JP4688458B2

JP4688458B2 - Insulating film forming material and film forming method using the same

Info

Publication number: JP4688458B2
Application number: JP2004269139A
Authority: JP
Inventors: 勇吉高松; 岳夫米山; 和昭十七里; 宜勝副島; 晃二桐山; 隆史石井
Original assignee: Japan Pionics Ltd
Current assignee: Japan Pionics Ltd
Priority date: 2003-10-30
Filing date: 2004-09-16
Publication date: 2011-05-25
Anticipated expiration: 2024-09-16
Also published as: JP2005314631A; TWI251840B; TW200519976A

Description

本発明は、各種基板の表面に、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、リチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜するための絶縁膜成膜用原料、及びそれを用いた成膜方法に関する。 The present invention provides a raw material for forming an insulating film for forming an insulating film containing lithium silicate on the surface of various substrates by a spin coater method, a mist deposition method, or a CVD method, and a film formation using the same. Regarding the method.

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に用いられる絶縁薄膜としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＰＳＧ（リン・シリコン・ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロン・リン・シリコン・ガラス）がある。また、近年これらの絶縁膜より耐熱性が優れているＬｉ₂ＳｉＯ₃（リチウムシリケート）が開発されている。（例えば、特開平８−４５７２３号公報、特開２００２−２６５８１７号公報）また、基板の表面にリチウムシリケート膜を成膜する方法として、特開平８−４５７２３号公報及び特開２００２−２６５８１７号公報は、Ｌｉ₂Ｏ及びＳｉＯ₂からなるリチウムシリケート水溶液を、基板にコーティングし乾燥させる方法を開示している。さらに、特表２０００−５０９１００号公報は、スパッタリング法によりリチウムを含む膜を成膜する方法を開示している。 Insulating thin films used for flat panel displays (FPD) such as liquid crystal displays (LCDs) include SiO ₂ , Si ₃ N ₄ , PSG (phosphorus silicon glass), and BPSG (boron phosphorus silicon glass). . In recent years, Li ₂ SiO ₃ (lithium silicate), which has better heat resistance than these insulating films, has been developed. (For example, JP-A-8-45723, JP-A-2002-265817) As methods for forming a lithium silicate film on the surface of a substrate, JP-A-8-45723 and JP-A-2002-265817. Discloses a method of coating a substrate with a lithium silicate aqueous solution composed of Li ₂ O and SiO ₂ and drying the substrate. Further, Japanese translations of PCT publication No. 2000-509100 discloses a method of forming a film containing lithium by a sputtering method.

その他、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、リチウムシリケート膜を成膜する方法も考えられるが、絶縁膜成膜用原料が上記のような水溶液ではゲル状であり、均一な状態で霧化、気化することができないという不都合があった。また、原料中の水を単に有機溶媒に替えても溶解度が小さく、均一に混合することができなかった。そのため、これらの方法で絶縁膜を成膜すると、かえってゾル−ゲル法あるいはスパッタリング法より低品質の絶縁膜となってしまうので、これらの方法によるリチウムシリケート膜の成膜は実施されていなかった。 In addition, a method of forming a lithium silicate film by a spin coater method, a mist deposition method, or a CVD method is also conceivable, but the insulating film forming raw material is gel-like in an aqueous solution as described above, and is in a uniform state. However, there was a problem that it could not be atomized and vaporized. Further, even if the water in the raw material was simply replaced with an organic solvent, the solubility was low and uniform mixing could not be achieved. For this reason, when an insulating film is formed by these methods, an insulating film having a lower quality than that of the sol-gel method or the sputtering method is used. Therefore, no lithium silicate film is formed by these methods.

特にＣＶＤ法により、固体原料をテトラヒドロフラン等の溶媒に溶解させた液体原料を、気化器に供給して気化する際には、上記のような原料が均一になり難いという問題点のほか、固体原料の気化温度と溶媒の気化温度が大きく相異するため、加熱により溶媒のみが気化して固体原料が析出しやすいという問題点があった。
特開平８−４５７２３号公報特開２０００−５０９１００号公報特開２００２−２６５８１７号公報 In particular, when the liquid raw material in which the solid raw material is dissolved in a solvent such as tetrahydrofuran is vaporized by supplying it to the vaporizer by the CVD method, in addition to the problems that the above raw materials are difficult to be uniform, the solid raw material Since the vaporization temperature of the solvent and the vaporization temperature of the solvent are greatly different from each other, there is a problem that only the solvent is vaporized by heating and the solid raw material is likely to be precipitated.
JP-A-8-45723 JP 2000-509100 A JP 2002-265817 A

このようにリチウムシリケート絶縁膜は、従来からスピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法では成膜が困難であると考えられているが、これらの方法による絶縁膜の成膜、特にＣＶＤ法による絶縁膜の成膜は、高品質、高純度のものが期待できる。
従って、本発明が解決しようとする課題は、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、各種基板の表面に、高品質、高純度のリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜するための絶縁膜成膜用原料、及びそれを用いた成膜方法を提供することである。 As described above, it has been conventionally considered that a lithium silicate insulating film is difficult to be formed by a spin coater method, a mist deposition method, or a CVD method. The insulating film can be formed with high quality and high purity.
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to form an insulating film containing high-quality, high-purity lithium silicate on the surface of various substrates by a spin coater method, a mist deposition method, or a CVD method. An insulating film forming raw material and a film forming method using the same are provided.

本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、リチウムのアルコキシド化合物またはリチウムのカルボン酸塩、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び有機溶媒は、容易に均一に混合できること、及び、これらの混合物を原料として使用することにより、気化の際に溶媒のみが気化し固体原料と溶媒が分離することを防止し得ること等を見出し本発明に到達した。 As a result of intensive studies to solve these problems, the present inventors have found that the lithium alkoxide compound or lithium carboxylate, tetramethoxysilane or tetraethoxysilane, and the organic solvent can be easily and uniformly mixed, and The inventors have found that by using these mixtures as raw materials, it is possible to prevent only the solvent from being vaporized and separate the solid raw material and the solvent during vaporization, and the present invention has been achieved.

すなわち本発明は、（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物と、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランと、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、及び炭化水素から選ばれる１種以上の（Ｃ）有機溶媒からなることを特徴とする絶縁膜成膜用原料である。また、本発明は、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び（Ｃ）有機溶媒からなり、原料全量に対するテトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランの含有量が、５〜７５ｗｔ％であることを特徴とする絶縁膜成膜用原料である。また、本発明は、前記の絶縁膜成膜用原料を用いて、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、基板の表面にリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜することを特徴とする成膜方法である。 That is, the present invention comprises (A) an alkoxide compound of lithium, (B) tetramethoxysilane or tetraethoxysilane , and one or more ( C ) organic solvent selected from ethers, ketones, esters, alcohols, and hydrocarbons. This is a raw material for forming an insulating film. Further, the present invention is, (A ') carboxylates of lithium, (B) tetramethoxysilane or tetraethoxysilane, and (C) Ri Do from an organic solvent, the content of tetramethoxysilane or tetraethoxysilane on the starting material the total amount There is an insulating film deposition raw material, characterized in 5～75Wt% der Rukoto. Further, the present invention is characterized in that an insulating film containing lithium silicate is formed on the surface of a substrate by a spin coater method, a mist deposition method, or a CVD method using the above-mentioned raw material for forming an insulating film. This is a film forming method.

本発明により、従来から均一にすることができなかったリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜するための原料を、均一に調製することができるようになった。その結果、これらの原料を用いて、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、均一に基板の表面に前記の膜を成膜することが可能となり、高品質、高純度の絶縁膜が得られるようになった。 According to the present invention, it has become possible to uniformly prepare a raw material for forming an insulating film containing lithium silicate, which could not be made uniform conventionally. As a result, it becomes possible to form the above-mentioned film uniformly on the surface of the substrate using these raw materials by a spin coater method, a mist deposition method, or a CVD method, and a high-quality, high-purity insulating film. Can now be obtained.

本発明は、各種基板の表面に、リチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜するための絶縁膜成膜用原料、及びその原料を用いて各種基板の表面に絶縁膜を成膜する方法に適用される。本発明の絶縁膜成膜用原料においては、リチウム源として（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物または（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩が用いられる。また、ケイ素源として（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランが用いられる。さらに、原料を均一な液体とするために、前記の原料に、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、炭化水素等の（Ｃ）有機溶媒が添加される。 The present invention is applied to an insulating film forming raw material for forming an insulating film containing lithium silicate on the surface of various substrates, and a method for forming an insulating film on the surface of various substrates using the raw material. The In the raw material for forming an insulating film of the present invention, (A) lithium alkoxide compound or (A ′) lithium carboxylate is used as a lithium source. Further, ( B ) tetramethoxysilane or tetraethoxysilane is used as the silicon source. Furthermore, in order to make the raw material a uniform liquid, an ( C 3 ) organic solvent such as ether, ketone, ester, alcohol, or hydrocarbon is added to the raw material.

本発明において用いられる（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物としては、メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウム、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウム等を例示することができる。また、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩としては、蟻酸リチウム、酢酸リチウム、プロピオン酸リチウム等を例示することができる。また、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、炭化水素等の（Ｃ）有機溶媒は、通常は４０℃〜１８０℃の沸点を有するものであり、これらのうち１種を用いてもよく、また２種以上を用いることも可能である。 Examples of the alkoxide compound of lithium (A) used in the present invention include methoxylithium, ethoxylithium, n-propoxylithium, iso-propoxylithium, n-butoxylithium, iso-butoxylithium, sec-butoxylithium, tert-butoxylithium. Etc. can be illustrated. Examples of (A ′) lithium carboxylate include lithium formate, lithium acetate, and lithium propionate. Moreover, ( C ) organic solvents, such as ether, a ketone, ester, alcohol, a hydrocarbon, have a boiling point of 40 to 180 degreeC normally, and 1 type may be used among these and 2 types are also used. The above can also be used.

尚、前記のエーテルとしては、プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等を、ケトンとしては、アセトン、エチルメチルケトン、iso-プロピルメチルケトン、iso-ブチルメチルケトン等を、エステルとしては、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸プロピル、酪酸メチル、酪酸エチル等を、アルコールとしては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等を、炭化水素としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等を例示することができる。 The ethers include propyl ether, methyl butyl ether, ethyl propyl ether, ethyl butyl ether, trimethylene oxide, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, etc., and ketones include acetone, ethyl methyl ketone, iso-propyl methyl ketone, iso-butyl. Examples of esters include methyl ketone, ethyl formate, propyl formate, isobutyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, methyl propionate, propyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, etc. Examples of the hydrocarbon include methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, and butyl alcohol. Examples of the hydrocarbon include hexane, heptane, and octane.

本発明の（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物（リチウム源）、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン（ケイ素源）、及び（Ｃ）有機溶媒からなる絶縁膜成膜用原料において、全量に対するリチウム源の含有量は、通常は５〜８０ｗｔ％、好ましくは２０〜８０ｗｔ％であり、原料全量に対するケイ素源の含有量は、通常は５〜７５ｗｔ％、好ましくは２０〜７５ｗｔ％である。また、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩（リチウム源）、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン（ケイ素源）、及び（Ｃ）有機溶媒からなる絶縁膜成膜用原料において、全量に対するリチウム源の含有量は、通常は１〜５０ｗｔ％、好ましくは２〜３０ｗｔ％であり、原料全量に対するケイ素源の含有量は、５〜７５ｗｔ％、好ましくは２０〜７５ｗｔ％である。 (A) Lithium alkoxide compound (lithium source), ( B ) tetramethoxysilane or tetraethoxysilane (silicon source), and ( C ) a raw material for forming an insulating film comprising an organic solvent. The content of is usually 5 to 80 wt%, preferably 20 to 80 wt%, and the content of the silicon source relative to the total amount of the raw material is usually 5 to 75 wt%, preferably 20 to 75 wt%. (A ′) Lithium carboxylate (lithium source), ( B ) Tetramethoxysilane or tetraethoxysilane (silicon source), and ( C ) Lithium with respect to the total amount in the raw material for forming an insulating film The content of the source is usually 1 to 50 wt%, preferably 2 to 30 wt%, and the content of the silicon source relative to the total amount of the raw material is 5 to 75 wt%, preferably 20 to 75 wt%.

これらを調製する方法については特に制限されることはなく、例えば、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び（Ｃ）有機溶媒からなる原料の調製においては、これらのリチウム源、シラン源、有機溶媒のうち、いずれか２成分を混合した後、残りの１成分を添加、混合して原料を調製するか、あるいは全成分を同時に混合して調製することができる。しかし、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランは水分によって分解しやすいので、予めこれら以外の成分を混合した後、最後にテトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランを混合することが好ましい。 The method for preparing these is not particularly limited. For example, in the preparation of a raw material comprising (A ′) a lithium carboxylate, ( B ) tetramethoxysilane or tetraethoxysilane, and ( C ) an organic solvent. Is prepared by mixing any two of these lithium source, silane source and organic solvent and then adding and mixing the remaining one component to prepare the raw material, or by mixing all the components simultaneously. be able to. However, since tetramethoxysilane and tetraethoxysilane are easily decomposed by moisture, it is preferable to mix components other than these in advance, and finally mix tetramethoxysilane or tetraethoxysilane.

このように調製された原料は均一であり、室温または室温近辺の温度（０〜４０℃）、常圧または常圧近辺の圧力（８０〜１２０ｋＰａ）、不活性ガスの雰囲気下で安定である。
また、本発明においては、さらに界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤を添加する場合は、全液量に対して、通常は５ｗｔ％以下、好ましくは１ｗｔ％以下となるように添加される。 The raw material thus prepared is uniform, and is stable at room temperature or near room temperature (0 to 40 ° C.), at or near normal pressure (80 to 120 kPa), and in an inert gas atmosphere.
In the present invention, a surfactant may be further added. In the case of adding a surfactant, it is usually added to 5 wt% or less, preferably 1 wt% or less with respect to the total liquid amount.

また、本発明の絶縁膜成膜用原料は、実質的に前述のような成分からなる原料であり、リチウム源としてリチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸塩以外の原料が少量含まれている場合、あるいはケイ素源としてテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン以外の原料が少量含まれている場合であっても、混合後の均一性に大きな悪影響を及ぼさなければ、本発明の絶縁膜成膜用原料の範囲内である。さらに、原料の均一性、絶縁膜の品質に悪影響を及ぼさないその他の成分が少量含まれている場合であっても、本発明の絶縁膜成膜用原料の範囲内である。例えば、絶縁膜成膜用原料に、ドーパントとしてＰ₂Ｏ₅、ＰＯ（ＯＣＨ₃）₃を適宜の添加量で添加することも可能である。 In addition, the raw material for forming an insulating film of the present invention is a raw material substantially composed of the above-described components, and a small amount of raw materials other than lithium alkoxide compounds and lithium carboxylates are contained as a lithium source. Alternatively, even if a small amount of raw materials other than tetramethoxysilane and tetraethoxysilane are contained as a silicon source, the material for insulating film formation of the present invention can be used as long as the uniformity after mixing is not adversely affected. Within range. Furthermore, even when a small amount of other components that do not adversely affect the uniformity of the raw material and the quality of the insulating film is included, it is within the range of the raw material for forming the insulating film of the present invention. For example, P ₂ O ₅ and PO (OCH ₃ ) ₃ as dopants can be added to the raw material for forming the insulating film in appropriate addition amounts.

本発明の成膜方法は、以上のように調製された絶縁膜成膜用原料を用いて、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、シリコン基板、セラミックス基板、ガラス基板、金属基板、合金基板等の基板の表面にリチウムを含む絶縁膜またはリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜する方法である。 The film forming method of the present invention uses a silicon substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, and a metal substrate by using the insulating film forming raw material prepared as described above by a spin coater method, a mist deposition method, or a CVD method. In this method, an insulating film containing lithium or an insulating film containing lithium silicate is formed on the surface of a substrate such as an alloy substrate.

図１はスピンコーター法により絶縁膜を成膜するための装置、図２はミストデポジション法により絶縁膜を成膜するための装置、図３〜図５はＣＶＤ法により絶縁膜を成膜するための装置の例を示す構成図であるが、本発明を実施するための装置がこれらに限定されるものではない。
図１及び図２において、不活性ガス供給ライン１から供給される不活性ガスの圧力により、原料容器３中の絶縁膜製膜用原料２がスピンコーター７またはミストデポジション装置８へ送られる。 1 shows an apparatus for forming an insulating film by a spin coater method, FIG. 2 shows an apparatus for forming an insulating film by a mist deposition method, and FIGS. 3 to 5 show an insulating film by a CVD method. However, the apparatus for carrying out the present invention is not limited to these.
1 and 2, the insulating film forming raw material 2 in the raw material container 3 is sent to the spin coater 7 or the mist deposition apparatus 8 by the pressure of the inert gas supplied from the inert gas supply line 1.

スピンコーター法による成膜においては、図１に示すように、通常はスピンコーター７には高速で回転する回転円盤１４及びヒーターが設置される。絶縁膜の成膜の際には、スピンコーター内を所定の温度、圧力に設定した後、回転円盤及び回転円盤の上に設置された基板１３が高速で回転するとともに、原料容器３から不活性ガスの圧力により、絶縁膜成膜用原料が基板の中心部に滴下される。その際、本発明の均一性に優れた原料が、遠心力により基板上の外周方向に向かって均一に広げられるので、その後、これを１５０〜８００℃程度で熱処理することにより、基板上に高品質、高純度の絶縁膜が得られる。 In the film formation by the spin coater method, as shown in FIG. 1, the spin coater 7 is usually provided with a rotating disk 14 and a heater that rotate at high speed. When forming the insulating film, after setting the inside of the spin coater to a predetermined temperature and pressure, the rotating disk and the substrate 13 installed on the rotating disk rotate at a high speed and are inactive from the raw material container 3. Due to the pressure of the gas, the insulating film forming raw material is dropped onto the center of the substrate. At that time, since the raw material excellent in uniformity of the present invention is uniformly spread toward the outer peripheral direction on the substrate by centrifugal force, it is heated on the substrate at about 150 to 800 ° C. Quality and high-purity insulating film can be obtained.

ミストデポジション法による成膜においては、図２に示すように、通常はミストデポジション装置８には、原料をミスト状にして基板に供給するシャワーヘッド１５、サセプター１６、及びヒーターが設置される。絶縁膜の成膜の際には、ミストデポジション装置８内を所定の温度、圧力に設定した後、原料容器３から不活性ガスの圧力により、絶縁膜成膜用原料がシャワーヘッド１５に供給される。その際、本発明の均一性に優れた原料を、均一に霧化することができるので、その後、基板を１５０〜８００℃程度で熱処理することにより、基板上に高品質、高純度の絶縁膜が得られる。 In the film formation by the mist deposition method, as shown in FIG. 2, the mist deposition apparatus 8 is usually provided with a shower head 15, a susceptor 16, and a heater for supplying the raw material to the substrate in a mist form. . When forming the insulating film, the inside of the mist deposition apparatus 8 is set to a predetermined temperature and pressure, and then the raw material for forming the insulating film is supplied from the raw material container 3 to the shower head 15 by the pressure of the inert gas. Is done. In that case, since the raw material excellent in uniformity of the present invention can be atomized uniformly, a high-quality, high-purity insulating film is then formed on the substrate by heat-treating the substrate at about 150 to 800 ° C. Is obtained.

ＣＶＤ法による成膜においては、図３〜図５に示すように、通常は液体マスフローコントローラー等の液体流量制御器５、気化器９、ＣＶＤ装置１０が設置されるほか、必要に応じて脱ガス器４が設けられる。気化器９にはさらに、気体流量制御器１１、キャリアガス供給ライン１２を接続し、断熱材６を設ける。また、ＣＶＤ装置１０にはさらに、ガス予熱器１７、酸素供給ライン１８を接続する。絶縁膜の成膜の際には、気化器内、ＣＶＤ装置を所定の温度、圧力に設定した後、原料容器３から不活性ガスの圧力により、絶縁膜成膜用原料２が気化器９に供給されて気化され、さらにＣＶＤ装置１０に供給される。その際、本発明の均一性に優れた原料を、均一に気化することができるので、基板上に高品質、高純度の絶縁膜が得られる。 In the film formation by the CVD method, as shown in FIGS. 3 to 5, a liquid flow rate controller 5 such as a liquid mass flow controller, a vaporizer 9, and a CVD apparatus 10 are usually installed, and degassing is performed as necessary. A vessel 4 is provided. The vaporizer 9 is further connected to a gas flow rate controller 11 and a carrier gas supply line 12, and a heat insulating material 6 is provided. Further, a gas preheater 17 and an oxygen supply line 18 are connected to the CVD apparatus 10. When forming the insulating film, after setting the inside of the vaporizer and the CVD apparatus to a predetermined temperature and pressure, the raw material 2 for insulating film formation enters the vaporizer 9 by the pressure of the inert gas from the raw material container 3. It is supplied and vaporized, and further supplied to the CVD apparatus 10. In that case, since the raw material excellent in uniformity of the present invention can be vaporized uniformly, a high-quality, high-purity insulating film can be obtained on the substrate.

また、ＣＶＤ法による成膜においては、通常は、気化された原料を含むガスがＣＶＤ装置に供給される前、またはＣＶＤ装置に供給された後すぐに、酸素、オゾン、及び水蒸気から選ばれる１種以上のガス、またはこれらを含むガスが添加される。 In the film formation by the CVD method, it is usually selected from oxygen, ozone, and water vapor before the gas containing the vaporized raw material is supplied to the CVD apparatus or immediately after it is supplied to the CVD apparatus. More than seed gases or gases containing them are added.

尚、本発明において使用される気化器９としては、特に制限されることはないが、例えば、図６に示すように、原料供給部２１の内部が、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂等の耐腐食性合成樹脂２４で構成される気化器、気化室２０ヘ液体原料を噴出して気化させるための噴出管２５が、液体原料を噴出する内管とキャリアガスを噴出する外管からなる二重構造の噴出管である気化器、あるいは、ＣＶＤ原料供給部の側面部に冷却水を流す手段２６を有する気化器等を挙げることができる。また、本発明においては、１種類の液体原料を気化する気化器のほか、２種類以上の液体原料を同時に気化する気化器を使用することができる。 The vaporizer 9 used in the present invention is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 6, the inside of the raw material supply unit 21 is resistant to fluorine resin, polyimide resin, or the like. A vaporizer composed of a corrosive synthetic resin 24, and a jet pipe 25 for jetting and vaporizing a liquid raw material into the vaporizing chamber 20 are a double pipe comprising an inner pipe for jetting the liquid raw material and an outer pipe for jetting a carrier gas. A vaporizer which is an ejection pipe having a structure, a vaporizer having a means 26 for flowing cooling water to a side surface portion of a CVD raw material supply unit, and the like can be exemplified. Moreover, in this invention, the vaporizer which vaporizes two or more types of liquid raw materials simultaneously other than the vaporizer which vaporizes one type of liquid raw material can be used.

次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。 EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited by these.

（絶縁膜成膜用原料の調製）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、容器に、リチウムのアルコキシド化合物としてｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを３０ｇ、テトラエトキシシランを３０ｇ投入し、これに有機溶媒として、オクタンを４０ｇ添加してｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを溶解し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して絶縁膜成膜用原料を調製した。 (Preparation of raw material for insulating film formation)
Nitrogen was supplied from an inert gas supply line to a stainless steel (SUS316) container having an inner diameter of 8 cm and a height of 10 cm to make the interior of the container a nitrogen atmosphere. Next, 30 g of tert-butoxylithium as a lithium alkoxide compound and 30 g of tetraethoxysilane are added to a container, and 40 g of octane is added as an organic solvent to dissolve tert-butoxylithium at 25 ° C. The mixed solution was stirred under normal pressure to prepare an insulating film forming raw material.

（絶縁膜成膜用原料の均一性調査）
前記のような条件下を維持しながら、混合してから、０．５時間後、２時間後、１０時間後、２４時間後、１００時間後に、絶縁膜成膜用原料をサンプリングして、均一に混合されているか否か調査した。その結果を表１に示す。 (Investigation of uniformity of raw materials for insulating film deposition)
While maintaining the conditions as described above, after mixing for 0.5 hour, 2 hours, 10 hours, 24 hours, and 100 hours, the insulating film forming raw material was sampled uniformly. It was investigated whether it was mixed. The results are shown in Table 1.

（実施例２、３）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムの含有率を変えたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。 (Examples 2 and 3 )
In the preparation of insulating film formation film raw material of Example 1, tert-butoxy addition to changing the content of lithium was prepared an insulating film for film formation raw material in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results of examining the uniformity of these insulating film forming raw materials in the same manner as in Example 1.

（実施例４、５）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、テトラエトキシシランの含有率を変えたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。 (Examples 4 and 5 )
In the preparation of insulating film formation film raw material of Example 1, except that changing the content of tetraethoxysilane was prepared an insulating film for film formation raw material in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results of examining the uniformity of these insulating film forming raw materials in the same manner as in Example 1.

（実施例６〜１２）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムの替わりに、各々メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウムを用いたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。この絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。 (Examples 6 to 12 )
In the preparation of the raw material for forming the insulating film of Example 1 , instead of tert-butoxylithium, methoxylithium, ethoxylithium, n-propoxylithium, iso-propoxylithium, n-butoxylithium, iso-butoxylithium, sec A raw material for forming an insulating film was prepared in the same manner as in Example 1 except that butoxylithium was used. Table 1 shows the results of investigation on the uniformity of the insulating film forming raw material in the same manner as in Example 1.

（実施例１３）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、テトラエトキシシランの替わりに、テトラメトキシシランを用いたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。この絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。 (Example 13 )
In the preparation of the insulating film film forming material of Example 1, an insulating film film forming material was prepared in the same manner as in Example 1 except that tetramethoxysilane was used instead of tetraethoxysilane. Table 1 shows the results of investigation on the uniformity of the insulating film forming raw material in the same manner as in Example 1.

（実施例１４〜１６）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、オクタンの替わりに、各々アセトン、酢酸エチル、エチルアルコールを用いたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。 (Examples 14 to 16 )
In the preparation of the insulating film forming material of Example 1, an insulating film forming material was prepared in the same manner as in Example 1 except that acetone, ethyl acetate, and ethyl alcohol were used instead of octane. Table 1 shows the results of examining the uniformity of these insulating film forming raw materials in the same manner as in Example 1.

（実施例１〜１６の結果）
表１の時間の経過による均一性から明らかなように、本発明の（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び（Ｃ）有機溶媒からなる絶縁膜成膜用原料において、２４時間以上で絶縁膜成膜用原料の調製は、一部やや不均一ながらも実用的であった。 (Results of Examples 1 to 16 )
As is clear from the uniformity over time in Table 1, for the formation of an insulating film comprising (A) an alkoxide compound of lithium of the present invention, ( B ) tetramethoxysilane or tetraethoxysilane, and ( C ) an organic solvent. In the raw material, the preparation of the raw material for forming the insulating film in 24 hours or more was practical although it was partially non-uniform.

（実施例１７）
（気化器の製作）
内部がフッ素系合成樹脂（ＰＦＡ）で構成され、気化器外部との接触部がステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）で構成される原料供給部２１を製作した。フッ素系合成樹脂の構成部２４は、外径１６ｍｍ、高さ３４．２ｍｍの円柱状であり、その外側のステンレス鋼の厚みは２．０ｍｍである。また、先端が二重構造であり、内管が原料の流路、外管がキャリアガスの流路である噴出管２５を２個設けた。また、原料供給部の側面には、冷却水を流してＣＶＤ原料供給部を冷却することができる冷却管２６を設けた。 (Example 17 )
(Production of vaporizer)
A raw material supply unit 21 was manufactured in which the inside was composed of a fluorine-based synthetic resin (PFA) and the contact portion with the outside of the vaporizer was composed of stainless steel (SUS316). The component 24 of the fluorine-based synthetic resin has a cylindrical shape with an outer diameter of 16 mm and a height of 34.2 mm, and the thickness of the outer stainless steel is 2.0 mm. In addition, two ejection pipes 25 having a double-ended tip, an inner pipe as a raw material flow path, and an outer pipe as a carrier gas flow path are provided. Further, a cooling pipe 26 capable of cooling the CVD raw material supply unit by flowing cooling water was provided on the side surface of the raw material supply unit.

前記の原料供給部２１のほか、気化ガス排出口２２、ヒーター２３を有する図６に示すようなステンレス製（ＳＵＳ３１６）の気化器９を製作した。（但し、気化室への噴出管２５を２個有する。）尚、気化室２０は、内径が６５ｍｍ、高さが９２．５ｍｍの円柱状で、底部の突起は高さ２７．５ｍｍであり、また底部から１５ｍｍの高さには気化ガス排出口２２を設けた。 A vaporizer 9 made of stainless steel (SUS316) having a vaporized gas discharge port 22 and a heater 23 in addition to the raw material supply unit 21 as shown in FIG. (However, it has two ejection pipes 25 to the vaporizing chamber.) The vaporizing chamber 20 is a cylindrical shape having an inner diameter of 65 mm and a height of 92.5 mm, and the bottom projection has a height of 27.5 mm. A vaporized gas discharge port 22 was provided at a height of 15 mm from the bottom.

（気化供給装置の製作）
前記の気化器９を、脱ガス器４、液体マスフローコントローラー５、キャリアガス供給ライン１２、酸素供給ライン１８、ガス予熱器１７、気体流量制御器１１、ＣＶＤ装置１０等と接続し、断熱材６を設けて、図３に示すような気化供給装置を製作した。尚、酸素供給ライン１８は、反応器の直前で酸素が添加されるように設定した。次に、実施例１の絶縁膜成膜用原料が充填された原料容器を接続した。 (Production of vaporization supply device)
The vaporizer 9 is connected to the degasser 4, the liquid mass flow controller 5, the carrier gas supply line 12, the oxygen supply line 18, the gas preheater 17, the gas flow rate controller 11, the CVD apparatus 10, etc. The vaporization supply apparatus as shown in FIG. 3 was manufactured. The oxygen supply line 18 was set so that oxygen was added immediately before the reactor. Next, the raw material container filled with the insulating film forming raw material of Example 1 was connected.

（リチウムシリケート膜の製作）
実施例１の絶縁膜成膜用原料を用い、前記の気化供給装置を使用して、ＣＶＤ法により、直径５０ｍｍの鉄−ニッケル合金基板上に、リチウムシリケートを主成分とする絶縁膜を以下のようにして成膜した。気化供給装置内、ＣＶＤ装置内に窒素ガスを供給した後、気化器内を１６０℃、常圧にするとともに、ＣＶＤ装置内を６８０℃、常圧に保持した。次に、実施例１の絶縁膜成膜用原料を、液体マスフローコントローラーを用いて、１．９ｇ／ｍｉｎで気化器に供給するとともに、キャリアガス供給ラインから１５０℃に加熱された窒素を、５０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で気化器に供給して、原料を気化させＣＶＤ装置に供給した。また、ＣＶＤ装置の直前で１６０℃に加熱された酸素を２０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で添加した。 (Production of lithium silicate film)
An insulating film mainly composed of lithium silicate is formed on an iron-nickel alloy substrate having a diameter of 50 mm by the CVD method using the above-described vaporization supply apparatus using the raw material for forming an insulating film of Example 1. In this way, a film was formed. After supplying nitrogen gas into the vaporization supply apparatus and the CVD apparatus, the vaporizer was set at 160 ° C. and normal pressure, and the CVD apparatus was held at 680 ° C. and normal pressure. Next, the insulating film forming raw material of Example 1 is supplied to the vaporizer at 1.9 g / min using a liquid mass flow controller, and nitrogen heated to 150 ° C. from the carrier gas supply line is supplied to 5000 ml. The raw material was vaporized at a flow rate of / min and supplied to the CVD apparatus. Further, oxygen heated to 160 ° C. was added just before the CVD apparatus at a flow rate of 2000 ml / min.

（リチウムシリケート膜の評価）
このようにして得られた絶縁膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は０．２８μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする絶縁膜が得られていることが確認された。 (Evaluation of lithium silicate film)
As a result of analyzing the insulating film thus obtained with an atomic force microscope, the film thickness was 0.28 μm, and it was confirmed that an insulating film mainly composed of high purity and uniform lithium silicate was obtained. confirmed.

（実施例１８）
（絶縁膜成膜用原料の調製）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、容器に、リチウムのカルボン酸塩として酢酸リチウムを１０ｇ投入し、これに有機溶媒としてメチルアルコールを８６ｇ、アセトンを４ｇ添加して酢酸リチウムを溶解した。さらにテトラエトキシケイ素を１００ｇ添加し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌した。（酢酸リチウム：５ｗｔ％、テトラエトキシケイ素：５０ｗｔ％、有機溶媒４５ｗｔ％） (Example 18 )
(Preparation of raw material for insulating film formation)
Nitrogen was supplied from an inert gas supply line to a stainless steel (SUS316) container having an inner diameter of 8 cm and a height of 10 cm to make the interior of the container a nitrogen atmosphere. Next, 10 g of lithium acetate as a lithium carboxylate was added to the container, and 86 g of methyl alcohol and 4 g of acetone were added thereto as an organic solvent to dissolve the lithium acetate. Further, 100 g of tetraethoxysilicon was added, and the mixture was stirred at 25 ° C. and normal pressure. (Lithium acetate: 5 wt%, tetraethoxy silicon: 50 wt%, organic solvent 45 wt%)

（絶縁膜成膜用原料の均一性調査）
前記のような熟成条件を維持しながら、各成分を混合してから、０．５時間後、２時間後、１０時間後、２４時間後、１００時間後に、絶縁膜成膜用原料をサンプリングして、均一に混合されているか否か調査した。その結果を表２に示す。 (Investigation of uniformity of raw materials for insulating film deposition)
The raw materials for insulating film formation were sampled after mixing the respective components while maintaining the aging conditions as described above, 0.5 hours later, 2 hours later, 10 hours later, 24 hours later, and 100 hours later. Then, it was investigated whether or not the mixture was uniformly mixed. The results are shown in Table 2.

（実施例１９〜２２）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料の調製において、各成分の含有率を変えたほかは実施例１８と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の熟成時間による均一性について、実施例１８と同様に調査した結果を表２に示す。 (Examples 19 to 22 )
In the preparation of insulating film formation film raw material of Example 18, except that changing the content of each component were prepared insulating film formation film raw material in the same manner as in Example 18. Table 2 shows the results of examining the uniformity of these insulating film forming raw materials according to the aging time in the same manner as in Example 18 .

（実施例２３〜２５）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料の調製において、アセトンの替わりに、各々テトラヒドロフラン、酢酸ブチル、オクタンを用いたほかは実施例１８と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の熟成時間による均一性について、実施例１８と同様に調査した結果を表２に示す。 (Examples 23 to 25 )
In the preparation of insulating film formation film raw material of Example 18, instead of acetone, respectively tetrahydrofuran, butyl acetate, but using octane was prepared an insulating film for film formation raw material in the same manner as in Example 18. Table 2 shows the results of examining the uniformity of these insulating film forming raw materials according to the aging time in the same manner as in Example 18 .

（実施例２６）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料の調製において、メチルアルコールの替わりに、エチルアルコールを用いたほかは実施例１８と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。この絶縁膜成膜用原料の熟成時間による均一性について、実施例１８と同様に調査した結果を表２に示す。 (Example 26 )
In the preparation of insulating film formation film raw material of Example 18, in place of methyl alcohol, except that ethyl alcohol was used to prepare an insulating film for film formation raw material in the same manner as in Example 18. Table 2 shows the results obtained by examining the uniformity of the raw material for forming the insulating film according to the aging time in the same manner as in Example 18 .

（実施例１８〜２６の結果）
表２の時間の経過による均一性から明らかなように、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び（Ｃ）有機溶媒からなる絶縁膜成膜用原料において、１０時間以上で絶縁膜成膜用原料の調製は、一部やや不均一ながらも実用的であった。 (Results of Examples 18 to 26 )
As is apparent from the uniformity over time in Table 2, the raw material for forming an insulating film comprising (A ′) a lithium carboxylate, ( B ) tetramethoxysilane or tetraethoxysilane, and ( C ) an organic solvent However, the preparation of the raw material for forming the insulating film in 10 hours or more was practical although it was partially non-uniform.

（実施例２７）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料（熟成時間：２時間）を用い、図１の装置を使用して、スピンコーター法により、直径５０ｍｍの鉄−ニッケル合金基板上に、リチウムシリケートを主成分とする絶縁膜を成膜した。絶縁膜の成膜の際には、スピンコーター内を室温（２５℃）、常圧に保持し、基板を５０００ｒｐｍで回転するとともに、絶縁膜成膜用原料を２ｇ／ｍｉｎの流量で基板の中心部に滴下、塗布し、その後、基板を取出して６８０℃で３０分間熱処理した。
このようにして得られた絶縁膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は０．３μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする絶縁膜が得られていることが確認された。 (Example 27 )
Using the raw material for film formation of the insulating film of Example 18 (ripening time: 2 hours) and using the apparatus of FIG. 1, the main component is lithium silicate on an iron-nickel alloy substrate having a diameter of 50 mm by the spin coater method. An insulating film was formed. When forming the insulating film, the inside of the spin coater is kept at room temperature (25 ° C.) and normal pressure, the substrate is rotated at 5000 rpm, and the insulating film forming raw material is flown at the center of the substrate at a flow rate of 2 g / min. The substrate was taken out and applied, and then the substrate was taken out and heat-treated at 680 ° C. for 30 minutes.
As a result of analyzing the insulating film thus obtained with an atomic force microscope, the film thickness was 0.3 μm, and it was confirmed that an insulating film mainly composed of high purity and uniform lithium silicate was obtained. confirmed.

（実施例２８）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料（熟成時間：２時間）を用い、図２の装置を使用して、ミストデポジション法により、直径５０ｍｍの鉄−ニッケル合金基板上に、リチウムシリケートを主成分とする絶縁膜を成膜した。絶縁膜の成膜の際には、ミストデポジション装置内を室温（２５℃）、常圧に保持するとともに、絶縁膜成膜用原料を２ｇ／ｍｉｎの流量でシャワーヘッドに供給して、基板に塗布し、その後、基板を取出して６８０℃で３０分間熱処理した。
このようにして得られた絶縁膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は０．５μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする絶縁膜が得られていることが確認された。 (Example 28 )
Mainly lithium silicate was formed on an iron-nickel alloy substrate having a diameter of 50 mm by the mist deposition method using the apparatus of FIG. 2 using the raw material for insulating film formation of Example 18 (ripening time: 2 hours). An insulating film as a component was formed. When forming the insulating film, the inside of the mist deposition apparatus is kept at room temperature (25 ° C.) and normal pressure, and the insulating film forming raw material is supplied to the shower head at a flow rate of 2 g / min. Then, the substrate was taken out and heat-treated at 680 ° C. for 30 minutes.
As a result of analyzing the insulating film thus obtained with an atomic force microscope, the film thickness was 0.5 μm, and it was confirmed that an insulating film mainly composed of high purity and uniform lithium silicate was obtained. confirmed.

（比較例１）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムの替わりに、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）を用いたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。この絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表３に示す。 (Comparative Example 1 )
In the preparation of the insulating film film forming material of Example 1, an insulating film film forming material was prepared in the same manner as in Example 1 except that lithium oxide (Li ₂ O) was used instead of tert-butoxylithium. . Table 3 shows the results of investigation on the uniformity of the insulating film forming raw material in the same manner as in Example 1.

（比較例１の結果）
表３の時間の経過による均一性から明らかなように、比較例１において、１００時間以上で絶縁膜成膜用原料の調製は不均一で実用的でなかった。 (Results of Comparative Example 1)
As is apparent from the uniformity over time in Table 3, in Comparative Example 1, the preparation of the insulating film forming raw material was non-uniform and impractical in 100 hours or more.

本発明の成膜方法を、スピンコーター法により実施するための装置の一例を示す構成図The block diagram which shows an example of the apparatus for enforcing the film-forming method of this invention by a spin coater method 本発明の成膜方法を、ミストデポジション法により実施するための装置の一例を示す構成図The block diagram which shows an example of the apparatus for enforcing the film-forming method of this invention by the mist deposition method 本発明の成膜方法を、ＣＶＤ法により実施するための装置の一例を示す構成図The block diagram which shows an example of the apparatus for enforcing the film-forming method of this invention by CVD method 本発明の成膜方法を、ＣＶＤ法により実施するための装置の図３以外の一例を示す構成図The block diagram which shows an example other than FIG. 3 of the apparatus for enforcing the film-forming method of this invention by CVD method 本発明の成膜方法を、ＣＶＤ法により実施するための装置の図３、図４以外の一例を示す構成図The block diagram which shows an example other than FIG. 3, FIG. 4 of the apparatus for enforcing the film-forming method of this invention by CVD method 本発明のＣＶＤ法による成膜方法に用いられる気化器の一例を示す構成図The block diagram which shows an example of the vaporizer | carburetor used for the film-forming method by CVD method of this invention

１不活性ガス供給ライン
２絶縁膜成膜用原料
３原料容器
４脱ガス器
５液体流量制御器
６断熱材
７スピンコーター
８ミストデポジション装置
９気化器
１０ＣＶＤ装置
１１気体流量制御器
１２キャリアガス供給ライン
１３基板
１４回転円盤
１５シャワ−ヘッド
１６サセプター
１７ガス予熱器
１８酸素、オゾン、水蒸気供給ライン
１９ガス混合器
２０気化室
２１原料供給部
２２気化ガス排出口
２３ヒーター
２４合成樹脂構成部
２５二重構造の噴出管
２６冷却水を流す手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inert gas supply line 2 Raw material for insulating film formation 3 Raw material container 4 Degasser 5 Liquid flow rate controller 6 Heat insulating material 7 Spin coater 8 Mist deposition device 9 Vaporizer 10 CVD device 11 Gas flow rate controller 12 Carrier gas Supply line 13 Substrate 14 Rotating disk 15 Shower head 16 Susceptor 17 Gas preheater 18 Oxygen, ozone, water vapor supply line 19 Gas mixer 20 Vaporization chamber 21 Raw material supply part 22 Vaporized gas outlet 23 Heater 24 Synthetic resin component 25 Two Heavy structure jet pipe 26 Means to flow cooling water

Claims

A raw material for forming an insulating film comprising a lithium alkoxide compound, tetramethoxysilane or tetraethoxysilane , and one or more organic solvents selected from ethers, ketones, esters, alcohols, and hydrocarbons.

Carboxylate of lithium, tetramethoxysilane or tetraethoxysilane, and Ri Do from an organic solvent, the content of tetramethoxysilane or tetraethoxysilane for raw material total amount, the insulating film, wherein 5～75Wt% der Rukoto Raw material for film formation.

The alkoxide compound of lithium is methoxylithium, ethoxylithium, n-propoxylithium, iso-propoxylithium, n-butoxylithium, iso-butoxylithium, sec-butoxylithium, or tert-butoxylithium according to claim 1. Raw material for insulating film formation.

The material for forming an insulating film according to claim 2 , wherein the lithium carboxylate is lithium formate, lithium acetate, or lithium propionate.

The material for forming an insulating film according to claim 2 , wherein the organic solvent is one or more organic solvents selected from ethers, ketones, esters, alcohols, and hydrocarbons.

2. The raw material for forming an insulating film according to claim 1, wherein the content of the lithium alkoxide compound relative to the total amount of the raw material is 5 to 80 wt%.

The material for forming an insulating film according to claim 2 , wherein the content of the lithium carboxylate with respect to the total amount of the raw material is 1 to 50 wt%.

Furthermore, the raw material for film-forming of the insulating film of Claim 1 or Claim 2 which added surfactant.

An insulating film containing lithium silicate is formed on the surface of the substrate by a spin coater method, a mist deposition method, or a CVD method using the insulating film forming raw material according to claim 1 or 2. A characteristic film forming method.

The film forming method according to claim 9 , wherein the substrate is a silicon substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, a metal substrate, or an alloy substrate.

The film forming method according to claim 9 , wherein a processing temperature when forming the insulating film is 150 to 800 ° C.

The film forming method according to claim 9 , wherein at least one selected from oxygen, ozone, and water vapor is added during film formation.