JP4673779B2 - Magnetic recording medium manufacturing method and film forming apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、磁気記録媒体の製造方法及び成膜装置に関する。特に、垂直磁気記録方式のハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体の製造方法及び成膜装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium and a film forming apparatus. In particular, the present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium mounted on a perpendicular magnetic recording type hard disk drive and a film forming apparatus.

ハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体は、基板(ディスク基体)上に積層膜を成膜することにより製造される。この積層膜は、例えば基板アダプタに装着した基板を成膜室に設置し、真空排気後、スパッタリング法又はCVD法等で成膜される。   A magnetic recording medium mounted on a hard disk drive is manufactured by forming a laminated film on a substrate (disk substrate). This laminated film is formed by, for example, a sputtering method or a CVD method after a substrate mounted on a substrate adapter is placed in a film formation chamber and evacuated.

磁気記録媒体の積層膜における各層は、例えば、複数の成膜室に基板を搬送することを繰り返して形成される。また、積層膜の少なくとも一部の層は、例えばマグネトロンスパッタリング法により、枚葉式の成膜装置を用いて成膜される。枚葉式の成膜装置は、例えば、円盤状のターゲットの正面に設置された基板1枚毎に、各層を成膜する。   Each layer in the laminated film of the magnetic recording medium is formed, for example, by repeatedly transporting the substrate to a plurality of film forming chambers. Further, at least a part of the laminated film is formed by a single-wafer type film forming apparatus, for example, by a magnetron sputtering method. For example, the single-wafer type film forming apparatus forms each layer on each of the substrates installed in front of the disk-shaped target.

マグネトロンスパッタリング法においては、ターゲットの裏側に設置した電磁石又は永久磁石からの漏れ磁場によってプラズマの発生効率を増大させ、成膜速度を高め、量産性を向上させている。また、電磁石に流す電流又は磁石をターゲットに平行な面内において回転運動させることにより、ターゲット表面の漏れ磁場を時間と共に移動させることにより、ターゲット表面のエロージョン部分を均一にして、ターゲットの使用効率を増大させている。尚、マグネトロンスパッタリング法による成膜方法は、例えば特許文献1、2に開示されている。漏れ磁場の発生源としては、永久磁石を使用することがより一般的である。   In the magnetron sputtering method, plasma generation efficiency is increased by a leakage magnetic field from an electromagnet or permanent magnet installed on the back side of a target, the film formation rate is increased, and mass productivity is improved. In addition, the current flowing through the electromagnet or the magnet is rotated in a plane parallel to the target, and the leakage magnetic field on the target surface is moved with time, so that the erosion part of the target surface is made uniform, and the use efficiency of the target is improved. It is increasing. A film forming method using a magnetron sputtering method is disclosed in Patent Documents 1 and 2, for example. As a generation source of the leakage magnetic field, it is more common to use a permanent magnet.

また、近年、次世代の高密度記録方式として、垂直磁気記録方式の研究開発が行われている。垂直磁気記録方式で用いられる磁気記録媒体としては、垂直磁気記録層の下に軟磁性層を成膜した垂直二層媒体を用いることが検討されている(例えば、特許文献3、4、5参照。)。垂直二層媒体においては、軟磁性層をヘッドの一部として機能させることにより、ヘッドの書き込み能力を向上させることができる。   In recent years, a perpendicular magnetic recording system has been researched and developed as a next-generation high-density recording system. As a magnetic recording medium used in the perpendicular magnetic recording system, use of a perpendicular double-layer medium in which a soft magnetic layer is formed under a perpendicular magnetic recording layer has been studied (see, for example, Patent Documents 3, 4, and 5). .) In the perpendicular double-layer medium, the writing ability of the head can be improved by causing the soft magnetic layer to function as a part of the head.

このような垂直磁気記録方式では、軟磁性層を起因とするノイズを低減することが課題となっている。従来、軟磁性層の磁化容易軸を基板中心から半径方向放射状に揃え、円周方向に磁化困難軸を揃えた構成が、軟磁性層の磁壁から起因するスパイクノイズを発生させない望ましい構成であることが知られている。軟磁性層の磁化容易軸は、例えば、マグネトロンスパッタリング法での成膜時の漏れ磁場を利用して、基板半径方向に揃えられる。
特開昭63−100180号公報 特許第3116279号公報 特開2002−358618号公報 特開2003−187413号公報 特開2004−118894号公報
In such a perpendicular magnetic recording system, there is a problem of reducing noise caused by the soft magnetic layer. Conventionally, the configuration in which the easy magnetization axis of the soft magnetic layer is aligned radially from the center of the substrate and the hard magnetization axis is aligned in the circumferential direction is a desirable configuration that does not generate spike noise caused by the domain wall of the soft magnetic layer. It has been known. For example, the easy axis of magnetization of the soft magnetic layer is aligned in the radial direction of the substrate using a leakage magnetic field during film formation by magnetron sputtering.
JP 63-100180 A Japanese Patent No. 3116279 JP 2002-358618 A JP 2003-187413 A JP 2004-118894 A

近年、ハードディスクドライブの小型化等に伴い、積層膜を成膜する基板として、例えば1インチ程度等の小径基板が用いられる場合がある。このような小径基板への成膜は、量産性の向上等を目的として、例えば一つの基板アダプタに複数の小径基板を取り付けた状態で行うことが考えられる。しかし、複数の小径基板に対して同時にマグネトロンスパッタリング法で軟磁性層を成膜する場合、各基板の磁化容易軸をそれぞれの基板半径方向に揃えることが困難になる。   In recent years, with the miniaturization of hard disk drives, a small-diameter substrate of about 1 inch or the like is sometimes used as a substrate on which a laminated film is formed. Such film formation on a small-diameter substrate may be performed with a plurality of small-diameter substrates attached to one substrate adapter, for example, for the purpose of improving mass productivity. However, when a soft magnetic layer is simultaneously formed on a plurality of small-diameter substrates by magnetron sputtering, it is difficult to align the easy magnetization axes of the substrates in the respective substrate radial directions.

図7及び図8は、この問題点を説明する図である。図7は、複数の基板に同時に成膜を行う成膜装置800の構成の一例を示す。図7(a)は、成膜装置800の断面図である。成膜装置800は、DCマグネトロンスパッタリング装置であり、基板アダプタ802、ターゲット804、及び磁石部806を備える。   7 and 8 are diagrams for explaining this problem. FIG. 7 illustrates an example of a configuration of a film formation apparatus 800 that performs film formation on a plurality of substrates simultaneously. FIG. 7A is a cross-sectional view of the film forming apparatus 800. The film forming apparatus 800 is a DC magnetron sputtering apparatus, and includes a substrate adapter 802, a target 804, and a magnet unit 806.

基板アダプタ802は、貫通孔状の基板収容部を複数有しており、各基板812をそれぞれの基板収容部に収容する。これにより、基板アダプタ802は、各基板812の成膜面をターゲット804に対向させた状態で、複数の基板812を並べて保持する。そして、この状態で、成膜装置800は、基板812に、例えば軟磁性層等を成膜する。ターゲット804は、基板812に成膜される膜の膜材料を供給する。磁石部806は、DCマグネトロンスパッタリング法に必要な漏れ磁場の発生源である。   The substrate adapter 802 has a plurality of through-hole-shaped substrate accommodating portions, and accommodates each substrate 812 in each substrate accommodating portion. Accordingly, the substrate adapter 802 holds the plurality of substrates 812 side by side in a state where the film formation surface of each substrate 812 faces the target 804. In this state, the film forming apparatus 800 forms a soft magnetic layer or the like on the substrate 812, for example. The target 804 supplies a film material of a film formed on the substrate 812. The magnet unit 806 is a source for generating a leakage magnetic field necessary for the DC magnetron sputtering method.

図7(b)は、磁石部806を示す平面図である。磁石部806は、磁場発生部810、及びステージ808を有する。磁場発生部810は、ステージ808に回転可能に保持された磁石配列であり、回転中心に対して非対称に配置された永久磁石908、910を有する。永久磁石908は、例えばN極をターゲット804に向けた状態で、磁場発生部810の中央付近に設けられている。永久磁石910は、永久磁石908と反対の方向を向いており、例えばS極をターゲット804に向けた状態で、永久磁石908の周りを囲むように設けられている。   FIG. 7B is a plan view showing the magnet unit 806. The magnet unit 806 includes a magnetic field generation unit 810 and a stage 808. The magnetic field generation unit 810 is a magnet array rotatably held on the stage 808, and includes permanent magnets 908 and 910 that are disposed asymmetrically with respect to the rotation center. The permanent magnet 908 is provided in the vicinity of the center of the magnetic field generation unit 810 with the N pole facing the target 804, for example. The permanent magnet 910 faces in the opposite direction to the permanent magnet 908, and is provided so as to surround the permanent magnet 908 with the south pole facing the target 804, for example.

ステージ808は、磁場発生部810を回転駆動するための駆動装置であり、磁場発生部810を、所定の回転軸に対して回転させる。この回転に応じて、漏れ磁場は、図7(a)に矢印912で示す範囲で時間変化する。ステージ808は、磁場発生部810を、例えば、図7(b)で矢印914に示す方向に回転させる。   The stage 808 is a driving device for rotationally driving the magnetic field generation unit 810, and rotates the magnetic field generation unit 810 with respect to a predetermined rotation axis. In accordance with this rotation, the leakage magnetic field changes over time in a range indicated by an arrow 912 in FIG. The stage 808 rotates the magnetic field generator 810 in the direction indicated by the arrow 914 in FIG. 7B, for example.

ここで、磁場発生部810及びステージ808と同一又は同様の構成は、一枚毎の基板に対して成膜を行う枚葉式の成膜装置でも用いられている。枚葉式の成膜装置において、成膜対象の基板はステージ808の回転中心に中心を合わせて保持される。また、これにより、基板の中心は、ステージ808に保持された磁場発生装置806の回転中心とも重なる。そのため、枚葉式の成膜装置で軟磁性層を成膜する場合には、磁場発生部810を回転させることにより、漏れ磁場を利用して、軟磁性層の磁化容易軸を基板中心から半径方向放射状に揃えることができた。   Here, the same or similar configuration as the magnetic field generation unit 810 and the stage 808 is also used in a single-wafer type film forming apparatus that forms a film on each substrate. In a single wafer deposition apparatus, a deposition target substrate is held with its center aligned with the rotation center of a stage 808. Accordingly, the center of the substrate also overlaps with the rotation center of the magnetic field generator 806 held on the stage 808. Therefore, when a soft magnetic layer is formed by a single-wafer type film forming apparatus, by rotating the magnetic field generator 810, the easy magnetic axis of the soft magnetic layer is radiused from the center of the substrate by utilizing a leakage magnetic field. It was possible to align the direction radial.

しかし、複数の基板に同時に成膜を行う場合、全ての基板の中心を磁場発生部810の中心と一致させることは不可能である。そのため、磁場発生部810が発生する漏れ磁場を利用して、軟磁性層の磁化容易軸を基板中心から半径方向放射状に揃えることも不可能である。   However, when film formation is performed simultaneously on a plurality of substrates, it is impossible to make the centers of all the substrates coincide with the center of the magnetic field generation unit 810. Therefore, it is impossible to align the easy axis of magnetization of the soft magnetic layer radially from the center of the substrate by using the leakage magnetic field generated by the magnetic field generator 810.

図8は、各基板812において軟磁性層の磁化容易軸が制御される方向を示す。基板812に軟磁性層を成膜する場合、図7(b)を用いて説明した永久磁石908、910の配置、及び磁場発生部810の回転運動により、軟磁性層の磁化容易軸は、図中に矢印で示すように、基板アダプタ802の半径方向に揃うこととなる。この場合、各基板812においては、磁化容易軸が基板812表面を横切ることとなる。そのため、磁化容易軸が基板812の円周方向に揃う領域ができてしまい、この領域を囲む磁壁を起因とするスパイクノイズが発生するという問題が生じる。   FIG. 8 shows the direction in which the easy magnetization axis of the soft magnetic layer is controlled in each substrate 812. When the soft magnetic layer is formed on the substrate 812, the easy axis of magnetization of the soft magnetic layer is determined by the arrangement of the permanent magnets 908 and 910 described with reference to FIG. 7B and the rotational motion of the magnetic field generation unit 810. As indicated by the arrows inside, the board adapters 802 are aligned in the radial direction. In this case, in each substrate 812, the easy axis of magnetization crosses the surface of the substrate 812. Therefore, a region where easy axes of magnetization are aligned in the circumferential direction of the substrate 812 is created, and a problem arises that spike noise is generated due to a domain wall surrounding this region.

ここで、軟磁性層を起因とするノイズを抑制するためには、例えば以下のような方法を用いることも考えられる。
方法(1):複数の基板812を保持する基板アダプタ802を用いずに、ターゲットと中心を揃えた基板812を1枚毎に成膜する方法。
方法(2):軟磁性層を成膜後に、磁化容易軸を半径方向に揃える工程を追加する方法。この工程は、例えば、基板812の中心に対して点対称になるような外部磁化を印加しながら基板812を加熱する。また、この加熱磁場印加処理は、基板812が基板アダプタ802に保持されたままの状態で、成膜装置800内において行われる。
方法(3):各基板812を基板アダプタ802から取り外して、方法(2)と同様の加熱磁場印加処理を行う方法。この場合、基板アダプタ802は、軟磁性層成膜後に成膜装置800から大気へ一旦搬出される。そして、基板アダプタ802から取り外した基板812に上記加熱磁場印加処理を行った後、基板812は基板アダプタ802に装着され、後半の垂直磁気記録層等の成膜工程に進む。
Here, in order to suppress noise caused by the soft magnetic layer, for example, the following method may be used.
Method (1): A method in which the substrate 812 whose center is aligned with the target is formed for each one without using the substrate adapter 802 that holds the plurality of substrates 812.
Method (2): A method of adding a step of aligning the easy magnetization axis in the radial direction after forming the soft magnetic layer. In this step, for example, the substrate 812 is heated while applying external magnetization that is point-symmetric with respect to the center of the substrate 812. The heating magnetic field application process is performed in the film forming apparatus 800 while the substrate 812 is held by the substrate adapter 802.
Method (3): A method of removing each substrate 812 from the substrate adapter 802 and performing the heating magnetic field application process similar to the method (2). In this case, the substrate adapter 802 is once taken out from the film forming apparatus 800 to the atmosphere after the soft magnetic layer is formed. Then, after the heating magnetic field application process is performed on the substrate 812 removed from the substrate adapter 802, the substrate 812 is mounted on the substrate adapter 802, and the process proceeds to the film forming process of the second half perpendicular magnetic recording layer and the like.

しかし、方法(1)のようにした場合、成膜工程のスループットの低下により、量産性が著しく損なわれてしまうという問題点が生じる。また、方法(2)、(3)のようにした場合、磁化容易軸を半径方向に揃える工程の追加により、軟磁性層の成膜に必要な全体の時間も増大し、方法(1)よりも更に量産性が低下してしまう。そのため、方法(2)、(3)のようにした場合、基板アダプタ802に複数の基板812を装着して量産性を高める効果が全く損なわれてしまう。   However, in the case of the method (1), there is a problem that mass productivity is significantly impaired due to a decrease in throughput of the film forming process. Further, in the case of the methods (2) and (3), the addition of the step of aligning the easy axis of magnetization in the radial direction also increases the total time required for forming the soft magnetic layer. However, the mass productivity is further reduced. Therefore, in the case of the methods (2) and (3), the effect of increasing the mass productivity by attaching the plurality of substrates 812 to the substrate adapter 802 is completely lost.

このように、従来、軟磁性層を起因とするノイズの低減と、高い量産性との両立は困難であった。そこで、本発明は、上記の課題を解決できる、磁気記録媒体の製造方法及び成膜装置を提供することを目的とする。   Thus, conventionally, it has been difficult to achieve both reduction in noise caused by the soft magnetic layer and high mass productivity. Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a magnetic recording medium and a film forming apparatus that can solve the above-described problems.

本願発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った。そして、マグネトロンスパッタリング法で用いられるマグネトロンカソードの磁石配列を各基板に対してそれぞれ個別に設けて、軟磁性層を成膜することを検討した。   The inventor of the present application has intensively studied to solve the above problems. Then, a magnet array of magnetron cathodes used in the magnetron sputtering method was individually provided for each substrate, and it was studied to form a soft magnetic layer.

しかし、例えば1インチ程度等の小径基板に対してこの方法を用いる場合、各基板の寸法に合わせて小型の磁石配列が必要となる。そして、本願発明者の鋭意研究の結果、このような小型の磁石配列を用いた場合、マグネトロン放電(スパッタリング放電)を発生させるための磁場の強度が不足するおそれがあることが判明した。磁場の強度が不足すると、マグネトロン放電によるプラズマの発生や維持が十分にできないこととなる。また、そのため、マグネトロン放電が不安定になるという問題が生じる。   However, when this method is used for a small-diameter substrate of, for example, about 1 inch, a small magnet arrangement is required according to the size of each substrate. As a result of intensive studies by the present inventors, it has been found that when such a small magnet arrangement is used, the strength of the magnetic field for generating magnetron discharge (sputtering discharge) may be insufficient. If the strength of the magnetic field is insufficient, the generation and maintenance of plasma by magnetron discharge cannot be sufficiently performed. For this reason, there arises a problem that the magnetron discharge becomes unstable.

上記の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
(構成1)ハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体の製造方法であって、ディスク状の基板を複数準備する準備工程と、複数の基板に対して同時に軟磁性層を成膜する軟磁性層成膜工程と、軟磁性層上に垂直磁気記録層を成膜する磁気記録層成膜工程とを備え、軟磁性層成膜工程は、マグネトロンスパッタリング法による成膜を行う成膜装置を用いて軟磁性層を成膜し、成膜装置は、複数の基板を並べて保持する基板アダプタと、軟磁性層の膜材料を供給するためのターゲットと、それぞれの基板に対応してそれぞれ設けられ、ターゲットを挟んで対応する基板とそれぞれ対向する複数の基板対応磁場発生部と、ターゲットに対して基板対応磁場発生部と同じ側に、基板対応磁場発生部と異なる位置に設けられた補助磁場発生部とを備え、基板対応磁場発生部は、対応する基板に形成される軟磁性層の磁化容易軸を当該基板の半径方向に揃えると共にマグネトロン放電を発生させるための磁場を発生し、補助磁場発生部は、マグネトロン放電を発生させるための磁場を発生する。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration.
(Configuration 1) A method of manufacturing a magnetic recording medium mounted on a hard disk drive, comprising: a preparation step of preparing a plurality of disk-shaped substrates; and a soft magnetic layer formation for simultaneously forming a soft magnetic layer on the plurality of substrates. And a magnetic recording layer film forming step for forming a perpendicular magnetic recording layer on the soft magnetic layer. The soft magnetic layer film forming step is performed using a film forming apparatus that forms a film by a magnetron sputtering method. A magnetic layer is formed, and a film formation apparatus is provided corresponding to each substrate, a substrate adapter for holding a plurality of substrates side by side, a target for supplying a film material of the soft magnetic layer, and a target A plurality of substrate-corresponding magnetic field generators respectively facing the corresponding substrates, and an auxiliary magnetic field generator disposed on the same side as the substrate-corresponding magnetic field generator with respect to the target, at a position different from the substrate-corresponding magnetic field generators The substrate-corresponding magnetic field generator generates a magnetic field for generating a magnetron discharge while aligning the easy magnetization axis of the soft magnetic layer formed on the corresponding substrate in the radial direction of the substrate, and the auxiliary magnetic field generator is A magnetic field for generating a magnetron discharge is generated.

このようにすれば、各基板の磁化容易軸を基板の半径方向に適切に揃えることができる。そのため、軟磁性層を起因とするノイズを低減できる。また、軟磁性層の成膜中に磁化容易軸を基板の半径方向に揃えることができるため、別途磁化容易軸を半径方向に揃える工程を追加する必要もない。そのため、軟磁性層を起因とするスパイクノイズ等のノイズの低減と、高い量産性とを両立できる。更には、補助磁場発生部を用いることにより、基板対応磁場発生部が発生する磁場を補い、マグネトロン放電を適切に発生させるのに十分な磁場を発生させることができる。   In this way, the easy axis of each substrate can be properly aligned in the radial direction of the substrate. Therefore, noise caused by the soft magnetic layer can be reduced. In addition, since the easy magnetization axis can be aligned in the radial direction of the substrate during the formation of the soft magnetic layer, it is not necessary to add a separate step of aligning the easy magnetization axis in the radial direction. Therefore, it is possible to achieve both reduction of noise such as spike noise caused by the soft magnetic layer and high mass productivity. Furthermore, by using the auxiliary magnetic field generation unit, it is possible to supplement the magnetic field generated by the substrate-corresponding magnetic field generation unit and generate a sufficient magnetic field to appropriately generate the magnetron discharge.

基板対応磁場発生部は、各基板に対応して設けられた磁石配列である。基板対応磁場発生部は、例えば、対応する基板の中心に対して対称な磁場を発生する。この場合、基板対応磁場発生部は、例えば、基板アダプタに対して固定された位置に設けられる。また、基板対応磁場発生部は、対応する基板の中心に対して非対称な磁場を発生してもよい。この場合、軟磁性層成膜工程は、例えば、各基板の中心を通りターゲットに垂直な軸を中心に基板対応磁場発生部を回転させつつ、軟磁性層を成膜する。   A board | substrate corresponding | compatible magnetic field generation | occurrence | production part is a magnet arrangement provided corresponding to each board | substrate. The substrate-corresponding magnetic field generator generates a magnetic field that is symmetric with respect to the center of the corresponding substrate, for example. In this case, the substrate-corresponding magnetic field generator is provided at a position fixed with respect to the substrate adapter, for example. Further, the substrate-corresponding magnetic field generator may generate a magnetic field that is asymmetric with respect to the center of the corresponding substrate. In this case, in the soft magnetic layer forming step, for example, the soft magnetic layer is formed while rotating the magnetic field generating unit corresponding to the substrate about an axis that passes through the center of each substrate and is perpendicular to the target.

それぞれの基板対応磁場発生部は、対応する基板以外の基板に形成される軟磁性層の磁化容易軸に実質的に影響を与えない強度の磁場を発生することが好ましい。補助磁場発生部は、各基板に形成される軟磁性層の磁化容易軸に実質的に影響を与えない強度の磁場を発生することが好ましい。   Each substrate-corresponding magnetic field generator preferably generates a magnetic field having a strength that does not substantially affect the easy axis of magnetization of the soft magnetic layer formed on a substrate other than the corresponding substrate. The auxiliary magnetic field generator preferably generates a magnetic field having a strength that does not substantially affect the easy magnetization axis of the soft magnetic layer formed on each substrate.

尚、補助磁場発生部を用いずにマグネトロン放電を発生させるためには、スパッタリングガスのガス圧を高めることも考えられる。しかし、ガス圧を上昇させることは、軟磁性層の膜質を低下させるおそれがあり、好ましくない。また、軟磁性層を起因とするノイズを低減するためには、軟磁性層の磁化容易軸を面内ランダムに配向させることにより磁壁が存在しない状態にする方法も考えられる。しかし、構成1のようにすれば、軟磁性層の磁化容易軸を各基板の半径方向に揃えることにより、軟磁性層を起因とするノイズをより適切に低減できる。   In order to generate magnetron discharge without using the auxiliary magnetic field generator, it is conceivable to increase the gas pressure of the sputtering gas. However, raising the gas pressure is not preferable because the film quality of the soft magnetic layer may be lowered. In order to reduce noise caused by the soft magnetic layer, a method in which the domain wall does not exist by orienting the easy axis of magnetization of the soft magnetic layer randomly in the plane can be considered. However, with the configuration 1, noise caused by the soft magnetic layer can be more appropriately reduced by aligning the easy axis of magnetization of the soft magnetic layer in the radial direction of each substrate.

(構成2)補助磁場発生部は、基板対応磁場発生部との磁気的な相互作用により、マグネトロン放電を発生させるための磁場を発生する。このようにすれば、基板対応磁場発生部と補助磁場発生部とを連携させることにより、各基板の近傍にエロージョン部分を適切に設定できる。また、例えば基板対応磁場発生部と磁気的に独立な補助磁場発生部を設ける場合と比べ、補助磁場発生部の設置スペースを低減できる。   (Configuration 2) The auxiliary magnetic field generator generates a magnetic field for generating a magnetron discharge by magnetic interaction with the substrate-corresponding magnetic field generator. In this way, the erosion portion can be appropriately set in the vicinity of each substrate by linking the substrate-corresponding magnetic field generator and the auxiliary magnetic field generator. Further, for example, the installation space of the auxiliary magnetic field generation unit can be reduced as compared with the case where the auxiliary magnetic field generation unit magnetically independent from the substrate-corresponding magnetic field generation unit is provided.

(構成3)それぞれの基板対応磁場発生部は、第1の磁極をターゲットに向けて、対応する基板の中心近傍の位置に設けられた第1磁極部と、第1の磁極と反対の第2の磁極をターゲットに向けて、第1磁極部の外周を囲むように設けられた第2磁極部とを有し、補助磁場発生部は、第1の磁極をターゲットに向けて、それぞれの基板対応磁場発生部の第2磁極部の外周を囲むように設けられており、それぞれの基板対応磁場発生部の第2磁極部との磁気的な相互作用によってマグネトロン放電を発生させるための磁場を発生する第1の補助磁場用磁極部を有する。   (Configuration 3) Each substrate-corresponding magnetic field generator has a first magnetic pole portion provided at a position near the center of the corresponding substrate with the first magnetic pole facing the target, and a second opposite to the first magnetic pole. And the second magnetic pole portion provided so as to surround the outer periphery of the first magnetic pole portion, and the auxiliary magnetic field generation portion faces the first magnetic pole toward the target and corresponds to each substrate. It is provided so as to surround the outer periphery of the second magnetic pole part of the magnetic field generation part, and generates a magnetic field for generating a magnetron discharge by magnetic interaction with the second magnetic pole part of each substrate corresponding magnetic field generation part. It has the 1st magnetic pole part for auxiliary magnetic fields.

このようにすれば、基板対応磁場発生部により、軟磁性層の磁化容易軸を各基板の半径方向に適切に揃えることができる。また、各基板の近傍において、マグネトロン放電を発生させるための磁場を補助磁場発生部に適切に発生させることができる。尚、第1磁極部等の外周を囲むとは、例えば、ターゲットと平行な面内において第1磁極部等の外側を囲むことである。   If it does in this way, the magnetization easy axis | shaft of a soft-magnetic layer can be appropriately aligned in the radial direction of each board | substrate by the board | substrate corresponding magnetic field generation | occurrence | production part. In addition, a magnetic field for generating a magnetron discharge can be appropriately generated in the auxiliary magnetic field generation unit in the vicinity of each substrate. In addition, surrounding the outer periphery of the first magnetic pole portion or the like means, for example, surrounding the outer side of the first magnetic pole portion or the like in a plane parallel to the target.

(構成4)第1の補助磁場用磁極部は、複数の貫通孔を有しており、当該複数の貫通孔に複数の基板対応磁場発生部を収容することにより、それぞれの基板対応磁場発生部の第2磁極部を囲み、補助磁場発生部は、第2の磁極をターゲットに向けて、第1の補助磁場用磁極部の外周を囲むように設けられた第2の補助磁場用磁極部を更に有する。   (Configuration 4) The first auxiliary magnetic field magnetic pole portion has a plurality of through holes, and by accommodating a plurality of substrate corresponding magnetic field generating portions in the plurality of through holes, each substrate corresponding magnetic field generating portion. The auxiliary magnetic field generation unit includes a second auxiliary magnetic field magnetic pole portion provided so as to surround the outer periphery of the first auxiliary magnetic field magnetic pole portion with the second magnetic pole facing the target. Also have.

このようにした場合、基板対応磁場発生部の第2磁極部、及び第1の補助磁場用磁極部により、各基板の周囲を電子が周回するサイクロトロン運動の周回軌道が形成される。また、第1の補助磁場用磁極部と、第2の補助磁場用磁極部との磁気的相互作用により、全ての基板を囲むより広い領域を電子が周回するサイクロトロン運動の周回軌道が形成される。そのため、このようにすれば、ターゲット表面の広い範囲をエロージョン部分に設定できる。   In this case, a circular orbit of a cyclotron motion in which electrons orbit around each substrate is formed by the second magnetic pole portion and the first auxiliary magnetic pole portion of the substrate corresponding magnetic field generating portion. Further, the magnetic interaction between the first auxiliary magnetic field magnetic pole part and the second auxiliary magnetic field magnetic pole part forms a circular orbit of cyclotron motion in which electrons orbit around a wider area surrounding all the substrates. . Therefore, in this way, a wide range of the target surface can be set as the erosion portion.

(構成5)ハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体の軟磁性層をマグネトロンスパッタリング法で成膜するための成膜装置であって、軟磁性層が成膜される複数の基板を並べて保持する基板アダプタと、軟磁性層の膜材料を供給するためのターゲットと、それぞれの基板に対応してそれぞれ設けられ、ターゲットを挟んで対応する基板とそれぞれ対向する複数の基板対応磁場発生部と、ターゲットに対して基板対応磁場発生部と同じ側に、基板対応磁場発生部と異なる位置に設けられた補助磁場発生部とを備え、基板対応磁場発生部は、対応する基板に形成される軟磁性層の磁化容易軸を当該基板の半径方向に揃えると共にマグネトロン放電を発生させるための磁場を発生し、補助磁場発生部は、マグネトロン放電を発生させるための磁場を発生する。このように構成すれば、構成1と同様の効果を得ることができる。   (Structure 5) A film forming apparatus for forming a soft magnetic layer of a magnetic recording medium mounted on a hard disk drive by a magnetron sputtering method, and a substrate for holding a plurality of substrates on which soft magnetic layers are formed side by side An adapter, a target for supplying the film material of the soft magnetic layer, a plurality of substrate-corresponding magnetic field generators respectively provided corresponding to the respective substrates and facing the corresponding substrates across the target, and the target On the same side as the substrate-corresponding magnetic field generation unit, an auxiliary magnetic field generation unit provided at a position different from the substrate-corresponding magnetic field generation unit is provided. The easy magnetization axis is aligned with the radial direction of the substrate and a magnetic field for generating a magnetron discharge is generated. The auxiliary magnetic field generator generates a magnetron discharge. To generate a magnetic field. If comprised in this way, the effect similar to the structure 1 can be acquired.

本発明によれば、軟磁性層を起因とするノイズの低減と、高い量産性とを両立できる。   According to the present invention, it is possible to achieve both reduction of noise caused by the soft magnetic layer and high mass productivity.

以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法により製造される垂直磁気記録媒体10の構成の一例を示す模式図である。垂直磁気記録媒体10は、垂直磁気記録方式のハードディスクドライブに搭載される磁気ディスクであり、基板12、軟磁性層14、下地層15、垂直磁気記録層16、保護層18、及び潤滑層20をこの順で備える。基板12は、ディスク状のガラス基板であり、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、又はソーダライムガラス等で形成されている。また、基板12は、例えば1インチ又は2.5インチ以下等の小径の円盤状体である。基板12は、ドーナツ型の円盤状であってよい。
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a perpendicular magnetic recording medium 10 manufactured by a method for manufacturing a magnetic recording medium according to an embodiment of the present invention. The perpendicular magnetic recording medium 10 is a magnetic disk mounted on a perpendicular magnetic recording type hard disk drive, and includes a substrate 12, a soft magnetic layer 14, an underlayer 15, a perpendicular magnetic recording layer 16, a protective layer 18, and a lubricating layer 20. Prepare in this order. The substrate 12 is a disk-shaped glass substrate, and is formed of aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, soda lime glass, or the like. Moreover, the board | substrate 12 is a small diameter disk shaped body, such as 1 inch or 2.5 inches or less, for example. The substrate 12 may be a donut-shaped disk.

軟磁性層14は、垂直磁気記録層16の磁気回路を調整するための層であり、垂直磁気記録層16を挟んでハードディスクドライブのヘッドと対向するように、基板12上に成膜される。軟磁性層14は、軟磁気特性を示す磁性体(SUL)により形成されていれば特に制限はないが、保磁力(Hc)で、例えば、0.01〜80エルステッド、より好ましくは0.01〜50エルステッドの磁気特性を有する。また、飽和磁束密度(Bs)は500emu/cc〜1920emu/ccの磁気特性であることが好ましい。軟磁性層14の材料としては、Fe系、Co系等が挙げられる。例えば、FeTaC系合金、FeTaN系合金、FeNi系合金、FeCoB系合金、FeCo系合金等のFe系軟磁性材料、CoTaZr系合金、CoNbZr系合金等のCo系軟磁性材料、或いはFeCo系合金軟磁性材料等を用いることができる。   The soft magnetic layer 14 is a layer for adjusting the magnetic circuit of the perpendicular magnetic recording layer 16, and is formed on the substrate 12 so as to face the head of the hard disk drive with the perpendicular magnetic recording layer 16 interposed therebetween. The soft magnetic layer 14 is not particularly limited as long as it is formed of a magnetic material (SUL) exhibiting soft magnetic characteristics, but has a coercive force (Hc) of, for example, 0.01 to 80 Oersted, more preferably 0.01. Has magnetic properties of ~ 50 oersted. The saturation magnetic flux density (Bs) preferably has a magnetic characteristic of 500 emu / cc to 1920 emu / cc. Examples of the material of the soft magnetic layer 14 include Fe-based and Co-based materials. For example, Fe-based soft magnetic materials such as FeTaC-based alloy, FeTaN-based alloy, FeNi-based alloy, FeCoB-based alloy and FeCo-based alloy, Co-based soft magnetic materials such as CoTaZr-based alloy and CoNbZr-based alloy, or FeCo-based alloy soft magnetic Materials and the like can be used.

軟磁性層14の膜厚は例えば30nm〜1000nm、より望ましくは50nm〜200nmである。30nm未満では、ヘッド−垂直磁気記録層16−軟磁性層14間に好適な磁気回路を形成を形成することが困難になる場合があり、1000nmを超えると表面粗さが増加する場合がある。また、1000nmを超えるとスパッタリング成膜が困難となる場合がある。   The film thickness of the soft magnetic layer 14 is, for example, 30 nm to 1000 nm, and more desirably 50 nm to 200 nm. If it is less than 30 nm, it may be difficult to form a suitable magnetic circuit between the head-perpendicular magnetic recording layer 16 and the soft magnetic layer 14, and if it exceeds 1000 nm, the surface roughness may increase. Moreover, when it exceeds 1000 nm, sputtering film formation may become difficult.

下地層15は、垂直磁気記録層16の結晶方向を制御するための層である。下地層15の材料としては、例えばCr合金系、又はRu等を用いることができる。垂直磁気記録層16は、面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁気記録層である。垂直磁気記録層16は、例えば、CoCrPt等のCo系合金で、下地層15を挟んで軟磁性層14上に成膜される。保護層18は、ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層16を防護するための層である。また、保護層18は、垂直磁気記録層16を大気から保護する。潤滑層20は、ヘッドと垂直磁気記録媒体10との間の潤滑性を高めるための層である。   The underlayer 15 is a layer for controlling the crystal direction of the perpendicular magnetic recording layer 16. As a material for the underlayer 15, for example, a Cr alloy or Ru can be used. The perpendicular magnetic recording layer 16 is a magnetic recording layer having an easy axis of magnetization in a direction perpendicular to the surface. The perpendicular magnetic recording layer 16 is made of, for example, a Co alloy such as CoCrPt, and is formed on the soft magnetic layer 14 with the underlayer 15 interposed therebetween. The protective layer 18 is a layer for protecting the perpendicular magnetic recording layer 16 from the impact of the head. The protective layer 18 protects the perpendicular magnetic recording layer 16 from the atmosphere. The lubrication layer 20 is a layer for improving lubricity between the head and the perpendicular magnetic recording medium 10.

垂直磁気記録媒体10の各層は、スパッタリング法で成膜することが好ましい。特にDCマグネトロンスパッタリング法で成膜すると、均一な成膜が可能となるので好ましい。尚、垂直磁気記録媒体10は、上記以外の層を更に備えてもよい。例えば、基板12と軟磁性層14との間に、金属で形成された密着層を更に備えてもよい。下地層15と垂直磁気記録層16との間に、シード層を更に備えてもよい。また、軟磁性層14は、単層でも、反強磁性結合する2層以上の積層膜であってもよい。軟磁性層14が積層膜である場合、垂直磁気記録媒体10は、例えば、Ru層、Ir層、又はRh層等を間に挟んで互いに反強磁性結合(Antiferromagnetically Coupled)する複数の軟磁性層14を備える。   Each layer of the perpendicular magnetic recording medium 10 is preferably formed by sputtering. In particular, it is preferable to form a film by a DC magnetron sputtering method because uniform film formation is possible. The perpendicular magnetic recording medium 10 may further include layers other than those described above. For example, an adhesion layer formed of metal may be further provided between the substrate 12 and the soft magnetic layer 14. A seed layer may be further provided between the underlayer 15 and the perpendicular magnetic recording layer 16. The soft magnetic layer 14 may be a single layer or a laminated film of two or more layers that are antiferromagnetically coupled. When the soft magnetic layer 14 is a laminated film, the perpendicular magnetic recording medium 10 includes, for example, a plurality of soft magnetic layers that are antiferromagnetically coupled to each other with a Ru layer, an Ir layer, a Rh layer, or the like interposed therebetween. 14.

以下、垂直磁気記録媒体10の製造方法の一例について更に詳しく説明する。尚、以下に説明する点を除き、垂直磁気記録媒体10の各層は、例えば、従来公知の方法と同一又は同様の方法により成膜される。本例において、垂直磁気記録媒体10は、準備工程、及び積層膜成膜工程を備える製造方法により製造される。準備工程は、複数の基板12を準備する工程である。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the perpendicular magnetic recording medium 10 will be described in more detail. Except as described below, each layer of the perpendicular magnetic recording medium 10 is formed by, for example, the same or similar method as a conventionally known method. In this example, the perpendicular magnetic recording medium 10 is manufactured by a manufacturing method including a preparation process and a laminated film forming process. The preparation step is a step of preparing a plurality of substrates 12.

積層膜成膜工程は、基板12上の各層を順次成膜する工程であり、各層に対応する個別の成膜工程である軟磁性層成膜工程、下地層成膜工程、磁気記録層成膜工程、保護層成膜工程、潤滑層成膜工程に分かれている。   The laminated film forming step is a step of sequentially forming each layer on the substrate 12, and a soft magnetic layer forming step, an under layer forming step, and a magnetic recording layer forming, which are individual film forming steps corresponding to each layer. It is divided into a process, a protective layer film forming process, and a lubricating layer film forming process.

軟磁性層成膜工程は、マグネトロンスパッタリング法による成膜を行う成膜装置を用いて、複数の基板12に対して同時に、軟磁性層14を成膜する。また、下地層成膜工程、磁気記録層成膜工程、及び保護層成膜工程は、例えば軟磁性層成膜工程と同一又は同様の成膜装置を用いて、それぞれの基板12に、下地層15、垂直磁気記録層16、及び保護層18を順次成膜する。潤滑層成膜工程は、例えばフッ素系の液体潤滑剤を塗布することにより潤滑層20を成膜する。潤滑層20は、保護層18が成膜された後に、保護層18の成膜時の真空状態を保ったままの成膜室で形成されてもよい。   In the soft magnetic layer film forming step, the soft magnetic layer 14 is formed on the plurality of substrates 12 simultaneously using a film forming apparatus that performs film formation by magnetron sputtering. In addition, the underlayer film forming step, the magnetic recording layer forming step, and the protective layer forming step are performed on each substrate 12 using the same or similar film forming apparatus as the soft magnetic layer forming step, for example. 15, the perpendicular magnetic recording layer 16 and the protective layer 18 are sequentially formed. In the lubricating layer forming step, the lubricating layer 20 is formed by applying, for example, a fluorine-based liquid lubricant. The lubrication layer 20 may be formed in a film formation chamber that maintains the vacuum state when the protective layer 18 is formed after the protective layer 18 is formed.

図2は、軟磁性層14を成膜するための成膜装置100の構成の一例を示す。図2(a)は、成膜装置100の断面図である。成膜装置100は、平板(プレーナー)型のDCマグネトロンスパッタリング装置であり、基板アダプタ102、ターゲット104、及び磁石部106を備える。   FIG. 2 shows an example of the configuration of a film forming apparatus 100 for forming the soft magnetic layer 14. FIG. 2A is a cross-sectional view of the film forming apparatus 100. The film forming apparatus 100 is a flat plate (planar) type DC magnetron sputtering apparatus, and includes a substrate adapter 102, a target 104, and a magnet unit 106.

基板アダプタ102は、複数の基板12を保持するための板状部材である。本例において、基板アダプタ102は、4個の基板12を保持する。基板アダプタ102は、基板12を保持した状態で成膜装置100の成膜室に搬送され、各基板12の成膜面をターゲット104に対向させた状態で、複数の基板12を並べて保持する。ターゲット104及び磁石部106は、マグネトロンカソードを構成する部分であり、成膜装置100の成膜室内に設けられる。ターゲット104は、軟磁性層14の膜材料を供給する。磁石部106は、DCマグネトロンスパッタリング法に必要なマグネトロン放電を発生させるための磁場(漏れ磁場)を発生する。また、この漏れ磁場は、各基板12に形成される軟磁性層14の磁化容易軸を当該基板の半径方向に揃えるために用いられる。   The board adapter 102 is a plate-like member for holding a plurality of boards 12. In this example, the board adapter 102 holds four boards 12. The substrate adapter 102 is transported to the film formation chamber of the film formation apparatus 100 while holding the substrates 12, and holds the plurality of substrates 12 side by side with the film formation surface of each substrate 12 facing the target 104. The target 104 and the magnet unit 106 constitute a magnetron cathode, and are provided in the film forming chamber of the film forming apparatus 100. The target 104 supplies the film material of the soft magnetic layer 14. The magnet unit 106 generates a magnetic field (leakage magnetic field) for generating a magnetron discharge necessary for the DC magnetron sputtering method. The leakage magnetic field is used to align the easy magnetization axis of the soft magnetic layer 14 formed on each substrate 12 in the radial direction of the substrate.

図2(b)は、基板アダプタ102の構成の一例を示す正面図である。本例において、基板12は、保持すべき複数の基板12に対応する複数の基板収容部202を有する。基板収容部202は、基板12を押さえて固定するための外周チャッキング部材204を壁面に有する貫通孔である。このような基板アダプタ102を用いることにより、成膜装置100は、複数の基板12に対して同時に、軟磁性層14を成膜する。   FIG. 2B is a front view showing an example of the configuration of the board adapter 102. In this example, the substrate 12 has a plurality of substrate accommodating portions 202 corresponding to the plurality of substrates 12 to be held. The substrate housing portion 202 is a through hole having an outer peripheral chucking member 204 on the wall surface for pressing and fixing the substrate 12. By using such a substrate adapter 102, the film forming apparatus 100 simultaneously forms the soft magnetic layer 14 on the plurality of substrates 12.

尚、本例においては、説明を簡単にするために一組のターゲット104及び磁石部106のみを図示した。成膜装置100は、基板アダプタ102の両面に、それぞれターゲット104及び磁石部106を備えてもよい。このように構成すれば、各基板12の両面に同時に軟磁性層14を成膜できる。   In this example, only one set of the target 104 and the magnet unit 106 are shown for the sake of simplicity. The film forming apparatus 100 may include a target 104 and a magnet unit 106 on both surfaces of the substrate adapter 102, respectively. With this configuration, the soft magnetic layer 14 can be simultaneously formed on both surfaces of each substrate 12.

図3は、磁石部106の構成の第1の例を示す。図3(a)は、磁石部106の構成を示す正面図である。図3(b)は、成膜時の漏れ磁場の様子を示す断面図である。尚、図中に点線で示した基板12は、基板アダプタ102(図2参照)に保持された基板12の位置を示している。本例において、磁石部106は、ステージ306、複数の基板対応磁場発生部302、及び補助磁場発生部304を有する。ステージ306は、ターゲット104と平行に設けられる台であり、基板対応磁場発生部302及び補助磁場発生部304をターゲット104に向けて保持する。   FIG. 3 shows a first example of the configuration of the magnet unit 106. FIG. 3A is a front view showing the configuration of the magnet unit 106. FIG. 3B is a cross-sectional view showing a state of a leakage magnetic field during film formation. In addition, the board | substrate 12 shown with the dotted line in the figure has shown the position of the board | substrate 12 hold | maintained at the board | substrate adapter 102 (refer FIG. 2). In this example, the magnet unit 106 includes a stage 306, a plurality of substrate-corresponding magnetic field generation units 302, and an auxiliary magnetic field generation unit 304. The stage 306 is a table provided in parallel with the target 104, and holds the substrate-corresponding magnetic field generation unit 302 and the auxiliary magnetic field generation unit 304 toward the target 104.

複数の基板対応磁場発生部302のそれぞれは、各基板12それぞれの専用の磁石配列であり、ターゲット104を挟んで対応する基板12とそれぞれ対向する位置に設けられる。本例において、各基板対応磁場発生部302は、基板12の中心に対して点対称な形状であり、第1磁極部402、第2磁極部404、ヨーク部406、及び台部408を有する。   Each of the plurality of substrate-corresponding magnetic field generators 302 has a dedicated magnet array for each substrate 12 and is provided at a position facing the corresponding substrate 12 with the target 104 interposed therebetween. In this example, each substrate-corresponding magnetic field generator 302 has a point-symmetric shape with respect to the center of the substrate 12, and includes a first magnetic pole part 402, a second magnetic pole part 404, a yoke part 406, and a base part 408.

第1磁極部402は、第1の磁極(例えばN極)をターゲット104に向けた永久磁石であり、対応する基板12の中心近傍の位置に設けられる。本例において、第1磁極部402の上面視形状は、円形である。第2磁極部404は、第1の磁極と反対の第2の磁極(例えばS極)をターゲット104に向けた永久磁石であり、中心部分よりも基板12の外周側に、第1磁極部402の外周を囲むように設けられる。本例において、第2磁極部404の上面視形状はドーナツ型である。尚、第1磁極部402及び第2磁極部404等の磁石部106の構成要素について、上面視形状とは、これらをターゲット104から見た形状である。   The first magnetic pole portion 402 is a permanent magnet having a first magnetic pole (for example, N pole) directed toward the target 104, and is provided at a position near the center of the corresponding substrate 12. In this example, the top magnetic pole portion 402 has a circular shape when viewed from above. The second magnetic pole portion 404 is a permanent magnet having a second magnetic pole (for example, an S pole) opposite to the first magnetic pole directed toward the target 104, and is closer to the outer peripheral side of the substrate 12 than the center portion. It is provided so as to surround the outer periphery. In this example, the top view shape of the second magnetic pole portion 404 is a donut shape. In addition, regarding the constituent elements of the magnet unit 106 such as the first magnetic pole unit 402 and the second magnetic pole unit 404, the top view shape is a shape when these are viewed from the target 104.

ヨーク部406は、第1磁極部402及び第2磁極部404とステージ306との間に設けられた軟鉄板である。台部408は、ヨーク部406をステージ306に取り付けるための台である。以上のような形状の基板対応磁場発生部302を用いることにより、各基板12に印加される磁場は、基板12の半径方向を向くこととなる。そのため、各基板12に成膜される軟磁性層の磁化容易軸は、それぞれ半径方向に揃う。   The yoke part 406 is a soft iron plate provided between the first magnetic pole part 402 and the second magnetic pole part 404 and the stage 306. The base 408 is a base for attaching the yoke part 406 to the stage 306. By using the substrate-corresponding magnetic field generator 302 having the above-described shape, the magnetic field applied to each substrate 12 is directed in the radial direction of the substrate 12. Therefore, the easy magnetization axes of the soft magnetic layers formed on the respective substrates 12 are aligned in the radial direction.

補助磁場発生部304は、補助磁場用磁極部410(第1の補助磁場用磁極部)、及び補助磁場用磁極部412(第2の補助磁場用磁極部)を有する。本例において、補助磁場用磁極部410は、第1の磁極(例えばN極)をターゲット104に向けて、ステージ306上の外周部を除いた領域のうち、各基板対応磁場発生部302が設けられている位置を除いた部分に設けられている。また、補助磁場用磁極部410は、各基板対応磁場発生部302が設けられている位置に貫通孔を有しており、この貫通孔に各基板対応磁場発生部302を収容している。これにより、補助磁場用磁極部410は、各基板対応磁場発生部302の第2磁極部404の外周を囲む。そして、各基板対応磁場発生部302の第2磁極部404との磁気的な相互作用によって、補助磁場用磁極部410は、各基板12の近傍に、サイクロトロン運動する電子を周回させる軌道を形成する。   The auxiliary magnetic field generation unit 304 includes an auxiliary magnetic field magnetic pole part 410 (first auxiliary magnetic field magnetic pole part) and an auxiliary magnetic field magnetic pole part 412 (second auxiliary magnetic field magnetic pole part). In this example, the auxiliary magnetic field magnetic pole portion 410 is provided with each substrate-corresponding magnetic field generating portion 302 in the region excluding the outer peripheral portion on the stage 306 with the first magnetic pole (for example, the N pole) directed toward the target 104. It is provided in the part except the position where it is. The auxiliary magnetic field magnetic pole portion 410 has a through hole at a position where each substrate corresponding magnetic field generation unit 302 is provided, and each substrate corresponding magnetic field generation unit 302 is accommodated in this through hole. Thus, the auxiliary magnetic field magnetic pole part 410 surrounds the outer periphery of the second magnetic pole part 404 of each substrate-corresponding magnetic field generation part 302. Then, due to the magnetic interaction with the second magnetic pole portion 404 of each substrate-corresponding magnetic field generation unit 302, the auxiliary magnetic field magnetic pole portion 410 forms a trajectory that circulates electrons that make cyclotron motion in the vicinity of each substrate 12. .

補助磁場用磁極部412は、第2の磁極(例えばS極)をターゲット104に向けて、ステージ306の外周に沿って補助磁場用磁極部410の外周を囲むように設けられる。補助磁場用磁極部412の上面視形状はドーナツ型である。補助磁場用磁極部412は、補助磁場用磁極部410との磁気的な相互作用によって、全ての基板12を囲むより広い範囲に、サイクロトロン運動する電子を周回させる軌道を形成する。尚、補助磁場用磁極部410及び補助磁場用磁極部412は、スパッタリングガスとの衝突が生じない場合に電子が各軌道をそれぞれ少なくとも一周できる強度の磁場を発生することが好ましい。   The auxiliary magnetic field magnetic pole part 412 is provided so as to surround the outer periphery of the auxiliary magnetic field magnetic pole part 410 along the outer periphery of the stage 306 with the second magnetic pole (for example, the S pole) facing the target 104. The top-view shape of the auxiliary magnetic field magnetic pole portion 412 is a donut shape. The auxiliary magnetic field magnetic pole portion 412 forms a trajectory for circulating electrons that make cyclotron motion in a wider area surrounding all the substrates 12 by magnetic interaction with the auxiliary magnetic field magnetic pole portion 410. In addition, it is preferable that the auxiliary magnetic field magnetic pole part 410 and the auxiliary magnetic field magnetic pole part 412 generate a magnetic field having such an intensity that electrons can make at least one round of each orbit when there is no collision with the sputtering gas.

以上の構成により、基板対応磁場発生部302及び補助磁場発生部304は、図3(b)に点線の矢印で示したような漏れ磁場を発生する。これにより、基板対応磁場発生部302は、対応する基板12に形成される軟磁性層14の磁化容易軸を当該基板12の半径方向に揃えるための磁場を発生する。そのため、本例によれば、軟磁性層14を起因とするスパイクノイズ等のノイズを低減できる。尚、本例において、補助磁場用磁極部410は、基板対応磁場発生部302の外周を中心対称に囲んでいる。そのため、補助磁場発生部304が発生する磁場が、軟磁性層14の磁化容易軸の制御に影響を与えることを防ぐことができる。   With the above configuration, the substrate-corresponding magnetic field generation unit 302 and the auxiliary magnetic field generation unit 304 generate a leakage magnetic field as indicated by a dotted arrow in FIG. Thereby, the substrate-corresponding magnetic field generator 302 generates a magnetic field for aligning the easy magnetization axis of the soft magnetic layer 14 formed on the corresponding substrate 12 in the radial direction of the substrate 12. Therefore, according to this example, noise such as spike noise caused by the soft magnetic layer 14 can be reduced. In this example, the auxiliary magnetic field magnetic pole portion 410 surrounds the outer periphery of the substrate-corresponding magnetic field generating portion 302 symmetrically. Therefore, it is possible to prevent the magnetic field generated by the auxiliary magnetic field generation unit 304 from affecting the control of the easy magnetization axis of the soft magnetic layer 14.

また、基板対応磁場発生部302が発生する磁場は、マグネトロン放電を発生させるための磁場としても機能する。そして、この磁場に加えて、補助磁場発生部304は、各基板対応磁場発生部302の第2磁極部404と補助磁場用磁極部410との磁気的な相互作用、及び補助磁場用磁極部410と補助磁場用磁極部412との磁気的な相互作用によって、マグネトロン放電を発生させるための磁場を発生する。これにより、基板対応磁場発生部302だけでは不足するマグネトロン放電を発生させるための磁場を補うことができる。そのため、本例によれば、小型の基板12に対応する基板対応磁場発生部302を用いた場合であっても、ターゲット104の表面に安定したマグネトロン放電を発生させ、軟磁性層14の成膜を適切に行うことができる。また、これにより、軟磁性層14を起因とするノイズの低減と、高い量産性とを両立できる。   Further, the magnetic field generated by the substrate-corresponding magnetic field generator 302 also functions as a magnetic field for generating magnetron discharge. In addition to this magnetic field, the auxiliary magnetic field generation unit 304 includes the magnetic interaction between the second magnetic pole portion 404 and the auxiliary magnetic field magnetic pole portion 410 of each substrate corresponding magnetic field generation unit 302, and the auxiliary magnetic field magnetic pole portion 410. A magnetic field for generating a magnetron discharge is generated by the magnetic interaction between the magnetic field portion 412 and the auxiliary magnetic field magnetic pole portion 412. Thereby, the magnetic field for generating the magnetron discharge which is insufficient only by the substrate corresponding magnetic field generation unit 302 can be supplemented. Therefore, according to this example, even when the substrate-corresponding magnetic field generator 302 corresponding to the small substrate 12 is used, a stable magnetron discharge is generated on the surface of the target 104 and the soft magnetic layer 14 is formed. Can be performed appropriately. In addition, this makes it possible to achieve both noise reduction due to the soft magnetic layer 14 and high mass productivity.

尚、軟磁性層14の成膜時において、ターゲット104は、基板対応磁場発生部302及び補助磁場発生部304からの漏れ磁場を受けるエロージョン部分が消費される。そのため、軟磁性層14の成膜が終わりマグネトロン放電が終了した後、次の基板12を保持する基板アダプタ102が成膜室に搬送されるまでの間に、ターゲット104を回転させることが好ましい。このようにすれば、ターゲット104において消費される面積を広く均一にすることができる。また、これにより、ターゲット104の使用効率を上げて寿命を延ばし、量産性を更に向上することが可能になる。   When the soft magnetic layer 14 is formed, the target 104 consumes an erosion portion that receives a leakage magnetic field from the substrate-corresponding magnetic field generation unit 302 and the auxiliary magnetic field generation unit 304. For this reason, it is preferable to rotate the target 104 after the film formation of the soft magnetic layer 14 is finished and the magnetron discharge is finished and before the substrate adapter 102 holding the next substrate 12 is transferred to the film formation chamber. In this way, the area consumed in the target 104 can be made wide and uniform. This also increases the usage efficiency of the target 104, extends the life, and further improves mass productivity.

図4は、磁石部106の構成の第2の例を示す。図4(a)は、磁石部106の構成を示す正面図である。図4(b)は、成膜時の漏れ磁場の様子を示す断面図である。尚、以下に説明する点を除き、図4において図3と同一又は同様の構成は、図3と同じ符号を付して説明を省略する。   FIG. 4 shows a second example of the configuration of the magnet unit 106. FIG. 4A is a front view showing the configuration of the magnet unit 106. FIG. 4B is a cross-sectional view showing a state of a leakage magnetic field during film formation. Except for the points described below, the same or similar components in FIG. 4 as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals as those in FIG.

本例において、第1磁極部402及び第2磁極部404は、基板12の中心に対して非対称な形状である。第1磁極部402は、上面視形状が略四角形であり、基板12に対して互いの中心をずらし、かつ第1磁極部402の一部を基板12の中心と重ねた位置に設けられる。第2磁極部404は、ドーナツ型を略四角形の変形させた形状であり、第1磁極部402を中心に第1磁極部402を囲む位置に設けられる。   In the present example, the first magnetic pole part 402 and the second magnetic pole part 404 are asymmetrical with respect to the center of the substrate 12. The first magnetic pole portion 402 has a substantially quadrangular shape when viewed from the top, and is provided at a position where the centers of the first magnetic pole portion 402 and the center of the substrate 12 are overlapped with each other with respect to the substrate 12. The second magnetic pole portion 404 has a shape obtained by deforming a donut shape into a substantially square shape, and is provided at a position surrounding the first magnetic pole portion 402 with the first magnetic pole portion 402 as a center.

また、本例において、基板対応磁場発生部302は、ヨーク部406と台部408との間に、回転駆動部414を更に備える。回転駆動部414は、基板12の中心に対し、例えば図中に矢印で示した方向に、第1磁極部402、第2磁極部404、及びヨーク部406を回転させる。このように構成すれば、ターゲット104表面の印加磁場の範囲を広げて、ターゲット104の使用効率を向上させることができる。   In this example, the substrate-corresponding magnetic field generation unit 302 further includes a rotation driving unit 414 between the yoke unit 406 and the base unit 408. The rotation driving unit 414 rotates the first magnetic pole part 402, the second magnetic pole part 404, and the yoke part 406 with respect to the center of the substrate 12 in the direction indicated by the arrow in the drawing, for example. With this configuration, the range of the applied magnetic field on the surface of the target 104 can be widened, and the usage efficiency of the target 104 can be improved.

また、第1磁極部402及び第2磁極部404が発生する磁場は、この回転運動により平均化され、基板12の中心に対して点対称になる。これにより、本例においても、各基板12に印加される磁場は半径方向を向き、各基板12に成膜される軟磁性層の磁化容易軸は、それぞれ半径方向に揃うこととなる。そのため、本例においても、軟磁性層14を起因とするノイズの低減と、高い量産性とを両立できる。   In addition, the magnetic fields generated by the first magnetic pole part 402 and the second magnetic pole part 404 are averaged by this rotational motion and are point-symmetric with respect to the center of the substrate 12. Thereby, also in this example, the magnetic field applied to each substrate 12 is directed in the radial direction, and the easy magnetization axes of the soft magnetic layers formed on the respective substrates 12 are aligned in the radial direction. Therefore, also in this example, it is possible to achieve both reduction of noise caused by the soft magnetic layer 14 and high mass productivity.

尚、第1磁極部402及び第2磁極部404の形状は、図示した形状に限定されない。例えば、第1磁極部402の上面視形状は、図7と同様に、略馬蹄形であってもよい。この場合、第2磁極部404は、例えば、図7と同様に、第1磁極部402の外周に沿って第1磁極部402を囲む。   In addition, the shape of the 1st magnetic pole part 402 and the 2nd magnetic pole part 404 is not limited to the shape shown in figure. For example, the top view shape of the first magnetic pole portion 402 may be a substantially horseshoe shape, as in FIG. In this case, the second magnetic pole portion 404 surrounds the first magnetic pole portion 402 along the outer periphery of the first magnetic pole portion 402, for example, as in FIG.

図5は、磁石部106の構成の更なる変形例を示す。図5(a)は、磁石部106の構成の第3の例を示す。図5(b)は、磁石部106の構成の第4の例を示す。これらの変形例において、基板アダプタ102(図2参照)は、5個の基板12を保持する。これに応じて、磁石部106は、5個の基板対応磁場発生部302を有する。図5(a)に示した場合において、各基板対応磁場発生部302は、図3を用いて説明した基板対応磁場発生部302と同一又は同様の構成を有する。また、図5(b)に示した場合において、各基板対応磁場発生部302は、図4を用いて説明した基板対応磁場発生部302と同一又は同様の構成を有する。これらの場合も、軟磁性層14を起因とするノイズの低減と、高い量産性とを両立できる。   FIG. 5 shows a further modification of the configuration of the magnet unit 106. FIG. 5A shows a third example of the configuration of the magnet unit 106. FIG. 5B shows a fourth example of the configuration of the magnet unit 106. In these modifications, the board adapter 102 (see FIG. 2) holds five boards 12. In response to this, the magnet unit 106 includes five substrate-corresponding magnetic field generation units 302. In the case shown in FIG. 5A, each substrate-corresponding magnetic field generator 302 has the same or similar configuration as the substrate-corresponding magnetic field generator 302 described with reference to FIG. 5B, each substrate-corresponding magnetic field generator 302 has the same or similar configuration as the substrate-corresponding magnetic field generator 302 described with reference to FIG. In these cases as well, both noise reduction due to the soft magnetic layer 14 and high mass productivity can be achieved.

図6は、磁石部106の構成の第5の例を示す。本例において、第1磁極部402、及び第2磁極部404は、電磁石の磁極により構成される。基板対応磁場発生部302は、例えば、基板12の中心に対して点対称の磁場を発生する。基板対応磁場発生部302は、図3を用いて説明した基板対応磁場発生部302と同一又は同様の磁場を発生することが好ましい。この場合も、軟磁性層14を起因とするノイズの低減と、高い量産性とを両立できる。   FIG. 6 shows a fifth example of the configuration of the magnet unit 106. In this example, the 1st magnetic pole part 402 and the 2nd magnetic pole part 404 are comprised by the magnetic pole of an electromagnet. The substrate-corresponding magnetic field generation unit 302 generates a magnetic field that is point-symmetric with respect to the center of the substrate 12, for example. The substrate-corresponding magnetic field generator 302 preferably generates the same or similar magnetic field as the substrate-corresponding magnetic field generator 302 described with reference to FIG. Also in this case, both noise reduction due to the soft magnetic layer 14 and high mass productivity can be achieved.

尚、基板対応磁場発生部302は、例えば図4を用いて説明した基板対応磁場発生部302と同一又は同様の磁場等の、基板12の中心に対して非対称な磁場を発生してもよい。この場合、基板対応磁場発生部302は、例えば、回転駆動部414(図4参照)を更に有する。また、補助磁場発生部304を電磁石で構成してもよい。   Note that the substrate-corresponding magnetic field generation unit 302 may generate a magnetic field that is asymmetric with respect to the center of the substrate 12, such as the same or similar magnetic field as the substrate-corresponding magnetic field generation unit 302 described with reference to FIG. In this case, the substrate-corresponding magnetic field generation unit 302 further includes, for example, a rotation drive unit 414 (see FIG. 4). Moreover, you may comprise the auxiliary magnetic field generation part 304 with an electromagnet.

(実施例1)
図2及び図3を用いて説明した成膜装置を用いて、基板上に軟磁性層を成膜した。スパッタリングガスは、Arを用い、ガス圧は1Paより小さく(0.7Pa程度)した。実施例1においては、安定したマグネトロン放電が発生し、軟磁性層を適切に成膜することができた。また、軟磁性層の磁化容易軸は基板の半径方向に揃った。
Example 1
A soft magnetic layer was formed on the substrate by using the film forming apparatus described with reference to FIGS. The sputtering gas was Ar, and the gas pressure was less than 1 Pa (about 0.7 Pa). In Example 1, stable magnetron discharge was generated, and the soft magnetic layer could be appropriately formed. The easy magnetization axes of the soft magnetic layers were aligned in the radial direction of the substrate.

(比較例1)
補助磁場発生部を設けなかったこと以外は実施例1と同様にして、基板上に軟磁性層を成膜した。しかし、安定したマグネトロン放電が発生させることができず、軟磁性層を適切に成膜できなかった。
(Comparative Example 1)
A soft magnetic layer was formed on the substrate in the same manner as in Example 1 except that the auxiliary magnetic field generator was not provided. However, stable magnetron discharge could not be generated and the soft magnetic layer could not be formed properly.

(比較例2)
補助磁場発生部を設けなかったこと、及びスパッタリングガスのガス圧を3Paにした以外は実施例1と同様にして、基板上に軟磁性層を成膜した。比較例2においては、安定したマグネトロン放電が発生させることができた。しかし、ガス圧が高すぎるため、軟磁性層に微小欠陥が多数発生し、適切な軟磁性層を成膜できなかった。
(Comparative Example 2)
A soft magnetic layer was formed on the substrate in the same manner as in Example 1 except that the auxiliary magnetic field generator was not provided and the gas pressure of the sputtering gas was 3 Pa. In Comparative Example 2, a stable magnetron discharge could be generated. However, since the gas pressure was too high, a large number of micro defects were generated in the soft magnetic layer, and an appropriate soft magnetic layer could not be formed.

以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the description of the scope of claims that embodiments with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

本発明は、例えば、ハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体に好適に利用できる。   The present invention can be suitably used for, for example, a magnetic recording medium mounted on a hard disk drive.

本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法により製造される垂直磁気記録媒体10の構成の一例を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing an example of a configuration of a perpendicular magnetic recording medium 10 manufactured by a magnetic recording medium manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 軟磁性層14を成膜するための成膜装置100の構成の一例を示す図である。 図2(a)は、成膜装置100の断面図である。 図2(b)は、基板アダプタ102の構成の一例を示す正面図である。1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a film forming apparatus 100 for forming a soft magnetic layer 14. FIG. 2A is a cross-sectional view of the film forming apparatus 100. FIG. 2B is a front view showing an example of the configuration of the board adapter 102. 磁石部106の構成の第1の例を示す図である。 図3(a)は、磁石部106の構成を示す正面図である。 図3(b)は、成膜時の漏れ磁場の様子を示す断面図である。3 is a diagram illustrating a first example of a configuration of a magnet unit 106. FIG. FIG. 3A is a front view showing the configuration of the magnet unit 106. FIG. 3B is a cross-sectional view showing a state of a leakage magnetic field during film formation. 磁石部106の構成の第2の例を示す図である。 図4(a)は、磁石部106の構成を示す正面図である。 図4(b)は、成膜時の漏れ磁場の様子を示す断面図である。6 is a diagram illustrating a second example of a configuration of a magnet unit 106. FIG. FIG. 4A is a front view showing the configuration of the magnet unit 106. FIG. 4B is a cross-sectional view showing a state of a leakage magnetic field during film formation. 磁石部106の構成の更なる変形例を示す。 図5(a)は、磁石部106の構成の第3の例を示す。 図5(b)は、磁石部106の構成の第4の例を示す。The further modification of the structure of the magnet part 106 is shown. FIG. 5A shows a third example of the configuration of the magnet unit 106. FIG. 5B shows a fourth example of the configuration of the magnet unit 106. 磁石部106の構成の第5の例を示す図である。It is a figure which shows the 5th example of a structure of the magnet part. 複数の基板に同時に成膜を行う成膜装置800の構成の一例を示す。 図7(a)は、成膜装置800の断面図である。 図7(b)は、磁石部806を示す平面図である。An example of a structure of a film formation apparatus 800 that performs film formation on a plurality of substrates simultaneously is shown. FIG. 7A is a cross-sectional view of the film forming apparatus 800. FIG. 7B is a plan view showing the magnet unit 806. 各基板12において軟磁性層の磁化容易軸が制御される方向を示す図である。It is a figure which shows the direction where the easy axis of a soft magnetic layer is controlled in each board | substrate 12. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10・・・垂直磁気記録媒体、12・・・基板、14・・・軟磁性層、15・・・下地層、16・・・垂直磁気記録層、18・・・保護層、20・・・潤滑層、100・・・成膜装置、102・・・基板アダプタ、104・・・ターゲット、106・・・磁石部、202・・・基板収容部、204・・・外周チャッキング部材、302・・・基板対応磁場発生部、304・・・補助磁場発生部、306・・・ステージ、402・・・第1磁極部、404・・・第2磁極部、406・・・ヨーク部、408・・・台部、410・・・補助磁場用磁極部、412・・・補助磁場用磁極部、414・・・回転駆動部、800・・・成膜装置、802・・・基板アダプタ、804・・・ターゲット、806・・・磁石部、808・・・ステージ、810・・・磁場発生部、812・・・基板、906・・・漏れ磁場、908・・・永久磁石、910・・・永久磁石、912・・・矢印
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Perpendicular magnetic recording medium, 12 ... Substrate, 14 ... Soft magnetic layer, 15 ... Underlayer, 16 ... Perpendicular magnetic recording layer, 18 ... Protective layer, 20 ... Lubricating layer, 100 ... Film forming apparatus, 102 ... Substrate adapter, 104 ... Target, 106 ... Magnet part, 202 ... Substrate housing part, 204 ... Peripheral chucking member, 302 ..Substrate-corresponding magnetic field generator, 304 ... auxiliary magnetic field generator, 306 ... stage, 402 ... first magnetic pole, 404 ... second magnetic pole, 406 ... yoke, 408 ···, 410 ··· Magnetic pole portion for auxiliary magnetic field, 412 ··· Magnetic pole portion for auxiliary magnetic field, 414 ··· Rotation drive portion, 800 ··· Film forming device, 802 ··· Substrate adapter, 804 · ..Target, 806 ... Magnet part, 808 ... Stage, 81 ... field generating unit, 812 ... substrate, 906 ... leakage magnetic field, 908 ... permanent magnet, 910 ... permanent magnet, 912 ... arrow

Claims (1)

ハードディスクドライブに搭載される磁気記録媒体の製造方法であって、
ディスク状の基板を複数準備する準備工程と、
複数の前記基板に対して同時に軟磁性層を成膜する軟磁性層成膜工程と、
前記軟磁性層上に垂直磁気記録層を成膜する磁気記録層成膜工程と
を備え、
前記軟磁性層成膜工程は、マグネトロンスパッタリング法による成膜を行う成膜装置を用いて前記軟磁性層を成膜し、
前記成膜装置は、
前記複数の基板を並べて保持する基板アダプタと、
前記軟磁性層の膜材料を供給するためのターゲットと、
それぞれの前記基板に対応してそれぞれ設けられ、前記ターゲットを挟んで対応する前記基板とそれぞれ対向する複数の基板対応磁場発生部と、
前記ターゲットに対して前記基板対応磁場発生部と同じ側に、前記基板対応磁場発生部と異なる位置に設けられた補助磁場発生部と
を備え、
前記基板対応磁場発生部は、対応する前記基板に形成される前記軟磁性層の磁化容易軸を当該基板の半径方向に揃えると共にマグネトロン放電を発生させるための磁場を発生し

前記補助磁場発生部は、マグネトロン放電を発生させるための磁場を発生し、
前記補助磁場発生部は、前記基板対応磁場発生部との磁気的な相互作用により、マグネトロン放電を発生させるための磁場を発生し、
それぞれの前記基板対応磁場発生部は、
第1の磁極を前記ターゲットに向けて、対応する前記基板の中心近傍の位置に設けられた第1磁極部と、
前記第1の磁極と反対の第2の磁極を前記ターゲットに向けて、前記第1磁極部の外周を囲むように設けられた第2磁極部と
を有し、
前記補助磁場発生部は、前記第1の磁極を前記ターゲットに向けて、それぞれの前記基板対応磁場発生部の前記第2磁極部の外周を囲むように設けられており、それぞれの前記基板対応磁場発生部の前記第2磁極部との磁気的な相互作用によってマグネトロン放電を発生させるための磁場を発生する第1の補助磁場用磁極部を有し、
前記第1の補助磁場用磁極部は、複数の貫通孔を有しており、当該複数の貫通孔に前記複数の基板対応磁場発生部を収容することにより、それぞれの基板対応磁場発生部の前記第2磁極部を囲み、
前記補助磁場発生部は、前記第2の磁極を前記ターゲットに向けて、第1の補助磁場用磁極部の外周を囲むように設けられた第2の補助磁場用磁極部を更に有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
A method of manufacturing a magnetic recording medium mounted on a hard disk drive,
A preparation step of preparing a plurality of disk-shaped substrates;
A soft magnetic layer forming step of simultaneously forming a soft magnetic layer on a plurality of the substrates;
A magnetic recording layer forming step of forming a perpendicular magnetic recording layer on the soft magnetic layer;
With
In the soft magnetic layer film forming step, the soft magnetic layer is formed using a film forming apparatus that forms a film by a magnetron sputtering method.
The film forming apparatus includes:
A board adapter for holding the plurality of boards side by side;
A target for supplying the film material of the soft magnetic layer;
A plurality of substrate-corresponding magnetic field generators respectively provided corresponding to the respective substrates and facing the corresponding substrates across the target;
An auxiliary magnetic field generator provided on the same side as the substrate-corresponding magnetic field generator with respect to the target, at a position different from the substrate-corresponding magnetic field generator;
With
The substrate-corresponding magnetic field generator generates a magnetic field for generating a magnetron discharge while aligning the easy magnetization axis of the soft magnetic layer formed on the corresponding substrate with the radial direction of the substrate.
,
The auxiliary magnetic field generator generates a magnetic field for generating a magnetron discharge,
The auxiliary magnetic field generator generates a magnetic field for generating a magnetron discharge by magnetic interaction with the substrate-corresponding magnetic field generator.
Each substrate-corresponding magnetic field generator is
A first magnetic pole portion provided at a position near the center of the corresponding substrate with the first magnetic pole directed toward the target;
A second magnetic pole portion provided to surround an outer periphery of the first magnetic pole portion with a second magnetic pole opposite to the first magnetic pole facing the target;
Have
The auxiliary magnetic field generation unit is provided so as to surround the outer periphery of the second magnetic pole part of each of the substrate-corresponding magnetic field generation parts with the first magnetic pole facing the target, and each of the substrate-corresponding magnetic fields A first auxiliary magnetic pole portion for generating a magnetic field for generating a magnetron discharge by magnetic interaction with the second magnetic pole portion of the generating portion;
The first auxiliary magnetic field magnetic pole portion has a plurality of through holes, and the plurality of substrate-corresponding magnetic field generators are accommodated in the plurality of through-holes, whereby the substrate-corresponding magnetic field generators Surrounding the second magnetic pole,
The auxiliary magnetic field generation unit further includes a second auxiliary magnetic field magnetic pole portion provided so as to surround the outer periphery of the first auxiliary magnetic field magnetic pole portion with the second magnetic pole directed toward the target. A method for manufacturing a magnetic recording medium.
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