JP4632336B2

JP4632336B2 - Semiconductor circuit board and manufacturing method thereof

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Publication number: JP4632336B2
Application number: JP2001168347A
Authority: JP
Inventors: 栄吉吉田; 裕司小野; 英二山中; 道夫根本
Original assignee: NEC Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 2001-06-04
Filing date: 2001-06-04
Publication date: 2011-02-16
Anticipated expiration: 2021-06-04
Also published as: JP2002368101A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、産業用、民生用の各種の半導体素子の製造に使用される半導体回路基板に関するものであり、特に基板のパターニングの工程にて、ノイズ対策を施した電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板、およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体回路基板について説明する。図７は、従来の半導体回路基板の説明図である。図７（ａ）は、半導体回路基板の外観図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＦＦ断面図である。図７にて、２０１’は半導体回路基板２００’でのＩＣ回路部である。
【０００３】
従来の図７に示す半導体回路基板では、半導体回路基板そのものでは、ノイズ対策を行ってない。そのため、半導体回路基板を作製した後、半導体回路基板のＩＣ回路部分からノイズが発生しても、このノイズは、そのまま外部に漏れていき、他のデバイス、装置を誤動作させていた。そこで、半導体素子へのノイズ対策として、個々の半導体素子ごとに、半導体素子裏面に電磁波吸収材料を塗布する等して、新たな電磁波吸収層を形成した。
【０００４】
図８は、先の図７の従来の半導体回路基板の裏面に電波吸収体３００を形成した説明図である。図８（ａ）は、半導体回路基板の外観図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＧＧ断面図である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体回路基板でのノイズ対策では、後工程にて、１個ごとに半導体回路基板の裏面に、電波吸収体３００を塗布するため、ノイズ対策を行うための工程に多大の時間を要するという問題点があった。また、前記電波吸収体３００の厚みには、ばらつきが生じやすく、個々の半導体回路基板のノイズ吸収特性にも、ばらつきが生ずるという問題点があった。
【０００６】
従って、本発明の目的は、ＩＣ回路基板の形体のままで、ＭＨｚ帯域からＧＨｚ帯域までの妨害電磁波を効率良く吸収できる、絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板、およびその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板は、導電性の軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体を、ＩＣ回路パターンの所定位置に形成された半導体回路基板であって、前記電磁雑音抑制体が、前記ＩＣ回路パターンでの導電性のパターンの上に形成されていて、かつ前記電磁雑音抑制体の幅が、少なくとも前記導電性のパターンの幅の範囲内に制御されており、かつ前記導電性のパターンは、ＩＣ回路パターンでの電源供給系のラインのパターン、あるいはグランド系のラインのパターンとすることを特徴とする電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板とするものである。
【０００８】
ここで、前記導電性の軟磁性薄膜として、グラニュラー磁性膜の形体をとっている材料、すなわち、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそれらの混在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物）からなる磁気損失材料としている。
【０００９】
また、本発明の電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板の製造方法は、半導体ウエハの状態であって、ＩＣ回路パターンが形成されているが、最終パッシベーション膜は、まだ形成されていない半導体ウエハに、半導体プロセス（リソグラフィ、ドライエッチング、あるいはリフトオフ、あるいはウェットエッチングなどの組み合わせ）を用いて、前記ＩＣ回路パターンでの、電源供給系のラインのパターン、あるいはグランド系のラインのパターンの上に、導電性の軟磁性薄膜を形成することを特徴とする半導体回路基板の製造方法とするものである。
【００１０】
即ち、本発明は、軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体を、絶縁膜で被覆されたＩＣ回路パターンの所定位置に形成した半導体回路基板において、前記電磁雑音抑制体が、前記絶縁膜を介してＩＣ回路パターンの全面に形成され、かつ前記電磁雑音抑制体が、細分化されたパターンに加工処理されており、前記細分化されたパターンの寸法は、少なくとも、ＩＣ回路パターンの導電性のパターンの整数分の一以下の寸法とした絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板である。
【００１１】
また、本発明は、前記軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体での細分化されたパターンの複数の軟磁性薄膜は、少なくとも前記ＩＣ回路パターンの導電性のパターンの領域の範囲内に位置された絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板である。
【００１２】
また、本発明は、前記ＩＣ回路パターン上の導電性のパターンは、電源供給系のラインのパターン、あるいはグランド系のラインのパターンとする絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板である。
【００１３】
また、本発明は、軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体を、絶縁膜で被覆されたＩＣ回路パターンの所定位置に形成した半導体回路基板において、前記電磁雑音抑制体が、前記ＩＣ回路パターンでの、前記絶縁膜を介して、導電性のパターンの上に形成されていて、かつ前記電磁雑音抑制体の幅が、少なくとも前記導電性のパターンの幅の範囲内に設置された絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板である。
【００１４】
また、本発明は、前記ＩＣ回路パターン上の導電性のパターンは、電源供給系のラインのパターン、あるいはグランド系のラインのパターンとする絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板である。
【００１５】
また、本発明は、前記軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体は、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそれらの混在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物）からなる軟磁性薄膜とする絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板である。
【００１６】
また、本発明は、軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体を、絶縁膜が形成されたＩＣ回路パターンの全面に形成した後、前記軟磁性薄膜を細分化したパターンとする、絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体を形成する半導体回路基板の製造方法において、前記半導体回路基板の製造方法は、前記電磁雑音抑制体を、前記絶縁膜が形成されたＩＣ回路パターンの全面に形成する第１の工程と、前記全面に形成された電磁雑音抑制体の全面の上にレジストを塗布する第２の工程と、前記レジストをホトリソグラフィ工程によって細分化するようにパターニングする第３の工程と、前記第３の工程にて露出した軟磁性薄膜を、ドライエッチング法によって除去する第４の工程と、前記第４の工程の後、軟磁性薄膜上のレジストを剥離する第５の工程とからなり、前記第３の工程での細分化するパターンの寸法を、少なくとも、ＩＣ回路パターンの導電性のパターンの整数分の一以下の寸法とし、また、細分化されたパターンのうち、複数の電磁雑音抑制体は、少なくとも前記ＩＣ回路パターンの導電性のパターンの領域の範囲内に位置させる半導体回路基板の製造方法である。
【００１７】
また、本発明は、軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体を、絶縁膜が形成されたＩＣ回路パターンの導電性パターンの領域内に形成する、絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体を形成する半導体回路基板の製造方法において、前記半導体回路基板の製造方法は、前記電磁雑音抑制体を、前記絶縁膜が形成されたＩＣ回路パターンの全面に形成する第１の工程と、前記全面に形成された電磁雑音抑制体の全面の上にレジストを塗布する第２の工程と、前記レジストをホトリソグラフィ工程によってパターニングする第３の工程と、前記第３の工程にて露出した軟磁性薄膜を、ドライエッチング法によって除去する第４の工程と、前記第４の工程の後、軟磁性薄膜上のレジストを剥離する第５の工程とからなり、前記第３の工程において、使用するマスクの寸法、および取り付け精度は、残すべきレジストの幅が、少なくとも電源供給系のパターンあるいはグランド系のラインのパターンの幅の内部に位置するように設定される半導体回路基板の製造方法である。
【００１８】
また、本発明は、軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体を、絶縁膜が形成されたＩＣ回路パターンの所定位置に形成する、絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体を形成する半導体回路基板の製造方法において、前記半導体回路基板の製造方法は、絶縁膜が形成されたＩＣ回路パターン上にレジストを全面に形成する第１の工程と、前記レジストをホトリソグラフィ工程によって細分化にパターニングする第２の工程と、前記基板の上に電磁雑音抑制体を全面に形成する第３の工程と、前記レジストを剥離し、同時にレジストの上にある電磁雑音抑制体を剥離する第４の工程とからなり、前記細分化されたパターンのうち、複数の軟磁性薄膜は、少なくとも前記ＩＣ回路パターンの導電性のパターンの領域の範囲内に位置させる半導体回路基板の製造方法である。
【００１９】
また、本発明は、軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体を、ＩＣ回路パターンの所定位置に形成する電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板の製造方法であって、前記半導体回路基板の製造方法は、絶縁膜が形成されたＩＣ回路パターン上にレジストを全面に形成する第１の工程と、前記レジストをホトリソグラフィ工程によってパターニングし、少なくとも電源供給系のラインのパターンあるいはグランド系のラインのパターン上の範囲以外にレジストを残す第２の工程と、前記基板の上に電磁雑音抑制体を全面に形成する第３の工程と、前記レジストを剥離し、同時にレジストの上にある電磁雑音抑制体を剥離する第４の工程とからなり、前記第２の工程において、使用するマスクの寸法、および取り付けの精度は、除去したレジストの幅が、少なくとも電源供給系のラインのパターンあるいはグランド系のラインのパターンの幅の内部に位置するように設定される半導体回路基板の製造方法である。
【００２０】
また、本発明は、前記軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体は、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそれらの混在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物）からなる軟磁性薄膜とする半導体回路基板の製造方法である。
【００２１】
【実施例】
本発明の実施例による絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板およびその製造方法ついて、以下に説明する。
【００２２】
（実施例１）
図１に、本発明の実施例による絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板の説明図を示す。図１（ａ）は、電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板の斜視図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）でのＡＡ断面図を示す。
【００２３】
図１（ａ）に示す電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板は、ＩＣ部分１と、電源ライン２と、グランドライン３とで形成されたＩＣ回路パターン１１と、前記ＩＣ回路パターン１１の全体を覆う絶縁膜９とで構成されている。ここで、絶縁膜９の上に、細分化された電磁雑音抑制体４が形成されている。
【００２４】
前記細分化された電磁雑音抑制体４での、選択された複数個は、少なくとも、ＩＣ回路パターン１１の導電性のパターンの最小寸法幅以下の寸法としており、また、前記電磁雑音抑制体の選択された複数個は、少なくとも前記ＩＣ回路パターン１１の導電性のパターンの領域の範囲内に位置している。
【００２５】
ここで、前記ＩＣ回路パターン１１の導電性のパターンとは、電源ライン３およびグランドライン２である。
【００２６】
ここで、軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体４は、グラニュラー磁性膜の形体を持つ材料であって、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそれらの混在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物）からなる軟磁性薄膜とするものである。
【００２７】
本絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板は、前記電磁雑音抑制体４が、ＩＣ回路パターン１１から発生する高周波帯域（特にＧＨｚ帯域）でのノイズ電流を吸収するものである。
【００２８】
ここで、前記軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体が、ノイズ電流を吸収する例を、以下に説明する。図３は、本発明の半導体回路基板に使用される軟磁性膜のノイズ吸収の代表データを示す図である。図３（ａ）は、代表的な試料の構成図であり、図３（ｂ）は、ノイズの反射特性データを示す図であり、図３（ｃ）は、ノイズの透過減衰特性データを示す図である。
【００２９】
図３（ａ）の試験試料の構成図は、導電性部材Ａの上に、約２μｍ厚みの軟磁性薄膜Ｂが、その導電性部材Ａの幅寸法（Ｗ）以内に配置されているものである。また、導電性部材Ａは、細長形状（Ｘ方向）であり、その上に形成された軟磁性薄膜Ｂも、図中のＸ方向の形状磁気異方性を有している。また、導電性部材Ａの長手方向に、電流が流れている。
【００３０】
図３（ｂ）は、図３（ａ）の試料の構成図における、ノイズの反射特性データであるが、図より、ＧＨｚ帯域にて、約−１５から−２０ｄＢの反射となっている。一方、図３（ｃ）は、ノイズの透過減衰特性データでは、図より、ＧＨｚ帯域にて、約−１から−１.５ｄＢの透過減衰量を示すことがわかる。
【００３１】
このように、本軟磁性薄膜は、約−１５から−２０ｄＢの反射を実現し、ノイズ電流吸収の効果が見られる。この場合、軟磁性薄膜がＸ方向の形状磁気異方性を有し、導電性材料Ａに流れるノイズ電流の方向と略方向が一致していることによって、より電磁的結合が強くなり、効率良くノイズ電流を吸収できるものである。
【００３２】
なお、図３の場合のデータは、軟磁性膜Ｂが導電性部材Ａに密着している場合である。軟磁性膜Ｂと導電性部材Ａとの間に絶縁物等の空隙があると、ノイズ吸収特性は、やや低下するが、空隙が小であれば、実用上、問題のないノイズ吸収特性が得られる。例えば、空隙が、１０から２０μｍ以下の範囲であれば、実用上、問題のないノイズ吸収特性が得られるものである。
【００３３】
ここで、図１にもどると、ＩＣ部分１の中にて、電源ライン２と、グランドライン３とは、細長形状の配線であって、この電源ライン２と、グランドライン３の上に、その幅の範囲内にて形成された軟磁性薄膜による電磁雑音吸収体は、電源ライン２と、グランドライン３の領域内に配置されており、従って、図３のノイズ吸収の効果にもとずいたノイズ電流の吸収が行われるものである。
【００３４】
ここで、図４は、本発明の実施例の絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板の複数パタ−ンを形成した半導体ウエハの説明図を示す。図４（ａ）は、半導体ウエハの平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）でのＢＢ断面図である。この半導体ウエハを個々のパターンにダイシングして、個々の半導体基板が得られるものである。
【００３５】
（実施例２）
図２に、本発明の実施例による絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板の説明図を示す。図２（ａ）は、半導体回路基板の平面図を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）でのＢＢ断面図を示す。
【００３６】
図２（ａ）に示す電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板は、ＩＣ部分１と、電源ライン２と、グランドライン３とで形成されたＩＣ回路パターン１１と、前記ＩＣ回路パターン１１の全体を覆う絶縁膜９とで構成されている。ここで、絶縁膜９の上に、パターニングされた電磁雑音抑制体４１が形成されている。
【００３７】
前記パターニングされた電磁雑音抑制体４１は、前記絶縁膜９を介して、導電性のパターンである電源ライン２とグランドライン３の上に形成されていて、かつ前記電磁雑音抑制体４１の幅が、少なくとも前記電源ライン２とグランドライン３のパターンの幅の範囲内に設置されている。
【００３８】
ここで、軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体４は、グラニュラー磁性膜の形体を持つ材料であって、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそれらの混在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物）からなる軟磁性薄膜とするものである。
【００３９】
本絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板は、前記電磁雑音抑制体４が、ＩＣ回路パターン１１から発生する高周波帯域（特にＧＨｚ帯域）でのノイズ電流を吸収するものである。
【００４０】
ここで、前記軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体が、ノイズ電流を吸収する例を、以下に説明する。図３は、本発明の半導体回路基板に使用される軟磁性膜のノイズ吸収の代表データを示す図である。図３（ａ）は、代表的な試料の構成図であり、図３（ｂ）は、ノイズの反射特性データを示す図であり、図３（ｃ）は、ノイズの透過減衰特性データを示す図である。
【００４１】
図３（ａ）の試験試料の構成図は、導電性部材Ａの上に、約２μｍ厚みの軟磁性薄膜Ｂが、その導電性部材Ａの幅寸法（Ｗ）以内に配置されているものである。また、導電性部材Ａは、細長形状（Ｘ方向）であり、その上に形成された軟磁性薄膜Ｂも、図中のＸ方向の形状磁気異方性を有している。また、導電性部材Ａの長手方向に、電流が流れている。
【００４２】
図３（ｂ）は、図３（ａ）の試料の構成図における、ノイズの反射特性データであるが、図より、ＧＨｚ帯域にて、約−１５から−２０ｄＢの反射となっている。一方、図３（ｃ）は、ノイズの透過減衰特性データでは、図より、ＧＨｚ帯域にて、約−１から−１.５ｄＢの透過減衰量を示すことがわかる。
【００４３】
このように、本軟磁性薄膜は、約−１５から−２０ｄＢの反射を実現し、ノイズ電流吸収の効果が見られる。この場合、軟磁性薄膜がＸ方向の形状磁気異方性を有し、導電性部材Ａに流れるノイズ電流の方向と略方向が一致していることによって、より電磁的結合が強くなり、効率良くノイズ電流を吸収できるものである。
【００４４】
なお、図３の場合のデータは、軟磁性膜Ｂが導電性部材Ａに密着している場合である。軟磁性膜Ｂと導電性部材Ａとの間に絶縁物等の空隙があると、ノイズ吸収特性は、やや低下するが、空隙が小であれば、実用上、問題のないノイズ吸収特性が得られる。例えば、空隙が、１０から２０μｍ以下の範囲であれば、実用上、問題のないノイズ吸収特性が得られるものである。
【００４５】
ここで、図２にもどると、ＩＣ部分１の中にて、電源ライン２と、グランドライン３とは、細長形状の配線であって、この電源ライン２と、グランドライン３の上に、その幅の範囲内にて形成された軟磁性薄膜による電磁雑音抑制体４は、電源ライン２と、グランドライン３の領域内に配置されており、従って、図３のノイズ吸収の効果にもとずいた、ノイズ電流の吸収が行われるものである。
【００４６】
（実施例３）
次に、図１（実施例１）に示した半導体回路基板を製造する方法について、特にドライエッチングを用いた例について説明する。
【００４７】
図５は、本発明の実施例による、ドライエッチンング法を主体とした、絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板の製造方法の説明図であり、図５（ａ）は、ＩＣ回路パターンが形成された、最終パッシベーション膜が形成された半導体基板（シリコン基板）の断面図、図５（ｂ）は、半導体基板全面に軟磁性薄膜になる電磁雑音抑制体を形成した状態を示す断面図、図５（ｃ）は、図５（ｂ）の基板全面にレジスト（ポジレジスト）を形成した状態を示す断面図、図５（ｄ）は、ホトリソグラフィ法によって、レジストをパターニングした状態を示す断面図、図５（ｅ）は、露出した電磁雑音抑制体のみをドライエッチング法によって除去した状態を示す断面図である。図５（ｆ）は、図５（ｅ）の状態からレジスト剥離を行った状態を示す断面図である。
【００４８】
図５（ｂ）に示す工程での、軟磁性膜からなる電磁雑音抑制体の成膜方法について、表１に、その条件を示す。
【００４９】
【表１】

【００５０】
表１の成膜条件にて、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそれらの混在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物）からなる軟磁性薄膜を、膜厚を約数μｍにて形成した。ここで、一例として、軟磁性薄膜の組成は、Ｆｅ₇₂ＡＬ₁₁Ｏ₁₇に設定した。
【００５１】
図５（ｂ）は、上記のごとく半導体基板全面に軟磁性薄膜でなる電磁雑音抑制体を形成した状態を示す断面図である。
【００５２】
次に、図５（ｃ）に示すごとく、基板全面にポジレジスト７を形成する。例えば、東京応化製のポジレジストＯＦＰＲ８００をスピンコート法によって塗布する。次に、リソグラフィ法によって、前記ポジレジストを細分化したパターニングとする。この場合、使用するマスクの寸法、およびマスクの取り付けの精度は、残すべきレジストの幅が（この場合、ポジレジストを使用しているので、感光しない場所のレジストが残る）、少なくともＩＣ回路パターンでの、電源ライン、あるいはグランドラインのパターンの最小寸法より小となり、しかも電源ライン、あるいはグランドライン幅の内部に位置するように設定されているものである。
【００５３】
図５（ｄ）は、上記のようにホトリソグラフィ法によって、図５（ｃ）でのポジレジスト７をパターニングした後の状態を示す断面図である。ここで除去したポジレジストの後には、電磁雑音抑制体４ａが露出している。
【００５４】
次に、図５（ｅ）は、露出した電磁雑音抑制体４ａのみをドライエッチング法によって除去し、ついで、レジスト剥離工程を行った状態を示す断面図である。ここで、ドライエッチング法は、露出した電磁雑音抑制体４ａに最適なエッチング法が使用される。例えば、イオンビームエッチングが使用され、アルゴン雰囲気条件での逆スパッタ条件等が採用される。
【００５５】
次に、図５（ｆ）は、図５（ｅ）の状態の基板にレジスト剥離工程を行った状態である。ここで、レジスト剥離工程は、上記の電磁雑音抑制体４ａのドライエッチングが完了した後、ウェット処理によってレジストのみを剥離するものである。
【００５６】
図５（ｆ）の状態である半導体ウエハーを、個々のチップにダイシングして、最終の絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板が得られるものである。
【００５７】
なお、図２（実施例２）に示した半導体回路基板を製造する方法について、ドライエッチングを用いる場合は、この実施例３と同様の工程にて実現できる。
【００５８】
（実施例４）
次に、図２（実施例２）に示した半導体回路基板を製造する方法について、特にリフトオフを用いた例について説明する。
【００５９】
図６は、本発明の実施例による、リフトオフ法を主体とした、絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板の製造方法の説明図を示す。図６（ａ）は、ＩＣ回路パターンが形成された、最終パッシベーション膜が形成された半導体基板の断面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）の半導体基板全面にポジレジストを形成した状態を示す断面図、図６（ｃ）は、ホトリソグラフィ法によって、レジストをパターニングした状態を示す断面図、図６（ｄ）は、図６（ｃ）の半導体基板全面に電磁雑音抑制体を一様に形成した状態を示す断面図、図６（ｅ）は、図６（ｄ）の半導体基板にレジスト剥離を行い、前記レジスト剥離と同時に、その上に形成された電磁雑音抑制体も一緒に剥離した状態を示す断面図である。
【００６０】
図６（ｅ）の状態である半導体ウエハーを、個々の半導体基板にダイシングして、絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板が得られるものである。
【００６１】
ここで、図２（実施例２）に示した半導体回路基板を製造する方法について、リフトオフを用いる場合は、この実施例４と同様の工程にて実現できる。
【００６２】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、ＭＨｚ帯域からＧＨｚ帯域までの妨害電磁波を効率良く吸収でき、個々の半導体基板に分割されたときに、ノイズ吸収の効果を示すことができ、量産性のすぐれた絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板、およびその製造方法を提供することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板の説明図を示す。図１（ａ）は、半導体回路基板の斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）でのＡＡ断面図。
【図２】本発明の実施例による絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板の説明図を示す。図２（ａ）は、半導体回路基板の平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）でのＢＢ断面図。
【図３】本発明の半導体回路基板に使用される軟磁性薄膜のノイズ吸収の代表データを示す図。図３（ａ）は、代表的な試料の構成図であり、図３（ｂ）は、ノイズの反射特性データを示す図、図３（ｃ）は、ノイズの透過減衰特性データを示す図。
【図４】本発明の実施例の絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体を形成した半導体回路基板の複数パタ−ンを形成した半導体ウエハの説明図。図４（ａ）は、半導体ウエハの平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）でのＢＢ断面図。
【図５】本発明の実施例による、ドライエッチンング法を主体とした、絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板の製造方法の説明図、図５（ａ）は、ＩＣ回路パターンが形成された、最終パッシベーション膜が形成された半導体基板（シリコン基板）の断面図、図５（ｂ）は、半導体基板全面に電磁雑音抑制体を形成した状態を示す断面図、図５（ｃ）は、図５（ｂ）の基板全面にレジスト（ポジレジスト）を形成した状態を示す断面図、図５（ｄ）は、ホトリソグラフィ法によって、レジストをパターニングした状態を示す断面図、図５（ｅ）は露出した電磁雑音抑制体のみをドライエッチング法によって除去した状態を示す断面図。図５（ｆ）は、図５（ｅ）の状態からレジスト剥離を行った状態を示す断面図。
【図６】本発明の実施例による、リフトオフ法を主体とした、絶縁膜を介在して電磁雑音抑制体が形成された半導体回路基板の製造方法の説明図。図６（ａ）は、ＩＣ回路パターンが形成された、最終パッシベーション膜が形成された半導体基板（シリコン基板）の断面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）の半導体基板全面にレジスト（ポジレジスト）を形成した状態を示す断面図、図６（ｃ）は、ホトリソグラフィ法によって、レジストをパターニングした状態を示す断面図、図６（ｄ）は、図６（ｃ）の半導体基板全面に電磁雑音抑制体を一様に形成した状態を示す断面図、図６（ｅ）は、図６（ｄ）の半導体基板にレジスト剥離を行い、前記レジスト剥離と同時に、その上に形成された電磁雑音抑制体も一緒に剥離した状態を示す断面図。
【図７】従来の半導体回路基板の説明図。図７（ａ）は、半導体回路基板の外観図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＦＦ断面図。
【図８】図７の従来の半導体回路基板の裏面に電波吸収体を形成した説明図、図８（ａ）は、半導体回路基板の外観図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＧＧ断面図。
【符号の説明】
１，１ａＩＣ部分
２電源ライン
３，３ａグランドライン
４，４ａ，４ｂ，４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ電磁雑音抑制体
５電源ライン端子
６グランドライン端子
７，７ａ，７１，７１ａ，７２，７２ａポジスト
９絶縁膜
１０シリコン基板
１１ＩＣ回路パターン
１０１半導体ウエハ
２００’，２００ａ’ 半導体回路基板
２０１’ ＩＣ回路部
３００電波吸収体
Ａ導電性部材
Ｂ軟磁性薄膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor circuit board used for manufacturing various types of industrial and consumer semiconductor elements, and in particular, a semiconductor in which an electromagnetic noise suppression body is provided with noise countermeasures in the patterning process of the board. The present invention relates to a circuit board and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
A conventional semiconductor circuit board will be described. FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional semiconductor circuit board. FIG. 7A is an external view of the semiconductor circuit board, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line FF in FIG. In FIG. 7, reference numeral 201 ′ denotes an IC circuit portion on the semiconductor circuit board 200 ′.
[0003]
In the conventional semiconductor circuit board shown in FIG. 7, the semiconductor circuit board itself does not take measures against noise. For this reason, even if noise is generated from the IC circuit portion of the semiconductor circuit board after the semiconductor circuit board is manufactured, this noise leaks to the outside as it is, causing other devices and devices to malfunction. Therefore, as a countermeasure against noise on the semiconductor element, a new electromagnetic wave absorbing layer is formed for each individual semiconductor element by applying an electromagnetic wave absorbing material on the back surface of the semiconductor element.
[0004]
FIG. 8 is an explanatory view in which a radio wave absorber 300 is formed on the back surface of the conventional semiconductor circuit substrate of FIG. FIG. 8A is an external view of a semiconductor circuit board, and FIG. 8B is a GG cross-sectional view of FIG. 8A.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional noise countermeasures in the semiconductor circuit board, the radio wave absorber 300 is applied to the back surface of each semiconductor circuit board in a later process, so that a great deal of time is required for the noise countermeasure process. There was a problem that it took. In addition, the thickness of the radio wave absorber 300 is likely to vary, and the noise absorption characteristics of individual semiconductor circuit boards also vary.
[0006]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor circuit board in which an electromagnetic noise suppressor is formed through an insulating film, which can efficiently absorb disturbing electromagnetic waves from the MHz band to the GHz band in the form of an IC circuit board, And a method of manufacturing the same.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
A semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppression body according to the present invention is formed is a semiconductor circuit board in which an electromagnetic noise suppression body made of a conductive soft magnetic thin film is formed at a predetermined position of an IC circuit pattern, and the electromagnetic noise suppression body A body is formed on the conductive pattern in the IC circuit pattern, and the width of the electromagnetic noise suppression body is controlled at least within the range of the width of the conductive pattern, and The conductive pattern is a semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed, which is a power supply system line pattern or a ground system line pattern in an IC circuit pattern.
[0008]
Here, as the conductive soft magnetic thin film, a material in the form of a granular magnetic film, that is, M (M is any of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X (X is , Elements other than M and Y, or a mixture thereof) —Y (Y is one of F, N, O, or a mixture thereof).
[0009]
The method for manufacturing a semiconductor circuit board on which the electromagnetic noise suppressor of the present invention is formed is a semiconductor wafer in which an IC circuit pattern is formed but a final passivation film is not yet formed. In addition, using a semiconductor process (a combination of lithography, dry etching, lift-off, wet etching, etc.), the power supply system line pattern or the ground system line pattern in the IC circuit pattern, A method of manufacturing a semiconductor circuit board is characterized by forming a conductive soft magnetic thin film.
[0010]
That is, the present invention relates to a semiconductor circuit board in which an electromagnetic noise suppressor made of a soft magnetic thin film is formed at a predetermined position of an IC circuit pattern covered with an insulating film, wherein the electromagnetic noise suppressor is interposed via the insulating film. The electromagnetic noise suppressor formed on the entire surface of the IC circuit pattern is processed into a subdivided pattern, and the size of the subdivided pattern is at least that of the conductive pattern of the IC circuit pattern. This is a semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film having a dimension equal to or smaller than an integer.
[0011]
Further, according to the present invention, the plurality of soft magnetic thin films of the subdivided pattern in the electromagnetic noise suppressor made of the soft magnetic thin film are positioned at least within the range of the conductive pattern region of the IC circuit pattern. A semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film interposed.
[0012]
Further, according to the present invention, the conductive pattern on the IC circuit pattern is a semiconductor circuit in which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film serving as a power supply line pattern or a ground line pattern. It is a substrate.
[0013]
In addition, the present invention provides a semiconductor circuit board in which an electromagnetic noise suppression body made of a soft magnetic thin film is formed at a predetermined position of an IC circuit pattern covered with an insulating film, wherein the electromagnetic noise suppression body is the IC circuit pattern. The electromagnetic noise suppressor is formed on the conductive pattern through the insulating film, and the electromagnetic noise suppressor is interposed at least within the width of the conductive pattern. A semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed.
[0014]
Further, according to the present invention, the conductive pattern on the IC circuit pattern is a semiconductor circuit in which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film serving as a power supply line pattern or a ground line pattern. It is a substrate.
[0015]
In the present invention, the electromagnetic noise suppressor made of the soft magnetic thin film is M (M is any of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X (X is an element other than M and Y). Or a mixture thereof) -Y (Y is one of F, N, O, or a mixture thereof) A semiconductor in which an electromagnetic noise suppressor is formed through an insulating film as a soft magnetic thin film Circuit board.
[0016]
In addition, the present invention provides an electromagnetic noise suppressor made of a soft magnetic thin film on the entire surface of an IC circuit pattern on which an insulating film is formed, and then interposes an insulating film having a subdivided pattern of the soft magnetic thin film. In the method of manufacturing a semiconductor circuit board for forming an electromagnetic noise suppressor, the method for manufacturing a semiconductor circuit board includes: forming the electromagnetic noise suppressor over the entire surface of the IC circuit pattern on which the insulating film is formed. A second step of applying a resist on the entire surface of the electromagnetic noise suppressor formed on the entire surface, a third step of patterning the resist so as to be subdivided by a photolithography step, The soft magnetic thin film exposed in step 3 is Tsu It consists of a fourth step of removing by the ching method and a fifth step of removing the resist on the soft magnetic thin film after the fourth step, and the size of the pattern to be subdivided in the third step is , At least the size of an integral part of the conductive pattern of the IC circuit pattern, and among the subdivided patterns, a plurality of electromagnetic noise suppressors have at least the conductive pattern of the IC circuit pattern This is a method for manufacturing a semiconductor circuit board positioned within a region.
[0017]
Further, the present invention forms an electromagnetic noise suppressor comprising a soft magnetic thin film in the region of the conductive pattern of the IC circuit pattern on which the insulating film is formed, and forms the electromagnetic noise suppressor via the insulating film. In the method of manufacturing a semiconductor circuit substrate, the method of manufacturing the semiconductor circuit substrate includes: a first step of forming the electromagnetic noise suppressor on the entire surface of the IC circuit pattern on which the insulating film is formed; A second step of applying a resist on the entire surface of the electromagnetic noise suppressor, a third step of patterning the resist by a photolithography step, and a soft magnetic thin film exposed in the third step. Tsu A fourth step of removing by a ching method, and a fifth step of stripping the resist on the soft magnetic thin film after the fourth step. In the third step, the dimensions of the mask to be used, and The mounting accuracy is a method of manufacturing a semiconductor circuit board in which the width of the resist to be left is set at least within the width of the power supply system pattern or the ground system line pattern.
[0018]
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor circuit board in which an electromagnetic noise suppression body formed of a soft magnetic thin film is formed at a predetermined position of an IC circuit pattern on which an insulation film is formed, and the electromagnetic noise suppression body is formed via an insulation film. In the manufacturing method, the method for manufacturing the semiconductor circuit substrate includes a first step of forming a resist on the entire surface of the IC circuit pattern on which the insulating film is formed, and a second step of patterning the resist in a subdivided manner by a photolithography process. And a third step of forming an electromagnetic noise suppressor on the entire surface of the substrate, and a fourth step of removing the resist and simultaneously removing the electromagnetic noise suppressor on the resist. Manufacturing a semiconductor circuit substrate in which a plurality of soft magnetic thin films among the subdivided patterns are positioned within at least a region of a conductive pattern of the IC circuit pattern It is the law.
[0019]
The present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor circuit board having an electromagnetic noise suppressor formed by forming an electromagnetic noise suppressor made of a soft magnetic thin film at a predetermined position of an IC circuit pattern, the method of manufacturing the semiconductor circuit board Includes a first step of forming a resist on the entire surface of the IC circuit pattern on which the insulating film is formed, and patterning the resist by a photolithography step, and at least a power supply line pattern or a ground line pattern A second step of leaving a resist outside the upper range; a third step of forming an electromagnetic noise suppressor on the entire surface of the substrate; and an electromagnetic noise suppressor on the resist at the same time as removing the resist. In the second step, the dimensions of the mask to be used and the accuracy of attachment are the same as those of the removed resist. There is a semiconductor circuit board manufacturing method that is set to be positioned within the width of the pattern of lines of at least a pattern or a ground-based power supply system line.
[0020]
In the present invention, the electromagnetic noise suppressor made of the soft magnetic thin film is M (M is any of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X (X is an element other than M and Y). Or a mixture thereof) -Y (Y is one of F, N, O, or a mixture thereof).
[0021]
【Example】
A semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed through an insulating film according to an embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof will be described below.
[0022]
Example 1
FIG. 1 shows an explanatory diagram of a semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A shows a perspective view of a semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppression body is formed, and FIG. 1B shows a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
[0023]
The semiconductor circuit board on which the electromagnetic noise suppression body shown in FIG. 1A is formed includes an IC circuit pattern 11 formed of an IC portion 1, a power supply line 2, and a ground line 3, and the entire IC circuit pattern 11. And an insulating film 9 covering the surface. Here, the subdivided electromagnetic noise suppression body 4 is formed on the insulating film 9.
[0024]
The selected plurality of the subdivided electromagnetic noise suppression bodies 4 have at least a dimension that is equal to or smaller than the minimum dimension width of the conductive pattern of the IC circuit pattern 11, and the selection of the electromagnetic noise suppression bodies A plurality of these are located at least within the region of the conductive pattern region of the IC circuit pattern 11.
[0025]
Here, the conductive patterns of the IC circuit pattern 11 are the power supply line 3 and the ground line 2.
[0026]
Here, the electromagnetic noise suppression body 4 made of a soft magnetic thin film is a material having a granular magnetic film shape, and M (M is one of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X ( X is an element other than M and Y or a mixture thereof) -Y (Y is one of F, N, O, or a mixture thereof).
[0027]
In the semiconductor circuit board on which the electromagnetic noise suppression body is formed with the insulating film interposed, the electromagnetic noise suppression body 4 absorbs noise current in a high frequency band (especially in the GHz band) generated from the IC circuit pattern 11. It is.
[0028]
Here, an example in which the electromagnetic noise suppressor made of the soft magnetic thin film absorbs noise current will be described below. FIG. 3 is a diagram showing representative data of noise absorption of the soft magnetic film used in the semiconductor circuit substrate of the present invention. 3A is a configuration diagram of a typical sample, FIG. 3B is a diagram showing noise reflection characteristic data, and FIG. 3C is a noise transmission attenuation characteristic data. FIG.
[0029]
In the configuration diagram of the test sample in FIG. 3A, a soft magnetic thin film B having a thickness of about 2 μm is disposed on the conductive member A within the width dimension (W) of the conductive member A. is there. The conductive member A has an elongated shape (X direction), and the soft magnetic thin film B formed thereon has shape magnetic anisotropy in the X direction in the figure. Further, a current flows in the longitudinal direction of the conductive member A.
[0030]
FIG. 3B shows noise reflection characteristic data in the configuration diagram of the sample in FIG. 3A. From the figure, the reflection is about −15 to −20 dB in the GHz band. On the other hand, FIG. 3C shows that the transmission attenuation characteristic data of noise shows a transmission attenuation amount of about −1 to −1.5 dB in the GHz band.
[0031]
Thus, the present soft magnetic thin film realizes reflection of about −15 to −20 dB, and an effect of absorbing noise current is seen. In this case, the soft magnetic thin film has a shape magnetic anisotropy in the X direction, and the direction of the noise current flowing through the conductive material A substantially matches the direction, so that the electromagnetic coupling becomes stronger and efficient. It can absorb noise current.
[0032]
The data in the case of FIG. 3 is the case where the soft magnetic film B is in close contact with the conductive member A. If there is a gap, such as an insulator, between the soft magnetic film B and the conductive member A, the noise absorption characteristic is slightly reduced. However, if the gap is small, a practical noise-free noise absorption characteristic can be obtained. It is done. For example, if the gap is in the range of 10 to 20 μm or less, a practical noise-absorbing characteristic can be obtained.
[0033]
Here, referring back to FIG. 1, in the IC portion 1, the power supply line 2 and the ground line 3 are elongated wirings, and the power supply line 2 and the ground line 3 are The electromagnetic noise absorber made of the soft magnetic thin film formed within the width range is disposed in the region of the power supply line 2 and the ground line 3, and therefore based on the noise absorption effect of FIG. Noise current is absorbed.
[0034]
Here, FIG. 4 is an explanatory view of a semiconductor wafer formed with a plurality of patterns of a semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed through the insulating film of the embodiment of the present invention. 4A is a plan view of the semiconductor wafer, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. The semiconductor wafer is diced into individual patterns to obtain individual semiconductor substrates.
[0035]
(Example 2)
FIG. 2 is an explanatory diagram of a semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film according to an embodiment of the present invention. 2A shows a plan view of the semiconductor circuit board, and FIG. 2B shows a BB cross-sectional view in FIG.
[0036]
The semiconductor circuit board on which the electromagnetic noise suppression body shown in FIG. 2A is formed includes an IC circuit pattern 11 formed of an IC portion 1, a power supply line 2, and a ground line 3, and the entire IC circuit pattern 11. And an insulating film 9 covering the surface. Here, a patterned electromagnetic noise suppression body 41 is formed on the insulating film 9.
[0037]
The patterned electromagnetic noise suppression body 41 is formed on the power supply line 2 and the ground line 3 which are conductive patterns via the insulating film 9, and the width of the electromagnetic noise suppression body 41 is the same. , At least within the range of the width of the pattern of the power line 2 and the ground line 3.
[0038]
Here, the electromagnetic noise suppression body 4 made of a soft magnetic thin film is a material having a granular magnetic film shape, and M (M is one of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X ( X is an element other than M and Y or a mixture thereof) -Y (Y is one of F, N, O, or a mixture thereof).
[0039]
In the semiconductor circuit board on which the electromagnetic noise suppression body is formed with the insulating film interposed, the electromagnetic noise suppression body 4 absorbs noise current in a high frequency band (especially in the GHz band) generated from the IC circuit pattern 11. It is.
[0040]
Here, an example in which the electromagnetic noise suppressor made of the soft magnetic thin film absorbs noise current will be described below. FIG. 3 is a diagram showing representative data of noise absorption of the soft magnetic film used in the semiconductor circuit substrate of the present invention. 3A is a configuration diagram of a typical sample, FIG. 3B is a diagram showing noise reflection characteristic data, and FIG. 3C is noise transmission attenuation characteristic data. FIG.
[0041]
In the configuration diagram of the test sample in FIG. 3A, a soft magnetic thin film B having a thickness of about 2 μm is disposed on the conductive member A within the width dimension (W) of the conductive member A. is there. The conductive member A has an elongated shape (X direction), and the soft magnetic thin film B formed thereon has shape magnetic anisotropy in the X direction in the figure. Further, a current flows in the longitudinal direction of the conductive member A.
[0042]
FIG. 3B shows noise reflection characteristic data in the configuration diagram of the sample in FIG. 3A. From the figure, the reflection is about −15 to −20 dB in the GHz band. On the other hand, FIG. 3C shows that the transmission attenuation characteristic data of noise shows a transmission attenuation amount of about −1 to −1.5 dB in the GHz band.
[0043]
Thus, the present soft magnetic thin film realizes reflection of about −15 to −20 dB, and an effect of absorbing noise current is seen. In this case, the soft magnetic thin film has the shape magnetic anisotropy in the X direction, and the direction of the noise current flowing through the conductive member A substantially matches the direction, so that the electromagnetic coupling becomes stronger and efficient. It can absorb noise current.
[0044]
The data in the case of FIG. 3 is the case where the soft magnetic film B is in close contact with the conductive member A. If there is a gap, such as an insulator, between the soft magnetic film B and the conductive member A, the noise absorption characteristic is slightly reduced. However, if the gap is small, a practical noise-free noise absorption characteristic can be obtained. It is done. For example, if the gap is in the range of 10 to 20 μm or less, a practical noise-absorbing characteristic can be obtained.
[0045]
Here, referring back to FIG. 2, in the IC portion 1, the power line 2 and the ground line 3 are elongated wirings, and the power line 2 and the ground line 3 are arranged on the power line 2 and the ground line 3. The electromagnetic noise suppression body 4 made of a soft magnetic thin film formed within the range of the width is disposed in the region of the power supply line 2 and the ground line 3, and accordingly, based on the noise absorption effect of FIG. The noise current is absorbed.
[0046]
(Example 3)
Next, the method for manufacturing the semiconductor circuit substrate shown in FIG. 1 (Example 1) will be described in particular by using dry etching.
[0047]
FIG. 5 is an explanatory diagram of a method of manufacturing a semiconductor circuit substrate having an electromagnetic noise suppressor formed through an insulating film, mainly based on a dry etching method, according to an embodiment of the present invention. ) Is a cross-sectional view of a semiconductor substrate (silicon substrate) on which an IC circuit pattern is formed and a final passivation film is formed, and FIG. 5B is an electromagnetic noise suppression body that forms a soft magnetic thin film on the entire surface of the semiconductor substrate. 5C is a cross-sectional view showing a state in which a resist (positive resist) is formed on the entire surface of the substrate in FIG. 5B. FIG. 5D is a cross-sectional view showing the resist by photolithography. FIG. 5E is a cross-sectional view showing a state where only the exposed electromagnetic noise suppression body is removed by a dry etching method. FIG. 5F is a cross-sectional view showing a state where the resist is removed from the state shown in FIG.
[0048]
Table 1 shows the conditions for the method of forming an electromagnetic noise suppressor made of a soft magnetic film in the step shown in FIG.
[0049]
[Table 1]

[0050]
Under the deposition conditions in Table 1, M (M is any of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X (X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) -Y A soft magnetic thin film made of (Y is one of F, N, O, or a mixture thereof) was formed to a thickness of about several μm. Here, as an example, the composition of the soft magnetic thin film is Fe ₇₂ AL ₁₁ O ₁₇ Set to.
[0051]
FIG. 5B is a cross-sectional view showing a state in which the electromagnetic noise suppression body made of the soft magnetic thin film is formed on the entire surface of the semiconductor substrate as described above.
[0052]
Next, as shown in FIG. 5C, a positive resist 7 is formed on the entire surface of the substrate. For example, a positive resist OFPR800 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. is applied by spin coating. Next, the positive resist is subdivided into a pattern by lithography. In this case, the size of the mask to be used and the accuracy of the mask attachment are such that the width of the resist to be left (in this case, the resist in a place not exposed to light remains because a positive resist is used), at least in the IC circuit pattern. These are set to be smaller than the minimum dimension of the power line or ground line pattern and to be positioned within the width of the power line or ground line.
[0053]
FIG. 5D is a cross-sectional view showing a state after the positive resist 7 in FIG. 5C is patterned by the photolithography method as described above. The electromagnetic noise suppression body 4a is exposed after the positive resist removed here.
[0054]
Next, FIG. 5E is a cross-sectional view showing a state in which only the exposed electromagnetic noise suppressing body 4a is removed by a dry etching method and then a resist stripping process is performed. Here, as the dry etching method, an etching method optimal for the exposed electromagnetic noise suppressing body 4a is used. For example, ion beam etching is used, and reverse sputtering conditions in an argon atmosphere are employed.
[0055]
Next, FIG. 5F shows a state where a resist stripping process is performed on the substrate in the state shown in FIG. Here, in the resist stripping step, only the resist is stripped by wet processing after the dry etching of the electromagnetic noise suppressing body 4a is completed.
[0056]
The semiconductor wafer in the state of FIG. 5 (f) is diced into individual chips, and a semiconductor circuit substrate on which an electromagnetic noise suppressor is formed with a final insulating film interposed therebetween can be obtained.
[0057]
In addition, about the method of manufacturing the semiconductor circuit board shown in FIG. 2 (Example 2), when using dry etching, it is realizable in the process similar to this Example 3. FIG.
[0058]
Example 4
Next, the method for manufacturing the semiconductor circuit substrate shown in FIG. 2 (Example 2) will be described in particular with reference to an example using lift-off.
[0059]
FIG. 6 is an explanatory view of a method for manufacturing a semiconductor circuit substrate in which an electromagnetic noise suppressor is formed through an insulating film, mainly based on a lift-off method, according to an embodiment of the present invention. FIG. 6A is a cross-sectional view of a semiconductor substrate on which an IC circuit pattern is formed and a final passivation film is formed, and FIG. 6B is a diagram in which a positive resist is formed on the entire surface of the semiconductor substrate in FIG. FIG. 6C is a cross-sectional view showing a state in which a resist is patterned by photolithography, and FIG. 6D is an electromagnetic noise suppression body on the entire surface of the semiconductor substrate of FIG. FIG. 6 (e) is a cross-sectional view showing a uniformly formed state, and the semiconductor substrate of FIG. 6 (d) is subjected to resist stripping, and simultaneously with the resist stripping, an electromagnetic noise suppressor formed thereon is also provided. It is sectional drawing which shows the state which peeled.
[0060]
The semiconductor wafer in the state of FIG. 6 (e) is diced into individual semiconductor substrates, and a semiconductor circuit substrate on which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film interposed therebetween can be obtained.
[0061]
Here, with respect to the method of manufacturing the semiconductor circuit substrate shown in FIG. 2 (Example 2), when lift-off is used, it can be realized by the same process as Example 4.
[0062]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, interference electromagnetic waves from the MHz band to the GHz band can be efficiently absorbed, and when divided into individual semiconductor substrates, an effect of noise absorption can be shown, and insulation with excellent mass productivity. It is possible to provide a semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed with a film interposed therebetween, and a method for manufacturing the same.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view of a semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a perspective view of a semiconductor circuit board, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
FIG. 2 is an explanatory view of a semiconductor circuit substrate in which an electromagnetic noise suppressor is formed through an insulating film according to an embodiment of the present invention. 2A is a plan view of the semiconductor circuit board, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
FIG. 3 is a view showing representative data of noise absorption of a soft magnetic thin film used for a semiconductor circuit substrate of the present invention. 3A is a configuration diagram of a typical sample, FIG. 3B is a diagram showing noise reflection characteristic data, and FIG. 3C is a diagram showing noise transmission attenuation characteristic data.
FIG. 4 is an explanatory view of a semiconductor wafer formed with a plurality of patterns of a semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film of an embodiment of the present invention interposed therebetween. 4A is a plan view of the semiconductor wafer, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
FIG. 5 is an explanatory view of a manufacturing method of a semiconductor circuit substrate in which an electromagnetic noise suppression body is formed through an insulating film mainly based on a dry etching method according to an embodiment of the present invention; FIG. FIG. 5B is a cross-sectional view of a semiconductor substrate (silicon substrate) on which a final passivation film is formed, on which an IC circuit pattern is formed, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing a state in which an electromagnetic noise suppressor is formed on the entire surface of the semiconductor substrate. 5C is a cross-sectional view showing a state in which a resist (positive resist) is formed on the entire surface of the substrate in FIG. 5B, and FIG. 5D is a cross-sectional view showing a state in which the resist is patterned by a photolithography method. FIG. 5E is a cross-sectional view showing a state in which only the exposed electromagnetic noise suppression body is removed by a dry etching method. FIG. 5F is a cross-sectional view showing a state in which the resist is removed from the state of FIG.
FIG. 6 is an explanatory view of a method for manufacturing a semiconductor circuit substrate in which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film interposed, mainly based on a lift-off method, according to an embodiment of the present invention. FIG. 6A is a cross-sectional view of a semiconductor substrate (silicon substrate) on which an IC circuit pattern is formed and a final passivation film is formed, and FIG. 6B is a diagram showing a resist on the entire surface of the semiconductor substrate of FIG. FIG. 6C is a sectional view showing a state in which the resist is patterned by photolithography, and FIG. 6D is a semiconductor substrate in FIG. 6C. FIG. 6E is a cross-sectional view showing a state in which an electromagnetic noise suppression body is uniformly formed on the entire surface. FIG. 6E is a diagram showing a state where resist is removed from the semiconductor substrate of FIG. Sectional drawing which shows the state which peeled together the electromagnetic noise suppression body.
FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional semiconductor circuit board. FIG. 7A is an external view of a semiconductor circuit board, and FIG. 7B is an FF cross-sectional view of FIG.
8 is an explanatory diagram in which a radio wave absorber is formed on the back surface of the conventional semiconductor circuit substrate of FIG. 7, FIG. 8 (a) is an external view of the semiconductor circuit substrate, and FIG. 8 (b) is FIG. FIG.
[Explanation of symbols]
1,1a IC part
2 Power line
3,3a Ground line
4, 4a, 4b, 41a, 41b, 42a, 42b Electromagnetic noise suppressor
5 Power line terminal
6 Ground line terminal
7, 7a, 71, 71a, 72, 72a
9 Insulating film
10 Silicon substrate
11 IC circuit pattern
101 Semiconductor wafer
200 ', 200a' semiconductor circuit board
201 'IC circuit part
300 Electromagnetic wave absorber
A Conductive member
B Soft magnetic thin film

Claims

In a semiconductor circuit substrate in which an electromagnetic noise suppression body made of a soft magnetic thin film is formed at a predetermined position of an IC circuit pattern covered with an insulating film, the electromagnetic noise suppression body is placed on the entire surface of the IC circuit pattern via the insulating film. The formed electromagnetic noise suppressor is processed into a subdivided pattern, and the size of the subdivided pattern is at least a dimension equal to or smaller than the minimum dimension width of the conductive pattern of the IC circuit pattern. A semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed with an insulating film interposed therebetween.

The plurality of soft magnetic thin films of the subdivided pattern in the electromagnetic noise suppression body made of the soft magnetic thin film are positioned at least within a range of a conductive pattern region of the IC circuit pattern. A semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed with the insulating film according to Item 1 interposed therebetween.

The conductive pattern on the IC circuit pattern is a pattern of a power supply system line or a pattern of a ground system line, and electromagnetic noise through an insulating film according to claim 1 or 2. A semiconductor circuit board on which a suppressor is formed.

In a semiconductor circuit substrate in which an electromagnetic noise suppression body made of a soft magnetic thin film is formed at a predetermined position of an IC circuit pattern covered with an insulating film, the electromagnetic noise suppression body is interposed through the insulating film in the IC circuit pattern. In addition, an insulating film is formed on the conductive pattern, and the width of the electromagnetic noise suppression body is at least within the range of the width of the conductive pattern. A semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed.

5. The electromagnetic noise suppressor according to claim 4, wherein the conductive pattern on the IC circuit pattern is a power supply line pattern or a ground line pattern. A semiconductor circuit board on which is formed.

The electromagnetic noise suppression body made of the soft magnetic thin film is M (M is any of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X (X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) 6. An insulating film according to claim 1, wherein the insulating film is a soft magnetic thin film made of -Y (Y is one of F, N, and O, or a mixture thereof). A semiconductor circuit board on which an electromagnetic noise suppressor is formed.

An electromagnetic noise suppressor made of a soft magnetic thin film is formed on the entire surface of an IC circuit pattern on which an insulating film is formed, and then the soft magnetic thin film is formed into a subdivided pattern. In the method for manufacturing a semiconductor circuit substrate to be formed, the method for manufacturing a semiconductor circuit substrate includes: a first step of forming the electromagnetic noise suppressor on the entire surface of the IC circuit pattern on which the insulating film is formed; A second step of applying a resist on the entire surface of the formed electromagnetic noise suppressor, a third step of patterning the resist so as to be subdivided by a photolithography step, and exposure in the third step. the the soft magnetic thin film, and a fourth step of removing by Delahaye Tsu quenching method, after the fourth step, consists of a fifth step of removing the resist on the soft magnetic thin film, the third The dimension of the pattern to be subdivided in the process is at least a dimension less than or equal to the minimum dimension width of the conductive pattern of the IC circuit pattern, and among the subdivided patterns, a plurality of electromagnetic noise suppressors are at least the above-mentioned A method of manufacturing a semiconductor circuit board, wherein the semiconductor circuit board is positioned within a region of a conductive pattern region of an IC circuit pattern.

A method of manufacturing a semiconductor circuit substrate, wherein an electromagnetic noise suppression body made of a soft magnetic thin film is formed in a region of a conductive pattern of an IC circuit pattern on which an insulation film is formed, and the electromagnetic noise suppression body is formed via an insulation film The method for manufacturing a semiconductor circuit board includes: a first step of forming the electromagnetic noise suppressor on the entire surface of the IC circuit pattern on which the insulating film is formed; and an electromagnetic noise suppressor formed on the entire surface. a second step of coating a resist over the entire surface, and a third step of patterning the resist by photolithography process, the soft magnetic thin film exposed by the third step, is removed by Delahaye Tsu quenching method A fourth step and, after the fourth step, a fifth step of stripping the resist on the soft magnetic thin film, in the third step, the dimensions of the mask to be used, and Ri attached accuracy, the width of the resist to be left is a method of manufacturing a semiconductor circuit board, characterized in that it is set to be positioned within the width of the pattern of the pattern or a ground-based line of least power supply system.

In the method of manufacturing a semiconductor circuit board, wherein an electromagnetic noise suppression body made of a soft magnetic thin film is formed at a predetermined position of an IC circuit pattern on which an insulation film is formed, and the electromagnetic noise suppression body is formed via an insulation film. A circuit board manufacturing method includes a first step of forming a resist on an entire surface of an IC circuit pattern on which an insulating film is formed, a second step of finely patterning the resist by a photolithography process, and the substrate. A third step of forming an electromagnetic noise suppressor on the entire surface, and a fourth step of removing the resist and simultaneously removing the electromagnetic noise suppressor on the resist. The third step The dimension of the pattern to be subdivided in the IC circuit pattern is at least the minimum dimension width of the conductive pattern of the IC circuit pattern. Noise suppression bodies, a manufacturing method of a semiconductor circuit board, characterized in that is positioned in at least the IC circuit within the electrically conductive pattern of the regions of the pattern.

A method of manufacturing a semiconductor circuit board having an electromagnetic noise suppressor formed of a soft magnetic thin film at a predetermined position of an IC circuit pattern, wherein the semiconductor circuit board is formed by an insulating film A first step of forming a resist on the entire surface of the IC circuit pattern, and patterning the resist by a photolithography step so that the resist is at least outside the range of the power supply line pattern or the ground line pattern. A second step of leaving an electromagnetic wave, a third step of forming an electromagnetic noise suppressor on the entire surface of the substrate, and a fourth step of removing the resist and simultaneously removing the electromagnetic noise suppressor on the resist. In the second step, the size of the mask to be used and the accuracy of attachment are such that the width of the removed resist is at least The method of manufacturing a semiconductor circuit board, characterized in that it is set to be positioned within the width of the pattern of the source supply system of the line pattern or a ground-based line.

The electromagnetic noise suppression body made of the soft magnetic thin film is M (M is any of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X (X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) 11. A semiconductor circuit substrate according to claim 7, wherein the semiconductor circuit substrate is a soft magnetic thin film made of -Y (Y is one of F, N, O, or a mixture thereof). Method.