記載の電子素子の製造方法において、塗工液の付与をスプレー塗工法により行なう。 A fifteenth aspect of the present invention is the method for manufacturing an electronic element according to any one of the first to fourteenth aspects, wherein the application liquid is applied by a spray coating method.
請求項16記載の発明は、請求項1ないし14の何れか一記載の電子素子の製造方法において、塗工液の付与をインクジェット塗工法により行なう。 According to a sixteenth aspect of the present invention, in the electronic device manufacturing method according to any one of the first to fourteenth aspects, the application liquid is applied by an ink jet coating method.
請求項17記載の発明は、請求項1ないし14の何れか一記載の電子素子の製造方法において、塗工液の付与をディッビング塗工法により行なう。 According to a seventeenth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic device according to any one of the first to fourteenth aspects, the coating liquid is applied by a dubbing coating method.
請求項18記載の発明は、請求項1ないし14の何れか一記載の電子素子の製造方法において、塗工液の付与を、ブレードコータ、バーコータ、キスコータ、グラビアコータ、フレキソコータ、ナイフコータ、カーテンコータ、スピンコータのうちの少なくとも一つの手段を用いて行なう。 The invention according to claim 18 is the method of manufacturing an electronic device according to any one of claims 1 to 14, wherein the coating liquid is applied by using a blade coater, a bar coater, a kiss coater, a gravure coater, a flexo coater, a knife coater, or a curtain coater. , Using at least one means of a spin coater.
請求項19記載の発明は、請求項1ないし18の何れか一記載の電子素子の製造方法において、塗工液を塗布した後、所定の方法で当該塗工液の粘度を上昇させてから前記孔版を前記基板から取り外す工程を含む。 The invention according to claim 19 is the method of manufacturing an electronic device according to any one of claims 1 to 18, wherein after applying the coating liquid, the viscosity of the coating liquid is increased by a predetermined method. Removing the stencil from the substrate.
請求項20記載の発明は、請求項19記載の電子素子の製造方法において、前記基板と直接接触している前記孔版の穴の断面形状は、前記基板側が拡開するテーパ形状とされている。 According to a twentieth aspect of the present invention, in the electronic device manufacturing method according to the nineteenth aspect, the cross-sectional shape of the hole of the stencil that is in direct contact with the substrate is a tapered shape in which the substrate side is expanded.
請求項21記載の発明は、請求項1ないし20の何れか一記載の電子素子の製造方法において、前記表面性変化層の濡れ性を変化させるためのエネルギー付与を紫外線照射により行なう。 According to a twenty-first aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electronic device according to any one of the first to twentieth aspects, energy is applied for changing the wettability of the surface property change layer by ultraviolet irradiation.
請求項22記載の発明は、請求項1ないし20の何れか一記載の電子素子の製造方法において、前記表面性変化層の濡れ性を変化させるためのエネルギー付与をプラズマ照射により行なう。 According to a twenty-second aspect of the present invention, in the method for manufacturing an electronic device according to any one of the first to twentieth aspects, the energy application for changing the wettability of the surface property changing layer is performed by plasma irradiation.
請求項1記載の発明によれば、粘性の低い塗工液を用いた場合においても、表面性変化層上における孔版の成膜部のみの濡れ性を向上させており、さらに孔版と基板とが密着しているため、基板全面に塗工液を付与しても、非成膜部への塗工液付着、基板と孔版間への塗工液流出といった問題が発生せず、よって、高精細かつ膜厚1μm程度以下の薄膜パターニングを、簡単なプロセスにて短時間で実現することが可能となる。また、濡れ性を変化させた部位に塗工液を塗布する際においても、孔版によって濡れ性を変化させているので、改めて他のパターニング手段を用い濡れ性の変化した部位とパターニング手段とを位置合わせする必要がなく、パターニング時間の短縮化が可能となる。 According to the first aspect of the present invention, even when a low-viscosity coating liquid is used, the wettability of only the film forming part of the stencil on the surface property change layer is improved, and the stencil and the substrate are further improved. Due to the close contact, even if the coating liquid is applied to the entire surface of the substrate, problems such as adhesion of the coating liquid to the non-film forming part and outflow of the coating liquid between the substrate and the stencil do not occur. In addition, thin film patterning with a film thickness of about 1 μm or less can be realized in a short time by a simple process. In addition, when applying the coating liquid to the part where the wettability is changed, the wettability is changed by the stencil, so the position of the wettability changed and the patterning means are positioned again using another patterning means. There is no need to match, and the patterning time can be shortened.
請求項2記載の発明によれば、エネルギー付与部(成膜部)とエネルギー非付与部(非成膜部)表面の臨界表面張力の差を大きくすることが可能となり、高精細な薄膜形成を簡単なプロセスにて短時間で実現することが可能となる。 According to the second aspect of the present invention, it becomes possible to increase the difference in critical surface tension between the surface of the energy applying part (film forming part) and the energy non-applying part (non-film forming part). It can be realized in a short time with a simple process.
請求項3記載の発明によれば、孔版として略同一パターンを有する複数枚の孔版を基板上に積層させてパターニングを行うので、粘性が低く、かつ、表面張力の小さな塗工液を用いた場合においても、余分な塗工液が孔版間のギャップへ逃げるため、基板と孔版との界面への塗工液流出を防ぐことがより確実に可能となり、よって、塗工溶媒選択の自由度が広がり、様々な材料について高精細かつ膜厚1μm程度以下の薄膜形成を、簡単なプロセスにて短時間で実現することが可能となる。
According to the invention described in
請求項4記載の発明によれば、基板と孔版との間の界面距離よりも孔版同士の界面距離を大きくしているので、孔版を積層させた基板全面に塗工液を塗布した場合、余分な塗工液が孔版同士の界面のみに流入し、基板と孔版との界面に塗工液が流入することがなくなり、よって、パターン再現性が向上し、高精細なパターニングが可能となる。
According to the invention described in
請求項5記載の発明によれば、孔版の基板接触面側の表面粗さと比較して、孔版同士が接触する面の表面粗さを大きくしているので、基板と孔版との界面距離よりも孔版同士の界面距離を容易に大きくすることが可能となる。
According to the invention described in
請求項6記載の発明によれば、孔版同士が接触する界面にギャップ材を介在させているので、基板と孔版との界面距離よりも孔版同士の界面距離を容易に大きくすることが可能となる。
According to the invention described in
請求項7記載の発明によれば、孔版が磁力で吸着される材料からなり、基板密着手段として永久磁石又は電磁石を用いて孔版を密着させているので、後半全面を確実かつ簡単に基板上に密着固定させることが可能となり、特に、電磁石の場合、磁力をOFFにして孔版と基板とを位置合わせした後、磁力をONにして孔版と基板とを密着させることが可能となるため、ハンドリング面で好適であり、一方、永久磁石の場合、小型で強力な希土類磁石等を使用可能であるため、より確実に孔版と基板とを密着させることが可能となる。 According to the seventh aspect of the present invention, the stencil is made of a material that is adsorbed by magnetic force, and the stencil is brought into close contact using a permanent magnet or an electromagnet as the substrate contact means. In particular, in the case of an electromagnet, since the magnetic plate is turned off and the stencil and the substrate are aligned, the magnetic force is turned on and the stencil and the substrate can be brought into close contact with each other. On the other hand, in the case of a permanent magnet, a small and strong rare earth magnet can be used, so that the stencil and the substrate can be more reliably brought into close contact with each other.
請求項8記載の発明によれば、磁力で吸着される材料からなり、微細な連続パターンを有するメッシュを、基板から見て孔版上に積層させて配置しているので、より確実に孔版を固定することができる。
According to the invention described in
請求項9記載の発明によれば、孔版の磁石吸着力よりもメッシュ版の磁石吸着力が大きいので、孔版が浮き上がろうとする力と比較して、メッシュ版に対する吸着力が大きくなるため、孔版を基板上により確実に密着固定させることができる。 According to the invention of claim 9, since the magnet adsorption force of the mesh plate is larger than the magnet adsorption force of the stencil, the adsorption force to the mesh plate is larger than the force of the stencil to lift, The stencil can be more firmly fixed on the substrate.
請求項10記載の発明によれば、孔版が静電気により吸着される帯電性部材からなり、基板密着手段として静電気を用いて基板上に密着させるので、孔版全面を確実かつ簡単に基板上に密着固定させることができる。
According to the invention described in
請求項11記載の発明によれば、静電気により吸着される帯電性部材からなり、微細な連続パターンを有するメッシュ版を、基板から見て孔版上に積層させて配置しているので、より確実に孔版を固定することができる。 According to the eleventh aspect of the present invention, the mesh plate made of a chargeable member that is adsorbed by static electricity and having a fine continuous pattern is disposed on the stencil as viewed from the substrate, so that it is more reliable. The stencil can be fixed.
請求項12記載の発明によれば、孔版の静電気吸着力よりもメッシュ版側の静電気吸着力が大きいので、孔版が浮き上がろうとする力と比較して、メッシュ版による吸着力が大きくなるため、より確実に孔版を基板上に固定させることができる。 According to the twelfth aspect of the present invention, since the electrostatic adsorption force on the mesh plate side is larger than the electrostatic adsorption force of the stencil, the adsorption force by the mesh plate is larger than the force that the stencil is trying to lift. The stencil can be fixed on the substrate more reliably.
請求項13記載の発明によれば、孔版表面に、塗工液と孔版との静的接触角が基板表面のエネルギー付与部と塗工液との接触角と比較して大きくなるように、孔版に表面処理を行うことにより、基板と孔版との界面に対して塗工液が流入することを防ぎ、高精細なパターニングが実現可能となる。 According to the invention of claim 13, the stencil surface is such that the static contact angle between the coating liquid and the stencil is larger on the surface of the stencil than the contact angle between the energy applying portion on the substrate surface and the coating liquid. By performing the surface treatment, it is possible to prevent the coating liquid from flowing into the interface between the substrate and the stencil and realize high-definition patterning.
請求項14記載の発明によれば、表面処理としてフッ素系若しくはシリコーン系化合物を用いており、一般にフッ素系及びシリコーン系化合物は撥水性の高い材料であるので、塗工液と孔版との静的接触角を基板表面と塗工液との接触角と比較して格段に大きくすることが可能となり、従って、高精細かつ平滑な薄膜のパターニングが可能となる。 According to the invention described in claim 14, since a fluorine-based or silicone-based compound is used as the surface treatment, and in general, the fluorine-based and silicone-based compounds are materials having high water repellency. The contact angle can be remarkably increased as compared with the contact angle between the substrate surface and the coating liquid, and thus high-definition and smooth thin film patterning is possible.
請求項15記載の発明によれば、塗工液の付与にスプレー塗工法を用いることにより、少量の塗工液で高精細なパターニングが短時間で可能となる。 According to the invention described in claim 15, by using the spray coating method for applying the coating liquid, high-definition patterning can be performed in a short time with a small amount of the coating liquid.
請求項16記載の発明によれば、塗工液の付与にインクジェット塗工法を用いることにより、他の塗工法と比較して最も少量の塗工液で高精細なパターニングが可能となる。 According to the invention described in claim 16, by using the inkjet coating method for applying the coating liquid, high-definition patterning can be performed with the smallest amount of coating liquid as compared with other coating methods.
請求項17記載の発明によれば、塗工液の付与にディッピング塗工法を用いることにより、塗工時において、孔版と基板に対し応力を加えることが殆どないため、孔版と基板とがずれたり浮いたりすることが殆どなく、高精細なパターニングが可能となる上に、スプレー法やインクジェット塗工法のように塗工液を基板間に飛翔させることなく塗工を行うため、塗工液の溶媒としてアセトン、THF、ジクロロメタン等の揮発性溶媒も適用可能となり、溶媒の選択性を広げることもできる。 According to the invention described in claim 17, by using the dipping coating method for applying the coating liquid, stress is hardly applied to the stencil and the substrate at the time of coating. In addition to being able to float, the patterning can be performed with high precision, and the coating liquid can be applied without causing the coating liquid to fly between the substrates as in the spray method or the inkjet coating method. As a volatile solvent such as acetone, THF, dichloromethane and the like, it is possible to expand the selectivity of the solvent.
請求項18記載の発明によれば、塗工液の付与に、ブレードコータ、バーコータ、キスコータ、グラビアコータ、フレキソコータ、ナイフコータ、カーテンコータ、スピンコータのうちの少なくとも一つの手段を用いることにより、塗工液を基板間に飛翔させることなく塗工を行うことができ、塗工液の溶媒として揮発性溶媒も適用可能となり、溶媒の選択性を広げることができ、かつ、高精細なパターニングを短時間で完了させることもできる。 According to the invention of claim 18, the application of the coating liquid is performed by using at least one of a blade coater, a bar coater, a kiss coater, a gravure coater, a flexo coater, a knife coater, a curtain coater, and a spin coater. Coating can be performed without causing the liquid to fly between the substrates, and a volatile solvent can be applied as a solvent for the coating liquid, so that the selectivity of the solvent can be expanded and high-definition patterning can be performed in a short time. Can also be completed.
請求項19記載の発明によれば、塗工液を塗布し、塗工液粘度を上昇させた後に孔版を基板から取り外すようにしたので、孔版取り外し後に塗工液が基板表面を流れることはなく、所定の部位に対してパターニングを行うことが可能となる。 According to the invention described in claim 19, since the stencil is removed from the substrate after the coating solution is applied and the viscosity of the coating solution is increased, the coating solution does not flow on the substrate surface after the stencil is removed. It is possible to perform patterning on a predetermined part.
請求項20記載の発明によれば、基板と直接接触している孔版の穴の断面形状が基板側が拡開するテーパ形状とされているので、孔版取り外し時における塗工液の跳ね上げを防止し、塗膜表面均一性の高い薄膜を形成することができる。 According to the invention of claim 20, since the cross-sectional shape of the hole of the stencil that is in direct contact with the substrate is a tapered shape that expands on the substrate side, the splashing of the coating liquid at the time of stencil removal is prevented. A thin film with high coating surface uniformity can be formed.
請求項21記載の発明によれば、エネルギー付与に紫外線照射を用いるので、表面性変化層を高精細に加工することができる。 According to the twenty-first aspect, since ultraviolet irradiation is used for energy application, the surface property changing layer can be processed with high definition.
請求項22記載の発明によれば、エネルギー付与にプラズマ照射を用いるので、表面性変化層に大きなエネルギーを付与することが可能となり、濡れ性だけでなく表面形状の変化も短時間で容易に行うことが可能となり、成膜部の塗工液付着性を大きく向上させることが可能となる。 According to the invention described in claim 22, since plasma irradiation is used for energy application, it is possible to apply large energy to the surface property change layer, and not only wettability but also surface shape change can be easily performed in a short time. This makes it possible to greatly improve the coating liquid adhesion of the film forming section.
本発明を実施するための最良の形態について図面に基づいて説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
[電子素子の製造方法]
本実施の形態は、例えば、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子、導線、抵抗器、コンデンサ、コイル等の電気回路構成素子、光電変換素子、熱電変換素子等のエネルギー変換素子、EL、液晶、FED等の表示素子のような微細パターニングによる薄膜構成を含む電子素子の製造方法に関するものである。
[Method for Manufacturing Electronic Device]
This embodiment includes, for example, semiconductor elements such as transistors and diodes, electric circuit constituent elements such as conductors, resistors, capacitors, and coils, energy conversion elements such as photoelectric conversion elements and thermoelectric conversion elements, EL, liquid crystal, FED, and the like The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device including a thin film structure by fine patterning such as the display device of FIG.
まず、本実施の形態の電子素子の製造方法について、その概略を説明する。即ち、基板上にエネルギー付与により臨界表面張力若しくは表面形状が変化する絶縁材料からなる表面性変化層を形成し、この表面性変化層上に対象となる電子素子を微細パターニングする電子素子の製造方法であって、電子素子構成材料の形成に先立ち、所望のパターン形状の孔版を基板に形成された表面性変化層上に密着させる工程と、孔版が密着された表面性変化層に対するエネルギー付与により当該表面性変化層の濡れ性を変化させる工程と、濡れ性を変化させた表面性変化層に対して孔版を密着させたまま電子素子構成材料の少なくとも一つの塗工液を基板上に付与してパターニングを行う工程と、を備える。 First, the outline of the method for manufacturing an electronic device of the present embodiment will be described. That is, a method of manufacturing an electronic device, wherein a surface property changing layer made of an insulating material whose critical surface tension or surface shape is changed by applying energy is formed on a substrate, and the target electronic device is finely patterned on the surface property changing layer. In addition, prior to the formation of the electronic element constituent material, the stencil having a desired pattern shape is closely attached to the surface property changing layer formed on the substrate, and energy is applied to the surface property changing layer to which the stencil is closely attached. A step of changing the wettability of the surface property changing layer, and applying at least one coating liquid of the electronic element constituent material on the substrate while keeping the stencil in close contact with the surface property changing layer having changed wettability Patterning.
本実施の形態における孔版としては、メタルマスクのようにパターニングしようとする部位が完全に開口しているもの、或いは、スクリーン印刷版のようにパターニングしようとする部位がメッシュとなっているものが適用可能である。電鋳法で作製されたメタルマスクは、容易に10μmピッチ以下の高精細なものが作製可能であるため、高精細なパターニングを行う際に好適である。また、エネルギー付与部と成膜部が完全に一致するため、成膜部へ塗工液が均一に付着し良好な成膜性が得られる。スクリーン印刷版は、開口部が非常に細かいメッシュパターンによって支えられているため、耐久性が高く、繰り返し使用においてもパターンの変形等がなく、成膜プロセスのコスト低減を実現する。 As the stencil in the present embodiment, the one in which the part to be patterned is completely opened like a metal mask or the one in which the part to be patterned is a mesh like a screen printing plate is applied. Is possible. A metal mask manufactured by electroforming can be easily manufactured with a high-definition pattern having a pitch of 10 μm or less, and thus is suitable for high-definition patterning. In addition, since the energy imparting part and the film forming part completely coincide, the coating liquid uniformly adheres to the film forming part and good film forming properties are obtained. The screen printing plate is highly durable because the opening is supported by a very fine mesh pattern, and there is no deformation of the pattern even during repeated use, and the cost of the film forming process is reduced.
本実施の形態では、電子素子構成材料としては、例えば、導電性材料、半導体材料、絶縁性材料、磁性材料、誘電体材料等、対象となる電子素子の製造に必要な材料が用いられる。 In the present embodiment, as the electronic element constituent material, for example, a material necessary for manufacturing a target electronic element such as a conductive material, a semiconductor material, an insulating material, a magnetic material, and a dielectric material is used.
ここに、「導電性材料」としては、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、金(Au)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、銀(Ag)、錫(Sn)等の金属、或いは、(1)ポリアセチレン系導電性高分子、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体等のポリフェニレン系導電性高分子、(2)ポリピロール及びその誘導体、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンおよびその誘導体、ポリフラン及びその誘導体等の複素環系導電性高分子、並びに、(3)ポリアニリン及びその誘導体等のイオン性導電性高分子よりなる群から選ばれる少なくとも1種の導電性高分子を溶媒に分散又は溶解した塗工液が用いられる。 Here, as "conductive material", chromium (Cr), tantalum (Ta), titanium (Ti), copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten (W), nickel (Ni) , Gold (Au), palladium (Pd), platinum (Pt), silver (Ag), tin (Sn), or other metals, or (1) polyacetylene conductive polymers, polyparaphenylene and its derivatives, polyphenylene vinylene And polyphenylene conductive polymers such as derivatives thereof, (2) polypyrrole and derivatives thereof, polythiophene, polyethylenedioxythiophene and derivatives thereof, heterocyclic conductive polymers such as polyfuran and derivatives thereof, and (3) polyaniline And at least one conductive polymer selected from the group consisting of ionic conductive polymers such as derivatives thereof. Coating liquid is used which is dispersed or dissolved in.
また、「半導体材料」としては、CdS等の無機半導体材料、フルオレン、ポリフルオレン誘導体、ポリフルオレノン、フルオレノン誘導体及び、ポリ−N−ビニルカルバゾール誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート誘導体、ポリビニルフェナントレン誘導体、ポリシラン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン、トリアリールアミン誘導体等のアリールアミン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、インデノン誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド、ポリビニルピレン等のピレン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ビススチルベン誘導体等のスチルベン誘導体、エナミン誘導体、ポリアルキルチオフェン等のチオフェン誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも1種の有機半導体材料、或いは、ペンタセン、テトラセン、ビスアゾ、トリスアゾ系色素、ポリアゾ系色素、トリアリールメタン系色素、チアジン系色素、オキサジン系色素、キサンテン系色素、シアニン系色素、スチリル系色素、ピリリウム系色素、キナクリドン系色素、インジゴ系色素、ペリレン系色素、多環キノン系色素、ビスベンズイミダゾール系色素、インダンスロン系色素、スクアリリウム系色素、アントラキノン系色素、及び、銅フタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系色素よりなる群から選ばれる少なくとも1種の有機半導体材料を溶媒に分散又は溶解した塗工液が用いられる。 “Semiconductor materials” include inorganic semiconductor materials such as CdS, fluorene, polyfluorene derivatives, polyfluorenone, fluorenone derivatives, poly-N-vinylcarbazole derivatives, poly-γ-carbazolylethyl glutamate derivatives, polyvinylphenanthrene. Derivatives, polysilane derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, arylamine derivatives such as monoarylamines, triarylamine derivatives, benzidine derivatives, diarylmethane derivatives, triarylmethane derivatives, styrylanthracene derivatives, pyrazoline derivatives, divinyl Pyrene derivatives such as benzene derivatives, hydrazone derivatives, indene derivatives, indenone derivatives, butadiene derivatives, pyrene-formaldehyde, polyvinylpyrene, etc. α-phenyl stilbene derivative, stilbene derivative such as bis stilbene derivative, at least one organic semiconductor material selected from the group consisting of thiophene derivatives such as enamine derivative, polyalkylthiophene, or pentacene, tetracene, bisazo, trisazo dye, Polyazo dyes, triarylmethane dyes, thiazine dyes, oxazine dyes, xanthene dyes, cyanine dyes, styryl dyes, pyrylium dyes, quinacridone dyes, indigo dyes, perylene dyes, polycyclic quinone dyes At least one organic compound selected from the group consisting of dyes, bisbenzimidazole dyes, indanthrone dyes, squarylium dyes, anthraquinone dyes, and phthalocyanine dyes such as copper phthalocyanine and titanyl phthalocyanine Coating liquid is used which the conductive material is dispersed or dissolved in a solvent.
さらに、「絶縁性材料」としては、ポリイミド樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン、塩化ビニル系樹脂、ポリエステルアルキド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、PFA、PTFE、PVDF等のフッ素系樹脂、パリレン樹脂、エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂、及び一般式M(OR)n、又は、MR(OR’)n-1[式中、R、R’は、アルキル基、フェニル基等の有機基であり、Mは、周期表のIVA〜VIIA族、VIII族又はIB〜VIB族に属する金属である。]で示される金属アルコキシドを溶媒に溶解又は分散した塗工液が用いられる。 Furthermore, as the “insulating material”, polyimide resin, styrene resin, polyethylene resin, polypropylene, vinyl chloride resin, polyester alkyd resin, polyamide, polyurethane, polycarbonate, polyarylate, polysulfone, diallyl phthalate resin, polyvinyl butyral resin, Photo-curing properties such as polyether resin, polyester resin, acrylic resin, silicone resin, epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, PFA, PTFE, PVDF and other fluorine resins, parylene resin, epoxy acrylate, urethane acrylate, etc. Resin and general formula M (OR) n or MR (OR ′) n−1 [wherein R and R ′ are organic groups such as alkyl groups and phenyl groups, and M is IVA in the periodic table. ~ VIA, VIII or IB ~ VIB It is a metal. ] The coating liquid which melt | dissolved or disperse | distributed the metal alkoxide shown by a solvent is used.
「磁性材料」としては、Sm−Co−系、Nd−Fe−B系、Sm−Fe−N系等の希土類磁性材料、フェライト系、アルニコ系等の磁性材料も適用可能である。 As the “magnetic material”, rare earth magnetic materials such as Sm—Co—, Nd—Fe—B, and Sm—Fe—N, and magnetic materials such as ferrite and alnico are also applicable.
また、「表面性変化層」は、熱、紫外線、電子線、プラズマ等のエネルギーを与えることによって、臨界表面張力が変化する材料からなる層で、エネルギー付与前後での臨界表面張力の変化量が大きいものが好ましい。そのような場合、表面性変化層の一部分にエネルギーを付与し、高表面エネルギー部と低表面エネルギー部からなるパターンを形成することにより、例えば、導電性材料を含有する液体の場合、高表面エネルギー部にはこれが付着しやすく(親液性)、低表面エネルギー部には付着しにくく(疎液性)なるため、パターン形状に従って導電性材料を含有する液体が親液性である高表面エネルギー部に選択的に付着し、それを固化することにより導電層が形成される。 The “surface property changing layer” is a layer made of a material whose critical surface tension changes by applying energy such as heat, ultraviolet rays, electron beams, plasma, etc. The amount of change in the critical surface tension before and after the energy application is changed. Larger ones are preferred. In such a case, for example, in the case of a liquid containing a conductive material, a high surface energy is formed by applying energy to a part of the surface property changing layer and forming a pattern including a high surface energy part and a low surface energy part. High surface energy part in which the liquid containing the conductive material is lyophilic according to the pattern shape because it is easy to adhere to the part (lyophilic) and difficult to adhere to the low surface energy part (lyophobic) A conductive layer is formed by selectively adhering to and solidifying it.
図1に本実施の形態の電子素子の製造方法に関するプロセス例を示す。まず、図1(a)に示すように、ガラスやポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミド等のプラスチック、シリコンウェハ、金属等からなる基板1上に表面性変化層2を形成する。表面性変化層2は、例えば、エネルギー付与として紫外線照射によって臨界表面張力が増加し、低表面エネルギー(疎液性)から高表面エネルギー(親液性)へ変化する材料からなる。このような材料を含有するポリマー又はその前駆体を有機溶媒等に溶解又は分散した溶液をスピンコート法、ディップコート法、ワイヤーバーコート法、キャスト法等で基板1上に塗布し、加熱することにより、表面性変化層2が形成される。
FIG. 1 shows an example of a process related to a method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment. First, as shown in FIG. 1A, a surface
次に、図1(b)に示すように、表面性変化層2の表面に所定のパターン形状の孔版3を密着させ(密着工程)、この孔版3が密着された表面性変化層2の表面に対して紫外線を照射する。これにより、表面性変化層2には、低表面エネルギー部(疎液性部)2aと高表面エネルギー部(親液性部)2bからなる濡れ性を変化させたパターンが形成される。紫外線としては100nmから300nmの比較的短い波長の光が含まれるのが望ましい。
Next, as shown in FIG. 1B, a
次に、図1(c)に示すように、このような濡れ性を変化させたパターンが形成された表面性変化層2(基板1全面)上に半導体材料、導電性材料、絶縁性材料、磁性材料、誘電体材料等を真空成膜するか、これらの材料を含有する溶液(電子部品構成材料の少なくとも一つの塗工液)4を付与し、図1(d)に示すように孔版3を取り外すことによりパターニングが完了する。5はパターニングされた塗工液を示す。
Next, as shown in FIG. 1C, a semiconductor material, a conductive material, an insulating material, and the like are formed on the surface property changing layer 2 (the entire surface of the substrate 1) on which the pattern having such wettability changed is formed. A magnetic material, a dielectric material or the like is vacuum-deposited, or a solution (at least one coating liquid for electronic component constituent materials) 4 containing these materials is applied, and as shown in FIG. The patterning is completed by removing.
よって、本実施の形態によれば、基本的に、粘性の低い塗工液(溶液4)を用いた場合においても、表面性変化層2上における孔版3の成膜部(高表面エネルギー部2b)のみの濡れ性を向上させており、さらに孔版3と基板1とが密着しているため、基板1全面に塗工液を付与しても、非成膜部(低表面エネルギー部2a)への塗工液付着、基板1と孔版3間への塗工液流出といった問題が発生せず、よって、高精細かつ膜厚1μm程度以下の薄膜パターニングを、簡単なプロセスにて短時間で実現することが可能となる。また、濡れ性を変化させた部位に塗工液を塗布する際においても、孔版3によって濡れ性を変化させているので、改めて他のパターニング手段を用い濡れ性の変化した部位とパターニング手段とを位置合わせする必要がなく、パターニング時間の短縮化が可能となる。
Therefore, according to the present embodiment, basically, even when a low-viscosity coating solution (solution 4) is used, the film forming part (high surface energy part 2b) of the
ところで、本実施の形態の場合の表面性変化層2としては、側鎖に疎水性基を有する高分子材料からなることが好ましい。このような高分子材料によれば、エネルギー付与部(成膜部)とエネルギー非付与部(非成膜部)表面との臨界表面張力の差を大きくすることが可能となり、高精細な薄膜形成を簡単なプロセスにて短時間で実現できるからである。
By the way, the surface
これは、以下に説明する固体表面に対する液体の濡れ性(付着性)によるものと考えられる。図2は固体10表面上で液滴11が接触角θで平衡状態にある時の模式図で、ヤングの式(1)が成立する。
This is considered to be due to the wettability (adhesiveness) of the liquid to the solid surface described below. FIG. 2 is a schematic diagram when the
γS=γSL+γL cosθ (1)
ここで、γSは固体10の表面張力、γSLは固体10と液体(液滴11)の界面張力、γLは液体(液滴11)の表面張力である。
γ S = γ SL + γ L cos θ (1)
Here, γ S is the surface tension of the solid 10, γ SL is the interface tension between the solid 10 and the liquid (droplet 11), and γ L is the surface tension of the liquid (droplet 11).
表面張力は表面エネルギーと実質的に同義であり、全く同じ値となる。cosθ=1の時、θ=0°となり、液体は完全に濡れる。この時のγLの値はγS−γSLとなり、これをその固体の臨界表面張力γCと呼ぶ。臨界表面張力γCは表面張力の判っている何種類かの液体を用いて、液体の表面張力と接触角の関係をプロットし、θ=0°(cosθ=1)となる表面張力を求めることにより容易に決定できる(Zismanプロット)。臨界表面張力γCの大きい固体表面には液体が濡れやすく(親液性)、臨界表面張力γCの小さい固体表面には液体が濡れにくい(疎液性)。本実施の形態においては、特に導電層を形成しない部位において、導電性材料を含有する液体をはじき易くすることが重要である。表面性変化層2の疎液性部分2aの臨界表面張力を例えば30mN/m以下であるようにすることで、水の接触角を80°以上とすることができ、水ベースの溶液をはじき易くすることができる。より望ましくは臨界表面張力が25mN/m以下であるようにすると、水の接触角を90°以上とすることができ、水ベースの溶液であればより確実にはじくことができる。
The surface tension is substantially synonymous with the surface energy and has exactly the same value. When cos θ = 1, θ = 0 ° and the liquid is completely wetted. The value of γ L at this time is γ S −γ SL , which is called the critical surface tension γ C of the solid. The critical surface tension γ C is obtained by plotting the relationship between the surface tension of the liquid and the contact angle using several types of liquids with known surface tension, and obtaining the surface tension where θ = 0 ° (cos θ = 1). (Zisman plot). A solid surface with a high critical surface tension γ C easily wets the liquid (lyophilic), and a solid surface with a low critical surface tension γ C does not wet easily (lyophobic). In the present embodiment, it is important to make it easy to repel a liquid containing a conductive material, particularly in a region where a conductive layer is not formed. By making the critical surface tension of the lyophobic part 2a of the surface
このような表面性変化層2には、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を用いるのが望ましい。具体的には、ポリイミドやアクリレート等の骨格を有する主鎖にアルキル基(-(CH2)xCH3)等の凝集力の強い側鎖が結合しているもの等が挙げられる。このアルキル基はハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基又は炭素数1〜12の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基やアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。側鎖の結合部位が多いほど表面エネルギーが低く(臨界表面張力が小さく)、疎液性となると考えられる。エネルギー付与によって、結合の一部が切断される、あるいは配向状態が変化するために臨界表面張力が増加し、親液性になるものと推察され
る。
For such a surface
長鎖アルキル基等の凝集性の強い側鎖が表面に配列している他の効果として、それに接
している半導体層との界面特性を良好なものとすることができる。半導体層が有機半導体
からなる場合、その効果がより顕著である。界面特性が良好であるとは、
(1)半導体が結晶質である場合には結晶粒が大きくなり、移動度が増大する、
(2)半導体が非晶質(高分子)である場合には、界面準位密度が減少し、移動度が増大する、
(3)半導体が高分子であり、長鎖アルキル基等の側鎖を有する場合には、その配向が規制されることによりπ共役主鎖の分子軸を概ね一方向に配列させることができ、移動度が増大する、
等の現象が出現することを指す。
As another effect that side chains having strong cohesive properties such as long-chain alkyl groups are arranged on the surface, interface characteristics with the semiconductor layer in contact therewith can be improved. When the semiconductor layer is made of an organic semiconductor, the effect is more remarkable. Good interfacial properties
(1) When the semiconductor is crystalline, the crystal grains are enlarged and the mobility is increased.
(2) When the semiconductor is amorphous (polymer), the interface state density decreases and the mobility increases.
(3) If the semiconductor is a polymer and has a side chain such as a long-chain alkyl group, the molecular axis of the π-conjugated main chain can be arranged in almost one direction by regulating its orientation, Mobility increases,
This refers to the appearance of such phenomena.
前述の説明では、孔版の枚数については言及しなかったが、より好ましい一形態としては、略同一パターンを有する複数枚の孔版を基板上に密着させて積層し、パターニングを行うことが望ましい。複数枚の孔版を積層させることにより、粘性が低く、かつ、表面張力の小さな塗工液を用いた場合においても、これらの孔版間のギャップへ余分な塗工液が逃げるため、上述の基本方式以上に基板と孔版との界面への塗工液流出を防ぐことが可能となる。このことは、塗工溶媒選択の自由度が広がることを意味し、様々な材料について高精細かつ膜厚1μm程度以下の薄膜形成を、簡単なプロセスにて短時間で実現することが可能となる。 In the above description, the number of stencil plates was not mentioned, but as a more preferable form, it is desirable to perform patterning by stacking a plurality of stencil plates having substantially the same pattern in close contact with each other. By laminating a plurality of stencil plates, even when a coating solution with low viscosity and low surface tension is used, excess coating solution escapes to the gap between these stencils, so the basic method described above As described above, it is possible to prevent the coating liquid from flowing out to the interface between the substrate and the stencil. This means that the degree of freedom in selecting a coating solvent is widened, and it is possible to achieve high-definition thin film formation of about 1 μm or less for various materials in a short time with a simple process. .
本実施の形態では、上述したような原理で高精細に薄膜のパターニングを行うため、塗工液の粘性は100cp以下とすることが望ましい。一般の印刷用インクのように粘調な塗工液を用いた場合、孔版間に塗工液が逃げにくく、孔版を積層させた効果が得難いからである。 In the present embodiment, it is desirable that the viscosity of the coating liquid be 100 cp or less in order to perform thin film patterning with high definition based on the principle described above. This is because when a viscous coating liquid is used like a general printing ink, it is difficult for the coating liquid to escape between the stencil plates, and it is difficult to obtain the effect of laminating the stencil plates.
本実施の形態の場合、略同一パターンを有する孔版を複数用いるわけであるが、全く同一パターンであっても問題ない。また、略同一パターンの場合、基板と密着している基板側孔版のパターンと、基板とは密着していない表面側孔版のパターンとの大小関係は図3(a)(b)に示すように、何れの場合も使用可能であり、塗工液の粘性、塗布量に応じて適宜使用される。図3(a)は基板側孔版3Aの孔パターンが表面側孔版3Bの孔パターンよりも小さい場合を示しており、塗工液の粘性が高い場合又は塗付量が少ない場合に好適である。一方、図3(b)は基板側孔版3Aの孔パターンが表面側孔版3Bの孔パターンよりも大きい場合を示しており、塗工液の粘性が低い場合又は塗付量が多い場合に好適である。また、使用する孔版の枚数を増やすと、基板と孔版との界面への塗工液の流出防止効果がより向上する。
In the case of the present embodiment, a plurality of stencils having substantially the same pattern are used, but there is no problem even if they are exactly the same pattern. In the case of substantially the same pattern, the size relationship between the pattern of the substrate side stencil in close contact with the substrate and the pattern of the surface side stencil not in close contact with the substrate is as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). In any case, it can be used, and it is appropriately used depending on the viscosity of the coating liquid and the coating amount. FIG. 3A shows a case where the hole pattern of the
また、このように複数の孔版を使用する場合、基板と孔版との間の界面距離よりも孔版同士の界面距離を大きくすることが好ましい。これによれば、孔版を積層した基板全面に塗工液を塗布した場合、余分な塗工液が孔版同士の界面のみに流入し、基板と孔版との界面には塗工液が流入することがなくなり、パターン再現性が向上し、高精細なパターニングが可能となるからである。 When using a plurality of stencil plates in this way, it is preferable to make the interface distance between the stencils larger than the interface distance between the substrate and the stencil plate. According to this, when the coating liquid is applied to the entire surface of the substrate on which the stencil is laminated, the excess coating liquid flows only into the interface between the stencils, and the coating liquid flows into the interface between the substrate and the stencil. This is because pattern reproducibility is improved and high-definition patterning is possible.
例えば、2枚の孔版を基板上に積層させる場合、塗工液の流入する部位として、
A;孔版の穴
B;孔版同士の界面
C;孔版と基板との界面
の3つの部位が考えられる。この時、Cに塗工液が流入するとドットゲインが発生し高精細なパターニングができなくなる一方、Aに塗工液が流入しないとパターニングそのものが不可能となる。よって、これらのA,B,Cのサイズの大小関係は、AorB>Cとなっている必要がある。好ましくは、A>B>Cの関係が成立していることが望ましい。
For example, when laminating two stencil plates on a substrate, as a part into which the coating liquid flows,
A: Hole of stencil B: Interface between stencils C: Three parts of interface between stencil and substrate can be considered. At this time, if the coating liquid flows into C, dot gain occurs and high-definition patterning cannot be performed. On the other hand, if the coating liquid does not flow into A, patterning itself is impossible. Therefore, the size relationship between the sizes of A, B, and C needs to satisfy AorB> C. Preferably, the relationship of A>B> C is established.
ここに、このような界面距離を異ならせる方法としては、孔版の基板接触面側の表面粗さと比較して、孔版同士が接触する面の表面粗さを大きくすることが好ましい。これによれば、基板と孔版との界面距離よりも孔版同士の界面距離を容易に大きくすることが可能となる。 Here, as a method of making such an interfacial distance different, it is preferable to increase the surface roughness of the surface where the stencils are in contact with each other as compared with the surface roughness of the stencil on the substrate contact surface side. According to this, the interface distance between the stencils can be easily made larger than the interface distance between the substrate and the stencil.
なお、本実施の形態における表面粗さとは、JIS B0601-2001に規定されるRaの測定を、図4に示す孔版3のパターン形成部位近傍3aにて測定した時の値を指す。
In addition, the surface roughness in this Embodiment refers to the value when the measurement of Ra prescribed | regulated to JIS B0601-2001 is measured in the pattern formation site | part vicinity 3a of the
また、界面距離を異ならせる別の方法としては、孔版同士が接触する界面にギャップ材を介在させることも好適である。この方法によっても、基板と孔版との界面距離よりも孔版同士の界面距離を容易に大きくすることが可能となる。 Further, as another method of changing the interface distance, it is also preferable to interpose a gap material at the interface where the stencils are in contact with each other. This method also makes it possible to easily increase the interfacial distance between the stencils than the interfacial distance between the substrate and the stencil.
この場合のギャップ材としては、その形状が球状、平板状のもの、平板に微細な穴が形成されたメッシュ状のもの等、孔版同士の界面距離を所定の値に維持することが可能であり、かつ、塗工液が流入するように適宜設計される。ギャップ材の材質は塗工液によって損傷を受けない材質が用いられる。金属材料の場合は、塗工液が水系、有機溶媒系の何れにおいても損傷されない。ギャップ材が樹脂材料の場合、有機溶媒に溶解する場合があるが、孔版が樹脂材料のように金属と比較して柔軟な材料からなる場合、ギャップ材と擦れることによる孔版の損傷を防ぐことが可能となる。 As the gap material in this case, the interface distance between the stencil plates can be maintained at a predetermined value, such as a spherical shape, a flat plate shape, or a mesh shape in which fine holes are formed on the flat plate. And it is suitably designed so that the coating liquid flows in. The gap material is a material that is not damaged by the coating liquid. In the case of a metal material, the coating liquid is not damaged regardless of whether it is aqueous or organic solvent. When the gap material is a resin material, it may be dissolved in an organic solvent. However, when the stencil is made of a material that is more flexible than a metal, such as a resin material, damage to the stencil by rubbing against the gap material may be prevented. It becomes possible.
[孔版の密着固定方法]
[その1]
本実施の形態の製造方法を実施する上で、孔版を基板上に密着固定させることが必要であるが、そのための方法の一例として、孔版を磁力で吸着される材料製とし、基板密着手段として永久磁石又は電磁石を用いることにより、孔版を基板に密着させる方法を挙げることができる。この方法によれば、孔版全面を確実かつ簡単に基板上に密着固定させることが可能となる。電磁石の場合、磁力をOFFにして孔版と基板とを位置合わせさせた後、磁力をONにして孔版と基板とを密着させることが可能となるため、ハンドリング面で好適である。一方、永久磁石の場合、小型で強力な希土類磁石等を使用可能であるため、孔版と基板とをより確実に密着させることが可能となる。
[Stencil fixing method for stencil]
[Part 1]
In carrying out the manufacturing method of the present embodiment, it is necessary to closely fix the stencil on the substrate. As an example of the method, the stencil is made of a material that can be adsorbed by magnetic force, By using a permanent magnet or an electromagnet, a method of bringing the stencil into close contact with the substrate can be mentioned. According to this method, the entire surface of the stencil can be securely and easily fixed on the substrate. In the case of an electromagnet, the stencil and the substrate can be brought into close contact with each other after the magnetic force is turned off and the stencil and the substrate are aligned. On the other hand, in the case of a permanent magnet, a small and powerful rare earth magnet can be used, so that the stencil and the substrate can be more reliably brought into close contact with each other.
図5は孔版3A,3Bとして磁力で吸着される材料製とし、基板密着手段として永久磁石6を基板1の裏面側に配設させて例を示している。
FIG. 5 shows an example in which the
この基板密着方法の場合、孔版と同様に、磁力で吸着される材料からなり、形成しようとするパターンよりも微細な連続パターンを有するメッシュ版を、基板から見て孔版上に積層させて配置するようにすれば、孔版をより確実に固定させることが可能となる。 In the case of this substrate contact method, like a stencil, a mesh plate made of a material adsorbed by magnetic force and having a continuous pattern finer than the pattern to be formed is laminated on the stencil when viewed from the substrate. By doing so, it becomes possible to fix the stencil more reliably.
これは、磁石に吸着し、微細な形状で一つ一つが自由に動くことが可能なもの、例えば砂鉄の場合、磁石表面に均一に付着せず、通常磁力線に沿って磁石表面に立ち上がろうとする。孔版の場合も、メタルマスクのようにパターニングしようとする部位が完全に開口している孔版は、そのパターン形状によっては、パターンが磁力線の影響で基板から浮き上がる。この場合、基板と孔版との間に塗工液が流入し、高精細なパターニングができなくなってしまう。例えば、図6に基板1から浮き上がりやすい孔版3のパターン例を示す(平面図)。7で示す部分が浮き上がりやすいパターン部分である。しかし、このような場合であっても、孔版3上に連続的なパターンのメッシュ版をかぶせることにより、確実に孔版を基板上に固定させることができる。従って、孔版であっても、成膜部が完全に開口していないスクリーン印刷版の場合は、図5のようなパターンであっても浮き上がり難い。
This is the one that is attracted to the magnet and can move freely in a fine shape, for example, sand iron, does not adhere uniformly to the magnet surface, and usually tries to stand up on the magnet surface along the lines of magnetic force . Also in the case of a stencil, a stencil in which a part to be patterned is completely opened like a metal mask, depending on the pattern shape, the pattern is lifted from the substrate due to the influence of magnetic lines of force. In this case, the coating liquid flows between the substrate and the stencil and high-definition patterning cannot be performed. For example, FIG. 6 shows a pattern example of the
この場合、特に、孔版の磁石吸着力よりもメッシュ版の磁石吸着力が大きくなるように吸着力の大小関係を設定すれば、孔版が浮き上がろうとする力と比較して、メッシュ版による基板吸着力が大きくなるため、より確実に版画を基板上に固定させることが可能となる。 In this case, in particular, if the magnitude relationship of the adsorption force is set so that the magnet adsorption force of the mesh plate is larger than the magnet adsorption force of the stencil plate, the substrate by the mesh plate is compared with the force of the stencil floating up Since the suction force is increased, the print can be more securely fixed on the substrate.
[その2]
本実施の形態の製造方法を実施する上で、孔版を基板上に密着固定させる方法の他例として、孔版を静電気で吸着される帯電性部材製とし、基板密着手段として静電気を用いることにより、孔版を基板に密着させる方法を挙げることができる。この方法によっても、孔版全面を確実かつ簡単に基板上に密着固定させることが可能となる。
[Part 2]
In carrying out the manufacturing method of the present embodiment, as another example of the method of closely fixing the stencil on the substrate, the stencil is made of a chargeable member that is adsorbed by static electricity, and by using static electricity as the substrate contact means, A method for adhering the stencil to the substrate can be mentioned. Also by this method, the entire stencil plate can be securely and easily fixed on the substrate.
この場合も、孔版と同様に、静電気で吸着される帯電性部材からなり、形成しようとする電子素子の微細パターンよりも微細な連続パターンを有するメッシュ版を、基板から見て孔版上に積層させて配置するようにすれば、孔版をより確実に固定させることが可能となる。 In this case as well as the stencil, a mesh plate made of a charging member that is adsorbed by static electricity and having a continuous pattern finer than the fine pattern of the electronic element to be formed is laminated on the stencil as viewed from the substrate. The stencil can be fixed more securely.
これは帯電性部材で、微細な形状で一つ一つが自由に動くことが可能なもの、例えば無数の穴が空いていて、その体積に対して非常に軽く細長い形状の樹脂フィラーの場合、帯電面に均一に付着せず、電気力線に沿って帯電面に立ち上がろうとする場合がある。孔版の場合も、パターニングしようとする部位が完全に開口している孔版は、そのパターン形状によっては、パターンが電気力線の影響で基板から浮き上がる。この場合、基板と孔版との間に塗工液が流入し、高精細なパターニングができなくなってしまう。しかし、このような場合であっても、孔版上に連続的なパターンのメッシュ版をかぶせることにより、確実に孔版を基板上に固定させることができる。 This is a chargeable member that can move freely in a fine shape, for example, in the case of a resin filler that has numerous holes and is very light and slender with respect to its volume. In some cases, it does not uniformly adhere to the surface and tends to rise on the charged surface along the lines of electric force. Also in the case of a stencil, a stencil in which a part to be patterned is completely opened, the pattern is lifted from the substrate due to the influence of electric lines of force depending on the pattern shape. In this case, the coating liquid flows between the substrate and the stencil and high-definition patterning cannot be performed. However, even in such a case, the stencil can be securely fixed on the substrate by covering the stencil with a continuous pattern mesh plate.
この場合、特に、孔版の静電気吸着力よりもメッシュ版の静電気吸着力を大きくなるように吸着力の大小関係を設定すれば、孔版が浮き上がろうとする力と比較して、メッシュ版による基板吸着力が大きくなるため、より確実に孔版を基板上に固定させることができる。 In this case, in particular, if the magnitude relationship of the adsorption force is set so that the electrostatic adsorption force of the mesh plate is larger than the electrostatic adsorption force of the stencil plate, the substrate by the mesh plate is compared with the force by which the stencil is going to float. Since the adsorption force is increased, the stencil can be more securely fixed on the substrate.
[孔版の表面処理]
前述した孔版に関しては、塗工液と孔版との静的接触角が基板表面のエネルギー付与部と塗工液との接触角と比較して大きくなるように、当該孔版に対して表面処理を行うことが好ましい。このような表面処理を行なっておけば、基板と孔版との界面に塗工液が流入することを防ぐことができ、高精細なパターニングが実現可能となる。
[Surface treatment of stencil]
For the stencil described above, the stencil is subjected to a surface treatment so that the static contact angle between the coating liquid and the stencil is larger than the contact angle between the energy applying portion on the substrate surface and the coating liquid. It is preferable. If such a surface treatment is performed, it is possible to prevent the coating liquid from flowing into the interface between the substrate and the stencil and to realize high-definition patterning.
特に、図7(a)に示すような孔版3のパターン形成部位の断面において、版断面が基板1から立ち上がっている面(部位8)に、接触角が大きくなるように表面処理を行うことにより、塗工液の立ち上がりを防止し、成膜後の塗膜表面形状を図7(b)に示すような平滑な薄膜9形成を実現可能となる。ちなみに、塗工液の立ち上がりが発生し、そのままの形状で溶媒が蒸発した場合は、図7(c)に示す形状の薄膜Aとなる場合がある。
In particular, in the cross section of the pattern forming portion of the
この場合の孔版3の表面処理としてフッ素系若しくはシリコーン系化合物を用いることが望ましい。一般にフッ素系、及びシリコーン系化合物は撥水性の高い材料でありこれを表面処理剤としてコーティングすることにより、塗工液と孔版の静的接触角を基板表面と塗工液の接触角と比較して格段に大きくする事が可能となる。従って、高精細かつ平滑な薄膜のパターニングが可能となる。
In this case, it is desirable to use a fluorine-based or silicone-based compound as the surface treatment of the
本実施の形態の孔版の表面処理に適用可能なフッ素系化合物として、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)、FEP(テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体)、ETFE(テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体)、PVDF(ポリビニリデンフルオライド)、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)等が適用可能である。 PTFE (polytetrafluoroethylene), PFA (tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer), FEP (tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene) can be used for the surface treatment of the stencil of this embodiment. Copolymer), ETFE (tetrafluoroethylene / ethylene copolymer), PVDF (polyvinylidene fluoride), PCTFE (polychlorotrifluoroethylene) and the like are applicable.
また、下記(1)〜(7)の化合物(モノマー)の重合単位を含む共重合体も適用可能であり、特に(1)の化合物を重合した材料が好適である(式中のRは水素原子、メチル基、又はフッ素原子、Rfはフッ素原子含有有機基)。 In addition, a copolymer containing polymer units of the following compounds (monomers) (1) to (7) is also applicable, and in particular, a material obtained by polymerizing the compound (1) is preferable (wherein R is hydrogen). An atom, a methyl group, or a fluorine atom, and Rf is a fluorine atom-containing organic group).
(1)CH2=CRCOORf,
(2)CH2=CROCORf,
(3)CH2=CRC(O)Rf,
(4)CH2=CRORf,
(5)CH2=CRCONHRf,
(6)CH2=C(CH2R)COORf,
(7)CH2=CR(CH2)nRf
(1) CH2 = CRCOORf,
(2) CH2 = CROCORF,
(3) CH2 = CRC (O) Rf,
(4) CH2 = CRORf,
(5) CH2 = CRCONHRf,
(6) CH2 = C (CH2R) COORf,
(7) CH2 = CR (CH2) nRf
また、本実施の形態の孔版の表面処理に適用可能なシリコーン系化合物として、ポリアルキルシロキサン、ポリアリルシロキサン等の化合物及びその誘導体が用いられ、特にポリジメチルシロキサン、ポリフェニルメチルシロキサン、3,3,3トリフルオロプロピルメチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサンが好適である。 Further, as a silicone compound applicable to the surface treatment of the stencil of the present embodiment, compounds such as polyalkylsiloxane and polyallylsiloxane and derivatives thereof are used, and in particular, polydimethylsiloxane, polyphenylmethylsiloxane, 3, 3 1,3-trifluoropropylmethylsiloxane and polydiphenylsiloxane are preferred.
また、ヘキサメチルジシラザンのようなシラザン、メチルトリクロロシランのようなハロゲン化シラン、テトラメトキシシランのようなアルコキシシランに代表されるようなシラン系化合物も適用可能である。 Silane compounds such as silazane such as hexamethyldisilazane, halogenated silane such as methyltrichlorosilane, and alkoxysilane such as tetramethoxysilane are also applicable.
[塗工液の塗布方式]
本実施の形態においては、表面性変化層(基板)表面に対して孔版を密着させたまま対象となる電子構成材料の少なくとも一つの塗工液を付与してパターニングを行うわけであるが、この塗工液の塗布方式としては、各種方式を適用できる。
[Coating liquid application method]
In the present embodiment, patterning is performed by applying at least one coating liquid of the target electronic component material while keeping the stencil in close contact with the surface property change layer (substrate) surface. Various methods can be applied as a coating method of the coating liquid.
A.スプレー塗工法
塗工液の塗布方式として、スプレー塗工法を用いれば、少量の塗工液で高精細のパターニングが短時間で可能となる。
A. Spray coating method If the spray coating method is used as a coating method of the coating liquid, high-definition patterning can be performed in a short time with a small amount of coating liquid.
バーコータやグラビアコータ等、塗工装置と基板とが接触する塗工手段の場合、塗工液塗布時において孔版と基板に応力がかかり易く、孔版と基板とがずれたり浮いたりする場合があり、このような場合は版と基板との間に塗工液が流出し、高精細なパターニングができなくなる。スプレー塗工法の場合、孔版と基板とがずれたり浮いたりすることが殆どなく、高精細なパターニングが可能となる。従って、孔版であっても、成膜部が完全に開口していないスクリーン印刷版の場合は、図6の様なパターンであっても浮き上がり難い。 In the case of a coating means such as a bar coater or gravure coater where the coating device and the substrate are in contact, stress is easily applied to the stencil and the substrate during coating liquid application, and the stencil and the substrate may be displaced or floated. In such a case, the coating solution flows between the plate and the substrate, and high-definition patterning cannot be performed. In the case of the spray coating method, the stencil and the substrate hardly move or float, and high-definition patterning is possible. Therefore, even if it is a stencil, a screen printing plate in which the film forming portion is not completely opened, even a pattern as shown in FIG.
B.インクジェット塗工法
塗工液の塗布方式として、インクジェット塗工法を用いれば、他の塗工手段と比較して最も少量の塗工液で高精細なパターニングが可能となる。インクジェット塗工法の場合、他の方法と比較してパターニングに時間がかかる欠点はあるが、塗工時において、孔版と基板とに対し応力を加えることが殆どないため、孔版と基板とがずれたり浮いたりすることが殆どなく、高精細なパターニングが可能となる上に、薄膜を形成しようとする部位近傍のみに塗工液を供給することが可能となるため、非常に少量の塗工液でパターニングが可能となる。
B. Inkjet coating method If an inkjet coating method is used as a coating method of the coating solution, high-definition patterning can be performed with the smallest amount of coating solution compared to other coating means. In the case of the ink jet coating method, there is a drawback that patterning takes time compared with other methods, but since the stress is hardly applied to the stencil and the substrate at the time of coating, the stencil and the substrate may be displaced. In addition to being able to float, it is possible to perform high-definition patterning and to supply the coating liquid only to the vicinity of the site where the thin film is to be formed. Patterning is possible.
C.ディッピング塗工法
塗工液の塗布方式として、ディッピング塗工法を用いれば、塗工時において、孔版と基板とに対し応力を加えることが殆どないため、孔版と基板とがずれたり浮いたりすることが殆どなく、高精細なパターニングが可能となる上に、スプレー塗工法やインクジェット塗工法のように塗工液を基板間に飛翔させることなく塗工を行うため、塗工液の溶媒としてアセトン、THF、ジクロロメタン等の揮発性溶媒も適用可能となり、溶媒の選択性が広がる。
C. Dipping coating method If the dipping coating method is used as the coating method of the coating liquid, stress is hardly applied to the stencil and the substrate during coating, so the stencil and the substrate may be displaced or floated. Almost no high-definition patterning is possible and coating is performed without causing the coating liquid to fly between the substrates as in the spray coating method and the inkjet coating method. Also, volatile solvents such as dichloromethane can be applied, and the selectivity of the solvent is expanded.
なお、この方式の場合、塗工液をキャストさせる(液滴を孔版上に落下させる)方法も含まれる。塗工液の塗付量が多すぎた場合は、孔版と基板とを密着させたまま回転又はエアーブロー等の方法により所望の塗布量に制御する方法も適用される。 In the case of this method, a method of casting the coating liquid (dropping the droplet onto the stencil) is also included. When the coating amount of the coating liquid is too large, a method of controlling the coating amount to a desired value by a method such as rotation or air blow while the stencil and the substrate are kept in close contact is also applied.
D.その他
塗工液の塗布方式として、ブレードコータ、バーコータ、キスコータ、グラビアコータ、フレキソコータ、ナイフコータ、カーテンコータ、スピンコータのうちの少なくとも一つの手段を用いて行うようにしてもよい。これらの方式は、塗工液を基板間に飛翔させることなく塗工を行うため、塗工液の溶媒として揮発性溶媒も適用可能となり、溶媒の選択性が広がり、また、高精細なパターニングが短時間で完了可能となる。
D. Others As a coating method of the coating solution, at least one of a blade coater, a bar coater, a kiss coater, a gravure coater, a flexo coater, a knife coater, a curtain coater, and a spin coater may be used. In these methods, since the coating liquid is applied without flying between the substrates, a volatile solvent can be applied as the solvent of the coating liquid, the selectivity of the solvent is widened, and high-definition patterning is possible. It can be completed in a short time.
[取り外し工程]
本実施の形態では、塗工液の塗布に先立ち孔版を利用するわけであり、最終的にはこの孔版を基板から取り外す必要があるが、そのプロセスとしては、塗工液を塗布した後、所定の方法(例えば、加熱、室温放置等、溶媒を蒸発させる上昇手段)で当該塗工液の粘度を上昇させてから孔版を基板から取り外すことが望ましい。これによれば、孔版取り外し後に塗工液が基板表面を流れることなく、所定の部位にパターニングを行うことが可能となる。
[Removal process]
In the present embodiment, the stencil is used prior to the application of the coating liquid, and it is necessary to finally remove the stencil from the substrate. As the process, after applying the coating liquid, It is desirable that the stencil is removed from the substrate after the viscosity of the coating liquid is increased by the above method (for example, elevating means for evaporating the solvent such as heating or standing at room temperature). According to this, it is possible to perform patterning on a predetermined portion without the coating liquid flowing on the substrate surface after the stencil is removed.
このような工程を採る上で、基板1と直接接触している孔版3の穴の断面形状としては、図8に示すように、基板1側が拡開するテーパ形状とするのが望ましい。即ち、塗工液の粘性が大きく上昇した状態で、孔版3を取り外すと孔版3のエッジで塗工液を基板1から跳ね上げ、この部位の塗膜均一性を損ねる場合があるが、図8に示すように、孔版3の穴の断面形状を基板1側が拡開するテーパ形状とすることにより、孔版3取り外し時における孔版3のエッジ部での塗工液の跳ね上げを防止し、塗膜表面均一性の高い薄膜を形成することができる。
In taking such a process, it is desirable that the cross-sectional shape of the hole of the
[表面性変化層を形成するためのエネルギー付与方式]
基板1上に表面性変化層2を形成するためのエネルギー付与方式としては、前述したように種々の方式を採り得るが、本実施の形態の場合、特に、紫外線照射法やプラズマ照射法が好適である。紫外線照射法によれば、表面性変化層を高精細に加工可能である。この紫外線の照射方法としては、フォトマスクを用いて全面露光を行う方法や、レーザ光をスキャンする方法等が用いられる。また、プラズマ照射法によれば、表面性変化層に大きなエネルギーを付与することが可能となり、濡れ性だけでなく表面形状の変化も短時間で容易に行うことが可能となるため、成膜部の塗工液付着性を大きく向上させることが可能となる。
[Energy application method for forming surface property change layer]
As the energy application method for forming the surface
[適用される電子素子等の例]
A.電子素子
本実施の形態の製造方法は、前述したようなトランジスタ、ダイオード等の半導体素子、導線、抵抗器、コンデンサ、コイル等の電気回路構成素子、光電変換素子、熱電変換素子等のエネルギー変換素子、EL、液晶、FED等の表示素子のような微細パターニングによる薄膜構成を含む各種の電子素子に適用できるわけであるが、その一例として、図9に示すようなMOS型FET構造のトランジスタ21を挙げることができる。このトランジスタ21はゲート電極22上にゲート絶縁膜23を介してソース電極24とドレイン電極25とをチャネル部26部分の間隔をあけて形成し、かつ、このチャネル部26部分を含むソース電極24及びドレイン電極15上に半導体層27を形成したものである。
[Examples of applicable electronic elements]
A. Electronic element The manufacturing method of the present embodiment includes the above-described semiconductor elements such as transistors and diodes, electric circuit constituent elements such as conductive wires, resistors, capacitors, and coils, energy conversion elements such as photoelectric conversion elements and thermoelectric conversion elements. The present invention can be applied to various electronic elements including a thin film structure by fine patterning such as display elements such as EL, liquid crystal, and FED. As an example, a
この他にも、例えばMIM型、PN接合型ダイオードに代表されるダイオード、有機EL発光素子、コンデンサ等の電子素子の製造に適用することで、微細パターニングしたものが低コストで製造可能となる。 In addition to this, for example, by applying it to the manufacture of electronic elements such as diodes typified by MIM type and PN junction type diodes, organic EL light emitting elements, capacitors, etc., finely patterned ones can be manufactured at low cost.
B.表示装置
上述の製造方法により製造された電子素子、例えば、MOS型FET構造のトランジスタ21を備える液晶表示装置(表示装置)の構成例を図10に示す。この液晶表示装置31は、各画素毎にコンデンサ32とともに設けられた液晶セル33をスイッチングするためのMOS型FET構造のトランジスタ21を、走査線と諧調信号線との交点毎(画素毎)に接続配置し、液晶セル33を個別にオン・オフさせることで所望の画像を表示させるものである。
B. Display Device FIG. 10 shows a configuration example of a liquid crystal display device (display device) including an electronic element manufactured by the above manufacturing method, for example, a
このような構成において、階調信号線からは各々の画素の階調に従って電圧が印加されている。走査線からは1ライン毎順次オン・オフの信号電圧が印加され、1画面の走査が終了した後、次画面の走査が開始される。動画対応の場合、この間隔は50Hz以上(1/50sec以下)であることが望ましい。コンデンサ32は、1画面から次画面の走査に移るまでの時間、階調信号の電圧を充電する機能を有する。
In such a configuration, a voltage is applied from the gradation signal line according to the gradation of each pixel. From the scanning line, an on / off signal voltage is sequentially applied to each line, and after the scanning of one screen is completed, the scanning of the next screen is started. In the case of video support, this interval is preferably 50 Hz or more (1/50 sec or less). The
この表示装置31は、前述の製造方法により製造された電子素子であるMOS型FET構造のトランジスタ21を備える構成であるので、低価格かつ高精細な表示装置が提供される。
Since the
C.演算装置
上述の製造方法により製造された電子素子、例えば、各々正孔輸送材を用いたトランジスタp-chと電子輸送材を用いたトランジスタn-chとを備えるインバータ回路(演算装置)41の構成例を図11に示す。
C. Arithmetic Device Configuration of an inverter circuit (arithmetic device) 41 including an electronic element manufactured by the above-described manufacturing method, for example, a transistor p-ch using a hole transport material and a transistor n-ch using an electron transport material. An example is shown in FIG.
ここに、トランジスタn-chのソース側は+5Vの電源VDD側に接続され、トランジスタn-chのドレイン側は接地に接続され、トランジスタp-ch,n-chのゲート側には入力電圧Vinが入力され、トランジスタn-chのドレイン側とトランジスタn-chのソース側との接続点から出力電圧Voutが取り出されるように構成されている。 Here, the source side of the transistor n-ch is connected to the power supply VDD side of + 5V, the drain side of the transistor n-ch is connected to the ground, and the input voltage Vin is applied to the gate side of the transistors p-ch and n-ch. , And the output voltage Vout is extracted from the connection point between the drain side of the transistor n-ch and the source side of the transistor n-ch.
ここで、入力電圧Vinに+5Vを印加した場合、トランジスタn-chはオンとなるものの、トランジスタp-chはオフとなり、出力電圧Voutは0Vとなる。一方、入力電圧Vinが0Vの時は、トランジスタn-chはオフとなり、また電源VDDが+5Vであるためトランジスタp-chのゲート・ソース間の電位差が5Vとなり、出力電圧Voutとしては+5Vが出力される。このように、入力電圧Vinと出力電圧Voutとの電位関係が反転するため、図11に示す回路はインバータ回路として適用可能である。 Here, when + 5V is applied to the input voltage Vin, the transistor n-ch is turned on, but the transistor p-ch is turned off, and the output voltage Vout is 0V. On the other hand, when the input voltage Vin is 0 V, the transistor n-ch is turned off, and since the power supply V DD is +5 V, the potential difference between the gate and source of the transistor p-ch is 5 V, and the output voltage Vout is +5 V. Is output. Thus, since the potential relationship between the input voltage Vin and the output voltage Vout is inverted, the circuit shown in FIG. 11 can be applied as an inverter circuit.
この演算装置41は、前述の製造方法により製造された電子素子であるトランジスタp-ch,n-chを備える構成であるので、集積度が高く、低コストな演算装置が提供される。
Since the
以下、本発明の実施例を比較例とともに数例挙げて説明する。 Hereinafter, several examples of the present invention will be described together with comparative examples.
[実施例1]
図1のプロセスを用い、以下の条件にて、印刷を行い塗工後の塗膜の表面形状を評価した。
[Example 1]
Using the process of FIG. 1, printing was performed under the following conditions, and the surface shape of the coating film after coating was evaluated.
(1)孔版3:図12に示すような100μm間隔で100μm平方の成膜部が複数個開口形成されたニッケル製の孔版
(2) 紫外線:波長250nm、出力:9J/cm2
(3) 濡れ性変化層2:焼成後に、化1、化2の構造式となる材料の前駆体を塗布し成膜後、加熱。
(1) Stencil 3: Nickel stencil with a plurality of 100 μm square film-forming portions opened at 100 μm intervals as shown in FIG. 12 (2) Ultraviolet light: wavelength 250 nm, output: 9 J / cm 2
(3) Wettability changing layer 2: After firing, a precursor of a material having a structural formula of Chemical Formula 1 or
ガラス基板1上にスピンコート法にて塗布し210℃で焼成した後、(1)の孔版3を密着し、(2)の条件で紫外線を照射した。 After coating on the glass substrate 1 by a spin coat method and baking at 210 ° C., the stencil plate (1) was adhered, and ultraviolet rays were irradiated under the condition (2).
(4) 塗工液4の材料:オルメコン社製ポリアニリン
(5) 塗工液4溶媒、濃度:水、4wt%
(6) 塗工液4の塗布手段:キスコータ
Y方向に孔版3と基板1とをスキャンし、塗布直後、孔版3を基板1から引き剥がし加熱乾燥した。
(4) Material of coating liquid 4: Polyaniline manufactured by Olmecon (5)
(6) Application means of coating solution 4: Kiss coater The
(7) 印刷版固定手段:永久磁石6(図5参照)(基板1:0.5mm厚無アルカリガラス)
(8) 評価方法:アルバック社製、触針式表面形状測定器DEKTAK3
得られた薄膜の表面粗さ、X方向、Y方向の長さを8箇所測定し、その平均を算出した。
以上の結果を表1に示す。
(7) Printing plate fixing means: permanent magnet 6 (see FIG. 5) (substrate 1: 0.5 mm thick non-alkali glass)
(8) Evaluation method: ULVAC, stylus type surface shape measuring instrument DEKTAK3
The surface roughness, the X direction, and the Y direction of the obtained thin film were measured at 8 locations, and the average was calculated.
The results are shown in Table 1.
[実施例2]
実施例1の(1)の孔版3を2枚積層し、(4)の塗工液4の材料を化3
[Example 2]
Two
に示す有機半導体材料、(5)の塗工液4の溶媒、濃度をトルエン、0.5wt%とした以外は実施例1と同様に実験を行った。結果を表1に示す。なお、この時の孔版3と塗工液4との静的接触角、基板1表面のエネルギー付与部と塗工液4の静的接触角は共に10度以下であった。
The experiment was conducted in the same manner as in Example 1 except that the organic semiconductor material shown in (5), the solvent of the
[実施例3]
実施例2の(1)の2枚の孔版3間に直径20μmの球状のギャップ材を散布し、パターンを位置合せした以外は実施例2と同様に実験を行った。結果を表1に示す。
[Example 3]
An experiment was performed in the same manner as in Example 2 except that a spherical gap material having a diameter of 20 μm was sprayed between the two
[実施例4]
実施例3の印刷プロセスにおいて、塗工液4の塗布後、30秒室温にて放置した後、孔版3を基板1から引き剥がし、加熱乾燥した以外は実施例3と同様に実験を行った。結果を表1に示す。
[Example 4]
In the printing process of Example 3, an experiment was performed in the same manner as in Example 3 except that the
[実施例5]
実施例4の孔版3の断面形状を図13に示す寸法関係のテーパ形状とし、テーパの広い方を基板1側に密着させた以外は実施例4と同様に実験を行った。結果を表1に示す。
[Example 5]
An experiment was performed in the same manner as in Example 4 except that the cross-sectional shape of the
[実施例6]
実施例4の孔版3の表面にフッ素系材料(旭硝子社製、アサヒガードAG7000)をコーティングした以外は実施例4と同様に実験を行った。結果を表1に示す。なお、この時の孔版3の表面と塗工液4との静的接触角は43度であった。
[Example 6]
The experiment was performed in the same manner as in Example 4 except that the surface of the
[実施例7]
実施例6の塗工液塗布手段として、スプレーコータとした以外は実施例5と同様に実験を行った。結果を表1に示す。
[Example 7]
An experiment was conducted in the same manner as in Example 5 except that the coating liquid applying means of Example 6 was a spray coater. The results are shown in Table 1.
[比較例1]
実施例2の(1)を1枚だけ用いて印刷を行った以外は実施例2と同様に実験を行った。結果を表1に示す。表1中、*印は塗膜が隣接する成膜部同士でつながってしまったため、測定不可であることを示す。
[Comparative Example 1]
An experiment was conducted in the same manner as in Example 2 except that printing was performed using only one sheet of Example 2 (1). The results are shown in Table 1. In Table 1, an asterisk (*) indicates that measurement is not possible because the coating film is connected between adjacent film forming parts.
1 基板
2 表面性変化層
3,3A,3B 孔版
4 塗工液
6 永久磁石、基板密着手段
21 電子素子
31 表示装置
41 演算装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board |
Claims (22)
電子素子構成材料の形成に先立ち、所望のパターン形状の孔版を前記基板に形成された前記表面性変化層上に密着させる工程と、
前記孔版が密着された前記表面性変化層に対するエネルギー付与により当該表面性変化層の濡れ性を変化させる工程と、
濡れ性を変化させた前記表面性変化層に対して前記孔版を密着させたまま前記電子素子構成材料の少なくとも一つの塗工液を前記基板上に付与してパターニングを行う工程と、
を備える電子素子の製造方法。 Critical surface tension by applying energy onto the substrate, or the production of electronic elements to form a surface-variable layer made of an insulating material whose critical surface tension and the surface shape changes, finely patterned electronic devices on the surface-variable layer A method,
Prior to the formation of the electronic element constituent material, a step of closely adhering a stencil having a desired pattern shape on the surface property change layer formed on the substrate;
Changing the wettability of the surface property change layer by applying energy to the surface property change layer to which the stencil is adhered; and
Applying the patterning by applying at least one coating liquid of the electronic element constituent material on the substrate while keeping the stencil in close contact with the surface property changing layer having changed wettability; and
A method for manufacturing an electronic device comprising:
基板密着手段として磁石又は電磁石を用いて前記孔版を前記基板上に密着させる、請求項1ないし6の何れか一記載の電子素子の製造方法。 The stencil is made of a material adsorbed by magnetic force,
The method for manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the stencil is brought into close contact with the substrate using a magnet or an electromagnet as the substrate contact means.
基板密着手段として静電気を用いて前記孔版を前記基板上に密着させる、請求項1ないし6の何れか一記載の電子素子の製造方法。 The stencil is made of a material that is adsorbed by static electricity,
The method for manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the stencil is brought into close contact with the substrate using static electricity as a substrate contact means.
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