JP4615898B2 - Operation stable pixel bias circuit - Google Patents

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Description

本発明は一般に、半導体撮像装置(イメージャ)に関するものである。より詳細には、本発明は、撮像装置におけるバイアス電流の安定性を改善する方法及び装置に関するものである。   The present invention generally relates to semiconductor imaging devices (imagers). More particularly, the present invention relates to a method and apparatus for improving bias current stability in an imaging device.

図1に、従来の撮像装置(イメージャ)100をブロック図形式で示す。図に示すように、撮像装置100は、電源110、複数の画素121を含む画素アレイ120、複数のロード回路130、複数のサンプル−ホールド回路140、及び複数の増幅器150を具えている。通常は、非常に多数の画素121が複数の行及び列に配置されている。しかし、簡単のため、図1に示す画素アレイ120は、画素アレイ121の2行及び2列のみを含む。電源110は、バイアス電流IBIASをVAAPIXのアレイ画素電圧で発生する。ロード回路130はバイアス電流IBIASを発生して、このバイアス電流IBIASは撮像装置100の各画素121に供給される。撮像装置100は、図に示す制御信号(例えばROW、TX、RESET、SHR、SHS、及びOUT)を発生する制御回路160、及び画素121が出力する信号をさらに処理するための追加的な画像処理回路170も具えている。   FIG. 1 shows a conventional imaging apparatus (imager) 100 in a block diagram form. As illustrated, the imaging apparatus 100 includes a power source 110, a pixel array 120 including a plurality of pixels 121, a plurality of load circuits 130, a plurality of sample-hold circuits 140, and a plurality of amplifiers 150. Usually, a very large number of pixels 121 are arranged in a plurality of rows and columns. However, for simplicity, the pixel array 120 shown in FIG. 1 includes only two rows and two columns of the pixel array 121. The power supply 110 generates a bias current IBIAS with an array pixel voltage of VAAPIX. The load circuit 130 generates a bias current IBIAS, and this bias current IBIAS is supplied to each pixel 121 of the imaging device 100. The imaging apparatus 100 includes a control circuit 160 that generates control signals (for example, ROW, TX, RESET, SHR, SHS, and OUT) shown in the figure, and additional image processing for further processing the signals output from the pixels 121. A circuit 170 is also provided.

ここで、図2〜図5も参照して、撮像装置100の動作を説明する。図2に、従来の4トランジスタの画素121を示す。画素121は、フォトダイオード122、転送トランジスタ123、リセット・トランジスタ124、ソースフォロワ・トランジスタ125、及び行選択トランジスタ126を具えている。画素121は、ROW制御信号を(行選択トランジスタ126のゲートに結合した)ノード(節点)F1で受け、TX制御信号を(転送トランジスタ123のゲートに結合した)ノード(節点)D1で受け、そしてRESET制御信号を(リセット・トランジスタ124のゲートに結合した)ノードC1で受ける。画素121は、電源110の出力ノード(例えばノードB01またはB02)からの電力をノードA1で受けて、リセット信号”Vrst”及び光信号”Vsig”を、ノードB1の出力として発生する。以下に詳細に説明するように、画素121は電荷検出ノードE1も具えている。   Here, the operation of the imaging apparatus 100 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 shows a conventional four-transistor pixel 121. The pixel 121 includes a photodiode 122, a transfer transistor 123, a reset transistor 124, a source follower transistor 125, and a row selection transistor 126. Pixel 121 receives a ROW control signal at node (node) F1 (coupled to the gate of row select transistor 126), a TX control signal at node (node) D1 (coupled to the gate of transfer transistor 123), and A RESET control signal is received at node C1 (coupled to the gate of reset transistor 124). The pixel 121 receives power from an output node (for example, the node B01 or B02) of the power supply 110 at the node A1, and generates a reset signal “Vrst” and an optical signal “Vsig” as outputs of the node B1. As will be described in detail below, the pixel 121 also includes a charge detection node E1.

ここで、図5のタイミング図を参照して説明する。図に見られるように、初期(即ち時刻t0)には、制御信号ROW、RESET、TX、SHR、及びSHSは立ち上がっていない(即ち論理ローのレベルである)。   Here, it demonstrates with reference to the timing diagram of FIG. As can be seen, initially, the control signals ROW, RESET, TX, SHR, and SHS are not rising (ie, are at a logic low level) (ie, at time t0).

時刻t1に、ROW制御信号が立ち上がって、ノードF1に供給されて、行選択トランジスタ126を作動させる。   At time t1, the ROW control signal rises and is supplied to the node F1 to operate the row selection transistor 126.

時刻t2に、RESET制御信号が立ち上がって、電源110からノードA1に供給される電圧VAAPIXが電荷検出ノードE1に供給されるようにする。ノードE1がトランジスタ125のゲートに結合され、ノードF1がトランジスタ126のゲートに結合されているので、トランジスタ125及び126が共に導通する。その結果、リセット信号VrstがノードB1に出力される。   At time t2, the RESET control signal rises so that the voltage VAAPIX supplied from the power supply 110 to the node A1 is supplied to the charge detection node E1. Since node E1 is coupled to the gate of transistor 125 and node F1 is coupled to the gate of transistor 126, transistors 125 and 126 are both conducting. As a result, the reset signal Vrst is output to the node B1.

時刻t3に、制御信号が立ち下がって、電荷検出ノードE1が浮動状態(フローティング)になる。フォトダイオード122は、最後の初期化から露光されている間に、既にノードP1に電荷を蓄積している。この露光期間は、積分期間としても知られている。   At time t3, the control signal falls and the charge detection node E1 enters a floating state (floating). The photodiode 122 has already accumulated electric charge at the node P1 while being exposed from the last initialization. This exposure period is also known as the integration period.

時刻t5に、制御信号TXが立ち上がって、ノードP1から電化検出ノードE1への電荷転送が行われる。その結果、電荷がノードE1に送り出される。この電荷は、ノードE1の電圧を低下させて、ソースフォロワ・トランジスタ125の導通に影響する。行選択トランジスタ126がまだ導通しているので、ノードE1に転送された電荷にもとづく光信号VsigがノードB1に出力される。図5に、ノードB1における光信号Vsigの可変性を、3つのトレース(線)511、512、513で示す。上部のトレース511は、積分期間中に光があって、フォトダイオード122が少ししか露光されない場合の出力を示す。中間のトレース512は、積分期間中の中程度の露光に対応する。下部のトレース513は、積分期間中の強い露光に対応する。   At time t5, the control signal TX rises, and charge transfer from the node P1 to the electrification detection node E1 is performed. As a result, charge is sent to the node E1. This charge reduces the voltage at node E1 and affects the conduction of the source follower transistor 125. Since the row selection transistor 126 is still conductive, the optical signal Vsig based on the charge transferred to the node E1 is output to the node B1. FIG. 5 shows the variability of the optical signal Vsig at the node B1 by three traces (lines) 511, 512, and 513. The upper trace 511 shows the output when there is light during the integration period and the photodiode 122 is only slightly exposed. Intermediate trace 512 corresponds to a moderate exposure during the integration period. The lower trace 513 corresponds to a strong exposure during the integration period.

時刻t8に、ROW制御信号が減少して、行選択トランジスタ126を非導通状態にする。その結果、ノードB1の出力が遮断される。   At time t8, the ROW control signal decreases, and the row selection transistor 126 is turned off. As a result, the output of the node B1 is cut off.

従って、画素121は2つの出力信号、即ちリセット信号Vrst及び光信号Vsigを発生する。2つの信号Vrst及びVsigは異なる時刻に発生されるが、両信号が共にノードB1に出力される。画素121の出力はロード回路130に向けられて、これにより、ROW制御信号の立ち上がり時に、ソースフォロワ・トランジスタ125及びロード回路130が電圧フォロワ回路を構成する。   Accordingly, the pixel 121 generates two output signals, namely a reset signal Vrst and an optical signal Vsig. The two signals Vrst and Vsig are generated at different times, but both signals are output to the node B1. The output of the pixel 121 is directed to the load circuit 130, whereby the source follower transistor 125 and the load circuit 130 constitute a voltage follower circuit when the ROW control signal rises.

図3に、撮像装置100内に用いられているロード回路130を示す。回路130は、画素回路121の出力用の電流シンクである。図に示すように、ロード回路130は、画素121の出力信号Vrst、VsigをノードA2で受けて、これらの信号に対応する出力をノードB2に発生する。ロード回路130の出力を総称して、VPIXOUTと称し、この出力は、時刻t3とt5の間のリセット信号を修正した形式に対応し、かつ時刻t5とt8の間の光信号を修正した形式に対応する。トランジスタ131は、そのゲートをノードC2に結合されて、ノードC2は制御信号VLNを受ける。制御信号VLNは、トランジスタ131が発生するバイアス電流を調整するため、及びソースフォロワ回路の性能を、電力消費及び速度に関して最適化するために用いる。このトランジスタ131はしばしば、バイアス・トランジスタと称される。   FIG. 3 shows a load circuit 130 used in the imaging apparatus 100. The circuit 130 is a current sink for output of the pixel circuit 121. As shown in the figure, the load circuit 130 receives the output signals Vrst and Vsig of the pixel 121 at the node A2, and generates an output corresponding to these signals at the node B2. The outputs of the load circuit 130 are collectively referred to as VPIXOUT, and this output corresponds to a form in which the reset signal between times t3 and t5 is modified, and in a form in which the optical signal between times t5 and t8 is modified. Correspond. Transistor 131 has its gate coupled to node C2, and node C2 receives control signal VLN. The control signal VLN is used to adjust the bias current generated by the transistor 131 and to optimize the performance of the source follower circuit with respect to power consumption and speed. This transistor 131 is often referred to as a bias transistor.

図4は、サンプル−ホールド回路140の回路図である。サンプル−ホールド回路140の機能は、画素121のリセット信号Vrst及び光信号Vsigをサンプリング(標本化)して保持(ホールド)して、対応する差信号を出力することである。サンプル−ホールド回路140が出力する差信号は、その成分として、リセット信号Vrst(ノードB31)及び光信号Vsig(ノードB32)を有する。サンプル−ホールド回路140の動作については以下に説明する。   FIG. 4 is a circuit diagram of the sample-hold circuit 140. The function of the sample-hold circuit 140 is to sample (sample) and hold (hold) the reset signal Vrst and the optical signal Vsig of the pixel 121 and output a corresponding difference signal. The difference signal output by the sample-hold circuit 140 includes a reset signal Vrst (node B31) and an optical signal Vsig (node B32) as its components. The operation of the sample-and-hold circuit 140 will be described below.

時刻t3に、サンプル−ホールド回路140が、リセット信号VrstをノードA3で受けて、SHR制御信号がローからハイに遷移する。OUT制御信号及びSHS制御信号は共にローであり、よってトランジスタ141が導通している間には、トランジスタ142、145、及び146は非導通状態であり、トランジスタ141は導通する。従って、リセット信号Vrstがキャパシタ143を充電し、これによりリセット信号Vrstがキャパシタ143に記憶される。   At time t3, the sample-hold circuit 140 receives the reset signal Vrst at the node A3, and the SHR control signal transitions from low to high. Both the OUT control signal and the SHS control signal are low, so that while the transistor 141 is conducting, the transistors 142, 145, and 146 are non-conducting and the transistor 141 is conducting. Accordingly, the reset signal Vrst charges the capacitor 143, whereby the reset signal Vrst is stored in the capacitor 143.

時刻t4に、SHR制御信号がハイからローに遷移して、トランジスタ141を非導通状態にする。   At time t4, the SHR control signal changes from high to low, and the transistor 141 is turned off.

時刻t5に、SHS制御信号がローからハイに遷移する。OUT制御信号及びSHR制御信号は共にローであり、よってトランジスタ141、145、及び146は非導通状態であり、トランジスタ142は導通する。従って、光信号Vsigがキャパシタ144を充電し、これにより光信号Vsigがキャパシタ144に記憶される。   At time t5, the SHS control signal transitions from low to high. Both the OUT control signal and the SHR control signal are low, so that the transistors 141, 145, and 146 are nonconductive and the transistor 142 is conductive. Therefore, the optical signal Vsig charges the capacitor 144, whereby the optical signal Vsig is stored in the capacitor 144.

時刻t7に、SHS制御信号がハイからローに遷移して、トランジスタ142を非導通状態にする。   At time t7, the SHS control signal changes from high to low, and the transistor 142 is turned off.

時刻t8に、OUT制御信号がローからハイに遷移して、トランジスタ145及び146を導通させる。従って、キャパシタ143及び144からの電荷が同時に、それぞれトランジスタ145及び146を経由してノードB31及びB321に流れる。簡単のため、キャパシタ143からノードB31に流れる電荷から生じる信号にVrstのラベルを付けて、キャパシタ144からノードB32に流れる電荷から生じる信号にVsigのラベルを付ける。   At time t8, the OUT control signal transitions from low to high, causing transistors 145 and 146 to conduct. Accordingly, charges from the capacitors 143 and 144 simultaneously flow to the nodes B31 and B321 via the transistors 145 and 146, respectively. For simplicity, the signal resulting from the charge flowing from capacitor 143 to node B31 is labeled Vrst and the signal resulting from the charge flowing from capacitor 144 to node B32 is labeled Vsig.

ここで、図1に戻って説明する。図に見られるように、それぞれノードB31及びB32から出力されるVsig信号及びVrst信号は、差動増幅器150に供給されて、差動増幅器150はシングルエンド(単一端)出力VOUTを発生する。VOUT信号は、画素121の出力を表わし、画像処理回路170に供給して、ディジタル化、ディジタル処理、及び記憶を行うことができる。   Here, returning to FIG. As can be seen, the Vsig and Vrst signals output from nodes B31 and B32, respectively, are provided to differential amplifier 150, which generates a single-ended output VOUT. The VOUT signal represents the output of the pixel 121 and can be supplied to the image processing circuit 170 for digitization, digital processing, and storage.

時刻t9に、OUT制御信号がハイからローに遷移して、トランジスタ145及び146の導通を停止させる。   At time t9, the OUT control signal transitions from high to low, and the transistors 145 and 146 are turned off.

図6は、従来の電源110のブロック図である。図に示すように、電源110は、抵抗器112に結合された電源111を含む。抵抗器112は、電源111の出力抵抗、及び電源111とノードB01及びB02との間のあらゆる寄生成分を表わす。回路110は、バイアス電流IBIASを所定電圧VAAPIXで、ノードB01及びB02に出力する。   FIG. 6 is a block diagram of a conventional power supply 110. As shown, the power supply 110 includes a power supply 111 coupled to a resistor 112. Resistor 112 represents the output resistance of power supply 111 and any parasitic components between power supply 111 and nodes B01 and B02. The circuit 110 outputs the bias current IBIAS to the nodes B01 and B02 with the predetermined voltage VAAPIX.

上述した撮像装置100に関連する1つの問題は、画素121が非常に明るい光にさらされた際に、ノードP1からノードE1に転送される電荷が、ノードE1の電圧をリセット電圧(即ちVAAPIX)から接地電圧に低下させて、ソースフォロワ・トランジスタ125を非導通状態にし得る、ということである。この現象は飽和として知られている。撮像装置100では、画素飽和がバイアス電流のカットオフ(遮断)を生じさせる。このことは、電源110のノードB01、B02の出力信号の電圧変動を生じさせる。電源110が多数の画素121に結合されているので、1つ以上の画素121の飽和が、他の画素の出力に影響し得る。特に、1つ以上の画素の飽和は、撮像装置100が生成する画像内の不安定な水平の帯状ノイズ(雑音)として現われる。   One problem associated with the imaging device 100 described above is that when the pixel 121 is exposed to very bright light, the charge transferred from the node P1 to the node E1 resets the voltage at the node E1 (ie, VAAPIX). The source follower transistor 125 can be made non-conductive by reducing the voltage to the ground voltage. This phenomenon is known as saturation. In the imaging apparatus 100, pixel saturation causes a bias current to be cut off. This causes voltage fluctuations in the output signals of the nodes B01 and B02 of the power supply 110. Since the power supply 110 is coupled to multiple pixels 121, saturation of one or more pixels 121 can affect the output of other pixels. In particular, the saturation of one or more pixels appears as unstable horizontal band noise in the image generated by the imaging device 100.

上述した撮像装置100に関連する他の問題は、日光のような極めて明るい光が画素121上に入射する際に生じる。このことは、フォトダイオード122に非常に大きい電流を発生させることによって、フォトダイオード122を飽和させる。この電流は、転送トランジスタ123を通ってオーバーフローして、検出ノードE1を充電し得る。これに加えて、リセット・トランジスタ124のソース接合も、ノードE1と基板との間に光電流を発生させて、この光電流は、リセット・トランジスタ124がオフ状態になった際に、ノードE1の電圧を降下させる。実際に、こうした強い照射の条件下では、時刻t3にリセット・トランジスタ124がオフ状態になった後に、ノードE1の電圧が低下して、時刻t3とt4の間にリセット信号Vrstのレベルの低下を生じさせて、ノードE1の電圧は、時刻t4に制御信号SHRが低下した際に、キャパシタ143に記憶される。こうした強い光条件下では、光信号Vsigは常に飽和する。即ち、光信号Vsigは接地電位付近の最小レベルに設定される。VoutはVsig−Vrstに等しいので、リセット信号Vrstのレベルの低下はVout信号の低下を生じさせる。従って、画素アレイ上に入射する非常に明るい光は、出力信号の低下を生じさせて、この低下は最終的に、負の光変換応答として現われる。この現象は反転ビデオノイズとしても知られている。   Another problem associated with the imaging apparatus 100 described above occurs when extremely bright light such as sunlight enters the pixel 121. This saturates the photodiode 122 by generating a very large current in the photodiode 122. This current can overflow through transfer transistor 123 and charge detection node E1. In addition, the source junction of the reset transistor 124 also generates a photocurrent between the node E1 and the substrate, and this photocurrent is applied to the node E1 when the reset transistor 124 is turned off. Reduce the voltage. Actually, under such a strong irradiation condition, after the reset transistor 124 is turned off at the time t3, the voltage of the node E1 decreases, and the level of the reset signal Vrst decreases between the times t3 and t4. As a result, the voltage at the node E1 is stored in the capacitor 143 when the control signal SHR drops at time t4. Under such strong light conditions, the optical signal Vsig is always saturated. That is, the optical signal Vsig is set to the minimum level near the ground potential. Since Vout is equal to Vsig−Vrst, a decrease in the level of the reset signal Vrst causes a decrease in the Vout signal. Thus, very bright light incident on the pixel array causes a drop in the output signal, which eventually appears as a negative photoconversion response. This phenomenon is also known as inverted video noise.

従って、撮像装置の画素上に入射する光の量とは無関係に、より安定した画素バイアス電流を発生することのできる、撮像装置用のバイアス電流供給回路の必要性が存在する。極めて明るい対象物を撮像する際の反転ビデオノイズに対する耐性のあるバイアス電流供給回路の必要性も存在する。   Therefore, there is a need for a bias current supply circuit for an imaging device that can generate a more stable pixel bias current regardless of the amount of light incident on the pixels of the imaging device. There is also a need for a bias current supply circuit that is resistant to inversion video noise when imaging extremely bright objects.

(発明の概要)
本発明の方法及び装置の好適例は、撮像装置内で安定した画素バイアス電流供給を行う電源を提供する。この電源は、バイアス電流のカットオフが電源の出力の安定性に悪影響を与えることを防止するための電流バイパス回路を特徴とする。この電源は、非常に強い光が画素上に入射した際に、画素が所定範囲外の出力電圧を出力することを防止するための電圧リミッタ(制限器)も特徴とする。
(Summary of Invention)
A preferred embodiment of the method and apparatus of the present invention provides a power supply that provides a stable pixel bias current supply within an imaging device. This power supply features a current bypass circuit for preventing the bias current cutoff from adversely affecting the output stability of the power supply. This power supply is also characterized by a voltage limiter (limiter) for preventing the pixel from outputting an output voltage outside a predetermined range when very strong light is incident on the pixel.

本発明の、以上及び他の利点及び特徴は、以下の図面を参照した本発明の実施例の詳細な説明より一層明らかになる。   These and other advantages and features of the present invention will become more apparent from the detailed description of the embodiments of the present invention with reference to the following drawings.

(実施例の詳細な説明)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。各図面中で、同一参照番号は同一要素を表わす。図7Aに、本発明の第1の好適な実施例によるバイアス電流供給回路700を示す。
(Detailed description of examples)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same reference number represents the same element. FIG. 7A shows a bias current supply circuit 700 according to a first preferred embodiment of the present invention.

バイアス電流供給回路700は、複数のタップ740を具えている。より詳細には、n個のタップ740が存在し、ここにnは、バイアス電流供給回路700からの電力を受ける列の数に相当する。バイアス電流供給回路700は、各タップ740のノード741に、電流IBIASを供給し、ノード741は各画素121のノードA1(図2)に結合されている。電圧VAAPIXは、電源710のノード711から供給される。ノード711は線721に結合され、線721は各ノード741に結合されている。電源710は、NIBIASの出力電流をVAAPIXの電圧で供給可能でなければならない。電流NIBIASの電流レベルは、電流IBIASの少なくともn倍でなければならない。電源710は、他の出力信号VSLICEをノード712に発生する。ノード712は線722に結合され、線722は回路700内の各トランジスタ731のゲートに結合されている。各トランジスタ731は、線721に結合された1つのソース/ドレインと、それぞれのノード742に結合された他のソース/ドレインとを有する。各ノード742は、ノードB1及びこれに関連する画素121(図2)に結合された出力ノードである。   The bias current supply circuit 700 includes a plurality of taps 740. More specifically, there are n taps 740, where n corresponds to the number of columns that receive power from the bias current supply circuit 700. The bias current supply circuit 700 supplies the current IBIAS to the node 741 of each tap 740, and the node 741 is coupled to the node A1 (FIG. 2) of each pixel 121. The voltage VAAPIX is supplied from the node 711 of the power supply 710. Node 711 is coupled to line 721, which is coupled to each node 741. The power supply 710 must be able to supply NIBIAS output current at a voltage of VAAPIX. The current level of the current NIBIAS must be at least n times the current IBIAS. The power supply 710 generates another output signal VSLICE at the node 712. Node 712 is coupled to line 722, which is coupled to the gate of each transistor 731 in circuit 700. Each transistor 731 has one source / drain coupled to line 721 and the other source / drain coupled to a respective node 742. Each node 742 is an output node coupled to node B1 and its associated pixel 121 (FIG. 2).

信号VSLICEはVSの電圧レベルであり、ここにVSは、トランジスタ731のしきい値(スレッショルド)電圧VTよりも大きい。電源700を用いて撮像装置100を動作させて、暗い光または中程度の光が画素121上に入射する際には、光信号電圧Vsigが電圧VS−VTよりも大きくなる。その結果、トランジスタ731が非導通状態になる。従って、暗い光または中程度の光が画素121上に入射する際には、撮像装置100は、図5に関して前に説明したように動作する。   The signal VSLICE is the voltage level of VS, where VS is greater than the threshold voltage VT of the transistor 731. When the imaging apparatus 100 is operated using the power source 700 and dark light or moderate light is incident on the pixel 121, the optical signal voltage Vsig becomes higher than the voltage VS-VT. As a result, the transistor 731 is turned off. Thus, when dark or moderate light is incident on the pixel 121, the imaging device 100 operates as previously described with respect to FIG.

前に説明したように、明るい光が画素121上に入射する際には、画素121内のソースフォロワ・トランジスタ125が非導通状態になって、このため、電流IBIASはもはや、ノード741を通って画素121のノードA1に流れない。しかし、同時に光信号の電圧Vsigも電圧VS−VT未満に降下して、これにより、トランジスタ731を導通させる。トランジスタ731の一方のソース/ドレインを線721に結合して、他方のソース/ドレインを画素121のノードB1に結合しているので、トランジスタ731によって形成される回路は、ノード741からノード742への電流バイパスとして作用して、この電流バイパスは、ソースフォロワ・トランジスタ125が非導通状態である際にも、電流IBIASが画素121に流れ続けることを可能にする。その結果、明るい光が画素121上に入射した際にも、電源710からの出力電流が一定のままとなる。   As previously described, when bright light is incident on the pixel 121, the source follower transistor 125 in the pixel 121 becomes non-conductive, so that the current IBIAS no longer passes through the node 741. It does not flow to the node A1 of the pixel 121. However, at the same time, the voltage Vsig of the optical signal drops below the voltage VS−VT, thereby making the transistor 731 conductive. Since one source / drain of transistor 731 is coupled to line 721 and the other source / drain is coupled to node B 1 of pixel 121, the circuit formed by transistor 731 is connected from node 741 to node 742. Acting as a current bypass, this current bypass allows the current IBIAS to continue to flow through the pixel 121 even when the source follower transistor 125 is non-conductive. As a result, even when bright light enters the pixel 121, the output current from the power source 710 remains constant.

図7Aの本発明の実施例は、不安定な水平帯状ノイズの問題に応えて、これを低減するものであるが、反転ビデオノイズの問題に応えるものではない。図7Bに、本発明の第2の好適な実施例を示し、本実施例は、反転ビデオノイズを低減する方法を提供するものである。本発明の第2の好適な実施例は、第1の好適な実施例のバイアス電流供給回路700と同様の電源700’を利用する。しかし、回路700’は新たな電源710’を含み、そして新たな制御回路160’と共に用いることを意図している。電源710’は第1実施例の電源710と類似しているが、さらに、新たな制御信号SLICE_Rを受ける新たな信号入力ノード713を具えている。電源710’は、SLICE_R制御信号の状態にもとづいてVSLICE制御信号の出力を制御するように修正されている。SLICE_Rは、修正された制御回路160’が発生する制御信号であり、制御回路160’は制御回路160(図1)と類似しているが、SLICE_R信号も発生する。SLICE_R信号の特性については以下で説明する。   The embodiment of the present invention of FIG. 7A addresses the problem of unstable horizontal band noise and reduces it, but not the problem of inverted video noise. FIG. 7B shows a second preferred embodiment of the present invention, which provides a method for reducing inverted video noise. The second preferred embodiment of the present invention utilizes a power supply 700 'similar to the bias current supply circuit 700 of the first preferred embodiment. However, circuit 700 'includes a new power supply 710' and is intended for use with a new control circuit 160 '. The power supply 710 'is similar to the power supply 710 of the first embodiment, but further includes a new signal input node 713 for receiving a new control signal SLICE_R. The power supply 710 'is modified to control the output of the VSLICE control signal based on the state of the SLICE_R control signal. SLICE_R is a control signal generated by the modified control circuit 160 ', which is similar to the control circuit 160 (FIG. 1), but also generates a SLICE_R signal. The characteristics of the SLICE_R signal will be described below.

SLICE_R制御信号は、制御回路160’から電源710’に供給される。SLICE_R制御信号が立ち上がると、電源710’はVRをVSLICE信号として出力する。SLICE_R制御信号が低下すると、電源710’はVSLICE信号を出力せず、即ち、VSLICEを接地電位に保つ。   The SLICE_R control signal is supplied from the control circuit 160 'to the power source 710'. When the SLICE_R control signal rises, the power supply 710 'outputs VR as a VSLICE signal. When the SLICE_R control signal falls, the power supply 710 'does not output the VSLICE signal, i.e. keeps VSLICE at ground potential.

図8の補足的なタイミング図に示すように、SLICE_R制御信号は、時刻t3におけるSHR制御信号の立ち上がりと同時に立ち上がるように制御する。そしてSLICE_R制御信号は、t4におけるSHR制御信号の立ち下りと時刻t5におけるSHS制御信号の立ち上がりとの間の任意時点で立ち下がる。従って、SLICE_R制御信号は、画素動作のリセット段階中のみに立ち上がる。即ち、電源710’は、リセット信号Vrstのサンプリング及び保持(ホールディング)の段階中に、専らVSLICE信号を出力すべく制御される。暗いレベルまたは通常レベルの光が画素上に入射する際には、VSLICE信号の存在は、撮像装置100の動作を変化させない。しかし、極めて明るい光が画素上に入射する際にはVSLICE信号の存在は、リセット信号Vrstの電圧レベルがVSLICE_VT未満に降下することを防止して、これにより、リセット信号Vrstのレベルが、極めて明るい光に影響されることを防止する。従って、極めて明るい光が画素121上に入射した際に、リセット信号Vrstが大幅に影響されることを防止することによって、反転ビデオノイズの問題に応える。   As shown in the supplemental timing diagram of FIG. 8, the SLICE_R control signal is controlled to rise simultaneously with the rise of the SHR control signal at time t3. The SLICE_R control signal falls at an arbitrary time between the fall of the SHR control signal at t4 and the rise of the SHS control signal at time t5. Therefore, the SLICE_R control signal rises only during the reset phase of pixel operation. That is, the power source 710 'is controlled to output the VSLICE signal exclusively during the sampling and holding (holding) stage of the reset signal Vrst. When dark or normal level light is incident on a pixel, the presence of the VSLICE signal does not change the operation of the imaging device 100. However, when very bright light is incident on the pixel, the presence of the VSLICE signal prevents the voltage level of the reset signal Vrst from dropping below VSLICE_VT, which makes the level of the reset signal Vrst very bright. Prevent being affected by light. Therefore, the problem of inverted video noise is addressed by preventing the reset signal Vrst from being significantly affected when extremely bright light is incident on the pixel 121.

本発明の第3の好適な実施例は、不安定な負荷ノイズの問題及び反転ビデオノイズの問題に共に応えるものである。第3の好適な実施例は、第2の好適な実施例(図7B)と同じバイアス電流供給回路700’を利用する。ここで、図9の補足的なタイミング図を参照して説明し、図に見られるように、VSLICE信号は概ね、VSの電圧レベルである。しかし、SLICE_R制御信号が立ち上がると、VSLICE信号は、より高いVRの電圧レベルになる。上記第2の好適な実施例に関連して説明したように、リセット段階中にVSLICE信号をVRの電圧レベルに設定することによって、反転ビデオノイズを低減することができる。同様に、上記第1の好適な実施例に関して説明したように、光信号の段階中にVSLICE信号をVSの電圧レベルに設定することによって、不安定な負荷ノイズが低減される。従って第3の好適な実施例は、第1及び第2の好適な実施例の要素を組み合わせて、不安定な負荷ノイズ及び反転ビデオノイズの問題に共に応えるものである。   The third preferred embodiment of the present invention addresses both the unstable load noise problem and the inverted video noise problem. The third preferred embodiment utilizes the same bias current supply circuit 700 'as the second preferred embodiment (FIG. 7B). Now described with reference to the supplemental timing diagram of FIG. 9, and as can be seen, the VSLICE signal is generally at the voltage level of VS. However, when the SLICE_R control signal rises, the VSLICE signal goes to a higher VR voltage level. As described in connection with the second preferred embodiment above, the inverted video noise can be reduced by setting the VSLICE signal to the voltage level of VR during the reset phase. Similarly, as described with respect to the first preferred embodiment above, by setting the VSLICE signal to the voltage level of VS during the optical signal stage, unstable load noise is reduced. Thus, the third preferred embodiment combines the elements of the first and second preferred embodiments to address both the unstable load noise and inverted video noise problems.

図10に、本発明の第4の好適な実施例によるバイアス電力供給回路1000を示す。電力供給回路1000は、反転ビデオノイズの問題に応えることができる。第4の好適な実施例は、第2の好適な実施例と同様に動作する。しかし、第4の好適な実施例は、ノード742に出力信号を発生する異なるメカニズムを利用する。第2の好適な実施例は、電源710がVSLICE信号を電圧VRと接地電圧との間で連続させることができることを必要とし、そしてVSLICE信号を用いてトランジスタ731を制御してノード742の出力を制御しているのに対し、バイアス電力供給回路1000の電源1010は、VSLICE信号を単一の電圧レベルVRで出力すべく構成する。追加的なトランジスタ1032を、そのソース及びドレイン端子を用いて、トランジスタ731のソース/ドレインとノード742との間に直列に結合する。トランジスタ1032のゲートは信号線1023に結合して、信号線1023はノード1050に結合する。制御回路160(図1)は、SLICE_EN制御信号も出力するように変更する。SLICE_EN制御信号は、トランジスタ1032の導通を制御するために用いる。トランジスタ1032を、そのソース/ドレイン端子を用いて、トランジスタ731のソース/ドレイン端子とノード742との間に直列に結合しているので、トランジスタ1032は、電源1010(のノード711)からノード742への電流用の制御デバイスとして用いることができる。より詳細には、図8に戻って説明すれば、第4の好適な実施例におけるノード742の出力が第3の好適な実施例のノード742の出力と同一になるようにSLICE_EN制御信号を出力するように、制御回路160を変更する。   FIG. 10 shows a bias power supply circuit 1000 according to a fourth preferred embodiment of the present invention. The power supply circuit 1000 can respond to the problem of inverted video noise. The fourth preferred embodiment operates in the same manner as the second preferred embodiment. However, the fourth preferred embodiment utilizes a different mechanism for generating an output signal at node 742. The second preferred embodiment requires power supply 710 to be able to keep the VSLICE signal continuous between voltage VR and ground voltage, and using the VSLICE signal to control transistor 731 to produce the output of node 742. In contrast, the power supply 1010 of the bias power supply circuit 1000 is configured to output the VSLICE signal at a single voltage level VR. An additional transistor 1032 is coupled in series between the source / drain of transistor 731 and node 742 using its source and drain terminals. Transistor 1032 has its gate coupled to signal line 1023, which is coupled to node 1050. The control circuit 160 (FIG. 1) is changed so as to also output a SLICE_EN control signal. The SLICE_EN control signal is used to control the conduction of the transistor 1032. Since the transistor 1032 is coupled in series between the source / drain terminal of the transistor 731 and the node 742 using its source / drain terminal, the transistor 1032 is connected from the power source 1010 (node 711 thereof) to the node 742. It can be used as a control device for the current. More specifically, referring back to FIG. 8, the SLICE_EN control signal is output so that the output of the node 742 in the fourth preferred embodiment is the same as the output of the node 742 in the third preferred embodiment. Therefore, the control circuit 160 is changed.

図11に、本発明の第5の好適な実施例による電源1100を示す。電源1100は、(第3及び第4の好適な実施例のように)不安定な負荷ノイズの問題及び反転ビデオノイズの問題に共に応えることができる。第5の好適な実施例は、第3の好適な実施例と同様に動作する。しかし、第5の好適な実施例は、出力信号をノード742に発生する異なるメカニズムを利用する。第3の好適な実施例は、VSCALE制御信号をトランジスタ731のゲートに供給することによりトランジスタ731の導通を制御することによって、ノード742の出力信号を制御していた。このことは、電源710がVSLICE信号を電圧VRとVSの間で連続させることができることを必要とする。第4の実施例では、電源1010がVSLICE制御信号を固定電圧レベルVRで供給する。図11に示す実施例では、電源1100の電源1110が、VSCALE1信号を電圧レベルVR追加的な信号線1121上に出力して、VSCALE2信号を電圧レベルVSで追加的な信号線1123上に出力するように、電源1110を構成する。   FIG. 11 shows a power supply 1100 according to a fifth preferred embodiment of the present invention. The power supply 1100 can address both the unstable load noise problem and the inverted video noise problem (as in the third and fourth preferred embodiments). The fifth preferred embodiment operates in the same manner as the third preferred embodiment. However, the fifth preferred embodiment utilizes a different mechanism for generating an output signal at node 742. The third preferred embodiment controlled the output signal at node 742 by controlling the conduction of transistor 731 by supplying a VSCALE control signal to the gate of transistor 731. This requires that the power supply 710 can continue the VSLICE signal between the voltages VR and VS. In the fourth embodiment, the power supply 1010 supplies the VSLICE control signal at a fixed voltage level VR. In the embodiment shown in FIG. 11, the power supply 1110 of the power supply 1100 outputs the VSCALE1 signal on the additional signal line 1121 at the voltage level VR and outputs the VSCALE2 signal on the additional signal line 1123 at the voltage level VS. Thus, the power supply 1110 is configured.

電源1100は、4つのトランジスタ1031a、1031b、1032、及び1033を利用して、ノード742の出力を制御する。より詳細には、トランジスタ1031a及び1031bの各々が、トランジスタ731(図7A)と同様に動作する。トランジスタ1032を、そのソース及びドレインを用いて、トランジスタ1031bのソース/ドレインとノード742との間に直列に結合する。同様に、トランジスタ1033を、そのソース及びドレインを用いて、トランジスタ1031aのソース/ドレインとノード742との間に直列に結合する。制御信号160(図1)は、新たなSLICE_EN1制御信号及びSLICE_EN2制御信号をそれぞれ、トランジスタ1032及び1033のゲートに供給するように変更する。SLICE_EN1制御信号及びSLICE_EN2制御信号の状態は相補的であり、これらの状態は、線711からトランジスタ1031及び1033を経由して流れる信号か、線711からトランジスタ1031b及び1032を経由して流れる信号のいずれかが、ノード742に供給されるように、制御回路160によって設定する。このようにして、バイアス電流供給回路1000は、第3の好適な実施例が発生するのと同一の出力信号を、ノード742に発生する。   The power supply 1100 controls the output of the node 742 by using four transistors 1031a, 1031b, 1032, and 1033. More specifically, each of transistors 1031a and 1031b operates in the same manner as transistor 731 (FIG. 7A). Transistor 1032 is coupled in series between the source / drain of transistor 1031b and node 742 using its source and drain. Similarly, transistor 1033 is coupled in series between the source / drain of transistor 1031a and node 742 using its source and drain. The control signal 160 (FIG. 1) is modified to supply new SLICE_EN1 and SLICE_EN2 control signals to the gates of transistors 1032 and 1033, respectively. The states of the SLICE_EN1 control signal and the SLICE_EN2 control signal are complementary. These states are either a signal flowing from the line 711 via the transistors 1031 and 1033 or a signal flowing from the line 711 via the transistors 1031b and 1032. Is set by the control circuit 160 so as to be supplied to the node 742. In this manner, bias current supply circuit 1000 generates the same output signal at node 742 as that generated by the third preferred embodiment.

図12に、プロセッサシステム1200を示す。プロセッサシステム1200は、プロセッサ装置1210を含む。プロセッサ装置1210は、例えば、ディジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、あるいは他の画像処理装置とすることができ、そして、例えば中央処理装置1220、メモリー1230、及びI/Oコントローラ1240を具えている。メモリー1230は従来のメモリーとすることができる。あるいはまた、メモリー1230は、リムーバブル・フラッシュメモリーデバイスのようなリムーバブル(着脱可能)メモリーとするか、リムーバブルメモリーを含むことができる。I/Oコントローラ1240は相互接続1260に結合されて、相互接続1250はプロセッサベースの装置1210を撮像装置100’に結合する。撮像装置100’は撮像装置100(図1)と同様であるが、本発明の原理によるバイアス電流供給回路を内蔵する。図12に示すように、このバイアス電流供給回路は第1の好適な実施例の回路700であるが、回路700は、他の好適な実施例のバイアス電流供給回路(例えば回路700’、1000、及び1100)で代用することができる。   FIG. 12 shows a processor system 1200. The processor system 1200 includes a processor device 1210. The processor unit 1210 can be, for example, a digital camera, a personal computer, or other image processing unit, and includes, for example, a central processing unit 1220, a memory 1230, and an I / O controller 1240. The memory 1230 can be a conventional memory. Alternatively, the memory 1230 may be a removable memory such as a removable flash memory device or may include a removable memory. The I / O controller 1240 is coupled to the interconnect 1260, which interconnects the processor-based device 1210 to the imaging device 100 '. The imaging device 100 'is similar to the imaging device 100 (FIG. 1), but incorporates a bias current supply circuit according to the principle of the present invention. As shown in FIG. 12, this bias current supply circuit is the circuit 700 of the first preferred embodiment, but the circuit 700 may be a bias current supply circuit (eg, circuits 700 ′, 1000, And 1100) can be substituted.

従って本発明は、あらゆる撮像システムにおいて遭遇しうる不安定な負荷ノイズ及び/または反転ビデオノイズの問題に応える画素電力供給回路の多数の実施例を提供する。本発明は、電流バイパス回路によりバイアス電流の安定性を改善することによって、不安定な負荷ノイズの問題に応えて、この電流バイパス回路は、ソースフォロワの飽和時に作動する。本発明は、画素出力ノードに電圧リミッタを用いて、画素から出力されるリセット電圧を制限することによって、反転ビデオノイズの問題に応える。   Thus, the present invention provides numerous embodiments of pixel power supply circuits that address the problem of unstable load noise and / or inverted video noise that can be encountered in any imaging system. The present invention addresses the problem of unstable load noise by improving bias current stability with a current bypass circuit, which operates when the source follower is saturated. The present invention addresses the problem of inverted video noise by using a voltage limiter at the pixel output node to limit the reset voltage output from the pixel.

本発明は好適な実施例に関して詳細に説明してきたが、本発明は以上に開示した実施例に限定されないことは明らかである。むしろ本発明は、多数の変形、代案、置き換え、あるいは以上で説明しなかった等価な構成を含むように変更することができるが、これらの変形等は、本発明の範囲に入る。従って、本発明は以上の説明あるいは図面に限定されるものではなく、請求項の範囲によってのみ限定される   Although the invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, it is clear that the invention is not limited to the embodiments disclosed above. Rather, the present invention can be modified in a number of variations, alternatives, replacements, or equivalent configurations not described above, and these variations are within the scope of the present invention. Accordingly, the present invention is not limited to the above description or drawings, but is limited only by the scope of the claims.

従来の撮像装置(イメージャ)のブロック図である。It is a block diagram of the conventional imaging device (imager). 従来の画素の回路図である。It is a circuit diagram of the conventional pixel. 従来のロード回路の回路図である。It is a circuit diagram of the conventional load circuit. 従来のサンプル−ホールド回路の回路図である。It is a circuit diagram of a conventional sample-hold circuit. 図1の撮像装置の動作に関するタイミング図である。FIG. 2 is a timing chart regarding the operation of the imaging apparatus in FIG. 1. 従来のバイアス電流供給回路の回路図である。It is a circuit diagram of a conventional bias current supply circuit. 本発明の第1の好適な実施例によるバイアス電流供給回路の回路図である。1 is a circuit diagram of a bias current supply circuit according to a first preferred embodiment of the present invention. FIG. 本発明の第2及び第3の好適な実施例によるバイアス電流供給回路の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a bias current supply circuit according to second and third preferred embodiments of the present invention. 本発明の第2の好適な実施例によるバイアス電流供給回路を動作させるための補足的なタイミング図である。FIG. 6 is a supplementary timing diagram for operating a bias current supply circuit according to a second preferred embodiment of the present invention. 本発明の第3の好適な実施例によるバイアス電流供給回路を動作させるための補足的なタイミング図である。FIG. 6 is a supplementary timing diagram for operating a bias current supply circuit according to a third preferred embodiment of the present invention. 本発明の第4の好適な実施例によるバイアス電流供給回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a bias current supply circuit according to a fourth preferred embodiment of the present invention. 本発明の第5の好適な実施例によるバイアス電流供給回路の回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram of a bias current supply circuit according to a fifth preferred embodiment of the present invention. 本発明の原理を取り入れたプロセッサベースのシステムのブロック図である。1 is a block diagram of a processor-based system incorporating the principles of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

100 撮像装置(イメージャ)
110 電源
111 電源
112 抵抗器
120 画素アレイ
121 画素
122 フォトダイオード
123 転送トランジスタ
124 リセット・トランジスタ
125 ソースフォロワ・トランジスタ
126 行選択トランジスタ
130 ロード回路
131 トランジスタ
140 サンプル−ホールド回路
141 トランジスタ
142 トランジスタ
143 キャパシタ
144 キャパシタ
145 トランジスタ
146 トランジスタ
150 増幅器
160 制御回路
170 画像処理回路
700 バイアス電流供給回路
710 電源
711 ノード
712 ノード
713 信号入力ノード
721 線
722 線
731 トランジスタ
740 タップ
741 ノード
742 ノード
1000 バイアス電力供給回路
1010 電源
1023 信号線
1031 トランジスタ
1032 トランジスタ
1033 トランジスタ
1050 ノード
1100 電源
1110 電源
1121 信号線
1123 信号線
1200 プロセッサシステム
1210 プロセッサ装置
1220 中央処理装置
1230 メモリー
1240 I/Oコントローラ
1260 相互接続
100 Imaging device (imager)
110 Power supply 111 Power supply 112 Resistor 120 Pixel array 121 Pixel 122 Photodiode 123 Transfer transistor 124 Reset transistor 125 Source follower transistor 126 Row selection transistor 130 Load circuit 131 Transistor 140 Sample-hold circuit 141 Transistor 142 Transistor 143 Capacitor 144 Capacitor 145 Transistor 146 Transistor 150 Amplifier 160 Control circuit 170 Image processing circuit 700 Bias current supply circuit 710 Power supply 711 Node 712 Node 713 Signal input node 721 Line 722 Line 731 Transistor 740 Tap 741 Node 742 Node 1000 Bias power supply circuit 1010 Power supply 1023 Signal line 1031 Transi Star 1032 Transistor 1033 Transistor 1050 Node 1100 Power supply 1110 Power supply 1121 Signal line 1123 Signal line 1200 Processor system 1210 Processor unit 1220 Central processing unit 1230 Memory 1240 I / O controller 1260 Interconnection

Claims (40)

固体撮像素子の画素であって、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素に、給電用の電力信号を供給する第1ノード及び第1制御信号を供給する第2ノードを有する電源と;
複数のタップとを具えた電力供給回路であって、前記複数のタップを並列にして前記電源に結合し、前記複数のタップの各々が、
前記第1ノードに結合した第1出力ノードと;
第1トランジスタと;
第2出力ノードとを具えた電力供給回路において、
前記第1出力ノードを前記画素の前記電力入力ノードに結合し、前記第2出力ノードを前記画素の前記信号出力ノードに結合し、
前記第1トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第1トランジスタを前記第1ノードと前記第2出力ノードとの間に直列に結合し、
前記第1トランジスタは、前記第1制御信号によって制御可能であり、
前記第1トランジスタのゲートを前記第2ノードに結合したことを特徴とする電力供給回路。
A power signal for power supply is supplied to a pixel of a solid-state imaging device, the pixel having a power input node that receives power for driving the pixel and a signal output node that outputs a signal related to light incident on the pixel. A power supply having a first node to supply and a second node to supply a first control signal;
A power supply circuit comprising a plurality of taps, wherein the plurality of taps are connected in parallel to the power source, and each of the plurality of taps is
A first output node coupled to the first node;
A first transistor;
In a power supply circuit comprising a second output node,
Coupling the first output node to the power input node of the pixel and coupling the second output node to the signal output node of the pixel;
Using the first source / drain and the second source / drain of the first transistor to couple the first transistor in series between the first node and the second output node;
The first transistor is controllable by the first control signal;
A power supply circuit, wherein the gate of the first transistor is coupled to the second node.
前記電源が、接地電位または第1所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成され、前記第1所定電圧が、前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の電力供給回路。   The power supply is configured to selectively switch between a ground potential or a first predetermined voltage and output as the first control signal, and the first predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor. The power supply circuit according to claim 1. 前記電源が、第1所定電圧または第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するよう構成され、前記第1所定電圧が前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高く、かつ前記第2所定電圧が前記第1所定電圧よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の電力供給回路。   The power source is configured to selectively switch between either a first predetermined voltage or a second predetermined voltage and output as the first control signal, and the first predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor, The power supply circuit according to claim 1, wherein the second predetermined voltage is higher than the first predetermined voltage. 前記電源が、接地電位または第1所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成され、前記第1所定電圧が、前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の電力供給回路。   The power supply is configured to selectively switch between a ground potential or a first predetermined voltage and output as the first control signal, and the first predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor. The power supply circuit according to claim 1. 前記電源が、接地電位または第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成され、前記第2所定電圧が第1所定電圧よりも高く、かつ前記第1所定電圧が前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高いことを特徴とする請求項4に記載の電力供給回路。   The power source is configured to selectively switch between a ground potential or a second predetermined voltage and output as the first control signal, the second predetermined voltage being higher than the first predetermined voltage, and the first The power supply circuit according to claim 4, wherein a predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor. 前記電源は、前記画素が所定電圧のリセット信号を出力している際に、前記第1制御信号を前記第2所定電圧で出力するように構成されていることを特徴とする請求項5に記載の電力供給回路。   The power supply is configured to output the first control signal at the second predetermined voltage when the pixel outputs a reset signal at a predetermined voltage. Power supply circuit. 前記電源は、前記画素が前記リセット信号を出力していない際に、前記第1制御信号を接地電位で出力するように構成されていることを特徴とする請求項6に記載の電力供給回路。   The power supply circuit according to claim 6, wherein the power supply is configured to output the first control signal at a ground potential when the pixel does not output the reset signal. 前記電源が、第2制御信号を受け、前記第2制御信号の状態にもとづいて、接地電位または前記第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成されていることを特徴とする請求項5に記載の電力供給回路。   The power supply is configured to receive a second control signal, and selectively switch between a ground potential or the second predetermined voltage based on the state of the second control signal, and output the selected signal as the first control signal. The power supply circuit according to claim 5, wherein: 前記電源が、第1所定電圧または第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成され、前記第1所定電圧が前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高く、かつ前記第2所定電圧が前記第1所定電圧よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の電力供給回路。   The power supply is configured to selectively switch between either a first predetermined voltage or a second predetermined voltage and output the first control signal, and the first predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor. The power supply circuit according to claim 1, wherein the second predetermined voltage is higher than the first predetermined voltage. 前記電源は、前記画素が前記リセット信号を出力している際に、前記第1制御信号を前記第2所定電圧で出力するように構成されていることを特徴とする請求項9に記載の電力供給回路。   10. The power according to claim 9, wherein the power source is configured to output the first control signal at the second predetermined voltage when the pixel outputs the reset signal. 11. Supply circuit. 前記電源は、前記画素が前記リセット信号を出力していない際に、前記第1制御信号を前記第1所定電圧で出力するように構成されていることを特徴とする請求項10に記載の電力供給回路。   11. The power according to claim 10, wherein the power source is configured to output the first control signal at the first predetermined voltage when the pixel does not output the reset signal. 11. Supply circuit. 前記電源は、第2制御信号を受け、前記第2制御信号の状態にもとづいて、前記第1所定電圧または前記第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成されていることを特徴とする請求項9に記載の電力供給回路。   The power supply receives a second control signal, and selectively switches between the first predetermined voltage and the second predetermined voltage based on the state of the second control signal, and outputs the first control signal as the first control signal. The power supply circuit according to claim 9, wherein the power supply circuit is configured as follows. 前記電力供給回路がさらに、第1外部制御信号を受ける第1外部制御ノードを具え;
前記複数のタップの各々がさらに、第2トランジスタを具え;
前記第2トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第2トランジスタを、前記第1トランジスタのソース/ドレインと前記第2出力ノードとの間に直列に結合し、
前記第2トランジスタのゲートを、前記第1外部制御ノードに結合した
ことを特徴とする請求項1に記載の電力供給回路。
The power supply circuit further comprises a first external control node for receiving a first external control signal;
Each of the plurality of taps further comprises a second transistor;
Using the first source / drain and the second source / drain of the second transistor to couple the second transistor in series between the source / drain of the first transistor and the second output node;
2. The power supply circuit according to claim 1, wherein a gate of the second transistor is coupled to the first external control node.
前記電力供給回路がさらに、第1外部制御信号を受ける第1外部制御ノードと;
第2外部制御信号を受ける第2外部制御ノードとを具え、
前記複数のタップの各々がさらに、
第2トランジスタと;
第3トランジスタと;
第4トランジスタとを具え、
前記電源がさらに、第2制御信号を供給する第3ノードを具え、
前記第2トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第2トランジスタを、前記第1トランジスタのソース/ドレインと前記第2出力ノードとの間に直列に結合し、
前記第2トランジスタのゲートを、前記第1外部制御ノードに結合し、
前記第3トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第3トランジスタを、前記第1ノードと前記第4トランジスタの第1ソース/ドレインとの間に直列に結合し、
前記第3トランジスタのゲートを、前記第3ノードに結合し、
前記第4トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第4トランジスタを、前記第3トランジスタのソース/ドレインと前記第2出力ノードとの間に直列に結合し、
前記第4トランジスタのゲートを、前記第2外部制御ノードに結合したことを特徴とする請求項1に記載の電力供給回路。
A first external control node wherein the power supply circuit further receives a first external control signal;
A second external control node for receiving a second external control signal;
Each of the plurality of taps further includes
A second transistor;
A third transistor;
With a fourth transistor,
The power supply further comprises a third node for supplying a second control signal;
Using the first source / drain and the second source / drain of the second transistor to couple the second transistor in series between the source / drain of the first transistor and the second output node;
Coupling the gate of the second transistor to the first external control node;
Using the first source / drain and the second source / drain of the third transistor to couple the third transistor in series between the first node and the first source / drain of the fourth transistor;
Coupling the gate of the third transistor to the third node;
Using the first source / drain and the second source / drain of the fourth transistor to couple the fourth transistor in series between the source / drain of the third transistor and the second output node;
The power supply circuit of claim 1, wherein the gate of the fourth transistor is coupled to the second external control node.
固体撮像素子の画素であって、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素に給電する方法において、
前記画素の前記電力入力ノードに第1バイアス電流を供給するステップと;
前記画素の前記信号出力ノードに第2バイアス電流を供給するステップと
前記第2バイアス電流のレベルを、第1所定レベルまたは第2所定レベルのいずれかに設定するステップを具えていることを特徴とする画素の給電方法。
In a method of supplying power to a pixel of a solid-state imaging device, the pixel having a power input node that receives power for driving the pixel and a signal output node that outputs a signal related to light incident on the pixel.
Supplying a first bias current to the power input node of the pixel;
Supplying a second bias current to the signal output node of the pixel ;
A method for supplying power to a pixel, comprising the step of setting the level of the second bias current to either a first predetermined level or a second predetermined level .
前記設定するステップが、前記画素が前記信号出力ノードに所定電圧のリセット信号を出力しているか否かにもとづくことを特徴とする請求項15に記載の方法。16. The method according to claim 15, wherein the setting step is based on whether or not the pixel outputs a reset signal having a predetermined voltage to the signal output node. 前記設定するステップが、外部制御信号の状態にもとづくことを特徴とする請求項15に記載の方法。The method of claim 15, wherein the setting is based on a state of an external control signal. 固体撮像素子の画素であって、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素に給電する方法において、In a method of supplying power to a pixel of a solid-state imaging device, the pixel having a power input node that receives power for driving the pixel and a signal output node that outputs a signal related to light incident on the pixel.
前記画素の前記電力入力ノードに第1バイアス電流を供給するステップと;Supplying a first bias current to the power input node of the pixel;
前記画素の前記信号出力ノードに第2バイアス電流を供給するステップとを具え、Providing a second bias current to the signal output node of the pixel,
前記画素の所定電圧のリセット信号が所定範囲外のレベルに達した際のみに、前記画素に前記第2バイアス電流を供給することを特徴とする画素の給電方法。The pixel feeding method, wherein the second bias current is supplied to the pixel only when a reset signal of the predetermined voltage of the pixel reaches a level outside a predetermined range.
固体撮像素子の画素であって、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素に、給電用の第1電力信号を供給する第1ノード及び第1制御信号を供給する第2ノードを有する電源と;First power for feeding power to a pixel of a solid-state imaging device, the pixel having a power input node that receives power for driving the pixel and a signal output node that outputs a signal related to light incident on the pixel. A power supply having a first node for supplying a signal and a second node for supplying a first control signal;
各々が前記電源に結合された複数のタップとを具えた電力供給回路であって、A power supply circuit comprising a plurality of taps each coupled to the power source,
前記タップの各々が、Each of the taps
前記電源の前記第1ノードに結合され、前記第1ノードからの前記第1電力信号を受ける第1出力ノードと;A first output node coupled to the first node of the power source and receiving the first power signal from the first node;
前記第1ノードに結合された電力入力ノード、前記第2ノードに結合された制御ノード、及び第2電力信号を出力する第2出力ノードを有するバイパス回路経路とA bypass circuit path having a power input node coupled to the first node, a control node coupled to the second node, and a second output node outputting a second power signal;
を具え、With
前記第1出力ノードが前記画素の前記電力入力ノードに結合され、前記第2出力ノードが前記画素の前記信号出力ノードに結合されていることを特徴とする電力供給回路。The power supply circuit, wherein the first output node is coupled to the power input node of the pixel, and the second output node is coupled to the signal output node of the pixel.
固体撮像素子の画素であって、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素に電力を供給するための電源と;A power source for supplying power to a pixel of a solid-state imaging device, the pixel having a power input node that receives power for driving the pixel and a signal output node that outputs a signal related to light incident on the pixel When;
複数のタップとを具えた電力供給回路であって、A power supply circuit comprising a plurality of taps,
前記タップの各々が前記電源に結合され、前記電源からの電力信号及び制御信号を受ける電力供給回路において、Each of the taps is coupled to the power supply and receives a power signal and a control signal from the power supply.
前記タップの各々が、Each of the taps
前記画素の前記電力入力ノードに供給される第1バイアス電流を発生する第1出力ノードと;A first output node for generating a first bias current supplied to the power input node of the pixel;
前記画素の前記信号出力ノードに供給される第2バイアス電流を発生する第2出力ノードとA second output node for generating a second bias current supplied to the signal output node of the pixel;
を具えていることを特徴とする電力供給回路。A power supply circuit comprising:
複数の行及び複数の列に編成された複数の画素を有する画素アレイであって、前記画素の各々が、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素アレイと;A pixel array having a plurality of pixels organized in a plurality of rows and a plurality of columns, wherein each of the pixels is associated with a power input node that receives power to drive the pixels and light incident on the pixels A pixel array having a signal output node for outputting a signal to be output;
前記画素アレイの各画素に結合された電力供給回路とを具えた撮像装置であって、An imaging device comprising a power supply circuit coupled to each pixel of the pixel array,
前記電力供給回路が、The power supply circuit is
電力信号を供給する第1ノード及び第1制御信号を供給する第2ノードとを有する電源と;A power supply having a first node for supplying a power signal and a second node for supplying a first control signal;
複数のタップとを具え、前記複数のタップを並列にして前記電源に結合し、前記複数のタップの各々が、前記複数の画素の少なくとも1つに電力を供給し、前記複数のタップの各々が、A plurality of taps, wherein the plurality of taps are coupled in parallel to the power source, each of the plurality of taps supplying power to at least one of the plurality of pixels, and each of the plurality of taps ,
前記第1ノードに結合された第1出力ノードと;A first output node coupled to the first node;
前記第1制御信号によって制御可能な第1トランジスタと;A first transistor controllable by the first control signal;
第2出力ノードとを具えた撮像装置において、In an imaging device comprising a second output node,
前記第1出力ノードを前記画素の前記電力入力ノードに結合し、前記第2出力ノードを前記画素の前記信号出力ノードに結合し、Coupling the first output node to the power input node of the pixel and coupling the second output node to the signal output node of the pixel;
前記第1トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第1トランジスタを、前記第1ノードと前記第2出力ノードとの間に直列に結合し、Using the first source / drain and the second source / drain of the first transistor to couple the first transistor in series between the first node and the second output node;
前記第1トランジスタのゲートを、前記第2ノードに結合したことを特徴とする撮像装置。An imaging device, wherein the gate of the first transistor is coupled to the second node.
前記電源が、接地電位または第1所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成され、前記第1所定電圧が、前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高いことを特徴とする請求項21に記載の撮像装置。The power supply is configured to selectively switch between a ground potential or a first predetermined voltage and output as the first control signal, and the first predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor. The imaging apparatus according to claim 21, wherein: 前記電源が、第1所定電圧または第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成され、前記第1所定電圧が前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高く、かつ前記第2所定電圧が前記第1所定電圧よりも高いことを特徴とする請求項21に記載の撮像装置。The power supply is configured to selectively switch between either a first predetermined voltage or a second predetermined voltage and output the first control signal, and the first predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor. The image pickup apparatus according to claim 21, wherein the second predetermined voltage is higher than the first predetermined voltage. 前記電源が、接地電位または第1所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成され、前記第1所定電圧が、前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高いことを特徴とする請求項21に記載の撮像装置。The power supply is configured to selectively switch between a ground potential or a first predetermined voltage and output as the first control signal, and the first predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor. The imaging apparatus according to claim 21, wherein: 前記電源が、接地電位または第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成され、前記第2所定電圧が第1所定電圧よりも高く、かつ前記第1所定電圧が前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高いことを特徴とする請求項24に記載の撮像装置。The power source is configured to selectively switch between a ground potential or a second predetermined voltage and output as the first control signal, the second predetermined voltage being higher than the first predetermined voltage, and the first The imaging apparatus according to claim 24, wherein a predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor. 前記電源は、前記画素が所定電圧のリセット信号を出力している際に、前記第1制御信号を前記第2所定電圧で出力するように構成されていることを特徴とする請求項25に記載の撮像装置。The power supply is configured to output the first control signal at the second predetermined voltage when the pixel outputs a reset signal at a predetermined voltage. Imaging device. 前記電源は、前記画素が前記リセット信号を出力していない際に、前記第1制御信号を接地電位で出力するように構成されていることを特徴とする請求項26に記載の撮像装置。27. The imaging apparatus according to claim 26, wherein the power supply is configured to output the first control signal at a ground potential when the pixel does not output the reset signal. 前記電源が、第2制御信号を受け、前記第2制御信号の状態にもとづいて、接地電位または前記第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成されていることを特徴とする請求項25に記載の撮像装置。The power supply is configured to receive a second control signal, and selectively switch between a ground potential or the second predetermined voltage based on the state of the second control signal, and output the selected signal as the first control signal. 26. The imaging apparatus according to claim 25, wherein 前記電源が、第1所定電圧または第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成され、前記第1所定電圧が前記第1トランジスタのスレッショルド電圧よりも高く、かつ前記第2所定電圧が前記第1所定電圧よりも高いことを特徴とする請求項23に記載の撮像装置。The power supply is configured to selectively switch between either a first predetermined voltage or a second predetermined voltage and output the first control signal, and the first predetermined voltage is higher than a threshold voltage of the first transistor. 24. The imaging apparatus according to claim 23, wherein the second predetermined voltage is higher than the first predetermined voltage. 前記画素が前記リセット信号を出力している際に、前記電源が、前記第1制御信号を前記第2所定電圧で出力するように構成されていることを特徴とする請求項29に記載の撮像装置。30. The imaging according to claim 29, wherein the power supply is configured to output the first control signal at the second predetermined voltage when the pixel outputs the reset signal. apparatus. 前記画素が前記リセット信号を出力していない際に、前記電源が、前記第1制御信号を前記第1所定電圧で出力するように構成されていることを特徴とする請求項30に記載の撮像装置。31. The imaging according to claim 30, wherein the power source is configured to output the first control signal at the first predetermined voltage when the pixel does not output the reset signal. apparatus. 前記電源が、第2制御信号を受け、前記第2制御信号の状態にもとづいて、前記第1所定電圧または前記第2所定電圧のいずれかを選択切り替えして前記第1制御信号として出力するように構成されていることを特徴とする請求項29に記載の撮像装置。The power supply receives a second control signal, and selectively switches between the first predetermined voltage and the second predetermined voltage based on the state of the second control signal, and outputs the first control signal as the first control signal. 30. The imaging apparatus according to claim 29, wherein the imaging apparatus is configured as follows. 前記撮像装置がさらに、第1外部制御信号を受ける第1外部制御ノードを具え、The imaging device further comprises a first external control node for receiving a first external control signal;
前記複数のタップの各々がさらに、第2トランジスタを具え;Each of the plurality of taps further comprises a second transistor;
前記第2トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第2トランジスタを、前記第1トランジスタのソース/ドレインと前記第2出力ノードとの間に直列に結合し、Using the first source / drain and the second source / drain of the second transistor to couple the second transistor in series between the source / drain of the first transistor and the second output node;
前記第2トランジスタのゲートを、前記第1外部制御ノードに結合したThe gate of the second transistor is coupled to the first external control node
ことを特徴とする請求項21に記載の撮像装置。The imaging apparatus according to claim 21, wherein:
前記撮像装置がさらに、The imaging device further includes
第1外部制御信号を受ける第1外部制御ノードと;A first external control node receiving a first external control signal;
第2外部制御信号を受ける第2外部制御ノードとを具え、A second external control node for receiving a second external control signal;
前記複数のタップの各々がさらに、Each of the plurality of taps further includes
第2トランジスタと;A second transistor;
第3トランジスタと;A third transistor;
第4トランジスタとを具え、With a fourth transistor,
前記電源がさらに、第2制御信号を供給する第3ノードを具え、The power supply further comprises a third node for supplying a second control signal;
前記第2トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第2トランジスタを、前記第1トランジスタのソース/ドレインと前記第2出力ノードとの間に直列に結合し、Using the first source / drain and the second source / drain of the second transistor to couple the second transistor in series between the source / drain of the first transistor and the second output node;
前記第2トランジスタのゲートを、前記第1外部制御ノードに結合し、Coupling the gate of the second transistor to the first external control node;
前記第3トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第3トランジスタを、前記第1ノードと前記第4トランジスタの第1ソース/ドレインとの間に直列に結合し、Using the first source / drain and the second source / drain of the third transistor to couple the third transistor in series between the first node and the first source / drain of the fourth transistor;
前記第3トランジスタのゲートを、前記第3ノードに結合し、Coupling the gate of the third transistor to the third node;
前記第4トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第4トランジスタを、前記第3トランジスタのソース/ドレインと前記第2出力ノードとの間に直列に結合し、Using the first source / drain and the second source / drain of the fourth transistor to couple the fourth transistor in series between the source / drain of the third transistor and the second output node;
前記第4トランジスタのゲートを、前記第2外部制御ノードに結合したThe gate of the fourth transistor is coupled to the second external control node
ことを特徴とする請求項21に記載の撮像装置。The imaging apparatus according to claim 21, wherein:
複数の行及び複数の列に編成された複数の画素を有する画素アレイであって、前記画素の各々が、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素アレイと;A pixel array having a plurality of pixels organized in a plurality of rows and a plurality of columns, wherein each of the pixels is associated with a power input node that receives power to drive the pixels and light incident on the pixels A pixel array having a signal output node for outputting a signal to be output;
前記画素アレイの各画素に結合された電力供給回路とを具えた撮像装置であって、An imaging device comprising a power supply circuit coupled to each pixel of the pixel array,
前記電力供給回路が、The power supply circuit is
第1電力信号を供給する第1ノード及び第1制御信号を供給する第2ノードとを有する電源と;A power supply having a first node for supplying a first power signal and a second node for supplying a first control signal;
複数のタップとを具え、前記複数のタップを並列にして前記電源に結合し、前記複数のタップの各々が、A plurality of taps, wherein the plurality of taps are coupled in parallel to the power source, and each of the plurality of taps includes:
前記電源に結合され、前記第1ノードからの前記第1電力信号を受ける第1出力ノードと;A first output node coupled to the power source and receiving the first power signal from the first node;
前記第1ノードに結合された電力入力ノード、前記第2ノードに結合された制御ノード、及び第2電力信号を出力する第2出力ノードを有するバイパス回路経路とA bypass circuit path having a power input node coupled to the first node, a control node coupled to the second node, and a second output node outputting a second power signal;
を具え、With
前記第1出力ノードを前記画素の前記電力入力ノードに結合し、前記第2出力ノードを前記画素の前記信号出力ノードに結合したことを特徴とする撮像装置。The imaging apparatus, wherein the first output node is coupled to the power input node of the pixel, and the second output node is coupled to the signal output node of the pixel.
処理デバイスと;A processing device;
撮像装置とを具えたプロセッサベースのシステムであって、A processor-based system comprising an imaging device,
前記処理デバイスが、The processing device is
プロセッサと;With a processor;
前記プロセッサに結合されたメモリーと;A memory coupled to the processor;
前記プロセッサに結合されたI/Oコントローラとを具え、An I / O controller coupled to the processor;
前記撮像装置が、The imaging device is
前記I/Oコントローラに結合された制御回路と;A control circuit coupled to the I / O controller;
前記制御回路に結合され、複数の行及び複数の列に編成された複数の画素を有する画素アレイであって、前記画素の各々が、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素アレイと;A pixel array coupled to the control circuit and having a plurality of pixels organized in a plurality of rows and columns, each of the pixels receiving a power for driving the pixels; and A pixel array having a signal output node for outputting a signal related to light incident on the pixel;
前記制御回路に結合され、電力信号を供給する第1ノード及び第1制御信号を供給する第2ノードを有する電源と;A power source coupled to the control circuit and having a first node for supplying a power signal and a second node for supplying a first control signal;
複数のタップとを具え、With multiple taps,
前記複数のタップを並列にして前記電源に結合し、前記複数のタップの各々が、The plurality of taps are connected in parallel to the power source, and each of the plurality of taps is
前記第1ノードに結合した第1出力ノードと;A first output node coupled to the first node;
前記第1制御信号によって制御可能な第1トランジスタと;A first transistor controllable by the first control signal;
第2出力ノードとを具えたプロセッサベースのシステムにおいて、In a processor based system comprising a second output node,
前記第1出力ノードを前記画素の前記電力入力ノードに結合し、前記第2出力ノードを前記画素の前記信号出力ノードに結合し、Coupling the first output node to the power input node of the pixel and coupling the second output node to the signal output node of the pixel;
前記第1トランジスタの第1ソース/ドレイン及び第2ソース/ドレインを用いて、前記第1トランジスタを前記第1ノードと前記第2出力ノードとの間に直列に結合し、Using the first source / drain and the second source / drain of the first transistor to couple the first transistor in series between the first node and the second output node;
前記第1トランジスタのゲートを前記第2ノードに結合したThe gate of the first transistor is coupled to the second node
ことを特徴とするプロセッサベースのシステム。A processor-based system characterized by that.
処理デバイスと;A processing device;
撮像装置とを具えたプロセッサベースのシステムであって、A processor-based system comprising an imaging device,
前記処理デバイスが、The processing device is
プロセッサと;With a processor;
前記プロセッサに結合されたメモリーと;A memory coupled to the processor;
前記プロセッサに結合されたI/Oコントローラとを具え、An I / O controller coupled to the processor;
前記撮像装置が、The imaging device is
前記I/Oコントローラに結合された制御回路と;A control circuit coupled to the I / O controller;
前記制御回路に結合され、複数の行及び複数の列に編成された複数の画素を有する画素アレイであって、前記画素の各々が、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素アレイと;A pixel array coupled to the control circuit and having a plurality of pixels organized in a plurality of rows and columns, each of the pixels receiving a power for driving the pixels; and A pixel array having a signal output node for outputting a signal related to light incident on the pixel;
前記画素アレイの各画素に結合された電力供給回路とを具え、A power supply circuit coupled to each pixel of the pixel array,
前記電力供給回路が、The power supply circuit is
第1電力信号を供給する第1ノード及び第1制御信号を供給する第2ノードを有する電源と;A power supply having a first node for supplying a first power signal and a second node for supplying a first control signal;
各々が前記電源に結合された複数のタップとを具え、A plurality of taps each coupled to the power source;
前記タップの各々が、Each of the taps
前記電源に結合されて、前記第1ノードからの前記第1電力信号を受信する第1出力ノードと;A first output node coupled to the power source for receiving the first power signal from the first node;
前記第1ノードに結合された電力入力ノード、前記第2ノードに結合された制御ノード、及び第2電力信号を出力する第2出力ノードを有するバイパス回路経路とA bypass circuit path having a power input node coupled to the first node, a control node coupled to the second node, and a second output node outputting a second power signal;
を具え、With
前記第1出力ノードを前記画素の前記電力入力ノードに結合し、前記第2出力ノードを前記画素の前記信号出力ノードに結合したことを特徴とするプロセッサベースのシステム。A processor-based system, wherein the first output node is coupled to the power input node of the pixel and the second output node is coupled to the signal output node of the pixel.
処理デバイスと;A processing device;
撮像装置とを具えたプロセッサベースのシステムであって、A processor-based system comprising an imaging device,
前記処理デバイスが、The processing device is
プロセッサと;With a processor;
前記プロセッサに結合されたメモリーと;A memory coupled to the processor;
前記プロセッサに結合されたI/Oコントローラとを具え、An I / O controller coupled to the processor;
前記撮像装置が、The imaging device is
前記I/Oコントローラに結合された制御回路と;A control circuit coupled to the I / O controller;
前記制御回路に結合され、複数の行及び複数の列に編成された複数の画素を有する画素アレイであって、前記画素の各々が、該画素を駆動するための電力を受ける電力入力ノード及び前記画素に入射した光に関連する信号を出力する信号出力ノードを有する画素アレイと;A pixel array coupled to the control circuit and having a plurality of pixels organized in a plurality of rows and columns, each of the pixels receiving a power for driving the pixels; and A pixel array having a signal output node for outputting a signal related to light incident on the pixel;
前記画素アレイの各画素に結合された電力供給回路とを具え、A power supply circuit coupled to each pixel of the pixel array,
前記電力供給回路が、The power supply circuit is
電源と;With power supply;
各々が前記電源に結合された複数のタップとを具えたプロセッサベースのシステムにおいて、In a processor-based system, each comprising a plurality of taps coupled to the power source,
前記タップの各々が、前記画素の前記電力入力ノードに第1バイアス電流を供給し、前記画素の前記信号出力ノードに第2バイアス電流を供給することを特徴とするプロセッサベースのシステム。Each of the taps provides a first bias current to the power input node of the pixel and a second bias current to the signal output node of the pixel.
前記画素が、前記電力入力ノードと前記信号出力ノードとの間に接続されたソースフォロワ・トランジスタを具えていることを特徴とする請求項1に記載の電力供給回路。The power supply circuit according to claim 1, wherein the pixel includes a source follower transistor connected between the power input node and the signal output node. 前記ソースフォロワ・トランジスタが、行選択トランジスタ経由で前記信号出力ノードに接続されていることを特徴とする請求項39に記載の電力供給回路。The power supply circuit according to claim 39, wherein the source follower transistor is connected to the signal output node via a row selection transistor.
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