JP4612235B2 - Asynchronous detection circuit - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は非同期検出回路に関し、特にメモリを使用する速度変換回路やクロック乗せ換え回路の書き込みおよび読出しクロックの非同期を検出する非同期検出回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種の非同期検出回路は、例えば特開平8−221331号公報の「メモリスリップ検出回路およびメモリスリップ検出方法」等に開示されている。そして、斯かる非同期検出回路は、メモリの書き込み位相および読み出し位相のずれを検出するため等に広く使用されている。
【0003】
図4は、非同期検出回路の従来例の構成を示すブロック図である。この非同期検出回路は、メモリ20、書き込みアドレスカウンタ(WRITE COUNT)21、読み出しアドレスカウンタ(READ COUNT)22およびメモリスリップ検出回路(SLIP CHK)23により構成される。メモリ20は、データおよびメモリスリップを検出するための書き込み位相情報を記憶する。書き込みアドレスカウンタ21は、メモリにデータを書き込む際の書き込みアドレスとスリップ検出を行うための第1フレーム位相情報を出力する。読み出しアドレスカウンタ22は、メモリ20からデータを読み出す際の読み出しアドレスとスリップ検出を行うための第2フレーム位相情報を出力する。メモリスリップ検出回路23は、第1フレーム位相情報と第2フレーム位相情報を比較し、メモリスリップを検出する。
【0004】
次に、図4に示す非同期検出回路の動作を説明する。書き込みアドレスカウンタ21では、書き込みフレームパルスとクロックにより書き込み側フレーム位相情報と書き込みアドレスが出力される。書き込み側フレーム位相情報は、書き込みアドレスの制御により、データ信号と同様に順次メモリ20に書き込まれる。読み出しアドレスカウンタ22は、読み出しフレームパルスとクロックにより読み出し側フレーム位相情報と読み出しアドレスを出力する。読み出し側フレーム位相情報は、書き込みアドレスカウンタ21にて発生する書き込み側フレーム位相情報と同じである。一方、読み出しアドレスカウンタ22からの読み出しアドレスにより、メモリ20からデータ信号とメモリ読み出しフレーム位相情報が読み出される。メモリスリップ検出回路23は、メモリ読み出しフレーム位相情報と読み出し側フレーム位相情報とを比較し、メモリ20を通過時のフレーム位相ずれを検出する。メモリスリップが発生していない場合には、両者の位相情報は一致する。一方、メモリスリップが発生している場合には、両者の位相情報が一致しないので、図4に示す如くメモリスリップ検出回路23からスリップ(SLIP)アラームを出力する。
【0005】
また、特開平7−30529号公報の「クロック乗せ換え回路」に開示される如く、クロック乗せ換え回路のメモリ書きこみ位相と読み出し位相差の監視を行うために使用されている。
【0006】
次に、図5は、非同期検出回路を使用する他の従来例の構成を示すブロック図である。この非同期検出回路は、メモリ30、31、遅延回路32、33、書込パルス発生回路34、読出パルス発生回路35、制御回路36および選択回路37により構成される。メモリ30、31は、データ信号を書込パルス発生回路34からの書込クロックにより書き込み、読出パルス発生回路35からの読出クロックにより書き込んだデータを読み出す。遅延回路32、33は、所定の遅延量だけ遅延させる。書込パルス発生回路34は、メモリ30、31の書き込みを制御する2種類の書込タイミングパルスを出力する。読出パルス発生回路35は、メモリ30、31の読み出しを制御する2種類の読出タイミングパルスを出力する。制御回路36は、メモリ書込タイミングパルスとメモリ読出タイミングパルスの位相監視を行い、選択回路37を切り替える選択制御信号を出力する。選択回路37は、選択制御信号により出力データ信号を選択する。
【0007】
次に、図5に示す非同期検出回路の動作を説明する。書込パルス発生回路34は、伝送路クロックを使用して2つのメモリを独立に周期毎に書込アドレスをリセットする書込アドレスリセットパルスを生成する。読出パルス発生回路35は、装置内クロックを使用して2つのメモリを独立に周期毎に読出アドレスをリセットする読出アドレスリセットパルスを生成する。書込アドレスリセットパルスと読出アドレスリセットパルスは、正常時には同一周期であるが、位相はそれぞれ独立に動作しているので異なる。一方、非同期時には、それぞれのクロック周波数が異なるので、周期および位相が共に異なる。
【0008】
制御回路36は、メモリ30用の書込リセットパルスと読出リセットパルスの位相およびメモリ31用の書込リセットパルスと読出リセットパルスの位相を監視し、書込および読出リセットパルスの位相接近を検出する。位相接近を検出した場合には、選択回路37が位相接近していないメモリの出力を選択するよう選択信号を出力する。制御回路36は、書込クロックと読出クロックの周波数同期がとれていない場合には、両リセットパルスの位相差は固定である。しかし、何れかのクロック又は両方のクロックに周波数変動が生じた場合には、両リセットパルスの位相差は変動する。この変動を検出することで、クロックスリップ等の非同期を検出している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術は、次の如き課題を有する。第1に、非同期検出が確実に行えない場合がある。その理由は、従来の非同期検出回路では、メモリの読み書きを1回誤っても10回誤ってもスリップ発生としか検出することができない。つまり、リセット周期やフレーム周期等の一定監視周期内でスリップ発生の有無のみしか判定することができないためである。
【0010】
第2に、書込側の位相情報および読出側の位相情報を比較するために位相情報用のメモリが必要となり、回路構成が大規模となる。その理由は、図4に示す従来技術の如く、書込フレームパルスのようなタイミング信号をデータ信号同様にメモリに書き込み、読み出しを行い読出側のクロックに同期させた後で、読み出しフレームパルスのようなタイミング信号との比較を行い非同期を検出する。このため、タイミング信号用のメモリが必要となり回路が大規模となるからである。
【0011】
【発明の目的】
本発明は、従来技術の上述した課題に鑑みなされたものであり、メモリ書込および読出クロックの位相関係を監視する非同期検出回路を提供することを目的とする。また、非同期検出用のメモリを不要にして、回路を小規模にする非同期検出回路を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の非同期検出回路は、書き込みクロック信号により入力データをメモリに書き込むと共に書き込まれたデータを読み出しクロック信号にて読み出す際の書き込みクロック信号と読み出しクロック信号の非同期を検出する回路であって、メモリの監視区間内の位相スリップ回数をカウントするカウンタを設け、位相スリップ回数により非同期状態を検出する。
【0013】
また、本発明による非同期検出回路の好適実施形態によると、位相スリップ回数の判定閾値をプログラマブルに設定する。カウンタとしてプログラマブルカウンタを使用し、このプログラマブルカウンタのカウント値を判定閾値に基づき判定する判定回路を備える。プログラマブルカウンタの前段に、書き込みクロック信号を1/2分周する1/2分周器およびフリップフロップを設ける。読み出しクロック信号を受けるインターバルカウンタを設け、1/2分周器およびプログラマブルカウンタに入力する監視インターバルおよび判定回路に入力する判定インターバルを発生する。書き込みクロック信号および読み出しクロック信号に位相を比較する位相比較器およびこの位相比較器の比較結果を入力して読み出しクロック信号を制御するVCO(電圧制御発振器)を備える。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による非同期検出回路の好適実施形態の構成および動作を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0015】
先ず、図1は、本発明による非同期検出回路の好適実施形態の構成を示すブロック図である。この非同期検出回路は、非同期検出器1、メモリ2、ライト(書込)カウンタ3、リード(読出)カウンタ4、VCO(電圧制御発振器)5および位相比較器6により構成される。
【0016】
ここで、ライトカウンタ3は、入力クロック(書き込みクロック信号)からメモリ書き込み信号を生成する。リードカウンタ4は、出力クロック(読み出しクロック信号)からメモリ読み出し信号を生成する。メモリ2は、入力データ(又はデータ信号)を読み書きする。位相比較器6は、書き込みクロック信号と読み出しクロック信号との位相差を比較する。VCO5は、位相比較器6の比較結果によって発振周波数を制御する。非同期検出器1は、メモリ書き込みクロックと読み出しクロックの同期状態を検出する。
【0017】
次に、図2は、図1中の非同期検出器1の詳細構成を示すブロック図である。この非同期検出器1は、1/2分周器10、D型フリップフロップ(以下、D−FFという)11、プログラマブルカウンタ12、判定回路13およびインターバルカウンタ14により構成される。1/2分周器10には、書き込みクロックおよびインターバルカウンタ14からの監視インターバル信号が入力され、その出力をD―FF11に入力される。読み出しクロックがD―FF11のクロック端子Cおよびインターバルカウンタ14に入力される。プログラマブルカウンタ12には、D―FF11の出力信号、インターバルカウンタ14からの監視インターバル信号および外部からのカウント値設定信号が入力される。判定回路13には、プログラマブルカウンタ12の出力信号、インターバルカウンタ14からの判定インターバル信号および外部からの判定閾値設定信号が入力され、非同期検出信号を出力する。また、インターバルカウンタ14には、外部からインターバル設定信号が入力される。
【0018】
ここで、1/2分周器10は、入力される書き込みクロックを1/2分周して、スリップ情報を検出する比較信号を生成する。D―FF11は、1/2分周した書き込みクロックを読み出しクロックに同期した信号に変換する。インターバルカウンタ14は、監視周期インターバル信号および判定インターバル信号を生成する。プログラマブルカウンタ12は、監視周期中の位相情報を計数する。判定回路13は、スリップ発生回数を認識し、その回数に応じて非同期判定を行う。この判定回路13は、ロジック回路で構成するか又はCPU(中央処理装置)等のソフトウエア処理回路で構成可能である。
【0019】
次に、図1に示す本発明による非同期検出回路の好適実施形態の動作を説明する。入力データのメモリ2への書き込みは、入力クロック信号よりライトカウンタ3にて書き込み用アドレス信号および書き込みクロック信号を使用して行われる。メモリ2からのデータ信号読み出しは、電圧制御発振器(VCO)5が発生する出力クロック信号よりリードカウンタ4にて読み出しアドレス信号および読み出しクロック信号を使用して行われる。書き込みクロックおよび読み出しクロックの位相関係は、位相比較器6にて位相情報を検出し、その比較結果をVCO5の制御に使用することにより、書き込みクロックおよび読み出しクロックを同期させる。非同期検出器1では、書き込みクロック信号および読み出しクロック信号を利用して非同期の検出判定が行われている。
【0020】
次に、本発明による非同期検出回路の動作を図2および図3を参照して詳細に説明する。図3(A)は、書き込みクロック信号および読み出しクロック信号の同期状態におけるタイミングチャートである。この特定例では、インターバル周期を200クロック、プログラマブルカウント値を100および判定閾値を3としている。また、図3(B)は、上述した両クロック信号の非同期状態におけるタイミングチャートである。図3(A)および(B)において、(a)は監視インターバル、(b)は判定インターバル、(c)は書き込みクロック、(d)は読み出しクロック、(e)は1/2分周器10の分周出力、(f)はカウンタクロックおよび(g)はプログラマブルカウンタ12のカウント値である。
【0021】
図3(A)の場合には、書き込みクロック信号(図3の(c)参照)および読み出しクロック信号(図3の(d)参照)は同期しているので、常に一定の位相関係を保持している。1/2分周器10は、監視インターバル信号(図3の(a)参照)で初期化され、書き込みクロック(図3(c)参照)を1/2分周する。ここで、監視インターバル信号(図3(a)参照)で初期化するのは、プログラマブルカウンタ12の初期化と同期をとるためである。1/2分周器10の出力信号(図3(e)参照)は、D―FF11を通すことにより読み出しクロック(図3(d)参照)に乗せ変えられる。同期状態では、D―FF11の出力は、監視インターバル周期で繰り返すパターンとなる。
【0022】
プログラマブルカウンタ12は、監視インターバル信号(図3(a)参照)でカウント設定値となり、D―FF11の出力信号をクロックとしてカウントダウンを行う。書き込みクロック信号および読み出しクロック信号が同期しているときは、設定値からカウントを開始し、ゼロで終了する。判定回路13では、判定インターバル信号(図3(b)参照)にてプログラマブルカウンタ12のカウント値「0」が取り込まれる。そして、取り込んだカウント値と設定した閾値との比較が行われる。取り込んだ値が閾値範囲内の場合には、同期状態を示す信号を出力する。
【0023】
次に、図3(B)は、非同期状態におけるタイミングチャートである。設定は上述した図3(A)に示す同期状態と同じである。書き込みクロック信号(図3(c)参照)および読み出しクロック信号(図3(d)参照)は、同期していないので、バラバラの位相関係となっている。1/2分周器10は、監視インターバル信号(図3(a)参照)で初期化され、書き込みクロック(図3(c)参照)を1/2分周する。非同期のために、1/2分周器10の分周出力信号(図3(e)参照)は、周期的な信号にはならない。この1/2分周器10の分周出力信号は、D―FF11を通すことで読み出しクロック(図3(d)参照)に乗せ変えられる。プログラマブルカウンタ12は、監視インターバル信号(図3(a)参照)でカウント設定値となり、D―FF11の出力信号をクロックとして、カウントダウンを行う。書き込みクロックおよび読み出しクロックが非同期のため、ゼロで終了しない。判定回路13では、判定インターバル信号にてプログラマブルカウンタ12のカウント値「4」が取り込まれ、取り込んだカウント値と設定した閾値との比較が行われる。取り込んだ値が閾値範囲内にない場合は、非同期を示す非同期検出信号を出力する。
【0024】
以上、本発明による非同期検出回路の好適実施形態の構成および動作を詳述した。しかし、斯かる実施形態は、本発明の単なる例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではない。本発明の要旨を逸脱することなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能であること、当業者には容易に理解できよう。
【0025】
【発明の効果】
以上の説明から明らかな如く、本発明の非同期検出回路によると、次の如き実用上の顕著な効果が得られる。第1に、確実に非同期検出が行える。その理由は、判定閾値を設定および制御して、スリップ回数が閾値を超えたか否かで非同期状態を判定している。そこで、回線品質に応じて閾値を調整し、即ち回線品質が劣化している場合には閾値を大きく設定することが可能であるので、木目細かい非同期の検出を行うことができるからである。
【0026】
第2に、回路を小規模にすることが可能である。その理由は、メモリ書き込みクロックと読み出しクロックの状態を監視する方式のため、メモリを使用する従来の非同期検出回路に比較して、回路規模が縮小可能であるからである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による非同期検出回路の好適実施形態の構成を示すブロック図である。
【図2】図1における非同期検出器の構成を示す詳細ブロック図である。
【図3】図1および図2に示す本発明の非同期検出回路の動作を説明するタイミングチャートであり、(A)は同期状態、(B)は非同期状態である。
【図4】非同期検出回路の第1従来例の構成を示すブロック図である。
【図5】非同期検出回路の第2従来例の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 非同期検出器
2 メモリ
3 ライトカウンタ
4 リードカウンタ
5 VCO(電圧制御発振器)
6 位相比較器
10 1/2分周器
11 D型フリップフロップ(D−FF)
12 プログラマブルカウンタ
13 判定回路
14 インターバルカウンタ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an asynchronous detection circuit, and more particularly, to an asynchronous detection circuit that detects asynchronous write / read clocks in a speed conversion circuit or a clock transfer circuit using a memory.
[0002]
[Prior art]
This type of asynchronous detection circuit is disclosed in, for example, “Memory Slip Detection Circuit and Memory Slip Detection Method” in JP-A-8-221331. Such an asynchronous detection circuit is widely used for detecting a shift in a write phase and a read phase of a memory.
[0003]
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional example of an asynchronous detection circuit. The asynchronous detection circuit includes a
[0004]
Next, the operation of the asynchronous detection circuit shown in FIG. 4 will be described. The
[0005]
Further, as disclosed in “Clock Change Circuit” of Japanese Patent Laid-Open No. 7-30529, it is used to monitor the memory write phase and read phase difference of the clock change circuit.
[0006]
Next, FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of another conventional example using an asynchronous detection circuit. This asynchronous detection circuit includes
[0007]
Next, the operation of the asynchronous detection circuit shown in FIG. 5 will be described. The write
[0008]
The
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
The above-described prior art has the following problems. First, asynchronous detection may not be performed reliably. The reason is that the conventional asynchronous detection circuit can detect only the occurrence of slipping even if memory reading / writing is mistaken once or ten times. That is, only the presence / absence of slip occurrence can be determined within a fixed monitoring period such as a reset period or a frame period.
[0010]
Second, in order to compare phase information on the writing side and phase information on the reading side, a memory for phase information is required, and the circuit configuration becomes large. The reason for this is that, as in the prior art shown in FIG. 4, a timing signal such as a write frame pulse is written to the memory in the same manner as the data signal, and after reading and synchronizing with the clock on the read side, Asynchronous is detected by comparing with a simple timing signal. For this reason, a memory for timing signals is required, and the circuit becomes large.
[0011]
OBJECT OF THE INVENTION
The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object thereof is to provide an asynchronous detection circuit for monitoring the phase relationship between memory write and read clocks. It is another object of the present invention to provide an asynchronous detection circuit that eliminates the need for an asynchronous detection memory and reduces the circuit scale.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
An asynchronous detection circuit of the present invention is a circuit for detecting the asynchronousness of a write clock signal and a read clock signal when writing input data to a memory by a write clock signal and reading the written data by a read clock signal. A counter for counting the number of phase slips in the monitoring section is provided, and an asynchronous state is detected based on the number of phase slips.
[0013]
Further, according to the preferred embodiment of the asynchronous detection circuit of the present invention, the determination threshold for the number of phase slips is set in a programmable manner. A programmable counter is used as the counter, and a determination circuit for determining the count value of the programmable counter based on the determination threshold value is provided. A ½ frequency divider and a flip-flop for dividing the write clock signal by ½ are provided in the preceding stage of the programmable counter. An interval counter that receives the read clock signal is provided to generate a monitoring interval that is input to the 1/2 frequency divider and the programmable counter and a determination interval that is input to the determination circuit. A phase comparator that compares phases with a write clock signal and a read clock signal, and a VCO (voltage controlled oscillator) that controls a read clock signal by inputting a comparison result of the phase comparator.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the configuration and operation of a preferred embodiment of an asynchronous detection circuit according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0015]
First, FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a preferred embodiment of an asynchronous detection circuit according to the present invention. This asynchronous detection circuit includes an asynchronous detector 1, a
[0016]
Here, the write counter 3 generates a memory write signal from the input clock (write clock signal). The read counter 4 generates a memory read signal from the output clock (read clock signal). The
[0017]
Next, FIG. 2 is a block diagram showing a detailed configuration of the asynchronous detector 1 in FIG. The asynchronous detector 1 includes a 1/2
[0018]
Here, the 1/2
[0019]
Next, the operation of the preferred embodiment of the asynchronous detection circuit according to the present invention shown in FIG. 1 will be described. Writing of input data to the
[0020]
Next, the operation of the asynchronous detection circuit according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 3A is a timing chart in the synchronized state of the write clock signal and the read clock signal. In this specific example, the interval period is 200 clocks, the programmable count value is 100, and the determination threshold is 3. FIG. 3B is a timing chart in the asynchronous state of both clock signals described above. 3A and 3B, (a) is a monitoring interval, (b) is a determination interval, (c) is a write clock, (d) is a read clock, and (e) is a 1/2
[0021]
In the case of FIG. 3A, the write clock signal (see FIG. 3C) and the read clock signal (see FIG. 3D) are synchronized, so that a constant phase relationship is always maintained. ing. The 1/2
[0022]
The
[0023]
Next, FIG. 3B is a timing chart in an asynchronous state. The setting is the same as the synchronization state shown in FIG. Since the write clock signal (see FIG. 3C) and the read clock signal (see FIG. 3D) are not synchronized, they have a disparate phase relationship. The 1/2
[0024]
The configuration and operation of the preferred embodiment of the asynchronous detection circuit according to the present invention have been described above in detail. However, such an embodiment is merely an example of the present invention and does not limit the present invention. Those skilled in the art will readily understand that various modifications and changes can be made according to a specific application without departing from the gist of the present invention.
[0025]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, the asynchronous detection circuit of the present invention provides the following remarkable effects in practical use. First, asynchronous detection can be reliably performed. The reason is that the determination threshold is set and controlled, and the asynchronous state is determined based on whether or not the number of slips exceeds the threshold. Therefore, the threshold value is adjusted according to the line quality, that is, when the line quality is deteriorated, the threshold value can be set large, so that fine asynchronous detection can be performed.
[0026]
Second, it is possible to reduce the circuit scale. This is because the circuit scale can be reduced as compared with a conventional asynchronous detection circuit using a memory because the state of the memory write clock and the read clock is monitored.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a preferred embodiment of an asynchronous detection circuit according to the present invention.
FIG. 2 is a detailed block diagram showing a configuration of an asynchronous detector in FIG. 1;
FIGS. 3A and 3B are timing charts for explaining the operation of the asynchronous detection circuit of the present invention shown in FIGS. 1 and 2, wherein FIG. 3A shows a synchronous state and FIG. 3B shows an asynchronous state.
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a first conventional example of an asynchronous detection circuit.
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a second conventional example of an asynchronous detection circuit.
[Explanation of symbols]
1
6
12
Claims (6)
前記メモリの監視区間内の位相スリップ回数をカウントするカウンタを設け、前記位相スリップ回数により非同期状態を検出することを特徴とする非同期検出回路。In the asynchronous detection circuit for detecting the asynchronous of the write clock signal and the read clock signal when writing the input data to the memory by the write clock signal and reading the written data by the read clock signal,
An asynchronous detection circuit comprising: a counter that counts the number of phase slips in the monitoring section of the memory, and detecting an asynchronous state based on the number of phase slips.
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