JP4665571B2 - 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、遮光部材を備えた液晶装置及びその製造方法に関する。また、本発明は、液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった電子機器に液晶装置が広く使用されている。例えば、電子機器に関する各種の情報を文字、数字、図形等といった画像の形で表示する際に液晶装置が用いられている。この液晶装置では、表示の最小単位であるサブ画素を複数個、液晶層の面内で縦横方向にマトリクス状に並べることによって表示領域を形成する。そして、液晶層内の液晶分子の配向をサブ画素ごとに制御することによってその液晶層を通過する光をサブ画素ごとに変調して表示を行う。

その表示の際のコントラストを高めるため、従来から、サブ画素の周りを遮光部材で囲むことが行われている。この遮光部材は、サブ画素の周辺から光が漏れ出ることを防止して表示のコントラストを高めるものである。このような遮光部材は、ブラックマトリクス、ブラックマスク等と呼ばれている。

従来、スイッチング素子を形成した基板（以下、素子基板ということがある）と、それに対向するカラーフィルタを形成した基板（以下、カラーフィルタ基板、対向基板等ということがある）とをシール材によって貼り合わせた構造の液晶装置において、カラーフィルタを形成した基板上であってサブ画素の４辺に対応する領域に遮光部材を形成してブラックマスクとして機能させるようにした液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００４−３４１２１３号公報（第７頁、図５）

上記の従来の液晶装置では、素子基板とカラーフィルタ基板とをシール材を挟んで貼り合わせる際に両方の基板が正規の位置からずれた状態で貼り合わされる問題、いわゆる組ズレの問題が発生する。このような組ズレが発生した場合でも遮光部材が所期のブラックマスクとしての機能を果たすようにするためには、遮光部材の幅に大きな寸法公差を見込んで遮光部材を広い面積で形成する必要がある。しかしながら、遮光部材をそのように広い面積で形成する場合には、表示領域のうちの表示に寄与できる面積、いわゆる開口率が低下して表示が不鮮明になるおそれがある。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、サブ画素の周囲に形成する遮光部材の面積をできるだけ小さくすることにより、表示領域の開口率を高めて鮮明な表示ができるようにすることを目的とする。

本発明に係る液晶装置は、互いに透光性を備えた第１及び第２基板の間に設けられた液晶層と、該第１基板上に設けられた複数のデータ線と、該複数のデータ線に電気的に接続された複数のスイッチング素子と、前記データ線及び前記スイッチング素子を覆うように前記第１基板上に設けられた層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の上に設けられ、該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続され、平面視で前記データ線と重なる複数の画素電極と、該複数の画素電極のうち隣り合う画素電極同士の間隙に平面視で重なり、前記データ線に沿うように前記第１基板上に設けられた複数の遮光部材と、前記第１基板上又は前記第２基板上に設けられ、前記データ線と平面視で交差する複数の走査線と、を有し、前記複数の遮光部材は互いに同電位であることを特徴とする。

上記構成において、複数の画素電極の間に形成される間隙は、個々の画素電極の形状や、複数の画素電極の配列形態に応じて種々の形状となる。例えば、一定幅の直線状、すなわち帯状になることもあるし、折れ曲がった直線形状になることもある。部分的に幅が異なる線状になることもある。

スイッチング素子としは、例えば、２端子型のスイッチング素子、３端子型のスイッチング素子が考えられる。２端子型のスイッチング素子としては、例えば、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子が考えられる。また、３端子型のスイッチング素子としては、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子が考えられる。

本発明に係る液晶装置によれば、素子基板上において隣り合う画素電極の間に予め遮光部材を設けるようにしたので、素子基板と対向基板との間の組みズレを見込んで遮光部材を広い面積で形成する必要がなくなり、それ故、サブ画素の開口率を上げることができ、鮮明な表示を提供できる。

また、本発明に係る液晶装置によれば、複数の線状の遮光部材を同電位に設定することにより、表示領域に黒窓表示を行った際の横クロストークを改善できるようになった。この現象は、本発明者の実験により確認されている。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記複数の遮光部材が共通線につながっていることが望ましい。遮光部材を同電位に設定するためには、遮光部材に個別に同じ電位を印加することも考えられるが、複数の遮光部材を共通線につなげる方が簡単である。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記遮光部材は、前記スイッチング素子を構成するいずれか１つの材料と同じ材料によって形成されていることが望ましい。こうすれば、遮光部材をスイッチング素子を同時に形成できるので、コストを抑えることができる。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記スイッチング素子は、前記基板側から順に第１素子電極、絶縁膜、第２素子電極を積層して成る非線形抵抗素子であり、前記遮光部材は、前記第１素子電極、絶縁膜、及び第２素子電極のいずれか１つと同じ材料によって形成されていることが望ましい。１素子電極、絶縁膜、第２素子電極を積層して成る非線形抵抗素子はＴＦＤ素子として知られている。このＴＦＤ素子を形成する基板上に遮光部材を形成する場合には、ＴＦＤ素子の構成要素のいずれか１つ又はいずれか２つ以上の要素を用いて遮光部材を形成することが望ましい。こうすれば、遮光部材の形成にあたってコストを低く抑えることができる。

次に、本発明に係る液晶装置は、前記走査線を１水平走査期間毎に順次に選択すると共に選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、前記複数のデータ線の１つに対して、当該データ線と前記選択された走査線との交差に対応するサブ画素を点灯状態にする点灯電圧か、又は当該サブ画素を非点灯状態にすると共に前記選択電圧との差が前記点灯電圧よりも小さい非点灯電圧か、のいずれか一方を、前記選択電圧が印加される期間のうち、当該サブ画素の階調に応じた期間にわたって印加した後に、その残余期間にわたって前記点灯電圧又は前記非点灯電圧の他方に切り替えて印加するデータ線駆動回路とを有し、前記データ線駆動回路は、前記選択電圧の印加開始タイミングとは異なるタイミングにて、前記点灯電圧から前記非点灯電圧に切り替えることを特徴とする。

この構成によれば、選択電圧に現れる波形歪みの影響が各階調にわたって均等に現れて、明るさ（すなわち、濃度）の差が生じ難くなるので、簡易な構成によって横クロストーク、特に、白色の窓表示を行う際の横クロストークを軽減することが可能となる。

素子基板上に形成された複数の画素電極の間を埋めるように複数の線状の遮光部材を設けると共にそれらの遮光部材を同電位に設定した本発明によれば、上記のように、表示領域に黒窓を表示したときの横クロストークを低減できる。しかしながら、表示領域に白窓を表示したときの横クロストークについては、それ程の改善は認められない。しかしながら、白窓表示の際の横クロストークを抑えることについては、上記の走査線駆動回路及びデータ線駆動回路を用いることにより改善が期待できる。従って、素子基板上に遮光部材を設けてそれらを同電位に設定するという本発明と、上記走査線駆動回路及び上記データ線駆動回路を用いる技術とを組み合わせれば、黒窓表示時の横クロストーク及び白窓表示時の横クロストークの両方を共に改善できる。

次に、本発明に係る液晶装置の製造方法は、透光性を備えた第１基板上に複数のデータ線を形成する工程と、前記複数のデータ線に電気的に接続する複数のスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、前記データ線及び前記スイッチング素子を覆うように前記第１基板上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜に前記スイッチング素子につながるコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に導電接続するように且つ平面視で前記データ線と重なるように、前記層間絶縁膜の上に複数の画素電極を形成する工程と、前記複数の画素電極のうち隣り合う画素電極同士の間隙に平面視で重なるように且つ前記データ線に沿うように、前記第１基板上に複数の遮光部材を形成する遮光部材形成工程と、を有することを特徴とする。

この方法によれば、素子基板上に形成された複数の画素電極の間を埋めるように複数の線状の遮光部材を設けると共にそれらの遮光部材が同電位に設定された構造の液晶装置を製造できる。そして、こうして製造された液晶装置は、素子基板上の遮光部材を組みズレを見込んだ広い面積で形成する必要がなくなり、それ故、サブ画素の開口率を上げることができ、鮮明な表示を提供できる。また、表示領域に黒窓表示を行った際の横クロストークを改善できる。

次に、本発明に係る液晶装置の製造方法において、前記遮光部材形成工程では、前記複数の遮光部材が共通線につながるように形成されることが望ましい。こうすれば、複数の遮光部材を簡単に同電位に設定することができる。

次に、本発明に係る液晶装置の製造方法において、前記遮光部材形成工程は、前記スイッチング素子形成工程と同時に行われることが望ましい。なお、前記スイッチング素子は前記基板側から順に第１素子電極、絶縁膜、第２素子電極を積層して形成すること、すなわちＴＦＤ素子として形成することができるので、その場合には、前記遮光部材形成工程は前記スイッチング素子形成工程において前記第２素子電極が形成される際に同時に遮光部材を形成することが望ましい。こうすれば、遮光部材を形成するにあたって工程を増やす必要が無いので、経済的である。

また、前記スイッチング素子において、前記第１素子電極はタンタル又はタンタル合金によって形成でき、前記絶縁膜は陽極酸化膜によって形成でき、前記第２素子電極はクロム、又はモリブデンとタングステンとを含む合金によって形成できる。この場合には、前記遮光部材は第２素子電極を同じ材料である、クロム、又はモリブデンとタングステンとを含む合金によって形成することが望ましい。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の本発明に係る液晶装置を有することを特徴とする。本発明に係る液晶装置は、素子基板上に遮光部材を設けたことによりその遮光部材を狭く形成することができるようになり、開口率を上げて鮮明な表示を提供できるようになった。従って、この液晶装置を用いた電子機器も鮮明な表示を提供できる。また、本発明に係る液晶装置では、素子基板上に設けた複数の遮光部材を同電位に設定したので、黒窓表示時の横クロストークを改善できた。従って、そのような液晶装置を用いた電子機器も黒窓表示時の横クロストークを改善でき、鮮明な表示を提供できる。

（液晶装置の実施形態）
以下、本発明に係る液晶装置を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合があることに注意を要する。

図１は、本発明に係る液晶装置の一実施形態を示している。図２は、図１のＡ−Ａ線に従った断面図である。図３は、図２における画素部分を拡大して示す断面図である。図１において、液晶装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３と、液晶パネル２に接続された配線基板としてのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板４とを有する。この液晶装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。

液晶パネル２は、長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、素子基板７に対向する基板である基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６はその一部に液晶注入口６ａを有し、この液晶注入口６ａを介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質としての液晶が注入される。液晶注入口６ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。

照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。

素子基板７は、図２において、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、図３に示すように、複数のデータ線１９が紙面垂直方向（すなわち、図１の行方向Ｘ）に互いに平行に形成されている。個々のデータ線１９は図３の左右方向（すなわち、図１の列方向Ｙ）に延びている。そして、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子である複数のＴＦＤ素子２１がそれらのデータ線１９に沿って且つ該データ線１９に接続して形成される。

それらのＴＦＤ素子２１及びデータ線１９を覆うように層間絶縁層としてのオーバーレイヤ２２が形成され、このオーバーレイヤ２２の表面に画素電極２３及びフォトスペーサ２４が形成されている。オーバーレイヤ２２及びフォトスペーサ２４のそれぞれは、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成する。フォトスペーサ２４は、立った状態の円柱又は角柱形状に形成されており、セルギャップＧが均一な寸法を維持するように機能する。なお、フォトスペーサ２４はギャップ材と呼ばれることがある。

画素電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物によって形成される。複数の画素電極２３は図１に示すように個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列方向、すなわちＸ−Ｙ方向へマトリクス状に並ぶように形成される。図４（ａ）は、図３において矢印Ｂ方向、すなわち観察側の反対側から素子基板７を見た場合の、その素子基板７の画素部分の平面構造を示している。また、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線に従った断面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、個々のデータ線１９は平面的に見て、すなわち平面視で個々の画素電極２３と重なる位置に形成されている。つまり、データ線１９は互いに隣り合う画素電極２３，２３の間ではなく、１つの画素電極２３の下方位置に形成されている。

図３において、フォトスペーサ２４及び画素電極２３の上には配向膜２６ａが形成される。この配向膜２６ａは、例えばポリイミド等によって形成される。配向膜２６ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

オーバーレイヤ２２は、データ線１９及びＴＦＤ素子２１を覆うように形成される。画素電極２３は、このオーバーレイヤ２２の上に形成されている。このオーバーレイヤ２２には、画素電極２３とＴＦＤ素子２１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２７が形成される。このコンタクトホール２７は、オーバーレイヤ２２とフォトスペーサ２４とをフォトリソグラフィ処理によって一体に形成する際に同時に形成される。このコンタクトホール２７は、平面的に見てすなわち平面視で、ＴＦＤ素子２１とは重ならない位置であって、画素電極２３と重なる位置に形成される。また、ＴＦＤ素子２１は、図４（ａ）に示すように、２つのＴＦＤ要素である第１ＴＦＤ要素２１ａと第２ＴＦＤ要素２１ｂとを直列に接続することによって、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造として形成されている。

ＴＦＤ素子２１は、図４（ｂ）に示すように、第１素子電極３４、絶縁膜３５、そして第２素子電極３６をその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極３４は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜３５は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３６は、例えばＣｒ、モリブデン・タングステン合金によって形成される。

第１ＴＦＤ要素２１ａの第２素子電極３６は、図４（ａ）に示すように、データ線１９から延びている。つまり、データ線１９はＣｒによって形成されている。第２ＴＦＤ要素２１ｂの第２素子電極３６はその先端に広がった端子部３６ａを有し、コンタクトホール２７はこの端子部３６ａに対応する位置に形成される。そして、このコンタクトホール２７を通して画素電極２３と第２素子電極３６とが導通する。

上記のように、画素電極２３の下にオーバーレイヤ２２を設けることにより、画素電極２３の層とＴＦＤ素子２１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２３とＴＦＤ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、図２の素子基板７の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極２３の面積、すなわち画素面積を大きくすることができるので、液晶装置１において表示を見易くできる。

図４（ｂ）において、データ線１９の隣に素子側遮光部材２９が設けられている。これらの遮光部材２９はＴＦＤ素子２１を形成する際に同時にそのＴＦＤ素子２１と同じ材料によって形成される。すなわち、遮光部材２９は、第１素子電極３４と同じＴａ又はＴａ合金か、絶縁膜３５と同じ酸化膜か、又は第２素子電極３６と同じＣｒ、モリブデン・タングステン合金によって形成される。遮光部材２９は、また、それらの材料の積層構造であっても良い。遮光部材２９は、図４（ａ）に示すように、互いに隣り合う画素電極２３，２３の間に形成される間隙であってデータ線１９と同じ方向（すなわち、列方向Ｙ）に延びる複数の線状の間隙に平面視で重なるように基板７ａ上に形成されている。

個々の遮光部材２９は共通線２８につながっている。この共通線２８は液晶パネル内の適所、例えば、図１においてシール材６の１辺の近傍に設けられる。この共通線２８は、例えば、遮光部材２９と同じ材料によって遮光部材２９を形成するのと同時に形成される。複数の遮光部材２９を共通線２８によって結ぶことにより、それらの遮光部材２９は電気的に同じ電位に設定されている。この場合、複数の遮光部材２９の具体的な電位は特定の値に限定されない。例えば、液晶装置の全体の接地電位であっても良いし、電圧０Ｖであっても良いし、接地電位及び０Ｖ以外の適宜の電位であっても良い。

なお、図４（ｂ）の第１素子電極３４、データ線１９、及び遮光部材２９が第１透光性基板７ａから剥れることを防止したり、第１透光性基板７ａから第１素子電極３４等へ不純物が拡散しないようにするために、ＴＦＤ素子２１と第１透光性基板７ａとの間、データ線１９と第１透光性基板７ａとの間、及び遮光部材２９と第１透光性基板７ａとの間に下地層を設けることもできる。

図２において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第２透光性基板８ａの内側表面には、図３に示すように、樹脂膜４１が形成され、その上に光反射膜４２が形成される。光反射膜４２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等によって形成される。光反射膜４２の上には複数の着色要素４３が形成され、それらの着色要素４３の間にカラーフィルタ側遮光部材４４が形成され、それらの上にオーバーコート層４６が形成され、その上に紙面垂直方向へ直線的に延びる複数の帯状電極４７が形成され、さらにその上に配向膜２６ｂが形成される。配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

上記の樹脂膜４１の表面には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）になっている。樹脂膜４１の表面にこのような凹凸パターンを設けることにより、その上に積層された光反射膜４２も同じ凹凸パターンを持つことになる。このため、光反射膜４２で反射する光は散乱光となる。これにより、光反射膜４２で鏡面反射が生じることを防止できる。

図３において、オーバーコート層４６は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹脂によって形成される。図３の紙面垂直方向に帯状に延びる複数の電極４７は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等によって形成される。

素子基板７上に設けられた複数の画素電極２３は矢印Ａ方向から見て、縦横にマトリクス状に並ぶ、いわゆるドットマトリクス状に配列されている。つまり、複数の画素電極２３は、図３の左右方向へ直線状に並べられると共に、図３の紙面垂直方向へ直線状に並べられている。一方、カラーフィルタ基板８上に設けられた複数の帯状電極４７は、図３において左右方向に等間隔で紙面垂直方向に延びている。画素電極２３及び帯状電極４７は以上の構成により矢印Ａ方向から見て平面視で重なり合っており、その重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。これらのサブ画素Ｄが縦横にマトリクス状に並ぶことにより図１の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。

図３の光反射膜４２は、例えばフォトエチング処理によって形成されるが、そのフォトエチング処理の際、光反射膜４２はサブ画素Ｄごとに一部が部分的に除去される。このため、個々のサブ画素Ｄの中には、光反射膜４２が存在する領域と、光反射膜４２が存在しない領域５１とが設けられる。図５（ａ）は、図３において矢印Ａ方向、すなわち観察側の方向からカラーフィルタ基板８を見た場合のそのカラーフィルタ基板８の画素近傍の平面構図を示している。この図５（ａ）に示すように、光反射膜４２が存在しない領域５１は、サブ画素Ｄのほぼ中央に長方形状の領域として形成されている。なお、領域５１は長方形状等といった特定の形状に限られものではない。

図３において、個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜４２が存在する領域が反射部Ｒであり、光反射膜４２が存在しない領域５１が透過部Ｔである。矢印Ａで示す観察側から入射した外部光、すなわち素子基板７側から入射した外部光Ｌ０は、反射部Ｒで反射する。一方、図２の照明装置３の導光体１４から出射した図３の光Ｌ１は、透過部Ｔを透過する。

複数の着色要素４３は、１つ１つがサブ画素Ｄに対応して矢印Ａ方向から見て長方形のドット状に形成されている。これらの着色要素４３の１つ１つは、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の３原色のいずれか１つの光を通す材料によって形成されている。これら各色の着色要素４３は、本実施形態では、縦方向（すなわち、図５（ａ）の列方向Ｙ）に同じ色が並び、横方向（すなわち、図５（ａ）の行方向Ｘ）に順々に異なる色が並ぶという色配列であるストライプ配列に並べられている。配列としては、ストライプ配列に代えてデルタ配列、モザイク配列、その他適宜の配列を選択しても良い。なお、着色要素４３は、Ｃ(シアン)、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ(イエロー)の３原色によって形成することもできる。

本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色要素４３を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色要素４３に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の１色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。

図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ線に従った断面構造を示している。図５（ｂ）のカラーフィルタ側遮光部材４４は、例えばＣｒ（クロム）等といった遮光性の材料によって形成される。これらの遮光部材４４は、図５（ａ）に斜線で示すように、互いに隣り合う帯状電極４７，４７の間隙に平面視で重なるように線状、すなわち帯状に形成されている。なお、遮光部材４４は、Ｃｒ等といった特定の材料によって形成されることに限られず、例えば、着色要素４３を構成するＢ，Ｇ，Ｒ又はＣ，Ｍ，Ｙの各着色要素を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。

以上のように、本実施形態では、カラーフィルタ基板８上に遮光部材４４が設けられる。この遮光部材４４は、複数の帯状電極４７の間に形成されていて行方向Ｘに延びる間隙を遮光する。カラーフィルタ基板８上の列方向Ｙには遮光部材は設けられない。一方、図４（ａ）及び図４（ｂ）に関連して説明したように、素子基板７上にも遮光部材２９が設けられる。この遮光部材２９は、複数の画素電極２３の間隙のうちの列方向Ｙに延びる間隙を遮光する。素子基板７上の行方向Ｘには遮光部材は設けられない。

本実施形態では、素子基板７とカラーフィルタ基板８とを貼り合わせたときに、サブ画素Ｄに対して行方向（Ｘ方向）に延びる間隙がカラーフィルタ側遮光部材４４によって遮光され、列方向（Ｙ方向）に延びる間隙が素子側遮光部材２９によって遮光される。つまり、素子側遮光部材２９とカラーフィルタ側遮光部材４４とが協働してブラックマスクとして機能する。このブラックマスクの働きにより、着色要素４３を透過した光によって表示される像のコントラストが向上する。

なお、図５（ａ）のカラーフィルタ側遮光部材４４は、対向基板である素子基板７側に設けられたＴＦＤ素子２１及びコンタクトホール２７の両方を遮光するのに十分な幅Ｗを持っている。遮光部材４４の幅ＷのうちＴＦＤ素子２１に対応する部分で細く、コンタクトホール２７に対応する部分で太いのは、コンタクトホール２７の部分では比較的広い範囲で光が不安定になるので、その不安定な光が外部から視認されるのを防ぐためである。

以上の構成から成る素子基板７及びカラーフィルタ基板８が図３に示すように貼り合わされたとき、それらの基板の間に間隙、いわゆるセルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧ内に液晶が封入されて液晶層１２が形成される。そして、素子基板７上に形成したフォトスペーサ２４によってセルギャップＧの高さ、すなわち液晶層１２の層厚が一定に維持される。フォトスペーサ２４は、サブ画素Ｄに対する特定の位置に設けたり、サブ画素Ｄとは無関係の位置に設けたり、個々のサブ画素Ｄごとに設けたり、サブ画素Ｄのいくつか毎に１つ設けたり、あるいはその他の任意の形態で設けることができる。

次に、図２において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部５２を有している。この張出し部５２のうちの矢印Ａで示す観察側と反対側の表面には、配線５４がフォトエチング処理等によって形成されている。配線５４は複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部５２の辺端には複数の外部接続用端子５６が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。図１に示したＦＰＣ基板４に形成される配線は、図２の外部接続用端子５６に導電接続する。

複数の配線５４の一部はデータ線１９となって第１透光性基板７ａの表面上を延びている。また、複数の配線５４の残りの一部はシール材６の中にランダム（すなわち、無秩序）に含まれる導通材５７を介してカラーフィルタ基板８上に設けられた帯状電極４７に導電接続されている。導通材５７は、図２では模式的に大きく描かれているが、実際にはシール材６の断面の幅よりも小さいものであり、シール材６の１つの断面内に複数の導通材５７が含まれるのが普通である。

張出し部５２の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５８を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５３が実装されている。駆動用ＩＣ５３は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されている。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ５３は、データ線１９へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ５３，５３は、カラーフィルタ基板８上に形成された帯状電極４７へ走査信号を伝送する。帯状電極４７へ走査信号が伝送されるとき、帯状電極４７は走査線として機能する。

以上のように構成された液晶装置１によれば、図２において、液晶装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。

上記の反射型表示を行う場合、図３において、観察側である矢印Ａの方向から素子基板７を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過してカラーフィルタ基板８内へ入った後、反射部Ｒにおいて光反射膜４２で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌ１で示すように透過部Ｔにおいて光反射膜４２が存在しない領域５１を通って液晶層１２へ供給される。

以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２３とカラーフィルタ基板８側の帯状電極４７との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、素子基板７側の偏光板１８ａ（図２参照）を通過するとき、その偏光板１８ａの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容または通過を阻止され、これにより、素子基板７の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。

従来の液晶装置では、表示のコントラストを上げるためのブラックマスクは、専ら、図２のカラーフィルタ基板８に設けられていた。通常は、サブ画素Ｄの周囲の４辺の全てを囲むブラックマスクをカラーフィルタ基板８上に設けていた。これに対し本実施形態では、上記の通り、サブ画素Ｄに対する列方向（Ｙ方向）のブラックマスクを素子側遮光部材２９によって形成し、行方向（Ｘ方向）のブラックマスクをカラーフィルタ側遮光部材４４によって形成した。

一般に、遮光部材をカラーフィルタ基板８上だけに設ける場合には、素子基板７とカラーフィルタ基板８とを貼り合わせる際に両基板間に位置ズレが発生したときでも、サブ画素Ｄの周囲を遮光部材によって確実に遮光するために、遮光部材の幅を基板の位置ズレを見込んで予め広く形成する必要がある。しかしながらこのように遮光部材を広く形成すると、サブ画素Ｄに占める遮光部材の面積が大きくなるので、表示領域に関する開口率が低くなり、表示品質が低下するという問題が発生する。

このことに関し、本実施形態では図４（ａ）において、素子基板７上において隣り合う画素電極２３，２３の間隙を遮光する遮光部材２９をカラーフィルタ基板８上ではなくて素子基板７上に設けるようにしたので、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間の組みズレを見込んで遮光部材２９の幅を広く形成する必要がなくなった。そして、それ故、サブ画素Ｄの開口率を上げることができ、鮮明な表示を提供できるようになった。

ところで、液晶装置の表示に関してはクロストークの問題がある。このクロストークには、縦クロストーク及び横クロストークがある。また、横クロストークには、表示領域に黒色領域のウインドウ表示を行った際に現れる横クロストークと、表示領域に白色領域のウインドウ表示を行った際に現れる横クロストークがある。

縦クロストークとは、表示領域の列方向、すなわち縦方向に発生する表示の異常のことであり、例えば、灰色等を背景色として赤、青、緑等の単色、あるいは赤、青、緑の各色に対して補色の関係にあるシアン、マゼンタ、イエロー等の色を矩形状に表示したときに、矩形表示領域の上下方向に位置する領域が、本来表示されるべき背景色よりも明るく表示されてしまうことである。また、例えば、白色サブ画素及び黒色サブ画素が行及び列において交互に配置する市松模様や、１行毎に白色サブ画素及び黒色サブ画素が反転するゼブラパターン等を表示する場合に、列方向の表示が本来表示されるべき階調とは異なった階調となってしまうことである。この縦クロストークについては、例えば、特開２００１−１４７６７１号公報にも記載されている。

白色領域のウインドウ表示を行った際に現れる横クロストークとは、例えば図１８（ａ）に示すように、領域Ｂ−Ｅに白色のウインドウ表示を行ったとき、その白色領域Ｂ−Ｅに対して行方向（すなわち、横方向）で隣接する領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆが、本来であれば、他の灰色領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆと同じ明度であるべきところ、それらの領域間に明度差が生じることである。

また、黒色領域のウインドウ表示を行った際に現れる横クロストークとは、例えば図１８（ｂ）に示すように、領域Ｂ−Ｅに黒色のウインドウ表示を行ったとき、その黒色領域Ｂ−Ｅに対して行方向（すなわち、横方向）で隣接する領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆが、本来であれば、他の灰色領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆと同じ明度であるべきところ、それらの間に明度差が生じることである。

本実施形態によれば、図４（ａ）において、複数の線状の遮光部材２９を共通線２８で結ぶことによって同電位に設定したので、表示領域に黒色領域のウインドウ表示を行った際の横クロストークを改善できるようになった。このことは本発明者の実験により明確に確認されていることであるが、以下、その原因について考えることにする。

図２３は、本実施形態において隣接する画素間の等価回路を示している。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示したようにＴＦＤ素子２１が形成された基板７に遮光部材２９を設けた場合、遮光部材２９は図２３の等価回路において符号Ｃ１で示すように隣接する画素間の容量成分になる。以下、本実施形態の液晶装置によって、（１）中間調のみで表示を行う場合、（２）中間調及び「白」の表示を行う場合、及び（３）中間調及び「黒」の表示を行う場合について考える。

（中間調のみで表示を行う場合）
表示領域に中間調のみで画像を表示する場合、走査線に供給される駆動波形は図２４のＣＯＭであり、データ線に供給される駆動波形は図２４のＳＥＧである。また、時点ａでの等価回路は図２５（ａ）に示す通りであり、時点ｂでの等価回路は図２５（ｂ）に示す通りである。図２５（ａ）及び図２５（ｂ）では、全てが同時に切り替わるので、Ｃ１に電流は流れない。つまり、Ｃ１による影響は無い。次に、図２４の駆動波形の実効値に関しては、Ｔ０領域及びＴ１領域の両方において、素子側に遮光領域を設けない通常の場合と、本実施形態のように素子側に遮光部材を設けた場合とで、容量に変化が無いために実効値に違いは生じない。このように、中間調のみで表示を行う場合は寄生容量による影響が無いので、波形なまりに違いは生じない。

（中間調及び「白」の表示を行う場合）
表示領域に中間調及び白で画像を表示する場合、走査線に供給される駆動波形は図２６のＣＯＭであり、データ線に供給される駆動波形は図２６のＳＥＧ１及びＳＥＧ２である。また、時点ｃでの等価回路は図２７（ａ）に示す通りであり、時点ｄでの等価回路は図２７（ｂ）に示す通りである。図２７（ａ）では、全てが同時に切り替わるのでＣ１に電流は流れない。つまり、Ｃ１による影響は無い。また、図２７（ｂ）では、Ｃ１とＣ_ＬＣＤ’、Ｃ_ＴＦＤとの合成容量が保持容量の役目を果たし、ＣＯＭの電圧変動を抑える。これにより、波形なまりは小さくなる。次に、図２６の駆動波形の実効値に関しては、Ｔ０領域において、通常の場合と素子側に遮光部材を設けた場合とで、容量に変化が無いために実効値に違いは生じない。一方、Ｔ１領域において、素子側に遮光部材を設けた場合は容量が減ったために短い時間で所定電位Ｖまで到達する。このように、１ラインで中間調と白とが混ざっている場合は、寄生容量の影響により電圧変動が抑えられるので、波形なまりは小さくなる。

（中間調及び黒の表示を行う場合）
表示領域に中間調及び黒で画像を表示する場合、走査線に供給される駆動波形は図２８のＣＯＭであり、データ線に供給される駆動波形は図２８のＳＥＧ１及びＳＥＧ２である。また、時点ｅでの等価回路は図２９（ａ）に示す通りであり、時点ｆでの等価回路は図２９（ｂ）に示す通りである。図２９（ａ）では、ＣＯＭが変化しているので、合成容量はＣ_ＬＣＤ”＋（（Ｃ_ＬＣＤ×Ｃ１）／（Ｃ_ＬＣＤ＋Ｃ１））となり、容量が増加したために波形なまりは大きくなる。また、図２９（ｂ）では、Ｃ１とＣ_ＬＣＤ’、Ｃ_ＴＦＤとの合成容量が保持容量の役目を果たし、ＣＯＭの電圧変動を抑える。このため、波形なまりは小さくなる。

図２８の駆動波形の実効値に関しては、Ｔ０領域において、素子側に遮光部材を設けた場合は、容量が増えたために所定電圧Ｖ１まで到達するのに時間がかかる。一方、Ｔ１領域において、素子側に遮光部材を設けた場合は、容量が減ったために短い時間で所定電圧Ｖまで到達する。この場合、前半のＴ０領域のＶs は約１６Ｖであり、後半のＴ１領域のＶs は約４Ｖであり、よって、前半の影響が強い。

１ラインで中間調と黒が混ざっている場合は、時点ｅで波形なまりが大きくなり、時点ｆで波形なまりが小さくなる。この影響はＩ＝Ｃ×ΔＶに比例し、時点ｅの方が時点ｆよりも電圧変化が大きいので、影響が大きい。よって、波形なまりは大きくなる。
クロストークは階調ベタ表示との比較で表され、階調ベタとの輝度差が大きいほどクロストークは悪くなる。本来、階調ベタは波形なまりが大きく、クロストークが最も悪い条件であるので、階調ベタでの波形なまりを小さくするのがクロストーク対策なのであるが、他の条件で波形なまりを大きくし、階調ベタとの輝度差を少なくすることでもクロストーク対策になる。
よって、上記の３つの場合に関しては、階調ベタでは波形なまりに変化は無く、「黒」が入った場合には波形なまりが大きくなるのでクロストークは良くなり、「白」が入った場合には逆に波形なまりが小さくなるのでクロストークは悪くなる。以上により、本実施形態のように素子基板側に遮光部材を設けることにより、黒色ウインドウ表示の際の横クロストークが改善されることが理解される。

次に、本実施形態では、クロストーク、特に、縦クロストーク及び白色ウインドウ表示の際の横クロストークの問題を改善するために、図１の駆動用ＩＣ５３に改善を加えている。以下、この点について説明する。図６は、本実施形態の液晶装置の電気的なブロック図を示している。

この図に示されるように、液晶装置１は、液晶パネル２、制御回路４００、及び電圧生成回路５００を有する。制御回路４００及び電圧生成回路５００は、例えば図１のＦＰＣ基板４を介して液晶パネル２に接続される。液晶パネル２には、複数のデータ線１９が列方向Ｙに延在して形成され、一方、複数の走査線４７が行方向Ｘに延在して形成されている。走査線４７は、図１の帯状電極４７のことである。そして、データ線１９と走査線４７とが交差する部分にサブ画素Ｄが形成されている。

各サブ画素Ｄは、液晶容量１１８と、ＴＦＤ素子２１との直列接続から成り、液晶容量１１８は走査線４７とそれに対向する画素電極２３とそれらによって挟持された液晶とによって構成される容量である。なお、本実施形態では、説明の便宜上、走査線４７の総数を３２０本とし、データ線１９の総数を２４０本として、縦３２０行×横２４０列のマトリクス状に配置されたサブ画素Ｄによって表示を行うものとする。しかしながら、本発明がこのマトリクス表示に限定されるものでないことは、もちろんである。

複数の走査線４７は走査線駆動回路３５０の出力端子に接続される。また、複数のデータ線１９はデータ線駆動回路２５０の出力端子に接続される。走査線駆動回路３５０は、例えば、図１の両側の駆動用ＩＣ５３によって構成される。また、データ線駆動回路２５０は、例えば、図１の中央の駆動用ＩＣ５３によって構成される。

走査線駆動回路３５０は、走査信号Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，……，Ｙ３２０を、それぞれ１行目、２行目、３行目、……、３２０行目の走査線４７に供給する。具体的には、走査線駆動回路３５０は、３２０本の走査線４７を１水平走査期間毎に１本ずつ選択すると共に、選択した走査線４７には選択電圧を供給し、他の走査線４７には非選択電圧を供給する。

データ線駆動回路２５０は、走査線駆動回路３５０によって選択された走査線４７に位置するサブ画素Ｄに対し、その表示内容（すなわち、階調）に応じたデータ信号Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，……，Ｘ２４０を、それぞれ１列目、２列目、３列目、……、２４０列目のデータ線１９へ供給する。なお、データ線駆動回路２５０及び走査線駆動回路３５０の構成の詳細については後述する。

制御回路４００は、液晶パネル２を水平走査するための各種制御信号やクロック信号等をデータ線駆動回路２５０へ供給する。また、制御回路４００は、液晶パネル２を垂直走査するための各種制御信号やクロック信号等を走査線駆動回路３５０へ供給する。さらに、制御回路４００は、サブ画素Ｄの階調を「０」から「７」までの８段階で指示する３ビットの階調データＤｎを、垂直走査及び水平走査に同期して供給する。

ここで、前提として、３ビットの階調データＤｎがオフ階調である（０００）が最も明るい白色の表示を指示し、３ビットの値が上がるにつれて徐々に輝度が低下することを指示し、階調データＤｎが（１１１）である場合が最も暗い黒色の表示を指示するものとする。さらに、液晶パネル２が無電圧印加状態のときに白表示が行われるノーマリーホワイトモードであるとする。

また、本明細書で、「点灯電圧」とは、ある１本の走査線４７が選択された期間に着目した場合に、データ線１９に印加されるデータ信号の電圧のうち、その期間において着目走査線４７に印加される選択電圧とは逆極性の電圧をいう。また、「非点灯電圧」とは、着目走査線が選択された期間に、データ線に印加されるデータ信号の電圧のうち、その期間において着目走査線に印加される選択電圧と同一極性の電圧をいう。また、電圧の極性は、データ信号がとる点灯電圧、非点灯電圧の中間電圧を基準として高電位側が正極とし、低電位側を負極とする。点灯電圧は、選択電圧とは逆極性にあるデータ信号の電圧をいうので、ノーマリーホワイトモードでは、サブ画素Ｄに点灯電圧が印加されると、サブ画素Ｄが暗くなる点に留意する必要がある。

電圧生成回路５００は、液晶パネル２に用いられる電圧±ＶＳ及び電圧±ＶＤ／２をそれぞれ生成する。このうち、電圧±ＶＳは、走査信号における選択電圧として用いられ、それぞれ走査線駆動回路３５０に供給される。また、電圧±ＶＤ／２は、走査信号における非選択電圧と、データ信号におけるデータ電圧とで兼用されるものであり、それぞれ、データ線駆動回路２５０及び走査線駆動回路３５０に供給される。

図６において、データ線１９に印加されているデータ電圧にかかわらず、ＴＦＤ素子２１を強制的に導通状態（すなわち、ＯＮ状態）にさせる選択電圧＋ＶＳ又は−ＶＳのいずれかを走査線４７に印加すると、当該走査線４７及び当該データ線１９の交差部分に対応するＴＦＤ素子２１がＯＮ状態となって、そのＴＦＤ素子２１に接続された液晶容量１１８に、当該選択電圧及び当該データ電圧の差に応じた電荷が蓄積される。その電荷蓄積後、走査線４７に非選択電圧を印加して、当該ＴＦＤ素子２１をＯＦＦ状態にしても、液晶容量１１８における電荷の蓄積が維持される。

液晶容量１１８では、蓄積される電荷量に応じて、液晶１２の配向状態が変化し、偏光板１８ａを通過する光量が蓄積された電荷量に応じて変化する。従って、選択電圧が変動しないことを前提とすれば、当該選択電圧が印加されたときのデータ電圧によって、液晶容量１１８における電荷の蓄積量をサブ画素Ｄ毎に制御することで、所定の階調表示が可能になる。

次に、説明の便宜上、図６における制御回路４００によって生成される制御信号やクロック信号、その他の各種信号について説明する。まず、図８を参照して、Ｙ側（すなわち、垂直走査側）に用いられる信号について説明する。第１に、スタートパルスＤＹは１垂直走査期間（１Ｆ）の最初に出力されるパルスである。第２に、クロック信号ＹＣＫはＹ側の基準信号であり、このクロック信号ＹＣＫは１水平走査期間（１Ｈ）の周期を有する。

第３に、極性指示信号ＰＯＬは、走査線４７が選択されたときに印加すべき選択電圧の極性を指定する信号であり、例えば、Ｈレベルであれば正極性の選択電圧＋ＶＳを指定し、Ｌレベルであれば負極性の選択電圧−ＶＳを指定する。この極性指示信号ＰＯＬは、同一の垂直走査期間内では、１水平走査期間（１Ｈ）毎に論理レベルが反転する。また、極性指示信号ＰＯＬは、隣接する垂直走査期間において、同一の水平走査期間では論理レベルが反転する。

第４に、制御信号ＩＮＨは、１水平走査期間（１Ｈ）における選択電圧の印加期間を規定するための信号である。後述するように、本実施形態では、１水平走査期間（１Ｈ）の後半期間において選択電圧を印加するので、制御信号ＩＮＨは当該後半期間にＨレベルとなる。

次に、図１０を参照して、Ｘ側（すなわち、水平走査側）に用いられる信号について説明する。第１に、ラッチパルスＬＰは、１水平走査期間（１Ｈ）の最初に出力されるパルスである。第２に、リセット信号ＲＥＳは、１水平走査期間（１Ｈ）の前半期間の最初及び後半期間の最初にそれぞれ出力されるパルスである。第３に、交流駆動信号ＭＸは、データ線側においてサブ画素を交流駆動するための信号であり、Ｙ側の極性指示信号ＰＯＬよりも位相が９０度進んだ関係となっている。このため、交流駆動信号ＭＸは、選択電圧として正極性の電圧＋ＶＳが指定される１水平走査期間（１Ｈ）では、その前半期間においてＨレベルとなり、その後半期間においてＬレベルとなる。一方、交流駆動信号ＭＸは、選択電圧として負極性の電圧−ＶＳが指定される１水平走査期間（１Ｈ）では、その前半期間においてＬレベルとなり、その後半期間においてＨレベルとなる。

第４に、階調コードパルスＧＣＰＲは、本実施形態では、黒色を除く色の各々に応じて、点灯電圧及び非点灯電圧の切替えタイミングを、その立下りにおいて規定するためのパルス列であり、１水平走査期間の前半期間及び後半期間のそれぞれにおいて、灰色（１１０）、（１０１）、（１００）、（０１１）、（０１０）、（００１）に対応して十進値で表記されたものが順に対応して配列すると共に、これらの配列の先頭に、白色の（０００）に対応するものが位置している。

ここで、前半及び後半期間の開始タイミングから、白色の（０００）に対応する階調コードパルスＧＣＰＲ（図１０において「０」と表記）の立下りタイミングまでの期間ｔ１は、当該白色よりも１段階暗い灰色の（００１）に対応する階調コードパルスＧＣＰＲ（図１０において「１」と表記）の立下りタイミングから、前半及び後半期間の終了タイミングまでの期間ｔ２よりも短くなるように設定されている。また、階調コードパルスＧＣＰＲは、サブ画素の印加電圧−濃度特性（すなわち、Ｖ−Ｔ特性）を考慮して設定されるものであり、実際には、等間隔ではない。

次に、図７は、図６の走査線駆動回路３５０を示している。図７に示す走査線駆動回路３５０において、シフトレジスタ３５２は、走査線４７の総数に応じた３２０ビットの段数を有し、１垂直走査期間の最初に供給されるスタートパルスＤＹをクロック信号ＹＣＫによって順次にシフトして、転送信号Ｙｓ１，Ｙｓ２，Ｙｓ３，……，Ｙｓ３２０として順次に出力する。ここで、転送信号Ｙｓ１，Ｙｓ２，Ｙｓ３，……，Ｙｓ３２０は、それぞれ１行目、２行目、３行目、……、３２０行目の走査線４７にそれぞれ１対１に対応するものであって、いずれかの転送信号がＨレベルになると、それに対応する走査線４７を選択すべき水平走査期間（１Ｈ）であることを示している。

続いて、電圧選択信号形成回路３５４は、転送信号の他に極性指示信号ＰＯＬ及び制御信号ＩＮＨから、１行の走査線４７について、当該走査線４７への印加電圧を指定すると共に、互いに排他的にアクティブレベル（Ｈレベル）となる電圧選択信号ａ，ｂ，ｃ，ｄを出力する。ここで、電圧選択信号ａがＨレベルになると＋ＶＳ（正極性選択電圧）の選択が指示される。同様に、電圧選択信号ｂ，ｃ，ｄがＨレベルになると、それぞれ＋ＶＤ／２（正極性非選択電圧）、−ＶＤ／２（負極性非選択電圧）、−ＶＳ（負極性選択電圧）の選択が指示される。

本実施形態では、上述したように、選択電圧＋ＶＳ又は−ＶＳが印加される期間は、１水平走査期間（１Ｈ）の後半期間である。また、非選択電圧は、選択電圧＋ＶＳが印加された後では＋ＶＤ／２であり、選択電圧−ＶＳが印加された後では−ＶＤ／２であって、直前の選択電圧によって一義的に定まっている。

このため、電圧選択信号形成回路３５４は、走査信号の電圧レベルが次の関係になるように、１行の走査線４７について電圧選択信号ａ，ｂ，ｃ，ｄを出力する。すなわち、転送信号Ｙｓ１，Ｙｓ２，Ｙｓ３，……，Ｙｓ３２０のいずれかがＨレベルになって、それに対応する走査線４７を選択すべき水平走査期間である旨が指定され、さらに、制御信号ＩＮＨがＨレベルとなって、当該水平走査期間の後半期間であることが通知されると、電圧選択信号形成回路３５４は、当該走査線４７への走査信号の電圧レベルを、第１に、極性指示信号ＰＯＬの信号レベルに対応した極性の選択電圧とし、第２に、その後半期間が終了すると、当該選択電圧に対応する非選択電圧となるように電圧選択信号を生成する。

具体的には、電圧選択信号形成回路３５４は、制御信号ＩＮＨがＨレベルとなる期間において、極性指示信号ＰＯＬがＨレベルであれば正極性選択電圧＋ＶＳを選択させる電圧選択信号ａを当該後半期間にＨレベルとし、この後半期間が終了して、制御信号ＩＮＨがＬレベルに遷移すれば、正極性非選択電圧＋ＶＤ／２を選択させる電圧選択信号ｂをＨレベルとして出力する。一方、電圧選択信号形成回路３５４は、制御信号ＩＮＨがＨレベルとなる後半期間において、極性指示信号ＰＯＬがＬレベルであれば負極性選択電圧−ＶＳを選択させる電圧選択信号ｄを当該期間にＨレベルとし、この後、制御信号ＩＮＨがＬレベルに遷移すれば、負極性非選択電圧−ＶＤ／２を選択させる電圧選択信号ｃをＨレベルとして出力することになる。

セレクタ群３５８は、１本の走査線４７について、４個のスイッチ３５８１〜３５８４を有する。これらのスイッチ３５８１〜３５８４の各一端は、それぞれ、電圧＋ＶＳ、＋ＶＤ／２、−ＶＤ／２、−ＶＳの供給線に接続されている。他方、各スイッチ３５８１〜３５８４の他端は、対応する走査線４７に共通に接続されると共に、各ゲートには、それぞれ電圧選択信号ａ，ｂ，ｃ，ｄが供給されている。そして、スイッチ３５８１〜３５８４は、それぞれゲート入力する電圧選択信号ａ，ｂ，ｃ，ｄがＨレベルになると、それぞれ一端及び他端間において導通状態となる。従って、各走査線４７には、スイッチ３５８１〜３５８４のうち、ＯＮ状態になったものを介して、電圧＋ＶＳ、＋ＶＤ／２、−ＶＤ／２、−ＶＳのいずれかが印加される。

次に、上記構成の走査線駆動回路３５０によって供給される走査信号の電圧波形について説明する。まず、スタートパルスＤＹは、図８に示すように、シフトレジスタ３５２によりクロック信号ＹＣＫに従って１水平走査期間（１Ｈ）毎に順次にシフトされて、これが転送信号Ｙｓ１，Ｙｓ２，Ｙｓ３，……，Ｙｓ３２０として出力される。

ここで、ある１行の走査線４７に対応する転送信号がＨレベルになる１水平走査期間において、その後半期間（１／２Ｈ）に至ると、当該後半期間における極性指示信号ＰＯＬの論理レベルに応じて、当該走査線への選択電圧が定められる。具体的には、ある１行の走査線に供給される走査信号の電圧は、当該走査線が選択される１水平走査期間の後半期間（１／２Ｈ）において、極性指示信号ＰＯＬが例えばＨレベルであれば正極性選択電圧＋ＶＳとなり、その後、当該選択電圧に対応する正極性非選択電圧＋ＶＤ／２を保持する。そして、１垂直走査期間（１Ｆ）が経過して、１水平走査期間の後半期間においては、極性指示信号ＰＯＬが反転してＬレベルになるので、当該走査線に供給される走査信号の電圧は、負極性選択電圧−ＶＳとなり、その後、当該選択電圧に対応する負極性非選択電圧−ＶＤ／２を保持することになる。

このため、ある垂直走査期間において１行目の走査線４７への走査信号Ｙ１は、図８に示すように、当該水平走査期間の後半期間において、極性指示信号ＰＯＬのＨレベルに対応して正極性選択電圧＋ＶＳとなり、その後、正極性非選択電圧＋ＶＤ／２を保持する。次の１水平走査期間の後半期間においては、極性指示信号ＰＯＬのレベルが前回の選択とは論理反転したＬレベルになるので、当該走査線への走査信号Ｙ１は、負極性選択電圧−ＶＳとなり、その後、負極性非選択電圧−ＶＤ／２を保持する。以下、このサイクルの繰り返しとなる。

また、極性指示信号ＰＯＬは、１水平走査期間（１Ｈ）毎に論理レベルが反転するので、各走査線４７に供給される走査信号は、１水平走査期間（１Ｈ）毎に、すなわち、走査線４７の１行毎に交互に極性が反転する関係となる。例えば、あるフレームにおいて、１行目の走査信号Ｙ１の選択電圧が正極性選択電圧＋ＶＳであれば、１水平走査期間経過後において、２行目の走査信号Ｙ２の選択電圧は負極性選択電圧−ＶＳとなる。

次に、図９は、図６のデータ線駆動回路２５０を示している。図９に示すデータ線駆動回路２５０において、アドレス制御回路２５２は、階調データの読み出しに用いる行アドレスＲａｄを生成する。アドレス制御回路２５２は、当該行アドレスＲａｄを、１フレームの最初に供給される開始パルスＤＹによってリセットすると共に、１水平走査期間毎に供給されるラッチパルスＬＰで歩進させる構成となっている。

表示データＲＡＭ２５４は、縦３２０行×横２４０列のサブ画素に対応した記憶領域を有するデュアルポートＲＡＭであり、書込み側では、図６における制御回路４００から供給される階調データＤｎが、同じく制御回路４００からの書込みアドレスＷａｄで指定された番地に書き込まれる一方、読出し側では、行アドレスＲａｄで指定された番地の階調データＤｎの１行分２４０個が、一括して読み出される構成となっている。

次に、デコーダ２５６は、データ信号Ｘ１，Ｘ２，……，Ｘ２４０のデータ電圧をそれぞれ選択するための電圧選択信号ｅ，ｆを、読み出された２４０個の階調データＤｎに応じて、リセット信号ＲＥＳ、交流駆動信号ＭＸ、階調コードパルスＧＣＰＲとから排他的に生成するものである。ここで、電圧選択信号ｅは＋ＶＤ／２の選択を、電圧選択信号ｆは−ＶＤ／２の選択を、それぞれ指定する。本実施形態において、階調データＤｎは、３ビット（８階調）であるので、デコーダ２５６は、読み出された２４０個のうち、ある列の階調データＤｎについて着目すると、次のような電圧選択信号を生成する。

すなわち、デコーダ２５６は、極性指示信号ＰＯＬがＨレベルである１水平走査期間（１Ｈ）において、階調データＤｎが白色（０００）及び黒色（１１１）以外の中間階調を指定するものであれば、第１に、１水平走査期間の前半期間（１／２Ｈ）の最初に供給されるリセット信号ＲＥＳによって、交流駆動信号ＭＸのレベルとは反対側のレベルにリセットし、第２に、階調コードパルスＧＣＰＲのうち、当該階調データＤｎに対応するものの立下りにて、交流駆動信号ＭＸと同一側のレベルにセットし、第３に、１水平走査期間の後半期間（１／２Ｈ）の最初に供給されるリセット信号ＲＥＳを無視し、第４に、階調コードパルスＧＣＰＲのうち、当該階調データＤｎに対応するものの立下りにて、交流駆動信号ＭＸと同一側のレベルに再セットするような電圧選択信号を生成する。

但し、デコーダ２５６は、極性指示信号ＰＯＬがＨレベルである１水平走査期間（１Ｈ）において、階調データＤｎが黒色（１１１）であれば、交流駆動信号ＭＸとは同一のレベルとなるように、それぞれ電圧選択信号ｅ、ｆを生成する。また、階調データＤｎが白色の（０００）であれば、第１に、１水平走査期間の前半期間（１／２Ｈ）の最初に供給されるリセット信号ＲＥＳによって、交流駆動信号ＭＸのレベルとは同一側のレベルにリセットし、第２に、階調コードパルスＧＣＰＲのうち、最初、すなわち（０００）に対応するものの立下りにて、交流駆動信号ＭＸと反対側のレベルにセットし、第３に、１水平走査期間の後半期間（１／２Ｈ）の最初に供給されるリセット信号ＲＥＳを無視し、第４に、階調コードパルスＧＣＰＲのうち、最初のものの立下りにて、交流駆動信号ＭＸと反対側のレベルに再セットするような電圧選択信号を生成する。このような電圧選択信号の生成を、デコーダ２５６は、読み出された２４０個の階調データＤｎの各々に対応して実行する。

セレクタ群２５８は、１列のデータ線１９について、２個のスイッチ２５８１、２５８２を有する。これらのスイッチ２５８１，２５８２の各一端は、それぞれ電圧＋ＶＤ／２、−ＶＤ／２の供給線に接続されている。また、スイッチ２５８１，２５８２の他端は、対応するデータ線１９に共通に接続されると共に、各ゲートには、それぞれ電圧選択信号ｅ，ｆが供給されている。そして、スイッチ２５８１，２５８２は、ゲート入力する電圧選択信号ｅ，ｆがアクティブレベルになると、それぞれ一端及び他端において導通状態となる。従って、各データ線１９は、スイッチ２５８１，２５８２のうち、ＯＮ状態になったものを介して、電圧＋ＶＤ／２、−ＶＤ／２のいずれかが印加される。

結局、データ線駆動回路２５０によって供給されるデータ信号Ｘｊの電圧波形は、図１０に示すようになる。なお、図１０は、デコーダ２５６に入力される階調データＤｎの２進数表示と、それをデコードした結果であるデータ信号Ｘｊとの関係を示すものである。特に、本実施形態では、階調データＤｎが（０００）であり、サブ画素を白色（すなわち、オフ階調）とする場合には、１水平走査期間のうち、選択電圧が印加される後半期間（１／２Ｈ）の開始タイミングでは点灯電圧が印加され、その後、期間ｔ１が経過して、非点灯電圧が印加される。

図１１は、ｉ行目の走査線４７へ伝送される走査信号Ｙｉと、これよりも１行下の走査線４７へ伝送される走査信号Ｙｉ＋１と、ｊ列目のデータ線１９へ伝送されるデータ信号Ｘｊとにおける各信号波形を示している。なお、データ信号Ｘｊについては、ｉ行目及びｉ＋１行目の走査線４７と、ｊ列目のデータ線１９に位置するサブ画素を、白色表示、黒色表示、及びその中間色の灰色表示をする場合についてそれぞれ示している。

同図に示されるように、１水平走査期間（１Ｈ）が２分割されて前半期間と後半期間とに分けられると共に、走査信号Ｙｉ、Ｙｉ＋１は、後半期間（１／２Ｈ）にわたって選択電圧をとり、データ信号Ｘｊは、サブ画素を暗くするにつれて、点灯電圧をとる期間が長くなる。ここで、点灯電圧は、選択電圧が正極性の＋ＶＳであれば、負極性のデータ電圧−ＶＤ／２であり、反対に選択電圧が負極性の−ＶＳであれば正極性のデータ電圧＋ＶＤ／２である。一方、当該後半期間に先立つ前半機関におけるデータ信号は、当該後半期間におけるデータ信号とは電圧が逆転した関係となっている。

従って、１水平走査期間（１Ｈ）でみたとき、データ信号Ｘｊは、電圧＋ＶＤ／２と−ＶＤ／２とをそれぞれ５０％の割合でとることになる。このため、サブ画素の階調がいかなるパターンで連続したとしても、１垂直走査期間（１Ｆ）において、データ信号Ｘｊが電圧−ＶＤ／２をとる期間の累計と、電圧＋ＶＤ／２をとる期間の累計とは互いに同一となる。このことは、非選択期間においてサブ画素に印加される電圧実効値が、全てのサブ画素にわたって等しいことを意味するものである。

ところで、クロストークとして、縦クロストーク、白色ウインドウ表示の際の横クロストーク、及び黒色ウインドウ表示の際の横クロストークがあることは既述した。本実施形態において、上記のように、非選択期間においてサブ画素に印加される電圧実効値が全てのサブ画素にわたって等しくなるように駆動を行えば、縦クロストークの発生を確実に抑えることができる。

次に、本実施形態との比較のために基本的な駆動波形について説明する。図１７は、基本的なデータ信号Ｘｊを、階調データＤｎとの関係において示す波形図である。この波形図において、図１０に示す本実施形態の波形図と相違する点は、次の通りである。すなわち、図１７では、階調コードパルスＧＣＰＲのうち、階調データＤｎ（０００）に対応するものが存在せず、また、サブ画素を白色とする場合には、１水平走査期間の後半期間（１／２Ｈ）の全域にわたって非点灯電圧が印加される点にある。

この基本波形において、例えば図１２（ａ）に示すように、液晶パネルの表示領域Ｖに灰色を背景として矩形状の白色領域をウインドウ表示する場合を考える。この場合、実際に表示される画像では、図１８（ａ）に示すように、白色領域Ｂ−Ｅとは行方向（すなわち、横方向）で隣接する領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆが他の灰色領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆと比べて暗くなってしまう。この明度差は、行方向に発生することから、上記の縦方向クロストークと区別する意味で、横クロストークと呼ばれている。

なお、図１２（ｂ）に示すように、液晶パネルの表示領域Ｖに、灰色を背景として矩形状の黒色領域をウインドウ表示する場合、実際に表示される画像は、図１８（ｂ）に示すように、白色領域をウインドウ表示する場合と比較して、それほど背景の灰色に目立った明度差が生じない。つまり、黒色領域をウインドウ表示する場合は、白色領域をウインドウ表示する場合に比べて、横クロストークの発生が小さい。しかも、本実施形態では、図４（ａ）に示したように、素子基板７側に複数の線状の遮光部材２９を設けると共にそれらの遮光部材２９を共通線２８で結ぶことによって同電位に設定したので、表示領域に黒色領域のウインドウ表示を行った際の横クロストークを改善できるようになった。従って、本実施形態では、黒色領域のウインドウ表示を行う際の横クロストークは確実に抑えることができるようになった。

次に、上記の横クロストーク、特に、白色領域をウインドウ表示する際の横クロストークについて検討する。図６の液晶パネル２では、走査線４７がＩＴＯ等の比較的抵抗率の大きな導電体によって形成されるため、ある行の走査線４７は、１列目から２４０列目までの全てのデータ線１９と容量的に結合する。また、走査線４７だけでなく、液晶パネル２における配線や信号線の全てについても、同様に、全てのデータ線１９と少なからず容量的に結合する。このため、データ線１９が電圧＋ＶＤ／２、−ＶＤ／２の一方から他方へ切り替わると、スパイク（すなわち、微分波形ノイズ）として走査線、配線、供給線に現れる。

続いて、このスパイクが、液晶容量に印加される信号波形に、どのように影響するのか検討してみる。図１２（ａ）又は図１８（ａ）において、行範囲Ａ又は行範囲Ｃに属する走査線が選択された場合、当該走査線に位置するサブ画素は、全て背景の灰色であるので、当該走査線に正極性の選択電圧＋ＶＳが印加されるのであれば、データ信号では、電圧の切替えが、図１９（ａ）に示すように、１水平走査期間（１Ｈ）の最初、前半期間の途中及び後半期間の途中にて、それぞれ発生する。さらに、この電圧の切替えは、全てのデータ線において同時に発生する。従って、走査信号には、データ電圧の切り替わる方向に比較的大きなスパイクＳ０，Ｓ１，Ｓ３が現れることになる。

このうち、スパイクＳ０，Ｓ１は走査信号をして非選択電圧をとる期間、すなわちＴＦＤ２１が非導通状態のときに現れるので、その影響は小さいが、スパイクＳ３は、走査信号として選択電圧をとる期間、すなわちＴＦＤ素子２１が導通状態のときに現れるので、当該選択電圧＋ＶＳを変動させる。このため、走査信号とデータ信号との差で示されるサブ画素への印加電圧波形は、図１９（ａ）の部分Ｐにて大きく歪み、当該サブ画素に印加される電圧実効値を小さくなる方向に作用させてしまう。

なお、図１９（ａ）では、後半期間において正極性の選択電圧＋ＶＳをとる１水平走査期間について説明したが、負極性の選択電圧−ＶＳをとる１水平走査期間では、図示の波形を、電圧基準点を中心に極性反転したものとなるので、同様に、サブ画素への印加電圧波形が大きく歪んで、当該サブ画素に印加される電圧実効値を小さくなるように作用させてしまう。

従って、行範囲Ａ及び行範囲Ｃに属するサブ画素（すなわち、領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆに属するサブ画素）は、印加電圧が目的とする本来の値から大きく減少するので、図１２（ａ）又は図１８（ａ）において、行範囲Ｂに属する走査線が選択された場合、当該走査線に位置するサブ画素は、背景色の灰色と白色との２種類となる。このため、データ信号は、図１９（ｂ）に示すように、当該走査線に正極性の選択電圧＋ＶＳが印加されるのであれば、背景にかかる列範囲Ｄ、Ｆに属するデータ線に供給されるものと、白色領域にかかる列範囲Ｅに属するデータ線に供給されるものとの２種類に分かれる。

換言すれば、行範囲Ａ又は行範囲Ｃに属する走査線が選択される場合であれば、全てのデータ信号が同一灰色に相当するものであったのに対し、行範囲Ｂに属する走査線が選択される場合であれば、当該灰色に相当するデータ信号の数がおおよそ半分となる。従って、行範囲Ｂに属する走査線が選択される場合に現れるスパイクＳ０，Ｓ１，Ｓ３は、行範囲Ａ又は行範囲Ｃに属する走査線が選択される場合と比較して小さくなる。このため、後半期間に現れるスパイクＳ３は、走査信号がとる選択電圧＋ＶＳをそれほど大きく変動させず、サブ画素への印加電圧波形における部分Ｐでの歪みも小さい。負極性の選択電圧−ＶＳをとる１水平走査期間でも同様である。従って、領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆのサブ画素に印加される電圧実効値の減少の程度は、行範囲Ａ及び行範囲Ｃに属するサブ画素と比較して小さいので、領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆのサブ画素は、わずかに明るくなる程度である。

この結果、同一階調となるはずの領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆのサブ画素と、領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆに属するサブ画素とは、図１８（ａ）に示すように、前者領域のサブ画素が後者領域のサブ画素よりも暗くなり、これが横クロストークとして視認される。

このように考えると、図１８（ａ）に示す横クロストークは、灰色領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆが暗くなるのではなく、灰色領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆが明るくなることに起因して発生する。但し、白色領域に隣接する灰色領域又はそれ以外の灰色領域のいずれかが明るくなるのか、暗くなるのかについては、あまり重要ではなく、本来同じ明るさとなるべき領域同士において明度差が生じてしまうことが重要な問題なのである。すなわち、この明度差が明確に視認されて、表示上の品位を低下させるからである。

ところで、横クロストークの原因がデータ信号の電圧切り替わりに伴うスパイクだけであるならば、灰色を背景として黒色領域をウインドウ表示させたときに、横クロストークが目立たない理由を説明できない。すなわち、横クロストークの発生は、スパイク以外の原因が関与していることになる。そこで、スパイク以外の原因を検討するために、灰色を背景として白色領域と黒色領域とをウインドウ表示するときの相違点について検討してみる。

灰色を背景として白色領域をウインドウ表示する場合に、図１２（ａ）又は図１８（ａ）において行範囲Ｂに属する走査線が選択されるとき、当該走査線には灰色と白色との２種類のサブ画素が存在する。灰色サブ画素となる列範囲Ｄ、Ｆに属するデータ線へのデータ信号、又は白色サブ画素となる列範囲Ｅに属するデータ線へのデータ信号は、図１９（ｂ）に示すように、当該走査線に選択電圧が印加される開始タイミングでは、いずれも点灯電圧をとらない。すなわち、正極性選択電圧＋ＶＳの印加開始タイミングでは、いずれのデータ信号も正極性において非点灯電圧となる電圧＋ＶＤ／２をとる。

一方、灰色を背景として黒色領域をウインドウ表示する場合に、図１２（ｂ）又は図１８（ｂ）において行範囲Ｂに属する走査線が選択されるとき、当該走査線には灰色と黒色との２種類のサブ画素が存在する。このうち、黒色サブ画素となる列範囲Ｅに属するデータ線へのデータ信号は、図１９（ｃ）に示すように、当該走査線に選択電圧が印加される開始タイミングでは点灯電圧をとる。

ここで、走査線４７とデータ線１９との間には、電気的にみれば、ＴＦＤ素子２１と液晶容量１１８との直列接続による合成容量が挿入されている、と考えられる。選択電圧が走査線４７に印加された瞬間において、データ線１９が点灯電圧であるとき、合成容量に印加される電圧差は比較的大きいので、当該合成容量の積分によって選択電圧の波形が大きく鈍る、と考えられる。

従って、灰色を背景として黒色領域をウインドウ表示する場合に、行範囲Ｂに属する走査線が選択されるとき、当該走査線には黒色サブ画素が存在するので、当該走査線に印加される走査信号は、図１９（ｃ）の部分Ｒに示すように鈍化して歪む。

ところで、灰色を背景として白色領域又は黒色領域をウインドウ表示する場合に、行範囲Ａ又はＣに属する走査線が選択されるとき、当該走査線には灰色しか存在しないので、当該走査線に印加される信号は、図１９（ａ）に示すように、部分Ｒでは歪まない（あるいは、その歪みは無視できるほどに小さい）が、スパイクＳ３による歪みは大きい。

一方、灰色を背景として白色領域をウインドウ表示する場合に、行範囲Ｂに属する走査線が選択されるとき、当該走査線には黒色サブ画素が存在しないので、当該走査線に印加される走査信号は、図１９（ｂ）に示すように、部分Ｒでは歪まないし、スパイクＳ３による歪みも小さい。

また、灰色を背景として黒色領域をウインドウ表示する場合に、行範囲Ｂに属する走査線が選択されるとき、当該走査線に印加される走査信号は、図１９（ｃ）に示すように、部分Ｒでは歪むが、スパイクＳ３による歪みは小さい。

このため、ウインドウ表示領域に隣接する領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆのサブ画素への印加電圧は、灰色を背景として白色領域をウインドウ表示する場合と黒色領域をウインドウ表示する場合とで比較すると、黒色領域をウインドウ表示する場合の方が、白色領域をウインドウ表示する場合よりも部分Ｒでの波形鈍りの分だけ、減少する。すなわち、領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆはノーマリーホワイトであれば、黒色領域をウインドウ表示する場合の方が白色領域をウインドウ表示する場合よりも明るくなる。このため、領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆは、他の灰色領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆと共に明るくなる方向に作用するので、両者の明度差が小さくなり、明度差として視認され難いのである。

以上のように、横クロストークを解消するためには、データ信号の電圧切り替わりに伴うスパイクだけではなく、選択電圧の印加開始タイミングにおける波形の鈍りについても考慮しなければならないことが分かる。

一方、上述したように横クロストークは、本来同じ明るさとなるべき領域同士の明度差に起因する。この明度差を小さくして視認され難くするためには、明るくなってしまう灰色領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆを暗くするように補正する方法と、白色領域に隣接する領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆを逆に明るくするように補正する方法との２通りが考えられるが、条件を特定し易い後者の方が容易であると考えられる。なお、横クロストークを解消するために、電圧の切り替わる画素電極数や検出したスパイク等に応じてデータ信号を補正する技術も考えられるが、この技術は構成の複雑化を招くので採用しない方が良いと考えられる。

そこで、本実施形態では、スパイクと波形鈍りとを用いて、白色領域に隣接する領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆを逆に明るくするような構成を採用するものとする。なお、黒色領域に隣接する横クロストークは、図４（ａ）に関連して記述した通り、素子基板７の列方向Ｙに遮光部材２９を設けること、及びそれらの遮光部材２９を共通線２８で結んで同電位に設定することにより、改善できるようになった。つまり、本実施形態では、遮光部材の形成の仕方と液晶パネルの駆動方法との両方を工夫することにより、白色領域のウインドウ表示を行う場合と黒色領域のウインドウ表示を行う場合の両方の場合に関して横クロストークを改善している。

具体的には、本実施形態では、図１０に示したように、階調データＤｎが（０００）であって、サブ画素を白色とする場合には、１水平走査期間のうち、選択電圧が印加される後半期間（１／２Ｈ）の開始タイミングでは点灯電圧が印加され、その後、期間ｔ１が経過して、非点灯電圧が印加されるような構成を採用している。

この構成によれば、灰色を背景として白色領域ウインドウ表示をする場合であって、図１２（ａ）において行範囲Ｂに属する走査線が選択されるとき、白色サブ画素となる列範囲Ｅに属するデータ線へのデータ信号は、図１３（ｂ）に示すように、当該走査線に選択電圧が印加される開始タイミングにおいて点灯電圧をとる。従って、当該走査線に印加される走査信号は、同図に示すように、部分Ｒにて歪む。なお、正極性の電圧＋ＶＳである場合、データ信号は、後半期間（１／２Ｈ）の開始タイミングから期間ｔ１が経過した時点において、点灯電圧−ＶＤ／２から非点灯電圧＋ＶＤ／２となるので、この電圧切り替わりに伴うスパイクＳ２が走査信号に現れるものの、この電圧切り替わりは、全てのデータ線ではなく半数程度でしか実行されていないために、スパイクＳ２の程度は小さい。

また、本実施形態では、階調データＤｎが（０００）である場合に相当するデータ信号のみを変化させているので、灰色を背景として白色領域又は黒色領域をウインドウ表示する場合に、行範囲Ａ又はＣに属する走査線が選択されるときの走査信号、データ信号、及びサブ画素への印加電圧は、図１３（ａ）に示す通りであり、図１９（ａ）と変わらない。同様に、灰色を背景として黒色領域をウインドウ表示する場合であって、行範囲Ｂに属する走査線が選択されるときの走査信号、データ信号、及びサブ画素への印加電圧は、図１３（ｃ）に示す通りであり、図１９（ｃ）と変わらない。

従って、本実施形態によれば、灰色を背景として白色領域をウインドウ表示する場合に、当該白色領域に隣接する領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆのサブ画素への印加電圧は、走査信号が図１３（ｂ）の部分Ｒにおいて鈍るだけ減少する。このため、本実施形態では、灰色を背景として白色領域をウインドウ表示する場合でも、黒色領域をウインドウ表示する場合と同様に、領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆは、他の灰色領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆとの明度差がなくなるので、横クロストークの発生が抑えられることとなる。

さらに、本実施形態では、階調コードパルスＧＣＰＲに階調データＤｎ（０００）に相当するものが１つだけ増発されて、そのパルスをデータ線駆動回路２５０（特に、デコーダ２５６）で処理するようにしただけの構成であるので、補正回路を別途設ける場合と比較して構成が大幅に簡略化される。

なお、本実施形態では、白色領域に隣接する領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆを明るくするために、データ信号を、階調データＤｎに対して図１０に示すような波形としたが、例えば、図１４に示すように波形としても良い。具体的には、図１４に示す波形では、階調データＤｎが（０００）であって、サブ画素を白色とする場合には、１水平走査期間のうち、選択電圧が印加される後半期間（１／２Ｈ）の開始タイミングよりも期間ｔ１だけ先行するタイミングにて非点灯電圧に切り替えておき、その後、後半期間（１／２Ｈ）の終了タイミングよりも期間ｔ１だけ先行するタイミングにて点灯電圧に切り替える構成となっている。

このような波形は、例えば、階調コードパルスＧＣＰＲを、同図に示すように１水平走査期間の前半期間、後半期間のそれぞれにおいて、階調データＤｎの（１１０）、（１０１）、（１００）、（０１１）、（０１０）、（００１）の各々に対応するものの最後に、（０００）に対応するものを配列させる一方、デコーダ２５６（図９参照）が、リセット信号ＲＥＳによって交流駆動信号ＭＸのレベルとは反対側のレベルにリセットした後、階調コードパルスＧＣＰＲのうち、（１１１）を除いた各々に対応するものの立下りにて、交流駆動信号ＭＸと同一側のレベルにセットするような電圧選択信号を生成する構成によって実現可能である。

また、図１５は、図１１と同様に、ｉ行目の走査線４７への走査信号Ｙｉと、これよりも１行下の走査線４７への走査信号Ｙｉ＋１と、ｊ列目のデータ線１９へのデータ信号Ｘｊとにおける各信号波形を示す図であり、図１１とは、データ信号Ｘｊについてｉ行目及びｉ＋１行目の走査線４７との交差部分に位置するサブ画素を白色表示とする場合についてのみ相違している。

データ信号が図１４に示すような波形では、灰色を背景として白色領域をウインドウ表示する場合に、図１２（ａ）又は図１８（ａ）において行範囲Ｂに属する走査線が選択されるとき、当該走査線には灰色と白色との２種類のサブ画素が存在する。このため、灰色サブ画素となる列範囲Ｄ、Ｆに属するデータ線へのデータ信号又は白色サブ画素となる列範囲Ｅに属するデータ線へのデータ信号は、図１６（ｂ）に示すように、当該走査線に選択電圧が印加される開始タイミングでは、いずれも非点灯電圧をとり、点灯電圧をとらない。このため、行範囲Ａ、Ｃに属する走査線が選択される場合と同様に（図１６（ａ）参照）、走査信号に選択電圧の印加開始タイミングにおいて波形鈍りは生じない。

一方、行範囲Ｂに属する走査線に選択電圧が印加される期間では、図１６（ｂ）に示すように、列範囲Ｄ、Ｆに属するデータ線が先に非点灯電圧から点灯電圧に切り替わった後に、列範囲Ｅに属するデータ線が非点灯電圧から点灯電圧へ切り替わる。

ここで、走査信号が正極性選択電圧＋ＶＳとなる期間では、当該走査信号にデータ信号の切り替わりに伴う下向きのスパイクＳ３、ＳＣが現れる。但し、この電圧切り替わりは、全てのデータ線ではなく半数程度ずつで実行されるために、スパイクＳ３、ＳＣの程度は小さい。なお、走査信号が負極性選択電圧−ＶＳとなる期間では、特に図示しないが、当該走査信号にデータ信号の切り替わりに伴う上向きのスパイクが現れる。すなわち、走査信号が選択電圧となる期間では、当該走査信号にデータ信号の切り替わりに伴うスパイクＳ３、ＳＣが、サブ画素の印加電圧を減少させる方向に現れる。

このため、灰色を背景として白色領域をウインドウ表示する場合に、当該白色領域に隣接する領域Ｂ−Ｄ、Ｂ−Ｆのサブ画素への印加電圧は、走査信号に現れる２つのスパイクＳ３、ＳＣの分だけ減少して明るくなる結果、他の灰色領域Ａ−Ｄ、Ａ−Ｅ、Ａ−Ｆ、Ｃ−Ｄ、Ｃ−Ｅ、Ｃ−Ｆとの明度差がなくなる。従って、データ信号が図１４に示すような波形によっても、横クロストークの発生が抑えられることとなる。

なお、走査信号が選択電圧となる前の非選択期間では、スパイクＳａ、Ｓｂが新たに生じるが、非選択期間におけるスパイクは、サブ画素の明るさに及ぼす影響が少ない点は上述した通りである。また、図１６（ａ）及び図１６（ｃ）は、それぞれ、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）と同じになるので、その説明は省略している。

本実施形態では、中間階調である場合に、選択電圧が印加された期間に対し、点灯電圧が印加される期間を時間的に後方へ寄せて印加する後縁駆動を採用したが、これに限られず、点灯電圧を時間的に前方へ寄せて印加する前縁駆動を採用しても良い。

上記説明以外にも、階調データＤｎが（０００）である場合，データ信号の点灯電圧と非点灯電圧の切替えのタイミングは、選択電圧の切替えのタイミングと一致しない限り、選択期間のいずれの位置にあっても良い。

また、本実施形態では、１水平走査期間（１Ｈ）を前半及び後半期間に分けて、このうち、後半期間に選択電圧を印加する構成としたが、前半期間に印加する構成としても良いし、１水平走査期間（１Ｈ）を前半及び後半期間に分けることなく、当該１水平走査期間にわたって選択電圧を印加する構成としても良い。

さらに、本実施形態では、無電圧印加状態において白色を表示するノーマリーホワイトモードであるとしたが、無電圧印加状態において黒色を表示するノーマリーブラックモードとしても良い。なお、ノーマリーブラックモードであれば、選択電圧が印加される期間において点灯電圧が印加される期間が長いほど、サブ画素が明るくなる。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。

例えば、図１の液晶パネル２は反射型表示と透過型表示の両方を選択的に実行できる半透過反射型の液晶パネルとしたが、反射型の液晶パネル又は透過型の液晶パネルとすることもできる。また、図６において、ＴＦＤ素子２１をデータ線１９に接続し、液晶容量１１８を走査線４７に接続したが、これとは逆に、ＴＦＤ素子２１を走査線４７に接続し、液晶容量１１８をデータ線１９に接続する構成とすることもできる。

また、ＴＦＤ素子１９は、２端子型のスイッチング素子の１例であり、他に、ＺｎＯ（酸化亜鉛）バリスタや、ＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）等と用いた素子を用いることができる。また、ＴＦＤ素子、ＺｎＯ、ＭＳＩ等といった素子を２つ逆向きに直列接続又は並列接続したもの等を、２端子型スイッチング素子として用いることができる。

また、以上の実施形態では、液晶としてＴＮ型液晶を用いたが、ＳＴＮ型液晶や、ゲストホスト型液晶を用いることもできる。ゲストホスト型液晶とは、分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させた構造の液晶である。

また、無電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列するという、垂直配向、すなわちホメオトロピック配向の構成としても良い。また、無電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列するという、平行配向、すなわち水平配向、すなわちホモジニアス配向の構成としても良い。

また、実施形態の説明では、８階調表示を例示したが、これよりも低階調の４階調表示とすることもできる。また、これよりも高階調の１６、３２、６４、…階調とすることもできる。

（液晶装置の製造方法の実施形態）
次に、以上に説明した液晶装置１を製造するための製造方法の一実施形態を図２０に示す工程図を参照して説明する。図２０の工程Ｐ１〜工程Ｐ７に至る工程は図１の素子基板７を形成する工程である。また、工程Ｐ１１〜工程Ｐ１８に至る工程は図１のカラーフィルタ基板８を形成する工程である。また、工程Ｐ２１〜工程Ｐ２８に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶装置を形成する工程である。

なお、本実施形態では、図１に示す素子基板７及びカラーフィルタ基板８を１つずつ形成するのではなく、素子基板７に関しては、複数の素子基板７を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板８に関しては、複数のカラーフィルタ基板８を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板及びカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。

まず、図２０の工程Ｐ１において、素子側マザー透光性基板の表面にスイッチング素子である図４（ｂ）のＴＦＤ素子２１、データ線１９、及び素子側遮光部材２９をフォトエッチング処理（すなわち、フォトリソグラフィ処理とそれに続くエッチング処理の一連の処理）によって基板７ａ上に同時に形成する。具体的には、第１素子電極３４を例えばＴａＷによって形成し、絶縁膜３５を陽極酸化処理によって形成する。また、遮光部材２９、データ線１９、第２素子電極３６、及び端子部３６ａを例えばＣｒによって形成する。なお、遮光部材２９は、複数のサブ画素Ｄの間の列方向Ｙに延びる間隙と平面視で重なるような帯状、すなわち線状に形成される。この遮光部材２９は、ブラックマスクとして機能する。

次に、工程Ｐ２において、層間絶縁層である図２のオーバーレイヤ２２及びコンタクトホール２７をフォトリソグラフィ処理によって基板７ａ上に形成する。これらは、それぞれ、別々のフォトリソグラフィ処理によって形成することができる。次に、工程Ｐ３において、図２の画素電極２３をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成する。このとき、図４（ｂ）においてコンタクトホール２７の所で画素電極２３とＴＦＤ素子１９の第２電極３６の端子部３６ａとの導通がとられる。

次に、工程Ｐ４において、図２のフォトスペーサ２４をフォトリソグラフィ処理によって形成し、さらに、工程Ｐ５において図２の配向膜２６ａが、例えばポリイミドを印刷することによって形成される。次に、工程Ｐ６において、配向膜２６ａにラビング処理が施され、さらに工程Ｐ７において、シール材６が、例えばエポキシ系樹脂を印刷することによって形成される。以上により、素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素が形成されて大面積の素子側マザー基板が形成される。

次に図２０の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー透光性基板の表面上に、図２の樹脂膜４１を表面に凹凸パターンを持つように形成する。次に、工程Ｐ１２において、フォトエチング処理によって光反射膜４２を積層する。このとき、図３に示すようにサブ画素Ｄごとに光反射膜４２が存在しない領域５１が形成され、これにより、光反射部Ｒと光透過部Ｔが形成される。

次に、工程Ｐ１３において、図２の遮光部材４４を、例えばＣｒを材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターン（本実施形態では、複数のサブ画素Ｄの間の行方向Ｘに延びる間隙と平面視で重なるような帯状）に形成する。この遮光部材４４は素子基板側の遮光部材２９と協働してブラックマスクとして機能する。次に、工程Ｐ１４において、図２の着色要素４３を形成する。着色要素４３については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。なお、遮光部材４４は、Ｃｒ等のような特定の材料によって形成するのに代えて、異なる色の着色要素４３を積層することによって形成することもできる。この場合には、遮光部材形成工程Ｐ１３と着色要素形成工程Ｐ１４とは同じ工程ということになる。

次に、工程Ｐ１５において、オーバーコート層４６を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。さらに、工程Ｐ１６において、帯状電極４７をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１７において配向膜２６ｂを形成し、さらに工程Ｐ１８において、配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素が形成されて大面積のカラーフィルタ側マザー基板が形成される。

その後、図２０の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶パネルの領域において図１のシール材６を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。

次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材６を、工程Ｐ２２において熱硬化または紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数個が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材６には予めその適所に開口６ａが形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、その開口６ａが外部に露出する。

次に、工程Ｐ２４において、上記のシール材６の開口６ａを通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口６ａを樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。

次に、工程Ｐ２６において、図１の基板張出し部５２の表面に駆動用ＩＣ５３を実装する。さらに、工程Ｐ２７において図１の偏光板１８ａ及び１８ｂを液晶パネル２に接着する。そしてさらに、工程Ｐ２８において、図１の照明装置３を液晶パネル２に取付ける。これにより、液晶装置１が完成する。

（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
図２１は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１３０は、本体部１３１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１３２とを有する。液晶装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１３３は、表示体部１３２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１３２において表示画面１３４によって視認できる。本体部１３１には操作ボタン１３６が配列されている。

表示体部１３２の一端部にはアンテナ１３７が伸縮自在に取付けられている。表示体部１３２の上部に設けられた受話部１３８の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１３１の下端部に設けられた送話部１３９の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１３３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１３１又は表示体部１３２の内部に格納される。

表示装置１３３は、例えば、例えば、図１に示す液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１によれば、図４（ａ）に示したように、素子基板７上において隣り合う画素電極２３，２３の間隙を遮光する遮光部材２９をカラーフィルタ基板８上ではなくて素子基板７上に設けるようにしたので、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間の組みズレを見込んで遮光部材２９の幅を広く形成する必要がなくなり、それ故、サブ画素Ｄの開口率を上げることができ、鮮明な表示を提供できるようになった。従って、この液晶装置１を用いた携帯電話機１３０においても、表示画面１３４内に鮮明な画像を表示できる。

また、図１の液晶装置１によれば、図４（ａ）に示したように、複数の線状の遮光部材２９を共通線２８で結ぶことによって同電位に設定したので、表示領域に黒窓表示を行った際の横クロストークを改善できるようになった。従って、この液晶装置１を用いた携帯電話機１３０においても、横クロストークが発生しない鮮明な画像を表示できる。

（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

次に、本発明者が行った実験について説明する。まず、本発明者は、図２２に（ａ）〜（ｆ）で示す６種類のサブ画素を有する図１のような液晶装置１を製造した。各装置の仕様は下記の通りである。

（ａ）：標準の液晶装置であり、画素電極２３の下にデータ線１９が形成され、ＴＦＤ素子２１が画素電極２３内に形成されている。
（ｂ）：画素電極２３の下にデータ線１９が形成され、ＴＦＤ素子２１が画素電極２３の外であってブラックマスクの下に形成されている。
（ｃ）：画素電極２３の下にデータ線１９が形成され、ＴＦＤ素子２１が画素電極２３内に形成され、素子基板側にＣｒによって遮光部材２９が形成され、遮光部材２９は列毎に電位的に分割されている。
（ｄ）：画素電極２３の下にデータ線１９が形成され、ＴＦＤ素子２１が画素電極２３内に形成され、素子基板側にＣｒによって遮光部材２９が形成され、遮光部材２９は共通線によって接続して同電位に設定した。なお、遮光部材２９の電位は接地（ＧＮＤ）レベルではない適宜の電位に浮いた状態であった。
（ｅ）：画素電極２３内にＴＦＤ素子２１を形成し、データ線１９を遮光部材として兼用した。
（ｆ）：画素電極２３の下にデータ線１９が形成され、ＴＦＤ素子２１が画素電極２３内に形成され、素子基板側にＴａによって遮光部材２９が形成され、遮光部材２９は画素電極２３毎に分割した。

以上の６種類の液晶装置に同じ画像信号を供給して、縦クロストーク、白色領域のウインドウ表示時の横クロストーク、及び黒色領域のウインドウ表示時の横クロストークを評価した。評価は、各試料のクロストークの標準試料（ａ）に対する比に基づいて行った。その評価の結果、添付の表１の結果を得た。この表１から、試料（ｄ）において、すなわち素子基板側の遮光部材２９を同電位に設定した構造において、黒色領域のウインドウ表示時の横クロストークが極めて低い値（＝０．４６）を示すことが分かった。

図６から図１９を用いて行った説明で述べたように、縦クロストーク及び白色領域のウインドウ表示時の横クロストークの両クロストークは、液晶パネルの駆動方法を工夫することによって改善が期待できる。これに対し、黒色領域のウインドウ表示時の横クロストークは液晶パネルの駆動方法を工夫しても容易には改善が見込めないものである。このことに鑑み、ブラックマスクとして機能する遮光部材を工夫することにより、黒色領域のウインドウ表示時の横クロストークを改善できることが分かったということは、液晶装置の表示品質を高めることに関して非常に重要な貢献をもたらすものである。

（表１）クロストークの評価

（注）数字は、標準試料（ａ）に対する比を表わしている。

本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す斜視図である。 図１のＡ−Ａ線に従った断面図である。 図２の要部を拡大して示す図である。 （ａ）は図３において矢印Ｂに従って素子基板を見た場合の平面図であり、（ｂ）はＢ−Ｂ線に従った断面図である。 （ａ）は図３において矢印Ａに従ってカラーフィルタ基板を見た場合の平面図であり、（ｂ）Ｃ−Ｃ線に従った断面図である。 本発明に係る液晶装置の一実施形態の電気的なブロック図である。 図６のブロック図の要部である走査線駆動回路を示すブロック図である。 図７の走査線駆動回路による走査信号の波形を示す図である。 図６のブロック図の他の要部であるデータ線駆動回路を示すブロック図である。 図９のデータ線駆動回路によるデータ信号の波形を示す図である。 液晶装置のサブ画素に印加される各信号の波形を示す図である。 液晶装置の表示領域に表示される表示の一例を示す図である。 液晶装置における横クロストークの抑制を説明するための図である。 データ線駆動回路によるデータ信号の別の波形を示す図である。 別の波形を用いた場合においてサブ画素に印加される各信号の波形を示す図である。 図１５の波形を用いた場合における横クロストークの抑制を説明するための図である。 標準的なデータ線駆動回路によるデータ信号の波形を示す図である。 横クロストークの発生例を示す図である。 横クロストークの原因を説明するための図である。 本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す斜視図である。 本発明に関する実験に供した試料を説明するための図である。 素子基板上に形成されるスイッチング素子及び画素の電気的な等価回路図である。 駆動波形の一例を示す図である。 図２４の駆動波形に対応する等価回路図である。 駆動波形の他の一例を示す図である。 図２６の駆動波形に対応する等価回路図である。 駆動波形のさらに他の一例を示す図である。 図２８の駆動波形に対応する等価回路図である。

符号の説明

１．液晶装置、 ２．液晶パネル、 ３．照明装置、 ４．ＦＰＣ基板、
６．シール材、 ６ａ．液晶注入口、 ７．素子基板、 ７ａ．第１透光性基板、
８．カラーフィルタ基板、 ８ａ．第２透光性基板、 １２．液晶層、 １３．ＬＥＤ、
１４．導光体、 １９．データ線、 ２１．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、
２１ａ．第１ＴＦＤ要素、 ２１ｂ．第２ＴＦＤ要素、
２２．オーバーレイヤ（層間絶縁層）、 ２３．画素電極、 ２４．フォトスペーサ、
２７．コンタクトホール、 ２８．共通線、 ２９．素子側遮光部材、
３４．第１素子電極、 ３５．絶縁膜、 ３６．第２素子電極、 ４１．樹脂膜、
４２．光反射膜、 ４３．着色要素、 ４４．遮光部材、 ４６．オーバーコート層、
４７．帯状電極（走査線）、 ５１．光反射膜が存在しない領域、 ５３．駆動用ＩＣ、
１１８．液晶容量、 １３０．携帯電話機（電子機器）、 ２５０．データ線駆動回路、
２５２．アドレス制御回路、 ２５４．表示データＲＡＭ、 ２５６．デコーダ、
２５８．セレクタ群、 ３５０．走査線駆動回路、 ３５２．シフトレジスタ、
３５４．電圧選択信号形成回路、 ４００．制御回路、 ５００．電圧生成回路、
２５８１、２５８２、３５８１〜３５８４．スイッチ、 Ｄ．サブ画素、
Ｇ．セルギャップ、 Ｌ０．外部光、 Ｌ１．透過光、 Ｒ．反射部、 Ｔ．透過部、
Ｖ．表示領域、 Ｗ．幅

Claims (11)

1. 互いに透光性を備えた第１及び第２基板の間に設けられた液晶層と、
   該第１基板上に設けられた複数のデータ線と、
   該複数のデータ線に電気的に接続された複数のスイッチング素子と、
   前記データ線及び前記スイッチング素子を覆うように前記第１基板上に設けられた層間絶縁膜と、
   該層間絶縁膜の上に設けられ、該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続され、平面視で前記データ線と重なる複数の画素電極と、
   該複数の画素電極のうち隣り合う画素電極同士の間隙に平面視で重なり、前記データ線に沿うように前記第１基板上に設けられた複数の遮光部材と、
   前記第１基板上又は前記第２基板上に設けられ、前記データ線と平面視で交差する複数の走査線と、を有し、
   前記複数の遮光部材は互いに同電位であることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置において、
   前記複数の遮光部材が共通線につながっていることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置において、
   前記遮光部材は、前記スイッチング素子を構成するいずれか１つの材料と同じ材料によって形成されていることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３に記載の液晶装置において、
   前記スイッチング素子は、前記基板側から順に第１素子電極、絶縁膜、第２素子電極を積層して成る非線形抵抗素子であり、
   前記遮光部材は、前記第１素子電極、絶縁膜、及び第２素子電極のいずれか１つと同じ材料によって形成されていることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶装置において、
   前記走査線を１水平走査期間毎に順次に選択すると共に選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
   前記複数のデータ線の１つに対して、当該データ線と前記選択された走査線との交差に対応するサブ画素を点灯状態にする点灯電圧か、又は当該サブ画素を非点灯状態にすると共に前記選択電圧との差が前記点灯電圧よりも小さい非点灯電圧か、のいずれか一方を、前記選択電圧が印加される期間のうち、当該サブ画素の階調に応じた期間にわたって印加した後に、その残余期間にわたって前記点灯電圧又は前記非点灯電圧の他方に切り替えて印加するデータ線駆動回路とを有し、
   前記データ線駆動回路は、前記選択電圧の印加開始タイミングとは異なるタイミングにて、前記点灯電圧から前記非点灯電圧に切り替えることを特徴とする液晶装置。
6. 透光性を備えた第１基板上に複数のデータ線を形成する工程と、
   前記複数のデータ線に電気的に接続する複数のスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、
   前記データ線及び前記スイッチング素子を覆うように前記第１基板上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜に前記スイッチング素子につながるコンタクトホールを形成する工程と、
   前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に導電接続するように且つ平面視で前記データ線と重なるように、前記層間絶縁膜の上に複数の画素電極を形成する工程と、
   前記複数の画素電極のうち隣り合う画素電極同士の間隙に平面視で重なるように且つ前記データ線に沿うように、前記第１基板上に複数の遮光部材を形成する遮光部材形成工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の液晶装置の製造方法において、
   前記遮光部材形成工程では、前記複数の遮光部材が共通線につながるように形成されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
8. 請求項６又は請求項７に記載の液晶装置の製造方法において、
   前記遮光部材形成工程は、前記スイッチング素子形成工程と同時に行われることを特徴とする液晶装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の液晶装置の製造方法において、
   前記スイッチング素子形成工程において、前記第１基板側から順に第１素子電極、絶縁膜、第２素子電極を積層して、前記スイッチング素子が形成され、
   前記遮光部材形成工程は、前記第２素子電極が形成される際に同時に行われることを特徴とする液晶装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の液晶装置の製造方法において、
    前記第１素子電極はタンタル又はタンタル合金によって形成され、
    前記絶縁膜は陽極酸化膜によって形成され、
    前記第２素子電極はクロム、又はモリブデンとタングステンとを含む合金によって形成されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
11. 請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。

Images