JP4650783B2 - 外部共振器型の波長可変光源 - Google Patents
外部共振器型の波長可変光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4650783B2 JP4650783B2 JP2004270897A JP2004270897A JP4650783B2 JP 4650783 B2 JP4650783 B2 JP 4650783B2 JP 2004270897 A JP2004270897 A JP 2004270897A JP 2004270897 A JP2004270897 A JP 2004270897A JP 4650783 B2 JP4650783 B2 JP 4650783B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- current
- amplitude
- light
- noise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 59
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 32
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 24
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/0622—Controlling the frequency of the radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
- H01S5/143—Littman-Metcalf configuration, e.g. laser - grating - mirror
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
半導体レーザ11の一端から出射された光は、第1のレンズ12で平行光にされ回折格子21に入射する。そして、回折格子21に入射した光は回折格子21によって回折され、波長ごとに異なる角度に波長分散され、波長選択ミラー22に入射する。さらに波長選択ミラー22に入射した光のうち、所望の波長の光のみが、同一の光路で回折格子21に反射される。なお、ミラー回転手段23によって、同一光路で反射する波長の選択を行う。
反射手段とで外部共振器を構成しレーザ光を出力する半導体レーザと、この半導体レーザにレーザ駆動電流を供給するレーザ駆動回路と、このレーザ駆動回路が出力する駆動電流に電流値がランダムに変化するノイズ電流を重畳するランダムノイズ発生器とを有する外部共振器型の波長可変光源において、
前記半導体レーザが出力するレーザ光の光強度に基づいて、前記ランダムノイズ発生器からのノイズ電流の振幅を減衰または増幅する振幅増減部を設け、
前記振幅増減部は、
前記半導体レーザが出力するレーザ光の波長ごとに、前記レーザ駆動電流の電流値およびこの電流値におけるレーザ光の光強度を記憶する記憶部と、
この記憶部の電流値と光強度との関係から、前記ノイズ電流の振幅の増減量を演算する演算手段と、
の演算手段の演算結果で前記ノイズ電流の振幅を減衰または増幅する振幅調整手段と
を有することを特徴とするものである。
反射手段とで外部共振器を構成しレーザ光を出力する半導体レーザと、この半導体レーザにレーザ駆動電流を供給するレーザ駆動回路と、このレーザ駆動回路が出力する駆動電流に電流値がランダムに変化するノイズ電流を重畳するランダムノイズ発生器とを有する外部共振器型の波長可変光源において、
前記半導体レーザが出力するレーザ光の光強度に基づいて、前記ランダムノイズ発生器からのノイズ電流の振幅を減衰または増幅する振幅増減部を設け、
前記振幅増減部は、
前記半導体レーザが出力するレーザ光の波長ごと、かつ、レーザ駆動電流ごとに、前記ノイズ電流の振幅の増減量を記憶する記憶部と、
この記憶部の増減量に従って、前記ノイズ電流の振幅を減衰または増幅する振幅調整手段と
を有することを特徴とするものである。
請求項1〜2によれば、振幅増減部が、レーザ光の光強度に基づいて、ランダムノイズ発生器からのノイズ電流の振幅を増減するので、レーザ発振がオフされず、レーザ光の光変調度を所望の値にすることができる。これにより、レーザ光の光強度によらず、光変調を行なうことができる
[第1の実施例]
図1は、本発明の第1の実施例を示す構成図である。ここで、図4と同一のものは同一符号を付し、説明を省略する。図1において、ランダムノイズ発生器40とレーザ駆動電流にノイズ電流を重畳する部分との間に、振幅増減部50が新たに設けられる。
まず、波長ごとの電流値と光強度の特性を記憶部51に格納する。具体的には、レーザ駆動回路30が、出力光の波長に関わりなく一定の電流値Idのレーザ駆動電流を出力する。そして、各波長ごと、例えば、1[nm]間隔で半導体レーザ11の出力光の光強度を測定する。そして、各波長におけるレーザ駆動電流と光強度の関係を、記憶部51記憶させる。
レーザ駆動回路30が、出力光の波長に関わりなく一定のレーザ駆動電流を出力する。一方、振幅増減部50が、レーザ駆動回路30が出力するレーザ駆動電流の電流値Id、波長選択部20が選択している波長を取得する。そして、演算手段52が、電流値Idと波長とに対応する光強度を記憶部51から読み出し、所望の光変調度の値となるノイズ電流の振幅を演算し、増減量を求める。
図2は、本発明の第2の実施例を示す構成図である。ここで、図1と同一のものは同一符号を付し、説明を省略する。図2において、記憶部51、演算手段52の代わりに記憶部54が設けられる。記憶部54は、半導体レーザ11が出力するレーザ光の波長ごとに、ノイズ電流の振幅の増減量を記憶する。
まず、波長ごとのノイズ電流の振幅の増減量を記憶部54に格納する。具体的には、レーザ駆動回路30が、出力光の波長に関わりなく一定の電流値Idのレーザ駆動電流を出力する。そして、各波長ごと、例えば、1[nm]間隔で半導体レーザ11の出力光の光強度を測定する。そして、外部装置、例えば、パソコンなどで、各波長におけるレーザ駆動電流と光強度の関係から、ノイズ電流の振幅の増減量を演算し、求めた増減量を記憶部54に記憶させる。
図3は、本発明の第3の実施例を示す構成図である。ここで、図1と同一のものは同一符号を付し、説明を省略する。図3において、記憶部51、演算手段52の代わりに受光部55、演算手段56が設けられる。
レーザ駆動回路30が、レーザ駆動電流を出力する。そして、半導体レーザ11からの出力光が、例えば、光カプラやハーフミラー等の分岐手段で分岐され、分岐された一方の出力光が受光部55に入力される。さらに、受光部55が、入力したレーザ光を、例えば、フォトダイオードで受光して光強度に比例した光電流を出力する。そして、光電流を図示しないIV変換回路で電流電圧変換し、さらに図示しないAD変換器でデジタル値にして演算手段56に出力する。
図1に示す装置において、レーザ駆動電流の電流値を複数種類に変化させて、それぞれにおける光強度を記憶部51に記憶させる構成を示したが、レーザ駆動回路30の出力する電流値が所定の範囲で出力される場合、1種類の電流値に対する光強度のみを記憶させてもよい。そして、振幅増減部50がレーザ駆動電流の電流値を取得しなくともよい。
22 波長選択ミラー
30 レーザ駆動回路
40 ランダムノイズ発生器
50 振幅増減部
51、54 記憶部
52、56 演算手段
53 振幅調整手段
55 受光部
Claims (2)
- 反射手段とで外部共振器を構成しレーザ光を出力する半導体レーザと、この半導体レーザにレーザ駆動電流を供給するレーザ駆動回路と、このレーザ駆動回路が出力する駆動電流に電流値がランダムに変化するノイズ電流を重畳するランダムノイズ発生器とを有する外部共振器型の波長可変光源において、
前記半導体レーザが出力するレーザ光の光強度に基づいて、前記ランダムノイズ発生器からのノイズ電流の振幅を減衰または増幅する振幅増減部を設け、
前記振幅増減部は、
前記半導体レーザが出力するレーザ光の波長ごとに、前記レーザ駆動電流の電流値およびこの電流値におけるレーザ光の光強度を記憶する記憶部と、
この記憶部の電流値と光強度との関係から、前記ノイズ電流の振幅の増減量を演算する演算手段と、
この演算手段の演算結果で前記ノイズ電流の振幅を減衰または増幅する振幅調整手段と
を有することを特徴とする外部共振器型の波長可変光源。 - 反射手段とで外部共振器を構成しレーザ光を出力する半導体レーザと、この半導体レーザにレーザ駆動電流を供給するレーザ駆動回路と、このレーザ駆動回路が出力する駆動電流に電流値がランダムに変化するノイズ電流を重畳するランダムノイズ発生器とを有する外部共振器型の波長可変光源において、
前記半導体レーザが出力するレーザ光の光強度に基づいて、前記ランダムノイズ発生器からのノイズ電流の振幅を減衰または増幅する振幅増減部を設け、
前記振幅増減部は、
前記半導体レーザが出力するレーザ光の波長ごと、かつ、レーザ駆動電流の電流値ごとに、前記ノイズ電流の振幅の増減量を記憶する記憶部と、
この記憶部の増減量に従って、前記ノイズ電流の振幅を減衰または増幅する振幅調整手段と
を有することを特徴とする外部共振器型の波長可変光源。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004270897A JP4650783B2 (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | 外部共振器型の波長可変光源 |
US11/227,140 US20060072638A1 (en) | 2004-09-17 | 2005-09-16 | External cavity type tunable laser source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004270897A JP4650783B2 (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | 外部共振器型の波長可変光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006086395A JP2006086395A (ja) | 2006-03-30 |
JP4650783B2 true JP4650783B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=36125499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004270897A Expired - Lifetime JP4650783B2 (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | 外部共振器型の波長可変光源 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060072638A1 (ja) |
JP (1) | JP4650783B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070201880A1 (en) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Jeffrey Nicholson | High power amplifiers |
US9410903B2 (en) * | 2011-10-12 | 2016-08-09 | Baker Hughes Incorporated | Incoherent reflectometry utilizing chaotic excitation of light sources |
US11566927B2 (en) | 2017-09-21 | 2023-01-31 | Air Water Biodesign Inc. | Optical measurement apparatus, optical measurement method, computer program, and recording medium |
CN113036599B (zh) * | 2021-03-04 | 2022-11-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种提高Littman结构可调谐外腔半导体激光器输出功率的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09246640A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Agfa Gevaert Ag | レーザーダイオードを操作するための方法及び回路 |
JPH10107354A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Ando Electric Co Ltd | 半導体レーザ光源のスペクトル線幅制御装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5337141A (en) * | 1983-06-29 | 1994-08-09 | Honeywell Inc. | Method and apparatus for distortion free measurements |
JP2575614B2 (ja) * | 1985-03-15 | 1997-01-29 | オリンパス光学工業株式会社 | 光出力安定化装置 |
GB2207799B (en) * | 1987-08-04 | 1991-09-18 | Gen Electric Co Plc | Tunable lasers |
EP0883919B1 (de) * | 1996-03-01 | 2000-05-17 | Agfa-Gevaert Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zum betrieb einer laserdiode |
US5946334A (en) * | 1996-03-27 | 1999-08-31 | Ricoh Company, Inc. | Semiconductor laser control system |
-
2004
- 2004-09-17 JP JP2004270897A patent/JP4650783B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-09-16 US US11/227,140 patent/US20060072638A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09246640A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Agfa Gevaert Ag | レーザーダイオードを操作するための方法及び回路 |
JPH10107354A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Ando Electric Co Ltd | 半導体レーザ光源のスペクトル線幅制御装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060072638A1 (en) | 2006-04-06 |
JP2006086395A (ja) | 2006-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6253082B2 (ja) | 波長可変レーザの制御方法 | |
US7701984B2 (en) | Laser module and method of controlling wavelength of external cavity laser | |
EP0951112A2 (en) | Tunable laser source apparatus having wideband oscillation wavelength continuous sweep function | |
US8000359B2 (en) | Laser device and controlling method therefor | |
JP2008529068A5 (ja) | ||
JP2008529068A (ja) | 高速に波長スキャンする小型マルチモードレーザ | |
JPH06186336A (ja) | 光波距離計と光源手段 | |
WO2019160064A1 (ja) | 光モジュール、その波長制御方法およびそのキャリブレーション方法 | |
US10615569B2 (en) | Semiconductor laser with external resonator | |
JP5420838B2 (ja) | モード選択周波数同調装置 | |
US20060072634A1 (en) | Calibration methods for tunable lasers | |
JP4650783B2 (ja) | 外部共振器型の波長可変光源 | |
JP2006329797A (ja) | 光波距離計 | |
US20150222077A1 (en) | Method for controlling variable wavelength laser, and variable wavelength laser device | |
CN111384664B (zh) | 调谐激光器装置的发射波长的方法 | |
JP4910302B2 (ja) | 波長判定装置、波長判定方法、半導体レーザ制御装置、および半導体レーザ制御方法 | |
JP2009218478A (ja) | 発振モード検出装置、発振モード制御装置、レーザシステム、発振モード検出方法、および、発振モード制御方法 | |
JP7086537B2 (ja) | 外部共振器型半導体レーザ装置 | |
US20150116801A1 (en) | Single longitudinal mode diode laser module with external resonator | |
JP4893926B2 (ja) | Otdr用光源 | |
JP6985018B2 (ja) | 外部共振器型半導体レーザ装置 | |
JP2006010499A (ja) | 波長判定装置および波長判定方法 | |
KR100945422B1 (ko) | 파장가변 외부공진 레이저 | |
JP3013376B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP2010141090A (ja) | 光送信モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4650783 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101205 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |