JP4661444B2 - Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane - Google Patents

Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane Download PDF

Info

Publication number
JP4661444B2
JP4661444B2 JP2005229813A JP2005229813A JP4661444B2 JP 4661444 B2 JP4661444 B2 JP 4661444B2 JP 2005229813 A JP2005229813 A JP 2005229813A JP 2005229813 A JP2005229813 A JP 2005229813A JP 4661444 B2 JP4661444 B2 JP 4661444B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hydrogen permeable
permeable membrane
metal
coating layer
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005229813A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007044593A (en
Inventor
智 青山
哲 井口
孝年 増井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP2005229813A priority Critical patent/JP4661444B2/en
Publication of JP2007044593A publication Critical patent/JP2007044593A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4661444B2 publication Critical patent/JP4661444B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)

Description

この発明は、水素を選択的に透過させる水素透過膜および水素透過膜の製造方法に関する。   The present invention relates to a hydrogen permeable membrane that selectively permeates hydrogen and a method for manufacturing the hydrogen permeable membrane.

水素含有ガスから水素を抽出するために、従来、パラジウム(Pd)から成る水素透過性金属を含む水素透過膜が用いられてきた。このような水素透過膜として、水素透過性能の高い金属(例えば、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、バナジウム(V))から成る金属層の表面に、Pdを含有する金属層を設け、多層構造とすることによって性能向上を図った水素透過膜が知られている(例えば、特許文献1参照)。   In order to extract hydrogen from a hydrogen-containing gas, a hydrogen permeable membrane containing a hydrogen permeable metal made of palladium (Pd) has been conventionally used. As such a hydrogen permeable membrane, a metal layer containing Pd is provided on the surface of a metal layer made of a metal having high hydrogen permeable performance (for example, niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V)). A hydrogen permeable membrane whose performance is improved by adopting a structure is known (for example, see Patent Document 1).

特開平11−276866号公報JP-A-11-276866 特開平7−185277号公報JP-A-7-185277 特開平5−85869号公報JP-A-5-85869 特開平6−101083号公報JP-A-6-101083 特開平11−50226号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-50226

しかしながら、上記多層構造を有する水素透過膜は、所定の高温条件下で使用すると、水素透過性能が次第に低下するという問題があった。このような問題は、例えば、水素透過膜の表面に設けたPd層を介して水素透過膜内部に酸素が入りこみ、水素透過膜内部の上記水素透過性能の高い金属から成る層を構成する金属が酸化されることにより起こると考えられる。あるいは、このような問題は、上記水素透過性能の高い金属から成る層を構成する金属や、この金属の酸化物が、上記Pdを含有する金属層内を拡散して、Pdを含有する金属層の表面に到達することにより起こると考えられる。   However, the hydrogen permeable membrane having the multilayer structure has a problem that the hydrogen permeation performance is gradually lowered when used under a predetermined high temperature condition. Such a problem is caused by, for example, oxygen entering the hydrogen permeable membrane through the Pd layer provided on the surface of the hydrogen permeable membrane, and the metal constituting the metal layer having the high hydrogen permeable performance inside the hydrogen permeable membrane. It is thought to occur by being oxidized. Alternatively, such a problem is that the metal constituting the layer made of the metal having high hydrogen permeation performance or the metal oxide diffuses in the metal layer containing Pd, and the metal layer containing Pd. It is thought to occur by reaching the surface of

本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、水素透過膜における性能低下を抑制することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to suppress performance deterioration in the hydrogen permeable membrane.

上記目的を達成するために、本発明の第1の水素透過膜の製造方法は、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)に加えて、酸化物、窒化物あるいは炭化物を形成し得る第2の成分を含有する金属被覆層を前記多層構造の表面に形成する第2工程と、
(c)前記第2の成分を酸化、窒化あるいは炭化させることによって、前記金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造における間隙を狭小化あるいは閉塞させる第3工程と
を備えることを要旨とする。
In order to achieve the above object, a method for producing a first hydrogen permeable membrane of the present invention comprises:
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When forming a multilayer structure by sequentially forming a predetermined metal layer on one or both surfaces of the metal base layer , oxide, nitride or carbide is added in addition to palladium (Pd). a metal coating layer containing a second component capable of forming, a second step of forming on the surface of the multilayer structure,
And (c) a third step of narrowing or closing a gap in a crystal structure including a crystal grain boundary in the metal coating layer by oxidizing, nitriding or carbonizing the second component. .

以上のように構成された本発明の第1の水素透過膜の製造方法によれば、金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造における間隙が狭小化されるため、水素透過膜内部への結晶構造上の間隙を介した酸素の侵入を抑制すると共に、金属被覆層よりも下側の層を構成する金属や、その酸化物の金属被覆層表面への到達を抑制することができる。したがって、酸素の侵入や下側の層を構成する金属等の表面への到達に起因する水素透過膜の性能低下を抑えることができる。   According to the first method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention configured as described above, the gap in the crystal structure including the crystal grain boundary is narrowed in the metal coating layer. It is possible to suppress the intrusion of oxygen through gaps on the crystal structure and to suppress the metal constituting the layer below the metal coating layer and the oxide from reaching the metal coating layer surface. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the performance of the hydrogen permeable membrane due to the penetration of oxygen and the arrival of the metal or the like constituting the lower layer.

また、第2の成分を酸化、窒化あるいは炭化させる際には、このような反応は、主として結晶粒界を含む結晶構造上の間隙の近傍で進行すると共に、このような反応によって第2の成分を含む結晶粒が膨張するため、上記結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることができる。 Further, when oxidizing, nitriding or carbonizing the second component, such a reaction mainly proceeds in the vicinity of the gap on the crystal structure including the crystal grain boundary, and the second component is caused by such a reaction. Since the crystal grains containing swell expand, the gap on the crystal structure can be narrowed and closed.

このような本発明の第1の水素透過膜の製造方法において、
前記第2の成分は、クロム(Cr),アルミニウム(Al),ケイ素(Si),チタン(Ti),鉄(Fe),銅(Cu),モリブデン(Mo),ジルコニウム(Zr)から選択される元素であり、
前記第3工程は、前記第2の成分を酸化させる工程であることとしても良い。
In the first method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The second component is selected from chromium (Cr), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), iron (Fe), copper (Cu), molybdenum (Mo), and zirconium (Zr). Element,
The third step may be a step of oxidizing the second component.

この場合には、酸化処理によって上記第2の成分を酸化させることで、金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることができる。特に、上記元素は、酸化による膨張の程度が比較的大きいため、結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞を効率良く行なうことができる。   In this case, the gap on the crystal structure including the crystal grain boundary can be narrowed and closed in the metal coating layer by oxidizing the second component by the oxidation treatment. In particular, since the above elements have a relatively large degree of expansion due to oxidation, the gaps on the crystal structure can be narrowed and closed efficiently.

また、本発明の第1の水素透過膜の製造方法において、
前記第2の成分は、クロム(Cr),アルミニウム(Al),ケイ素(Si),チタン(Ti),鉄(Fe)から選択される元素であり、
前記第3工程は、前記第2の成分を窒化させる工程であることとしても良い。
In the first method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The second component is an element selected from chromium (Cr), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), iron (Fe),
The third step may be a step of nitriding the second component.

この場合には、窒化処理によって上記第2の成分を窒化させることで、金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることができる。特に、上記元素は、窒化による膨張の程度が比較的大きいため、結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞を効率良く行なうことができる。   In this case, the gap on the crystal structure including the crystal grain boundary can be narrowed / closed in the metal coating layer by nitriding the second component by nitriding. In particular, since the above elements have a relatively large degree of expansion due to nitriding, the gaps on the crystal structure can be narrowed and closed efficiently.

あるいは、本発明の第1の水素透過膜の製造方法において、
前記第2の成分は、ケイ素(Si)およびチタン(Ti)から選択される元素であり、
前記第3工程は、前記第2の成分を炭化させる工程であることとしても良い。
Alternatively, in the first method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The second component is an element selected from silicon (Si) and titanium (Ti),
The third step may be a step of carbonizing the second component.

この場合には、炭化処理によって上記第2の成分を炭化させることで、金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることができる。特に、上記元素は、炭化による膨張の程度が比較的大きいため、結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞を効率良く行なうことができる。   In this case, by carbonizing the second component by the carbonization treatment, the gap on the crystal structure including the crystal grain boundary can be narrowed and closed in the metal coating layer. In particular, since the above elements have a relatively large degree of expansion due to carbonization, it is possible to efficiently narrow and close the gaps on the crystal structure.

本発明の第1の水素透過膜の製造方法において、
前記第2工程で形成する前記金属被覆層は、その全体にPdを含有すると共に、前記金属被覆層の表面を含む限られた領域のみが前記第2の成分をさらに備えることとしても良い。
In the first method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The metal coating layer formed in the second step may contain Pd as a whole, and only a limited region including the surface of the metal coating layer may further include the second component.

このような構成とすれば、金属被覆層の表面を含む限られた領域において、結晶粒界を含む結晶構造上の間隙が狭小化あるいは閉塞されることで、酸素の侵入や下側の層を構成する金属等の表面への到達に起因する水素透過膜の性能低下を抑えることができる。また、第2の成分が備えられる領域が限られているため、第2の成分を金属被覆層に加えることに起因する水素透過性能の低下を抑制することができる。   With such a configuration, in a limited region including the surface of the metal coating layer, the gap on the crystal structure including the crystal grain boundary is narrowed or closed, so that the intrusion of oxygen and the lower layer can be prevented. The performance deterioration of the hydrogen permeable membrane due to the arrival of the metal or the like constituting the surface can be suppressed. Moreover, since the area | region with which a 2nd component is provided is limited, the fall of the hydrogen permeation performance resulting from adding a 2nd component to a metal coating layer can be suppressed.

また、本発明の第1の水素透過膜の製造方法において、さらに、
(d)前記第3工程の前または後に、前記金属被覆層上にパラジウム層を形成する第4工程を備えることとしても良い。
In the first method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
(D) It is good also as providing the 4th process of forming a palladium layer on the metal coating layer before or after the 3rd process.

このような構成とすれば、パラジウム層を形成することにより、水素透過膜の表面における水素分子の解離反応あるいは水素分子への結合反応を促進する活性を確保することができ、水素透過膜の水素透過性能を向上させることができる。   With such a configuration, by forming the palladium layer, it is possible to ensure the activity of promoting the dissociation reaction of hydrogen molecules on the surface of the hydrogen permeable membrane or the binding reaction to hydrogen molecules. Transmission performance can be improved.

本発明の第2の水素透過膜の製造方法は、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、酸化物、窒化物あるいは炭化物を形成し得る第2の成分をパラジウム(Pd)に加えて備える金属被覆層を、前記多層構造の表面に形成する第2工程と
を備えることを要旨とする。
The second method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention is as follows.
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) a second component capable of forming an oxide, nitride, or carbide when a predetermined metal layer is sequentially formed on one or both surfaces of the metal base layer to form a multilayer structure; And a second step of forming a metal coating layer provided in addition to palladium (Pd) on the surface of the multilayer structure.

以上のように構成された本発明の第2の水素透過膜の製造方法によれば、さらなる酸化、窒化あるいは炭化の処理を行なって、結晶構造上の間隙の近傍において第2の成分を酸化、窒化あるいは炭化させることによって、第2の成分を含む結晶粒を膨張させて、金属被覆層における結晶粒界を含む結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることができる。また、水素透過膜の使用環境が、第2の成分について酸化反応、窒化反応あるいは炭化反応の進行し得る環境であれば、水素透過膜の使用中に、上記結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞を進行させることができる。   According to the second method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention configured as described above, further oxidation, nitridation, or carbonization is performed to oxidize the second component in the vicinity of the gap on the crystal structure, By nitriding or carbonizing, the crystal grains containing the second component can be expanded to narrow and close the gap on the crystal structure including the crystal grain boundary in the metal coating layer. Further, if the environment in which the hydrogen permeable membrane is used is an environment in which an oxidation reaction, a nitridation reaction or a carbonization reaction can proceed with respect to the second component, the gap on the crystal structure can be reduced while the hydrogen permeable membrane is used. Occlusion can proceed.

本発明の第3の水素透過膜の製造方法は、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)に加えて、前記水素透過膜の使用温度における固溶限界を超える量の第2の成分を含有する第1の化合物から成る金属被覆層を、前記多層構造の表面に形成する第2工程と、
(c)前記第1の化合物よりも前記第2の成分の含有割合が高い第2の化合物を、結晶粒界を含む結晶構造における間隙に析出させる熱処理を行なうことによって、前記金属被覆層において、前記間隙を狭小化あるいは閉塞させる第3工程と
を備えることを要旨とする。
The third method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention is as follows.
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When a predetermined metal layer is sequentially formed on one or both surfaces of the metal base layer to form a multilayer structure, in addition to palladium (Pd), at the use temperature of the hydrogen permeable membrane a first metallization layer Ru consists compound containing the second component in an amount exceeding a solid solubility limit, and a second step of forming on the surface of the multilayer structure,
(C) In the metal coating layer, by performing a heat treatment for precipitating the second compound having a higher content ratio of the second component than the first compound in a gap in a crystal structure including a crystal grain boundary , A third step of narrowing or closing the gap;
It is a summary to provide.

このような構成とすれば、熱処理によって、金属被覆層における結晶構造上の間隙に第2の化合物が析出するため、この第2の化合物により、上記間隙を狭小化・閉塞させることができる。   With such a configuration, the second compound precipitates in the gap on the crystal structure in the metal coating layer by the heat treatment, so that the gap can be narrowed and closed by the second compound.

このような本発明の第の水素透過膜の製造方法において、さらに、
(d)前記第3工程と共に、あるいは前記第3の工程の後に、析出した前記第2の化合物中の前記第2の元素を酸化、窒化あるいは炭化させる第4工程を備えることとしても良い。
In such a third method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
(D) It is good also as providing the 4th process of oxidizing, nitriding, or carbonizing the 2nd element in the deposited 2nd compound with the 3rd process or after the 3rd process.

このような構成とすれば、第2の元素を酸化、窒化あるいは炭化させることで、結晶構造上の間隙に析出している第2の化合物が膨張するため、上記間隙を狭小化・閉塞させる効果を高めることができる。   With such a configuration, the second compound precipitated in the gap on the crystal structure expands by oxidizing, nitriding, or carbonizing the second element, and thus the effect of narrowing and closing the gap. Can be increased.

このような本発明の第の水素透過膜の製造方法において、さらに、
(e)前記第3工程の後に、前記金属被覆層上にパラジウム層を形成する第5工程を備えることとしても良い。
In such a third method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
(E) It is good also as providing the 5th process of forming a palladium layer on the said metal coating layer after the said 3rd process.

このような構成とすれば、パラジウム層を形成することにより、水素透過膜の表面における水素分子の解離反応あるいは水素分子への結合反応を促進する活性を確保することができ、水素透過膜の水素透過性能を向上させることができる。   With such a configuration, by forming the palladium layer, it is possible to ensure the activity of promoting the dissociation reaction of hydrogen molecules on the surface of the hydrogen permeable membrane or the binding reaction to hydrogen molecules. Transmission performance can be improved.

本発明の第の水素透過膜の製造方法は、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)に加えて、前記水素透過膜の使用温度における固溶限界を超える量の第2の成分を含有する金属被覆層を、前記多層構造の表面に形成する第2工程と
を備えることを要旨とする。
The fourth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention is as follows.
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When a predetermined metal layer is sequentially formed on one or both surfaces of the metal base layer to form a multilayer structure, in addition to palladium (Pd), at the use temperature of the hydrogen permeable membrane And a second step of forming, on the surface of the multilayer structure, a metal coating layer containing a second component in an amount exceeding the solid solution limit.

以上のように構成された本発明の第の水素透過膜の製造方法によれば、さらなる熱処理を行なって、第2の成分を含有する化合物を結晶構造上の間隙に析出させることにより、上記間隙を狭小化・閉塞させることができる。 According to the fourth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention configured as described above, further heat treatment is performed to precipitate the compound containing the second component in the gaps on the crystal structure. The gap can be narrowed and closed.

本発明の第5の水素透過膜の製造方法は、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)を含有する金属被覆層を前記多層構造の表面に形成する第2工程と、
(c)前記金属被覆層上に、所定の成膜材料を用いて成膜を行なって、前記金属被覆層を被覆する目詰め被覆層を成膜することによって、前記金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造における間隙を狭小化あるいは閉塞させる第3工程と、
(d)前記金属被覆層上に成膜した前記目詰め被覆層を除去する第4工程
を備えることを要旨とする。
The fifth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention is as follows.
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When forming a multilayer structure by sequentially forming predetermined metal layers on one or both surfaces of the metal base layer, a metal coating layer containing palladium (Pd) is formed on the surface of the multilayer structure. A second step of forming
(C) A film is formed on the metal coating layer using a predetermined film forming material to form a plugging coating layer that covers the metal coating layer. A third step of narrowing or closing the gap in the crystal structure including the boundary;
And (d) and summarized in that and a fourth step of removing the first filling coating layer formed on said metallized layer.

このような構成とすれば、金属被覆層上に目詰め被覆層を成膜することによって、金属被覆層表面における結晶構造上の間隙内に成膜材料を入りこませて、上記間隙を狭小化・閉塞させることができる。さらに、目詰め被覆層を除去することにより、水素透過膜の表面における水素分子の解離反応あるいは水素分子への結合反応を促進する活性を確保することができる。   With such a configuration, by forming a plugging coating layer on the metal coating layer, the deposition material enters the gap on the crystal structure on the surface of the metal coating layer, thereby narrowing the gap.・ Can be blocked. Further, by removing the plugging coating layer, it is possible to ensure the activity of promoting the dissociation reaction of hydrogen molecules or the binding reaction to hydrogen molecules on the surface of the hydrogen permeable membrane.

このような本発明の第の水素透過膜の製造方法において、さらに、
(e)前記第4工程の前または後に、前記目詰め被覆層を構成する前記成膜材料を、酸化、窒化あるいは炭化させる第5工程を備えることとしても良い。
In the fifth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
(E) It is good also as providing the 5th process of oxidizing, nitriding, or carbonizing the film-forming material which constitutes the plugging coating layer before or after the 4th process.

このような構成とすれば、酸化、窒化あるいは炭化によって、結晶構造上の間隙内に入りこんだ成膜材料が膨張するため、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させる効果を高めることができる。   With such a configuration, the film forming material that has entered the gap on the crystal structure expands due to oxidation, nitridation, or carbonization, so that the effect of narrowing or closing the gap on the crystal structure can be enhanced.

このような本発明の第の水素透過膜の製造方法において、
前記第3工程で用いる成膜材料は、酸化物を形成し得る材料であり、
前記第4工程は、酸素プラズマあるいはオゾンプラズマを用いたドライエッチングにより前記目詰め被覆層を除去する工程であることとしても良い。
In the fifth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The film forming material used in the third step is a material capable of forming an oxide,
The fourth step may be a step of removing the plugging coating layer by dry etching using oxygen plasma or ozone plasma.

このような構成とすれば、目詰め被覆層の除去と、結晶構造上の間隙内に入りこんだ成膜材料の酸化とを、同時に行なうことができる。   With such a configuration, it is possible to simultaneously remove the plugging coating layer and oxidize the film forming material that has entered the gaps in the crystal structure.

あるいは、本発明の第の水素透過膜の製造方法において、
前記第4工程は、前記成膜材料から生じる酸化物、窒化物あるいは炭化物からなる研磨粒子を用いた物理研磨により前記目詰め被覆層を除去する工程であることとしても良い。
Alternatively, in the fifth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The fourth step may be a step of removing the plugging coating layer by physical polishing using abrasive particles made of oxide, nitride, or carbide generated from the film forming material.

このような構成とすれば、目詰め被覆層除去のために用いた研磨粒子が水素透過膜上に残留した場合であっても、残留した研磨粒子に起因する水素透過性能の低下を抑制することができる。   With such a configuration, even if the abrasive particles used for removing the capping coating layer remain on the hydrogen permeable membrane, the deterioration of the hydrogen permeation performance due to the remaining abrasive particles is suppressed. Can do.

本発明の第の水素透過膜の製造方法において、
前記第3工程は、前記水素透過膜の使用条件下において安定して存在可能な成膜材料を用いて、前記目詰め被覆層を形成する工程であることとしても良い。
In the fifth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The third step may be a step of forming the plugging coating layer by using a film forming material that can exist stably under use conditions of the hydrogen permeable film.

このような構成とすれば、形成した目詰め被覆層を安定して存在可能とするために、さらなる処理を要することがない。   With such a configuration, there is no need for further processing in order to enable the formed clogging coating layer to exist stably.

このような本発明の第の水素透過膜の製造方法において、前記成膜材料は、酸化物、窒化物あるいは炭化物であることとしても良い。これらを成膜材料として用いるならば、水素透過膜において成膜材料が拡散してしまうことがなく、上記成膜材料を結晶構造上の間隙内に安定して存在させることが可能になる。 In the fifth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention, the film forming material may be an oxide, a nitride, or a carbide. If these are used as the film forming material, the film forming material does not diffuse in the hydrogen permeable film, and the film forming material can be stably present in the gap on the crystal structure.

また、このような本発明の第の水素透過膜の製造方法において、
前記第4工程は、前記第3工程で用いる成膜材料からなる研磨粒子を用いた物理研磨により前記表層を除去することとしても良い。
In the fifth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
In the fourth step, the surface layer may be removed by physical polishing using abrasive particles made of the film forming material used in the third step.

このような構成とすれば、目詰め被覆層除去のために用いた研磨粒子が水素透過膜上に残留した場合であっても、残留した研磨粒子に起因する水素透過性能の低下を抑制することができる。   With such a configuration, even if the abrasive particles used for removing the capping coating layer remain on the hydrogen permeable membrane, the deterioration of the hydrogen permeation performance due to the remaining abrasive particles is suppressed. Can do.

上記した本発明の第の水素透過膜の製造方法において、さらに、
(f)前記第3工程の後、前記第4工程に先立って、前記元素から成る前記目詰め被覆層を有する金属被覆層に対して、前記水素透過膜を構成する金属の融点よりも低い温度での熱処理を行なう第6工程を備えることとしても良い。
In the fifth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention described above,
(F) After the third step, prior to the fourth step, a temperature lower than the melting point of the metal constituting the hydrogen permeable membrane with respect to the metal coating layer having the plugging coating layer made of the element. It is good also as providing the 6th process which performs the heat processing in.

このような構成とすれば、結晶構造上の間隙内に入りこんだ成膜材料が、熱処理に伴って、上記間隙のさらに内部へと移動する。そのため、第4の工程で目詰め被覆層を除去した後に、より充分な量の目詰め材料を上記間隙内に残留させることができる。   With such a configuration, the film forming material that has entered the gap on the crystal structure moves further into the gap with the heat treatment. Therefore, after removing the plugging coating layer in the fourth step, a more sufficient amount of plugging material can be left in the gap.

本発明の第6の水素透過膜の製造方法は、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)を含有する金属被覆層を前記多層構造の表面に形成する第2工程と、
(c)前記金属被覆層の表面において、前記金属被覆層表面に存在する結晶粒界を含む限られた領域のみを被覆する結晶粒界被覆部を形成することによって、前記金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造における間隙を狭小化あるいは閉塞させる第3工程と
を備えることを要旨とする。
The sixth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention is as follows.
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When forming a multilayer structure by sequentially forming predetermined metal layers on one or both surfaces of the metal base layer, a metal coating layer containing palladium (Pd) is formed on the surface of the multilayer structure. A second step of forming
(C) forming a crystal grain boundary covering portion that covers only a limited region including the crystal grain boundary existing on the surface of the metal coating layer on the surface of the metal coating layer; A third step of narrowing or closing a gap in a crystal structure including a grain boundary;
It is a summary to provide.

このような構成とすれば、金属被覆層表面における結晶構造上の間隙を結晶粒界被覆部によって被覆することによって、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることができる。   With such a configuration, the gap on the crystal structure on the surface of the metal coating layer can be narrowed and closed by covering the gap on the crystal structure with the crystal grain boundary coating portion.

このような本発明の第の水素透過膜の製造方法において、さらに、
(d)前記結晶粒界被覆部を構成する前記成膜材料を、酸化、窒化あるいは炭化させる第4の工程を備えることとしても良い。
In the sixth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention, further,
(D) It is good also as providing the 4th process of oxidizing, nitriding, or carbonizing the said film-forming material which comprises the said crystal grain boundary coating | coated part.

このような構成とすれば、結晶粒界被覆部を構成する成膜材料が水素透過膜において拡散してしまうことがなく、結晶構造上の間隙上において上記成膜材料を安定して存在させることが可能になる。   With such a configuration, the film forming material constituting the crystal grain boundary covering portion does not diffuse in the hydrogen permeable film, and the film forming material can stably exist in the gap on the crystal structure. Is possible.

このような本発明の第の水素透過膜の製造方法において、
前記結晶粒界被覆部は、クロム(Cr),ケイ素(Si),アルミニウム(Al)から選択される元素を成膜材料として形成され、
前記第4の工程は、前記成膜材料を酸化させる工程であることとしても良い。
In the sixth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The crystal grain boundary covering portion is formed using an element selected from chromium (Cr), silicon (Si), and aluminum (Al) as a film forming material,
The fourth step may be a step of oxidizing the film forming material.

このような構成とすれば、水素透過膜の使用中に、水素透過膜内への酸素の侵入や、水素透過膜内部での酸化反応の進行を抑制することができる。   With such a configuration, it is possible to suppress the intrusion of oxygen into the hydrogen permeable film and the progress of the oxidation reaction inside the hydrogen permeable film during the use of the hydrogen permeable film.

また、上記した本発明の第の水素透過膜の製造方法において、
前記第3工程は、前記水素透過膜の使用条件下において安定して存在可能な成膜材料を用いて前記結晶粒界被覆部を形成することとしても良い。
In the sixth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
In the third step, the crystal grain boundary coating portion may be formed using a film forming material that can exist stably under the use condition of the hydrogen permeable film.

このような構成とすれば、形成した結晶粒界被覆部を安定して存在可能とするために、さらなる処理を要することがない。   With such a configuration, no further processing is required in order to allow the formed crystal grain boundary covering portion to exist stably.

また、本発明の第の水素透過膜の製造方法において、前記成膜材料は、酸化物、窒化物あるいは炭化物であることとしても良い。 In the sixth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention, the film forming material may be an oxide, a nitride, or a carbide.

このような構成とすれば、結晶粒界被覆部を構成する成膜材料を安定化させるために、酸化、窒化、あるいは炭化といった処理を、別途行なう必要がない。   With such a configuration, it is not necessary to separately perform a process such as oxidation, nitridation, or carbonization in order to stabilize the film forming material constituting the crystal grain boundary covering portion.

このような本発明の第の水素透過膜の製造方法において、
前記結晶粒界被覆部は、酸化クロム、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択される酸化物を成膜材料として形成されることとしても良い。
In the sixth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The crystal grain boundary covering portion may be formed using an oxide selected from chromium oxide, silicon oxide, and aluminum oxide as a film forming material.

このような構成とすれば、水素透過膜の使用中に、水素透過膜内への酸素の侵入や、水素透過膜内部での酸化反応の進行を抑制することができる。   With such a configuration, it is possible to suppress the intrusion of oxygen into the hydrogen permeable film and the progress of the oxidation reaction inside the hydrogen permeable film during the use of the hydrogen permeable film.

本発明の第の水素透過膜の製造方法において、
前記第3工程は、
(c−1)成膜すべき面積として、前記金属被覆層の表面に存在する結晶粒界近傍領域の面積を測定または推定する成膜面積取得工程と、
(c−2)測定または推定した前記面積と、前記結晶粒界被覆部を形成するために用いる成膜材料の原子半径あるいは格子定数とに基づいて、成膜に用いるべき成膜材料の量を設定する成膜材料量設定工程と、
(c−3)前記成膜材料量設定工程で設定した量の前記成膜材料を用いて、前記金属被覆層上に成膜を行なう成膜工程と
を備えることとしても良い。
In the sixth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
The third step includes
(C-1) A film formation area acquisition step of measuring or estimating the area of the vicinity of the crystal grain boundary existing on the surface of the metal coating layer as the area to be formed;
(C-2) Based on the measured or estimated area and the atomic radius or lattice constant of the film forming material used for forming the crystal grain boundary covering portion, the amount of the film forming material to be used for film forming is determined. A film forming material amount setting step to be set;
(C-3) It is good also as providing the film-forming process which forms into a film on the said metal coating layer using the film-forming material of the quantity set at the said film-forming material amount setting process.

このような構成とすれば、用いる成膜材料の量を設定して成膜を行なうことにより、金属被覆層表面に存在する結晶粒界を含む限られた領域のみを被覆する結晶粒界被覆部を容易に形成することができる。   With such a configuration, the grain boundary covering portion that covers only a limited region including the crystal grain boundary existing on the surface of the metal coating layer by performing film formation by setting the amount of the film forming material to be used. Can be easily formed.

また、本発明の第の水素透過膜の製造方法において、さらに、
(e)前記第3工程に先立って、前記金属被覆層の表面における結晶粒を大型化させる第5工程を備えることとしても良い。
In the sixth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
(E) Prior to the third step, a fifth step of enlarging the crystal grains on the surface of the metal coating layer may be provided.

このような構成とすれば、結晶粒界被覆部を形成するために用いる成膜材料の量を削減することができる。また、結晶粒界被覆部を形成するための成膜時間を短縮することができる。   With such a configuration, the amount of film forming material used for forming the crystal grain boundary covering portion can be reduced. In addition, the film formation time for forming the crystal grain boundary covering portion can be shortened.

あるいは、本発明の第の水素透過膜の製造方法において、さらに、
(f)前記第3工程に先立って、前記金属被覆層の表面における結晶粒界を凹面化させる第6工程を備えることとしても良い。
Alternatively, in the sixth method for producing a hydrogen permeable membrane of the present invention,
(F) Prior to the third step, a sixth step of making the crystal grain boundary on the surface of the metal coating layer concave may be provided.

このような構成とすれば、金属被覆層の表面に存在する結晶構造上の間隙がさらに活性化するため、結晶粒界被覆部の成膜が、より容易になる。また、金属被覆層の表面に存在する結晶粒界近傍領域の面積を測定する場合には、測定の精度を向上させることができる。   With such a configuration, the gap on the crystal structure existing on the surface of the metal coating layer is further activated, so that the formation of the crystal grain boundary coating portion becomes easier. Moreover, when measuring the area of the crystal grain boundary vicinity area | region which exists in the surface of a metal coating layer, the precision of a measurement can be improved.

本発明は、上記以外の種々の形態で実現可能であり、例えば、本発明の水素透過膜の製造方法により製造した水素透過膜や、水素透過膜を用いた水素抽出装置あるいは燃料電池などの形態で、実現することが可能である。   The present invention can be realized in various forms other than the above, for example, a form of a hydrogen permeable film manufactured by the method for manufacturing a hydrogen permeable film of the present invention, a hydrogen extraction apparatus using the hydrogen permeable film, a fuel cell, or the like. This can be realized.

次に、本発明の実施の形態を実施例に基づいて以下の順序で説明する。
A.水素透過膜の構成:
B.第1実施例の水素透過膜の製造方法:
C.第1実施例の変形例:
D.第2実施例:
E.第3実施例:
F.第3実施例の変形例:
G.第4実施例:
H.第4実施例の変形例:
I.効果の確認:
J.水素透過膜を用いた装置:
K.変形例:
Next, embodiments of the present invention will be described in the following order based on examples.
A. Configuration of hydrogen permeable membrane:
B. Production method of the hydrogen permeable membrane of the first embodiment:
C. Modification of the first embodiment:
D. Second embodiment:
E. Third embodiment:
F. Modification of the third embodiment:
G. Fourth embodiment:
H. Modification of the fourth embodiment:
I. Check the effect:
J. et al. Equipment using hydrogen permeable membrane:
K. Variations:

A.水素透過膜の構成:
図1は、第1実施例である水素透過膜10の構成の概略を表わす断面模式図である。水素透過膜10は、金属ベース層12と、金属ベース層の両面上に形成される中間層14と、各々の中間層14上に形成される金属被覆層16と、から成る5層構造を有している。
A. Configuration of hydrogen permeable membrane:
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an outline of the configuration of a hydrogen permeable membrane 10 according to the first embodiment. The hydrogen permeable membrane 10 has a five-layer structure including a metal base layer 12, an intermediate layer 14 formed on both surfaces of the metal base layer, and a metal coating layer 16 formed on each intermediate layer 14. is doing.

金属ベース層12は、バナジウム(V)、あるいはVを主要な構成成分として50%を越える割合で含むバナジウム合金など、Vを含む金属によって形成されており、優れた水素透過性を示す金属層である。   The metal base layer 12 is formed of a metal containing V, such as vanadium (V) or a vanadium alloy containing V as a main component in a proportion exceeding 50%, and is a metal layer exhibiting excellent hydrogen permeability. is there.

金属被覆層16は、Pdを主要な構成成分として50%を越える割合で含むパラジウム(Pd)合金など、Pdを含む金属によって形成されている。より具体的には、本実施例では、Pdとクロム(Cr)との合金によって形成されている。この金属被覆層16は、水素透過膜の表面における水素分子の解離反応あるいは水素分子への結合反応を促進する活性を有する触媒層として機能する層である。なお、本実施例の金属被覆層16は、この金属被覆層16が備える結晶粒界において所定の酸化物を備えることを特徴としているが、金属被覆層16の詳しい構成については後に説明する。   The metal coating layer 16 is made of a metal containing Pd, such as a palladium (Pd) alloy containing Pd as a main component in a proportion exceeding 50%. More specifically, in this embodiment, it is formed of an alloy of Pd and chromium (Cr). The metal coating layer 16 is a layer that functions as a catalyst layer having an activity of promoting the dissociation reaction of hydrogen molecules on the surface of the hydrogen permeable membrane or the binding reaction to hydrogen molecules. In addition, although the metal coating layer 16 of a present Example is characterized by providing a predetermined oxide in the crystal grain boundary with which this metal coating layer 16 is provided, the detailed structure of the metal coating layer 16 is demonstrated later.

中間層14は、金属ベース層12および金属被覆層16とは異なる組成の水素透過性金属から成る層であって、金属ベース層12と金属被覆層16との間の金属拡散を防止するために設けられる層である。本実施例では、タンタル(Ta)によって中間層14を形成している。   The intermediate layer 14 is a layer made of a hydrogen permeable metal having a composition different from that of the metal base layer 12 and the metal cover layer 16, and prevents metal diffusion between the metal base layer 12 and the metal cover layer 16. It is a layer to be provided. In this embodiment, the intermediate layer 14 is formed of tantalum (Ta).

B.第1実施例の水素透過膜の製造方法:
図2は、水素透過膜10の製造方法を表わす工程図である。水素透過膜10を製造する際には、まず、金属ベース層12となるVを含有する金属層を用意する(ステップS100)。ステップS100で用意する金属層は、例えば、Vを主要な構成成分とする金属塊に対して圧延と焼鈍の工程を繰り返すことにより作製することができ、このような工程により、極めて緻密な結晶質から成る金属層を得ることができる。なお、このステップS100では、用意した金属層の表面をアルカリ溶液でエッチングして、表面に形成された酸化膜等の不純物の除去を行なっている。
B. Production method of the hydrogen permeable membrane of the first embodiment:
FIG. 2 is a process diagram showing a method for manufacturing the hydrogen permeable membrane 10. When manufacturing the hydrogen permeable membrane 10, first, a metal layer containing V to be the metal base layer 12 is prepared (step S100). The metal layer prepared in step S100 can be produced, for example, by repeating the rolling and annealing processes on the metal ingot containing V as a main constituent, and by such a process, an extremely dense crystalline material is produced. A metal layer consisting of can be obtained. In step S100, the surface of the prepared metal layer is etched with an alkaline solution to remove impurities such as an oxide film formed on the surface.

ステップS100の次には、用意した金属ベース層12の両面のそれぞれに、Taから成る中間層14を形成する(ステップS110)。中間層14は、例えば、PVD法やCVD法あるいは無電解メッキや電解メッキ等のメッキ処理によって形成することができる。   After step S100, an intermediate layer 14 made of Ta is formed on each of both surfaces of the prepared metal base layer 12 (step S110). The intermediate layer 14 can be formed by, for example, a PVD method, a CVD method, or a plating process such as electroless plating or electrolytic plating.

中間層14を形成すると、次に、それぞれの中間層14上に、Crを含有するPd合金から成るPd合金層を設けて(ステップS120)、5層構造を有する積層体を形成する。Pd合金層は、例えば、PVD法やCVD法あるいは無電解メッキや電解メッキ等のメッキ処理によって形成することができ、結晶構造を有する金属層として形成される。   After the intermediate layer 14 is formed, a Pd alloy layer made of a Pd alloy containing Cr is then provided on each intermediate layer 14 (step S120) to form a laminate having a five-layer structure. The Pd alloy layer can be formed by, for example, a PVD method, a CVD method, or a plating process such as electroless plating or electrolytic plating, and is formed as a metal layer having a crystal structure.

Pd合金層を形成した後に、このPd合金層を設けた上記積層体に対して酸化処理を施すと(ステップS130)、Pd合金層が金属被覆層16となって、水素透過膜10が完成される。ここで、酸化処理とは、例えば、酸化雰囲気下での熱処理とすることができる。すなわち、上記積層体を、高温酸化雰囲気下に晒せばよく、これにより、Pd合金層に含まれるCrが酸化される。酸化処理を行なう際の温度は、上記積層体を構成する金属の融点未満の温度であればよく、温度を高めることで酸化反応を活発化できるが、酸化処理の際に積層体内で進行する金属拡散が許容できる程度となるように設定することが望ましい。そのため、酸化処理の条件は、例えば、空気中、400〜500℃にて2〜10時間程度行なえば良い。なお、ステップS130における酸化処理としては、上記酸化雰囲気下での熱処理の他に、陽極酸化、オゾン熱処理、酸素プラズマ処理によることとしても良い。   After the formation of the Pd alloy layer, if the above laminated body provided with the Pd alloy layer is oxidized (step S130), the Pd alloy layer becomes the metal coating layer 16 and the hydrogen permeable membrane 10 is completed. The Here, the oxidation treatment can be, for example, a heat treatment in an oxidizing atmosphere. That is, the laminated body may be exposed to a high-temperature oxidizing atmosphere, whereby the Cr contained in the Pd alloy layer is oxidized. The temperature at which the oxidation treatment is performed may be a temperature lower than the melting point of the metal constituting the laminate, and the oxidation reaction can be activated by increasing the temperature, but the metal that proceeds in the laminate during the oxidation treatment It is desirable to set so that the diffusion is acceptable. Therefore, the conditions for the oxidation treatment may be performed, for example, in air at 400 to 500 ° C. for about 2 to 10 hours. Note that the oxidation treatment in step S130 may be anodic oxidation, ozone heat treatment, or oxygen plasma treatment in addition to the heat treatment in the oxidizing atmosphere.

Pd合金層は、既述したように結晶構造を有しているため、Pd合金層を構成する結晶粒間には結晶粒界が形成されている。この結晶粒界は、結晶構造を構成する結晶格子が不連続となる部位であり、結晶構造内に存在する微細な間隙であるといえる。ステップS130において酸化処理を行なうと、Pd合金層では、Pd合金層に含まれるCrのうち、酸素の供給を受け易いCrから次第に酸化される。具体的には、Pd合金層における表面近傍に存在するCrに加えて、Pd合金層内に形成される結晶粒界表面の近傍に存在するCrが酸化されて酸化クロム(Cr23)を形成する。このようにCrが酸化する際には、Pd合金層を構成する結晶内に酸素原子が入りこむため、上記酸化が進行する領域において結晶構造が膨張する。このようにCrが酸化クロムとなって、全体として膨張することにより、Pd合金層内に形成される結晶粒界を含む結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞される。 Since the Pd alloy layer has a crystal structure as described above, crystal grain boundaries are formed between crystal grains constituting the Pd alloy layer. This crystal grain boundary is a portion where the crystal lattice constituting the crystal structure is discontinuous, and can be said to be a fine gap existing in the crystal structure. When the oxidation treatment is performed in step S130, the Pd alloy layer is gradually oxidized from Cr that is easily supplied with oxygen among Cr contained in the Pd alloy layer. Specifically, in addition to Cr existing in the vicinity of the surface in the Pd alloy layer, Cr existing in the vicinity of the grain boundary surface formed in the Pd alloy layer is oxidized to produce chromium oxide (Cr 2 O 3 ). Form. Thus, when Cr oxidizes, oxygen atoms enter into the crystals constituting the Pd alloy layer, so that the crystal structure expands in the region where the oxidation proceeds. Thus, Cr becomes chromium oxide and expands as a whole, thereby narrowing and closing the gap on the crystal structure including the crystal grain boundary formed in the Pd alloy layer.

なお、水素透過膜10を製造する際には、用途に基づいて要求される水素透過性能や強度に応じて、各層の厚みを設定すればよい。例えば、金属ベース層は、10〜100μmとすることができる。金属被覆層16は、0.1〜1.0μmとすることができる。金属被覆層16は、既述したように触媒層として機能する層であるため、金属ベース層12に比べて薄くすることができる。また、中間層14は、金属ベース層12と金属被覆層16との間の金属拡散を防止するためにはより厚く形成することが望ましいが、両者の間に介在していれば金属拡散を防止する所定の効果が得られるため、金属被覆層16よりもさらに薄く形成しても良い。そのため、例えば、0.01〜10μm程度の厚みとすることができる。   When the hydrogen permeable membrane 10 is manufactured, the thickness of each layer may be set according to the hydrogen permeation performance and strength required based on the application. For example, the metal base layer can be 10 to 100 μm. The metal coating layer 16 can be 0.1 to 1.0 μm. Since the metal coating layer 16 is a layer that functions as a catalyst layer as described above, it can be made thinner than the metal base layer 12. In addition, the intermediate layer 14 is desirably formed thicker in order to prevent metal diffusion between the metal base layer 12 and the metal coating layer 16, but prevents metal diffusion if interposed between the both. Therefore, it may be formed thinner than the metal coating layer 16. Therefore, for example, the thickness can be about 0.01 to 10 μm.

以上のように構成された本実施例の水素透過膜10によれば、水素透過膜10の表面に設けられた金属被覆層16において、金属被覆層16に含まれるCrを酸化させることによって、結晶粒界を含む結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞される。したがって、水素透過膜10の表面から水素透過膜10の内部への、結晶構造上の間隙を介した酸素の入り込みを抑制できる。これによって、金属被覆層16の下層を構成する金属(以下、下層金属と呼ぶ)の酸化を抑制することができる。具体的には、金属ベース層12を構成するVや中間層14を構成するTaが酸化されることに起因する水素透過性能の低下を抑制することができる。   According to the hydrogen permeable membrane 10 of the present embodiment configured as described above, the metal coating layer 16 provided on the surface of the hydrogen permeable membrane 10 oxidizes Cr contained in the metal coating layer 16 to crystallization. Gaps on the crystal structure including the grain boundaries are narrowed and closed. Therefore, it is possible to suppress the entry of oxygen from the surface of the hydrogen permeable membrane 10 into the hydrogen permeable membrane 10 through the gap in the crystal structure. Thereby, the oxidation of the metal (hereinafter referred to as the lower layer metal) constituting the lower layer of the metal coating layer 16 can be suppressed. Specifically, a decrease in hydrogen permeation performance due to oxidation of V constituting the metal base layer 12 and Ta constituting the intermediate layer 14 can be suppressed.

また、本実施例によれば、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることにより、下層金属、特に金属ベース層12を構成するVが、金属被覆層16の結晶構造上の間隙を介して金属被覆層16の表面に到達することを抑制できる。水素透過膜では、下層金属は、主として、金属被覆層16における結晶粒界を含む結晶構造上の間隙を介して、金属被覆層16の表面に到達する。そして、下層金属が金属被覆層16の表面に到達して金属被覆層16の表面が覆われると、この覆われた領域において、水素分子の解離反応あるいは水素分子への結合反応を促進する活性が阻害されて、水素透過性能が低下する。本実施例では、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞してVの移動を抑制することにより、上記性能低下を抑えることができる。   In addition, according to the present embodiment, by narrowing and closing the gap on the crystal structure, V constituting the lower layer metal, particularly the metal base layer 12, passes through the gap on the crystal structure of the metal coating layer 16. Reaching the surface of the metal coating layer 16 can be suppressed. In the hydrogen permeable membrane, the lower layer metal reaches the surface of the metal coating layer 16 mainly through a gap on the crystal structure including the crystal grain boundary in the metal coating layer 16. Then, when the lower layer metal reaches the surface of the metal coating layer 16 and the surface of the metal coating layer 16 is covered, the activity of promoting the dissociation reaction of hydrogen molecules or the binding reaction to the hydrogen molecules in the covered region. Inhibited, hydrogen permeation performance decreases. In this example, the above-mentioned performance degradation can be suppressed by narrowing and closing the gap on the crystal structure to suppress the movement of V.

なお、水素透過膜10内に酸素が侵入して下層金属が酸化されることによる不都合とは、単に、V等が酸化されて水素透過性能が低下するだけでなく、Vが酸化されて、Vよりも融点の低い酸化バナジウム(V25)が形成されることよっても引き起こされる。すなわち、融点が低い物質ほど移動しやすいという性質を有しているため、金属ベース層12を構成するVが酸化されると、生じた酸化バナジウムは、Vよりもさらに容易に、結晶構造上の間隙を主たる経路として水素透過膜表面へと移動し、水素透過膜表面を覆うようになる。本実施例では、酸化処理によって金属被覆層16の結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞を行なっているため、金属ベース層12を構成するVの酸化の進行を抑制し、低融点な化合物である酸化バナジウムの生成を抑制することができる。また、たとえ酸化バナジウムが生じたとしても、移動の経路となる結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞しているため、酸化バナジウムの水素透過膜表面への移動を抑えることができる。 The inconvenience caused by oxygen entering the hydrogen permeable membrane 10 and oxidizing the lower layer metal is not only due to the oxidation of V and the like, but also the hydrogen permeation performance is lowered. It is also caused by the formation of vanadium oxide (V 2 O 5 ) having a lower melting point. That is, since a substance having a lower melting point has a property of being easily moved, when V constituting the metal base layer 12 is oxidized, the generated vanadium oxide is more easily formed on the crystal structure than V. It moves to the surface of the hydrogen permeable membrane using the gap as the main path, and covers the surface of the hydrogen permeable membrane. In this embodiment, since the gap on the crystal structure of the metal coating layer 16 is narrowed and closed by oxidation treatment, the progress of oxidation of V constituting the metal base layer 12 is suppressed, and a low melting point compound is used. The production of certain vanadium oxides can be suppressed. Even if vanadium oxide is generated, the movement of the vanadium oxide to the surface of the hydrogen permeable membrane can be suppressed because the gap on the crystal structure serving as the movement path is narrowed and closed.

また、本実施例では、狭小化・閉塞された結晶構造上の間隙において酸化クロムが形成されているが、このような結晶構造上の間隙内を、下層側から移動してきた酸化バナジウムが通過する際には、酸化クロムと酸化バナジウムとが反応する。そして、このような反応によって、酸化クロムと酸化バナジウムの複合酸化物( ・Cr )が形成される。この複合酸化物は、Vや酸化バナジウムよりも高融点であり、水素透過膜内の移動が、より起こりにくい化合物である。したがって、下側層からVや酸化バナジウムが移動してきたとしても、金属被覆層16の結晶構造上の間隙内で上記複合酸化物が形成されることにより、Vやバナジウム化合物の水素透過膜表面へのさらなる移動を抑制することができる。 In this example, chromium oxide is formed in the gaps on the narrowed and closed crystal structure, but the vanadium oxide moved from the lower layer passes through the gaps on the crystal structure. In this case, chromium oxide and vanadium oxide react. Then, by such a reaction, a complex oxide of chromium oxide and vanadium oxide (V 2 O 5 · Cr 2 O 3) is formed. This composite oxide has a higher melting point than V and vanadium oxide, and is a compound that hardly moves in the hydrogen permeable membrane. Therefore, even if V or vanadium oxide moves from the lower layer, the composite oxide is formed in the gap on the crystal structure of the metal coating layer 16, so that the surface of the hydrogen permeable membrane of V or vanadium compound is formed. Further movement of the can be suppressed.

C.第1実施例の変形例:
(C−1)第1の変形例:
第1実施例では、金属被覆層16となるPd合金層全体がCrを備えているが、Pdを備える金属被覆層16の一部のみが層状にCrを備えることとしても良い。例えば、金属被覆層16において表面(水素透過膜10の表面)を含む限られた領域だけがCrを備えることとしても良い。このような金属被覆層を備える水素透過膜に対して第1実施例と同様に酸化処理を行なえば、上記表面を含む領域では、Crが酸化されることによって、結晶粒界を含む結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞される。
C. Modification of the first embodiment:
(C-1) First modification:
In the first embodiment, the entire Pd alloy layer serving as the metal coating layer 16 includes Cr, but only a part of the metal coating layer 16 including Pd may include Cr in a layered manner. For example, only a limited region including the surface (the surface of the hydrogen permeable film 10) in the metal coating layer 16 may include Cr. If the hydrogen permeable membrane having such a metal coating layer is subjected to an oxidation treatment in the same manner as in the first embodiment, Cr is oxidized in the region including the surface, so that the crystal structure including the crystal grain boundary is included. The gap is narrowed and closed.

このような構成とすれば、金属被覆層の表面近傍では結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞されるため、第1実施例と同様に、水素透過膜内部への酸素の侵入を抑制すると共に、下層金属の酸化を抑えることができる。また、下層金属、特に金属ベース層12を構成する金属や、その酸化物の水素透過膜表面への到達を抑制することができる。さらに、金属被覆層の限られた領域だけにCrを含有させることにより、金属被覆層16にCrを含有させることに起因する水素透過性能の低下を抑制することができる。   With such a configuration, since the gap on the crystal structure is narrowed and closed near the surface of the metal coating layer, oxygen penetration into the hydrogen permeable membrane is suppressed as in the first embodiment. Further, oxidation of the lower layer metal can be suppressed. In addition, the lower metal, particularly the metal constituting the metal base layer 12 and its oxide can be prevented from reaching the surface of the hydrogen permeable membrane. Furthermore, by including Cr only in a limited region of the metal coating layer, it is possible to suppress a decrease in hydrogen permeation performance due to the Cr content in the metal coating layer 16.

(C−2)第2の変形例:
第1実施例の水素透過膜10において、Pd合金層中のCrを酸化させて、結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞された金属被覆層16とした後に、さらに、金属被覆層16上に、純度の高いPdから成るPd層を形成しても良い。ステップS130の酸化処理を行なうと、金属被覆層16の表面においても酸化クロムが形成されるため、表面に形成された酸化クロムに起因して水素透過膜表面の触媒活性が低下する可能性があるが、さらにPd層を設けることにより、水素透過膜表面の触媒活性を確保して性能低下を防止することができる。このPd層は、水素透過膜表面において触媒活性を確保できればよいため、金属被覆層16よりもさらに薄く形成することができる。
(C-2) Second modification:
In the hydrogen permeable membrane 10 of the first embodiment, Cr in the Pd alloy layer is oxidized to form the metal coating layer 16 in which the gap on the crystal structure is narrowed and closed, and then further on the metal coating layer 16. Alternatively, a Pd layer made of high-purity Pd may be formed. When the oxidation treatment in step S130 is performed, chromium oxide is also formed on the surface of the metal coating layer 16, so that the catalytic activity on the surface of the hydrogen permeable membrane may be reduced due to the chromium oxide formed on the surface. However, by further providing a Pd layer, the catalytic activity on the surface of the hydrogen permeable membrane can be ensured and performance degradation can be prevented. Since the Pd layer only needs to ensure catalytic activity on the surface of the hydrogen permeable membrane, it can be formed thinner than the metal coating layer 16.

あるいは、ステップS120においてPd合金層を形成した後に、ステップS130の酸化処理に先だって、Pd合金層上にPd層を形成しても良い。Pd層を形成した後に酸化処理を施すと、Pd層を介して(Pd層が備える結晶粒界を含む結晶構造上の間隙を介して)Pd合金層に侵入した酸素によって、Pd合金層が含有するCrが酸化される。この場合にも、同様に、金属被覆層における結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞されることによる効果と、Pd層によって水素透過膜表面の触媒活性が確保されることによる効果とを得ることができる。   Alternatively, after the Pd alloy layer is formed in step S120, the Pd layer may be formed on the Pd alloy layer prior to the oxidation treatment in step S130. When oxidation treatment is performed after the Pd layer is formed, the Pd alloy layer contains oxygen due to oxygen that has entered the Pd alloy layer through the Pd layer (via a gap on the crystal structure including the crystal grain boundary included in the Pd layer). Cr is oxidized. In this case as well, the effect of narrowing and closing the gap on the crystal structure in the metal coating layer and the effect of ensuring the catalytic activity of the hydrogen permeable membrane surface by the Pd layer are obtained. Can do.

(C−3)第3の変形例:
第1実施例において、ステップS130の酸化処理を省略することも可能である。すなわち、ステップS120でPd合金層を設けて5層構造を有する積層体を形成した後に、酸化処理を施すことなく積層体を水素透過膜としての使用に供しても良い。この場合には、水素透過膜として使用する過程においてPd合金層が備えるCrが酸化され、結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞が進行することによって、同様の効果が得られる。
(C-3) Third modification:
In the first embodiment, the oxidation process in step S130 can be omitted. That is, after providing a Pd alloy layer in step S120 to form a laminate having a five-layer structure, the laminate may be used as a hydrogen permeable membrane without being subjected to oxidation treatment. In this case, the same effect can be obtained by the Cr included in the Pd alloy layer being oxidized in the process of using it as a hydrogen permeable membrane, and the gap on the crystal structure being narrowed and closed.

(C−4)第4の変形例:
上記第1実施例では、酸化物形成のために金属被覆層16に添加してPd合金を形成させる第2成分としてCrを用いたが、他種の元素を第2成分として用いることもできる。金属被覆層16に添加する第2成分は、例えば、Cr,アルミニウム(Al),ケイ素(Si),チタン(Ti),鉄(Fe),銅(Cu),モリブデン(Mo),ジルコニウム(Zr),マグネシウム(Mg),カルシウム(Ca)から選択される元素を用いることができる。特に、Cr,Al,Siが好ましい。これらの元素は、酸化される速度は比較的遅いが、一旦酸化されるとさらなる酸化は進行しにくいという性質を有しているためである。すなわち、これらの元素を酸化させて結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞を確保するためには、水素透過膜の使用温度よりも高い温度で充分に酸化処理を施すことが望ましいが、一旦酸化処理を施しておけば、さらなる酸化は進行しにくくなる。したがって、使用中における被覆層内へのさらなる酸素の侵入が抑えられ、金属ベース層12の酸化を抑える効果をより高めることができる。また、第2の成分として、Cr,Mg,Caから選択される元素を用いるならば、水素透過膜内で高融点である複合酸化物を形成させることができるため、既述したように、VやV酸化物の膜表面への移動を抑制する効果を高めることができる。なお、金属被覆層16に添加する第2成分の量は、酸化物が形成されて結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞されることによる効果の程度と、Pdに第2成分が添加されて合金化されることによる水素透過性能の低下の程度とを考慮して、適宜設定すればよい。
(C-4) Fourth modification:
In the first embodiment, Cr is used as the second component that is added to the metal coating layer 16 to form the oxide to form the Pd alloy. However, other types of elements can also be used as the second component. The second component added to the metal coating layer 16 is, for example, Cr, aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), iron (Fe), copper (Cu), molybdenum (Mo), zirconium (Zr). An element selected from magnesium (Mg) and calcium (Ca) can be used. In particular, Cr, Al, and Si are preferable. This is because these elements are oxidized at a relatively low rate, but once oxidized, further oxidation is difficult to proceed. In other words, in order to oxidize these elements and ensure the narrowing and closing of the gaps in the crystal structure, it is desirable to perform sufficient oxidation treatment at a temperature higher than the operating temperature of the hydrogen permeable membrane. If the treatment is performed, further oxidation is unlikely to proceed. Therefore, further oxygen intrusion into the coating layer during use can be suppressed, and the effect of suppressing oxidation of the metal base layer 12 can be further enhanced. If an element selected from Cr, Mg, and Ca is used as the second component, a complex oxide having a high melting point can be formed in the hydrogen permeable membrane. And the effect of suppressing the movement of the V oxide to the film surface can be enhanced. Note that the amount of the second component added to the metal coating layer 16 depends on the degree of effect due to the oxide being formed and the gap on the crystal structure being narrowed and closed, and the addition of the second component to Pd. What is necessary is just to set suitably in consideration of the grade of the fall of hydrogen permeation performance by being alloyed.

(C−5)第5の変形例:
金属被覆層16における結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させるために、Crなどの第2成分を加えた金属被覆層16に対して酸化処理を施す構成に代えて、所定の第2成分を加えた金属被覆層16に対して、窒化処理あるいは炭化処理を施すこととしても良い。窒化物あるいは炭化物を形成する際にも、酸化物が形成される場合と同様に結晶構造が膨張して、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることができる。
(C-5) Fifth modification:
Instead of the configuration in which the metal coating layer 16 to which the second component such as Cr is added is subjected to an oxidation treatment in order to narrow and close the gap on the crystal structure in the metal coating layer 16, a predetermined second component is used. The added metal coating layer 16 may be subjected to nitriding treatment or carbonizing treatment. When forming nitrides or carbides, the crystal structure expands in the same way as when oxides are formed, and the gaps on the crystal structure can be narrowed and closed.

窒化物形成のためにPd合金層中に添加する第2成分は、例えば、Cr,Al,Si,Ti,Feから選択される元素とすることができる。この場合、ステップS130の酸化処理に代わる窒化処理としては、例えば、窒素雰囲気下での熱処理や、窒素プラズマ処理を行なえば良い。あるいは、特別に窒化処理を施すことなく積層体を水素透過膜としての使用に供し、水素透過膜として使用する過程において、上記元素を窒化させても良い。   The second component added to the Pd alloy layer for forming the nitride can be, for example, an element selected from Cr, Al, Si, Ti, and Fe. In this case, as the nitriding treatment instead of the oxidation treatment in step S130, for example, heat treatment in a nitrogen atmosphere or nitrogen plasma treatment may be performed. Alternatively, the laminated body may be used as a hydrogen permeable film without special nitriding treatment, and the element may be nitrided in the process of using it as a hydrogen permeable film.

また、炭化物形成のためにPd合金層に添加する第2成分は、例えば、SiおよびTiから選択される元素とすることができる。この場合、ステップS130の酸化処理に代わる炭化処理としては、例えば、炭素を含むガス(例えば炭化水素ガス)雰囲気での熱処理や、炭素プラズマ処理を行なえば良い。あるいは、特別に炭化処理を施すことなく積層体を水素透過膜としての使用に供し、水素透過膜として使用する過程において、上記元素を炭化させても良い。   Moreover, the 2nd component added to a Pd alloy layer for carbide | carbonized_material formation can be made into the element selected from Si and Ti, for example. In this case, as the carbonization treatment instead of the oxidation treatment in step S130, for example, heat treatment in a carbon-containing gas (for example, hydrocarbon gas) atmosphere or carbon plasma treatment may be performed. Alternatively, the laminate may be used as a hydrogen permeable membrane without being specially carbonized, and the above elements may be carbonized in the process of using it as a hydrogen permeable membrane.

このように、酸化処理に代えて窒化処理あるいは炭化処理を行なう場合にも、金属被覆層の表面のみが、上記窒化物あるいは炭化物を形成するための第2成分を備えることとしたり、金属被覆層表面上にさらにPd層を設けるなど、同様の変形を行なうことができる。   As described above, even when nitriding or carbonizing is performed instead of oxidation, only the surface of the metal coating layer includes the second component for forming the nitride or carbide, or the metal coating layer. Similar modifications can be made, such as further providing a Pd layer on the surface.

D.第2実施例:
第2実施例の水素透過膜は、図1に示す第1実施例の水素透過膜10と同様に、VあるいはV合金から成る金属ベース層12と、Taから成る中間層14と、Crを含有するPd合金から成る金属被覆層16と、を備える5層構造を有している。第2実施例の水素透過膜は、金属被覆層16に係る製造方法が、第1実施例とは異なっている。
D. Second embodiment:
Like the hydrogen permeable membrane 10 of the first embodiment shown in FIG. 1, the hydrogen permeable membrane of the second embodiment contains a metal base layer 12 made of V or V alloy, an intermediate layer 14 made of Ta, and Cr. And a metal coating layer 16 made of a Pd alloy. The hydrogen permeable membrane of the second embodiment is different from the first embodiment in the manufacturing method according to the metal coating layer 16.

図3は、第2実施例の水素透過膜の製造方法を表わす工程図である。第2実施例の水素透過膜を製造する際には、第1実施例のステップS100およびS110と同様に、金属ベース層12を用意すると共に(ステップS200)、その上に中間層14を形成する(ステップS210)。その後、中間層14上に、ステップS120と同様に、Crを含有するPd合金層を成膜し(ステップS220)、5層構造を有する積層体を形成する。ただし、第2実施例のステップS220で形成するPd合金層は、特に、水素透過膜の使用温度における固溶限を超える割合のCrを含有することを特徴としている。固溶限とは、Pdとは異なる金属であるCrがPd合金から析出する最小平衡濃度である。すなわち、固溶限よりもCr濃度が低いときには、CrはPd合金中に固溶状体で存在することになり、固溶限よりもCr濃度が高いと、Crは所定の化合物の状態で析出する。ただし、PVDやCVDによってPd合金層を成膜するときには、Cr濃度が固溶限を超える場合であっても、平衡状態に関わらず、PdとCrとが均一に存在するPd合金層を形成することができる。したがって、ステップS220で形成するPd合金層は、PdとCrとが均一に混合された状態、すなわち過飽和固溶体となっている。   FIG. 3 is a process diagram showing the method for manufacturing the hydrogen permeable membrane of the second embodiment. When manufacturing the hydrogen permeable membrane of the second embodiment, the metal base layer 12 is prepared (step S200), and the intermediate layer 14 is formed thereon, as in steps S100 and S110 of the first embodiment. (Step S210). Thereafter, a Cr-containing Pd alloy layer is formed on the intermediate layer 14 in the same manner as in Step S120 (Step S220), and a laminate having a five-layer structure is formed. However, the Pd alloy layer formed in step S220 of the second embodiment is particularly characterized in that it contains Cr in a proportion exceeding the solid solubility limit at the use temperature of the hydrogen permeable membrane. The solid solubility limit is the minimum equilibrium concentration at which Cr, which is a metal different from Pd, precipitates from the Pd alloy. That is, when the Cr concentration is lower than the solid solubility limit, Cr exists as a solid solution in the Pd alloy, and when the Cr concentration is higher than the solid solubility limit, Cr precipitates in a predetermined compound state. . However, when a Pd alloy layer is formed by PVD or CVD, even if the Cr concentration exceeds the solid solubility limit, a Pd alloy layer in which Pd and Cr exist uniformly is formed regardless of the equilibrium state. be able to. Therefore, the Pd alloy layer formed in step S220 is in a state where Pd and Cr are uniformly mixed, that is, a supersaturated solid solution.

次に、上記積層体を熱処理することによって、Pd合金層内でCr化合物を析出させる(ステップS225)。過飽和固溶体であるPd合金層を加熱処理すると、過剰に固溶していたCrが、Pdを含有する所定のCr化合物として析出する。このような析出は、主として、結晶粒界を含む結晶構造上の間隙において進行するため、上記熱処理によって、Pd合金層では、結晶粒界などの結晶構造上の間隙に、Cr化合物が析出する。すなわち、析出したCr化合物によって、Pd合金層における結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞される。析出するCr化合物の組成は、Pd合金層におけるCr濃度および温度に応じた平衡状態によって定まるものであり、熱処理前のPd合金よりもCr濃度が高いCr化合物となる。ステップS225の熱処理では、水素透過膜の使用温度以上の温度に積層体を昇温させて、水素透過膜の使用温度と同等の温度に維持することで、水素透過膜の使用温度における平衡状態に対応する析出状態とすることができる。   Next, a Cr compound is precipitated in the Pd alloy layer by heat-treating the above-mentioned laminate (Step S225). When the Pd alloy layer, which is a supersaturated solid solution, is heat-treated, Cr that has been excessively dissolved is precipitated as a predetermined Cr compound containing Pd. Since such precipitation mainly proceeds in the gap on the crystal structure including the crystal grain boundary, the above heat treatment causes the Cr compound to precipitate in the gap on the crystal structure such as the crystal grain boundary in the Pd alloy layer. That is, the deposited Cr compound narrows and closes the gap on the crystal structure in the Pd alloy layer. The composition of the precipitated Cr compound is determined by the equilibrium state according to the Cr concentration and temperature in the Pd alloy layer, and becomes a Cr compound having a higher Cr concentration than the Pd alloy before the heat treatment. In the heat treatment in step S225, the temperature of the laminate is raised to a temperature equal to or higher than the use temperature of the hydrogen permeable membrane and maintained at a temperature equivalent to the use temperature of the hydrogen permeable membrane, thereby achieving an equilibrium state at the use temperature of the hydrogen permeable membrane. A corresponding precipitation state can be obtained.

次に、上記Pd合金層にPd化合物を析出させた積層体に対して、ステップS130と同様の酸化処理を施すと(ステップS230)、Pd合金層が金属被覆層16となって、水素透過膜が完成される。この酸化処理によって、Pd合金層中のCrが酸化される。既述したように、酸化は主として結晶粒界などの結晶構造上の間隙で進行するため、結晶構造上の間隙に析出したCr化合物中のCrが主として酸化される。このように酸化されることで、析出したCr化合物が膨張し、結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞される度合いが高まる。   Next, when the same oxidation treatment as in step S130 is performed on the laminate in which the Pd compound is deposited on the Pd alloy layer (step S230), the Pd alloy layer becomes the metal coating layer 16, and the hydrogen permeable membrane. Is completed. By this oxidation treatment, Cr in the Pd alloy layer is oxidized. As described above, the oxidation mainly proceeds in the gaps in the crystal structure such as the crystal grain boundaries, so that Cr in the Cr compound precipitated in the gaps in the crystal structure is mainly oxidized. By being oxidized in this way, the precipitated Cr compound expands, and the degree of narrowing and closing of the gap on the crystal structure increases.

以上のように構成された第2実施例の水素透過膜によれば、金属被覆層16において、析出したCr化合物によって結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞されているため、水素透過膜内部への結晶構造上の間隙を介した酸素の侵入を抑制すると共に、下層金属やその酸化物の金属被覆層表面への到達を抑制することができる。したがって、酸素の侵入や下層金属の表面への到達に起因する水素透過膜の性能低下を抑えることができる。特に、第2実施例では、Cr化合物の析出のための熱処理に加えて、さらに酸化処理を行なって、析出させたCr化合物を膨張させているため、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることによる効果をさらに高めることができる。   According to the hydrogen permeable membrane of the second embodiment configured as described above, the gap on the crystal structure is narrowed and closed in the metal coating layer 16 by the precipitated Cr compound. As a result, it is possible to suppress the intrusion of oxygen through the gaps on the crystal structure and to prevent the lower layer metal and its oxide from reaching the surface of the metal coating layer. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the performance of the hydrogen permeable membrane due to the invasion of oxygen and the arrival of the lower layer metal. In particular, in the second embodiment, in addition to the heat treatment for the precipitation of the Cr compound, the oxidation treatment is further performed to expand the precipitated Cr compound, thereby narrowing and closing the gap on the crystal structure. The effect by this can be further enhanced.

なお、第2実施例では、ステップS225の熱処理の工程の後にステップS230の酸化処理を行なっているが、これらを同時に行なっても良い。すなわち、酸化雰囲気下で熱処理を行なうことによって、結晶構造上の間隙へのCr化合物の析出と、析出したCr化合物中のCrの酸化とを、同時に行なわせても良い。   In the second embodiment, the oxidation process of step S230 is performed after the heat treatment process of step S225. However, these processes may be performed simultaneously. That is, by performing heat treatment in an oxidizing atmosphere, the precipitation of the Cr compound in the gaps on the crystal structure and the oxidation of Cr in the precipitated Cr compound may be performed simultaneously.

また、第1実施例の第2の変形例と同様に、熱処理及び酸化処理の後に、あるいは熱処理及び酸化処理の工程に先立って、金属被覆層16(Pd合金層)の上に、さらにPd層を形成し、水素透過膜の表面における触媒活性を確保しても良い。   Similarly to the second modification of the first embodiment, a Pd layer is further formed on the metal coating layer 16 (Pd alloy layer) after the heat treatment and oxidation treatment or prior to the heat treatment and oxidation treatment steps. To ensure catalytic activity on the surface of the hydrogen permeable membrane.

また、第1実施例の第3の変形例と同様に酸化処理を省略して、水素透過膜の使用中に、析出したCr化合物中のCrを酸化させて、結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞を進行させても良い。あるいは、酸化処理の省略に加えてさらに、ステップS225における熱処理を省略することも可能である。この場合には、水素透過膜の使用中に、水素透過膜の昇温に伴って結晶構造上の間隙にCr化合物が次第に析出すると共に、析出したCr化合物中のCrが酸化するため、第2実施例と同様の効果が得られる。   Further, as in the third modification of the first embodiment, the oxidation treatment is omitted, and the Cr in the deposited Cr compound is oxidized during use of the hydrogen permeable membrane, thereby narrowing the gap on the crystal structure. -Occlusion may be advanced. Alternatively, in addition to the omission of the oxidation treatment, the heat treatment in step S225 may be omitted. In this case, during the use of the hydrogen permeable membrane, the Cr compound gradually precipitates in the gaps on the crystal structure as the temperature of the hydrogen permeable membrane rises, and the Cr in the deposited Cr compound is oxidized. The same effect as the embodiment can be obtained.

さらに、結晶構造上の間隙に化合物を析出させて金属被覆層を形成するために固溶限を超える濃度でPdに添加する第2成分としては、第1実施例の第4の変形例と同様の種々の元素を選択することができる。   Further, the second component added to Pd at a concentration exceeding the solid solubility limit in order to form a metal coating layer by precipitating a compound in the gap on the crystal structure is the same as in the fourth modification of the first embodiment. Various elements can be selected.

あるいは、金属被覆層を形成するために固溶限を超える濃度でPd合金層に添加する第2成分として、第1実施例の第5の変形例と同様の元素を選択してもよい。この場合には、ステップS230の酸化処理に代えて窒化処理あるいは炭化処理を行なえばよい。窒化処理あるいは炭化処理を行なう場合にも、酸化処理を行なう場合と同様に、所定の化合物が析出した結晶構造上の間隙を、さらに狭小化させる同様の効果が得られる。あるいは、上記窒化処理や炭化処理を省略して、水素透過膜の使用中に、析出した化合物中の第2成分の窒化や炭化を進行させることとしても良い。   Or you may select the element similar to the 5th modification of 1st Example as a 2nd component added to a Pd alloy layer by the density | concentration exceeding a solid solubility limit in order to form a metal coating layer. In this case, a nitriding process or a carbonizing process may be performed instead of the oxidation process in step S230. In the case of performing nitriding or carbonizing, the same effect as that of further narrowing the gap on the crystal structure in which the predetermined compound is precipitated can be obtained as in the case of performing the oxidizing treatment. Alternatively, the nitriding treatment or carbonization treatment may be omitted, and nitriding or carbonization of the second component in the deposited compound may be advanced during use of the hydrogen permeable membrane.

なお、上記Pd合金層に添加する第2成分は、酸化、窒化、炭化といった反応を起こさない元素であっても良い。熱処理によって化合物として結晶構造上の間隙に析出させたときに、水素透過膜の使用環境で安定に存在することができればよい。すなわち、結晶構造上の間隙に析出された化合物がそのままで、あるいは酸化等の処理を施したときに、水素透過膜内に拡散することなく、水素透過性能を妨げる反応を起こし難いならば、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることによる同様の効果を得ることができる。   The second component added to the Pd alloy layer may be an element that does not cause a reaction such as oxidation, nitridation, and carbonization. What is necessary is just to be able to exist stably in the use environment of a hydrogen permeable film, when it precipitates in the space | gap on a crystal structure as a compound by heat processing. That is, if it is difficult to cause a reaction that hinders hydrogen permeation performance without diffusing into the hydrogen permeation film when the compound deposited in the gaps in the crystal structure is left as it is or is subjected to treatment such as oxidation, A similar effect can be obtained by narrowing and closing the structural gap.

E.第3実施例:
第3実施例の水素透過膜は、図1に示す第1実施例の水素透過膜と同様に、VあるいはV合金から成る金属ベース層12と、Taから成る中間層14と、Pdに加えてさらにCrを含有する金属被覆層16と、を備える5層構造を有している。第3実施例の水素透過膜は、金属被覆層16に係る製造方法が、第1実施例とは異なっている。
E. Third embodiment:
The hydrogen permeable membrane of the third embodiment is similar to the hydrogen permeable membrane of the first embodiment shown in FIG. 1 in addition to the metal base layer 12 made of V or V alloy, the intermediate layer 14 made of Ta, and Pd. Furthermore, it has a 5 layer structure provided with the metal coating layer 16 containing Cr. The hydrogen permeable membrane of the third embodiment is different from the first embodiment in the manufacturing method according to the metal coating layer 16.

図4は、第3実施例の水素透過膜の製造方法を表わす工程図である。第3実施例の水素透過膜を製造する際には、第1実施例のステップS100およびS110と同様に、金属ベース層12を用意すると共に(ステップS300)、その上に中間層14を形成する(ステップS310)。その後、中間層14上に、Pd層を成膜し(ステップS320)、5層構造を有する積層体を形成する。このPd層は、Pd単体から成る層、あるいは、Pdを主成分とするPd合金からなる層である。   FIG. 4 is a process diagram showing the method for manufacturing the hydrogen permeable membrane of the third embodiment. When manufacturing the hydrogen permeable membrane of the third embodiment, the metal base layer 12 is prepared (step S300), and the intermediate layer 14 is formed thereon, as in steps S100 and S110 of the first embodiment. (Step S310). Thereafter, a Pd layer is formed on the intermediate layer 14 (step S320), and a laminate having a five-layer structure is formed. The Pd layer is a layer made of Pd alone or a layer made of a Pd alloy containing Pd as a main component.

次に、上記Pd層上に、Crからなる目詰め被覆層を成膜する(ステップS323)。この目詰め被覆層は、Pd層を覆うことができる厚みを有していれば良く、例えばPVDあるいはCVDによって形成することができる。PVDやCVDのように、成膜材料を原子の状態で成膜基板上に供給する方法によって目詰め被覆層を成膜することにより、Pd層表面における結晶粒界を含む結晶構造上の間隙内へと、目詰め被覆層を構成する金属(以下、目詰め用金属と呼ぶ)を入りこませることができる。すなわち、結晶構造上の間隙を、目詰め用金属、すなわちCrによって狭小化・閉塞させることができる。   Next, a clogging coating layer made of Cr is formed on the Pd layer (step S323). The plugging coating layer only needs to have a thickness capable of covering the Pd layer, and can be formed by, for example, PVD or CVD. In the gap between the crystal structure including the crystal grain boundary on the surface of the Pd layer by forming the clogging coating layer by the method of supplying the film forming material onto the film forming substrate in an atomic state like PVD or CVD. The metal that constitutes the plugging coating layer (hereinafter referred to as a plugging metal) can enter. That is, the gap on the crystal structure can be narrowed / closed by the metal for filling, that is, Cr.

目詰め被覆層を形成すると、次に、上記目詰め被覆層を形成した積層体を熱処理する(ステップS326)。熱処理とは、目詰め用金属を、積層体表面から上記結晶粒界などの間隙内へと移動させるための処理である。このように、目詰め用金属を移動させる目的のためには、積層体を構成する金属の融点以下でなるべく高い温度で熱処理する必要があるが、熱処理の際に積層体内で進行する金属拡散が許容範囲に抑えられるように、熱処理の温度を設定することが望ましい。そのため、熱処理は、例えば、400〜500℃で1〜2時間程度行なえば良い。   Once the plugging coating layer is formed, the laminate on which the packing coating layer is formed is then heat treated (step S326). The heat treatment is a treatment for moving the filling metal from the surface of the laminate into the gap such as the crystal grain boundary. As described above, for the purpose of moving the metal for packing, it is necessary to perform heat treatment at a temperature as high as possible below the melting point of the metal constituting the laminate, but metal diffusion that proceeds in the laminate during the heat treatment is performed. It is desirable to set the temperature of the heat treatment so as to keep it within an allowable range. Therefore, the heat treatment may be performed, for example, at 400 to 500 ° C. for about 1 to 2 hours.

その後、上記熱処理を施した積層体を、さらに酸化処理する(ステップS330)。この酸化処理は、ステップS130と同様の処理である。酸化処理を施すことで、目詰め用金属であるCrが酸化されて酸化クロムとなる。このように酸化されることにより、結晶構造上の間隙内に入りこんでいたCrの結晶構造が膨張する。   Thereafter, the laminate subjected to the heat treatment is further oxidized (step S330). This oxidation process is the same process as step S130. By applying an oxidation treatment, Cr, which is a filling metal, is oxidized to become chromium oxide. By being oxidized in this way, the crystal structure of Cr that has entered the gaps in the crystal structure expands.

酸化処理を行なうと、さらに、積層体の表層の除去、すなわち目詰め被覆層の除去を行なって(ステップS240)、水素透過膜を完成する。表層の除去は、例えば、アルゴンイオンエッチング、物理研磨、化学エッチングにより行なうことができる。このような表層除去を行なって、目詰め被覆層を除去することで、積層体は、表面にPd層から成る金属被覆層16を備える水素透過膜となる。第3実施例の水素透過膜が備える金属被覆層16は、その表面を含む表面近傍の領域において、結晶構造上の間隙が、酸化クロムによって狭小化・閉塞された状態となっている。   When the oxidation treatment is performed, the surface layer of the laminate is further removed, that is, the plugging coating layer is removed (step S240), thereby completing the hydrogen permeable membrane. The surface layer can be removed, for example, by argon ion etching, physical polishing, or chemical etching. By performing such surface layer removal and removing the clogging coating layer, the laminate becomes a hydrogen permeable membrane having a metal coating layer 16 composed of a Pd layer on the surface. In the metal coating layer 16 provided in the hydrogen permeable membrane of the third embodiment, in the region in the vicinity of the surface including the surface, the gap on the crystal structure is in a state of being narrowed and closed by chromium oxide.

以上のように構成された第3実施例の水素透過膜によれば、金属被覆層16において、酸化クロムによって結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞されているため、水素透過膜内部への結晶構造上の間隙を介した酸素の侵入を抑制すると共に、下層金属やその酸化物の金属被覆層表面への到達を抑制することができる。したがって、酸素の侵入や下層金属の表面への到達に起因する水素透過膜の性能低下を抑えることができる。特に、第3実施例では、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させるために目詰め被覆層を設けた後で熱処理を行なうため、目詰め用金属が結晶構造上の間隙へと入りこむ作用を高めることができる。これによって、より多くの目詰め用金属を結晶構造上の間隙内に入りこませ、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させる効果を高めることができる。また、結晶構造上の間隙のより内部にまで目詰め金属を入りこませることにより、その後に目詰め被覆層の除去を行なっても、目詰めされた部分が削り取られて効果が低減されることがない。なお、ステップS323で目詰め被覆層を形成することによって、結晶構造上の間隙内に充分に目詰め金属を入りこませることができる場合には、熱処理を省略しても良い。また、本実施例では、結晶構造上の間隙内へとCrを入りこませた後に、このCrを酸化させて膨張させているため、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させる効果をさらに高めることができる。また、ステップS340において目詰め被覆層を除去することで、水素透過膜の表面における水素分子の解離反応あるいは水素分子への結合反応を促進する触媒活性を確保することができる。   According to the hydrogen permeable film of the third embodiment configured as described above, since the gap on the crystal structure is narrowed and closed by chromium oxide in the metal coating layer 16, the crystal inside the hydrogen permeable film It is possible to suppress the intrusion of oxygen through the structural gap, and to suppress the arrival of the lower layer metal and its oxide on the surface of the metal coating layer. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the performance of the hydrogen permeable membrane due to the invasion of oxygen and the arrival of the lower layer metal. In particular, in the third embodiment, since the heat treatment is performed after providing the plugging coating layer in order to narrow and close the gap on the crystal structure, the action of the metal for plugging into the gap on the crystal structure is achieved. Can be increased. As a result, it is possible to increase the effect of narrowing and closing the gap on the crystal structure by allowing more metal for filling to enter the gap on the crystal structure. In addition, by introducing the clogging metal into the inside of the gap on the crystal structure, even if the clogging coating layer is removed after that, the clogged portion is scraped off and the effect is reduced. There is no. Note that if the clogging metal can be sufficiently introduced into the gaps on the crystal structure by forming the clogging coating layer in step S323, the heat treatment may be omitted. Further, in this example, after Cr enters the gap on the crystal structure, this Cr is oxidized and expanded, so that the effect of narrowing and closing the gap on the crystal structure is further enhanced. be able to. Further, by removing the plugging coating layer in step S340, it is possible to ensure catalytic activity that promotes the dissociation reaction of hydrogen molecules on the surface of the hydrogen permeable membrane or the binding reaction to hydrogen molecules.

F.第3実施例の変形例:
(F−1)第1の変形例:
第3実施例において、熱処理、酸化処理あるいは表層除去の工程の順序に関しては、種々の変形が可能である。
F. Modification of the third embodiment:
(F-1) First modification:
In the third embodiment, various modifications can be made with respect to the order of the steps of heat treatment, oxidation treatment or surface layer removal.

例えば、熱処理と酸化処理とを同時に行なってもよい。すなわち、酸化雰囲気下において熱処理を行なって、結晶構造上の間隙内へのCrの移動を促進しつつ、Crを酸化させても良い。また、ステップS330の酸化処理を、ステップS340の表層除去の後に行なっても良い。あるいは、酸化処理と表層除去とを同時に行なっても良い。例えば、酸素プラズマ処理(あるいはオゾンプラズマ処理)によって、目詰め被覆層の除去と、結晶構造上の間隙内に入りこんだCrの酸化とを同時に行なうことができる。   For example, the heat treatment and the oxidation treatment may be performed simultaneously. That is, heat treatment may be performed in an oxidizing atmosphere to oxidize Cr while promoting the movement of Cr into the gaps on the crystal structure. Further, the oxidation treatment in step S330 may be performed after the surface layer removal in step S340. Alternatively, oxidation treatment and surface layer removal may be performed simultaneously. For example, the removal of the clogging coating layer and the oxidation of Cr that has entered the gaps on the crystal structure can be simultaneously performed by oxygen plasma treatment (or ozone plasma treatment).

また、ステップS330の酸化処理を省略することも可能である。すなわち、ステップS326の熱処理を行なった後に、ステップS340の表層除去を行ない、酸化処理を施すことなく積層体を水素透過膜としての使用に供しても良い。この場合には、製造した水素透過膜を使用する過程において、金属被覆層16内に入りこんだ目詰め用金属が次第に酸化され、結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞がさらに進行する。   Further, the oxidation treatment in step S330 can be omitted. That is, after performing the heat treatment in step S326, the surface layer may be removed in step S340, and the stacked body may be used as a hydrogen permeable film without performing an oxidation treatment. In this case, in the process of using the manufactured hydrogen permeable membrane, the clogging metal that has entered the metal coating layer 16 is gradually oxidized, and the narrowing and closing of the gap on the crystal structure further proceeds.

なお、表層除去を物理研磨によって行なう場合には、研磨に用いる研磨粒子として、表層除去の後に水素透過膜上に残留したとしても、水素透過膜の使用条件下において安定に存在することができる物質から成る粒子を用いることが望ましい。すなわち、水素透過膜上に残留したとしても、水素透過膜の性能に影響を与えない物質からなる粒子を用いることが望ましい。例えば、酸化物から成る粒子のように、金属拡散を起こして水素透過性能低下を引き起こすおそれがない粒子を用いればよい。具体的には、結晶構造上の間隙を埋める酸化物から成る粒子、本実施例では酸化クロムから成る粒子を、研磨粒子として用いればよい。   In addition, when performing surface layer removal by physical polishing, even if it remains on the hydrogen permeable film after removing the surface layer as a polishing particle used for polishing, a substance that can exist stably under the conditions of use of the hydrogen permeable film It is desirable to use particles consisting of That is, it is desirable to use particles made of a substance that does not affect the performance of the hydrogen permeable membrane even if it remains on the hydrogen permeable membrane. For example, particles that cause metal diffusion and do not cause a decrease in hydrogen permeation performance, such as particles made of an oxide, may be used. Specifically, particles made of an oxide that fills the gap in the crystal structure, in this embodiment, particles made of chromium oxide may be used as the abrasive particles.

(F−2)第2の変形例:
また、目詰め被覆層を構成する成膜材料としては、Cr以外に、第1実施例の第4の変形例と同様の種々の元素を選択することができる。酸化物となったときに、水素透過膜の使用条件下において安定して存在することができればよい。この場合にも、ステップS330の酸化処理を行なうことで、結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞をさらに進行させることができる。なお、水素透過膜の使用条件下で安定であるとは、水素透過性能を阻害しない反応の進行は許容される。例えば、第3実施例で目詰め金属としてCrを用いて、結晶構造上の間隙を酸化クロムで狭小化・閉塞する場合には、酸化クロムは、金属ベース層12から移動してきたVや酸化バナジウムと反応して、酸化クロムと酸化バナジウムの複合酸化物( ・Cr )を生じる。この複合酸化物は、既述したように、Vよりも融点が高く、より拡散しにくい物質であって、Vや酸化バナジウムの膜表面への移動を妨げるため、このような複合酸化物が形成されることは望ましい。
(F-2) Second modification:
In addition to Cr, various elements similar to those of the fourth modification of the first embodiment can be selected as the film forming material constituting the plugging coating layer. What is necessary is just to be able to exist stably under the use condition of a hydrogen permeable film when it becomes an oxide. Also in this case, the gap in the crystal structure can be further narrowed / closed by performing the oxidation treatment in step S330. It should be noted that the reaction that does not impair the hydrogen permeation performance is allowed to be stable under the conditions of use of the hydrogen permeable membrane. For example, when Cr is used as the plugging metal in the third embodiment and the gap on the crystal structure is narrowed and closed with chromium oxide, chromium oxide is transferred from the metal base layer 12 or vanadium oxide. To produce a composite oxide of chromium oxide and vanadium oxide ( V 2 O 5 · Cr 2 O 3 ). As described above, this composite oxide is a substance having a melting point higher than that of V and difficult to diffuse, and prevents the movement of V and vanadium oxide to the film surface. It is desirable to be done.

(F−3)第3の変形例:
あるいは、目詰め被覆層を構成する成膜材料として、第1実施例の第5の変形例と同様の元素を選択して、ステップS330の酸化処理に代えて窒化処理あるいは炭化処理を行なうこととしても良い。このような構成としても、酸化処理を行なう場合と同様に、結晶構造上の間隙内に上記成膜材料を目詰め材料として入りこませた後に、窒化処理あるいは炭化処理によって上記目詰め材料を膨張させて、結晶構造上の間隙の狭小化・閉塞をさらに進行させることができる。あるいは、窒化処理や炭化処理を省略して、水素透過膜の使用中に、目詰め材料の窒化や炭化を進行させても良い。
(F-3) Third modification:
Alternatively, an element similar to that of the fifth modification of the first embodiment is selected as a film forming material constituting the plugging coating layer, and a nitriding process or a carbonizing process is performed instead of the oxidation process in step S330. Also good. Even in such a configuration, as in the case where the oxidation treatment is performed, the film-forming material is allowed to enter the gap in the crystal structure as a filling material, and then the filling material is expanded by nitriding treatment or carbonization treatment. As a result, the narrowing and closing of the gap on the crystal structure can be further advanced. Alternatively, nitriding or carbonizing may be omitted, and nitriding or carbonizing of the plugging material may be advanced during use of the hydrogen permeable membrane.

(F−4)第4の変形例:
第3実施例では、Pd層上に目詰め被覆層を形成した後に、酸化処理を施すことで、目詰め用金属から、より安定な酸化物を生成している。これに対して、水素透過膜の使用条件下において安定して存在可能な成膜材料を用いて、目詰め被覆層を形成しても良い。例えば、酸化クロム等の酸化物や、第1実施例の第5の変形例で例示した元素の窒化物あるいは炭化物を、目詰め被覆層の成膜材料とすることができる。この場合には、酸化処理、窒化処理あるいは炭化処理を、別途行なう必要がない。また、この場合には、ステップS340の表層除去として物理研磨を行なう場合には、研磨粒子として、成膜材料と同じ材料から成る粒子を用いればよい。
(F-4) Fourth modification:
In the third embodiment, a more stable oxide is generated from the metal for packing by forming the plugging coating layer on the Pd layer and then performing an oxidation treatment. On the other hand, the plugging coating layer may be formed using a film forming material that can exist stably under the use conditions of the hydrogen permeable film. For example, an oxide such as chromium oxide, or a nitride or carbide of the element exemplified in the fifth modification of the first embodiment can be used as a film forming material for the filling coating layer. In this case, it is not necessary to separately perform oxidation treatment, nitridation treatment, or carbonization treatment. In this case, when physical polishing is performed as the removal of the surface layer in step S340, particles made of the same material as the film forming material may be used as the polishing particles.

G.第4実施例:
図5は、第4実施例の水素透過膜の概略構成を表わす断面模式図である。第4実施例の水素透過膜は、第1実施例の水素透過膜と同様に、VあるいはV合金から成る金属ベース層12と、Taから成る中間層14と、を備えている。また、金属被覆層16に代えて、Pdを含有する層である金属被覆層416を備えると共に、さらに、金属被覆層416上に、酸化クロムから成る粒界被覆部418を備えている。この粒界被覆部418は、金属被覆層416の表面に存在する結晶構造上の間隙を覆うように形成されている。
G. Fourth embodiment:
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of the hydrogen permeable membrane of the fourth embodiment. Similar to the hydrogen permeable membrane of the first embodiment, the hydrogen permeable membrane of the fourth embodiment includes a metal base layer 12 made of V or a V alloy and an intermediate layer 14 made of Ta. Further, a metal coating layer 416 that is a layer containing Pd is provided instead of the metal coating layer 16, and a grain boundary coating portion 418 made of chromium oxide is further provided on the metal coating layer 416. The grain boundary coating portion 418 is formed so as to cover the gap on the crystal structure existing on the surface of the metal coating layer 416.

図6は、第4実施例の水素透過膜の製造方法を表わす工程図である。第4実施例の水素透過膜を製造する際には、第1実施例のステップS100およびS110と同様に、金属ベース層12を用意すると共に(ステップS400)、その上に中間層14を形成する(ステップS410)。その後、中間層14上に金属被覆層416を成膜し(ステップS420)、5層構造を有する積層体を形成する。この金属被覆層416は、Pd単体から成る層、あるいは、Pdを主成分とするPd合金からなる層である。   FIG. 6 is a process diagram showing the method for manufacturing the hydrogen permeable membrane of the fourth embodiment. When manufacturing the hydrogen permeable membrane of the fourth embodiment, the metal base layer 12 is prepared (step S400), and the intermediate layer 14 is formed thereon, as in steps S100 and S110 of the first embodiment. (Step S410). Thereafter, a metal coating layer 416 is formed on the intermediate layer 14 (step S420), and a laminate having a five-layer structure is formed. The metal coating layer 416 is a layer made of Pd alone or a layer made of a Pd alloy containing Pd as a main component.

次に、上記金属被覆層416上に、粒界被覆部418を形成する(ステップS425)。この粒界被覆部418は、Crを成膜材料として形成され、既述したように、金属被覆層416の表面の結晶構造上の間隙(主として結晶粒界)を覆うように形成される。この粒界被覆部418の詳しい製造方法は、後に説明する。   Next, the grain boundary coating portion 418 is formed on the metal coating layer 416 (step S425). The grain boundary coating portion 418 is formed using Cr as a film forming material, and is formed so as to cover the gap (mainly the crystal grain boundary) on the crystal structure on the surface of the metal coating layer 416 as described above. A detailed manufacturing method of the grain boundary covering portion 418 will be described later.

ステップS425において粒界被覆部418を形成すると、粒界被覆部418を形成した積層体に対して、ステップS130と同様の酸化処理を施し(ステップS430)、水素透過膜を完成する。酸化処理を施すことによって、粒界被覆部418を構成するCrが酸化される。これにより、粒界被覆部418は、水素透過膜の使用条件下においても安定に存在する酸化クロムから成る粒界被覆部418となる。   When the grain boundary covering portion 418 is formed in step S425, the stacked body on which the grain boundary covering portion 418 is formed is subjected to the same oxidation treatment as in step S130 (step S430), thereby completing the hydrogen permeable membrane. By performing the oxidation treatment, Cr constituting the grain boundary covering portion 418 is oxidized. Thereby, the grain boundary coating part 418 becomes the grain boundary coating part 418 made of chromium oxide which exists stably even under the use condition of the hydrogen permeable membrane.

図7は、ステップS425において粒界被覆部418を形成する方法を表わす工程図である。粒界被覆部418を形成するには、まず、粒界被覆部418を設けるべき面積として、金属被覆層416表面に存在する結晶粒界近傍領域の面積を求める(ステップS500)。すなわち、結晶構造上の間隙は主として結晶粒界であるといえるので、ここでは、金属被覆層416表面に存在する結晶構造上の間隙の周辺領域の面積として、結晶粒界近傍領域の面積を求める。金属被覆層416の表面に存在する結晶粒界は、線状に観察されるものであるが、ステップS500では、線状の結晶粒界に所定の幅をもたせて結晶粒界近傍領域として、粒界被覆部418を設けるべき領域としている。結晶粒界近傍領域の面積は、実測によって求めても良いし、推定によって求めても良い。結晶粒界近傍領域の面積を実測によって求めるには、例えば、金属被覆層416の表面を走査電子顕微鏡(SEM)を用いて観察し、得られた像を用いて結晶粒界近傍領域の面積を求めればよい。また、結晶粒界近傍領域の面積を推定によって求めるには、予め、成膜条件と結晶粒界近傍領域との関係を調べておけばよい。金属結晶の大きさは、成膜時に成膜材料に供給するエネルギによって定まる。この供給エネルギの量は、具体的には、成膜時の基板温度や、成膜材料が基板に衝突する際の投入エネルギなどの成膜条件によって定まる。そこで、所定の成膜条件のもとで成膜した金属被覆層について予め結晶粒界近傍領域面積を測定し、成膜条件と結晶粒界近傍領域面積との関係を調べておけば、その後は、実測しなくても、採用した成膜条件に基づいて結晶粒界近傍領域の面積を推定することができる。   FIG. 7 is a process diagram showing a method of forming the grain boundary covering portion 418 in step S425. In order to form the grain boundary coating part 418, first, the area of the crystal grain boundary vicinity existing on the surface of the metal coating layer 416 is obtained as the area where the grain boundary coating part 418 is to be provided (step S500). That is, since the gap on the crystal structure is mainly a crystal grain boundary, here, the area of the vicinity of the crystal grain boundary is obtained as the area of the peripheral area of the gap on the crystal structure existing on the surface of the metal coating layer 416. . The crystal grain boundaries existing on the surface of the metal coating layer 416 are observed in a linear shape. However, in step S500, the linear crystal grain boundaries are given a predetermined width to form the grain boundary vicinity region. The area covering portion 418 is to be provided. The area of the crystal grain boundary vicinity region may be obtained by actual measurement or may be obtained by estimation. In order to obtain the area in the vicinity of the crystal grain boundary by actual measurement, for example, the surface of the metal coating layer 416 is observed using a scanning electron microscope (SEM), and the area in the vicinity of the crystal grain boundary is determined using the obtained image. Find it. In order to obtain the area of the crystal grain boundary vicinity region by estimation, the relationship between the film forming conditions and the crystal grain boundary vicinity region may be examined in advance. The size of the metal crystal is determined by the energy supplied to the film formation material during film formation. Specifically, the amount of supplied energy is determined by the film forming conditions such as the substrate temperature at the time of film formation and the input energy when the film forming material collides with the substrate. Therefore, if the area near the crystal grain boundary is measured in advance for the metal coating layer deposited under the predetermined film forming conditions, and the relationship between the film forming conditions and the area near the crystal grain boundary is investigated, then Even without actual measurement, the area in the vicinity of the crystal grain boundary can be estimated based on the employed film forming conditions.

ステップS500で結晶粒界近傍領域の面積を求めると、次に、粒界被覆部418を形成するために要する成膜材料量を設定する(ステップS510)。ステップS510で設定する成膜材料量は、上記結晶粒界近傍領域の面積と、成膜材料であるCrの原子半径とに基づいて、上記結晶粒界近傍領域の面積を、所定の厚みで覆うために必要な成膜材料の量(重量)として算出される。ここで、形成すべき粒界被覆部418の厚みは、1nmを超える厚みであって、20nm未満とすることが望ましく、例えば、5nm程度とすればよい。1nm以下にすると、粒界被覆部418によって結晶粒界を覆う効果が不十分となる可能性があり、20nm以上にすると、粒界被覆部418によって覆われる面積が広くなり過ぎることによって水素透過膜の性能が低下する可能性があるためである。   Once the area in the vicinity of the crystal grain boundary is obtained in step S500, the amount of film forming material required for forming the grain boundary covering portion 418 is set (step S510). The film forming material amount set in step S510 covers the area of the crystal grain boundary region with a predetermined thickness based on the area of the crystal grain boundary vicinity region and the atomic radius of Cr as the film forming material. Therefore, it is calculated as the amount (weight) of the film forming material necessary for this. Here, the thickness of the grain boundary covering portion 418 to be formed is more than 1 nm and preferably less than 20 nm, for example, about 5 nm. If the thickness is 1 nm or less, the effect of covering the crystal grain boundary by the grain boundary coating portion 418 may be insufficient. If the thickness is 20 nm or more, the area covered by the grain boundary coating portion 418 becomes too wide, and thus the hydrogen permeable film. This is because the performance of the system may be degraded.

その後、ステップ510で設定した量の成膜材料を用いて、金属被覆層416上にCr層を形成することで(ステップS520)、粒界被覆部418が形成される。ここで、ステップS520における成膜は、例えばPVDやCVDによって行なうことができるが、このように活性化された(エネルギ状態の高い)成膜材料を基板上に供給して成膜する場合には、供給された成膜材料は、基板上の、より活性化された部位に優先的に積もるという性質を有している。成膜の基板となる金属被覆層416表面では、結晶粒界などの結晶構造上の間隙が、より活性化された部位であるといえる。そのため、ステップS510で設定した量のCrを、金属被覆層416の表面に供給すると、Crは、結晶構造上の間隙の近傍に優先的に付き、結晶粒界近傍領域を覆う粒界被覆部418が形成される。このように、本実施例では、成膜材料量を適切な値に制御することによって、結晶粒界近傍領域に限定的に粒界被覆部418を形成させている。   Thereafter, a Cr layer is formed on the metal coating layer 416 using the amount of film forming material set in step 510 (step S520), whereby the grain boundary coating portion 418 is formed. Here, the film formation in step S520 can be performed by, for example, PVD or CVD. However, when the film formation material activated in this way (high energy state) is supplied onto the substrate, the film formation is performed. The supplied film forming material has a property of preferentially accumulating at a more activated portion on the substrate. On the surface of the metal coating layer 416 serving as a substrate for film formation, it can be said that a gap on the crystal structure such as a crystal grain boundary is a more activated part. Therefore, when the amount of Cr set in step S510 is supplied to the surface of the metal coating layer 416, the Cr is attached preferentially in the vicinity of the gap on the crystal structure, and the grain boundary covering portion 418 covering the region near the crystal grain boundary. Is formed. As described above, in this embodiment, the grain boundary covering portion 418 is limitedly formed in the vicinity of the crystal grain boundary by controlling the film forming material amount to an appropriate value.

なお、ステップS510で設定された量の成膜材料を成膜に用いる方法としては、例えば、成膜時に成膜量を実測する方法が挙げられる。成膜量を実測するには、周知の水晶振動子を用いることによって、成膜した膜厚をモニタし、単位面積当たりの成膜された重量を測定すればよい。あるいは、所定の成膜条件で成膜したときに、成膜に用いた成膜材料の量が、上記算出された成膜材料量となるための成膜時間を予め求めておき、上記成膜条件の下で、上記算出された時間だけ成膜を行なうこととしても良い。   An example of a method of using the amount of film forming material set in step S510 for film formation is a method of actually measuring the film formation amount during film formation. In order to actually measure the amount of film formation, it is only necessary to monitor the film thickness by using a known crystal resonator and measure the weight of the film formed per unit area. Alternatively, when the film formation is performed under the predetermined film formation conditions, a film formation time for the amount of the film formation material used for the film formation to be the calculated film formation material amount is obtained in advance, and the film formation is performed. Under the conditions, film formation may be performed only for the calculated time.

以上のように構成された第4実施例の水素透過膜によれば、金属被覆層416上で、粒界被覆部418によって結晶構造上の間隙が狭小化・閉塞されているため、水素透過膜内部への結晶構造上の間隙を介した酸素の侵入を抑制すると共に、Vなどの下層金属や、その酸化物の金属被覆層表面への到達を抑制することができる。したがって、酸素の侵入や下層金属の表面への到達に起因する水素透過膜の性能低下を抑えることができる。また、第4実施例では、金属被覆層416の表面において、結晶構造上の間隙を含む限定された領域を覆う粒界被覆部418を形成しているため、他の領域において水素透過性能のための触媒活性を確保することができる。したがって、粒界被覆部418を設けることに起因する水素透過性能の低下を抑制することができる。さらに、本実施例では、表面の活性が高い部位に優先的に成膜される性質を利用して粒界被覆部418を形成しているため、成膜材料量を調節するだけで、効率良く簡便に、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることができる。   According to the hydrogen permeable membrane of the fourth embodiment configured as described above, the gap on the crystal structure is narrowed and closed on the metal coating layer 416 by the grain boundary coating portion 418. It is possible to suppress the intrusion of oxygen into the inside through the gap on the crystal structure, and to suppress the arrival of the lower layer metal such as V and its oxide on the surface of the metal coating layer. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the performance of the hydrogen permeable membrane due to the invasion of oxygen and the arrival of the lower layer metal. In the fourth embodiment, since the grain boundary covering portion 418 is formed on the surface of the metal covering layer 416 so as to cover a limited region including a gap on the crystal structure, the hydrogen permeation performance is achieved in other regions. The catalytic activity can be ensured. Therefore, it is possible to suppress a decrease in hydrogen permeation performance due to the provision of the grain boundary covering portion 418. Furthermore, in this embodiment, since the grain boundary covering portion 418 is formed by utilizing the property that the film is preferentially formed on a portion having a high surface activity, it is efficient only by adjusting the amount of film forming material. The gap on the crystal structure can be narrowed and closed easily.

H.第4実施例の変形例:
(H−1)第1の変形例:
ステップS420で金属被覆層416を形成した後に、金属被覆層416における金属結晶粒を大型化させる処理を施しても良い。金属結晶粒の大型化は、金属被覆層416に対するエネルギ供給、例えば金属被覆層416の加熱を行なって、金属結晶粒を成長させることにより実行可能である。ここで、結晶粒の成長のための加熱は、金属被覆層416に対して局所的に行なうことが望ましい。局所的に加熱すれば、加熱による金属拡散の進行を抑制することができる。金属被覆層416を局所的に加熱するには、例えば、金属被覆層416に対してパルスレーザ照射を行なえば良い。
H. Modification of the fourth embodiment:
(H-1) First modification:
After forming the metal coating layer 416 in step S420, a process of enlarging the metal crystal grains in the metal coating layer 416 may be performed. The enlargement of the metal crystal grains can be performed by growing the metal crystal grains by supplying energy to the metal coating layer 416, for example, by heating the metal coating layer 416. Here, it is desirable that the heating for growing crystal grains be performed locally on the metal coating layer 416. If locally heated, the progress of metal diffusion due to heating can be suppressed. In order to locally heat the metal coating layer 416, for example, pulse laser irradiation may be performed on the metal coating layer 416.

このように、粒界被覆部418の形成に先立って金属被覆層416を構成する金属結晶粒を大型化させることで、粒界被覆部418を形成するために用いる成膜材料の量を削減することができる。また、粒界被覆部418を形成するための成膜時間を短縮することができる。   Thus, by enlarging the metal crystal grains constituting the metal coating layer 416 prior to the formation of the grain boundary coating portion 418, the amount of film forming material used for forming the grain boundary coating portion 418 is reduced. be able to. In addition, the film formation time for forming the grain boundary covering portion 418 can be shortened.

(H−2)第2の変形例:
ステップS420で金属被覆層416を形成した後に、金属被覆層416表面における結晶粒界を凹面化させる処理、すなわち、結晶粒界をより深くする処理を施しても良い。凹面化処理によって金属被覆層416の表面における結晶粒界を凹面化する様子を、図8に模式的に示す。結晶粒界の凹面化は、例えば、金属被覆層416表面に対して酸化処理と還元処理とを繰り返し行なうことにより実行できる。酸化処理と還元処理とを繰り返すことによって金属結晶が膨張と収縮を繰り返すことで、金属被覆層416の表面では金属結晶に隙間が生じて結晶粒界が凹面化する。あるいは、金属被覆層416表面に対してプラズマエッチングや化学エッチングを行なうことにより、結晶粒界を凹面化させても良い。
(H-2) Second modification:
After forming the metal coating layer 416 in step S420, a process of making the crystal grain boundary on the surface of the metal coating layer 416 concave, that is, a process of deepening the crystal grain boundary may be performed. FIG. 8 schematically shows a state in which the crystal grain boundary on the surface of the metal coating layer 416 is made concave by the concave surface treatment. For example, the grain boundary can be made concave by repeatedly performing oxidation treatment and reduction treatment on the surface of the metal coating layer 416. By repeating the oxidation treatment and the reduction treatment, the metal crystal repeatedly expands and contracts, so that a gap is generated in the metal crystal on the surface of the metal coating layer 416 and the crystal grain boundary becomes concave. Alternatively, the crystal grain boundary may be concaved by performing plasma etching or chemical etching on the surface of the metal coating layer 416.

このような凹面化処理を行なえば、ステップS500において結晶粒界近傍領域の面積を実測する場合に結晶粒界が観察し易くなるため、測定の精度を向上させることができる。また、上記凹面化処理によって金属被覆層416表面の結晶粒界がさらに活性化するため、ステップS425における粒界被覆部418の成膜が、より容易になる。   If such a concave surface treatment is performed, the crystal grain boundary can be easily observed when measuring the area of the vicinity of the crystal grain boundary in step S500, so that the measurement accuracy can be improved. In addition, since the crystal grain boundary on the surface of the metal coating layer 416 is further activated by the concave surface treatment, film formation of the grain boundary coating part 418 in step S425 becomes easier.

(H−3)第3の変形例:
第4実施例では、ステップS425において、粒界被覆部418を金属被覆層416上に直接成膜しているが、異なる構成としても良い。例えば、SEMで観察した金属被覆層416表面における結晶粒界のパターン通りに、Crを成膜材料とする粒界被覆部を別途作製し、これを金属被覆層416上に固着させても良い。この場合には、ポリイミドなどの所定の基材上に、上記パターン通りにCrを成膜材料として印刷を行ない、印刷したCr層を金属被覆層416上に転写した後に、基板を剥離すればよい。
(H-3) Third modification:
In the fourth example, the grain boundary coating portion 418 is directly formed on the metal coating layer 416 in step S425, but a different configuration may be used. For example, a grain boundary covering portion using Cr as a film forming material may be separately produced according to the pattern of the crystal grain boundary on the surface of the metal covering layer 416 observed by SEM, and this may be fixed on the metal covering layer 416. In this case, printing may be performed on a predetermined base material such as polyimide using Cr as a film forming material according to the above pattern, and the printed Cr layer may be transferred onto the metal coating layer 416 and then the substrate may be peeled off. .

(H−4)第4の変形例:
また、ステップS425で粒界被覆部418を形成するための成膜材料としては、Cr以外に、第1実施例の第4の変形例と同様の種々の元素を選択することができる。酸化物となったときに、水素透過膜の使用条件下において安定して存在することができればよい。
(H-4) Fourth modification:
Further, as the film forming material for forming the grain boundary covering portion 418 in step S425, various elements similar to those in the fourth modification of the first embodiment can be selected in addition to Cr. What is necessary is just to be able to exist stably under the use condition of a hydrogen permeable film when it becomes an oxide.

(H−5)第5の変形例:
あるいは、ステップS425で粒界被覆部418を形成するための成膜材料として、第1実施例の第5の変形例と同様の元素を選択してもよい。この場合には、ステップS430の酸化処理に代えて窒化処理あるいは炭化処理を行なえば良く、あるいは、水素透過膜の使用中に、上記成膜材料の窒化や炭化を進行させれば良い。このような構成としても、酸化処理を行なう場合と同様に、金属被覆層416表面の結晶粒界近傍領域に、安定な窒化物あるいは炭化物から成る粒界被覆部418を形成することで、結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させる同様の効果が得られる。
(H-5) Fifth modification:
Or you may select the element similar to the 5th modification of 1st Example as a film-forming material for forming the grain boundary coating | coated part 418 by step S425. In this case, a nitriding process or a carbonizing process may be performed instead of the oxidation process in step S430, or the nitriding or carbonizing of the film forming material may be advanced during use of the hydrogen permeable film. Even in such a configuration, the crystal structure is formed by forming the grain boundary covering portion 418 made of a stable nitride or carbide in the vicinity of the crystal grain boundary on the surface of the metal coating layer 416 as in the case of performing the oxidation treatment. The same effect of narrowing and closing the upper gap can be obtained.

(H−6)第6の変形例:
第4実施例では、金属被覆層416上に粒界被覆部418を一旦形成した後に、この粒界被覆部418を構成する金属を酸化させている。これに対して、水素透過膜の使用条件下において安定して存在可能な成膜材料を用いて、金属被覆層416上に粒界被覆部418を形成しても良い。例えば、酸化クロム等の酸化物や、第1実施例の第5の変形例で例示した元素の窒化物あるいは炭化物を成膜材料として、金属被覆層416上に粒界被覆部418を形成することができる。この場合には、酸化処理、窒化処理あるいは炭化処理を、別途行なう必要がない。また、この場合には、ステップS510において、結晶粒界近傍領域の面積と、成膜材料の格子定数とに基づいて、結晶粒界近傍領域の面積を所定の厚みで覆うために必要な成膜材料の量を算出すればよい。
(H-6) Sixth modification:
In the fourth embodiment, the grain boundary coating portion 418 is once formed on the metal coating layer 416 and then the metal constituting the grain boundary coating portion 418 is oxidized. On the other hand, the grain boundary covering portion 418 may be formed on the metal covering layer 416 using a film forming material that can exist stably under the use condition of the hydrogen permeable membrane. For example, the grain boundary covering portion 418 is formed on the metal covering layer 416 by using an oxide such as chromium oxide or the nitride or carbide of the element exemplified in the fifth modification of the first embodiment as a film forming material. Can do. In this case, it is not necessary to separately perform oxidation treatment, nitridation treatment, or carbonization treatment. Further, in this case, in step S510, film formation necessary for covering the area of the crystal grain boundary region with a predetermined thickness based on the area of the crystal grain boundary vicinity region and the lattice constant of the film forming material. What is necessary is just to calculate the quantity of material.

(H−7)第7の変形例:
第4実施例では、金属被覆層416上に粒界被覆部418を形成しているが、粒界被覆部418と同様の構造を、粒界被覆部418に加えて、あるいは粒界被覆部418に代えて、金属被覆層416の下側層の上に設けることとしても良い。水素透過膜内における酸素や構成金属あるいは酸化物の移動は、主として結晶構造上の間隙を介して行なわれるため、水素透過膜を構成するいずれかの層の表面において、第4実施例と同様の粒界被覆部を設けることで、上記移動を抑制することができる。
(H-7) Seventh modification:
In the fourth embodiment, the grain boundary coating portion 418 is formed on the metal coating layer 416, but the same structure as the grain boundary coating portion 418 is added to the grain boundary coating portion 418 or the grain boundary coating portion 418. Instead of this, it may be provided on the lower layer of the metal coating layer 416. Since the movement of oxygen, constituent metals, or oxides in the hydrogen permeable membrane is mainly performed through the gaps in the crystal structure, the surface of any layer constituting the hydrogen permeable membrane is the same as in the fourth embodiment. By providing the grain boundary covering portion, the above movement can be suppressed.

例えば、金属ベース層12上に、粒界被覆部418と同様の構造を設けることができる。この場合には、ステップS400で金属ベース層12を形成した後に、中間層14の形成に先立って、第4実施例と同様の粒界被覆部を、金属ベース層12上に形成すればよい。このような構成とすれば、水素透過膜の内部に酸素が入りこんだ場合に、金属ベース層12内に酸素が侵入することによる金属ベース層12の構成金属の酸化を抑制することができる。 For example, a structure similar to the grain boundary covering portion 418 can be provided on the metal base layer 12. In this case, after forming the metal base layer 12 in step S400, the same grain boundary covering portion as that in the fourth embodiment may be formed on the metal base layer 12 prior to the formation of the intermediate layer. With such a configuration, when oxygen enters the inside of the hydrogen permeable membrane, oxidation of the constituent metals of the metal base layer 12 due to oxygen entering the metal base layer 12 can be suppressed.

同様に、ステップS410で中間層14を形成した後に、金属被覆層416の形成に先立って、第4実施例と同様の粒界被覆部を、中間層14上に形成しても良い。この場合には、水素透過膜の内部に酸素が入りこんだ場合に、中間層14を介した金属ベース層12への酸素の到達を抑制し、金属ベース層12を構成する金属の酸化を抑えることができる。また、金属ベース層12を構成する金属や、金属ベース層12を構成する金属の酸化物が、中間層14を介して水素透過膜の表面へと到達することによる、水素透過膜の性能低下を抑制することができる。   Similarly, after forming the intermediate layer 14 in step S410, prior to the formation of the metal coating layer 416, a grain boundary coating portion similar to that of the fourth embodiment may be formed on the intermediate layer 14. In this case, when oxygen enters the inside of the hydrogen permeable membrane, the arrival of oxygen to the metal base layer 12 through the intermediate layer 14 is suppressed, and the oxidation of the metal constituting the metal base layer 12 is suppressed. Can do. In addition, the metal constituting the metal base layer 12 and the oxide of the metal constituting the metal base layer 12 reach the surface of the hydrogen permeable membrane via the intermediate layer 14 to reduce the performance of the hydrogen permeable membrane. Can be suppressed.

I.効果の確認:
第4実施例の水素透過膜を作製して、粒界被覆部418が下層金属の表面への移動を抑制する効果を確認した結果を以下に示す。ここでは、第4実施例に対応する実験例1および2の水素透過膜と、比較例の水素透過膜とを作製した。用いた実験例1,2および比較例の水素透過膜の具体的な構成を以下に示す。ここで、比較例の水素透過膜は、粒界被覆部418を有しない点で、実験例1,2の水素透過膜とは異なっている。
I. Check the effect:
The result of producing the hydrogen permeable membrane of the fourth example and confirming the effect of the grain boundary covering portion 418 suppressing the movement of the lower layer metal to the surface is shown below. Here, the hydrogen permeable membranes of Experimental Examples 1 and 2 corresponding to the fourth example and the hydrogen permeable membrane of the comparative example were produced. Specific configurations of the hydrogen permeable membranes of Experimental Examples 1 and 2 and Comparative Example used are shown below. Here, the hydrogen permeable membrane of the comparative example is different from the hydrogen permeable membranes of Experimental Examples 1 and 2 in that the grain boundary coating portion 418 is not provided.

実験例1;金属ベース層12(厚さ100μmのV層)、中間層14(厚さ0.1μmのTa層)、金属被覆層416(厚さ1μmのPd層)、粒界被覆部418(厚さ5nmのCr層):
実験例2;金属ベース層12(厚さ100μmのV層)、中間層14(厚さ0.1μmのTa層)、金属被覆層416(厚さ1μmのPd層)、粒界被覆部418(厚さ5nmのAl層):
比較例;金属ベース層(厚さ100μmのV層)、中間層(厚さ0.1μmのTa層)、金属被覆層(厚さ1μmのPd層):
Experimental Example 1; metal base layer 12 (V layer having a thickness of 100 μm), intermediate layer 14 (Ta layer having a thickness of 0.1 μm), metal coating layer 416 (Pd layer having a thickness of 1 μm), grain boundary coating portion 418 ( 5 nm thick Cr layer):
Experimental Example 2: Metal base layer 12 (V layer having a thickness of 100 μm), intermediate layer 14 (Ta layer having a thickness of 0.1 μm), metal coating layer 416 (Pd layer having a thickness of 1 μm), grain boundary coating portion 418 ( Al layer with a thickness of 5 nm):
Comparative example: metal base layer (V layer having a thickness of 100 μm), intermediate layer (Ta layer having a thickness of 0.1 μm), metal coating layer (Pd layer having a thickness of 1 μm):

なお、実験例1,2の水素透過膜については、上記した厚みの粒界被覆部418を形成した後に、空気中、400℃にて6.5時間の条件で、酸化処理を行なった。図9は、実験例1の表面を観察したSEM像を示す説明図である。図9(A)は、ステップS420で形成した金属被覆層416の表面の様子を表わす。金属被覆層416の表面において、結晶粒界のうち、特に3以上の金属結晶が接する接点に相当する部分が、金属被覆層416に形成された微細な孔として、図9(A)において黒い点状に観察される。また、図9(B)は、金属被覆層416上にCrから成る粒界被覆部418を形成して、さらに酸化処理を施した後の表面の様子を表わす。図9(B)では、酸化クロムと考えられる白い微小な粒子が金属被覆層416表面に存在して、上記黒い点状の孔が覆われる様子が観察される。   In addition, about the hydrogen permeable film of Experimental example 1, 2, after forming the grain boundary coating | coated part 418 of the above-mentioned thickness, it oxidized in 400 degreeC and conditions for 6.5 hours in the air. FIG. 9 is an explanatory view showing an SEM image of the surface of Experimental Example 1 observed. FIG. 9A shows the state of the surface of the metal coating layer 416 formed in step S420. In the surface of the metal coating layer 416, a portion corresponding to a contact point at which three or more metal crystals are in contact with each other as a fine hole formed in the metal coating layer 416 is a black dot in FIG. 9A. Observed. FIG. 9B shows the surface after the grain boundary coating portion 418 made of Cr is formed on the metal coating layer 416 and further subjected to oxidation treatment. In FIG. 9B, it is observed that white fine particles considered to be chromium oxide are present on the surface of the metal coating layer 416 and the black dot-shaped holes are covered.

上記実験例1,2および比較例の水素透過膜を用いて粒界被覆部418の効果を調べるために、各水素透過膜を、通常の水素透過膜の使用条件よりも厳しい条件(より酸化しやすい条件)下に晒して、比較を行なった。具体的には、各水素透過膜を、空気中、600℃にて6.5時間処理した。処理後の各水素透過膜の表面のSEM像を、図10に示す。   In order to investigate the effect of the grain boundary covering portion 418 using the hydrogen permeable membranes of the above experimental examples 1 and 2 and the comparative example, each hydrogen permeable membrane was subjected to conditions (more oxidized than the conditions for using normal hydrogen permeable membranes). Comparison was made under easy conditions. Specifically, each hydrogen permeable membrane was treated in air at 600 ° C. for 6.5 hours. The SEM image of the surface of each hydrogen permeable membrane after a process is shown in FIG.

図10(A)、(B)、(C)は、それぞれ、実験例1、2あるいは比較例の水素透過膜の表面の様子を表わす。図10(A)、(B)に示すように、実験例1,2の水素透過膜では、金属被覆層416表面においてわずかに(金属被覆層416表面全体の面積の約5%で)、下層金属であるVあるいは酸化バナジウムが下層から噴出して表面を覆う様子が観察された。これに対して、図10(C)に示すように、比較例の水素透過膜では、金属被覆層表面のより広い範囲で(金属被覆層126表面全体の面積の約60%で)、下層金属であるVあるいは酸化バナジウムが下層から噴出して表面を覆う様子が観察された。このように、粒界被覆部418を設けることにより、金属被覆層における下層金属の噴出を、極めて効果的に抑制可能となることが示された。   FIGS. 10A, 10B, and 10C show the surface states of the hydrogen permeable membranes of Experimental Examples 1 and 2 or Comparative Example, respectively. As shown in FIGS. 10A and 10B, in the hydrogen permeable membranes of Experimental Examples 1 and 2, the surface of the metal coating layer 416 is slightly lower (at about 5% of the entire surface of the metal coating layer 416). It was observed that metal V or vanadium oxide was ejected from the lower layer and covered the surface. On the other hand, as shown in FIG. 10C, in the hydrogen permeable membrane of the comparative example, the lower layer metal is in a wider range on the surface of the metal coating layer (about 60% of the total area of the surface of the metal coating layer 126). It was observed that V or vanadium oxide was ejected from the lower layer and covered the surface. Thus, it has been shown that by providing the grain boundary coating portion 418, the ejection of the lower layer metal in the metal coating layer can be suppressed extremely effectively.

J.水素透過膜を用いた装置:
(J−1).水素抽出装置:
図11は、第1ないし第4実施例のいずれかの水素透過膜(以下、水素透過膜10と表わす)を利用した水素抽出装置20の構成を表わす断面模式図である。水素抽出装置20は、複数の水素透過膜10を積層した構造を有しており、図11では、水素透過膜10の積層に関わる構成についてのみ示している。水素抽出装置20では、積層される各水素透過膜10間に、水素透過膜10の外周部と接合する支持部22が配設されており、支持部22によって各水素透過膜10間に所定の空間が形成されている。支持部22は、水素透過膜10との接合が可能であって充分な剛性を有していればよい。例えばステンレス鋼(SUS)等の金属材料により形成することで、金属層である水素透過膜10と容易に接合可能となる。
J. et al. Equipment using hydrogen permeable membrane:
(J-1). Hydrogen extraction equipment:
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a hydrogen extraction device 20 using the hydrogen permeable membrane (hereinafter referred to as hydrogen permeable membrane 10) of any of the first to fourth embodiments. The hydrogen extraction apparatus 20 has a structure in which a plurality of hydrogen permeable membranes 10 are stacked. FIG. 11 shows only the configuration relating to the stacking of the hydrogen permeable membranes 10. In the hydrogen extraction device 20, a support portion 22 that is joined to the outer peripheral portion of the hydrogen permeable membrane 10 is disposed between the stacked hydrogen permeable membranes 10, and a predetermined portion is provided between the hydrogen permeable membranes 10 by the support portion 22. A space is formed. The support portion 22 may be bonded to the hydrogen permeable membrane 10 and has sufficient rigidity. For example, by forming with a metal material such as stainless steel (SUS), it is possible to easily join the hydrogen permeable membrane 10 which is a metal layer.

各水素透過膜10間に形成される上記所定の空間は、水素含有ガス路24とパージガス路26とを交互に形成する。各々の水素含有ガス路24に対しては、図示しない水素含有ガス供給部より、水素抽出の対象となる水素含有ガスが供給される。また、各々のパージガス路26に対しては、図示しないパージガス供給部から、水素濃度が充分に低いパージガスが供給される。水素含有ガス路24に供給されたガス中の水素は、水素濃度差に従ってパージガス路26側へと水素透過膜10を透過することによって、水素含有ガスから抽出される。   The predetermined spaces formed between the hydrogen permeable membranes 10 alternately form hydrogen-containing gas paths 24 and purge gas paths 26. A hydrogen-containing gas to be subjected to hydrogen extraction is supplied to each hydrogen-containing gas passage 24 from a hydrogen-containing gas supply unit (not shown). A purge gas having a sufficiently low hydrogen concentration is supplied to each purge gas passage 26 from a purge gas supply unit (not shown). Hydrogen in the gas supplied to the hydrogen-containing gas passage 24 is extracted from the hydrogen-containing gas by permeating the hydrogen permeable membrane 10 toward the purge gas passage 26 according to the hydrogen concentration difference.

このような水素抽出装置20によれば、水素透過膜の下層金属が酸化されたり、下層金属が表面に移動することに起因する性能低下が抑制されるため、水素抽出装置20全体の水素抽出性能の低下を防ぐことができる。   According to such a hydrogen extraction apparatus 20, since the lowering of the performance due to the oxidation of the lower layer metal of the hydrogen permeable membrane or the movement of the lower layer metal to the surface is suppressed, the hydrogen extraction performance of the entire hydrogen extraction apparatus 20 is suppressed. Can be prevented.

(J−2).燃料電池:
図12は、水素透過膜10を利用した燃料電池の構成の一例を表わす断面模式図である。図12、単セル30を表わしているが、燃料電池は、この単セル30を複数積層することによって形成される。
(J-2). Fuel cell:
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a fuel cell using the hydrogen permeable membrane 10. FIG. 12 shows a single cell 30. A fuel cell is formed by stacking a plurality of single cells 30.

単セル30は、水素透過膜10と、水素透過膜10の一方の面上に形成された電解質層32と、電解質層32上に形成されたカソード電極34と、から成るMEA(Membrane Electrode Assembly)31を備えている。また、単セル30は、MEA31をさらに両側から挟持する2つのガスセパレータ36,37を備えている。水素透過膜10と、これに隣接するガスセパレータ36との間には、水素を含有する燃料ガスが通過する単セル内燃料ガス流路38が形成されている。また、カソード電極34と、これに隣接するガスセパレータ37との間には、酸素を含有する酸化ガスが通過する単セル内酸化ガス流路39が形成されている。   The single cell 30 includes a hydrogen permeable membrane 10, an electrolyte layer 32 formed on one surface of the hydrogen permeable membrane 10, and a cathode electrode 34 formed on the electrolyte layer 32. 31 is provided. The single cell 30 further includes two gas separators 36 and 37 that sandwich the MEA 31 from both sides. Between the hydrogen permeable membrane 10 and the gas separator 36 adjacent thereto, a single-cell fuel gas flow path 38 through which a hydrogen-containing fuel gas passes is formed. In addition, between the cathode electrode 34 and the gas separator 37 adjacent thereto, an in-single cell oxidizing gas passage 39 through which an oxidizing gas containing oxygen passes is formed.

電解質層32は、プロトン伝導性を有する固体電解質、例えば、BaCeO3、SrCeO3系のセラミックスプロトン伝導体から成る層である。この電解質層32は、PVDやCVD等の手法により、水素透過膜10上に上記固体酸化物を生成させることによって形成することができる。このように、電解質層32を緻密な金属膜である水素透過膜10上に成膜することにより、電解質層32を薄膜化し、電解質層32の膜抵抗をより低減することが可能となる。これにより、従来の固体電解質型燃料電池の運転温度よりも低い温度である約200〜600℃程度で発電を行なうことが可能となる。 The electrolyte layer 32 is a layer made of a solid electrolyte having proton conductivity, for example, a BaCeO 3 or SrCeO 3 ceramic proton conductor. The electrolyte layer 32 can be formed by generating the solid oxide on the hydrogen permeable membrane 10 by a method such as PVD or CVD. Thus, by forming the electrolyte layer 32 on the hydrogen permeable membrane 10 which is a dense metal film, the electrolyte layer 32 can be made thinner, and the membrane resistance of the electrolyte layer 32 can be further reduced. Thereby, it becomes possible to generate electric power at about 200 to 600 ° C., which is lower than the operating temperature of the conventional solid oxide fuel cell.

カソード電極34は、電気化学反応を促進する触媒活性を有する層であり、例えば、貴金属であるPtから成る多孔質なPt層により構成すればよい。また、単セル30において、カソード電極34とガスセパレータ37との間、あるいは水素透過膜10とガスセパレータ36との間に、導電性およびガス透過性を有する集電部をさらに設けても良い。   The cathode electrode 34 is a layer having catalytic activity that promotes an electrochemical reaction, and may be formed of, for example, a porous Pt layer made of noble metal Pt. In the single cell 30, a current collector having electrical conductivity and gas permeability may be further provided between the cathode electrode 34 and the gas separator 37 or between the hydrogen permeable membrane 10 and the gas separator 36.

ガスセパレータ36,37は、カーボンや金属などの導電性材料で形成されたガス不透過な部材である。ガスセパレータ36,37の表面には、単セル内燃料ガス流路38あるいは単セル内酸化ガス流路39を形成するための所定の凹凸形状が形成されている。   The gas separators 36 and 37 are gas-impermeable members formed of a conductive material such as carbon or metal. On the surfaces of the gas separators 36 and 37, a predetermined uneven shape for forming the single-cell fuel gas flow path 38 or the single-cell oxidizing gas flow path 39 is formed.

このような燃料電池によれば、水素透過膜の下層金属が酸化されたり、下層金属が表面に移動することに起因する性能低下が抑制されるため、燃料電池全体の性能低下を防ぐことができる。   According to such a fuel cell, since the lowering of the performance due to the oxidation of the lower layer metal of the hydrogen permeable membrane or the movement of the lower layer metal to the surface is suppressed, the lowering of the performance of the entire fuel cell can be prevented. .

なお、図12に示す燃料電池が備える水素透過膜では、図1に示した水素透過膜10とは異なり、電解質層32と接する面には、金属被覆層および中間層を設けない構成とすることも可能である。   In the hydrogen permeable membrane provided in the fuel cell shown in FIG. 12, unlike the hydrogen permeable membrane 10 shown in FIG. 1, the metal coating layer and the intermediate layer are not provided on the surface in contact with the electrolyte layer 32. Is also possible.

K.変形例:
なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
K. Variations:
The present invention is not limited to the above-described examples and embodiments, and can be implemented in various modes without departing from the gist thereof. For example, the following modifications are possible.

K1.変形例1:
水素透過膜を構成する各層を、第1ないし第4実施例とは異なる金属により形成しても良い。例えば、実施例では金属ベース層12をVやVを主要な構成成分とする金属により形成しているが、他種の5族金属を含有する金属(単体を含む)により形成しても良い。
K1. Modification 1:
Each layer constituting the hydrogen permeable membrane may be formed of a metal different from the first to fourth embodiments. For example, in the embodiment, the metal base layer 12 is formed of a metal having V or V as a main component, but may be formed of a metal (including a simple substance) containing another group 5 metal.

また、実施例では中間層14をTaによって形成しているが、金属ベース層12と金属被覆層16との間の金属拡散を抑制可能であれば、異なる水素透過性金属により中間層14を形成しても良い。中間層14を構成する金属としては、特に、金属ベース層12および金属被覆層16よりも融点が高い金属(以下、高融点金属と呼ぶ)により形成することが好ましい。融点が高い金属は、一般に金属拡散し難いという性質を有しているため、高融点金属で中間層14を構成することにより、金属拡散防止の効果を高めることができる。例えば、Taの他、同じ5族金属であるニオブ(Nb)は、充分な水素透過性能を有すると共に高融点金属であるため好ましい。また、中間層14は、これらTaやNbの単体から成る金属層とする他、高融点金属であるTaやNbを主金属として含有する合金により形成しても良い。   In the embodiment, the intermediate layer 14 is made of Ta. However, if the metal diffusion between the metal base layer 12 and the metal coating layer 16 can be suppressed, the intermediate layer 14 is formed of different hydrogen permeable metals. You may do it. In particular, the metal constituting the intermediate layer 14 is preferably formed of a metal having a higher melting point than the metal base layer 12 and the metal coating layer 16 (hereinafter referred to as a refractory metal). Since a metal having a high melting point generally has a property that it is difficult to diffuse the metal, the effect of preventing metal diffusion can be enhanced by forming the intermediate layer 14 with a high melting point metal. For example, in addition to Ta, niobium (Nb), which is the same Group 5 metal, is preferable because it has sufficient hydrogen permeation performance and is a high melting point metal. Further, the intermediate layer 14 may be formed of an alloy containing Ta or Nb, which is a refractory metal, as a main metal, in addition to a metal layer made of Ta or Nb alone.

K2.変形例2:
第1ないし第4実施例では、金属ベース層12と金属被覆層との間に中間層14を設けているが、中間層14を設けないこととしても良い。すなわち、V等の5族金属あるいはその合金から成る金属ベース層12上に、Pdを含有する金属被覆層を直接形成することとしても良い。このような場合にも、金属被覆層における結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させることによって、実施例と同様の効果が得られる。
K2. Modification 2:
In the first to fourth embodiments, the intermediate layer 14 is provided between the metal base layer 12 and the metal coating layer, but the intermediate layer 14 may not be provided. That is, a metal coating layer containing Pd may be directly formed on the metal base layer 12 made of a Group 5 metal such as V or an alloy thereof. Even in such a case, the same effect as the embodiment can be obtained by narrowing and closing the gap on the crystal structure in the metal coating layer.

K3.変形例3:
既述した第1ないし第4実施例の水素透過膜では、水素透過膜を、水素透過性を有する金属薄膜の自立膜としたが、ガス透過性を有する多孔質基材上に水素透過性金属を担持させることにより水素透過膜を形成してもよい。すなわち、金属被覆層、中間層、金属ベース層、中間層、金属被覆層の順で積層された金属層を、薄板状の多孔質体の上に順次形成し、水素透過膜としてもよい。このように多孔質基材上に担持された水素透過膜は、例えば、図11に示した水素抽出装置において、実施例の水素透過膜10に代えて用いることができる。例えば、第1実施例を上記構成に適用する場合には、多孔質体上に水素透過膜を成膜した後に全体を酸化処理して、金属被覆層における結晶構造上の間隙を狭小化・閉塞させればよい。
K3. Modification 3:
In the hydrogen permeable membranes of the first to fourth embodiments already described, the hydrogen permeable membrane is a self-supporting membrane of a metal thin film having hydrogen permeability, but the hydrogen permeable metal is formed on a porous substrate having gas permeability. A hydrogen permeable membrane may be formed by supporting. That is, a metal layer laminated in the order of a metal coating layer, an intermediate layer, a metal base layer, an intermediate layer, and a metal coating layer may be sequentially formed on a thin plate-like porous body to form a hydrogen permeable membrane. Thus, the hydrogen permeable membrane carry | supported on the porous base material can be used instead of the hydrogen permeable membrane 10 of an Example in the hydrogen extraction apparatus shown in FIG. 11, for example. For example, when the first embodiment is applied to the above configuration, a hydrogen permeable film is formed on the porous body and then the whole is oxidized to narrow and close the gap on the crystal structure in the metal coating layer. You can do it.

第1実施例の水素透過膜の概略構成を表わす断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram showing schematic structure of the hydrogen permeable film of 1st Example. 第1実施例の水素透過膜の製造方法を表わす工程図である。It is process drawing showing the manufacturing method of the hydrogen permeable film of 1st Example. 第2実施例の水素透過膜の製造方法を表わす工程図である。It is process drawing showing the manufacturing method of the hydrogen permeable film of 2nd Example. 第3実施例の水素透過膜の製造方法を表わす工程図である。It is process drawing showing the manufacturing method of the hydrogen permeable film of 3rd Example. 第4実施例の水素透過膜の概略構成を表わす断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram showing schematic structure of the hydrogen permeable film of 4th Example. 第4実施例の水素透過膜の製造方法を表わす工程図である。It is process drawing showing the manufacturing method of the hydrogen permeable film of 4th Example. 粒界被覆部を形成する方法を表わす工程図である。It is process drawing showing the method of forming a grain boundary coating | coated part. 凹面化処理の様子を表わす模式図である。It is a schematic diagram showing the mode of concave processing. 実験例1の表面を観察したSEM像を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the SEM image which observed the surface of Experimental example 1. FIG. 粒界被覆部の効果を調べた結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the result of having investigated the effect of the grain boundary coating | coated part. 水素抽出装置の構成を表わす断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram showing the structure of a hydrogen extraction apparatus. 燃料電池の構成の一例を表わす断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram showing an example of a structure of a fuel cell.

符号の説明Explanation of symbols

10…水素透過膜
12…金属ベース層
14…中間層
16,416…金属被覆層
20…水素抽出装置
22…支持部
24…水素含有ガス路
26…パージガス路
30…単セル
31…MEA
32…電解質層
34…カソード電極
36,37…ガスセパレータ
38…単セル内燃料ガス流路
39…単セル内酸化ガス流路
418…粒界被覆部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Hydrogen permeable membrane 12 ... Metal base layer 14 ... Intermediate | middle layer 16,416 ... Metal coating layer 20 ... Hydrogen extraction apparatus 22 ... Supporting part 24 ... Hydrogen-containing gas path 26 ... Purge gas path 30 ... Single cell 31 ... MEA
32 ... Electrolyte layer 34 ... Cathode electrode 36, 37 ... Gas separator 38 ... Single-cell fuel gas flow path 39 ... Single-cell oxidizing gas flow path 418 ... Grain boundary coating part

Claims (30)

水素を選択的に透過させる水素透過膜の製造方法であって、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)に加えて、酸化物、窒化物あるいは炭化物を形成し得る第2の成分を含有する金属被覆層を、前記多層構造の表面に形成する第2工程と、
(c)前記第2の成分を酸化、窒化あるいは炭化させることによって、前記金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造における間隙を狭小化あるいは閉塞させる第3工程と
を備える水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane that selectively permeates hydrogen,
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When forming a multilayer structure by sequentially forming a predetermined metal layer on one or both surfaces of the metal base layer , oxide, nitride or carbide is added in addition to palladium (Pd). A second step of forming a metal coating layer containing a second component that can be formed on the surface of the multilayer structure;
(C) a third step of narrowing or closing a gap in a crystal structure including a crystal grain boundary in the metal coating layer by oxidizing, nitriding or carbonizing the second component ;
A method for producing a hydrogen permeable membrane comprising:
請求項記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第2の成分は、クロム(Cr),アルミニウム(Al),ケイ素(Si),チタン(Ti),鉄(Fe),銅(Cu),モリブデン(Mo),ジルコニウム(Zr)から選択される元素であり、
前記第3工程は、前記第2の成分を酸化させる工程である
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 1 ,
The second component is selected from chromium (Cr), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), iron (Fe), copper (Cu), molybdenum (Mo), and zirconium (Zr). Element,
The third step is a step of oxidizing the second component. A method for manufacturing a hydrogen permeable membrane.
請求項記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第2の成分は、クロム(Cr),アルミニウム(Al),ケイ素(Si),チタン(Ti),鉄(Fe)から選択される元素であり、
前記第3工程は、前記第2の成分を窒化させる工程である
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 1 ,
The second component is an element selected from chromium (Cr), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), iron (Fe),
The third step is a step of nitriding the second component. A method for manufacturing a hydrogen permeable membrane.
請求項記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第2の成分は、ケイ素(Si)およびチタン(Ti)から選択される元素であり、
前記第3工程は、前記第2の成分を炭化させる工程である
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 1 ,
The second component is an element selected from silicon (Si) and titanium (Ti),
The third step is a step of carbonizing the second component. A method for producing a hydrogen permeable membrane.
請求項ないしいずれか記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第2工程で形成する前記金属被覆層は、その全体にPdを含有すると共に、前記金属被覆層の表面を含む限られた領域のみが前記第2の成分をさらに備える
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to any one of claims 1 to 4 ,
The metal coating layer formed in the second step contains Pd as a whole, and only a limited region including the surface of the metal coating layer further includes the second component. .
請求項ないしいずれか記載の水素透過膜の製造方法であって、さらに、
(d)前記第3工程の前または後に、前記金属被覆層上にパラジウム層を形成する第4工程を備える
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to any one of claims 1 to 5 , further comprising:
(D) A method for producing a hydrogen permeable membrane, comprising a fourth step of forming a palladium layer on the metal coating layer before or after the third step.
水素を選択的に透過させる水素透過膜の製造方法であって、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、酸化物、窒化物あるいは炭化物を形成し得る第2の成分をパラジウム(Pd)に加えて備える金属被覆層を、前記多層構造の表面に形成する第2工程と
を備える水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane that selectively permeates hydrogen,
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) a second component capable of forming an oxide, nitride, or carbide when a predetermined metal layer is sequentially formed on one or both surfaces of the metal base layer to form a multilayer structure; And a second step of forming a metal coating layer provided in addition to palladium (Pd) on the surface of the multilayer structure.
水素を選択的に透過させる水素透過膜の製造方法であって、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)に加えて、前記水素透過膜の使用温度における固溶限界を超える量の第2の成分を含有する第1の化合物から成る金属被覆層を、前記多層構造の表面に形成する第2工程と、
(c)前記第1の化合物よりも前記第2の成分の含有割合が高い第2の化合物を、結晶粒界を含む結晶構造における間隙に析出させる熱処理を行なうことによって、前記金属被覆層において、前記間隙を狭小化あるいは閉塞させる第3工程と
を備える水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane that selectively permeates hydrogen,
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When a predetermined metal layer is sequentially formed on one or both surfaces of the metal base layer to form a multilayer structure, in addition to palladium (Pd) , at the use temperature of the hydrogen permeable membrane a first metallization layer Ru consists compound containing the second component in an amount exceeding a solid solubility limit, and a second step of forming on the surface of the multilayer structure,
(C) In the metal coating layer, by performing a heat treatment for precipitating the second compound having a higher content ratio of the second component than the first compound in a gap in a crystal structure including a crystal grain boundary , A third step of narrowing or closing the gap;
A method for producing a hydrogen permeable membrane comprising:
請求項記載の水素透過膜の製造方法であって、さらに、
(d)前記第3工程と共に、あるいは前記第3の工程の後に、析出した前記第2の化合物中の前記第2の元素を酸化、窒化あるいは炭化させる第4工程を備える
水素透過膜の製造方法。
The method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 8 , further comprising:
(D) A method for producing a hydrogen permeable membrane, comprising a fourth step of oxidizing, nitriding, or carbonizing the second element in the deposited second compound together with or after the third step. .
請求項または記載の水素透過膜の製造方法であって、さらに、
(e)前記第3工程の後に、前記金属被覆層上にパラジウム層を形成する第5工程を備える
水素透過膜の製造方法。
The method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 8 or 9 , further comprising:
(E) A method for producing a hydrogen permeable membrane, comprising a fifth step of forming a palladium layer on the metal coating layer after the third step.
水素を選択的に透過させる水素透過膜の製造方法であって、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)に加えて、前記水素透過膜の使用温度における固溶限界を超える量の第2の成分を含有する金属被覆層を、前記多層構造の表面に形成する第2工程と
を備える
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane that selectively permeates hydrogen,
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When a predetermined metal layer is sequentially formed on one or both surfaces of the metal base layer to form a multilayer structure, in addition to palladium (Pd), at the use temperature of the hydrogen permeable membrane And a second step of forming a metal coating layer containing a second component in an amount exceeding the solid solution limit on the surface of the multilayer structure.
水素を選択的に透過させる水素透過膜の製造方法であって、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)を含有する金属被覆層を前記多層構造の表面に形成する第2工程と、
(c)前記金属被覆層上に、所定の成膜材料を用いて成膜を行なって、前記金属被覆層を被覆する目詰め被覆層を成膜することによって、前記金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造における間隙を狭小化あるいは閉塞させる第3工程と、
(d)前記金属被覆層上に成膜した前記目詰め被覆層を除去する第4工程
を備える水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane that selectively permeates hydrogen,
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When forming a multilayer structure by sequentially forming predetermined metal layers on one or both surfaces of the metal base layer, a metal coating layer containing palladium (Pd) is formed on the surface of the multilayer structure. A second step of forming
(C) A film is formed on the metal coating layer using a predetermined film forming material to form a plugging coating layer that covers the metal coating layer. A third step of narrowing or closing the gap in the crystal structure including the boundary;
And (d) manufacturing the hydrogen permeable membrane and a fourth step of removing the first filling coating layer formed on said metallized layer.
請求項12記載の水素透過膜の製造方法であって、さらに、
(e)前記第4工程の前または後に、前記目詰め被覆層を構成する前記成膜材料を、酸化、窒化あるいは炭化させる第5工程を備える
水素透過膜の製造方法。
The method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 12 , further comprising:
(E) A method for producing a hydrogen permeable membrane, comprising a fifth step of oxidizing, nitriding or carbonizing the film forming material constituting the plugging coating layer before or after the fourth step.
請求項12記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第3工程で用いる成膜材料は、酸化物を形成し得る材料であり、
前記第4工程は、酸素プラズマあるいはオゾンプラズマを用いたドライエッチングにより前記目詰め被覆層を除去する工程である
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 12 ,
The film forming material used in the third step is a material capable of forming an oxide,
The fourth step is a method of removing the plugging coating layer by dry etching using oxygen plasma or ozone plasma.
請求項13記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第4工程は、前記成膜材料から生じる酸化物、窒化物あるいは炭化物からなる研磨粒子を用いた物理研磨により前記目詰め被覆層を除去する工程である
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 13 ,
The fourth step is a method of removing the plugging coating layer by physical polishing using abrasive particles made of oxide, nitride or carbide generated from the film forming material.
請求項12記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第3工程は、前記水素透過膜の使用条件下において安定して存在可能な成膜材料を用いて、前記目詰め被覆層を形成する工程である
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 12 ,
The third step is a method of forming the plugging coating layer using a film forming material that can stably exist under the use condition of the hydrogen permeable membrane.
請求項16記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記成膜材料は、酸化物、窒化物あるいは炭化物である
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 16 ,
The film forming material is an oxide, nitride, or carbide.
請求項16または17記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第4工程は、前記第3工程で用いる成膜材料からなる研磨粒子を用いた物理研磨により前記表層を除去する
水素透過膜の製造方法。
The method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 16 or 17 ,
In the fourth step, the surface layer is removed by physical polishing using abrasive particles made of the film forming material used in the third step.
請求項12ないし18いずれか記載の水素透過膜の製造方法であって、さらに、
(f)前記第3工程の後、前記第4工程に先立って、前記元素から成る前記目詰め被覆層を有する金属被覆層に対して、前記水素透過膜を構成する金属の融点よりも低い温度での熱処理を行なう第6工程を備える
水素透過膜の製造方法。
The method for producing a hydrogen permeable membrane according to any one of claims 12 to 18 , further comprising:
(F) After the third step, prior to the fourth step, a temperature lower than the melting point of the metal constituting the hydrogen permeable membrane with respect to the metal coating layer having the plugging coating layer made of the element. A method for producing a hydrogen permeable membrane, comprising a sixth step of performing a heat treatment in the step.
水素を選択的に透過させる水素透過膜の製造方法であって、
(a)5族金属を含有する金属ベース層を用意する第1工程と、
(b)前記金属ベース層の一方または双方の表面上に、所定の金属層を順次成膜して多層構造を形成する際に、パラジウム(Pd)を含有する金属被覆層を前記多層構造の表面に形成する第2工程と、
(c)前記金属被覆層の表面において、前記金属被覆層表面に存在する結晶粒界を含む限られた領域のみを被覆する結晶粒界被覆部を形成することによって、前記金属被覆層において、結晶粒界を含む結晶構造における間隙を狭小化あるいは閉塞させる第3工程と
を備える水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane that selectively permeates hydrogen,
(A) a first step of preparing a metal base layer containing a Group 5 metal;
(B) When forming a multilayer structure by sequentially forming predetermined metal layers on one or both surfaces of the metal base layer, a metal coating layer containing palladium (Pd) is formed on the surface of the multilayer structure. A second step of forming
(C) forming a crystal grain boundary covering portion that covers only a limited region including the crystal grain boundary existing on the surface of the metal coating layer on the surface of the metal coating layer; A third step of narrowing or closing a gap in a crystal structure including a grain boundary;
A method for producing a hydrogen permeable membrane comprising:
請求項20記載の水素透過膜の製造方法であって、さらに、
(d)前記結晶粒界被覆部を構成する前記成膜材料を、酸化、窒化あるいは炭化させる第4の工程を備える
水素透過膜の製造方法。
The method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 20 , further comprising:
(D) A method for producing a hydrogen permeable membrane, comprising a fourth step of oxidizing, nitriding or carbonizing the film forming material constituting the crystal grain boundary covering portion.
請求項21記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記結晶粒界被覆部は、クロム(Cr),ケイ素(Si),アルミニウム(Al)から選択される元素を成膜材料として形成され、
前記第4の工程は、前記成膜材料を酸化させる工程である
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 21 ,
The crystal grain boundary covering portion is formed using an element selected from chromium (Cr), silicon (Si), and aluminum (Al) as a film forming material,
The fourth step is a step of oxidizing the film forming material. A method for manufacturing a hydrogen permeable membrane.
請求項20記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第3工程は、前記水素透過膜の使用条件下において安定して存在可能な成膜材料を用いて前記結晶粒界被覆部を形成する
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 20 ,
The third step is a method for producing a hydrogen permeable film, wherein the crystal grain boundary covering portion is formed using a film forming material that can stably exist under the use condition of the hydrogen permeable film.
請求項23記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記成膜材料は、酸化物、窒化物あるいは炭化物である
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 23 ,
The film forming material is an oxide, nitride, or carbide.
請求項24記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記結晶粒界被覆部は、酸化クロム、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択される酸化物を成膜材料として形成される
水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to claim 24 ,
The crystal grain boundary covering portion is formed using an oxide selected from chromium oxide, silicon oxide, and aluminum oxide as a film forming material.
請求項20ないし25いずれか記載の水素透過膜の製造方法であって、
前記第3工程は、
(c−1)成膜すべき面積として、前記金属被覆層の表面に存在する結晶粒界近傍領域の面積を測定または推定する成膜面積取得工程と、
(c−2)測定または推定した前記面積と、前記結晶粒界被覆部を形成するために用いる成膜材料の原子半径あるいは格子定数とに基づいて、成膜に用いるべき成膜材料の量を設定する成膜材料量設定工程と、
(c−3)前記成膜材料量設定工程で設定した量の前記成膜材料を用いて、前記金属被覆層上に成膜を行なう成膜工程と
を備える水素透過膜の製造方法。
A method for producing a hydrogen permeable membrane according to any one of claims 20 to 25 , comprising:
The third step includes
(C-1) A film formation area acquisition step of measuring or estimating the area of the vicinity of the crystal grain boundary existing on the surface of the metal coating layer as the area to be formed;
(C-2) Based on the measured or estimated area and the atomic radius or lattice constant of the film forming material used for forming the crystal grain boundary covering portion, the amount of the film forming material to be used for film forming is determined. A film forming material amount setting step to be set;
(C-3) A film forming step of forming a film on the metal coating layer using the film forming material in an amount set in the film forming material amount setting step.
請求項20ないし26いずれか記載の水素透過膜の製造方法であって、さらに、
(e)前記第3工程に先立って、前記金属被覆層の表面における結晶粒を大型化させる第5工程を備える
水素透過膜の製造方法。
The method for producing a hydrogen permeable membrane according to any one of claims 20 to 26 , further comprising:
(E) Prior to the third step, the method for producing a hydrogen permeable membrane includes a fifth step of enlarging the crystal grains on the surface of the metal coating layer.
請求項20ないし26いずれか記載の水素透過膜の製造方法であって、さらに、
(f)前記第3工程に先立って、前記金属被覆層の表面における結晶粒界を凹面化させる第6工程を備える
水素透過膜の製造方法。
The method for producing a hydrogen permeable membrane according to any one of claims 20 to 26 , further comprising:
(F) Prior to the third step, a method for producing a hydrogen permeable membrane includes a sixth step of making the crystal grain boundary on the surface of the metal coating layer concave.
水素を選択的に透過させる水素透過膜であって、
請求項1ないし28いずれか記載の方法により製造された水素透過膜。
A hydrogen permeable membrane that selectively permeates hydrogen,
Claims 1 to 28 hydrogen permeable membrane produced by the method according to any one.
水素を選択的に透過させる水素透過膜であって、
5族金属を含有する金属ベース層と、
前記水素透過膜の少なくとも一方の表面に設けられると共に、パラジウム(Pd)を備える金属被覆層と、
を含む複数の層を積層して形成され、
前記金属被覆層は、該金属被覆層が備える結晶粒界に、酸化物、窒化物または炭化物となり得る元素、または、酸化物、窒化物あるいは炭化物を備える
水素透過膜。
A hydrogen permeable membrane that selectively permeates hydrogen,
A metal base layer containing a Group 5 metal;
A metal coating layer provided on at least one surface of the hydrogen permeable membrane and comprising palladium (Pd);
Formed by laminating a plurality of layers including
The metal coating layer includes an element that can be an oxide, nitride, or carbide, or an oxide, nitride, or carbide at a crystal grain boundary included in the metal coating layer.
JP2005229813A 2005-08-08 2005-08-08 Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane Expired - Fee Related JP4661444B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005229813A JP4661444B2 (en) 2005-08-08 2005-08-08 Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005229813A JP4661444B2 (en) 2005-08-08 2005-08-08 Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007044593A JP2007044593A (en) 2007-02-22
JP4661444B2 true JP4661444B2 (en) 2011-03-30

Family

ID=37847899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005229813A Expired - Fee Related JP4661444B2 (en) 2005-08-08 2005-08-08 Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4661444B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103521089A (en) * 2013-10-18 2014-01-22 北京中天元环境工程有限责任公司 Separating membrane

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5562698B2 (en) * 2010-03-26 2014-07-30 Jx日鉱日石金属株式会社 Hydrogen permeable alloy and hydrogen permeable membrane using the same
WO2012121275A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 東京瓦斯株式会社 Hydrogen separation membrane and hydrogen-separation device
JP2013086038A (en) * 2011-10-19 2013-05-13 Jx Nippon Oil & Energy Corp Alloy film for hydrogen permeation
KR20150018923A (en) * 2013-08-09 2015-02-25 삼성전자주식회사 Separation membrane, hydrogen separation membrane including separation membrane and device including hydrogen separation membrane
JP6809265B2 (en) * 2017-02-09 2021-01-06 三菱マテリアル株式会社 Manufacturing method of copper terminal material with precious metal layer

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000126565A (en) * 1998-10-28 2000-05-09 Toyota Motor Corp Manufacture of hydrogen separation material
JP2000159503A (en) * 1998-11-20 2000-06-13 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Hydrogen separating film of niobium alloy
JP2001286742A (en) * 2000-04-10 2001-10-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Hydrogen separation membrane
WO2002045832A1 (en) * 2000-12-05 2002-06-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Hydrogen-permeable structure and method for preparation thereof
JP2003112020A (en) * 2001-10-02 2003-04-15 Toyota Motor Corp Hydrogen permeable membrane and method for producing the same
JP2003225544A (en) * 2002-02-04 2003-08-12 Toyota Motor Corp Hydrogen permeation membrane and production method therefor
JP2004188347A (en) * 2002-12-12 2004-07-08 Sumitomo Electric Ind Ltd Hydrogen separating structure and its production method
JP2004202479A (en) * 2002-10-31 2004-07-22 Matsushita Refrig Co Ltd Hydrogen separating permeation membrane, production method therefor, and separator for hydrogen production
JP2004344731A (en) * 2003-05-21 2004-12-09 Toyota Motor Corp Hydrogen permeable membrane

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393325A (en) * 1990-08-10 1995-02-28 Bend Research, Inc. Composite hydrogen separation metal membrane

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000126565A (en) * 1998-10-28 2000-05-09 Toyota Motor Corp Manufacture of hydrogen separation material
JP2000159503A (en) * 1998-11-20 2000-06-13 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Hydrogen separating film of niobium alloy
JP2001286742A (en) * 2000-04-10 2001-10-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Hydrogen separation membrane
WO2002045832A1 (en) * 2000-12-05 2002-06-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Hydrogen-permeable structure and method for preparation thereof
JP2003112020A (en) * 2001-10-02 2003-04-15 Toyota Motor Corp Hydrogen permeable membrane and method for producing the same
JP2003225544A (en) * 2002-02-04 2003-08-12 Toyota Motor Corp Hydrogen permeation membrane and production method therefor
JP2004202479A (en) * 2002-10-31 2004-07-22 Matsushita Refrig Co Ltd Hydrogen separating permeation membrane, production method therefor, and separator for hydrogen production
JP2004188347A (en) * 2002-12-12 2004-07-08 Sumitomo Electric Ind Ltd Hydrogen separating structure and its production method
JP2004344731A (en) * 2003-05-21 2004-12-09 Toyota Motor Corp Hydrogen permeable membrane

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103521089A (en) * 2013-10-18 2014-01-22 北京中天元环境工程有限责任公司 Separating membrane
CN103521089B (en) * 2013-10-18 2015-08-05 北京中天元环境工程有限责任公司 Diffusion barrier

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007044593A (en) 2007-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4661444B2 (en) Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane
KR101086535B1 (en) Method for producing separator for fuel cell, separator for fuel cell, and fuel cell
KR100836551B1 (en) Hydrogen permeable membrane, fuel cell and hydrogen extracting apparatus equipped with the hydrogen permeable membrane, and method of manufacturing the hydrogen permeable membrane
JP5175590B2 (en) Fuel cell separator and method for producing the same
JP2002126474A (en) Supported metal membrane, method of producing the same and use of the same
JP2003059496A (en) Solid electrolyte fuel cell and its manufacturing method
JPWO2004084333A1 (en) FUEL CELL AND METHOD FOR PRODUCING ELECTROLYTE MEMBRANE FOR FUEL CELL
JP4193750B2 (en) Hydrogen separation membrane, fuel cell, and method for producing the hydrogen separation membrane and fuel cell
JP4714052B2 (en) Hydrogen purification filter and method for producing the same
JP4665656B2 (en) Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane
JP2004344731A (en) Hydrogen permeable membrane
JP2006239526A (en) Hydrogen permeable membrane and production method for hydrogen permeable membrane
JP5022419B2 (en) Fuel cell separator and fuel cell
JP2005002411A (en) Corrosion-resistant metallic clad material for separator, and manufacturing method therefor
WO2007037167A1 (en) Hydrogen permeable film, and fuel battery using the same
JP4329707B2 (en) Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane
JP5180485B2 (en) Method for manufacturing fuel cell separator, fuel cell separator and fuel cell
JP4329706B2 (en) Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane
JP4329708B2 (en) Hydrogen permeable membrane and method for producing hydrogen permeable membrane
JP2009054515A (en) Fuel cell and its manufacturing method
JP2006239525A (en) Hydrogen permeable membrane and production method for hydrogen permeable membrane
JP2005339815A (en) Hydrogen-permeable film type fuel cell and its manufacturing method
JP2005327586A (en) Manufacturing method of fuel cell and fuel cell
JP4186933B2 (en) Method for producing hydrogen permeable membrane
JP4470699B2 (en) Hydrogen permeable membrane, method for producing the hydrogen permeable membrane, and apparatus comprising the hydrogen permeable membrane

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101005

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101207

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101220

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4661444

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees