JP4627515B2 - Thin plate material transfer device - Google Patents

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JP4627515B2 JP2006158552A JP2006158552A JP4627515B2 JP 4627515 B2 JP4627515 B2 JP 4627515B2 JP 2006158552 A JP2006158552 A JP 2006158552A JP 2006158552 A JP2006158552 A JP 2006158552A JP 4627515 B2 JP4627515 B2 JP 4627515B2
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Description

本発明は、薄板材の搬送装置に関し、特に、半導体ウェーハや液晶ガラス基板などの薄板材を収納カセットに1枚ずつ収納したり、取り出したりする薄板材の搬送装置に関する。   The present invention relates to a thin plate material transfer device, and more particularly, to a thin plate material transfer device for storing and taking out thin plate materials such as semiconductor wafers and liquid crystal glass substrates one by one in a storage cassette.

従来の薄板材の搬送装置の一例として、半導体ウェーハを搬送する第1の搬送装置を図5に示す。図5(a)は従来の第1の搬送装置の概略構成を示す斜視図、図5(b)は要部拡大図である。   FIG. 5 shows a first transfer device for transferring a semiconductor wafer as an example of a conventional thin plate material transfer device. FIG. 5A is a perspective view showing a schematic configuration of a conventional first transfer apparatus, and FIG. 5B is an enlarged view of a main part.

図5において、20は従来の第1の搬送装置、21は収納カセット、22は収納カセット21の側壁に形成された溝、23はウェーハ、24はアーム、23aはアーム24を挟んで隣り合う2つの溝のうちの上側の溝に収納されたウェーハ、23bはアーム24を挟んで隣り合う2つの溝のうちの下側の溝に収納されたウェーハ、25はアーム24の駆動手段、26はエレベータ部、Aは2枚のウェーハ23a,23b間の間隔、Bはアーム24の厚さ寸法、Cはアーム24と2枚のウェーハ23a,23bとのそれぞれの隙間寸法である。   In FIG. 5, 20 is a conventional first transfer device, 21 is a storage cassette, 22 is a groove formed in the side wall of the storage cassette 21, 23 is a wafer, 24 is an arm, and 23a is adjacent to the arm 24 with 2 therebetween. Wafer housed in the upper groove of the two grooves, 23b is the wafer housed in the lower groove of the two adjacent grooves across the arm 24, 25 is the driving means for the arm 24, and 26 is the elevator , A is the distance between the two wafers 23a and 23b, B is the thickness dimension of the arm 24, and C is the gap dimension between the arm 24 and the two wafers 23a and 23b.

図5(a)に示すように、従来の第1の搬送装置20は、その上面にウェーハ23を保持して収納カセット21に進退動作するアーム24と、アーム24を上下前後左右に移動させる駆動手段25と、収納カセット21を上下に移動させるエレベータ部26とを備え、収納カセット21を上下移動させて、所定の溝22にウェーハ23を1枚ずつ、収納したり、取り出したりできるようになっている。   As shown in FIG. 5A, the conventional first transfer device 20 has an arm 24 that holds the wafer 23 on its upper surface and moves forward and backward to the storage cassette 21, and a drive that moves the arm 24 up, down, front, back, left and right. Means 25 and an elevator unit 26 for moving the storage cassette 21 up and down are provided, and the storage cassette 21 can be moved up and down to store and take out the wafers 23 one by one in the predetermined groove 22. ing.

尚、収納カセット21は、ウェーハ23の出し入れなどのために前後面の所要部分が開放されており、左右の側壁の内側には、ウェーハ23を1枚ずつ水平支持するための溝22が所定ピッチで多数対、形成されている。   The storage cassette 21 is open at the front and rear surfaces for loading and unloading the wafers 23. Inside the left and right side walls, grooves 22 for horizontally supporting the wafers 23 one by one are provided at a predetermined pitch. Many pairs are formed.

従来の第1の搬送装置20によるウェーハ23の収納動作は、先ず、その上面にウェーハ23を保持したアーム24を、そのウェーハ23を収納する予定の溝22に対して所定の高さで、収納カセット21内に水平に進入させる。   In the storing operation of the wafer 23 by the conventional first transfer device 20, first, the arm 24 holding the wafer 23 on the upper surface is stored at a predetermined height with respect to the groove 22 where the wafer 23 is to be stored. It is made to enter the cassette 21 horizontally.

このとき、アーム24の進入高さは、通常、上下のウェーハ23に対して、均等な隙間ができるような高さに設定されている。   At this time, the entry height of the arm 24 is normally set to a height that allows a uniform gap between the upper and lower wafers 23.

次に、アーム24が所定の進入動作の終点まで進入したら、アーム24の動作を停止し、エレベータ部26を作動し、収納カセット21を所定距離だけ上昇させる。この動作により、ウェーハ23はアーム24の上面から離間し、溝22に支持される。   Next, when the arm 24 enters the end point of the predetermined entry operation, the operation of the arm 24 is stopped, the elevator unit 26 is operated, and the storage cassette 21 is raised by a predetermined distance. By this operation, the wafer 23 is separated from the upper surface of the arm 24 and supported by the groove 22.

そして、空のアーム24を収納カセット21から引き出して収納動作は完了する。   Then, the empty arm 24 is pulled out from the storage cassette 21 to complete the storage operation.

その後、エレベータ部26を作動し、収納カセット21の高さを次のウェーハ23を収納するための所定の高さに変更する。   Thereafter, the elevator unit 26 is operated to change the height of the storage cassette 21 to a predetermined height for storing the next wafer 23.

尚、上記では、収納カセット21を上昇させてアーム24とウェーハ23とを離間させることで説明したが、駆動手段25でアーム24を下降させて離間させるようにしてもよい。   In the above description, the storage cassette 21 is raised and the arm 24 and the wafer 23 are separated from each other. However, the arm 24 may be lowered by the driving means 25 and separated.

次に、ウェーハ23の取り出し動作は、収納動作の反対の順序で行われる。   Next, the wafer 23 is taken out in the reverse order of the storing operation.

即ち、先ず、空のアーム24を、これから取り出す予定のウェーハ23を支持する溝22に対して所定の高さで、収納カセット21内に水平に進入させる。   That is, first, the empty arm 24 is moved horizontally into the storage cassette 21 at a predetermined height with respect to the groove 22 that supports the wafer 23 to be taken out.

次に、アーム24が所定の進入動作の終点まで進入したら、アーム24の動作を停止し、エレベータ部26を作動し、収納カセット21を所定距離だけ下降させる。この動作により、ウェーハ23はアーム24の上面に保持される。   Next, when the arm 24 enters the end point of the predetermined entry operation, the operation of the arm 24 is stopped, the elevator unit 26 is operated, and the storage cassette 21 is lowered by a predetermined distance. By this operation, the wafer 23 is held on the upper surface of the arm 24.

そして、ウェーハ23を保持したアーム24を収納カセット21から引き出して取り出し動作は完了する。   Then, the arm 24 holding the wafer 23 is pulled out from the storage cassette 21 to complete the take-out operation.

その後、エレベータ部26を作動し、収納カセット21の高さを次のウェーハ23を取り出すための所定の高さに変更する。   Thereafter, the elevator unit 26 is operated to change the height of the storage cassette 21 to a predetermined height for taking out the next wafer 23.

尚、上記では、収納カセット21を下降させてアーム24にウェーハ23を保持させることで説明したが、駆動手段25でアーム24を上昇させて保持させるようにしてもよい。   In the above description, the storage cassette 21 is lowered and the arm 24 holds the wafer 23. However, the arm 24 may be raised and held by the driving unit 25.

ここで、図5(b)に示すように、例えば、2枚のウェーハ23a,23b間の間隔Aは、6mm程度であり、アーム24の厚さ寸法Bは、2〜3mm程度である。   Here, as shown in FIG. 5B, for example, the distance A between the two wafers 23a and 23b is about 6 mm, and the thickness dimension B of the arm 24 is about 2 to 3 mm.

したがって、アーム24を収納カセット21に進退動作させる際の直上/直下のウェーハ23a,23bとのそれぞれの隙間Cは、1.5〜2mm程度(C=(A−B)/2)と狭かった。   Therefore, the gaps C between the wafers 23a and 23b immediately above / below when the arm 24 is moved back and forth in the storage cassette 21 are as small as about 1.5 to 2 mm (C = (A−B) / 2). .

このため、エレベータ部26の部品の経時的な磨耗などにより、徐々に上下動作のばらつきが大きくなると、それに伴って、収納カセット21へのアーム24の進入高さのばらつきも増大し、上記の隙間分Cを越えて進入した場合、アーム24でウェーハ23a,23b表面(下面あるいは上面)を損傷させることになった。   For this reason, when the variation in the vertical movement gradually increases due to the wear of the parts of the elevator section 26 with time, the variation in the entry height of the arm 24 into the storage cassette 21 increases accordingly, and the above gap When entering beyond the portion C, the arms 24 damage the surfaces (lower surface or upper surface) of the wafers 23a and 23b.

これに対して、以下の従来の第2,第3の搬送装置が提案されている。   On the other hand, the following conventional second and third transfer apparatuses have been proposed.

先ず、従来の第2の搬送装置について、図6を参照して説明する。図6は、従来の第2の搬送装置の概略構成を示す側断面図である。尚、図5と同一部分には同一符号を付す。また、ウェーハの収納動作/取り出し動作は、従来の第1の搬送装置20と同様であるため詳細説明は省略する。   First, a conventional second transfer device will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a side sectional view showing a schematic configuration of a conventional second transfer device. The same parts as those in FIG. Further, since the wafer storing / extracting operation is the same as that of the conventional first transfer device 20, a detailed description thereof will be omitted.

図6において、40は従来の第2の搬送装置、41はアーム、42は感知器、43は接触式の感知部、44は金属層、45は弾性層、46は増幅部、47は制御部、48はアーム41の昇降機構部、49はアーム41の駆動手段である。   In FIG. 6, 40 is a conventional second transfer device, 41 is an arm, 42 is a sensor, 43 is a contact-type sensor, 44 is a metal layer, 45 is an elastic layer, 46 is an amplifier, and 47 is a controller. , 48 is an elevating mechanism portion of the arm 41, and 49 is a driving means of the arm 41.

図6(a)に示すように、従来の第2の搬送装置40は、ウェーハ23aをその上面に保持する金属製のアーム41と、アーム41を前後左右に移動させる駆動手段49と、アーム41を上下に移動させる昇降機構部48と、アーム41の下面とウェーハ23bの上面との接触を感知する感知器42とを備えている。   As shown in FIG. 6A, the conventional second transfer apparatus 40 includes a metal arm 41 that holds the wafer 23a on its upper surface, drive means 49 that moves the arm 41 back and forth, and right and left, and an arm 41. , And a sensor 42 that senses contact between the lower surface of the arm 41 and the upper surface of the wafer 23b.

感知器42は、接触式の感知部43と、その感知部43により発生する電気的信号を増幅する増幅部46と、その増幅された信号を受信して昇降機構部48を制御する制御部47とを備えている。   The sensor 42 includes a contact type sensing unit 43, an amplification unit 46 that amplifies an electrical signal generated by the sensing unit 43, and a control unit 47 that receives the amplified signal and controls the lifting mechanism unit 48. And.

また、感知部43は、金属層44がアーム41の下面にシリコンゴムでなる弾性層45を介して取り付けられて構成される。   The sensing unit 43 is configured by attaching a metal layer 44 to the lower surface of the arm 41 via an elastic layer 45 made of silicon rubber.

そして、図6(b)に示すように、アーム41の下面がウェーハ23bの上面に接触すると金属層44が押し上げられて、アーム41の下面とショートし、電気的信号を発生する。   Then, as shown in FIG. 6B, when the lower surface of the arm 41 comes into contact with the upper surface of the wafer 23b, the metal layer 44 is pushed up and short-circuited with the lower surface of the arm 41 to generate an electrical signal.

そして、制御部47は、増幅部46を介して、この電気的信号を受けた場合、アーム41を停止させた後、昇降機構部48で収納カセット(図示せず)を下降させて、アーム41とウェーハ23bとを離間させるようになっている。(例えば、特許文献1参照)。   When the control unit 47 receives this electrical signal via the amplifying unit 46, the control unit 47 stops the arm 41 and then lowers the storage cassette (not shown) by the elevating mechanism unit 48. And the wafer 23b are separated from each other. (For example, refer to Patent Document 1).

次に、従来の第3の搬送装置について、図7を参照して説明する。図7は、従来の第3の搬送装置の概略構成を示す側断面図である。尚、図5と同一部分には同一符号を付す。また、ウェーハの収納動作/取り出し動作は、従来の第1の搬送装置20と同様であるため詳細説明は省略する。   Next, a conventional third transfer device will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a side sectional view showing a schematic configuration of a conventional third transfer device. The same parts as those in FIG. Further, since the wafer storing / extracting operation is the same as that of the conventional first transfer device 20, a detailed description thereof will be omitted.

図7において、50は従来の第3の搬送装置、51はアーム、52は距離センサ、53はコントローラ、54は補正制御部、55はマニピュレータ、55aはリンク、55bはジョイント、56は付け根部である。   In FIG. 7, 50 is a conventional third transfer device, 51 is an arm, 52 is a distance sensor, 53 is a controller, 54 is a correction control unit, 55 is a manipulator, 55a is a link, 55b is a joint, and 56 is a base part. is there.

図7に示すように、従来の第3の搬送装置50は、ウェーハ23aをその上面に保持するアーム51と、アーム51を上下前後左右に移動させるロボットハンド型のマニピュレータ55と、このマニピュレータ55を制御するコントローラ53とを備えている。   As shown in FIG. 7, a conventional third transfer apparatus 50 includes an arm 51 that holds a wafer 23a on its upper surface, a robot hand type manipulator 55 that moves the arm 51 up and down, front and rear, and left and right, and this manipulator 55. And a controller 53 to be controlled.

また、マニピュレータ55は、駆動制御可能なリンク55aおよびジョイント55bと、このリンク55aの先端に取り付けられたアーム51とを含み、付け根部56を床部に固定設置され、アーム51を任意の位置に移動可能となっている。   The manipulator 55 includes a link 55a and a joint 55b that can be driven and controlled, and an arm 51 attached to the tip of the link 55a. The base portion 56 is fixedly installed on the floor, and the arm 51 is placed at an arbitrary position. It is movable.

また、コントローラ53は、このマニピュレータ55を駆動して、アーム51の軌跡を制御する。   The controller 53 drives the manipulator 55 to control the trajectory of the arm 51.

また、アーム51の先端の上面には、ウェーハ23aの底面との距離を計測する光学的な非接触式の距離センサ52が配置されている。   Further, an optical non-contact distance sensor 52 that measures the distance from the bottom surface of the wafer 23a is disposed on the top surface of the tip of the arm 51.

そして、この距離センサ52は、コントローラ53に内蔵された補正制御部54と接続され、アーム51をウェーハ23a,23b間に進入した直後から、進入動作の終点に至るまでリアルタイムに距離計測を行い、その距離情報に基づいて、補正制御部54でアーム51の移動経路を補正する。(例えば、特許文献2参照)。
特開2002−9126号公報 図5,図6 特開2002−136280号公報 図1
The distance sensor 52 is connected to a correction control unit 54 built in the controller 53, and performs distance measurement in real time from immediately after the arm 51 enters between the wafers 23a and 23b to the end point of the entry operation. Based on the distance information, the correction control unit 54 corrects the movement path of the arm 51. (For example, refer to Patent Document 2).
JP, 2002-9126, A FIG. JP 2002-136280 A FIG.

しかしながら、上記の従来の第2,第3の搬送装置40,50は、いずれもアーム41,51にその厚み方向に突出する感知部43や距離センサ52を取り付ける構成であるため、アーム41,51とウェーハ23a,23bとの間のもともと狭い隙間をさらに減少させる方向となり、スペース面で困難であった。また、感知部43や距離センサ52の取り付けのために、アーム41,51の厚さを薄くするとアーム41,51の機械的強度の低下を招いた。   However, since the conventional second and third transfer devices 40 and 50 are configured to attach the sensing unit 43 and the distance sensor 52 protruding in the thickness direction to the arms 41 and 51, the arms 41 and 51 are provided. In the direction of further reducing the narrow gap between the wafer 23a and the wafers 23a and 23b, it was difficult in terms of space. Further, when the thickness of the arms 41 and 51 is reduced for mounting the sensing unit 43 and the distance sensor 52, the mechanical strength of the arms 41 and 51 is lowered.

また、従来の第2の搬送装置40では、金属層44がアーム41の下面に接触するところまで変形してはじめて、アーム41とウェーハ23bの接触を検知するため、金属層44の変形量が少ない場合、接触していても検知できなかった。   Further, in the conventional second transfer device 40, since the contact between the arm 41 and the wafer 23b is detected only after the metal layer 44 is deformed until it contacts the lower surface of the arm 41, the deformation amount of the metal layer 44 is small. In this case, the contact could not be detected.

また、接触を検知したときには、すでに当該のウェーハ23bを損傷させてしまっており、ウェーハ23bの損傷を未然防止することはできなかった。   When contact is detected, the wafer 23b has already been damaged, and damage to the wafer 23b could not be prevented.

また、従来の第3の搬送装置50では、距離センサ52からの距離情報に基づいて位置補正量を算出し、それをマニピュレータ55にフィードバックしながらアーム51を動かすようにするため、どうしてもアーム51の動作スピードが遅くなることが予想された。   Further, in the conventional third transfer device 50, the position correction amount is calculated based on the distance information from the distance sensor 52, and the arm 51 is moved while feeding it back to the manipulator 55. The operating speed was expected to be slow.

本発明の主な課題は、アームにその厚さ方向の突出物を配置したり、アームの動作スピードを遅くさせたりすることなく、アームが所定範囲内の高さで収納カセットに進入したかどうかを確実に検知でき、かつ、アームで薄板材を損傷することを未然防止できる薄板材の搬送装置を提供することである。   The main problem of the present invention is whether or not the arm has entered the storage cassette at a height within a predetermined range without disposing a protrusion in the thickness direction on the arm or slowing down the operating speed of the arm. It is an object of the present invention to provide a transport device for a thin plate material that can reliably detect the damage and prevent the arm from damaging the thin plate material.

本発明の薄板材の搬送装置は、
薄板材を保持して収納カセットに進退動作するアームの先に、アームの進退動作方向に延設され、その先端面に第1の電極が露出した可動電極部と、
収納カセットを挟んでアームと対向する側に固設され、アームの収納カセットへの進入動作の終点で、第1の電極と接触可能な第2の電極が、アームと対向する表面に露出した固定電極部と、
第1,第2の電極と、それぞれ電気的接続され、第1,第2の電極間がアームの進入動作の終点で導通状態か非導通状態かを電気的に検知する検知部とを備えた薄板材の搬送装置である。
The thin plate material conveying apparatus of the present invention is
A movable electrode portion that extends in the forward / backward movement direction of the arm, and has a first electrode exposed at the tip of the arm that holds the thin plate material and moves forward / backward to the storage cassette;
Fixing that the second electrode that is fixed on the side facing the arm across the storage cassette and that can contact the first electrode at the end of the operation of entering the storage cassette of the arm is exposed on the surface facing the arm An electrode part;
The first and second electrodes are electrically connected to each other, and a detection unit that electrically detects whether the first and second electrodes are in a conductive state or a non-conductive state at the end point of the arm entry operation. It is a conveyance apparatus of a thin plate material.

本発明の薄板材の搬送装置によれば、アームにその厚さ方向の突出物を配置したり、アームの動作スピードを遅くさせたりすることなく、アームが所定範囲内の高さで収納カセットに進入したかどうかを確実に検知でき、かつ、アームで薄板材を損傷することを未然防止できる。   According to the thin plate material conveying device of the present invention, the arm can be placed in the storage cassette at a height within a predetermined range without disposing a protrusion in the thickness direction on the arm or slowing down the operating speed of the arm. It is possible to reliably detect whether or not it has entered, and to prevent the thin plate material from being damaged by the arm.

本発明の薄板材の搬送装置の一例として、半導体ウェーハの搬送装置を図1に示す。図1は、本発明の搬送装置の概略構成を示す側断面図である。また、図5と同一部分には同一符号を付す。   As an example of the thin plate material transfer apparatus of the present invention, a semiconductor wafer transfer apparatus is shown in FIG. FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a transport apparatus according to the present invention. The same parts as those in FIG.

図1において、100は本発明の搬送装置、21は収納カセット、23はウェーハ、24はアーム、23aはアーム24を挟んで隣り合う2つの溝のうちの上側の溝に収納されたウェーハ、23bはアーム24を挟んで隣り合う2つの溝のうちの下側の溝に収納されたウェーハ、25はアーム24の駆動手段、26はエレベータ部、102は可動電極部、102aは可動電極部102の先端面に露出した第1の電極、103は固定電極部、103aは固定電極部103の表面に露出した第2の電極、103bは第1の絶縁基板、103cは第2の絶縁基板、103dはクッション部である。   In FIG. 1, 100 is a transfer apparatus of the present invention, 21 is a storage cassette, 23 is a wafer, 24 is an arm, 23a is a wafer stored in an upper groove of two adjacent grooves across the arm 24, 23b Is a wafer housed in the lower groove of two adjacent grooves across the arm 24, 25 is a driving means for the arm 24, 26 is an elevator section, 102 is a movable electrode section, 102a is a movable electrode section 102 The first electrode exposed on the front end surface, 103 is a fixed electrode portion, 103a is a second electrode exposed on the surface of the fixed electrode portion 103, 103b is a first insulating substrate, 103c is a second insulating substrate, and 103d is It is a cushion part.

図1に示すように、本発明の搬送装置100は、その上面にウェーハ23を保持して収納カセット21に進退動作するアーム24と、アーム24の先にアーム24の進退動作方向に延設され、その先端面に可動電極としての第1の電極102aが露出した可動電極部102と、アーム24の収納カセット21への進入動作の終点で、第1の電極102aと接触可能な第2の電極103aが、アーム24と対向する表面に多数、縦配列して露出した固定電極部103と、アーム24及び可動電極部102を上下前後左右に移動させる駆動手段25と、収納カセット21と固定電極部103をいっしょに上下移動させるエレベータ部26と、第1の電極102aと第2の電極103aに、それぞれ電気的接続され、アーム24の進入動作の終点において、第1,第2の電極102a,103a間が導通状態か、非導通状態かを電気的に検知する検知部104とを備え、収納カセット21を上下移動させて、所定の溝(図示せず)にウェーハ23を1枚ずつ収納したり、取り出したりできるようになっている。   As shown in FIG. 1, the transfer device 100 of the present invention has an arm 24 that holds a wafer 23 on its upper surface and moves forward and backward to the storage cassette 21, and extends beyond the arm 24 in the forward and backward movement direction of the arm 24. The movable electrode portion 102 with the first electrode 102a as the movable electrode exposed at the tip surface thereof, and the second electrode that can come into contact with the first electrode 102a at the end point of the operation of entering the storage cassette 21 of the arm 24 103a is a large number of fixed electrode portions 103 exposed on the surface facing the arm 24 and vertically exposed; driving means 25 for moving the arm 24 and the movable electrode portion 102 up and down, front and rear, left and right; the storage cassette 21 and the fixed electrode portion 103 is electrically connected to the elevator unit 26 that moves the arm 103 up and down together with the first electrode 102a and the second electrode 103a, respectively, and the end point of the approach operation of the arm 24 is reached. And a detection unit 104 that electrically detects whether the first and second electrodes 102a and 103a are in a conductive state or a non-conductive state. The storage cassette 21 is moved up and down to form a predetermined groove (not shown). 1), the wafers 23 can be stored and taken out one by one.

尚、収納カセット21は、ウェーハ23の出し入れなどのために前後面の所要部分が開放されており、左右の側壁の内側には、ウェーハ23を1枚ずつ水平支持するための溝(図示せず)が所定ピッチで多数対、形成されている。   The storage cassette 21 is open at the front and rear surfaces for loading and unloading the wafers 23, and a groove (not shown) for horizontally supporting the wafers 23 one by one inside the left and right side walls. ) Are formed in pairs at a predetermined pitch.

また、アーム24の先端に一体形成された可動電極部102の厚さは、アーム24の厚さと同じか、それよりも若干、薄い厚さとする。   Further, the thickness of the movable electrode portion 102 integrally formed at the tip of the arm 24 is the same as or slightly smaller than the thickness of the arm 24.

また、アーム24および可動電極部102は、セラミックなどの絶縁物から成り、それらの内部に埋め込まれて形成された内部配線を通して、第1の電極102aは、検知部104に電気的接続されている。   The arm 24 and the movable electrode portion 102 are made of an insulator such as ceramic, and the first electrode 102a is electrically connected to the detection portion 104 through an internal wiring formed by being embedded therein. .

また、固定電極部103は、クッション部103dを挟んで、表面に第2の電極103aが露出した第1の絶縁基板103bと、支持体としての第2の絶縁基板103cとが貼り合わされた積層構造となっている。   The fixed electrode portion 103 has a laminated structure in which the first insulating substrate 103b having the second electrode 103a exposed on the surface and the second insulating substrate 103c as a support are bonded to each other with the cushion portion 103d interposed therebetween. It has become.

尚、クッション部103dは、例えば、シリコンゴムなどからなる弾性層、あるいは、クッションバネであってもよく、第1の電極102aが、第2の電極103aに当接する際のストレスを緩和させる役目をするものなら何でもよい。   The cushion portion 103d may be, for example, an elastic layer made of silicon rubber or the like, or a cushion spring, and serves to relieve stress when the first electrode 102a contacts the second electrode 103a. Anything to do.

第2の電極103aは、収納カセット21の溝の個数と同じ個数で、溝ピッチと同じピッチで縦配列された電極群であり、その電極群の個々の電極は、第1の絶縁基板103bの内部に埋め込まれて形成された内部配線を通して検知部104に電気的接続されている。   The second electrode 103a is an electrode group having the same number of grooves as that of the storage cassette 21 and vertically arranged at the same pitch as the groove pitch. The individual electrodes of the electrode group are formed on the first insulating substrate 103b. It is electrically connected to the detection unit 104 through an internal wiring formed embedded inside.

そして、固定電極部103は、その電極群の個々の電極が、各溝と1対1に対応するような高さ方向位置、かつ、アーム24の進入動作の終点で、第1の電極102aと第2の電極103aとが接触可能な前後方向位置に固定され、エレベータ部26により、収納カセット21と共に上下動作するようになっている。   The fixed electrode portion 103 has a height position where each electrode of the electrode group has a one-to-one correspondence with each groove, and an end point of the approach operation of the arm 24, and the first electrode 102a It is fixed at a position in the front-rear direction where it can come into contact with the second electrode 103 a, and is moved up and down together with the storage cassette 21 by the elevator unit 26.

また、検知部104は、第1,第2の電極102a,103a間に所定の微弱な電圧を付加し、アーム24の進入動作の終点において、第1,第2の電極102a,103a間が接触し導通状態となったか、接触せず非導通状態であるかを電流の大きさで検知可能となっている。   In addition, the detection unit 104 applies a predetermined weak voltage between the first and second electrodes 102a and 103a, and contacts between the first and second electrodes 102a and 103a at the end point of the approach operation of the arm 24. It can be detected by the magnitude of the current whether it is in a conductive state or non-conductive without contact.

また、検知部104は、アーム24の駆動手段25と接続され、上記の検知結果に基づいて、駆動手段25を作動し、アーム24の動作を制御できるようになっている。   The detection unit 104 is connected to the driving unit 25 of the arm 24, and can operate the driving unit 25 and control the operation of the arm 24 based on the detection result.

次に、アーム24の進入高さと第1,第2の電極102a,103aとの関係の一例を図2、図3を参照して説明する。図2、図3は要部拡大図である。   Next, an example of the relationship between the entry height of the arm 24 and the first and second electrodes 102a and 103a will be described with reference to FIGS. 2 and 3 are enlarged views of main parts.

例えば、図2に示すように、第1の電極102aと第2の電極103aの縦寸法(L)を同じ寸法とし、第1の電極102aと第2の電極103aのセンタを一致させ、アーム24が丁度、2枚のウェーハ23a,23b間のセンタ(片側の隙間寸法が共にC)を狙って進入するように設定する。   For example, as shown in FIG. 2, the vertical dimension (L) of the first electrode 102a and the second electrode 103a is the same dimension, the centers of the first electrode 102a and the second electrode 103a are aligned, and the arm 24 Is set so as to aim at the center between the two wafers 23a and 23b (the gap size on one side is C).

そして、縦寸法L<隙間寸法Cとなるように、縦寸法Lを設定すると、図3(a)に示すように、収納カセット21に対して、アーム24が所定範囲内(進入高さのばらつき<縦寸法L)の高さで進入した場合、第1の電極102aはアーム24の進入動作の終点で第2の電極103aに当接して、第1,第2の電極102a,103a間は導通状態となる。   When the vertical dimension L is set so that the vertical dimension L <the gap dimension C, as shown in FIG. 3A, the arm 24 is within a predetermined range with respect to the storage cassette 21 (incoming height variation). When entering at a height of <vertical dimension L), the first electrode 102a comes into contact with the second electrode 103a at the end point of the approach operation of the arm 24, and the first and second electrodes 102a, 103a are electrically connected. It becomes a state.

これに対して、図3(b)に示すように、アーム24が所定範囲外(進入高さのばらつき>縦寸法L)の高さで進入した場合、第1の電極102aは第2の電極103aに当接せず、第1,第2の電極102a,103a間は非導通状態となる。   On the other hand, as shown in FIG. 3B, when the arm 24 enters at a height outside the predetermined range (variation in approach height> longitudinal dimension L), the first electrode 102a is the second electrode. The first and second electrodes 102a and 103a are not in contact with each other without being in contact with 103a.

すなわち、隙間Cに対して縦寸法Lを小さくすればするほど、アーム24の進入高さのばらつきに対する検知感度が向上する。   That is, as the vertical dimension L is reduced with respect to the gap C, the detection sensitivity with respect to the variation in the entry height of the arm 24 is improved.

このように、隙間Cに対する電極102a,103aの縦寸法Lを任意に選択することで、アーム24の進入高さのばらつきが、ウェーハ23a,23bを損傷させてしまうレベルにまで増大する前に未然に検知できる。   As described above, by arbitrarily selecting the vertical dimension L of the electrodes 102a and 103a with respect to the gap C, the variation in the entrance height of the arm 24 is increased before it increases to a level at which the wafers 23a and 23b are damaged. Can be detected.

ここで、縦寸法Lの決め方は、2つの電極102a,103aが互いに寸法Lだけずれると接触しなくなるので、アーム24のずれの許容範囲の最大値を目安にして決定すればよい。   Here, since the two electrodes 102a and 103a are not in contact with each other when they are deviated from each other by the dimension L, the vertical dimension L may be determined based on the maximum allowable deviation range of the arm 24 as a guide.

一例としては、アーム24のずれの許容範囲の最大値を縦寸法Lと設定すればよい。   As an example, the maximum value of the allowable range of deviation of the arm 24 may be set as the vertical dimension L.

また、上記では、2つの電極102a,103aの縦寸法Lを同じ寸法とすることで説明したが、必ずしも同じ寸法でなくてもよく、その場合は、2つの縦寸法のうち、大きい方の寸法を、アーム24のずれの許容範囲の最大値を目安にして決定すればよい。   In the above description, the vertical dimension L of the two electrodes 102a and 103a has been described as being the same dimension. However, the dimension is not necessarily the same, and in that case, the larger dimension of the two vertical dimensions is not necessary. May be determined using the maximum value of the allowable range of deviation of the arm 24 as a guide.

本発明の搬送装置100によるウェーハ23の収納動作は、先ず、上面にウェーハ23aを保持したアーム24を、そのウェーハ23aを収納する予定の溝(図示せず)に対して所定の高さで、収納カセット21内に水平に進入させる。   In the storing operation of the wafer 23 by the transfer apparatus 100 of the present invention, first, the arm 24 holding the wafer 23a on the upper surface is set at a predetermined height with respect to a groove (not shown) where the wafer 23a is to be stored. It is made to enter horizontally into the storage cassette 21.

次に、アーム24が所定の進入動作の終点まで進入したら、アーム24の動作を停止する。   Next, when the arm 24 enters the end point of the predetermined entry operation, the operation of the arm 24 is stopped.

このとき、第1,第2の電極102a,103a間が導通状態になったか非導通状態かを検知部104で検知する。   At this time, the detection unit 104 detects whether the first and second electrodes 102a and 103a are in a conductive state or in a non-conductive state.

もし、検知部104が、第1,第2の電極102a,103a間の導通状態を検知し、アーム24が所定範囲内の高さで進入したことが確認できたら、エレベータ部26を作動し、収納カセット21を所定距離だけ上昇させる。この動作により、ウェーハ23aはアーム24の上面から離間し、溝(図示せず)に支持される。   If the detection unit 104 detects the conduction state between the first and second electrodes 102a and 103a and confirms that the arm 24 has entered at a height within a predetermined range, the elevator unit 26 is operated. The storage cassette 21 is raised by a predetermined distance. By this operation, the wafer 23a is separated from the upper surface of the arm 24 and supported by a groove (not shown).

次に、空のアーム24を収納カセット21から引き出して収納動作は完了する。   Next, the empty arm 24 is pulled out of the storage cassette 21 to complete the storage operation.

その後、エレベータ部26を作動し、収納カセット21の高さを次のウェーハ23を収納するための所定の高さに変更する。   Thereafter, the elevator unit 26 is operated to change the height of the storage cassette 21 to a predetermined height for storing the next wafer 23.

もし、万一、検知部104が、第1,第2の電極102a,103a間が非導通状態であることを検知したら、その信号を駆動手段25に送信し、アーム24の動作を停止し、即座に、警報を鳴らすなどして作業者に異常を知らせる   If the detection unit 104 detects that the first and second electrodes 102a and 103a are in a non-conductive state, the detection unit 104 transmits the signal to the driving unit 25 and stops the operation of the arm 24. Immediately notify the operator of the abnormality by sounding an alarm, etc.

作業者は、異常警報の原因を調査して、磨耗部品を交換するなどの処置をする。   The operator investigates the cause of the abnormal alarm and takes measures such as replacing worn parts.

尚、上記では、収納カセット21を上昇させてアーム24とウェーハ23とを離間させることで説明したが、駆動手段25でアーム24を下降させて離間させるようにしてもよい。   In the above description, the storage cassette 21 is raised and the arm 24 and the wafer 23 are separated from each other. However, the arm 24 may be lowered by the driving means 25 and separated.

次に、ウェーハ23aの取り出し動作は、収納動作の反対の順序で行われる。   Next, the wafer 23a is taken out in the reverse order of the storing operation.

即ち、先ず、空のアーム24を、これから取り出す予定のウェーハ23aを支持する溝(図示せず)に対して、所定の高さで収納カセット21内に水平に進入させる。   That is, first, the empty arm 24 is horizontally moved into the storage cassette 21 at a predetermined height with respect to a groove (not shown) for supporting the wafer 23a to be taken out.

次に、アーム24が所定の進入動作の終点まで進入したら、アーム24の動作を停止する。   Next, when the arm 24 enters the end point of the predetermined entry operation, the operation of the arm 24 is stopped.

このとき、第1,第2の電極102a,103a間が導通状態になったか非導通状態かを検知部104で検知する。   At this time, the detection unit 104 detects whether the first and second electrodes 102a and 103a are in a conductive state or in a non-conductive state.

もし、検知部104が、第1,第2の電極102a,103a間の導通状態を検知し、アーム24が所定範囲内の高さで進入したことが確認できたら、エレベータ部26を作動し、収納カセット21を所定距離だけ下降させる。この動作により、ウェーハ23aはアーム24の上面に保持される。   If the detection unit 104 detects the conduction state between the first and second electrodes 102a and 103a and confirms that the arm 24 has entered at a height within a predetermined range, the elevator unit 26 is operated. The storage cassette 21 is lowered by a predetermined distance. By this operation, the wafer 23 a is held on the upper surface of the arm 24.

そして、ウェーハ23を保持したアーム24を収納カセット21から引き出して取り出し動作は完了する。   Then, the arm 24 holding the wafer 23 is pulled out from the storage cassette 21 to complete the take-out operation.

その後、エレベータ部26を作動し、収納カセット21の高さを次のウェーハ23を取り出すための所定の高さに変更する。   Thereafter, the elevator unit 26 is operated to change the height of the storage cassette 21 to a predetermined height for taking out the next wafer 23.

もし、万一、検知部104が、第1,第2の電極102a,103a間が非導通状態であることを検知したら、その信号を駆動手段25に送信し、アーム24の動作を停止し、即座に、警報を鳴らすなどして作業者に異常を知らせる。   If the detection unit 104 detects that the first and second electrodes 102a and 103a are in a non-conductive state, the detection unit 104 transmits the signal to the driving unit 25 and stops the operation of the arm 24. Immediately inform the operator of the abnormality by sounding an alarm.

作業者は、異常警報の原因を調査して、磨耗部品を交換するなどの処置をする。   The operator investigates the cause of the abnormal alarm and takes measures such as replacing worn parts.

尚、上記では、収納カセット21を下降させてアーム24にウェーハ23を保持させることで説明したが、駆動手段25でアーム24を上昇させて保持させるようにしてもよい。   In the above description, the storage cassette 21 is lowered and the arm 24 holds the wafer 23. However, the arm 24 may be raised and held by the driving unit 25.

尚、上記の例では、可動電極部102をアーム24の一箇所に設け、それに対応する固定電極部103および検知部104を配置して1系統の検知回路を形成することで説明したが、本発明の他の例として、図7に示すように、2個の可動電極部102をアーム24の左右両端(二箇所)に離間して設け、それぞれに対応する固定電極部103および検知部104を配置し、2系統の検知回路を独立して形成するようにしてもよい。   In the above example, the movable electrode portion 102 is provided at one position of the arm 24, and the fixed electrode portion 103 and the detection portion 104 corresponding to the movable electrode portion 102 are arranged to form one detection circuit. As another example of the invention, as shown in FIG. 7, two movable electrode portions 102 are provided apart from both left and right ends (two places) of the arm 24, and a fixed electrode portion 103 and a detection portion 104 corresponding to each are provided. The two detection circuits may be formed independently.

このようにすると、アーム24の水平度のばらつきについても検知でき好適である。   This is preferable because it can detect variations in the level of the arm 24.

また、上記の例では、半導体ウェーハの搬送装置の例で説明したが、本発明はその他、液晶ガラス基板などの薄板材の搬送装置に用いることができる。   In the above example, the example of the semiconductor wafer transfer device has been described. However, the present invention can also be used for a transfer device of a thin plate material such as a liquid crystal glass substrate.

また、上記の例では、収納カセットに薄板材を水平方向に収納する例で説明したが、とくに水平方向に限るわけではなく、垂直方向や斜め方向に収納するような構成の場合にも応用できる。   In the above example, the thin cassette was stored in the storage cassette in the horizontal direction. However, the present invention is not limited to the horizontal direction, and can be applied to a configuration in which the thin plate material is stored in the vertical direction or the oblique direction. .

本発明は、アームにその厚さ方向の突出物を配置したり、アームの動作スピードを遅くさせたりすることなく、アームが所定範囲内の高さで収納カセットに進入したかどうかを確実に検知でき、かつ、アームで薄板材を損傷することを未然防止できる薄板材の搬送装置に適用できる。   The present invention reliably detects whether or not the arm has entered the storage cassette at a height within a predetermined range without disposing a protrusion in the thickness direction on the arm or slowing down the operating speed of the arm. It can be applied to a thin plate material transfer device that can prevent the thin plate material from being damaged by the arm.

本発明の搬送装置の概略構成を示す側断面図Side sectional view which shows schematic structure of the conveying apparatus of this invention 本発明の搬送装置の要部拡大図The principal part enlarged view of the conveying apparatus of this invention 本発明の搬送装置の要部拡大図The principal part enlarged view of the conveying apparatus of this invention 本発明の搬送装置の他の例の概略構成図The schematic block diagram of the other example of the conveying apparatus of this invention 従来の第1の搬送装置の概略構成を示す斜視図および要部拡大図The perspective view and principal part enlarged view which show schematic structure of the conventional 1st conveying apparatus. 従来の第2の搬送装置の概略構成を示す側断面図Side sectional view which shows schematic structure of the conventional 2nd conveying apparatus. 従来の第3の搬送装置の概略構成を示す側断面図Side sectional view which shows schematic structure of the conventional 3rd conveying apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

20 従来の第1の搬送装置
21 収納カセット
22 収納カセット21の側壁に形成された溝
23 ウェーハ
24,41,51 アーム
アーム
23a アーム24を挟んで隣り合う2つの溝のうちの上側の溝に収納されたウェーハ
23b アーム24を挟んで隣り合う2つの溝のうちの下側の溝に収納されたウェーハ
25 アーム24の駆動手段
26 エレベータ部
40 従来の第2の搬送装置
42 感知器
43 接触式の感知部
44 金属層
45 弾性層
46 増幅部
47 制御部
48 昇降機構部
49 アーム41の駆動手段
50 従来の第3の搬送装置
52 距離センサ
53 コントローラ
54 補正制御部
55 マニピュレータ
55a リンク
55b ジョイント
56 付け根部
100 本発明の半導体ウェーハの搬送装置
102 可動電極部
102a 第1の電極
103 電極部
103a 第2の電極
103b 第1の絶縁基板
103c 第2の絶縁基板
103d クッション部
A 2枚のウェーハ23a,23b間の間隔
B アーム24の厚さ寸法
C アーム24と2枚のウェーハ23a,23bとのそれぞれの隙間寸法
L 第1,第2の極102a,103aの縦寸法
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Conventional 1st conveying apparatus 21 Storage cassette 22 Groove | channel formed in the side wall of storage cassette 21 Wafer 24,41,51 Arm Arm 23a It accommodates in the upper groove | channel of two adjacent grooves on both sides of the arm 24 Wafer 23b Wafer housed in lower groove of two adjacent grooves across arm 24 25 Driving means for arm 24 26 Elevator section 40 Conventional second transfer device 42 Sensor 43 Contact type Sensing unit 44 Metal layer 45 Elastic layer 46 Amplifying unit 47 Control unit 48 Lifting mechanism unit 49 Driving means of arm 41 50 Conventional third transport device 52 Distance sensor 53 Controller 54 Correction control unit 55 Manipulator 55a Link 55b Joint 56 Root portion 100 Semiconductor wafer transfer device of the present invention 102 Movable electrode portion 102 First electrode 103 Electrode portion 103a Second electrode 103b First insulating substrate 103c Second insulating substrate 103d Cushion portion A Distance between two wafers 23a and 23b B Thickness dimension of arm 24 C Arms 24 and 2 Dimension of gap between each wafer 23a and 23b L Vertical dimension of first and second poles 102a and 103a

Claims (8)

薄板材を保持して収納カセットに進退動作するアームの先に、前記アームの進退動作方向に延設され、その先端面に第1の電極が露出した可動電極部と、
前記収納カセットを挟んで前記アームと対向する側に固設され、前記アームの前記収納カセットへの進入動作の終点で、前記第1の電極と接触可能な第2の電極が、前記アームと対向する表面に露出した固定電極部と、
前記第1,第2の電極と、それぞれ電気的接続され、前記第1,第2の電極間が前記アームの進入動作の終点で導通状態か非導通状態かを電気的に検知する検知部とを備えた薄板材の搬送装置。
A movable electrode portion that extends in the forward / backward movement direction of the arm and has a first electrode exposed at the tip of the arm that holds the thin plate and moves forward / backward to the storage cassette;
A second electrode fixed on the side facing the arm across the storage cassette and capable of contacting the first electrode at the end point of the arm entering the storage cassette is opposed to the arm. A fixed electrode portion exposed on the surface to be
A detector that is electrically connected to each of the first and second electrodes, and that electrically detects whether the first and second electrodes are in a conductive state or a non-conductive state at an end point of an approach operation of the arm; A thin plate material conveying apparatus.
前記固定電極部の第2の電極は、前記収納カセットの左右の側壁の内側に前記薄板材を支持するために所定ピッチで設けられた多数対の溝のそれぞれと1対1に対応する位置に配列された電極群である請求項1に記載の薄板材の搬送装置。   The second electrode of the fixed electrode portion is in a position corresponding to each of a plurality of grooves provided at a predetermined pitch to support the thin plate inside the left and right side walls of the storage cassette. The apparatus for transporting a thin plate material according to claim 1, which is an array of electrodes. 前記可動電極部の厚さは、前記アームの厚さと同じか、または、前記アームの厚さよりも薄い厚さである請求項1または2に記載の薄板材の搬送装置。   3. The thin plate material transfer device according to claim 1, wherein a thickness of the movable electrode portion is equal to or less than a thickness of the arm. 前記可動電極部は、前記アームと一体形成された請求項1から3のいずれかに記載の薄板材の搬送装置。 The thin plate material conveying apparatus according to claim 1, wherein the movable electrode portion is integrally formed with the arm. 2個の前記可動電極部が、前記アームの左右両端に離間して延設され、それぞれの前記可動電極部に対応して前記固定電極部および前記検知部が配置され、2系統の検知回路が形成された請求項1から4のいずれかに記載の薄板材の搬送装置。   The two movable electrode portions are spaced apart from the left and right ends of the arm, and the fixed electrode portion and the detection portion are arranged corresponding to each of the movable electrode portions, and two detection circuits are provided. The thin plate material conveying device according to any one of claims 1 to 4, wherein the thin plate material conveying device is formed. 前記第1,第2の電極のそれぞれの大きさと相互位置関係は、前記収納カセットに対して、前記アームが所定範囲内の高さで進入した場合、前記アームの進入動作の終点で前記第1の電極が前記第2の電極に当接して導通状態となり、前記アームが所定範囲外の高さで進入した場合、前記第1の電極が前記第2の電極に当接せず非導通状態となるように設定された請求項1から5のいずれかに記載の薄板材の搬送装置。   Each of the first and second electrodes has a size and mutual positional relationship such that when the arm enters the storage cassette at a height within a predetermined range, the first and second electrodes reach the end point of the arm entry operation. When the first electrode contacts the second electrode and becomes conductive, and the arm enters at a height outside a predetermined range, the first electrode does not contact the second electrode and becomes non-conductive. The conveying apparatus of the thin plate material in any one of Claim 1 to 5 set so that it might become. 前記固定電極部は、前記第1の電極と前記第2の電極の接触時の衝撃を緩和する弾性材からなるクッション部を備えた請求項1から6のいずれかに記載の薄板材の搬送装置。   The thin plate material conveying device according to any one of claims 1 to 6, wherein the fixed electrode portion includes a cushion portion made of an elastic material that relieves an impact at the time of contact between the first electrode and the second electrode. . 前記検知部は、前記アームを駆動する駆動手段に電気的接続された請求項1から7のいずれかに記載の薄板材の搬送装置。
The thin plate material conveying device according to claim 1, wherein the detection unit is electrically connected to a driving unit that drives the arm.
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