JP4639752B2 - Circuit board with adhesive layer, method for producing multilayer printed wiring board, and multilayer printed wiring board - Google Patents
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Description
本発明は接着層付き回路基板、並びに多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に関するものである。 The present invention relates to a circuit board with an adhesive layer, a method for producing a multilayer printed wiring board, and a multilayer printed wiring board.
携帯電話に代表される移動体通信機器やその基地局装置、サーバー、ルーター等のネットワーク関連電子機器及び大型コンピュータ等では、大容量の情報を低損失かつ高速で伝送・処理することが要求されている。かかる要求に対応するため、上述のような装置に搭載される多層プリント配線板上で扱う電気信号は高周波数化が進んでいる。しかしながら、高周波になればなるほど電気信号は減衰しやすくなる性質を持つため、これらの分野で使用されるプリント配線板は一層伝送損失を低くする必要がある。 Mobile communication devices such as mobile phones, base station equipment, network-related electronic devices such as servers and routers, and large computers are required to transmit and process large amounts of information with low loss and high speed. Yes. In order to meet such demands, the frequency of electrical signals handled on the multilayer printed wiring board mounted on the apparatus as described above is increasing. However, the higher the frequency is, the more easily the electric signal is attenuated. Therefore, the printed wiring board used in these fields needs to further reduce the transmission loss.
低伝送損失の多層プリント配線板を得るために、従来、多層プリント配線板における積層板等の絶縁板や電気絶縁層の誘電体材料として、比誘電率や誘電正接の低いフッ素系樹脂を含有した熱可塑性樹脂材料が使用されている。しかしながらフッ素系樹脂は一般的に溶融粘度が高く、その流動性が比較的低いため、プレス成形時に高温高圧条件を設定する必要がある。しかも、上記の通信機器、ネットワーク関連電子機器及び大型コンピュータ等に使用されるプリント配線板用材料としては、加工性、寸法安定性及び金属めっきとの接着性が不十分である。 In order to obtain a multilayer printed wiring board with low transmission loss, conventionally, a fluorine resin having a low relative dielectric constant and dielectric loss tangent was included as a dielectric material of an insulating board such as a laminated board or an electrical insulating layer in the multilayer printed wiring board. A thermoplastic resin material is used. However, since a fluorine-based resin generally has a high melt viscosity and a relatively low fluidity, it is necessary to set high-temperature and high-pressure conditions during press molding. Moreover, as a printed wiring board material used for the above-mentioned communication equipment, network-related electronic equipment, large computers, etc., processability, dimensional stability, and adhesion to metal plating are insufficient.
そこで、比誘電率や誘電正接が低い熱硬化性樹脂組成物である、特許文献1〜3に示されているトリアリルシアヌレートやトリアリルイソシアヌレートを含有する樹脂組成物、特許文献1、2、4及び5に示されているポリブタジエンを含有する樹脂組成物、特許文献6に示されているアリル基等のラジカル架橋性の官能基を付与された熱硬化性ポリフェニレンエーテルと上記トリアリルシアヌレートやトリアリルイソシアヌレートを含有する樹脂組成物を、上記電子機器等の誘電体材料の原料として用いる方法が提案されている。これらの特許文献によると、概して、硬化後の樹脂が極性基を多く有していないため低伝送損失化が可能となる、とされている。
しかしながら、特許文献1〜6に記載されたものを始めとする、ビニル基やアリル基等の重合によって硬化する低誘電率、低誘電正接樹脂を用いたプリント配線板について詳細に検討したところ、かかる多層プリント配線板では電気絶縁層の極性が低くなるため、導体回路(配線回路)及び電気絶縁層間の接着力(接合力)が弱くなり、それらの層間に剥離が生じやすいことを本発明者らは見出した。このような剥離は、多層プリント配線板を加熱した際(特に吸湿後に加熱した際)に顕著となる。 However, when a printed wiring board using a low dielectric constant, low dielectric loss tangent resin, such as those described in Patent Documents 1 to 6, which are cured by polymerization of vinyl groups or allyl groups, is examined in detail, such a method is required. In the multilayer printed wiring board, since the polarity of the electric insulating layer is low, the adhesive force (bonding force) between the conductor circuit (wiring circuit) and the electric insulating layer is weak, and the present inventors have a tendency to cause peeling between these layers. Found. Such peeling becomes significant when the multilayer printed wiring board is heated (particularly when heated after moisture absorption).
そのため、従来の方法でこのような低誘電率、低誘電正接樹脂を多層プリント配線板に用いる場合、導体回路の表面に粗化処理を行い、導体回路及び電気絶縁層間の接着力(接合力)を補強する必要がある。このような表面粗化処理としては、酸化処理(黒化処理)や酸化還元処理、エッチング処理、金属メッキ処理等が挙げられる。 Therefore, when such a low dielectric constant and low dielectric loss tangent resin is used for a multilayer printed wiring board by a conventional method, the surface of the conductor circuit is subjected to a roughening treatment, and the adhesive force (bonding force) between the conductor circuit and the electrically insulating layer. Need to be reinforced. Examples of such surface roughening treatment include oxidation treatment (blackening treatment), oxidation-reduction treatment, etching treatment, and metal plating treatment.
ところで、近年、積層板等の絶縁板や電気絶縁層における電気信号の低伝送損失化を図るのみでは、電気信号の更なる高周波化への対応として不十分となっている。すなわち、電気信号の伝送損失は、絶縁板や電気絶縁層に起因する損失(誘電体損失)と、信号層やグランド層(アース層、シールド層等)、電源層等の導体回路に起因する損失(導体損失)に分類されるところ、昨今、誘電体損失の低減のみでなく、導体損失の低減についても、その必要性を無視できなくなってきている。特に、近年実用化されている大部分の多層プリント配線板において、電気絶縁層の厚みが200μm以下と比較的薄くなっているため、その電気絶縁層の材料に、ある程度低い誘電率や誘電正接を示す樹脂を採用すると、このような配線板全体の伝送損失としては、誘電体損失よりもむしろ導体損失の方が支配的になっている。 By the way, in recent years, merely reducing the transmission loss of an electric signal in an insulating plate such as a laminated plate or an electric insulating layer is insufficient as a measure for further increasing the frequency of the electric signal. In other words, transmission loss of electrical signals includes loss (dielectric loss) caused by insulating plates and electrical insulation layers, and loss caused by conductor circuits such as signal layers, ground layers (earth layers, shield layers, etc.) and power supply layers. In the category of (conductor loss), recently, not only the reduction of dielectric loss but also the reduction of conductor loss cannot be ignored. In particular, in most multilayer printed wiring boards that have been put to practical use in recent years, the thickness of the electrical insulation layer is relatively thin, such as 200 μm or less, so that the material of the electrical insulation layer has a somewhat low dielectric constant and dielectric loss tangent. When the resin shown is adopted, the conductor loss rather than the dielectric loss is dominant as the transmission loss of the entire wiring board.
そして、その導体損失は、主として導体回路の表面粗さの大きさに起因するものとされており、そのような観点からは、表面の十点平均粗さ(Rz)の最大値が小さい金属箔(以下、「ロープロファイル金属箔」という。)の使用が効果的であるとされている。特許文献1〜6に記載されたものを始めとする、ビニル基やアリル基等の重合によって硬化する低誘電率、低誘電正接樹脂を多層プリント配線板の誘電体材料に用いた場合、上述のように導体回路及び電気絶縁層間の接着力(接合力)が弱いため、このようなロープロファイル金属箔を用いて導体回路の表面粗さを小さくすることが難しく、十分な低伝送損失化を図るには限界があるといえる。 The conductor loss is mainly attributed to the size of the surface roughness of the conductor circuit. From such a viewpoint, the metal foil having a small maximum value of the ten-point average roughness (Rz) of the surface is small. (Hereinafter referred to as “low profile metal foil”) is said to be effective. In the case where a low dielectric constant, low dielectric loss tangent resin that is cured by polymerization of vinyl group or allyl group, including those described in Patent Documents 1 to 6, is used for the dielectric material of the multilayer printed wiring board, the above-mentioned As described above, since the adhesive force (bonding force) between the conductor circuit and the electrically insulating layer is weak, it is difficult to reduce the surface roughness of the conductor circuit using such a low profile metal foil, and a sufficiently low transmission loss is achieved. Can be said to have limitations.
本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、特に高周波帯での伝送損失を十分に低減可能であり、しかも導体回路及び電気絶縁層間の接着力を十分に強くした多層プリント配線板を形成可能な接着層付き回路基板、並びに多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and can form a multilayer printed wiring board that can sufficiently reduce transmission loss particularly in a high-frequency band and that has a sufficiently strong adhesive force between a conductor circuit and an electrical insulating layer. It is an object of the present invention to provide a circuit board with an adhesive layer, a method for producing a multilayer printed wiring board, and a multilayer printed wiring board.
本発明者らは、電気絶縁層の誘電体材料としてのポリブタジエン、トリアリルイソシアヌレート及びポリフェニレンエーテル等の低誘電率の熱硬化性樹脂について、表面粗さの小さい金属箔と併用しても上記課題を解決できるよう鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。 The present inventors can solve the above-mentioned problem even when a low dielectric constant thermosetting resin such as polybutadiene, triallyl isocyanurate and polyphenylene ether is used as a dielectric material for an electrically insulating layer in combination with a metal foil having a small surface roughness. As a result of intensive studies to solve this problem, the present invention has been completed.
すなわち、本発明の接着層付き回路基板は、絶縁板の一方又は両方の主面上に導体回路が形成された回路基板と、少なくとも導体回路の表面上に設けられた接着層とを備える接着層付き回路基板であって、接着層は、(A)成分;ポリアミドイミドと、(B)成分;該ポリアミドイミドのアミド基と反応し得る官能基を有し、かつエチレン性不飽和結合を有する化合物とを含有する硬化性樹脂組成物からなるものであることを特徴とする。 That is, the circuit board with an adhesive layer of the present invention comprises an adhesive layer comprising a circuit board on which a conductor circuit is formed on one or both main surfaces of an insulating plate, and an adhesive layer provided on at least the surface of the conductor circuit. A circuit board with an adhesive layer comprising: (A) component; polyamideimide; and (B) component; a compound having a functional group capable of reacting with an amide group of the polyamideimide and having an ethylenically unsaturated bond It consists of curable resin composition containing these.
また、本発明の接着層付き回路基板は、絶縁板の一方又は両方の主面上に導体回路が形成された回路基板と、少なくとも導体回路の表面上に設けられた接着層とを備える接着層付き回路基板であって、接着層は、(A)成分;ポリアミドイミドと、(C)成分;該ポリアミドイミドのアミド基と反応し得る官能基を2つ以上有する化合物と、(D)成分;前記(C)成分と反応し得る官能基を有し、かつエチレン性不飽和結合を有する化合物とを含有する硬化性樹脂組成物からなるものであることを特徴とする。 The circuit board with an adhesive layer of the present invention is an adhesive layer comprising a circuit board having a conductor circuit formed on one or both main surfaces of an insulating plate, and an adhesive layer provided at least on the surface of the conductor circuit. The adhesive layer comprises: (A) component; polyamideimide, (C) component; compound having two or more functional groups capable of reacting with the amide group of the polyamideimide, and (D) component; It comprises a curable resin composition containing a functional group capable of reacting with the component (C) and a compound having an ethylenically unsaturated bond.
本発明に係る上記接着層を用いると、導体回路の表面粗さが小さい状態で、上述の誘電体材料を併用しても、十分に密着させることができる。よって、本発明の接着層付き回路基板を用いると、高周波帯での伝送損失を十分に低減可能であり、しかも導体回路及び電気絶縁層間の接着力を十分に強くした多層プリント配線板を形成できる。 When the adhesive layer according to the present invention is used, even if the above-described dielectric material is used in combination with the surface roughness of the conductor circuit being small, it can be sufficiently adhered. Therefore, when the circuit board with an adhesive layer of the present invention is used, it is possible to sufficiently reduce transmission loss in a high frequency band and to form a multilayer printed wiring board with sufficiently strong adhesive force between a conductor circuit and an electrically insulating layer. .
なお、本発明に係る接着層を硬化して得られる層(以下、「硬化層」という。)は、プリント配線板の電気絶縁層の一部としても機能するものであるので、本明細書において、硬化層以外の電気絶縁層を構成する部分は「絶縁樹脂層」と表記し、硬化層と区別することとする。 The layer obtained by curing the adhesive layer according to the present invention (hereinafter referred to as “cured layer”) also functions as a part of the electrical insulating layer of the printed wiring board. The portion constituting the electrical insulating layer other than the cured layer is expressed as “insulating resin layer” and is distinguished from the cured layer.
本発明の接着層付き回路基板が、上述の目的を達成できる要因は、現在のところ詳細には明らかになっていないが、本発明者らは以下のように推測している。ただし、要因はこれに限定されない。 The reason why the circuit board with an adhesive layer of the present invention can achieve the above-mentioned object has not been clarified in detail at present, but the present inventors presume as follows. However, the factor is not limited to this.
ポリアミドイミドは一般に導体との接着力が高い化合物として知られている。したがって、接着層の材料としてポリアミドイミドを用いると、回路基板の導体回路と、接着層を硬化して得られる硬化層との間の引き剥がし強さが向上する。しかしながら、ポリアミドイミドは、上述のようなビニル硬化系やアリル硬化系等の低誘電率樹脂とは相溶性が低く反応性も極めて低い。そのため、これらの樹脂を用いた層(絶縁樹脂層)との間では、ポリアミドイミドのみを構成材料とした硬化層は、十分な引き剥がし強さを示すことができない。 Polyamideimide is generally known as a compound having high adhesive strength with a conductor. Therefore, when polyamideimide is used as the material for the adhesive layer, the peel strength between the conductor circuit of the circuit board and the cured layer obtained by curing the adhesive layer is improved. However, polyamideimide has low compatibility and extremely low reactivity with low dielectric constant resins such as the above-mentioned vinyl curing type and allyl curing type. For this reason, a cured layer made of only polyamideimide cannot exhibit sufficient peel strength between the layer using these resins (insulating resin layer).
本発明の接着層付き回路基板を用いて製造された多層プリント配線板においては、(B)成分、あるいは(C)成分及び(D)成分が、低誘電率樹脂との相溶性を高める。さらには、(A)成分であるポリアミドイミドは、接着層における重合反応と同時に、隣接する絶縁樹脂層の構成材料である低誘電率樹脂ともラジカル重合により架橋反応する。これにより、接着層から得られる硬化層と絶縁樹脂層とはほぼ一体化する。その結果、この硬化層は、導体層との間で十分に高い接着力を有するのみでなく、硬化層内部及び硬化層と絶縁樹脂層との界面近傍における破壊強度を向上させることができ、絶縁樹脂層との間でも十分に高い接着力を有することとなる。また、破壊強度の向上に起因して、このような多層プリント配線板は耐熱性を高める傾向にある。 In the multilayer printed wiring board manufactured using the circuit board with an adhesive layer of the present invention, the (B) component, or the (C) component and the (D) component enhance the compatibility with the low dielectric constant resin. Furthermore, the polyamideimide as component (A) undergoes a crosslinking reaction by radical polymerization with a low dielectric constant resin that is a constituent material of the adjacent insulating resin layer simultaneously with the polymerization reaction in the adhesive layer. Thereby, the hardened layer obtained from the adhesive layer and the insulating resin layer are almost integrated. As a result, this hardened layer not only has a sufficiently high adhesive force with the conductor layer, but also can improve the breaking strength inside the hardened layer and in the vicinity of the interface between the hardened layer and the insulating resin layer. Even with the resin layer, it has a sufficiently high adhesive force. In addition, due to the improvement in breaking strength, such a multilayer printed wiring board tends to improve heat resistance.
本発明の接着層付き回路基板において、(A)成分であるポリアミドイミドが、飽和炭化水素からなる構造単位を有すると好ましい。このような接着層付き回路基板を用いて形成される多層プリント配線板は、導体回路及び電気絶縁層間の接着力を更に高めることができ、しかも吸湿時においても高い接着力を保持できるため、高い耐湿耐熱性を発現できる。 In the circuit board with an adhesive layer of the present invention, the polyamideimide as the component (A) preferably has a structural unit composed of a saturated hydrocarbon. A multilayer printed wiring board formed using such a circuit board with an adhesive layer can further enhance the adhesive force between the conductor circuit and the electrically insulating layer, and can maintain a high adhesive force even during moisture absorption. Moisture and heat resistance can be expressed.
本発明の接着層付き回路基板は、硬化性をより高める観点から、(B)成分が下記式(I)で表されるオキシラン環又は下記式(II)で表されるオキセタン環を有すると好ましく、オキシラン環を有するとより好ましい。
また、本発明の接着層付き回路基板は、(B)成分におけるエチレン性不飽和結合を有する官能基として、ビニル基、アリル基、アクリル基(CH2=CHCOO−)及びメタクリル基(CH2=C(CH3)COO−)からなる群より選ばれる1種以上の基を有すると好ましい。 Moreover, the circuit board with an adhesive layer of the present invention has a vinyl group, an allyl group, an acrylic group (CH 2 ═CHCOO—) and a methacryl group (CH 2 ═) as the functional group having an ethylenically unsaturated bond in the component (B). It is preferred to have one or more groups selected from the group consisting of C (CH 3 ) COO—.
同様の観点から、(C)成分は2つ以上のオキシラン環又はオキセタン環を有すると好ましく、2つ以上のオキシラン環を有するとより好ましい。 From the same viewpoint, the component (C) preferably has two or more oxirane rings or oxetane rings, and more preferably has two or more oxirane rings.
本発明の接着層付き回路基板は、(B)成分が、ポリブタジエン構造及びオキシラン環を有するエポキシ化合物であると、すなわち、オキシラン環を有するエポキシ化合物であって更にポリブタジエン構造を有すると、硬化性の更なる向上の観点及び絶縁樹脂層との相溶性の観点から好ましい。このような(B)成分は、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、アミド基、アミノ基、イミノ基(−NH−)及び下記式(III)で表される基からなる群より選ばれる1種以上の基を有する変性ポリブタジエンと、2つ以上のオキシラン環を有する化合物とを反応させることにより得られる。
本発明の接着層付き回路基板において、接着層を構成する硬化性樹脂組成物中のエポキシ化合物が、その側鎖又は末端にビニル基を有すると好ましい。 In the circuit board with an adhesive layer of the present invention, the epoxy compound in the curable resin composition constituting the adhesive layer preferably has a vinyl group at its side chain or terminal.
また、上記エポキシ化合物が、下記一般式(1)、(2)又は(3)で表されるもの、あるいは下記一般式(5)で表される構造単位を有するものであると好ましい。
ここで、式(1)中、nは2〜8の整数を示し、n及びmの合計は10〜10000の整数を示す。また、式(2)中、R1及びR2は、それぞれ独立に水素原子又は水酸基を示し、R3はアクリル基又はオキシラニル基を示す。 Here, in Formula (1), n shows the integer of 2-8, and the sum total of n and m shows the integer of 10-10000. In Formula (2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a hydroxyl group, and R 3 represents an acrylic group or an oxiranyl group.
式(3)中、R4は下記式(4)で表される基を示し、iは0〜100の整数を示し、i及びjの合計は10〜10000の整数を示す。
また、式(5)中、p及びuはそれぞれ独立に1〜10000の整数を示し、qは1〜100の整数を示し、r及びsはそれぞれ独立に0〜100の整数を示し、tは1〜10000の整数を示す。ただし、r及びsのいずれかは1以上の整数を示す。 In formula (5), p and u each independently represent an integer of 1 to 10,000, q represents an integer of 1 to 100, r and s each independently represents an integer of 0 to 100, and t represents An integer of 1 to 10,000 is shown. However, either r or s represents an integer of 1 or more.
本発明の接着層付き回路基板は、(D)成分が、その側鎖又は末端にビニル基を有し、かつ、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、アミド基、アミノ基、イミノ基及び上記式(III)からなる群より選ばれる1種以上の基を有する変性ポリブタジエンであると好ましい。ここで「変性ポリブタジエン」とは、ポリブタジエンの構造の一部に他の原子又は官能基を付加したもの、あるいはポリブタジエンの構造の一部を他の原子又は官能基で置換したものをいう。 In the circuit board with an adhesive layer of the present invention, the component (D) has a vinyl group at its side chain or terminal, and has a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, a carboxyl group, an amide group, an amino group, an imino group, and A modified polybutadiene having one or more groups selected from the group consisting of the above formula (III) is preferred. Here, the “modified polybutadiene” refers to a polybutadiene having a part of the structure of the polybutadiene added with another atom or functional group, or a part of the structure of the polybutadiene substituted with another atom or functional group.
本発明の接着層付き回路基板において、上述の本発明の効果を一層発揮する観点から、(B)成分の配合割合が、(A)成分100質量部に対して5〜200質量部であると好ましく、(C)成分及び(D)成分の総配合割合が、(A)成分100質量部に対して5〜200質量部であり、(D)成分の配合割合が、(C)成分100質量部に対して5〜1000質量部であると好ましい。 In the circuit board with an adhesive layer of the present invention, the blending ratio of the component (B) is 5 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A) from the viewpoint of further exerting the effects of the present invention described above. Preferably, the total blending ratio of component (C) and component (D) is 5 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of component (A), and the blending ratio of component (D) is 100 parts by weight of component (C). It is preferable that it is 5-1000 mass parts with respect to a part.
本発明の接着層付き回路基板において、接着層が(A)成分及び前記(B)成分を含有する硬化性樹脂組成物からなるものである場合、回路基板は、絶縁板と導体回路との間に、(A)成分及び前記(B)成分を含有する硬化性樹脂組成物を硬化させてなる層が設けられていると好ましい。また、接着層が(A)成分、(C)成分及び(D)成分を含有する硬化性樹脂組成物からなるものである場合、回路基板は、絶縁板と導体回路との間に、(A)成分、(C)成分及び(D)成分を含有する硬化性樹脂組成物を硬化させてなる層が設けられていると好ましい。 In the circuit board with an adhesive layer of the present invention, when the adhesive layer is made of a curable resin composition containing the component (A) and the component (B), the circuit board is provided between the insulating plate and the conductor circuit. It is preferable that a layer formed by curing the curable resin composition containing the component (A) and the component (B) is provided. Moreover, when an adhesive layer consists of curable resin composition containing (A) component, (C) component, and (D) component, a circuit board is (A) between an insulating board and a conductor circuit. ) Component, (C) component, and (D) It is preferable when the layer formed by hardening | curing the curable resin composition containing a component is provided.
このような回路基板を本発明の接着層付き回路基板に用いると、低誘電率、低誘電正接の樹脂を絶縁板に用いても、絶縁板と導体回路との間に十分な接着力を得ることができる。このため、絶縁板及び導体回路間で接着力(接合力)が高まるとともに、絶縁板側の導体回路の表面粗さを小さくすることで絶縁板及び導体回路間での導体損失を十分に低減することが可能である。 When such a circuit board is used for the circuit board with an adhesive layer of the present invention, a sufficient adhesive force is obtained between the insulating plate and the conductor circuit even if a resin having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent is used for the insulating plate. be able to. For this reason, the adhesive force (bonding force) is increased between the insulating plate and the conductor circuit, and the conductor loss between the insulating plate and the conductor circuit is sufficiently reduced by reducing the surface roughness of the conductor circuit on the insulating plate side. It is possible.
また、本発明の接着層付き回路基板において、硬化性樹脂組成物が、(E)成分;ラジカル重合開始剤を更に含有すると、より速やかに硬化層を形成可能となり、しかも接着層部分の保存安定性が向上する傾向となるので好ましい。 Moreover, in the circuit board with an adhesive layer of the present invention, when the curable resin composition further contains the component (E); a radical polymerization initiator, a cured layer can be formed more quickly, and the storage stability of the adhesive layer portion can be increased. This is preferable because the property tends to be improved.
本発明に係る接着層は、例えば、硬化性樹脂組成物及び溶媒を含有する樹脂ワニスを導体回路の表面上に塗布した後に溶媒を揮発させることにより得られ、この接着層の膜厚が0.1〜10μmであると好ましい。 The adhesive layer according to the present invention is obtained, for example, by applying a resin varnish containing a curable resin composition and a solvent on the surface of the conductor circuit and then volatilizing the solvent. It is preferable in it being 1-10 micrometers.
また、本発明に係る回路基板の導体回路において、その表面の十点平均粗さ(Rz)が2μm以下であると伝送損失を更に低減することができ、しかも導体回路と硬化層との間の接着力を十分に高い状態で維持できる。ここで、十点平均粗さRzは、JIS−B0601−1994に準拠した表面粗さである。 Further, in the conductor circuit of the circuit board according to the present invention, when the ten-point average roughness (Rz) of the surface is 2 μm or less, the transmission loss can be further reduced, and between the conductor circuit and the hardened layer. Adhesive strength can be maintained in a sufficiently high state. Here, the ten-point average roughness Rz is a surface roughness in accordance with JIS-B0601-1994.
また、本発明に係る接着層が、絶縁板の一方又は両方の主面上、並びに導体回路の表面上に設けられていると好ましい。この場合、回路基板の導体回路を有する面全体に接着層が形成されているので、本発明の接着層付き回路基板の製造を容易にすることができる。 The adhesive layer according to the present invention is preferably provided on one or both main surfaces of the insulating plate and on the surface of the conductor circuit. In this case, since the adhesive layer is formed on the entire surface of the circuit board having the conductor circuit, the manufacture of the circuit board with the adhesive layer of the present invention can be facilitated.
また、本発明に係る回路基板は、積層体の最外層に位置する電気絶縁層である絶縁板の主面上に導体回路が形成された基板であってもよいし、コア基板であってもよい。ここで、「コア基板」とは、多層プリント配線板を製造するために最初に用意される回路基板のことをいい、一層の絶縁板の両面に導体回路が設けられたものであってもよいし、一層の絶縁板の片面に導体回路が設けられたものであってもよい。本発明に係る回路基板がコア基板であると、多層プリント配線板を形成したときに、最内層の導体回路と、その上に形成された電気絶縁層との間に十分な接着力を得ることができる。 In addition, the circuit board according to the present invention may be a board in which a conductor circuit is formed on the main surface of an insulating plate that is an electrical insulating layer located in the outermost layer of the laminate, or may be a core board. Good. Here, the “core substrate” refers to a circuit board that is first prepared for manufacturing a multilayer printed wiring board, and may be one in which conductor circuits are provided on both surfaces of a single insulating board. In addition, a conductor circuit may be provided on one surface of a single insulating plate. When the circuit board according to the present invention is a core board, when a multilayer printed wiring board is formed, sufficient adhesive force is obtained between the innermost conductor circuit and the electrical insulating layer formed thereon. Can do.
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、上述の接着層付き回路基板の少なくとも接着層の表面上に、絶縁性を有する樹脂を含有する絶縁樹脂シート、及び金属箔をこの順で積層して多層体を得る工程と、該多層体を加熱及び加圧する工程と、を有する、ことを特徴とする。 In the method for producing a multilayer printed wiring board of the present invention, an insulating resin sheet containing an insulating resin and a metal foil are laminated in this order on at least the surface of the adhesive layer of the circuit board with the adhesive layer. It has the process of obtaining a multilayer body, and the process of heating and pressurizing this multilayer body, It is characterized by the above-mentioned.
ここで、絶縁樹脂シートとしては、Eガラス、Sガラス、NEガラス、Dガラス、Qガラス、紙材、アラミド、フッ素系樹脂、ポリエステル及び液晶性高分子からなる群より選ばれる1種以上の材料を含有する繊維基材に絶縁性を有する樹脂を含浸してなるプリプレグが好適に用いられる。なお、これらの材料のうち、液晶性高分子以外の材料は液晶性を示さないものとする。 Here, as the insulating resin sheet, at least one material selected from the group consisting of E glass, S glass, NE glass, D glass, Q glass, paper material, aramid, fluororesin, polyester, and liquid crystalline polymer. A prepreg obtained by impregnating an insulating resin into a fiber base material containing bismuth is preferably used. Of these materials, materials other than the liquid crystalline polymer do not exhibit liquid crystallinity.
また、比誘電率や誘電正接を十分に低くする観点から、絶縁性を有する樹脂がエチレン性不飽和結合を有する樹脂を含有すると好ましく、このエチレン性不飽和結合を有する樹脂が、ポリブタジエン、ポリトリアリルシアヌレート、ポリトリアリルイソシアヌレート及びポリフェニレンエーテルからなる群より選ばれる1種以上の樹脂であるとより好ましい。特に、絶縁性を有する樹脂がポリフェニレンエーテルを含有すると最も好ましい。 Further, from the viewpoint of sufficiently reducing the relative permittivity and dielectric loss tangent, it is preferable that the insulating resin contains a resin having an ethylenically unsaturated bond, and the resin having an ethylenically unsaturated bond is polybutadiene, polytrimethyl. More preferably, it is at least one resin selected from the group consisting of allyl cyanurate, polytriallyl isocyanurate and polyphenylene ether. In particular, it is most preferable that the insulating resin contains polyphenylene ether.
また、本発明の多層プリント配線板は、このような多層プリント配線板の製造方法により得られるものである。 The multilayer printed wiring board of the present invention is obtained by such a method for producing a multilayer printed wiring board.
本発明によれば、特に高周波帯での伝送損失を十分に低減可能であり、しかも導体回路及び電気絶縁層間の接着力を十分に強くした多層プリント配線板を形成可能な接着層付き回路基板、並びに多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板を提供することができる。 According to the present invention, a circuit board with an adhesive layer capable of sufficiently reducing transmission loss particularly in a high frequency band and capable of forming a multilayer printed wiring board with sufficiently strong adhesive force between a conductor circuit and an electrically insulating layer, Moreover, the manufacturing method of a multilayer printed wiring board and a multilayer printed wiring board can be provided.
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すことととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.
(第1実施形態)
図1に示すように、本発明の第1実施形態に係る接着層付き回路基板100は、コア基板として用いられるものであり、回路基板10と、接着層20とから構成されている。より詳しくは、回路基板10は、絶縁板である積層板12と、積層板12の両面(両主面)上に形成された所定形状を有する導体回路14とから構成されており、両面とも、それらの導体回路14の表面14a上、及び積層板12の表面12a上に接着層20が形成されている。なお、回路基板10には、公知の方法によって、基準穴等が設けられていてもよい。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, the
積層板12としては、公知のプリプレグを数枚張り合わせ、加圧加熱処理を行って得られるものが使用できる。かかるプリプレグとしては、調製された樹脂ワニスをガラス繊維、有機繊維等の繊維基材(強化繊維)に含浸させて公知の方法により作製されたものを用いることができる。特に、積層板12には、後述の多層プリント配線板を製造する際の絶縁樹脂シート(絶縁樹脂層)と同様の基材を用いることが好ましい。
As the
導体回路14は、積層板12上に接着した金属箔にフォトリソグラフィ法等の公知のパターン化処理を施して形成したものである。導体回路14に用いられる金属箔は特に限定されず、銅箔、ニッケル箔、アルミ箔とが挙げられるが、通常は電界銅箔又は圧延銅箔を用いると好ましい。かかる金属箔は、その防錆性、耐薬品性や耐熱性を向上させる観点から、ニッケル、スズ、亜鉛、クロム、モリブデン、コバルト等によるバリアー層形成処理が全面に施されていると好ましい。また、このような金属箔は1種の金属材料からなる単層であってもよく、複数の金属材料からなる単層であってもよく、異なる材質の金属層を複数積層して形成されていてもよい。また、その厚さは特に限定されない。これらの金属箔のうち、銅箔としてはF2−WS(古河サーキットフォイル社製、Rz=3.0μm)、F0−WS(古河サーキットフォイル社製、商品名、Rz=1.2μm)、3EC−VLP(三井金属社製、商品名、Rz=3.0μm)等が商業的に入手可能である。
The
また、導体回路14の表面14aには、表面粗化処理やシランカップリング剤による処理等が施されていてもよいが、表面粗化処理に関しては、導体回路14の表面粗さ(Rz)が好ましくは2μm以下、より好ましくは1μm以下となるように粗化処理を施していると、高周波伝送特性を更に向上できる。なお、シランカップルリング剤としては、エポキシシラン、アミノシラン、カチオニックシラン、ビニルシラン、アクリロキシシラン、メタクロイロキシシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン等が挙げられる。
In addition, the
接着層20は、(A)成分;ポリアミドイミドと、(B)成分;該ポリアミドイミドのアミド基と反応し得る官能基を有し、かつエチレン性不飽和結合を有する化合物(以下、必要に応じて「アミド反応性不飽和化合物」という。)とを含有する硬化性樹脂組成物からなるものである。以下、この接着層20を構成する硬化性樹脂組成物及びその成分について説明する。
The
<(A)成分>
(A)成分であるポリアミドイミドは、特に限定されるものではないが、例えば、無水トリメリット酸と芳香族ジイソシアネートとの反応による、いわゆるイソシアネート法で合成されるポリアミドイミドが挙げられる。ポリアミドイミドを合成するイソシアネート法の具体例としては、芳香族トリカルボン酸無水物とエーテル結合を有するジアミン化合物とをジアミン化合物過剰存在下で反応させ、次いでジイソシアネートを反応させる方法(例えば、特許2897186号公報に記載の方法)、芳香族ジアミン化合物と無水トリメリット酸とを反応させる方法(例えば、特開平04−182466号公報に記載の方法)が挙げられる。
<(A) component>
The polyamideimide as the component (A) is not particularly limited, and examples thereof include polyamideimide synthesized by a so-called isocyanate method by reaction between trimellitic anhydride and aromatic diisocyanate. As a specific example of the isocyanate method for synthesizing a polyamideimide, a method in which an aromatic tricarboxylic acid anhydride and a diamine compound having an ether bond are reacted in the presence of an excess of a diamine compound and then a diisocyanate is reacted (for example, Japanese Patent No. 2897186). And a method of reacting an aromatic diamine compound and trimellitic anhydride (for example, a method described in JP-A No. 04-182466).
また、ポリアミドイミドの主鎖にシロキサン構造を導入させてもよい。これにより、接着層20を硬化させて得られる硬化層の弾性率や可とう性等の特性が向上し、さらに乾燥効率等も改善することができる。かかる主鎖にシロキサン構造を有するポリアミドイミドは、イソシアネート法に従って合成可能である。具体的な合成方法としては、例えば、芳香族トリカルボン酸無水物、芳香族ジイソシアネート及びシロキサンジアミン化合物を重縮合させる方法(例えば、特開平05−009254号公報に記載の方法)、芳香族ジカルボン酸又は芳香族トリカルボン酸とシロキサンジアミン化合物とを重縮合させる方法(例えば、特開平06−116517号公報に記載の方法)、芳香族環を3つ以上有するジアミン化合物及びシロキサンジアミンを含む混合物と無水トリメリット酸とを反応させて得られるジイミドジカルボン酸を含む混合物を、芳香族ジイソシアネートと反応させる方法(例えば、特開平06−116517号公報に記載の方法)等が挙げられる。本実施形態においては、上述の公知の方法で合成されるポリアミドイミドを用いても、導体と十分に高い接着性を発現し得る。
A siloxane structure may be introduced into the main chain of polyamideimide. Thereby, the characteristics such as the elastic modulus and flexibility of the cured layer obtained by curing the
さらには、飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドを用いると、導体との接着性が更に向上し、しかも耐湿性が向上するため、吸湿後にも高い接着性を維持し、一層高い耐湿耐熱性が得られる。同様の観点から、上記構造単位が飽和脂環式炭化水素基であるとより好ましい。飽和脂環式炭化水素基を含有するポリアミドイミドは耐湿耐熱性に一層優れ、より高いTgを示す。 Furthermore, use of polyamideimide having a structural unit composed of saturated hydrocarbons further improves the adhesion to the conductor and also improves the moisture resistance, so that it maintains a high adhesion even after moisture absorption, and has a higher moisture and heat resistance. Sex is obtained. From the same viewpoint, the structural unit is more preferably a saturated alicyclic hydrocarbon group. Polyamideimides containing saturated alicyclic hydrocarbon groups are more excellent in moisture and heat resistance and exhibit higher Tg.
飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドは、例えば、飽和炭化水素基を有するジアミン化合物と無水トリメリット酸とを反応させて得られるイミド基含有ジカルボン酸を酸ハロゲン化物を誘導して、または縮合剤を用いて、ジアミン化合物と反応させることにより得られる。あるいは、飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドは、飽和炭化水素基を有するジアミン化合物と無水トリメリット酸とを反応させて得られるイミド基含有ジカルボン酸に、ジイソシアネートを反応させることによっても得られる。同様に、飽和脂環式炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドは、上記の合成法において、ジアミン化合物として飽和脂環式炭化水素基を有するものを用いればよい。 Polyamideimide having a structural unit consisting of a saturated hydrocarbon is, for example, derived from an acid halide derived from an imide group-containing dicarboxylic acid obtained by reacting a diamine compound having a saturated hydrocarbon group with trimellitic anhydride, or It can be obtained by reacting with a diamine compound using a condensing agent. Alternatively, a polyamideimide having a structural unit composed of a saturated hydrocarbon can also be obtained by reacting a diisocyanate with an imide group-containing dicarboxylic acid obtained by reacting a diamine compound having a saturated hydrocarbon group with trimellitic anhydride. It is done. Similarly, the polyamide having a structural unit composed of a saturated alicyclic hydrocarbon may be one having a saturated alicyclic hydrocarbon group as the diamine compound in the above synthesis method.
上述のジアミン化合物としては、例えば下記一般式(6a)又は(6b)で表されるものが挙げられる。
飽和脂環式炭化水素基を有するジアミン化合物としては、2,2−ビス[4−(4−アミノシクロヘキシルオキシ)シクロヘキシル]プロパン、ビス[4−(3−アミノシクロヘキシルオキシ)シクロヘキシル]スルホン、ビス[4−(4−アミノシクロヘキシルオキシ)シクロヘキシル]スルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノシクロヘキシルオキシ)シクロヘキシル]ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(4−アミノシクロヘキシルオキシ)シクロヘキシル]メタン、4,4’−ビス(4−アミノシクロヘキシルオキシ)ジシクロヘキシル、ビス[4−(4−アミノシクロヘキシルオキシ)シクロヘキシル]エーテル、ビス[4−(4−アミノシクロヘキシルオキシ)シクロヘキシル]ケトン、1,3−ビス(4−アミノシクロヘキシルオキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノシクロヘキシルオキシ)ベンゼン、2,2’−ジメチルビシクロヘキシル−4,4’−ジアミン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ジシクロヘキシル−4,4’−ジアミン、2,6,2’,6’−テトラメチル−4,4’−ジアミン、5,5’−ジメチル−2,2’−スルフォニルジシクロヘキシル−4,4’−ジアミン、3,3’−ジヒドロキシジシクロヘキシル−4,4’−ジアミン、(4,4’−ジアミノ)ジシクロヘキシルエーテル、(4,4’−ジアミノ)ジシクロヘキシルスルホン、(4,4’−ジアミノシクロヘキシル)ケトン、(3,3’―ジアミノ)ベンゾフェノン、(4,4’−ジアミノ)ジシクロヘキシルメタン、(4,4’−ジアミノ)ジシクロヘキシルエーテル、(3,3’−ジアミノ)ジシクロヘキシルエーテル、(4,4’−ジアミノ)ジシクロヘキシルメタン、(3,3’−ジアミノ)ジシクロヘキシルエーテル、2,2−ビス(4−アミノシクロヘキシル)プロパン等を例示できる。これらのジアミン化合物は1種を単独で用いてもよく、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、さらに他のジアミン化合物、すなわち飽和炭化水素基を有していないジアミン化合物を併用することもできる。 Examples of the diamine compound having a saturated alicyclic hydrocarbon group include 2,2-bis [4- (4-aminocyclohexyloxy) cyclohexyl] propane, bis [4- (3-aminocyclohexyloxy) cyclohexyl] sulfone, and bis [ 4- (4-aminocyclohexyloxy) cyclohexyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminocyclohexyloxy) cyclohexyl] hexafluoropropane, bis [4- (4-aminocyclohexyloxy) cyclohexyl] methane, 4 , 4′-bis (4-aminocyclohexyloxy) dicyclohexyl, bis [4- (4-aminocyclohexyloxy) cyclohexyl] ether, bis [4- (4-aminocyclohexyloxy) cyclohexyl] ketone, 1,3-bis ( 4-aminocyclohe Siloxy) benzene, 1,4-bis (4-aminocyclohexyloxy) benzene, 2,2′-dimethylbicyclohexyl-4,4′-diamine, 2,2′-bis (trifluoromethyl) dicyclohexyl-4,4 '-Diamine, 2,6,2', 6'-tetramethyl-4,4'-diamine, 5,5'-dimethyl-2,2'-sulfonyldicyclohexyl-4,4'-diamine, 3,3 ' -Dihydroxydicyclohexyl-4,4'-diamine, (4,4'-diamino) dicyclohexyl ether, (4,4'-diamino) dicyclohexylsulfone, (4,4'-diaminocyclohexyl) ketone, (3,3'- Diamino) benzophenone, (4,4′-diamino) dicyclohexylmethane, (4,4′-diamino) dicyclohexyl Examples include ether, (3,3′-diamino) dicyclohexyl ether, (4,4′-diamino) dicyclohexyl methane, (3,3′-diamino) dicyclohexyl ether, 2,2-bis (4-aminocyclohexyl) propane and the like. it can. These diamine compounds may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. Further, other diamine compounds, that is, diamine compounds having no saturated hydrocarbon group can be used in combination.
飽和脂環式炭化水素基を有するジアミン化合物は、例えば、芳香族ジアミン化合物を水素還元することによって容易に得ることが可能である。このような芳香族ジアミン化合物としては、例えば、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(以下、「BAPP」と表記する。)、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ジメチルビフェニル−4,4’−ジアミン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル−4,4’−ジアミン、2,6,2’,6’−テトラメチル−4,4’−ジアミン、5,5’−ジメチル−2,2’−スルフォニルビフェニル−4,4’−ジアミン、3,3’−ジヒドロキシビフェニル−4,4’−ジアミン、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルエーテル、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルスルホン、(4,4’−ジアミノ)ベンゾフェノン、(3,3’―ジアミノ)ベンゾフェノン、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルメタン、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルエーテル、(3,3’―ジアミノ)ジフェニルエーテル等を例示できる。 A diamine compound having a saturated alicyclic hydrocarbon group can be easily obtained, for example, by hydrogen reduction of an aromatic diamine compound. Examples of such aromatic diamine compounds include 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (hereinafter referred to as “BAPP”), bis [4- (3-aminophenoxy). ) Phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl ] Methane, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2′-dimethylbiphenyl-4,4 ′ Diamine, 2,2′-bis (trifluoromethyl) biphenyl-4,4′-diamine, 2,6,2 ′, 6′-tetramethyl-4,4′-diamine, 5,5′-dimethyl-2 , 2′-sulfonylbiphenyl-4,4′-diamine, 3,3′-dihydroxybiphenyl-4,4′-diamine, (4,4′-diamino) diphenyl ether, (4,4′-diamino) diphenylsulfone, (4,4′-diamino) benzophenone, (3,3′-diamino) benzophenone, (4,4′-diamino) diphenylmethane, (4,4′-diamino) diphenyl ether, (3,3′-diamino) diphenyl ether, etc. Can be illustrated.
芳香族ジアミン化合物の水素還元は、芳香環の一般的な還元方法によって可能である。そのような還元方法としては、例えば、ラネーニッケル触媒や酸化白金触媒(D.Varechら、Tetrahedron Letter 26、 61(1985)、R.H.Bakerら、J.Am.Chem.Soc.、69、1250(1947))、 ロジウム−酸化アルミニウム触媒(J.C.Sircarら、J.Org.Chem.、30、3206(1965)、A.I.Meyersら、Organic Synthesis Collective Volume VI、 371(1988)、A.W.Burgstahler、Organic Synthesis Collective Volume V、 591(1973)、 A.J.Briggs、 Synthesis、 1988、 66)、酸化ロジウム−酸化白金触媒(S.Nishimura、Bull.Chem.Soc.Jpn.、34、32(1961)、E.J.Coreyら、J.Am.Chem.Soc.101、1608(1979))、チャコール担持ロジウム触媒(K.Chebaaneら、Bull.Soc.Chim.Fr.、1975、244)、水素化ホウ素ナトリウム−塩化ロジウム系触媒(P.G.Gassmanら、Organic Synthesis Collective Volume VI、 581(1988)、P.G.Gassmanら、Organic Synthesis Collective Volume VI、 601(1988))などの触媒の存在下での水素還元等が挙げられる。 Hydrogen reduction of an aromatic diamine compound can be performed by a general method for reducing an aromatic ring. Examples of such reduction methods include Raney nickel catalysts and platinum oxide catalysts (D. Varech et al., Tetrahedron Letter 26, 61 (1985), RH Baker et al., J. Am. Chem. Soc., 69, 1250. (1947)), rhodium-aluminum oxide catalyst (JC Sircar et al., J. Org. Chem., 30, 3206 (1965), AI Meyers et al., Organic Synthesis Volume VI, 371 (1988), A. W. Burgstahler, Organic Synthesis Collective Volume V, 591 (1973), A. J. Briggs, Synthesis, 1988, 66), Rozi oxide. -Platinum oxide catalyst (S. Nishimura, Bull. Chem. Soc. Jpn., 34, 32 (1961), EJ Corey et al., J. Am. Chem. Soc. 101, 1608 (1979)), charcoal supported Rhodium catalyst (K. Chebaane et al., Bull. Soc. Chim. Fr., 1975, 244), sodium borohydride-rhodium chloride catalyst (PG Gasman et al., Organic Synthesis Volume VI, 581 (1988), P. G. Gassman et al., Organic Synthesis Collective Volume VI, 601 (1988)) and the like.
本発明において好適に用いられるポリアミドイミドは、ジアミン化合物として、上述したジアミン化合物に加えて下記一般式(8)で表されるジアミン化合物を用いることによって合成することができる。
R8及びR9はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基又は置換していてもよいフェニル基であると好ましい。フェニル基に結合していてもよい置換基としては、炭素数1〜3のアルキル基、ハロゲン原子等を例示できる。一般式(8)で表されるジアミン化合物において、低弾性率及び高Tgを両立する観点から、L4がオキシ基であることが特に好ましい。このようなジアミン化合物としては、ジェファーミンD−400、ジェファーミンD−2000(以上、サンテクノケミカル社製、商品名)等を例示できる。 R 8 and R 9 are each independently preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an optionally substituted phenyl group. Examples of the substituent which may be bonded to the phenyl group include an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and a halogen atom. In the diamine compound represented by the general formula (8), L 4 is particularly preferably an oxy group from the viewpoint of achieving both a low elastic modulus and a high Tg. Examples of such a diamine compound include Jeffamine D-400, Jeffamine D-2000 (manufactured by Sun Techno Chemical Co., Ltd., trade name), and the like.
本発明において好適に用いられるポリアミドイミドは、上述のような特定の飽和炭化水素基を有するジアミン化合物から得られることに起因して、耐吸水性又は撥水性が従来のポリアミドイミドと比較して極めて高くなる。特に、脂環式飽和炭化水素基を有するジアミン化合物から得られる、脂環式飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドを、後述の熱硬化性樹脂組成物の構成材料として用い、本実施形態の接着層付き回路基板を形成すると、かかる接着層付き内層銅箔回路基板から得られる多層プリント配線板は、例えば芳香環を有するポリアミドイミドを含有する樹脂組成物を構成材料に用いた場合に比べて、吸湿時の接着性が低下し難くなる。 The polyamideimide suitably used in the present invention is extremely superior in water absorption resistance or water repellency compared to conventional polyamideimides because it is obtained from a diamine compound having a specific saturated hydrocarbon group as described above. Get higher. In particular, this embodiment uses a polyamideimide having a structural unit made of an alicyclic saturated hydrocarbon, obtained from a diamine compound having an alicyclic saturated hydrocarbon group, as a constituent material of a thermosetting resin composition described later. When the circuit board with an adhesive layer is formed, the multilayer printed wiring board obtained from the inner layer copper foil circuit board with the adhesive layer is, for example, compared with the case where a resin composition containing a polyamideimide having an aromatic ring is used as a constituent material. Thus, the adhesiveness at the time of moisture absorption is difficult to be lowered.
さらに好ましくは、本発明に係るポリアミドイミドが、飽和炭化水素基を有するジアミン化合物に芳香族ジアミン化合物を併用して合成することができる。そのような芳香族ジアミン化合物としては、下記一般式(9a)、(9b)で表されるものを例示できる。
式(9a)、(9b)中、L5はハロゲン置換されていてもよい炭素数1〜3の2価の脂肪族炭化水素基、スルホニル基、オキシ基、カルボニル基、単結合又は下記式(10a)又は(10b)で表される2価の基を示し、L6はハロゲン置換されていてもよい炭素数1〜3の2価の脂肪族炭化水素基、スルホニル基、オキシ基又はカルボニル基を示し、R10、R11及びR12は、それぞれ独立に水素原子、水酸基、メトキシ基、ハロゲン置換されていてもよいメチル基を示す。
より具体的には、芳香環に2つのアミノ基が直接結合している化合物、及び2つ以上の芳香環が直接又は一つの基を介して結合しているジアミンであれば特に制限はないが、例えば、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ジメチルビフェニル−4,4’−ジアミン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル−4,4’−ジアミン、2,6,2’,6’−テトラメチル−4,4’−ジアミン、5,5’−ジメチル−2,2’−スルフォニルビフェニル−4,4’−ジアミン、3,3’−ジヒドロキシビフェニル−4,4’−ジアミン、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルエーテル、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルスルホン、(4,4’−ジアミノ)ベンゾフェノン、(3,3’―ジアミノ)ベンゾフェノン、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルメタン、(4,4’−ジアミノ)ジフェニルエーテル、(3,3’―ジアミノ)ジフェニルエーテル等が挙げられる。これらの芳香族ジアミン化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの芳香族ジアミン化合物を上述のジアミン化合物と併用して得られる接着層の熱硬化性樹脂組成物は、更にTgが向上し、耐熱性を改良することが可能となる。 More specifically, the compound is not particularly limited as long as it is a compound in which two amino groups are directly bonded to an aromatic ring, and a diamine in which two or more aromatic rings are bonded directly or via one group. For example, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP), bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] Sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, 1,3-bis (4-aminophenoxy) , 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2′-dimethylbiphenyl-4,4′-diamine, 2,2′-bis (trifluoromethyl) biphenyl-4,4′-diamine, 2,6,2 ′, 6′-tetramethyl-4,4′-diamine, 5,5′-dimethyl-2,2′-sulfonylbiphenyl-4,4′-diamine, 3,3′-dihydroxybiphenyl- 4,4′-diamine, (4,4′-diamino) diphenyl ether, (4,4′-diamino) diphenylsulfone, (4,4′-diamino) benzophenone, (3,3′-diamino) benzophenone, (4 , 4′-diamino) diphenylmethane, (4,4′-diamino) diphenyl ether, (3,3′-diamino) diphenyl ether, and the like. These aromatic diamine compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. The thermosetting resin composition of the adhesive layer obtained by using these aromatic diamine compounds in combination with the above-described diamine compound can further improve Tg and improve heat resistance.
さらには、ジアミン化合物として、下記一般式(11)で表されるシロキサンジアミンを併用してもよい。
かかるシロキサンジアミンとしては、ジメチルシロキサンの両末端にアミノ基が結合したものを用いることが特に好ましい。これらのシロキサンジアミンは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。一般式(11)で表されるシロキサンジアミンは、シリコーンオイルX−22−161AS(アミン当量450)、X−22−161A(アミン当量840)、X−22−161B(アミン当量1500)、X−22−9409(アミン当量700)、X−22−1660B−3(アミン当量2200)(以上、信越化学工業社製、商品名)、BY16−853(アミン当量650)、BY16−853B(アミン当量2200)、(以上、東レダウコーニングシリコーン社製、商品名)等として商業的に入手可能である。 As such a siloxane diamine, it is particularly preferable to use one having amino groups bonded to both ends of dimethylsiloxane. These siloxane diamines may be used alone or in combination of two or more. Siloxane diamines represented by general formula (11) are silicone oil X-22-161AS (amine equivalent 450), X-22-161A (amine equivalent 840), X-22-161B (amine equivalent 1500), X- 22-9409 (amine equivalent 700), X-22-1660B-3 (amine equivalent 2200) (above, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name), BY16-853 (amine equivalent 650), BY16-853B (amine equivalent 2200) ), (Above, manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd., trade name) and the like.
上述のシロキサンジアミンを原料として用いることにより得られるポリアミドイミドは、主鎖にシロキサン構造を有するようになるため、可とう性が向上し、また、高温条件下における膨れ等の発生を大幅に低減させることができる。 Polyamideimide obtained by using the above-mentioned siloxane diamine as a raw material has a siloxane structure in the main chain, so the flexibility is improved and the occurrence of swelling and the like under high temperature conditions is greatly reduced. be able to.
本実施形態に係るポリアミドイミドを得るには、例えば、まず、上記ジアミン化合物のアミノ基を無水トリメリット酸のカルボキシル基又は無水カルボキシル基と反応させる。この際、上記アミノ基が無水カルボキシル基と反応すると好ましい。かかる反応は、両化合物を非プロトン性極性溶媒に溶解又は分散させて、70〜100℃で行うことができる。非プロトン性極性溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、シクロヘキサノン等を例示でき、これらのなかでもNMPが特に好ましい。これらの非プロトン性極性溶媒は、1種を単独でも用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In order to obtain the polyamideimide according to the present embodiment, for example, first, the amino group of the diamine compound is reacted with the carboxyl group or the anhydrous carboxyl group of trimellitic anhydride. At this time, it is preferable that the amino group reacts with an anhydrous carboxyl group. Such a reaction can be carried out at 70 to 100 ° C. by dissolving or dispersing both compounds in an aprotic polar solvent. Examples of the aprotic polar solvent include N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), γ-butyrolactone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, sulfolane, and cyclohexanone. Of these, NMP is particularly preferable. These aprotic polar solvents may be used alone or in combination of two or more.
上述の非プロトン性極性溶媒は、該非プロトン性極性溶媒、ジアミン化合物及び無水トリメリット酸を含有する溶液の全重量に対して、固形分が10〜70質量%となる量であると好ましく、20〜60質量%となる量であるとより好ましい。この溶液中の固形分が10質量%未満となる場合、溶媒の使用量が多いため工業的に不利となる傾向にあり、70質量%を超えると、無水トリメリット酸の溶解性が低下し、充分な反応を行うことが困難となる傾向にある。 The aprotic polar solvent described above is preferably an amount such that the solid content is 10 to 70% by mass with respect to the total weight of the solution containing the aprotic polar solvent, the diamine compound and trimellitic anhydride, It is more preferable in it being the quantity used as -60 mass%. When the solid content in the solution is less than 10% by mass, the amount of the solvent used tends to be industrially disadvantageous, and when it exceeds 70% by mass, the solubility of trimellitic anhydride decreases, It tends to be difficult to perform a sufficient reaction.
次いで、上記反応後の溶液中に水と共沸可能な芳香族炭化水素を添加し、150〜200℃で更に反応させて脱水閉環反応を生じさせることにより、イミド基含有ジカルボン酸を得ることができる。水と共沸可能な芳香族炭化水素としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、エチルベンゼン等を例示でき、トルエンを用いることが好ましい。かかる芳香族炭化水素は、非プロトン性極性溶媒100質量部に対して、10〜50質量部に相当する量を添加されることが好ましい。芳香族炭化水素の添加量が、非プロトン性極性溶媒100質量部に対して10質量部未満である場合、水の除去効果が不十分となる傾向にあり、イミド基含有ジカルボン酸の生成量が減少する傾向にある。また、50質量部を超えると、反応温度が低下し、イミド基含有ジカルボン酸の生成量が減少する傾向にある。 Subsequently, an imide group-containing dicarboxylic acid can be obtained by adding an aromatic hydrocarbon azeotropic with water to the solution after the above reaction and further reacting at 150 to 200 ° C. to cause a dehydration cyclization reaction. it can. Examples of aromatic hydrocarbons that can be azeotroped with water include toluene, benzene, xylene, and ethylbenzene, and it is preferable to use toluene. The aromatic hydrocarbon is preferably added in an amount corresponding to 10 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the aprotic polar solvent. When the addition amount of the aromatic hydrocarbon is less than 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the aprotic polar solvent, the water removal effect tends to be insufficient, and the amount of imide group-containing dicarboxylic acid produced is small. It tends to decrease. Moreover, when it exceeds 50 mass parts, reaction temperature will fall and it exists in the tendency for the production amount of imide group containing dicarboxylic acid to reduce.
また、脱水閉環反応中に、水と同時に溶液中の芳香族炭化水素も留出することにより、その芳香族炭化水素量が上述の好適な範囲よりも少なくなる場合があるため、例えば、コック付きの水分定量受器中に留出した芳香族炭化水素を水と分離した後に反応溶液中に戻す等して、芳香族炭化水素量を一定割合に保つことが好ましい。なお、脱水閉環反応の終了後には、溶液の温度を150〜200℃程度に保持して水と共沸可能な芳香族炭化水素を除去しておくことが好ましい。 Further, during the dehydration and ring closure reaction, the aromatic hydrocarbon in the solution is distilled off simultaneously with water, so that the amount of the aromatic hydrocarbon may be less than the above preferred range. It is preferable to keep the amount of aromatic hydrocarbons at a constant ratio, for example, by separating the aromatic hydrocarbons distilled in the moisture determination receiver into water and then returning them to the reaction solution. In addition, after completion | finish of a spin-drying | dehydration ring-closing reaction, it is preferable to remove the aromatic hydrocarbon which can be azeotroped with water, keeping the temperature of a solution at about 150-200 degreeC.
上述のようにして得られるイミド基含有ジカルボン酸は、例えば、下記一般式(12)で表される化合物が好適である。
本実施形態において好適に用いられるポリアミドイミドは、上述したようなイミド基含有ジカルボン酸を酸ハロゲン化物に誘導し、上記ジアミン化合物と共重合させて製造することができる。イミド基含有ジカルボン酸は、塩化チオニルや三塩化リン、五塩化リン、ジクロロメチルメチルエーテルとの反応により容易に酸ハロゲン化物に誘導され、得られるイミド基含有ジカルボン酸のハロゲン化物は室温若しくは加熱条件下で容易に上記ジアミン化合物と共重合させることができる。 The polyamideimide suitably used in the present embodiment can be produced by inducing an imide group-containing dicarboxylic acid as described above into an acid halide and copolymerizing it with the diamine compound. The imide group-containing dicarboxylic acid is easily derived into an acid halide by reaction with thionyl chloride, phosphorus trichloride, phosphorus pentachloride, or dichloromethyl methyl ether, and the resulting imide group-containing dicarboxylic acid halide is at room temperature or under heating conditions. It can be easily copolymerized with the diamine compound below.
また、本実施形態において好適に用いられるポリアミドイミドは、上述したようなイミド基含有ジカルボン酸を縮合剤の存在下、上記ジアミン化合物と共重合させて製造することができる。かかる反応において、縮合剤としては、アミド結合を形成する一般的な縮合剤を用いることができるが、特にジシクロヘキシルカルボジイミド、ジイソプロピルカルボジイミド若しくはN−エチル−N’−3−ジメチルアミノプロピルカルボジイミドを単独で、又はN−ヒドロキシスクシンイミド若しくは1−ヒドロキシベンゾトリアゾールと併用することが好ましい。 Moreover, the polyamideimide suitably used in this embodiment can be produced by copolymerizing the imide group-containing dicarboxylic acid as described above with the diamine compound in the presence of a condensing agent. In such a reaction, a general condensing agent that forms an amide bond can be used as the condensing agent, and in particular, dicyclohexylcarbodiimide, diisopropylcarbodiimide, or N-ethyl-N′-3-dimethylaminopropylcarbodiimide alone. Or it is preferable to use together with N-hydroxysuccinimide or 1-hydroxybenzotriazole.
さらに、本実施形態のポリアミドイミドは、上述したように、上記イミド基含有ジカルボン酸を酸ハロゲン化物に誘導した後、ジイソシアネートを反応させて得ることができる。かかる反応を経由する場合、(ジアミン化合物:無水トリメリット酸:ジイソシアネート)は、モル比で1.0:(2.0〜2.2):(1.0〜1.5)の範囲であることが好ましく、1.0:(2.0〜2.2):(1.0〜1.3)の範囲であることがより好ましい。反応の際、これらの化合物のモル比を上記範囲内とすることにより、より高分子量でフィルム形成に有利なポリアミドイミドを得ることが可能となる。 Furthermore, as described above, the polyamideimide of this embodiment can be obtained by reacting diisocyanate after derivatizing the imide group-containing dicarboxylic acid into an acid halide. When going through such a reaction, (diamine compound: trimellitic anhydride: diisocyanate) is in the range of 1.0: (2.0-2.2) :( 1.0-1.5) in molar ratio. It is preferable that the ratio is in the range of 1.0: (2.0 to 2.2) :( 1.0 to 1.3). In the reaction, by setting the molar ratio of these compounds within the above range, it is possible to obtain a polyamideimide having a higher molecular weight and advantageous for film formation.
ポリアミドイミドの合成の際に用いるジイソシアネートとしては、下記一般式(13)で表される化合物を例示できる。
式(13)中、L9は1つ以上の芳香環を有する2価の有機基、又は、2価の脂肪族炭化水素基であり、下記式(14a)で表される基、下記式(14b)で表される基、トリレン基、ナフチレン基、ヘキサメチレン基及び2,2,4−トリメチルヘキサメチレン基からなる群より選ばれる基であることが好ましい。
一般式(13)で表されるジイソシアネートとしては、脂肪族ジイソシアネート又は芳香族ジイソシアネートを用いることができるが、芳香族ジイソシアネートを用いることが好ましく、両者を併用することが特に好ましい。芳香族ジイソシアネートとしては、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−1,5−ジイソシアネート、2,4−トリレンダイマー等を例示でき、MDIを用いることが特に好ましい。芳香族ジイソシアネートとしてMDIを用いることにより、得られるポリアミドイミドの可とう性を向上させ、結晶性を低減させることができるので、ポリアミドイミドのフィルム形成性を向上させることができる。脂肪族ジイソシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等を例示できる。 As the diisocyanate represented by the general formula (13), aliphatic diisocyanate or aromatic diisocyanate can be used, but it is preferable to use aromatic diisocyanate, and it is particularly preferable to use both in combination. Aromatic diisocyanates include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, naphthalene-1,5-diisocyanate, 2,4-tolylene dimer, and the like. As an example, it is particularly preferable to use MDI. By using MDI as the aromatic diisocyanate, the flexibility of the resulting polyamideimide can be improved and the crystallinity can be reduced, so that the film formability of the polyamideimide can be improved. Examples of the aliphatic diisocyanate include hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, and isophorone diisocyanate.
芳香族ジイソシアネート及び脂肪族ジイソシアネートを併用する場合は、脂肪族ジイソシアネートを芳香族ジイソシアネート100モル部に対して5〜10モル部程度添加することが好ましい、これにより、得られるポリアミドイミドの耐熱性を更に向上させることができる。 When aromatic diisocyanate and aliphatic diisocyanate are used in combination, it is preferable to add aliphatic diisocyanate in an amount of about 5 to 10 parts by mole with respect to 100 parts by mole of aromatic diisocyanate, thereby further improving the heat resistance of the resulting polyamideimide. Can be improved.
イミド基含有ジカルボン酸とジイソシアネートとの反応は、イミド基含有ジカルボン酸を含む溶液中にジイソシアネートを添加することにより、反応温度130〜200℃で行うことができる。塩基性触媒を用いる場合は、この反応を70〜180℃で行うことが好ましく、120〜150℃で行うことがより好ましい。塩基性触媒の存在下でかかる反応を行う場合は、塩基性触媒の不在下で反応を行う場合に比べて、より低い温度でこの反応を進行させることが可能となるため、高温条件下におけるジイソシアネート同士の反応等の副反応の進行を抑制でき、更に高分子量のポリアミドイミド化合物を得ることが可能となる。 The reaction between the imide group-containing dicarboxylic acid and the diisocyanate can be performed at a reaction temperature of 130 to 200 ° C. by adding the diisocyanate to a solution containing the imide group-containing dicarboxylic acid. When a basic catalyst is used, this reaction is preferably performed at 70 to 180 ° C, more preferably 120 to 150 ° C. When such a reaction is performed in the presence of a basic catalyst, the reaction can proceed at a lower temperature than when the reaction is performed in the absence of a basic catalyst. The progress of side reactions such as reaction between each other can be suppressed, and a high molecular weight polyamideimide compound can be obtained.
かかる塩基性触媒としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリ(2−エチルへキシル)アミン、トリオクチルアミン等のトリアルキルアミンが例示できる。なかでもトリエチルアミンは、上述の反応を促進できる好適な塩基性触媒であり、かつ反応後の系内からの除去が容易であることから特に好ましい。 Examples of such basic catalysts include trialkylamines such as trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tri (2-ethylhexyl) amine, and trioctylamine. Among these, triethylamine is particularly preferable because it is a suitable basic catalyst capable of promoting the above-described reaction and can be easily removed from the system after the reaction.
上記反応により得られるポリアミドイミドは、下記一般式(15)で表される構造単位を有している。なお式中、L8、L9は、上述のL8、L9と同義である。
上述のようにして得られたポリアミドイミドの重量平均分子量(Mw)は、20000〜300000であると好ましく、30000〜200000であるとより好ましく、40000〜150000であると特に好ましい。なお、ここでいうMwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定を行い、標準ポリスチレンを用いて作成した検量線により換算したものである。 The weight average molecular weight (Mw) of the polyamideimide obtained as described above is preferably 20000 to 300000, more preferably 30000 to 200000, and particularly preferably 40000 to 150,000. In addition, Mw here is measured by gel permeation chromatography and converted by a calibration curve created using standard polystyrene.
<(B)成分>
(B)成分であるアミド反応性不飽和化合物は、熱等を加えることにより(A)成分であるポリアミドイミドのアミド基と反応し得る官能基を有するものであり、エチレン性不飽和結合を有していれば特に限定されない。具体的には、例えば、エチレン性不飽和結合を有するエポキシ化合物、エチレン性不飽和結合を有するオキセタン化合物等が挙げられ、エチレン性不飽和結合を有するエポキシ化合物を用いると好ましい。
<(B) component>
The amide-reactive unsaturated compound (B) has a functional group that can react with the amide group of the polyamide-imide (A) by applying heat or the like, and has an ethylenically unsaturated bond. If it does, it will not specifically limit. Specific examples include an epoxy compound having an ethylenically unsaturated bond, an oxetane compound having an ethylenically unsaturated bond, and the like, and an epoxy compound having an ethylenically unsaturated bond is preferably used.
かかるエチレン性不飽和結合を有するエポキシ化合物としては、ビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基等のエチレン性不飽和基を1つ以上有するエポキシ樹脂であれば特に限定されない。具体的には、エチレン性不飽和基を有するポリブタジエン変性エポキシ化合物、1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキサン等のビニル基を有する脂環式エポキシ樹脂、グリシジルメタクリレート(GMA)、メチルグリシジルメタクリレート(M−GMA)、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート等のアクリル基又はメタクリル基を有するエポキシ化合物等を例示できる。これらのなかでも、エチレン性不飽和基を有するポリブタジエン変性エポキシ化合物が好適に用いられる。 The epoxy compound having such an ethylenically unsaturated bond is not particularly limited as long as it is an epoxy resin having one or more ethylenically unsaturated groups such as a vinyl group, an allyl group, an acrylic group, and a methacryl group. Specifically, a polybutadiene-modified epoxy compound having an ethylenically unsaturated group, an alicyclic epoxy resin having a vinyl group such as 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane, glycidyl methacrylate (GMA), methyl glycidyl methacrylate (M -GMA), 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, and other epoxy compounds having an acrylic group or a methacryl group. Among these, a polybutadiene-modified epoxy compound having an ethylenically unsaturated group is preferably used.
上述のポリブタジエン変性エポキシ化合物としては、1,2−ポリブタジエン構造及び/又は1,4−ポリブタジエン構造を有する化合物のエチレン性不飽和基の一部をエポキシ化して得られるポリブタジエン変性エポキシ化合物(以下、「第1の変性エポキシ化合物」という。)、あるいは、オキシラン環と反応する、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、アミド基、アミノ基、イミノ基又は上記式(III)で表される基などの基を有する変性ポリブタジエンと、2つ以上のオキシラン環を有する多官能エポキシ化合物とを反応させて得られるポリブタジエン変性エポキシ化合物(以下、「第2の変性エポキシ化合物」という。)等が挙げられる。そのような化合物のうち、分子中の末端又は側鎖にビニル基を一つ以上有するポリブタジエン変性エポキシ化合物を用いると、特に好ましい。 Examples of the polybutadiene-modified epoxy compound include a polybutadiene-modified epoxy compound obtained by epoxidizing a part of an ethylenically unsaturated group of a compound having a 1,2-polybutadiene structure and / or a 1,4-polybutadiene structure (hereinafter referred to as “ A first modified epoxy compound "), or a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, a carboxyl group, an amide group, an amino group, an imino group, or a group represented by the above formula (III), which reacts with an oxirane ring. And a polybutadiene-modified epoxy compound (hereinafter referred to as “second modified epoxy compound”) obtained by reacting a modified polybutadiene having the above group with a polyfunctional epoxy compound having two or more oxirane rings. Among such compounds, it is particularly preferable to use a polybutadiene-modified epoxy compound having one or more vinyl groups at the terminal or side chain in the molecule.
第1の変性エポキシ化合物の具体例としては、上記一般式(1)若しくは(2)で表される化合物、又は上記一般式(5)で表される構造単位を有する化合物が挙げられる。式(1)で表されるエポキシ化合物としては、BF−1000(日本曹達社製、商品名)等、式(2)で表されるエポキシ化合物としては、PB3600(ダイセル化学工業社製、商品名)等、式(5)で表される構造単位を有するエポキシ化合物としては、A1005、A1010、A1020(以上、ダイセル化学工業社製、商品名)等を商業的に入手可能である。 Specific examples of the first modified epoxy compound include a compound represented by the general formula (1) or (2) or a compound having a structural unit represented by the general formula (5). Examples of the epoxy compound represented by the formula (1) include BF-1000 (trade name, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.). Examples of the epoxy compound represented by the formula (2) include PB3600 (trade name, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.). As the epoxy compound having the structural unit represented by the formula (5), A1005, A1010, A1020 (above, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., trade name) and the like are commercially available.
第2の変性エポキシ化合物の具体例としては、上記一般式(3)で示されるような、カルボキシル基を有するポリブタジエンとビスフェノールA型エポキシ樹脂とを反応させて得られるエポキシ化合物が例示できる。このような第2の変性エポキシ化合物としては、EPB−13(日本曹達社製、商品名)を、商業的に入手できる。 Specific examples of the second modified epoxy compound include an epoxy compound obtained by reacting a polybutadiene having a carboxyl group and a bisphenol A type epoxy resin as represented by the general formula (3). As such a second modified epoxy compound, EPB-13 (trade name, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) is commercially available.
第2の変性エポキシ化合物は、多官能エポキシ化合物としてビスフェノールA型エポキシ樹脂の他に、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、アラルキレン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニル−アラルキレン骨格エポキシ樹脂、フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、低級アルキル基置換フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、多官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂及び多官能脂環式エポキシ樹脂等を用いて得られるポリブタジエン変性エポキシ化合物であってもよい。 The second modified epoxy compound is a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, a brominated bisphenol A type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin or a phenol novolac type as a polyfunctional epoxy compound. Epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, brominated phenol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, naphthalene skeleton containing epoxy resin, aralkylene skeleton containing epoxy resin, biphenyl-aralkylene skeleton epoxy resin, phenol salicylaldehyde novolak type epoxy resin , Lower alkyl group-substituted phenol salicylaldehyde novolak type epoxy resin, dicyclopentadiene skeleton-containing epoxy resin, polyfunctional glycidyl Amine type epoxy resin and a polyfunctional alicyclic epoxy resin may be a polybutadiene-modified epoxy compound obtained by using the.
また、本実施形態に係るアミド反応性不飽和化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Moreover, the amide reactive unsaturated compound which concerns on this embodiment may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
接着層20の構成材料である熱硬化性樹脂組成物において、(B)成分の配合割合は、(A)成分100質量部に対して、5〜200質量部の範囲とすると好ましく、7〜80質量部とするとより好ましく、10〜50質量部とすると更に好ましい。(B)成分であるアミド反応性不飽和化合物の配合割合が5質量部未満であると、かかる配合割合の(B)成分を採用して得られる接着層付き回路基板100において、接着層20の熱硬化性、及び接着層20と絶縁樹脂層との反応性が低下するため、得られる多層プリント配線板において、硬化層内や、絶縁樹脂層と硬化層との界面近傍での耐熱性、耐薬品性及び破壊強度が低下する傾向にある。また、200質量部を超えると、接着層20と導体回路14との接着性が低下する傾向にあり、得られる多層プリント配線板においても、硬化層の靭性が低下する傾向にある。
In the thermosetting resin composition which is a constituent material of the
本実施形態の接着層付き回路基板100において、接着層20の構成材料である熱硬化性樹脂組成物は、(A)成分のポリアミドイミドのアミド基と(B)成分のアミド反応性不飽和化合物との反応を促進させるような触媒機能を有する硬化促進剤を更に含有していると好ましい。具体的には、硬化促進剤として、アミン化合物、イミダゾール化合物、有機リン化合物、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、第四級アンモニウム塩等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの硬化促進剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
In the
熱硬化性樹脂組成物における硬化促進剤の配合割合は、(B)成分であるアミド反応性不飽和化合物の配合割合に応じて決定することができ、(B)成分100質量部に対して、0.05〜10質量部とすることが好ましい。この数値範囲内で硬化促進剤を配合すると、適切な反応速度が得られ、しかも接着層20の熱硬化性樹脂組成物が反応性、硬化性に一層優れるようになるため、得られる硬化層が、より優れた耐薬品性、耐熱性及び/又は耐湿耐熱性を備えるようになる。
The blending ratio of the curing accelerator in the thermosetting resin composition can be determined according to the blending ratio of the amide-reactive unsaturated compound that is the component (B), and with respect to 100 parts by weight of the component (B), It is preferable to set it as 0.05-10 mass parts. When a curing accelerator is blended within this numerical range, an appropriate reaction rate can be obtained, and the thermosetting resin composition of the
また、接着層20の構成材料である熱硬化性樹脂組成物には、接着層20中の(B)成分同士の架橋反応の促進、及び多層プリント配線版を製造する際に接着層20上に形成される絶縁樹脂層中の不飽和結合を有する化合物と、接着層20中の(B)成分との架橋反応の促進のために、(E)成分;ラジカル重合開始剤を更に含有していると好ましい。
In addition, the thermosetting resin composition, which is a constituent material of the
具体的には、ラジカル重合開始剤として、ジクミルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、2,5−ジメチルヘキサン−2,5−ジハイドロパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、ジ−t−ブチルパーオキサイド、α,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、ジ−t−ブチルパーオキシイソフタレート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)ブタン、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)オクタン、2,5−ジメチル−2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、ビス(t−ブチルパーオキシ)イソフタレート、イソブチリルパーオキサイド、ジ(トリメチルシリル)パーオキサイド、トリメチルシリルトリフェニルシリルパーオキサイド等の過酸化物、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、ベンゾインメチルエーテル、メチル−o−ベンゾイルベンゾエート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらのラジカル重合開始剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Specifically, as a radical polymerization initiator, dicumyl peroxide, t-butylcumyl peroxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, 2,5-dimethylhexane-2,5-dihydroperoxide, 2, 5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexyne-3, di-t-butyl peroxide, α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, 2,5-dimethyl- 2,5-bis (t-butylperoxy) hexane, di-t-butylperoxyisophthalate, t-butylperoxybenzoate, 2,2-bis (t-butylperoxy) butane, 2,2-bis (T-butylperoxy) octane, 2,5-dimethyl-2,5-di (benzoylperoxy) hexane, bis (t -Butylperoxy) isophthalate, isobutyryl peroxide, di (trimethylsilyl) peroxide, trimethylsilyltriphenylsilyl peroxide and other peroxides, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, Examples include, but are not limited to, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, benzoin methyl ether, methyl-o-benzoylbenzoate, and the like. Moreover, these radical polymerization initiators may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
熱硬化性樹脂組成物におけるラジカル重合開始剤の配合割合は、(B)成分の配合割合に応じて決定することができ、(B)成分100質量部に対して、0.5〜10質量部とすることが好ましい。この数値範囲内でラジカル重合開始剤を配合すると、適切な反応速度が得られ、しかも接着層20の熱硬化性樹脂組成物が反応性、硬化性に一層優れるようになるため、得られる硬化層の破壊強度や金属箔引き剥がし強さが高くなり、耐薬品性、耐熱性及び耐湿耐熱性に優れるようになる。
The blending ratio of the radical polymerization initiator in the thermosetting resin composition can be determined according to the blending ratio of the component (B), and 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (B). It is preferable that When a radical polymerization initiator is blended within this numerical range, an appropriate reaction rate is obtained, and the thermosetting resin composition of the
また、接着層20の構成成分である熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて難燃剤、充填剤等の各種添加剤を、多層プリント配線板とした際の耐熱性、接着性、耐吸湿性等の特性を悪化させない範囲の配合量で、更に配合してもよい。
In addition, the thermosetting resin composition that is a constituent component of the
上記難燃剤としては特に限定されないが、臭素系、リン系、金属水酸化物等の難燃剤が好適に用いられる。より具体的には、臭素系難燃剤としては、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂及び臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の臭素化エポキシ樹脂、ヘキサブロモベンゼン、ペンタブロモトルエン、エチレンビス(ペンタブロモフェニル)、エチレンビステトラブロモフタルイミド、1,2−ジブロモ−4−(1,2−ジブロモエチル)シクロヘキサン、テトラブロモシクロオクタン、ヘキサブロモシクロドデカン、ビス(トリブロモフェノキシ)エタン、臭素化ポリフェニレンエーテル、臭素化ポリスチレン及び2,4,6−トリス(トリブロモフェノキシ)−1,3,5−トリアジン等の臭素化添加型難燃剤、トリブロモフェニルマレイミド、トリブロモフェニルアクリレート、トリブロモフェニルメタクリレート、テトラブロモビスフェノールA型ジメタクリレート、ペンタブロモベンジルアクリレート及び臭素化スチレン等の不飽和二重結合含有の臭素化反応型難燃剤が挙げられる。 Although it does not specifically limit as said flame retardant, Flame retardants, such as a bromine type | system | group, a phosphorus type | system | group, and a metal hydroxide, are used suitably. More specifically, brominated flame retardants include brominated epoxy resins such as brominated bisphenol A type epoxy resin and brominated phenol novolac type epoxy resin, hexabromobenzene, pentabromotoluene, ethylenebis (pentabromophenyl). , Ethylenebistetrabromophthalimide, 1,2-dibromo-4- (1,2-dibromoethyl) cyclohexane, tetrabromocyclooctane, hexabromocyclododecane, bis (tribromophenoxy) ethane, brominated polyphenylene ether, brominated Brominated flame retardants such as polystyrene and 2,4,6-tris (tribromophenoxy) -1,3,5-triazine, tribromophenyl maleimide, tribromophenyl acrylate, tribromophenyl methacrylate, tetrabromide Bisphenol A dimethacrylate, unsaturated double bonds brominated reactive flame retardants containing such pentabromobenzylacrylate and brominated styrene.
リン系難燃剤しては、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、クレジルジ−2,6−キシレニルホスフェート及びレゾルシノールビス(ジフェニルホスフェート)等の芳香族系リン酸エステル、フェニルホスホン酸ジビニル、フェニルホスホン酸ジアリル及びフェニルホスホン酸ビス(1−ブテニル)等のホスホン酸エステル、ジフェニルホスフィン酸フェニル、ジフェニルホスフィン酸メチル、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド誘導体等のホスフィン酸エステル、ビス(2−アリルフェノキシ)ホスファゼン、ジクレジルホスファゼン等のホスファゼン化合物、リン酸メラミン、ピロリン酸メラミン、ポリリン酸メラミン、ポリリン酸メラム、ポリリン酸アンモニウム及び赤リン等のリン系難燃剤を例示できる。また、金属水酸化物難燃剤としては水酸化マグネシウムや水酸化アルミニウム等が例示される。 Phosphorus flame retardants include aromatic phosphorus such as triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, trixylenyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, cresyl di-2,6-xylenyl phosphate and resorcinol bis (diphenyl phosphate) Acid esters, phosphonic acid esters such as divinyl phenylphosphonate, diallyl phenylphosphonate and bis (1-butenyl) phenylphosphonate, phenyl diphenylphosphinate, methyl diphenylphosphinate, 9,10-dihydro-9-oxa-10- Phosphinates such as phosphaphenanthrene-10-oxide derivatives, phosphazene compounds such as bis (2-allylphenoxy) phosphazene and dicresylphosphazene, melamine phosphate, melamine pyrophosphate, Melamine phosphate, melam polyphosphate, phosphorus-based flame retardant ammonium polyphosphate and red phosphorus and the like. Examples of the metal hydroxide flame retardant include magnesium hydroxide and aluminum hydroxide.
上述の難燃剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The above flame retardants may be used alone or in combination of two or more.
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物における難燃剤の配合割合は特に限定されるものではないが、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部に対して、5〜150質量部とすると好ましく、5〜80質量部とするとより好ましく、5〜60質量部とすると更に好ましい。難燃剤の配合割合が5質量部未満であると耐燃性が不十分となる傾向にあり、100質量部を超えると硬化させた接着層の耐熱性が低下する傾向にある。 The blending ratio of the flame retardant in the thermosetting resin composition according to the present embodiment is not particularly limited, but is 5 to 150 mass with respect to 100 mass parts of the total amount of the (A) component and the (B) component. Parts, preferably 5 to 80 parts by mass, more preferably 5 to 60 parts by mass. When the blending ratio of the flame retardant is less than 5 parts by mass, the flame resistance tends to be insufficient, and when it exceeds 100 parts by mass, the heat resistance of the cured adhesive layer tends to decrease.
上述の充填剤としては特に限定されるものではないが、通常無機充填剤が好適に用いられ、無機充填剤としては、例えば、アルミナ、酸化チタン、マイカ、シリカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素等が挙げられる。これらの充填剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、充填剤の形状、粒径についても特に制限はなく、通常、粒径0.01〜50μm、好ましくは0.1〜15μmのものが好適に用いられる。 The above-mentioned filler is not particularly limited, but usually an inorganic filler is preferably used. Examples of the inorganic filler include alumina, titanium oxide, mica, silica, beryllia, barium titanate, titanate. Potassium, strontium titanate, calcium titanate, aluminum carbonate, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, aluminum silicate, calcium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, silicon nitride, boron nitride, baked clay clay, talc, Examples thereof include aluminum borate, aluminum borate, and silicon carbide. These fillers may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Moreover, there is no restriction | limiting in particular also about the shape of a filler, and a particle size, Usually, the particle size of 0.01-50 micrometers, Preferably 0.1-15 micrometers is used suitably.
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物における充填剤の配合割合は特に限定するものではないが、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部に対して、1〜1000質量部が好ましく、1〜800質量部がより好ましい。 The blending ratio of the filler in the thermosetting resin composition according to the present embodiment is not particularly limited, but is 1 to 1000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B). Is preferable, and 1-800 mass parts is more preferable.
接着層20の構成材料である熱硬化性樹脂組成物は、(A)成分、(B)成分、硬化促進剤、ラジカル重合開始剤及び必要に応じてその他の添加剤を、公知の方法で配合、混合することにより製造することができる。
The thermosetting resin composition that is a constituent material of the
また、接着層20の膜厚(厚さ)は0.1〜10.0μmであると好ましく、0.5〜5.0μmであるとより好ましい。この膜厚が0.1μm未満では、接着層20が硬化した硬化層を備える多層プリント配線板において、金属箔引き剥がし強さを向上させ難くなる傾向にあり、10.0μmを超えると、特に多層プリント配線板の絶縁樹脂層に後述するような低誘電率樹脂を用いる場合、高周波伝送特性が低下する傾向にある。
The film thickness (thickness) of the
接着層付き回路基板100の製造方法としては、絶縁板12の表面12a及び導体回路14の表面14aに、上述した本発明の好適な実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物、又はこの樹脂組成物を溶媒に溶解又は分散させた樹脂ワニスを塗布した後、乾燥させて半硬化(Bステージ化)させ、接着層20を回路基板10上に形成して製造する方法が挙げられる。
As a manufacturing method of the
樹脂ワニスの塗布は、公知の方法により実施可能であり、例えばキスコーター、ロールコーター、コンマコーター等を用いて行うことができる。また、塗布された樹脂ワニスの乾燥には、加熱乾燥炉中等で通常70〜250℃、好ましくは100〜200℃の温度で、1〜30分間、好ましくは3〜15分間乾燥する方法が挙げられる。この際の乾燥温度は、熱硬化性樹脂組成物を溶解等するために溶媒を使用した場合は、溶媒の揮発可能な温度以上であると好ましい。 The application of the resin varnish can be performed by a known method, for example, using a kiss coater, a roll coater, a comma coater, or the like. Moreover, the drying of the applied resin varnish includes a method of drying at a temperature of usually 70 to 250 ° C., preferably 100 to 200 ° C. for 1 to 30 minutes, preferably 3 to 15 minutes in a heat drying oven or the like. . The drying temperature at this time is preferably equal to or higher than the temperature at which the solvent can be volatilized when a solvent is used to dissolve the thermosetting resin composition.
上述の熱硬化性樹脂組成物をワニス化する際に用いられる溶媒は特に限定するものではないが、具体例としては、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチレングリコールモノメチルエーテル、カルビトール、ブチルカルビトール等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、メトキシエチルアセテート、エトキシエチルアセテート、ブトキシエチルアセテート、酢酸エチル等のエステル類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン等の含窒素類等の溶媒が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The solvent used when varnishing the thermosetting resin composition described above is not particularly limited, but specific examples include alcohols such as methanol, ethanol, butanol, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethylene glycol monomethyl ether. , Ethers such as carbitol and butyl carbitol, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and mesitylene, methoxyethyl acetate, ethoxyethyl acetate, butoxyethyl acetate And solvents such as esters such as ethyl acetate, nitrogen-containing compounds such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
これらの溶媒のうち、芳香族炭化水素及びケトン類を用いる場合のそれらの配合割合は、芳香族炭化水素100質量部に対してケトン類を30〜300質量部であると好ましく、30〜250質量部であるとより好ましく、30〜220質量部であると更に好ましい。また、ワニス化する際は、ワニス中の固形分(不揮発分)濃度が通常5〜80質量%となるように溶媒の使用量を調節することが好ましいが、接着層付き回路基板100を製造する場合、溶媒量を調節することにより、接着層20が所望の膜厚、特に上述した好ましい膜厚を有するように固形分濃度やワニス粘度を調整することができる。
Among these solvents, the blending ratio in the case of using aromatic hydrocarbons and ketones is preferably 30 to 300 parts by mass of ketones with respect to 100 parts by mass of aromatic hydrocarbons, and 30 to 250 parts by mass. Parts, more preferably 30 to 220 parts by mass. In addition, when the varnish is formed, it is preferable to adjust the amount of the solvent so that the solid content (nonvolatile content) concentration in the varnish is usually 5 to 80% by mass, but the
以上説明した接着層付き回路基板100を用いると、これから得られる多層プリント積層板は、絶縁樹脂層の構成材料にポリブタジエン、トリアリルシアヌレートの重合体であるポリトリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレートの重合体であるポリトリアリルイソシアヌレート、ポリフェニレンエーテル等の低誘電率樹脂を採用した際に、高い金属箔引き剥がし強さを発現できるだけでなく、吸湿時にも高い接着力を維持できる。その結果、このような多層プリント配線板は、十分に高い耐熱性と耐湿耐熱性を備えることとなる。
When the
さらに、これらの優れた特性は、導体回路14の表面粗化量が比較的小さい場合であっても十分に発現されるため、優れた高周波特性と高い接着性、耐熱性との両立が可能となる。これらのことから、接着層付き回路基板100は、高周波信号を扱う各種電気・電子機器に備えられる多層プリント配線板等の部材・部品用途として有効である。
Furthermore, since these excellent characteristics are sufficiently expressed even when the surface roughness of the
なお、第1実施形態に係る回路基板10には、積層板12と導体回路14との間に、上述の硬化性樹脂組成物を硬化させてなる層(図示せず)が設けられているとより一層好ましい。これにより、上述の効果に加えて、更に積層板12と導体回路14との間で、優れた高周波特性と高い接着性、耐熱性との両立を可能にできる。
In addition, when the
このような層が設けられた回路基板10の製造方法としては、まず金属箔(図示せず)に上述の硬化性樹脂組成物を塗布し、この金属箔の塗布面側に積層板12を張り合わせて積層体(図示せず)を形成する。次に、この積層体を所定の条件で加熱及び/又は加圧することにより金属張積層板(図示せず)を形成し、最後に、この金属張積層板の金属箔側に公知のパターン化処理を施して導体回路14を形成して完成させる。この場合の加熱は、好ましくは150〜250℃の温度で実施することができ、加圧は、好ましくは0.5〜10.0MPaの圧力で実施することができる。特に、硬化性樹脂組成物を塗布する側の金属箔の表面粗さが4μm以下、好ましくは2μm以下であると、より高周波伝送特性を向上させることができる。
As a manufacturing method of the
(第2実施形態)
本実施形態に係る接着層付き回路基板は、第1実施形態に係る接着層付き回路基板と、接着層が(A)成分;ポリアミドイミドと、(C)成分;該ポリアミドイミドのアミド基と反応し得る官能基を2つ以上有する化合物(以下、必要に応じて「アミド反応性化合物」という。)と、(D)成分;(C)成分と反応し得る官能基を有し、かつエチレン性不飽和結合を有する化合物(以下、必要に応じて「反応性不飽和化合物」という。)とを含有する硬化性樹脂組成物からなるものである点で異なるが、その他の点については第1実施形態に係る接着層付き回路基板と同様である。以下、接着層を構成する硬化性樹脂組成物及びその成分について説明する。
(Second Embodiment)
The circuit board with an adhesive layer according to the present embodiment is the same as the circuit board with the adhesive layer according to the first embodiment, and the adhesive layer reacts with the (A) component; polyamideimide, and (C) component; the amide group of the polyamideimide. A compound having two or more functional groups (hereinafter referred to as “amide-reactive compound” if necessary), a component (D); a functional group capable of reacting with the component (C), and ethylenic It differs in that it is composed of a curable resin composition containing a compound having an unsaturated bond (hereinafter referred to as “reactive unsaturated compound” if necessary), but the other points are the first implementation. It is the same as that of the circuit board with an adhesive layer which concerns on a form. Hereinafter, the curable resin composition constituting the adhesive layer and its components will be described.
本実施形態に係る(A)成分としては、第1実施形態に係る(A)成分と同様のものを用いることができる。 As (A) component which concerns on this embodiment, the thing similar to (A) component which concerns on 1st Embodiment can be used.
<(C)成分>
(C)成分であるアミド反応性化合物は、熱等を加えることにより(A)成分であるポリアミドイミドのアミド基と反応し得る官能基を2つ以上有していれば特に限定されない。具体的には、例えば、2つ以上のオキシラン環又はオキセタン環を有する化合物、すなわち多官能のエポキシ化合物(オキシラン化合物)又はオキセタン化合物等が挙げられ、多官能のエポキシ化合物がより好ましい。多官能のエポキシ化合物としては、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、アラルキレン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニル−アラルキレン骨格エポキシ樹脂、フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、低級アルキル基置換フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、多官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂及び多官能脂環式エポキシ樹脂等が例示される。(C)成分であるアミド反応性化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<(C) component>
The amide-reactive compound as the component (C) is not particularly limited as long as it has two or more functional groups that can react with the amide group of the polyamideimide as the component (A) by applying heat or the like. Specific examples include compounds having two or more oxirane rings or oxetane rings, that is, polyfunctional epoxy compounds (oxirane compounds) or oxetane compounds, and polyfunctional epoxy compounds are more preferred. Polyfunctional epoxy compounds include bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, brominated phenol novolak type Epoxy resin, bisphenol A novolac epoxy resin, naphthalene skeleton-containing epoxy resin, aralkylene skeleton-containing epoxy resin, biphenyl-aralkylene skeleton epoxy resin, phenol salicylaldehyde novolak epoxy resin, lower alkyl group-substituted phenol salicylaldehyde novolak epoxy resin, di Examples include cyclopentadiene skeleton-containing epoxy resins, polyfunctional glycidylamine type epoxy resins, and polyfunctional alicyclic epoxy resins. That. As the component (C), the amide reactive compound may be used alone or in combination of two or more.
<(D)成分>
(D)成分である反応性不飽和化合物は、分子中に1つ以上のエチレン性不飽和結合を有し、しかも、熱等を加えることにより(C)成分のアミド反応性化合物と反応する官能基を有する化合物であれば特に限定されない。具体的には、例えば、エチレン性不飽和結合を有し、かつフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、アミド基、アミノ基、イミノ基又は上記式(III)で表される基を有する変性ポリブタジエンが挙げられる。特に、エチレン性不飽和基が末端及び/又は側鎖に存在するビニル基である変性ポリブタジエンが好適に用いられる。
<(D) component>
The reactive unsaturated compound as component (D) has one or more ethylenically unsaturated bonds in the molecule, and is functionally reactive with the amide reactive compound as component (C) by applying heat or the like. If it is a compound which has group, it will not specifically limit. Specifically, for example, a modification having an ethylenically unsaturated bond and having a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, a carboxyl group, an amide group, an amino group, an imino group, or a group represented by the above formula (III) Polybutadiene is mentioned. In particular, modified polybutadiene in which an ethylenically unsaturated group is a vinyl group present at the terminal and / or side chain is preferably used.
このような変性ポリブタジエンの具体例としては、下記一般式(16)、(17)、(19)又は(21)で表される化合物を例示できる。
一般式(16)で表される変性ポリブタジエンとしては、PP700−300、PP1000−180、PP1000−240(以上、新日本石油化学社製、商品名)等、一般式(17)で表される変性ポリブタジエンとしては、G−1000、G−2000、G−3000、C−1000、TEA−1000、TEA−2000(以上、日本曹達社製、商品名)等、一般式(19)で表される変性ポリブタジエンとしては、ATBN1300(宇部興産社製、商品名)等、一般式(21)で表される変性ポリブタジエンとしては、BN−1015(日本曹達社製、商品名)等が商業的に入手可能である。また、(D)成分の反応性不飽和化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the modified polybutadiene represented by the general formula (16) include PP700-300, PP1000-180, PP1000-240 (above, trade name, manufactured by Shin Nippon Petrochemical Co., Ltd.) and the like, which are represented by the general formula (17). Examples of the polybutadiene include G-1000, G-2000, G-3000, C-1000, TEA-1000, TEA-2000 (above, Nippon Soda Co., Ltd., trade name) and other modified compounds represented by the general formula (19). As the polybutadiene, ATBN1300 (manufactured by Ube Industries, trade name) and the like, and as the modified polybutadiene represented by the general formula (21), BN-1015 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., trade name) are commercially available. is there. Moreover, the reactive unsaturated compound of (D) component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
本実施形態に係る接着層の構成成分である熱硬化性樹脂組成物における(C)成分及び(D)成分の総配合割合は、(A)成分100質量部に対して5〜200質量部であると好ましく、7〜80質量部であるとより好ましく、10〜50質量部であると更に好ましい。(C)成分及び(D)成分の総配合割合が、5質量部未満であると、かかる配合割合の(C)成分及び(D)成分を採用して得られる接着層付き回路基板において、接着層の熱硬化性、及び接着層と絶縁樹脂層との反応性が低下するため、得られる多層プリント配線板において、硬化層内や、絶縁樹脂層と硬化層との界面近傍での耐熱性、耐薬品性及び破壊強度が低下する傾向にある。また、200質量部を超えると、接着層と導体回路との接着性が低下する傾向にあり、得られる多層プリント配線板においても、硬化層の靭性が低下する傾向にある。 The total blending ratio of the component (C) and the component (D) in the thermosetting resin composition that is a constituent component of the adhesive layer according to this embodiment is 5 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). Preferably, it is 7-80 parts by mass, more preferably 10-50 parts by mass. In the circuit board with an adhesive layer obtained by employing the (C) component and the (D) component having such a blending ratio, the total blending ratio of the (C) component and the (D) component is less than 5 parts by mass. Because the thermosetting property of the layer and the reactivity between the adhesive layer and the insulating resin layer are reduced, in the resulting multilayer printed wiring board, heat resistance in the cured layer and in the vicinity of the interface between the insulating resin layer and the cured layer, Chemical resistance and breaking strength tend to decrease. Moreover, when it exceeds 200 mass parts, it exists in the tendency for the adhesiveness of an adhesive layer and a conductor circuit to fall, and also in the multilayer printed wiring board obtained, it exists in the tendency for the toughness of a hardened layer to fall.
また、(D)成分の配合割合は、(C)成分100質量部に対して、5〜1000重量部の範囲とすることが好ましく、20〜500質量部とすることがより好ましく、50〜150質量部とすることが更に好ましい。(D)成分の配合割合が5質量部未満であると、かかる配合割合の(D)成分を採用して得られる接着層付き回路基板において、接着層の熱硬化性、及び接着層と絶縁樹脂層との反応性が低下するため、得られる多層プリント配線板において、硬化層内や、絶縁樹脂層と硬化層との界面近傍での耐熱性及び破壊強度が低下する傾向にある。また、1000質量部を超えると、接着層の熱硬化性が低下し、得られる多層プリント配線板の硬化層の耐熱性及び耐薬品性が低下する傾向にある。 Moreover, it is preferable to set it as the range of 5-1000 weight part with respect to 100 mass parts of (C) component, and, as for the mixture ratio of (D) component, it is more preferable to set it as 20-500 mass part, 50-150. It is still more preferable to set it as a mass part. When the blending ratio of the component (D) is less than 5 parts by mass, in the circuit board with an adhesive layer obtained by employing the blending ratio of the component (D), the thermosetting of the adhesive layer, and the adhesive layer and the insulating resin Since the reactivity with the layer is lowered, in the obtained multilayer printed wiring board, the heat resistance and the breaking strength in the cured layer and in the vicinity of the interface between the insulating resin layer and the cured layer tend to be lowered. Moreover, when it exceeds 1000 parts by mass, the thermosetting property of the adhesive layer is lowered, and the heat resistance and chemical resistance of the cured layer of the resulting multilayer printed wiring board tend to be lowered.
本実施形態の接着層付き回路基板において、接着層の構成材料である熱硬化性樹脂組成物は、(A)成分のポリアミドイミドのアミド基と(C)成分のアミド反応性化合物との反応及び(C)成分のアミド反応性基と(D)成分との硬化反応を促進させるような触媒機能を有する硬化促進剤を更に含有していると好ましい。硬化促進剤の具体例としては、第1の実施形態で例示列挙したものが挙げられ、それらは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In the circuit board with an adhesive layer of the present embodiment, the thermosetting resin composition that is a constituent material of the adhesive layer includes a reaction between the amide group of the polyamideimide (A) and the amide reactive compound (C). It is preferable to further contain a curing accelerator having a catalytic function that promotes the curing reaction between the amide-reactive group of component (C) and component (D). Specific examples of the curing accelerator include those exemplified and listed in the first embodiment, and these may be used alone or in combination of two or more.
また、本実施形態に係る接着層の構成材料である熱硬化性樹脂組成物には、(D)成分の不飽和結合基の架橋反応を促進させるために、(E)成分;ラジカル重合開始剤を更に含有していると好ましい。ラジカル重合開始剤の具体例としては、第1の実施形態で例示列挙したものが挙げられ、それらは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In addition, the thermosetting resin composition, which is a constituent material of the adhesive layer according to the present embodiment, includes (E) component; radical polymerization initiator in order to promote the crosslinking reaction of the unsaturated bond group of component (D). Is further preferably contained. Specific examples of the radical polymerization initiator include those listed and exemplified in the first embodiment, and these may be used alone or in combination of two or more.
熱硬化性樹脂組成物において、硬化促進剤の配合割合は(C)成分の配合割合に応じて、ラジカル重合開始剤の配合割合は(D)成分の配合割合に応じて、それぞれ決定することができ、それぞれ第1実施形態における(B)成分に対しての配合割合と同様の数値範囲であると、同様の観点から好ましい。 In the thermosetting resin composition, the blending ratio of the curing accelerator can be determined according to the blending ratio of the component (C), and the blending ratio of the radical polymerization initiator can be determined according to the blending ratio of the component (D). It is preferable from the same viewpoint that the numerical range is the same as the blending ratio with respect to the component (B) in the first embodiment.
また、本実施形態に係る接着層の構成成分である熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて難燃剤、充填剤等の各種添加剤を、プリント配線板とした際の耐熱性、接着性、耐吸湿性等の特性を悪化させない範囲の配合量で、更に配合してもよい。それらの添加剤の具体例、形状及び粒径は第1実施形態において説明したものと同様である。また、好ましい配合割合は、(A)成分、(C)成分及び(D)成分の合計量に対して、第1実施形態において説明した(A)成分及び(B)成分の合計量に対する配合割合と同様の数値範囲である。 In addition, the thermosetting resin composition, which is a constituent component of the adhesive layer according to the present embodiment, has heat resistance and adhesiveness when various additives such as flame retardants and fillers are used as printed wiring boards as necessary. Further, it may be further blended in a blending amount within a range that does not deteriorate the properties such as moisture absorption resistance. Specific examples, shapes, and particle sizes of these additives are the same as those described in the first embodiment. Moreover, a preferable mixture ratio is the mixture ratio with respect to the total amount of (A) component and (B) component demonstrated in 1st Embodiment with respect to the total amount of (A) component, (C) component, and (D) component. Is the same numerical range.
本発明の好適な実施形態に係る接着層の構成材料である熱硬化性樹脂組成物は、(A)成分、(C)成分、(D)成分、硬化促進剤、ラジカル重合開始剤及び必要に応じてその他の添加剤を、公知の方法で配合、混合することにより製造することができる。 A thermosetting resin composition that is a constituent material of an adhesive layer according to a preferred embodiment of the present invention includes (A) component, (C) component, (D) component, a curing accelerator, a radical polymerization initiator, and Accordingly, other additives can be produced by blending and mixing by a known method.
(第3実施形態)
第3実施形態に係る多層プリント配線板200は、回路基板50の両面に硬化層60、絶縁樹脂層70、金属箔80がこの順で積層されている。より詳しくは、回路基板50は、絶縁板である積層板52と、積層板52の両面に形成された導体回路54とから構成されており、両面とも、導体回路54の表面54a上、及び積層板52の表面52a上に硬化層60及び絶縁樹脂層70がこの順で積層されている。
(Third embodiment)
In the multilayer printed
回路基板50としては、第1実施形態の回路基板10と同様のものを扱うことができる。また、硬化層60は、第1実施形態の接着層20を加熱等により硬化させたものである。
As the
絶縁樹脂層70としては、公知のプリプレグの硬化物が使用できる。本発明では、プリプレグとして、ポリブタジエン、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、ポリフェニレンエーテル等を有する低誘電率樹脂を、ガラス繊維、有機繊維、紙材等の材料を含有する繊維基材(強化繊維の織物又は不織布)に含浸させて公知の方法により作製されたものを用いることができる。また、ガラス繊維としては、Eガラス、Sガラス、NEガラス、Dガラス、Qガラスが例示でき、有機繊維としては、アラミド、フッ素系樹脂、ポリエステル、液晶性高分子等が例示できる。かかる液晶性高分子としては、例えば、サーモトロピック型(熱溶融型)の液晶ポリマーが挙げられる。さらに、このサーモトロピック型の液晶ポリマーとしては、例えば芳香族ポリエステルが挙げられ、より具体的には、例えば、パラヒドロキシ安息香酸(HBA)とビフェノールとテレフタル酸(TPA)との共重合体、HBAと2−オキシ−6−ナフトエ酸(BON6)との共重合体、ポリエチレンテレフタレートをHBAで改質して得られるもの、などが挙げられる。市販されているものとしては、例えば「ザイダー」(新日本石油化学社製、商品名)、「スミカスーパーLCP」(住友化学社製、商品名)、「ベクトラ」(ポリプラスチックス社製、商品名)、「ロッドラン」(ユニチカ社製、商品名)、「ウエノ−LCP」(上野製薬社製、商品名)、「ノバキュレート」(三菱エンジニアリングプラスチックス社製、商品名)等が挙げられる。絶縁樹脂層70には、上記の低誘電率樹脂及び繊維基材を組み合わせて得られるものを好適に用いることができるが、積層板52と同様の基材を用いることが特に好ましい。
As the insulating
金属箔80としては、第1実施形態の導体回路14に用いられる金属箔と同様のものを扱うことができる。特に、導体回路54と同様の基材を用いることが好ましい。
As the
このような多層プリント配線板200の好適な製造方法としては、まず、第1実施形態の接着層付き回路基板100を用意し、その導体回路14を有する面にプリプレグ等の絶縁樹脂シート及び金属箔をこの順で張り合わせて多層体(図示せず)を作製する。このとき、絶縁樹脂シートに接着層が接するように被着して行う。次に、この多層体を所定の条件で加熱及び/又は加圧して、多層プリント配線板200が完成される。この場合の加熱は、好ましくは150〜250℃の温度で実施することができ、加圧は、好ましくは0.5〜10.0MPaの圧力で実施することができる。加熱及び加圧は真空プレス等を用いて同時に行うことが好ましく、この場合、これらの処理を30分〜10時間実施することで、接着層及び絶縁樹脂シートが十分に硬化する。
As a suitable manufacturing method of such a multilayer printed
以上説明した多層プリント配線板200は、絶縁樹脂層の構成材料にポリブタジエン、ポリトリアリルシアヌレート、ポリトリアリルイソシアヌレート、ポリフェニレンエーテル等の低誘電率樹脂を採用しても、導体回路54及び電気絶縁層(硬化層60及び絶縁樹脂層70)間で十分に密着されるため、吸湿時にも高い接着力を維持できる。その結果、このような多層プリント配線板は、十分に高い耐熱性と耐湿耐熱性を備えることとなる。
Even if the multilayer printed
さらに、これらの優れた特性は、導体回路54の表面粗化量が比較的小さい場合であっても十分に発現されるため、特に高周波帯での伝送損失を十分に低減することが可能であり、高周波信号を扱う各種電気・電子機器の部材・部品用途として好適に使用することができる。
Furthermore, since these excellent characteristics are sufficiently exhibited even when the surface roughness of the
得られた多層プリント配線板200において、必要に応じて金属箔80にパターン化処理を行って導体回路を形成してもよい。また、その導体回路の表面(導体回路を形成しない場合は金属箔80表面)に、必要に応じて接着層を形成し、更に上述の方法により絶縁樹脂シート及び金属箔を積層し、加熱加圧成形することができる。このような操作を繰り返して、絶縁樹脂層と金属箔(導体回路)とを交互に積層することにより、更に多層化された構造を有する多層プリント配線板を製造することができる。
In the obtained multilayer printed
なお、絶縁樹脂シートを硬化した後であれば、回路基板、絶縁樹脂層及び金属箔を有する積層基板にビアホール(スルーホール)等の形成を行ってもよい。ビアホール形成のためには積層基板の穴あけが必要となるが、積層基板における金属箔が薄い場合には、ドリル又はレーザーによって直接穴あけが可能であり、金属箔が厚い場合には、コンフォーマルマスク法又はラージウインド法により窓穴を形成した後に、ドリル又はレーザーにより穴あけを行うことにより形成が可能である。穴あけ終了後、金属箔表面やスルーホール等に樹脂残渣が残存している場合には除去を行い、無電解銅めっき、金属蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等によりビアホールを形成することができる。 In addition, if it is after hardening | curing an insulating resin sheet, you may form a via hole (through hole) etc. in the laminated substrate which has a circuit board, an insulating resin layer, and metal foil. For forming via holes, it is necessary to make holes in the laminated substrate. However, if the metal foil on the laminated substrate is thin, it can be directly drilled by a drill or a laser. If the metal foil is thick, the conformal mask method is used. Or after forming a window hole by the large window method, it can form by drilling with a drill or a laser. After completion of drilling, if resin residues remain on the surface of the metal foil, through holes, etc., they are removed and via holes can be formed by electroless copper plating, metal deposition, sputtering, ion plating, or the like.
また、多層プリント配線板200や、更に多層化された構造を有する多層プリント配線板の最外層に、ドライフィルムを用いたテンティング法等によって保護層を形成してもよい。
Further, a protective layer may be formed on the outermost layer of the multilayer printed
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment.
例えば、第1実施形態において、接着層20は導体回路14の表面14a上に形成されていればよく、積層板12の表面12a上に形成されていなくてもよい。すなわち、第3実施形態において、硬化層60は導体回路54の表面54a上に形成されていればよく、積層板52の表面52a上に形成されていなくてもよい。積層板52及び絶縁樹脂層70間は、熱圧着等によって十分に接着させることが可能である。
For example, in the first embodiment, the
また、第1実施形態において、積層板12の片側のみに導体回路14及び接着層20が積層されたものであってもよい。すなわち、第3実施形態において、積層板52の片側のみに導体回路54、硬化層60、絶縁樹脂層70及び金属箔80が積層されたものであってもよい。この場合、積層板12、52の導体回路が形成されていない側の面は、何も形成されていなくてもよいし、金属箔等が形成されていてもよい。以下、積層板の片側のみに導体回路及び接着層が積層されたものを「接着層付き片面回路基板」、積層板の両面に導体回路及び接着層が積層されたものを「接着層付き両面回路基板」と呼ぶことにする。
In the first embodiment, the
なお、第1実施形態の積層板12や第3実施形態の積層板52の代わりに、単層の絶縁板を用いてもよいし、金属板を電気絶縁層で挟んだ金属芯基板のようなものを用いてもよい。
Instead of the
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下に挙げる表面粗さは、すべてJIS−B0601−1994の十点平均粗さRzに準拠したものである。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples. In addition, all the surface roughness given below are based on the ten-point average roughness Rz of JIS-B0601-1994.
[ポリアミドイミドの合成]
(合成例1)
まず、ディーンスターク還流冷却器、温度計、撹拌器を備えた1Lのセパラブルフラスコに、飽和脂環式炭化水素基を有するジアミン化合物Aとして(4,4’−ジアミノ)ジシクロヘキシルメタン(ワンダミンHM(WHM)、新日本理化社製、商品名)45mmol、シロキサンジアミン化合物Bとして反応性シリコーンオイル(X−22−161−B、信越化学工業社製、アミン当量:1500、商品名)5mmol、無水トリメリット酸(TMA)105mmol、非プロトン性極性溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン(NMP)145gを入れ、フラスコ内の温度を80℃に設定して30分間撹拌した。
[Synthesis of Polyamideimide]
(Synthesis Example 1)
First, in a 1 L separable flask equipped with a Dean-Stark reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, (4,4′-diamino) dicyclohexylmethane (Wandamine HM (as diamine compound A having a saturated alicyclic hydrocarbon group) was added. WHM), manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd., trade name) 45 mmol, reactive silicone oil as siloxane diamine compound B (X-22-161-B, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., amine equivalent: 1500, trade name) 5 mmol, anhydrous tri 105 mmol of merit acid (TMA) and 145 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) as an aprotic polar solvent were added, and the temperature in the flask was set at 80 ° C. and stirred for 30 minutes.
撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン100mLを更に添加し、フラスコ内の温度を160℃に昇温して約2時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水を除去しながら、フラスコ内の温度を190℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。 After completion of the stirring, 100 mL of toluene was further added as an aromatic hydrocarbon azeotropic with water, and the temperature in the flask was raised to 160 ° C. and refluxed for about 2 hours. After confirming that the theoretical amount of water was stored in the moisture meter and no water distilling was observed, the temperature in the flask was increased to 190 ° C while removing the water in the meter. The toluene in the reaction solution was removed.
フラスコ内の溶液を室温まで戻した後、ジイソシアネートとして4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)60mmolを添加し、フラスコ内の温度を190℃に上昇させて2時間反応させた後、NMPで希釈して合成例1のポリアミドイミドのNMP溶液(固形分濃度30質量%)を得た。このNMP溶液の重量平均分子量(Mw)をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ50000であった。 After returning the solution in the flask to room temperature, 60 mmol of 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI) was added as a diisocyanate, the temperature in the flask was raised to 190 ° C. and reacted for 2 hours, and then diluted with NMP. Thus, an NMP solution of polyamideimide of Synthesis Example 1 (solid content concentration of 30% by mass) was obtained. It was 50000 when the weight average molecular weight (Mw) of this NMP solution was measured by the gel permeation chromatography.
(合成例2)
まず、ディーンスターク還流冷却器、温度計、撹拌器を備えた1Lのセパラブルフラスコに、飽和脂環式炭化水素基を有するジアミン化合物Aとして(4,4’−ジアミノ)ジシクロヘキシルメタン(ワンダミンHM(WHM)、新日本理化社製、商品名)140mmol、飽和脂肪族炭化水素基を有するジアミン化合物CとしてジェファーミンD−2000(サンテクノケミカル社製、商品名)35mmol、無水トリメリット酸(TMA)368mmol、非プロトン性極性溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン(NMP)413gを入れ、フラスコ内の温度を80℃に設定して30分間撹拌した。
(Synthesis Example 2)
First, in a 1 L separable flask equipped with a Dean-Stark reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, (4,4′-diamino) dicyclohexylmethane (Wandamine HM (as diamine compound A having a saturated alicyclic hydrocarbon group) was added. WHM), manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd., trade name) 140 mmol, as a diamine compound C having a saturated aliphatic hydrocarbon group, Jeffamine D-2000 (manufactured by Suntechno Chemical Co., trade name) 35 mmol, trimellitic anhydride (TMA) 368 mmol , 413 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added as an aprotic polar solvent, and the temperature in the flask was set at 80 ° C. and stirred for 30 minutes.
撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン120mLを更に添加し、フラスコ内の温度を160℃に昇温して約2時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水を除去しながら、フラスコ内の温度を190℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。 After the stirring, 120 mL of toluene was further added as an aromatic hydrocarbon azeotropic with water, and the temperature in the flask was raised to 160 ° C. and refluxed for about 2 hours. After confirming that the theoretical amount of water was stored in the moisture meter and no water distilling was observed, the temperature in the flask was increased to 190 ° C while removing the water in the meter. The toluene in the reaction solution was removed.
フラスコ内の溶液を室温まで戻した後、ジイソシアネートとして4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)210mmolを添加し、フラスコ内の温度を190℃に上昇させて2時間反応させた後、NMPで希釈して合成例2のポリアミドイミドのNMP溶液(固形分濃度30質量%)を得た。このNMP溶液のMwをゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ64000であった。 After returning the solution in the flask to room temperature, 210 mmol of 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI) was added as a diisocyanate, the temperature in the flask was raised to 190 ° C. and reacted for 2 hours, and then diluted with NMP. Thus, an NMP solution of polyamideimide of Synthesis Example 2 (solid content concentration of 30% by mass) was obtained. It was 64000 when Mw of this NMP solution was measured by the gel permeation chromatography.
(合成例3)
まず、ディーンスターク還流冷却器、温度計、撹拌器を備えた1Lのセパラブルフラスコに、飽和脂肪族炭化水素基を有するジアミン化合物CとしてジェファーミンD−2000(サンテクノケミカル社製、商品名)30mmol、シロキサンジアミン化合物Bとして反応性シリコーンオイル(X−22−161−B、信越化学工業社製、アミン当量:1500、商品名)10mmol、芳香族ジアミン化合物として(4,4’−ジアミノ)ジフェニルメタン(DDM)60mmol、無水トリメリット酸(TMA)210mmol、非プロトン性極性溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン(NMP)407gを入れ、フラスコ内の温度を80℃に設定して30分間撹拌した。
(Synthesis Example 3)
First, in a 1 L separable flask equipped with a Dean-Stark reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, Jeffamine D-2000 (trade name, manufactured by Sun Techno Chemical Co., Ltd.) 30 mmol as a diamine compound C having a saturated aliphatic hydrocarbon group. , Reactive silicone oil (X-22-161-B, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., amine equivalent: 1500, trade name) 10 mmol as siloxane diamine compound B, (4,4′-diamino) diphenylmethane ( DDM) 60 mmol, trimellitic anhydride (TMA) 210 mmol, and 407 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) as an aprotic polar solvent were added, and the temperature in the flask was set at 80 ° C. and stirred for 30 minutes.
撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン100mLを更に添加し、フラスコ内の温度を160℃に昇温して約2時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水を除去しながら、フラスコ内の温度を190℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。 After completion of the stirring, 100 mL of toluene was further added as an aromatic hydrocarbon azeotropic with water, and the temperature in the flask was raised to 160 ° C. and refluxed for about 2 hours. After confirming that the theoretical amount of water was stored in the moisture meter and no water distilling was observed, the temperature in the flask was increased to 190 ° C while removing the water in the meter. The toluene in the reaction solution was removed.
フラスコ内の溶液を室温まで戻した後、ジイソシアネートとして4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)210mmolを添加し、フラスコ内の温度を190℃に上昇させて2時間反応させた後、NMPで希釈して合成例3のポリアミドイミドのNMP溶液(固形分濃度30質量%)を得た。このNMP溶液のMwをゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ62000であった。 After returning the solution in the flask to room temperature, 210 mmol of 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI) was added as a diisocyanate, the temperature in the flask was raised to 190 ° C. and reacted for 2 hours, and then diluted with NMP. Thus, an NMP solution of polyamideimide of Synthesis Example 3 (solid content concentration of 30% by mass) was obtained. It was 62000 when Mw of this NMP solution was measured by the gel permeation chromatography.
(合成例4)
まず、ディーンスターク還流冷却器、温度計、撹拌器を備えた1Lのセパラブルフラスコに、飽和脂肪族炭化水素基を有するジアミン化合物CとしてジェファーミンD−2000(サンテクノケミカル社製、商品名)30mmol、芳香族ジアミン化合物Dとして(4,4’−ジアミノ)ジフェニルメタン(DDM)120mmol、無水トリメリット酸(TMA)315mmol、非プロトン性極性溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン(NMP)442gを入れ、フラスコ内の温度を80℃に設定して30分間撹拌した。
(Synthesis Example 4)
First, in a 1 L separable flask equipped with a Dean-Stark reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, Jeffamine D-2000 (trade name, manufactured by Sun Techno Chemical Co., Ltd.) 30 mmol as a diamine compound C having a saturated aliphatic hydrocarbon group. , 120 mmol of (4,4′-diamino) diphenylmethane (DDM) as aromatic diamine compound D, 315 mmol of trimellitic anhydride (TMA), 442 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) as an aprotic polar solvent, The temperature in the flask was set to 80 ° C. and stirred for 30 minutes.
撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン100mLを更に添加し、フラスコ内の温度を160℃に昇温して約2時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水を除去しながら、フラスコ内の温度を190℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。 After completion of the stirring, 100 mL of toluene was further added as an aromatic hydrocarbon azeotropic with water, and the temperature in the flask was raised to 160 ° C. and refluxed for about 2 hours. After confirming that the theoretical amount of water was stored in the moisture meter and no water distilling was observed, the temperature in the flask was increased to 190 ° C while removing the water in the meter. The toluene in the reaction solution was removed.
フラスコ内の溶液を室温まで戻した後、ジイソシアネートとして4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)180mmolを添加し、フラスコ内の温度を190℃に上昇させて2時間反応させた後、NMPで希釈して合成例4のポリアミドイミドのNMP溶液(固形分濃度30質量%)を得た。このNMP溶液のMwをゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ74000であった。 After returning the solution in the flask to room temperature, 180 mmol of 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI) was added as a diisocyanate, the temperature in the flask was raised to 190 ° C. and reacted for 2 hours, and then diluted with NMP. Thus, an NMP solution of polyamideimide of Synthesis Example 4 (solid content concentration of 30% by mass) was obtained. It was 74000 when Mw of this NMP solution was measured by the gel permeation chromatography.
(合成例5)
まず、ディーンスターク還流冷却器、温度計、撹拌器を備えた1Lのセパラブルフラスコに、シロキサンジアミン化合物Bとして反応性シリコーンオイル(X−22−161−B、信越化学工業社製、アミン当量:1500、商品名)11mmol、芳香族ジアミン化合物Dとして(4,4’−ジアミノ)ジフェニルメタン(DDM)99mmol、無水トリメリット酸(TMA)231mmol、非プロトン性極性溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン(NMP)309gを入れ、フラスコ内の温度を80℃に設定して30分間撹拌した。
(Synthesis Example 5)
First, in a 1 L separable flask equipped with a Dean-Stark reflux condenser, thermometer, and stirrer, a reactive silicone oil (X-22-161-B, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., amine equivalent: 1500, trade name) 11 mmol, (4,4′-diamino) diphenylmethane (DDM) 99 mmol as aromatic diamine compound D, 231 mmol trimellitic anhydride (TMA) 231 mmol, N-methyl-2-pyrrolidone (aprotic polar solvent) NMP) 309 g was added, the temperature in the flask was set to 80 ° C., and the mixture was stirred for 30 minutes.
撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン100mLを更に添加し、フラスコ内の温度を160℃に昇温して約2時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水を除去しながら、フラスコ内の温度を190℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。 After completion of the stirring, 100 mL of toluene was further added as an aromatic hydrocarbon azeotropic with water, and the temperature in the flask was raised to 160 ° C. and refluxed for about 2 hours. After confirming that the theoretical amount of water was stored in the moisture meter and no water distilling was observed, the temperature in the flask was increased to 190 ° C while removing the water in the meter. The toluene in the reaction solution was removed.
フラスコ内の溶液を室温まで戻した後、ジイソシアネートとして4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)132mmolを添加し、フラスコ内の温度を190℃に上昇させて2時間反応させた後、NMPで希釈して合成例5のポリアミドイミドのNMP溶液(固形分濃度30質量%)を得た。このNMP溶液のMwをゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ56000であった。 After returning the solution in the flask to room temperature, 132 mmol of 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI) was added as a diisocyanate, the temperature in the flask was raised to 190 ° C. and reacted for 2 hours, and then diluted with NMP. Thus, an NMP solution of polyamideimide of Synthesis Example 5 (solid content concentration of 30% by mass) was obtained. It was 56000 when Mw of this NMP solution was measured by the gel permeation chromatography.
(合成例6)
まず、ディーンスターク還流冷却器、温度計、撹拌器を備えた1Lのセパラブルフラスコに、シロキサンジアミン化合物Eとして反応性シリコーンオイル(X−22−161−AS、信越化学工業社製、アミン当量:850、商品名)24mmol、芳香族ジアミン化合物Dとして(4,4’−ジアミノ)ジフェニルメタン(DDM)96mmol、無水トリメリット酸(TMA)252mmol、非プロトン性極性溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン(NMP)289gを入れ、フラスコ内の温度を80℃に設定して30分間撹拌した。
(Synthesis Example 6)
First, in a 1 L separable flask equipped with a Dean-Stark reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, a reactive silicone oil (X-22-161-AS, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., amine equivalent: 850, trade name) 24 mmol, aromatic diamine compound D (4,4′-diamino) diphenylmethane (DDM) 96 mmol, trimellitic anhydride (TMA) 252 mmol, aprotic polar solvent N-methyl-2-pyrrolidone ( NMP) 289 g was added, and the temperature in the flask was set to 80 ° C. and stirred for 30 minutes.
撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン100mLを更に添加し、フラスコ内の温度を160℃に昇温して約2時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水を除去しながら、フラスコ内の温度を190℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。 After completion of the stirring, 100 mL of toluene was further added as an aromatic hydrocarbon azeotropic with water, and the temperature in the flask was raised to 160 ° C. and refluxed for about 2 hours. After confirming that the theoretical amount of water was stored in the moisture meter and no water distilling was observed, the temperature in the flask was increased to 190 ° C while removing the water in the meter. The toluene in the reaction solution was removed.
フラスコ内の溶液を室温まで戻した後、ジイソシアネートとして4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)144mmolを添加し、フラスコ内の温度を190℃に上昇させて2時間反応させた後、NMPで希釈して合成例6のポリアミドイミドのNMP溶液(固形分濃度30質量%)を得た。このNMP溶液のMwをゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ52000であった。 After returning the solution in the flask to room temperature, 144 mmol of 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI) was added as a diisocyanate, the temperature in the flask was raised to 190 ° C., and the mixture was reacted for 2 hours, and then diluted with NMP. Thus, an NMP solution of polyamideimide of Synthesis Example 6 (solid content concentration of 30% by mass) was obtained. It was 52000 when Mw of this NMP solution was measured by the gel permeation chromatography.
合成例1〜6で用いたポリアミドイミドの各原料の使用量を表1にまとめて示す。
[樹脂ワニス(硬化性樹脂組成物)の調製]
(調製例1)
(A)成分である合成例1で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(B)成分である変性エポキシ化合物(PB3600、ダイセル化学工業社製、商品名、以下「変性エポキシ化合物A」という。)7.5gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.08g、(E)成分であるラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)0.15gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド265gを配合して、調製例1の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
[Preparation of resin varnish (curable resin composition)]
(Preparation Example 1)
To 100 g of the polyamideimide NMP solution obtained in Synthesis Example 1 as the component (A), the modified epoxy compound as the component (B) (PB3600, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., trade name, hereinafter referred to as “modified epoxy compound A”) .) 7.5 g is blended, and 2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) 0.08 g as a curing accelerator, and α as a radical polymerization initiator which is a component (E). , Α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (perbutyl P, manufactured by NOF Corporation, trade name) 0.15 g was added, and then 265 g of N, N-dimethylacetamide was added. A resin varnish (for adhesive layer) (solid content concentration of about 10% by mass) was prepared.
(調製例2)
(A)成分である合成例2で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(B)成分である変性エポキシ化合物(EPB−13、日本曹達社製、カルボン酸末端ポリブタジエンとビスフェノールA型エポキシ樹脂との反応物、商品名、以下「変性エポキシ化合物B」という。)6.0gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.06g、(E)成分であるラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)0.12gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド255gを配合して、調製例2の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
(Preparation Example 2)
To 100 g of the polyamideimide NMP solution obtained in Synthesis Example 2 as the component (A), the modified epoxy compound as the component (B) (EPB-13, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., carboxylic acid-terminated polybutadiene and bisphenol A type epoxy resin) Product, product name, hereinafter referred to as “modified epoxy compound B”) 6.0 g, and 2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., product name) as a curing accelerator. 0.06 g, after adding 0.12 g of α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (Perbutyl P, trade name, manufactured by NOF Corporation) as a radical polymerization initiator as component (E), N, N-dimethylacetamide (255 g) was blended to prepare a resin varnish (for adhesive layer) of Preparation Example 2 (solid content concentration of about 10% by mass).
(調製例3)
(A)成分である合成例3で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(B)成分である変性エポキシ化合物(A1020、ダイセル化学工業社製、商品名、以下「変性エポキシ化合物C」という。)10.0gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.1g、(E)成分であるラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)0.2gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド290gを配合して、調製例3の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
(Preparation Example 3)
To 100 g of the polyamideimide NMP solution obtained in Synthesis Example 3 which is the component (A), the modified epoxy compound (A1020, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., trade name, hereinafter referred to as “modified epoxy compound C”). .) 10.0 g is blended, and 2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) 0.1 g as a curing accelerator, and α as a radical polymerization initiator which is a component (E). , Α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (Perbutyl P, manufactured by NOF Corporation, trade name) 0.2 g was added, and then 290 g of N, N-dimethylacetamide was added. A resin varnish (for adhesive layer) (solid content concentration of about 10% by mass) was prepared.
(調製例4)
(A)成分である合成例4で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(C)成分であるクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(N673、大日本インキ化学工業社製、商品名)5.0g、及び(D)成分である変性ポリブタジエン(BN−1015、日本曹達社製、商品名、以下「変性ポリブタジエンA」という。)4.0gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.05g、(E)成分であるラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)0.08gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド280gを配合して、調製例4の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
(Preparation Example 4)
To 100 g of the polyamideimide NMP solution obtained in Synthesis Example 4 as the component (A), cresol novolac type epoxy resin (N673, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, trade name) 5.0 g as the component (C), And 4.0 g of modified polybutadiene (BN-1015, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., trade name, hereinafter referred to as “modified polybutadiene A”) as component (D), and further 2-ethyl-4-methyl as a curing accelerator. Imidazole (2E4MZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) 0.05 g, α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (Perbutyl P, Nippon Oil & Fats Co., Ltd.) as a radical polymerization initiator as component (E) Product, product name) 0.08 g was added, 280 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the resin varnish of Preparation Example 4 (for adhesive layer) (solid) It was prepared concentration of about 10 wt%).
(調製例5)
(A)成分である合成例5で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(C)成分であるフェノールノボラック型エポキシ樹脂(N770、大日本インキ化学工業社製、商品名)5.0g、及び(D)成分である変性ポリブタジエン(C−1000、日本曹達社製、商品名、以下「変性ポリブタジエンB」という。)4.0gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.05g、(E)成分であるラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)0.08gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド280gを配合して、調製例5の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
(Preparation Example 5)
To 100 g of the polyamideimide NMP solution obtained in Synthesis Example 5 which is component (A), 5.0 g of phenol novolac epoxy resin (N770, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) which is component (C), And 4.0 g of modified polybutadiene (C-1000, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., trade name, hereinafter referred to as “modified polybutadiene B”) as component (D), and further 2-ethyl-4-methyl as a curing accelerator. Imidazole (2E4MZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) 0.05 g, α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (Perbutyl P, Nippon Oil & Fats Co., Ltd.) as a radical polymerization initiator as component (E) Product, product name) 0.08 g was added, 280 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the resin varnish of Preparation Example 5 (for adhesive layer) (solid content) The degrees about 10 wt%) was prepared.
(調製例6)
(A)成分である合成例6で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(C)成分であるビスフェノールA型エポキシ樹脂(DER−331L、ダウケミカル日本社製、商品名)6.0g、及び(D)成分である変性ポリブタジエン(ATBN1300X42、宇部興産社製、商品名、以下「変性ポリブタジエンC」という。)4.0gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.06g、(E)成分であるラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)0.08gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド290gを配合して、調製例6の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
(Preparation Example 6)
To 100 g of the polyamideimide NMP solution obtained in Synthesis Example 6 which is component (A), bisphenol A type epoxy resin (DER-331L, manufactured by Dow Chemical Japan, trade name) 6.0 g which is component (C), And 4.0 g of modified polybutadiene (ATBN1300X42, manufactured by Ube Industries, trade name, hereinafter referred to as “modified polybutadiene C”) as component (D), and 2-ethyl-4-methylimidazole as a curing accelerator ( 2E4MZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) 0.06 g, (E) α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (Perbutyl P, manufactured by NOF Corporation) as a radical polymerization initiator Product name) After adding 0.08 g, 290 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the resin varnish of Preparation Example 6 (for adhesive layer) (Solid content concentration of about 10 wt%) was prepared.
(調製例7)
(A)成分である合成例1で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(B)成分であるグリシジルメタクリレート(GMA、東京化成工業社製、商品名)5.0gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.05g、(E)成分であるラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)0.10gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド245gを配合して、調製例7の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
(Preparation Example 7)
(B) Component glycidyl methacrylate (GMA, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., trade name) 5.0 g is blended with 100 g of the polyamideimide NMP solution obtained in Synthesis Example 1 as component (A), and further cured. 2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ, trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) 0.05 g as an accelerator, and α, α′-bis (t-butylperoxy) as a radical polymerization initiator as component (E) ) After adding 0.10 g of diisopropylbenzene (Perbutyl P, manufactured by NOF Corporation, trade name), 245 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the resin varnish of Preparation Example 7 (for adhesive layer) (solid content concentration) About 10% by weight) was prepared.
(比較調製例1)
(A)成分である合成例1で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(C)成分であるクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(N673、大日本インキ化学工業社製、商品名)7.5gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.08gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド265gを配合して、比較調製例1の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
(Comparative Preparation Example 1)
To 100 g of the polyamideimide NMP solution obtained in Synthesis Example 1 as the component (A), 7.5 g of a cresol novolac type epoxy resin (N673, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) as the component (C) Further, 0.08 g of 2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) was added as a curing accelerator, and then 265 g of N, N-dimethylacetamide was added for comparative preparation. The resin varnish (for adhesive layer) of Example 1 (solid content concentration of about 10% by mass) was prepared.
(比較調製例2)
(A)成分である合成例5で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(C)成分であるフェノールノボラック型エポキシ樹脂(N770、大日本インキ化学工業社製、商品名)5.0gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.05gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド265gを配合して、比較調製例2の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
(Comparative Preparation Example 2)
To 100 g of NMP solution of polyamideimide obtained in Synthesis Example 5 which is component (A), 5.0 g of phenol novolac type epoxy resin (N770, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) which is component (C). Further, 0.05 g of 2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) was added as a curing accelerator, and then 265 g of N, N-dimethylacetamide was added for comparative preparation. The resin varnish (for adhesive layer) of Example 2 (solid content concentration of about 10% by mass) was prepared.
(比較調製例3)
(A)成分である合成例6で得られたポリアミドイミドのNMP溶液100gに、(C)成分であるビスフェノールA型エポキシ樹脂(DER−331L、ダウケミカル日本社製、商品名)6.0gを配合し、更に硬化促進剤として2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ、四国化成工業社製、商品名)0.06gを添加した後、N,N−ジメチルアセトアミド250gを配合して、比較調製例3の樹脂ワニス(接着層用)(固形分濃度約10質量%)を調製した。
(Comparative Preparation Example 3)
To 100 g of the polyamideimide NMP solution obtained in Synthesis Example 6 as the component (A), 6.0 g of the bisphenol A type epoxy resin (DER-331L, manufactured by Dow Chemical Japan Co., Ltd.) as the component (C). Further, 0.06 g of 2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) was added as a curing accelerator, and then 250 g of N, N-dimethylacetamide was added for comparison preparation. The resin varnish of Example 3 (for adhesive layer) (solid content concentration of about 10% by mass) was prepared.
調製例1〜5、比較調製例1〜3で用いた樹脂ワニス(硬化性樹脂組成物)の各原料の使用量を表2にまとめて示す。
[プリプレグ及び両面銅張積層板の作製]
(作製例1)
まず、冷却管、温度計、攪拌器を備えた2Lのセパラブルフラスコ内に、トルエン400gとポリフェニレンエーテル樹脂(変性PPOノリルPKN4752、日本ジーイープラスチックス社製、商品名)120gを入れ、フラスコ内の温度を90℃に加熱しながら攪拌溶解した。次に、撹拌しながらフラスコ内にトリアリルイソシアヌレート(TAIC、日本化成社製、商品名)80gを添加し、溶解又は均一分散したことを確認後、室温まで冷却した。次いで、ラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)2.0gを添加した後、更にトルエン70gを配合して、固形分濃度約30質量%の樹脂ワニス(絶縁樹脂層用)を得た。
[Preparation of prepreg and double-sided copper-clad laminate]
(Production Example 1)
First, in a 2 L separable flask equipped with a cooling tube, a thermometer, and a stirrer, 400 g of toluene and 120 g of a polyphenylene ether resin (modified PPO-noryl PKN4752, manufactured by Nippon GE Plastics Co., Ltd., trade name) were placed. The solution was stirred and dissolved while heating the temperature to 90 ° C. Next, 80 g of triallyl isocyanurate (TAIC, manufactured by Nippon Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) was added to the flask while stirring, and the mixture was cooled to room temperature after confirming that it was dissolved or uniformly dispersed. Next, after adding 2.0 g of α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (Perbutyl P, trade name, manufactured by NOF Corporation) as a radical polymerization initiator, 70 g of toluene was further blended. A resin varnish (for insulating resin layer) having a solid content concentration of about 30% by mass was obtained.
得られた樹脂ワニス(絶縁樹脂層用)を、厚さ0.1mmのガラス繊維(Eガラス、日東紡績社製)に含浸した後、120℃で5分間加熱乾燥して、樹脂含有割合50質量%の作製例1のプリプレグを得た。 The obtained resin varnish (for insulating resin layer) was impregnated into glass fiber (E glass, manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd.) having a thickness of 0.1 mm, and then heat-dried at 120 ° C. for 5 minutes to obtain a resin content of 50 mass % Of the prepreg of Preparation Example 1 was obtained.
その後、上述の作製例1のプリプレグ4枚を重ねて配置し、更にその両側に、厚さ35μmの電解銅箔(F2−WS−35、ロープロファイル銅箔、古河電気工業社製、M面表面粗さ(Rz):2μm、S面表面粗さ(Rz):1.1μm)(以下、単に「ロープロファイル銅箔」という。)を、プリプレグ側をM面にして配置して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、作製例1の両面銅張積層板を得た。なお、以下の作製例も含め、両面銅張積層板の厚さは0.58mmであった。 Thereafter, the four prepregs of Production Example 1 described above were placed in an overlapping manner, and on each side, 35 μm thick electrolytic copper foil (F2-WS-35, low profile copper foil, manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd., M-plane surface) Roughness (Rz): 2 μm, S-surface roughness (Rz): 1.1 μm (hereinafter simply referred to as “low profile copper foil”) are arranged with the prepreg side as the M-plane, and these are 20 The double-sided copper-clad laminate of Production Example 1 was obtained by heating and pressing under press conditions of 2.9 MPa at 70 ° C. for 70 minutes. In addition, including the following preparation examples, the thickness of the double-sided copper-clad laminate was 0.58 mm.
(作製例2)
まず、冷却管、温度計、攪拌器を備えた2Lのセパラブルフラスコ内に、トルエン400gとポリフェニレンエーテル樹脂(変性PPOノリルPKN4752、日本ジーイープラスチックス社製、商品名)120gを入れ、フラスコ内の温度を90℃に加熱しながら攪拌溶解した。次に、撹拌しながらフラスコ内に1,2−ポリブタジエン(B−1000、日本曹達社製、商品名)80g、架橋助剤としてジビニルベンゼン(DVB)10gを添加し、溶解又は均一分散したことを確認後、室温まで冷却した。次いで、ラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)2.0gを添加した後、更にトルエン70gを配合して、固形分濃度約30質量%の樹脂ワニス(絶縁樹脂層用)を得た。
(Production Example 2)
First, in a 2 L separable flask equipped with a cooling tube, a thermometer, and a stirrer, 400 g of toluene and 120 g of a polyphenylene ether resin (modified PPO-noryl PKN4752, manufactured by Nippon GE Plastics Co., Ltd., trade name) were placed. The solution was stirred and dissolved while heating the temperature to 90 ° C. Next, while stirring, 80 g of 1,2-polybutadiene (B-1000, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., trade name) and 10 g of divinylbenzene (DVB) as a crosslinking aid were added and dissolved or uniformly dispersed. After confirmation, it was cooled to room temperature. Next, after adding 2.0 g of α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (Perbutyl P, trade name, manufactured by NOF Corporation) as a radical polymerization initiator, 70 g of toluene was further blended. A resin varnish (for insulating resin layer) having a solid content concentration of about 30% by mass was obtained.
得られた樹脂ワニス(絶縁樹脂層用)を、厚さ0.1mmのガラス繊維(Eガラス、日東紡績社製)に含浸した後、120℃で5分間加熱乾燥して、樹脂含有割合50質量%の作製例2のプリプレグを得た。 The obtained resin varnish (for insulating resin layer) was impregnated into glass fiber (E glass, manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd.) having a thickness of 0.1 mm, and then heat-dried at 120 ° C. for 5 minutes to obtain a resin content of 50 mass. % Of the prepreg of Preparation Example 2 was obtained.
その後、上述の作製例2のプリプレグ4枚を重ねて配置し、更にその両側に、ロープロファイル銅箔を、プリプレグ側をM面にして配置して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、作製例2の両面銅張積層板を得た。 Thereafter, the four prepregs of Production Example 2 described above were placed on top of each other, and further, low profile copper foils were placed on both sides thereof with the prepreg side M side, and these were placed at 20 ° C. for 70 minutes and 2.9 MPa. The double-sided copper-clad laminate of Production Example 2 was obtained by heating and pressing under the press conditions.
(作製例3)
まず、冷却管、温度計、攪拌器を備えた10Lのセパラブルフラスコ内に、テトラヒドロフラン(THF)5000mL、ポリフェニレンエーテル樹脂(ノリルPPO646−111、日本ジーイープラスチックス社製、商品名)100gを入れ、フラスコ内の温度を60℃に加熱しながら攪拌溶解した。これを室温に戻した後、窒素気流下でn−ブチルリチウム(1.55mol/L、ヘキサン溶液)540mLを添加し、1時間撹拌した。更に、臭化アリル100gを添加して30分間撹拌した後、適量のメタノールを配合し、沈殿したポリマーを単離してアリル化ポリフェニレンエーテルを得た。
(Production Example 3)
First, in a 10 L separable flask equipped with a condenser, a thermometer, and a stirrer, 5000 mL of tetrahydrofuran (THF) and 100 g of polyphenylene ether resin (Noryl PPO646-111, manufactured by Nippon GE Plastics, Inc., trade name) The temperature in the flask was stirred and dissolved while heating to 60 ° C. After returning this to room temperature, 540 mL of n-butyllithium (1.55 mol / L, hexane solution) was added under a nitrogen stream and stirred for 1 hour. Furthermore, after adding 100 g of allyl bromide and stirring for 30 minutes, an appropriate amount of methanol was blended, and the precipitated polymer was isolated to obtain an allylated polyphenylene ether.
次に、冷却管、温度計、攪拌器を備えた2Lのセパラブルフラスコ内に、トルエン400gと上述のアリル化ポリフェニレンエーテル100gを入れ、フラスコ内の温度を90℃に加熱しながら攪拌溶解した。次に、撹拌しながらフラスコ内にトリアリルイソシアヌレート(TAIC、日本化成社製、商品名)100gを添加し、溶解又は均一分散したことを確認後、室温まで冷却した。次いで、ラジカル重合開始剤としてα,α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(パーブチルP、日本油脂社製、商品名)2.5gを添加した後、更にトルエン70gを配合して、固形分濃度約30質量%の樹脂ワニス(絶縁樹脂層用)を得た。 Next, in a 2 L separable flask equipped with a cooling tube, a thermometer, and a stirrer, 400 g of toluene and 100 g of the allylated polyphenylene ether were put and dissolved while stirring while heating the temperature in the flask to 90 ° C. Next, 100 g of triallyl isocyanurate (TAIC, manufactured by Nippon Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) was added to the flask while stirring, and the mixture was cooled to room temperature after confirming that it was dissolved or uniformly dispersed. Then, after adding 2.5 g of α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (Perbutyl P, trade name, manufactured by NOF Corporation) as a radical polymerization initiator, 70 g of toluene was further blended. A resin varnish (for insulating resin layer) having a solid content concentration of about 30% by mass was obtained.
得られた樹脂ワニス(絶縁樹脂層用)を、厚さ0.1mmのガラス繊維(Eガラス、日東紡績社製)に含浸した後、120℃で5分間加熱乾燥して、樹脂含有割合50質量%の作製例3のプリプレグを得た。 The obtained resin varnish (for insulating resin layer) was impregnated into glass fiber (E glass, manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd.) having a thickness of 0.1 mm, and then heat-dried at 120 ° C. for 5 minutes to obtain a resin content of 50 mass. % Of the prepreg of Preparation Example 3 was obtained.
その後、上述の作製例3のプリプレグ4枚を重ねて配置し、更にその両側に、ロープロファイル銅箔を、プリプレグ側をM面にして配置して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、作製例3の両面銅張積層板を得た。 Thereafter, the four prepregs of Production Example 3 described above were placed one on top of the other, and on both sides, low profile copper foils were placed with the prepreg side M side, and these were placed at 20 ° C. for 70 minutes, 2.9 MPa. The double-sided copper-clad laminate of Production Example 3 was obtained by heat and pressure molding under the pressing conditions described above.
[接着層付き両面回路基板、及び接着層付き片面回路基板の製造]
(製造例1)
作製例1で得られた両面銅張積層板の両面に、エッチング法を用いて、配線幅1cm、パターン幅(エッチング幅)1cmで直線配線がストライプ状に並んだ導体回路を形成して製造例1の両面回路基板(コア基板)を得た。形成された導体回路の表面粗さは0.9μmであった。
[Manufacture of double-sided circuit board with adhesive layer and single-sided circuit board with adhesive layer]
(Production Example 1)
A manufacturing example in which a conductor circuit in which straight lines are arranged in stripes with a wiring width of 1 cm and a pattern width (etching width) of 1 cm is formed on both sides of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1 by using an etching method. 1 double-sided circuit board (core board) was obtained. The surface roughness of the formed conductor circuit was 0.9 μm.
次に、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)をバット(建浴)に溜め、この中に上述の製造例1の両面回路基板を1分間浸漬させ、取り出した後に150℃で5分間乾燥させて、製造例1の接着層付き両面回路基板を得た。以下の製造例、比較製造例も含め、乾燥後の接着層の厚さは全て2μmであった。 Next, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 is stored in a vat (building bath), and the double-sided circuit board of Production Example 1 described above is immersed in this for 1 minute, and then taken out at 150 ° C. It was dried for 5 minutes to obtain a double-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 1. The thickness of the adhesive layer after drying was 2 μm, including the following production examples and comparative production examples.
また、作製例1で得られた両面銅張積層板の片面に、エッチング法を用いて、配線幅0.5cm、パターン幅(エッチング幅)1cmで直線配線がストライプ状に並んだ導体回路を形成して製造例1の片面回路基板(コア基板)を得た。形成された導体回路の表面粗さは0.9μmであった。 In addition, a conductor circuit in which straight wirings are arranged in stripes with a wiring width of 0.5 cm and a pattern width (etching width) of 1 cm is formed on one side of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1 Thus, a single-sided circuit board (core board) of Production Example 1 was obtained. The surface roughness of the formed conductor circuit was 0.9 μm.
次に、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)をバット(建浴)に溜め、この中に上述の製造例1の片面回路基板での導体回路側の面を1分間浸漬させ、取り出した後に150℃で5分間乾燥させて、製造例1の接着層付き片面回路基板を得た。以下の製造例、比較製造例も含め、乾燥後の接着層の厚さは全て2μmであった。 Next, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 is stored in a bat (building bath), and the surface on the conductor circuit side of the single-sided circuit board of Production Example 1 described above is immersed in this for 1 minute. After taking out, it was dried at 150 ° C. for 5 minutes to obtain a single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 1. The thickness of the adhesive layer after drying was 2 μm, including the following production examples and comparative production examples.
(製造例2)
製造例1と同様にして、製造例2の両面回路基板(コア基板)を得た。
(Production Example 2)
In the same manner as in Production Example 1, a double-sided circuit board (core substrate) of Production Example 2 was obtained.
次に、この製造例2の両面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例2で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例2の接着層付き両面回路基板を得た。 Next, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the double-sided circuit board of Production Example 2, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 2 was used. Obtained a double-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 2 in the same manner as in Production Example 1.
また、製造例1と同様にして、製造例2の片面回路基板(コア基板)を得た。 Moreover, it carried out similarly to manufacture example 1, and obtained the single-sided circuit board (core board | substrate) of manufacture example 2.
次に、この製造例2の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例2で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例2の接着層付き片面回路基板を得た。 Next, for the single-sided circuit board of Production Example 2, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 2 was used. Obtained a single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 2 in the same manner as Production Example 1.
(製造例3)
作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例2で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例3の両面回路基板(コア基板)を得た。
(Production Example 3)
Instead of the double-sided copper-clad laminate obtained in Preparation Example 1, the double-sided copper-clad laminate obtained in Preparation Example 2 was used in the same manner as in Production Example 1, except that the double-sided circuit board (core) Substrate).
次に、この製造例3の両面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例3で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用い、製造例3の接着層付き両面回路基板を得た。 Next, instead of the resin varnish (for the adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the double-sided circuit board of Production Example 3, the resin varnish (for the adhesive layer) obtained in Preparation Example 3 was used to produce A double-sided circuit board with an adhesive layer of Example 3 was obtained.
また、作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例2で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例3の片面回路基板(コア基板)を得た。 Further, in place of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1, the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 2 was used in the same manner as Production Example 1, except that the single-sided circuit board of Production Example 3 was used. (Core substrate) was obtained.
次に、この製造例3の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例3で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用い、製造例3の接着層付き片面回路基板を得た。 Next, instead of the resin varnish (for the adhesive layer) obtained in Preparation Example 1, the resin varnish (for the adhesive layer) obtained in Preparation Example 3 was used to manufacture the single-sided circuit board of Production Example 3 A single-sided circuit board with an adhesive layer of Example 3 was obtained.
(製造例4)
作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例2で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例4の両面回路基板(コア基板)を得た。
(Production Example 4)
In place of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1, the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 2 was used except that the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 2 was used. Substrate).
次に、この製造例4の両面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例4で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例4の接着層付き両面回路基板を得た。 Next, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the double-sided circuit board of Production Example 4, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 4 was used. Obtained a double-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 4 in the same manner as in Production Example 1.
また、作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例2で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例4の片面回路基板(コア基板)を得た。 Further, in place of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1, the single-sided circuit board of Production Example 4 was produced in the same manner as Production Example 1 except that the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 2 was used. (Core substrate) was obtained.
次に、この製造例4の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例4で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例4の接着層付き片面回路基板を得た。 Next, instead of the resin varnish (for the adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the single-sided circuit board of Production Example 4, the resin varnish (for the adhesive layer) obtained in Preparation Example 4 was used. Obtained the single-sided circuit board with the contact bonding layer of manufacture example 4 like manufacture example 1.
(製造例5)
作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例3で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例5の両面回路基板(コア基板)を得た。
(Production Example 5)
In place of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1, the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 3 was used except that the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 3 was used. Substrate).
次に、特開2000−282265号公報に記載されているように、硫酸160g/L、過酸化水素100g/L、トリルトリアゾール2g/L、亜リン酸10g/L、イオン交換水(残部)の混合溶液を作製し、上述の製造例5の両面回路基板の表面に、この混合溶液を30℃で1分間スプレーし、導体回路の表面粗さが3.0μmとなるような粗化処理を行った。 Next, as described in JP-A No. 2000-282265, sulfuric acid 160 g / L, hydrogen peroxide 100 g / L, tolyltriazole 2 g / L, phosphorous acid 10 g / L, ion-exchanged water (remainder) A mixed solution is prepared, and this mixed solution is sprayed at 30 ° C. for 1 minute on the surface of the double-sided circuit board of Production Example 5 described above, and a roughening treatment is performed so that the surface roughness of the conductor circuit becomes 3.0 μm. It was.
その後、粗化処理後の製造例5の両面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例5で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例5の接着層付き両面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the double-sided circuit board of Production Example 5 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 5 was used. A double-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 5 was obtained in the same manner as Production Example 1 except that it was used.
また、作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例3で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例5の片面回路基板(コア基板)を得た。 Further, in place of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1, the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 3 was used in the same manner as Production Example 1, except that the single-sided circuit board of Production Example 5 was used. (Core substrate) was obtained.
次に、製造例5の片面回路基板の導体回路を有する面に上述と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the surface having the conductor circuit of the single-sided circuit board of Production Example 5 was subjected to the same roughening treatment as described above, so that the surface roughness of the conductor circuit was 3.0 μm.
その後、粗化処理後の製造例5の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例5で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例5の接着層付き片面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the single-sided circuit board of Production Example 5 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 5 was used. A single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 5 was obtained in the same manner as Production Example 1 except that it was used.
(製造例6)
作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例3で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例6の両面回路基板(コア基板)を得た。
(Production Example 6)
Instead of the double-sided copper-clad laminate obtained in Preparation Example 1, the double-sided copper-clad laminate obtained in Preparation Example 3 was used in the same manner as in Production Example 1, except that the double-sided copper-clad laminate (core) Substrate).
次に、製造例6の両面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the same roughening treatment as in Production Example 5 was performed on the double-sided circuit board of Production Example 6 so that the surface roughness of the conductor circuit was 3.0 μm.
その後、粗化処理後の製造例6の両面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例6で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例6の接着層付き両面回路基板を得た。 Thereafter, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 6 was used instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the double-sided circuit board of Production Example 6 after the roughening treatment. A double-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 6 was obtained in the same manner as Production Example 1 except that it was used.
また、作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例3で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例6の片面回路基板(コア基板)を得た。 Further, in place of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1, the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 3 was used in the same manner as Production Example 1 except that the single-sided circuit board of Production Example 6 was used. (Core substrate) was obtained.
次に、製造例6の片面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the roughening process similar to manufacture example 5 was performed to the single-sided circuit board of manufacture example 6, and the surface roughness of the conductor circuit was set to 3.0 micrometers.
その後、粗化処理後の製造例6の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例6で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例6の接着層付き片面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the single-sided circuit board of Production Example 6 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 6 was used. A single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 6 was obtained in the same manner as Production Example 1 except that it was used.
(製造例7)
製造例1と同様にして、製造例7の両面回路基板(コア基板)を得た。
(Production Example 7)
In the same manner as in Production Example 1, a double-sided circuit board (core substrate) of Production Example 7 was obtained.
次に、製造例7の両面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the roughening process similar to the manufacture example 5 was performed to the double-sided circuit board of the manufacture example 7, and the surface roughness of the conductor circuit was set to 3.0 micrometers.
その後、粗化処理後の製造例7の両面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例7で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例7の接着層付き両面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the double-sided circuit board of Production Example 7 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 7 was used. A double-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 7 was obtained in the same manner as Production Example 1 except that it was used.
また、製造例1と同様にして、製造例7の片面回路基板(コア基板)を得た。 Further, in the same manner as in Production Example 1, a single-sided circuit board (core substrate) of Production Example 7 was obtained.
次に、製造例7の片面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the roughening process similar to manufacture example 5 was performed to the single-sided circuit board of manufacture example 7, and the surface roughness of the conductor circuit was set to 3.0 micrometers.
その後、粗化処理後の製造例7の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、調製例7で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、製造例7の接着層付き片面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for the adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the single-sided circuit board of Production Example 7 after the roughening treatment, the resin varnish (for the adhesive layer) obtained in Preparation Example 7 was used. A single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 7 was obtained in the same manner as Production Example 1 except that it was used.
(比較製造例1)
製造例1と同様にして、比較製造例1の両面回路基板(コア基板)を得た。
(Comparative Production Example 1)
In the same manner as in Production Example 1, a double-sided circuit board (core substrate) of Comparative Production Example 1 was obtained.
次に、比較製造例1の両面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the roughening process similar to the manufacture example 5 was performed to the double-sided circuit board of the comparative manufacture example 1, and the surface roughness of the conductor circuit was set to 3.0 micrometers.
その後、粗化処理後の比較製造例1の両面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、比較調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例1の接着層付き両面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the double-sided circuit board of Comparative Production Example 1 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Comparative Preparation Example 1 was used. ) Was used in the same manner as in Production Example 1 to obtain a double-sided circuit board with an adhesive layer in Comparative Production Example 1.
また、製造例1と同様にして、比較製造例1の片面回路基板(コア基板)を得た。 Moreover, it carried out similarly to the manufacture example 1, and obtained the single-sided circuit board (core board | substrate) of the comparative manufacture example 1.
次に、比較製造例1の片面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the roughening process similar to manufacture example 5 was performed to the single-sided circuit board of the comparative manufacture example 1, and the surface roughness of the conductor circuit was set to 3.0 micrometers.
その後、粗化処理後の比較製造例1の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、比較調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例1の接着層付き片面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the single-sided circuit board of Comparative Production Example 1 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Comparative Preparation Example 1 was used. ) Was used in the same manner as in Production Example 1 to obtain a single-sided circuit board with an adhesive layer of Comparative Production Example 1.
(比較製造例2)
作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例3で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例3の両面回路基板(コア基板)を得た。
(Comparative Production Example 2)
Instead of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1, the double-sided circuit board of Comparative Production Example 3 was used in the same manner as Production Example 1 except that the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 3 was used. A core substrate) was obtained.
次に、比較製造例2の両面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the roughening process similar to the manufacture example 5 was performed to the double-sided circuit board of the comparative manufacture example 2, and the surface roughness of the conductor circuit was set to 3.0 micrometers.
その後、粗化処理後の比較製造例2の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、比較調製例2で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例2の接着層付き両面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the single-sided circuit board of Comparative Production Example 2 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Comparative Preparation Example 2 was used. ) Was used in the same manner as in Production Example 1 to obtain a double-sided circuit board with an adhesive layer in Comparative Production Example 2.
また、作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例3で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例3の片面回路基板(コア基板)を得た。 Moreover, it replaced with the double-sided copper clad laminated board obtained by the manufacture example 1, and carried out similarly to the manufacture example 1 except having used the double-sided copper clad laminate obtained by the manufacture example 3, and the single-sided circuit of the comparative manufacture example 3 A substrate (core substrate) was obtained.
次に、比較製造例2の片面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the same roughening treatment as in Production Example 5 was performed on the single-sided circuit board of Comparative Production Example 2, and the surface roughness of the conductor circuit was set to 3.0 μm.
その後、粗化処理後の比較製造例2の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、比較調製例2で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例2の接着層付き片面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the single-sided circuit board of Comparative Production Example 2 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Comparative Preparation Example 2 was used. ) Was used in the same manner as in Production Example 1 to obtain a single-sided circuit board with an adhesive layer in Comparative Production Example 2.
(比較製造例3)
作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例3で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例3の両面回路基板を得た。
(Comparative Production Example 3)
Instead of the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 1, the double-sided circuit board of Comparative Production Example 3 was prepared in the same manner as in Production Example 1 except that the double-sided copper-clad laminate obtained in Production Example 3 was used. Obtained.
次に、比較製造例3の両面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the roughening process similar to the manufacture example 5 was performed to the double-sided circuit board of the comparative manufacture example 3, and the surface roughness of the conductor circuit was set to 3.0 micrometers.
その後、粗化処理後の比較製造例2の両面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、比較調製例3で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例3の接着層付き両面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the double-sided circuit board of Comparative Production Example 2 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Comparative Preparation Example 3 was used. ) Was used in the same manner as in Production Example 1 to obtain a double-sided circuit board with an adhesive layer of Comparative Production Example 3.
また、作製例1で得られた両面銅張積層板に代えて、作製例3で得られた両面銅張積層板を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例3の片面回路基板を得た。 Moreover, it replaced with the double-sided copper clad laminated board obtained by the manufacture example 1, and carried out similarly to the manufacture example 1 except having used the double-sided copper clad laminate obtained by the manufacture example 3, and the single-sided circuit of the comparative manufacture example 3 A substrate was obtained.
次に、比較製造例3の片面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。 Next, the roughening process similar to the manufacture example 5 was performed to the single-sided circuit board of the comparative manufacture example 3, and the surface roughness of the conductor circuit was set to 3.0 micrometers.
その後、粗化処理後の比較製造例2の片面回路基板に対し、調製例1で得られた樹脂ワニス(接着層用)に代えて、比較調製例3で得られた樹脂ワニス(接着層用)を用いた以外は製造例1と同様にして、比較製造例3の接着層付き片面回路基板を得た。 Then, instead of the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Preparation Example 1 for the single-sided circuit board of Comparative Production Example 2 after the roughening treatment, the resin varnish (for adhesive layer) obtained in Comparative Preparation Example 3 was used. ) Was used in the same manner as in Production Example 1 to obtain a single-sided circuit board with an adhesive layer in Comparative Production Example 3.
[多層プリント配線板(3層板、4層板)の製造]
(実施例1)
製造例1の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例1の多層プリント配線板(4層板)を得た。
[Manufacture of multilayer printed wiring boards (3-layer boards, 4-layer boards)]
Example 1
On both surfaces of the double-sided circuit board with the adhesive layer of Production Example 1, the prepreg for insulating resin layer and the low profile copper foil of Production Example 1 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). The multilayer printed wiring board (four-layer board) of Example 1 was obtained by heat and pressure molding at 20 ° C. for 70 minutes under a pressing condition of 2.9 MPa.
(実施例2)
製造例2の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例2の多層プリント配線板(4層板)を得た。
(Example 2)
On both surfaces of the double-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 2, the insulating resin layer prepreg of Production Example 1 and the low profile copper foil are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). Then, these were subjected to heat and pressure molding at 20 ° C. for 70 minutes under a pressing condition of 2.9 MPa to obtain a multilayer printed wiring board (four-layer board) of Example 2.
(実施例3)
製造例3の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例2の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例3の多層プリント配線板(4層板)を得た。
(Example 3)
On both surfaces of the double-sided circuit board with adhesive layer of Production Example 3, the prepreg for insulating resin layer and Low Profile Copper Foil of Production Example 2 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). Then, these were heated and pressed under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (four-layer board) of Example 3.
(実施例4)
製造例4の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例2の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例4の多層プリント配線板(4層板)を得た。
Example 4
On both surfaces of the double-sided circuit board with adhesive layer of Production Example 4, the prepreg for insulating resin layer and Low Profile Copper Foil of Production Example 2 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). The multilayer printed wiring board (four-layer board) of Example 4 was obtained by heat and pressure molding at 20 ° C. for 70 minutes under a pressing condition of 2.9 MPa.
(実施例5)
製造例5の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例3の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例5の多層プリント配線板(4層板)を得た。
(Example 5)
On both surfaces of the double-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 5, the prepreg for insulating resin layer and Low Profile Copper Foil of Production Example 3 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). The multilayer printed wiring board (four-layer board) of Example 5 was obtained by subjecting these to heat and pressure molding at 20 ° C. for 70 minutes under a pressing condition of 2.9 MPa.
(実施例6)
製造例6の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例3の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例6の多層プリント配線板(4層板)を得た。
(Example 6)
On both surfaces of the double-sided circuit board with adhesive layer of Production Example 6, the prepreg for insulating resin layer and Low Profile Copper Foil of Production Example 3 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). The multilayer printed wiring board (four-layer board) of Example 6 was obtained by heat and pressure molding at 20 ° C. for 70 minutes under a pressing condition of 2.9 MPa.
(実施例7)
製造例7の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例3の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例7の多層プリント配線板(4層板)を得た。
(Example 7)
On both surfaces of the double-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 7, the prepreg for insulating resin layer and Low Profile Copper Foil of Production Example 3 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). Then, these were heated and pressed under pressure of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (four-layer board) of Example 7.
(実施例8)
製造例1の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例8の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Example 8)
The insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Preparation Example 1 described above are arranged in this order on the surface on the conductor circuit side of the single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 1 (the M surface of the low profile copper foil is prepreg). Then, the multilayer printed wiring board (three-layer board) of Example 8 was obtained by subjecting these to heat and pressure molding at 20 ° C. for 70 minutes under a pressing condition of 2.9 MPa.
(実施例9)
製造例2の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例9の多層プリント配線板(3層板)を得た。
Example 9
The insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Preparation Example 1 described above are arranged in this order on the surface on the conductor circuit side of the single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 2 (the M surface of the low profile copper foil is prepreg). Then, these were heated and pressed under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (three-layer board) of Example 9.
(実施例10)
製造例3の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例2の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例10の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Example 10)
The insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Preparation Example 2 described above are arranged in this order on the conductor circuit side surface of the single-sided circuit board with adhesive layer of Production Example 3 (the M surface of the low profile copper foil is prepreg). Then, these were heated and pressed under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (three-layer board) of Example 10.
(実施例11)
製造例4の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例2の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例11の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Example 11)
The insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Preparation Example 2 described above are arranged in this order on the conductor circuit side surface of the single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 4 (the M surface of the low profile copper foil is prepreg). Then, these were heated and pressed under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (three-layer board) of Example 11.
(実施例12)
製造例5の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例3の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例12の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Example 12)
The insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Preparation Example 3 described above are arranged in this order on the conductor circuit side surface of the single-sided circuit board with adhesive layer of Production Example 5 (the M surface of the low profile copper foil is prepreg). Then, these were heated and pressed under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (three-layer board) of Example 12.
(実施例13)
製造例6の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例3の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例13の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Example 13)
The insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Preparation Example 3 described above are arranged in this order on the surface on the conductor circuit side of the single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 6 (the M surface of the low profile copper foil is prepreg). Then, these were heated and pressed under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (three-layer board) of Example 13.
(実施例14)
製造例7の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、実施例14の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Example 14)
The insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Preparation Example 1 described above are arranged in this order on the surface on the conductor circuit side of the single-sided circuit board with an adhesive layer of Production Example 7 (the M surface of the low profile copper foil is prepreg). Then, these were heated and pressed under pressure of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (three-layer board) of Example 14.
(比較例1)
比較製造例1の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例1の多層プリント配線板(4層板)を得た。
(Comparative Example 1)
On both surfaces of the double-sided circuit board with the adhesive layer of Comparative Production Example 1, the prepreg for insulating resin layer and the low profile copper foil of Production Example 1 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). Then, these were heated and pressed under pressure of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (four-layer board) of Comparative Example 1.
(比較例2)
比較製造例2の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例3の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例2の多層プリント配線板(4層板)を得た。
(Comparative Example 2)
On both surfaces of the double-sided circuit board with an adhesive layer of Comparative Production Example 2, the prepreg for insulating resin layer and low profile copper foil of Production Example 3 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). Then, the multilayer printed wiring board (four-layer board) of Comparative Example 2 was obtained by heating and pressing at 20 ° C. for 70 minutes under a pressing condition of 2.9 MPa.
(比較例3)
比較製造例3の接着層付き両面回路基板の両面に、上述の作製例3の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例3の多層プリント配線板(4層板)を得た。
(Comparative Example 3)
On both surfaces of the double-sided circuit board with an adhesive layer of Comparative Production Example 3, the prepreg for insulating resin layer and low profile copper foil of Production Example 3 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is the prepreg side). The multilayer printed wiring board (4-layer board) of Comparative Example 3 was obtained by heat and pressure molding at 20 ° C. for 70 minutes under a pressing condition of 2.9 MPa.
(比較例4)
製造例1で得られた両面回路基板に、接着層を形成させることなく、その両面に上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例4の多層プリント配線板(4層板)を得た。
(Comparative Example 4)
Without forming an adhesive layer on the double-sided circuit board obtained in Production Example 1, the prepreg for insulating resin layer and low profile copper foil of Production Example 1 described above are arranged in this order on both sides (low profile copper foil) The M surface of the prepreg side is heated and pressed under pressure of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain the multilayer printed wiring board (four-layer board) of Comparative Example 4. Obtained.
(比較例5)
製造例1で得られた両面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。
(Comparative Example 5)
The double-sided circuit board obtained in Production Example 1 was subjected to the same roughening treatment as in Production Example 5, so that the surface roughness of the conductor circuit was 3.0 μm.
その後、この粗化処理後の両面回路基板に対し、接着層を形成させることなく、その両面に上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例5の多層プリント配線板(4層板)を得た。 Thereafter, the adhesive layer is not formed on the double-sided circuit board after the roughening treatment, and the prepreg for insulating resin layer and low profile copper foil of Production Example 1 described above are arranged in this order on both sides (low profile). The M surface of the copper foil is the prepreg side.) These are heated and pressed under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes to obtain a multilayer printed wiring board (four-layer board) of Comparative Example 5 )
(比較例6)
比較製造例1の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例6の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Comparative Example 6)
On the conductor circuit side surface of the single-sided circuit board with the adhesive layer of Comparative Production Example 1, the prepreg for insulating resin layer and the low profile copper foil of Production Example 1 described above are arranged in this order (the M surface of the low profile copper foil is Then, the multilayer printed wiring board (three-layer board) of Comparative Example 6 was obtained by heating and pressing under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes.
(比較例7)
比較製造例2の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例3の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例7の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Comparative Example 7)
The insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Production Example 3 described above are arranged in this order on the surface on the conductor circuit side of the single-sided circuit board with an adhesive layer of Comparative Production Example 2 (the M surface of the low profile copper foil is arranged in this order). Then, the multilayer printed wiring board (three-layer board) of Comparative Example 7 was obtained by heating and pressing under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes.
(比較例8)
比較製造例3の接着層付き片面回路基板の導体回路側の面に、上述の作製例3の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例8の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Comparative Example 8)
The insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Preparation Example 3 described above are arranged in this order on the surface on the conductor circuit side of the single-sided circuit board with an adhesive layer of Comparative Production Example 3 (the M surface of the low profile copper foil is arranged in this order). Then, the multilayer printed wiring board (three-layer board) of Comparative Example 8 was obtained by heat-press molding under press conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes.
(比較例9)
製造例1で得られた片面回路基板に、接着層を形成させることなく、その導体回路側の面に、上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例9の多層プリント配線板(3層板)を得た。
(Comparative Example 9)
Without forming an adhesive layer on the single-sided circuit board obtained in Production Example 1, the prepreg for insulating resin layer and low profile copper foil of Production Example 1 described above are arranged in this order on the surface on the side of the conductor circuit. (The M surface of the low-profile copper foil is the prepreg side), and these are heated and pressed under pressure of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes, whereby the multilayer printed wiring board of Comparative Example 9 ( A three-layer plate) was obtained.
(比較例10)
製造例1で得られた片面回路基板に製造例5と同様の粗化処理を行い、導体回路の表面粗さを3.0μmにした。
(Comparative Example 10)
The single-sided circuit board obtained in Production Example 1 was subjected to the same roughening treatment as in Production Example 5, so that the surface roughness of the conductor circuit was 3.0 μm.
その後、この粗化処理後の片面回路基板に対し、接着層を形成させることなく、その導体回路側の面に、上述の作製例1の絶縁樹脂層用プリプレグ、及びロープロファイル銅箔をこの順で配置(ロープロファイル銅箔のM面をプリプレグ側とする。)して、これらを20℃で70分、2.9MPaのプレス条件で加熱加圧成形することにより、比較例10の多層プリント配線板(3層板)を得た。 Then, without forming an adhesive layer on the roughened single-sided circuit board, the insulating resin layer prepreg and low profile copper foil of Production Example 1 described above were formed in this order on the surface on the conductor circuit side. (The M surface of the low-profile copper foil is the prepreg side), and these are heated and pressed under pressure conditions of 2.9 MPa at 20 ° C. for 70 minutes, whereby the multilayer printed wiring of Comparative Example 10 A plate (three-layer plate) was obtained.
実施例1〜7、比較例1〜5で用いた樹脂ワニス(硬化性樹脂組成物)、及び製造時の導体回路の表面粗さを表3にまとめて示す。また、実施例8〜14、比較例6〜10で用いた樹脂ワニス(硬化性樹脂組成物)、及び製造時の導体回路の表面粗さを表4にまとめて示す。 Table 3 shows the resin varnish (curable resin composition) used in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 5 and the surface roughness of the conductor circuit at the time of production. Table 4 summarizes the surface roughness of the resin varnish (curable resin composition) used in Examples 8 to 14 and Comparative Examples 6 to 10 and the conductor circuit during production.
[多層プリント配線板における銅箔引き剥がし強さの測定]
実施例1〜7、比較例1〜5の多層プリント配線板(4層板)において、コア基板の絶縁層(積層板)で積層方向に2つに割いて剥がし、剥がした後に露出した絶縁層のいずれかの面をサンドペーパーで擦り、配線の幅方向に1cm長さの導体回路を露出させて評価用サンプルを作製した。その常態及びプレッシャークッカーテスト(PCT)用装置(条件:121℃、2.2気圧)中に5時間保持した後の銅箔引き剥がし強さ(単位:kN/m)を、規格JIS−C−6481−1996の「プリント配線板用銅張積層板試験方法」に準拠して測定した。結果を表3に示す。なお、この銅箔引き剥がし強さについて、0.01kN/mに満たなかったものについては、引き剥がし以前にすでに剥がれが確認された。
[Measurement of peel strength of copper foil in multilayer printed wiring boards]
In the multilayer printed wiring boards (four-layer board) of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 5, the insulating layer (laminated board) of the core substrate was split into two in the laminating direction and peeled off, and the insulating layer exposed after peeling Either surface was rubbed with sandpaper, and a 1 cm long conductor circuit was exposed in the width direction of the wiring to produce a sample for evaluation. The copper foil peel strength (unit: kN / m) after being held in the normal state and pressure cooker test (PCT) apparatus (conditions: 121 ° C., 2.2 atm) for 5 hours is JIS-C- Measured in accordance with “Test method for copper-clad laminate for printed wiring board” of 6481-1996. The results are shown in Table 3. In addition, about this copper foil peeling strength, about what was less than 0.01 kN / m, peeling was already confirmed before peeling.
[多層プリント配線板のはんだ耐熱性の評価]
実施例1〜7、比較例1〜5の多層プリント配線板(4層板)において、50mm角に切断した上述の多層プリント配線板の両側の銅箔を全面エッチングし、評価用サンプルを作製した。その常態及びプレッシャークッカーテスト(PCT)用装置(条件:121℃、2.2気圧)中に所定時間(1〜3時間)保持した後のものを、260℃の溶融はんだに20秒間浸漬し、得られた評価用サンプルの外観を目視で調べた。結果を表3に示す。なお、表中の数字は、はんだ浸漬後の多層プリント配線板のうち、絶縁樹脂層と導体回路又はエッチング面(積層板)との間の膨れや、絶縁樹脂層でのミーズリングの発生が認められなかったものの枚数を意味する。
In the multilayer printed wiring boards (four-layer boards) of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 5, the copper foils on both sides of the multilayer printed wiring board cut into 50 mm squares were etched on the entire surface to prepare evaluation samples. . The normal and pressure cooker test (PCT) apparatus (conditions: 121 ° C., 2.2 atm) after being held for a predetermined time (1 to 3 hours) is immersed in molten solder at 260 ° C. for 20 seconds, The appearance of the obtained sample for evaluation was examined visually. The results are shown in Table 3. The numbers in the table indicate the occurrence of swelling between the insulating resin layer and the conductor circuit or the etched surface (laminated board) in the multilayer printed wiring board after solder immersion, and the occurrence of measling in the insulating resin layer. It means the number of items that were not.
[多層プリント配線板の伝送損失の評価]
実施例8〜14、比較例6〜10の多層プリント配線板(3層板)において、その伝送損失(単位:dB/m)を測定した。上記多層プリント配線板(3層板)は、2枚の平面外導体(ロープロファイル銅箔)間に平面内導体(導体回路)が配置される線路構造(トリプレート線路構造)を有するため、そのまま評価用サンプルとして用いて、トリプレート線路共振器法によりこれらの伝送損失を測定した。トリプレート線路共振器法には、ベクトル型ネットワークアナライザーを用いた。なお、測定条件はライン幅:0.6mm、上下グランド導体間絶縁層距離:約1.04mm、ライン長:200mm、特性インピーダンス:約50Ω、周波数:3GHz、測定温度:25℃とした。結果を表4に示す。
In the multilayer printed wiring boards (three-layer boards) of Examples 8 to 14 and Comparative Examples 6 to 10, the transmission loss (unit: dB / m) was measured. The multilayer printed wiring board (three-layer board) has a line structure (triplate line structure) in which an in-plane conductor (conductor circuit) is disposed between two out-of-plane conductors (low profile copper foil). These transmission losses were measured by the triplate line resonator method as an evaluation sample. A vector type network analyzer was used for the triplate line resonator method. Measurement conditions were as follows: line width: 0.6 mm, insulating layer distance between upper and lower ground conductors: about 1.04 mm, line length: 200 mm, characteristic impedance: about 50Ω, frequency: 3 GHz, measurement temperature: 25 ° C. The results are shown in Table 4.
10、50…回路基板、12、52…積層板(絶縁板)、14、54…導体回路、14a、54a…導体回路の表面、12a、52a…積層板(絶縁板)の表面、20…接着層、60…硬化層、70…絶縁樹脂層、80…金属箔、100…接着層付き回路基板、200…多層プリント配線板。
DESCRIPTION OF
Claims (27)
前記接着層は、
(A)成分;ポリアミドイミドと、
(B)成分;該ポリアミドイミドのアミド基と反応し得る官能基を有し、かつエチレン性不飽和結合を有する化合物と、
(E)成分;ラジカル重合開始剤と、
を含有する硬化性樹脂組成物からなるものである、接着層付き回路基板。 A circuit board with an adhesive layer comprising: a circuit board on which a conductor circuit is formed on one or both main surfaces of an insulating plate; and an adhesive layer provided on at least the surface of the conductor circuit,
The adhesive layer is
(A) component; polyamideimide,
(B) component; a compound having a functional group capable of reacting with the amide group of the polyamideimide and having an ethylenically unsaturated bond;
(E) component; radical polymerization initiator;
A circuit board with an adhesive layer, comprising a curable resin composition containing
前記接着層は、
(A)成分;ポリアミドイミドと、
(C)成分;該ポリアミドイミドのアミド基と反応し得る官能基を2つ以上有する化合物と、
(D)成分;前記(C)成分と反応し得る官能基を有し、かつエチレン性不飽和結合を有する化合物と、
(E)成分;ラジカル重合開始剤と、
を含有する硬化性樹脂組成物からなるものである、接着層付き回路基板。 A circuit board with an adhesive layer comprising: a circuit board on which a conductor circuit is formed on one or both main surfaces of an insulating plate; and an adhesive layer provided on at least the surface of the conductor circuit,
The adhesive layer is
(A) component; polyamideimide,
(C) component; a compound having two or more functional groups capable of reacting with the amide group of the polyamideimide;
(D) component; a compound having a functional group capable of reacting with the component (C) and having an ethylenically unsaturated bond;
(E) component; radical polymerization initiator;
A circuit board with an adhesive layer, comprising a curable resin composition containing
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