JP4642404B2 - イオン性有機結晶の研磨方法及び該イオン性有機結晶の研磨方法によって研磨したイオン性有機結晶 - Google Patents
イオン性有機結晶の研磨方法及び該イオン性有機結晶の研磨方法によって研磨したイオン性有機結晶 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4642404B2 JP4642404B2 JP2004220765A JP2004220765A JP4642404B2 JP 4642404 B2 JP4642404 B2 JP 4642404B2 JP 2004220765 A JP2004220765 A JP 2004220765A JP 2004220765 A JP2004220765 A JP 2004220765A JP 4642404 B2 JP4642404 B2 JP 4642404B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- ionic organic
- organic crystal
- polished
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Description
2 研磨ガイド
3 研磨液供給ノズル
4 重り
5 サンプルホルダー
6 被研磨材
7 研磨パッド
8 研磨定盤
9 回転軸
10 1次研磨ステーション
11 研磨ヘッド
12 2次研磨ステーション
13 洗浄ステーション
14 ガイド
15 研磨液
16 研磨液槽
17 研磨液供給装置
18 被研磨材保持装置
Claims (4)
- 研磨面を有する研磨パッドと研磨液とにより4-N,N-ジメチルアミノ-4'-N-メチル-スチルバゾリウム トシレート(DAST)結晶を被研磨物とするイオン性有機結晶の研磨方法において、
前記研磨パットとして、発泡ポリウレタンを用い、前記研磨液として、シクロヘキサンを溶媒として、1次粒径の平均粒径が5nm〜100nmのシリカまたはアルミナからなる微粒子を分散させた研磨液を用いることを特徴とするイオン性有機結晶の研磨方法。 - 前記微粒子を含む前記研磨液を用いる第1の研磨工程と、
前記微粒子を含まない溶媒を用いる第2の研磨工程とからなることを特徴する請求項1に記載のイオン性有機結晶の研磨方法。 - 研磨後、ブラシスクラブによる洗浄を行うことを特徴とする請求項1または2に記載のイオン性有機結晶の研磨方法。
- 前記第1の研磨工程及び前記第2の研磨工程は、
前記研磨液を閉じた空間に保持し、
前記被研磨物の研磨面を前記研磨液中に浸漬させて研磨することを特徴する請求項1乃至3のいずれかに記載のイオン性有機結晶の研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004220765A JP4642404B2 (ja) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | イオン性有機結晶の研磨方法及び該イオン性有機結晶の研磨方法によって研磨したイオン性有機結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004220765A JP4642404B2 (ja) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | イオン性有機結晶の研磨方法及び該イオン性有機結晶の研磨方法によって研磨したイオン性有機結晶 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006035389A JP2006035389A (ja) | 2006-02-09 |
JP4642404B2 true JP4642404B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=35900916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004220765A Expired - Fee Related JP4642404B2 (ja) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | イオン性有機結晶の研磨方法及び該イオン性有機結晶の研磨方法によって研磨したイオン性有機結晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4642404B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110355677B (zh) * | 2019-07-31 | 2024-01-02 | 智昌科技集团股份有限公司 | 一种化纤喷丝头抛光装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05169360A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Sharp Corp | 有機結晶の光学研磨装置 |
JPH05285827A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-02 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 鏡面研磨液及び鏡面研磨加工方法 |
JPH11286677A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-10-19 | Sony Corp | 研磨方法、光学素子の製造方法、並びに研磨用懸濁液 |
JP2001031952A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-06 | Showa Denko Kk | ガラス研磨用研磨材組成物 |
JP2003202533A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Ricoh Co Ltd | 有機導波路型光変調器および有機導波路型光変調器の製造方法 |
-
2004
- 2004-07-28 JP JP2004220765A patent/JP4642404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05169360A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Sharp Corp | 有機結晶の光学研磨装置 |
JPH05285827A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-02 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 鏡面研磨液及び鏡面研磨加工方法 |
JPH11286677A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-10-19 | Sony Corp | 研磨方法、光学素子の製造方法、並びに研磨用懸濁液 |
JP2001031952A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-06 | Showa Denko Kk | ガラス研磨用研磨材組成物 |
JP2003202533A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Ricoh Co Ltd | 有機導波路型光変調器および有機導波路型光変調器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006035389A (ja) | 2006-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100420087B1 (ko) | 산화세륨 연마제 및 기판의 연마법 | |
JP4284215B2 (ja) | 基板処理方法 | |
US5704987A (en) | Process for removing residue from a semiconductor wafer after chemical-mechanical polishing | |
TW452886B (en) | A method for cleaning organic dielectric film containing semiconductor wafers | |
JP5455282B2 (ja) | シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハのエッジ除去 | |
TWI353006B (en) | Method for manufacturing epitaxial wafer | |
JP2016520436A (ja) | サファイアの表面を研磨する方法 | |
US20040055998A1 (en) | Method for providing a smooth wafer surface | |
JP5037975B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
JP4642404B2 (ja) | イオン性有機結晶の研磨方法及び該イオン性有機結晶の研磨方法によって研磨したイオン性有機結晶 | |
TW202302783A (zh) | 用於化學機械平坦化(cmp)之懸浮液及使用該懸浮液之方法 | |
US6913528B2 (en) | Low amplitude, high speed polisher and method | |
JP2004299018A (ja) | SiC単結晶基板等の研磨による超平滑結晶面形成方法 | |
US20200198090A1 (en) | Cmp apparatus and method of performing ceria-based cmp process | |
JP4158066B2 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
TW200809945A (en) | Process for smoothening III-N substrates | |
JP4725767B2 (ja) | 光学材料の無歪み表面加工装置および表面加工技術 | |
JP2012011511A (ja) | ガラス基板の研磨装置及びガラス基板の研磨方法及びガラス基板の製造方法 | |
Lee | Effect of citric acid in chemical mechanical polishing (CMP) for lithium tantalate (LiTaO3) wafer | |
JP2003306669A (ja) | 研磨スラリー | |
JP4770165B2 (ja) | 凝集微粒子による高速eem加工方法 | |
JP2007098509A (ja) | クリーニングシート及びその製造方法 | |
JPH1126405A (ja) | 研磨装置 | |
Chen et al. | Water dissolution ultra-precision polishing of KDP crystal and its precision cleaning | |
JP2001147337A (ja) | 光導波路素子及び光導波路素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070622 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070702 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4642404 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |