JP4688977B2 - SOUND GENERATOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SOUND GENERATION METHOD USING SOUND GENERATOR - Google Patents

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Description

本発明は、熱励起型の音波発生器とその製造方法、ならびに当該音波発生器を用いた音波発生方法に関する。   The present invention relates to a thermal excitation type sound wave generator, a manufacturing method thereof, and a sound wave generation method using the sound wave generator.

従来、各種の音波発生器が知られている。一部の特殊な音波発生器を除き、そのほとんどの種類は、振動部の機械的な振動を媒質(例えば、空気)の振動に変換して音波を発生する。しかし、機械的な振動を利用した音波発生器では、振動部が固有の共振周波数を有するため、発生する音波の周波数帯域が狭い。これに加えて、振動部のサイズによって共振周波数が変化するため、周波数特性を保ったまま微細化およびアレイ化することが困難である。   Conventionally, various sound wave generators are known. Except for some special sound wave generators, most of them generate sound waves by converting the mechanical vibration of the vibration part into the vibration of a medium (for example, air). However, in the sound wave generator using mechanical vibration, since the vibration part has a specific resonance frequency, the frequency band of the generated sound wave is narrow. In addition to this, since the resonance frequency changes depending on the size of the vibration part, it is difficult to miniaturize and make an array while maintaining the frequency characteristics.

一方、機械的な振動を利用しない、新しい原理に基づく音波発生器が提案されている。この音波発生器は、熱誘起型音波発生器と呼ばれ、以下の各文献に開示されている。非特許文献1は、相対的に高い熱伝導性を有する基層(p形結晶性Si層)と、相対的に低い熱伝導性を有する断熱層(微多孔Si層)とが組み合わされ、基層とともに断熱層を挟持するAl(アルミニウム)薄膜がさらに配置された音波発生器を開示する。非特許文献2は、相対的に高い熱伝導性を有する基層(単結晶Si層)と、相対的に低い熱伝導性を有する断熱層(多孔のナノ結晶Si層)とが組み合わされ、基層とともに断熱層を挟持するW(タングステン)薄膜がさらに配置された音波発生器を開示する。非特許文献1、2には:Al薄膜またはW薄膜に交流成分を含む電力を供給すると、ジュール熱により、当該薄膜の温度が周期的に変化すること;この周期的な温度の変化は、断熱層の熱伝導性が小さいことにより、基層側に逃げることなく当該薄膜に接している空気に伝わること;空気に伝わった周期的な温度変化が、空気密度の周期的な変化を誘起して音波が発生すること;が記載されている。   On the other hand, a sound wave generator based on a new principle that does not use mechanical vibration has been proposed. This sound wave generator is called a heat-induced sound wave generator, and is disclosed in the following documents. Non-Patent Document 1 is a combination of a base layer having a relatively high thermal conductivity (p-type crystalline Si layer) and a heat insulating layer having a relatively low thermal conductivity (microporous Si layer). Disclosed is a sound wave generator in which an Al (aluminum) thin film sandwiching a heat insulating layer is further disposed. Non-Patent Document 2 is a combination of a base layer having a relatively high thermal conductivity (single crystal Si layer) and a heat insulating layer having a relatively low thermal conductivity (porous nanocrystalline Si layer). Disclosed is a sound wave generator in which a W (tungsten) thin film sandwiching a heat insulating layer is further disposed. Non-Patent Documents 1 and 2: When electric power containing an AC component is supplied to an Al thin film or a W thin film, the temperature of the thin film periodically changes due to Joule heat; Because the thermal conductivity of the layer is small, it is transmitted to the air in contact with the thin film without escaping to the base layer side; periodic temperature changes transmitted to the air induce periodic changes in the air density and sound waves Is generated.

熱誘起型音波発生器は、機械的な振動なしに音波を発生し得る。このため、発生する音波の周波数帯域が広い。これに加えて、微細化およびアレイ化が比較的容易である。   Thermally induced sound wave generators can generate sound waves without mechanical vibration. For this reason, the frequency band of the generated sound wave is wide. In addition to this, miniaturization and arraying are relatively easy.

特許文献1は、熱励起型音波発生器において、パルス電流による熱の印加が、発生する音波のパワー増大に好ましいことを開示する。特許文献1は、さらに、表面に突起を有する断熱層を開示する。   Patent Document 1 discloses that, in a thermally excited sound wave generator, application of heat by a pulse current is preferable for increasing the power of generated sound waves. Patent Document 1 further discloses a heat insulating layer having protrusions on the surface.

特許文献2は、交流電流に直流電流を重畳させた電流を熱励起型音波発生器に印加する技術を開示する。特許文献2には、基層が単結晶Si基板であり、断熱層が多孔質Si層である音波発生器が記載されている。   Patent Document 2 discloses a technique for applying a current obtained by superimposing a direct current to an alternating current to a thermal excitation type sound wave generator. Patent Document 2 describes a sound wave generator in which the base layer is a single crystal Si substrate and the heat insulating layer is a porous Si layer.

特許文献3は、陽極酸化処理および超臨界乾燥により得た断熱層(ナノ結晶Si層)を備える音波発生器を開示する。特許文献3は、さらに、基層の熱物性値αC(α:熱伝導率、C:熱容量)に対する断熱層のαCの比が小さいほど出力される音圧が大きくなること、断熱層の多孔度が高いほど当該層のαCが小さくなること、ならびに断熱層として75%以上の多孔度を有するナノ結晶Si層が好ましいこと、を開示している。   Patent Document 3 discloses a sound wave generator including a heat insulating layer (nanocrystalline Si layer) obtained by anodization and supercritical drying. Patent Document 3 further describes that the smaller the ratio of αC of the heat insulating layer to the thermal property value αC (α: thermal conductivity, C: heat capacity) of the base layer, the larger the sound pressure that is output, and the porosity of the heat insulating layer. The higher the value, the smaller the αC of the layer, and the fact that a nanocrystalline Si layer having a porosity of 75% or more is preferable as the heat insulating layer.

特許文献4は、基層のαCに対する断熱層のαCの比αII/αSS(I:断熱層、S:基層)が式1/100≧αII/αSSを満たすとともに、基層のαCが式αSS≧100×106を満たす音波発生器を開示する。特許文献4の技術は、式αII/αSSにより示される基層と断熱層との熱的コントラストが1:100を超えるように基層および断熱層を組み合わせる技術的思想、ならびに高いαCを有する基層を選択する技術的思想に基づく。特許文献4には、基層を構成する材料としてシリコン、銅およびSiO2が、断熱層を構成する材料として多孔シリコン、ポリイミド、SiO2、Al23およびポリスチレン発泡体が、それぞれ記載されている。特許文献4における基層と断熱層との最も好ましい組み合わせは、シリコンからなる基層および多孔シリコンからなる断熱層の組み合わせである。 In Patent Document 4, the ratio of αC of the heat insulating layer to αC of the base layer α I C I / α S C S (I: heat insulating layer, S: base layer) satisfies the formula 1/100 ≧ α I C I / α S C S Disclosed is a sound wave generator that satisfies and satisfies the formula α S C S ≧ 100 × 10 6 . The technology of Patent Document 4 is based on the technical idea of combining a base layer and a heat insulating layer so that the thermal contrast between the base layer and the heat insulating layer represented by the formula α I C I / α S C S exceeds 1: 100, and a high αC. Based on the technical idea of selecting a base layer having Patent Document 4 describes silicon, copper and SiO 2 as materials constituting the base layer, and porous silicon, polyimide, SiO 2 , Al 2 O 3 and polystyrene foam as materials constituting the heat insulating layer, respectively. . The most preferable combination of the base layer and the heat insulating layer in Patent Document 4 is a combination of a base layer made of silicon and a heat insulating layer made of porous silicon.

特許第3798302号公報Japanese patent No.3798302 特開2005-150797号公報JP 2005-150797 特許第3845077号公報Japanese Patent No. 3845077 特許第3808493号公報Japanese Patent No. 3808493

Nature, vol.400, 26 August 1999, pp.853-855Nature, vol.400, 26 August 1999, pp.853-855 化学工学会、第37回秋季大会シンポジウム <ナノプロセシング>予稿 D-307 (2005)Symposium on Chemical Engineering, 37th Autumn Meeting <Nanoprocessing> Preliminary D-307 (2005)

特許文献3、4によれば、音波発生器において出力される音圧は、基層と断熱層との熱的コントラストαII/αSSおよび基層のαCによって決定される。しかし、現実には必ずしもそうではない。本発明者は、これら基層および断熱層の熱的特性のみによって、音波発生器の出力特性が単純に決定されないことを見出した。音波発生器のような微小な構造体では、熱の伝達および散逸が非常に複雑な過程を経て進行することが、その一因と推定される。 According to Patent Documents 3 and 4, the sound pressure output from the sound wave generator is determined by the thermal contrast α I C I / α S C S between the base layer and the heat insulating layer and α C of the base layer. However, this is not always the case in reality. The present inventor has found that the output characteristics of the sound wave generator are not simply determined only by the thermal characteristics of the base layer and the heat insulating layer. In a minute structure such as a sound wave generator, it is estimated that heat transfer and dissipation proceed through a very complicated process.

本発明は、従来の技術では予想できない基層と断熱層との組み合わせに基づいて、従来よりも出力特性に優れる音波発生器を提供する。   The present invention provides a sound wave generator that is superior in output characteristics than the conventional one based on a combination of a base layer and a heat insulating layer that cannot be predicted by conventional techniques.

本発明の音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備える。前記基層は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される。前記断熱層は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。前記熱パルス源は、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面上に配置された、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス発生層を備える。
別の側面から見た本発明の音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備える。前記基層は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される。前記断熱層は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。前記熱パルス源は、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面に、熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置を備える。
また別の側面から見た本発明の音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備える。前記基層は、サファイヤにより構成される。前記断熱層は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。前記熱パルス源は、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面から、前記基層を通して前記断熱層に熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置を備える。
さらに別の側面から見た本発明の音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面上に配置された、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス発生層と、を備える。前記基層は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される。前記断熱層は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。
さらにまた別の側面から見た本発明の音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面に、熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置と、を備える。前記基層は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される。前記断熱層は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。
さらにまた別の側面から見た本発明の音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面から、前記基層を通して前記断熱層に熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置と、を備える。前記基層は、サファイヤにより構成される。前記断熱層は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。
The sound wave generator of the present invention includes a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source that applies a heat pulse to the heat insulating layer. The base layer is made of graphite or sapphire. The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium. The heat pulse source includes a heat pulse generation layer that is disposed on a surface of the heat insulation layer opposite to the surface on the base layer side and that applies a heat pulse to the heat insulation layer.
The sound wave generator of the present invention viewed from another aspect includes a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source that applies a heat pulse to the heat insulating layer. The base layer is made of graphite or sapphire. The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium. The heat pulse source includes a laser irradiation device or an infrared irradiation device that applies a heat pulse to a surface of the heat insulating layer opposite to the surface on the base layer side by irradiating laser or infrared rays.
The sound wave generator of the present invention viewed from another aspect includes a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source that applies a heat pulse to the heat insulating layer. The base layer is made of sapphire. The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium. The heat pulse source includes a laser irradiation device or an infrared irradiation device that applies a heat pulse to the heat insulating layer through the base layer from a surface of the heat insulating layer on the base layer side by irradiating laser or infrared rays.
The sound wave generator of the present invention viewed from still another aspect is disposed on a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a surface opposite to the surface on the base layer side in the heat insulating layer, A heat pulse generation layer for applying a heat pulse to the heat insulation layer. The base layer is made of graphite or sapphire. The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium.
Furthermore, the sound wave generator of the present invention viewed from another aspect is a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a surface of the heat insulating layer on the base layer side by irradiating laser or infrared rays. A laser irradiation device or an infrared irradiation device for applying a heat pulse is provided on the opposite surface. The base layer is made of graphite or sapphire. The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium.
Furthermore, the sound wave generator of the present invention viewed from another aspect is a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a surface of the heat insulating layer on the base layer side by irradiating laser or infrared rays, A laser irradiation device or an infrared irradiation device for applying a heat pulse to the heat insulation layer through the base layer. The base layer is made of sapphire. The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium.

本発明の音波発生器の製造方法は、上記本発明の音波発生器の製造方法であって、以下の第1工程および第2工程を含む。第1工程は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される基層上に;シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子が分散した溶液の塗布膜を形成し、前記形成された塗布膜を熱処理して;前記微粒子により構成される断熱層を前記基層上に形成する;工程である。第2工程は、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源を設ける工程である。
別の側面から見た本発明の音波発生器の製造方法は、基層と前記基層上に配置された断熱層と前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源とを備え、前記基層がグラファイトまたはサファイヤにより構成され、前記断熱層がシリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成され、前記熱パルス源が、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面上に配置された、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス発生層を備える音波発生器の製造方法であって、前記熱パルス発生層は炭素材料により構成され、グラファイトまたはサファイヤにより構成される基層上にシリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子が分散した溶液の塗布膜を形成し、前記形成された塗布膜を熱処理して、前記微粒子により構成される断熱層を前記基層上に形成する第1工程と、前記第1工程において形成した前記断熱層における前記基層側とは反対側の面上に、熱処理によって炭素材料となる前駆体溶液の塗布膜を形成し、前記形成した塗布膜を熱処理して、前記熱パルス発生層を形成する第2工程と、を含む。
The method for manufacturing a sound wave generator of the present invention is a method for manufacturing the sound wave generator of the present invention, and includes the following first step and second step. In the first step, a coating film of a solution in which crystalline fine particles containing silicon or germanium are dispersed is formed on a base layer composed of graphite or sapphire, and the formed coating film is heat-treated; Forming a heat insulating layer to be constructed on the base layer; The second step is a step of providing a heat pulse source for applying a heat pulse to the heat insulating layer.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a sound wave generator according to the present invention, comprising: a base layer; a heat insulating layer disposed on the base layer; and a heat pulse source for applying a heat pulse to the heat insulating layer, wherein the base layer is made of graphite or The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium, and the heat pulse source is disposed on the surface of the heat insulating layer opposite to the surface on the base layer side. A method of manufacturing a sound wave generator comprising a heat pulse generating layer for applying a heat pulse to a heat insulating layer, wherein the heat pulse generating layer is made of a carbon material, and silicon or germanium is formed on a base layer made of graphite or sapphire. Forming a coating film of a solution in which the crystalline fine particles are dispersed, heat-treating the formed coating film, and forming a heat insulating layer composed of the fine particles. Forming a coating film of a precursor solution to be a carbon material by heat treatment on a surface of the heat insulating layer formed in the first step opposite to the base layer side in the first step formed on the base layer; A second step of heat-treating the formed coating film to form the heat pulse generation layer.

本発明の音波発生方法は、音波発生器を用いた音波発生方法である。前記音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備える。前記基層は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される。前記断熱層は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。前記熱パルス源は、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面上に配置された、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス発生層を備える。当該方法は、前記熱パルス源によって前記断熱層に熱パルスを印加して音波を発生させる工程を含む。
別の側面から見た本発明の音波発生方法は、音波発生器を用いた音波発生方法であって、前記音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備える。前記基層は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される。前記断熱層は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。前記熱パルス源は、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面に、熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置を備える。当該方法は、前記熱パルス源によって前記断熱層に熱パルスを印加して音波を発生させる工程を含む。
また別の側面から見た本発明の音波発生方法は、音波発生器を用いた音波発生方法であって、前記音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備える。前記基層は、サファイヤにより構成される。前記断熱層は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。前記熱パルス源は、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面から、前記基層を通して前記断熱層に熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置を備える。当該方法は、前記熱パルス源によって、前記基層を通して前記断熱層に熱パルスを印加して音波を発生させる工程を含む。
The sound wave generation method of the present invention is a sound wave generation method using a sound wave generator. The sound wave generator includes a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source that applies a heat pulse to the heat insulating layer. The base layer is made of graphite or sapphire. The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium. The heat pulse source includes a heat pulse generation layer that is disposed on a surface of the heat insulation layer opposite to the surface on the base layer side and that applies a heat pulse to the heat insulation layer. The method includes the step of generating a sound wave by applying a heat pulse to the heat insulating layer by the heat pulse source.
The sound wave generation method of the present invention as seen from another aspect is a sound wave generation method using a sound wave generator, and the sound wave generator includes a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and the heat insulating layer. And a heat pulse source for applying a heat pulse to. The base layer is made of graphite or sapphire. The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium. The heat pulse source includes a laser irradiation device or an infrared irradiation device that applies a heat pulse to a surface of the heat insulating layer opposite to the surface on the base layer side by irradiating laser or infrared rays. The method includes the step of generating a sound wave by applying a heat pulse to the heat insulating layer by the heat pulse source.
The sound wave generation method of the present invention as seen from another aspect is a sound wave generation method using a sound wave generator, wherein the sound wave generator includes a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and the heat insulating material. A heat pulse source for applying a heat pulse to the layer. The base layer is made of sapphire. The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium. The heat pulse source includes a laser irradiation device or an infrared irradiation device that applies a heat pulse to the heat insulating layer through the base layer from a surface of the heat insulating layer on the base layer side by irradiating laser or infrared rays. The method includes a step of generating a sound wave by applying a heat pulse to the heat insulating layer through the base layer by the heat pulse source.

本発明は、従来よりも出力特性に優れる音波発生器を実現する。   The present invention realizes a sound wave generator that is superior in output characteristics than the conventional one.

本発明の音波発生器の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the sound wave generator of this invention. 本発明の音波発生器の断熱層に含まれる、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子(二次粒子)の構造の一例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically an example of the structure of the crystalline microparticles | fine-particles (secondary particle) containing silicon or germanium contained in the heat insulation layer of the sound wave generator of this invention. 本発明の音波発生器の断熱層に含まれる、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子(二次粒子)の構造の別の一例を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically another example of the structure of the crystalline fine particle (secondary particle) containing silicon or germanium contained in the heat insulation layer of the sound wave generator of this invention. 本発明の音波発生器の別の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows another example of the sound wave generator of this invention typically. 本発明の音波発生器のまた別の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another example of the sound wave generator of this invention. 本発明の音波発生器のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another example of the sound wave generator of this invention. 本発明の音波発生器を用いた物体検知センサの構成の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of a structure of the object detection sensor using the sound wave generator of this invention. 本発明の音波発生器を応用した、壁面の非破壊検査方法の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the nondestructive inspection method of a wall surface which applied the sound wave generator of this invention. 本発明の音波発生器を応用した、壁面の非破壊検査方法の別の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows another example of the nondestructive inspection method of a wall surface which applied the sound wave generator of this invention. 本発明の音波発生器の製造方法の一例を示すフロー図である。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of the sound wave generator of this invention. 本発明の音波発生器の製造方法の別の一例を示すフロー図である。It is a flowchart which shows another example of the manufacturing method of the sound wave generator of this invention. 実施例1で用いたシリコン微粒子に対する粒度分布の評価結果を示す図である。It is a figure which shows the evaluation result of the particle size distribution with respect to the silicon fine particle used in Example 1. FIG. 実施例1で作製した断熱層の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)像を示す図である。2 is a diagram showing a scanning electron microscope (SEM) image of a cross section of a heat insulating layer produced in Example 1. FIG. 図12Aに示される断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section shown by FIG. 12A. 実施例1で作製した断熱層における、微粒子同士の接合部分のSEM像を示す図である。4 is a diagram showing an SEM image of a joint portion between fine particles in the heat insulating layer produced in Example 1. FIG. 図13Aにおける枠内を拡大した図である。It is the figure which expanded the inside of the frame in FIG. 13A. 実施例1で作製した断熱層における、微粒子同士の接合の状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the state of joining of microparticles | fine-particles in the heat insulation layer produced in Example 1. FIG. 実施例で作製した音波発生器を評価する計測システムを説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the measurement system which evaluates the sound wave generator produced in the Example. 実施例1で作製した本発明の音波発生器(実施例1−1)の出力特性を示す図である。It is a figure which shows the output characteristic of the sound wave generator (Example 1-1) of this invention produced in Example 1. FIG. 実施例1で作製した本発明の音波発生器(実施例1−1)において、印加するパルス電圧の最大値を変化させたときの、当該音波発生器から発信される音波の最大音圧の変化を示す図である。In the sound wave generator of the present invention produced in Example 1 (Example 1-1), the change in the maximum sound pressure of the sound wave transmitted from the sound wave generator when the maximum value of the applied pulse voltage is changed. FIG. 実施例3で用いたシリコン微粒子に対する粒度分布の評価結果を示す図である。It is a figure which shows the evaluation result of the particle size distribution with respect to the silicon fine particle used in Example 3. 実施例3で作製した断熱層の断面のSEM像を示す図である。6 is a view showing an SEM image of a cross section of a heat insulating layer produced in Example 3. FIG. 実施例3で作製した断熱層の断面のSEM像を示す図である。6 is a view showing an SEM image of a cross section of a heat insulating layer produced in Example 3. FIG. 実施例3で作製した断熱層の断面のSEM像を示す図である。6 is a view showing an SEM image of a cross section of a heat insulating layer produced in Example 3. FIG. 図18A〜図18Cに示される断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section shown by FIG. 18A-FIG. 18C. 実施例4で作製した本発明の音波発生器を模式的に示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view schematically showing a sound wave generator of the present invention produced in Example 4.

[音波発生器]
図1は、本発明の音波発生器の一例を示す。図1に示される音波発生器1(1A)は、基層11、断熱層12および熱パルス源13を備える。基層11は、断熱層12と接するように、断熱層12上に配置されている。基層11は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される。断熱層12は、シリコンを含む結晶性の微粒子、またはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。熱パルス源13は、断熱層12における基層11側の面とは反対側の面に熱パルス14を印加し得るように配置されている。
[Sound wave generator]
FIG. 1 shows an example of a sound wave generator of the present invention. A sound wave generator 1 (1A) shown in FIG. 1 includes a base layer 11, a heat insulating layer 12, and a heat pulse source 13. The base layer 11 is disposed on the heat insulating layer 12 so as to be in contact with the heat insulating layer 12. The base layer 11 is made of graphite or sapphire. The heat insulating layer 12 is composed of crystalline fine particles containing silicon or crystalline fine particles containing germanium. The heat pulse source 13 is disposed so that the heat pulse 14 can be applied to the surface of the heat insulating layer 12 opposite to the surface on the base layer 11 side.

音波発生器1Aにおいて、熱パルス源13から断熱層12に熱パルス14が印加されると、熱パルス14の交流成分によって断熱層12に与えられた熱エネルギーの多くが、断熱層12に接する媒質(例えば空気)に伝えられる。このとき、媒質に伝わる熱エネルギーが交流成分の波形に応じて経時的に変化する。このため、断熱層12近傍における媒質の密度が経時的に変化して、音波15が発生する。正弦波の波形を有する熱パルス14を除き、熱パルス14は、一般に、交流成分と直流成分とを含む。熱パルス14の直流成分によって断熱層12に与えられた熱エネルギーは、経時的に変化しないため、音波15の発生に寄与しない。当該熱エネルギーは、断熱層12から基層11に移動し、断熱層12から除去される。熱パルス14の印加によって引き起こされる断熱層12近傍における媒質の密度の変化は、周期的であっても、そうでなくてもよい。   When the heat pulse 14 is applied from the heat pulse source 13 to the heat insulation layer 12 in the sound wave generator 1A, most of the heat energy given to the heat insulation layer 12 by the AC component of the heat pulse 14 is in contact with the heat insulation layer 12. (For example, air). At this time, the thermal energy transmitted to the medium changes over time according to the waveform of the AC component. For this reason, the density of the medium in the vicinity of the heat insulating layer 12 changes with time, and sound waves 15 are generated. Except for the heat pulse 14 having a sinusoidal waveform, the heat pulse 14 generally includes an AC component and a DC component. The heat energy given to the heat insulation layer 12 by the direct current component of the heat pulse 14 does not change with time, and thus does not contribute to the generation of the sound wave 15. The thermal energy moves from the heat insulating layer 12 to the base layer 11 and is removed from the heat insulating layer 12. The change in the density of the medium in the vicinity of the heat insulating layer 12 caused by the application of the heat pulse 14 may or may not be periodic.

出力特性に優れる音波発生器を達成するためには、熱パルスの交流成分による熱エネルギーを効率よく音波に変化するとともに、直流成分による熱エネルギーを効率よく基層に逃がす熱流の状態が実現されることが必要である。従来の技術では、基層および断熱層を構成する材料の熱伝導率αおよび熱容量Cの積αCにより示される、両層の熱物性値のコントラスト(熱的コントラスト)のみが着目されていた。これに対して、本発明の音波発生器では、特定の材料により構成される基層11および断熱層12の組み合わせであって、従来にない組み合わせによって、このような熱誘起型の音波発生に適した熱流の状態が達成される。これに加えて、本発明の音波発生器の出力特性は、従来の音波発生器よりも高い。   In order to achieve a sound wave generator with excellent output characteristics, heat energy from the AC component of the heat pulse can be efficiently converted into sound waves, and a heat flow state that efficiently releases the heat energy from the DC component to the base layer must be realized. is required. In the prior art, only the contrast (thermal contrast) of the thermophysical values of both layers indicated by the product αC of the thermal conductivity α and the heat capacity C of the materials constituting the base layer and the heat insulating layer has been focused. On the other hand, the sound wave generator of the present invention is a combination of the base layer 11 and the heat insulating layer 12 made of a specific material, and is suitable for such heat-induced sound wave generation by an unprecedented combination. A state of heat flow is achieved. In addition, the output characteristics of the sound wave generator of the present invention are higher than those of the conventional sound wave generator.

基層11は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される層である。本発明の効果が得られる限り、基層11は、グラファイトまたはサファイヤ以外の材料を含んでいてもよい。基層11は、典型的には、その断熱層12に接する面がグラファイトまたはサファイヤにより形成されている層である。   The base layer 11 is a layer made of graphite or sapphire. As long as the effects of the present invention are obtained, the base layer 11 may contain a material other than graphite or sapphire. The base layer 11 is typically a layer whose surface in contact with the heat insulating layer 12 is formed of graphite or sapphire.

基層11の形状は限定されない。本発明の音波発生器1の用途に応じて、基層11の形状は任意に選択される。基層11は、典型的にはシート状であるが、立体形状を有していてもよい。立体形状の具体例は、実施例4に示されるように、断熱層12に接する面が放物面である形状である。   The shape of the base layer 11 is not limited. The shape of the base layer 11 is arbitrarily selected according to the use of the sound wave generator 1 of the present invention. The base layer 11 is typically a sheet, but may have a three-dimensional shape. A specific example of the three-dimensional shape is a shape in which the surface in contact with the heat insulating layer 12 is a paraboloid as shown in Example 4.

断熱層12は、シリコンを含む結晶性の微粒子、またはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。当該微粒子は、典型的には、シリコン結晶の微粒子またはゲルマニウム結晶の微粒子である。本発明の効果が得られる限り、断熱層12は、当該微粒子以外の材料を含んでいてもよい。当該材料は、例えば、他の材料からなる粒子;シリコンまたはゲルマニウムの結晶からなるが、より粒径が大きな粒子;シリコンまたはゲルマニウムのアモルファスを含む粒子;シリコンまたはゲルマニウムの酸化物を含む粒子;およびこれら各粒子間に存在する任意の材料である。   The heat insulating layer 12 is composed of crystalline fine particles containing silicon or crystalline fine particles containing germanium. The fine particles are typically silicon crystal fine particles or germanium crystal fine particles. As long as the effect of this invention is acquired, the heat insulation layer 12 may contain materials other than the said microparticles | fine-particles. The material includes, for example, particles made of other materials; particles made of silicon or germanium crystals but larger in size; particles containing silicon or germanium amorphous; particles containing silicon or germanium oxide; and these Any material present between each particle.

本明細書における「微粒子」は、典型的には、10nm〜0.5μmの平均粒径を有する。ここで、微粒子の平均粒径とは、断熱層12における微粒子の粒度分布の中央値(メディアン)である。微粒子の粒度分布は、走査型電子顕微鏡(SEM)または透過型電子顕微鏡(TEM)による断熱層12の画像解析により評価できる。粒度分布の評価の際に測定する「微粒子の粒径」は、微粒子における最大の断面形を選択して、当該断面形に外接する、面積が最小となる四角形の長辺によって定義される。微粒子が球状の場合、当該微粒子の粒径は球の直径と等しくなる。   The “fine particles” in the present specification typically have an average particle diameter of 10 nm to 0.5 μm. Here, the average particle diameter of the fine particles is a median value of the particle size distribution of the fine particles in the heat insulating layer 12. The particle size distribution of the fine particles can be evaluated by image analysis of the heat insulating layer 12 using a scanning electron microscope (SEM) or a transmission electron microscope (TEM). The “particle size of the fine particles” measured in the evaluation of the particle size distribution is defined by the long side of a quadrangle that circumscribes the cross-sectional shape and has the smallest area. When the fine particles are spherical, the particle diameter of the fine particles is equal to the diameter of the sphere.

断熱層12における微粒子は、粒度分布におけるD10(分布の累積度が10%の粒径値)からD90(分布の累積度が90%の粒径値)が、10nm〜0.5μmの範囲内にあることが好ましい。   The fine particles in the heat insulating layer 12 have a particle size distribution of D10 (particle size with cumulative distribution of 10%) to D90 (particle size with cumulative distribution of 90%) in the range of 10 nm to 0.5 μm. Preferably there is.

「結晶性の微粒子」とは、広角X線回折(WAXD)測定またはラマン分光測定によって、シリコン結晶またはゲルマニウム結晶に特有の回折ピークまたはスペクトルピークが測定される微粒子のことである。   “Crystalline fine particles” are fine particles whose diffraction peaks or spectral peaks peculiar to silicon crystals or germanium crystals are measured by wide-angle X-ray diffraction (WAXD) measurement or Raman spectroscopic measurement.

断熱層12を構成するシリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子(以下、単に「微粒子」ともいう)の形状は限定されない。微粒子は、例えば、鱗片状または球状である。微粒子の形状は、SEMまたはTEMによる断熱層12の画像解析により、確認し得る。   The shape of crystalline fine particles (hereinafter, also simply referred to as “fine particles”) containing silicon or germanium constituting the heat insulating layer 12 is not limited. The fine particles are, for example, scaly or spherical. The shape of the fine particles can be confirmed by image analysis of the heat insulating layer 12 by SEM or TEM.

断熱層12では、通常、微粒子の一次粒子と、当該一次粒子が凝集した二次粒子とが混在している。二次粒子は、粒径こそ異なるものの、一次粒子と同様の形状を有する場合が多い。微粒子の二次粒子の例を、図2、3に示す。図2に示される例では、一次粒子51は鱗片状であり、一次粒子51が凝集した二次粒子52も、一次粒子51の形状を反映して鱗片状である。図3に示される例では、一次粒子53は球状であり、一次粒子53が凝集した二次粒子54も、一次粒子53の形状を反映して球状である。断熱層12における一次粒子と二次粒子とが混在した状態、断熱層12における一次粒子および二次粒子の各粒子の割合、ならびに二次粒子の形状は、SEMまたはTEMによる断熱層12の画像解析により、確認し得る。   In the heat insulating layer 12, normally, primary particles of fine particles and secondary particles in which the primary particles are aggregated are mixed. Although the secondary particles have different particle sizes, they often have the same shape as the primary particles. Examples of secondary particles of fine particles are shown in FIGS. In the example shown in FIG. 2, the primary particles 51 are scaly, and the secondary particles 52 in which the primary particles 51 are aggregated are also scaly reflecting the shape of the primary particles 51. In the example shown in FIG. 3, the primary particles 53 are spherical, and the secondary particles 54 in which the primary particles 53 are aggregated are also spherical, reflecting the shape of the primary particles 53. The state in which primary particles and secondary particles in the heat insulating layer 12 are mixed, the ratio of the primary particles and the secondary particles in the heat insulating layer 12, and the shape of the secondary particles are analyzed by image analysis of the heat insulating layer 12 by SEM or TEM. Can be confirmed.

断熱層12において微粒子の一次粒子および二次粒子が混在している場合、一次粒子および二次粒子の双方の粒子の平均粒径が、典型的には、10nm〜0.5μmである。また、この場合、一次粒子および二次粒子の双方の粒子の粒度分布におけるD10からD90が、10nm〜0.5μmの範囲内にあることが好ましい。   When primary particles and secondary particles of fine particles are mixed in the heat insulating layer 12, the average particle diameter of both the primary particles and the secondary particles is typically 10 nm to 0.5 μm. In this case, it is preferable that D10 to D90 in the particle size distribution of both the primary particles and the secondary particles are in the range of 10 nm to 0.5 μm.

断熱層12の構造は、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成され、グラファイトまたはサファイヤにより構成される基層の上に配置されている限り、限定されない。実施例1において作製した、鱗片状の微粒子により構成される断熱層12の断面のSEM像が図12Aに、当該断面を模式的に示す図が図12Bに示される。実施例3において作製した、球状の微粒子により構成される断熱層12の断面のSEM像が図18A〜18Cに、当該断面を模式的に示す図が図18Dに示される。これらの図に示されるように、断熱層12は、微粒子が、当該微粒子間に無数の空孔を含むように、堆積し、積み重なった構造を有することが好ましい。換言すれば、断熱層12は、最密充填ではなく、ランダムに微粒子が積み重なった多孔構造を有することが好ましい。この場合、断熱層12における熱流の状態ならびに断熱層12と基層11との間の熱流の状態が音波15の発生に好適となって、音波発生器1の出力特性がさらに高くなる。   The structure of the heat insulating layer 12 is not limited as long as it is made of crystalline fine particles containing silicon or germanium and is disposed on a base layer made of graphite or sapphire. FIG. 12A shows an SEM image of a cross section of the heat insulating layer 12 made of scale-like fine particles prepared in Example 1, and FIG. 12B shows a diagram schematically showing the cross section. 18A to 18C show SEM images of the cross section of the heat insulating layer 12 made of spherical fine particles produced in Example 3, and FIG. 18D shows a diagram schematically showing the cross section. As shown in these drawings, the heat insulating layer 12 preferably has a structure in which the fine particles are deposited and stacked so that the fine particles include innumerable pores between the fine particles. In other words, it is preferable that the heat insulating layer 12 has a porous structure in which fine particles are randomly stacked rather than closest packing. In this case, the state of heat flow in the heat insulating layer 12 and the state of heat flow between the heat insulating layer 12 and the base layer 11 are suitable for the generation of the sound wave 15, and the output characteristics of the sound wave generator 1 are further improved.

図12A、12B、18A〜Dに示される断熱層12では、含まれる空孔の割合が断熱層12の部分によって異なる。具体的には、断熱層12の下層部分(断熱層12における基層11側の部分)の方が、上層部分(断熱層12における基層11とは反対側の部分)に比べて、含まれる空孔の割合が高い。すなわち、当該断熱層12は、基層11側から次第に小さくなる、微粒子の密度の勾配をその厚さ方向に有している。断熱層12は、このような構造を有することが好ましい。この場合、断熱層12における熱流の状態ならびに断熱層12と基層11との間の熱流の状態が音波15の発生に好適となって、音波発生器1の出力特性がさらに高くなる。   In the heat insulating layer 12 shown in FIGS. 12A, 12B, and 18A to D, the ratio of the included holes varies depending on the portion of the heat insulating layer 12. Specifically, the lower layer portion of the heat insulating layer 12 (the portion on the base layer 11 side in the heat insulating layer 12) is included in the pores included in the upper layer portion (the portion of the heat insulating layer 12 opposite to the base layer 11). The percentage of is high. That is, the heat insulating layer 12 has a gradient of fine particle density in the thickness direction that gradually decreases from the base layer 11 side. The heat insulating layer 12 preferably has such a structure. In this case, the state of heat flow in the heat insulating layer 12 and the state of heat flow between the heat insulating layer 12 and the base layer 11 are suitable for the generation of the sound wave 15, and the output characteristics of the sound wave generator 1 are further improved.

これに加えて、図12A、12B、18A〜Dに示される断熱層12は、比較的大きな粒径の微粒子をその下層部分に有し、比較的小さな粒径の微粒子をその上層部分に有する構造を有する。すなわち、当該断熱層12は、基層11側から次第に小さくなる、微粒子の粒径の勾配をその厚さ方向に有している。断熱層12は、このような構造を有することが好ましい。この場合、断熱層12における熱流の状態ならびに断熱層12と基層11との間の熱流の状態が音波15の発生に好適となって、音波発生器1の出力特性がさらに高くなる。   In addition, the heat insulating layer 12 shown in FIGS. 12A, 12B, and 18A-D has a structure having fine particles having a relatively large particle size in the lower layer portion and fine particles having a relatively small particle size in the upper layer portion. Have That is, the heat insulating layer 12 has a gradient of the particle diameter of the fine particles that gradually decreases from the base layer 11 side in the thickness direction. The heat insulating layer 12 preferably has such a structure. In this case, the state of heat flow in the heat insulating layer 12 and the state of heat flow between the heat insulating layer 12 and the base layer 11 are suitable for the generation of the sound wave 15, and the output characteristics of the sound wave generator 1 are further improved.

断熱層12が、基層11側から次第に小さくなる、微粒子の密度および粒径の勾配をその厚さ方向に有することがさらに好ましい。このような断熱層12を有する本発明の音波発生器1は、例えば、本発明の製造方法により製造できる。   It is further preferable that the heat insulating layer 12 has a fine particle density and a particle size gradient in the thickness direction that gradually become smaller from the base layer 11 side. The sound wave generator 1 of the present invention having such a heat insulating layer 12 can be manufactured, for example, by the manufacturing method of the present invention.

図12A、12B、18A〜Dに示される断熱層12では、微粒子同士が、その微小な部分において互いに接合している。このとき、微粒子同士が接合している部分に酸化膜が形成されており、当該酸化膜を介して微粒子同士が接合していることが好ましい。この場合、断熱層12における熱流の状態ならびに断熱層12と基層11との間の熱流の状態が音波15の発生にさらに好適となって、音波発生器1の出力特性がさらに高くなる。当該酸化膜は、シリコンを含む結晶性の微粒子の場合、例えばSiO2により構成される。ゲルマニウムを含む結晶性の微粒子の場合、例えばGeO2により構成される。微粒子において酸化膜が形成されている部分は、例えば、2〜10nm程度の長さにわたる。酸化膜は、自然酸化によって形成されても、プラズマ酸化あるいはラジカル酸化などの積極的な酸化手法によって形成されてもよい。 In the heat insulating layer 12 shown in FIGS. 12A, 12B, and 18A to D, the fine particles are bonded to each other at the minute portions. At this time, it is preferable that an oxide film is formed at a portion where the fine particles are joined, and the fine particles are joined via the oxide film. In this case, the state of the heat flow in the heat insulating layer 12 and the state of the heat flow between the heat insulating layer 12 and the base layer 11 are further suitable for the generation of the sound wave 15, and the output characteristics of the sound wave generator 1 are further improved. In the case of crystalline fine particles containing silicon, the oxide film is made of, for example, SiO 2 . In the case of crystalline fine particles containing germanium, for example, GeO 2 is used . The portion where the oxide film is formed in the fine particles extends over a length of about 2 to 10 nm, for example. The oxide film may be formed by natural oxidation or by an active oxidation method such as plasma oxidation or radical oxidation.

断熱層12の厚さは、基層11と熱パルス源13との熱的な短絡によって音波15の発生が停止しない程度が少なくとも必要である。一方、熱の滞留、とりわけ音波15発生に寄与しない熱パルス14の直流成分によって断熱層12に印加された熱の滞留によって、音波15の発生効率が低下することを防ぐために、過度に厚い断熱層12としてはならない。これらの観点から、断熱層12の厚さは10nm〜50μmが好ましく、50nm〜10μmがより好ましい。   The thickness of the heat insulating layer 12 needs to be at least enough that the generation of the sound wave 15 is not stopped by the thermal short circuit between the base layer 11 and the heat pulse source 13. On the other hand, in order to prevent the generation efficiency of the sound wave 15 from being lowered due to the stay of heat, in particular, the stay of heat applied to the heat insulation layer 12 due to the direct current component of the heat pulse 14 that does not contribute to the generation of the sound wave 15, Do not be 12. From these viewpoints, the thickness of the heat insulating layer 12 is preferably 10 nm to 50 μm, and more preferably 50 nm to 10 μm.

熱パルス源13の構造ならびに本発明の音波発生器における熱パルス源13の配置は、断熱層12に熱パルスを印加し得る限り、限定されない。   The structure of the heat pulse source 13 and the arrangement of the heat pulse source 13 in the sound wave generator of the present invention are not limited as long as the heat pulse can be applied to the heat insulating layer 12.

図1に示される音波発生器1Aでは、基層11および断熱層12の積層体と熱パルス源13とが別個に配置されている。このような音波発生器において熱パルス源13は、通常、断熱層12における基層11側の面とは反対側の面から断熱層12に熱パルス14を印加し得るように配置される。基層11がサファイヤにより構成される場合、サファイヤが波長0.2〜5μm程度の光に対して透明であるために、熱パルス源13の種類によっては(例えば、エキシマレーザー、YAGレーザー)、断熱層12における基層11側の面から断熱層12に熱パルス14を印加し得るように熱パルス源13を配置し得る。   In the sound wave generator 1 </ b> A shown in FIG. 1, the laminated body of the base layer 11 and the heat insulating layer 12 and the heat pulse source 13 are separately arranged. In such a sound wave generator, the heat pulse source 13 is usually arranged so that the heat pulse 14 can be applied to the heat insulating layer 12 from the surface of the heat insulating layer 12 opposite to the surface on the base layer 11 side. When the base layer 11 is composed of sapphire, since the sapphire is transparent to light having a wavelength of about 0.2 to 5 μm, depending on the type of the heat pulse source 13 (for example, excimer laser, YAG laser), the heat insulating layer The heat pulse source 13 can be arranged so that the heat pulse 14 can be applied to the heat insulating layer 12 from the surface on the base layer 11 side in FIG.

熱パルス源13は、例えば、レーザー照射装置または赤外線照射装置を備える。レーザーは、例えば、パルスレーザーである。このとき、後述の熱パルス発生層16を備えない音波発生器(図1に示される音波発生器1A)では、断熱層12が、当該レーザーまたは赤外線によって発熱する材料により構成される。   The heat pulse source 13 includes, for example, a laser irradiation device or an infrared irradiation device. The laser is, for example, a pulse laser. At this time, in the sound wave generator (the sound wave generator 1A shown in FIG. 1) that does not include the heat pulse generation layer 16 described later, the heat insulating layer 12 is made of a material that generates heat by the laser or infrared rays.

熱パルス源13は、例えば、断熱層12における基層11側の面とは反対側の面上に配置された、断熱層12に熱パルスを印加する熱パルス発生層(発熱層)を備える。図4に、このような構成を有する本発明の音波発生器1(1B)を示す。図4に示される音波発生器1Bは、このような熱パルス発生層16を備える。熱パルス発生層16は基層11および断熱層12と一体化されている。熱パルス発生層16を備える音波発生器1Bは、図1に示される音波発生器1Aに比べて、熱パルス源13によって断熱層12に印加される熱の効率が高い。   The heat pulse source 13 includes, for example, a heat pulse generation layer (heat generation layer) that applies a heat pulse to the heat insulation layer 12 and is disposed on the surface of the heat insulation layer 12 opposite to the surface on the base layer 11 side. FIG. 4 shows a sound wave generator 1 (1B) of the present invention having such a configuration. The sound wave generator 1 </ b> B shown in FIG. 4 includes such a heat pulse generation layer 16. The heat pulse generation layer 16 is integrated with the base layer 11 and the heat insulating layer 12. The sound wave generator 1B including the heat pulse generation layer 16 has a higher efficiency of heat applied to the heat insulation layer 12 by the heat pulse source 13 than the sound wave generator 1A shown in FIG.

熱パルス発生層16は、例えば、熱パルス源13が備えるレーザー照射装置または赤外線照射装置から照射されたレーザーまたは赤外線のエネルギーによって、熱パルスを発生する層である。このような熱パルス発生層16は、レーザーまたは赤外線によって発熱する材料により構成される。   The heat pulse generation layer 16 is a layer that generates a heat pulse by, for example, laser or infrared energy irradiated from a laser irradiation device or an infrared irradiation device provided in the heat pulse source 13. Such a heat pulse generation layer 16 is made of a material that generates heat by laser or infrared rays.

熱パルス発生層16は、例えば、当該層に供給されるパルス電流またはパルス電圧(以下、双方をまとめて「電力パルス」と呼ぶことがある)によって熱パルスを発生する電熱層である。このとき、図5に示される音波発生器1(1C)のように、熱パルス源13は、熱パルス発生層(電熱層)16に電力パルスを供給する電力供給ライン17A、17Bをさらに備えていてもよい。このような熱パルス源13を備える音波発生器1Cは、熱パルス発生層16に供給する電力パルスの制御により音波15の発生を制御できるため、制御特性に優れる。これに加えて、断熱層12に印加される熱の効率が高く、音波の出力特性がさらに高くなる。   The heat pulse generation layer 16 is, for example, an electrothermal layer that generates a heat pulse by a pulse current or a pulse voltage (hereinafter, both may be collectively referred to as “power pulse”) supplied to the layer. At this time, like the sound wave generator 1 (1C) shown in FIG. 5, the heat pulse source 13 further includes power supply lines 17 </ b> A and 17 </ b> B for supplying power pulses to the heat pulse generation layer (electric heat layer) 16. May be. Since the sound wave generator 1 </ b> C including such a heat pulse source 13 can control the generation of the sound wave 15 by controlling the power pulse supplied to the heat pulse generation layer 16, it has excellent control characteristics. In addition to this, the efficiency of heat applied to the heat insulating layer 12 is high, and the sound wave output characteristics are further improved.

電力パルスにより熱パルスを発生する熱パルス発生層16は、電力の印加によって所望の発熱が得られる抵抗材料により構成されることが好ましい。当該材料は、例えば、炭素材料である。より具体的には、例えば、有機材料を熱処理して得た炭素材料である。当該材料の電気抵抗率は、10Ω/square〜10kΩ/squareが好ましい。   The heat pulse generation layer 16 that generates a heat pulse by the power pulse is preferably made of a resistance material that can generate a desired heat generation by applying power. The material is, for example, a carbon material. More specifically, for example, a carbon material obtained by heat-treating an organic material. The electrical resistivity of the material is preferably 10 Ω / square to 10 kΩ / square.

熱パルス発生層16の厚さは、特に限定されない。   The thickness of the heat pulse generation layer 16 is not particularly limited.

電力供給ライン17A、17Bは、通常、導電性を有する材料により構成される。   The power supply lines 17A and 17B are usually made of a conductive material.

熱パルス源13における具体的な熱パルス発生層16の形状、電力供給ライン17A、17Bの形状、熱パルス発生層16と電力供給ライン17A、17Bとの電気的な接続の状態は、特に限定されない。   The specific shape of the heat pulse generation layer 16 in the heat pulse source 13, the shape of the power supply lines 17A and 17B, and the state of electrical connection between the heat pulse generation layer 16 and the power supply lines 17A and 17B are not particularly limited. .

断熱層12が、電力パルスの供給により電熱層として機能し得る電気抵抗率を有する場合、断熱層および熱パルス発生層の双方の機能を有する断熱層12としてもよい。このような断熱層12を備える本発明の音波発生器を図6に示す。図6に示される音波発生器1(1D)は、断熱層12に電極供給ライン17A、17Bが電気的に接続されており、断熱層12が熱パルス発生層16としても機能する。このような断熱層12は、例えば、特定の温度域における熱処理を経た、ゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される。   When the heat insulating layer 12 has an electrical resistivity that can function as an electric heating layer by supplying power pulses, the heat insulating layer 12 may have both functions of a heat insulating layer and a heat pulse generating layer. A sound wave generator of the present invention having such a heat insulating layer 12 is shown in FIG. In the sound wave generator 1 (1 </ b> D) shown in FIG. 6, the electrode supply lines 17 </ b> A and 17 </ b> B are electrically connected to the heat insulation layer 12, and the heat insulation layer 12 also functions as the heat pulse generation layer 16. Such a heat insulating layer 12 is composed of, for example, crystalline fine particles containing germanium that has been subjected to heat treatment in a specific temperature range.

熱パルス源が、断熱層における基層側の面とは反対側の面上に配置された熱パルス発生層(発熱層)を備えるとともに、当該熱パルス発生層が、当該層に供給される電力パルスによって熱パルスを発生する電熱層である本発明の音波発生器は、その構成によっては、0.1Pa/W以上、さらには0.2Pa/W以上、0.5Pa/W以上の出力因子(単位印加電力あたりの出力音圧)を示す。このような高い出力因子は、本発明の音波発生器の、物体検知用の超音波音源、特に小型および省電力(例えば1W以下の駆動電力)の超音波音源としての使用を実現する。当該超音波音源によれば、例えば、数十cmから数m程度離れた対象物に対して超音波を照射し、その反射音波を高感度マイクで検知して、当該対象物の距離および位置を検知する物体検知センサが実現する。   The heat pulse source includes a heat pulse generation layer (heat generation layer) disposed on a surface of the heat insulation layer opposite to the surface on the base layer side, and the heat pulse generation layer supplies power pulses supplied to the layer. The sound wave generator according to the present invention, which is an electrothermal layer that generates heat pulses by means of an output factor (unit: 0.1 Pa / W or more, further 0.2 Pa / W or more, 0.5 Pa / W or more, depending on its configuration. Output sound pressure per applied power). Such a high output factor realizes the use of the sound wave generator of the present invention as an ultrasonic sound source for detecting an object, particularly a small-sized and power saving (for example, driving power of 1 W or less). According to the ultrasonic sound source, for example, an ultrasonic wave is irradiated to an object separated from several tens of centimeters to several m, and the reflected sound wave is detected by a high sensitivity microphone, and the distance and position of the object are determined. An object detection sensor to detect is realized.

このような物体検知センサの構成の一例を図7に示す。図7に示される物体検知センサ101は、本発明の音波発生器1、音波発生器1に電力パルスを供給する駆動回路102、集音マイク103ならびに集音マイク103に接続された出力信号アンプ104、A/Dコンバータ105および演算装置106を備える。物体検知センサ101では、駆動回路102により音波発生器1に電力パルスを印加して、音波発生器1から音波15を発生させる。対象物107の距離および位置を検知するためには、音波15は超音波が好ましい。音波発生器1から発信された音波15は、対象物107で反射して、反射波108が物体検知センサ101に返ってくる。反射波108は集音マイク103により電気信号に変換される。当該電気信号が、出力信号アンプ104およびA/Dコンバータ105を経た後、演算装置106により処理されて、物体検知センサ101に対する対象物107の距離および位置が測定される。本発明の音波発生器1の出力特性は高く、このため、物体検知センサ101は高感度となる。   An example of the configuration of such an object detection sensor is shown in FIG. An object detection sensor 101 shown in FIG. 7 includes a sound wave generator 1 according to the present invention, a drive circuit 102 that supplies power pulses to the sound wave generator 1, a sound collecting microphone 103, and an output signal amplifier 104 connected to the sound collecting microphone 103. , An A / D converter 105 and an arithmetic unit 106 are provided. In the object detection sensor 101, the driving circuit 102 applies a power pulse to the sound wave generator 1 to generate a sound wave 15 from the sound wave generator 1. In order to detect the distance and position of the object 107, the sound wave 15 is preferably an ultrasonic wave. The sound wave 15 transmitted from the sound wave generator 1 is reflected by the object 107, and the reflected wave 108 returns to the object detection sensor 101. The reflected wave 108 is converted into an electric signal by the sound collecting microphone 103. The electric signal passes through the output signal amplifier 104 and the A / D converter 105 and is then processed by the arithmetic unit 106 to measure the distance and position of the object 107 with respect to the object detection sensor 101. The output characteristics of the sound wave generator 1 of the present invention are high, and therefore the object detection sensor 101 has high sensitivity.

本発明の音波発生器の用途は物体検知センサに限定されず、音波発生器を備える従来の任意のデバイスに応用できる。   The use of the sound wave generator of the present invention is not limited to the object detection sensor, and can be applied to any conventional device including a sound wave generator.

本発明の音波発生器では基層の形状は問わない。このため、本発明の音波発生器は、例えば、壁面の非破壊検査に応用できる。本発明の音波発生器を応用した、壁面の非破壊検査の方法の一例を図8Aに示す。図8Aに示される例では、壁面111における検査の対象面に接するように、基層(図示せず)および断熱層12が配置されている。断熱層12は露出しており、基層は壁面111と断熱層12とにより挟持されている。このような基層は、例えば、壁面111における検査の対象面に、グラファイトシートを積層して形成できる。当該基層上の断熱層12は、例えば、別途形成した断熱層12を基層に貼り付けて形成できる。そして、熱パルス源と音波検出部とを備えるユニット112から、断熱層12に熱パルスを印加する。熱パルスは、例えば、レーザー、赤外線、マイクロ波によって断熱層12に印加される。熱パルスの印加に伴い、断熱層12が音波15を発信し、発信された音波15は、ユニット112の音波検出部により測定される。音波15には、壁面111の表面および内部の情報が含まれる。当該情報は、例えば、壁面111の履歴、壁面111を構成する材料の構造、壁面111に存在する傷である。   In the sound wave generator of the present invention, the shape of the base layer is not limited. For this reason, the sound wave generator of this invention is applicable to the nondestructive inspection of a wall surface, for example. FIG. 8A shows an example of a non-destructive inspection method for a wall surface to which the sound wave generator of the present invention is applied. In the example shown in FIG. 8A, the base layer (not shown) and the heat insulating layer 12 are arranged so as to be in contact with the inspection target surface of the wall surface 111. The heat insulating layer 12 is exposed, and the base layer is sandwiched between the wall surface 111 and the heat insulating layer 12. Such a base layer can be formed, for example, by laminating graphite sheets on the inspection target surface of the wall surface 111. The heat insulating layer 12 on the base layer can be formed, for example, by attaching a separately formed heat insulating layer 12 to the base layer. And a heat pulse is applied to the heat insulation layer 12 from the unit 112 provided with a heat pulse source and a sound wave detection part. The heat pulse is applied to the heat insulating layer 12 by, for example, laser, infrared, or microwave. With the application of the heat pulse, the heat insulating layer 12 emits a sound wave 15, and the transmitted sound wave 15 is measured by the sound wave detection unit of the unit 112. The sound wave 15 includes information on the surface and the inside of the wall surface 111. The information includes, for example, the history of the wall surface 111, the structure of the material constituting the wall surface 111, and the scratches present on the wall surface 111.

壁面111の形状は限定されず、例えば、図8Bに示す形状であってもよい。図8Bに示される構成は、壁面111の形状が異なること以外、図8Aに示される構成と同じである。   The shape of the wall surface 111 is not limited and may be, for example, the shape shown in FIG. 8B. The configuration shown in FIG. 8B is the same as the configuration shown in FIG. 8A except that the shape of the wall surface 111 is different.

以下の表1に、各種の材料の熱物性値を示す。   Table 1 below shows the thermophysical values of various materials.

Figure 0004688977
Figure 0004688977

特許文献3(特許第3845077号公報)および文献4(特許第3808493号公報)に開示されている技術によれば、表1に記載されている材料のうち、最もαCが高い材料が基層として最適となる。すなわち、当該技術によれば、ダイヤモンドが基層として最適であり、αCがダイヤモンドより低いグラファイトはダイヤモンドに劣り、αCが遥かに低いサファイヤは基層として不適である。しかし、本発明者の検討によれば、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される断熱層との組み合わせにおいて、サファイヤまたはグラファイトにより構成される基層は、ダイヤモンドの基層に比べて遥かに高い出力特性を有する音波発生器を実現する。そして場合によっては、αCが相対的に低いサファイヤの基層を用いた方が、αCが相対的に高いグラファイトの基層を用いた場合よりも、出力特性が高くなる。このような本発明の音波発生器は、特許文献3、4に開示されている技術をはじめとする従来の技術からは導かれない。   According to the techniques disclosed in Patent Literature 3 (Patent No. 3845077) and Literature 4 (Patent No. 3808493), the material having the highest αC among the materials listed in Table 1 is optimal as the base layer. It becomes. That is, according to the technique, diamond is the most suitable base layer, graphite having a lower αC than diamond is inferior to diamond, and sapphire having a much lower αC is unsuitable as a base layer. However, according to the study of the present inventor, in combination with the heat insulating layer composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium, the base layer composed of sapphire or graphite is much higher than the base layer of diamond. A sound wave generator having output characteristics is realized. In some cases, output characteristics are higher when a sapphire base layer having a relatively low αC is used than when a graphite base layer having a relatively high αC is used. Such a sound wave generator of the present invention is not derived from conventional techniques including those disclosed in Patent Documents 3 and 4.

本発明者らは、本発明の音波発生器において、基層を構成するグラファイトまたはサファイヤと、断熱層を構成するシリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子との接合界面が、熱励起型の音波発生に適した状態にあると推定する。本発明の音波発生器のように、ナノメートルサイズの微粒子により構成される断熱層において、当該層における熱流の状態は大変複雑である。このような複雑な熱流の状態が、現実に熱励起型の音波発生に適しているか否かは、単に当該層の熱物性値αCならびに当該層と基層との熱的コントラストのみによって決定されない。熱流の状態が熱励起型の音波発生に適するか否かは、断熱層を構成する微粒子間の接合の状態ならびに当該微粒子と基層との接合の状態に依存すると考えられる。これに加えて、本発明の音波発生器では、酸化膜(SiO2またはGeO2の膜)を介して、断熱層を構成する微粒子同士ならびに当該微粒子と基層とが接合することが、熱励起型の音波発生にさらに適した熱流の状態を実現している可能性がある。 In the sound wave generator of the present invention, the present inventors have the interface between the graphite or sapphire constituting the base layer and the crystalline fine particles containing silicon or germanium constituting the heat insulating layer to generate heat-excited sound waves. Estimate that it is in a suitable state. As in the sound wave generator of the present invention, in a heat insulating layer composed of nanometer-sized fine particles, the state of heat flow in the layer is very complicated. Whether such a complicated heat flow state is actually suitable for the generation of thermally excited sound waves is not determined solely by the thermal property value αC of the layer and the thermal contrast between the layer and the base layer. Whether or not the state of heat flow is suitable for the generation of thermally excited sound waves is considered to depend on the state of bonding between the fine particles constituting the heat insulating layer and the state of bonding between the fine particles and the base layer. In addition to this, in the sound wave generator of the present invention, the fine particles constituting the heat insulating layer and the fine particles and the base layer are bonded to each other through the oxide film (SiO 2 or GeO 2 film). There is a possibility that a heat flow state more suitable for the generation of sound waves is realized.

例えば、サファイヤにより構成される基層の場合、断熱層を構成する微粒子と基層との接合について、以下のとおりである。材料の表面エネルギーΔEは、当該材料を構成する各元素の電気陰性度差(Δχ)に比例する。シリコン酸化膜のSi−O間のΔχは1.54である。ゲルマニウム酸化膜のGe−O間のΔχは1.43である。一方、サファイヤのAl−O間のΔχは1.83であり、Si−O間およびGe−O間のΔχよりも大きい。これにより、基層と断熱層との間において、熱励起型の音波発生に適した熱流の状態が実現すると考えられる。   For example, in the case of a base layer made of sapphire, the bonding between the fine particles constituting the heat insulating layer and the base layer is as follows. The surface energy ΔE of the material is proportional to the difference in electronegativity (Δχ) of each element constituting the material. Δχ between Si—O of the silicon oxide film is 1.54. The Δχ between Ge—O of the germanium oxide film is 1.43. On the other hand, Δχ between Al—O of sapphire is 1.83, which is larger than Δχ between Si—O and Ge—O. Thereby, it is considered that a heat flow state suitable for thermally excited sound wave generation is realized between the base layer and the heat insulating layer.

一方、グラファイトにより構成される基層の場合、断熱層を構成する微粒子と基層との接合について、以下のとおりである。グラファイトの表面には、単なるC−C結合以外に、C−H結合およびC−OH結合が存在する(C−H結合およびC−OH結合は、主に、グラファイトの結晶粒界に多く見られる)。このため、シリコン酸化膜およびゲルマニウム酸化膜との間で、C−O−SiまたはC−O−Geのような、炭素、酸素ならびにシリコンまたはゲルマニウム間の結合が形成され、断熱層を構成する微粒子と基層との間に強固な接合が形成される。また、この強固な接合により、当該微粒子と基層との距離が近くなることで、微粒子と基層との間に働くファンデルワールス力が強くなる。この向上したファンデルワールス力自体も、当該微粒子と基層との間に強固な接合が形成されることを促進する。これにより、基層と断熱層との間において、熱励起型の音波発生に適した熱粒の状態が実現すると考えられる。   On the other hand, in the case of the base layer made of graphite, the bonding between the fine particles constituting the heat insulating layer and the base layer is as follows. In addition to simple C—C bonds, there are C—H bonds and C—OH bonds on the surface of graphite (C—H bonds and C—OH bonds are mainly found at the grain boundaries of graphite. ). For this reason, a bond between carbon, oxygen and silicon or germanium, such as C—O—Si or C—O—Ge, is formed between the silicon oxide film and the germanium oxide film, and the fine particles constituting the heat insulating layer A strong bond is formed between the substrate and the base layer. Moreover, the van der Waals force acting between the fine particles and the base layer is strengthened by reducing the distance between the fine particles and the base layer due to the strong bonding. This improved van der Waals force itself also promotes the formation of a strong bond between the particulate and the base layer. Thereby, it is considered that a state of hot particles suitable for the generation of thermally excited sound waves is realized between the base layer and the heat insulating layer.

表1によれば、サファイヤの熱物性値αCはシリコンおよびゲルマニウムの熱物性値αCよりも小さいが、本発明の音波発生器における基層および断熱層の熱伝導性の関係は、従来の音波発生器と同様に、基層の熱伝導性が相対的に高く、断熱層の熱伝導性が相対的に低い関係であることが好ましい。この関係は、断熱層が微粒子により構成されることに基づく。   According to Table 1, the thermal property value αC of sapphire is smaller than the thermal property value αC of silicon and germanium, but the relationship between the thermal conductivity of the base layer and the heat insulating layer in the sound generator of the present invention is the same as that of the conventional sound generator. Similarly, it is preferable that the thermal conductivity of the base layer is relatively high and the thermal conductivity of the heat insulating layer is relatively low. This relationship is based on the fact that the heat insulating layer is composed of fine particles.

[本発明の音波発生器の製造方法]
図9に、本発明の製造方法の一例を示す。図9に示される製造方法では、最初に、基層および第1のインクが準備される。基層は、グラファイトまたはサファイヤにより構成される。第1のインクは、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子が分散した溶液であり、基層上に断熱層を形成するために用いられる。
[Manufacturing method of sound wave generator of the present invention]
FIG. 9 shows an example of the production method of the present invention. In the manufacturing method shown in FIG. 9, first, a base layer and a first ink are prepared. The base layer is made of graphite or sapphire. The first ink is a solution in which crystalline fine particles containing silicon or germanium are dispersed, and is used to form a heat insulating layer on the base layer.

結晶性の微粒子の平均粒径は、上述したように、典型的には10nm〜0.5μmである。これに加えて、当該微粒子の粒度分布におけるD10からD90が10nm〜0.5μmの範囲内にあることが好ましい。当該微粒子は、例えば、シリコン結晶またはゲルマニウム結晶、好ましくは単結晶、を粉砕して得られる。第1のインクの溶媒は限定されないが、典型的には有機溶媒である。当該溶媒は、アセトン、エタノール、メタノール、ベンゼン、ヘキサン、ペンタンおよびイソプロピルアルコール(IPA)から選ばれる少なくとも1種が好ましく、IPAが特に好ましい。これらの溶媒は、表面張力が小さく、グラファイトまたはサファイヤにより構成される基層の表面への濡れ性が高い。濡れ性が高い溶媒を用いることによって、基層と、第1のインクから形成した断熱層との間の熱流の状態が、熱誘起型の音波発生に好適となる。なお、グラファイトにより構成される基層の表面に存在するC−H結合およびC−OH結合は、当該基層と第1のインクとの濡れ性の向上に寄与する。   As described above, the average particle diameter of the crystalline fine particles is typically 10 nm to 0.5 μm. In addition to this, D10 to D90 in the particle size distribution of the fine particles are preferably in the range of 10 nm to 0.5 μm. The fine particles can be obtained, for example, by pulverizing silicon crystals or germanium crystals, preferably single crystals. The solvent of the first ink is not limited, but is typically an organic solvent. The solvent is preferably at least one selected from acetone, ethanol, methanol, benzene, hexane, pentane and isopropyl alcohol (IPA), and IPA is particularly preferable. These solvents have low surface tension and high wettability to the surface of the base layer composed of graphite or sapphire. By using a solvent with high wettability, the state of heat flow between the base layer and the heat insulating layer formed from the first ink is suitable for the generation of heat-induced sound waves. The C—H bond and C—OH bond present on the surface of the base layer made of graphite contribute to the improvement of wettability between the base layer and the first ink.

次に、第1のインクを基層の表面に塗布し、基層の表面に第1のインクの塗布膜を形成する。塗布膜の形成方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法、ダイコート法を適用できる。   Next, the first ink is applied to the surface of the base layer, and a coating film of the first ink is formed on the surface of the base layer. The formation method of a coating film is not specifically limited, For example, a spin coat method and the die coat method are applicable.

次に、全体を100〜1000℃で熱処理して、第1のインクの塗布膜から断熱層を形成する。これにより、基層と、当該基層上に配置された断熱層との積層体を得る(ここまで第1工程)。熱処理温度は、第1のインクに含まれる微粒子の種類により調整する。微粒子がシリコンを含む結晶性の微粒子である場合、熱処理温度は550〜900℃が好ましい。微粒子がゲルマニウムを含む結晶性の微粒子である場合、熱処理温度は250〜600℃が好ましい。熱処理の方法は特に限定されず、例えば、基層および塗布膜の全体を、熱処理温度に保持した炉に収容すればよい。熱処理は、互いに熱処理温度および/または熱処理雰囲気が異なる、2以上の熱処理ステップを含んでいてもよい。   Next, the whole is heat-treated at 100 to 1000 ° C. to form a heat insulating layer from the first ink coating film. Thereby, the laminated body of a base layer and the heat insulation layer arrange | positioned on the said base layer is obtained (the 1st process so far). The heat treatment temperature is adjusted according to the type of fine particles contained in the first ink. When the fine particles are crystalline fine particles containing silicon, the heat treatment temperature is preferably 550 to 900 ° C. When the fine particles are crystalline fine particles containing germanium, the heat treatment temperature is preferably 250 to 600 ° C. The heat treatment method is not particularly limited, and for example, the entire base layer and coating film may be accommodated in a furnace maintained at the heat treatment temperature. The heat treatment may include two or more heat treatment steps having different heat treatment temperatures and / or heat treatment atmospheres.

次に、熱パルス源を、断熱層に熱パルスを印加し得るように設ける(第2工程)。これにより、本発明の音波発生器が製造される。熱パルス源は、例えば、断熱層における基層側とは反対側の面から当該断熱層に熱パルスを印加し得るように設ければよい。   Next, a heat pulse source is provided so that a heat pulse can be applied to a heat insulation layer (2nd process). Thereby, the sound wave generator of the present invention is manufactured. What is necessary is just to provide a heat pulse source so that a heat pulse can be applied to the said heat insulation layer from the surface on the opposite side to the base layer side in a heat insulation layer, for example.

本発明の音波発生器における熱パルス源が、断熱層における基層側の面とは反対側の面上に配置された、断熱層に熱パルスを印加する熱パルス発生層(発熱層)を備え、当該熱パルス発生層が、炭素材料により構成される場合、第2工程は以下の工程Aであってもよい。工程Aでは、第1工程において形成した断熱層における基層側とは反対側の面上に、熱処理によって炭素材料となる前駆体溶液(第2のインク)の塗布膜を形成し、形成した塗布膜を熱処理して、熱パルス発生層を形成する。   The heat pulse source in the sound wave generator of the present invention includes a heat pulse generation layer (heat generation layer) that applies a heat pulse to the heat insulation layer, disposed on the surface of the heat insulation layer opposite to the base layer side surface, When the heat pulse generation layer is made of a carbon material, the second step may be the following step A. In step A, a coating film of a precursor solution (second ink) that becomes a carbon material is formed by heat treatment on the surface of the heat insulating layer formed in the first step opposite to the base layer side, and the coating film thus formed is formed. Is heat-treated to form a heat pulse generating layer.

このような第2工程を含む本発明の製造方法の一例を図10に示す。図10に示される方法において、基層と断熱層との積層体を得るまでは、図9に示される方法と同じである。図10に示される方法では、これに続いて、形成した断熱層の表面に第2のインクを塗布し、断熱層の表面に第2のインクの塗布膜を形成する。塗布膜の形成方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法、ダイコート法を適用できる。   An example of the manufacturing method of the present invention including such a second step is shown in FIG. The method shown in FIG. 10 is the same as the method shown in FIG. 9 until a laminate of the base layer and the heat insulating layer is obtained. In the method shown in FIG. 10, subsequently, the second ink is applied to the surface of the formed heat insulating layer, and a coating film of the second ink is formed on the surface of the heat insulating layer. The formation method of a coating film is not specifically limited, For example, a spin coat method and the die coat method are applicable.

第2のインクは、熱処理によって、炭素材料により構成される熱パルス発生層が形成される限り限定されず、典型的には、テレピン油、酢酸ブチルなどの有機成分を含む。   The second ink is not limited as long as a heat pulse generation layer composed of a carbon material is formed by heat treatment, and typically includes an organic component such as turpentine oil or butyl acetate.

次に、全体を100〜1000℃で熱処理して、第2のインクの塗布膜から熱パルス発生層を形成する。これにより、基層と、断熱層と、熱パルス発生層とを備える本発明の音波発生器が製造される。   Next, the whole is heat-treated at 100 to 1000 ° C. to form a heat pulse generation layer from the coating film of the second ink. Thereby, the sound wave generator of this invention provided with a base layer, a heat insulation layer, and a heat pulse generation layer is manufactured.

熱処理温度は、第2のインクに含まれる成分の種類により調整する。熱処理は、互いに熱処理温度および/または熱処理雰囲気が異なる、2以上の熱処理ステップを含んでいてもよい。熱処理の方法は特に限定されず、例えば、基層、断熱層および第2のインクの塗布膜の全体を、熱処理温度に保持した炉に収容すればよい。   The heat treatment temperature is adjusted according to the type of component contained in the second ink. The heat treatment may include two or more heat treatment steps having different heat treatment temperatures and / or heat treatment atmospheres. The heat treatment method is not particularly limited. For example, the entire base layer, heat insulating layer, and second ink coating film may be accommodated in a furnace maintained at the heat treatment temperature.

第2のインクの塗布および熱処理により形成された熱パルス発生層は、カーボンブラックなどの炭素材料を含むタール状の材料からなる。当該材料は耐熱性に優れているため、本発明の音波発生器の作動時に、安定した熱パルス発生層の機能を発揮する。これに加えて、発熱層としての使用時間が経過するに従い、形成直後に含まれていた窒素および酸素の量が次第に減少し、熱パルス発生層としてますます安定する。この窒素および酸素の量の減少は、エネルギー分散型X線分光分析(EDX)により確認される。当該熱パルス発生層は、当該層に対する電力パルスの印加により熱パルス発生層として機能する、すなわち電熱層である、ことが好ましい。   The heat pulse generation layer formed by the application of the second ink and the heat treatment is made of a tar-like material containing a carbon material such as carbon black. Since the material is excellent in heat resistance, it exhibits a stable function of the heat pulse generation layer when the sound wave generator of the present invention is operated. In addition, as the time of use as the heat generating layer elapses, the amount of nitrogen and oxygen contained immediately after formation gradually decreases, and the heat pulse generation layer becomes more stable. This decrease in the amount of nitrogen and oxygen is confirmed by energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). The heat pulse generation layer preferably functions as a heat pulse generation layer by applying a power pulse to the layer, that is, an electrothermal layer.

[本発明の音波発生方法]
本発明の音波発生方法は、上述した本発明の音波発生器を用いて音波を発生する方法である。具体的には、本発明の音波発生器において、熱パルス源によって断熱層に熱パルスを印加して音波を発生させる。
[Sound wave generation method of the present invention]
The sound wave generation method of the present invention is a method of generating sound waves using the above-described sound wave generator of the present invention. Specifically, in the sound wave generator of the present invention, a heat pulse is applied to the heat insulation layer by a heat pulse source to generate sound waves.

音波発生器の構成は、上述したとおりである。   The configuration of the sound wave generator is as described above.

音波発生器において、熱パルス源が、断熱層における基層側の面とは反対側の面上に配置された、断熱層に熱パルスを印加する熱パルス発生層を備えることが好ましい。この場合、熱パルス発生層によって断熱層に熱パルスを印加して、音波を発生させる。   In the sonic generator, the heat pulse source preferably includes a heat pulse generation layer that is disposed on a surface of the heat insulation layer opposite to the surface on the base layer side and that applies the heat pulse to the heat insulation layer. In this case, a heat pulse is applied to the heat insulation layer by the heat pulse generation layer to generate sound waves.

さらに、この場合、熱パルス発生層が、当該層に供給されるパルス電流またはパルス電圧によって熱パルスを発生する電熱層であり、熱パルス源が、電熱層にパルス電流またはパルス電圧を供給する電力供給ラインをさらに備えることが好ましい。このとき、電力供給ラインを介して電熱層にパルス電流またはパルス電圧を供給することで当該層において熱パルスを発生させる。そして、発生した熱パルスを断熱層に印加して音波を発生させる。   Further, in this case, the heat pulse generation layer is an electric heating layer that generates a heat pulse by a pulse current or a pulse voltage supplied to the layer, and the heat pulse source supplies electric power that supplies the pulse current or pulse voltage to the electric heating layer. It is preferable to further provide a supply line. At this time, a pulse current or a pulse voltage is supplied to the electric heating layer through the power supply line to generate a heat pulse in the layer. Then, the generated heat pulse is applied to the heat insulating layer to generate sound waves.

本発明の音波発生方法は、音波を利用する従来の装置および方法に、幅広く応用しうる。   The sound wave generation method of the present invention can be widely applied to conventional apparatuses and methods using sound waves.

以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
実施例1では、結晶性のシリコン微粒子により構成される断熱層を有する音波発生器を作製した。そして、基層を構成する材料を変えて、断熱層と基層との組み合わせについて検証した。これに加えて、結晶性のTiO2(酸化チタン)微粒子により構成される断熱層を有する音波発生器を作製し、同様の検証を実施した。
Example 1
In Example 1, a sound wave generator having a heat insulating layer composed of crystalline silicon fine particles was produced. And the material which comprises a base layer was changed and it verified about the combination of a heat insulation layer and a base layer. In addition to this, a sound wave generator having a heat insulating layer composed of crystalline TiO 2 (titanium oxide) fine particles was produced, and similar verification was performed.

検証に用いた音波発生器は、図10に示される製造方法に従い、以下のように作製した。最初に、グラファイト、サファイヤ、ダイヤモンドまたはシリコンにより形成された4種類の基層を準備した。グラファイトは、パナソニック社製EYGS091203を用いた。グラファイト基層の厚さは200μm、残る3種類の基層の厚さは500μmとした。次に、当該基層の表面に、結晶性のシリコン微粒子の分散液または結晶性のTiO2微粒子の分散液をスピンコートによって塗布して、分散液の塗布膜を形成した。スピンコートは、大気雰囲気および室温(25℃)に保持した密閉容器中で実施し、その条件は、回転速度500rpmで5秒、続いて8000rpmで60秒とした。次に、表面に塗布膜が形成された基層を、窒素フロー下100℃で加熱し、塗布膜を乾燥させた後、水素フロー下800℃(シリコン微粒子の場合)またはアルゴンフロー下500℃(TiO2微粒子の場合)でさらに熱処理して、基層と、上記シリコン微粒子またはTiO2微粒子により構成された断熱層とが一体化された積層体を得た。窒素フロー下100℃での加熱によって、分散液に含まれる溶媒の大部分が除去される。水素フロー下800℃(あるいはアルゴンフロー下500℃)での熱処理によって、残留有機物が除去されるとともに、熱による微粒子間および基層間の接合が強くなる。 The sound wave generator used for the verification was manufactured as follows according to the manufacturing method shown in FIG. First, four types of base layers made of graphite, sapphire, diamond or silicon were prepared. As the graphite, EYGS091203 manufactured by Panasonic Corporation was used. The thickness of the graphite base layer was 200 μm, and the thickness of the remaining three base layers was 500 μm. Next, a dispersion of crystalline silicon fine particles or a dispersion of crystalline TiO 2 fine particles was applied to the surface of the base layer by spin coating to form a coating film of the dispersion. The spin coating was performed in an airtight container kept in an air atmosphere and at room temperature (25 ° C.), and the conditions were 5 seconds at a rotational speed of 500 rpm and 60 seconds at 8000 rpm. Next, the base layer with the coating film formed on the surface is heated at 100 ° C. under a nitrogen flow to dry the coating film, and then is heated at 800 ° C. (in the case of silicon fine particles) under a hydrogen flow or 500 ° C. (TiO 2 under an argon flow). In the case of 2 fine particles), a heat treatment was further performed to obtain a laminate in which the base layer and the heat insulating layer composed of the silicon fine particles or the TiO 2 fine particles were integrated. Heating at 100 ° C. under a nitrogen flow removes most of the solvent contained in the dispersion. Residual organic substances are removed by heat treatment at 800 ° C. under a hydrogen flow (or 500 ° C. under an argon flow), and bonding between fine particles and a base layer by heat is strengthened.

シリコン微粒子の分散液として、鱗片状である結晶性シリコン微粒子のIPA分散液(シリコン微粒子の含有率が8.5重量%、プライメットプレシジョンマテリアル社(Primet Precision Materials, Inc.)製)を用いた。本実施例において、このシリコン微粒子を「Si(Lot#1)」と称することがある。   As a dispersion of silicon fine particles, a scale-like IPA dispersion of crystalline silicon fine particles (the content of silicon fine particles is 8.5% by weight, manufactured by Primet Precision Materials, Inc.) was used. . In this embodiment, the silicon fine particles may be referred to as “Si (Lot # 1)”.

TiO2微粒子の分散液として、球状である結晶性TiO2微粒子のIPA分散液(TiO2微粒子の含有率が15.4重量%、シーアイ化成社製)を用いた。本実施例において、このTiO2微粒子を「TiO2(Lot#1)」と称することがある。 As the TiO 2 fine particle dispersion, a spherical crystalline TiO 2 fine particle IPA dispersion (the content of TiO 2 fine particles was 15.4% by weight, manufactured by CI Kasei Co., Ltd.) was used. In this embodiment, the TiO 2 fine particles may be referred to as “TiO 2 (Lot # 1)”.

微粒子の粒径を評価する適切な方法を決定するために、最初に、分散液中のシリコン微粒子の粒度分布を粒度分布計により評価した。超音波方式の粒度分布計を用いた場合、シリコン微粒子の粒度分布は8nm(D10)〜156nm(D90)の範囲に最大値を有し、一例としての粒度分布の中央値は57nmであった。一方、レーザー回折散乱方式の粒度分布計を用いた場合、シリコン微粒子の粒度分布は100nm(D10)〜300nm(D90)の範囲に最大値を有し、一例としての粒度分布の中央値は167nmであった。一般的な粒度分布計による粒度解析は、球状の粒子モデルにより実施され、超音波方式であるかレーザー回折散乱方式であるかに依存しない。しかし、レーザー回折散乱方式では、レーザー光の散乱断面積により粒度分布が見積もられる。このため、鱗片状粒子のような扁平形状を有する粒子に対して、レーザー回折散乱方式による測定値が超音波方式による測定値よりも大きくなったと考えられる。そこで、本実施例では、形成した断熱層の断面(層の主面に垂直な方向の断面)の走査型電子顕微鏡(SEM)像を画像解析することによって、シリコン微粒子をはじめとする、断熱層を構成する微粒子の粒度分布を評価するとともに、断熱層の構造を併せて評価した。   In order to determine an appropriate method for evaluating the particle size of the fine particles, the particle size distribution of the silicon fine particles in the dispersion was first evaluated by a particle size distribution meter. When an ultrasonic particle size distribution analyzer was used, the particle size distribution of the silicon fine particles had a maximum value in the range of 8 nm (D10) to 156 nm (D90), and the median value of the particle size distribution as an example was 57 nm. On the other hand, when using a laser diffraction / scattering particle size distribution meter, the particle size distribution of silicon fine particles has a maximum value in the range of 100 nm (D10) to 300 nm (D90), and the median value of the particle size distribution as an example is 167 nm. there were. The particle size analysis by a general particle size distribution analyzer is performed by a spherical particle model, and does not depend on whether it is an ultrasonic method or a laser diffraction / scattering method. However, in the laser diffraction scattering method, the particle size distribution is estimated by the scattering cross section of the laser light. For this reason, it is considered that the measured value by the laser diffraction scattering method is larger than the measured value by the ultrasonic method for particles having a flat shape such as scale-like particles. Therefore, in this embodiment, the heat insulating layer including silicon fine particles is analyzed by image analysis of a scanning electron microscope (SEM) image of the cross section of the formed heat insulating layer (the cross section perpendicular to the main surface of the layer). And the structure of the heat insulating layer were also evaluated.

SEM像の画像解析により、上記作製した断熱層におけるシリコン微粒子(Si(Lot#1))およびTiO2微粒子(TiO2(Lot#1))の形状および粒度分布を評価したところ、シリコン微粒子は鱗片状であり、粒度分布におけるD10が50nm、D90が254nm、中央値が約115nmであった。シリコン微粒子(Si(Lot#1))に対する粒度分布の評価結果を図11に示す。一方、TiO2微粒子は球状であり、粒度分布におけるD10が20nm、D90が100nm、中央値が40nmであった。なお、分散液中におけるTiO2微粒子の粒度分布を、超音波方式の粒度分布計を用いて評価したところ、中央値は36nmであった。 The shape and particle size distribution of the silicon fine particles (Si (Lot # 1)) and TiO 2 fine particles (TiO 2 (Lot # 1)) in the heat insulation layer produced above were evaluated by image analysis of the SEM image. In the particle size distribution, D10 was 50 nm, D90 was 254 nm, and the median was about 115 nm. The evaluation results of the particle size distribution for silicon fine particles (Si (Lot # 1)) are shown in FIG. On the other hand, the TiO 2 fine particles were spherical, and D10 in the particle size distribution was 20 nm, D90 was 100 nm, and the median was 40 nm. When the particle size distribution of the TiO 2 fine particles in the dispersion was evaluated using an ultrasonic particle size distribution analyzer, the median value was 36 nm.

作製した断熱層における各微粒子は、一次粒子と、一次粒子が凝集した二次粒子とが混在した状態にあることが、高分解能SEMあるいは透過型電子顕微鏡(TEM)を用いた観察によって、別途、確認された。SEM像の画像解析によって得た上記粒度分布は、断熱層を構成する全ての微粒子を一次粒子と二次粒子とに分類できないことから、一次粒子および二次粒子の双方の粒子を含む粒度分布である。   Each fine particle in the produced heat insulating layer is in a state in which primary particles and secondary particles in which primary particles are aggregated are mixed, by observation using a high-resolution SEM or transmission electron microscope (TEM), confirmed. The particle size distribution obtained by image analysis of the SEM image is a particle size distribution including both primary particles and secondary particles because all the fine particles constituting the heat insulating layer cannot be classified into primary particles and secondary particles. is there.

これに加えて、当該画像解析により、シリコン微粒子により構成される断熱層が図12Aおよび図12Bに示される特異な構造を有していることが確認された。当該構造は、以下の具体的な特徴を有していた:断熱層12の下層部分(基層11側の部分)に比較的大きな微粒子が多く分布し、上層部分(基層11とは反対側の部分)に比較的小さな微粒子が多く分布していた;下層部分の微粒子は、主に、一次粒子51が凝集した二次粒子52であり、上層部分の粒子は、主に、一次粒子51および比較的小さい二次粒子52であった;隣接する各微粒子は、ごく微小な面積を有する接合部分によって、互いに接合していた。微粒子同士の当該接合部分をTEMを用いて別途確認したところ、図13A〜図13Cに示されるように、接合部分となる微粒子(二次粒子52)間の界面55に、厚さ2〜10nm程度の酸化膜(SiO2膜)が存在し、当該酸化膜によって微粒子同士が接合していることがわかった。なお、図13Bは、図13Aにおいて枠で示される一部分の拡大図である。 In addition to this, it was confirmed by the image analysis that the heat insulating layer composed of silicon fine particles has a unique structure shown in FIGS. 12A and 12B. The structure had the following specific features: a large amount of relatively large fine particles were distributed in the lower layer portion (the portion on the base layer 11 side) of the heat insulating layer 12, and the upper layer portion (the portion on the side opposite to the base layer 11). ) A large number of relatively small fine particles were distributed; the fine particles in the lower layer portion were mainly the secondary particles 52 in which the primary particles 51 were aggregated, and the particles in the upper layer portion were mainly the primary particles 51 and the relatively small particles. It was a small secondary particle 52; each adjacent fine particle was bonded to each other by a bonding portion having a very small area. When the bonding portion between the fine particles was separately confirmed using a TEM, as shown in FIGS. 13A to 13C, a thickness of about 2 to 10 nm was formed at the interface 55 between the fine particles (secondary particles 52) serving as the bonding portions. It was found that the oxide film (SiO 2 film) was present and the fine particles were joined together by the oxide film. FIG. 13B is an enlarged view of a portion indicated by a frame in FIG. 13A.

これとは別に、作製した断熱層に対して、その上層部分から当該層をエッチングしながらRBS(ラザフォード後方散乱)分析を行うことで、当該層の空孔率を評価した。RBS分析では、断熱層の散乱断面積が見積もられ、これにより当該層の空孔率を算出できる。断熱層の空孔率は、その最上層部分において約50%、最下層部分において約90%であり、最上層部分から最下層部分に向かうにしたがって次第に増加する傾向を有していた。   Separately from this, the porosity of the layer was evaluated by performing RBS (Rutherford backscattering) analysis while etching the layer from the upper layer portion of the heat insulating layer produced. In the RBS analysis, the scattering cross section of the heat insulating layer is estimated, whereby the porosity of the layer can be calculated. The porosity of the heat insulating layer was about 50% in the uppermost layer portion and about 90% in the lowermost layer portion, and had a tendency to gradually increase from the uppermost layer portion toward the lowermost layer portion.

これとは別に、作製した断熱層に対して、その広角X線回折(WAXD)プロファイルおよびラマン分光プロファイルを評価した。結果、シリコン微粒子により構成される断熱層のWAXDプロファイルにおいて、回折角2θが28.5°、47.3°、56.1°、69.1°および76.4°の位置に回折ピークが確認され、ラマン分光プロファイルにおいて、ラマンシフトが522cm-1の位置にピークが確認された。これらの回折ピークおよびラマンシフトは、シリコン結晶に特有のピークおよびシフトである。一方、TiO2微粒子により構成される断熱層のWAXDプロファイルにおいて、回折角2θが25.3°、37.8°、48.1°、55.1°および75.0°の位置に回折ピークが確認された。これらの回折ピークは、TiO2結晶に特有のピークである。すなわち、作製した断熱層が結晶性のシリコン微粒子または結晶性のTiO2微粒子により構成されることが確認された。 Separately from this, the wide-angle X-ray diffraction (WAXD) profile and the Raman spectroscopic profile were evaluated with respect to the produced heat insulation layer. As a result, in the WAXD profile of the heat insulating layer composed of silicon fine particles, diffraction peaks are confirmed at diffraction angles 2θ of 28.5 °, 47.3 °, 56.1 °, 69.1 ° and 76.4 °. In the Raman spectroscopic profile, a peak was confirmed at the position where the Raman shift was 522 cm −1 . These diffraction peaks and Raman shifts are peaks and shifts unique to silicon crystals. On the other hand, in the WAXD profile of the heat insulating layer composed of TiO 2 fine particles, diffraction peaks are present at diffraction angles 2θ of 25.3 °, 37.8 °, 48.1 °, 55.1 ° and 75.0 °. confirmed. These diffraction peaks are unique to TiO 2 crystals. That is, it was confirmed that the produced heat insulating layer was composed of crystalline silicon fine particles or crystalline TiO 2 fine particles.

次に、作製した積層体における断熱層の露出面に、テレピン油、酢酸ブチルおよび酢酸エチルを重量比にして6:3:1で混合した前駆体溶液をスピンコートにより塗布して、前駆体溶液の塗布膜を形成した。スピンコートの条件は、基層の表面にシリコン微粒子またはTiO2微粒子の分散液をスピンコートする条件と同一とした。次に、塗布膜が形成された積層体を、窒素フロー下120℃で加熱し、塗布膜を乾燥させた後、アルゴンフロー下800℃(シリコン微粒子により構成される断熱層の場合)または500℃(TiO2微粒子により構成される断熱層の場合)でさらに熱処理して、前駆体溶液の有機成分を炭素材料に変化させた。これにより、基層と、シリコン微粒子により構成される断熱層と、炭素材料により構成される発熱層(熱パルス発生層)とが一体化され、断熱層が基層および発熱層によって挟持された構造を有する積層体を得た。当該熱処理の温度では、断熱層における微粒子の構造が維持されることは、別途確認した。発熱層の厚さは50nmとした。発熱層の厚さが20nm〜1μmの範囲で、10Ω/square〜100kΩ/square程度のシート抵抗が実現されることは、別途確認した。 Next, a precursor solution in which turpentine oil, butyl acetate and ethyl acetate are mixed at a weight ratio of 6: 3: 1 is applied to the exposed surface of the heat insulating layer in the prepared laminate by spin coating, and the precursor solution The coating film was formed. The spin coating conditions were the same as those for spin coating a dispersion of silicon fine particles or TiO 2 fine particles on the surface of the base layer. Next, the laminate on which the coating film is formed is heated at 120 ° C. under a nitrogen flow to dry the coating film, and then 800 ° C. (in the case of a heat insulating layer composed of silicon fine particles) or 500 ° C. under an argon flow. (In the case of a heat insulating layer composed of TiO 2 fine particles) Further heat treatment was performed to change the organic component of the precursor solution into a carbon material. As a result, the base layer, the heat insulating layer composed of silicon fine particles, and the heat generating layer (heat pulse generating layer) composed of the carbon material are integrated, and the heat insulating layer is sandwiched between the base layer and the heat generating layer. A laminate was obtained. It was separately confirmed that the structure of the fine particles in the heat insulating layer was maintained at the heat treatment temperature. The thickness of the heat generating layer was 50 nm. It was separately confirmed that a sheet resistance of about 10Ω / square to 100 kΩ / square was realized when the thickness of the heat generating layer was in the range of 20 nm to 1 μm.

次に、作製した当該積層体における発熱層上に、当該発熱層(電熱層)に電力パルスを印加するための一対のPt(白金)電極を、スパッタリング法により設けて、音波発生器を得た。1つの当該電極は、厚さ0.3μm、幅1mm、長さ10mmの短冊状とした。一対の電極間の距離は、1〜20mmの間で調整し、典型的には5mmとした。発熱層に電力パルスを印加する電極は、Ptに限らず、任意の導電性材料により構成できる。しかし、電力パルスの周波数が高い場合に、電極の酸化が原因と推定される接触抵抗の増加が確認される材料(例えば、アルミニウム)が存在することから、当該増加が生じ難い、Pt、Ir(イリジウム)またはITO(スズ添加インジウム酸化物)からなる電極を設けることが好ましい。   Next, a pair of Pt (platinum) electrodes for applying a power pulse to the heat generating layer (electric heating layer) was provided on the heat generating layer in the produced laminate by a sputtering method, thereby obtaining a sound wave generator. . One of the electrodes has a strip shape with a thickness of 0.3 μm, a width of 1 mm, and a length of 10 mm. The distance between the pair of electrodes was adjusted between 1 and 20 mm, typically 5 mm. The electrode for applying the power pulse to the heat generating layer is not limited to Pt, and can be composed of any conductive material. However, when the frequency of the power pulse is high, there is a material (for example, aluminum) in which an increase in contact resistance estimated to be caused by electrode oxidation is present, so that the increase is unlikely to occur. Pt, Ir ( It is preferable to provide an electrode made of iridium) or ITO (tin-added indium oxide).

以下の表2に、作製した音波発生器の構成を示す。表2の各欄における括弧内の数値は、各層の厚さである。   Table 2 below shows the configuration of the produced sound wave generator. The numerical value in the parenthesis in each column of Table 2 is the thickness of each layer.

Figure 0004688977
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次に、作製した音波発生器の出力特性を、図14に示される計測システムを用いて評価した。図14に示されるシステムは、音波発生器200を備える発音部221と、音波発生器200から発せされた音波213を集音および解析する集音部222とを備える。発音部221は、さらに、信号発生器210、入力信号アンプ211および波形計測器212を備える。信号発生器210および入力信号アンプ211は、音波発生器200に接続されており、音波発生器200の発熱層に対して音波出力のための電力パルスを印加する。印加した電力パルスの波形は、波形計測器212によって計測される。集音部222は、集音マイク214、出力信号アンプ215、フィルタ(ノイズフィルタ)216および波形計測器217を備える。音波発生器200により発信された音波213は、集音マイク214によって電気信号に変換される。当該信号は、出力信号アンプ215およびフィルタ216を通った後、波形計測器217によって計測される。音波発生器の出力特性の評価は、非特許文献2の記載に従い、音波発生器200と集音マイク214との距離を5mmとして実施した。集音マイク214には、B&K社製4939を用いた。   Next, the output characteristics of the produced sound wave generator were evaluated using the measurement system shown in FIG. The system shown in FIG. 14 includes a sound generation unit 221 including a sound wave generator 200 and a sound collection unit 222 that collects and analyzes the sound wave 213 emitted from the sound wave generator 200. The sound generator 221 further includes a signal generator 210, an input signal amplifier 211, and a waveform measuring device 212. The signal generator 210 and the input signal amplifier 211 are connected to the sound wave generator 200 and apply power pulses for sound wave output to the heat generation layer of the sound wave generator 200. The waveform of the applied power pulse is measured by the waveform measuring device 212. The sound collection unit 222 includes a sound collection microphone 214, an output signal amplifier 215, a filter (noise filter) 216, and a waveform measuring instrument 217. The sound wave 213 transmitted from the sound wave generator 200 is converted into an electric signal by the sound collecting microphone 214. The signal is measured by the waveform measuring instrument 217 after passing through the output signal amplifier 215 and the filter 216. The output characteristics of the sound wave generator were evaluated according to the description in Non-Patent Document 2, with the distance between the sound wave generator 200 and the sound collecting microphone 214 being 5 mm. For the sound collecting microphone 214, 4939 manufactured by B & K was used.

実施例1−1に対する評価結果を、図15に示す。図15の上段は、実施例1−1の発熱層に印加した電力パルスの波形を示す。下段は、音波発生器により発せられた音波の波形を、音圧の波形として示す。横軸は、いずれも、電力パルスの印加を開始してからの経過時間である。図15に示されるように、矩形波の波形を有する電力パルスの印加によって、その変調に応じた周波数を有する、インパルス状の音波の発信が確認された。当該周波数は、約100kHz(パルスの半値幅が約10μ秒)であった。音波は、矩形パルスの立ち上がりおよび立ち下がりのような大きな変調バイアスの印加時に発せられていた。一方、定常的なバイアスの印加時には、音波は発せられなかった。これは、実施例1−1における音波発生のメカニズムが、印加された熱パルスの交流成分によって音波を発生する、熱誘起型の音波発生に基づくことを示している。   The evaluation result with respect to Example 1-1 is shown in FIG. The upper part of FIG. 15 shows the waveform of the power pulse applied to the heat generating layer of Example 1-1. The lower part shows the waveform of the sound wave generated by the sound wave generator as the sound pressure waveform. The horizontal axis is the elapsed time from the start of application of the power pulse. As shown in FIG. 15, by applying a power pulse having a rectangular waveform, it was confirmed that an impulse sound wave having a frequency corresponding to the modulation was transmitted. The frequency was about 100 kHz (the half width of the pulse was about 10 μsec). Sound waves were emitted when a large modulation bias such as the rising and falling of a rectangular pulse was applied. On the other hand, no sound wave was emitted when a steady bias was applied. This indicates that the mechanism of sound wave generation in Example 1-1 is based on heat-induced sound wave generation in which sound waves are generated by the alternating current component of the applied heat pulse.

次に、実施例1−1の発熱層に印加する電力パルスの最大値を変化させたときの、実施例1−1から発信される音波の最大音圧の変化を測定した。測定結果を図16に示す。図16の横軸は、実施例1−1への印加電力である。図16に示されるように、実施例1−1から発信される音波の最大音圧は、印加電力に比例していた。機械的振動に基づく音波発生のメカニズムにおいて、発信される音波の最大音圧が印加“電圧”に比例することが知られている。一方、熱誘起に基づく音波発生のメカニズムにおいて、発信される音波の最大音圧が印加“電力”、すなわち印加電圧の二乗に比例することが知られている。図16に示されるように、実施例1−1では、発信される音波の最大音圧が印加電力に比例しており、これは、実施例1−1における音波発生のメカニズムが、熱誘起型の音波発生に基づくことを示している。   Next, the change of the maximum sound pressure of the sound wave transmitted from Example 1-1 when the maximum value of the power pulse applied to the heat generation layer of Example 1-1 was changed was measured. The measurement results are shown in FIG. The horizontal axis in FIG. 16 represents the applied power to Example 1-1. As shown in FIG. 16, the maximum sound pressure of the sound wave transmitted from Example 1-1 was proportional to the applied power. In the mechanism of sound wave generation based on mechanical vibration, it is known that the maximum sound pressure of a transmitted sound wave is proportional to the applied “voltage”. On the other hand, in the mechanism of sound wave generation based on thermal induction, it is known that the maximum sound pressure of a transmitted sound wave is proportional to the applied “power”, that is, the square of the applied voltage. As shown in FIG. 16, in Example 1-1, the maximum sound pressure of the transmitted sound wave is proportional to the applied power. This is because the sound wave generation mechanism in Example 1-1 is a heat-induced type. It is based on the generation of sound waves.

印加する電力パルスの周波数を1kHz〜100kHzの範囲で変更して同様の評価を行った。電力パルスの周波数によらず、当該周波数に対応する周波数を有するインパルス状の音波の発信が確認できた。本実施例において、計測システムの集音マイクの帯域上限が100kHzであるため、周波数100kHzまでの音波の発信を計測したが、さらに高い周波数を有する音波の発生も十分に期待できる。   The same evaluation was performed by changing the frequency of the applied power pulse in the range of 1 kHz to 100 kHz. Irrespective of the frequency of the power pulse, the transmission of an impulse sound wave having a frequency corresponding to the frequency could be confirmed. In the present embodiment, since the upper limit of the band of the sound collecting microphone of the measurement system is 100 kHz, the transmission of sound waves up to a frequency of 100 kHz was measured. However, generation of sound waves having a higher frequency can be sufficiently expected.

印加する電力パルスの波形を変更して同様の評価を行った。電力パルスの波形によらず、印加する電力が交流成分を含む限り、音波の発信が確認できた。   The same evaluation was performed by changing the waveform of the power pulse to be applied. Regardless of the waveform of the power pulse, transmission of sound waves could be confirmed as long as the applied power included an AC component.

実施例1−2についても、出力音圧の最大値は異なるものの、同様の波形が得られた。   The same waveform was obtained for Example 1-2, although the maximum value of the output sound pressure was different.

以下の表3に、表2に示される各実施例および比較例が発信した音波の音圧(単位印加電力あたりの出力音圧)を示す。   Table 3 below shows sound pressures of sound waves (output sound pressure per unit applied power) transmitted from the respective examples and comparative examples shown in Table 2.

Figure 0004688977
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表3に示されるように、シリコン微粒子により構成される断熱層の場合、ダイヤモンド(比較例1−A)およびシリコン(比較例1−B)よりも熱物性値αCが大幅に小さいサファイヤを基層に用いた場合(実施例1−2)に、高い出力特性が実現した。グラファイトを基層に用いた場合(実施例1−1)にも、高い出力特性が実現した。この高い出力特性は、本実施例において、サファイヤまたはグラファイトにより構成される基層と、結晶性のシリコン微粒子により構成される断熱層との組み合わせが最適であることが見出されたことにより、初めて達成された。基層と断熱層との熱的コントラストをできるだけ大きくする技術が開示されている従来の音波発生器およびその技術的思想に基づいては、当業者は、本実施例の結果を決して予想かつ実現できなかった。これは、非特許文献1の式(3)および表1に基づいて、実施例1−2において測定された音圧から実施例1−2における基層と断熱層との間の熱的コントラストを概算した場合に、特許文献4のαII/αSSにして、1/100に全く達してない(1/100よりも遥かに大きい)ことからも明らかである。 As shown in Table 3, in the case of a heat insulating layer composed of silicon fine particles, a sapphire whose thermal property value αC is significantly smaller than that of diamond (Comparative Example 1-A) and silicon (Comparative Example 1-B) is used as a base layer. When used (Example 1-2), high output characteristics were realized. Even when graphite was used for the base layer (Example 1-1), high output characteristics were realized. This high output characteristic is achieved for the first time by finding that the combination of a base layer composed of sapphire or graphite and a heat insulating layer composed of crystalline silicon fine particles is optimal in this embodiment. It was done. Based on the conventional sound wave generator that discloses a technique for increasing the thermal contrast between the base layer and the heat insulating layer as much as possible and the technical idea thereof, those skilled in the art can never expect and realize the result of this embodiment. It was. This is an approximation of the thermal contrast between the base layer and the heat insulating layer in Example 1-2 from the sound pressure measured in Example 1-2 based on Equation (3) and Table 1 of Non-Patent Document 1. In this case, α I C I / α S C S in Patent Document 4 does not reach 1/100 at all (much larger than 1/100).

一方、TiO2微粒子により構成される断熱層の場合、従来の音波発生器およびその技術的思想によれば、TiO2の熱物性値αCが非常に小さく、基層と断熱層との熱的コントラストが非常に大きくなるため、シリコン微粒子により構成される断熱層に比べて高い出力特性が得られることが期待される。しかし、表3に示されるように、TiO2微粒子により構成される断熱層の場合(比較例1−C〜1−F)、いずれの基層と組み合わせても、ほとんど音波が発信されなかった。このことも、本実施例の結果が、従来の音波発生器およびその技術的思想に基づいて達成できないことを示している。 On the other hand, in the case of a heat insulating layer composed of TiO 2 fine particles, according to the conventional sound wave generator and its technical idea, the thermal property value αC of TiO 2 is very small, and the thermal contrast between the base layer and the heat insulating layer is low. Since it becomes very large, it is expected that high output characteristics can be obtained as compared with a heat insulating layer composed of silicon fine particles. However, as shown in Table 3, in the case of a heat insulating layer composed of TiO 2 fine particles (Comparative Examples 1-C to 1-F), even when combined with any base layer, almost no sound wave was transmitted. This also indicates that the result of this example cannot be achieved based on the conventional sound wave generator and its technical idea.

実施例1−1および1−2において、断熱層の厚さを変化させて、発信される音波の出力特性を評価した。断熱層の厚さは10nm以上50μm未満が好ましく、50nm以上10μm以下がより好ましいことが確認された。   In Examples 1-1 and 1-2, the output characteristics of the transmitted sound wave were evaluated by changing the thickness of the heat insulating layer. It was confirmed that the thickness of the heat insulating layer is preferably 10 nm or more and less than 50 μm, and more preferably 50 nm or more and 10 μm or less.

一方、比較例1−B〜1−Fにおいて、断熱層の厚さを変化させて、発信される音波の出力特性を評価した。断熱層の厚さが変化しても、ほとんど音波が発信されない状況は変わらなかった。   On the other hand, in Comparative Examples 1-B to 1-F, the thickness of the heat insulating layer was changed to evaluate the output characteristics of the transmitted sound wave. Even when the thickness of the heat insulating layer was changed, the situation in which sound waves were hardly transmitted was not changed.

各実施例および比較例において、図14に示される計測システムにおける、音波発生器200と集音マイク214との距離を10mmとして同様の評価を行ったところ、当該距離が5mmの場合と同様の傾向を有する結果が得られた。   In each example and comparative example, when the distance between the sound wave generator 200 and the sound collecting microphone 214 in the measurement system shown in FIG. 14 is set to 10 mm, the same evaluation is performed, and the same tendency as in the case where the distance is 5 mm is obtained. The result was obtained.

(実施例2)
実施例2では、結晶性のゲルマニウム微粒子により構成される断熱層を有する音波発生器を作製した。そして、基層を構成する材料を変えて、断熱層と基層との組み合わせについて検証した。
(Example 2)
In Example 2, a sound wave generator having a heat insulating layer composed of crystalline germanium fine particles was produced. And the material which comprises a base layer was changed and it verified about the combination of a heat insulation layer and a base layer.

検証に用いた音波発生器は、結晶性のシリコン微粒子の分散液の代わりに結晶性のゲルマニウム微粒子の分散液を用いたこと、ならびに熱処理の温度をシリコン微粒子のときの800℃から400℃に変更したこと以外は、実施例1における各実施例および比較例と同様に作製した。   The sound wave generator used for the verification used a dispersion of crystalline germanium fine particles instead of a dispersion of crystalline silicon fine particles, and the temperature of the heat treatment was changed from 800 ° C. for silicon fine particles to 400 ° C. Except what was done, it produced similarly to each Example in Example 1, and a comparative example.

ゲルマニウム微粒子の分散液として、鱗片状の結晶性ゲルマニウム微粒子のIPA分散液(ゲルマニウム微粒子の含有率が8.6重量%、プライメットプレシジョンマテリアル社製)を用いた。本実施例において、このゲルマニウム微粒子を「Ge(Lot#1)」と称することがある。   As a dispersion of germanium fine particles, an IPA dispersion of scaly crystalline germanium fine particles (germanium fine particle content: 8.6% by weight, manufactured by Primet Precision Material) was used. In this embodiment, the germanium fine particles may be referred to as “Ge (Lot # 1)”.

実施例1と同様に、SEM像の画像解析により、作製した断熱層におけるゲルマニウム微粒子(Ge(Lot#1))の形状および粒度分布を評価した。ゲルマニウム微粒子は鱗片状であり、粒度分布におけるD10が42nm、D90が200nm、中央値が95nmであった。なお、分散液中における当該ゲルマニウム微粒子の粒度分布を、超音波方式の粒度分布計を用いて評価したところ、D10が4nm、D90が125nm、中央値が40nmであった。   Similarly to Example 1, the shape and particle size distribution of the germanium fine particles (Ge (Lot # 1)) in the produced heat insulating layer were evaluated by image analysis of SEM images. The germanium fine particles were scaly, and D10 in the particle size distribution was 42 nm, D90 was 200 nm, and the median was 95 nm. When the particle size distribution of the germanium fine particles in the dispersion was evaluated using an ultrasonic particle size distribution analyzer, D10 was 4 nm, D90 was 125 nm, and the median was 40 nm.

これに加えて、当該画像解析により、ゲルマニウム微粒子により構成される断熱層が、実施例1におけるシリコン微粒子により構成される断熱層と同様の特異な構造(図12B参照)を有していることが確認された。当該構造は、以下の具体的な特徴を有していた:断熱層の下層部分(基層側の部分)に比較的大きな微粒子が多く分布し、上層部分(基層とは反対側の部分)に比較的小さな微粒子が多く分布していた;下層部分の微粒子は、主に、一次粒子が凝集した二次粒子であり、上層部分の粒子は、主に、一次粒子および比較的小さい二次粒子であった;隣接する各微粒子は、ごく微小な面積を有する接合部分によって、互いに接合していた。微粒子同士の当該接合部分をTEMを用いて別途確認したところ、実施例1におけるシリコン微粒子により構成される断熱層と同様に、接合部分となる微粒子間の界面に、厚さ2〜10nm程度の酸化膜(GeOx(1≦x≦2)膜)が存在し、当該酸化膜によって微粒子同士が接合していることがわかった。 In addition, according to the image analysis, the heat insulating layer composed of the germanium fine particles has a unique structure similar to the heat insulating layer composed of the silicon fine particles in Example 1 (see FIG. 12B). confirmed. The structure had the following specific features: a lot of relatively large fine particles were distributed in the lower layer part (base layer side part) of the heat insulation layer, and compared with the upper layer part (part opposite to the base layer). Many fine particles were distributed; the fine particles in the lower layer were mainly secondary particles in which the primary particles were aggregated, and the particles in the upper layer were mainly the primary particles and relatively small secondary particles. Each adjacent fine particle was bonded to each other by a bonding portion having a very small area. When the joint portion between the fine particles was separately confirmed using a TEM, as with the heat insulating layer composed of the silicon fine particles in Example 1, an oxide having a thickness of about 2 to 10 nm was formed at the interface between the fine particles serving as the joint portions. It was found that there was a film (GeO x (1 ≦ x ≦ 2) film), and the fine particles were joined by the oxide film.

これとは別に、作製した断熱層に対して、その上層部分から当該層をエッチングしながらRBS分析を行い、当該層の空孔率を評価した。断熱層の空孔率は、その最上層部分において約50%、最下層部分において約90%であり、最上層部分から最下層部分に向かうにしたがって次第に増加する傾向を有していた。   Separately from this, RBS analysis was performed on the prepared heat insulating layer while etching the layer from the upper layer portion, and the porosity of the layer was evaluated. The porosity of the heat insulating layer was about 50% in the uppermost layer portion and about 90% in the lowermost layer portion, and had a tendency to gradually increase from the uppermost layer portion toward the lowermost layer portion.

これとは別に、作製した断熱層に対して、そのWAXDプロファイルおよびラマン分光プロファイルを評価した。結果、ゲルマニウム微粒子により構成される断熱層のWAXDプロファイルにおいて、回折角2θが27.3°、45.3°、53.7°、66.0°、72.8°および83.7°の位置に回折ピークが確認され、ラマン分光プロファイルにおいて、ラマンシフトが297cm-1の位置にピークが確認された。これらの回折ピークおよびラマンシフトは、ゲルマニウム結晶に特有のピークおよびシフトである。すなわち、作製した断熱層が結晶性のゲルマニウム微粒子により構成されることが確認された。 Separately from this, the WAXD profile and the Raman spectroscopic profile were evaluated with respect to the produced heat insulation layer. As a result, in the WAXD profile of the heat insulating layer composed of the germanium fine particles, diffraction angles 2θ are positions at 27.3 °, 45.3 °, 53.7 °, 66.0 °, 72.8 ° and 83.7 °. A diffraction peak was confirmed at 1 and a peak was confirmed at the position where the Raman shift was 297 cm −1 in the Raman spectroscopic profile. These diffraction peaks and Raman shifts are peaks and shifts unique to germanium crystals. That is, it was confirmed that the produced heat insulating layer was composed of crystalline germanium fine particles.

以下の表4に、作製した音波発生器の構成を示す。表4の各欄における括弧内の数値は、各層の厚さである。   Table 4 below shows the configuration of the produced sound wave generator. The numerical value in the parenthesis in each column of Table 4 is the thickness of each layer.

Figure 0004688977
Figure 0004688977

表4に示されるように、実施例2−3では、炭素材料により構成される発熱層を形成せず、ゲルマニウム微粒子により構成される断熱層を発熱層としても機能させた。これは、400〜600℃の熱処理によってゲルマニウム微粒子が導電性を発現するため、断熱層が発熱層に適したシート抵抗を示すことに基づく。導電性の発現は、ゲルマニウム微粒子間のGeO2がその潮解性によってGeOx(1≦x≦2)となりやすく、微粒子間に伝導パスが形成されることに因るものと推察される。 As shown in Table 4, in Example 2-3, the heat generating layer composed of the carbon material was not formed, and the heat insulating layer composed of the germanium fine particles was allowed to function as the heat generating layer. This is based on the fact that the heat insulating layer exhibits a sheet resistance suitable for the heat generating layer because the germanium fine particles exhibit conductivity by heat treatment at 400 to 600 ° C. The expression of conductivity is presumed to be due to the fact that GeO 2 between germanium fine particles tends to become GeO x (1 ≦ x ≦ 2) due to its deliquescence, and a conductive path is formed between the fine particles.

次に、作製した音波発生器の出力特性を、実施例1と同様に、図14に示される計測システムを用いて評価した。音波発生器と集音マイクとの距離は5mmとした。   Next, the output characteristics of the produced sound wave generator were evaluated using the measurement system shown in FIG. The distance between the sound wave generator and the sound collecting microphone was 5 mm.

実施例2−1〜2−3のいずれにおいても、出力音圧の最大値は異なるものの、実施例1−1と同様の結果が得られた。例えば、実施例1−1と同様に、矩形波の波形を有する電力パルスの印加によって、その変調に応じた周波数を有する、インパルス状の音波の発信が確認された。また例えば、実施例2−1〜2−3では、発信される音波の最大音圧は、印加電力に比例していた。これらは、実施例2−1〜2−3における音波発生のメカニズムが、熱誘起型の音波発生に基づくことを示している。   In all of Examples 2-1 to 2-3, the maximum value of the output sound pressure was different, but the same result as in Example 1-1 was obtained. For example, in the same manner as in Example 1-1, it was confirmed that an impulse sound wave having a frequency corresponding to the modulation was transmitted by applying a power pulse having a rectangular wave waveform. For example, in Examples 2-1 to 2-3, the maximum sound pressure of the transmitted sound wave was proportional to the applied power. These indicate that the sound wave generation mechanism in Examples 2-1 to 2-3 is based on heat-induced sound wave generation.

以下の表5に、表4に示される各実施例および比較例が発信した音波の音圧(単位印加電力あたりの出力音圧)を示す。   Table 5 below shows sound pressures of sound waves (output sound pressure per unit applied power) transmitted by the respective examples and comparative examples shown in Table 4.

Figure 0004688977
Figure 0004688977

表5に示されるように、ダイヤモンド(比較例2−A)よりも熱物性値αCが大幅に小さいサファイヤを基層に用いた場合(実施例2−2、2−3)に、高い出力特性が実現した。実施例2−2と2−3とでは、実施例2−2の方が出力特性が高かった。グラファイトを基層に用いた場合(実施例2−1)にも、同様の高い出力特性が実現した。この高い出力特性は、本実施例において、サファイヤまたはグラファイトにより構成される基層と、結晶性のゲルマニウム微粒子により構成される断熱層との組み合わせが最適であることが見出されたことにより、初めて達成された。基層と断熱層との熱的コントラストをできるだけ大きくする技術が開示されている従来の音波発生器およびその技術的思想に基づいては、当業者は、本実施例の結果を決して予想かつ実現できなかった。   As shown in Table 5, when sapphire having a thermophysical value αC significantly smaller than diamond (Comparative Example 2-A) is used for the base layer (Examples 2-2 and 2-3), high output characteristics are obtained. It was realized. In Examples 2-2 and 2-3, the output characteristics of Example 2-2 were higher. The same high output characteristics were realized when graphite was used for the base layer (Example 2-1). This high output characteristic is achieved for the first time in this example by finding that a combination of a base layer composed of sapphire or graphite and a heat insulating layer composed of crystalline germanium fine particles is optimal. It was. Based on the conventional sound wave generator that discloses a technique for increasing the thermal contrast between the base layer and the heat insulating layer as much as possible and the technical idea thereof, those skilled in the art can never expect and realize the result of this embodiment. It was.

これに加えて、特定の温度域における熱処理を経たゲルマニウム微粒子により構成される断熱層は、電力パルスの印加によって、熱パルス源(熱パルス発生層)としても機能することが確認された。   In addition to this, it was confirmed that the heat insulating layer composed of the germanium fine particles subjected to the heat treatment in a specific temperature range also functions as a heat pulse source (heat pulse generating layer) by applying a power pulse.

実施例2−1〜2−3において、断熱層の厚さを変化させて、発信される音波の出力特性を評価した。断熱層の厚さは10nm以上50μm未満が好ましく、50nm以上10μm以下がより好ましいことが確認された。   In Examples 2-1 to 2-3, the thickness of the heat insulating layer was changed to evaluate the output characteristics of the transmitted sound wave. It was confirmed that the thickness of the heat insulating layer is preferably 10 nm or more and less than 50 μm, and more preferably 50 nm or more and 10 μm or less.

(実施例3)
実施例3では、実施例1とは異なる形状を有する、結晶性のシリコン微粒子により構成される断熱層を有する音波発生器を作製した。そして、基層を構成する材料を変えて、断熱層と基層との組み合わせについて検証した。
(Example 3)
In Example 3, a sound wave generator having a heat insulating layer made of crystalline silicon fine particles having a shape different from that of Example 1 was produced. And the material which comprises a base layer was changed and it verified about the combination of a heat insulation layer and a base layer.

検証に用いた音波発生器は、シリコン微粒子の分散液が異なる以外は、実施例1における各実施例および比較例と同様に作製した。   The sound wave generator used for the verification was produced in the same manner as in each example and comparative example in Example 1, except that the dispersion of silicon fine particles was different.

シリコン微粒子の分散液として、球状である結晶性シリコン微粒子のIPA分散液(シリコン微粒子の含有率が5重量%、イーエムピーエー(EMPA)社製)を用いた。本実施例において、このシリコン微粒子を「Si(Lot#2)」と称することがある。   As a dispersion of silicon fine particles, an IPA dispersion of spherical crystalline silicon fine particles (the content of silicon fine particles is 5% by weight, manufactured by EMPA) was used. In this embodiment, the silicon fine particles may be referred to as “Si (Lot # 2)”.

実施例1と同様に、SEM像の画像解析により、作製した断熱層におけるシリコン微粒子(Si(Lot#2))の形状および粒度分布を評価した。シリコン微粒子は球状であり、粒度分布におけるD10が19nm、D90が68nm、中央値が32nmであった。シリコン微粒子(Si(Lot#2))に対する粒度分布の評価結果を図17に示す。なお、分散液中におけるシリコン微粒子の粒度分布を、超音波方式の粒度分布計を用いて評価したところ、D10が10nm、D90が100nm、中央値が20nmであった。   In the same manner as in Example 1, the shape and particle size distribution of the silicon fine particles (Si (Lot # 2)) in the produced heat insulating layer were evaluated by image analysis of the SEM image. The silicon fine particles were spherical, and D10 in the particle size distribution was 19 nm, D90 was 68 nm, and the median was 32 nm. The evaluation results of the particle size distribution for silicon fine particles (Si (Lot # 2)) are shown in FIG. When the particle size distribution of the silicon fine particles in the dispersion was evaluated using an ultrasonic particle size distribution meter, D10 was 10 nm, D90 was 100 nm, and the median was 20 nm.

これに加えて、当該画像解析により、シリコン微粒子により構成される断熱層が、図18A〜18Dに示される特異な構造を有していることが確認された。当該構造は、以下の具体的な特徴を有していた:断熱層12の下層部分(基層11側の部分)に比較的大きな微粒子が多く分布し、上層部分(基層11とは反対側の部分)に比較的小さな微粒子が多く分布していた;下層部分の微粒子は、主に、一次粒子53が凝集した二次粒子54であり、上層部分の粒子は、主に、一次粒子53および比較的小さい二次粒子54であった;隣接する各微粒子は、ごく微小な面積を有する接合部分によって、互いに接合していた。微粒子同士の当該接合部分をTEMを用いて別途確認したところ、実施例1におけるシリコン微粒子により構成される断熱層と同様に、接合部分となる微粒子間の界面に、厚さ2〜10nm程度の酸化膜(SiO2膜)が存在し、当該酸化膜によって微粒子同士が接合していることがわかった。 In addition to this, it was confirmed by the image analysis that the heat insulating layer composed of the silicon fine particles has a unique structure shown in FIGS. The structure had the following specific features: a large amount of relatively large fine particles were distributed in the lower layer portion (the portion on the base layer 11 side) of the heat insulating layer 12, and the upper layer portion (the portion on the side opposite to the base layer 11). ) A large number of relatively small fine particles were distributed; the fine particles in the lower layer portion were mainly secondary particles 54 in which the primary particles 53 were aggregated, and the particles in the upper layer portion were mainly the primary particles 53 and the relatively small particles. Small secondary particles 54; each adjacent fine particle was bonded to each other by a bonding portion having a very small area. When the joint portion between the fine particles was separately confirmed using a TEM, as with the heat insulating layer composed of the silicon fine particles in Example 1, an oxide having a thickness of about 2 to 10 nm was formed at the interface between the fine particles serving as the joint portions. It was found that there was a film (SiO 2 film) and the fine particles were joined together by the oxide film.

これとは別に、作製した断熱層に対して、その上層部分から当該層をエッチングしながらRBS分析を行い、当該層の空孔率を評価した。断熱層の空孔率は、その最上層部分において約50%、最下層部分において約90%であり、最上層部分から最下層部分に向かうに従い、空孔率が次第に増加する傾向を有していた。   Separately from this, RBS analysis was performed on the prepared heat insulating layer while etching the layer from the upper layer portion, and the porosity of the layer was evaluated. The porosity of the heat insulating layer is about 50% in the uppermost layer portion and about 90% in the lowermost layer portion, and the porosity tends to gradually increase from the uppermost layer portion toward the lowermost layer portion. It was.

これとは別に、作製した断熱層に対して、そのWAXDプロファイルおよびラマン分光プロファイルを評価した。結果、シリコン微粒子により構成される断熱層のWAXDプロファイルにおいて、回折角2θが28.5°、47.3°および56.1°などの位置に回折ピークが確認され、ラマン分光プロファイルにおいて、ラマンシフトが522cm-1の位置にピークが確認された。これらの回折ピークおよびラマンシフトは、シリコン結晶に特有のピークおよびシフトである。すなわち、作製した断熱層が結晶性のシリコン微粒子により構成されることが確認された。 Separately from this, the WAXD profile and the Raman spectroscopic profile were evaluated with respect to the produced heat insulation layer. As a result, in the WAXD profile of the heat insulation layer composed of silicon fine particles, diffraction peaks were confirmed at positions where the diffraction angle 2θ was 28.5 °, 47.3 °, 56.1 °, etc., and the Raman shift in the Raman spectroscopic profile A peak was confirmed at a position of 522 cm −1 . These diffraction peaks and Raman shifts are peaks and shifts unique to silicon crystals. That is, it was confirmed that the produced heat insulating layer was composed of crystalline silicon fine particles.

以下の表6に、作製した音波発生器の構成を示す。表6の各欄における括弧内の数値は、各層の厚さである。   Table 6 below shows the configuration of the produced sound wave generator. The numerical value in the parenthesis in each column of Table 6 is the thickness of each layer.

Figure 0004688977
Figure 0004688977

次に、作製した音波発生器の出力特性を、実施例1と同様に、図14に示される計測システムを用いて評価した。音波発生器と集音マイクとの距離は5mmとした。   Next, the output characteristics of the produced sound wave generator were evaluated using the measurement system shown in FIG. The distance between the sound wave generator and the sound collecting microphone was 5 mm.

実施例3−1、3−2のいずれにおいても、出力音圧の最大値は異なるものの、実施例1−1と同様の結果が得られた。例えば、実施例1−1と同様に、矩形波の波形を有する電力パルスの印加によって、その変調に応じた周波数を有する、インパルス状の音波の発信が確認された。また例えば、実施例3−1、3−2では、発信される音波の最大音圧は、印加電力に比例していた。これらは、実施例3−1、3−2における音波発生のメカニズムが、熱誘起型の音波発生に基づくことを示している。   In all of Examples 3-1 and 3-2, the maximum value of the output sound pressure was different, but the same result as in Example 1-1 was obtained. For example, in the same manner as in Example 1-1, it was confirmed that an impulse sound wave having a frequency corresponding to the modulation was transmitted by applying a power pulse having a rectangular wave waveform. For example, in Examples 3-1 and 3-2, the maximum sound pressure of the transmitted sound wave was proportional to the applied power. These indicate that the sound wave generation mechanism in Examples 3-1 and 3-2 is based on heat-induced sound wave generation.

以下の表7に、表6に示される各実施例および比較例が発信した音波の音圧(単位印加電力あたりの出力音圧)を示す。   Table 7 below shows sound pressures of sound waves (output sound pressure per unit applied power) transmitted from the respective examples and comparative examples shown in Table 6.

Figure 0004688977
Figure 0004688977

表7に示されるように、ダイヤモンド(比較例3−A)およびシリコン(比較例3−B)よりも熱物性値αCが大幅に小さいサファイヤを基層に用いた場合(実施例3−2)に、高い出力特性が実現した。グラファイト(実施例3−1)を基層に用いた場合にも、高い出力特性が実現した。サファイヤを基層に用いた実施例3−2の方が、グラファイトを基層に用いた実施例3−1に比べて、出力特性が遥かに高くなった。この高い出力特性は、本実施例において、サファイヤまたはグラファイトにより構成される基層と、シリコン微粒子により構成される断熱層との組み合わせが最適であることが見出されたことにより、初めて達成された。基層と断熱層との熱的コントラストをできるだけ大きくする技術が開示されている従来の音波発生器およびその技術的思想に基づいては、当業者は、本実施例の結果を決して予想かつ実現できなかった。   As shown in Table 7, when sapphire having a thermophysical value αC significantly smaller than diamond (Comparative Example 3-A) and silicon (Comparative Example 3-B) is used for the base layer (Example 3-2) Realized high output characteristics. Even when graphite (Example 3-1) was used for the base layer, high output characteristics were realized. The output characteristics of Example 3-2 using sapphire as the base layer were much higher than those of Example 3-1 using graphite as the base layer. This high output characteristic was achieved for the first time by finding that the combination of a base layer composed of sapphire or graphite and a heat insulating layer composed of silicon fine particles was optimal in this example. Based on the conventional sound wave generator that discloses a technique for increasing the thermal contrast between the base layer and the heat insulating layer as much as possible and the technical idea thereof, those skilled in the art can never expect and realize the result of this embodiment. It was.

(実施例4)
実施例4では、実施例1−1と同じ基層および断熱層の組み合わせを有するとともに、音波を発信する面の形状が放物面である音波発生器を作製し、その出力特性を検証した。
Example 4
In Example 4, a sound wave generator having the same combination of the base layer and the heat insulating layer as Example 1-1 and having a parabolic surface shape for transmitting sound waves was produced, and the output characteristics thereof were verified.

検証に用いた音波発生器は、グラファイトの基層における断熱層を配置する面の形状を平面から放物面に変更した以外は、実施例1−1と同様に作製した。当該グラファイトの基層は、柔軟性を有する2以上のグラファイトシート(厚さ50μm〜1mm、典型的には100μm)を、放物面が形成された型における当該放物面に貼り重ねた後、グラファイトシートの積層物と当該型とを分離して形成した。グラファイト基層の直径は、20mmとした。   The sound wave generator used for verification was produced in the same manner as in Example 1-1 except that the shape of the surface on which the heat insulating layer in the graphite base layer was arranged was changed from a flat surface to a parabolic surface. The graphite base layer is formed by laminating two or more flexible graphite sheets (thickness 50 μm to 1 mm, typically 100 μm) on the paraboloid in the mold in which the paraboloid is formed, The laminate of sheets and the mold were formed separately. The diameter of the graphite base layer was 20 mm.

なお、発熱層に電力パルスを印加するためのPt電極は、その一方を、発熱層における周縁部に環状(幅1mm)に配置し、他方を、発熱層における中央部に直径3mmの円形に配置した。作製した音波発生器300を図19に示す。図19における符号11が基層、符号16が発熱層、符号301が電極である。断熱層は、基層11と発熱層16により挟まれている。   One Pt electrode for applying a power pulse to the heat generating layer is arranged in a ring shape (width 1 mm) at the peripheral edge of the heat generating layer, and the other is arranged in a circle having a diameter of 3 mm at the center of the heat generating layer. did. The produced sound wave generator 300 is shown in FIG. In FIG. 19, reference numeral 11 is a base layer, reference numeral 16 is a heat generating layer, and reference numeral 301 is an electrode. The heat insulating layer is sandwiched between the base layer 11 and the heat generating layer 16.

次に、作製した音波発生器の出力特性を、実施例1と同様に、図14に示される計測システムを用いて評価した。集音マイクは、音波発生器における音波の発信面の中心軸上を、当該発信面から次第に離れるように移動させた。当該発信面と集音マイクとの距離が7mmのときに、最も大きい出力音圧が得られた。これは、当該発信面を放物面とすることによって、集音型の音波発生器が実現できたことを示している。   Next, the output characteristics of the produced sound wave generator were evaluated using the measurement system shown in FIG. The sound collecting microphone was moved on the central axis of the sound wave transmission surface of the sound wave generator so as to gradually move away from the transmission surface. When the distance between the transmission surface and the sound collecting microphone was 7 mm, the largest output sound pressure was obtained. This indicates that a sound collection type sound wave generator can be realized by using the transmitting surface as a paraboloid.

これに加えて、実施例1−1と同様に、矩形波の波形を有する電力パルスの印加によって、その変調に応じた周波数を有する、インパルス状の音波の発信が確認された。実施例4によれば、様々な音波の発信面の形状を有する音波発生器が十分に実現されることが確認された。   In addition, as in Example 1-1, transmission of impulse-like sound waves having a frequency corresponding to the modulation was confirmed by application of power pulses having a rectangular waveform. According to Example 4, it was confirmed that the sound wave generator which has the shape of the transmission surface of various sound waves was fully implement | achieved.

本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、上記説明ではなく添付したクレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。   The present invention can be applied to other embodiments without departing from the spirit and essential characteristics thereof. The embodiments disclosed in this specification are illustrative in all respects and are not limited thereto. The scope of the present invention is shown not by the above description but by the appended claims, and all modifications that fall within the meaning and scope equivalent to the claims are embraced therein.

本発明の音波発生器は、形状の自由度が高く、塗布膜の乾燥および熱処理によって形成し得るため、様々な電子デバイスに応用し得る。本発明の音波発生器は、例えば、立体物に直接設けられた音源(超音波音源)、スピーカ、アクチュエータなど、様々な用途に応用し得る。   Since the sound wave generator of the present invention has a high degree of freedom in shape and can be formed by drying and heat treatment of a coating film, it can be applied to various electronic devices. The sound wave generator of the present invention can be applied to various applications such as a sound source (ultrasonic sound source) provided directly on a three-dimensional object, a speaker, and an actuator.

Claims (15)

基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備え、
前記基層が、グラファイトまたはサファイヤにより構成され、
前記断熱層が、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成され
前記熱パルス源が、
前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面上に配置された、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス発生層を備える、音波発生器。
A base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source for applying a heat pulse to the heat insulating layer,
The base layer is composed of graphite or sapphire,
The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium ,
The heat pulse source is
Wherein the said base layer side surface of the heat-insulating layer disposed on the opposite surface, Ru with a heat pulse generation layer applying heat pulses to the heat-insulating layer, wave generator.
前記熱パルス発生層が、当該層に供給されるパルス電流またはパルス電圧によって熱パルスを発生する電熱層であり、
前記熱パルス源が、前記電熱層に前記パルス電流またはパルス電圧を供給する電力供給ラインをさらに備える請求項に記載の音波発生器。
The heat pulse generation layer is an electrothermal layer that generates a heat pulse by a pulse current or a pulse voltage supplied to the layer,
The sound wave generator according to claim 1 , wherein the heat pulse source further includes a power supply line for supplying the pulse current or pulse voltage to the electric heating layer.
前記熱パルス発生層が、炭素材料により構成される請求項に記載の音波発生器。The sound wave generator according to claim 1 , wherein the heat pulse generation layer is made of a carbon material. 基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備え、A base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source for applying a heat pulse to the heat insulating layer,
前記基層が、グラファイトまたはサファイヤにより構成され、The base layer is composed of graphite or sapphire,
前記断熱層が、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成され、The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium,
前記熱パルス源が、The heat pulse source is
レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面に、熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置を備える、音波発生器。A sound wave generator comprising a laser irradiation device or an infrared irradiation device for applying a heat pulse to a surface of the heat insulating layer opposite to the surface on the base layer side by irradiating a laser or infrared rays.
基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備え、A base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source for applying a heat pulse to the heat insulating layer,
前記基層が、サファイヤにより構成され、The base layer is composed of sapphire,
前記断熱層が、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成され、The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium,
前記熱パルス源が、The heat pulse source is
レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面から、前記基層を通して前記断熱層に熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置を備える、音波発生器。A sound wave generator comprising a laser irradiation device or an infrared irradiation device that applies a heat pulse to the heat insulating layer through the base layer from a surface of the heat insulating layer on the base layer side by irradiation with a laser or infrared rays.
前記断熱層における前記微粒子の粒度分布の中央値が、10nm〜0.5μmである請求項1、4または5に記載の音波発生器。6. The sound wave generator according to claim 1 , wherein the median value of the particle size distribution of the fine particles in the heat insulating layer is 10 nm to 0.5 μm. 請求項1、4または5に記載の音波発生器の製造方法であって、
グラファイトまたはサファイヤにより構成される基層上にシリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子が分散した溶液の塗布膜を形成し、前記形成された塗布膜を熱処理して、前記微粒子により構成される断熱層を前記基層上に形成する第1工程と、
前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源を設ける第2工程と、を含む、音波発生器の製造方法。
It is a manufacturing method of the sound wave generator according to claim 1 , 4 or 5 ,
A coating film of a solution in which crystalline fine particles containing silicon or germanium are dispersed is formed on a base layer made of graphite or sapphire, and the formed coating film is heat-treated to form a heat insulating layer made of the fine particles. A first step of forming on the base layer;
And a second step of providing a heat pulse source for applying a heat pulse to the heat insulation layer.
請求項1に記載の音波発生器の製造方法であって、
前記熱パルス発生層は、炭素材料により構成され、
グラファイトまたはサファイヤにより構成される基層上にシリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子が分散した溶液の塗布膜を形成し、前記形成された塗布膜を熱処理して、前記微粒子により構成される断熱層を前記基層上に形成する第1工程と、
前記第1工程において形成した前記断熱層における前記基層側とは反対側の面上に、熱処理によって炭素材料となる前駆体溶液の塗布膜を形成し、前記形成した塗布膜を熱処理して、前記熱パルス発生層を形成する第2工程と、を含む、音波発生器の製造方法。
It is a manufacturing method of the sound wave generator according to claim 1,
The heat pulse generation layer is made of a carbon material,
A coating film of a solution in which crystalline fine particles containing silicon or germanium are dispersed is formed on a base layer made of graphite or sapphire, and the formed coating film is heat-treated to form a heat insulating layer made of the fine particles. A first step of forming on the base layer;
On the surface of the heat insulating layer formed in the first step opposite to the base layer side, a coating film of a precursor solution to be a carbon material is formed by heat treatment, and the formed coating film is heat treated, And a second step of forming a heat pulse generation layer.
音波発生器を用いた音波発生方法であって、
前記音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備え、
前記基層が、グラファイトまたはサファイヤにより構成され、
前記断熱層が、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成され、
前記熱パルス源が、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面上に配置された、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス発生層を備え、
前記熱パルス源によって前記断熱層に熱パルスを印加して音波を発生させる工程を含む、音波発生方法。
A sound wave generation method using a sound wave generator,
The sound wave generator includes a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source that applies a heat pulse to the heat insulating layer,
The base layer is composed of graphite or sapphire,
The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium,
The heat pulse source includes a heat pulse generation layer that is disposed on a surface of the heat insulating layer opposite to the surface on the base layer side and that applies a heat pulse to the heat insulating layer.
A sound wave generation method including a step of generating a sound wave by applying a heat pulse to the heat insulating layer by the heat pulse source.
前記熱パルス発生層が、当該層に供給されるパルス電流またはパルス電圧によって熱パルスを発生する電熱層であり、
前記熱パルス源が、前記電熱層に前記パルス電流またはパルス電圧を供給する電力供給ラインをさらに備え、
前記工程が、前記電力供給ラインを介して前記電熱層に前記パルス電流またはパルス電圧を供給することで当該層において熱パルスを発生させ、発生した熱パルスを前記断熱層に印加して音波を発生させる工程である請求項9に記載の音波発生方法。
The heat pulse generation layer is an electrothermal layer that generates a heat pulse by a pulse current or a pulse voltage supplied to the layer,
The heat pulse source further comprises a power supply line for supplying the pulse current or pulse voltage to the electric heating layer,
The step generates a heat pulse in the layer by supplying the pulse current or pulse voltage to the electric heating layer through the power supply line, and generates a sound wave by applying the generated heat pulse to the heat insulating layer. The sound wave generating method according to claim 9, wherein the sound wave generating method is a step of causing the sound wave to occur.
音波発生器を用いた音波発生方法であって、A sound wave generation method using a sound wave generator,
前記音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備え、The sound wave generator includes a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source that applies a heat pulse to the heat insulating layer,
前記基層が、グラファイトまたはサファイヤにより構成され、The base layer is composed of graphite or sapphire,
前記断熱層が、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成され、The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium,
前記熱パルス源が、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面に、熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置を備え、The heat pulse source includes a laser irradiation device or an infrared irradiation device that applies a heat pulse to a surface opposite to the surface on the base layer side in the heat insulating layer by irradiating a laser or infrared rays,
前記熱パルス源によって前記断熱層に熱パルスを印加して音波を発生させる工程を含む、音波発生方法。A sound wave generation method including a step of generating a sound wave by applying a heat pulse to the heat insulating layer by the heat pulse source.
音波発生器を用いた音波発生方法であって、A sound wave generation method using a sound wave generator,
前記音波発生器は、基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス源と、を備え、The sound wave generator includes a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse source that applies a heat pulse to the heat insulating layer,
前記基層が、サファイヤにより構成され、The base layer is composed of sapphire,
前記断熱層が、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成され、The heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium,
前記熱パルス源が、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面から、前記基層を通して前記断熱層に熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置を備え、The heat pulse source includes a laser irradiation device or an infrared irradiation device that applies a heat pulse to the heat insulating layer through the base layer from a surface of the heat insulating layer on the base layer side by irradiating laser or infrared rays,
前記熱パルス源によって、前記基層を通して前記断熱層に熱パルスを印加して音波を発生させる工程を含む、音波発生方法。A sound wave generating method including a step of generating a sound wave by applying a heat pulse to the heat insulating layer through the base layer by the heat pulse source.
基層と、前記基層上に配置された断熱層と、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面上に配置された、前記断熱層に熱パルスを印加する熱パルス発生層と、を備え、A base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and a heat pulse generating layer for applying a heat pulse to the heat insulating layer, disposed on a surface of the heat insulating layer opposite to the surface on the base layer side, With
前記基層が、グラファイトまたはサファイヤにより構成され、The base layer is composed of graphite or sapphire,
前記断熱層が、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される、音波発生器。A sound wave generator, wherein the heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium.
基層と、前記基層上に配置された断熱層と、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面とは反対側の面に、熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置と、を備え、A laser irradiation device or an infrared ray for applying a heat pulse to a surface of the heat insulating layer opposite to the surface on the base layer side by irradiating a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and laser or infrared rays An irradiation device,
前記基層が、グラファイトまたはサファイヤにより構成され、The base layer is composed of graphite or sapphire,
前記断熱層が、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される、音波発生器。A sound wave generator, wherein the heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium.
基層と、前記基層上に配置された断熱層と、レーザーまたは赤外線を照射することによって、前記断熱層における前記基層側の面から、前記基層を通して前記断熱層に熱パルスを印加するレーザー照射装置または赤外線照射装置と、を備え、A laser irradiation apparatus for applying a heat pulse to the heat insulating layer through the base layer from a surface of the heat insulating layer on the base layer side by irradiating a base layer, a heat insulating layer disposed on the base layer, and laser or infrared rays; An infrared irradiation device,
前記基層が、サファイヤにより構成され、The base layer is composed of sapphire,
前記断熱層が、シリコンまたはゲルマニウムを含む結晶性の微粒子により構成される、音波発生器。A sound wave generator, wherein the heat insulating layer is composed of crystalline fine particles containing silicon or germanium.
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